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JP2873096B2 - 液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents

液晶組成物および液晶表示素子

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JP2873096B2
JP2873096B2 JP8513099A JP51309996A JP2873096B2 JP 2873096 B2 JP2873096 B2 JP 2873096B2 JP 8513099 A JP8513099 A JP 8513099A JP 51309996 A JP51309996 A JP 51309996A JP 2873096 B2 JP2873096 B2 JP 2873096B2
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JP
Japan
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liquid crystal
crystal composition
hhb
trans
phenyl
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JP8513099A
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秋一 松井
和利 宮沢
徳幸 大西
康宏 長谷場
泰行 後藤
悦男 中川
信一 澤田
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JNC Corp
Original Assignee
Chisso Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、ネマチック液晶組成物およびその液晶組成
物を用いた液晶表示素子に関する。さらに詳しくはアク
ティブマトリックス液晶表示素子用の液晶組成物および
その組成物を用いた液晶表示素子に関する。
背景技術 液晶表示素子（LCD）は、CRT（ブラウン管方式ディス
プレイ）に比べて、低消費電力、小型化、軽量化が可能
であるために、ツイストネマチック（TN）方式、スーパ
ーツイストネマチック（STN）方式、薄膜トランジスタ
ー（TFT）方式等の種々のLCDが実用化されてきた。その
中で薄膜トランジスター（TFT）等のアクティブマトリ
ックスLCD（AM−LCD）は、カラー化、高精細化が進みフ
ラットディスプレイの本命として注目をあびている。
このAM−LCD用液晶組成物に求められている特性とし
て、 １）LCDの高コントラストを維持するために、電圧保持
率（V.H.R）が高いこと。
２）使用環境に応じて、ネマチック液晶相範囲が大きい
こと。
３）セル厚に応じて、適当な屈折率異方性（Δｎ）を取
り得ること。
４）駆動回路に応じて、適当なしきい値電圧を取り得る
こと。
５）動画に対応するために電気光学応答が高速であるこ
と。
を挙げることができる。
AM−LCDの動作方式としては上下基盤における液晶分
子の配向を90゜にツイストさせたTN表示方式を採用して
いる。このTN表示方式においては、電圧を印加しない時
の液晶セルの干渉による着色を防ぎ、最適なコントラス
トを得る為に、屈折率異方性（Δｎ）とセル厚（ｄ）μ
ｍの積Δｎ・ｄをある一定の値（例えばΔｎ・ｄ〜0.5
μｍ等）に設定する必要がある。このような制限のもと
で現在実用化されているTFT用液晶組成物のΔｎは、光
透過率のファースト・ミニマム値付近を利用する素子で
0.07〜0.11程度、とりわけ0.08〜0.10が主体となってい
る。
また、近年、動画対応を目的としたLCDの開発が強く
求められるようになってきた。応答速度（τ）は液晶材
料の粘度（η）に比例するために、低粘度を有した液晶
組成物の開発が求められるようになった。
また、携帯用LCDの開発に伴って、屋外での使用を前
提とした開発も検討されるようになってきた。屋外での
使用に耐え得るには、使用環境の温度範囲を超えた領域
にわたってネマチック相を呈することが要求される。こ
のような観点から現在実用化されているTFT用液晶組成
物のネマチックーアイソトロピック相転移温度（透明
点:TNI）が60℃以上、スメクチック−ネマチック相転移
温度（TSN）が−20℃以下が主体である。
このような背景に伴って、特開平２−233626号公報に
は、誘電率異方性（Δε）の比較的大きいトリフルオロ
化合物が開示されている。例えば応用例２には、トリフ
ルオロ化合物15重量％とジフルオロ化合物85重量％との
組成物例が開示されているが、しきい値電圧が大きく、
また特に低温における相溶性が悪く、ネマチック相範囲
が小さいために実用性に欠けているという欠点を有して
いる。さらに、液晶組成物の粘度が大きいという欠点を
有している。
WO94/03558号公報には、トリフルオロ化合物とジフル
オロ化合物との組成物例が開示されている。しかしなが
ら、実施例１および２で開示されている組成物は、透明
点が50℃以下と低く、またΔｎが0.06以下であり実用性
に欠けているし、また、実施例４以降で開示されている
組成物はしきい値電圧が高いという欠点を有している。
