JP2022096944A - 共重合体、ならびに当該共重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子材料およびエレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

【課題】エレクトロルミネッセンス素子の性能（特に耐久性）を向上できる技術を提供する。【解決手段】式（１）で表される構成単位を含む、共重合体：JPEG2022096944000090.jpg41161Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価、３価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基。Ｌ１及びＬ２は、それぞれ独立して、単結合、または置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基。【選択図】なし

Description

本発明は、共重合体、ならびに当該共重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子材料およびエレクトロルミネッセンス素子に関する。

エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）は、研究開発が活発に進められている。特に、ＥＬ素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子や書き込み光源アレイとしての用途が有望視されている。ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に数ナノメートルから数百ナノメートルの薄膜を有する発光素子である。また、ＥＬ素子は、通常、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などをさらに有する。

このうち、発光層の材料としては、蛍光発光材料、りん光発光材料がある。りん光発光材料は、蛍光発光材料と比較し、高い発光効率が見込まれる材料である。また、広い色域を網羅するために、ＲＧＢ光源は半値幅の狭い発光スペクトルが要求される。特に青色は深い青が要求されるが、長寿命かつ色純度の観点を満足できる素子は見出されていないのが現状である。

これらの問題を解決する方法として、発光材料に無機発光物質である「量子ドット」を用いる発光デバイスがある（特許文献１）。量子ドット（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ；ＱＤ）は、数ナノメートルの大きさの結晶構造を有する半導体物質であって、数百から数千個程度の原子で構成されている。量子ドットは、大きさが非常に小さいため、単位体積当たりの表面積が広い。このため、大部分の原子がナノ結晶の表面に存在し、量子閉じ込め（ｑｕａｎｔｕｍ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）効果などを示す。このような量子閉じ込め効果により、量子ドットは、その大きさを調節することだけで発光波長を調節することができ、優れた色純度および高いＰＬ（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光効率などの特性を有するため、多くの関心を集めている。量子ドット発光素子（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ；ＱＤ ＬＥＤ）は、量子ドット発光層を間において両側に正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ；ＨＴＬ）および電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）を含む３層構造の素子が基本素子として知られている。

特開２０１０－１９９０６７号公報

しかし、特許文献１に記載の正孔輸送材料を用いたエレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）では、十分な耐久性（特に発光寿命）を達成することができなかった。

したがって、本発明は、上記事情を鑑みてなされたものであり、エレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）の耐久性（特に発光寿命）を向上できる技術を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決すべく、鋭意研究を行った。その結果、特定の構造を有する高分子を用いることによって上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成した。

すなわち、上記目的は、下記式（１）で表される構成単位を有する共重合体によって達成できる。

上記式（１）中、
Ａｒ_１およびＡｒ_２は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基を表し、Ａｒ_１およびＡｒ_２が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよく、
Ａｒ_３は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の３価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の３価の芳香族複素環基を表し、Ａｒ_３が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよく、
Ａｒ_４およびＡｒ_５は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の芳香族複素環基を表し、Ａｒ_４およびＡｒ_５が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよく、
Ｌ_１およびＬ_２は、それぞれ独立して、単結合、または置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基を表し、
Ｘは、単結合、－Ｌ_３－または－Ｌ_３－Ｌ_３－を表わし、この際、Ｌ_３は、置換されたまたは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基を表し、
Ｌ_４は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の芳香族炭化水素基を表し、この際、Ｌ_４は、Ａｒ_４および／またはＡｒ_５と環を形成してもよく、
Ｒ_１は、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、または置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の芳香族炭化水素基を表す。

本発明によれば、耐久性（発光寿命）に優れるエレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）が提供できる。

本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子を示す模式図である。

第１の側面では、本発明は、下記式（１）で表される構成単位を有する共重合体を提供する：

上記式（１）中、
Ａｒ_１およびＡｒ_２は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基を表し、Ａｒ_１およびＡｒ_２が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよく、
Ａｒ_３は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の３価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の３価の芳香族複素環基を表し、Ａｒ_３が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよく、
Ａｒ_４およびＡｒ_５は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の芳香族複素環基を表し、Ａｒ_４およびＡｒ_５が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよく、
Ｌ_１およびＬ_２は、それぞれ独立して、単結合、または置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基を表し、
Ｘは、単結合、－Ｌ_３－または－Ｌ_３－Ｌ_３－を表わし、この際、Ｌ_３は、置換されたまたは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基を表し、
Ｌ_４は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の芳香族炭化水素基を表し、この際、Ｌ_４は、Ａｒ_４および／またはＡｒ_５と環を形成してもよく、
Ｒ_１は、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、または置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の芳香族炭化水素基を表す。

本明細書において、「式（１）で表される構成単位」を「構成単位（１）」または「本発明に係る構成単位（１）」とも称する。「式（１）で表される構成単位」中の下記構造：

を有する構成単位を「構成単位Ａ」、または「本発明に係る構成単位Ａ」とも称する。同様にして、「式（１）で表される構成単位」中の下記構造：

を有する構成単位を「構成単位Ｂ」、または「本発明に係る構成単位Ｂ」とも称する。また、式（１）で表される構成単位を有する共重合体を、「共重合体」または「本発明に係る共重合体」とも称する。

第２の側面では、本発明に係る共重合体を含むエレクトロルミネッセンス素子材料を提供する。

第３の側面では、本発明は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される１層以上の有機膜と、を備えるエレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機膜の少なくとも１層が本発明に係る共重合体を含む、エレクトロルミネッセンス素子を提供する。本明細書において、エレクトロルミネッセンス素子を、単に「ＬＥＤ」とも称する。量子ドットエレクトロルミネッセンス素子を、単に「ＱＬＥＤ」とも称する。有機エレクトロルミネッセンス素子を、単に「ＯＬＥＤ」とも称する。

従来の有機電界発光素子（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅｓ；ＯＬＥＤ）は正孔輸送層（ＨＴＬ）および発光層を含む。正孔輸送層（ＨＴＬ）に使用される物質のＨＯＭＯ（Ｈｉｇｈｅｓｔ Ｏｃｃｕｐｉｅｄ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｂｉｔａｌ）レベルは－５．３ｅＶ以上－５．０ｅＶ以下に存在する。また、前記発光層に使用される物質のＨＯＭＯレベルは－５．５ｅＶ以上－５．０ｅＶ以下の間に存在するため、正孔輸送層（ＨＴＬ）に使用される物質のＨＯＭＯレベルとの差が小さく、効率的な正孔輸送が可能になり、高発光効率の素子を提供することができる。

一方、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子（ＱＬＥＤ）に使用される量子ドットの価電子帯（ｖａｌａｎｃｅ ｂａｎｄ）レベルは、例えば、青色ＱＬＥＤでは約－５．７ｅＶであり、赤色ＱＬＥＤでは約－５．５５ｅＶである。このため、既存の有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）に使用される正孔輸送層物質のＨＯＭＯレベルとのバンドオフセット（ｂａｎｄ ｏｆｆｓｅｔ）の差が大きく、キャリア注入効率（耐久性（発光寿命））、発光効率、ＱＬＥＤのターンオン電圧、駆動電圧の上昇などの問題をもたらす。このような問題点を解決するために、正孔輸送層（ＨＴＬ）のＨＯＭＯレベルがより深い正孔輸送層物質を使用して発光層（ＱＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）層）とのバンドオフセットを下げる方法が考慮されている。当該方法において、ＨＯＭＯレベルが深い材料のみを正孔輸送層に使用する場合には、発光層（ＱＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）層）とのバンドオフセットの差が低減されて、正孔輸送層から発光層へのホール（正孔）の注入能を向上できる。一方、正孔注入層の価電子帯は－５．３５ｅＶ程度であるため、上記形態では、正孔注入層とのバンドオフセットの差が大きく、正孔注入層から正孔輸送層へのホール（正孔）の注入能が小さく、耐久性（発光寿命）が劣るなどの問題が生じる。このため、正孔注入層と正孔輸送層とのバンドオフセットおよび正孔輸送層と発光層とのバンドオフセット双方を下げる方法が求められている。本発明者らは、上記特性を満たす物質（特に正孔輸送層物質）につき鋭意検討を行った結果、上記式（１）の構造が有効であることを知得した。本発明に係る共重合体は浅いＨＯＭＯレベルを有する構成単位Ａおよび深いＨＯＭＯレベルを有する構成単位Ｂが交互に存在するセグメントを有する。このうち、構成単位Ａは、主鎖に窒素原子を有しかつ窒素原子及び置換基Ｒ_１がパラ位の位置で存在する。このような構造をとることにより、共役の長さが長くなり、結果、構成単位Ａの単独重合体は浅いＨＯＭＯレベルを示す。一方、構成単位Ｂは、モノアミン（－Ｎ（Ａｒ_４）（Ａｒ_５））を側鎖に有する。このような構造をとることにより、共役の長さが短くなり、結果、構成単位Ｂの単独重合体のＨＯＭＯレベルを深くすることができる。すなわち、本発明に係る共重合体は、ＨＯＭＯレベルの浅い構成単位Ａと、ＨＯＭＯレベルの深い構成単位Ｂと、を有する。このため、共重合体中の構成単位Ａの存在により、正孔注入層と正孔輸送層とのバンドオフセットの差が低減されて、正孔注入層から正孔輸送層へのホール（正孔）の注入能を向上できる。同時に、構成単位Ｂの存在により、正孔輸送層と発光層とのバンドオフセットの差が低減されて、正孔輸送層から発光層へのホール（正孔）の注入能を向上できる。すなわち、このような共重合体を正孔輸送層に使用することにより、正孔注入層から発光層へのホール（正孔）移動性が上がり、その結果、耐久性を向上できる。

したがって、本発明に係る共重合体を用いて作製されるエレクトロルミネッセンス素子は、優れた耐久性（長い発光寿命）を発揮できる。また、本発明に係る共重合体は、駆動電圧の上昇を抑制できる。ゆえに、本発明に係る共重合体を用いて作製されるエレクトロルミネッセンス素子は、低駆動電圧で優れた耐久性（長い発光寿命）を発揮できる。加えて、本発明に係る共重合体は、成膜性および溶媒溶解性に優れるため、湿式（塗布）法での成膜が可能である。ゆえに、本発明に係る共重合体を用いることによって、エレクトロルミネッセンス素子の大面積化、高生産性が可能となる。上記効果は、本発明に係る共重合体がＥＬ素子、特にＱＬＥＤの正孔輸送層に適用される場合に、顕著に発揮できる。

なお、上記メカニズムは推測によるものであり、本発明は上記メカニズムに何ら拘泥されるものではない。

以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみには限定されない。また、各図面は説明の便宜上誇張されて表現されており、各図面における各構成要素の寸法比率が実際とは異なる場合がある。また、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明した場合では、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

本明細書において、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温（２０℃以上２５℃以下）／相対湿度４０％ＲＨ以上５０％ＲＨ以下の条件で測定する。

本明細書において「置換」とは、特に定義しない限り、アルキル基、シクロアルキル基、ヒドロキシアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヒドロキシル基（－ＯＨ）、カルボキシル基（－ＣＯＯＨ）、チオール基（－ＳＨ）、シアノ基（－ＣＮ）で置換されていることを指す。なお、場合によって存在する置換基は、置換される基と同じになることはない。例えば、アルキル基がアルキル基で置換されることはない。

ここで、置換基としてのアルキル基としては、直鎖もしくは分岐のいずれでもよいが、好ましくは炭素数１以上２０以下の直鎖のアルキル基および炭素数３以上２０以下の分岐のアルキル基が挙げられる。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、１，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３－ジメチルブチル基、１－イソプロピルプロピル基、１，２－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、１，４－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２－メチル－１－イソプロピルプロピル基、１－エチル－３－メチルブチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－メチル－１－イソプロピルブチル基、２－メチル－１－イソプロピル基、１－ｔｅｒｔ－ブチル－２－メチルプロピル基、ｎ－ノニル基、３，５，５－トリメチルヘキシル基、ｎ－デシル基、イソデシル基、ｎ－ウンデシル基、１－メチルデシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘキサデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－イコシル基などが挙げられる。

置換基としてのシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。

置換基としてのヒドロキシアルキル基としては、例えば、上記アルキル基が１以上３以下（好ましくは１以上２以下、特に好ましくは１）の水酸基で置換されるもの（例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基）が例示される。

置換基としてのアルコキシアルキル基としては、例えば、上記アルキル基が１以上３以下（好ましくは１以上２以下、特に好ましくは１）の下記に詳述するアルコキシ基で置換されるものが例示される。

置換基としてのアルコキシ基としては、直鎖もしくは分岐のいずれでもよいが、好ましくは炭素数１以上２０以下の直鎖のアルコキシ基および炭素数３以上２０以下の分岐のアルコキシ基が挙げられる。例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリデシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ペンタデシルオキシ基、ヘキサデシルオキシ基、ヘプタデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、２－エチルヘキシルオキシ基、３－エチルペンチルオキシ基などが挙げられる。

置換基としてのシクロアルコキシ基としては、例えば、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基などが挙げられる。

