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JP2017228834A - Distribution synthesizer, distributor, and synthesizer - Google Patents

Distribution synthesizer, distributor, and synthesizer Download PDF

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JP2017228834A
JP2017228834A JP2016121770A JP2016121770A JP2017228834A JP 2017228834 A JP2017228834 A JP 2017228834A JP 2016121770 A JP2016121770 A JP 2016121770A JP 2016121770 A JP2016121770 A JP 2016121770A JP 2017228834 A JP2017228834 A JP 2017228834A
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JP
Japan
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distribution
conductor block
line
synthesis
frequency
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Pending
Application number
JP2016121770A
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Japanese (ja)
Inventor
美紀子 大山
Mikiko Oyama
美紀子 大山
中田 大平
Taihei Nakada
大平 中田
健太郎 金成
Kentaro Kanari
健太郎 金成
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp
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Abstract

【課題】耐振動性或いは耐衝撃性が高い分配合成器等を提供する。
【解決手段】実施形態の分配合成器は、高周波電力を分配する高周波分配合成線路16と、高周波分配合成線路16を支持するシート状の誘電体15と、それぞれ平面部を有し、平面部で誘電体を挟む導体ブロック13、14と、を備える。導体ブロック13の平面部と導体ブロック14の平面部には、それぞれ、高周波分配合成線路16に沿って凹部が形成されている。導体ブロック13と導体ブロック14は、導体ブロック13の凹部と導体ブロック14の凹部とが高周波分配合成線路16を間に対向するよう固定されている。
【選択図】図10
Disclosed is a distributor / combiner having high vibration resistance or shock resistance.
A distribution synthesizer according to an embodiment includes a high-frequency distribution / synthesis line 16 that distributes high-frequency power, a sheet-like dielectric 15 that supports the high-frequency distribution / synthesis line 16, and a planar portion, respectively. Conductor blocks 13 and 14 sandwiching a dielectric. Concave portions are formed along the high-frequency distribution / synthesis line 16 in the planar portion of the conductor block 13 and the planar portion of the conductor block 14, respectively. The conductor block 13 and the conductor block 14 are fixed so that the concave portion of the conductor block 13 and the concave portion of the conductor block 14 face each other with the high-frequency distribution / synthesis line 16 therebetween.
[Selection] Figure 10

Description

本発明の実施形態は、分配合成器、分配器、及び合成器に関する。   Embodiments described herein relate generally to a distribution synthesizer, a distributor, and a synthesizer.

高周波電力(高周波信号)の使用が盛んになっている。高周波電力の分配或いは合成には、高周波電力分配合成器が使用される。高周波電力の伝送では、誘電体損失が無視できないほど大きくなる。誘電体損失を少なくするため、高周波電力分配合成器では、ストリップ線路(トリプレート線路)の誘電体部を空気層としたエアライン型の伝送線路が使用されることがある。   The use of high-frequency power (high-frequency signals) has become popular. A high frequency power distribution / combiner is used for the distribution or combination of high frequency power. In the transmission of high-frequency power, the dielectric loss becomes so large that it cannot be ignored. In order to reduce the dielectric loss, an airline type transmission line in which the dielectric part of the stripline (triplate line) is an air layer may be used in the high frequency power distribution and synthesizer.

特開2006−108741号公報JP 2006-108741 A

エアライン型の伝送線路は、通常、その一部が厚い誘電体層によって支えられる。エアライン型の伝送線路を有する高周波電力合成分配器の場合、振動や衝撃が加わると、伝送線路の空中に浮いた部分と厚い誘電体層で支えられた部分との境界で応力集中が発生する。そのため、エアライン型の伝送線路を有する高周波電力合成分配器は、場合によっては、振動或いは衝撃に対して弱くなる。   An airline type transmission line is usually supported by a thick dielectric layer. In the case of a high-frequency power combiner / distributor with an airline-type transmission line, when vibration or impact is applied, stress concentration occurs at the boundary between the floating part of the transmission line and the part supported by a thick dielectric layer. . For this reason, the high-frequency power combiner / distributor having an airline type transmission line is susceptible to vibration or shock in some cases.

本発明が解決しようとする課題は、耐振動性或いは耐衝撃性が高い分配合成器、分配器、及び合成器を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a distributor / combiner, a distributor, and a combiner that have high vibration resistance or shock resistance.

実施形態の分配合成器は、高周波電力を分配する高周波分配合成線路と、高周波分配合成線路を支持するシート状の誘電体と、それぞれ平面部を有し、平面部で誘電体を挟む第1、第2の導体ブロックと、を備える。第1の導体ブロックの平面部と第2の導体ブロックの平面部には、それぞれ、高周波分配合成線路に沿って凹部が形成されている。第1の導体ブロックと第2の導体ブロックは、第1の導体ブロックの凹部と第2の導体ブロックの凹部とが高周波分配合成線路を間に対向するよう固定されている。   The distribution synthesizer according to the embodiment includes a high-frequency distribution / synthesis line that distributes high-frequency power, a sheet-like dielectric material that supports the high-frequency distribution / synthesis line, and a planar portion, and a first sandwiching the dielectric material between the planar portions, A second conductor block. Concave portions are formed in the planar portion of the first conductor block and the planar portion of the second conductor block, respectively, along the high-frequency distribution / synthesis line. The first conductor block and the second conductor block are fixed so that the concave portion of the first conductor block and the concave portion of the second conductor block face each other with the high-frequency distribution combined line therebetween.

実施形態1の分配合成器の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of the distribution synthesizer according to the first embodiment. 実施形態1の分配合成器の分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view of the distribution synthesizer according to the first embodiment. 第1の導体ブロックの底面図である。It is a bottom view of the 1st conductor block. 第2の導体ブロックの上面図である。It is a top view of the 2nd conductor block. 上面に高周波分配合成線路が配置された誘電体シートの上面図である。It is a top view of a dielectric sheet in which a high frequency distribution / synthesis line is disposed on the top surface. 高周波分配合成線路を示す図である。It is a figure which shows a high frequency distribution synthetic | combination line. 高周波分配合成線路が備える高周波分配合成回路の拡大図である。It is an enlarged view of the high frequency distribution synthesis circuit with which a high frequency distribution synthesis line is provided. 高周波分配合成回路の等価回路である。It is an equivalent circuit of a high frequency distribution synthesis circuit. 第1の導体ブロックを取り除いた分配合成器の上面図である。It is a top view of the distribution synthesizer with the first conductor block removed. 実施形態1の分配合成器の高周波分配合成回路付近の分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the vicinity of a high-frequency distribution / synthesis circuit of the distribution / combiner according to the first embodiment. 実施形態1の分配合成器の高周波分配合成回路付近の断面図である。2 is a cross-sectional view of the vicinity of a high-frequency distribution / synthesis circuit of the distribution / combination device of Embodiment 1. FIG. 実施形態2の分配合成器の高周波分配合成回路付近の分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of the vicinity of the high-frequency distribution / synthesis circuit of the distribution / combination device of Embodiment 2. 実施形態2の分配合成器の高周波分配合成回路付近の断面図である。It is sectional drawing of the high frequency distribution synthesis circuit vicinity of the distribution synthesizer of Embodiment 2. FIG. 高周波分配合成線路の配置の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of arrangement | positioning of a high frequency distribution synthetic | combination line. 高周波分配合成線路の配置の変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of arrangement | positioning of a high frequency distribution synthetic | combination line.

