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JP2779950B2 - 静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置 - Google Patents

静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置

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JP2779950B2
JP2779950B2 JP1105679A JP10567989A JP2779950B2 JP 2779950 B2 JP2779950 B2 JP 2779950B2 JP 1105679 A JP1105679 A JP 1105679A JP 10567989 A JP10567989 A JP 10567989A JP 2779950 B2 JP2779950 B2 JP 2779950B2
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Japan
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electrostatic chuck
residual
attraction
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俊也 渡部
徹夫 北林
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Toto Ltd
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    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23Q3/00Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect

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  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Jigs For Machine Tools (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は静電チャックに吸着された被吸着体の脱着を
容易にする技術に関する。
(従来の技術) 静電チャックの電極に吸着時とは逆極性の電圧を一時
的に印加して、被吸着物の脱離を容易にする技術は特公
昭47−39392号公報により知られている。
(発明が解決しようとする課題) しかし、吸着時に印加した電圧値と等しい逆極性の電
圧を印加しても、残留吸着力が消滅もしくは低減され
て、被吸着物を容易に脱着できるようになるまでに長時
間(数10秒以上)要し、作業効率が悪い。
本発明はこのような課題を解決するためになされたも
ので、その目的は短時間で残留吸着力を消滅もしくは低
滅させる技術を提供することを目的とする。
(課題を解決するための手段) 前記課題を解決するため本発明に係る静電気チャック
の電圧印加方法は、吸着電圧VNとは逆極性でその電圧値
が吸着電圧VNより大きい残留吸着力消滅電圧VRを静電チ
ャックの電極に印加することを特徴とする。
そして、残留吸着力消滅電圧VRの印加電圧値に逆比例
させて印加時間を短く設定する。
なお、残留吸着力消滅電圧VRの電圧値は、吸着時に印
加した吸着電圧VNの1.5〜2倍の範囲とし、その印加時
間は5〜10秒程度とすることが望ましい。
また、本発明に係る静電チャックの電圧印加装置は、
吸着時には予め設定された吸着電圧VNを静電チャックの
電極に印加し、脱離時には吸着電圧VNより高電圧で逆極
性の残留吸着力消滅電圧を予め設定された時間だけ静電
チャックの電極に印加することを特徴とする。
(作用) 被吸着体の脱離に際し、吸着時印加電圧より高電圧で
逆極性の残留吸着力消滅電圧を静電チャックに印加する
ことにより、残留吸着力は短時間で消滅もしくは低減さ
れ、被吸着体の脱着が容易となる。
また、残留吸着力消滅電圧の印加時間は印加電圧値に
逆比例させて短く設定することにより、この消滅電圧印
加によって再度被吸着体が吸着されるのを防止する。
なお、この消滅電圧の電圧値は吸着電圧の1.5〜2倍
で、印加時間版5〜10秒程度に設定すると残留吸着力の
消滅もしくは低減の制御が容易である。
(実施例) 以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明す
る。
第1図は、本発明に係る静電チャックの電圧印加装置
のブロック構成図である。
静電チャック1はアルミナ−酸化チタン系の誘電体か
らなるシート2内に、一対の櫛状の電極3,4を互いに櫛
歯の部分が相手の櫛歯の間に入り込むように構成されて
いる。この静電チャック1の上面には、被吸着体として
例えばシリコンウェハ5が載置され、電極3,4間に電圧
が印加されると、ジョンソン・ラーベック効果によりシ
リコンウェハ5が吸着される。誘導体層の厚さは300μ
m、体積固有抵抗は1013Ωcmである。
電圧印加装置6は、電極3,4に電圧を供給するための
電源装置であり、その出力端子7,8と各電極3,4とは接続
線9,10により接続されている。電圧印加装置6は、印加
電圧制御回路11から与えられるデータに基づく出力電圧
を端子12,13間に発生するプログラマブル電圧供給源
(以下電源と記す)14と、この電源14と静電チャック1
との間に介設されたスイッチ手段15、および印加電圧制
御回路11に対して各種の設定条件を与える吸着電圧値設
定手段16、消滅電圧値設定手段17、消滅電圧印加時間設
定手段18から構成される。
印加電圧制御回路(以下制御回路と記す)11は、マイ
クロプロセッサユニット(以下MPUと記す)19、ROM20、
RAM21、タイマ22から構成される。ROM20には印加電圧制
御に関するプログラムが格納されるとともに、後述する
実験データに基づく消滅電圧値とその印加時間関するデ
ータが格納されている。各設定手段16,17,18はデジスイ
ッチ等の設定値入力手段と、MPU19のバス23(データバ
スおよびアドレスバス)とのインタフェース回路とを備
えている。
なお、各設定手段16,17,18は目盛りを付したスライド
式ボリウムにより分圧された電圧をA/D変換機を介してM
PU19へインタフェースさせる構成等であってもよい。
制御回路11の端子24には、動作モード切替スイッチ25
が接続されている。端子26,27は吸着信号および脱離信
号の入力端子、端子28,29は制御回路11の電圧印加制御
出力端子である。
スイッチ手段15は、静電チャック1の電極3,4への電
圧印加ならびに印加する極性を切替えるスイッチ回路で
ある。スイッチ手段15は、ブリッジ接続された4個のト
