JP2021048565A - 高周波モジュールおよび通信装置 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の通信バンドの高周波信号を同時受信する場合に受信感度の劣化が抑制された高周波モジュールを提供する。【解決手段】高周波モジュール１は、第１受信信号と第２受信信号とを同時受信する。高周波モジュール１は、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有するモジュール基板９１と、第１半導体ＩＣ２５に形成され、第１受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２１と、第１半導体ＩＣ２５と異なる第２半導体ＩＣ２６に形成され、第２受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２３と、主面９１ｂに配置され、外部接続端子１５０と、を備え、第１半導体ＩＣ２５および第２半導体ＩＣ２６の少なくとも一方は、主面９１ｂに配置されている。【選択図】図２Ａ

Description

本発明は、高周波モジュールおよび通信装置に関する。

携帯電話などの移動体通信機器では、特に、マルチバンド化の進展に伴い、高周波フロントエンド回路を構成する回路素子の配置構成が複雑化されている。

特許文献１には、両面実装可能な配線基板の上面にフィルタが実装され、下面に送信電力増幅器および受信低雑音増幅器が実装された構成を有する半導体モジュールが開示されている。送信電力増幅器および受信低雑音増幅器はそれぞれ、半導体チップで構成されている。

特開２０１１−４０６０２号公報

しかしながら、特許文献１に開示された半導体モジュールにおいて、複数の通信バンドによる同時受信を実行しようとする場合、異なる通信バンドの高周波信号を受信する受信経路同士のアイソレーションを確保しなければならない。上記受信経路同士のアイソレーションが低下すると、各通信バンドにおける受信感度が低下するという問題が発生する。

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、複数の通信バンドの高周波信号を同時受信する場合に受信感度の劣化が抑制された高周波モジュールおよびそれを備えた通信装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第１受信信号と第２受信信号とを同時受信する高周波モジュールであって、互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、第１半導体ＩＣに形成され、前記第１受信信号を増幅する第１受信低雑音増幅器と、前記第１半導体ＩＣと異なる第２半導体ＩＣに形成され、前記第２受信信号を増幅する第２受信低雑音増幅器と、前記第２主面に配置された外部接続端子と、を備え、前記第１半導体ＩＣおよび前記第２半導体ＩＣの少なくとも一方は、前記第２主面に配置されている。

本発明によれば、複数の通信バンドの高周波信号を同時受信する場合に受信感度の劣化が抑制された高周波モジュールおよび通信装置を提供することが可能となる。

実施の形態に係る高周波モジュールの回路構成図である。 実施例１に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 実施例１に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。 実施例２に係る高周波モジュールの平面構成概略図である。 実施例２に係る高周波モジュールの断面構成概略図である。

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施例及び変形例における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさ又は大きさの比は、必ずしも厳密ではない。各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略又は簡略化する場合がある。

また、以下において、平行及び垂直等の要素間の関係性を示す用語、及び、矩形状等の要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表すのではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する。

また、以下において、基板に実装されたＡ、Ｂ及びＣにおいて、「基板（又は基板の主面）の平面視において、ＡとＢとの間にＣが配置されている」とは、基板の平面視においてＡ内の任意の点とＢ内の任意の点とを結ぶ直線がＣの領域を通ることを意味する。また、基板の平面視とは、基板および基板に実装された回路素子を基板に平行な平面に正投影して見ることを意味する。

また、以下において、「送信経路」とは、高周波送信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「受信経路」とは、高周波受信信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。また、「信号経路」とは、高周波信号が伝搬する配線、当該配線に直接接続された電極、および当該配線または当該電極に直接接続された端子等で構成された伝送線路であることを意味する。

（実施の形態）
［１．高周波モジュール１および通信装置５の回路構成］
図１は、実施の形態１に係る高周波モジュール１の回路構成図である。同図に示すように、通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。

ＲＦＩＣ３は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された送信信号を、高周波モジュール１の送信経路に出力する。

ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１を伝送する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理する回路である。ＢＢＩＣ４で処理された信号は、例えば、画像表示のための画像信号として使用され、または、スピーカを介した通話のために音声信号として使用される。

また、ＲＦＩＣ３は、使用される通信バンド（周波数帯域）に基づいて、高周波モジュール１が有するスイッチ５１、５２および５５の接続を制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、制御信号（図示せず）により高周波モジュール１が有するスイッチ５１〜５５の接続を切り替える。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、高周波モジュール１またはＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。

また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が有する受信低雑音増幅器２１〜２４の利得などを制御する制御部としての機能も有する。具体的には、ＲＦＩＣ３は、ＭＩＰＩおよびＧＰＩＯなどのディジタル制御信号を高周波モジュール１の制御信号端子に出力する。また、ＲＦＩＣ３は、受信低雑音増幅器２１〜２４に供給される電源電圧Ｖｃｃおよびバイアス電圧Ｖｂｉａｓのための直流電圧信号ＶＤＣを高周波モジュール１の制御信号端子に出力する。高周波モジュール１の制御回路８０は、制御信号端子を介して入力されたディジタル制御信号および直流電圧信号によって、受信低雑音増幅器２１〜２４の利得などを調整する。なお、制御部は、ＲＦＩＣ３の外部に設けられていてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４に設けられていてもよい。

アンテナ２は、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１００に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号を放射し、また、外部からの高周波信号を受信して高周波モジュール１へ出力する。

なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２およびＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。

次に、高周波モジュール１の詳細な構成について説明する。

図１に示すように、高周波モジュール１は、アンテナ接続端子１００と、送信電力増幅器１１および１２と、受信低雑音増幅器２１、２２、２３および２４と、送信フィルタ６１Ｔ、６２Ｔ、６３Ｔおよび６４Ｔと、受信フィルタ６１Ｒ、６２Ｒ、６３Ｒおよび６４Ｒと、送信出力整合回路３０と、受信入力整合回路４０と、整合回路７１、７２、７３および７４と、スイッチ５１、５２、および５５と、ダイプレクサ６０と、制御回路８０と、を備える。

