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JP2594088B2 - ポジ型感光性樹脂組成物ならびにその製法 - Google Patents

ポジ型感光性樹脂組成物ならびにその製法

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Publication number
JP2594088B2
JP2594088B2 JP63023311A JP2331188A JP2594088B2 JP 2594088 B2 JP2594088 B2 JP 2594088B2 JP 63023311 A JP63023311 A JP 63023311A JP 2331188 A JP2331188 A JP 2331188A JP 2594088 B2 JP2594088 B2 JP 2594088B2
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JP
Japan
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group
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acid
glycidyl
alkylene
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JP63023311A
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守 清尾
寛治 西島
勝清 石川
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Nippon Paint Co Ltd
Original Assignee
Nippon Paint Co Ltd
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Publication date
Application filed by Nippon Paint Co Ltd filed Critical Nippon Paint Co Ltd
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides

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  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
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Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はプリント配線板、集積回路などの製造に際し
使用される微細加工用レジストとして、また、平版印刷
版の製造に際し使用される感光材料として応用可能なポ
ジ型感光性樹脂組成物ならびにその製造方法に関する。
従来技術 従来、ポジ型感光性組成物は半導体装置の製造プロセ
ス、プリント配線板ならびに印刷版の製造プロセスなど
に広く利用されている。ポジティブ画像を形成する感光
性組成物としてはアルカリ可溶性のノボラック樹脂にキ
ノンジアジド化合物を添加し、現像液であるアルカリ水
溶液に溶解しにくくしたものが広く利用されている。か
かる系ではキノンジアジド系化合物が有機溶媒にのみ溶
解しアルカリ水溶液には溶解しないが、紫外線の照射を
うけるとキノンジアジド基が分解し、ケテンを経てカル
ボン酸基を生じ、アルカリ水溶液に可溶性となる特徴を
利用したものである。このポジ型感光剤としては、代表
的なものとして1,2−キノンジアジド化合物があり、か
かる1,2−キノンジアジド化合物に関しては、例えばJ.
コーサー著「ライト−センシティブ・システムズ」(Jo
hn Wiley & Sons Inc.)339〜357頁に紹介された多く
の特許公報、技術文献によって非常に数多くの化合物が
知られている。
このようなポジ型感光性組成物は一般にネガ型感光性
組成物に比べ解像力が著しく優れており、この高解像力
を生かしてプリント配線板や集積回路などの製造を行う
時のエッチング保護膜として利用されている。しかしか
かる系においてはノボラック樹脂が縮合重合法により作
られるために性能上のばらつきが大きく、分子量が比較
的低いにもかかわらず軟化温度が高いため、レジストフ
ィルムとした場合に脆く、また基板との密着性において
も充分満足のいくものではなく、改良が望まれていた。
これに対し共役ジオレフィン系炭化水素、モノオレフィ