以下、発明を実施するための形態について図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または同等の部分には同一の符号を付す。   Hereinafter, embodiments for carrying out the invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or equivalent parts are denoted by the same reference numerals.

(実施形態1)
図1は、実施形態1の分配合成器1の斜視図である。分配合成器1は、8分配或いは8合成の高周波電力(高周波信号)分配合成器である。合成端コネクタ11に加えられた高周波電力は、分配されて分配端コネクタ12a〜12hに出力される。また、分配端コネクタ12a〜12hに加えられた高周波電力は、合成されて合成端コネクタ11に出力される。分配合成器1の分配及び合成の動作は可逆的である。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a perspective view of a distribution synthesizer 1 according to the first embodiment. The distribution synthesizer 1 is an 8-distribution or 8-synthesis high-frequency power (high-frequency signal) distribution synthesizer. The high frequency power applied to the composite end connector 11 is distributed and output to the distribution end connectors 12a to 12h. In addition, the high frequency power applied to the distribution end connectors 12 a to 12 h is combined and output to the combined end connector 11. The distribution and combination operations of the distribution synthesizer 1 are reversible.

ここで高周波電力とは、高周波成分(およそ300MHz〜300GHzの周波数成分)を含む電力(信号)のことである。以下の説明では、高周波電力のことを高周波信号、或いは単に高周波という。高周波信号は、マイクロ波帯(およそ1GHz〜300GHz)の信号であってもよいし、準ミリ波帯(およそ20〜30GHz)の信号であってもよい。また、高周波信号は、ミリ波帯(およそ30GHz〜300GHz)の信号であってもよい。分配合成器1は、動作によって振動が伴う装置に設置される。例えば、分配合成器1は、航空管制用の航空レーダー等、アンテナの回転等に伴って振動する装置に設置される。   Here, the high-frequency power is power (signal) including a high-frequency component (a frequency component of about 300 MHz to 300 GHz). In the following description, high-frequency power is referred to as a high-frequency signal or simply high frequency. The high frequency signal may be a signal in a microwave band (approximately 1 GHz to 300 GHz) or a signal in a quasi-millimeter wave band (approximately 20 to 30 GHz). The high frequency signal may be a millimeter wave band signal (approximately 30 GHz to 300 GHz). The distribution synthesizer 1 is installed in a device that is vibrated by operation. For example, the distribution synthesizer 1 is installed in a device that vibrates as the antenna rotates, such as an air radar for air traffic control.

なお、以下の説明には、X軸、Y軸、及びZ軸から構成される直交座標系を用いる。図中、矢印の指し示す方向がプラス方向である。X軸プラス方向が右方向であり、X軸マイナス方向が左方向である。また、Y軸プラス方向が奥方向であり、Y軸マイナス方向が手前方向である。また、Z軸プラス方向が上方向であり、反対方向が下方向である。   In the following description, an orthogonal coordinate system including the X axis, the Y axis, and the Z axis is used. In the figure, the direction indicated by the arrow is the plus direction. The X axis plus direction is the right direction, and the X axis minus direction is the left direction. Further, the Y axis plus direction is the back direction, and the Y axis minus direction is the front direction. Further, the positive direction of the Z axis is the upward direction, and the opposite direction is the downward direction.

図2は、分配合成器1の分解斜視図である。分配合成器1は、合成端コネクタ11と、複数の分配端コネクタ12a〜12hと、導体ブロック13、14と、誘電体15と、高周波分配合成線路16と、を備える。   FIG. 2 is an exploded perspective view of the distribution synthesizer 1. The distribution synthesizer 1 includes a combination end connector 11, a plurality of distribution end connectors 12 a to 12 h, conductor blocks 13 and 14, a dielectric 15, and a high frequency distribution combination line 16.

合成端コネクタ11および分配端コネクタ12a〜12hは、同軸ケーブル、ストリップライン、マイクロストリップライン、フィーダ線等の伝送線路を接続するためのコネクタである。合成端コネクタ11は分配合成器1の奥側側面に配置されており、分配端コネクタ12a〜12hは分配合成器1の分配合成器1の手前側側面に配置されている。合成端コネクタ11には、例えば、伝送線路を介して信号発信機もしくは信号受信機が接続される。分配端コネクタ12a〜12hには、例えば、アンテナが接続される。   The composite end connector 11 and the distribution end connectors 12a to 12h are connectors for connecting transmission lines such as coaxial cables, strip lines, microstrip lines, feeder lines and the like. The combination end connector 11 is disposed on the back side surface of the distribution combiner 1, and the distribution end connectors 12 a to 12 h are disposed on the front side surface of the distribution combiner 1 of the distribution combiner 1. For example, a signal transmitter or a signal receiver is connected to the composite end connector 11 via a transmission line. For example, an antenna is connected to the distribution end connectors 12a to 12h.

導体ブロック13、14は、鉄、銅、アルミ等の導体で形成されたブロックである。導体ブロック13は第1の導体ブロックとして機能し、導体ブロック14は第2の導体ブロックとして機能する。導体ブロック14が第1の導体ブロックで、導体ブロック13が第2の導体ブロックと見なしてもよい。導体ブロック13は、少なくとも1つの平面部を有している。本実施形態の導体ブロック13は底面が平面部となっている。また、導体ブロック14は、少なくとも1つの平面部を有している。本実施形態の導体ブロック14は上面が平面部となっている。導体ブロック13および導体ブロック14の形状は図に示した形状に限定されず、様々な変形が可能である。   The conductor blocks 13 and 14 are blocks formed of a conductor such as iron, copper, or aluminum. The conductor block 13 functions as a first conductor block, and the conductor block 14 functions as a second conductor block. The conductor block 14 may be regarded as a first conductor block, and the conductor block 13 may be regarded as a second conductor block. The conductor block 13 has at least one plane portion. The conductor block 13 of this embodiment has a flat bottom surface. The conductor block 14 has at least one plane portion. The conductor block 14 of the present embodiment has a flat surface on the upper surface. The shape of the conductor block 13 and the conductor block 14 is not limited to the shape shown in the figure, and various modifications are possible.

導体ブロック13および導体ブロック14は、2つの平面部でシート状の誘電体15を挟んでいる。言い換えると、誘電体15は、導体ブロック13の底面及び導体ブロック14の上面で挟持されている。導体ブロック13および導体ブロック14は、直接的或いは間接的に接地されている。導体ブロック13および導体ブロック14は、電磁シールドとして機能する。   The conductor block 13 and the conductor block 14 sandwich the sheet-like dielectric 15 between two flat portions. In other words, the dielectric 15 is sandwiched between the bottom surface of the conductor block 13 and the top surface of the conductor block 14. The conductor block 13 and the conductor block 14 are grounded directly or indirectly. The conductor block 13 and the conductor block 14 function as an electromagnetic shield.