ランジスタ30〜33と、トランジスタ30,31をドライブす
るトランジスタ34,35および各トランジスタ30〜35のベ
ース抵抗およびベース・エミッタ間抵抗から構成され
る。なお、スイッチ手段15は、バイポーラ形トランジス
タ以外の電界効果トランジスタ、サイリスタ等の半導体
スイッチング素子を用いて構成しても良い。
スイッチ手段15のプラス側およびマイナス側の電源入
力端子36,37はそれぞれ電極14のプラスおよびマイナス
の出力端子12,13へ接続されており、入力端子38にHレ
ベルの信号が印加されている間は、出力端子7にプラ
ス、出力端子8にマイナスの極性の電圧が出力され、入
力端子39にHレベルの信号が印加されている間は、これ
とは逆極性の電圧が出力される構成である。
次に、電圧印加装置6の動作を説明する前に、第2図
および第3図に基づいて、消滅電圧印加に伴う残留吸着
力の変化特性について説明する。
第2図および第3図は、所定の吸着条件でシリコンウ
ェハ5を吸着させた後、吸着電圧の印加を停止した以降
の残留吸着力を、第1図の仮想線で示すロードセル40で
測定した結果を示すグラフである。
第2図は、0.005Torrの真空雰囲気中で、吸着電圧500
Vを1分間印加した場合の残留吸着を示しており、図に
おいて線aは、電極3,4間を短絡状態としたときの残留
吸着の経時変化を、線b〜eはそれぞれ吸着電圧とは逆
極性の残留吸着力消滅電圧(以下消滅電圧と記す)を50
0V,700V,1KV,1.5KV印加したときの残留吸着力の経時変
化特性を示す。
グラフからわかるように、吸着電圧をVNとすると、こ
れより高電位の消滅電圧VRを印加することで残留吸着力
を短時間で消滅または低減させることができる。一方、
逆特性の消滅電圧VRを長時間印加すると、この消滅電圧
VRによってシリコンウェハ5が吸着されてしまい、その
目的を果たさなくなる。
第3図は、30Torrのヘリウムガス雰囲気中で、吸着電
圧1KVを1分間印加した場合の残留吸着特性を示すグラ
フであり、吸着電圧値、印加時間が異なる吸着力も大き
く変化し、したがって残留吸着力を消滅または低減する
ための消滅電圧の印加条件も異なる。
このような静電チャック1の残留吸着特性をふまえ
て、制御回路11内のROM20には、各種吸着電圧印加条件
毎に対応させて消滅電圧印加条件のデータを記憶させて
いる。
したがって、動作モード切替スイッチ25が自動側に設
定されている場合、電圧印加装置6は以下の動作とな
る。
MPU19は吸着信号入力端子26の吸着信号がレベルにな
ると、バス23を介して吸着電圧設定手段16の設定電圧値
を読み取り、バス23を介して電源14への設定電圧値を指
示する。これにより電源14の出力端子12,13間には設定
電圧が発生する。続いてMPU19は、出力端子28にHレベ
ルの吸着電圧印加制御信号を出力する。これによりスイ
ッチ手段15内のトランジスタ34を介してトランジスタ30
およびトランジスタ33がオン状態となり、静電チャック
1の電極4にプラスの電圧、電極3にマイナスの電圧が
印加される。この吸着電圧VN印加状態は、制御回路11の
脱離信号入力端子27へHレベルの脱離信号が印加される
まで継続し、この間の吸着電圧印加時間はタイマ22によ
り計測される。
脱離信号が印加されると、MPU19は出力端子28の出力
をLレベルにするとともに、吸着電圧VNと吸着印加時間
のデータに基づいて、ROM20内に記憶されている複数の
消滅電圧印加データから最適なものを選択する。
本実施例では、消滅電圧VRを吸着電圧VNの1.5〜2倍
の範囲で消滅電圧印時間が5〜10秒程度になる消滅条件
を優先的に選択するよう選択アルゴリズムを作成してい
る。
そして、MPU19は、選択した消滅電圧値を電源14へ指
示するとともに、選択した消滅電圧印加時間の間、出力
端子29のHレベルの出力を発生する。
これにより、スイッチ手段15内のトランジスタ31およ
びトランジスタ32がオン状態となり、電極3にプラス、
電極4にマイナスの極性の消滅電圧VRが所定の消滅電圧
印加時間だけ印加される。
動作モード切替スイッチ25が手動側に設定されている
場合には、MPU19は脱離信号が入力されると、消滅設定
手段17の設定電圧値を読み取り、電源14へ指示するとと
もに、消滅電圧印加時間設定手段18から印加時間を読み
取って、その設定絵時間の間だけ出力端子29にHレベル
の出力を発生する。
なお、手動モードにおいては、消滅電圧値または消滅
電圧印加時間のいずれか一方のみを設定して、他方の条
件はROM20内のデータを参照してMPU19が設定するように
してもよい。
本実施例は、双極型の静電気チャックについて説明し
たが、第4図に示す単極型の静電チャック41についても
適用することができる。なお、第4図において42は誘導
体からなるシート、43は電極、44はシリコンウェハ5等
の被吸着物との接触片、45,46は第1図に示す電圧印加
装置6の出力端子7,8への接続端子である。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明に係る静電チャックの電
圧印加方法および電圧印加装置によれば、被吸着体を脱
離するに際して吸着電圧VNとは逆極性で吸着電圧より高
電位の残留吸着力消滅電圧VRを印加するものであるか
ら、残留吸着力を効果的に消滅または低減することがで
き、シリコンウェハ等の被吸着物の取り外しを短時間で
容易に行うことができる。
また、残留吸着力消滅電圧VRの印加電圧値と印加時間
を逆比例の関係に設定しているので、残留吸着力消滅電
圧VRにより被吸着体が再吸着されることはない。
さらに、残留吸着力消滅電圧VRの印加条件を吸着電圧
値の1.5〜2倍で、印加時間5〜10秒の範囲に設定する
ことで、残留吸着力の消滅もしくは低減の制御が容易と
なり、例えばウェハサイズの大小等、被吸着物の形状等
が異なっても安定した残留吸着力低減効果を得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係わる静電チャックの電圧印加装置の
ブロック構成図、第2図および第3図は静電チャックに
吸着された被吸着体の残留吸着力の測定結果を示すグラ
フ、第4図は単極形の静電チャックの構成図である。 なお、図面中1,41は静電チャック、2,42は誘導体からな
るシート、3,4,43は電極、5は被吸着体であるシリコン
ウェハ、6は電圧印加装置、11は印加電圧抑制回路、14
はプログラマブル電圧供給源、15はスイッチ手段、16は
吸着電圧値設定手段、17は消滅電圧値設定手段、18は消
滅電圧印加時間設定手段、20はROM、22はタイマ、25動
作モード切替えスイッチである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−67629(JP,A) 特開 平1−181544(JP,A) 特開 平1−227454(JP,A) 特公 昭47−39392(JP,B1) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H02N 13/00