置換基としてのアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、１－プロペニル基、イソプロペニル基、１－ブテニル基、２－ブテニル基、３－ブテニル基、１－ペンテニル基、２－ペンテニル基、３－ペンテニル基、１－ヘキセニル基、２－ヘキセニル基、３－ヘキセニル基、１－ヘプテニル基、２－ヘプテニル基、５－ヘプテニル基、１－オクテニル基、３－オクテニル基、５－オクテニル基などが挙げられる。

置換基としてのアルキニル基としては、例えば、アセチレニル基、１－プロピニル基、２－プロピニル基、１－ブチニル基、２－ブチニル基、３－ブチニル基、１－ペンテチル基、２－ペンテチル基、３－ペンテチル基、１－ヘキシニル基、２－ヘキシニル基、３－ヘキシニル基、１－ヘプチニル基、２－ヘプチニル基、５－ヘプチニル基、１－オクチニル基、３－オクチニル基、５－オクチニル基などが挙げられる。

置換基としてのアリール基としては、炭素数６以上３０以下のアリール基が挙げられる。例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基、アンスリル基、ピレニル基、アズレニル基、アセナフチレニル基、ターフェニル基、フェナンスリル基などが挙げられる。

置換基としてのアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基などが挙げられる。

置換基としてのアルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基などが挙げられる。

置換基としてのシクロアルキルチオ基としては、例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基などが挙げられる。

置換基としてのアリールチオ基としては、例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基などが挙げられる。

置換基としてのアルコキシカルボニル基としては、例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基などが挙げられる。

置換基としてのアリールオキシカルボニル基としては、例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基などが挙げられる。

［共重合体］
本実施形態に係る共重合体は、下記式（１）で表される構成単位（構成単位（１））を有する。下記構造を有する共重合体は、ＨＯＭＯレベル（ＨＯＭＯ準位）が浅い構成単位ＡおよびＨＯＭＯレベル（ＨＯＭＯ準位）が深い構成単位Ｂが交互に配置されたセグメントを有する。このため、本実施形態に係る共重合体を（特に正孔輸送層に）有するエレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）は、耐久性に優れる（発光寿命が長い）。また、高発光効率、高電流効率化および低駆動電圧化を達成できる。本実施形態に係る共重合体は、式（１）の構成単位（構成単位（１））１種を含むものであっても、または２種以上の構成単位（１）を含むものであってもよい。なお、複数の構成単位（１）は、ブロック状に存在しても、ランダム状に存在してもよい。また、２種以上の構成単位（１）が存在する場合、各構成単位（１）中の「構成単位Ａ」は同じであってもまたは異なるものであってもよい。同様にして、２種以上の構成単位（１）が存在する場合、各構成単位（１）中の「構成単位Ｂ」は同じであってもまたは異なるものであってもよい。

上記式（１）において、Ａｒ_１およびＡｒ_２は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基を表す。この際、Ａｒ_１およびＡｒ_２が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよい。また、Ａｒ_１およびＡｒ_２は同一でも異なってもよい。ここで、炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基としては、特に制限されないが、具体的には、ベンゼン（フェニレン基）、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アントラセン、アズレン、ヘプタレン、アセナフテン、フェナレン、フルオレン、フェナントリン、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、キンキフェニル、ピレン、９，９－ジフェニルフルオレン、９，９’－スピロビ［フルオレン］、９，９－ジアルキルフルオレン等の芳香族炭化水素化合物由来の２価の基が挙げられる。環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基としては、特に制限されないが、具体的には、アクリジン、フェナジン、ベンゾキノリン、ベンゾイソキノリン、フェナンスリジン、フェナントロリン、アントラキノン、フルオレノン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、カルバゾール、イミダゾフェナンスリジン、ベンズイミダゾフェナンスリジン、アザジベンゾフラン、９－フェニルカルバゾール、アザカルバゾール、アザジベンゾチオフェン、ジアザジベンゾフラン、ジアザカルバゾール、ジアザジベンゾチオフェン、キサントン、チオキサントン、ピリジン、キノリン、アントラキノリンなどの複素環式芳香族化合物由来の２価の基が挙げられる。Ａｒ_１およびＡｒ_２（非置換形態）は、上記したような２価の芳香族炭化水素基のみであっても、上記したような２価の芳香族炭化水素基を２種以上組み合わせた構造であっても、上記したような２価の芳香族複素環基のみであっても、上記したような２価の芳香族複素環基を２種以上組み合わせた構造であっても、または上記したような１種以上の２価の芳香族炭化水素基と１種以上の２価の芳香族複素環基とを組み合わせた構造であってもよい。

これらのうち、より適切なＨＯＭＯレベルの観点から、Ａｒ_１およびＡｒ_２の少なくとも一方が、ベンゼン（ｏ，ｍ，ｐ－フェニレン基）、ジベンゾフラン、フルオレンから選択される化合物由来の２価の基であることが好ましい。より好ましくは、Ａｒ_１およびＡｒ_２がフェニレン基（特にｐ－フェニレン基）である。このようなＡｒ_１およびＡｒ_２であれば、共重合体のＨＯＭＯレベルをより適切に制御できる。また、より高いホール注入性、さらにはより高い三重項エネルギー準位およびより低駆動電圧化および製膜性の観点ならびにこれらのいずれか２種以上のバランス（特にホール注入性と製膜性とのバランス）を達成できる。

Ｌ_１は、単結合、または置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基を表す。この際、Ｌ_１が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよい。２価の芳香族炭化水素基としては、上記Ａｒ_１およびＡｒ_２における芳香族炭化水素化合物由来の２価の基が同様にして例示される。これらのうち、より適切なＨＯＭＯレベルの観点から、Ｌ_１は、単結合、フェニレンであることが好ましく、単結合であることがより好ましい。

Ｌ_２は、単結合、または置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基を表す。この際、Ｌ_２が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよい。２価の芳香族炭化水素基としては、上記Ａｒ_１およびＡｒ_２における芳香族炭化水素化合物由来の２価の基が同様にして例示される。これらのうち、より適切なＨＯＭＯレベルの観点から、Ｌ_２は、単結合、フェニレンであることが好ましく、単結合であることがより好ましい。

Ｒ_１は、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、または置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の芳香族炭化水素基を表す。この際、Ｒ_１が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよい。炭素数１以上２０以下のアルキル基および炭素数１以上２０以下のアルコキシ基としては、それぞれ、上記「置換基」にて列挙したものと同じアルキル基およびアルコキシ基が例示される。また、炭素数６以上３０以下の芳香族炭化水素基としては、上記Ａｒ_１およびＡｒ_２における芳香族炭化水素化合物由来の１価の基が同様にして例示される。

具体的には、本発明に係る構成単位Ａは、下記群から選択されることが好ましい。なお、下記構造において、＊は、主鎖を形成する結合部位である。

上記式（１）において、Ａｒ_３は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の３価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の３価の芳香族複素環基を表す。この際、Ａｒ_３が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよい。炭素数６以上３０以下の３価の芳香族炭化水素基および３価の芳香族複素環基としては、それぞれ、上記Ａｒ_１およびＡｒ_２における芳香族炭化水素化合物および複素環式芳香族化合物由来の３価の基が同様にして例示される。これらのうち、より適切なＨＯＭＯレベル（特に深いＨＯＭＯレベル）の観点から、Ａｒ_３は、ベンゼン、チオフェン由来の３価の基が好ましく、ベンゼン（１，２，３位に結合手がある基（１，２，３－フェニリレン基）、１，２，４位に結合手がある基（１，２，４－フェニリレン基）、１，３，５位に結合手がある基（１，３，５－フェニリレン基））がより好ましく、１，２，４位に結合手があるベンゼン由来の基（１，２，４－フェニリレン基）、１，３，５位に結合手があるベンゼン由来の基（１，３，５－フェニリレン基）がさらに好ましく、１，２，４位に結合手があるベンゼン由来の基（１，２，４－フェニリレン基）が特に好ましい。すなわち、本発明のより好ましい実施形態では、式（１）の構成単位が下記式（２）で示される。

上記式（２）において、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_４、Ａｒ_５、Ｌ_１、Ｌ_２、Ｘ、Ｌ_４およびＲ_１は、上述したまたは後述する式（１）と同様の定義であるため、ここでは説明を省略する。Ｒ_２は、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、または置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基を表す。炭素数１以上２０以下のアルキル基および炭素数１以上２０以下のアルコキシ基としては、それぞれ、上記「置換基」にて列挙したものと同じアルキル基およびアルコキシ基が例示される。また、炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基としては、上記Ａｒ_１およびＡｒ_２における芳香族炭化水素化合物由来の１価の基が同様にして例示される。ａは０、１、２または３であり、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。

本発明の特に好ましい実施形態では、式（１）の構成単位が下記式（３）で示される。

上記式（３）において、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_４、Ａｒ_５、Ｌ_１、Ｌ_２、Ｘ、Ｌ_４およびＲ_１は、上述したまたは後述する式（１）と同様の定義であるため、ここでは説明を省略する。Ｒ_２およびａは、上記式（２）と同様の定義であるため、ここでは説明を省略する。上記特に好ましい形態に係る構成単位Ｂは、主鎖を構成するベンゼン環がパラ位で他の構成単位と連結し（１，４位が主鎖を構成し）かつメタ位（２位）にモノアミン（－Ｘ－Ｌ_４－Ｎ（Ａｒ_４）（Ａｒ_５））が連結する構造を有する。これにより、モノアミンの共役が維持され、結果、共重合体のＨＯＭＯレベルをより深くすることができる。ゆえに、このような構成単位Ｂを有する共重合体はより深いＨＯＭＯレベルを有し、本発明の特に好ましい実施形態に係る共重合体を用いて作製されるエレクトロルミネッセンス素子は、耐久性をより向上できる（発光寿命をより長期化できる）。また、発光効率をより向上できる。

Ｘは、単結合、－Ｌ_３－または－Ｌ_３－Ｌ_３－を表わす。この際、Ｘが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよい。ここで、Ｌ_３は、置換されたまたは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基を表す。Ｘが－Ｌ_３－Ｌ_３－である際の、各Ｌ_３は互いに同一でも異なってもよい。２価の芳香族炭化水素基としては、上記Ａｒ_１およびＡｒ_２における芳香族炭化水素化合物由来の２価の基が同様にして例示される。これらのうち、Ｘは、単結合、ならびにベンゼン、フルオレン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンおよびビフェニルから選択される化合物由来の２価の基（Ｌ_３）であることが好ましい。より好ましくは、Ｘは、単結合、ならびにベンゼン（ｏ，ｍ，ｐ－フェニレン基）、ジベンゾフランおよびフルオレンから選択される化合物由来の２価の基（Ｌ_３）である。さらに好ましくは、Ｘは単結合、フェニレン基（特にｐ－フェニレン基）である。特に好ましくは、Ｘは単結合である。このようなＸであれば、共重合体のＨＯＭＯレベルをより適切に制御できる。また、より高いホール注入性、さらにはより高い三重項エネルギー準位およびより低駆動電圧化および製膜性の観点ならびにこれらのいずれか２種以上のバランス（特にホール注入性と製膜性とのバランス）を達成できる。

なお、上記好ましい形態において、Ｌ_３は無置換であってもまたはいずれかの水素原子が置換基で置換されてもよい。ここで、Ｌ_３のいずれかの水素原子が置換される場合の置換基の導入数は、特に制限されないが、好ましくは１以上３以下であり、より好ましくは１以上２以下であり、特に好ましくは１である。Ｌ_３が置換基を有する場合の置換基の結合位置は、特に制限されない。置換基は、好ましくはＬ_３がＬ_４を介して連結する側鎖の窒素原子に対してなるべく遠位に存在することが好ましい。このような位置に置換基が存在することにより、共重合体のＨＯＭＯレベルをより適切に制御できる。また、より高いホール注入性、さらにはより高い三重項エネルギー準位およびより低駆動電圧化および製膜性の観点ならびにこれらのいずれか２種以上のバランス（特にホール注入性と製膜性とのバランス）を達成できる。

Ａｒ_４およびＡｒ_５は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表す。この際、Ａｒ_４およびＡｒ_５が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよい。また、Ａｒ_４およびＡｒ_５は、同一でも異なってもよい。下記に詳述するが、Ｌ_４は、Ａｒ_４および／またはＡｒ_５と環を形成してよい。ここで、Ｌ_４がＡｒ_４と環を形成する場合には、Ａｒ_４は２価の基である。同様にして、Ｌ_４がＡｒ_５と環を形成する場合には、Ａｒ_５は２価の基である。Ｌ_４がＡｒ_４およびＡｒ_５双方と環を形成する場合には、Ａｒ_４およびＡｒ_５は２価の基である。Ｌ_４がＡｒ_４およびＡｒ_５とも環を形成しない場合には、Ａｒ_４およびＡｒ_５は１価の基である。芳香族炭化水素基および芳香族複素環基としては、それぞれ、上記Ａｒ_１およびＡｒ_２における芳香族炭化水素化合物および複素環式芳香族化合物由来の基が同様にして例示される。これらのうち、より適切なＨＯＭＯレベル（特に深いＨＯＭＯレベル）の観点から、Ａｒ_４およびＡｒ_５の少なくとも一方が、下記式（４）で表される基であることが好ましい。より好ましくは、Ａｒ_４およびＡｒ_５はＬ_４と環を形成せず、かつＡｒ_４およびＡｒ_５の一方が下記式（４）で表される基である。