図3は導体ブロック13の底面図であり、図4は導体ブロック14の上面図である。導体ブロック13の平面部13a(底面)には、高周波分配合成線路16に沿って凹部(溝)13bが形成されている。同様に、導体ブロック14の平面部14a(上面)には、高周波分配合成線路16に沿って凹部(溝)14bが形成されている。導体ブロック13と導体ブロック14は、凹部13bと凹部14bとが対向するように固定されている。凹部13bと凹部14bの形状は、導体ブロック13の底面と導体ブロック14の上面とが向かい合ったときに、対応する形状となっている。そのため、分配合成器1の内部には、凹部13bと凹部14bとによる管状の空間が形成される。   FIG. 3 is a bottom view of the conductor block 13, and FIG. 4 is a top view of the conductor block 14. A concave portion (groove) 13 b is formed along the high-frequency distribution / synthesis line 16 in the flat portion 13 a (bottom surface) of the conductor block 13. Similarly, a concave portion (groove) 14 b is formed along the high-frequency distribution / synthesis line 16 in the flat portion 14 a (upper surface) of the conductor block 14. The conductor block 13 and the conductor block 14 are fixed so that the recess 13b and the recess 14b face each other. The shape of the recess 13b and the recess 14b is a corresponding shape when the bottom surface of the conductor block 13 and the top surface of the conductor block 14 face each other. Therefore, a tubular space is formed in the distribution synthesizer 1 by the recess 13b and the recess 14b.

図5は、上面に高周波分配合成線路16が配置された誘電体15の上面図である。誘電体15は、シート状の誘電体である。“シート状の誘電体”とは、薄くて柔らかい誘電体、例えば、1μm以上1mm以下の厚さの樹脂シート(樹脂フィルム)のことである。誘電体を構成するシートの厚さは1μm以上1mm以下の範囲に限定されず、例えば、1mm以上2mm以下の範囲であってもよい。誘電体とは、導電性よりも誘電性が優位な物質のことであり、樹脂に限定されない。一例として、誘電体15は、フレキシブルプリント基板のベースフィルムである。誘電体15は、ポリイミドフィルムであってもよい。誘電体15の厚さは、例えば、50μmである。フィルムとは、厚さが250μm(0.25mm)未満のシートのことである。誘電体15を構成するシートの厚さが250μmの場合、“シート状”は“フィルム状”と言い換えることができる。なお、シートという概念にはフィルムも含まれる。   FIG. 5 is a top view of the dielectric 15 having the high-frequency distribution / synthesis line 16 disposed on the top surface. The dielectric 15 is a sheet-like dielectric. The “sheet-like dielectric” refers to a thin and soft dielectric, for example, a resin sheet (resin film) having a thickness of 1 μm to 1 mm. The thickness of the sheet constituting the dielectric is not limited to a range of 1 μm to 1 mm, and may be a range of 1 mm to 2 mm, for example. A dielectric is a substance having a dielectric property superior to conductivity, and is not limited to a resin. As an example, the dielectric 15 is a base film of a flexible printed circuit board. The dielectric 15 may be a polyimide film. The thickness of the dielectric 15 is, for example, 50 μm. A film is a sheet having a thickness of less than 250 μm (0.25 mm). When the thickness of the sheet constituting the dielectric 15 is 250 μm, “sheet shape” can be restated as “film shape”. The concept of a sheet includes a film.

誘電体15の一方の面には、高周波分配合成線路16が配置されている。高周波分配合成線路16は、誘電体15の一方の面にプリントされたパターンにより形成されていてもよい。例えば、高周波分配合成線路16は、フレキシブルプリント基板のベースフィルムにプリントされたパターンにより形成されていてもよい。一例として、高周波分配合成線路16は、銅張ポリイミドフィルムをエッチングして形成される銅のパターンに抵抗等の素子を実装することにより形成されていてもよい。高周波分配合成線路16は、誘電体15によってその全面が支持された状態となっている。   A high frequency distribution / synthesis line 16 is disposed on one surface of the dielectric 15. The high frequency distribution / synthesis line 16 may be formed by a pattern printed on one surface of the dielectric 15. For example, the high frequency distribution / synthesis line 16 may be formed by a pattern printed on a base film of a flexible printed circuit board. As an example, the high-frequency distribution / synthesis line 16 may be formed by mounting an element such as a resistor on a copper pattern formed by etching a copper-clad polyimide film. The high frequency distribution / synthesis line 16 is in a state where the entire surface thereof is supported by the dielectric 15.

図6は、誘電体15から高周波分配合成線路16のみを取り出したものである。高周波分配合成線路16は、入力された高周波信号を8分配或いは8合成する高周波分配合成線路である。高周波分配合成線路16は、複数の高周波分配合成回路16a1〜16a7と、それらをトーナメント形に接続する接続線路16b1〜16b6と、で構成されている。   FIG. 6 shows only the high frequency distribution / synthesis line 16 taken out from the dielectric 15. The high frequency distribution / synthesizing line 16 is a high frequency distribution / synthesizing line for distributing or synthesizing an inputted high frequency signal into eight. The high-frequency distribution / synthesis line 16 includes a plurality of high-frequency distribution / synthesis circuits 16a1 to 16a7 and connection lines 16b1 to 16b6 that connect them in a tournament form.

高周波分配合成回路16a1〜16a7は、高周波信号の分配或いは合成する分配合成回路である。本実施形態では、高周波分配合成回路16a1〜16a7は、ウィルキンソン型の高周波分配合成回路である。高周波分配合成回路16a1〜16a7の動作は可逆的である。高周波信号を分配するときは、高周波分配合成回路16a1〜16a7は高周波分配回路として機能し、高周波信号を合成するときは、高周波分配合成回路16a1〜16a7は高周波合成回路として機能する。   The high frequency distribution / synthesis circuits 16a1 to 16a7 are distribution / synthesis circuits for distributing or synthesizing high frequency signals. In the present embodiment, the high-frequency distribution / synthesis circuits 16a1 to 16a7 are Wilkinson-type high-frequency distribution / synthesis circuits. The operations of the high-frequency distribution / synthesis circuits 16a1 to 16a7 are reversible. When distributing high-frequency signals, the high-frequency distribution / synthesis circuits 16a1 to 16a7 function as high-frequency distribution circuits, and when synthesizing high-frequency signals, the high-frequency distribution / synthesis circuits 16a1 to 16a7 function as high-frequency synthesis circuits.

