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JP2017078012A - Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor including the same - Google Patents

Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor including the same Download PDF

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JP2017078012A JP2016080524A JP2016080524A JP2017078012A JP 2017078012 A JP2017078012 A JP 2017078012A JP 2016080524 A JP2016080524 A JP 2016080524A JP 2016080524 A JP2016080524 A JP 2016080524A JP 2017078012 A JP2017078012 A JP 2017078012A
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Abstract

【課題】X9R温度特性及び信頼性が保証された誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシターの提供。【解決手段】BaTiO3で表される第1主成分と、Bi0.5+aNa0.5+aTiO3で表される第2主成分と、を含み、(1−z)BaTiO3−zBi0.5+aNa0.5+aTiO3で表される母材粉末(0.05≦z≦0.5、−0.025≦a≦0.025)を含み、Bi含有量1.0at%未満、Na含有量5.0at%未満の結晶粒を第1結晶粒とし、Bi含有量1.0〜70at%、Na含有量5.0〜70at%の結晶粒を第2結晶粒としたときに、単位面積に対する上記第2結晶粒の面積比が5.0〜50%である誘電体磁器組成物。【選択図】図2A dielectric ceramic composition with guaranteed X9R temperature characteristics and reliability and a multilayer ceramic capacitor including the dielectric ceramic composition are provided. A first main component represented by BaTiO3 and a second main component represented by Bi0.5 + aNa0.5 + aTiO3, and a mother represented by (1-z) BaTiO3-zBi0.5 + aNa0.5 + aTiO3. First, crystal grains containing material powder (0.05 ≦ z ≦ 0.5, −0.025 ≦ a ≦ 0.025), Bi content of less than 1.0 at%, and Na content of less than 5.0 at% When the crystal grain is a crystal grain having a Bi content of 1.0 to 70 at% and a Na content of 5.0 to 70 at%, the area ratio of the second crystal grain to the unit area is 5. Dielectric ceramic composition that is 0-50%. [Selection] Figure 2

Description

本発明は、X9R温度特性及び信頼性が保証される誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシターに関する。   The present invention relates to a dielectric ceramic composition in which X9R temperature characteristics and reliability are guaranteed, and a multilayer ceramic capacitor including the same.

一般的に、キャパシター、インダクター、圧電素子、バリスター、又はサーミスターなどのセラミック材料を使用する電子部品は、セラミック材料からなるセラミック本体と、セラミック本体の内部に形成された内部電極と、上記内部電極と接続するようにセラミック本体の表面に設置された外部電極と、を備える。   Generally, an electronic component using a ceramic material such as a capacitor, an inductor, a piezoelectric element, a varistor, or a thermistor includes a ceramic body made of a ceramic material, an internal electrode formed inside the ceramic body, An external electrode installed on the surface of the ceramic body so as to be connected to the electrode.

セラミック電子部品のうち、積層セラミックキャパシターは、積層された複数の誘電体層と、一つの誘電体層を挟んで対向配置される内部電極と、上記内部電極に電気的に接続した外部電極と、を含む。   Among the ceramic electronic components, the multilayer ceramic capacitor includes a plurality of laminated dielectric layers, an internal electrode disposed to face the dielectric layer, an external electrode electrically connected to the internal electrode, including.

積層セラミックキャパシターは、小型でありながら高容量が保証され、実装が容易であるという利点から、コンピューター、PDA、携帯電話などの移動通信装置の部品として広く使用されている。   Multilayer ceramic capacitors are widely used as components of mobile communication devices such as computers, PDAs, and mobile phones because of their advantages of being small in size, ensuring high capacity, and being easy to mount.

積層セラミックキャパシターは、通常、内部電極用ペーストと誘電体層用ペーストをシート法又は印刷法などにより積層し同時焼成して製造される。   A multilayer ceramic capacitor is usually manufactured by laminating an internal electrode paste and a dielectric layer paste by a sheet method or a printing method and simultaneously firing them.

近年、自動車における電子制御装置の割合が増加しており、ハイブリッド(Hybrid)自動車及び電気自動車の開発に伴い、150度以上の高温で使用可能な積層セラミックキャパシターに対する要求が徐々に増加している。   In recent years, the proportion of electronic control devices in automobiles has increased, and with the development of hybrid automobiles and electric automobiles, the demand for multilayer ceramic capacitors that can be used at high temperatures of 150 ° C. or higher has gradually increased.

現在、還元雰囲気で焼成が可能で、且つ200度保証製品に適用可能な誘電体材料として、C0G系の誘電体があるが、誘電率が30程度と非常に低くて、高容量製品を作製するのが困難であるという問題がある。   Currently, there is a C0G-based dielectric material that can be fired in a reducing atmosphere and can be applied to a 200-degree guaranteed product. However, the dielectric constant is as low as about 30 to produce a high-capacity product. There is a problem that it is difficult.

BaTiOの場合、誘電率が1000以上と高いが、キュリー温度125度以上で誘電率が急激に低下するという特徴があるため、150度以上の領域である200度までに特性を保証することは不可能である。 In the case of BaTiO 3 , the dielectric constant is as high as 1000 or higher, but since the dielectric constant is drastically decreased at a Curie temperature of 125 ° C. or higher, it is possible to guarantee the characteristics by 200 ° C., which is an area of 150 ° C. or higher Impossible.

したがって、キュリー温度が高く、且つ比較的高い誘電率を維持して、X9R温度特性を満たすことで信頼性を保証する材料が必要である。   Therefore, there is a need for a material that has a high Curie temperature and maintains a relatively high dielectric constant to ensure reliability by satisfying the X9R temperature characteristics.

韓国公開特許公報第10‐2012‐0129918号Korean Published Patent Publication No. 10-2012-0129918

本発明の目的は、X9R温度特性及び信頼性が保証される誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシターを提供することにある。   An object of the present invention is to provide a dielectric ceramic composition in which X9R temperature characteristics and reliability are ensured, and a multilayer ceramic capacitor including the same.

本発明の一実施形態に係る誘電体磁器組成物は、BaTiOで表される第1主成分と、Bi0.5+aNa0.5+aTiOで表される第2主成分と、を含み、(1−z)BaTiO−zBi0.5+aNa0.5+aTiOで表される母材粉末(ただし、上記zは0.05≦z≦0.5、上記aは−0.025≦a≦0.025)を含み、Bi含有量1.0at%未満、Na含有量5.0at%未満の結晶粒を第1結晶粒とし、Bi含有量1.0〜70at%、Na含有量5.0〜70at%の結晶粒を第2結晶粒としたときに、単位面積に対する上記第2結晶粒の面積比が5.0〜50%である。 The dielectric ceramic composition according to an embodiment of the present invention includes a first main component represented by BaTiO 3 and a second main component represented by Bi 0.5 + a Na 0.5 + a TiO 3 . (1-z) BaTiO 3 -zBi 0.5 + a Na 0.5 + a Base material powder represented by TiO 3 (wherein z is 0.05 ≦ z ≦ 0.5, and a is −0.025 ≦ a) ≦ 0.025), a crystal grain having a Bi content of less than 1.0 at% and a Na content of less than 5.0 at% is defined as a first crystal grain, a Bi content of 1.0 to 70 at%, and a Na content of 5. When the crystal grains of 0 to 70 at% are used as the second crystal grains, the area ratio of the second crystal grains to the unit area is 5.0 to 50%.

本発明の他の実施形態に係る積層セラミックキャパシターは、誘電体層と第1及び第2内部電極が交互に積層されたセラミック本体と、上記セラミック本体の両端部に形成され、上記第1及び第2内部電極と電気的に連結される第1及び第2外部電極と、を含み、上記誘電体層は、Bi含有量1.0at%未満、Na含有量5.0at%未満の結晶粒を第1結晶粒とし、Bi含有量1.0〜70at%、Na含有量5.0〜70at%の結晶粒を第2結晶粒としたときに、単位面積に対する上記第2結晶粒の面積比が5.0〜50%である。   A multilayer ceramic capacitor according to another embodiment of the present invention includes a ceramic body in which dielectric layers and first and second internal electrodes are alternately stacked, and formed at both ends of the ceramic body. The first and second external electrodes electrically connected to the internal electrode, and the dielectric layer includes crystal grains having a Bi content of less than 1.0 at% and an Na content of less than 5.0 at%. When the crystal grain having a Bi content of 1.0 to 70 at% and the Na content of 5.0 to 70 at% is used as the second crystal grain, the area ratio of the second crystal grain to the unit area is 5 0.0 to 50%.