このように液晶組成物は種々の目的に応じて鋭意検討
されているものの、常に改良を要求されているのが現状
である。
発明の開示 本発明の目的は、上記AM−LCD用液晶組成物に求めら
れる種々の特性を満たしながら、特に、低温相溶性に優
れ、Δｎが適当に大きく、Vthおよび粘度の小さい液晶
組成物を提供することにある。
本発明者らは、これらの課題を解決すべく種々の液晶
化合物を用いた組成物を鋭意検討した結果、本発明の液
晶組成物がこの目的を達成できることを見いだした。
本発明者らは、フェニルベンゾアート誘導体から誘導
できる新規なジフルオロオキシメタン誘導体の物性を検
討したところ、結合基であるジフルオロメトキシ基の２
つのフッ素原子の分極による双極子モーメントの方向が
化合物分子長軸方向の誘電率の増加に有効に寄与し、大
きな誘電率異方性を発現するため、しきい値電圧の低下
に有効であること、また粘度は著しく小さいことを見い
出した。
さらに、これらの化合物の末端の置換基としてフッソ
系置換基を選択したものはAM−LCDにおいて有用な低電
圧用新規液晶性化合物であることを見い出し、これらの
液晶化合物を用いた組成物を鋭意検討した結果、本発明
の液晶組成物をAM−LCDに使用する場合に、上記の課題
を解決できることを見いだした。以下、本発明を詳細に
説明する。
本発明は、一般式（Ｉ） （式中ｌ、ｍ、ｎは各々０または１であり、環A1、A2は
それぞれ独立してトランス−1,4−シクロヘキシレン
基、６員環の１個以上の水素原子がハロゲン原子に置換
されていてもよい1,4−フェニレン基、トランス−1,3−
ジオキサン−2,5−ジイルまたはピリミジン2,5−ジイル
を表し、環A3は６員環の１個以上の水素原子がハロゲン
原子により置換されていてもよい1,4−フェニレン基、
トランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイルまたはピリミ
ジン−2,5−ジイルを表し、Z1、Z2、Z3はそれぞれ独立
して共有結合、−CH2CH2−、−COO−、−CF2O−、−OCF
2−、−CH2O−、−OCH2−、−CH＝CH−または−Ｃ≡Ｃ
−であり、L1、L2、L3、L4はそれぞれ独立して水素原子
またはハロゲン原子であり、Ｘはハロゲン原子、CN、CF
3、OCF3、OCHF2、OCH2F、炭素数１〜10の直鎖もしくは
分岐のアルキル基、アルケニル基またはアルコキシ基で
あり、Ｒは炭素数１〜10の直鎖もしくは分岐のアルキル
基またはアルケニル基であり、該Ｒ中の１つまたは隣接
しない２つ以上のCH2基は酸素原子により置換されてい
てもよい。ただし、Z2が−CF2O−または−OCF2−である
場合以外は、Ｘがアルキル基、アルケニル基またはアル
コキシ基であることはない）で表される化合物におい
て、ｌが１、ｍが０、ｎが０または１、環A1がトランス
−1,4−シクロヘキシレン基、環A3が1,4−フェニレン
基、Z1が−CH2CH2−または共有結合、Z2およびZ3が共有
結合、L1およびL2が水素原子、L3が水素原子、L4がＹ
（Ｙは水素原子またはフッ素原子を示す）、ＲがCnH
2n+1（ｎは１〜10の整数を示す）で表されるアルキル
基、Ｘがフッ素原子またはOCF3である特定のジフルオロ
オキシメタン誘導体を少なくとも１種含有する液晶組成
物に関する。
すなわち、本発明の第１は、第１成分として、一般式
（Ｉ−１）または（Ｉ−２）のいずれかで表される化合
物を１種以上含有し、第２成分として、一般式（II−
１）〜（II−６）のいずれかで表される化合物を１種以
上含有することを特徴とする液晶組成物である。
（式中、ｎは１〜10の整数を示し、Z1は−CH2CH2−また
は単結合を示し、ＸはＦまたはOCF3を示し、ＹはＨまた
はＦを示し、ｍは０または１を示す。） 本発明の第２は、液晶組成物の全重量に対して、第１
成分が３〜40重量％、第２成分が60〜97重量％であるこ
とを特徴とする上記第１の発明に記載の液晶組成物であ
る。
本発明の第３は、上記第１〜第２の発明のいずれかに
記載の液晶組成物に加えて、一般式（II−７）で表され
る化合物をさらに含有することを特徴とする組成物であ
る。
本発明の第４は、上記第１〜第３の発明のいずれかに
記載の液晶組成物に加えて、一般式（III）で表される
化合物をさらに含有することを特徴とする液晶組成物で
ある。
（式中、ｎは１〜10の整数を示し、ＸはＦまたはOCF3を
示し、ＹはＦまたはＨを示し、Z2は−CH2CH2−または単
結合を示す。） 本発明の第５は、上記第１〜第４の発明のいずれかに
記載の液晶組成物に加えて、一般式（IV−１）および／
または一般式（IV−２）で表される化合物をさらに含有
することを特徴とする液晶組成物である。
本発明の第６は、上記第１〜第４の発明のいずれかに
記載の液晶組成物に加えて、一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−
３）で表される化合物から選択される１種またはそれ以
上の化合物をさらに含有することを特徴とする液晶組成
物である。
（式中、R1、R3、R5は炭素数１から10のアルキル基また
はアルケニル基を示し、いずれにおいても基中の任意の
１つまたは相隣接しない２つのメチレン基（−CH2−）
は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されても良い。R2、
