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JP2018159817A - Manufacturing method of liquid crystal display device - Google Patents

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JP2018159817A
JP2018159817A JP2017057036A JP2017057036A JP2018159817A JP 2018159817 A JP2018159817 A JP 2018159817A JP 2017057036 A JP2017057036 A JP 2017057036A JP 2017057036 A JP2017057036 A JP 2017057036A JP 2018159817 A JP2018159817 A JP 2018159817A
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JP
Japan
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substrate
liquid crystal
manufacturing
flexible
display device
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JP2017057036A
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Japanese (ja)
Inventor
西田 健一郎
Kenichiro Nishida
健一郎 西田
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Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method capable of preventing a display defect of a flexible liquid crystal display device.SOLUTION: The manufacturing method of a liquid crystal display device includes: a first substrate forming step which includes a first step to form a first flexible substrate which includes a first area formed of a first flexible material and a second area which does not contain the first flexible material; a second substrate forming step including a second step to form the second flexible substrate formed of second flexible material; and a substrate bonding step of bonding the first substrate prepared in the first substrate forming step and the second substrate prepared in the second substrate forming step.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明は、液晶表示装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display device.

一般的に、液晶表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタ基板を製造する工程と、カラーフィルタ基板を製造する工程と、両基板を貼り合せる工程と、両基板を貼り合せた後に、薄膜トランジスタ基板に形成された、電子回路を接続するための端子部を露出させる工程と、を含んでいる。端子部を露出させる工程では、カラーフィルタ基板における、平面視で上記端子部に重なる部分を除去する処理が行われる。従来の液晶表示装置の製造方法では、カラーフィルタ基板を構成するガラス基板をカッター等により切断することにより、上記部分を除去している(例えば特許文献1参照)。   In general, a method of manufacturing a liquid crystal display device includes a step of manufacturing a thin film transistor substrate, a step of manufacturing a color filter substrate, a step of bonding the two substrates, and a step of bonding the two substrates, and then forming the thin film transistor substrate. And a step of exposing a terminal portion for connecting an electronic circuit. In the step of exposing the terminal portion, a process of removing a portion of the color filter substrate that overlaps the terminal portion in plan view is performed. In a conventional method for manufacturing a liquid crystal display device, the above portion is removed by cutting a glass substrate constituting a color filter substrate with a cutter or the like (see, for example, Patent Document 1).

特開2004−118135号公報JP 2004-118135 A

ところで、近年提案されているフレキシブル性を有する液晶表示装置では、ガラス基板の代わりにフレキシブル材料(例えば、ポリイミド系樹脂材料)から成るフレキシブル基板が含まれている。フレキシブル材料上記端子部を露出させる工程において、ガラス基板のみを切断する場合は、基板表面にカッターで傷を入れることにより比較的簡易にできるが、ガラス基板の裏面にフレキシブル材料が形成されている場合は、フレキシブル材料にも切断するための傷を入れる必要があり、フレキシブル材料にカッターの刃を深く入れる処理や、フレキシブル材料をレーザ光により切断する処理が必要となる。しかし、このような処理を行うと、フレキシブル材料の下に配置された上記端子部に破損や断線が生じ、表示不良につながる恐れがある。   By the way, in a liquid crystal display device having flexibility proposed in recent years, a flexible substrate made of a flexible material (for example, a polyimide resin material) is included instead of a glass substrate. Flexible material In the step of exposing the terminal part, when cutting only the glass substrate, it can be made relatively simple by scratching the substrate surface with a cutter, but when the flexible material is formed on the back surface of the glass substrate In this case, it is necessary to make a scratch for cutting the flexible material, and a process of deeply inserting a cutter blade into the flexible material and a process of cutting the flexible material with laser light are required. However, if such a process is performed, the terminal portion disposed under the flexible material may be damaged or disconnected, resulting in a display failure.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、フレキシブル性を有する液晶表示装置の表示不良を防ぐことができる製造方法を提供することにある。   This invention is made | formed in view of the said subject, The objective is to provide the manufacturing method which can prevent the display defect of the liquid crystal display device which has flexibility.

上記課題を解決するために、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、第1フレキシブル基板を含み、フレキシブル性を有する第1基板と、前記第1基板に対向配置され、第2フレキシブル基板を含み、フレキシブル性を有する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板の間に配置される液晶層と、を含む液晶表示装置の製造方法であって、第1フレキシブル材料から成る第1領域と、前記第1フレキシブル材料を含まない第2領域とを含む前記第1フレキシブル基板を形成する第1工程を含む第1基板製造工程と、第2フレキシブル材料から成る前記第2フレキシブル基板を形成する第2工程を含む第2基板製造工程と、前記第1基板製造工程で製造された前記第1基板と、前記第2基板製造工程で製造された前記第2基板とを貼り合わせる基板貼り合わせ工程と、を含むことを特徴とする。   In order to solve the above-described problem, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention includes a first flexible substrate, a flexible first substrate, and a second flexible substrate disposed opposite to the first substrate. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a second substrate having flexibility, and a liquid crystal layer disposed between the first substrate and the second substrate, wherein the first substrate is made of a first flexible material. A first substrate manufacturing step including a first step of forming the first flexible substrate including a region and a second region not including the first flexible material; and forming the second flexible substrate made of the second flexible material. A second substrate manufacturing step including a second step, a first substrate manufactured in the first substrate manufacturing step, and a second substrate manufactured in the second substrate manufacturing step. A substrate bonding process that, characterized in that it comprises a.