上記式（４）において、Ｌ_５は、単結合、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基を表す。ここで、炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基および環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基としては、上記Ａｒ_１およびＡｒ_２における芳香族炭化水素化合物および複素環式芳香族化合物由来の２価の基が同様にして例示される。これらのうち、より適切なＨＯＭＯレベル（特に深いＨＯＭＯレベル）の観点から、Ｌ_５は、単結合、ベンゼン（フェニレン基）、フルオレン（フルオレニル基）であることが好ましく、単結合またはベンゼン（フェニレン基）であることがより好ましく、単結合であることが特に好ましい。

Ｒ_３およびＲ_４は、それぞれ同一でも、異なっていてもよく、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表す。ここで、炭素数１以上２０以下のアルキル基および炭素数１以上２０以下のアルコキシ基としては、上記「置換基」にて列挙したものと同じ基が例示される。また、炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基および環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基としては、上記Ａｒ_１およびＡｒ_２における芳香族炭化水素化合物および複素環式芳香族化合物由来の１価の基が同様にして例示される。これらのうち、Ｒ_３およびＲ_４は、それぞれ独立して、炭素数１以上１０以下のアルキル基であることが好ましく、炭素数１以上３以下のアルキル基であることがより好ましい。

ｂは、０、１、２または３の整数である。ｂは、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。

ｃは、０、１、２、３または４の整数である。ｃは、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。

Ｙは、＝ＣＲ_５Ｒ_６、ＯおよびＳから選択される基を表す。Ｙは、＝ＣＲ_５Ｒ_６またはＯであることが好ましい。Ｙが＝ＣＲ_５Ｒ_６である際の、Ｒ_５およびＲ_６は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換もしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基を表す。また、Ｒ_５およびＲ_６は、互いに結合して環構造を形成してもよい。ここで、炭素数６以上３０以下のアリール基としては、上記「置換基」にて列挙したものと同じアリール基が例示される。また、炭素数１以上２０以下のアルキル基としては、上記「置換基」にて列挙したものと同じアルキル基が例示される。これらうち、より適切なＨＯＭＯレベル（特に深いＨＯＭＯレベル）の観点から、Ｒ_５およびＲ_６は、それぞれ独立して炭素数１以上８以下のアルキル基であるまたはアリール基が互いに結合して環構造を形成することが好ましく、それぞれ独立して炭素数１以上３以下のアルキル基であるまたはフェニル基が互いに結合して環構造（スピロビ［フルオレニル］基）を形成することがより好ましい。

すなわち、本発明の好ましい形態では、上記式（４）で表される基が、下記式（５）～（２０）から選択される基である。

上記式（５）～式（２０）において、Ｌ_５、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、ｂおよびｃは、上記式（４）と同様の定義であるため、ここでは説明を省略する。

上記式（１）において、Ｌ_４がＡｒ_４やＡｒ_５と環を形成しない場合、Ａｒ_４は上記式（５）～（８）および上記式（１３）～（１６）から選択される基であることが好ましく、Ａｒ_５は上記式（９）～（１６）および炭素数１以上８以下の直鎖もしくは炭素数３以上８以下の分岐のアルキル基で置換されたまたは非置換の炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素基から選択される基であることが好ましい。Ａｒ_４は上記式（５）、（７）および（１６）から選択される基であることがより好ましく、Ａｒ_５が上記式（９）および（１６）、ならびに炭素数３以上５以下の分岐のアルキル基で置換されたまたは非置換の炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素基（好ましくは、ビフェニル基、９，９－ジメチルフルオレニル基）から選択される基であることがより好ましい。このような組み合わせを有する共重合体はより深いＨＯＭＯレベルを発揮できる。ここで、炭素数６以上２５以下の芳香族炭化水素基としては、ベンゼン（フェニル基）、ペンタレン、インデン、ナフタレン、アントラセン、アズレン、ヘプタレン、アセナフテン、フェナレン、フルオレン、フェナントリン、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、ピレン、９，９－ジフェニルフルオレン、９，９’－スピロビ［フルオレン］、９，９－ジアルキルフルオレン等の芳香族炭化水素化合物由来の１価の基が挙げられる。

本発明の実施形態では、Ａｒ_４が、下記式（５）～（８）および下記式（１３）～（１６）から選択される基であり、かつ、Ａｒ_５が置換されたもしくは非置換のベンゼン、置換されたもしくは非置換のフルオレン、置換されたもしくは非置換のビフェニル、置換されたもしくは非置換のジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンから選択される基、またはこれらの２以上の組み合わせである。さらに好ましくは、Ａｒ_４が、９，９’－スピロビ［フルオレニル］基またはベンゼンとジベンゾフランとの組み合わせであり、かつ、Ａｒ_５がベンゼン、９，９－ジメチルフルオレン、炭素数１以上５以下のアルキル基で置換されたもしくは非置換のビフェニル、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンから選択される基、またはこれらの２以上の組み合わせである。特に好ましくは、Ａｒ_４およびＡｒ_５の組み合わせは、下記群から選択される。上記したようなＡｒ_４およびＡｒ_５である共重合体は、より深いＨＯＭＯレベルを有する（ゆえに、本発明に係る共重合体を使用したＬＥＤ（特にＱＬＥＤ）の耐久性をさらに向上できる）。

Ｌ_４は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の芳香族炭化水素基を表す。この際、Ｌ_４が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよい。Ｌ_４は、Ａｒ_４および／またはＡｒ_５と環を形成してよい。ここで、Ｌ_４がＡｒ_４またはＡｒ_５と環を形成する場合には、Ｌ_４は３価の基である。Ｌ_４がＡｒ_４およびＡｒ_５双方と環を形成する場合には、Ｌ_４は４価の基である。Ｌ_４がＡｒ_４およびＡｒ_５とも環を形成しない場合には、Ｌ_４は２価の基である。芳香族炭化水素基としては、上記Ａｒ_１およびＡｒ_２における芳香族炭化水素化合物由来の基（２価、３価または４価の基）が同様にして例示される。これらのうち、より適切なＨＯＭＯレベル（特に深いＨＯＭＯレベル）の観点から、Ｌ_４は、ベンゼン、フルオレン、ナフタレン由来の基であることが好ましく、ベンゼン（２価の場合には、ｏ，ｍ，ｐ－フェニレン基；３価の場合には、１，２，３－フェニリレン基、１，２，４－フェニリレン基、１，３，５－フェニリレン基）がより好ましく、（２価の場合には）ｐ－フェニレン基、（３価の場合には）１，３，４－フェニリレン基が特に好ましい。このようなＬ_４であれば、共重合体のＨＯＭＯレベルをより適切に制御できる。また、より高いホール注入性、さらにはより高い三重項エネルギー準位およびより低駆動電圧化および製膜性の観点ならびにこれらのいずれか２種以上のバランス（特にホール注入性と製膜性とのバランス）を達成できる。なお、上記好ましい形態において、Ｌ_４は無置換であってもまたはいずれかの水素原子が置換基で置換されてもよい。また、Ｌ_４のいずれかの水素原子が置換される場合に存在しえる置換基は、特に限定されず、上記と同様の例示が適用できる。好ましくは、Ｌ_４は無置換である。

Ｌ_４がＡｒ_４及びＡｒ_５の少なくとも一方と環を形成する場合には、より高い三重項エネルギー準位を与えうる。これらのうち、より適切なＨＯＭＯレベル（特に深いＨＯＭＯレベル）の観点から、Ｌ_４は、Ａｒ_４及びＡｒ_５の一方とのみ（Ｌ_４とＡｒ_４とでまたはＬ_４とＡｒ_５とで）環を形成することが好ましい。Ｌ_４がＡｒ_４またはＡｒ_５と環を形成する際の、環構造は特に制限されないが、Ｌ_４とＡｒ_４（またはＬ_４とＡｒ_５）とで、カルバゾール環を形成することが好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態では、上記式（１）において、Ｌ_４がＡｒ_４と環を形成し、－Ｌ_４－Ｎ（Ａｒ_４）（Ａｒ_５）が下記式（２１）または式（２２）で表される構造を有する。本発明のより好ましい形態では、上記式（１）において、Ｌ_４がＡｒ_４と環を形成し、－Ｌ_４－Ｎ（Ａｒ_４）（Ａｒ_５）が下記式（２１）で表される構造を有する。

上記式（２１）および式（２２）中、Ａｒ_５は、上記式（１）と同様の定義であるため、ここでは説明を省略する。Ｒ_１１およびＲ_１２は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数３以上１０以下の直鎖のアルキル基または炭素数３以上１０以下の分岐したアルキル基を表す。より適切なＨＯＭＯレベル（特に深いＨＯＭＯレベル）の観点から、Ｒ_１１が水素原子であり、Ｒ_１２が水素原子または炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基であることが好ましい。より好ましくは、Ｒ_１１およびＲ_１２が水素原子である。

本実施形態において、Ａｒ_５は、炭素数１以上１２以下の直鎖のもしくは炭素数３以上１２以下の分岐した炭化水素基を置換基として有することが好ましい。このような炭化水素基を共重合体の末端に配置することにより、正孔輸送層中の本発明に係る共重合体は発光層中の量子ドットと密接に相互作用できるため、正孔が効率よく量子ドットに注入でき（ホール注入性が高い）、耐久性（発光寿命）を向上できる。ここで、炭素数１以上１２以下の炭化水素基は、特に制限されないが、直鎖もしくは分岐の、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基およびシクロアルキル基などが挙げられる。なお、置換基がアルケニル基またはアルキニル基である場合には、置換基の炭素数は２以上１６以下である。同様にして、置換基がシクロアルキル基である場合には、置換基の炭素数は３以上６以下である。

炭素数１以上１２以下のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、１，２－ジメチルプロピル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、１，３－ジメチルブチル基、１－イソプロピルプロピル基、１，２－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基、１，４－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２－メチル－１－イソプロピルプロピル基、１－エチル－３－メチルブチル基、ｎ－オクチル基、２－エチルヘキシル基、３－メチル－１－イソプロピルブチル基、２－メチル－１－イソプロピル基、１－ｔｅｒｔ－ブチル－２－メチルプロピル基、ｎ－ノニル基、３，５，５－トリメチルヘキシル基、ｎ－デシル基、イソデシル基、ｎ－ウンデシル基、１－メチルデシル基、ｎ－ドデシル基などが挙げられる。

炭素数２以上１６以下のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、１－プロペニル基、２－ブテニル基、１，３－ブタジエニル基、２－ペンテニル基、イソプロペニル基などが挙げられる。

炭素数２以上１６以下のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロパルギル基などが挙げられる。

炭素数は３以上６以下のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。

これらのうち、Ａｒ_５に存在する炭化水素基は、炭素数４以上１０以下の直鎖もしくは炭素数４以上１０以下の分岐のアルキル基であることが好ましい。このようにＡｒ_５に存在する炭化水素基の炭素数を大きく（長鎖に）することにより、共重合体のＨＯＭＯレベルをより適切に制御できる。また、共重合体と量子ドットとの距離がより近くなり、正孔輸送層中の共重合体と発光層中の量子ドットとの相互作用がより強くなるため、ホール注入性（ゆえに、耐久性（発光寿命））をさらに向上できる。すなわち、本発明の好ましい形態では、Ａｒ_５は、フェニル基、ビフェニル基、ジベンゾフラニル基およびフルオレニル基から選択され、かつ、炭素数４以上１０以下の直鎖のもしくは炭素数４以上１０以下の分岐したアルキル基で置換される。より好ましくは、Ａｒ_５に存在する炭化水素基は、炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基である。すなわち、本発明のより好ましい形態では、Ａｒ_５は、炭素数５以上８以下の直鎖のアルキル基で置換されたフェニル基である。特に好ましくは、Ａｒ_５に存在する炭化水素基は、炭素数６以上８以下の直鎖のアルキル基である。すなわち、本発明の好ましい形態では、Ａｒ_５は、炭素数６以上８以下の直鎖のアルキル基で置換されたフェニル基である。

なお、Ａｒ_５に存在する炭化水素基の位置は特に制限されないが、－Ｌ_４－Ｎ（Ａｒ_４）（Ａｒ_５）の窒素原子からなるべく離れた位置に存在することが好ましい。例えば、Ｌ_４がＡｒ_４と環を形成し、Ａｒ_５がフェニル基である場合には、炭化水素基は窒素原子に対しパラ位に存在することが好ましい。このような配置により、共重合体と量子ドットとの距離がより近くなり、正孔輸送層中の共重合体と発光層中の量子ドットとの相互作用がより強くなるため、ホール注入性（ゆえに、耐久性（発光寿命））をさらに向上できる。