R4、R6は炭素数１〜10のアルキル基またはアルコキシ基
を示し、Ａはトランス−４−シクロヘキシレン基または
1,4−フェニレン基、Z3は、−CH＝CH−または−Ｃ≡Ｃ
−を示し、ＹはＨまたはＦを示し、ｐは０または１を示
す。） 本発明の第７は、上記第１から第６の発明のいずれか
に記載の液晶組成物を用いた液晶表示素子である。
発明を実施するための最良の形態 以下、本発明の各成分を構成する化合物について説明
する。
本発明において、一般式（Ｉ−１）および（Ｉ−２）
で表される化合物として、以下の化合物が好ましい。
一般式（Ｉ−１）の化合物は、誘電率異方性（Δε）
がおおよそ６〜11の範囲にあり、Δεの大きさの割には
粘度が小さく、また、熱安定性、化学的安定性に優れて
いるので、特にTFT用液晶組成物のしきい値電圧を維持
し、粘度を小さくする役割を担う。
また、一般式（Ｉ−２）の化合物は、しきい値電圧を
小さくする役割と同時に、４環化合物であるので、液晶
組成物の透明点を高くする役割を担う。
本発明の第１成分の使用量は３〜40重量％が好まし
い。さらに好ましくは５〜35重量％が好ましい。３重量
％未満であれば、本願発明の主題である低粘性の効果が
得にくいし、40重量％を超えると、液晶組成物の低温に
おける相溶性が悪くなる場合がある。
一般式（Ｉ−１）および（Ｉ−２）の化合物は、次の
ようにして製造することができる。まず、一般式（Ｉ）
で表されるジフルオロオキシメタン誘導体の製造法を示
す。
下記の式１に示すように、一般式（Ａ）で表されるベ
ンゾニトリル誘導体を製造原料として、エチルアルコー
ル、エチレングリコール、ジエチレングリコール等のア
ルコール溶媒中、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等
の塩基、あるいは塩酸、硫酸等の鉱酸を触媒として加水
分解しカルボン酸誘導体（Ｂ）に導く。次にカルボン酸
誘導体（Ｂ）は一般的なエステル化の方法に従い、例え
ば塩酸、硫酸等の鉱酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の有
機酸アンバーライト等のイオン交換樹脂を酸触媒として
使用するか、あるいはN,N′−ジシクロヘキシルカルボ
ジイミド（DCC）を触媒として一般式（Ｃ）で表される
フェノール誘導体と反応することで一般式（Ｄ）で表さ
れるエステル誘導体を製造する。また、（Ｂ）に塩化チ
オニルを作用させ酸塩化物とした後、ピリジン等の塩基
の存在下（Ｃ）を作用させることでも（Ｄ）を製造する
ことができる。次にエステル誘導体（Ｄ）はベンゼンあ
るいはトルエンを溶媒としローソン（Lawesson）試薬
［2,4−ビス（４−メトキシフェニル）−1,3−ジチア−
2,4−ジフォスフェタン−2,4−ジスルフィド］（Bull.S
oc.Chim.Belg.,87,223,229,299,525（1978）,Synthesi
s,941（1979）,Tetrahedron,35,2433（1979）,Tetrahed
ron Lett.,21,4061（1980））を室温から溶媒の沸点ま
での任意の温度で作用させることでチオエステル（チオ
ン型）誘導体（Ｅ）に誘導する。次にチオエステル（チ
オン型）誘導体（Ｅ）は、ジクロロメタン、クロロホル
ムを溶媒とし、ジエチルアミノサルファートリフルオリ
ド（DAST）（Synthesis,787（1973））を室温から溶媒
の沸点までの任意の温度で作用させることでチオカルボ
ニル基のgem−フッ素化を行い、目的とするジフルオロ
オキシメタン誘導体を製造することができる。
また別法として、下記の式２に示すように、ブロモベ
ンゼン誘導体（Ｆ）からグリニャール試薬を調製し、二
硫化炭素を作用させることでジチオカルボン酸誘導体
（Ｇ）を製造し、塩化チオニルにてチオカルボン酸塩化
物に誘導後、フェノール誘導体（Ｃ）を作用させること
でチオエステル（チオン型）誘導体（Ｅ）を製造し、上
記と同様にDASTを作用させることでもジフルオロオキシ
メタン誘導体を製造することができる。
また、一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、本発明
の第１成分である一般式（Ｉ−１）や（Ｉ−２）で表さ
れる化合物の類似体である化合物（７）は、下記式３で
示すような方法で製造することができる。まず、アルキ
ル安息香酸誘導体１を一般的なエステル化の方法に従
い、例えば塩酸、硫酸等の鉱酸、ｐ−トルエンスルホン
酸等の有機酸、アンバーライト等のイオン交換樹脂を酸
触媒として使用するか、あるいはN,N′−ジシクロヘキ
シルカルボジイミド（DCC）を触媒として3,4−ジフルオ
フェノールとエステル化を行い3,4−ジフルオロベンゾ
アート誘導体２を製造する。次に、２は、ローソン試薬
とトルエン還流下で反応を行いチオエステル（チオン
型）誘導体３とし、さらにジクロロメタン中DASTを作用
することで（７）を製造することができる。また3,4−
ジフルオフェノールの代わりに種々の置換基を有するフ
ェノールを使用し、さらに種々の既知の安息香酸誘導体
とから上記製造操作に準じて一般式（Ｉ−１）や（Ｉ−
２）で表される化合物を製造することができる。
合成原料である3,4−ジフルオロフェノールは、3,4−
ジフルオロブロモベンゼンを出発物質として製造するこ
とができる。すなわち、下記の式４に示すように、S.O.