ン系不飽和化合物、α,β−エチレン性不飽和カルボン
酸からなる共重合体と、1,2−キノンジアジド化合物を
混合する系(特開昭56−122031号)が提案されており、
かかる系はレジスト皮膜に柔軟性を付与し、かつ基板と
の接着力を有するものであるが、当該系を光照射により
アルカリ可溶性とならしめるためにはα,β−エチレン
性不飽和カルボン酸の導入率が高くなり、したがって現
像時に未照射部である画像部が膨潤しやすく、解像力の
点で不利となる。
発明が解決しようとする問題点 そこで可とう性、密着性に優れており、しかも現像時
に未照射部の膨潤が著しく少ないポジ型感光性樹脂組成
物が得られるならば極めて有用であり、かかる樹脂組成
物を提供することが本発明の目的である。
問題点を解決するための手段 本発明に従えば上記目的が、 (A)多価アルコールのグリシジルエーテル化合物、ポ
リカルボン酸のグリシジルエステル化合物、脂環式グリ
シジル化合物、グリシジルアミン化合物、複素環式グリ
シジル化合物およびビスフェノールAのアルキレンオキ
サイド化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の
エポキシ当量75〜1000のポリエポキシド化合物、 (B)式 (式中Aは置換基を有していてもかまわないアルキレ
ン、アリーレンあるいは−CH=CH−、 であり、R4、R5は置換基を有していてもかまわないアル
キレンまたはアリーレン基であり、nは0または1を表
し、mは1〜3の整数を表し、R2とR3は同一でも異なつ
ていてもよく夫々水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アルケニル基、ニトロ基あるいはアルコキシ基を表
し、またR2とR3はベンゼン環の炭素原子と共に芳香族
環、脂環族環あるいは複素環を形成することができる) で表されるフェノール性水酸基を有する芳香族または複
素環式カルボン酸および、 (C)1,2−キノンジアジドスルホン酸ハライドを
(B)のカルボキシル基:(A)のエポキシ基=1:0.8
〜1.2、(B)のフェノール性水酸基:(C)のスルホ
ニルハライド=1:0.05〜1.2の当量比で反応せしめて得
られるポジ型感光性樹脂組成物により達成せられる。
本発明にかかるポジ型感光性樹脂組成物は (A)多価アルコールのグリシジルエーテル化合物、ポ
リカルボン酸のグリシジルエステル化合物、脂環式グリ
シジル化合物、グリシジルアミン化合物、複素環式グリ
シジル化合物およびビスフェノールAのアルキレンオキ
サイド化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の
エポキシ当量75〜1000のポリエポキシド化合物と、 (B)式 (式中Aは置換基を有していてもかまわないアルキレ
ン、アリーレンあるいは−CH=CH−、 であり、R4、R5は置換基を有していてもかまわないアル
キレンまたはアリーレン基であり、nは0または1を表
し、mは1〜3の整数を表し、R2とR3は同一でも異なつ
ていてもよく夫々水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アルケニル基、ニトロ基あるいはアルコキシ基を表
し、またR2とR3はベンゼン環の炭素原子と共に芳香族
環、脂環族環あるいは複素環を形成することができる) で表されるフェノール性水酸基を有する芳香族または複
素環式カルボン酸とを(B)のカルボキシル基:(A)
のエポキシ基の当量比1:0.8〜1.2の割合で反応せしめ、
次いで該反応生成物に対し、 (C)1,2−キノンジアジドスルホン酸ハライドを
(B)のフェノール性水酸基:(C)のスルホニルハラ
イドの当量比 1:0.05〜1.2の割合で反応しめる方法に
よるか、あるいは (B)式で表されるフェノール性水酸基を有する芳香
族まはた複素環式カルボン酸と、 (C)の1,2−キノンジアジドスルホン酸ハライドを
(B)のフェノール性水酸基:(C)のスルホニルハラ
イドの当量比1:0.05〜1.2の割合で反応しめ、次いで該
反応生成物に対し、 (A)のポリエポキシド化合物を、 (B)のエルボキシル基:(A)のエポキシ基の当量比
が1:0.8〜1.2になる割合で反応せしめる方法により極め
て好都合に製造せられる。
しかしながら1,2−キノンジアジドスルホニル化合物
の熱による分解を可及的に回避する意味において、前者
の方法が最も好ましい。
尚、本願明細書において使用せられる「ポリエポキシ
ド化合物」なる語は平均して1分子当たりのエポキシ基
数が1.2以上のエポキシ化合物を意味するものとする。
本発明方法で使用せられる(A)ポリエポキシド化合
物は、多価アルコールのグリシジルエーテル化合物、ポ