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】静電チャックの電極に吸着電圧VNを印加し
    て被吸着体を吸着させた後、被吸着体を脱離する前に、
    吸着電圧VNとは逆極性でその電圧値が吸着電圧VNより大
    きい残留吸着力消滅電圧VRを印加することを特徴とする
    静電チャックの電圧印加方法。
  2. 【請求項2】前記残留吸着力消滅電圧VRの印加電圧値に
    逆比例させて印加時間を短く設定することを特徴とする
    請求項1記載の静電チャックの電圧印加方法。
  3. 【請求項3】前記残留吸着力消滅電圧VRの電圧値は、吸
    着電圧VNの1.5〜2倍の範囲であり、その電圧印加時間
    は5〜10秒であることを特徴とする請求項1または2記
    載の静電チャックの電圧印加方法。
  4. 【請求項4】吸着時には予め設定された吸着電圧VNを静
    電チャックの電極に印加し、脱離時には吸着電圧VNより
    高い電圧値で逆極性の残留吸着力消滅電圧VRを予め設定
    された時間だけ前記電極に印加するすることを特徴とす
    る静電チャックの電圧印加装置。
JP1105679A 1989-04-25 1989-04-25 静電チャックの電圧印加方法および電圧印加装置 Expired - Lifetime JP2779950B2 (ja)

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DE69009849T DE69009849T2 (de) 1989-04-25 1990-04-23 Verfahren und Vorrichtung zum Zuführen einer Spannung an eine elektrostatische Halteplatte.
EP90304353A EP0395340B1 (en) 1989-04-25 1990-04-23 Method of and apparatus for applying voltage to electrostatic chuck
KR1019900005692A KR930006102B1 (ko) 1989-04-25 1990-04-23 정전 척의 전압인가 방법 및 그의 장치
US07/513,824 US5117121A (en) 1989-04-25 1990-04-24 Method of and apparatus for applying voltage to electrostatic chuck
MYPI90000669A MY105566A (en) 1989-04-25 1990-04-24 Method of and apparatus for applying voltage to electrostatic chuck
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Families Citing this family (336)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5325261A (en) * 1991-05-17 1994-06-28 Unisearch Limited Electrostatic chuck with improved release
US5539609A (en) * 1992-12-02 1996-07-23 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck usable in high density plasma
US5315473A (en) * 1992-01-21 1994-05-24 Applied Materials, Inc. Isolated electrostatic chuck and excitation method
US5600530A (en) * 1992-08-04 1997-02-04 The Morgan Crucible Company Plc Electrostatic chuck
US5684669A (en) * 1995-06-07 1997-11-04 Applied Materials, Inc. Method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck
US5444597A (en) * 1993-01-15 1995-08-22 Blake; Julian G. Wafer release method and apparatus
US5463526A (en) * 1994-01-21 1995-10-31 Lam Research Corporation Hybrid electrostatic chuck
US5459632A (en) * 1994-03-07 1995-10-17 Applied Materials, Inc. Releasing a workpiece from an electrostatic chuck
TW293231B (ja) * 1994-04-27 1996-12-11 Aneruba Kk
US5792562A (en) * 1995-01-12 1998-08-11 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck with polymeric impregnation and method of making
US5671116A (en) * 1995-03-10 1997-09-23 Lam Research Corporation Multilayered electrostatic chuck and method of manufacture thereof
JPH08250579A (ja) * 1995-03-14 1996-09-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置の静電チャック用電源および半導体製造装置
US6042686A (en) * 1995-06-30 2000-03-28 Lam Research Corporation Power segmented electrode
US5835333A (en) * 1995-10-30 1998-11-10 Lam Research Corporation Negative offset bipolar electrostatic chucks
US5656093A (en) * 1996-03-08 1997-08-12 Applied Materials, Inc. Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same