アンテナ接続端子１００は、アンテナ２に接続されるアンテナ共通端子である。

送信電力増幅器１１は、送信入力端子１１１から入力された第１周波数帯域群に属する通信バンドＡ（第１通信バンド）の第１送信信号および通信バンドＢ（第３通信バンド）の第３送信信号を増幅する増幅器である。また、送信電力増幅器１２は、送信入力端子１１２から入力された、第１周波数帯域群と周波数が異なる第２周波数帯域群に属する通信バンドＣ（第２通信バンド）の第２送信信号および通信バンドＤ（第４通信バンド）の第４送信信号を増幅する増幅器である。

受信低雑音増幅器２１は、通信バンドＡ（第１通信バンド）の第１受信信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１２１へ出力する増幅器である。受信低雑音増幅器２２は、通信バンドＢ（第３通信バンド）の第３受信信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１２２へ出力する増幅器である。受信低雑音増幅器２３は、通信バンドＣ（第２通信バンド）の第２受信信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１２３へ出力する増幅器である。受信低雑音増幅器２４は、通信バンドＤ（第４通信バンド）の第４受信信号を低雑音で増幅し、受信出力端子１２４へ出力する増幅器である。

受信低雑音増幅器２１および２２は、第１半導体ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）２５に形成されている。つまり、受信低雑音増幅器２１および２２は、１つの半導体チップに形成されている。また、受信低雑音増幅器２３および２４は、第２半導体ＩＣ２６に形成されている。つまり、受信低雑音増幅器２３および２４は、１つの半導体チップに形成されている。

第１半導体ＩＣ２５および第２半導体ＩＣ２６のそれぞれは、例えば、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）で構成されている。具体的には、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）プロセスにより形成されている。これにより、半導体ＩＣを安価に製造することが可能となる。なお、第１半導体ＩＣ２５および第２半導体ＩＣ２６のそれぞれは、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅおよびＧａＮの少なくともいずれかで構成されていてもよい。これにより、高品質な増幅性能および雑音性能を有する高周波信号を出力することが可能となる。

なお、受信低雑音増幅器２１と受信低雑音増幅器２２とは、異なる半導体ＩＣに形成されていてもよい。また、受信低雑音増幅器２３と受信低雑音増幅器２４とは、異なる半導体ＩＣに形成されていてもよい。

制御回路８０は、制御信号端子を介して入力されたディジタル制御信号ＭＩＰＩおよびＧＰＩＯおよび直流電圧信号によって、受信低雑音増幅器２１〜２４の利得などを調整する。制御回路８０は、第１半導体ＩＣ２５または第２半導体ＩＣ２６に形成されていてもよい。

送信フィルタ６１Ｔは、第１送信フィルタの一例であり、送信電力増幅器１１とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信経路ＡＴに配置され、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号のうち、通信バンドＡの送信帯域の送信信号を通過させる。また、送信フィルタ６２Ｔは、第３送信フィルタの一例であり、送信電力増幅器１１とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信経路ＢＴに配置され、送信電力増幅器１１で増幅された送信信号のうち、通信バンドＢの送信帯域の送信信号を通過させる。また、送信フィルタ６３Ｔは、第２送信フィルタの一例であり、送信電力増幅器１２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信経路ＣＴに配置され、送信電力増幅器１２で増幅された送信信号のうち、通信バンドＣの送信帯域の送信信号を通過させる。また、送信フィルタ６４Ｔは、第４送信フィルタの一例であり、送信電力増幅器１２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ送信経路ＤＴに配置され、送信電力増幅器１２で増幅された送信信号のうち、通信バンドＤの送信帯域の送信信号を通過させる。

受信フィルタ６１Ｒは、第１受信フィルタの一例であり、受信低雑音増幅器２１とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＡＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＡの受信帯域の受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６２Ｒは、第３受信フィルタの一例であり、受信低雑音増幅器２２とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＢＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＢの受信帯域の受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６３Ｒは、第２受信フィルタの一例であり、受信低雑音増幅器２３とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＣＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＣの受信帯域の受信信号を通過させる。また、受信フィルタ６４Ｒは、第４受信フィルタの一例であり、受信低雑音増幅器２４とアンテナ接続端子１００とを結ぶ受信経路ＤＲに配置され、アンテナ接続端子１００から入力された受信信号のうち、通信バンドＤの受信帯域の受信信号を通過させる。

デュプレクサ６１は、第１デュプレクサの一例であり、送信フィルタ６１Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒで構成されている。また、デュプレクサ６２は、第３デュプレクサの一例であり、送信フィルタ６２Ｔおよび受信フィルタ６２Ｒで構成されている。また、デュプレクサ６３は、第２デュプレクサの一例であり、送信フィルタ６３Ｔおよび受信フィルタ６３Ｒで構成されている。また、デュプレクサ６４は、第４デュプレクサの一例であり、送信フィルタ６４Ｔおよび受信フィルタ６４Ｒで構成されている。

送信経路ＡＴは、通信バンドＡの送信信号を伝送する。送信経路ＡＴの一端は送信電力増幅器１１の出力端子に接続され、送信経路ＡＴの他端はアンテナ接続端子１００に接続されている。送信経路ＢＴは、通信バンドＢの送信信号を伝送する。送信経路ＢＴの一端は送信電力増幅器１１の出力端子に接続され、送信経路ＢＴの他端はアンテナ接続端子１００に接続されている。送信経路ＣＴは、通信バンドＣの送信信号を伝送する。送信経路ＣＴの一端は送信電力増幅器１２の出力端子に接続され、送信経路ＣＴの他端はアンテナ接続端子１００に接続されている。送信経路ＤＴは、通信バンドＤの送信信号を伝送する。送信経路ＤＴの一端は送信電力増幅器１２の出力端子に接続され、送信経路ＤＴの他端はアンテナ接続端子１００に接続されている。