Lawessonらの方法（J.Am.Chem.Soc.,81,4230（1959））
に従い3,4−ジフルオロブロモベンゼンから調製したグ
リニャール試薬にｔ−ブチルヒドロペルオキシドを作用
させるか、また、R.L.Kidwewllらの方法（Org.Synth.,
V,918（1973））に従い、3,4−ジフルオロブロモベンゼ
ンから調製したグリニャール試薬をホウ酸トリアルキル
で処理してホウ酸エステル誘導体とした後、過酸化水素
水にて酸化処理して製造することができる。
また、一般式（Ｉ−１）で表される化合物のうち、例
えば化合物（Ｉ−１−３）は、下記の式５に示す方法で
製造することができる。まず、４−（トランス−４−ア
ルキルシクロヘキシル）ベンゾニトリル４をエチレング
リコールあるいはジエチレングリコール中水酸化ナトリ
ウム存在下加水分解を行い、安息香酸誘導体５とした
後、一般的なエステル化の方法に従い、例えば塩酸、硫
酸等の鉱酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸アンバ
ーライト等のイオン交換樹脂を酸触媒として使用する
か、あるいはN,N′−ジシクロヘキシルカルボジイミド
（DCC）を触媒として3,4−ジフルオロフェノールとエス
テル化を行い、フェニルベンゾアート誘導体６を製造す
る。次に６はローソン試薬とトルエン還流下で反応を行
いチオエステル（チオン型）誘導体７とし、さらにジク
ロロメタン中DASTを作用することで（Ｉ−１−３）を製
造することができる。また3,4−ジフルオロフェノール
の代わりに種々の置換基を有するフェノールを使用し、
さらに種々の既知の安息香酸誘導体とから上記製造操作
に準じて化合物（Ｉ−１−１）〜（Ｉ−１−２）、（Ｉ
−１−４）を製造することができる。
また、下記の式６に示すように、一般式（Ｉ−２）で
表される化合物のうち、例えば化合物（Ｉ−２−４）
は、次の方法で製造することができる。すなわち４−ヨ
ードベンゼンを塩化パラジウム等の貴金属触媒存在下、
3,4−ジフルオロブロモベンゼンから調製したグリニャ
ール試薬とカップリングを行い、ビフェニル誘導体８と
した後、８に鉄粉等の金属粉体存在下で臭素を作用さ
せ、ブロモビフェニル誘導体９を製造する。次いでR.L.
Kidwellらの報告（Org.Synth.,V,918（1973））に従
い、９から調製したグリニャール試薬にホウ酸トリメチ
ルを作用させ、次いで酢酸存在下で過酸化水素で酸化す
ることによりフェニルフェノール誘導体10を製造する。
10を（７）製造の場合と同様に処理することにより、化
合物（Ｉ−２−３）を製造することができる。さらに、
3,4−ジフルオロブロモベンゼンの代わりに、種々の置
換基を有するブロモベンゼン誘導体を用いて製造したフ
ェニルフェノール誘導体から、（Ｉ−２−１）〜（Ｉ−
２−２）、（Ｉ−２−４）を製造することができる。
また、一般式（Ｉ−１）または（Ｉ−２）で表される
化合物のうち、Z1が−CH2CH2−である化合物は、下記の
式７に示すような方法で製造することができる。原料の
４−［２−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）
エチル］安息香酸は、公知の化合物である４−［２−
（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）エチル］ベ
ンゾニトリルをエチレングリコールあるいはジエチレン
グリコール中水酸化ナトリウム存在下加水分解を行うこ
とにより製造することができる。この安息香酸誘導体と
各種フェノール誘導体から、上述のエステル化の方法に
より、フェニルベンゾアート誘導体を製造する。このフ
ェニルベンゾアート誘導体を上述のようにローソン試薬
で処理し、チオエステル（チオン型）誘導体とし、さら
にDASTを作用することで（Ｉ−１−５）〜（Ｉ−１−
８）、（Ｉ−２−５）〜（Ｉ−２−８）を製造すること
ができる。
本発明において、一般式（II−１）〜（II−７）で表
される化合物として、以下の化合物が好ましい。
（式中、ｎは１〜10の整数を示す） これらの化合物において、式（II−１−１）、（II−
１−２）（II−１−３）、（II−２−２）（II−３−
１）、（II−３−２）、（II−３−３）、（II−４−
１）、（II−４−２）、（II−５−２）、（II−６−
１）、（II−６−４）、（II−７−１）の化合物が特に
好ましい。
一般式（II）の化合物は、Δεがおおよそ５〜８の範
囲にあり、熱的安定性、化学的安定性に優れているの
で、TFT用化合物として良く知られている化合物であ
る。
一般式（II）の化合物はネマチック−アイソトロピッ
ク転移点（透明点:TNI）がおおよそ90〜130℃の範囲に
あり、低電圧TFT用組成物のベース化合物としては、最
適な化合物である。
本発明の第２成分の使用量は60〜97重量％が好まし
い。より好ましくは65〜95重量％である。60重量％未満
だと液晶組成物の低温における相溶性が悪くなることが
あり好ましくない。また97重量％を超えると本願発明の
低粘性の効果が得にくい。
本発明において、一般式（III）で表される化合物と
して、以下の化合物が好ましい。
（式中、ｎは１〜10の整数を示す） これらの化合物において、式（III−１）、（III−
２）、（III−５）の化合物が特に好ましい。
一般式（III）の化合物は２環の化合物であるので、
特に液晶組成物のしきい値電圧を小さくする役割を担
う。２環化合物であるので多量に使用すると液晶組成物
の透明点が下がる場合がある。一般式（III）の化合物
の使用量は15重量％以下が好ましい。
一般式（IV）の化合物は２環、３環のCl系化合物であ
る。これらは、主として液晶組成物の粘度を下げる役割
を担う。Δεが４〜５と小さいので、多量に使用すると
液晶組成物のしきい値電圧が大きくなる場合がある。一
般式（IV）の化合物の使用量は35重量％以下が好まし
い。
本発明において、一般式（Ｖ）で表される化合物とし
て、以下の化合物が好ましい。
（ＲおよびＲ′は各々独立して、アルキル基またはアル
ケニル基を示す。） これらの化合物のうち、式（Ｖ−１−１）、（Ｖ−１
−２）、（Ｖ−１−３）、（Ｖ−１−５）（Ｖ−１−
６）、（Ｖ−１−７）、（Ｖ−２−２）、（Ｖ−２−
４）、（Ｖ−３−１）、（Ｖ−３−２）、（Ｖ−３−
３）で示される化合物が特に好ましい。
一般式（Ｖ）の化合物は２〜４環の誘電率異方性が負
かまたは弱い正の化合物である。これらの化合物の内、
２〜３環の化合物は主として粘度低下および／またはΔ
