[go: up one dir, main page]

JP2017184178A - Low pass filter - Google Patents

Low pass filter Download PDF

Info

Publication number
JP2017184178A
JP2017184178A JP2016072949A JP2016072949A JP2017184178A JP 2017184178 A JP2017184178 A JP 2017184178A JP 2016072949 A JP2016072949 A JP 2016072949A JP 2016072949 A JP2016072949 A JP 2016072949A JP 2017184178 A JP2017184178 A JP 2017184178A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
low
pass filter
dielectric substrate
line
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016072949A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6674684B2 (en
Inventor
石崎 俊雄
Toshio Ishizaki
俊雄 石崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ryukoku University
Original Assignee
Ryukoku University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ryukoku University filed Critical Ryukoku University
Priority to JP2016072949A priority Critical patent/JP6674684B2/en
Publication of JP2017184178A publication Critical patent/JP2017184178A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6674684B2 publication Critical patent/JP6674684B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

【課題】低損失であって急峻なフィルタ特性を実現することができ、しかも小型化し易い低域通過フィルタを提供する。
【解決手段】この低域通過フィルタ1は、内部に中空部2aを有する金属筐体2と、中空部2aに保持される誘電体基板3と、を具備し、誘電体基板3の一方側の面3aに、サスペンデッドラインからなる主線路31と、主線路31から分岐するように接続されたサスペンデッドラインからなる分岐線路32A〜32Fと、平行平板コンデンサの一方の電極を形成し分岐線路32A〜32Fに接続された第1電極パターン33A〜33Fと、を有し、誘電体基板3の他方側の面3bに、金属筐体2に接続されるものであって、前記平行平板コンデンサの他方の電極を形成する第2電極パターン34A〜34Fを有する。
【選択図】図1
Provided is a low-pass filter which can realize a steep filter characteristic with low loss and which is easy to miniaturize.
The low-pass filter (1) includes a metal housing (2) having a hollow portion (2a) inside, and a dielectric substrate (3) held by the hollow portion (2a), on one side of the dielectric substrate (3). On the surface 3a, a main line 31 made of a suspended line, branch lines 32A to 32F made of a suspended line connected to branch from the main line 31, and one electrode of a parallel plate capacitor are formed to form branch lines 32A to 32F. And the other electrode 3 of the parallel plate capacitor, which is connected to the metal housing 2 on the other surface 3b of the dielectric substrate 3. The second electrode patterns 34A to 34F are formed.
[Selection] Figure 1

Description

本発明は、携帯電話基地局の無線通信装置などに用いられるマイクロ波帯の低域通過フィルタに関する。   The present invention relates to a low-pass filter in a microwave band used for a radio communication device of a mobile phone base station.

携帯電話基地局の無線通信装置では、マイクロ波帯の帯域通過フィルタが使用されている。帯域通過フィルタは、一般的に共振器を用いているので、本来通過させたい帯域よりも高い周波数の高調波スプリアス帯域をも通過させてしまう。そのため、高調波スプリアス帯域を抑制するように、低域通過フィルタが併用されることが多い。低損失な低域通過フィルタとして、従来より、同軸型の低域通過フィルタが多用されている。同軸型の低域通過フィルタは、金属筐体とその内部の中空部に保持された中心導体とを具備し、中心導体は、交互に連続して配置された大径の低インピーダンス線路と小径の高インピーダンス線路とにより構成される。   In a wireless communication device of a mobile phone base station, a band-pass filter in the microwave band is used. Since the band-pass filter generally uses a resonator, a harmonic spurious band having a higher frequency than the band that the band-pass filter originally wants to pass is allowed to pass. Therefore, a low-pass filter is often used in combination so as to suppress the harmonic spurious band. Conventionally, a coaxial low-pass filter has been frequently used as a low-loss low-pass filter. A coaxial low-pass filter includes a metal casing and a central conductor held in a hollow portion inside the metal casing, and the central conductor includes large-diameter low-impedance lines and small-diameter lines arranged alternately and continuously. It consists of a high impedance line.

近年、携帯電話基地局の無線通信装置の小型化の必要性から、帯域通過フィルタは、様々な技術開発により小型化が着実になされてきた。しかし、併用する低域通過フィルタの小型化は、それほど進んでおらず、そのため、低域通過フィルタのサイズ、取り付け位置やレイアウトの自由度などによる制約が、無線通信装置全体の小型化を阻む要因になっているのが現状である。   In recent years, due to the need for miniaturization of wireless communication devices of mobile phone base stations, the size of bandpass filters has been steadily reduced by various technological developments. However, miniaturization of the low-pass filter used in combination has not progressed so much, so the restrictions due to the size of the low-pass filter, the mounting position, the degree of freedom of layout, etc., prevent the miniaturization of the entire wireless communication device. This is the current situation.

特許文献1に開示される低域通過フィルタは、同軸型の低域通過フィルタの一つである。この低域通過フィルタでは、低インピーダンス線路の半径方向の先端部の領域がLC回路となるよう高インピーダンス線路と平行になるように折り曲げられた折り曲げ部が形成されている。このLC回路により、減衰極を有するようにしてフィルタ特性を急峻にし、低域通過フィルタの段数を少なくすることができる、としている。   The low-pass filter disclosed in Patent Document 1 is one of coaxial low-pass filters. In this low-pass filter, a bent portion is formed that is bent so that the region of the tip portion in the radial direction of the low-impedance line becomes an LC circuit and is parallel to the high-impedance line. With this LC circuit, the filter characteristics can be made steep so as to have an attenuation pole, and the number of stages of the low-pass filter can be reduced.

特許文献2に開示される低域通過フィルタは、平面型の低域通過フィルタの一つであり、金属筐体とその内部の中空部に保持される誘電体基板とを具備し、誘電体基板は、交互に連続して配置されたサスペンデッドラインからなる高インピーダンス線路とマイクロストリップラインからなる低インピーダンス線路とを有する構成である。なお、サスペンデッドラインは、誘電体基板の一つの面に設けられた金属層の線路であって、その裏側の面には接地用の金属層が設けられていない構造であり、金属筐体が接地用の電極として機能する。マイクロストリップラインは、誘電体基板の一つ面に設けられた金属層の線路であって、その裏側の面に接地用の金属層が設けられている構造である。   The low-pass filter disclosed in Patent Document 2 is one of flat-type low-pass filters, and includes a metal casing and a dielectric substrate held in a hollow portion therein, and the dielectric substrate Is a configuration having a high-impedance line composed of suspended lines and a low-impedance line composed of microstrip lines arranged alternately and continuously. A suspended line is a metal layer line provided on one surface of a dielectric substrate, and has a structure in which a metal layer for grounding is not provided on the back surface, and the metal housing is grounded. Functions as an electrode. The microstrip line is a metal layer line provided on one surface of a dielectric substrate, and has a structure in which a ground metal layer is provided on the back surface.