受信経路ＡＲは、通信バンドＡの受信信号を伝送する。受信経路ＡＲの一端はアンテナ接続端子１００に接続され、受信経路ＡＲの他端は受信低雑音増幅器２１の入力端子に接続されている。受信経路ＢＲは、通信バンドＢの受信信号を伝送する。受信経路ＢＲの一端はアンテナ接続端子１００に接続され、受信経路ＢＲの他端は受信低雑音増幅器２２の入力端子に接続されている。受信経路ＣＲは、通信バンドＣの受信信号を伝送する。受信経路ＣＲの一端はアンテナ接続端子１００に接続され、受信経路ＣＲの他端は受信低雑音増幅器２３の入力端子に接続されている。受信経路ＤＲは、通信バンドＤの受信信号を伝送する。受信経路ＤＲの一端はアンテナ接続端子１００に接続され、受信経路ＤＲの他端は受信低雑音増幅器２４の入力端子に接続されている。

送信出力整合回路３０は、整合回路３１および３２を有する。整合回路３１は、送信電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔとを結ぶ送信経路に配置され、送信電力増幅器１１と送信フィルタ６１Ｔおよび６２Ｔとのインピーダンス整合をとる。整合回路３２は、送信電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔとを結ぶ送信経路に配置され、送信電力増幅器１２と送信フィルタ６３Ｔおよび６４Ｔとのインピーダンス整合をとる。

受信入力整合回路４０は、整合回路４１、４２、４３および４４を有する。整合回路４１は、受信低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒとを結ぶ受信経路ＡＲに配置され、受信低雑音増幅器２１と受信フィルタ６１Ｒとのインピーダンス整合をとる。整合回路４２は、受信低雑音増幅器２２と受信フィルタ６２Ｒとを結ぶ受信経路ＢＲに配置され、受信低雑音増幅器２２と受信フィルタ６２Ｒとのインピーダンス整合をとる。整合回路４３は、受信低雑音増幅器２３と受信フィルタ６３Ｒとを結ぶ受信経路ＣＲに配置され、受信低雑音増幅器２３と受信フィルタ６３Ｒとのインピーダンス整合をとる。整合回路４４は、受信低雑音増幅器２４と受信フィルタ６４Ｒとを結ぶ受信経路ＤＲに配置され、受信低雑音増幅器２４と受信フィルタ６４Ｒとのインピーダンス整合をとる。

スイッチ５１は、共通端子、および２つの選択端子を有する。スイッチ５１の共通端子は、整合回路３１を介して送信電力増幅器１１の出力端子に接続されている。スイッチ５１の一方の選択端子は送信経路ＡＴに配置されたデュプレクサ６１に接続され、スイッチ５１の他方の選択端子は送信経路ＢＴに配置されたデュプレクサ６２に接続されている。この接続構成において、スイッチ５１は、共通端子と一方の選択端子との接続、および、共通端子と他方の選択端子との接続、を切り替える。つまり、スイッチ５１は、送信電力増幅器１１とデュプレクサ６１および６２との接続および非接続を切り替える。スイッチ５１は、例えば、ＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ Ｐｏｌｅ Ｄｏｕｂｌｅ Ｔｈｒｏｗ）型のスイッチ回路で構成される。

スイッチ５２は、共通端子、および２つの選択端子を有する。スイッチ５２の共通端子は、整合回路３２を介して送信電力増幅器１２の出力端子に接続されている。スイッチ５２の一方の選択端子は送信経路ＣＴに配置されたデュプレクサ６３に接続され、スイッチ５２の他方の選択端子は送信経路ＤＴに配置されたデュプレクサ６４に接続されている。この接続構成において、スイッチ５２は、共通端子と一方の選択端子との接続、および、共通端子と他方の選択端子との接続、を切り替える。つまり、スイッチ５２は、送信電力増幅器１２とデュプレクサ６３および６４との接続および非接続を切り替える。スイッチ５２は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路で構成される。

なお、受信低雑音増幅器２１および２２は、第１周波数帯域群の受信信号を増幅可能な１つの受信低雑音増幅器で構成されていてもよい。この場合には、上記１つの受信低雑音増幅器と受信経路ＡＲおよびＢＲとの接続を切り替えるスイッチが、上記１つの受信低雑音増幅器と受信経路ＡＲおよびＢＲとの間に配置されていてもよい。

また、受信低雑音増幅器２３および２４は、第２周波数帯域群の受信信号を増幅可能な１つの受信低雑音増幅器で構成されていてもよい。この場合には、上記１つの受信低雑音増幅器と受信経路ＣＲおよびＤＲとの接続を切り替えるスイッチが、上記１つの受信低雑音増幅器と受信経路ＣＲおよびＤＲとの間に配置されていてもよい。

スイッチ５５は、アンテナスイッチの一例であり、ダイプレクサ６０を介してアンテナ接続端子１００に接続され、（１）アンテナ接続端子１００とデュプレクサ６１との接続および非接続、（２）アンテナ接続端子１００とデュプレクサ６２との接続および非接続、（３）アンテナ接続端子１００とデュプレクサ６３との接続および非接続、ならびに（４）アンテナ接続端子１００とデュプレクサ６４との接続および非接続、を切り替える。なお、スイッチ５５は、上記（１）〜（４）のうちの２以上の接続を同時に行うことが可能なマルチ接続型のスイッチ回路で構成される。

