JP2728333B2 - Adhesive sheet for attaching wafer and chip pick-up method - Google Patents
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-
- H—ELECTRICITY
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-
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Description
【0001】[0001]
【発明の技術分野】本発明はウェハ貼着用粘着シートな
らびにチップのピックアップ方法に関し、さらに詳しく
は、チップをピックアップする際に通常行なわれている
粘着シートのエキスパンド工程を省略することができる
ウェハ貼着用粘着シートならびにチップのピックアップ
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an adhesive sheet for attaching a wafer and a method for picking up a chip, and more particularly, to a method for attaching a wafer which can omit an expanding step of an adhesive sheet which is usually performed when picking up a chip. The present invention relates to a method for picking up an adhesive sheet and a chip.
【0002】[0002]
【発明の技術的背景】シリコン、ガリウムヒ素などの半
導体ウェハは大径の状態で製造され、このウェハは素子
小片に切断分離(ダイシング)された後に次の工程であ
るマウント工程に移されている。この際、半導体ウェハ
は予じめ粘着シートに貼着された状態でダイシング、洗
浄、乾燥、エキスパンディング、ピックアップ、マウン
ティングの各工程が加えられている。エキスパンディン
グ工程は、ダイシングされたチップが貼付されている粘
着テープを延伸し、チップ間隔を広げ、チップのピック
アップを容易にするために行なわれる。BACKGROUND OF THE INVENTION Semiconductor wafers of silicon, gallium arsenide and the like are manufactured in a large diameter state, and this wafer is cut and separated (diced) into element pieces and then transferred to the next step, a mounting step. . At this time, each step of dicing, washing, drying, expanding, pickup, and mounting is added to the semiconductor wafer in a state of being pasted on the adhesive sheet in advance. The expanding step is performed to stretch the adhesive tape to which the diced chips are attached, to increase the chip interval, and to facilitate chip pickup.
【0003】このような半導体ウェハとしては従来6イ
ンチ以下のサイズのウェハが多く用いられてきたが、近
年、半導体産業の発展に伴い、より効率よくチップを生
産するために、さらに大径のウェハ、たとえば8インチ
サイズのウェハ、を用いることが検討されている。しか
しながら、8インチサイズのウェハを用いる場合には、
当然のことながらダイシング装置およびボンディング
(ピックアップ)装置が大型化する。特に生産されるチ
ップ数が増えるために、充分なチップ間隔をうるために
は、より大型のエキスパンディング装置が必要となる。Conventionally, wafers having a size of 6 inches or less have been widely used as such semiconductor wafers. However, in recent years, with the development of the semiconductor industry, in order to produce chips more efficiently, a wafer having a larger diameter has been used. For example, use of an 8-inch wafer is being considered. However, when using an 8-inch wafer,
As a matter of course, the dicing device and the bonding (pickup) device increase in size. Particularly, in order to increase the number of chips to be produced, a larger expanding device is required to obtain a sufficient chip interval.
【0004】このため、エキスパンディングを行なうこ
となく、よりコンパクトなままで、チップ同士の接触を
発生させずに、正確にチップのピックアップを行なうこ
とができるウェハ貼着用粘着テープの出現が望まれてい
た。[0004] For this reason, there has been a demand for an adhesive tape for attaching a wafer, which can accurately pick up chips without causing any chip-to-chip contact without expanding and without expanding. Was.
【0005】[0005]
【発明の目的】本発明は、上記のような従来技術に伴な
う問題点を解決しようとするものであり、チップをピッ
クアップする際に通常行なわれている粘着シートのエキ
スパンド工程を省略することができるウェハ貼着用粘着
シートならびにチップのピックアップ方法を提供するこ
とを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to solve the problems associated with the prior art described above, and to omit the step of expanding the adhesive sheet which is usually performed when picking up chips. It is an object of the present invention to provide an adhesive sheet for attaching a wafer and a method for picking up chips.
【0006】[0006]
【発明の概要】本発明に係るウェハ貼着用粘着シート
は、基材フィルムと粘着剤層とからなるウェハ貼着用粘
着シートにおいて、ヤング率が10-1〜10 1 MPaで
あり、寸法回復率が90%以上の天然ゴム、イソプレン
ゴムあるいはこれらの加硫物からなるゴム状弾性体によ
り基材フィルムが構成されていることを特徴としてい
る。The pressure-sensitive adhesive sheet for bonding a wafer according to the present invention has a Young's modulus of 10 -1 to 10 1 MPa and a dimensional recovery rate in a pressure-sensitive adhesive sheet for bonding a wafer comprising a base film and a pressure-sensitive adhesive layer. 90 % or more natural rubber, isoprene
The base film is characterized by comprising a rubber-like elastic body made of rubber or a vulcanized product thereof.
【0007】本発明に係るチップのピックアップ方法
は、ヤング率が10-1〜10 1 MPaであり、寸法回復
率が90%以上の天然ゴム、イソプレンゴムあるいはこ
れらの加硫物からなるゴム状弾性体により構成されてい
る基材フィルムと、粘着剤層とからなるウェハ貼着用粘
着シート上にウェハを貼着し、該ウェハをダイシング
し、素子小片(チップ)とし、ダイシング後、該粘着シ
ートをエキスパンドすることなくピックアップ装置に移
送し、該粘着シートの裏面より、突き上げピンによりチ
ップを突き上げ、吸引コレットによりチップをピックア
ップすることを特徴としている。The method of picking up a chip according to the present invention uses a natural rubber, an isoprene rubber or a natural rubber having a Young's modulus of 10 -1 to 10 1 MPa and a dimensional recovery of 90 % or more.
A wafer is stuck on an adhesive sheet for sticking a wafer, which is composed of a base film made of a rubber-like elastic body made of these vulcanizates and an adhesive layer, and the wafer is diced, and element chips ( After the dicing, the adhesive sheet is transferred to a pickup device without expanding, the chip is pushed up from the back surface of the adhesive sheet by a push-up pin, and the chip is picked up by a suction collet.