特開2011−142394号公報JP 2011-142394 A 特開平10−276006号公報JP-A-10-276006

しかしながら、特許文献1などに開示の同軸型の低域通過フィルタは、現状から更に小型化するには限界がある。また、特許文献2に開示の平面型の低域通過フィルタは、同軸型の低域通過フィルタに比べて小型化が可能と考えられるが、携帯電話基地局の無線通信装置で使用するには、更なる低損失及び急峻なフィルタ特性の実現が必要である。   However, the coaxial low-pass filter disclosed in Patent Document 1 and the like has a limit for further miniaturization from the current state. In addition, the planar low-pass filter disclosed in Patent Document 2 is considered to be smaller than the coaxial low-pass filter, but in order to use it in a wireless communication device of a mobile phone base station, It is necessary to realize further low loss and steep filter characteristics.

本発明は、係る事由に鑑みてなされたものであり、その目的は、低損失であって急峻なフィルタ特性を実現することができ、しかも小型化し易い低域通過フィルタを提供することにある。   The present invention has been made in view of such a reason, and an object of the present invention is to provide a low-pass filter that can realize a steep filter characteristic with low loss and that can be easily downsized.

上記目的を達成するために、請求項1に記載の低域通過フィルタは、内部に中空部を有する金属筐体と、前記中空部に保持される誘電体基板と、を具備し、前記誘電体基板の一方側の面に、サスペンデッドラインからなる主線路と、該主線路から分岐するように接続されたサスペンデッドラインからなる分岐線路と、平行平板コンデンサの一方の電極を形成し前記該分岐線路に接続された第1電極パターンと、を有し、前記誘電体基板の他方側の面に、前記金属筐体に接続されるものであって、前記平行平板コンデンサの他方の電極を形成する第2電極パターンを有することを特徴とする。   In order to achieve the above object, the low-pass filter according to claim 1 comprises a metal housing having a hollow portion therein, and a dielectric substrate held in the hollow portion, wherein the dielectric On one side of the substrate, a main line consisting of a suspended line, a branch line consisting of a suspended line connected to branch from the main line, and one electrode of a parallel plate capacitor are formed on the branch line. A second electrode which is connected to the metal casing on the other surface of the dielectric substrate and forms the other electrode of the parallel plate capacitor. It has an electrode pattern.

請求項2に記載の低域通過フィルタは、請求項1に記載の低域通過フィルタにおいて、前記主線路の左右両側に前記分岐線路、前記第1電極パターン、前記第2電極パターンが設けられていることを特徴とする。   The low-pass filter according to claim 2 is the low-pass filter according to claim 1, wherein the branch line, the first electrode pattern, and the second electrode pattern are provided on both left and right sides of the main line. It is characterized by being.

請求項3に記載の低域通過フィルタは、請求項1又は2に記載の低域通過フィルタにおいて、前記分岐線路と前記平行平板コンデンサを直列共振させることによって減衰極を有するフィルタ特性としたことを特徴とする。   The low-pass filter according to claim 3 is the low-pass filter according to claim 1 or 2, wherein the branch line and the parallel plate capacitor are made to resonate in series to have a filter characteristic having an attenuation pole. Features.

請求項4に記載の低域通過フィルタは、請求項1に記載の低域通過フィルタにおいて、前記誘電体基板の外縁の少なくとも一部に配置される金属板を更に具備し、前記第2電極パターンは、前記金属板を介して前記金属筐体に接続されることを特徴とする。   The low-pass filter according to claim 4, further comprising a metal plate disposed on at least a part of an outer edge of the dielectric substrate in the low-pass filter according to claim 1, wherein the second electrode pattern is provided. Is connected to the metal casing via the metal plate.

請求項5に記載の低域通過フィルタは、請求項2に記載の低域通過フィルタにおいて、前記誘電体基板の外縁の少なくとも2辺に配置される金属板を更に具備し、前記第2電極パターンは、前記金属板を介して前記金属筐体に接続されることを特徴とする。   The low-pass filter according to claim 5 further comprises a metal plate disposed on at least two sides of the outer edge of the dielectric substrate in the low-pass filter according to claim 2, and the second electrode pattern. Is connected to the metal casing via the metal plate.

請求項6に記載の低域通過フィルタは、請求項4又は5に記載の低域通過フィルタにおいて、前記金属板は、リードフレームとなっており、前記第2電極パターンの各々に接続されて前記誘電体基板が実装されていることを特徴とする。   The low-pass filter according to claim 6 is the low-pass filter according to claim 4 or 5, wherein the metal plate is a lead frame, and is connected to each of the second electrode patterns. A dielectric substrate is mounted.

請求項7に記載の低域通過フィルタは、請求項6に記載の低域通過フィルタにおいて、前記金属板は、前記主線路の入出力端部の位置において前記誘電体基板の厚さ方向に折り曲げられていることを特徴とする。   The low-pass filter according to claim 7 is the low-pass filter according to claim 6, wherein the metal plate is bent in a thickness direction of the dielectric substrate at a position of an input / output end portion of the main line. It is characterized by being.

本発明によれば、低損失であって急峻なフィルタ特性を実現することができ、しかも小型化し易い低域通過フィルタを提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a low-pass filter which can realize a steep filter characteristic with low loss and which can be easily miniaturized.

本発明の実施形態に係る低域通過フィルタの平面図である。It is a top view of the low-pass filter concerning the embodiment of the present invention. 同上の低域通過フィルタの底面図である。It is a bottom view of a low-pass filter same as the above. 同上の低域通過フィルタのA−Aで示す線で切断した断面図である。It is sectional drawing cut | disconnected by the line shown by AA of a low-pass filter same as the above. 同上の低域通過フィルタのレイアウトの変更の概念(概略)を示す平面図である。It is a top view which shows the concept (schematic) of the layout change of a low-pass filter same as the above. 同上の低域通過フィルタのレイアウトの変更の概念(概略)を示す底面図である。It is a bottom view which shows the concept (outline) of the change of the layout of a low-pass filter same as the above. 同上の低域通過フィルタにおいて金属板がリードフレームの場合を示すものであって、(a)が平面図、(b)が底面図である。In the same low-pass filter, the metal plate is a lead frame, where (a) is a plan view and (b) is a bottom view. 同上の低域通過フィルタにおいて金属板がリードフレームの場合の折り曲げ部分の状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the state of the bending part in case a metal plate is a lead frame in a low-pass filter same as the above. 同上の低域通過フィルタの等価回路図である。It is an equivalent circuit diagram of a low-pass filter same as the above. 従来技術の同軸型の低域通過フィルタの平面図である。It is a top view of the coaxial low-pass filter of a prior art. 図9で示した従来技術の低域通過フィルタの等価回路図である。FIG. 10 is an equivalent circuit diagram of the conventional low-pass filter shown in FIG. 9. 本発明の実施形態に係る低域通過フィルタと図9で示した従来技術の低域通過フィルタのフィルタ特性図である。FIG. 10 is a filter characteristic diagram of the low-pass filter according to the embodiment of the present invention and the conventional low-pass filter shown in FIG. 9.