ｎ調整の目的で使用される。また、４環の化合物は透明
点を高くする等のネマチックレンジを広げる目的および
／またはΔｎ調整、粘度調整の目的で使用される。
本発明の液晶組成物は、使用される液晶表示素子の目
的に応じて、上記一般式（Ｉ）〜（Ｖ−３−３）で表さ
れる化合物の他、しきい値電圧、ネマティックレンジ、
Δｎ、誘電率異方性、粘度等を調整する目的で、他の化
合物を本発明の目的を害さない範囲で適当量含有するこ
とができる。
本発明の液晶組成物は、それ自体慣用的な方法で調整
される。一般には、種々の成分を高い温度で互いに溶解
させる方法がとられている。また、本発明の液晶材料
は、適当な添加物によって意図する用途に応じた改良が
なされ、最適化される。このような添加物は文献等に記
載されている。通常、液晶のらせん構造を誘起して必要
なねじれ角を調整し、逆ねじれ（reverse twist）を防
ぐため、キラルドープ材（chiral dopant）などが添加
する。
また、本発明の液晶組成物は、メロシアニン系、スチ
リル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタ
ロン系、アントラキノン系およびテトラジン系等の二色
性色素を添加してゲストホスト（GH）モード用の液晶組
成物として使用できる。あるいは、ネマチック液晶をマ
イクロカプセル化して作製したNCAPや液晶中に三次元網
目状高分子を作製したポリマーネットワーク液晶表示素
子（PNLCD）に代表されるポリマー分散型液晶表示素子
（PDLCD）用の液晶組成物としても使用できる。その
他、複屈折制御（ECB）モードや動的散乱（DS）モード
用の液晶組成物として使用できる。
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
まず、本発明の液晶組成物の第１成分である一般式
（Ｉ−１）および（Ｉ−２）の化合物の製造例を示す。
尚、各化合物製造例中においてCrは結晶、Ｎはネマチッ
ク相、Ｓはスメクチック相、Isoは等方性液体を表し、
相転位温度の単位は全て℃である。
（化合物製造例１） ジフルオロ−〔４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）フェニル〕−（3,4,5−トリフルオロフェニル
オキシ）メタン〔（Ｉ−１−３）式の化合物の類似体〕
の製造 撹拌機、温度計、滴下漏斗および窒素導入管を備えた
500ml三口フラスコ中窒素雰囲気下、４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）安息香酸15.0g（60.9mmo
l）、DCC15.1g（73.1mmol）およびDMAP0.3g（2.2mmol）
をジクロロメタン250mlに溶解し、室温下、撹拌しなが
ら3,4,5−トリフルオロフェノール10.8g（73.mmol）を
３分で滴下し、滴下後10時間室温下で撹拌した。反応溶
液に水100mlを添加した後、ジクロロメタン不溶物をろ
取分別後、ジクロロメタン層を分離、さらに水層をジク
ロロメタン200mlで抽出し、抽出層を混合後、水（100ml
x2）、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液100mlおよび水
（100ml x2）で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾
燥後、減圧下濃縮して反応物を23.8g得た。反応物はシ
リカゲルを充填剤にし展開溶媒としてトルエンを用いた
カラムクロマト処理にて精製し、さらにヘプタン−エタ
ノール混合溶媒から再結晶して無色結晶物13.2gを得
た。これが3,4,5−トリフルオロ−〔４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）フェニル〕ベンゾアート
である。
次に窒素導入管および冷却管を備えた1000mlナスフラ
スコ中上記操作で得た3,4,5−トリフルオロ−〔４−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル〕
ベンゾアート13.2g（35.2mmol）、ローソン試薬28.5g
（70.4mmol）をトルエン500mlに溶解し、窒素気流下撹
拌しながら加熱還流の60時間行った。反応溶液を室温ま
で冷却後、水200mlを添加、トルエン層を分離後、水層
をさらにトルエン150mlで抽出した。有機層を混合し、
水（200ml x2）、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（100m
l）、10％亜硫酸水素ナトリウム水溶液100mlおよび水
（200ml x2）で順次洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾
燥、減圧下濃縮して、茶褐色結晶状混合物13.8gを得
た。反応物はシリカゲルを充填剤にし展開溶媒としてヘ
プタンを用いたカラムクロマト処理にて精製後、ヘプタ
ンから再結晶して転移点Cr127.7−128.2℃ Isoの黄色針
状結晶物4.7gを得た。これが４−（トランス−４−プロ
ピルシクロヘキシル）フェニルカルボチオ酸−Ｏ−3,4,
5−トリフルオロフェニルである。
1H−NMR（CDCl3;δppm）0.8−2.0（16H,m）,2.57（1
H,m）,6.78（2H,m）,7.29（2H,d,J＝8.2Hz）,and 8.23
（2H,d,J＝8.2Hz）． 窒素導入管を備えた100mlナスフラスコ中、室温下４
−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル
カルボチオ酸−Ｏ−3,4,5−トリフルオロフェニル4.7g
（12.1mmol）をジクロロメタン50mlに溶解し、DAST5.9g
（36.2mmol）を添加して室温にて34時間撹拌した。反応
溶液に水50mlを添加し、ジクロロメタン層を分離後、水
層をさらにジクロロメタン50mlで抽出、抽出層を混合
し、水（50ml x2）、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液30m
lおよび水（50ml x2）で順次洗浄後、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、減圧下濃縮して無色結晶物4.3gを得た。
反応物はシリカゲルを充填剤とし、展開溶媒としてヘプ