【0008】[0008]
【発明の具体的説明】本発明に係るウェハ貼着用粘着シ
ートとしては、たとえば図1に示すような基材フィルム
1上に粘着剤層2が形成されてなる粘着シート10を例
示することができる。粘着シート10の使用前にはこの
粘着剤層2を保護するため、図2に示すように粘着剤層
2の上面に剥離性シート3を仮粘着しておくことが好ま
しい。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION As the pressure-sensitive adhesive sheet for attaching a wafer according to the present invention, for example, a pressure-sensitive adhesive sheet 10 in which a pressure-sensitive adhesive layer 2 is formed on a base film 1 as shown in FIG. 1 can be exemplified. . Before using the pressure-sensitive adhesive sheet 10, in order to protect the pressure-sensitive adhesive layer 2, it is preferable to temporarily adhere the releasable sheet 3 to the upper surface of the pressure-sensitive adhesive layer 2 as shown in FIG. 2.
【0009】本発明に係る粘着シート10の形状は、テ
ープ状、ラベル状などあらゆる形状をとりうる。基材フ
ィルム1としては、ヤング率が10-1〜10 1 MPaの
ゴム状弾性体からなる基材フィルムが用いられる。また
このゴム状弾性体の寸法回復率は、90%以上である。
なお寸法回復率は、以下のようにして測定される値を示
す。The shape of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 according to the present invention can take any shape such as a tape shape and a label shape. As the base film 1, a base film made of a rubber-like elastic material having a Young's modulus of 10 -1 to 10 1 MPa is used. The dimensional recovery of the rubber-like elastic body is 90 % or more.
The dimensional recovery rate indicates a value measured as follows.
【0010】すなわち、該ゴム状弾性体を15mm×10
0mmのシートととし、長手方向に荷重を加えつつ25%
(25mm)伸長し、この状態で10分間保持し、その
後、荷重を除いたのちにシートが収縮した長さ(Xmm)
と、シートを延伸した長さ(25mm)との比(百分率)
を寸法回復率とする。That is, the rubber-like elastic body is 15 mm × 10
0% sheet, 25% while applying load in the longitudinal direction
(25 mm) Elongated, held in this state for 10 minutes, and then the length (Xmm) at which the sheet shrank after removing the load
And the length (25 mm) of the stretched sheet (percentage)
Is the dimensional recovery rate.
【0011】[0011]
【数1】 (Equation 1)
【0012】上記のようなヤング率、寸法回復率を有す
るゴム状弾性体としては、具体的には、天然ゴム、イソ
プレンゴムあるいはこれらの加硫物が用いられる。この
ようなゴム状弾性体から形成される基材フィルム1の膜
厚は、通常30〜150μm程度であり、好ましくは3
0〜80μm程度である。As the rubber-like elastic body having the above-mentioned Young's modulus and dimensional recovery rate, specifically, natural rubber, isoprene rubber or a vulcanized product thereof is used. The film thickness of the base film 1 formed from such a rubber-like elastic material is usually about 30 to 150 μm, preferably 3 to 150 μm.
It is about 0 to 80 μm.
【0013】このようなゴム状弾性体から形成される基
材フィルム1は、伸縮性に富み、適当な荷重を基材フィ
ルムの一部分にのみ加えることにより、該部分のみを選
択的にエキスパンドすることができる。このため、従来
行なわれてきたような、基材フィルム全体のエキスパン
ドが不要になる。すなわち、エキスパンドすることな
く、チップのピックアップを行なうことができるように
なる。なお、「エキスパンドすることなしに」とは、基
材フィルムの全長に基づく、フィルムの拡張率が3%以
下であることを意味する。The base film 1 formed from such a rubber-like elastic material is rich in elasticity. By applying an appropriate load to only a part of the base film, it is possible to selectively expand only that part. Can be. For this reason, it is not necessary to expand the entire base film as conventionally performed. That is, the chip can be picked up without expanding. In addition, "without expanding" means that the expansion rate of the film based on the entire length of the base film is 3% or less.
【0014】基材フィルム1上に形成されている粘着剤
層2を構成する粘着剤としては従来公知のものが広く用
いられうるが、アクリル系粘着剤が好ましい。アクリル
系粘着剤としては従来公知のものが広く用いられるが、
具体的には、アクリル酸エステルを主たる構成単位とす
る単独重合体および共重合体から選ばれたアクリル系重
合体その他の官能性単量体との共重合体およびこれら重
合体の混合物が用いられる。たとえば、炭素数1〜10
のアルキルアルコールのアクリル酸エステル、炭素数1
〜10のアルキルアルコールのメタクリル酸エステル、
酢酸ビニルエステル、アクリロニトリル、ビニルアルキ
ルエーテルなどを好ましく使用できる。また上記アクリ
ル系共重合体は、1種単独で、または2種以上を組み合
わせて用いることができる。As the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer 2 formed on the base film 1, conventionally known pressure-sensitive adhesives can be widely used, but acrylic pressure-sensitive adhesives are preferable. Conventionally known acrylic pressure-sensitive adhesives are widely used,
Specifically, an acrylic polymer selected from a homopolymer and a copolymer having an acrylic acid ester as a main structural unit, a copolymer with another functional monomer, and a mixture of these polymers are used. . For example, carbon number 1-10
Acrylic ester of alkyl alcohol, having 1 carbon atom
Methacrylic acid esters of alkyl alcohols of from 10 to 10,
Vinyl acetate, acrylonitrile, vinyl alkyl ether and the like can be preferably used. The acrylic copolymers can be used alone or in combination of two or more.
【0015】また、官能性単量体としては、アクリル
酸、メタクリル酸、マレイン酸、2−ヒドロキシエチル
アクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート等
が用いられる。官能性単量体を有する共重合体粘着剤
は、架橋剤を使用することにより接着力と凝集力とを任
意の値に設定することができる。このような架橋剤とし
ては、多価イソシアネート化合物、多価エポキシ化合
物、多価アジリジン化合物、キレート化合物等がある。
多価イソシアネート化合物としては、具体的にはトルイ
レンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネ
ート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジ
イソシアネートおよびこれらのアダクトタイプのもの等
が用いられる。多価エポキシ化合物としては、具体的に
はエチレングリコールジグリシジルエーテル、テレフタ
ル酸ジグリシジルエステルアクリレート等が用いられ
る。多価アジリジン化合物としては、具体的にはトリス
−2,4,6−(1−アジリジニル)−1,3,5−ト
リアジン、トリス〔1−(2−メチル)−アジリジニ
ル〕ホスフィンオキシド、ヘキサ〔1−(2−メチル)
−アジリジニル〕トリホスファトリアジン等が用いられ
る。またキレート化合物としては、具体的にはエチルア
セトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アル
ミニウムトリス(エチルアセトアセテート)等が用いら
れる。As the functional monomer, acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate and the like are used. The adhesive force and cohesive force of the copolymer pressure-sensitive adhesive having a functional monomer can be set to arbitrary values by using a crosslinking agent. Examples of such a crosslinking agent include a polyvalent isocyanate compound, a polyvalent epoxy compound, a polyvalent aziridine compound, a chelate compound and the like.