本発明の一実施形態によると、X9R温度特性を満たし、誘電率が高い誘電体磁器組成物、誘電体層及びこれを含む積層セラミックキャパシターを具現することができる。   According to an embodiment of the present invention, it is possible to implement a dielectric ceramic composition, a dielectric layer, and a multilayer ceramic capacitor including the dielectric ceramic composition that satisfy X9R temperature characteristics and have a high dielectric constant.

また、本発明の一実施形態に係る1050℃以下で焼成が可能な焼結助剤を適用することによりBiの揮発を抑制して、本発明の積層セラミックキャパシターの目標特性を具現することができる。   In addition, by applying a sintering aid that can be fired at 1050 ° C. or less according to an embodiment of the present invention, Bi volatilization can be suppressed and the target characteristics of the multilayer ceramic capacitor of the present invention can be realized. .

第1結晶粒と第2結晶粒からなる微細構造及び各結晶粒内でSTEM/EDS分析によりBi及びNaの含有量を分析する位置P1、P2、P3、P4に対する模式図である。It is a schematic diagram with respect to positions P1, P2, P3, and P4 in which the contents of Bi and Na are analyzed by STEM / EDS analysis within each crystal grain and the fine structure composed of the first crystal grain and the second crystal grain. 第1結晶粒と第2結晶粒からなる微細構造及び各結晶粒内でSTEM/EDS分析によりBi及びNaの含有量を分析する位置P1、P2、P3、P4に対する微細構造である。It is a fine structure composed of the first crystal grains and the second crystal grains, and a fine structure corresponding to positions P1, P2, P3, and P4 in which the contents of Bi and Na are analyzed by STEM / EDS analysis in each crystal grain. 第1結晶粒のP1〜P4のBi及びNa含有量を測定したグラフである。It is the graph which measured Bi and Na content of P1-P4 of the 1st crystal grain. 第2結晶粒のP1〜P4のBi及びNa含有量を測定したグラフである。It is the graph which measured Bi and Na content of P1-P4 of the 2nd crystal grain. 本発明の一実施形態に係る積層セラミックキャパシターを示す概略的な斜視図である。1 is a schematic perspective view showing a multilayer ceramic capacitor according to an embodiment of the present invention. 図5のVI‐VI´に沿って取った積層セラミックキャパシターを示す概略的な断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing the multilayer ceramic capacitor taken along VI-VI ′ of FIG. 5.

以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. In addition, the embodiments of the present invention are provided to more fully explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for a clearer description.

本発明は、誘電体磁器組成物に関し、誘電体磁器組成物を含む電子部品としては、キャパシター、インダクター、圧電素子、バリスター、又はサーミスターなどがあり、以下では、誘電体磁器組成物及び電子部品の一例として、積層セラミックキャパシターについて説明する。   The present invention relates to a dielectric ceramic composition, and examples of the electronic component including the dielectric ceramic composition include a capacitor, an inductor, a piezoelectric element, a varistor, and a thermistor. A multilayer ceramic capacitor will be described as an example of a component.

本発明の一実施形態に係る誘電体磁器組成物は、BaTiOで表される第1主成分と、Bi0.5+aNa0.5+aTiOで表される第2主成分と、を含む(1−z)BaTiO−zBi0.5+aNa0.5+aTiOで表される母材粉末(ただし、上記zは0.05≦z≦0.5、aは−0.025≦a≦0.025)を満たす。 The dielectric ceramic composition according to an embodiment of the present invention includes a first main component represented by BaTiO 3 and a second main component represented by Bi 0.5 + a Na 0.5 + a TiO 3 ( 1-z) Base metal powder represented by BaTiO 3 −zBi 0.5 + a Na 0.5 + a TiO 3 (wherein z is 0.05 ≦ z ≦ 0.5, a is −0.025 ≦ a ≦ 0) .025).

本発明の一実施形態に係る誘電体磁器組成物は、EIA(Electronic Industries Association)規格に明示されているX9R(−55℃〜200℃)特性を満たすことができる。   The dielectric ceramic composition according to an embodiment of the present invention can satisfy X9R (−55 ° C. to 200 ° C.) characteristics specified in EIA (Electronic Industries Association) standards.

より詳細には、本発明の一実施形態によると、銅(Cu)を内部電極として使用し、上記銅(Cu)が酸化されない還元雰囲気で焼成が可能な誘電体磁器組成物を提供する。   In more detail, according to an embodiment of the present invention, there is provided a dielectric ceramic composition that uses copper (Cu) as an internal electrode and can be fired in a reducing atmosphere in which the copper (Cu) is not oxidized.

また、これを用いた積層セラミックキャパシターを提供することで、上記温度特性を満たし、且つ優れた信頼性を具現することができる。   Further, by providing a multilayer ceramic capacitor using the same, it is possible to satisfy the above temperature characteristics and realize excellent reliability.

特に、本発明では、誘電率の高いBaTiOとキュリー温度の高い(Bi0.5+aNa0.5+a)TiOを用い、1050度以下で焼成が可能な誘電体磁器組成物を用いて、Biの揮発を最大限に抑制し、一つの焼結体内でこれらの組成をそれぞれ有する2種の結晶粒で構成された複合体形態の試料を作製し、これらの二つの結晶粒の面積比を制御することにより、本発明の目標特性を具現することができた。 In particular, according to the present invention, BiTiO 3 having a high dielectric constant and (Bi 0.5 + a Na 0.5 + a ) TiO 3 having a high Curie temperature are used, and a dielectric ceramic composition that can be fired at 1050 ° C. or less is used. The sample of composite form composed of two kinds of crystal grains each having these compositions in one sintered body is prepared, and the area ratio of these two crystal grains is controlled. By doing so, the target characteristics of the present invention could be realized.

以下、本発明の一実施形態に係る誘電体磁器組成物の各成分についてより具体的に説明する。   Hereinafter, each component of the dielectric ceramic composition according to one embodiment of the present invention will be described more specifically.

a)母材粉末
本発明の一実施形態に係る誘電体磁器組成物は、BaTiOで表される第1主成分と、Bi0.5+aNa0.5+aTiOで表される第2主成分と、を含む(1−z)BaTiO−zBi0.5+aNa0.5+aTiOで表される母材粉末(ただし、上記zは0.05≦z≦0.5、aは−0.025≦a≦0.025)を満たす。
a) Base Material Powder A dielectric ceramic composition according to an embodiment of the present invention includes a first main component represented by BaTiO 3 and a second main component represented by Bi 0.5 + a Na 0.5 + a TiO 3. And a base material powder represented by (1-z) BaTiO 3 -zBi 0.5 + a Na 0.5 + a TiO 3 (wherein z is 0.05 ≦ z ≦ 0.5, a is −0. 025 ≦ a ≦ 0.025).

上記式において、zは0.05≦z≦0.5を満たすことができる。   In the above formula, z can satisfy 0.05 ≦ z ≦ 0.5.

また、aは−0.025≦a≦0.025を満たすことができる。   Further, a can satisfy −0.025 ≦ a ≦ 0.025.

上記第1主成分は、BaTiOで表されることができ、上記BaTiOは、一般的な誘電体母材に使用される材料であり、キュリー温度が約125度程度である強誘電体材料であってもよい。 The first main component can be represented by BaTiO 3 , and the BaTiO 3 is a material used for a general dielectric base material and has a Curie temperature of about 125 degrees. It may be.

上記第1主成分は、BaTiOで表される成分だけでなく、Ca、Zrなどが一部固溶されて修正された(Ba1−xCa)(Ti1−yCa)O(BCTZ)、Ba(Ti1−yZr)O(BTZ)などの形態も可能である。 The first main component is not only a component represented by BaTiO 3 but also modified by partially dissolving Ca, Zr, etc. (Ba 1-x Ca x ) (Ti 1-y Ca y ) O 3. Forms such as (BCTZ), Ba (Ti 1-y Zr y ) O 3 (BTZ) are also possible.

また、上記第2主成分は、Bi0.5+aNa0.5+aTiOで表されることができる。 The second main component may be represented by Bi 0.5 + a Na 0.5 + a TiO 3 .

上記aは−0.025≦a≦0.025を満たすことができ、好ましくは、上記第2主成分は、Bi0.5Na0.5で表されることができる。 The a may satisfy −0.025 ≦ a ≦ 0.025. Preferably, the second main component may be represented by Bi 0.5 Na 0.5 O 3 .

すなわち、本発明の一実施形態に係る誘電体磁器組成物の母材粉末は、キュリー温度が低いBaTiO強誘電体材料とBi0.5+aNa0.5+aTiOで表される材料を一定の割合で混合した形態であってもよい。 That is, the base material powder of the dielectric ceramic composition according to one embodiment of the present invention is made of a BaTiO 3 ferroelectric material having a low Curie temperature and a material represented by Bi 0.5 + a Na 0.5 + a TiO 3 with a certain amount. A mixed form may be used.