US5812361A (en) * 1996-03-29 1998-09-22 Lam Research Corporation Dynamic feedback electrostatic wafer chuck
US6108189A (en) 1996-04-26 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having improved gas conduits
US6055150A (en) * 1996-05-02 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Multi-electrode electrostatic chuck having fuses in hollow cavities
US5751537A (en) * 1996-05-02 1998-05-12 Applied Materials, Inc. Multielectrode electrostatic chuck with fuses
US5764471A (en) * 1996-05-08 1998-06-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for balancing an electrostatic force produced by an electrostatic chuck
US5737175A (en) * 1996-06-19 1998-04-07 Lam Research Corporation Bias-tracking D.C. power circuit for an electrostatic chuck
JPH1014266A (ja) * 1996-06-21 1998-01-16 Sony Corp 静電チャック装置及び静電チャックを用いたウエハの保持方法及び静電チャックからのウエハの脱着方法
US5793192A (en) * 1996-06-28 1998-08-11 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for clamping and declamping a semiconductor wafer in a wafer processing system
KR100491190B1 (ko) * 1996-06-28 2005-09-13 램 리서치 코포레이션 웨이퍼처리시스템에서반도체웨이퍼를클램핑하고디클램핑하는방법과장치
US5790365A (en) * 1996-07-31 1998-08-04 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for releasing a workpiece from and electrostatic chuck
US5818682A (en) * 1996-08-13 1998-10-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for optimizing a dechucking period used to dechuck a workpiece from an electrostatic chuck
US5861086A (en) * 1997-03-10 1999-01-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for sputter etch conditioning a ceramic body
US5835335A (en) * 1997-03-26 1998-11-10 Lam Research Corporation Unbalanced bipolar electrostatic chuck power supplies and methods thereof
US5894400A (en) * 1997-05-29 1999-04-13 Wj Semiconductor Equipment Group, Inc. Method and apparatus for clamping a substrate
US5903428A (en) * 1997-09-25 1999-05-11 Applied Materials, Inc. Hybrid Johnsen-Rahbek electrostatic chuck having highly resistive mesas separating the chuck from a wafer supported thereupon and method of fabricating same
US6205870B1 (en) 1997-10-10 2001-03-27 Applied Komatsu Technology, Inc. Automated substrate processing systems and methods
US5880924A (en) * 1997-12-01 1999-03-09 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck capable of rapidly dechucking a substrate
US5909355A (en) * 1997-12-02 1999-06-01 Applied Materials, Inc. Ceramic electrostatic chuck and method of fabricating same
US5948986A (en) * 1997-12-26 1999-09-07 Applied Materials, Inc. Monitoring of wafer presence and position in semiconductor processing operations
US5886865A (en) * 1998-03-17 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for predicting failure of an eletrostatic chuck
US6104595A (en) * 1998-04-06 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for discharging an electrostatic chuck
US6104596A (en) * 1998-04-21 2000-08-15 Applied Materials, Inc. Apparatus for retaining a subtrate in a semiconductor wafer processing system and a method of fabricating same