Specific examples of the polyvalent isocyanate compound include toluylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, and adducts thereof. Specific examples of the polyvalent epoxy compound include ethylene glycol diglycidyl ether and terephthalic acid diglycidyl ester acrylate. As the polyvalent aziridine compound, specifically, tris-2,4,6- (1-aziridinyl) -1,3,5-triazine, tris [1- (2-methyl) -aziridinyl] phosphine oxide, hexa [ 1- (2-methyl)
-Aziridinyl] triphosphatriazine and the like. Specific examples of the chelate compound include ethyl acetoacetate aluminum diisopropylate, aluminum tris (ethyl acetoacetate), and the like.
【0016】これらのモノマーを重合して得られるアク
リル系共重合体の分子量は、1.0×105 〜10.0
×105 であり、好ましくは4.0×105 〜8.0×
10 5 である。さらに、粘着剤層として、放射線を照射
することにより硬化して、ピックアップ時の接着力を低
下できるものも用いることができる。具体的には、上記
アクリル系共重合体を主剤として、これに放射線重合性
化合物を含ませた粘着剤を用いることが好ましい。この
ような放射線重合性化合物としては、たとえば特開昭6
0−196,956号公報および特開昭60−223,
139号公報に開示されているような光照射によって三
次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合
を少なくとも2個以上有する低分子量化合物が広く用い
られ、具体的には、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリス
リトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトール
モノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリ
トールヘキサアクリレートあるいは1,4−ブチレング
リコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ
アクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレー
ト、市販のオリゴエステルアクリレートなどが用いられ
る。The catalyst obtained by polymerizing these monomers is
The molecular weight of the ril copolymer is 1.0 × 10Five~ 10.0
× 10FiveAnd preferably 4.0 × 10Five~ 8.0 ×
10 FiveIt is. In addition, radiation is applied as an adhesive layer
Cures to reduce adhesion during pickup
What can be used can also be used. Specifically,
Radiation polymerizable with acrylic copolymer as main ingredient
It is preferable to use a pressure-sensitive adhesive containing a compound. this
Such radiation-polymerizable compounds include, for example, those described in
0-196,956 and JP-A-60-223,
139 by light irradiation as disclosed in
Photopolymerizable carbon-carbon double bond in a molecule that can be dimensionally reticulated
Low molecular weight compounds having at least two or more are widely used
Specifically, trimethylolpropane triacrylate
Rate, tetramethylolmethanetetraacrylate,
Pentaerythritol triacrylate, pentaerythr
Litol tetraacrylate, dipentaerythritol
Monohydroxypentaacrylate, dipentaerythri
Tall hexaacrylate or 1,4-butylene
Recall diacrylate, 1,6-hexanediol di
Acrylate, polyethylene glycol diacrylate
And commercially available oligoester acrylates are used.
You.
【0017】さらに放射線重合性化合物として、上記の
ようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリ
レート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンア
クリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリ
エーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアネ
ート化合物たとえば2,4−トリレンジイソシアネー
ト、2,6−トリレンジイソシアネート、1,3−キシ
リレンジイソシアネート、1,4−キシリレンジイソシ
アネート、ジフェニルメタン4,4−ジイソシアネート
などを反応させて得られる末端イソシアネートウレタン
プレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレート
あるいはメタクリレートたとえば2−ヒドロキシエチル
アクリレートまたは2−ヒドロキシエチルメタクリレー
ト、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロ
キシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコール
アクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレート
などを反応させて得られる。このウレタンアクリレート
系オリゴマーは、炭素−炭素二重結合を少なくとも1個
以上有する放射線重合性化合物である。Further, as the radiation polymerizable compound, a urethane acrylate oligomer can be used in addition to the acrylate compound described above. The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyvalent isocyanate compound such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4 -Acrylate or methacrylate having a hydroxyl group, such as 2-hydroxyethyl acrylate or 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, on a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate or the like. , 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate Obtained by. This urethane acrylate oligomer is a radiation polymerizable compound having at least one carbon-carbon double bond.
【0018】このようなウレタンアクリレート系オリゴ
マーとして、特に分子量が3000〜30000、好ま
しくは3000〜10000、さらに好ましくは400
0〜8000であるものを用いると、半導体ウェハ表面
が粗い場合にも、ウェハチップのピックアップ時にチッ
プ表面に粘着剤が付着することがないため好ましい。ま
たウレタンアクリレート系オリゴマーを放射線重合性化
合物として用いる場合には、特開昭60−196,95
6号公報に開示されたような分子内に光重合性炭素−炭
素二重結合を少なくとも2個以上有する低分子量化合物
を用いた場合と比較して、粘着シートとして極めて優れ
たものが得られる。すなわち粘着シートの放射線照射前
の接着力は充分に大きく、また放射線照射後には接着力
が充分に低下してウェハチップのピックアップ時にチッ
プ表面に粘着剤が残存することはない。Such a urethane acrylate oligomer has a molecular weight of, particularly, 3000 to 30,000, preferably 3000 to 10,000, and more preferably 400 to 10,000.
It is preferable to use a value of 0 to 8000 because even when the surface of the semiconductor wafer is rough, the adhesive does not adhere to the chip surface when the wafer chip is picked up. When a urethane acrylate oligomer is used as the radiation polymerizable compound, Japanese Patent Application Laid-Open No.
As compared with the case of using a low-molecular-weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule as disclosed in JP-A No. 6-2006, an extremely excellent pressure-sensitive adhesive sheet is obtained. That is, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive sheet before the irradiation is sufficiently large, and the adhesive force is sufficiently reduced after the radiation irradiation, so that the pressure-sensitive adhesive does not remain on the chip surface when the wafer chip is picked up.