リカルボン酸のグリシジルエステル化合物、脂環式グリ
シジル化合物、グリシジルアミン化合物、複素環式グリ
シジル化合物およびビスフェノールAのアルキレンオキ
サイド化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の
化合物で、エポキシ当量が75〜1000、好ましくは100〜3
50の範囲内にあるものである。エポキシ当量が75より小
さいものは分子量が小さすぎて造膜性が悪いし、また10
00を超えると分子量が大になりすぎてアルカリに溶解し
難くなりポジ型感光性が低下するので共に好ましくな
い。
(a)多価アルコールのグリシジルエーテル化合物例え
ばポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリ
プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペン
チルグリコールジグリシジルエーテル、グリセリンジグ
リシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシ
ジルエーテル、レゾルシンジグリシジルエーテルなど (b)ポリカルボン酸のグリシジルエステル化合物例え
ばフタル酸ジグリシジルエステル、テトラヒドロフタル
酸ジグリシジルエステル、アジピン酸ジグリシジルエス
テル、ダイマー酸ジグリシジルエステルなど (c)脂環式グリシジル化合物;例えば水添ビスフェノ
ールAジグリシジルエーテル、シクロヘキセン誘導体、
ジシクロペンタジエン誘導体など (d)グリシジルアミン化合物;例えばテトラグリシジ
ルビスアミノメチルシクロヘキサンなど (e)複素環式グリシジル化合物;例えばトリグリシジ
ルイソシアヌレート、N,N−ジグリシジル5,5−ジメチル
ヒダントインなど (f)ピスフェノールAのアルキレンオキサイド化合
物;例えばビスフェノールAのプロピレンオキサイド2
モル付加物のジグリシジルエーテルなどが用いられる。
これらポリエポキシド化合物の選択使用により膜の可
撓性、密着性が良好で解像度の改善が期待せられる。
本発明で使用せられるフェノール性水酸基を有する芳
香族あるいは複素環式カルボン酸は 式 で表され、式中 Aは置換基を有していてもかまわないアルキレン、ア
リーレンあるいは−CH=CH−、 であり、R4、R5は置換基を有していてもかまわないアル
キレンまたはアリーレン基であり、nは0または1を表
し、mは1〜3の整数を表し、R2とR3は同一でも異なっ
ていてもよく夫々水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基、アルケニル基、ニトロ基あるいはアルコキシ基を表
し、またR2とR3はベンゼン環の炭素原子と共に芳香族
環、脂環族環あるいは複素環を形成することができる。
かかるカルボン酸の例としては3−メトキシサリシリッ
クアシッド、3−メチルサリシリックアシッド、5−メ
チルサリシリックアシッド、5−tert−オクチルサリシ
リックアシッド、3−クロロ−4−ヒドロキシベンゾイ
ックアシッド、5−フルオロ−3−ヒドロキシベンゾイ
ックアシッド、4−エトキシ−2−ヒドロキシベンゾイ
ックアシッド、5−メチルチオ−サリシリックアシッ
ド、3−ヒドトキシ−4−ニトロベンゾイックアシッ
ド、3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンゾイックアシ
ッド、3,5−ジ−tert−ブチル−4−ヒドロキシベンゾ
イックアシッド、3−フェニルサリシリックアシッド、
4−ベンズアミド−サリシリックアシッド、4−ジメチ
ルアミノサリシリックアシッド、3,4−ジヒドロキシベ
ンゾイックアシッド、2,3−ジヒドロキシベンゾイック
アシッド、2,6−ジヒドロキシベンゾイックアシッド、
4−ブロモ−3,5−ジヒドロキシベンゾイックアシッ
ド、3,4,5−トリヒドロキシベンゾイックアシッド、2,
4,6−トリヒドロキシベンゾイックアシッド、ジブロモ
ガーリックアシッド、o−ヒドロキシフェニルアセティ
ックアシッド、m−ヒドロキシフェニルアセティックア
シッド、p−ヒドロキシフェニルアセティックアシッ
ド、4−ヒドロキシ−3−メトキシフェニルアセティッ
クアシッド、DL−4−ヒドロキシ−3−メトキシ−マン
デリックアシッド、p−ヒドロキシフェニルピルビック
アシッド、3−(p−ヒドロキシフェニル)−ラクティ
ックアシッド、DL−3,4−ジヒドロキシマンデリックア
シッド、3,4−ジヒドロキシフェニルアセティックアシ
ッド、o−ヒドロキシシンナミックアシッド、m−ヒド
ロキシシンナミックアシッド、p−ヒドロキシシンナミ
ックアシッド、3−ヒドロキシ−4−メトキシシンナミ