上記のように一定の割合で第1主成分と第2主成分材料を混合して母材粉末を作製することにより、本発明の一実施形態に係る誘電体磁器組成物を用いた誘電体層と積層セラミックキャパシターは、誘電率が高く、1050℃以下で焼成が可能であり、特に、X9R温度特性を満たすことができる。   A dielectric layer using a dielectric ceramic composition according to an embodiment of the present invention by preparing a base material powder by mixing the first main component and the second main component material at a constant ratio as described above. The multilayer ceramic capacitor has a high dielectric constant and can be fired at 1050 ° C. or lower, and in particular, can satisfy the X9R temperature characteristic.

本発明の一実施形態に係る誘電体磁器組成物の常温誘電率が1000以上、常温比抵抗が1.0×1011Ohm・cm以上、高温200TCC(200℃)±22%未満及び高温(200℃)耐電圧50V/μm以上のすべての特性の同時具現が可能である。 The dielectric ceramic composition according to an embodiment of the present invention has a room temperature dielectric constant of 1000 or more, a room temperature resistivity of 1.0 × 10 11 Ohm · cm or more, a high temperature of less than 200 TCC (200 ° C.) ± 22%, and a high temperature (200 C.) All characteristics with a withstand voltage of 50 V / μm or more can be realized simultaneously.

また、上記誘電体磁器組成物の母材粉末は、上述のキュリー温度が互いに異なる材料を混合した形態以外にも固溶された形態であってもよい。上記母材粉末が互いに固溶された形態である場合には、上記母材粉末は、一つ以上の相を有する形態であってもよい。例えば、Bi含有量1.0at%未満、Na含有量5.0at%未満の結晶粒を第1結晶粒とし、Bi含有量1.0〜70at%、Na含有量5.0〜70at%の結晶粒を第2結晶粒としたときに、上記母材粉末は、第1及び第2結晶粒を有する形態であってもよい。   Moreover, the base material powder of the dielectric ceramic composition may be in a solid solution form other than the form in which materials having different Curie temperatures are mixed. When the base material powder is in the form of solid solution, the base material powder may have one or more phases. For example, a crystal grain having a Bi content of less than 1.0 at% and a Na content of less than 5.0 at% is defined as a first crystal grain, and a crystal having a Bi content of 1.0 to 70 at% and a Na content of 5.0 to 70 at%. When the grains are the second crystal grains, the base material powder may have a form having first and second crystal grains.

図1及び図2は第1結晶粒と第2結晶粒からなる微細構造及び各結晶粒内でSTEM/EDS分析によりBi及びNaの含有量を分析する位置P1、P2、P3、P4に対する模式図及び微細構造であり、図3は第1結晶粒のP1〜P4のBi及びNa含有量を測定したグラフであり、図4は第2結晶粒のP1〜P4のBi及びNa含有量を測定したグラフである。   FIG. 1 and FIG. 2 are schematic views of the fine structure composed of the first crystal grains and the second crystal grains and the positions P1, P2, P3, and P4 for analyzing the contents of Bi and Na by STEM / EDS analysis in each crystal grain. 3 is a graph in which the Bi and Na contents of P1 to P4 of the first crystal grains are measured, and FIG. 4 is a graph of the Bi and Na contents of P1 to P4 in the second crystal grains. It is a graph.

図1及び図2を参照すると、本発明の一実施形態に係る誘電体磁器組成物を用いた積層セラミック電子部品の誘電体層の微細構造は、第1結晶粒10と、第2結晶粒20と、を含む。   Referring to FIGS. 1 and 2, the microstructure of the dielectric layer of the multilayer ceramic electronic component using the dielectric ceramic composition according to one embodiment of the present invention includes a first crystal grain 10 and a second crystal grain 20. And including.

第1結晶粒10は、図1及び図2に示されている結晶粒のうち一つにおいてP1〜P4の位置におけるBi及びNaの含有量を測定して、Bi含有量1.0at%未満、Na含有量5.0at%未満の結晶粒を意味する。すなわち、図3を参照すると、P1〜P4のBi含有量及びNa含有量を測定して、4箇所の平均を出し、Bi含有量1.0at%未満、Na含有量5.0at%未満の結晶粒を第1結晶粒と定義することができる。   The first crystal grain 10 measures the Bi and Na contents at positions P1 to P4 in one of the crystal grains shown in FIGS. 1 and 2, and the Bi content is less than 1.0 at%. It means crystal grains having a Na content of less than 5.0 at%. That is, referring to FIG. 3, the Bi content and Na content of P1 to P4 are measured, and the average of four points is obtained, and crystals with Bi content of less than 1.0 at% and Na content of less than 5.0 at% are obtained. A grain can be defined as a first grain.

第2結晶粒20は、図1及び図2に示されている結晶粒のうち一つにおいてP1〜P4の位置におけるBi及びNaの含有量を測定して、Bi含有量1.0〜70at%、Na含有量5.0〜70at%の結晶粒を意味する。すなわち、図4を参照すると、P1〜P4のBi含有量及びNa含有量を測定して、4箇所の平均を出し、Bi含有量1.0〜70at%、Na含有量5.0〜70at%の結晶粒を第2結晶粒と定義することができる。   The 2nd crystal grain 20 measures Bi and Na content in the position of P1-P4 in one of the crystal grains shown in FIG.1 and FIG.2, and Bi content is 1.0-70at%. , Means a crystal grain having a Na content of 5.0 to 70 at%. That is, referring to FIG. 4, the Bi content and Na content of P1 to P4 are measured, and the average of four locations is obtained, and the Bi content is 1.0 to 70 at%, and the Na content is 5.0 to 70 at%. These crystal grains can be defined as the second crystal grains.

本発明の一実施形態に係る誘電体磁器組成物は、単位面積に対する第2結晶粒の面積比が5.0〜50%の場合に、上述のすべての特性の同時具現が可能である。すなわち、単位面積に対する第2結晶粒の面積比が5.0〜50%を離脱する場合、本発明のすべての目標特性を具現することができない。   When the area ratio of the second crystal grains to the unit area is 5.0 to 50%, the dielectric ceramic composition according to the embodiment of the present invention can simultaneously realize all the above characteristics. That is, when the area ratio of the second crystal grains to the unit area is out of 5.0 to 50%, all the target characteristics of the present invention cannot be realized.

上記母材粉末は、特に制限されるものではないが、粉末の平均粒径は、300nm以下であってもよい。   The base material powder is not particularly limited, but the average particle size of the powder may be 300 nm or less.

b)第1副成分
本発明の一実施形態によると、上記誘電体磁器組成物は、第1副成分としてLiを含む酸化物或いは炭酸塩をさらに含むことができ、好ましくは、LiCOをさらに含むことができる。第1副成分は、母材粉末100molに対して0.2mol〜5.0mol含まれることができる。
b) First Subcomponent According to one embodiment of the present invention, the dielectric ceramic composition may further include an oxide or carbonate containing Li as the first subcomponent, preferably Li 2 CO 3. Can further be included. The first subcomponent may be included in an amount of 0.2 mol to 5.0 mol with respect to 100 mol of the base material powder.

第1副成分は、誘電体磁器組成物が適用された積層セラミックキャパシターの常温比抵抗及び高温耐電圧特性を向上させる役割をする。   The first subcomponent serves to improve the room temperature specific resistance and the high temperature withstand voltage characteristics of the multilayer ceramic capacitor to which the dielectric ceramic composition is applied.

第1副成分が母材粉末100molに対して0.2mol未満である場合には、焼結密度が低くて常温比抵抗及び高温耐電圧が非常に低いという問題が発生し、第1副成分が母材粉末100molに対して5.0molを超える場合には、高温耐電圧が50V/μm未満と低くなるという問題が発生し得る。   When the first subcomponent is less than 0.2 mol with respect to 100 mol of the base material powder, there arises a problem that the sintered density is low and the normal temperature specific resistance and the high temperature withstand voltage are very low. When it exceeds 5.0 mol with respect to 100 mol of the base material powder, a problem that the high-temperature withstand voltage is as low as less than 50 V / μm may occur.