具体的には、本発明に係る構成単位Ｂは、下記群から選択されることが好ましい。なお、下記構造において、＊は、主鎖を形成する結合部位である。

本実施形態に係る共重合体における構成単位（１）の組成は、特に制限されない。得られる共重合体を用いて形成した層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）の耐久性（発光寿命）、さらには発光効率や正孔輸送能のさらなる向上効果などを考慮すると、構成単位（１）は、共重合体を構成する全構成単位に対して、好ましくは１０モル％以上１００モル％以下、より好ましくは５０モル％を超え１００モル％以下、特に好ましくは１００モル％である。すなわち、本発明の好ましい形態では、構成単位（１）は、全構成単位に対して、１０モル％以上１００モル％以下の割合で含まれる。本発明のより好ましい形態では、構成単位（１）は、全構成単位に対して、５０モル％を超え１００モル％以下の割合で含まれる。本発明の特に好ましい形態では、共重合体は、構成単位（１）のみから構成される（即ち、全構成単位に対する構成単位（１）の割合＝１００モル％）。なお、共重合体が２種以上の構成単位（１）を含む場合には、上記構成単位（１）の含有量は、構成単位（１）の合計量を意味する。

上述したように、本実施形態に係る共重合体は、構成単位（１）のみで構成されてもよい。または、本実施形態に係る共重合体は、構成単位（１）以外の他の構成単位をさらに含んでもよい。他の構成単位を含む場合の他の構成単位は、共重合体の効果（特に高い三重項エネルギー準位、低い駆動電圧）を阻害しない限り特に制限されない。具体的には、下記群から選択される構成単位などが挙げられる。なお、以下では、下記群で示される構成単位を「構成単位（２）」とも称する。

本実施形態の共重合体における構成単位（２）の組成は、特に制限されない。得られる高分子化合物による製膜容易性、被膜強度のさらなる向上効果などを考慮すると、構成単位（２）は、共重合体を構成する全構成単位に対して、好ましくは１モル％以上１０モル％以下である。なお、共重合体が２種以上の構成単位（２）を含む場合には、上記構成単位（２）の含有量は、構成単位（２）の合計量を意味する。

共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、本発明の目的効果が得られる限りにおいて、特に制限されるものではない。重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、５，０００以上３００，０００以下であることが好ましい。このような重量平均分子量であれば、共重合体を用いて層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な膜厚の層を形成することが可能である。

また、共重合体の数平均分子量（Ｍｎ）は、本発明の目的効果が得られる限りにおいて、特に制限されるものではない。数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、３，０００以上１００，０００以下であることが好ましい。このような数平均分子量であれば、共重合体を用いて層（例えば、正孔注入層、正孔輸送層）を形成するための塗布液の粘度を適切に調節して、均一な膜厚の層を形成することが可能である。また、本実施形態の共重合体の多分散度（重量平均分子量／数平均分子量）は、例えば、１．２以上８．０以下であることが好ましい。

ここで、数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）の測定は、特に制限されず、公知の方法を用いてまたは公知の方法を適宜修飾して適用できる。本明細書では、数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、下記方法により測定される値を採用する。なお、ポリマーの多分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、下記方法により測定された数平均分子量（Ｍｎ）で重量平均分子量（Ｍｗ）を除することによって算出される。

（数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）の測定）
共重合体の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、ポリスチレンを標準物質として用いて、ＳＥＣ（サイズ排除クロマトグラフィー：Ｓｉｚｅ Ｅｘｃｌｕｓｉｏｎ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ）により、以下の条件で測定する。

（ＳＥＣ測定条件）
分析装置（ＳＥＣ）：株式会社島津製作所製、Ｐｒｏｍｉｎｅｎｃｅ
カラム：ポリマーラボラトリーズ製、ＰＬｇｅｌ ＭＩＸＥＤ－Ｂ
カラム温度：４０℃
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
試料溶液の注入量：２０μＬ（ポリマー濃度：約０．０５質量％）
溶離液：テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）
検出器（ＵＶ－ＶＩＳ検出器）：株式会社島津製作所製、ＳＰＤ－１０ＡＶ
標準試料：ポリスチレン。

本実施形態に係る共重合体の主鎖の末端は、特に制限されず、使用される原料の種類によって適宜規定されるが、通常、水素原子である。

本実施形態に係る共重合体は、公知の有機合成方法を用いることで合成することが可能である。本実施形態の共重合体の具体的な合成方法は、後述する実施例を参照した当業者であれば、容易に理解することが可能である。具体的には、本実施形態の共重合体は、下記式（１’）で示される１種以上の単量体（１）を用いた重合反応により、または下記式（１’）で示される１種以上の単量体（１）および上記他の構成単位に相当する他の単量体を用いた共重合反応により製造することができる。

または、下記式（１－１’）で示される１種以上の単量体（１－１）及び下記式（１－２’）で示される１種以上の単量体（１－２）を用いた、または下記式（１－１’）で示される１種以上の単量体（１－１）、下記式（１－２’）で示される１種以上の単量体（１－２）および上記他の構成単位に相当する他の単量体を用いた共重合反応により製造することができる。

本発明において、共重合体の重合に用いられる上記単量体は、公知の合成反応を適宜組み合わせて合成することができ、その構造も、公知の方法（例えば、ＮＭＲ、ＬＣ－ＭＳ等）により確認できる。

上記式（１’）、式（１－１’）および式（１－２’）中、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_３、Ａｒ_４、Ａｒ_５、Ｌ_１、Ｌ_２、Ｘ、Ｌ_４およびＲ_１は、上記式（１）と同様の定義である。Ｚ_１、Ｚ_２、Ｚ_１’、Ｚ_２’、Ｚ_１”およびＺ_２”は、それぞれ独立して、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、特に臭素原子）または下記構造の基である。なお、下記構造において、Ｒ_Ａ～Ｒ_Ｄは、それぞれ独立して、炭素数１以上３以下のアルキル基である。好ましくは、Ｒ_Ａ～Ｒ_Ｄはメチル基である。なお、上記式（１’）中のＺ_１およびＺ_２は、それぞれ、同じであってもまたは異なるものであってもよい。同様にして、上記式（１－１’）中のＺ_１’およびＺ_２’は、それぞれ、同じであってもまたは異なるものであってもよい。上記式（１－２’）中のＺ_１”およびＺ_２”は、それぞれ、同じであってもまたは異なるものであってもよい。好ましくは、上記式（１’）中、Ｚ_１およびＺ_２は異なる。上記式（１－１’）中、Ｚ_１’およびＺ_２’は同じであり；上記式（１－２’）中、Ｚ_１”およびＺ_２”は同じであり；上記式（１－１’）中のＺ_１’およびＺ_２’は上記式（１－２’）中のＺ_１”およびＺ_２”と異なることが好ましい。

本実施形態に係る共重合体は、構成単位Ａおよび構成単位Ｂを有する。上記構成単位Ａの単独重合体は浅いＨＯＭＯレベルを示すため、正孔注入層から正孔輸送層へのホール（正孔）移動性を向上する。また、構成単位Ｂの単独重合体は深いＨＯＭＯレベルを示すため、正孔輸送層から発光層へのホール（正孔）移動性を向上する。ゆえに、本実施形態に係る共重合体を正孔輸送材料として使用する場合には、優れた耐久性（発光寿命）を達成できる。また、本実施形態に係る共重合体は、高い三重項エネルギー準位を有し、かつ低い駆動電圧を有する。ゆえに、本実施形態に係る共重合体を正孔注入材料または正孔輸送材料（特に正孔輸送材料）として使用する場合には、低駆動電圧で高いホール移動性が達成される。ゆえに、本実施形態に係る共重合体を用いるエレクトロルミネッセンス素子（特にＱＬＥＤ）は発光効率にも優れる。

本実施形態に係る共重合体のＨＯＭＯレベルは、－５．７ｅＶ以上－５．４ｅＶ以下である。また、本実施形態に係る構成単位Ａの単独重合体のＨＯＭＯレベルは、－５．７ｅＶ以上－５．４ｅＶ以下である。本実施形態に係る構成単位Ｂの単独重合体のＨＯＭＯレベルは、－６．１ｅＶ以上－５．６ｅＶ以下である。この際、１つの共重合体における構成単位Ｂの単独重合体のＨＯＭＯレベルは、当該共重合体における構成単位Ａの単独重合体のＨＯＭＯレベルより深い。このような構成単位Ａ及びＢが交互に存在するセグメントを有する共重合体を正孔輸送層に用いるエレクトロルミネッセンス素子（特に量子ドットエレクトロルミネッセンス素子）では、正孔注入層から発光層へのホール（正孔）の輸送能（ゆえに耐久性（発光寿命））を向上できる。本明細書では、ＨＯＭＯレベルは、下記実施例に記載の方法により測定される値を採用する。

［エレクトロルミネッセンス素子材料］
本実施形態に係る共重合体は、エレクトロルミネッセンス素子材料として好適に用いられる。本形態によれば、優れた耐久性（発光寿命）を有するエレクトロルミネッセンス素子材料が提供される。また、本実施形態に係る共重合体によれば、優れた発光効率、高い三重項エネルギー準位（電流効率）および低い駆動電圧を有するエレクトロルミネッセンス素子材料もまた提供される。さらに、本実施形態に係る共重合体は、溶媒への高い溶解性および高い耐熱性を示す。ゆえに、湿式（塗布）法により容易に製膜（薄膜化）できる。したがって、本発明は、第２の側面では、本実施形態に係る共重合体を含むエレクトロルミネッセンス素子材料が提供される。または、本発明に係る共重合体のエレクトロルミネッセンス素子材料としての使用が提供される。

［エレクトロルミネッセンス素子］
上述したように、本実施形態に係る共重合体は、エレクトロルミネッセンス素子に好適に用いられる。すなわち、一対の電極と、該電極間に配置され、本実施形態の共重合体またはエレクトロルミネッセンス素子材料を含む１層以上の有機膜と、を備える、エレクトロルミネッセンス素子を提供する。このようなエレクトロルミネッセンス素子は、優れた耐久性（発光寿命）を発揮できる。また、このようなエレクトロルミネッセンス素子は、高い発光効率（特に低駆動電圧で優れた発光効率）を発揮できる。したがって、第３の側面では、本発明は、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される１層以上の有機膜と、を備えるエレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機膜の少なくとも１層は、本実施形態に係る共重合体を含む、エレクトロルミネッセンス素子が提供される。本発明の目的（または効果）は、このような本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子によっても達成できる。上記態様の好ましい形態としては、エレクトロルミネッセンス素子は、上記電極間に配置され、三重項励起子からの発光が可能な発光材料を含む発光層をさらに備える。なお、本実施形態のエレクトロルミネッセンス素子は、本発明に係るエレクトロルミネッセンス素子の一例である。

さらに、本実施形態は、一対の電極と、該電極間に配置され、本実施形態の共重合体を含む１層以上の有機膜と、を備える、エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、上記有機膜のうち少なくとも１層を塗布法により形成する、方法を提供する。また、このような方法により、本実施形態は、上記有機膜のうち少なくとも１層が塗布法により形成される、エレクトロルミネッセンス素子を提供する。

本実施形態の共重合体、および本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子材料（ＥＬ素子材料）（以下、一括して、「共重合体／ＥＬ素子材料」とも称する）は、有機溶媒に対する溶解性に優れる。このため、本実施形態に係る共重合体／ＥＬ素子材料は、塗布法（ウェットプロセス）による素子（特に薄膜）の製造に特に好適に用いられる。このため、本実施形態は、本実施形態の共重合体と、溶媒または分散媒と、を含有する液状組成物を提供する。このような液状組成物は、本発明に係る液状組成物の一例である。

また、上記のように実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子材料が、塗布法（ウェットプロセス）による素子（特に薄膜）の製造に好適に用いられる。上記観点から、本実施形態は、本実施形態の共重合体を含有する薄膜を提供する。このような薄膜は、本発明に係る薄膜の一例である。

また、本実施形態に係るＥＬ素子材料は、ホール注入性およびホール移動性に優れる。このため、正孔注入材料、正孔輸送材料または発光材料（ホスト）等のいずれの有機膜の形成においても好適に利用され得る。このうち、正孔の輸送性の観点から、正孔注入材料または正孔輸送材料として好適に用いられ、正孔輸送材料として特に好適に用いられる。

すなわち、本実施形態は、共重合体と、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも一種の材料と、を含有する組成物を提供する。ここで、組成物に含まれる発光材料は、特に制限されないが、有機金属錯体（発光性有機金属錯体化合物）または半導体ナノ粒子（半導体無機ナノ粒子）を含有し得る。

以下では、図１を参照して、本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子について、詳細に説明する。図１は、本実施形態に係るエレクトロルミネッセンス素子を示す模式図である。なお、本明細書において、「エレクトロルミネッセンス素子」は「ＥＬ素子」と省略する場合がある。

図１に示すように、本実施形態に係るＥＬ素子１００は、基板１１０と、基板１１０上に配置された第１電極１２０と、第１電極１２０上に配置された正孔注入層１３０と、正孔注入層１３０上に配置された正孔輸送層１４０と、正孔輸送層１４０上に配置された発光層１５０と、発光層１５０上に配置された電子輸送層１６０と、電子輸送層１６０上に配置された電子注入層１７０と、電子注入層１７０上に配置された第２電極１８０とを備える。