ックアシッド、3,4−ジヒドロキシシンナミックアシッ
ド、3,5−ジメトキシ−4−ヒドロキシシンナミックア
シッド、3,4−ジヒドロキシヒドロシンナミックアシッ
ド、N−(p−ヒドロキシフェニル)グリシン、3,5−
ジイオドチロシン、ホモジェンティジックアシッドなど
が挙げられるが勿論これらのみに限定されるものではな
く、前記式で表される任意のフェノール性水酸基を持つ
芳香族あるいは複素環式のカルボン酸が本発明目的に対
し、有利に用いられる。(A)のポリエポキシド化合物
と(B)のカルボン酸とはカルボキシル基対エポキシ基
の当量比が、1:0.8〜1.2、好ましくは1:0.9〜1.1となる
割合で通常溶媒中、触媒下に50〜180℃、好ましくは80
〜150℃に加熱することにより実施せられる。溶媒とし
ては、例えばジオキサン、メチルイソブチルケトン、テ
トラヒドロフラン、メチルエチルケトンなどが適当量、
例えば樹脂分100重量部に対し50〜500重量部用いられ、
また触媒としては、例えば水酸化カリウム、水酸化ナト
リウムなどの無機アルカリ;あるいは四級アンモニウム
塩、例えばトリエチルベンジルアンモニウムクロリド、
テトラメチルアンモニウムクロリドなど;三級アミン、
例えばベンジルジメチルアミン,トリブチルアミン、ト
リス(ジメチルアミノ)メチルフェノールなど;イミダ
ゾール化合物、例えば2−メチル−4−エチルイミダゾ
ール、2−メチルイミダゾールなど、エポキシ基とカル
ボキシル基の反応に有用な公知の触媒が通常の触媒量例
えば、0.01〜5%の濃度で好都合に使用せられる。しか
しながら本発明にあってはカルボキシル基1当量に対
し、エポキシ基0.8〜1.2当量で反応せしめられることを
必須とする。というのはエポキシ基が0.8当量より少な
いと最終樹脂に遊離のカルボキシル基が過剰に存在し、
アルカリ可溶性となり、現像性が低下するし、また逆に
エポキシ基が1.2当量を超えるとポリエポキシ化合物の
架橋反応がおこり、アルカリ水抵抗性が大となりやはり
現像性の低下が認められるからである。
本発明にあっては上記ポリエポキシド化合物とフェノ
ール性水酸基を有する芳香族あるいは複素環式カルボン
酸の反応生成物に対し、次に1,2−キノンジアジドスル
ホン酸ハライド、例えば1,2−ナフトキノンジアジド−
4−スルホニルクロリド、1,2−ナフトキノンジアジド
−5−スルホニルクロリドあるいは1,2−ベンゾキノン
ジアジド−4−スルホニルクロリドなどがフェノール性
水酸基1当量に対し、スルホニルハライド0.05〜1.2当
量、好ましくは0.1〜1.0当量になる割合で反応せしめら
れる。この反応は通常ジオキサン、アセトン、テトラヒ
ドロフラン、メチルエチルケトンなどの溶媒中、水酸基
とスルホニルハライドの反応触媒として知られる、炭酸
ナトリウム、水酸化ナトリウムなどの無機アルカリ、ジ
エチルアミン、トリエチアミンなどの有機アミンの存在
下−20〜50℃、好ましくは−10〜30℃の温度で好都合に
実施せられる。反応条件は原料物質により適宜選択せら
れるが、1,2−ナフトキノンジアジド化合物の安定性の
点から低温条件の選択がより好ましい。
尚、本発明にあってはフェノール性水酸基とスルホニ
ルハライドの当量比が必須条件として挙げられるが、こ
れはフェノール性水酸基1当量に対し、スルホニルハラ
イドが0.05当量未満では最樹脂中にキノンジアジド成分
が少量にすぎ、アルカリ可溶性が低下し、発明目的を達
成することができず、またスルホニルハライドが1.2当
量を超えると最終樹脂組成物中に分子量の小さいキノン
ジアジド化合物が不純物として残存し、鮮明像が得られ
ず、また膜性能にバラツキを生じ、望ましくないからで
ある。
本発明にかかる樹脂組成物はまた、フェノール性水酸
基を有する芳香族または複素環式カルボン酸(B)と1,
2−キノンジアジドスルホン酸ハライド(C)を先づ上
記に準じて反応させ、該組成物に対し、ポリエポキシド
化合物(A)を反応せしめることによっても工業的に製
造可能であるが、1,2−キノンジアジド化合物の熱安定
性の点から前者の方法がより好ましく推奨せられる。
本発明にかかる樹脂組成物は造膜性に優れ、可撓性、
密着性に優れた塗膜を与え、紫外線などの照射によりキ
ノンジアジド基が分解し、アルカリ水溶液に可溶性とな
るため解像性に優れたポジ型感光性樹脂組成物として極
めて有用である。例えば、本発明にかかる樹脂組成物
に、さらに必要に応じ公知のアルカリ可溶性樹脂、他の
1,2−キノンジジド化合物を配合し、また所望により保
存安定剤、色素、顔料などを添加し、適当な溶媒に溶解
し、スピンナー、コーターなどの従来公知の塗布手段に
よって支持体上に塗布し、乾燥することによって、感光