以下、本発明を実施するための形態を図面を参照しながら説明する。本発明の実施形態に係る低域通過フィルタ1は、図1及び図2に示すように、金属筐体2と誘電体基板3とを具備する。この低域通過フィルタ1は、平面型の低域通過フィルタの一つである。なお、図1及び図2(及び後述する図9)は、金属筐体2を透視して示している。   Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. A low-pass filter 1 according to an embodiment of the present invention includes a metal housing 2 and a dielectric substrate 3 as shown in FIGS. 1 and 2. The low-pass filter 1 is one of planar low-pass filters. 1 and 2 (and FIG. 9 to be described later) show the metal housing 2 in a transparent manner.

金属筐体2は、内部に中空部2aを有するものであり、通常、直方体状をなし、そのうちの互いに対向する2面に入出力端子2A、2A’が取り付けられる。金属筐体2は、接地用の電極として機能する。入出力端子2A、2A’は、中心導体2Aaとそれを囲む略円筒状の外部導体2Abを有する同軸コネクタを用いることができる。金属筐体2は、入出力端子2A、2A’の外部導体2Abに接続される(より詳細には取り付け具2Bを介して接続される)。   The metal housing 2 has a hollow portion 2a inside, and usually has a rectangular parallelepiped shape, and input / output terminals 2A and 2A 'are attached to two surfaces facing each other. The metal housing 2 functions as a grounding electrode. As the input / output terminals 2A and 2A ', a coaxial connector having a center conductor 2Aa and a substantially cylindrical outer conductor 2Ab surrounding the center conductor 2Aa can be used. The metal housing 2 is connected to the external conductor 2Ab of the input / output terminals 2A and 2A ′ (more specifically, connected via the fixture 2B).

誘電体基板3は、金属筐体2の内部の中空部2aに保持される。具体的には、後述する金属板4を介して金属筐体2に装着するか、四隅などに脚を付けて支えるか、或いは、誘電体基板3の端面の一部を金属筐体2に接着などすることで、保持することができる。   The dielectric substrate 3 is held in the hollow portion 2 a inside the metal housing 2. Specifically, it is attached to the metal casing 2 via a metal plate 4 to be described later, or is supported by attaching legs to four corners, or a part of the end surface of the dielectric substrate 3 is bonded to the metal casing 2. And so on.

誘電体基板3の一方側の面(表面)である第1面3aは、サスペンデッドラインからなる主線路31を有している。主線路31は、直線状に延伸するものであり、その両端の入出力端部31t、31t’が入出力端子2A、2A’の中心導体2Aaにハンダ付け等で接続される。主線路31は、インダクタンス成分を有する素子である。なお、以下、主線路31が延伸する方向をX軸方向、誘電体基板3の第1面3aに平行でX軸方向に直交する方向をY軸方向、X軸方向とY軸方向に直交する方向(誘電体基板3の厚さ方向)をZ軸方向とする。   The first surface 3a, which is one surface (front surface) of the dielectric substrate 3, has a main line 31 composed of a suspended line. The main line 31 extends in a straight line, and input / output end portions 31t and 31t 'at both ends thereof are connected to the center conductor 2Aa of the input / output terminals 2A and 2A' by soldering or the like. The main line 31 is an element having an inductance component. Hereinafter, the direction in which the main line 31 extends is the X-axis direction, the direction parallel to the first surface 3a of the dielectric substrate 3 and orthogonal to the X-axis direction is the Y-axis direction, and the X-axis direction and the Y-axis direction are orthogonal to each other. The direction (thickness direction of the dielectric substrate 3) is taken as the Z-axis direction.

誘電体基板3の第1面3aは、また、主線路31から分岐するように接続されたサスペンデッドラインからなる分岐線路32A、32B、32C、32D、32E、32Fを有している。分岐線路の個数は、低域通過フィルタ1のフィルタ特性によって変わり得るが、通常、複数個(図1では6個)である。分岐線路32A〜32Fはそれぞれ、インダクタンス成分を有する素子である。   The first surface 3 a of the dielectric substrate 3 also has branch lines 32 </ b> A, 32 </ b> B, 32 </ b> C, 32 </ b> D, 32 </ b> E, 32 </ b> F composed of suspended lines connected so as to branch from the main line 31. The number of branch lines may vary depending on the filter characteristics of the low-pass filter 1, but is usually a plurality (six in FIG. 1). Each of the branch lines 32A to 32F is an element having an inductance component.

主線路31の異なる位置に接続される分岐線路(例えば、分岐線路32A、32C)は、通常、互いにその長さ、幅、又は形状が異なる。それにより、インダクタンス値が異なる。図1に示す分岐線路32Aは、小幅部分と中幅部分とが直列接続されたものとなっており、分岐線路32Cは、小幅部分のみからなっている。   Branch lines (for example, branch lines 32A and 32C) connected to different positions of the main line 31 are usually different in length, width, or shape from each other. Thereby, the inductance value is different. A branch line 32A shown in FIG. 1 has a small width portion and a medium width portion connected in series, and the branch line 32C is composed of only a small width portion.

誘電体基板3の第1面3aは、また、平行平板コンデンサの一方の電極を形成し、分岐線路32A、32B、32C、32D、32E、32Fのそれぞれに接続された平板状の第1電極パターン33A、33B、33C、33D、33E、33Fを有している。   The first surface 3a of the dielectric substrate 3 also forms one electrode of the parallel plate capacitor and is connected to each of the branch lines 32A, 32B, 32C, 32D, 32E, and 32F. 33A, 33B, 33C, 33D, 33E, 33F.

誘電体基板3の他方側の面(裏面)である第2面3bは、図2に示すように、平行平板コンデンサの他方の電極を形成する平板状の第2電極パターン34A、34B、34C、34D、34E、34Fを有している。すなわち、第1面3aの第1電極パターン33A、33B、33C、33D、33E、33Fと第2面3bの第2電極パターン34A、34B、34C、34D、34E、34Fと誘電体基板3とにより、それぞれ、平行平板コンデンサを形成する。例えば、図3に示すように、誘電体基板3の第1面3aに設けられた第1電極パターン33Cと、誘電体基板3の第2面3bに設けられた第2電極パターン34Cとは、誘電体基板3を挟んで対向している。同様に、第1電極パターン33Dと第2電極パターン34Dとは、誘電体基板3を挟んで対向している。なお、第2電極パターン34C、34D(及び34A、34B、34E、34F)は、誘電体基板3の外縁側に、後述する金属板4と重ねてハンダ付け等の接続をするためのパターンを連続して設けることができる(図3参照)。   As shown in FIG. 2, the second surface 3b which is the other surface (back surface) of the dielectric substrate 3 is a flat plate-like second electrode pattern 34A, 34B, 34C that forms the other electrode of the parallel plate capacitor. 34D, 34E, 34F. That is, the first electrode pattern 33A, 33B, 33C, 33D, 33E, 33F on the first surface 3a, the second electrode pattern 34A, 34B, 34C, 34D, 34E, 34F on the second surface 3b and the dielectric substrate 3 , Respectively, to form parallel plate capacitors. For example, as shown in FIG. 3, the first electrode pattern 33C provided on the first surface 3a of the dielectric substrate 3 and the second electrode pattern 34C provided on the second surface 3b of the dielectric substrate 3 are: Opposing to each other with the dielectric substrate 3 in between. Similarly, the first electrode pattern 33D and the second electrode pattern 34D are opposed to each other with the dielectric substrate 3 interposed therebetween. The second electrode patterns 34C and 34D (and 34A, 34B, 34E, and 34F) are continuously formed on the outer edge side of the dielectric substrate 3 so as to overlap with the metal plate 4 to be described later and to be connected by soldering or the like. (See FIG. 3).