本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第2基板は、電子部品を接続するための端子部を含み、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせたときに、平面視で、前記第2領域が前記端子部に重なってもよい。   In the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the second substrate includes a terminal portion for connecting an electronic component, and the first substrate and the second substrate are bonded together in plan view. The second region may overlap the terminal portion.

本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第1工程は、第1ガラス基板における前記第1領域に対応する第1部分に、前記第1フレキシブル材料を塗布し、前記第1ガラス基板における前記第2領域に対応する第2部分に、前記第1フレキシブル材料を塗布しない工程を含んでもよい。   In the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, in the first step, the first flexible material is applied to a first portion corresponding to the first region of the first glass substrate, and the first glass substrate is coated with the first flexible material. A step of not applying the first flexible material to the second portion corresponding to the second region may be included.

本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第1工程は、第1ガラス基板の全面を疎水化する工程と、前記第1ガラス基板における前記第2領域に対応する第2部分を親水化する工程と、前記疎水化及び前記親水化した前記第1ガラス基板の全面に前記第1フレキシブル材料を塗布する工程と、を含んでもよい。   In the method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first step includes hydrophobizing the entire surface of the first glass substrate and hydrophilizing the second portion corresponding to the second region of the first glass substrate. And a step of applying the first flexible material to the entire surface of the hydrophobized and hydrophilized first glass substrate.

本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第1工程は、第1ガラス基板における前記第2領域に対応する部分に金属材料を成膜する工程と、前記金属材料を成膜した前記第1ガラス基板の全面に前記第1フレキシブル材料を塗布する工程と、ウェットエッチングにより前記金属材料と前記金属材料上に塗布された前記第1フレキシブル材料とを除去する工程と、を含んでもよい。   In the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, the first step includes a step of forming a metal material on a portion of the first glass substrate corresponding to the second region, and the step of forming the metal material. A step of applying the first flexible material to the entire surface of one glass substrate and a step of removing the metal material and the first flexible material applied on the metal material by wet etching may be included.

本発明に係る液晶表示装置の製造方法では、前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせた後に、前記第2領域で前記第1基板を切断する切断工程と、前記切断工程の後に、前記第1ガラス基板を前記第1フレキシブル基板から剥離する剥離工程と、をさらに含んでもよい。   In the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, after bonding the first substrate and the second substrate, a cutting step of cutting the first substrate in the second region, and after the cutting step, A peeling step of peeling the first glass substrate from the first flexible substrate.

本発明に係る液晶表示装置の製造方法によれば、フレキシブル性を有する液晶表示装置の表示不良を防ぐことができる。   According to the method for manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention, it is possible to prevent display defects of a flexible liquid crystal display device.

(a)は本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す平面図であり、(b)は(a)のA−A´断面図である。(A) is a top view which shows schematic structure of the liquid crystal display device which concerns on this embodiment, (b) is AA 'sectional drawing of (a). 本実施形態に係る表示パネルの表示領域の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of the display area of the display panel which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る表示パネルの画素の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the pixel of the display panel which concerns on this embodiment. 図3のB−B´断面図である。It is BB 'sectional drawing of FIG. 図3のC−C´断面図である。It is CC 'sectional drawing of FIG. (a)は本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法における基板貼り合せ工程後の状態を示す平面図であり、(b)は(a)のD−D´断面図である。(A) is a top view which shows the state after the board | substrate bonding process in the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on this embodiment, (b) is DD 'sectional drawing of (a). 本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法における露出工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the exposure process in the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法における剥離工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the peeling process in the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法におけるフレキシブル基板の他の形成方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the other formation method of the flexible substrate in the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法におけるフレキシブル基板の他の形成方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the other formation method of the flexible substrate in the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法におけるフレキシブル基板の他の形成方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the other formation method of the flexible substrate in the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法におけるフレキシブル基板の他の形成方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the other formation method of the flexible substrate in the manufacturing method of the liquid crystal display device which concerns on this embodiment.

本発明の一実施形態について、図面を用いて以下に説明する。本発明の実施形態では、COG(Chip On Glass)方式の液晶表示装置を例に挙げるが、これに限定されず、例えばCOF(Chip On Film)方式又はTCP(Tape Carrier Package)方式の液晶表示装置であってもよい。   An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the embodiment of the present invention, a COG (Chip On Glass) type liquid crystal display device is taken as an example, but the present invention is not limited to this. For example, a COF (Chip On Film) type or TCP (Tape Carrier Package) type liquid crystal display device is used. It may be.

図1は、本実施形態に係る液晶表示装置の概略構成を示す平面図及び断面図である。液晶表示装置1は、表示パネル10、ソースドライバIC20、ゲートドライバIC30、及び、バックライト(図示せず)を含んで構成されている。表示パネル10は、薄膜トランジスタ基板100(TFT基板)、カラーフィルタ基板200(CF基板)、及び、両基板間に挟持された液晶層300を含んでいる。表示パネル10は、画像を表示する表示領域10aと、表示領域10aの周囲の非表示領域10bとを含んでいる。ソースドライバIC20及びゲートドライバIC30は、薄膜トランジスタ基板100に搭載されている。ソースドライバIC20及びゲートドライバIC30の数は限定されない。   FIG. 1 is a plan view and a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of the liquid crystal display device according to the present embodiment. The liquid crystal display device 1 includes a display panel 10, a source driver IC 20, a gate driver IC 30, and a backlight (not shown). The display panel 10 includes a thin film transistor substrate 100 (TFT substrate), a color filter substrate 200 (CF substrate), and a liquid crystal layer 300 sandwiched between both substrates. The display panel 10 includes a display area 10a for displaying an image and a non-display area 10b around the display area 10a. The source driver IC 20 and the gate driver IC 30 are mounted on the thin film transistor substrate 100. The number of source driver ICs 20 and gate driver ICs 30 is not limited.