層を形成することができる。この場合の適当な溶媒とし
て、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコ
ールモノブチルエーテルなどのグリコールエーテル類、
メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテ
ートなどのセロソルブアセテート類、トルエン、キシレ
ンなどの芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、シク
ロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチルな
どのエステル類などがあり、これらの溶媒を単独あるい
は混合して使用する。また支持体としては、例えばシリ
コンウエハー、アルミニウム板、プラスチックフィル
ム、紙、ガラス板、銅板、プリント配線用銅張積層板な
どが用途に応じて適宜使用される。
また本発明にかかる樹脂組成物に酸性基を有するバイ
ンダー樹脂を有機アミンで部分中和もしくは完全中和し
たものを加え、分散液あるいは水溶液の形でアノード電
着可能なポジ型感光性樹脂溶液として使用することもで
きる。電着に使用する際の支持体としては例えば銅張積
層体、アルミニウム板など任意の公知のものが使用可能
である。
以下実施例により本発明を説明する。特にことわりな
き限り部および%は重量による。
実施例1 1000mlの三つ口セパラブルフラスコに、エチレングリ
コールジグリシジルエーテル(エポキシ当量135)68重
量部、3,4,5−トリヒドロキシベンゾイックアシッド86
重量部、ジオキサン100重量部を夫々仕込み、温度を120
℃まで上げ、触媒としてベンジルジメチルアミン0.3重
量部を添加後5時間反応させた。反応溶液の酸価は5.0
であり、反応率は97.3%であった。
次に内容物を10℃まで冷却し、1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホニルクロリド270重量部、ジオキサ
ン300重量部を添加後、触媒としてトリエチルアミン120
重量部を滴下し、10℃で2時間反応させ、多量の2重量
%の希塩酸水溶液中に反応生成物を滴下し、沈澱させ
た。水洗後、40℃で15時間真空乾燥させて、ポジ型感光
性樹脂〔A〕を得た。収率は95%であった。
このポジ型感光性樹脂〔A〕をエチレングリコールモ
ノメチルエーテルに溶解し、加熱残分15%とし、0.2μ
mのメンブランフィルターで濾過後シリコン酸化膜ウエ
ハー上にスピンナー塗布し、オーブン中で80℃、15分間
乾燥後、膜厚1.0μmの感光性樹脂膜を得た。
感光性被膜の密着性評価として被膜面にカッターの刃
先で傷を付け、被膜のヒビ割れ、剥がれを観察し、全く
問題のないことを確認した。
次に超高圧水銀灯光強度50W/cm2(365μm測定)で15
秒間解像度テストチャートを通して照射後、2重量%の
炭酸ソーダ水溶液で30℃、60秒間現像処理し、イオン交
換水でリンスし、解像度0.6μmのパターンが得られ
た。
実施例2 実施例1と同様の反応容器の中に、フタル酸ジグリシ
ジルエステル(エポキシ当量175)88重量部、3,4−ジヒ
ドロキシアセティックアシッド85重量部、ジオキサン58
重量部を夫々仕込み、温度を120℃まで上げ、触媒とし
て塩化トリメチルアンモニウム1.5重量部を添加後5時
間反応させた。反応溶液の酸価は7.0であり、反応率は9
5.7%であった。
次に内容物を10℃まで冷却し、1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホニルクロリド250重量部、アセトン4
00重量部を添加後、触媒としてトリエチルアミン113重
量部を滴下し、10℃で2時間反応させ、多量の2重量%
の希塩酸水溶液中に反応生成物を滴下し、沈澱させた。
水洗後、40℃で20時間真空乾燥させて、ポジ型感光性樹
脂を得た。収率は90%であった。
このポジ型感光性樹脂をエチレングリコールモノメチ
ルエーテルに溶解し、加熱残分15%とし、0.2μmのメ
ンブランフィルターで濾過後シリコン酸化膜ウエハー上
にスピンナー塗布し、オーブン中で80℃、15分間乾燥
後、膜厚1.0μmの感光性樹脂膜を得た。
以下実施例1と同様の方法により密着性と解像度の評
価を行った。結果を第1表に示す。
実施例3 実施例1と同様の反応容器の中に、水添ビスフェノー
ルAのジグリシジルエーテル(エポキシ当量220)110重
量部、3−ヒドロキシ−4−シンナミックアシッド97重
量部、ジオキサン69重量部を夫々仕込み、温度を120℃
まで上げ、触媒として塩化トリメチルアンモニウム1.5
重量部を添加後5時間反応させた。反応溶液の酸価は6.