また、分岐線路32A〜32F、第1電極パターン33A〜33F及び第2電極パターン34A〜34Fは、図1及び図2に示すように、主線路31の左右両側(主線路31の延伸方向に対し直交する両方向、図においてはY軸正負両方向)に設けることができる。そうすると、例えば、2個の分岐線路32A、32B、第1電極パターン33A、33B及び第2電極パターン34A、34Bを主線路31の左右両側に設けて互いに対称的なパターン形状とすることで、等価回路では1個の素子であるものをレイアウトするのに2個に分けて並列配置することが可能である。それにより、所望のインダクタンス値や容量値を実現し易くすることができる。また、後述するように第2電極パターン34A〜34Fの各々が金属筐体2(より詳しくは、その側壁)に接続されているので、金属筐体2(特に、その側壁)に流れる電流の密度も小さくなるため、損失を低減できる。勿論、主線路31の片側のみに、図4及び図5に示すように、全ての分岐線路32A’、32C’、32E’、第1電極パターン33A’、33C’、33E’、第2電極パターン34A’、34C’、34E’を設けることも可能である。なお、図4及び図5は、単に、レイアウトの変更の概念(概略)を示すものである。   Further, the branch lines 32A to 32F, the first electrode patterns 33A to 33F, and the second electrode patterns 34A to 34F are arranged on the left and right sides of the main line 31 (relative to the extending direction of the main line 31), as shown in FIGS. They can be provided in both orthogonal directions (in the figure, both Y-axis positive and negative directions). Then, for example, the two branch lines 32A and 32B, the first electrode patterns 33A and 33B, and the second electrode patterns 34A and 34B are provided on the left and right sides of the main line 31 to have a symmetrical pattern shape. In order to lay out a single element in a circuit, it can be divided into two and arranged in parallel. Thereby, it is possible to easily realize a desired inductance value and capacitance value. Further, as will be described later, since each of the second electrode patterns 34A to 34F is connected to the metal casing 2 (more specifically, the side wall thereof), the density of the current flowing through the metal casing 2 (particularly, the side wall). Therefore, the loss can be reduced. Of course, as shown in FIGS. 4 and 5, all the branch lines 32A ′, 32C ′, 32E ′, the first electrode patterns 33A ′, 33C ′, 33E ′, and the second electrode patterns are provided only on one side of the main line 31. It is also possible to provide 34A ′, 34C ′, 34E ′. 4 and 5 simply show the concept (outline) of layout change.

第2電極パターン34A〜34Fの各々は、金属筐体2に電気的に接続される。第2電極パターン34A〜34Fの各々を金属筐体2に確実に電気的に接続することは、低域通過フィルタ1の特性ばらつきを抑えるために非常に重要である。確実にそれを行いつつ量産性を高める方法としては、別に用意された薄い金属板4を誘電体基板3の外縁の少なくとも一部に配置し、第2電極パターン34A〜34Fを、金属板4を介して金属筐体2に接続するのが好ましい。この場合、金属板4を、第2電極パターン34A〜34Fの各々に予めハンダなどで接続してから、金属筐体2にネジ止めしたり、又は、挟みこんだり(分割された金属筐体2を用いてそれらの間に挟みこんだり)などして装着する。金属板4における金属筐体2への装着部分は、装着し易いように曲げてもよい。また、分岐線路32A〜32F、第1電極パターン33A〜33F及び第2電極パターン34A〜34Fを上述したように主線路31の左右両側に設けた場合は、金属板4を誘電体基板3の外縁の少なくとも2辺に配置し、第2電極パターン34A〜34Fを、金属板4を介して金属筐体2に接続するのが好ましい。   Each of the second electrode patterns 34 </ b> A to 34 </ b> F is electrically connected to the metal housing 2. It is very important to reliably connect each of the second electrode patterns 34 </ b> A to 34 </ b> F to the metal housing 2 in order to suppress the characteristic variation of the low-pass filter 1. As a method for improving the mass productivity while reliably performing this, a thin metal plate 4 prepared separately is disposed on at least a part of the outer edge of the dielectric substrate 3, and the second electrode patterns 34A to 34F are attached to the metal plate 4. It is preferable to connect to the metal housing 2 via In this case, the metal plate 4 is connected to each of the second electrode patterns 34A to 34F in advance with solder or the like, and then screwed to the metal housing 2 or sandwiched (divided metal housing 2). And put it between them using a). A portion of the metal plate 4 to be attached to the metal housing 2 may be bent so as to be easily attached. When the branch lines 32A to 32F, the first electrode patterns 33A to 33F, and the second electrode patterns 34A to 34F are provided on the left and right sides of the main line 31, as described above, the metal plate 4 is attached to the outer edge of the dielectric substrate 3. The second electrode patterns 34 </ b> A to 34 </ b> F are preferably connected to the metal housing 2 via the metal plate 4.