高周波分配合成回路16a1〜16a7の構成は略同じ構成である。以下の説明では、高周波分配合成回路16a1〜16a7の構成として、高周波分配合成回路16aの構成について説明する。図7は、高周波分配合成回路16aの拡大図である。高周波分配合成回路16aは、合成端子161と、分配端子162、163と、を備える。合成端子161は、接続線路で他の高周波分配合成回路16aの分配端子と接続されている。或いは、合成端子161は、合成端コネクタ11と接続されている。また、分配端子162、163は、接続線路で他の高周波分配合成回路16aの分配端子と接続されている。或いは、分配端子162、163は、分配端コネクタ12a〜12hのいずれかと接続されている。   The configuration of the high-frequency distribution / synthesis circuits 16a1 to 16a7 is substantially the same. In the following description, the configuration of the high frequency distribution / synthesis circuit 16a will be described as the configuration of the high frequency distribution / synthesis circuits 16a1 to 16a7. FIG. 7 is an enlarged view of the high-frequency distribution / synthesis circuit 16a. The high frequency distribution / synthesis circuit 16 a includes a synthesis terminal 161 and distribution terminals 162 and 163. The synthesis terminal 161 is connected to a distribution terminal of another high-frequency distribution synthesis circuit 16a through a connection line. Alternatively, the composite terminal 161 is connected to the composite end connector 11. The distribution terminals 162 and 163 are connected to the distribution terminals of the other high-frequency distribution / synthesis circuit 16a through connection lines. Alternatively, the distribution terminals 162 and 163 are connected to any one of the distribution end connectors 12a to 12h.

図8は、高周波分配合成回路16aの等価回路である。高周波分配合成回路16aは、分岐線路L1及びL2と、これら2つの分岐線路間を跨ぐ2つのアイソレーション抵抗164、165とで構成されている。分岐線路L1及びL2は、それぞれ、所定の特性インピーダンスを有し、電気長、もしくは誘電体の特性を考慮した電気的な長さが中心周波数に対して1/4波長の線路である。分岐線路L1の特性インピーダンスは、Z1、Z2であり、分岐線路L2の特性インピーダンスは、Z3、Z4である。なお、図7及び図8に示した高周波分配合成回路16aはあくまで一例である。高周波分配合成回路16aの構成は、必要とされる特性に合わせ、変更可能である。例えば、アイソレーション抵抗は、1つの高周波分配合成回路につき1つであってもよい。   FIG. 8 is an equivalent circuit of the high-frequency distribution / synthesis circuit 16a. The high-frequency distribution / synthesis circuit 16a includes branch lines L1 and L2 and two isolation resistors 164 and 165 straddling the two branch lines. Each of the branch lines L1 and L2 is a line having a predetermined characteristic impedance and having an electrical length or an electrical length in consideration of the characteristics of a dielectric of ¼ wavelength with respect to the center frequency. The characteristic impedance of the branch line L1 is Z1 and Z2, and the characteristic impedance of the branch line L2 is Z3 and Z4. The high frequency distribution / synthesis circuit 16a shown in FIGS. 7 and 8 is merely an example. The configuration of the high-frequency distribution / synthesis circuit 16a can be changed in accordance with required characteristics. For example, one isolation resistor may be provided for one high-frequency distribution / synthesis circuit.

図9は、導体ブロック13を取り除いた分配合成器1の上面図である。図中の破線は、導体ブロック13に形成された凹部13bの縁(すなわち、図3に示す平面部13aと凹部13bとの境界)、及び導体ブロック14に形成された凹部14bの縁(図4に示す平面部14aと凹部14bとの境界)を示している。凹部13bおよび凹部14bは、いずれも、高周波分配合成線路16に沿って形成されている。凹部13bおよび凹部14bの幅は高周波分配合成線路16の線路幅より大きい。凹部13bおよび凹部14bは、その幅の略中央に高周波分配合成線路16が位置するよう、幅広のトーナメント形状となっている。   FIG. 9 is a top view of the distribution synthesizer 1 with the conductor block 13 removed. The broken lines in the figure indicate the edge of the recess 13b formed in the conductor block 13 (that is, the boundary between the flat portion 13a and the recess 13b shown in FIG. 3) and the edge of the recess 14b formed in the conductor block 14 (FIG. 4). The boundary between the flat portion 14a and the concave portion 14b shown in FIG. Both the recess 13 b and the recess 14 b are formed along the high-frequency distribution / synthesis line 16. The widths of the recess 13b and the recess 14b are larger than the line width of the high-frequency distribution / synthesis line 16. The concave portion 13b and the concave portion 14b have a wide tournament shape so that the high-frequency distribution / synthesis line 16 is positioned at the approximate center of the width.

図10は、分配合成器1の高周波分配合成回路16a付近の分解斜視図である。また、図11は、分配合成器の高周波分配合成回路付近の断面図である。より具体的には、図11は、分解していない状態の分配合成器1を図10に示すA−A線で切り取った図である。導体ブロック13と導体ブロック14は、凹部13bと凹部14bとが高周波分配合成線路16を間に対向するよう固定されている。そのため、分配合成器1の内部には、凹部13bと凹部14bによって管状の空間が形成されている。この管状の空間はシート状(或いはフィルム状)の誘電体15によって上下に分割されている。高周波分配合成線路16はこの誘電体15によって支持されている。高周波分配合成線路16は管状の空間の幅方向(図11の例の場合、X軸方向)の中央に位置している。そのため、高周波分配合成線路16は、この管状の空間の略中央に位置している。   FIG. 10 is an exploded perspective view of the vicinity of the high frequency distribution synthesis circuit 16a of the distribution synthesizer 1. FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view of the vicinity of the high frequency distribution / synthesis circuit of the distribution synthesizer. More specifically, FIG. 11 is a diagram obtained by cutting the distribution synthesizer 1 in an undisassembled state along the line AA shown in FIG. The conductor block 13 and the conductor block 14 are fixed so that the recess 13b and the recess 14b face the high-frequency distribution / synthesis line 16 therebetween. Therefore, a tubular space is formed in the distribution synthesizer 1 by the recess 13b and the recess 14b. This tubular space is vertically divided by a sheet-like (or film-like) dielectric 15. The high frequency distribution / synthesis line 16 is supported by the dielectric 15. The high-frequency distribution / synthesis line 16 is located at the center in the width direction of the tubular space (in the example of FIG. 11, the X-axis direction). For this reason, the high-frequency distribution / synthesis line 16 is located substantially at the center of the tubular space.

次に、このような構成を有する分配合成器1の動作について説明する。分配合成器1の動作は高周波信号の分配と、高周波信号の合成に分けられる。最初に高周波信号の分配について説明する。   Next, the operation of the distribution synthesizer 1 having such a configuration will be described. The operation of the distribution synthesizer 1 is divided into high-frequency signal distribution and high-frequency signal synthesis. First, the distribution of high-frequency signals will be described.