したがって、本発明の一実施形態に係る誘電体磁器組成物は、第1副成分の含有量が母材粉末100molに対して0.2〜5.0molである場合に、上述のすべての特性の同時具現が可能である。   Therefore, the dielectric ceramic composition according to the embodiment of the present invention has all the above characteristics when the content of the first subcomponent is 0.2 to 5.0 mol with respect to 100 mol of the base material powder. Simultaneous implementation is possible.

c)第2副成分
本発明の一実施形態によると、上記誘電体磁器組成物は、第2副成分として、Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu及びZnのうち少なくとも一つ以上を含む酸化物或いは炭酸塩をさらに含むことができ、好ましくは、MnO又はVをさらに含むことができる。
c) Second Subcomponent According to one embodiment of the present invention, the dielectric ceramic composition includes at least one of Mn, V, Cr, Fe, Ni, Co, Cu and Zn as the second subcomponent. In addition, an oxide or a carbonate containing bismuth can be further contained, and preferably, MnO 2 or V 2 O 5 can be further contained.

上記第2副成分として、Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu及びZnのうち少なくとも一つ以上を含む酸化物或いは炭酸塩は、上記母材粉末100molに対して、0.2mol〜3.0molの含有量で含まれることができる。   As the second subcomponent, the oxide or carbonate containing at least one of Mn, V, Cr, Fe, Ni, Co, Cu and Zn is 0.2 mol to 100 mol of the base material powder. It can be included with a content of 3.0 mol.

若しくは、2種類以上の第2副成分を含む場合、at%を基準として第2副成分の全含有量が0.2〜3.0at%を満たすように含まれることができる。   Alternatively, when two or more kinds of second subcomponents are included, the total content of the second subcomponents can be included so as to satisfy 0.2 to 3.0 at% based on at%.

上記第2副成分は、誘電体磁器組成物が適用された積層セラミックキャパシターの常温比抵抗及び高温耐電圧特性を向上させる役割をする。   The second subcomponent serves to improve the room temperature specific resistance and high temperature withstand voltage characteristics of the multilayer ceramic capacitor to which the dielectric ceramic composition is applied.

上記第2副成分の全含有量が0.2at%未満である場合には、常温比抵抗及び高温耐電圧特性が低下し得る。   When the total content of the second subcomponent is less than 0.2 at%, the normal temperature specific resistance and the high temperature withstand voltage characteristics may be deteriorated.

上記第2副成分の全含有量が3.0at%を超える場合にも常温比抵抗及び高温耐電圧特性が低下し得る。   Even when the total content of the second subcomponent exceeds 3.0 at%, the normal temperature specific resistance and the high temperature withstand voltage characteristics may be deteriorated.

特に、本発明の一実施形態に係る誘電体磁器組成物は、母材粉末100at%に対して、0.2〜3.0at%の含有量を有する第2副成分をさらに含むことができ、これにより、低温焼成が可能となり、高い高温耐電圧特性を得ることができ、上述のすべての特性の同時具現が可能である。   In particular, the dielectric ceramic composition according to an embodiment of the present invention may further include a second subcomponent having a content of 0.2 to 3.0 at% with respect to 100 at% of the base material powder, Thereby, low-temperature firing is possible, high high-temperature withstand voltage characteristics can be obtained, and all the above-described characteristics can be realized simultaneously.

d)第3副成分
本発明の一実施形態によると、上記誘電体磁器組成物は、Ba及びCaのうち一つ以上の元素の酸化物及び炭酸塩からなる群から選択される一つ以上を含む第3副成分を含むことができ、好ましくは、BaCOをさらに含むことができる。
d) Third Subcomponent According to one embodiment of the present invention, the dielectric ceramic composition comprises at least one selected from the group consisting of oxides and carbonates of one or more elements of Ba and Ca. A third subcomponent may be included, and preferably may further include BaCO 3 .

上記第3副成分は、上記母材粉末100molに対して、0.2〜10.0molの含有量で含まれることができる。   The third subcomponent may be included in a content of 0.2 to 10.0 mol with respect to 100 mol of the base material powder.

第3副成分が母材粉末100molに対して0.2mol未満である場合には、高温耐電圧が非常に低いという問題が発生し、第1副成分が母材粉末100molに対して10.0molを超える場合には、焼結密度が低くて高温耐電圧が低くなるという問題が発生し得る。   When the third subcomponent is less than 0.2 mol with respect to 100 mol of the base material powder, there is a problem that the high-temperature withstand voltage is very low, and the first subcomponent is 10.0 mol with respect to 100 mol of the base material powder. In the case of exceeding, the problem that the sintered density is low and the high-temperature withstand voltage is low may occur.

したがって、本発明の一実施形態に係る誘電体磁器組成物は、第3副成分の含有量が母材粉末100molに対して0.2〜10.0molである場合に、上述のすべての特性の同時具現が可能である。   Therefore, the dielectric ceramic composition according to one embodiment of the present invention has all the above characteristics when the content of the third subcomponent is 0.2 to 10.0 mol with respect to 100 mol of the base material powder. Simultaneous implementation is possible.

e)第4副成分
本発明の一実施形態によると、上記誘電体磁器組成物は、Si元素の酸化物、Si元素の炭酸塩及びSi元素を含むガラスからなる群から選択される一つ以上を含む第4副成分を含むことができ、好ましくは、SiOをさらに含むことができる。
e) Fourth Subcomponent According to one embodiment of the present invention, the dielectric ceramic composition is one or more selected from the group consisting of Si element oxide, Si element carbonate and Si element glass. A fourth subcomponent may be included, and preferably, SiO 2 may further be included.

上記第4副成分は、上記母材粉末100molに対して、0.2〜5.0mol含まれることができる。   The fourth subcomponent may be included in an amount of 0.2 to 5.0 mol with respect to 100 mol of the base material powder.

上記第4副成分の含有量が上記母材粉末100molに対して、0.5mol未満である場合には、焼結密度が低くて常温比抵抗及び高温耐電圧が低下する可能性があり、5.0molを超えて含まれる場合にも二次相生成などの問題によって高温耐電圧が低くなる可能性がある。   When the content of the fourth subcomponent is less than 0.5 mol with respect to 100 mol of the base material powder, the sintering density is low, and the normal temperature resistivity and the high temperature withstand voltage may decrease. Even when the content exceeds 0.0 mol, the high-temperature withstand voltage may be lowered due to problems such as secondary phase generation.

図5は本発明の一実施形態に係る積層セラミックキャパシター100を示す概略的な斜視図であり、図6は図5のVI‐VI´に沿って取った積層セラミックキャパシター100を示す概略的な断面図である。   5 is a schematic perspective view showing a multilayer ceramic capacitor 100 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing the multilayer ceramic capacitor 100 taken along VI-VI ′ of FIG. FIG.

図5及び図6を参照すると、本発明の他の実施例に係る積層セラミックキャパシター100は、誘電体層111と第1及び第2内部電極121、122が交互に積層されたセラミック本体110を有する。セラミック本体110の両端部には、セラミック本体110の内部に交互に配置された第1及び第2内部電極121、122とそれぞれ導通する第1及び第2外部電極131、132が形成されている。   Referring to FIGS. 5 and 6, a multilayer ceramic capacitor 100 according to another embodiment of the present invention includes a ceramic body 110 in which dielectric layers 111 and first and second internal electrodes 121 and 122 are alternately stacked. . First and second external electrodes 131 and 132 that are electrically connected to first and second internal electrodes 121 and 122 that are alternately arranged inside the ceramic main body 110 are formed at both ends of the ceramic main body 110.

セラミック本体110の形状は、特に制限されないが、一般的に六面体の形状であってもよい。また、その寸法も特に制限されず、用途に応じて適切な寸法にしてもよく、例えば、(0.6〜5.6mm)×(0.3〜5.0mm)×(0.3〜1.9mm)であってもよい。   The shape of the ceramic body 110 is not particularly limited, but may generally be a hexahedral shape. Moreover, the dimension in particular is not restrict | limited, You may make it an appropriate dimension according to a use, for example, (0.6-5.6 mm) * (0.3-5.0 mm) * (0.3-1) .9 mm).

誘電体層111の厚さは、キャパシターの容量設計に応じて任意に変更することができるが、本発明の一実施例において、焼成後の誘電体層の厚さは、1層当たり好ましくは0.1μm以上であってもよい。   The thickness of the dielectric layer 111 can be arbitrarily changed according to the capacitance design of the capacitor. In one embodiment of the present invention, the thickness of the dielectric layer after firing is preferably 0 per layer. It may be 1 μm or more.

薄すぎる厚さの誘電体層は、1層内に存在する結晶粒の数が少なく信頼性に悪い影響を及ぼすため、誘電体層の厚さは0.1μm以上であってもよい。   Since the dielectric layer having a thickness that is too thin has a small number of crystal grains in one layer and adversely affects reliability, the thickness of the dielectric layer may be 0.1 μm or more.