0であり、反応率は95.6%であった。
次に内容物を10℃まで冷却し、1,2−ナフトキノンジ
アジド−4−スルホニルクロリド135重量部、アセトン5
00重量部を添加後、触媒としてトリエチルアミン60重量
部を滴下し、10℃で2時間反応させ、多量の2重量%の
希塩酸水溶液中に反応生成物を滴下し、沈澱させた。水
洗後、40℃で20時間真空乾燥させて、ポジ型感光性樹脂
を得た。収率は92%であった。
このポジ型感光性樹脂をエチレングリコールモノメチ
ルエーテルに溶解し、加熱残分15%とし、0.2μmのメ
ンブランフィルターで濾過後シリコン酸化膜ウエハー上
にスピナー塗布し、オーブン中で80℃、15分間乾燥後、
膜厚1.0μmの感光性樹脂膜を得た。
以下実施例1と同様の方法により密着性と解像度の評
価を行った。結果を第1表に示す。
実施例4 実施例1と同様の反応容器の中に、テトラグリシジル
ビスアミノメチルシクロヘキサン(エポキシ当量110)5
6重量部、3,4−ジヒドロキシシンナミックアシッド95重
量部、ジオキサン50重量部を夫々仕込み、温度を120℃
まで上げ、触媒としてベンジルジメチルアミン0.5重量
部を添加後、5時間反応させた。反応溶液の酸価は5.0
であり、反応率は97.5%であった。
次に内容物を10℃まで冷却し、1,2−ベンゾキノンジ
アジド−4−スルホニルクロリド110重量部、アセトン6
00重量部を添加後、触媒としてトリエチルアミン60重量
部を滴下し、10℃で2時間反応させ、多量の2重量%の
希塩酸水溶液中に反応生成物を滴下し、沈澱させた。水
洗後、40℃で17時間真空乾燥させてポジ型感光製樹脂を
得た。収率は91%であった。
このポジ型感光性樹脂をエチレングリコールモノメチ
ルエーテルに溶解し、加熱残分15%とし、0.2μmのメ
ンブランフィルターで濾過後シリコン酸化膜ウエハー上
にスピンナー塗布し、オーブン中で80℃、15分間乾燥
後、膜厚1.0μmの感光性樹脂膜を得た。
以下実施例1と同様の方法により密着性と解像度の評
価を行った。結果を第1表に示す。
実施例5 実施例1と同様の反応容器の中にトリグリシジルイソ
シアヌレート(エポキシ当量105)55重量部、3−メト
キシ−4−ヒドロキシアセティックアシッド96重量部、
ジオキサン50重量部を夫々仕込み温度を120℃まで上
げ、触媒として塩化トリメチルアンモニウム1.5重量部
を添加後、5時間反応させた。反応溶液の酸価は5.0で
あり、反応率は97.4%であった。
次に内容物を10℃まで冷却し、1,2−ナフトキノンジ
アジド−4−スルホニルクロリド135重量部、ジオキサ
ン600重量部を添加後、触媒としてトリエチルアミン60
重量部を滴下し、10℃で2時間反応させ、多量の2重量
%の希塩酸水溶液中に反応生成物を滴下し、沈澱させ
た。水洗後、40℃に24時間真空乾燥させてポジ型感光製
樹脂を得た。収率は94%であった。
このポジ型感光性樹脂をエチレングリコールモノメチ
ルエーテルに溶解し、加熱残分15%とし、0.2μmのメ
ンブランフィルターで濾過後シリコン酸化膜ウエハー上
にスピンナー塗布し、オーブン中で80℃、15分間乾燥
後、膜厚1.0μmの感光性樹脂膜を得た。
以下実施例1と同様の方法により密着性と解像度の評
価を行った。結果を第1表に示す。
実施例6 実施例1と同様の反応容器の中にビスフェノールAの
プロピレンオキサイド2モル付加ジグリシジルエーテル
(エポキシ当量315)67重量部、3,4−ジヒドロキシベン
ゾイックアシッド33重量部、ジオキサン33重量部を夫々
仕込み、温度を120℃まで上げ、触媒として塩化トリメ
チルアンモニウム1.2重量部を添加後5時間反応させ
た。反応溶液の酸価は5.0であり、反応率は94.4%であ