【0019】粘着剤中のアクリル系粘着剤とウレタンア
クリレート系オリゴマーの配合比は、アクリル系粘着剤
100重量部に対してウレタンアクリレート系オリゴマ
ーは50〜900重量部の範囲の量で用いられることが
好ましい。この場合には、得られる粘着シートは初期の
接着力が大きく、しかも放射線照射後には粘着力は大き
く低下し、容易にウェハチップを該粘着シートからピッ
クアップすることができる。The mixing ratio of the acrylic pressure-sensitive adhesive to the urethane acrylate oligomer in the pressure-sensitive adhesive is such that the urethane acrylate-based oligomer is used in an amount of 50 to 900 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic pressure-sensitive adhesive. preferable. In this case, the resulting pressure-sensitive adhesive sheet has a large initial adhesive strength, and the adhesive strength is significantly reduced after irradiation, so that wafer chips can be easily picked up from the pressure-sensitive adhesive sheet.
【0020】また必要に応じては、粘着剤層2中に、上
記のような粘着剤と放射線重合性化合物とに加えて、放
射線照射により着色する化合物を含有させることもでき
る。このような放射線照射により、着色する化合物を粘
着剤層2に含ませることによって、粘着シートに放射線
が照射された後には該シートは着色され、したがって光
センサーによってウェハチップを検出する際に検出精度
が高まり、ウェハチップのピックアップ時に誤動作が生
ずることがない。また粘着シートに放射線が照射された
か否かが目視により直ちに判明するという効果が得られ
る。If necessary, the pressure-sensitive adhesive layer 2 may contain, in addition to the above-mentioned pressure-sensitive adhesive and a radiation-polymerizable compound, a compound which is colored by irradiation with radiation. By including a compound to be colored in the pressure-sensitive adhesive layer 2 by such radiation irradiation, the sheet is colored after the pressure-sensitive adhesive sheet is irradiated with the radiation, and therefore, the detection accuracy when detecting the wafer chips by the optical sensor. And malfunction does not occur when picking up a wafer chip. In addition, an effect is obtained that it is immediately possible to visually determine whether or not radiation has been applied to the adhesive sheet.
【0021】放射線照射により着色する化合物は、放射
線の照射前には無色または淡色であるが、放射線の照射
により有色となる化合物であって、この化合物の好まし
い具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料
としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン
系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系
のものが好ましく用いられる。具体的には3−[N−
(p−トリルアミノ)]−7−アニリノフルオラン、3
−[N−(p−トリル)−N−メチルアミノ]−7−ア
ニリノフルオラン、3−[N−(p−トリル)−N−エ
チルアミノ]−7−アニリノフルオラン、3−ジエチル
アミノ−6−メチル−7−アニリノフルオラン、クリス
タルバイオレットラクトン、4,4’,4”−トリスジ
メチルアミノトリフェニルメタノール、4,4’,4”
−トリスジメチルアミノトリフェニルメタンなどが挙げ
られる。The compound that is colored by irradiation with radiation is a compound that is colorless or pale before irradiation with radiation, but is a compound that becomes colored by irradiation with radiation. A preferred specific example of this compound is a leuco dye. As the leuco dye, commonly used triphenylmethane-based, fluoran-based, phenothiazine-based, auramine-based and spiropyran-based dyes are preferably used. Specifically, 3- [N-
(P-tolylamino)]-7-anilinofluoran, 3
-[N- (p-tolyl) -N-methylamino] -7-anilinofluoran, 3- [N- (p-tolyl) -N-ethylamino] -7-anilinofluoran, 3-diethylamino -6-methyl-7-anilinofluoran, crystal violet lactone, 4,4 ', 4 "-trisdimethylaminotriphenylmethanol, 4,4', 4"
-Trisdimethylaminotriphenylmethane and the like.
【0022】これらロイコ染料とともに好ましく用いら
れる顕色剤としては、従来から用いられているフェノー
ルホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導
体、活性白土などの電子受容体が挙げられ、さらに、色
調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用い
ることもできる。このような放射線照射によって着色す
る化合物は、一旦有機溶媒などに溶解された後に接着剤
層中に含ませてもよく、また微粉末状にして粘着剤層中
に含ませてもよい。この化合物は、粘着剤層中に0.0
1〜10重量%好ましくは0.5〜5重量%の量で用い
られることが望ましい。該化合物が10重量%を超えた
量で用いられると、粘着シートに照射される放射線がこ
の化合物に吸収されすぎてしまうため、粘着剤層の硬化
が不十分となることがあり、一方該化合物が0.01重
量%未満の量で用いられると放射線照射時に粘着シート
が充分に着色しないことがあり、ウェハチップのピック
アップ時に誤動作が生じやすくなることがある。Examples of the developer preferably used together with these leuco dyes include conventionally used electron acceptors such as a phenol formalin resin initial polymer, an aromatic carboxylic acid derivative, and activated clay. In the case where is changed, various known color formers can be used in combination. Such a compound which is colored by irradiation with radiation may be once dissolved in an organic solvent or the like and then included in the adhesive layer, or may be finely powdered and included in the pressure-sensitive adhesive layer. This compound is present in the pressure-sensitive adhesive layer in an amount of 0.0
It is desirable to use it in an amount of 1 to 10% by weight, preferably 0.5 to 5% by weight. When the compound is used in an amount exceeding 10% by weight, the radiation applied to the pressure-sensitive adhesive sheet is excessively absorbed by the compound, and thus the curing of the pressure-sensitive adhesive layer may be insufficient. When used in an amount of less than 0.01% by weight, the pressure-sensitive adhesive sheet may not be sufficiently colored when irradiated with radiation, and malfunction may easily occur when picking up a wafer chip.
【0023】また場合によっては、粘着剤層2中に上記
のような粘着剤と放射線重合性化合物とに加えて、光散
乱性無機化合物粉末を含有させることもできる。このよ
うな光散乱性無機化合物粉末を粘着剤層2に含ませるこ
とによって、たとえ半導体ウェハなどの被着物表面が何
らかの理由によって灰色化あるいは黒色化しても、該粘
着シートに紫外線などの放射線を照射すると、灰色化あ
るいは黒色化した部分でもその接着力が充分に低下し、
したがってウェハチップのピックアップ時にウェハチッ
プ表面に粘着剤が付着してしまうことがなく、しかも放
射線の照射前には充分な接着力を有しているという効果
が得られる。In some cases, the light-scattering inorganic compound powder may be contained in the pressure-sensitive adhesive layer 2 in addition to the pressure-sensitive adhesive and the radiation-polymerizable compound as described above. By including such a light-scattering inorganic compound powder in the pressure-sensitive adhesive layer 2, even if the surface of an adherend such as a semiconductor wafer becomes gray or black for some reason, the pressure-sensitive adhesive sheet is irradiated with radiation such as ultraviolet rays. Then, even in the grayed or blackened part, the adhesive strength is sufficiently reduced,
Therefore, there is obtained an effect that the adhesive does not adhere to the surface of the wafer chip when the wafer chip is picked up, and that the adhesive has sufficient adhesive strength before the irradiation of the radiation.