第1及び第2内部電極121、122は、各端面がセラミック本体110の対向する両端部の表面に交互に露出するように積層されている。   The first and second internal electrodes 121 and 122 are laminated so that the end faces are alternately exposed on the surfaces of the opposite ends of the ceramic body 110.

上記第1及び第2外部電極131、132は、セラミック本体110の両端部に形成され、交互に配置された第1及び第2内部電極121、122の露出端面に電気的に連結されることで、キャパシター回路を構成する。   The first and second external electrodes 131 and 132 are formed at both ends of the ceramic body 110 and are electrically connected to the exposed end surfaces of the first and second internal electrodes 121 and 122 arranged alternately. The capacitor circuit is configured.

第1及び第2内部電極121、122に含有される導電性材料は、特に限定されないが、本発明の一実施形態に係る誘電体層は、BaTiOで表される第1主成分と、Bi0.5+aNa0.5+aTiOで表される第2主成分と、を含む(1−z)BaTiO−zBi0.5+aNa0.5+aTiOで表される母材粉末(ただし、上記zは0.05≦z≦0.5、aは−0.025≦a≦0.025)を含む誘電体磁器組成物を用いることから、第1及び第2内部電極121、122は、銅(Cu)を用いることができる。 The conductive material contained in the first and second internal electrodes 121 and 122 is not particularly limited, but the dielectric layer according to an embodiment of the present invention includes a first main component represented by BaTiO 3 and Bi. 0.5 + a Na 0.5 + a includes a second principal component represented by TiO 3, a (1-z) BaTiO 3 -zBi 0.5 + a Na base powder represented by 0.5 + a TiO 3 (provided that the z is 0.05 ≦ z ≦ 0.5, a is −0.025 ≦ a ≦ 0.025), and the first and second internal electrodes 121 and 122 are made of copper. (Cu) can be used.

第1及び第2内部電極121、122の厚さは、用途などに応じて適宜決定することができ、特に制限されるものではないが、例えば、0.1〜5μm又は0.1〜2.5μmであってもよい。   The thicknesses of the first and second internal electrodes 121 and 122 can be appropriately determined according to the application and the like, and are not particularly limited. For example, the thickness is 0.1 to 5 μm or 0.1 to 2. It may be 5 μm.

上記第1及び第2外部電極131、132に含有される導電性材料としては、特に限定されないが、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、又はこれらの合金を用いてもよい。   The conductive material contained in the first and second external electrodes 131 and 132 is not particularly limited, but nickel (Ni), copper (Cu), or an alloy thereof may be used.

上記第1及び第2外部電極131、132の厚さは、用途などに応じて適宜決定することができ、特に制限されるものではないが、例えば、10〜50μmであってもよい。   The thicknesses of the first and second external electrodes 131 and 132 can be appropriately determined according to the application and the like, and are not particularly limited, but may be, for example, 10 to 50 μm.

上記セラミック本体110を構成する誘電体層111は、本発明の一実施形態に係る誘電体磁器組成物を含むことができる。   The dielectric layer 111 constituting the ceramic body 110 may include a dielectric ceramic composition according to an embodiment of the present invention.

上記誘電体磁器組成物は、BaTiOで表される第1主成分と、Bi0.5+aNa0.5+aTiOで表される第2主成分と、を含む(1−z)BaTiO−zBi0.5+aNa0.5+aTiOで表される母材粉末(ただし、上記zは0.05≦z≦0.5、aは−0.025≦a≦0.025)を含む。 The dielectric ceramic composition includes (1-z) BaTiO 3 − containing a first main component represented by BaTiO 3 and a second main component represented by Bi 0.5 + a Na 0.5 + a TiO 3. It includes a base material powder represented by zBi 0.5 + a Na 0.5 + a TiO 3 (wherein z is 0.05 ≦ z ≦ 0.5 and a is −0.025 ≦ a ≦ 0.025).

以下、実施例及び比較例により本発明をより詳細に説明するが、これは、発明の具体的な理解を助けるためのものであって、本発明の範囲は実施例により限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples and comparative examples. However, this is to help a specific understanding of the invention, and the scope of the present invention is not limited by the examples. .

下記の表1、表3及び表5に明示されている組成でエタノールとトルエンを溶媒とし、分散剤とともに混合した後、バインダーを混合してセラミックシートを作製した。   After mixing ethanol and toluene with the compositions specified in Table 1, Table 3 and Table 5 below together with a dispersant, a binder was mixed to prepare a ceramic sheet.

成形されたセラミックシートに銅(Cu)電極を印刷し21層積層してアクティブシートを作製し、アクティブシートの上部及び下部に位置するカバーとしてカバー用シート(10〜13μm)を25層に積層し圧着して圧着バー(bar)を作製した。   A copper (Cu) electrode is printed on the formed ceramic sheet and 21 layers are laminated to produce an active sheet, and a cover sheet (10 to 13 μm) is laminated to 25 layers as a cover located above and below the active sheet. A crimping bar was prepared by crimping.

その後、圧着バー(bar)を切断機を用いて3.2mm×1.6mmサイズのチップに切断した。   Thereafter, the crimp bar was cut into chips of 3.2 mm × 1.6 mm size using a cutting machine.

切断したチップを脱バインダーのためにか焼した後、還元雰囲気(N雰囲気)下で1050℃で焼成を行い、焼成したチップにCuペーストで外部電極を形成した。 After the cut chip was calcined for binder removal, firing was performed at 1050 ° C. in a reducing atmosphere (N 2 atmosphere), and an external electrode was formed on the fired chip with Cu paste.

主成分母材としては、平均粒径が300nmであるBaTiO及び(Bi0.5Na0.5)TiO粉末を使用した。 As the main component base material, BaTiO 3 and (Bi 0.5 Na 0.5 ) TiO 3 powders having an average particle diameter of 300 nm were used.

主成分と副成分が含まれた原料粉末をジルコニアボールを混合/分散メディアとして使用し、エタノール/トルエンと分散剤及びバインダーを混合した後、20時間ボールミリングした。   The raw material powder containing the main component and the subcomponent was mixed with ethanol / toluene, a dispersant and a binder using zirconia balls as a mixing / dispersing medium, and then ball milled for 20 hours.

製造されたスラリーを、ドクターブレード方式のコーターを用いて、3.5μmと10〜13μmの厚さの成形シートに製造した。   The produced slurry was produced into molded sheets having thicknesses of 3.5 μm and 10 to 13 μm using a doctor blade type coater.

上記約10μmの厚さを有するシートに銅(Cu)内部電極を印刷した。   A copper (Cu) internal electrode was printed on the sheet having a thickness of about 10 μm.

上下カバー層としては、10〜13μmの厚さを有する成形シートを25層積層し、約2.0μmの厚さを有する内部電極が印刷されたシートを21層積層しアクティブ層を作製してバーを製造し、積層セラミックキャパシターを完成した。   As the upper and lower cover layers, 25 layers of molded sheets having a thickness of 10 to 13 μm are laminated, and 21 sheets on which internal electrodes having a thickness of about 2.0 μm are printed are laminated to produce an active layer. To complete a multilayer ceramic capacitor.

上記のように完成されたプロトタイプ積層セラミックキャパシター(Proto‐type MLCC)試験片に対して、常温静電容量及び誘電損失はLCR meterを用いて1kHz、AC0.2V/μmの条件で容量を測定した。   For the prototype multilayer ceramic capacitor (Proto-type MLCC) test piece completed as described above, the capacitance at room temperature and the dielectric loss were measured under the conditions of 1 kHz and AC 0.2 V / μm using an LCR meter. .

静電容量とMLCCチップの誘電体の厚さ、内部電極の面積、積層数からMLCCチップの誘電体の誘電率を計算した。   The dielectric constant of the dielectric of the MLCC chip was calculated from the capacitance, the dielectric thickness of the MLCC chip, the area of the internal electrode, and the number of stacked layers.

常温絶縁抵抗は、10個ずつサンプルを取り、DC10V/μmを印加した状態で60秒経過後に測定した。   The room temperature insulation resistance was measured after 60 seconds with 10 samples taken and DC 10 V / μm applied.

温度による静電容量の変化は、−55℃から125℃の温度範囲で測定された。   The change in capacitance with temperature was measured in the temperature range of −55 ° C. to 125 ° C.

高温IR昇圧実験は、150℃で電圧段階を5V/μmずつ増加させながら抵抗劣化挙動を測定したが、各段階の時間は10分であり、5秒間隔で抵抗値を測定した。   In the high-temperature IR boost experiment, the resistance degradation behavior was measured while increasing the voltage step by 5 V / μm at 150 ° C. The time for each step was 10 minutes, and the resistance value was measured at intervals of 5 seconds.