整合回路７１は、スイッチ５５とデュプレクサ６１とを結ぶ経路に配置され、アンテナ２およびスイッチ５５と、デュプレクサ６１とのインピーダンス整合をとる。整合回路７２は、スイッチ５５とデュプレクサ６２とを結ぶ経路に配置され、アンテナ２およびスイッチ５５と、デュプレクサ６２とのインピーダンス整合をとる。整合回路７３は、スイッチ５５とデュプレクサ６３とを結ぶ経路に配置され、アンテナ２およびスイッチ５５と、デュプレクサ６３とのインピーダンス整合をとる。整合回路７４は、スイッチ５５とデュプレクサ６４とを結ぶ経路に配置され、アンテナ２およびスイッチ５５と、デュプレクサ６４とのインピーダンス整合をとる。

ダイプレクサ６０は、マルチプレクサの一例であり、フィルタ６０Ｌおよび６０Ｈで構成されている。フィルタ６０Ｌは、第１周波数帯域群および第２周波数帯域群を含む周波数範囲を通過帯域とするフィルタであり、フィルタ６０Ｈは、第１周波数帯域群および第２周波数帯域群と周波数が異なる他の周波数帯域群を含む周波数範囲を通過帯域とするフィルタである。フィルタ６０Ｌの一方の端子とフィルタ６０Ｈの一方の端子とは、アンテナ接続端子１００に共通接続されている。フィルタ６０Ｌおよび６０Ｈのそれぞれは、例えば、チップ状のインダクタおよびキャパシタの少なくとも一方で構成されたＬＣフィルタである。なお、第１周波数帯域群および第２周波数帯域群が上記他の周波数帯域群より低周波数側に位置する場合には、フィルタ６０Ｌはローパスフィルタであってもよく、また、フィルタ６０Ｈはハイパスフィルタであってもよい。

なお、上記の送信フィルタ６１Ｔ〜６４Ｔおよび受信フィルタ６１Ｒ〜６４Ｒは、例えば、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタ、ＢＡＷ（Ｂｕｌｋ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ、および誘電体フィルタのいずれかであってもよく、さらには、これらには限定されない。

また、送信電力増幅器１１および１２、ならびに、受信低雑音増幅器２１〜２４は、例えば、Ｓｉ系のＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）またはＧａＡｓを材料とした、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）またはヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などで構成されている。

なお、整合回路３１、３２、４１〜４４、７１〜７４、ダイプレクサ６０、ならびにスイッチ５１、５２および５５は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。

上記高周波モジュール１の構成において、送信電力増幅器１１、整合回路３１、スイッチ５１、送信フィルタ６１Ｔ、整合回路７１、スイッチ５５、およびフィルタ６０Ｌは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＡの送信信号を伝送する第１送信回路を構成する。また、フィルタ６０Ｌ、スイッチ５５、整合回路７１、受信フィルタ６１Ｒ、整合回路４１、および受信低雑音増幅器２１は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＡの受信信号を伝送する第１受信回路を構成する。

また、送信電力増幅器１１、整合回路３１、スイッチ５１、送信フィルタ６２Ｔ、整合回路７２、スイッチ５５、およびフィルタ６０Ｌは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＢの送信信号を伝送する第３送信回路を構成する。また、フィルタ６０Ｌ、スイッチ５５、整合回路７２、受信フィルタ６２Ｒ、整合回路４１、および受信低雑音増幅器２２は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＢの受信信号を伝送する第３受信回路を構成する。

また、送信電力増幅器１２、整合回路３２、スイッチ５２、送信フィルタ６３Ｔ、整合回路７３、スイッチ５５、およびフィルタ６０Ｌは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＣの送信信号を伝送する第２送信回路を構成する。また、フィルタ６０Ｌ、スイッチ５５、整合回路７３、受信フィルタ６３Ｒ、整合回路４２、および受信低雑音増幅器２３は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＣの受信信号を伝送する第２受信回路を構成する。

また、送信電力増幅器１２、整合回路３２、スイッチ５２、送信フィルタ６４Ｔ、整合回路７４、スイッチ５５、およびフィルタ６０Ｌは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＤの送信信号を伝送する第４送信回路を構成する。また、フィルタ６０Ｌ、スイッチ５５、整合回路７４、受信フィルタ６４Ｒ、整合回路４２、および受信低雑音増幅器２４は、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＤの受信信号を伝送する第４受信回路を構成する。

上記回路構成によれば、高周波モジュール１は、通信バンドＡおよび通信バンドＢのいずれかの通信バンドの受信信号と、通信バンドＣおよび通信バンドＤのいずれかの通信バンドの受信信号とを、同時受信することが可能である。

また、高周波モジュール１は、通信バンドＡの第１受信信号と通信バンドＢの第３受信信号とを、同時受信しない。また、高周波モジュール１は、通信バンドＣの第２受信信号と通信バンドＤの第４受信信号とを、同時受信しない。

なお、本発明に係る高周波モジュールでは、上記４つの送信回路および上記４つの受信回路がスイッチ５５を介してアンテナ接続端子１００に接続されていなくてもよく、上記４つの送信回路および上記４つの受信回路が、異なる端子を介してアンテナ２に接続されていてもよい。また、本発明に係る高周波モジュールは、第１受信回路および第２受信回路を、少なくとも有していればよい。

また、本発明に係る高周波モジュールにおいて、第１受信回路は、少なくとも受信低雑音増幅器２１を有していればよい。また、第２受信回路は、少なくとも受信低雑音増幅器２３を有していればよい。