った。
次に内容物を10℃まで冷却し、1,2−ナフトキノンジ
アジド−4−スルホニルクロリド114重量部、アセトン5
50重量部を添加後、触媒としてトリエチルアミン51重量
部を滴下し、10℃で2時間反応させ、多量の2重量%の
希塩酸水溶液中に反応生成物を滴下し、沈澱させた。水
洗後、40℃で20時間真空乾燥させてポジ型感光製樹脂を
得た。収率は95%であった。
このポジ型感光性樹脂はエチレングリコールモノメチ
ルエーテルに溶解し、加熱残分15%とし、0.2μmのメ
ンブランフィルターで濾過後シリコン酸化膜ウエハー上
にスピンナー塗布し、オーブン中で80℃、15分間乾燥
後、膜厚1.0μmの感光性樹脂膜を得た。
以下実施例1と同様の方法により密着性と解像度の評
価を行った。結果を第1表に示す。
実施例7 実施例1と同様の反応容器の中にトリメチロールプロ
パントリグリシジルエーテル(エポキシ当量150)67重
量、3−メチルサリシリックアシッド71重量部、エチレ
ングリコールモノブチルエーテルアセテート46重量部を
夫々仕込み、温度を120℃まで上げ、触媒として塩化ト
リメチルアンモニウム1.3重量部を添加後5時間反応さ
せた。反応溶液の酸価は5.5であり、反応率は96.6%で
あった。
次に内容物を10℃まで冷却し、1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホニルクロリド125重量部、アセトン6
00重量部を添加後、触媒としてトリエチルアミン57重量
部を滴下し、10℃で2時間反応させ、多量の2重量%の
希塩酸水溶液中に反応生成物を滴下し、沈澱させた。水
洗後、40℃で18時間真空乾燥させてポジ型感光製樹脂を
得た。収率は95%であった。
このポジ型感光性樹脂をエチレングリコールモノメチ
ルエーテルに溶解し、加熱残分15%とし、0.2μmのメ
ンブランフィルターで濾過後シリコン酸化膜ウエハー上
にスピンナー塗布し、オーブン中で80℃、15分間乾燥
後、膜厚1.0μmの感光性樹脂膜を得た。
以下実施例1と同様の方法により密着性と解像度の評
価を行った。結果を第1表に示す。

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(A)多価アルコールのグリシジルエーテ
    ル化合物、ポリカルボン酸のグリシジルエステル化合
    物、脂環式グリシジル化合物、グリシジルアミン化合
    物、複素環式グリシジル化合物およびビスフェノールA
    のアルキレンオキサイド化合物からなる群より選ばれる
    少なくとも1種のエポキシ当量75〜1000のポリエポキシ
    ド化合物、 (B)式 (式中Aは置換基を有していてもかまわないアルキレ
    ン、アリーレンあるいは−CH=CH−、 であり、R4、R5は置換基を有していてもかまわないアル
    キレンまたはアリーレン基であり、nは0または1を表
    し、mは1〜3の整数を表し、R2とR3は同一でも異なっ
    ていてもよく夫々水素原子、ハロゲン原子、アルキル
    基、アルケニル基、ニトロ基あるいはアルコキシ基を表
    し、またR2とR3はベンゼン環の炭素原子と共に芳香族
    環、脂環族環あるいは複素環を形成することができる) で表されるフェノール性水酸基を有する芳香族または複
    素環式カルボン酸および (C)1,2−キノンジアジドスルホン酸ハライドを (B)のカルボキシル基:(A)のエポキシ基=1:0.8
    〜1.2、 (B)のフェノール性水酸基:(C)のスルホニルハラ
    イド=1:0.05〜1.2の当量比で反応せしめて得られるポ
    ジ型感光性樹脂組成物。
  2. 【請求項2】1,2−キノンジアジドスルホン酸ハライド