高温IR昇圧実験から高温耐電圧を導き出したが、高温耐電圧とは、150℃で誘電体の単位厚さ当たり5V/μmのDC電圧を10分間印加し、電圧ステップを増加させ続けながら測定したときに、IRが10Ω以上になる電圧を意味する。 The high-temperature withstand voltage was derived from the high-temperature IR boosting experiment. The high-temperature withstand voltage was measured by applying a DC voltage of 5 V / μm per unit thickness of the dielectric at 150 ° C. for 10 minutes and continuously increasing the voltage step. Sometimes, it means a voltage at which IR becomes 10 5 Ω or more.

RC値は、AC0.2V/μm、1kHzで測定した常温容量値とDC10V/μmで測定した絶縁抵抗値を乗算した値である。   The RC value is a value obtained by multiplying the room temperature capacity value measured at AC 0.2 V / μm and 1 kHz by the insulation resistance value measured at DC 10 V / μm.

表2、表4、表6は、表1、表3、表5に明示されている組成に該当するCu内部電極が適用されたプロトタイプ積層セラミックキャパシター(Proto‐type MLCC)の特性を示す。   Tables 2, 4 and 6 show characteristics of prototype multilayer ceramic capacitors (Proto-type MLCCs) to which Cu internal electrodes corresponding to the compositions specified in Tables 1, 3 and 5 are applied.

表1は、母材(1−z)BaTiO+z(Bi0.5Na0.5)TiO100molに対する第1副成分LiCO:1.8mol、第2副成分MnO:0.5mol、V:0mol、第3副成分BaCO:1.0mol、第4副成分SiO:1.0mol、第2主成分(Bi0.5Na0.5)TiOの含有量z値による実施例の組成を示し、表2は、これらの組成に該当するプロトタイプ積層セラミックキャパシター(Proto‐type MLCC)の特性を示す。 Table 1 shows that the first subcomponent Li 2 CO 3 is 1.8 mol and the second subcomponent MnO 2 is 0.1 mol per 100 mol of the base material (1-z) BaTiO 3 + z (Bi 0.5 Na 0.5 ) TiO 3 . 5 mol, V 2 O 5 : 0 mol, third subcomponent BaCO 3 : 1.0 mol, fourth subcomponent SiO 2 : 1.0 mol, content of second main component (Bi 0.5 Na 0.5 ) TiO 3 The composition of the examples according to the z value is shown, and Table 2 shows the characteristics of the prototype multilayer ceramic capacitor (Proto-type MLCC) corresponding to these compositions.

表2を参照すると、zが0.05未満である場合(実施例1、2)には、高温TCC(200℃)が±22%から離脱するという問題があり、zが0.5を超える場合(実施例8)には、常温比抵抗が1.0×1011Ohm・cm未満と低くなり、高温耐電圧が50V/μm未満と低くなるという問題がある。したがって、zが0.05以上、0.5以下を満たす場合に、本発明の一実施形態に係る誘電体磁器組成物の常温誘電率が1000以上、常温比抵抗が1.0×1011Ohm・cm以上、高温200TCC(200℃)±22%未満及び高温(200℃)耐電圧50V/μm以上のすべての特性の同時具現が可能である。このような場合に、単位面積に対する第2結晶粒の面積比は、5〜50%の範囲に属することが分かる。 Referring to Table 2, when z is less than 0.05 (Examples 1 and 2), there is a problem that the high temperature TCC (200 ° C.) deviates from ± 22%, and z exceeds 0.5. In the case (Example 8), there is a problem that the normal temperature specific resistance is as low as less than 1.0 × 10 11 Ohm · cm and the high-temperature withstand voltage is as low as less than 50 V / μm. Therefore, when z satisfies 0.05 or more and 0.5 or less, the dielectric ceramic composition according to an embodiment of the present invention has a room temperature dielectric constant of 1000 or more and a room temperature resistivity of 1.0 × 10 11 Ohm. All the characteristics of cm or more, high temperature 200TCC (200 ° C.) ± 22% and high temperature (200 ° C.) withstand voltage 50 V / μm or more can be realized simultaneously. In such a case, it can be seen that the area ratio of the second crystal grains to the unit area belongs to the range of 5 to 50%.

これとは異なり、実施例9は、単一主成分(Ba0.9Bi0.1Na0.1)TiO固溶体からなる場合の特性を示すが、主成分の各原子の含有量は、実施例4又は5と類似しているが、単位面積に対する第2結晶粒の面積比が100%に該当し、このような場合には、本発明の目標特性が具現されないことが分かる。したがって、本発明の目標特性を具現するために、単位面積に対する第2結晶粒の面積比は、5〜50%を満たす必要がある。 Unlike this, Example 9 shows the characteristics of a single main component (Ba 0.9 Bi 0.1 Na 0.1 ) TiO 3 solid solution, but the content of each atom of the main component is Although it is similar to Example 4 or 5, the area ratio of the 2nd crystal grain with respect to a unit area corresponds to 100%, and it turns out that the target characteristic of this invention is not embodied in such a case. Therefore, in order to implement the target characteristics of the present invention, the area ratio of the second crystal grains to the unit area needs to satisfy 5 to 50%.

表3の実施例10〜18は、母材0.8BaTiO+0.2(Bi0.5Na0.5)TiO100molに対して第2副成分MnO:0.5mol、V:0mol、第3副成分BaCO:1.0mol、第4副成分SiO:1.0molであるときに、第1副成分LiCOの含有量による実験例の組成を示し、表4の実施例10〜18は、これらの組成に該当するプロトタイプ積層セラミックキャパシター(Proto‐type MLCC)の特性を示す。 In Examples 10 to 18 of Table 3, the second subcomponent MnO 2 : 0.5 mol, V 2 O 5 with respect to 100 mol of the base material 0.8BaTiO 3 +0.2 (Bi 0.5 Na 0.5 ) TiO 3 : 0 mol, third subcomponent BaCO 3 : 1.0 mol, fourth subcomponent SiO 2 : 1.0 mol, the composition of the experimental example according to the content of the first subcomponent Li 2 CO 3 is shown. Examples 10 to 18 show characteristics of prototype multilayer ceramic capacitors (Proto-type MLCCs) corresponding to these compositions.

LiCOの含有量が0.2mol未満である場合(実施例10、11)には、焼結密度が低くて常温比抵抗及び高温耐電圧が非常に低いという問題が発生し、LiCOの含有量が5.0molを超える場合(実施例18)にも高温耐電圧が50V/μm未満と低くなるという問題が発生することが分かる。 When the content of Li 2 CO 3 is less than 0.2 mol (Examples 10 and 11), there is a problem that the sintering density is low, the room temperature specific resistance and the high temperature withstand voltage are very low, and Li 2 It can be seen that even when the content of CO 3 exceeds 5.0 mol (Example 18), there is a problem that the high-temperature withstand voltage is as low as less than 50 V / μm.

LiCOの含有量が0.2〜5.0molの範囲に属する場合(実施例12〜17)に、本発明の目標である常温誘電率1000以上、常温比抵抗1E11Ohm・cm以上、高温(200度)TCC(200℃)±22%未満、及び高温(200度)耐電圧50V/μm以上のすべての特性の同時具現が可能である。このときにも、単位面積に対する第2結晶粒の面積比は、5〜50%の範囲に属することを確認することができる。 When the content of Li 2 CO 3 belongs to the range of 0.2 to 5.0 mol (Examples 12 to 17), the target room temperature dielectric constant of 1000 or more, room temperature specific resistance of 1E11 Ohm · cm or more, high temperature All characteristics of (200 degrees) TCC (200 ° C.) less than ± 22% and high temperature (200 degrees) withstand voltage of 50 V / μm or more can be realized simultaneously. Also at this time, it can be confirmed that the area ratio of the second crystal grains to the unit area belongs to the range of 5 to 50%.

表3の実施例19〜25は、母材0.8BaTiO+0.2(Bi0.5Na0.5)TiO100molに対して、第1副成分LiCO:1.8mol、第2副成分V:0mol、第3副成分BaCO:1.0mol、第4副成分SiO:1.0molであるときに、第2副成分MnOの含有量による実験例の組成を示し、表4の実施例19〜25は、これらの組成に該当するプロトタイプ積層セラミックキャパシター(Proto‐type MLCC)の特性を示す。 In Examples 19 to 25 of Table 3, the first subcomponent Li 2 CO 3 : 1.8 mol with respect to the base material 0.8BaTiO 3 +0.2 (Bi 0.5 Na 0.5 ) TiO 3 100 mol, 2 subcomponent V 2 O 5: 0mol, third subcomponent BaCO 3: 1.0 mol, fourth subcomponent SiO 2: when it is 1.0 mol, the composition of the experimental example according to the second content of the subcomponent MnO 2 Examples 19 to 25 in Table 4 show the characteristics of prototype multilayer ceramic capacitors (Proto-type MLCCs) corresponding to these compositions.