図1(b)は、図1(a)のA−A´断面図である。薄膜トランジスタ基板100は、フレキシブル材料により形成されたフレキシブル基板110と、フレキシブル基板110の表示面側に形成されたTFT素子層120と、フレキシブル基板110の背面側に形成された偏光板130と、を含んでいる。TFT素子層120の非表示領域10bには、端子部31と、端子部31に電気的に接続されたソースドライバIC20及びゲートドライバIC30とが設けられている。カラーフィルタ基板200は、フレキシブル材料により形成されたフレキシブル基板210と、フレキシブル基板210の背面側に形成されたCF素子層220と、フレキシブル基板210の表示面側に形成された偏光板230と、を含んでいる。薄膜トランジスタ基板100とカラーフィルタ基板200との間には液晶層300が配置されており、液晶層300の周囲にはシール材310が形成されている。   FIG.1 (b) is AA 'sectional drawing of Fig.1 (a). The thin film transistor substrate 100 includes a flexible substrate 110 formed of a flexible material, a TFT element layer 120 formed on the display surface side of the flexible substrate 110, and a polarizing plate 130 formed on the back side of the flexible substrate 110. It is out. In the non-display area 10 b of the TFT element layer 120, a terminal portion 31 and a source driver IC 20 and a gate driver IC 30 that are electrically connected to the terminal portion 31 are provided. The color filter substrate 200 includes a flexible substrate 210 formed of a flexible material, a CF element layer 220 formed on the back side of the flexible substrate 210, and a polarizing plate 230 formed on the display surface side of the flexible substrate 210. Contains. A liquid crystal layer 300 is disposed between the thin film transistor substrate 100 and the color filter substrate 200, and a sealing material 310 is formed around the liquid crystal layer 300.

図2は、表示パネル10における表示領域10aの概略構成を示す平面図(等価回路図)である。表示パネル10には、第1方向(例えば列方向)に延在する複数のソース線11と、第2方向(例えば行方向)に延在する複数のゲート線12とが設けられている。各ソース線11と各ゲート線12との各交差部には、薄膜トランジスタ13(TFT)が設けられている。各ソース線11はソースドライバIC20(図1参照)に電気的に接続されており、各ゲート線12はゲートドライバIC30(図1参照)に電気的に接続されている。   FIG. 2 is a plan view (equivalent circuit diagram) showing a schematic configuration of the display region 10 a in the display panel 10. The display panel 10 is provided with a plurality of source lines 11 extending in a first direction (for example, a column direction) and a plurality of gate lines 12 extending in a second direction (for example, a row direction). At each intersection of each source line 11 and each gate line 12, a thin film transistor 13 (TFT) is provided. Each source line 11 is electrically connected to a source driver IC 20 (see FIG. 1), and each gate line 12 is electrically connected to a gate driver IC 30 (see FIG. 1).

表示パネル10には、各ソース線11と各ゲート線12との各交差部に対応して、複数の画素14がマトリクス状(行方向及び列方向)に配置されている。薄膜トランジスタ基板100には、画素14ごとに配置された複数の画素電極15と、複数の画素14に共通する共通電極16とが設けられている。   In the display panel 10, a plurality of pixels 14 are arranged in a matrix (row direction and column direction) corresponding to each intersection of each source line 11 and each gate line 12. The thin film transistor substrate 100 is provided with a plurality of pixel electrodes 15 arranged for each pixel 14 and a common electrode 16 common to the plurality of pixels 14.

各ソース線11には、ソースドライバIC20からデータ信号(データ電圧)が供給され、各ゲート線12には、ゲートドライバIC30からゲート信号(ゲートオン電圧、ゲートオフ電圧)が供給される。共通電極16には、コモンドライバ(図示せず)から共通電圧Vcomが供給される。ゲート信号のオン電圧(ゲートオン電圧)がゲート線12に供給されると、ゲート線12に接続された薄膜トランジスタ13がオンし、薄膜トランジスタ13に接続されたソース線11を介して、データ電圧が画素電極15に供給される。画素電極15に供給されたデータ電圧と、共通電極16に供給された共通電圧Vcomとの差により電界が生じる。この電界により液晶を駆動してバックライトの光の透過率を制御することによって画像表示を行う。なお、カラー表示を行う場合は、ストライプ状のカラーフィルタで形成された赤色、緑色、青色に対応するそれぞれの画素14の画素電極15に接続されたそれぞれのソース線11に、所望のデータ電圧を供給することにより実現される。   Each source line 11 is supplied with a data signal (data voltage) from the source driver IC 20, and each gate line 12 is supplied with a gate signal (gate on voltage, gate off voltage) from the gate driver IC 30. A common voltage Vcom is supplied to the common electrode 16 from a common driver (not shown). When an on voltage (gate on voltage) of the gate signal is supplied to the gate line 12, the thin film transistor 13 connected to the gate line 12 is turned on, and the data voltage is supplied to the pixel electrode via the source line 11 connected to the thin film transistor 13. 15 is supplied. An electric field is generated by the difference between the data voltage supplied to the pixel electrode 15 and the common voltage Vcom supplied to the common electrode 16. The liquid crystal is driven by this electric field, and the image display is performed by controlling the light transmittance of the backlight. In the case of performing color display, a desired data voltage is applied to each source line 11 connected to the pixel electrode 15 of each pixel 14 corresponding to red, green, and blue formed by a striped color filter. Realized by supplying.