【0024】この光散乱性無機化合物は、紫外線(U
V)あるいは電子線(EB)などの放射線が照射された
場合に、この放射線を乱反射することができるような化
合物であって、具体的には、シリカ粉末、アルミナ粉
末、シリカアルミナ粉末、マイカ粉末などが例示され
る。この光散乱性無機化合物は、上記のような放射線を
ほぼ完全に反射するものが好ましいが、もちろんある程
度放射線を吸収してしまうものも用いることができる。The light-scattering inorganic compound is formed of an ultraviolet (U)
V) or a compound capable of irregularly reflecting radiation when irradiated with radiation such as electron beam (EB), specifically, silica powder, alumina powder, silica-alumina powder, mica powder And the like. The light-scattering inorganic compound preferably reflects the above-described radiation almost completely, but of course, a compound that absorbs the radiation to some extent can also be used.
【0025】光散乱性無機化合物は粉末状であることが
好ましく、その粒径は1〜100μm好ましくは1〜2
0μm程度であることが望ましい。この光散乱性無機化
合物は、粘着剤層中に0.1〜10重量%好ましくは1
〜4重量%の量で用いられることが望ましい。該化合物
を粘着剤層中に10重量%を越えた量で用いると、粘着
剤層の接着力が低下したりすることがあり、一方0.1
重量%未満であると、半導体ウェハ面が灰色化あるいは
黒色化した場合に、その部分に放射線照射しても、接着
力が充分に低下せずピックアップ時にウェハ表面に粘着
剤が残ることがある。The light-scattering inorganic compound is preferably in the form of a powder and has a particle size of 1 to 100 μm, preferably 1 to 2 μm.
Desirably, it is about 0 μm. This light-scattering inorganic compound is contained in the pressure-sensitive adhesive layer in an amount of 0.1 to 10% by weight, preferably 1 to 10% by weight.
Preferably, it is used in an amount of 44% by weight. When the compound is used in an amount of more than 10% by weight in the pressure-sensitive adhesive layer, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer may decrease, while
If the content is less than 10 wt%, when the surface of the semiconductor wafer is grayed or blackened, even if the portion is irradiated with radiation, the adhesive strength may not be sufficiently reduced and the adhesive may remain on the wafer surface during pickup.
【0026】粘着剤層中に光散乱性無機化合物粉末を添
加することによって得られる粘着シートは、半導体ウェ
ハ面が何らかの理由によって灰色化あるいは黒色化した
ような場合に用いても、この灰色化あるいは黒色化した
部分に放射線が照射されると、この部分においてもその
接着力が充分に低下するのは、次のような理由であろう
と考えられる。すなわち、本発明で用いられる粘着シー
ト10は粘着剤層2を有しているが、この粘着剤層2に
放射線を照射すると、粘着剤層2中に含まれる放射線重
合性化合物が硬化してその接着力が低下することにな
る。ところが半導体ウェハ面に何らかの理由によって灰
色化あるいは黒色化した部分が生ずることがある。この
ような場合に粘着剤層2に放射線を照射すると、放射線
は粘着剤層2を通過してウェハ面に達するが、もしウェ
ハ面に灰色化あるいは黒色化した部分があるとこの部分
では放射線が吸収されて、反射することがなくなってし
まう。このため本来粘着剤層2の硬化に利用されるべき
放射線が、灰色化あるいは黒色化した部分では吸収され
てしまって粘着剤層2の硬化が不充分となり、接着力が
充分には低下しないことになる。したがってウェハチッ
プのピックアップ時にチップ面に粘着剤が付着してしま
うのであろうと考えられる。The pressure-sensitive adhesive sheet obtained by adding the light-scattering inorganic compound powder to the pressure-sensitive adhesive layer can be used even if the semiconductor wafer surface is grayed or blackened for some reason. It is considered that the reason why the irradiation of the blackened portion with the radiation is such that the adhesive force is sufficiently reduced even in this portion is as follows. That is, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 used in the present invention has the pressure-sensitive adhesive layer 2, and when the pressure-sensitive adhesive layer 2 is irradiated with radiation, the radiation-polymerizable compound contained in the pressure-sensitive adhesive layer 2 is cured to cure the radiation-polymerizable compound. The adhesive strength will be reduced. However, a grayed or blackened portion may occur on the semiconductor wafer surface for some reason. In such a case, when the pressure-sensitive adhesive layer 2 is irradiated with radiation, the radiation passes through the pressure-sensitive adhesive layer 2 and reaches the wafer surface. However, if there is a grayed or blackened portion on the wafer surface, the radiation is emitted at this portion. It is absorbed and no longer reflected. For this reason, the radiation which should be used for curing the pressure-sensitive adhesive layer 2 is absorbed in the grayed or blackened portions, and the curing of the pressure-sensitive adhesive layer 2 becomes insufficient, and the adhesive strength is not sufficiently reduced. become. Therefore, it is considered that the adhesive will adhere to the chip surface when the wafer chip is picked up.
【0027】ところが粘着剤層2中に光散乱性無機化合
物粉末を添加すると、照射された放射線はウェハ面に達
するまでに該化合物と衝突して方向が変えられる。この
ため、たとえウェハチップ表面に灰色化あるいは黒色化
した部分があっても、この部分の上方の領域にも乱反射
された放射線が充分に入り込み、したがってこの灰色化
あるいは黒色化した部分も充分に硬化する。このため、
粘着剤層中に光散乱性無機化合物粉末を添加することに
よって、たとえ半導体ウェハ表面に何らかの理由によっ
て灰色化あるいは黒色化した部分があっても、この部分
で粘着剤層の硬化が不充分になることがなく、したがっ
てウェハチップのピックアップ時にチップ表面に粘着剤
が付着することがなくなる。However, when the light-scattering inorganic compound powder is added to the pressure-sensitive adhesive layer 2, the irradiated radiation collides with the compound before reaching the wafer surface and changes its direction. Therefore, even if there is a grayed or blackened part on the wafer chip surface, the diffusely reflected radiation penetrates well into the area above this part, and therefore, the grayed or blackened part is also hardened sufficiently. I do. For this reason,
By adding the light-scattering inorganic compound powder into the pressure-sensitive adhesive layer, even if there is a grayed or blackened portion on the semiconductor wafer surface for some reason, the pressure-sensitive adhesive layer is insufficiently cured at this portion. Therefore, the adhesive does not adhere to the chip surface when picking up the wafer chip.