ここで、本実施形態の共重合体／ＥＬ素子材料は、例えば、第１電極１２０と第２電極１８０との間に配置されたいずれかの有機膜（有機層）中に含まれる。具体的には、共重合体／ＥＬ素子材料は、正孔注入材料として正孔注入層１３０または正孔輸送材料として正孔輸送層１４０または発光材料（ホスト）として発光層１５０に含まれることが好ましい。共重合体／ＥＬ素子材料は、正孔注入材料として正孔注入層１３０にまたは正孔輸送材料として正孔輸送層１４０に含まれることがより好ましい。共重合体／ＥＬ素子材料は、正孔輸送材料として正孔輸送層１４０に含まれることが特に好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態では、共重合体／ＥＬ素子材料を含む有機膜が、正孔輸送層、正孔注入層または発光層である。本発明のより好ましい形態では、共重合体を含む有機膜が、正孔輸送層または正孔注入層である。本発明の特に好ましい形態では、共重合体を含む有機膜が、正孔輸送層である。

また、本実施形態の共重合体／ＥＬ素子材料を含む有機膜は、塗布法（溶液塗布法）によって形成される。具体的には、有機膜は、スピンコート（ｓｐｉｎ ｃｏａｔ）法、キャスティング（ｃａｓｔｉｎｇ）法、マイクログラビアコート（ｍｉｃｒｏ ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔ）法、グラビアコート（ｇｒａｖｕｒｅ ｃｏａｔ）法、バーコート（ｂａｒ ｃｏａｔ）法、ロールコート（ｒｏｌｌ ｃｏａｔ）法、ワイアーバーコード（ｗｉｒｅ ｂａｒ ｃｏａｔ）法、ディップコート（ｄｉｐ ｃｏａｔ）法、スプレーコート（ｓｐｒｙ ｃｏａｔ）法、スクリーン（ｓｃｒｅｅｎ）印刷法、フレキソ（ｆｌｅｘｏｇｒａｐｈｉｃ）印刷法、オフセット（ｏｆｆｓｅｔ）印刷法、インクジェット（ｉｎｋ ｊｅｔ）印刷法等の溶液塗布法を用いて製膜される。

なお、溶液塗布法に使用する溶媒は、共重合体／ＥＬ素子材料を溶解することができるものであれば、どのような溶媒でも使用することができ、使用する共重合体の種類によって適宜選択できる。例えば、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、メチシレン、プロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、ジメトキシベンゼン、アニソール、エトキシトルエン、フェノキシトルエン、イソプロピルビフェニル、ジメチルアニソール、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、シクロヘキサン等が例示できる。また、溶媒の使用量は、特に制限されないが、塗布容易性などを考慮すると、共重合体の濃度が、好ましくは０．１質量％以上１０質量％以下、より好ましくは０．５質量％以上５質量％以下程度となるような量である。

なお、共重合体／ＥＬ素子材料を含む有機膜以外の層の製膜方法については、特に限定されない。本実施形態の共重合体／ＥＬ素子材料を含む有機膜以外の層は、例えば、真空蒸着法にて製膜されてもよく、溶液塗布法にて製膜されてもよい。

基板１１０は、一般的なＥＬ素子で使用される基板を使用することができる。例えば、基板１１０は、ガラス（ｇｌａｓｓ）基板、シリコン（ｓｉｌｉｃｏｎ）基板などの半導体基板、または透明なプラスチック（ｐｌａｓｔｉｃ）基板等であってもよい。

基板１１０上には、第１電極１２０が形成される。第１電極１２０は、具体的には、陽極であり、金属、合金、または導電性化合物等のうち仕事関数が大きいものによって形成される。例えば、第１電極１２０は、透明性および導電性に優れる酸化インジウムスズ（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＳｎＯ_２：ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等によって透過型電極として形成されてもよい。また、第１電極１２０は、上記透明導電膜に対して、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などを積層することによって反射型電極として形成されてもよい。また、基板１１０上に第１電極１２０を形成した後、必要であれば、洗浄、ＵＶ－オゾン処理を行ってもよい。

第１電極１２０上には、正孔注入層１３０が形成される。正孔注入層１３０は、第１電極１２０からの正孔の注入を容易にする層であり、具体的には、約１０ｎｍ以上約１０００ｎｍ以下、より具体的には約２０ｎｍ以上約５０ｎｍ以下の厚さ（乾燥膜厚；以下同様）にて形成されてもよい。

正孔注入層１３０は、公知の正孔注入材料にて形成することができる。正孔注入層１３０を形成する公知の正孔注入材料としては、例えば、トリフェニルアミン含有ポリエーテルケトン（poly(ether ketone)-containg triphenylamine：ＴＰＡＰＥＫ）、４－イソプロピル－４’－メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート（4-isopropyl-4’-methyldiphenyliodonium tetrakis(pentafluorophenyl)borate：ＰＰＢＩ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス－［４－（フェニル－ｍ－トリル－アミノ）－フェニル］－ビフェニル－４，４’－ジアミン（N,N’-diphenyl-N,N’-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4’-diamine：ＤＮＴＰＤ）、銅フタロシアニン（copper phthalocyanine）、４，４’，４”－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine：ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン（N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenylbenzidine：ＮＰＢ）、４，４’，４”－トリス（ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(diphenylamino)triphenylamine：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”－トリス（Ｎ，Ｎ－２－ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(N,N-2-naphthylphenylamino)triphenylamine：２－ＴＮＡＴＡ）、ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸（polyaniline/dodecylbenzenesulphonic acid）、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホネート）（poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(4-styrenesulfonate)：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、およびポリアニリン／１０－カンファースルホン酸（polyaniline/10-camphorsulfonic acid）等を挙げることができる。

正孔注入層１３０上には、正孔輸送層１４０が形成される。正孔輸送層１４０は、正孔を輸送する機能を備えた層であり、例えば、約１０ｎｍ以上約１５０ｎｍ以下、より具体的には約２０ｎｍ以上約５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。正孔輸送層１４０は、本実施形態の共重合体を用いて溶液塗布法によって製膜されることが好ましい。この方法によれば、ＥＬ素子１００の耐久性（発光寿命）を延長することが可能である。また、ＥＬ素子１００の性能（発光効率）を向上させることも可能である。また、ＥＬ素子１００の電流効率を向上させ、駆動電圧を低減させることも可能である。また、溶液塗布法にて正孔輸送層を形成できるため、効率的に大面積にて製膜することができる。

ただし、ＥＬ素子１００のいずれかの他の有機膜が本実施形態に係る共重合体を含む場合、正孔輸送層１４０は、公知の正孔輸送材料にて形成されてもよい。公知の正孔輸送材料としては、例えば、１，１－ビス［（ジ－４－トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（1,1-bis[(di-4-tolylamino)phenyl]cyclohexane：ＴＡＰＣ）、Ｎ－フェニルカルバゾール（N-phenylcarbazole）およびポリビニルカルバゾール（polyvinylcarbazole）などのカルバゾール（ｃａｒｂａｚｏｌｅ）誘導体、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（N,N’-bis(3-methylphenyl)-N,N’-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4’-diamine：ＴＰＤ）、４，４’，４”－トリス（Ｎ－カルバゾリル）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(N-carbazolyl)triphenylamine：ＴＣＴＡ）、ならびにＮ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン（N,N’-di(1-naphthyl)-N,N’-diphenylbenzidine：ＮＰＢ）等を挙げることができる。

正孔輸送層１４０上には、発光層１５０が形成される。発光層１５０は、蛍光、りん光等によって光を発する層であり、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット印刷法などを用いて形成される。発光層１５０は、例えば、約１０ｎｍ以上約６０ｎｍ以下、より具体的には約２０ｎｍ以上約５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。発光層１５０の発光材料としては、公知の発光材料を用いることができる。ただし、発光層１５０に含まれる発光材料は、三重項励起子からの発光（すなわち、りん光発光）が可能な発光材料であることが好ましい。このような場合、ＥＬ素子１００の駆動寿命をさらに向上させることができる。

発光層１５０は、特に制限されず、公知の構成とすることができる。好ましくは、発光層は、半導体ナノ粒子または有機金属錯体を含む。すなわち、本発明の好ましい形態では、有機膜が半導体ナノ粒子または有機金属錯体を含む発光層を有する。なお、発光層が半導体ナノ粒子を含む場合には、ＥＬ素子は、量子ドットエレクトロルミネッセンス素子（ＱＬＥＤ）、量子ドット発光素子または量子点発光素子である。また、発光層が有機金属錯体を含む場合には、ＥＬ素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子（ＯＬＥＤ）である。

発光層が半導体ナノ粒子を含む形態（ＱＬＥＤ）において、発光層は、多数の半導体ナノ粒子（量子ドット）が単一層または複数層に配列されたものである。ここで、半導体ナノ粒子（量子ドット）は、量子拘束効果を持つ所定サイズの粒子である。半導体ナノ粒子（量子ドット）の直径は、特に制限されないが、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下程度である。

発光層に配列される半導体ナノ粒子（量子ドット）は、ウェット化学工程、有機金属化学蒸着工程、分子線エピタキシー工程または他の類似した工程等により合成することができる。中でも、ウェット化学工程は、有機溶媒に前駆体物質を入れて粒子を成長させる方法である。

ウェット化学工程では、結晶が成長する際に、有機溶媒が自然に量子ドット結晶の表面に配位されて、分散剤の役割を果たすことで、結晶の成長が調節される。そのため、ウェット化学工程では、有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ、Metal Organic Chemical Vapor Deposition）や、分子線エピタキシー（ＭＢＥ、Molecular Beam Epitaxy）などの気相蒸着法に比べて、容易かつ低コストで、半導体ナノ粒子の成長を制御することができる。

半導体ナノ粒子（量子ドット）は、そのサイズを調節することによって、エネルギーバンドギャップを調節できるようになり、発光層（量子ドット発光層）で多様な波長帯の光を得ることができる。したがって、複数の異なるサイズの量子ドットを使用することで、複数波長の光を出射（または発光）するディスプレイを可能にする。量子ドットのサイズは、カラーディスプレイを構成できるように、赤色、緑色、青色光が出射されるように選択できる。また、量子ドットのサイズは、多様なカラー光が白色光を出射するように組み合わせられる。

半導体ナノ粒子（量子ドット）としては、ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物；ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物；ＩＶ族元素または化合物；及びこれらの組み合わせからなる群から選択される半導体物質等を用いることができる。

ＩＩ－ＶＩ族半導体化合物は、特に限定されないが、例えば、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物；ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＴｅＳｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅ、ＨｇＺｎＴｅ及びこれらの混合物からなる群から選択される三元素化合物；及びＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される四元素化合物からなる群から選択される。

ＩＩＩ－Ｖ族半導体化合物は、特に限定されないが、例えば、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、及びこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物；ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰ、及びこれらの混合物からなる群から選択される三元素化合物；及びＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂ、及びこれらの混合物からなる群から選択される四元素化合物からなる群から選択される。

ＩＶ－ＶＩ族半導体化合物は、特に限定されないが、例えば、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物；ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される三元素化合物；及びＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される四元素化合物からなる群から選択されることができる。

ＩＶ族元素または化合物は、特に限定されないが、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される一元素化合物；及びＳｉＣ、ＳｉＧｅ、及びこれらの混合物からなる群から選択される二元素化合物からなる群から選択される。

半導体ナノ粒子（量子ドット）は、均質な単一構造またはコア・シェルの二重構造を持つことができる。コア・シェルは相異なる物質を含むことができる。それぞれのコアとシェルとを構成する物質は、相異なる半導体化合物からなり得る。ただし、シェル物質のエネルギーバンドギャップは、コア物質のエネルギーバンドギャップより大きい。具体的には、ＺｎＴｅＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ、ＣｄＳｅ／ＺｎＳ、ＩｎＰ／ＺｎＳなどの構造が好ましい。

例えば、コア（ＣｄＳｅ）・シェル（ＺｎＳ）構造を持つ量子ドットを作製する場合を説明する。まず、界面活性剤として、ＴＯＰＯ（trioctylphosphine oxide）を使用した有機溶媒に、（ＣＨ_３）_２Ｃｄ（dimethylcadmium）、ＴＯＰＳｅ（trioctylphosphine selenide）などのコア（ＣｄＳｅ）の前駆体物質を注入して結晶を生成させる。このとき、結晶が一定のサイズに成長するように高温で一定時間維持した後、シェル（ＺｎＳ）の前駆体物質を注入して、既に生成されたコアの表面にシェルを形成させる。これによって、ＴＯＰＯでキャッピングされたＣｄＳｅ／ＺｎＳの量子ドットを作製することができる。