US6163448A (en) * 1998-07-31 2000-12-19 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for ex-situ testing of performance parameters on an electrostatic chuck
US6790375B1 (en) * 1998-09-30 2004-09-14 Lam Research Corporation Dechucking method and apparatus for workpieces in vacuum processors
US6219219B1 (en) 1998-09-30 2001-04-17 Applied Materials, Inc. Cathode assembly containing an electrostatic chuck for retaining a wafer in a semiconductor wafer processing system
US6965506B2 (en) * 1998-09-30 2005-11-15 Lam Research Corporation System and method for dechucking a workpiece from an electrostatic chuck
US7218503B2 (en) * 1998-09-30 2007-05-15 Lam Research Corporation Method of determining the correct average bias compensation voltage during a plasma process
US6259592B1 (en) 1998-11-19 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Apparatus for retaining a workpiece upon a workpiece support and method of manufacturing same
US6185085B1 (en) * 1998-12-02 2001-02-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System for transporting and electrostatically chucking a semiconductor wafer or the like
US6214413B1 (en) 1999-01-13 2001-04-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
US6263829B1 (en) 1999-01-22 2001-07-24 Applied Materials, Inc. Process chamber having improved gas distributor and method of manufacture
JP2000260855A (ja) * 1999-03-10 2000-09-22 Mitsubishi Electric Corp ウェハ処理装置
US6258227B1 (en) 1999-03-13 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for fabricating a wafer spacing mask on a substrate support chuck
US6431112B1 (en) 1999-06-15 2002-08-13 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for plasma processing of a substrate utilizing an electrostatic chuck
US6367413B1 (en) 1999-06-15 2002-04-09 Tokyo Electron Limited Apparatus for monitoring substrate biasing during plasma processing of a substrate
US6567257B2 (en) 2000-04-19 2003-05-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for conditioning an electrostatic chuck
US6581275B2 (en) 2001-01-22 2003-06-24 Applied Materials Inc. Fabricating an electrostatic chuck having plasma resistant gas conduits
US6403322B1 (en) 2001-03-27 2002-06-11 Lam Research Corporation Acoustic detection of dechucking and apparatus therefor
US6577113B2 (en) 2001-06-06 2003-06-10 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for measuring substrate biasing during plasma processing of a substrate
US6506291B2 (en) 2001-06-14 2003-01-14 Applied Materials, Inc. Substrate support with multilevel heat transfer mechanism
US6490145B1 (en) 2001-07-18 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Substrate support pedestal
KR20030020072A (ko) * 2001-09-01 2003-03-08 주성엔지니어링(주) 유니폴라 정전척
US6682627B2 (en) 2001-09-24 2004-01-27 Applied Materials, Inc. Process chamber having a corrosion-resistant wall and method
KR100480817B1 (ko) * 2002-03-20 2005-04-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 합착기의 제어 방법
US20030188685A1 (en) * 2002-04-08 2003-10-09 Applied Materials, Inc. Laser drilled surfaces for substrate processing chambers