図3は、画素14の構成を示す平面図である。図4は図3のB−B´断面図であり、図5は図3のC−C´断面図である。図3〜図5を参照しつつ、表示パネル10の具体的な構成について説明する。   FIG. 3 is a plan view showing the configuration of the pixel 14. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 3, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line CC ′ of FIG. A specific configuration of the display panel 10 will be described with reference to FIGS.

図3において、隣り合う2本のソース線11と、隣り合う2本のゲート線12とで区画された領域が1つの画素14に相当する。各画素14には、薄膜トランジスタ13が設けられている。薄膜トランジスタ13は、絶縁膜121(図4参照)上に形成された半導体層17と、半導体層17上に形成されたドレイン電極18及びソース電極19とを含んで構成されている(図3参照)。ドレイン電極18はソース線11に電気的に接続されており、ソース電極19はスルーホール21を介して画素電極15に電気的に接続されている。   In FIG. 3, a region defined by two adjacent source lines 11 and two adjacent gate lines 12 corresponds to one pixel 14. Each pixel 14 is provided with a thin film transistor 13. The thin film transistor 13 includes a semiconductor layer 17 formed on the insulating film 121 (see FIG. 4), and a drain electrode 18 and a source electrode 19 formed on the semiconductor layer 17 (see FIG. 3). . The drain electrode 18 is electrically connected to the source line 11, and the source electrode 19 is electrically connected to the pixel electrode 15 through the through hole 21.

各画素14には、ITO等の透明導電膜からなる画素電極15が形成されている。画素電極15は、複数の開口部(スリット)を有しており、ストライプ状に形成されている。各画素14に共通して、表示領域全体にITO等の透明導電膜からなる1つの共通電極16が形成されている。なお、共通電極16における、スルーホール21及び薄膜トランジスタ13のソース電極19に重なる領域には、画素電極15とソース電極19とを電気的に接続させるための開口部が形成されている。   Each pixel 14 is formed with a pixel electrode 15 made of a transparent conductive film such as ITO. The pixel electrode 15 has a plurality of openings (slits) and is formed in a stripe shape. In common with each pixel 14, one common electrode 16 made of a transparent conductive film such as ITO is formed over the entire display area. In the common electrode 16, an opening for electrically connecting the pixel electrode 15 and the source electrode 19 is formed in a region overlapping the through hole 21 and the source electrode 19 of the thin film transistor 13.

図4及び図5に示すように、表示パネル10は、背面側に配置された薄膜トランジスタ基板100(第2基板)と、表示面側に配置されたカラーフィルタ基板200(第1基板)と、薄膜トランジスタ基板100及びカラーフィルタ基板200の間に挟持される液晶層300と、を含んでいる。   As shown in FIGS. 4 and 5, the display panel 10 includes a thin film transistor substrate 100 (second substrate) disposed on the back side, a color filter substrate 200 (first substrate) disposed on the display surface side, and a thin film transistor. And a liquid crystal layer 300 sandwiched between the substrate 100 and the color filter substrate 200.

薄膜トランジスタ基板100では、フレキシブル基板110の表示面側にゲート線12(図5)が形成され、ゲート線12を覆うように絶縁膜121が形成されている。絶縁膜121上にはソース線11(図4)が形成され、ソース線11を覆うように絶縁膜122が形成されている。絶縁膜122上には共通電極16が形成され、共通電極16を覆うように絶縁膜123が形成されている。絶縁膜123上には画素電極15が形成され、画素電極15を覆うように配向膜124が形成されている。フレキシブル基板110の背面側には、偏光板130が形成されている。   In the thin film transistor substrate 100, gate lines 12 (FIG. 5) are formed on the display surface side of the flexible substrate 110, and an insulating film 121 is formed so as to cover the gate lines 12. A source line 11 (FIG. 4) is formed on the insulating film 121, and an insulating film 122 is formed so as to cover the source line 11. A common electrode 16 is formed on the insulating film 122, and an insulating film 123 is formed so as to cover the common electrode 16. A pixel electrode 15 is formed on the insulating film 123, and an alignment film 124 is formed so as to cover the pixel electrode 15. A polarizing plate 130 is formed on the back side of the flexible substrate 110.

カラーフィルタ基板200では、フレキシブル基板210の背面側にブラックマトリクス222及びカラーフィルタ221(例えば、赤色カラーフィルタ221r、緑色カラーフィルタ221g、青色カラーフィルタ221b)が形成され、これらを覆うようにオーバコート層223が形成されている。オーバコート層223上には配向膜224が形成されている。フレキシブル基板210の表示面側には、偏光板230が形成されている。   In the color filter substrate 200, a black matrix 222 and a color filter 221 (for example, a red color filter 221r, a green color filter 221g, and a blue color filter 221b) are formed on the back side of the flexible substrate 210, and an overcoat layer is formed so as to cover them. 223 is formed. An alignment film 224 is formed on the overcoat layer 223. A polarizing plate 230 is formed on the display surface side of the flexible substrate 210.

液晶層300には、液晶301が封入されている。液晶301は、誘電率異方性が負のネガ型液晶であってもよいし、誘電率異方性が正のポジ型液晶であってもよい。   Liquid crystal 301 is sealed in the liquid crystal layer 300. The liquid crystal 301 may be a negative liquid crystal having a negative dielectric anisotropy or a positive liquid crystal having a positive dielectric anisotropy.