更には、金属板4は、リードフレーム(薄板の金属枠)となっており(図6参照)、ベルト状の多連(図では2連)のリードフレームから切断によって切り出される構造とするのが、量産性を高め低コスト化を実現するのに好ましい。この場合、金属板4は、全部つながった多連の状態で、図6に示すように、第2電極版34A〜34Fの各々にハンダ付け等で接続して誘電体基板3を実装する。その後、図示の破線部LAで切断して分離し、図示の一点鎖線部LB、LB’で誘電体基板3の厚さ方向(Z軸正方向又はZ軸負方向)に折り曲げて金属筐体2に装着する。一点鎖線部LB、LB’は、主線路31の入出力端部31t、31t’の位置であり、金属板4には切欠き部4aが形成されており、そこだけ金属板4に逃げが設けられている。金属板4に切欠き部4aが形成され、一点鎖線部LB、LB’で誘電体基板3の厚さ方向(Z方向)に折り曲げられることによって、図7に示すように、金属板4と入出力端子2A、2A’の中心導体2Aaとのショートが防がれて、主線路31は、入出力端子2A、2A’の中心導体2Aaに接続できることになる。なお、図6に示す金属板4は、挟みこみ(図における上下の部分の挟みこみ)により金属筐体2へ装着するものであり、また、折り曲げられた部分がハンダ付け又はネジ止めなどで金属筐体2へ接続される。また、図7は、Z軸負方向に折り曲げられた場合の模式図である。   Furthermore, the metal plate 4 is a lead frame (thin metal frame) (see FIG. 6), and is structured to be cut out from a belt-like multiple (two in the figure) lead frame by cutting. It is preferable for increasing mass productivity and realizing cost reduction. In this case, as shown in FIG. 6, the metal plate 4 is connected to each of the second electrode plates 34A to 34F by soldering or the like, and mounted on the dielectric substrate 3 in a connected state where all the metal plates 4 are connected. Thereafter, the metal casing 2 is cut and separated at the broken line portion LA shown in the drawing, bent in the thickness direction (Z-axis positive direction or Z-axis negative direction) of the dielectric substrate 3 at the one-dot chain line portions LB and LB ′ shown in the drawing. Attach to. The alternate long and short dash lines LB and LB ′ are the positions of the input / output ends 31t and 31t ′ of the main line 31, and the metal plate 4 is provided with a notch 4a. It has been. A notch 4a is formed in the metal plate 4 and is bent in the thickness direction (Z direction) of the dielectric substrate 3 at the alternate long and short dash line portions LB and LB ′, so that the metal plate 4 and the metal plate 4 are inserted as shown in FIG. A short circuit with the center conductor 2Aa of the output terminals 2A, 2A ′ is prevented, and the main line 31 can be connected to the center conductor 2Aa of the input / output terminals 2A, 2A ′. The metal plate 4 shown in FIG. 6 is attached to the metal housing 2 by pinching (the pinching of the upper and lower portions in the figure), and the bent portion is metalized by soldering or screwing. Connected to the housing 2. Moreover, FIG. 7 is a schematic diagram when bent in the negative direction of the Z-axis.

図8に、低域通過フィルタ1の等価回路を示す。L11は主線路31における入出力端部31tから分岐線路32A(及び32B)の接続部までの部分のインダクタンス成分、L12は主線路31における分岐線路32A(及び32B)の接続部から分岐線路32C(及び32D)の接続部までの部分のインダクタンス成分、L13は主線路31における分岐線路32C(及び32D)の接続部から分岐線路32E(及び32F)の接続部までの部分のインダクタンス成分、L14は主線路31における分岐線路32E(及び32F)の接続部から入出力端部31t’までの部分のインダクタンス成分からなる。また、L21は分岐線路32Aと分岐線路32Bの合成インダクタンス成分、L22は分岐線路32Cと分岐線路32Dの合成インダクタンス成分、L23は分岐線路32Eと分岐線路32Fの合成インダクタンス成分からなる。また、C11は第1電極パターン33Aと第2電極パターン34Aが形成する平行平板コンデンサと第1電極パターン33Bと第2電極パターン34Bが形成する平行平板コンデンサの合成キャパシタンス成分、C12は第1電極パターン33Cと第2電極パターン34Cが形成する平行平板コンデンサと第1電極パターン33Dと第2電極パターン34Dが形成する平行平板コンデンサの合成キャパシタンス成分、C13は第1電極パターン33Eと第2電極パターン34Eが形成する平行平板コンデンサと第1電極パターン33Fと第2電極パターン34Fが形成する平行平板コンデンサの合成キャパシタンス成分からなる。 FIG. 8 shows an equivalent circuit of the low-pass filter 1. L 11 is an inductance component of the portion from the input / output end 31 t of the main line 31 to the connection portion of the branch line 32 A (and 32 B), and L 12 is the connection portion of the branch line 32 A (and 32 B) in the main line 31. inductance component part before the connection portion of the 32C (and 32D) of the inductance component of the portion to the connecting portion, L 13 is branched lines 32E from the connecting portion of the branch line 32C (and 32D) in the main line 31 (and 32F), L 14 consists of an inductance component of the portion up to input and output ends 31 t 'from the connecting portion of the branch line 32E (and 32F) in the main line 31. L 21 is a combined inductance component of the branch line 32A and the branch line 32B, L 22 is a combined inductance component of the branch line 32C and the branch line 32D, and L 23 is a combined inductance component of the branch line 32E and the branch line 32F. Moreover, C 11 is the combined capacitance component parallel plate capacitor first electrode pattern 33A and the parallel plate capacitor and the first electrode pattern 33B and the second electrode pattern 34B where the second electrode pattern 34A is formed to form, C 12 is first electrode pattern 33C and the combined capacitance component parallel plate capacitor parallel-plate capacitor and the first electrode pattern 33D and the second electrode pattern 34D is formed to the second electrode pattern 34C is formed, C 13 is the first electrode pattern 33E and the second electrode It consists of a combined capacitance component of a parallel plate capacitor formed by the pattern 34E and a parallel plate capacitor formed by the first electrode pattern 33F and the second electrode pattern 34F.

なお、等価回路においては第1電極パターン33A〜33F及び第2電極パターン34A〜34Fも有限の大きさを持つため、小さいけれどもインダクタンス成分を有する。このインダクタンス成分は、L21〜L23に含まれるようにしている。第1電極パターン33A〜33F及び第2電極パターン34A〜34Fが有するインダクタンス成分の値は、長方形であるパターンの縦横比を変えることによって制御できる。 In the equivalent circuit, the first electrode patterns 33A to 33F and the second electrode patterns 34A to 34F have a finite size, and thus have an inductance component although they are small. This inductance component is included in L 21 to L 23 . The inductance component values of the first electrode patterns 33A to 33F and the second electrode patterns 34A to 34F can be controlled by changing the aspect ratio of the rectangular pattern.

このような低域通過フィルタ1は、分岐線路と前記平行平板コンデンサ、すなわち、L21とC11、L22とC12、L23とC13をそれぞれ、所定の周波数で直列共振させることができ、それによって、低域通過フィルタ1を、減衰極を有するフィルタ特性、つまり楕円関数特性にすることができる。図示の低域通過フィルタ1は、合計10個の素子が7段の楕円関数特性の低域通過フィルタを構成している。 Such a low-pass filter 1 can resonate the branch line and the parallel plate capacitor, that is, L 21 and C 11 , L 22 and C 12 , and L 23 and C 13 in series at a predetermined frequency. Thereby, the low-pass filter 1 can be made to have a filter characteristic having an attenuation pole, that is, an elliptic function characteristic. The illustrated low-pass filter 1 constitutes a low-pass filter having a total of 10 elements having seven stages of elliptic function characteristics.

次に、低域通過フィルタ1の具体的な設計を、従来技術の低域通過フィルタ101と比較しながら以下説明する。この低域通過フィルタ101は、携帯電話基地局の無線通信装置で従来から使用されてきた同軸型のものである。   Next, a specific design of the low-pass filter 1 will be described below in comparison with the low-pass filter 101 of the prior art. The low-pass filter 101 is a coaxial type that has been conventionally used in a wireless communication device of a mobile phone base station.