MnOの含有量が0.2mol未満である場合(実施例19)には、常温比抵抗及び高温耐電圧が非常に低いという問題が発生し、MnOの含有量が3.0molを超える場合(実施例25)にもまた、常温比抵抗及び高温耐電圧が低くなるという問題があることを確認することができる。 When the content of MnO 2 is less than 0.2 mol (Example 19), there is a problem that the normal temperature specific resistance and the high-temperature withstand voltage are very low, and the content of MnO 2 exceeds 3.0 mol. It can be confirmed that (Example 25) also has a problem that the room temperature resistivity and the high-temperature withstand voltage are lowered.

MnOの含有量が0.2〜3.0molの範囲に属するときに(実施例20〜24)、本発明の目標である常温誘電率1000以上、常温比抵抗1.0×1011Ohm・cm以上、高温(200度)TCC(200℃)±22%未満、及び高温(200度)耐電圧50V/μm以上のすべての特性の同時具現が可能である。このときにも、単位面積に対する第2結晶粒の面積比は、5〜50%の範囲に属することを確認することができる。 When the content of MnO 2 belongs to the range of 0.2 to 3.0 mol (Examples 20 to 24), the room temperature dielectric constant of 1000 or more and the room temperature specific resistance of 1.0 × 10 11 Ohm. All the characteristics of cm or more, high temperature (200 degrees) TCC (200 ° C.) ± 22%, and high temperature (200 degrees) withstand voltage of 50 V / μm or more can be realized simultaneously. Also at this time, it can be confirmed that the area ratio of the second crystal grains to the unit area belongs to the range of 5 to 50%.

表3の実施例26〜30は、母材0.8BaTiO+0.2(Bi0.5Na0.5)TiO100molに対して、第1副成分LiCO:1.8mol、第3副成分BaCO:1.0mol、第4副成分SiO:1.0molであるときに、第2副成分MnO及びVをともに添加した場合の実験例の組成を示し、表4の実施例26〜30は、これらの組成に該当するプロトタイプ積層セラミックキャパシター(Proto‐type MLCC)の特性を示す。 In Examples 26 to 30 in Table 3, the first subcomponent Li 2 CO 3 : 1.8 mol is used with respect to 100 mol of the base material 0.8BaTiO 3 +0.2 (Bi 0.5 Na 0.5 ) TiO 3 . The composition of the experimental example in the case where both the second subcomponents MnO 2 and V 2 O 5 are added when the third subcomponent BaCO 3 is 1.0 mol and the fourth subcomponent SiO 2 is 1.0 mol is shown in Table Examples 4 to 30 of 4 show the characteristics of prototype multilayer ceramic capacitors (Proto-type MLCCs) corresponding to these compositions.

Mn単独で添加(実施例20〜24)したり、Mn及びVをともに添加した場合(実施例26〜30)、at%を基準として第2副成分の全含有量が同一であると、ほぼ同一の特性が具現されることを確認することができ、第2副成分の全含有量がat%を基準として0.2〜3.0at%の範囲に属するときに(実施例20〜24又は実施例26〜30)、本発明の目標である常温誘電率1000以上、常温比抵抗1.0×1011Ohm・cm以上、高温(200度)TCC(200℃)±22%未満、及び高温(200度)耐電圧50V/μm以上のすべての特性の同時具現が可能である。このときにも、単位面積に対する第2結晶粒の面積比は、5〜50%の範囲に属することを確認することができる。 When Mn is added alone (Examples 20 to 24), or when both Mn and V are added (Examples 26 to 30), the total content of the second subcomponent is the same based on at%. It can be confirmed that the same characteristics are realized, and when the total content of the second subcomponent belongs to the range of 0.2 to 3.0 at% based on at% (Examples 20 to 24 or Examples 26 to 30), room temperature dielectric constant of 1000 or more, room temperature specific resistance of 1.0 × 10 11 Ohm · cm or more, high temperature (200 ° C.) TCC (200 ° C.) less than ± 22%, and high temperature (200 degrees) All characteristics with a withstand voltage of 50 V / μm or more can be realized simultaneously. Also at this time, it can be confirmed that the area ratio of the second crystal grains to the unit area belongs to the range of 5 to 50%.

表5の実施例31〜39は、母材0.8BaTiO+0.2(Bi0.5Na0.5)TiO100molに対して、第1副成分LiCO:1.8mol、第2副成分MnO:0.5mol、V:0mol、第4副成分SiO:1.0molであるときに、第3副成分BaCOの含有量による実験例の組成を示し、表6の31〜39は、これらの組成に該当するプロトタイプ積層セラミックキャパシター(Proto‐type MLCC)の特性を示す。 In Examples 31 to 39 in Table 5, the first subcomponent Li 2 CO 3 : 1.8 mol with respect to 100 mol of the base material 0.8BaTiO 3 +0.2 (Bi 0.5 Na 0.5 ) TiO 3 , 2 sub-components MnO 2 : 0.5 mol, V 2 O 5 : 0 mol, fourth sub-component SiO 2 : 1.0 mol, shows the composition of the experimental example according to the content of the third sub-component BaCO 3 , Nos. 6 to 31 to 39 show characteristics of the prototype multilayer ceramic capacitor (Proto-type MLCC) corresponding to these compositions.

第3副成分BaCOの含有量が0.2mol未満である場合(実施例31)には、高温耐電圧が低いという問題が発生し、BaCOの含有量が10.0molを超える場合(実施例39)にもまた、焼結密度が低くて高温耐電圧が低くなるという問題があることを確認することができる。BaCOの含有量が0.2〜10.0molの範囲に属するときに(実施例32〜38)、本発明の目標である常温誘電率1000以上、常温比抵抗1.0×1011Ohm・cm以上、高温(200度)TCC(200℃)±22%未満、及び高温(200度)耐電圧50V/μm以上のすべての特性の同時具現が可能である。このときにも、単位面積に対する第2結晶粒の面積比は、5〜50%の範囲に属することを確認することができる。 When the content of the third subcomponent BaCO 3 is less than 0.2 mol (Example 31), there is a problem that the high-temperature withstand voltage is low, and when the content of BaCO 3 exceeds 10.0 mol (implementation) It can be confirmed that Example 39) also has a problem that the sintered density is low and the high-temperature withstand voltage is low. When the content of BaCO 3 belongs to the range of 0.2 to 10.0 mol (Examples 32 to 38), the target room temperature dielectric constant of 1000 or more and the room temperature specific resistance of 1.0 × 10 11 Ohm · All the characteristics of cm or more, high temperature (200 degrees) TCC (200 ° C.) ± 22%, and high temperature (200 degrees) withstand voltage of 50 V / μm or more can be realized simultaneously. Also at this time, it can be confirmed that the area ratio of the second crystal grains to the unit area belongs to the range of 5 to 50%.

表5の実施例40〜46は、母材0.8BaTiO+0.2(Bi0.5Na0.5)TiO100molに対して、第1副成分LiCO:1.8mol、第2副成分MnO:0.5mol、V:0mol、第3副成分BaCO:1.0molであるときに、第4副成分SiOの含有量による実験例の組成を示し、表6の40〜46は、これらの組成に該当するプロトタイプ積層セラミックキャパシター(Proto‐type MLCC)の特性を示す。 Examples 40 to 46 in Table 5 show that the first subcomponent Li 2 CO 3 is 1.8 mol with respect to 100 mol of the base material 0.8BaTiO 3 +0.2 (Bi 0.5 Na 0.5 ) TiO 3 . 2 subcomponents MnO 2 : 0.5 mol, V 2 O 5 : 0 mol, third subcomponent BaCO 3 : 1.0 mol, the composition of the experimental example according to the content of the fourth subcomponent SiO 2 is shown, Nos. 6, 40 to 46 show characteristics of prototype multilayer ceramic capacitors (Proto-type MLCCs) corresponding to these compositions.