ここで、上記高周波モジュール１を構成する各回路素子を、小型のフロントエンド回路として１つのモジュールで構成する場合、例えば、第１〜第４送信回路および第１〜第４受信回路を近接配置しなければならない。この場合、同時受信する通信バンドＡの第１受信信号と通信バンドＣの第２受信信号とが干渉することで、同時受信する受信信号間のアイソレーションが劣化する。上記受信信号間のアイソレーションが劣化すると、通信バンドＡおよびＣにおける受信感度が低下するという問題が発生する。

これに対して、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、第１受信回路と第２受信回路とが電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制する構成を有している。以下では、本実施の形態に係る高周波モジュール１の上記電界結合、上記磁界結合、または電磁界結合を抑制する構成について説明する。

［２．実施例１に係る高周波モジュール１Ａの回路素子配置構成］
図２Ａは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの平面構成概略図である。また、図２Ｂは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａの断面構成概略図であり、具体的には、図２ＡのＩＩＢ−ＩＩＢ線における断面図である。なお、図２Ａの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図２Ａの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。

実施例１に係る高周波モジュール１Ａは、実施の形態１に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

図２Ａおよび図２Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａは、図１に示された回路構成に加えて、さらに、モジュール基板９１と、樹脂部材９２および９３と、を有している。

モジュール基板９１は、互いに対向する主面９１ａ（第１主面）および主面９１ｂ（第２主面）を有し、上記送信回路および上記受信回路を実装する基板である。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＬＴＣＣ）基板、高温同時焼成セラミックス（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ：ＨＴＣＣ）基板、部品内蔵基板、再配線層（Ｒｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＲＤＬ）を有する基板、または、プリント基板等が用いられる。

樹脂部材９２は、モジュール基板９１の主面９１ａに配置され、上記送信回路の一部、上記受信回路の一部、およびモジュール基板９１の主面９１ａを覆っており、上記送信回路および上記受信回路を構成する回路素子の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。樹脂部材９３は、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置され、上記送信回路の一部、上記受信回路の一部、およびモジュール基板９１の主面９１ｂを覆っており、上記送信回路および上記受信回路を構成する回路素子の機械強度および耐湿性などの信頼性を確保する機能を有している。なお、樹脂部材９２および９３は、本発明に係る高周波モジュールに必須の構成要素ではない。

図２Ａおよび図２Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、受信低雑音増幅器２１および２２、ならびに制御回路８０は、第１半導体ＩＣ２５に形成されている。また、受信低雑音増幅器２３および２４は、第２半導体ＩＣ２６に形成されている。第１半導体ＩＣ２５および第２半導体ＩＣ２６は、主面９１ｂに配置されている。また、モジュール基板９１の主面９１ｂ側に、複数の外部接続端子１５０が配置されている。高周波モジュール１Ａは、高周波モジュール１Ａのｚ軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子１５０を経由して、電気信号のやりとりを行う。なお、外部接続端子１５０は、図２Ａおよび２Ｂに示すように、樹脂部材９３をｚ軸方向に貫通する柱状電極であってもよいし、また、主面９１ｂ上に形成されたバンプ電極であってもよい。

上記構成によれば、通信バンドＡの受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２１と、通信バンドＣの受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２３とが、異なる半導体ＩＣに形成されている。また、通信バンドＢの受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２２と、通信バンドＤの受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２４とが、異なる半導体ＩＣに形成されている。つまり、同時受信する２つの受信信号を増幅する２つの受信低雑音増幅器が、異なる半導体ＩＣに形成されている。これにより、上記２つの受信低雑音増幅器が電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制できるので、同時受信する２つの受信信号間のアイソレーションを向上させることが可能となる。よって、各通信バンドＡ〜Ｄにおける受信感度の劣化を抑制できる。また、外部基板と対向する主面９１ｂには、低背化が容易な受信低雑音増幅器２１〜２４が配置されているので、高周波モジュール１Ａ全体を低背化することが可能となる。また、受信感度に大きく影響する受信低雑音増幅器２１〜２４の周囲に、グランド電極として適用される外部接続端子１５０を複数配置できるので、受信感度の劣化を抑制できる。

また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、同時受信しない通信バンドＡの受信信号と通信バンドＢの受信信号とをそれぞれ増幅する受信低雑音増幅器２１および２２が、同一の第１半導体ＩＣ２５に形成されている。また、同時受信しない通信バンドＣの受信信号と通信バンドＤの受信信号とをそれぞれ増幅する受信低雑音増幅器２３および２４が、同一の第２半導体ＩＣ２６に形成されている。

これによれば、アイソレーションを考慮する必要がない２つの受信信号を増幅する２つの受信低雑音増幅器を同一の半導体ＩＣに形成することにより、モジュール基板９１の表面の実装レイアウト面積を小さくできるので、高周波モジュール１Ａを小型化できる。

また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、制御回路８０は第１半導体ＩＣ２５に形成されている。ここで、モジュール基板９１を平面視した場合、第１半導体ＩＣ２５と第２半導体ＩＣ２６との間には、グランド電位を有する外部接続端子１５０ｇが配置されている。

これによれば、制御回路８０に入出力されるディジタル制御信号が、ディジタルノイズとして受信低雑音増幅器２３および２４に流入することを抑制できる。よって、通信バンドＣおよびＤの受信感度の劣化を抑制できる。

なお、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、送信電力増幅器１１および１２、デュプレクサ６１〜６４、スイッチ５１および５２、整合回路３１、３２、４１〜４４、ならびにダイプレクサ６０は、主面９１ａに表面実装されており、第１半導体ＩＣ２５、第２半導体ＩＣ２６、およびスイッチ５５は、主面９１ｂに表面実装されているが、これに限られない。送信電力増幅器１１および１２、デュプレクサ６１〜６４、スイッチ５１、５２および５５、整合回路３１、３２、４１〜４４、ならびにダイプレクサ６０は、主面９１ａおよび９１ｂのいずれに配置されてもよい。また、なお、整合回路７１〜７４は、図２Ａおよび図２Ｂには図示されていないが、モジュール基板９１の主面９１ａおよび９１ｂのいずれに表面実装されていてもよいし、またモジュール基板９１に内蔵されていてもよい。