低域通過フィルタ1の誘電体基板3は、サイズ((X軸方向のサイズ)×(Y軸方向のサイズ))が15.3mm×7.6mmのArlon社製 Diclad 880(比誘電率2.2、誘電正接0.0009、厚さ0.25mm)を用いた。また、低域通過フィルタ1は、L11が0.982nH、L12が2.50nH、L13が2.35nH14が0.581nH、L21が0.183nH、L22が0.806nH、L23が0.713nH、C11が0.914pF、C12が0.865pF、C13が0.684pFとした。 The dielectric substrate 3 of the low-pass filter 1 has a size ((size in the X-axis direction) × (size in the Y-axis direction)) 15.3 mm × 7.6 mm, made by Arlon Diclad 880 (relative dielectric constant 2. 2, dielectric loss tangent 0.0009, thickness 0.25 mm). The low-pass filter 1 has an L 11 of 0.982 nH, an L 12 of 2.50 nH, an L 13 of 2.35 nH , an L 14 of 0.581 nH, an L 21 of 0.183 nH, and an L 22 of 0.806 nH. , L 23 is 0.713nH, C 11 is 0.914pF, C 12 was 0.865pF, C 13 is a 0.684PF.

従来技術の低域通過フィルタ101は、図9に示すように、金属筐体102とその内部の中空部102aに保持された中心導体103を具備し、中心導体103は、交互に連続して配置された大径の低インピーダンス線路103a、103c、103e、103g、103iと小径の高インピーダンス線路103b、103d、103f、103hとにより構成されている。金属筐体102の内側面には円筒状のテフロン(登録商標)製の絶縁体が配置されている。金属筐体102は、入出力端子102A、102A’の外部導体102Abに接続され(より詳細には取り付け具102Bを介して接続され)、中心導体103は、その両端103t、103t’が入出力端子102A、102A’の中心導体102Aaに接続されている。   As shown in FIG. 9, the low-pass filter 101 of the prior art includes a central conductor 103 held in a metal casing 102 and a hollow portion 102a therein, and the central conductors 103 are alternately arranged continuously. The large-diameter low-impedance lines 103a, 103c, 103e, 103g, and 103i and the small-diameter high-impedance lines 103b, 103d, 103f, and 103h are configured. A cylindrical insulator made of Teflon (registered trademark) is disposed on the inner surface of the metal casing 102. The metal casing 102 is connected to the external conductor 102Ab of the input / output terminals 102A and 102A ′ (more specifically, connected via the fixture 102B), and the center conductor 103 has both ends 103t and 103t ′ at the input / output terminals. 102A and 102A ′ are connected to the central conductor 102Aa.

図10に、従来技術の低域通過フィルタ101の等価回路を示す。C11’は低インピーダンス線路103aのキャパシタンス成分、C12’は低インピーダンス線路103cのキャパシタンス成分、C13’は低インピーダンス線路103eのキャパシタンス成分、C14’は低インピーダンス線路103gのキャパシタンス成分、C15’は低インピーダンス線路103iのキャパシタンス成分からなる。L11’は主に高インピーダンス線路103bのインダクタンス成分、L12’は主に高インピーダンス線路103dのインダクタンス成分、L13’は主に高インピーダンス線路103fのインダクタンス成分、L14’は主に高インピーダンス線路103hのインダクタンス成分からなる。 FIG. 10 shows an equivalent circuit of the low-pass filter 101 of the prior art. C 11 'is the capacitance component of the low impedance line 103a, C 12 ' is the capacitance component of the low impedance line 103c, C 13 'is the capacitance component of the low impedance line 103e, C 14 ' is the capacitance component of the low impedance line 103g, and C 15 'Consists of the capacitance component of the low impedance line 103i. L 11 ′ is mainly an inductance component of the high impedance line 103 b, L 12 ′ is mainly an inductance component of the high impedance line 103 d, L 13 ′ is mainly an inductance component of the high impedance line 103 f, and L 14 ′ is mainly high impedance. It consists of an inductance component of the line 103h.

この従来技術の低域通過フィルタ101は、C11’が0.682pF、C12’が1.51pF、C13’が1.60pF、C14’が1.51pF、C15’が0.682pF、L11’が2.99nH、L12’が3.59nH、L13’が3.59nH14’が2.99nHのものである。低域通過フィルタ101は、合計9個の素子が9段の低域通過フィルタを構成している。 This prior art low-pass filter 101 has C 11 'of 0.682 pF, C 12 ' of 1.51 pF, C 13 'of 1.60 pF, C 14 ' of 1.51 pF, and C 15 'of 0.682 pF. , L 11 ′ is 2.99 nH, L 12 ′ is 3.59 nH, L 13 ′ is 3.59 nH , and L 14 ′ is 2.99 nH. The low-pass filter 101 constitutes a nine-stage low-pass filter with a total of nine elements.

図11に低域通過フィルタ1と従来技術の低域通過フィルタ101のシミュレーションによるフィルタ特性を示す。曲線a、bはそれぞれ、低域通過フィルタ1の通過特性S(2,1)、反射特性S(1,1)である。低域通過フィルタ1は、周波数約6GHzに減衰極を有するようにすることで周波数約6GHzで通過特性S(2,1)が約−50dBとなるフィルタ特性を得ている。また、曲線c、dはそれぞれ、低域通過フィルタ101の通過特性S(2,1)、反射特性S(1,1)である。低域通過フィルタ101は、チェビシェフ型であり、周波数約6GHzで通過特性S(2,1)が約−50dBとなるフィルタ特性となっている。よって、低域通過フィルタ1は、従来技術の低域通過フィルタ101と同様な、携帯電話基地局の無線通信装置で必要とされる急峻なフィルタ特性を実現できていることが分かる。なお、シミュレーションは、入出力端子2A、2A’(及び入出力端子102A、102A’)にそれぞれ、50オームの抵抗を接地電位の間に接続して行った。   FIG. 11 shows filter characteristics by simulation of the low-pass filter 1 and the low-pass filter 101 of the prior art. Curves a and b are the pass characteristic S (2,1) and reflection characteristic S (1,1) of the low-pass filter 1, respectively. The low-pass filter 1 has a filter characteristic in which the pass characteristic S (2, 1) is about −50 dB at a frequency of about 6 GHz by having an attenuation pole at a frequency of about 6 GHz. Curves c and d are the pass characteristic S (2,1) and reflection characteristic S (1,1) of the low-pass filter 101, respectively. The low-pass filter 101 is a Chebyshev type, and has a filter characteristic in which the pass characteristic S (2, 1) is about −50 dB at a frequency of about 6 GHz. Therefore, it can be seen that the low-pass filter 1 can realize the steep filter characteristics required for the wireless communication device of the mobile phone base station, similar to the low-pass filter 101 of the prior art. The simulation was performed by connecting a 50 ohm resistor between the input / output terminals 2A and 2A '(and the input / output terminals 102A and 102A') between the ground potentials.