また、発光層が有機金属錯体を含む形態（ＯＬＥＤ）において、発光層１５０は、ホスト材料として、例えば、６，９－ジフェニル－９’－（５’－フェニル－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－３－イル）３，３’－ビ［９Ｈ－カルバゾール］、３，９－ジフェニル－５－（３－（４－フェニル－６－（５’－フェニル－［１，１’：３’，１”－ターフェニル］－３－イル）－１，３，５，－トリアジン－２－イル）フェニル）－９Ｈ－カルバゾール、９，９’－ジフェニル－３，３’－ビ［９Ｈ－カルバゾール］、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（tris(8-quinolinato)aluminium：Ａｌｑ３）、４，４’－ビス（カルバゾール－９－イル）ビフェニル（4,4’-bis(carbazol-9-yl)biphenyl：ＣＢＰ）、ポリ（ｎ－ビニルカルバゾール）（poly(n-vinyl carbazole)：ＰＶＫ）、９，１０－ジ（ナフタレン－２－イル）アントラセン（9,10-di(naphthalene)anthracene：ＡＤＮ）、４，４’，４”－トリス（Ｎ－カルバゾリル）トリフェニルアミン（4,4’,4”-tris(N-carbazolyl)triphenylamine：ＴＣＴＡ）、１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン（1,3,5-tris(N-phenyl-benzimidazol-2-yl)benzene：ＴＰＢＩ）、３－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（ナフト－２－イル）アントラセン（3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene：ＴＢＡＤＮ）、ジスチリルアリーレン（distyrylarylene：ＤＳＡ）、４，４’－ビス（９－カルバゾール）－２，２’－ジメチル－ビフェニル（4,4’-bis(9-carbazole)2,2’-dimethyl-bipheny：ｄｍＣＢＰ）などを含んでもよい。

また、発光層１５０は、ドーパント材料として、例えば、ペリレン（perylene）およびその誘導体、ルブレン（rubrene）およびその誘導体、クマリン（coumarin）およびその誘導体、４－ジシアノメチレン－２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）－６－メチル－４Ｈ－ピラン（4-dicyanomethylene-2-(pdimethylaminostyryl)-6-methyl-4H-pyran：ＤＣＭ）およびその誘導体、ビス［２－（４，６－ジフルオロフェニル）ピリジネート］ピコリネートイリジウム（ＩＩＩ）（bis[2-(4,6-difluorophenyl)pyridinate]picolinate iridium(III)：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（１－フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate)iridium(III)：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（tris(2-phenylpyridine)iridium(III)：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、トリス（２－（３－ｐ－キシイル）フェニル）ピリジンイリジウム（ＩＩＩ）などイリジウム（Ｉｒ）錯体、オスミウム（Ｏｓ）錯体、白金錯体などを含んでもよい。これらのうち、発光材料が発光性有機金属錯体化合物であることが好ましい。

発光層を形成する方法は、特に制限されない。半導体ナノ粒子または有機金属錯体を含む塗布液を塗布すること（溶液塗布法）によって形成できる。この際、塗布液を構成する溶媒としては、正孔輸送層中の材料（正孔輸送材料、特に共重合体）を溶解しない溶媒を選択することが好ましい。

発光層１５０上には、電子輸送層１６０が形成される。電子輸送層１６０は、電子を輸送する機能を備えた層であり、真空蒸着法、スピンコーティング法、インクジェット法などを用いて形成される。電子輸送層１６０は、例えば、約１５ｎｍ以上約５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。

電子輸送層１６０は、公知の電子輸送材料にて形成されてもよい。公知の電子輸送材料としては、例えば、（８－キノリノラト）リチウム（リチウムキノレート）（Ｌｉｑ）、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（tris(8-quinolinato)aluminium：Ａｌｑ_３）、および含窒素芳香環を有する化合物等を挙げることができる。含窒素芳香環を有する化合物の具体例としては、例えば、１，３，５－トリ［（３－ピリジル）－フェン－３－イル］ベンゼン（1,3,5-tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene）のようなピリジン（pyridine）環を含む化合物、２，４，６－トリス（３’－（ピリジン－３－イル）ビフェニル－３－イル）－１，３，５－トリアジン（2,4,6-tris(3’-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl)-1,3,5-triazine）のようなトリアジン（triazine）環を含む化合物、２－（４－（Ｎ－フェニルベンゾイニダゾリル－１－イル－フェニル）－９，１０－ジナフチルアントラセン（2-(4-(N-phenylbenzoimidazolyl-1-yl-phenyl)-9,10-dinaphthylanthracene）、１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン（1,3,5-tris(N-phenyl-benzimidazol-2-yl)benzene：ＴＰＢＩ）のようなイミダゾール（imidazole）環を含む化合物等を挙げることができる。上記電子輸送材料は、１種を単独で使用してもまたは２種以上の混合物として使用してもよい。

電子輸送層１６０上には、電子注入層１７０が形成される。電子注入層１７０は、第２電極１８０からの電子の注入を容易にする機能を備えた層である。電子注入層１７０は、真空蒸着法などを用いて形成される。電子注入層１７０は、約０．１ｎｍ以上約５ｎｍ以下、より具体的には約０．３ｎｍ以上約２ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。電子注入層１７０を形成する材料として公知の材料ならば、いずれも使用することができる。例えば、電子注入層１７０は、（８－キノリノラト）リチウム（リチウムキノレート）（(8-quinolinato)lithium：Ｌｉｑ）およびフッ化リチウム（ＬｉＦ）等のリチウム（lithium）化合物、塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）、または酸化バリウム（ＢａＯ）等にて形成されてもよい。

電子注入層１７０上には、第２電極１８０が形成される。第２電極１８０は、真空蒸着法などを用いて形成される。第２電極１８０は、具体的には、陰極であり、金属、合金、または導電性化合物等のうち仕事関数が小さいものによって形成される。例えば、第２電極１８０は、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）等の金属、またはアルミニウム－リチウム（Ａｌ－Ｌｉ）、マグネシウム－インジウム（Ｍｇ－Ｉｎ）、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）等の合金で反射型電極として形成されてもよい。第２電極１８０は、約１０ｎｍ以上約２００ｎｍ以下、より具体的には約５０ｎｍ以上約１５０ｎｍ以下の厚さにて形成されてもよい。または、第２電極１８０は、上記金属材料の２０ｎｍ以下の薄膜、酸化インジウムスズ（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＳｎＯ_２）および酸化インジウム亜鉛（Ｉｎ_２Ｏ_３－ＺｎＯ）などの透明導電膜によって透過型電極として形成されてもよい。

以上、本発明に係るエレクトロルミネッセンス素子の一例として、本実施形態に係るＥＬ素子１００について説明した。本実施形態に係るＥＬ素子１００は、共重合体を含む有機膜（特に正孔輸送層または正孔注入層）を設置することにより、耐久性（発光寿命）をより向上させることができる。また、発光効率（電流効率）をより向上させ、駆動電圧を低減させることができる。

なお、本実施形態に係るＥＬ素子１００の積層構造は、上記例示に限定されない。本実施形態に係るＥＬ素子１００は、他の公知の積層構造にて形成されてもよい。例えば、ＥＬ素子１００は、正孔注入層１３０、正孔輸送層１４０、電子輸送層１６０および電子注入層１７０のうちの１層以上が省略されてもよく、また、追加で他の層を備えていてもよい。また、ＥＬ素子１００の各層は、それぞれ単層で形成されてもよく、複数層で形成されてもよい。

例えば、ＥＬ素子１００は、励起子または正孔が電子輸送層１６０に拡散することを防止するために、正孔輸送層１４０と発光層１５０との間に正孔阻止層をさらに備えていてもよい。なお、正孔阻止層は、例えば、オキサジアゾール（oxadiazole）誘導体、トリアゾール（triazole）誘導体、または、フェナントロリン（phenanthroline）誘導体等によって形成することができる。

さらに、本実施形態に係る共重合体は、上記ＱＬＥＤまたはＯＬＥＤ以外のエレクトロルミネッセンス素子に適用することができる。本実施形態に係る共重合体を適用することが可能な他のエレクトロルミネッセンス素子としては、特に限定されないが、例えば、有機無機ペロブスカイト発光素子等が挙げられる。

本発明の効果を、以下の実施例および比較例を用いて説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。なお、下記実施例において、特記しない限り、操作は室温（２５℃）で行われた。また、特記しない限り、「％」および「部」は、それぞれ、「質量％」および「質量部」を意味する。

合成例１
（中間体１－１の合成）
中間体１－１を下記反応に従って合成した。

アルゴン雰囲気下、反応器中に２－ブロモ－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］（東京化成工業株式会社製）（５．０ｇ、１２．６ｍｍｏｌ）、Ｎ－フェニル－４－ビフェニルアミン（３．１ｇ、１２．６ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（ｔＢｕＯＮａ）（２．４２ｇ、２５．２ｍｍｏｌ）、脱水キシレン１００ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３）（０．１７３ｇ、０．１８９ｍｍｏｌ）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフェニル（ＳＰｈｏｓ）（０．１５５ｇ、０．３７８ｍｍｏｌ）を加えて４時間加熱還流撹拌した。

反応終了後、室温に冷却し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を通して濾過を行い、濾液を濃縮した。濃縮残渣に対して２－プロパノールを装入して洗浄（２回）を行い、７．１ｇの固体（中間体１-1）を得た（収率：９９％)。

（中間体１－２の合成）
中間体１－２を下記反応に従って合成した。

アルゴン雰囲気下、反応器に上記で得られた中間体１－１（１１．０ｇ、２０．５ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（２００ｍＬ）およびテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（２００ｍＬ）を入れ、室温で撹拌した。ＤＭＦ（２００ｍＬ）に溶解したＮ－ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）（３．７ｇ、２０．５ｍｍｏｌ）を滴下し、１４分間撹拌した。トルエン（１００ｍＬ）を加え、水（２００ｍＬ）で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し、カラムクロマトグラフィーで精製し、１０．６ｇの固体（中間体１－２）を得た（収率：８０％）。

（中間体１－３の合成）
中間体１－３を下記反応に従って合成した。

アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体１－２（７．４ｇ、１１．６ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（８．８ｇ、３４．８ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（３．０ｇ、３４．７ｍｍｏｌ）、［ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ））（０．２５ｇ、０．３５ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン（７０ｍｌ）を加えた後、混合した。次に、混合物を還流下で６時間攪拌し、反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体１－３（７．８ｇ）を得た（収率：９８％）。

（化合物１の合成）
化合物１を下記反応に従って合成した。

アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体１－３（７．８ｇ、１１．４ｍｍｏｌ）、１，４－ジブロモ－２－ヨードベンゼン（７．０ｇ、１９．３ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（２．０ｇ、１９．３ｍｍｏｌ）、１，４－ジオキサン１６０ｍＬ、水８０ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ［ＰＰｈ_３］_４）（０．６５ｇ、０．５７ｍｍｏｌ）を加えて７時間加熱還流撹拌した。反応終了後、室温に冷却し試料を分液ロートに移しトルエンにて抽出した。有機層をＭｇＳＯ４で乾燥後、ろ過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、３．１ｇの白色固体（化合物１）を得た（収率：３４％）。

合成例２
（中間体２－１の合成）
中間体２－１を下記反応に従って合成した。

アルゴン雰囲気下、反応器中に９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（１４．４ｇ、４３．６ｍｍｏｌ）、４－ブロモ－４’－プロピルビフェニル（１０．０ｇ、３６．３ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（ｔＢｕＯＮａ）（３．５ｇ、３６．３ｍｍｏｌ）、脱水トルエン２００ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３）（０．３３２ｇ、０．３６３ｍｍｏｌ）、１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ）（０．４０ｇ、０．７２７ｍｍｏｌ）を加えて５時間加熱還流撹拌した。

反応終了後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体２－１（１６．５ｇ）を得た（収率：８６％）。

（中間体２－２の合成）
中間体２－２を下記反応に従って合成した。

アルゴン雰囲気下、反応器中に上記で得られた中間体２－１（１２．０ｇ、２２．８ｍｍｏｌ）、ヨードクロロベンゼン（１０．９ｇ、４５．６ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（ｔＢｕＯＮａ）（２．４ｇ、２５．１ｍｍｏｌ）、脱水トルエン２００ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３）（１．０５ｇ、１．１４ｍｍｏｌ）、１，１’－ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（ｄｐｐｆ）（１．２７ｇ、２．２８ｍｍｏｌ）を加えて９時間加熱還流撹拌した。

反応終了後、室温に冷却し、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を通して濾過を行い、濾液を濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、１１．３ｇの固体（中間体２－２）を得た（収率：７８％)。

（中間体２－３の合成）
中間体２－３を下記反応に従って合成した。

アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体２－２（１１．０ｇ、１７．３ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（８．８ｇ、３４．６ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（５．１ｇ、５１．９ｍｍｏｌ）、ジオキサン（８０ｍｌ）を加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３）（０．４７ｇ、０．５２ｍｍｏｌ）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，４’，６’－トリイソプロピルビフェニル(2-Dicyclohexylphosphino-2′,4′,6′-triisopropylbiphenyl)（Ｘｐｈｏｓ）（０．９９ｇ、２．０８ｍｍｏｌ）を加えて８時間加熱還流撹拌した。