タンを用いたカラムクロマト処理にて精製後、ヘプタン
から再結晶して無色針状結晶物（転移点Cr 70.5−71.4
Iso）を1.5g得た。これがジフルオロ−〔４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル〕−（3,4,
5−トリフルオロフェニルオキシ）メタンである。1H−N
MR（CDCl3;δppm）0.80−2.10（16H,m）,2.60（1H,m）,
6.96（2H,m）,7.32（2H,d,J＝8.6Hz）and 7.62（2H,d,J
＝8.6Hz）． 19F−NMR（CDCl3;δppm）−66.754（2F,s,−CF20
−），−133.521（2F,d），−164.754（1F,t）． GC−MS（CI）m/z251（100％）,379（Ｍ＋＋１−HF,3
4）,and 125（27）． 上記製造方法に準じて４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）安息香酸の代わりにアルキル鎖の異な
る４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）安息
香酸を用い、3,4,5−トリフルオロフェノールの代わり
に種々の既知のフェノール誘導体を用いて以下の式（Ｉ
−１）の化合物が製造できる。
ジフルオロ−〔４−（トランス−４−エチルシクロヘ
キシル）フェニル〕−（４−フルオロフェニルオキシ）
メタン ジフルオロ−〔４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル〕−（４−フルオロフェニルオキ
シ）メタン ジフルオロ−〔４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）フェニル〕−（４−フルオロフェニルオキ
シ）メタン ジフルオロ−〔４−（トランス−４−エチルシクロヘ
キシル）フェニル〕−（3,4−ジフルオロフェニルオキ
シ）メタン ジフルオロ−〔４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル〕−（3,4−ジフルオロフェニルオ
キシ）メタン ジフルオロ−〔４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）フェニル〕−（3,4−ジフルオロフェニルオ
キシ）メタン Cr 42.9−43.4 N 66.2−67.5 Iso ジフルオロ−〔４−（トランス−４−エチルシクロヘ
キシル）フェニル〕−（４−トリフルオロメトキシフェ
ニルオキシ）メタン ジフルオロ−〔４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル〕−（４−トリフルオロメトキシフ
ェニルオキシ）メタン Cr 57.3−58.2 SB 70.9−72.0 N 83.1−83.5 Iso ジフルオロ−〔４−（トランス−４−ブチルシクロヘ
キシル）フェニル〕−（４−トリフルオロメトキシフェ
ニルオキシ）メタン ジフルオロ−〔４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）フェニル〕−（４−トリフルオロメトキシフ
ェニルオキシ）メタン Cr 68.1−68.3 SB 80.5−80.8 N 90.2−90.4 Iso ジフルオロ−〔４−（トランス−４−エチルシクロヘ
キシル）フェニル〕−（３−フルオロ−４−トリフルオ
ロメトキシフェニルオキシ）メタン ジフルオロ−〔４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル〕−（３−フルオロ−４−トリフル
オロメトキシフェニルオキシ）メタン ジフルオロ−〔４−（トランス−４−ブチルシクロヘ
キシル）フェニル〕−（３−フルオロ−４−トリフルオ
ロメトキシフェニルオキシ）メタン ジフルオロ−〔４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）フェニル〕−（３−フルオロ−４−トリフル
オロメトキシフェニルオキシ）メタン Cr 35.9−36.3 N 61.1−61.3 Iso （化合物製造例２） ジフルオロ｛４−〔２−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（3,4,5−トリフル
オロフェニルオキシ）メタン（（Ｉ−Ｉ−７）式の化合
物の類似体）の製造 撹拌機、温度計、滴下漏斗および窒素導入管を備えた
500ml三口フラスコ中窒素雰囲気下、４−〔２−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）エチル〕安息香酸
15.0g（54.7mmol）、DCC13.5g（65.6mmol）およびDMAP
0.25g（1.9mmol）をジクロロメタン250mlに溶解し、室
温下撹拌しながら3,4,5−トリフルオロフェノール9.7g
（65.6mmol）を３分で滴下し、滴下後15時間室温下で撹
拌した。反応溶液に水100mlを添加した後、ジクロロメ
タン不溶物をろ取分別後、ジクロロメタン層を分離、さ
らに水層をジクロロメタン200mlで抽出し、抽出層を混
合後、水（100ml x2）、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
100mlおよび水（100ml x2）で順次洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥後、減圧下濃縮して反応物を22.5g得
た。反応物はシリカゲルを充填剤にし展開溶媒としてト
ルエンを用いたカラムクロマト処理にて精製し、さらに
ヘプタン−エタノール混合溶媒から再結晶して無色結晶
物12.9gを得た。これが3,4,5−トリフルオロ−｛４−
〔２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エチ
ル〕フェニル｝ベンゾアートである。
次に窒素導入管および冷却管を備えた1000mlナスフラ
スコ中上記操作で得た3,4,5−トリフルオロ−｛４−
〔２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エチ
ル〕フェニル｝ベンゾアート12.9g（31.9mmol）、ロー
ソン試薬25.8g（63.9mmol）をトルエン500mlに溶解し、
窒素気流下撹拌しながら加熱還流を65時間行った。反応
溶液を室温まで冷却後、水200mlを添加、トルエン層を