低域通過フィルタ1の中空部2aのサイズ((X軸方向のサイズ)×(Y軸方向のサイズ)×(Z軸方向のサイズ))は、15.3mm×7.6mm×6.25mmであり、体積は727mmである。これに対し、低域通過フィルタ101の中空部102aのサイズ((X軸方向のサイズ)×(X軸方向に直交の面積))は、32.4mm×(π×3.5×3.5)mmであり、体積は1246mmである。金属筐体2の肉厚を3mmとすると、低域通過フィルタ1のサイズ((X軸方向のサイズ)×(Y軸方向のサイズ)×(Z軸方向のサイズ))は、21.3mm×13.6mm×12.25mmであり、体積は3549mmである。これに対し、金属筐体102の肉厚を3mmとすると、低域通過フィルタ101のサイズ((X軸方向のサイズ)×(X軸方向に直交の面積))は、38.4mm×(π×6.5mm×6.5)mmであり、体積は5094mmである。これより、低域通過フィルタ1は、低域通過フィルタ101に比べ、中空部2aのサイズが約58%に、金属筐体2の肉厚を3mmとしたときの全体のサイズが約70%に小型化できていることになる。なお、図1に示した低域通過フィルタ1の平面図と図9で示した低域通過フィルタ101の平面図では、縮尺は異なっている。 The size ((size in the X-axis direction) × (size in the Y-axis direction) × (size in the Z-axis direction)) of the hollow portion 2a of the low-pass filter 1 is 15.3 mm × 7.6 mm × 6.25 mm. There, the volume is 727mm 3. In contrast, the size of the hollow portion 102a of the low-pass filter 101 ((size in the X-axis direction) × (area perpendicular to the X-axis direction)) is 32.4 mm × (π × 3.5 × 3.5). ) Mm 2 and the volume is 1246 mm 3 . When the thickness of the metal casing 2 is 3 mm, the size of the low-pass filter 1 ((size in the X-axis direction) × (size in the Y-axis direction) × (size in the Z-axis direction)) is 21.3 mm × It is 13.6 mm × 12.25 mm and the volume is 3549 mm 3 . On the other hand, when the thickness of the metal casing 102 is 3 mm, the size of the low-pass filter 101 ((size in the X-axis direction) × (area perpendicular to the X-axis direction)) is 38.4 mm × (π × 6.5 mm × 6.5) mm and the volume is 5094 mm 3 . As a result, the low-pass filter 1 has a hollow portion 2a size of about 58% and the overall size when the thickness of the metal housing 2 is 3 mm, compared to the low-pass filter 101, about 70%. This means that it can be downsized. The scale is different between the plan view of the low-pass filter 1 shown in FIG. 1 and the plan view of the low-pass filter 101 shown in FIG.

このように、低域通過フィルタ1は、従来技術の低域通過フィルタ101に比べ、小型化し易いものである。これは、低域通過フィルタ101が9段の低域通過フィルタであるのに対し、低域通過フィルタ1は、7段の低域通過フィルタでよく、そのために主線路31が短くなっているのが大きく寄与している。なお、主線路31が短くなっていることは、後述する低損失の実現にも寄与するものである。   Thus, the low-pass filter 1 is easier to miniaturize than the low-pass filter 101 of the prior art. This is because the low-pass filter 101 is a nine-stage low-pass filter, whereas the low-pass filter 1 may be a seven-stage low-pass filter, and thus the main line 31 is shortened. Contributes greatly. Note that the fact that the main line 31 is shortened also contributes to the realization of the low loss described later.

また、図に示した誘電体基板3は、1枚の平板であるが、フレキシブル誘電体基板を用いれば曲げることが可能になり、その形状を自在に変えることができる。また、誘電体基板3を2枚以上に分けてもよい。金属筐体2等は、このような誘電体基板3の構造に応じた形状にすることが可能である。よって、誘電体基板3の構造、ひいては低域通過フィルタ1の構造は、レイアウトの自由度が高く、マイクロ波帯の上述した帯域通過フィルタと組み合わせたときに隙間の空間に実装することができ、上述した無線通信装置等の全体をより小型化することができる。   The dielectric substrate 3 shown in the figure is a single flat plate. However, if a flexible dielectric substrate is used, it can be bent and its shape can be freely changed. Further, the dielectric substrate 3 may be divided into two or more. The metal housing 2 and the like can be shaped according to the structure of the dielectric substrate 3. Therefore, the structure of the dielectric substrate 3, and thus the structure of the low-pass filter 1, has a high degree of freedom in layout, and can be mounted in a gap space when combined with the above-described band-pass filter in the microwave band, The whole of the above-described wireless communication device or the like can be further reduced in size.

また、主線路31と分岐線路32A〜32Fはそれぞれ、サスペンデッドラインからなるので、マイクロ波帯の通過帯域の伝送線路としての損失を大幅に低減することができる。それは、誘電体基板3上の伝送線路の主たる損失は伝送線路と接地用の電極との間で生じるが、接地用の電極である金属筐体2は、主線路31及び分岐線路32A〜32Fから空気層を介して遠く離れているおり、そこを流れる電流の密度が極めて小さくなるためである。従って、低域通過フィルタ1は、マイクロ波帯の通過帯域で低損失のものとすることができる。   In addition, since the main line 31 and the branch lines 32A to 32F are each composed of a suspended line, the loss as a transmission line in the passband of the microwave band can be greatly reduced. The main loss of the transmission line on the dielectric substrate 3 occurs between the transmission line and the grounding electrode, but the metal casing 2 as the grounding electrode is separated from the main line 31 and the branch lines 32A to 32F. This is because the density of the current flowing through the air layer is very small because it is far away. Therefore, the low-pass filter 1 can have a low loss in the microwave pass band.

このように、低域通過フィルタ1は、低損失であって急峻なフィルタ特性を実現することができ、しかも小型化し易いものである。   As described above, the low-pass filter 1 can realize a steep filter characteristic with a low loss, and can be easily downsized.

以上、本発明の実施形態に係る低域通過フィルタについて説明したが、本発明は、上述の実施形態に記載したものに限られることなく、特許請求の範囲に記載する事項の範囲内でのさまざまな設計変更が可能である。   Although the low-pass filter according to the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to that described in the above-described embodiment, and various modifications within the scope of the matters described in the claims. Design changes are possible.