反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体２－３（４．６ｇ）を得た（収率：３７％）。

（化合物２の合成）
化合物２を下記反応に従って合成した。

アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体２－３（４．６ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、１，４－ジブロモ－２－ヨードベンゼン（３．４ｇ、９．５ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（１．０ｇ、９．５ｍｍｏｌ）、ジオキサン６０ｍＬ、水３０ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ［ＰＰｈ_３］_４）（０．３６ｇ、０．３２ｍｍｏｌ）を加えて１３時間加熱還流撹拌した。

反応終了後、室温に冷却し試料を分液ロートに移しトルエンにて抽出した。有機層をＭｇＳＯ_４で乾燥後、ろ過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、４．２ｇの白色固体（化合物２）を得た（収率：７５％）。

合成例３
（中間体３－１の合成）
中間体３－１を下記反応に従って合成した。

１Ｌ－四つ口フラスコに、２－クロロ－カルバゾール（４２．２ｇ、０．２０９ｍｏｌ）、４－ブロモヘキシルベンゼン（５０．２ｇ、０．２０８ｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３）（９．５７ｇ）、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスホニウムテトラフルオロボラート（ｔ－Ｂｕ_３Ｐ・ＢＦ_４）（４．５５ｇ）、ｔ－ブトキシナトリウム（ｔ－ＢｕＯＮａ）（４０．２ｇ）、トルエン（５００ｍＬ）を入れ、窒素雰囲気で、１００℃で８時間加熱、攪拌した。室温（２５℃）まで放冷し、不溶物をセライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）でろ別した。ろ液から溶媒を減圧留去し、カラムクロマトグラフィーで精製し、中間体３－１（５６．８ｇ、０．１５７ｍｏｌ）を得た。

（中間体３－２の合成）
中間体３－２を下記反応に従って合成した。

アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体３－１（６．３ｇ、１７．３ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（８．８ｇ、３４．６ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（５．１ｇ、５１．９ｍｍｏｌ）、ジオキサン（８０ｍｌ）を加えて３０分間撹拌した。その後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（Ｐｄ_２（ｄｂａ）_３）（０．４７ｇ、０．５２ｍｍｏｌ）、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，４’，６’－トリイソプロピルビフェニル(2-Dicyclohexylphosphino-2′,4′,6′-triisopropylbiphenyl)（Ｘｐｈｏｓ）（０．９９ｇ、２．０８ｍｍｏｌ）を加えて８時間加熱還流撹拌した。

反応が終了した後、反応混合液を室温まで放冷した。次に、セライト（Ｃｅｌｉｔｅ：登録商標）を用いて、反応混合液を濾過し、不純物を濾別した。次に、濾液から溶媒を留去した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、中間体３－２（４．７ｇ）を得た（収率：６０％）。

（化合物３の合成）
化合物３を下記反応に従って合成した。

アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体３－２（５．０ｇ、１１．０ｍｍｏｌ）、１，４－ジブロモ－２－ヨードベンゼン（６．０ｇ、１６．５ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（１．７５ｇ、１６．５ｍｍｏｌ）、ジオキサン６０ｍＬ、水３０ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ［ＰＰｈ_３］_４）（０．６４ｇ、０．５５ｍｍｏｌ）を加えて２１時間加熱還流撹拌した。

反応終了後、室温に冷却し試料を分液ロートに移しトルエンにて抽出した。有機層をＭｇＳＯ_４で乾燥後、ろ過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、４．５ｇの白色固体（化合物３）を得た（収率：７２％）。

合成例４
（化合物４の合成）
化合物４を下記反応に従って合成した。

アルゴン雰囲気下、反応容器中に上記で得られた中間体３－２（５．０ｇ、１１．０ｍｍｏｌ）、１，５－ジブロモ－３－ヨードベンゼン（６．０ｇ、１６．５ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（１．７５ｇ、１６．５ｍｍｏｌ）、ジオキサン６０ｍＬ、水３０ｍＬを加えて３０分間撹拌した。その後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（Ｐｄ［ＰＰｈ_３］_４）（０．６４ｇ、０．５５ｍｍｏｌ）を加えて２１時間加熱還流撹拌した。

反応終了後、室温に冷却し試料を分液ロートに移しトルエンにて抽出した。有機層をＭｇＳＯ_４で乾燥後、ろ過、濃縮した。濃縮残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、４．９ｇの白色固体（化合物４）を得た（収率：７９％）。

実施例１
（共重合体Ａ－１の合成）
アルゴン雰囲気下、上記合成例１で合成した化合物１（１．６９７ｇ）、４－（１－メチルプロピル）－Ｎ，Ｎ－ビス［４－（４，４，５，５，－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）フェニル］－ベンゼンアミン(4-(1-methylpropyl)-N,N-bis[4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl]-benzenamine)（１．１８３ｇ）、酢酸パラジウム（９．６ｍｇ）、及び、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（２８．８ｍｇ）、トルエン（５８ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．０２ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（２６０ｍｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（９０．１ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．０２ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（６．８６ｇ）、及び、イオン交換水（４０ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別、および乾燥し、共重合体Ａ－１を得た（１．４８ｇ）。得られた共重合体Ａ－１の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、共重合体Ａ－１の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、７２，８００および３．１７であった。

このようにして得られた共重合体Ａ－１は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位を有し、本発明に係る構成単位Ａおよび構成単位Ｂが交互に重合した高分子化合物であると推定される。

実施例２
（共重合体Ａ－２の合成）
アルゴン雰囲気下、上記合成例２で合成した化合物２（１．７１０ｇ）、４－（１－メチルプロピル）－Ｎ，Ｎ－ビス［４－（４，４，５，５，－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）フェニル］－ベンゼンアミン(4-(1-methylpropyl)-N,N-bis[4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl]-benzenamine)（１．１３２ｇ）、酢酸パラジウム（９．２ｍｇ）、及び、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（４３．３ｍｇ）、トルエン（５７ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１０．５５ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（２４８ｍｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（８６．２ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１０．５５ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（６．８６ｇ）、及び、イオン交換水（４０ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別、および乾燥し共重合体Ａ－２を得た（１．１４ｇ）。得られた共重合体Ａ－２の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、共重合体Ａ－２の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、５５，３００および２．３５であった。

このようにして得られた共重合体Ａ－２は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位を有し、本発明に係る構成単位Ａおよび構成単位Ｂが交互に重合した高分子化合物であると推定される。

実施例３
アルゴン雰囲気下、上記合成例３で合成した化合物３（１．５９７ｇ）、４－（１－メチルプロピル）－Ｎ，Ｎ－ビス［４－（４，４，５，５，－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）フェニル］－ベンゼンアミン(4-(1-methylpropyl)-N,N-bis[4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl]-benzenamine)（１．５７４ｇ）、酢酸パラジウム（１２．８ｍｇ）、及び、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（６０．１ｍｇ）、トルエン（６３ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１４．６６ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（３４４ｍｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１１９ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１４．６６ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（６．８６ｇ）、及び、イオン交換水（４０ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別、および乾燥し共重合体Ａ－３を得た（１．００ｇ）。得られた共重合体Ａ－３の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、共重合体Ａ－３の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、６６，４００および６．５４であった。

このようにして得られた共重合体Ａ－３は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位を有し、本発明に係る構成単位Ａおよび構成単位Ｂが交互に重合した高分子化合物であると推定される。

実施例４
アルゴン雰囲気下、上記合成例４で合成した化合物４（１．５９７ｇ）、４－（１－メチルプロピル）－Ｎ，Ｎ－ビス［４－（４，４，５，５，－テトラメチル－１，３，２－ジオキサボロラン－２－イル）フェニル］－ベンゼンアミン(4-(1-methylpropyl)-N,N-bis[4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl]-benzenamine)（１．５７４ｇ）、酢酸パラジウム（１２．８ｍｇ）、及び、トリス（２－メトキシフェニル）ホスフィン（６０．１ｍｇ）、トルエン（６３ｍＬ）、および２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１４．６６ｇ）を加え、８時間還流した。次に、フェニルボロン酸（３４４ｍｇ）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（１１９ｍｇ）、及び、２０質量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１４．６６ｇ）を加え、７時間加熱還流した。その後、水層を除き、Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（６．８６ｇ）、及び、イオン交換水（４０ｍＬ）を加え８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層を水、３質量％酢酸水溶液、水で洗浄した。有機層をメタノールに滴下して高分子化合物を沈殿させ、ろ取、乾燥することで、固体を得た。この固体をトルエンに溶解して、シリカゲル／アルミナを充填したカラムクロマトグラフィーに通し、溶媒を減圧留去した。得られた液体をメタノールに滴下し、析出した固体をろ別、および乾燥し共重合体Ａ－４を得た（０．５２ｇ）。得られた共重合体Ａ－４の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、共重合体Ａ－４の重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、５，０３０および１．３８であった。

このようにして得られた共重合体Ａ－４は、単量体の仕込み比から以下の繰り返し単位を有し、本発明に係る構成単位Ａおよび構成単位Ｂが交互に重合した高分子化合物であると推定される。

上記実施例１～４の共重合体Ａ－１～Ａ－４および下記比較例１で使用されるポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ）について、下記方法により、ＨＯＭＯレベル（ｅＶ）、ＬＵＭＯレベル（ｅＶ）およびガラス転移温度（Ｔｇ）（℃）を測定した。また、上記実施例１～４の共重合体Ａ－１～Ａ－４の構成単位Ａの単独重合体及び構成単位Ｂの単独重合体のＨＯＭＯレベル（ｅＶ）についても下記方法により測定した。結果を下記表１に示す。なお、下記表１中、共重合体、構成単位Ａの単独重合体および構成単位Ｂの単独重合体のＨＯＭＯレベルを、それぞれ、ＨＯＭＯレベルの「共重合体」、「構成単位Ａ」および「構成単位Ｂ」に示す。

（ＨＯＭＯレベルの測定）
各共重合体（または単独重合体）を、濃度が１質量％となるようにキシレンに溶解させ、塗布液を調製する。ＵＶ洗浄したＩＴＯ付きガラス基板上に、上記で調製した塗布液を用い、回転数２０００ｒｐｍの条件で、スピンコート法により製膜した後、ホットプレート上で、１５０℃、３０分の条件で乾燥させ、測定用のサンプルを作製する。大気中光電子分光装置（理研計器株式会社製、ＡＣ－３）を用いて、サンプルのＨＯＭＯレベルを測定する。このとき、測定結果から、立ち上がりの接線交点を算出し、ＨＯＭＯレベル（ｅＶ）とする。なお、ＨＯＭＯレベルは、通常、負の数値である。

（ＬＵＭＯレベルの測定）
各共重合体を、濃度が３．２質量％となるようにトルエンに溶解させ、塗布液を調製する。ＵＶ洗浄したＩＴＯ付きガラス基板上に、上記で調製した塗布液を用い、回転数１６００ｒｐｍの条件で、スピンコート法により製膜した後、ホットプレート上で、２５０℃、６０分の条件で乾燥させ、測定用のサンプル（製膜された膜の膜厚：約７０ｎｍ）を作製する。得られたサンプルを７７Ｋ（－１９６℃）まで冷却して、フォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを測定する。ＰＬスペクトルの最も短波長側のピーク値から、ＬＵＭＯ準位（ｅＶ）を算出する。

（ガラス転移温度（Ｔｇ））
各共重合体を、示差走査熱量計（ＤＳＣ）（セイコーインスツル社製、商品名：ＤＳＣ６０００）を用いて、昇温速度１０℃／分で３００℃まで昇温して１０分間保持したサンプルを、降温速度１０℃／分で２５℃まで冷却して１０分間保持した後、昇温速度１０℃／分で３００℃まで昇温して測定を行う。測定終了後は１０℃／分で室温（２５℃）まで冷却する。

実施例５
（電界発光素子１の作製）
第１電極（陽極）として、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が膜厚１５０ｎｍでパターニングされているＩＴＯ付きガラス基板を使用した。このＩＴＯ付きガラス基板を、中性洗剤、脱イオン水、水及びイソプロピルアルコールを用いて順次洗浄した後、ＵＶ－オゾン処理を実施した。次に、このＩＴＯ付きガラス基板上に、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）（Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ製）を、乾燥膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコート法により塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの正孔注入層がＩＴＯ付きガラス基板上に形成された。

次に、実施例１で合成した共重合体Ａ－１（正孔輸送材料）をトルエン（溶媒）に１質量％濃度で溶解して正孔輸送層形成用塗布液（１）を調製した。上記で形成した正孔注入層上に、この正孔輸送層形成用塗布液（１）を厚さ（乾燥膜厚）が３０ｎｍになるようにスピンコート法にて塗布した後、２３０℃で１時間加熱して、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

シクロヘキサン中に、下記構造：

を有するＺｎＴｅＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ（コア／シェル／シェル；平均直径＝約１０ｎｍ）の青色量子ドットを、１．０質量％となるように分散させ、量子ドット分散液を調製した。なお、正孔輸送層（特に共重合体Ａ－１）はシクロヘキサンには溶解しない。この量子ドット分散液を、乾燥膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコート法により上記正孔輸送層上に塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの量子ドット発光層が正孔輸送層上に形成された。なお、量子ドット分散液に紫外線を照射することにより発せられる光は、中心波長が４６２ｎｍ、半値幅が３０ｎｍであった。