US20040055709A1 (en) * 2002-09-19 2004-03-25 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a low level of particle generation and method of fabricating same
DE10247051A1 (de) * 2002-10-09 2004-04-22 Polymer Latex Gmbh & Co Kg Latex und Verfahren zu seiner Herstellung
US7430104B2 (en) * 2003-03-11 2008-09-30 Appiled Materials, Inc. Electrostatic chuck for wafer metrology and inspection equipment
US7100954B2 (en) * 2003-07-11 2006-09-05 Nexx Systems, Inc. Ultra-thin wafer handling system
JP2005044893A (ja) * 2003-07-24 2005-02-17 Canon Inc 基板保持装置
US7072165B2 (en) * 2003-08-18 2006-07-04 Axcelis Technologies, Inc. MEMS based multi-polar electrostatic chuck
US6947274B2 (en) * 2003-09-08 2005-09-20 Axcelis Technologies, Inc. Clamping and de-clamping semiconductor wafers on an electrostatic chuck using wafer inertial confinement by applying a single-phase square wave AC clamping voltage
US7072166B2 (en) * 2003-09-12 2006-07-04 Axcelis Technologies, Inc. Clamping and de-clamping semiconductor wafers on a J-R electrostatic chuck having a micromachined surface by using force delay in applying a single-phase square wave AC clamping voltage
US7910218B2 (en) 2003-10-22 2011-03-22 Applied Materials, Inc. Cleaning and refurbishing chamber components having metal coatings
US6946403B2 (en) * 2003-10-28 2005-09-20 Axcelis Technologies, Inc. Method of making a MEMS electrostatic chuck
US7244311B2 (en) * 2004-10-13 2007-07-17 Lam Research Corporation Heat transfer system for improved semiconductor processing uniformity
US7670436B2 (en) 2004-11-03 2010-03-02 Applied Materials, Inc. Support ring assembly
US8617672B2 (en) 2005-07-13 2013-12-31 Applied Materials, Inc. Localized surface annealing of components for substrate processing chambers
US7762114B2 (en) * 2005-09-09 2010-07-27 Applied Materials, Inc. Flow-formed chamber component having a textured surface
US9127362B2 (en) 2005-10-31 2015-09-08 Applied Materials, Inc. Process kit and target for substrate processing chamber
US20070125646A1 (en) * 2005-11-25 2007-06-07 Applied Materials, Inc. Sputtering target for titanium sputtering chamber
US20070283884A1 (en) * 2006-05-30 2007-12-13 Applied Materials, Inc. Ring assembly for substrate processing chamber
US7981262B2 (en) 2007-01-29 2011-07-19 Applied Materials, Inc. Process kit for substrate processing chamber
US7942969B2 (en) 2007-05-30 2011-05-17 Applied Materials, Inc. Substrate cleaning chamber and components
US8022718B2 (en) * 2008-02-29 2011-09-20 Lam Research Corporation Method for inspecting electrostatic chucks with Kelvin probe analysis
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10002779B2 (en) * 2011-08-30 2018-06-19 Watlow Electric Manufacturing Company Thermal array system
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
CN105408992B (zh) * 2013-08-05 2019-01-29 应用材料公司 用于薄基板搬运的静电载体
NL2013676A (en) * 2014-02-11 2015-08-17 Asml Netherlands Bv A method of clamping articles for a lithographic apparatus, a controller for a lithographic apparatus, a chuck, a method of using a chuck and a device manufacturing method.