配向膜124、224は、ラビング配向処理が施された配向膜であってもよいし、光配向処理が施された光配向膜であってもよい。   The alignment films 124 and 224 may be alignment films that have been subjected to a rubbing alignment process, or may be optical alignment films that have been subjected to a photo-alignment process.

画素14を構成する各部の積層構造は、図4及び図5の構成に限定されるものではなく、周知の構成を適用することができる。また上記のように、液晶表示装置1は、IPS(In Plane Switching)方式の構成を有している。液晶表示装置1の構成は、上記構成に限定されない。   The stacked structure of each part constituting the pixel 14 is not limited to the structure shown in FIGS. 4 and 5, and a known structure can be applied. Further, as described above, the liquid crystal display device 1 has an IPS (In Plane Switching) system configuration. The configuration of the liquid crystal display device 1 is not limited to the above configuration.

次に、液晶表示装置1の製造方法について説明する。液晶表示装置1の製造方法は、薄膜トランジスタ基板100(第2基板)を製造する薄膜トランジスタ基板製造工程(第2基板製造工程)と、カラーフィルタ基板200(第1基板)を製造するカラーフィルタ基板製造工程(第1基板製造工程)と、薄膜トランジスタ基板100及びカラーフィルタ基板200を貼り合せる基板貼り合わせ工程と、表示パネル10(液晶セル)ごとに切断する切断工程と、電子部品(ソースドライバIC20及びゲートドライバIC30)を接続するための端子部31を露出する露出工程と、下地のガラス基板を剥離する剥離工程と、を含んでいる。   Next, a method for manufacturing the liquid crystal display device 1 will be described. The manufacturing method of the liquid crystal display device 1 includes a thin film transistor substrate manufacturing process (second substrate manufacturing process) for manufacturing the thin film transistor substrate 100 (second substrate) and a color filter substrate manufacturing process for manufacturing the color filter substrate 200 (first substrate). (First substrate manufacturing process), a substrate bonding process for bonding the thin film transistor substrate 100 and the color filter substrate 200, a cutting process for cutting each display panel 10 (liquid crystal cell), and electronic components (source driver IC 20 and gate driver). IC 30) including an exposure process for exposing the terminal portion 31 and a peeling process for peeling the underlying glass substrate.

図6(a)は、基板貼り合せ工程後の状態を示す平面図であり、図6(b)は、図6(a)のD−D´断面図である。図6に示す例では、9枚分の表示パネル10を製造する工程を示している。   FIG. 6A is a plan view showing a state after the substrate bonding step, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line DD ′ of FIG. In the example shown in FIG. 6, a process of manufacturing nine display panels 10 is shown.

薄膜トランジスタ基板製造工程では、先ず、ガラス基板101(マザーガラス)の全面に、レーザ光を吸収する吸収膜を成膜し、剥離層(図示せず)を形成する。次に、剥離層の全面に、ポリイミド系樹脂等を主成分とするフレキシブル材料を塗布、焼成して、フレキシブル基板110を形成する(第2工程)。次に、フレキシブル基板110上にTFT素子層120を形成する。TFT素子層120には、図4及び図5等に示した、各構成部材(ソース線11、ゲート線12、薄膜トランジスタ13、画素電極15、共通電極16等)が含まれる。次に、TFT素子層120上における非表示領域10b(図1参照)に端子部31を形成する。以上により、薄膜トランジスタ基板100が製造される。尚、薄膜トランジスタ基板100において、剥離層は、省略されてもよい。   In the thin film transistor substrate manufacturing process, first, an absorption film that absorbs laser light is formed on the entire surface of the glass substrate 101 (mother glass) to form a release layer (not shown). Next, a flexible material whose main component is polyimide resin or the like is applied to the entire surface of the release layer and baked to form the flexible substrate 110 (second step). Next, the TFT element layer 120 is formed on the flexible substrate 110. The TFT element layer 120 includes the respective constituent members (source line 11, gate line 12, thin film transistor 13, pixel electrode 15, common electrode 16 and the like) shown in FIGS. Next, the terminal portion 31 is formed in the non-display area 10b (see FIG. 1) on the TFT element layer 120. Thus, the thin film transistor substrate 100 is manufactured. Note that the peeling layer may be omitted from the thin film transistor substrate 100.