まず、外部の装置(例えば送信機)から伝送線路を介して合成端コネクタ11に高周波信号が加えられる。合成端コネクタ11に加えられた高周波信号は、図6に示す高周波分配合成回路16a1の合成端子161に入力される。そして、高周波信号は、高周波分配合成回路16a1で2分配されて分配端子162及び163から出力される。分配された高周波信号は、接続線路16b1或いは16b2を経由して、高周波分配合成回路16a2或いは16a3の合成端子161に入力される。高周波信号は、高周波分配合成回路16a2及び16a3それぞれでさらに2分配されて、それぞれの分配端子162及び163から出力される。そして、分配された高周波信号は、接続線路16b3、16b4、16b5、或いは16b6を経由して、高周波分配合成回路16a4、16a5、16a6、或いは16a7の合成端子161に入力される。高周波信号は、高周波分配合成回路16a4〜16a7それぞれでさらに2分配されて、それぞれの分配端子162及び163から出力される。出力された高周波信号は分配端コネクタ12a〜12hから分配合成器1の外部の装置(例えば、受信機)に出力される。   First, a high frequency signal is applied to the composite end connector 11 from an external device (for example, a transmitter) via a transmission line. The high-frequency signal applied to the combining end connector 11 is input to the combining terminal 161 of the high-frequency distribution combining circuit 16a1 shown in FIG. The high frequency signal is divided into two by the high frequency distribution / synthesis circuit 16a1 and output from the distribution terminals 162 and 163. The distributed high frequency signal is input to the synthesis terminal 161 of the high frequency distribution synthesis circuit 16a2 or 16a3 via the connection line 16b1 or 16b2. The high-frequency signal is further divided into two by the high-frequency distribution / synthesis circuits 16a2 and 16a3, and is output from the respective distribution terminals 162 and 163. The distributed high-frequency signal is input to the synthesis terminal 161 of the high-frequency distribution synthesis circuit 16a4, 16a5, 16a6, or 16a7 via the connection line 16b3, 16b4, 16b5, or 16b6. The high-frequency signal is further divided into two by the high-frequency distribution / synthesis circuits 16a4 to 16a7, and is output from the respective distribution terminals 162 and 163. The output high frequency signal is output from the distribution end connectors 12a to 12h to a device (for example, a receiver) outside the distribution synthesizer 1.

次に、高周波信号の合成について説明する。   Next, the synthesis of high frequency signals will be described.

まず、外部の装置(例えばアンテナ)から伝送線路を介して分配端コネクタ12a〜12hに高周波信号が加えられる。分配端コネクタ12a〜12hに加えられた高周波信号は、高周波分配合成回路16a4〜16a7の分配端子162、163に入力される。そして、高周波信号は、高周波分配合成回路16a4〜16a7それぞれで2合成されて、それぞれの合成端子161から出力される。合成された高周波信号は、接続線路16b3、16b4、16b5、或いは16b6を経由して、高周波分配合成回路16a2或いは16a3の分配端子162、163に入力される。高周波信号は、高周波分配合成回路16a2及び16a3それぞれでさらに2合成されて、それぞれの合成端子161から出力される。そして、合成された高周波信号は、接続線路16b1、或いは16b2を経由して、高周波分配合成回路16a1の分配端子162、163に入力される。高周波信号は、高周波分配合成回路16a1さらに2合成されて、合成端子161から出力される。出力された高周波信号は合成端コネクタ11から分配合成器1の外部の装置(例えば、受信機)に出力される。   First, a high frequency signal is applied from an external device (for example, an antenna) to the distribution end connectors 12a to 12h via a transmission line. The high frequency signals applied to the distribution end connectors 12a to 12h are input to the distribution terminals 162 and 163 of the high frequency distribution synthesis circuits 16a4 to 16a7. The high frequency signals are combined into two by the high frequency distribution and synthesis circuits 16a4 to 16a7 and output from the respective synthesis terminals 161. The synthesized high-frequency signal is input to the distribution terminals 162 and 163 of the high-frequency distribution and synthesis circuit 16a2 or 16a3 via the connection lines 16b3, 16b4, 16b5, and 16b6. Two high frequency signals are further synthesized by the high frequency distribution and synthesis circuits 16a2 and 16a3, respectively, and output from the respective synthesis terminals 161. The synthesized high frequency signal is input to the distribution terminals 162 and 163 of the high frequency distribution and synthesis circuit 16a1 via the connection line 16b1 or 16b2. The high-frequency signal is further combined into two by the high-frequency distribution / synthesis circuit 16 a 1 and output from the synthesis terminal 161. The output high frequency signal is output from the combination end connector 11 to a device (for example, a receiver) outside the distribution combiner 1.

本実施形態によれば、高周波分配合成線路16は、厚い誘電体層によってその一部が支持されるのではなく、シート状(或いはフィルム状)の誘電体15によってその全面が支持されている。そのため、高周波分配合成線路16は、分配合成器1に加わる振動若しくは衝撃によって、線路の一部に応力集中が発生することがほとんどない。したがって、分配合成器1の耐振動性及び耐衝撃性が高い。   According to the present embodiment, the high-frequency distribution / synthesis line 16 is not partially supported by the thick dielectric layer, but is entirely supported by the sheet-like (or film-like) dielectric 15. Therefore, the high-frequency distribution / synthesis line 16 hardly causes stress concentration in a part of the line due to vibration or impact applied to the distribution / synthesizer 1. Accordingly, the distributor / synthesizer 1 has high vibration resistance and impact resistance.

信号によって生じる電界は、誘電体の厚さ方向を通り伝搬する。そのため、電界と直交する方向に厚い誘電体層が配置されている場合、誘電体損により伝送損失が大きく増加する。しかし、本実施形態では、電界と直交する方向に配置されているのは、厚い誘電体層ではなく、シート状(或いはフィルム状)の誘電体15である。誘電体損を発生させる誘電体15が薄いので、分配合成器1は低損失で信号を伝送することが可能である。   The electric field generated by the signal propagates through the thickness direction of the dielectric. Therefore, when a thick dielectric layer is arranged in a direction orthogonal to the electric field, transmission loss is greatly increased due to dielectric loss. However, in this embodiment, what is arranged in the direction perpendicular to the electric field is not a thick dielectric layer but a sheet-like (or film-like) dielectric 15. Since the dielectric 15 that generates the dielectric loss is thin, the distribution synthesizer 1 can transmit a signal with low loss.

(実施形態2)
導体ブロック13、14のグランド電位は高周波分配合成線路16の特性に影響を与える。そのため、導体ブロック13のグランド電位と導体ブロック14のグランド電位とは同じであることが望ましい。しかしながら、実施形態1の分配合成器1は、導体ブロック13と導体ブロック14は誘電体15によって電気的に分離されている。そのため、導体ブロック13と導体ブロック14とでグランド電位が同電位でなければならないが、場合によっては微妙に異なるものとなる。実施形態2では、導体ブロック13のグランド電位と導体ブロック14のグランド電位との相違が少ない分配合成器1について説明する。
(Embodiment 2)
The ground potential of the conductor blocks 13 and 14 affects the characteristics of the high-frequency distribution / synthesis line 16. Therefore, it is desirable that the ground potential of the conductor block 13 and the ground potential of the conductor block 14 are the same. However, in the distribution synthesizer 1 of the first embodiment, the conductor block 13 and the conductor block 14 are electrically separated by the dielectric 15. For this reason, the ground potential must be the same between the conductor block 13 and the conductor block 14, but may differ slightly depending on the case. In the second embodiment, a distribution synthesizer 1 in which the difference between the ground potential of the conductor block 13 and the ground potential of the conductor block 14 is small will be described.