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6418694B2 (ja) * 2015-03-26 2018-11-07 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
JP6851270B2 (ja) * 2017-06-16 2021-03-31 東京エレクトロン株式会社 静電吸着方法
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR102854019B1 (ko) 2018-06-27 2025-09-02 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP7603377B2 (ja) 2019-02-20 2024-12-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
US11289326B2 (en) 2019-05-07 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Method for reforming amorphous carbon polymer film
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200141931A (ko) 2019-06-10 2020-12-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI851767B (zh) 2019-07-29 2024-08-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US12169361B2 (en) 2019-07-30 2024-12-17 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
CN112342526A (zh) 2019-08-09 2021-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP7636892B2 (ja) 2020-01-06 2025-02-27 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー チャネル付きリフトピン
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103956A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
CN113410160A (zh) 2020-02-28 2021-09-17 Asm Ip私人控股有限公司 专用于零件清洁的系统
KR20210113043A (ko) 2020-03-04 2021-09-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210130646A (ko) 2020-04-21 2021-11-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
TWI884193B (zh) 2020-04-24 2025-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
JP2021172585A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー バナジウム化合物を安定化するための方法および装置
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
TW202208671A (zh) 2020-04-24 2022-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US12322591B2 (en) 2020-07-27 2025-06-03 Asm Ip Holding B.V. Thin film deposition process
KR20220021863A (ko) 2020-08-14 2022-02-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TW202228863A (zh) 2020-08-25 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TWI874701B (zh) 2020-08-26 2025-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
TW202217045A (zh) 2020-09-10 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
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TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
TW202233884A (zh) 2020-12-14 2022-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成臨限電壓控制用之結構的方法
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
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TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
US12062565B2 (en) 2021-06-29 2024-08-13 Asm Ip Holding B.V. Electrostatic chuck, assembly including the electrostatic chuck, and method of controlling temperature of the electrostatic chuck
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR102677251B1 (ko) 2021-10-28 2024-06-20 세메스 주식회사 기판 테스트 장치 및 이를 이용하는 디척킹 포스 측정 방법
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1443215A (en) * 1973-11-07 1976-07-21 Mullard Ltd Electrostatically clamping a semiconductor wafer during device manufacture
US3983401A (en) * 1975-03-13 1976-09-28 Electron Beam Microfabrication Corporation Method and apparatus for target support in electron projection systems
US4184188A (en) * 1978-01-16 1980-01-15 Veeco Instruments Inc. Substrate clamping technique in IC fabrication processes
US4384918A (en) * 1980-09-30 1983-05-24 Fujitsu Limited Method and apparatus for dry etching and electrostatic chucking device used therein
JPS63257481A (ja) * 1987-04-14 1988-10-25 Abisare:Kk 静電保持装置
US4771358A (en) * 1987-11-09 1988-09-13 Walker Magnetics Group, Inc. Magnetic chuck controller

Also Published As

Publication number Publication date
US5117121A (en) 1992-05-26
JPH02285980A (ja) 1990-11-26
DE69009849D1 (de) 1994-07-21
CA2015383A1 (en) 1990-10-25
EP0395340A2 (en) 1990-10-31
MY105566A (en) 1994-10-31
EP0395340B1 (en) 1994-06-15
EP0395340A3 (en) 1991-09-11
KR900017265A (ko) 1990-11-15
DE69009849T2 (de) 1994-09-22
KR930006102B1 (ko) 1993-07-07

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