カラーフィルタ基板製造工程では、先ず、ガラス基板201(マザーガラス)の全面に、レーザ光を吸収する吸収膜を成膜し、剥離層(図示せず)を形成する。次に、剥離層の全面のうち、薄膜トランジスタ基板100を貼り合せたときに平面視で端子部31に重なる領域(非形成領域211)を除いた領域に、ポリイミド系樹脂等を主成分とするフレキシブル材料を塗布、焼成して、フレキシブル基板210を形成する(第1工程)。例えば、インクジェット方式またはリニアコータを用いてフレキシブル材料を塗布する箇所を制御して、剥離層を含むガラス基板201における上記端子部31に重なる領域を除いた領域に対応する部分(第1部分)にフレキシブル材料を塗布し、ガラス基板201における上記端子部31に重なる領域に対応する部分(第2部分)にフレキシブル材料を塗布しない処理を実行する。これにより、フレキシブル材料から成る領域(第1領域)と、フレキシブル材料を含まない非形成領域211(第2領域)とを含むフレキシブル基板210が形成される。次に、フレキシブル基板210上にCF素子層220を形成する。CF素子層220には、図4及び図5等に示した、各構成部材(カラーフィルタ221、ブラックマトリクス222等)が含まれる。以上により、カラーフィルタ基板200が製造される。尚、カラーフィルタ基板200において、剥離層は、省略されてもよい。   In the color filter substrate manufacturing process, first, an absorption film that absorbs laser light is formed on the entire surface of the glass substrate 201 (mother glass) to form a release layer (not shown). Next, in the entire surface of the release layer, a flexible resin mainly composed of a polyimide-based resin or the like is formed in a region excluding a region (non-formation region 211) that overlaps the terminal portion 31 in plan view when the thin film transistor substrate 100 is bonded. The material is applied and baked to form the flexible substrate 210 (first step). For example, by controlling the location where the flexible material is applied using an ink jet method or a linear coater, the portion (first portion) corresponding to the region excluding the region overlapping the terminal portion 31 in the glass substrate 201 including the release layer is flexible. The material is applied, and a process in which the flexible material is not applied to the portion (second portion) corresponding to the region overlapping the terminal portion 31 in the glass substrate 201 is executed. Thereby, the flexible substrate 210 including the region (first region) made of the flexible material and the non-formed region 211 (second region) not including the flexible material is formed. Next, the CF element layer 220 is formed on the flexible substrate 210. The CF element layer 220 includes the respective constituent members (color filter 221, black matrix 222, etc.) shown in FIGS. 4 and 5. As described above, the color filter substrate 200 is manufactured. In the color filter substrate 200, the release layer may be omitted.

基板貼り合わせ工程では、先ず、カラーフィルタ基板製造工程を経て製造されたカラーフィルタ基板200上にシール材310を塗布し、薄膜トランジスタ基板製造工程を経て製造された薄膜トランジスタ基板100の表示領域10a(図1参照)に液晶301を滴下する。次に、薄膜トランジスタ基板100とカラーフィルタ基板200とを貼り合わせ、紫外線を照射してシール材310を硬化させる。   In the substrate bonding step, first, the sealing material 310 is applied on the color filter substrate 200 manufactured through the color filter substrate manufacturing step, and the display region 10a of the thin film transistor substrate 100 manufactured through the thin film transistor substrate manufacturing step (FIG. 1). Liquid crystal 301 is dropped. Next, the thin film transistor substrate 100 and the color filter substrate 200 are bonded together, and the sealing material 310 is cured by irradiating ultraviolet rays.

切断工程では、基板貼り合せ工程後に、表示パネル10(液晶セル)ごとに切断する。図6に示す例では、切断線CL1に沿ってカッター等により切断して、9枚の表示パネル10に分断する。   In the cutting step, the display panel 10 (liquid crystal cell) is cut after the substrate bonding step. In the example shown in FIG. 6, it cut | disconnects with a cutter etc. along the cutting line CL1, and it divides | segments into the nine display panels 10. FIG.

図7は、露出工程を説明するための図である。露出工程では、図7(a)に示すように、カラーフィルタ基板200における平面視で端子部31に重なる部分を除去するために、カッター等により切断線CL2に沿って、非形成領域211でカラーフィルタ基板200を切断する(切断工程)。図7(b)は、カラーフィルタ基板200の一部を切断した様子を示している。これにより、図7(c)に示すように、端子部31を露出することができる。その後、端子部31に電子部品(例えばゲートドライバIC30)を搭載する。   FIG. 7 is a diagram for explaining the exposure process. In the exposure process, as shown in FIG. 7A, in order to remove the portion of the color filter substrate 200 that overlaps the terminal portion 31 in plan view, the non-formation region 211 is colored along the cutting line CL2 with a cutter or the like. The filter substrate 200 is cut (cutting step). FIG. 7B shows a state in which a part of the color filter substrate 200 is cut. Thereby, as shown in FIG.7 (c), the terminal part 31 can be exposed. Thereafter, an electronic component (for example, a gate driver IC 30) is mounted on the terminal portion 31.

図8は、剥離工程を説明するための図である。剥離工程では、図8(a)に示すように、ガラス基板201とフレキシブル基板210との間の剥離層にレーザ光(エキシマレーザ)を照射して、剥離層を結晶化させる。結晶化の際の構造変化により、フレキシブル基板210が剥離層から剥離される。同様に、ガラス基板101とフレキシブル基板110との間の剥離層にレーザ光を照射して、剥離層を結晶化させる。結晶化の際の構造変化により、フレキシブル基板110が剥離層から剥離される。ガラス基板101、201を剥離した後に(図8(b)参照)、偏光板130、230を貼り付ける(図8(c)参照)。また、剥離層が無い場合でも、レーザ照射条件を最適化することにより、ガラス基板とフレキシブル基板の温度変化による体積膨張差により、フレキシブル基板からガラス基板を剥離することも可能である。   FIG. 8 is a diagram for explaining the peeling process. In the peeling step, as shown in FIG. 8A, the peeling layer between the glass substrate 201 and the flexible substrate 210 is irradiated with laser light (excimer laser) to crystallize the peeling layer. The flexible substrate 210 is peeled from the release layer due to the structural change during crystallization. Similarly, the release layer between the glass substrate 101 and the flexible substrate 110 is irradiated with laser light to crystallize the release layer. The flexible substrate 110 is peeled from the peeling layer due to the structural change during crystallization. After the glass substrates 101 and 201 are peeled off (see FIG. 8B), polarizing plates 130 and 230 are attached (see FIG. 8C). Even when there is no release layer, it is possible to release the glass substrate from the flexible substrate by optimizing the laser irradiation conditions due to a difference in volume expansion due to a temperature change between the glass substrate and the flexible substrate.