図12は、実施形態2の分配合成器1の高周波分配合成回路16a付近の分解斜視図である。誘電体15には、複数のスルーホール15aが形成されている。複数のスルーホール15aは、凹部13bと凹部14bの間(すなわち、凹部13bと凹部14bで形成される管状の空間内部)ではなく、導体ブロック13の平面部13aと導体ブロック14の平面部14aとの間に位置している。複数のスルーホール15aは、凹部13b、14bの縁に沿って形成されている。   FIG. 12 is an exploded perspective view of the vicinity of the high frequency distribution synthesis circuit 16a of the distribution synthesizer 1 of the second embodiment. A plurality of through holes 15 a are formed in the dielectric 15. The plurality of through holes 15a are not between the recesses 13b and the recesses 14b (that is, inside the tubular space formed by the recesses 13b and the recesses 14b), but between the planar portion 13a of the conductor block 13 and the planar portion 14a of the conductor block 14. Located between. The plurality of through holes 15a are formed along the edges of the recesses 13b and 14b.

図13は、実施形態2の分配合成器1の高周波分配合成回路16a付近の断面図である。より具体的には、図12は、分解していない状態の分配合成器1を図12に示すA−A線で切り取った図である。導体ブロック13の平面部13aと導体ブロック14の平面部14aの間には導体層が形成されている。導体層17は、例えば、液体の金属を平面部13aと平面部14aの間に流し込んで固化させることによって形成される。複数のスルーホール15aの中には、導体層17の導体が配置された状態となっている。スルーホール15aに配置された導体(導体層17)は、導体ブロック13と導体ブロック14とを電気的に接続する。   FIG. 13 is a cross-sectional view of the vicinity of the high frequency distribution synthesis circuit 16a of the distribution synthesizer 1 of the second embodiment. More specifically, FIG. 12 is a diagram obtained by cutting the distribution synthesizer 1 in an undisassembled state along the line AA shown in FIG. A conductor layer is formed between the flat portion 13 a of the conductor block 13 and the flat portion 14 a of the conductor block 14. The conductor layer 17 is formed, for example, by pouring a liquid metal between the flat portion 13a and the flat portion 14a and solidifying it. The conductor of the conductor layer 17 is disposed in the plurality of through holes 15a. The conductor (conductor layer 17) disposed in the through hole 15a electrically connects the conductor block 13 and the conductor block 14.

誘電体15にスルーホールが形成されていない場合、導体ブロック13と導体ブロック14とを電気的に接続するためには、薄い誘電体15を導体ブロック間に挟み、且つ、導体ブロック13と導体ブロック14とを接触させる必要がある。これには、導体ブロックの機械加工で高い精度が必要となる。しかし、本実施形態の分配合成器1は、誘電体15に複数のスルーホール15aが形成されている。そして、導体ブロック13と導体ブロック14はスルーホール15a内に配置された導体を介して電気的に接続されている。導体ブロック13と導体ブロック14とでグランド電位の相違が少ないので、高周波分配合成線路16の特性が安定する。   When the through hole is not formed in the dielectric 15, in order to electrically connect the conductor block 13 and the conductor block 14, the thin dielectric 15 is sandwiched between the conductor blocks, and the conductor block 13 and the conductor block are 14 need to be contacted. This requires high accuracy in machining the conductor block. However, in the distribution synthesizer 1 of this embodiment, a plurality of through holes 15 a are formed in the dielectric 15. And the conductor block 13 and the conductor block 14 are electrically connected through the conductor arrange | positioned in the through hole 15a. Since the difference in ground potential between the conductor block 13 and the conductor block 14 is small, the characteristics of the high-frequency distribution / synthesis line 16 are stabilized.

また、複数のスルーホール15aは、凹部13b、14bの縁に沿って形成されている。高周波分配合成線路16の特性に強く影響を与えるのは、凹部13b、14bで形成される空間の表面付近の電位である。凹部13b、14bの縁に沿って複数のスルーホール15a形成することにより、空間の表面付近の電位の相違がさらに少なくなるので、高周波分配合成線路16の特性がさらに安定する。   The plurality of through holes 15a are formed along the edges of the recesses 13b and 14b. It is the potential near the surface of the space formed by the recesses 13b and 14b that strongly affects the characteristics of the high-frequency distribution / synthesis line 16. By forming the plurality of through holes 15a along the edges of the recesses 13b and 14b, the difference in potential near the surface of the space is further reduced, so that the characteristics of the high-frequency distribution / synthesis line 16 are further stabilized.

上述の各実施形態はそれぞれ一例を示したものであり、種々の変更及び応用が可能である。   Each of the embodiments described above shows an example, and various changes and applications are possible.

例えば、上述の実施形態では、高周波分配合成線路16は誘電体15の上面に配置されるものとしたが、高周波分配合成線路16は誘電体15の下面に配置されていてもよい。   For example, in the above-described embodiment, the high frequency distribution / synthesis line 16 is arranged on the upper surface of the dielectric 15, but the high frequency distribution / synthesis line 16 may be arranged on the lower surface of the dielectric 15.

また、高周波分配合成線路16は誘電体15によって空間中に支持されているのであれば、必ずしも誘電体15の上面或いは下面に配置されていなくてもよい。例えば、高周波分配合成線路16は、図14に示すように、線路幅方向の両端を誘電体15によって支持されていてもよい。このとき、誘電体15には、実施形態2で説明したように、スルーホールが形成されていてもよい。そして、スルーホールには、導体ブロック13と導体ブロック14とを電気的に接続する導体が配置(充填)されていてもよい。   Further, the high frequency distribution / synthesis line 16 may not necessarily be disposed on the upper surface or the lower surface of the dielectric 15 as long as it is supported in the space by the dielectric 15. For example, as shown in FIG. 14, the high-frequency distribution / synthesis line 16 may be supported by dielectrics 15 at both ends in the line width direction. At this time, a through hole may be formed in the dielectric 15 as described in the second embodiment. A conductor that electrically connects the conductor block 13 and the conductor block 14 may be disposed (filled) in the through hole.

また、高周波分配合成線路16は、図15に示すように、2枚の誘電体15の間に挟持されていてもよい。この場合も、誘電体15にはスルーホールが形成され、導体ブロック13と導体ブロック14とを電気的に接続する導体が配置(充填)されていてもよい。   Further, the high frequency distribution / synthesis line 16 may be sandwiched between two dielectrics 15 as shown in FIG. Also in this case, a through hole may be formed in the dielectric 15, and a conductor that electrically connects the conductor block 13 and the conductor block 14 may be disposed (filled).

また、上述の実施形態では、誘電体15は厚さ50μmのフィルムであるものとしたが
誘電体15の厚さは50μmに限定されない。誘電体15の厚さは、1μm以上250μm未満の範囲であってもよい。また、誘電体15はフィルム(例えば、1μm以上250μm未満の厚さのシート)に限定されない。誘電体15は、250μm以上1mm以下の厚さのシートであってもよい。誘電体15は1mmより大きな厚さのシートであってもよい。例えば、誘電体15は、1mm以上2mm以下の厚さのシートであってもよい。
In the above embodiment, the dielectric 15 is a film having a thickness of 50 μm. However, the thickness of the dielectric 15 is not limited to 50 μm. The thickness of the dielectric 15 may be in the range of 1 μm or more and less than 250 μm. The dielectric 15 is not limited to a film (for example, a sheet having a thickness of 1 μm or more and less than 250 μm). The dielectric 15 may be a sheet having a thickness of 250 μm or more and 1 mm or less. The dielectric 15 may be a sheet having a thickness greater than 1 mm. For example, the dielectric 15 may be a sheet having a thickness of 1 mm or more and 2 mm or less.