1 低域通過フィルタ
2a 中空部
2 金属筐体
2A、2A’ 入出力端子
3 誘電体基板
3a 誘電体基板の一方側の面(第1面)
3b 誘電体基板の他方側の面(第2面)
31 主線路
32A〜32F 分岐線路
33A〜33F 第1電極パターン
34A〜34F 第2電極パターン
4 金属板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Low pass filter 2a Hollow part 2 Metal housing | casing 2A, 2A 'Input / output terminal 3 Dielectric substrate 3a One side surface (1st surface) of a dielectric substrate
3b The other side of the dielectric substrate (second side)
31 Main line 32A-32F Branch line 33A-33F 1st electrode pattern 34A-34F 2nd electrode pattern 4 Metal plate

Claims (7)

内部に中空部を有する金属筐体と、
前記中空部に保持される誘電体基板と、を具備し、
前記誘電体基板の一方側の面に、
サスペンデッドラインからなる主線路と、
該主線路から分岐するように接続されたサスペンデッドラインからなる分岐線路と、
平行平板コンデンサの一方の電極を形成し前記該分岐線路に接続された第1電極パターンと、を有し、
前記誘電体基板の他方側の面に、
前記金属筐体に接続されるものであって、前記平行平板コンデンサの他方の電極を形成する第2電極パターンを有することを特徴とする低域通過フィルタ。
A metal housing having a hollow inside,
A dielectric substrate held in the hollow portion,
On one surface of the dielectric substrate,
A main line consisting of suspended lines,
A branch line composed of suspended lines connected to branch from the main line;
A first electrode pattern that forms one electrode of a parallel plate capacitor and is connected to the branch line;
On the other surface of the dielectric substrate,
A low-pass filter that is connected to the metal casing and has a second electrode pattern that forms the other electrode of the parallel plate capacitor.
前記主線路の左右両側に前記分岐線路、前記第1電極パターン、前記第2電極パターンが設けられていることを特徴とする請求項1に記載の低域通過フィルタ。   The low-pass filter according to claim 1, wherein the branch line, the first electrode pattern, and the second electrode pattern are provided on both left and right sides of the main line. 前記分岐線路と前記平行平板コンデンサを直列共振させることによって減衰極を有するフィルタ特性としたことを特徴とする請求項1又は2に記載の低域通過フィルタ。   3. The low-pass filter according to claim 1, wherein a filter characteristic having an attenuation pole is obtained by causing the branch line and the parallel plate capacitor to resonate in series. 前記誘電体基板の外縁の少なくとも一部に配置される金属板を更に具備し、
前記第2電極パターンは、前記金属板を介して前記金属筐体に接続されることを特徴とする請求項1に記載の低域通過フィルタ。
A metal plate disposed on at least a part of the outer edge of the dielectric substrate;
The low-pass filter according to claim 1, wherein the second electrode pattern is connected to the metal casing through the metal plate.
前記誘電体基板の外縁の少なくとも2辺に配置される金属板を更に具備し、
前記第2電極パターンは、前記金属板を介して前記金属筐体に接続されることを特徴とする請求項2に記載の低域通過フィルタ。
A metal plate disposed on at least two sides of the outer edge of the dielectric substrate;
The low-pass filter according to claim 2, wherein the second electrode pattern is connected to the metal casing through the metal plate.
前記金属板は、リードフレームとなっており、前記第2電極パターンの各々に接続されて前記誘電体基板が実装されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の低域通過フィルタ。   The low-pass filter according to claim 4 or 5, wherein the metal plate is a lead frame, and the dielectric substrate is mounted so as to be connected to each of the second electrode patterns. 前記金属板は、前記主線路の入出力端部の位置において前記誘電体基板の厚さ方向に折り曲げられていることを特徴とする請求項6に記載の低域通過フィルタ。   The low-pass filter according to claim 6, wherein the metal plate is bent in the thickness direction of the dielectric substrate at a position of an input / output end of the main line.
JP2016072949A 2016-03-31 2016-03-31 Low pass filter Active JP6674684B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016072949A JP6674684B2 (en) 2016-03-31 2016-03-31 Low pass filter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016072949A JP6674684B2 (en) 2016-03-31 2016-03-31 Low pass filter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017184178A true JP2017184178A (en) 2017-10-05
JP6674684B2 JP6674684B2 (en) 2020-04-01

Family

ID=60006496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016072949A Active JP6674684B2 (en) 2016-03-31 2016-03-31 Low pass filter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6674684B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110311196A (en) * 2019-06-18 2019-10-08 天津大学 5G dual passband filter based on dielectric integrated suspension line

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5258302A (en) * 1975-11-08 1977-05-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic tuning circuit
JPS56116702U (en) * 1980-02-07 1981-09-07
JPS6264002U (en) * 1985-10-14 1987-04-21
JPH04170202A (en) * 1990-11-02 1992-06-17 Kokusai Electric Co Ltd Planer dielectric filter
US6191666B1 (en) * 1999-03-25 2001-02-20 Industrial Technology Research Institute Miniaturized multi-layer ceramic lowpass filter
JP2003347802A (en) * 2002-04-23 2003-12-05 Thomson Licensing Sa Ultra-selective broadband pass filter using hybrid technology
JP2011176694A (en) * 2010-02-25 2011-09-08 Mitsubishi Electric Corp Low-pass filter

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5258302A (en) * 1975-11-08 1977-05-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic tuning circuit
JPS56116702U (en) * 1980-02-07 1981-09-07
JPS6264002U (en) * 1985-10-14 1987-04-21
JPH04170202A (en) * 1990-11-02 1992-06-17 Kokusai Electric Co Ltd Planer dielectric filter
US6191666B1 (en) * 1999-03-25 2001-02-20 Industrial Technology Research Institute Miniaturized multi-layer ceramic lowpass filter
JP2003347802A (en) * 2002-04-23 2003-12-05 Thomson Licensing Sa Ultra-selective broadband pass filter using hybrid technology
JP2011176694A (en) * 2010-02-25 2011-09-08 Mitsubishi Electric Corp Low-pass filter

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110311196A (en) * 2019-06-18 2019-10-08 天津大学 5G dual passband filter based on dielectric integrated suspension line

Also Published As

Publication number Publication date
JP6674684B2 (en) 2020-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8170629B2 (en) Filter having impedance matching circuits
CN202308233U (en) Duplex filter with recessed top pattern and cavity
CN103956985A (en) Band-pass filter with multi-layer structure
JP4291164B2 (en) Surface acoustic wave device
CN113381719A (en) Miniaturized high-suppression LTCC low-pass filter
US9030272B2 (en) Duplex filter with recessed top pattern and cavity
US10587025B2 (en) Ceramic filter with window coupling
US7099645B2 (en) Multilayer LC filter
JP6674684B2 (en) Low pass filter
KR19980063696A (en) Pole dielectric filter and dielectric duplexer using the same
CN118281516A (en) Low-frequency dielectric filter capable of adapting to miniaturization requirement
JP6287031B2 (en) Dielectric resonant component
US8400236B2 (en) Electronic component
EP1806841A2 (en) Resonant circuit, filter circuit, and multilayered substrate
CN206497970U (en) A Miniaturized Single Passband Microstrip Filter
CN111525219B (en) Tunable Band Stop Filter
JP2012209826A (en) Multiple frequency band passing filter
CN113471649B (en) filter
JP2005217633A (en) Antenna device
JP6340801B2 (en) Low pass filter
KR100581633B1 (en) Multilayer Ceramic Chip Filter
CN106602186B (en) Miniaturized single-pass band microstrip filter
KR20160102732A (en) Dielectric filter
JP2012010069A (en) Transmission line
JP2013131797A (en) Antenna-integrated high frequency module

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181213

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190904

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190920

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191119

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200227

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200302

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6674684

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250