なお、本実施例に係る高周波モジュール１Ａに示すように、送信電力増幅器１１および１２は、主面９１ａに実装されていることが望ましい。

送信電力増幅器１１および１２は、高周波モジュール１Ａが有する回路部品のなかで発熱量が大きい部品である。高周波モジュール１Ａの放熱性を向上させるには、送信電力増幅器１１および１２の発熱を、小さな熱抵抗を有する放熱経路で外部基板に放熱することが重要である。仮に、送信電力増幅器１１および１２を主面９１ｂに実装した場合、送信電力増幅器１１および１２に接続される電極配線は主面９１ｂ上に配置される。このため、放熱経路としては、主面９１ｂ上の（ｘｙ平面方向に沿う）平面配線パターンのみを経由した放熱経路を含むこととなる。上記平面配線パターンは、金属薄膜で形成されるため熱抵抗が大きい。このため、送信電力増幅器１１および１２を主面９１ｂ上に配置した場合には、放熱性が低下してしまう。

これに対して、送信電力増幅器１１および１２を主面９１ａに実装した場合、主面９１ａと主面９１ｂとの間を貫通する貫通電極を介して、送信電力増幅器１１および１２と外部接続端子１５０とを接続できる。よって、送信電力増幅器１１および１２の放熱経路として、モジュール基板９１内の配線のうち熱抵抗の大きいｘｙ平面方向に沿う平面配線パターンのみを経由した放熱経路を排除できる。よって、送信電力増幅器１１および１２からの外部基板への放熱性が向上した小型の高周波モジュール１Ａを提供することが可能となる。

なお、制御回路８０は、第１半導体ＩＣ２５に形成されず、第２半導体ＩＣ２６に形成されていてもよい。さらには、制御回路８０は、第１半導体ＩＣ２５および第２半導体ＩＣ２６のいずれにも形成されていなくてもよい。

また、第１半導体ＩＣ２５と、デュプレクサ６１および６２、ならびに整合回路４１および４２とは、モジュール基板９１を平面視した場合、重複していることが望ましい。

これにより、受信低雑音増幅器２１とデュプレクサ６１とを接続する配線長を短くできるので、受信経路ＡＲの伝送損失を低減できる。また、受信低雑音増幅器２２とデュプレクサ６２とを接続する配線長を短くできるので、受信経路ＢＲの伝送損失を低減できる。

また、第２半導体ＩＣ２６と、デュプレクサ６３および６４、ならびに整合回路４３および４４とは、モジュール基板９１を平面視した場合、重複していることが望ましい。

これにより、受信低雑音増幅器２３とデュプレクサ６３とを接続する配線長を短くできるので、受信経路ＣＲの伝送損失を低減できる。また、受信低雑音増幅器２４とデュプレクサ６４とを接続する配線長を短くできるので、受信経路ＤＲの伝送損失を低減できる。

［３．実施例２に係る高周波モジュール１Ｂの回路素子配置構成］
実施例１では、第１半導体ＩＣ２５および第２半導体ＩＣ２６の双方が、主面９１ｂに配置された構成としたが、実施例２に係る高周波モジュール１Ｂは、第１半導体ＩＣ２５と第２半導体ＩＣ２６とが、モジュール基板９１を挟んで配置された構成を有する。

図３Ａは、実施例２に係る高周波モジュール１Ｂの平面構成概略図である。また、図３Ｂは、実施例２に係る高周波モジュール１Ｂの断面構成概略図であり、具体的には、図３ＡのＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ線における断面図である。なお、図３Ａの（ａ）には、モジュール基板９１の互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂのうち、主面９１ａをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置図が示されている。一方、図３Ａの（ｂ）には、主面９１ｂをｚ軸正方向側から見た場合の回路素子の配置を透視した図が示されている。

実施例２に係る高周波モジュール１Ｂは、実施の形態１に係る高周波モジュール１を構成する各回路素子の配置構成を具体的に示したものである。

本実施例に係る高周波モジュール１Ｂは、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと比較して、高周波モジュール１Ｂを構成する回路素子の配置構成のみが異なる。以下、本実施例に係る高周波モジュール１Ｂについて、実施例１に係る高周波モジュール１Ａと同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。

図３Ａおよび図３Ｂに示すように、本実施例に係る高周波モジュール１Ｂでは、受信低雑音増幅器２１および２２、ならびに制御回路８０は、第１半導体ＩＣ２５に形成されている。また、受信低雑音増幅器２３および２４は、第２半導体ＩＣ２６に形成されている。第１半導体ＩＣ２５は主面９１ｂに配置されており、第２半導体ＩＣ２６は主面９１ａに配置されている。また、モジュール基板９１の主面９１ｂ側に、複数の外部接続端子１５０が配置されている。高周波モジュール１Ａは、高周波モジュール１Ａのｚ軸負方向側に配置される外部基板と、複数の外部接続端子１５０を経由して、電気信号のやりとりを行う。