【0028】さらに本発明では、基材フィルム中に砥粒
が分散されていてもよい。この砥粒は、粒径が0.5〜
100μm好ましくは1〜50μmであって、モース硬
度は6〜10好ましくは7〜10である。具体的には、
グリーンカーボランダム、人造コランダム、オプティカ
ルエメリー、ホワイトアランダム、炭化ホウ素、酸化ク
ロム(III)、酸化セリウム、ダイヤモンドパウダー
などが用いられる。このような砥粒は無色あるいは白色
であることが好ましい。このような砥粒は、基材フィル
ム2中に0.5〜70重量%好ましくは5〜50重量%
の量で存在している。このような砥粒は、切断ブレード
をウェハのみならず基材フィルム2にまでも切り込むよ
うな深さで用いる場合に、特に好ましく用いられる。Further, in the present invention, abrasive grains may be dispersed in the substrate film. This abrasive has a particle size of 0.5 to
The thickness is 100 μm, preferably 1 to 50 μm, and the Mohs hardness is 6 to 10, preferably 7 to 10. In particular,
Green carborundum, artificial corundum, optical emery, white alundum, boron carbide, chromium (III) oxide, cerium oxide, diamond powder and the like are used. Such abrasive grains are preferably colorless or white. Such abrasive grains are contained in the base film 2 in an amount of 0.5 to 70% by weight, preferably 5 to 50% by weight.
Are present in amounts. Such abrasive grains are particularly preferably used when the cutting blade is used at such a depth as to cut not only into the wafer but also into the base film 2.
【0029】上記のような砥粒を基材フィルム中に含ま
せることによって、切断ブレードが基材フィルム中に切
り込んできて、切断ブレードに粘着剤が付着しても砥粒
の研磨効果により、目づまりを簡単に除去することがで
きる。上記のような粘着剤は、架橋剤を使用することに
より接着力と凝集力とを任意の値に設定することができ
る。このような架橋剤としては、多価イソシアネート化
合物、多価エポキシ化合物、多価アジリジン化合物、キ
レート化合物等がある。多価イソシアネート化合物とし
ては、具体的にはトルイレンジイソシアネート、ジフェ
ニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシ
アネート、イソホロンジイソシアネートおよびこれらの
アダクトタイプのもの等が用いられる。多価エポキシ化
合物としては、具体的にはエチレングリコールジグリシ
ジルエーテル、テレフタル酸ジグリシジルエステルアク
リレート等が用いられる。多価アジリジン化合物として
は、具体的にはトリス−2,4,6−(1−アジリジニ
ル)−1,3,5−トリアジン、トリス〔1−(2−メ
チル)−アジリジニル〕ホスフィンオキシド、ヘキサ
〔1−(2−メチル)−アジリジニル〕トリホスファト
リアジン等が用いられる。またキレート化合物として
は、具体的にはエチルアセトアセテートアルミニウムジ
イソプロピレート、アルミニウムトリス(エチルアセト
アセテート)等が用いられる。By including the abrasive grains in the base film as described above, the cutting blade cuts into the base film, and even if an adhesive is adhered to the cutting blade, the abrasive effect of the abrasive grains causes the cutting effect. Jams can be easily removed. The pressure-sensitive adhesive as described above can set the adhesive force and the cohesive force to arbitrary values by using a crosslinking agent. Examples of such a crosslinking agent include a polyvalent isocyanate compound, a polyvalent epoxy compound, a polyvalent aziridine compound, a chelate compound and the like. Specific examples of the polyvalent isocyanate compound include toluylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, and adducts thereof. Specific examples of the polyvalent epoxy compound include ethylene glycol diglycidyl ether and terephthalic acid diglycidyl ester acrylate. As the polyvalent aziridine compound, specifically, tris-2,4,6- (1-aziridinyl) -1,3,5-triazine, tris [1- (2-methyl) -aziridinyl] phosphine oxide, hexa [ 1- (2-methyl) -aziridinyl] triphosphatriazine and the like are used. Specific examples of the chelate compound include ethyl acetoacetate aluminum diisopropylate, aluminum tris (ethyl acetoacetate), and the like.
【0030】さらに上記の粘着剤中に、UV照射用の場
合には、UV開始剤を混入することにより、UV照射に
よる重合硬化時間ならびにUV照射量を少なくなること
ができる。このようなUV開始剤としては、具体的に
は、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイ
ンエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、
ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラ
ムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジ
ベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンな
どが挙げられる。Further, in the case of UV irradiation in the above-mentioned pressure-sensitive adhesive, by mixing a UV initiator, the polymerization curing time by UV irradiation and the amount of UV irradiation can be reduced. Specific examples of such a UV initiator include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether,
Benzyldiphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β-chloranthraquinone and the like can be mentioned.
【0031】以下、本発明に係るチップのピックアップ
方法の手順を説明する。粘着シート10の上面に剥離性
シート3が設けられている場合には、該シート3を除去
し、次いで粘着シート10の粘着剤層2を上向きにして
載置し、図3に示すようにして、この粘着剤層2の上面
にダイシング加工すべき半導体ウェハAを貼着する。こ
の貼着状態でウェハAにダイシング、洗浄、乾燥の諸工
程が加えられる。この際、粘着剤層2によりウェハチッ
プは粘着シートに充分に接着保持されているので、上記
各工程の間にウェハチップが脱落することはない。The procedure of the chip pickup method according to the present invention will be described below. When the peelable sheet 3 is provided on the upper surface of the pressure-sensitive adhesive sheet 10, the sheet 3 is removed, and then the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is placed with the pressure-sensitive adhesive layer 2 facing upward, as shown in FIG. Then, a semiconductor wafer A to be diced is attached to the upper surface of the pressure-sensitive adhesive layer 2. Various processes of dicing, cleaning, and drying are added to the wafer A in this state of attachment. At this time, the wafer chip is sufficiently bonded and held to the pressure-sensitive adhesive sheet by the pressure-sensitive adhesive layer 2, so that the wafer chip does not fall off during each of the above steps.