この量子ドット発光層を完全に乾燥させた。この量子ドット発光層上に、真空蒸着装置を用いて、リチウムキノレート（Ｌｉｑ）及び電子輸送材料としての１，３，５－トリス（Ｎ－フェニルベンズイミダゾール－２－イル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）（Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ製）を共蒸着させた。その結果、厚さが３６ｎｍの電子輸送層が量子ドット発光層上に形成された。

真空蒸着装置を用いて、この電子輸送層上に、（８－キノリノラト）リチウム（リチウムキノレート）（Ｌｉｑ）を蒸着させた。その結果、厚さ０．５ｎｍの電子注入層が電子輸送層上に形成された。

上記で形成した電子注入層上に、アルミニウム（以下、Ａｌ）を真空蒸着装置にて蒸着させて、厚さが１００ｎｍの第２電極（陰極）を電子注入層上に形成した。これにより、電界発光素子１（量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１）を得た。

実施例６
（電界発光素子２の作製）
実施例５において、共重合体Ａ－１の代わりに、実施例２の共重合体Ａ－２を使用する以外は、実施例５と同様の操作を行い、電界発光素子２（量子ドットエレクトロルミネッセンス素子２）を作製した。

実施例７
（電界発光素子３の作製）
実施例５において、共重合体Ａ－１の代わりに、実施例３の共重合体Ａ－３を使用する以外は、実施例５と同様の操作を行い、電界発光素子３（量子ドットエレクトロルミネッセンス素子３）を作製した。

実施例８
（電界発光素子４の作製）
実施例５において、共重合体Ａ－１の代わりに、実施例４の共重合体Ａ－４を使用する以外は、実施例５と同様の操作を行い、電界発光素子４（量子ドットエレクトロルミネッセンス素子４）を作製した。

比較例１
（比較電界発光素子１の作製）
実施例５において、共重合体Ａ－１の代わりに、下記構成単位を有するポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ）（Luminescence Technology Corp.製）を使用する以外は、実施例５と同様の操作を行い、比較電界発光素子１（比較量子ドットエレクトロルミネッセンス素子１）を作製した。なお、ＴＦＢの重量平均分子量（Ｍｗ）および分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）をＳＥＣで測定した。その結果、ＴＦＢの重量平均分子量（Ｍｗ）及び分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は、それぞれ、３５９，０００および３．４０であった。

［電界発光素子の評価］
上記実施例５～６にて作製した電界発光素子１～２および比較例１にて作製した比較電界発光素子１について、下記方法により、発光効率（EQE）および耐久性（ＬＴ５０）を評価した。結果を下記表２に示す。なお、下記表２では、電界発光素子１～２の耐久性（ＬＴ５０）は、比較例１のＬＴ５０を１．０とした場合の相対値として示す。

また、上記実施例１～２の共重合体Ａ－１～Ａ－２および上記比較例１で使用されるポリ［（９，９－ジオクチルフルオレニル－２，７－ジイル）－ｃｏ－（４，４’－（Ｎ－（４－ｓｅｃ－ブチルフェニル）ジフェニルアミン）］（ＴＦＢ）について、下記方法により、Hole Current Density @ 8Vを評価した。結果を下記表２に示す。

（ＥＱＥ）
各電界発光素子に対して、電圧を印加すると、一定の電圧で電流が流れ始め、電界発光素子が発光する。直流定電圧電源（ＫＥＹＥＮＣＥ製、ソースメータ(source meter)）を用いて、各素子に対して、徐々に電圧を増加させ、その時の電流値を計測し、発光時の輝度を輝度測定装置（Ｔｏｐｃｏｍ製、ＳＲ－３）を用いて測定する。ここで、輝度が減衰を始めた時点で測定を終了する。各素子の面積から単位面積あたりの電流値（電流密度）を計算し、輝度（ｃｄ／ｍ^２）を電流密度（Ａ／ｍ^２）にて除算することで、電流効率（ｃｄ／Ａ）を算出する。

また、輝度測定装置で測定した分光放射輝度スペクトルから、ランバシアン放射を行ったと仮定して、Ｃｄ／Ａ ｍａｘ時の外部量子効率（ＥＱＥ）（％）を算出し、発光効率を評価する。

（Ｈｏｌｅ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｄｅｎｓｉｔｙ ＠ ８Ｖ）
第１電極（陽極）として、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が膜厚１５０ｎｍでパターニングされているＩＴＯ付きガラス基板を使用した。このＩＴＯ付きガラス基板を、中性洗剤、脱イオン水、水及びイソプロピルアルコールを用いて順次洗浄した後、ＵＶ－オゾン処理を実施した。次に、このＩＴＯ付きガラス基板上に、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４－スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）（Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ製）を、乾燥膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコート法により塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ（乾燥膜厚）３０ｎｍの正孔注入層がＩＴＯ付きガラス基板上に形成された。

次に、各共重合体（または単独重合体）（正孔輸送材料）をトルエン（溶媒）に１質量％濃度で溶解して正孔輸送層形成用塗布液（１）を調製した。上記で形成した正孔注入層上に、この正孔輸送層形成用塗布液（１）を厚さ（乾燥膜厚）が２５ｎｍになるようにスピンコート法にて塗布した後、２３０℃で１時間加熱して、厚さ（乾燥膜厚）２５ｎｍの正孔輸送層を形成した。

シクロヘキサン中に、実施例５で使用したのと同様のＺｎＴｅＳｅ／ＺｎＳｅ／ＺｎＳ（コア／シェル／シェル；平均直径＝約１０ｎｍ）の青色量子ドットを、１．０質量％となるように分散させ、量子ドット分散液を調製した。なお、正孔輸送層（特に共重合体Ａ－１～Ａ－４）はシクロヘキサンには溶解しない。この量子ドット分散液を、乾燥膜厚が２０ｎｍになるようにスピンコート法により上記正孔輸送層上に塗布した後、乾燥させた。その結果、厚さ（乾燥膜厚）２０ｎｍの量子ドット発光層が正孔輸送層上に形成された。

この量子ドット発光層を完全に乾燥させた。この量子ドット発光層上に、真空蒸着装置を用いて、α－ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ジ－１－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンジジン）と、ＨＡＴ－ＣＮ（ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル）とを、順に真空蒸着法により蒸着させて、それぞれ厚さ３６ｎｍ、１０ｎｍとなるように電子阻止層を形成した。

上記で形成した電子阻止層上に、アルミニウム（以下、Ａｌ）を真空蒸着装置にて蒸着させて、厚さが１００ｎｍの第２電極（陰極）を電子阻止層上に形成した。これにより、ホールオンリー素子１～４（それぞれ、共重合体Ａ－１～Ａ－４を正孔輸送材料として使用）および比較ホールオンリー素子１（ＴＦＢを正孔輸送材料として使用）を得た。

上記にて得られたホールオンリー素子に対し、それぞれ、直流定電圧電源（ＫＥＹＥＮＣＥ製、ソースメータ(source meter)）を用いて、徐々に電圧を増加させ、８Ｖでの電流値（電流密度（Ａ／ｍ^２））を計測し、これを「Ｈｏｌｅ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｄｅｎｓｉｔｙ ＠ ８Ｖ」とする。

（ＬＴ５０）
直流定電圧電源（株式会社キーエンス製、ソースメータ（source meter））を用いて、各電界発光素子に対して所定の電圧を加え、各量子ドットエレクトロルミネッセンス素子を発光させる。量子ドットエレクトロルミネッセンス素子の発光を輝度測定装置（株式会社Ｔｏｐｃｏｍ製、ＳＲ－３）にて測定しつつ、徐々に電流を増加させ、輝度が２８０ｎｉｔ（ｃｄ／ｍ^２）になったところで電流を一定にし、放置する。輝度測定装置で測定した輝度の値が徐々に低下し、初期輝度の５０％になるまでの時間を「ＬＴ５０（ｈｒ）」とする。

上記表２の結果から、実施例の電界発光素子１～２は、比較電界発光素子１に比して、有意に高い発光効率（ＥＱＥ）および耐久性（有意に長い発光寿命）を発揮できることが分かる。これは、浅いＨＯＭＯレベルを有する構成単位Ａおよび深いＨＯＭＯレベルを有する構成単位Ｂを有する本発明の共重合体が正孔注入層から発光層へのホール（正孔）移動性が向上したためであり、Hole Current Density @ 8Vの値からも示唆される。なお、本例では、青色量子ドットエレクトロルミネッセンス素子について評価したが、赤色量子ドットエレクトロルミネッセンス素子等においても、上記と同様の結果が得られると考察される。

以上、本発明について実施形態および実施例を挙げて説明したが、本発明は特定の実施形態、実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。

１００…エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）、
１１０…基板、
１２０…第１電極、
１３０…正孔注入層、
１４０…正孔輸送層、
１５０…発光層、
１６０…電子輸送層、
１７０…電子注入層、
１８０…第２電極。

Claims (10)

1. 下記式（１）で表される構成単位を含む、共重合体：
   

   

   
   上記式（１）中、
   Ａｒ_１およびＡｒ_２は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基を表し、Ａｒ_１およびＡｒ_２が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよく、
   Ａｒ_３は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の３価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の３価の芳香族複素環基を表し、Ａｒ_３が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよく、
   Ａｒ_４およびＡｒ_５は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の芳香族複素環基を表し、Ａｒ_４およびＡｒ_５が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なってもよく、
   Ｌ_１およびＬ_２は、それぞれ独立して、単結合、または置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基を表し、
   Ｘは、単結合、－Ｌ_３－または－Ｌ_３－Ｌ_３－を表わし、この際、Ｌ_３は、置換されたまたは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基を表し、
   Ｌ_４は、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の芳香族炭化水素基を表し、この際、Ｌ_４は、Ａｒ_４および／またはＡｒ_５と環を形成してもよく、
   Ｒ_１は、水素原子、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、または置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の芳香族炭化水素基を表す。
2. 前記式（１）の構成単位が下記式（２）で示される、請求項１に記載の共重合体：
   

   

   
   上記式（２）中、
   Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_４、Ａｒ_５、Ｌ_１、Ｌ_２、Ｘ、Ｌ_４およびＲ_１は、上記式（１）と同様の定義であり、
   Ｒ_２は、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、または置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基を表し、
   ａは０、１、２または３である。
3. 前記式（１）の構成単位が下記式（３）で示される、請求項２に記載の共重合体：
   

   

   
   上記式（３）中、
   Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ａｒ_４、Ａｒ_５、Ｌ_１、Ｌ_２、Ｘ、Ｌ_４およびＲ_１は、上記式（１）と同様の定義であり、
   Ｒ_２およびａは、上記式（２）と同様の定義である。
4. Ａｒ_４およびＡｒ_５の少なくとも一方が、下記式（４）で表される基である、請求項１～３のいずれか１項に記載の共重合体。
   

   

   
   上記式（４）中、
   Ｌ_５は、単結合、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の２価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の２価の芳香族複素環基を表し；
   Ｒ_３およびＲ_４は、それぞれ同一でも、異なっていてもよく、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基、置換されたもしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルコキシ基、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下の１価の芳香族炭化水素基、または置換されたもしくは非置換の環形成原子数３以上３０以下の１価の芳香族複素環基を表し；
   Ｙは、＝ＣＲ_５Ｒ_６、ＯおよびＳから選択される基を表し、この際、Ｒ_５およびＲ_６は、それぞれ独立して、置換されたもしくは非置換の炭素数６以上３０以下のアリール基、または置換もしくは非置換の炭素数１以上２０以下のアルキル基を表し、Ｒ_５およびＲ_６は互いに結合して環構造を形成してもよく、
   ｂは、０、１、２または３であり、
   ｃは、０、１、２、３または４である。
5. 前記式（４）で表される基が、下記式（５）～（２０）から選択される基である、請求項４に記載の共重合体。
   

   

   
   

   

   
   上記式（５）～式（２０）中、
   Ｌ_５、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、ｂおよびｃは、上記式（４）と同様の定義である。
6. Ｌ_４がＡｒ_４と環を形成し、－Ｌ_４－Ｎ（Ａｒ_４）（Ａｒ_５）が下記式（２１）または式（２２）で表される構造を有する、請求項１～５のいずれか１項に記載の共重合体：
   

   

   
   上記式（２１）および式（２２）中、
   Ａｒ_５は、上記式（１）と同様の定義であり、
   Ｒ_１１およびＲ_１２は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数３以上１０以下の直鎖のアルキル基または炭素数３以上１０以下の分岐したアルキル基を表す。
7. 請求項１～６のいずれか１項に記載の共重合体を含むエレクトロルミネッセンス素子材料。
8. 第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置される１層以上の有機膜と、を備えるエレクトロルミネッセンス素子であって、
   前記有機膜の少なくとも１層は、請求項１～６のいずれか１項に記載の共重合体を含む、エレクトロルミネッセンス素子。
9. 前記共重合体を含む前記有機膜が、正孔輸送層または正孔注入層である、請求項８に記載のエレクトロルミネッセンス素子。
10. 前記有機膜が半導体ナノ粒子または有機金属錯体を含む発光層を有する、請求項８または９に記載のエレクトロルミネッセンス素子。

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