また、上述の実施形態では、誘電体15はポリイミドフィルムであるものとしたが、誘電体15はポリイミドフィルムに限定されない。例えば、誘電体15はポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリカーボネート(PC)、ポリエチレン(PE)、ポリスチレン(PS)、ポリプロピレン(PP)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、ポリビニルアルコール(PVA)、トリアセテート(TAC)、アラミド(APA)、ポリスルホン(PSF)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリフェニレンサルファイド(PPS)、ポリ塩化ビニール(PVC)、ポリビニルアルコール(PVA)、或いはポリアリレート(PAR)のシート(フィルム)であってもよい。勿論、誘電体15はポリイミド(PI)のシートであってもよい。   In the above-described embodiment, the dielectric 15 is a polyimide film, but the dielectric 15 is not limited to a polyimide film. For example, the dielectric 15 is made of polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate (PC), polyethylene (PE), polystyrene (PS), polypropylene (PP), polyethylene naphthalate (PEN), polytetrafluoroethylene (PTFE), polyvinyl alcohol ( PVA), triacetate (TAC), aramid (APA), polysulfone (PSF), polyethersulfone (PES), polyetheretherketone (PEEK), polyamideimide (PAI), polyetherimide (PEI), polyphenylene sulfide (PPS) ), Polyvinyl chloride (PVC), polyvinyl alcohol (PVA), or polyarylate (PAR) sheet (film). Of course, the dielectric 15 may be a polyimide (PI) sheet.

また、誘電体15は樹脂シート(樹脂フィルム)に限定されない。例えば、誘電体15は紙や布(織布、不織布)であってもよい。誘電体15を布とする場合、誘電体15を構成する布は、プラスチック繊維、或いはガラス繊維の織布であってもよい。誘電体15を紙や布とする場合、高周波分配合成線路16は、誘電体15に接着剤等で貼付されていてもよい。勿論、誘電体15を樹脂シート(樹脂フィルム)とする場合であっても、高周波分配合成線路16は誘電体15に接着剤等で貼付されていてもよい。   The dielectric 15 is not limited to a resin sheet (resin film). For example, the dielectric 15 may be paper or cloth (woven fabric or non-woven fabric). When the dielectric 15 is a cloth, the cloth constituting the dielectric 15 may be a plastic fiber or a woven cloth of glass fiber. When the dielectric 15 is made of paper or cloth, the high frequency distribution / synthesis line 16 may be attached to the dielectric 15 with an adhesive or the like. Of course, even when the dielectric 15 is a resin sheet (resin film), the high-frequency distribution / synthesis line 16 may be attached to the dielectric 15 with an adhesive or the like.

また、上述の実施形態では、高周波分配合成回路16a(高周波分配合成回路16a1〜16a7)は、ウィルキンソン型の高周波分配合成回路であるものとしたが、高周波分配合成回路16aは、ウィルキンソン型の高周波分配合成回路に限定されない。例えば、高周波分配合成回路16aは、分布結合型、ブランチライン型、或いはラットレース型の高周波分配合成回路であってもよい。   In the above-described embodiment, the high-frequency distribution / synthesis circuit 16a (high-frequency distribution / synthesis circuits 16a1 to 16a7) is a Wilkinson-type high-frequency distribution / synthesis circuit. It is not limited to a synthesis circuit. For example, the high frequency distribution / synthesis circuit 16a may be a distributed coupling type, branch line type, or rat race type high frequency distribution / synthesis circuit.

また、上述の実施形態では、分配合成器1は、7個の高周波分配合成回路16aをトーナメント形に接続した8分配または8合成の分配合成器であるものとした。しかし、高周波分配合成回路16aの数、並びに、分配もしくは合成の数は、これに限定されない。分配合成器1は、3個の高周波分配合成回路16aをトーナメント形に接続した4分配または4合成の分配合成器であってもよい。また、分配合成器1は、15個の高周波分配合成回路16aをトーナメント形に接続した16分配または16合成の分配合成器であってもよい。勿論、分配合成器1は、1つの高周波分配合成回路16aを有する2分配または2合成の分配合成器であってもよい。高周波分配合成回路16aの数、並びに、分配もしくは合成の数は、目的や用途に応じて種々の値を選択可能である。   In the above-described embodiment, the distribution synthesizer 1 is an 8-distribution or 8-synthesis distribution synthesizer in which seven high-frequency distribution synthesizers 16a are connected in a tournament form. However, the number of high-frequency distribution / synthesis circuits 16a and the number of distribution or synthesis are not limited to this. The distribution synthesizer 1 may be a 4-distribution or 4-synthesis distribution synthesizer in which three high-frequency distribution synthesizers 16a are connected in a tournament form. Further, the distribution synthesizer 1 may be a 16 distribution or 16 combination distribution synthesizer in which 15 high frequency distribution synthesizers 16a are connected in a tournament form. Of course, the distribution synthesizer 1 may be a 2-distribution or 2-synthesis distribution synthesizer having one high-frequency distribution synthesizer circuit 16a. Various values can be selected for the number of high-frequency distribution / synthesis circuits 16a and the number of distribution or synthesis depending on the purpose and application.

また、上述の実施形態では、分配合成器1は分配と合成の双方が可能であるものとした。しかし、分配合成器1は分配と合成のいずれかのみ可能であってもよい。分配合成器は、分配器、或いは合成器と言い換えることができる。高周波分配合成線路も、高周波分配線路、或いは高周波合成線路と言い換えることができる。同様に、高周波分配合成回路も、高周波分配回路、或いは高周波合成回路と言い換えることができる。   In the above-described embodiment, the distribution synthesizer 1 is capable of both distribution and combination. However, the distribution synthesizer 1 may be capable of either distribution or combination. The distribution synthesizer can be rephrased as a distributor or a synthesizer. The high-frequency distribution / synthesis line can also be called a high-frequency distribution line or a high-frequency synthesis line. Similarly, the high-frequency distribution / synthesis circuit can be rephrased as a high-frequency distribution circuit or a high-frequency synthesis circuit.