【0032】次に、各ウェハチップを粘着シートからピ
ックアップして所定の基台上にマウンティングするが、
この際、ピックアップに先立ってあるいはピックアップ
時に、図4に示すように、紫外線(UV)あるいは電子
線(EB)などの電離性放射線Bを粘着シート10の粘
着剤層2に照射し、粘着剤層2中に含まれる放射線重合
性化合物を重合硬化せしめる。このように粘着剤層2に
放射線を照射して放射線重合性化合物を重合硬化せしめ
ると、粘着剤の有する接着力は大きく低下し、わずかの
接着力が残存するのみとなる。Next, each wafer chip is picked up from the adhesive sheet and mounted on a predetermined base.
At this time, prior to or at the time of pickup, as shown in FIG. 4, ionizing radiation B such as ultraviolet rays (UV) or electron beams (EB) is irradiated onto the pressure-sensitive adhesive layer 2 of the pressure-sensitive adhesive sheet 10, and the pressure-sensitive adhesive layer The radiation polymerizable compound contained in 2 is polymerized and cured. When the pressure-sensitive adhesive layer 2 is irradiated with radiation to polymerize and cure the radiation-polymerizable compound, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive is greatly reduced, and only a slight adhesive strength remains.
【0033】粘着シート10への放射線照射は、基材フ
ィルム1の粘着剤層2が設けられていない面から行なう
ことが好ましい。したがって前述のように、放射線とし
てUVを用いる場合には基材フィルム1は光透過性であ
ることが必要であるが、放射線としてEBを用いる場合
には基材フィルム1は必ずしも光透過性である必要はな
い。Irradiation of the radiation to the pressure-sensitive adhesive sheet 10 is preferably performed from the surface of the base film 1 where the pressure-sensitive adhesive layer 2 is not provided. Therefore, as described above, when using UV as radiation, the base film 1 needs to be light-transmitting, but when using EB as radiation, the base film 1 is not necessarily light-transmitting. No need.
【0034】このようにウェハチップA1,A2……が設
けられた部分の粘着剤層2に放射線を照射して、粘着剤
層2の接着力を低下せしめた後、この粘着シート10を
ピックアップステーションに移送する。従来は、ここで
粘着シート10をエキスパンドし、チップ間隔を充分に
広げてからチップのピックアップを行なっていたが、本
発明に係るウェハ貼着用粘着シートを用いると、このエ
キスパンディング工程を省略することができる。すなわ
ち、シートをエキスパンドすることなく、図5に示すよ
うに基材フィルム1の下面から突き上げピン4によりピ
ックアップすべきチップA1……を突き上げる。基材フ
ィルム1は、充分なヤング率、寸法回復率を有するた
め、ピックアップされるべきチップのみが突き上げら
れ、その他のチップがズレたり、シートから剥がれたり
することもない。また突き上げピン4を除くと、シート
は速やかに平坦な状態に状態に戻り、シートにシワや歪
みが残存することなく、次のピックアップを何ら支障な
く行なうことができる。粘着シート10から突き上げら
れたチップをたとえば吸引コレット5によりピックアッ
プし、これを所定の基台上にマウンディングする。この
ようにして本発明に係るウェハ貼着用粘着シートを用い
て、ウェハチップA1,A2……のピックアップを行なう
と、粘着シートのエキスパンドを行なうことなく、チッ
プのピックアップをスムーズに行なうことができる。After the adhesive layer 2 at the portion where the wafer chips A 1 , A 2 ... Are provided is irradiated with radiation to reduce the adhesive strength of the adhesive layer 2, the adhesive sheet 10 is removed. Transfer to pickup station. Conventionally, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 was expanded here, and the chips were picked up after sufficiently widening the chip interval. However, if the wafer-adhering pressure-sensitive adhesive sheet according to the present invention is used, the expanding step can be omitted. Can be. That is, without expanding the sheet, the chips A 1 to be picked up by the push-up pins 4 are pushed up from the lower surface of the base film 1 as shown in FIG. Since the base film 1 has a sufficient Young's modulus and dimensional recovery rate, only chips to be picked up are pushed up, and other chips do not shift or peel off from the sheet. When the push-up pins 4 are removed, the sheet immediately returns to the flat state, and the next pickup can be performed without any trouble without wrinkles or distortion remaining on the sheet. The chips pushed up from the adhesive sheet 10 are picked up by, for example, the suction collet 5, and are mounted on a predetermined base. When the wafer chips A 1 , A 2, ... Are picked up by using the pressure-sensitive adhesive sheet for attaching a wafer according to the present invention as described above, the chips can be picked up smoothly without expanding the pressure-sensitive adhesive sheet. it can.
【0035】放射線照射は、ウェハAの貼着面の全面に
わたって1度に照射する必要は必ずしもなく、部分的に
何回にも分けて照射するようにしてもよく、たとえば、
ピックアップすべきウェハチップA1,A2……の1個ご
とに、これに対応する裏面にのみ照射する放射線照射管
により照射しその部分の粘着剤のみの接着力を低下させ
た後、突き上げピン4によりウェハチップA1,A2……
を突き上げて順次ピックアップを行なうこともできる。
図6には、上記の放射線照射方法の変形例を示すが、こ
の場合には、突き上げピン4の内部を中空とし、その中
空部に放射線発生源6を設けて放射線照射とピックアッ
プとを同時に行なえるようにしており、このようにする
と装置を簡単化できると同時にピッアップ操作時間を短
縮することができる。It is not always necessary to irradiate the entire surface of the bonding surface of the wafer A at one time, and the radiation may be partially irradiated several times.
Each of the wafer chips A 1 , A 2, ... To be picked up is irradiated by a radiation irradiation tube that irradiates only the corresponding back surface to reduce the adhesive force of only the adhesive at that portion and then pushed up. 4, the wafer chips A 1 , A 2 ......
Can be picked up sequentially.
FIG. 6 shows a modification of the above-described radiation irradiation method. In this case, the inside of the push-up pin 4 is made hollow, and a radiation source 6 is provided in the hollow portion so that radiation irradiation and pickup can be performed simultaneously. In this way, the apparatus can be simplified, and at the same time, the time required for the pick-up operation can be shortened.
【0036】[0036]
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、従来行なわれていたエキスパンディング工程を省略
できるため、大口径のウェハを用いる場合でもコンパク
トな装置でチップのピックアップを行なうことができ
る。As described above, according to the present invention, the conventional expanding step can be omitted, so that a chip can be picked up by a compact apparatus even when a large-diameter wafer is used. it can.