上記構成によれば、通信バンドＡの受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２１と、通信バンドＣの受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２３とが、異なる半導体ＩＣに形成されている。また、通信バンドＢの受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２２と、通信バンドＤの受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２４とが、異なる半導体ＩＣに形成されている。つまり、同時受信する２つの受信信号を増幅する２つの受信低雑音増幅器が、異なる半導体ＩＣに形成されている。これにより、上記２つの受信低雑音増幅器が電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制できるので、同時受信する２つの受信信号間のアイソレーションを向上させることが可能となる。さらに、本実施例では、第１半導体ＩＣ２５および第２半導体ＩＣ２６が、モジュール基板９１を挟んで配置されているので、同時受信する２つの受信低雑音増幅器が電界結合、磁界結合、または電磁界結合することをより一層抑制できる。よって、各通信バンドＡ〜Ｄにおける受信感度の劣化をより一層抑制できる。

なお、モジュール基板９１は、複数の誘電体層が積層された多層構造を有し、当該複数の誘電体層の少なくとも１つには、グランド電極パターンが形成されていることが望ましい。これにより、モジュール基板９１の電磁界遮蔽機能がさらに向上する。

また、本実施例に係る高周波モジュール１Ａでは、デュプレクサ６１および６２が主面９１ｂに配置され、モジュール基板９１を平面視した場合、第１半導体チップ１５とデュプレクサ６１および６２との間には、グランド電位を有する外部接続端子１５０ｇが配置されている。

これによれば、制御回路８０に入出力されるディジタル制御信号が、ディジタルノイズとしてデュプレクサ６１および６２に流入することを抑制できる。よって、通信バンドＡおよびＢの受信感度の劣化を抑制できる。

なお、主面９１ｂにて、第１半導体ＩＣ２５と外部接続端子１５０ｇを挟んで配置される回路部品は、デュプレクサ６１および６２に限られない。上記回路部品は、アンテナ接続端子１００と受信低雑音増幅器２１とを結ぶ受信経路ＡＲ、または、アンテナ接続端子１００と受信低雑音増幅器２２とを結ぶ受信経路ＢＲに配置された回路部品であればよく、例えば、整合回路４１および４２、スイッチ５５、ならびにダイプレクサ６０の少なくとも１つであってもよい。

なお、本実施例に係る高周波モジュール１Ｂでは、第２半導体ＩＣ２６、送信電力増幅器１１および１２、デュプレクサ６３および６４、スイッチ５１および５２、整合回路３１、３２、４１〜４４、ならびにダイプレクサ６０は、主面９１ａに表面実装されており、第１半導体ＩＣ２５、デュプレクサ６１および６２、ならびにスイッチ５５は、主面９１ｂに表面実装されているが、これに限られない。送信電力増幅器１１および１２、デュプレクサ６３および６４、スイッチ５１、５２および５５、整合回路３１、３２、４１〜４４、ならびにダイプレクサ６０は、主面９１ａおよび９１ｂのいずれに配置されてもよい。

［４．効果など］
以上、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、第１受信信号と第２受信信号とを同時受信する。高周波モジュール１は、互いに対向する主面９１ａおよび９１ｂを有するモジュール基板９１と、第１半導体ＩＣ２５に形成され、第１受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２１と、第１半導体ＩＣ２５と異なる第２半導体ＩＣ２６に形成され、第２受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２３と、主面９１ｂに配置された外部接続端子１５０と、を備え、第１半導体ＩＣ２５および第２半導体ＩＣ２６の少なくとも一方は、主面９１ｂに配置されている。

これによれば、同時受信する２つの受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２１および２３が、異なる半導体ＩＣに形成されている。これにより、受信低雑音増幅器２１および２３が電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを抑制できるので、同時受信する２つの受信信号間のアイソレーションを向上させることが可能となる。よって、通信バンドＡおよびＣにおける受信感度の劣化を抑制できる。また、受信感度に大きく影響する受信低雑音増幅器２１および２３の少なくとも１つの周囲に、グランド電極として適用され得る外部接続端子１５０を配置できるので、受信感度の劣化を抑制できる。

また、高周波モジュール１は、さらに、第１半導体ＩＣ２５に形成され、第３受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２２を備え、高周波モジュール１は、第１受信信号と第３受信信号とを同時受信しなくてもよい。

これによれば、アイソレーションを考慮する必要がない第１受信信号および第３受信信号を増幅する受信低雑音増幅器２１および２２を同一の半導体ＩＣに形成することにより、モジュール基板９１の表面の実装レイアウト面積を小さくできるので、高周波モジュール１を小型化できる。

また、第１半導体ＩＣ２５および第２半導体ＩＣ２６の双方は、主面９１ｂに配置されていてもよい。

これにより、外部基板と対向する主面９１ｂには、低背化が容易な受信低雑音増幅器２１および２３が配置されているので、高周波モジュール１全体を低背化することが可能となる。

また、モジュール基板９１を平面視した場合、第１半導体ＩＣ２５と第２半導体ＩＣ２６との間には、グランド電位を有する外部接続端子１５０ｇが配置されていてもよい。

これにより、受信低雑音増幅器２１および２３が電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを、より一層抑制できるので、同時受信する２つの受信信号間のアイソレーションを、より一層向上させることが可能となる。

また、さらに、第１半導体ＩＣ２５に形成され、受信低雑音増幅器２１をディジタル制御信号で制御する制御回路８０を備え、モジュール基板９１を平面視した場合、第１半導体ＩＣ２５と第２半導体ＩＣ２６との間には、グランド電位を有する外部接続端子１５０ｇが配置されていてもよい。

これにより、制御回路８０に入出力されるディジタル制御信号が、ディジタルノイズとして受信低雑音増幅器２３に流入することを抑制できる。よって、通信バンドＣの受信感度の劣化を抑制できる。

また、第１半導体ＩＣ２５は主面９１ａおよび９１ｂの一方に配置されており、第２半導体ＩＣ２６は主面９１ａおよび９１ｂの他方に配置されていてもよい。

これにより、第１半導体ＩＣ２５および第２半導体ＩＣ２６が、モジュール基板９１を挟んで配置されているので、同時受信する受信低雑音増幅器２１および２３が電界結合、磁界結合、または電磁界結合することを、より一層抑制できる。