    が1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロリ
    ド、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルクロ
    リドあるいは1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホ
    ニルクロリドである請求項第1項記載の組成物。
  3. 【請求項3】(A)多価アルコールのグリシジルエーテ
    ル化合物、ポリカルボン酸のグリシジルエステル化合
    物、脂環式グリシジル化合物、グリシジルアミン化合
    物、複素環式グリシジル化合物およびビスフェノールA
    のアルキレンオキサイド化合物からなる群より選ばれる
    少なくとも1種のエポキシ当量75〜1000のポリエポキシ
    ド化合物と (B)式 (式中Aは置換基を有していてもかまわないアルキレ
    ン、アリーレンあるいは−CH=CH−、 であり、R4、R5は置換基を有していてもかまわないアル
    キレンまたはアリーレン基であり、nは0または1を表
    し、mは1〜3の整数を表し、R2とR3は同一でも異なっ
    ていてもよく夫々水素原子、ハロゲン原子、アルキル
    基、アルケニル基、ニトロ基あるいはアルコキシ基を表
    し、またR2とR3はベンゼン環の炭素原子と共に芳香族
    環、脂環族環あるいは複素環を形成することができる) で表されるフェノール性水酸基を有する芳香族または複
    素環式カルボン酸とを (B)のカルボキシル基:(A)のエポキシ基の当量比
    1:0.8〜1.2の割合で反応せしめ、次いで該反応生成物に
    対し、 (C)1,2−キノンジアジドスルホン酸ハライドを (B)のフェノール性水酸基:(C)のスルホニルハラ
    イドの当量比 1:0.05〜1.2の割合で反応せしめること
    を特徴とするポジ型感光性樹脂組成物の製法。
  4. 【請求項4】(B)式 (式中Aは置換基を有していてもかまわないアルキレ
    ン、アリーレンあるいは−CH=CH−、 であり、R4、R5は置換基を有していてもかまわないアル
    キレンまたはアリーレン基であり、nは0または1を表
    し、mは1〜3の整数を表し、R2とR3は同一でも異なっ
    ていてもよく夫々水素原子、ハロゲン原子、アルキル
    基、アルケニル基、ニトロ基あるいはアルコキシ基を表
    し、またR2とR3はベンゼン環の炭素原子と共に芳香族
    環、脂環族環あるいは複素環を形成することができる) で表されるフェノール性水酸基を有する芳香族または複
    素環式カルボン酸と、 (C)1,2−キノンジアジドスルホン酸ハライドを (B)のフェノール性水酸基:(C)のスルホニルハラ
    イドの当量比 1:0.05〜1.2の割合で反応せしめ、次い
    で該反応生成物に対し、 (A)多価アルコールのグリシジルエーテル化合物、ポ
    リカルボン酸のグリシジルエステル化合物、脂環式グリ
    シジル化合物、グリシジルアミン化合物、複素環式グリ
    シジル化合物およびビスフェノールAのアルキレンオキ
    サイド化合物からなる群より選ばれる少なくとも1種の
    エポキシ当量75〜1000のポリエポキシド化合物を、 (B)のカルボキシル基:(A)のエポキシ基の当量比
    が1:0.8〜1.2になる割合で反応せしめることを特徴とす
    るポジ型感光性樹脂組成物の製法。
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