以上の工程を経て、液晶表示装置1が製造される。上記製造方法によれば、特に、カラーフィルタ基板200のフレキシブル基板210に、フレキシブル材料が形成されない非形成領域211が含まれ、また非形成領域211が薄膜トランジスタ基板100の端子部31に重なる位置に配置される。このため、端子部31を露出させる際に、フレキシブル材料が存在しない部分(非形成領域211)でカラーフィルタ基板200を切断することができる。これにより、端子部31を傷付けることなく、容易に端子部31を露出させることができる。すなわち、液晶表示装置1の表示不良を防ぐことができる。   The liquid crystal display device 1 is manufactured through the above steps. According to the above manufacturing method, in particular, the flexible substrate 210 of the color filter substrate 200 includes the non-formation region 211 where no flexible material is formed, and the non-formation region 211 is disposed at a position overlapping the terminal portion 31 of the thin film transistor substrate 100. Is done. For this reason, when exposing the terminal part 31, the color filter substrate 200 can be cut | disconnected in the part (non-formation area | region 211) where a flexible material does not exist. Thereby, the terminal part 31 can be easily exposed without damaging the terminal part 31. That is, display defects of the liquid crystal display device 1 can be prevented.

本発明は上記構成に限定されない。特に、カラーフィルタ基板200の製造工程において、非形成領域211を含むフレキシブル基板210を形成する方法は、上記方法に限定されない。図9及び図10は、フレキシブル基板210の他の形成方法を説明するための図である。先ず、ガラス基板201の全面を、例えばHMDS(Hexamethyldisilazane)処理により疎水化する(図9(a)参照)。次に、薄膜トランジスタ基板100を貼り合せたときに平面視で端子部31に重なる領域(非形成領域211)を親水化する(図9(b)参照)。親水化する処理は限定されず、例えば、ポジ型フォトレジスト用現像液のTMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)をインクジェット方式で塗布した後、水洗いしてもよいし、親水性コーティング剤をインクジェット方式で塗布してもよいし、所望のマスクを用いてUVオゾン処理を施してもよいし、大気圧プラズマ処理を施してもよい。次に、疎水化処理及び親水化処理を施したガラス基板201の全面にフレキシブル材料を塗布する(図10参照)。これにより、親水化処理を施した部分にはフレキシブル材料がほぼ存在しなくなり、非形成領域211を含むフレキシブル基板210が形成される。   The present invention is not limited to the above configuration. In particular, the method of forming the flexible substrate 210 including the non-formation region 211 in the manufacturing process of the color filter substrate 200 is not limited to the above method. 9 and 10 are diagrams for explaining another method for forming the flexible substrate 210. FIG. First, the entire surface of the glass substrate 201 is hydrophobized by, for example, HMDS (Hexamethyldisilazane) treatment (see FIG. 9A). Next, the region (non-formation region 211) that overlaps the terminal portion 31 in plan view when the thin film transistor substrate 100 is bonded is hydrophilized (see FIG. 9B). The treatment for hydrophilization is not limited. For example, after applying TMAH (tetramethylammonium hydroxide) as a positive photoresist developer by an inkjet method, it may be washed with water, or a hydrophilic coating agent may be applied by an inkjet method. It may be applied, UV ozone treatment may be performed using a desired mask, or atmospheric pressure plasma treatment may be performed. Next, a flexible material is applied to the entire surface of the glass substrate 201 that has been subjected to a hydrophobic treatment and a hydrophilic treatment (see FIG. 10). Thereby, the flexible material almost does not exist in the portion subjected to the hydrophilic treatment, and the flexible substrate 210 including the non-formation region 211 is formed.

図11及び図12は、フレキシブル基板210の他の形成方法を説明するための図である。先ず、ガラス基板201上に、Mo等の金属材料をスパッタリングにより成膜した後、エッチング等の処理を施して、薄膜トランジスタ基板100を貼り合せたときに平面視で端子部31に重なる領域(非形成領域211)が残るようにパターン化する(図11(a)参照)。次に、パターン化した金属材料を含むガラス基板201の全面にフレキシブル材料を塗布、焼成する(図11(b)参照)。次に、ウェットエッチングにより、パターン化した金属材料とその上部のフレキシブル材料とを同時に除去する(図12参照)。これにより、非形成領域211を含むフレキシブル基板210が形成される。尚、パターン化した金属材料とその上部のフレキシブル材料とが同時に除去できず、金属材料のみが除去され、フレキシブル材料が残ることが起こり得る。その場合は、ウェットエッチング工程より前に、金属材料パターンに沿って、焼成されたフレキシブル材料をカッターを用いて切断しても良い。   11 and 12 are diagrams for explaining another method of forming the flexible substrate 210. FIG. First, after a metal material such as Mo is formed on the glass substrate 201 by sputtering, a process such as etching is performed, and when the thin film transistor substrate 100 is bonded, a region that overlaps the terminal portion 31 in a plan view (non-formation) Patterning is performed so that the region 211) remains (see FIG. 11A). Next, a flexible material is applied and baked on the entire surface of the glass substrate 201 containing the patterned metal material (see FIG. 11B). Next, the patterned metal material and the upper flexible material are simultaneously removed by wet etching (see FIG. 12). Thereby, the flexible substrate 210 including the non-formation region 211 is formed. In addition, the patterned metal material and the flexible material on the upper part cannot be removed at the same time, and only the metal material may be removed and the flexible material may remain. In that case, you may cut | disconnect the baked flexible material using a cutter along a metal material pattern before a wet etching process.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で上記各実施形態から当業者が適宜変更した形態も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでもない。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said each embodiment, The form suitably changed by those skilled in the art from said each embodiment within the range which does not deviate from the meaning of this invention. Needless to say, it is included in the technical scope of the present invention.