本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことが出来る。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。   Although the embodiment of the present invention has been described, this embodiment is presented as an example and is not intended to limit the scope of the invention. The novel embodiment can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. This embodiment and its modifications are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

1…分配合成器(分配器、合成器)
11…合成端コネクタ
12a〜12h…分配端コネクタ
13、14…導体ブロック
13a、14a…平面部
13b、14b…凹部
15…誘電体
15a…スルーホール
16…高周波分配合成線路(高周波分配線路、高周波合成線路)
16a〜16a7…高周波分配合成回路(高周波分配回路、高周波合成回路)
16b1〜16b6…接続線路
161…合成端子
162、163…分配端子
164、165…アイソレーション抵抗
17…導体層
L1、L2…分岐線路
1 ... distribution synthesizer (distributor, synthesizer)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Composite end connector 12a-12h ... Distribution end connector 13, 14 ... Conductor block 13a, 14a ... Planar part 13b, 14b ... Recessed part 15 ... Dielectric 15a ... Through hole 16 ... High frequency distribution synthetic line (High frequency distribution line, high frequency synthesis) line)
16a to 16a7 ... high frequency distribution and synthesis circuit (high frequency distribution circuit, high frequency synthesis circuit)
16b1 to 16b6 ... connection line 161 ... composite terminal 162, 163 ... distribution terminal 164, 165 ... isolation resistor 17 ... conductor layer L1, L2 ... branch line

Claims (9)

高周波電力を分配或いは合成する高周波分配合成線路と、
前記高周波分配合成線路を支持するシート状の誘電体と、
それぞれ平面部を有し、前記平面部で前記誘電体を挟む第1、第2の導体ブロックと、を備え、
前記第1の導体ブロックの前記平面部と前記第2の導体ブロックの前記平面部には、それぞれ、前記高周波分配合成線路に沿って凹部が形成されており、
前記第1の導体ブロックと前記第2の導体ブロックは、前記第1の導体ブロックの前記凹部と前記第2の導体ブロックの前記凹部とが前記高周波分配合成線路を間に対向するよう固定されている、
分配合成器。
A high-frequency distribution / synthesis line for distributing or synthesizing high-frequency power; and
A sheet-like dielectric material for supporting the high-frequency distribution / synthesis line;
First and second conductor blocks each having a planar portion and sandwiching the dielectric between the planar portions,
The flat portion of the first conductor block and the flat portion of the second conductor block are each formed with a recess along the high-frequency distribution / synthesis line,
The first conductor block and the second conductor block are fixed so that the concave portion of the first conductor block and the concave portion of the second conductor block are opposed to the high-frequency distribution / synthesis line. Yes,
Distribution synthesizer.
前記高周波分配合成線路は、ウィルキンソン型の複数の高周波分配合成回路と、前記複数の高周波分配合成回路をトーナメント形に接続する接続線路と、で構成されている、
請求項1に記載の分配合成器。
The high-frequency distribution / synthesis line is composed of a plurality of Wilkinson-type high-frequency distribution / synthesis circuits and a connection line connecting the plurality of high-frequency distribution / synthesis circuits in a tournament form,
The distribution synthesizer according to claim 1.
前記誘電体には、複数のスルーホールが形成されており、
前記複数のスルーホールは、前記第1の導体ブロックの前記平面部と前記第2の導体ブロックの前記平面部との間に位置しており、
前記複数のスルーホールの中には、前記第1の導体ブロックと前記第2の導体ブロックとを接続する導体が配置されている、
請求項1又は2に記載の分配合成器。
The dielectric is formed with a plurality of through holes,
The plurality of through holes are located between the planar portion of the first conductor block and the planar portion of the second conductor block,
A conductor connecting the first conductor block and the second conductor block is disposed in the plurality of through holes.
The distribution synthesizer according to claim 1 or 2.
前記複数のスルーホールは、前記第1、第2の導体ブロックの前記凹部の縁に沿うように形成されている、
請求項3に記載の分配合成器。
The plurality of through holes are formed along edges of the recesses of the first and second conductor blocks.
The distribution synthesizer according to claim 3.
前記誘電体はフレキシブルプリント基板のベースフィルムであり、
前記高周波分配合成線路は、前記ベースフィルムにプリントされたパターンにより形成されている、
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の分配合成器。
The dielectric is a base film of a flexible printed circuit board,
The high-frequency distribution / synthesis line is formed by a pattern printed on the base film,
The distribution synthesizer according to any one of claims 1 to 4.
高周波電力を分配する高周波分配線路と、
前記高周波分配線路を支持するシート状の誘電体と、
それぞれ平面部を有し、前記平面部で前記誘電体を挟む第1、第2の導体ブロックと、を備え、
前記第1の導体ブロックの前記平面部と前記第2の導体ブロックの前記平面部には、それぞれ、前記高周波分配線路に沿って凹部が形成されており、
前記第1の導体ブロックと前記第2の導体ブロックは、前記第1の導体ブロックの前記凹部と前記第2の導体ブロックの前記凹部とが前記高周波分配線路を間に対向するよう固定されている、
分配器。
A high-frequency distribution line that distributes high-frequency power; and
A sheet-like dielectric material that supports the high-frequency distribution line;
First and second conductor blocks each having a planar portion and sandwiching the dielectric between the planar portions,
The planar portion of the first conductor block and the planar portion of the second conductor block are each formed with a recess along the high-frequency distribution line,
The first conductor block and the second conductor block are fixed so that the concave portion of the first conductor block and the concave portion of the second conductor block are opposed to the high-frequency distribution line. ,
Distributor.
前記高周波分配線路は、ウィルキンソン型の複数の高周波分配回路と、前記複数の高周波分配回路をトーナメント形に接続する接続線路と、で構成されている、
請求項6に記載の分配器。
The high-frequency distribution line is composed of a plurality of Wilkinson-type high-frequency distribution circuits and a connection line that connects the plurality of high-frequency distribution circuits in a tournament form.
The distributor according to claim 6.
高周波電力を合成する高周波合成線路と、
前記高周波合成線路を支持するシート状の誘電体と、
それぞれ平面部を有し、前記平面部で前記誘電体を挟む第1、第2の導体ブロックと、を備え、
前記第1の導体ブロックの前記平面部と前記第2の導体ブロックの前記平面部には、それぞれ、前記高周波合成線路に沿って凹部が形成されており、
前記第1の導体ブロックと前記第2の導体ブロックは、前記第1の導体ブロックの前記凹部と前記第2の導体ブロックの前記凹部とが前記高周波合成線路を間に対向するよう固定されている、
合成器。
A high-frequency synthesis line that synthesizes high-frequency power; and
A sheet-like dielectric material supporting the high-frequency synthetic line;
First and second conductor blocks each having a planar portion and sandwiching the dielectric between the planar portions,
A concave portion is formed along the high-frequency synthetic line in each of the planar portion of the first conductor block and the planar portion of the second conductor block.
The first conductor block and the second conductor block are fixed so that the concave portion of the first conductor block and the concave portion of the second conductor block are opposed to the high-frequency composite line. ,
Synthesizer.
前記高周波合成線路は、ウィルキンソン型の複数の高周波合成回路と、前記複数の高周波合成回路をトーナメント形に接続する接続線路と、で構成されている、
請求項8に記載の合成器。
The high-frequency synthesis line is composed of a plurality of Wilkinson-type high-frequency synthesis circuits and a connection line that connects the plurality of high-frequency synthesis circuits in a tournament form.
The synthesizer according to claim 8.
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KR101886857B1 (en) * 2018-05-04 2018-08-09 한화시스템(주) electric power distributor for antenna of IFF
CN109119736A (en) * 2018-09-03 2019-01-01 广州全界通讯科技有限公司 A kind of two road ridge waveguide power splitter of ultra wide band

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101881308B1 (en) * 2018-04-13 2018-07-24 한화시스템(주) electric power distributor for antenna of IFF
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