第4副成分SiOの含有量が0.2mol未満である場合(実施例40、41)には、焼結密度が低くて常温比抵抗及び高温耐電圧が低いという問題が発生し、SiOの含有量が5.0molを超える場合(実施例46)にもまた、二次相などの生成によって高温耐電圧が低くなるという問題があることを確認することができる。SiOの含有量が0.2〜5.0molの範囲に属するときに(実施例42〜45)、本発明の目標である常温誘電率1000以上、常温比抵抗1.0×1011Ohm・cm以上、高温(200度)TCC(200℃)±22%未満、及び高温(200度)耐電圧50V/μm以上のすべての特性の同時具現が可能である。このときにも、単位面積に対する第2結晶粒の面積比は、5〜50%の範囲に属することを確認することができる。 In the case the content of the fourth subcomponent SiO 2 is less than 0.2 mol (Example 40 and 41), room temperature resistivity and high temperature withstand voltage sintering density is low is a problem that low occurs, SiO 2 It can be confirmed that there is also a problem that the high-temperature withstand voltage is lowered due to the formation of the secondary phase or the like even when the content of P exceeds 5.0 mol (Example 46). When the content of SiO 2 belongs to the range of 0.2 to 5.0 mol (Examples 42 to 45), the target of the present invention is room temperature dielectric constant of 1000 or more, room temperature specific resistance 1.0 × 10 11 Ohm · All the characteristics of cm or more, high temperature (200 degrees) TCC (200 ° C.) ± 22%, and high temperature (200 degrees) withstand voltage of 50 V / μm or more can be realized simultaneously. Also at this time, it can be confirmed that the area ratio of the second crystal grains to the unit area belongs to the range of 5 to 50%.

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。   Although the embodiment of the present invention has been described in detail above, the scope of the right of the present invention is not limited to this, and various modifications and modifications can be made without departing from the technical idea of the present invention described in the claims. It will be apparent to those skilled in the art that variations are possible.

100 積層セラミックキャパシター
110 セラミック本体
111 誘電体層
121、122 第1及び第2内部電極
131、132 第1及び第2外部電極
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Multilayer ceramic capacitor 110 Ceramic body 111 Dielectric layer 121,122 1st and 2nd internal electrode 131,132 1st and 2nd external electrode

Claims (12)

BaTiOで表される第1主成分と、Bi0.5+aNa0.5+aTiOで表される第2主成分と、を含み、(1−z)BaTiO−zBi0.5+aNa0.5+aTiOで表される母材粉末(ただし、前記zは0.05≦z≦0.5、前記aは−0.025≦a≦0.025)を含み、
Bi含有量1.0at%未満、Na含有量5.0at%未満の結晶粒を第1結晶粒とし、Bi含有量1.0〜70at%、Na含有量5.0〜70at%の結晶粒を第2結晶粒としたときに、
単位面積に対する前記第2結晶粒の面積比が5.0〜50%である、誘電体磁器組成物。
A first main component represented by BaTiO 3 and a second main component represented by Bi 0.5 + a Na 0.5 + a TiO 3 , and (1-z) BaTiO 3 −zBi 0.5 + a Na 0. 5 + a TiO 3 base material powder (wherein, z is 0.05 ≦ z ≦ 0.5, a is −0.025 ≦ a ≦ 0.025),
A crystal grain having a Bi content of less than 1.0 at% and a Na content of less than 5.0 at% is defined as a first crystal grain, and a crystal grain having a Bi content of 1.0 to 70 at% and a Na content of 5.0 to 70 at% is provided. When it is the second crystal grain,
A dielectric ceramic composition, wherein an area ratio of the second crystal grains to a unit area is 5.0 to 50%.
第1副成分として、LiCOを、母材粉末100molに対して0.2〜5.0mol含む、請求項1に記載の誘電体磁器組成物。 As the first subcomponent, the Li 2 CO 3, including 0.2~5.0mol against base powder 100 mol, the dielectric ceramic composition of claim 1. 第2副成分として、MnO又はVを、母材粉末100molに対して0.2〜3.0mol含む、請求項1または2に記載の誘電体磁器組成物。 3. The dielectric ceramic composition according to claim 1, wherein 0.2 to 3.0 mol of MnO 2 or V 2 O 5 is contained as a second subcomponent with respect to 100 mol of the base material powder. 第3副成分として、BaCOを、母材粉末100molに対して0.2〜10.0mol含む、請求項1から3のいずれか1項に記載の誘電体磁器組成物。 The dielectric ceramic composition according to any one of claims 1 to 3, wherein 0.2 to 10.0 mol of BaCO3 is contained as a third subcomponent with respect to 100 mol of the base material powder. 第4副成分として、SiOを、母材粉末100molに対して0.2〜5.0mol含む、請求項1から4のいずれか1項に記載の誘電体磁器組成物。 5. The dielectric ceramic composition according to claim 1, wherein SiO 3 is contained as a fourth subcomponent in an amount of 0.2 to 5.0 mol with respect to 100 mol of the base material powder. 誘電体層と第1及び第2内部電極が交互に積層されたセラミック本体と、
前記セラミック本体の両端部に形成され、前記第1及び第2内部電極と電気的に連結される第1及び第2外部電極と、を含み、
前記誘電体層は、Bi含有量1.0at%未満、Na含有量5.0at%未満の結晶粒を第1結晶粒とし、Bi含有量1.0〜70at%、Na含有量5.0〜70at%の結晶粒を第2結晶粒としたときに、単位面積に対する前記第2結晶粒の面積比が5.0〜50%である、積層セラミックキャパシター。
A ceramic body in which dielectric layers and first and second internal electrodes are alternately stacked;
First and second external electrodes formed at both ends of the ceramic body and electrically connected to the first and second internal electrodes,
The dielectric layer has, as a first crystal grain, a crystal grain having a Bi content of less than 1.0 at% and a Na content of less than 5.0 at%, a Bi content of 1.0 to 70 at%, and a Na content of 5.0 to A multilayer ceramic capacitor in which an area ratio of the second crystal grains to a unit area is 5.0 to 50% when 70 at% crystal grains are used as second crystal grains.
前記誘電体層は、BaTiOで表される第1主成分と、Bi0.5+aNa0.5+aTiOで表される第2主成分と、を含み、(1−z)BaTiO−zBi0.5+aNa0.5+aTiOで表される母材粉末(ただし、前記zは0.05≦z≦0.5、前記aは−0.025≦a≦0.025)を含む誘電体磁器組成物を用いて形成される、請求項6に記載の積層セラミックキャパシター。 The dielectric layer includes a first main component represented by BaTiO 3 and a second main component represented by Bi 0.5 + a Na 0.5 + a TiO 3 , and (1-z) BaTiO 3 −zBi. 0.5 + a Na 0.5 + a TiO 3 base material powder (wherein z is 0.05 ≦ z ≦ 0.5 and a is −0.025 ≦ a ≦ 0.025) The multilayer ceramic capacitor according to claim 6, which is formed using a porcelain composition. 前記誘電体磁器組成物は、第1副成分として、LiCOを、母材粉末100molに対して0.2〜5.0mol含む、請求項7に記載の積層セラミックキャパシター。 The multilayer ceramic capacitor according to claim 7, wherein the dielectric ceramic composition includes 0.2 to 5.0 mol of Li 2 CO 3 with respect to 100 mol of the base material powder as a first subcomponent. 前記誘電体磁器組成物は、第2副成分として、MnO又はVを、母材粉末100molに対して0.2〜3.0mol含む、請求項7または8に記載の積層セラミックキャパシター。 The multilayer ceramic capacitor according to claim 7 or 8, wherein the dielectric ceramic composition includes 0.2 to 3.0 mol of MnO 2 or V 2 O 5 as a second subcomponent with respect to 100 mol of the base material powder. . 前記誘電体磁器組成物は、第3副成分として、BaCOを、母材粉末100molに対して0.2〜10.0mol含む、請求項7から9のいずれか1項に記載の積層セラミックキャパシター。 10. The multilayer ceramic capacitor according to claim 7, wherein the dielectric ceramic composition includes 0.2 to 10.0 mol of BaCO 3 as a third subcomponent with respect to 100 mol of the base material powder. 11. . 前記誘電体磁器組成物は、第4副成分として、SiOを、母材粉末100molに対して0.2〜5.0mol含む、請求項7から10のいずれか1項に記載の積層セラミックキャパシター。 11. The multilayer ceramic capacitor according to claim 7, wherein the dielectric ceramic composition includes 0.2 to 5.0 mol of SiO 2 with respect to 100 mol of a base material powder as a fourth subcomponent. . 前記第1及び第2内部電極は、銅(Cu)を含む、請求項6から11のいずれか1項に記載の積層セラミックキャパシター。   The multilayer ceramic capacitor according to claim 6, wherein the first and second internal electrodes include copper (Cu).
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