1 液晶表示装置、10 表示パネル、10a 表示領域、10b 非表示領域、11 ソース線、12 ゲート線、13 薄膜トランジスタ、14 画素、15 画素電極、16 共通電極、20 ソースドライバIC、30 ゲートドライバIC、31 端子部、40 表示パネル、 100 薄膜トランジスタ基板、200 カラーフィルタ基板、300 液晶層、101,201 ガラス基板、110,210 フレキシブル基板、120 TFT素子層、211 非形成領域、220 CF素子層、310 シール材。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Liquid crystal display device, 10 Display panel, 10a Display area, 10b Non-display area, 11 Source line, 12 Gate line, 13 Thin-film transistor, 14 pixel, 15 Pixel electrode, 16 Common electrode, 20 Source driver IC, 30 Gate driver IC, 31 terminal portion, 40 display panel, 100 thin film transistor substrate, 200 color filter substrate, 300 liquid crystal layer, 101, 201 glass substrate, 110, 210 flexible substrate, 120 TFT element layer, 211 non-formation region, 220 CF element layer, 310 seal Wood.

Claims (6)

第1フレキシブル基板を含み、フレキシブル性を有する第1基板と、前記第1基板に対向配置され、第2フレキシブル基板を含み、フレキシブル性を有する第2基板と、前記第1基板及び前記第2基板の間に配置される液晶層と、を含む液晶表示装置の製造方法であって、
第1フレキシブル材料から成る第1領域と、前記第1フレキシブル材料を含まない第2領域とを含む前記第1フレキシブル基板を形成する第1工程を含む第1基板製造工程と、
第2フレキシブル材料から成る前記第2フレキシブル基板を形成する第2工程を含む第2基板製造工程と、
前記第1基板製造工程で製造された前記第1基板と、前記第2基板製造工程で製造された前記第2基板とを貼り合わせる基板貼り合わせ工程と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
A first substrate having a first flexible substrate and having flexibility, a second substrate having a second flexible substrate disposed opposite to the first substrate and having flexibility, the first substrate and the second substrate A liquid crystal display device comprising a liquid crystal layer disposed between
A first substrate manufacturing step including a first step of forming the first flexible substrate including a first region made of a first flexible material and a second region not including the first flexible material;
A second substrate manufacturing step including a second step of forming the second flexible substrate made of a second flexible material;
A substrate bonding step of bonding the first substrate manufactured in the first substrate manufacturing step and the second substrate manufactured in the second substrate manufacturing step;
A method of manufacturing a liquid crystal display device comprising:
前記第2基板は、電子部品を接続するための端子部を含み、
前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせたときに、平面視で、前記第2領域が前記端子部に重なる、
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
The second substrate includes a terminal portion for connecting an electronic component,
When the first substrate and the second substrate are bonded together, the second region overlaps the terminal portion in plan view.
The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1.
前記第1工程は、第1ガラス基板における前記第1領域に対応する第1部分に、前記第1フレキシブル材料を塗布し、前記第1ガラス基板における前記第2領域に対応する第2部分に、前記第1フレキシブル材料を塗布しない工程を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
In the first step, the first flexible material is applied to a first portion corresponding to the first region in the first glass substrate, and a second portion corresponding to the second region in the first glass substrate is applied. Including a step of not applying the first flexible material,
The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1.
前記第1工程は、第1ガラス基板の全面を疎水化する工程と、前記第1ガラス基板における前記第2領域に対応する第2部分を親水化する工程と、前記疎水化及び前記親水化した前記第1ガラス基板の全面に前記第1フレキシブル材料を塗布する工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
The first step includes the step of hydrophobizing the entire surface of the first glass substrate, the step of hydrophilizing the second portion corresponding to the second region in the first glass substrate, and the hydrophobization and the hydrophilization. Applying the first flexible material to the entire surface of the first glass substrate.
The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1.
前記第1工程は、第1ガラス基板における前記第2領域に対応する部分に金属材料を成膜する工程と、前記金属材料を成膜した前記第1ガラス基板の全面に前記第1フレキシブル材料を塗布する工程と、ウェットエッチングにより前記金属材料と前記金属材料上に塗布された前記第1フレキシブル材料とを除去する工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置の製造方法。
The first step includes forming a metal material on a portion of the first glass substrate corresponding to the second region, and applying the first flexible material on the entire surface of the first glass substrate on which the metal material has been formed. Applying and removing the metal material and the first flexible material applied on the metal material by wet etching,
The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1.
前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせた後に、前記第2領域で前記第1基板を切断する切断工程と、
前記切断工程の後に、前記第1ガラス基板を前記第1フレキシブル基板から剥離する剥離工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項3から5の何れか1項に記載の液晶表示装置の製造方法。
A cutting step of cutting the first substrate in the second region after bonding the first substrate and the second substrate;
After the cutting step, a peeling step of peeling the first glass substrate from the first flexible substrate;
The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 3, further comprising:
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