また、高周波モジュール１は、さらに、第１半導体ＩＣ２５に形成され、受信低雑音増幅器２１をディジタル制御信号で制御する制御回路８０と、アンテナ接続端子１００と、アンテナ接続端子１００と受信低雑音増幅器２１とを結ぶ受信経路ＡＲまたはアンテナ接続端子１００と受信低雑音増幅器２３とを結ぶ受信経路ＣＲに配置された回路部品と、を備え、第１半導体ＩＣ２５および上記回路部品は主面９１ｂに配置されており、第２半導体ＩＣ２６は主面９１ａに配置されており、モジュール基板９１を平面視した場合、第１半導体ＩＣ２５と上記回路部品との間には、グランド電位を有する外部接続端子１５０ｇが配置されていてもよい。

これによれば、制御回路８０に入出力されるディジタル制御信号が、ディジタルノイズとして上記回路部品に流入することを抑制できる。よって、通信バンドＡおよびＣの受信感度の劣化を抑制できる。

また、通信装置５は、アンテナ２と、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。

これにより、複数の通信バンドの高周波信号を同時受信する場合に受信感度の劣化が抑制された通信装置５を提供することが可能となる。

（その他の実施の形態など）
以上、本発明の実施の形態に係る高周波モジュールおよび通信装置について、実施の形態および実施例を挙げて説明したが、本発明に係る高周波モジュールおよび通信装置は、上記実施の形態および実施例に限定されるものではない。上記実施の形態および実施例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態および実施例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、上記高周波モジュールおよび通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。

例えば、上記実施の形態およびその実施例に係る高周波モジュールおよび通信装置において、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に、別の回路素子および配線などが挿入されていてもよい。

本発明は、マルチバンド対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。

１、１Ａ、１Ｂ 高周波モジュール
２ アンテナ
３ ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
４ ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）
５ 通信装置
１１、１２ 送信電力増幅器
２１、２２、２３、２４ 受信低雑音増幅器
２５ 第１半導体ＩＣ
２６ 第２半導体ＩＣ
３０ 送信出力整合回路
３１、３２、４１、４２、４３、４４、７１、７２、７３、７４ 整合回路
４０ 受信入力整合回路
５１、５２、５５ スイッチ
６０ ダイプレクサ
６０Ｈ、６０Ｌ フィルタ
６１、６２、６３、６４ デュプレクサ
６１Ｒ、６２Ｒ、６３Ｒ、６４Ｒ 受信フィルタ
６１Ｔ、６２Ｔ、６３Ｔ、６４Ｔ 送信フィルタ
８０ 制御回路
９１ モジュール基板
９１ａ、９１ｂ 主面
９２、９３ 樹脂部材
１００ アンテナ接続端子
１１１、１１２ 送信入力端子
１２１、１２２、１２３、１２４ 受信出力端子
１５０、１５０ｇ 外部接続端子

Claims (8)

1. 第１受信信号と第２受信信号とを同時受信する高周波モジュールであって、
   互いに対向する第１主面および第２主面を有するモジュール基板と、
   第１半導体ＩＣに形成され、前記第１受信信号を増幅する第１受信低雑音増幅器と、
   前記第１半導体ＩＣと異なる第２半導体ＩＣに形成され、前記第２受信信号を増幅する第２受信低雑音増幅器と、
   前記第２主面に配置された外部接続端子と、を備え、
   前記第１半導体ＩＣおよび前記第２半導体ＩＣの少なくとも一方は、前記第２主面に配置されている、
   高周波モジュール。
2. 前記高周波モジュールは、さらに、前記第１半導体ＩＣに形成され、第３受信信号を増幅する第３受信低雑音増幅器を備え、
   前記高周波モジュールは、前記第１受信信号と前記第３受信信号とを同時受信しない、
   請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 前記第１半導体ＩＣおよび前記第２半導体ＩＣの双方は、前記第２主面に配置されている、
   請求項１または２に記載の高周波モジュール。
4. 前記モジュール基板を平面視した場合、前記第１半導体ＩＣと前記第２半導体ＩＣとの間には、グランド電位を有する前記外部接続端子が配置されている、
   請求項３に記載の高周波モジュール。
5. さらに、
   前記第１半導体ＩＣに形成され、前記第１受信低雑音増幅器をディジタル制御信号で制御する制御回路を備える、
   請求項４に記載の高周波モジュール。
6. 前記第１半導体ＩＣは、前記第１主面および前記第２主面の一方に配置されており、
   前記第２半導体ＩＣは、前記第１主面および前記第２主面の他方に配置されている、
   請求項１または２に記載の高周波モジュール。
7. 前記高周波モジュールは、さらに、
   前記第１半導体ＩＣに形成され、前記第１受信低雑音増幅器をディジタル制御信号で制御する制御回路と、
   アンテナ接続端子と、
   前記アンテナ接続端子と前記第１受信低雑音増幅器とを結ぶ第１受信経路、または、前記アンテナ接続端子と前記第２受信低雑音増幅器とを結ぶ第２受信経路に配置された回路部品と、を備え、
   前記第１半導体ＩＣおよび前記回路部品は、前記第２主面に配置されており、
   前記第２半導体ＩＣは、前記第１主面に配置されており、
   前記モジュール基板を平面視した場合、前記第１半導体ＩＣと前記回路部品との間には、グランド電位を有する前記外部接続端子が配置されている、
   請求項６に記載の高周波モジュール。
8. アンテナと、
   前記アンテナで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
   前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝送する請求項１〜７のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
   通信装置。

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