【0037】[0037]
【実施例】以下本発明を実施例により説明するが、本発
明はこれら実施例に限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
【0038】[0038]
【実施例】アクリル系粘着剤(n−ブチルアクリレート
とアクリル酸との共重合体)を、加硫天然ゴムからなる
基材フィルム(厚さ40μm)上に厚さ10μmとなる
ように塗布し、粘着シートを作製した。得られた粘着シ
ートの粘着剤層上に8インチのシリコンウェハを貼着し
てウェハのダイシングを行なった後、非拡張型ダイボン
ダーでチップのピックアップを行なった。この際のダイ
シング、ピックアップの条件は下記のとおりである。EXAMPLE An acrylic pressure-sensitive adhesive (copolymer of n-butyl acrylate and acrylic acid) was applied to a base film (40 μm thick) made of vulcanized natural rubber to a thickness of 10 μm, An adhesive sheet was produced. After bonding an 8-inch silicon wafer on the pressure-sensitive adhesive layer of the obtained pressure-sensitive adhesive sheet and dicing the wafer, chips were picked up by a non-expandable die bonder. The dicing and pickup conditions at this time are as follows.
【0039】ダイシング切込み深さ:テープ表面から2
0μm 突き上げピン:4本 吸着ホルダーの径:28mmφ コレット:角錐コレット 突き上げ距離:2mm ダイシングサイズ: 8mm×8mm この結果、チップ同士の接触によるチップ破損も、テー
プのたるみによるダイボンダー装置の誤動作による不良
も起こらず、良好なピックアップ操作ができた。Dicing depth: 2 from tape surface
0 μm Push-up pins: 4 Diameter of suction holder: 28 mm φ Collet: pyramid collet Push-up distance: 2 mm Dicing size: 8 mm × 8 mm As a result, chip breakage due to contact between chips and failure due to malfunction of the die bonder device due to slack of tape occur. Good pick-up operation.
【0040】[0040]
【比較例】実施例において、基材フィルムを塩化ビニル
フィルム(厚さ40μm)とした以外は、実施例と同様
に行なった。この結果、テープのたるみが回復しないこ
とが原因で、ピックアップ操作中にチップの位置ズレが
生じ、ダイボンダーが誤作動を起こした。COMPARATIVE EXAMPLE The procedure was the same as in the example, except that the substrate film was a vinyl chloride film (thickness: 40 μm). As a result, the position of the chip was shifted during the pickup operation because the slack of the tape was not recovered, and the die bonder malfunctioned.
【図1】本発明に係るウェハ貼着用粘着シートの概略断
面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a pressure-sensitive adhesive sheet for attaching a wafer according to the present invention.
【図2】本発明に係るウェハ貼着用粘着シートの概略断
面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view of the pressure-sensitive adhesive sheet for attaching a wafer according to the present invention.
【図3】本発明に係るチップのピックアップ方法の説明
図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a chip pickup method according to the present invention.
【図4】本発明に係るチップのピックアップ方法の説明
図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of a chip pickup method according to the present invention.
【図5】本発明に係るチップのピックアップ方法の説明
図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a chip pickup method according to the present invention.
【図6】本発明に係るチップのピックアップ方法の説明
図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a chip pickup method according to the present invention.
1…基材フィルム 2…粘着剤層 3…剥離性シート 4…突き上げピン 5…吸引コレット 6…放射線発生源 A…ウェハ B…放射線 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base film 2 ... Adhesive layer 3 ... Peelable sheet 4 ... Push-up pin 5 ... Suction collet 6 ... Radiation source A ... Wafer B ... Radiation
Claims (2)
ハ貼着用粘着シートにおいて、 ヤング率が10-1〜10 1 MPaであり、寸法回復率が
90%以上の天然ゴム、イソプレンゴムあるいはこれら
の加硫物からなるゴム状弾性体により基材フィルムが構
成されていることを特徴とするウェハ貼着用粘着シー
ト。An adhesive sheet for attaching a wafer, comprising a base film and an adhesive layer, having a Young's modulus of 10 -1 to 10 1 MPa and a dimensional recovery rate of
90 % or more of natural rubber, isoprene rubber or these
A pressure- sensitive adhesive sheet for attaching a wafer, wherein a base film is constituted by a rubber-like elastic body made of a vulcanized product of the above.
り、寸法回復率が90%以上の天然ゴム、イソプレンゴ
ムあるいはこれらの加硫物からなるゴム状弾性体により
構成されている基材フィルムと、粘着剤層とからなるウ
ェハ貼着用粘着シート上にウェハを貼着し、 該ウェハをダイシングし、素子小片(チップ)とし、 ダイシング後、該粘着シートをエキスパンドすることな
くピックアップ装置に移送し、 該粘着シートの裏面より、突き上げピンによりチップを
突き上げ、 吸引コレットによりチップをピックアップすることを特
徴とするチップのピックアップ方法。 2. A substrate comprising a natural rubber or isoprene rubber having a Young's modulus of 10 -1 to 10 1 MPa and a dimensional recovery of 90% or more, or a rubber-like elastic body made of a vulcanized product thereof. A wafer is stuck on an adhesive sheet for attaching a wafer, which is made up of a film and an adhesive layer, and the wafer is diced into element pieces (chips). After dicing, the adhesive sheet is transferred to a pickup device without expanding. A chip is picked up from a back surface of the adhesive sheet by a push-up pin and picked up by a suction collet.
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|---|---|---|---|
| JP3616192A JP2728333B2 (en) | 1992-02-24 | 1992-02-24 | Adhesive sheet for attaching wafer and chip pick-up method |
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| JPH05230426A JPH05230426A (en) | 1993-09-07 |
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| US5648136A (en) * | 1995-07-11 | 1997-07-15 | Minnesota Mining And Manufacturing Co. | Component carrier tape |
| TW311927B (en) * | 1995-07-11 | 1997-08-01 | Minnesota Mining & Mfg | |
| US6235387B1 (en) | 1998-03-30 | 2001-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor wafer processing tapes |
| JP4540150B2 (en) * | 1998-09-30 | 2010-09-08 | 日東電工株式会社 | Thermally peelable adhesive sheet |
| JP2006261467A (en) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Wafer sticking sheet and wafer processing method |
| JP5427369B2 (en) * | 2008-05-29 | 2014-02-26 | アキレス株式会社 | Base film for semiconductor manufacturing tape |
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-
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