分離後、水層をさらにトルエン150mlで抽出した。有機
層を混合し、水（200ml x2）、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液（100ml）、10％亜硫酸水素ナトリウム水溶液100
mlおよび水（200ml x2）で順次洗浄後、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥、減圧下濃縮して、茶褐色結晶状混合物1
3.3gを得た。反応物はシリカゲルを充填剤にし展開溶媒
としてヘプタンを用いたカラムクロマト処理にて精製
後、ヘプタンから再結晶して黄色針状結晶物4.5gを得
た。これが４−〔２−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）エチル〕フェニルカルボチオ酸−Ｏ−3,4,5
−トリフルオロフェニルである。
Cr 95.5−97.6 Iso 1H−NMR（CDCl3;δppm）0.7−1.9（19H,m）,2.70（2
H,m）,6.80（2H,m）,7.25（2H,d,J＝8.3Hz）,and 8.21
（2H,d,J＝8.3Hz）． 窒素導入管を備えた100mlナスフラスコ中、室温下４
−〔２−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）エ
チル〕フェニルカルボチオ酸−Ｏ−3,4,5−トリフルオ
ロフェニル4.5g（10.8mmol）をジクロロメタン50mlに溶
解し、DAST5.3g（32.6mmol）を添加して室温にて40時間
撹拌した。反応溶液に水50mlを添加し、ジクロロメタン
層を分離後、水層をさらにジクロロメタン50mlで抽出、
抽出層を混合し、水（50ml x2）、飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液30mlおよび水（50ml x2）で順次洗浄後、無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下濃縮して無色結晶
物3.9gを得た。反応物はシリカゲルを充填剤とし、展開
溶媒としてヘプタンを用いたカラムクロマト処理にて精
製後、ヘプタンから再結晶して無色針状結晶物を1.5g得
た。これがジフルオロ−｛４−〔２−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（3,4,
5−トリフルオロフェニルオキシ）メタンである。
Cr 36.8−37.5（NI 23.5−23.7）Iso 1H−NMR（CDCl3;δppm）0.7−2.0（19H,m）,2.68（2
H,m）,6.93（2H,m）,7.27（2H,d,J＝8.4Hz）and 7.58
（2H,d,J＝8.4Hz）． 上記製造方法に準じて４−〔２−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）エチル〕安息香酸の代わりにア
ルキル鎖の異なる４−〔２−（トランス−４−アルキル
シクロヘキシル）エチル〕安息香酸を用い、3,4,5−ト
リフルオロフェノールの代わりに種々の既知のフェノー
ル誘導体を用いて以下の式（Ｉ−１）の化合物が製造で
きる。
ジフルオロ−｛４−〔２−（トランス−４−エチルシ
クロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（４−トリフルオ
ロメトキシフェニルオキシ）メタン ジフルオロ−｛４−〔２−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（４−トリフル
オロメトキシフェニルオキシ）メタン Cr 60.2−60.9 N 72.6−73.2 Iso ジフルオロ−｛４−〔２−（トランス−４−ブチルシ
クロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（４−トリフルオ
ロメトキシフェニルオキシ）メタン ジフルオロ−｛４−〔２−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（４−トリフル
オロメトキシフェニルオキシ）メタン ジフルオロ−｛４−〔２−（トランス−４−エチルシ
クロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（４−フルオロフ
ェニルオキシ）メタン ジフルオロ−｛４−〔２−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（４−フルオロ
フェニルオキシ）メタン ジフルオロ−｛４−〔２−（トランス−４−ブチルシ
クロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（４−フルオロフ
ェニルオキシ）メタン ジフルオロ−｛４−〔２−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（４−フルオロ
フェニルオキシ）メタン ジフルオロ−｛４−〔２−（トランス−４−エチルシ
クロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（3,4−ジフルオ
ロフェニルオキシ）メタン ジフルオロ−｛４−〔２−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（3,4−ジフル
オロフェニルオキシ）メタン ジフルオロ−｛４−〔２−（トランス−４−ブチルシ
クロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（3,4−ジフルオ
ロフェニルオキシ）メタン ジフルオロ−｛４−〔２−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（3,4−ジフル
オロフェニルオキシ）メタン ジフルオロ−｛４−〔２−（トランス−４−エチルシ
クロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（３−フルオロ−
４−トリフルオロメトキシフェニルオキシ）メタン ジフルオロ−｛４−〔２−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（３−フルオロ
−４−トリフルオロメトキシフェニルオキシ）メタン Cr 30.8−31.3 N 76.9−77.7 Iso ジフルオロ−｛４−〔２−（トランス−４−ブチルシ
クロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（３−フルオロ−
４−トリフルオロメトキシフェニルオキシ）メタン ジフルオロ−｛４−〔２−（トランス−４−ペンチル
シクロヘキシル）エチル〕フェニル｝−（３−フルオロ
−４−トリフルオロメトキシフェニルオキシ）メタン （化合物製造例３） ジフルオロ−（３′,4′,5′−トリフルオロビフェニル
オキシ）−〔４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）フェニル〕メタン〔（Ｉ−２−３）式の化合物の
類似体〕の製造 １）４−（3,4,5−トリフルオロフェニル）フェノール
の製造 本化合物の製造原料である４−（3,4,5−トリフルオ
ロフェニル）フェノールは以下の操作にて製造した。す
なわち撹拌機、温度計、窒素導入管、滴下漏斗および冷
却管を備えた1000ml三口フラスコに削り状マグネシウム
7.9g（324.2mmol）を添加し、3,4,5−トリフルオロブロ
モベンゼン65.2g（308.8mmol）をテトラヒドロフラン
（以下THFと略す）80mlに溶解した溶液を内温が50℃を
保つように50分を要して滴下した。滴下終了後１時間温
浴上にて同温度を保つように撹拌、熟成を行いグリニャ
ール試薬を調製した。次に別に用意した撹拌機、温度
計、窒素導入管、滴下漏斗および冷却管を備えた1000ml
三口フラスコに窒素雰囲気下ヨードベンゼン35.0g（17
1.6mmol）、塩化パラジウム1.64g（9.3mmol）およびTHF
300mlを添加し、加熱還流させながら前記操作で調製し
たグリニャール試薬を50分を要して滴下した。滴下後さ
らに３時間加熱還流を行った後、室温まで冷却し水200m
lを添加して反応を終了した。反応溶液は不溶物をろ取
分別後、トルエン（300ml x2）で抽出した。抽出層は水
（300ml x3）で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥、
減圧下濃縮して黒褐色固形物38.4gを得た。濃縮残査は
シリカゲルを充填剤、展開溶媒としてヘプタンを用いた
クロマト処理操作にて精製後、ヘプタン−エタノール混
合溶媒から再結晶して無色結晶物を19.0g得た。これが
3,4,5−トリフルオロビフェニルである。次に得られた
ビフェニル誘導体はブロム化を行った。すなわち撹拌
機、温度計、窒素導入管、滴下漏斗を備えた100ml三口
フラスコ中上記操作で得た3,4,5−トリフルオロビフェ
ニル19.0g（91.5mmol）をジクロロメタン200mlに溶解
し、撹拌しながら−５℃まで冷却後、鉄粉0.26g（4.6mm
ol）添加しを、さらに臭素8.8g（109.8mmol）を−５〜
０℃を保つように15分を要して滴下した。滴下終了後さ
らに同温度を保ちながら１時間撹拌した。反応溶液に水
200mlを添加し反応を終了後、トルエン（250ml x2）に
て抽出、抽出層は水（200ml x4）で洗浄後、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、減圧下濃縮して茶褐色油状物25.1
gを得た。濃縮残査はシリカゲルを充填剤、展開溶媒と
してヘプタンを用いたクロマト処理操作にて精製後、ヘ
プタン−エタノール混合溶媒から再結晶して無色結晶物
を16.6g得た。これが４−ブロモ−３′,4′,5′−トリ
フルオロビフェニルである。
上記操作で得たブロモビフェニル誘導体はR.L.Kidwel
lらの報告（Org.Synth.,V,918（1973））を参考に以下
の操作でフェニルフェノール誘導体へと誘導した。すな
わち撹拌機、温度計、窒素導入管、滴下漏斗を備えた30
0ml三口フラスコ中削り状マグネシウム1.5g（60.9mmo
l）を添加し、４−ブロモ−３′,4′,5′−トリフルオ
ロビフェニル16.6g（58.0mmol）をTHF30mlに溶解した溶
液を内温が50℃を保つように25分を要して滴下した。滴
下終了後１時間温浴上にて同温度を保つように撹拌、熟
成を行いグリニャール試薬を調製した。次に反応溶液を
ドライアイス−アセトン冷媒下−20℃まで冷却後、ほう
酸トリメチル7.2gを滴下し、30分間同温度にて撹拌し
た。同温度にて酢酸3.5g（58.0mmol）を添加し、20℃ま
で昇温後、30％過酸化水素水7.9g（69.6mmol）を25℃を
保つように10分を要して滴下した。反応溶液は冷媒にて
再度−30℃まで冷却後、20％−チオ硫酸ナトリウム水溶
液50mlを10分を要して滴下し反応を終了した。反応溶液
は酢酸エチル（150ml x3）で抽出し、飽和食塩水（200m
l x2）で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下
濃縮して褐色固形状物14.5gを得た。濃縮残査はヘプタ
ン−トルエン混合溶媒から再結晶し無色結晶物10.9gを
得た。これが４−（3,4,5−トリフルオロフェニル）フ
ェノールである。
２）ジフルオロ−（３′,4′,5′−トリフルオロビフェ
ニルオキシ）−〔４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル〕メタンの製造 撹拌機、温度計、滴下漏斗および窒素導入管を備えた
500ml三口フラスコ中窒素雰囲気下、４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）安息香酸15.0g（60.9mmo
l）、DCC15.1g（73.1mmol）およびDMAP0.27g（2.2mmo
l）をジクロロメタン300mlに溶解し、室温下撹拌しなが
ら前述の４−（3,4,5−トリフルオロフェニル）フェノ
ール16.4g（73.1mmol）をジクロロメタン80mlに溶解し
た溶液を20分を要して滴下し、滴下後10時間室温下で撹
拌した。反応溶液に水200mlを添加した後、ジクロロメ
タン不溶物をろ取分別後、ジクロロメタン層を分離、さ
らに水層をジクロロメタン200mlで抽出し、抽出層を混
合後、水（200ml x2）、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
100mlおよび水（200ml x2）で順次洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥後、減圧下濃縮して反応物を26.9g得
た。反応物はシリカゲルを充填剤にし展開溶媒としてト
ルエンを用いたカラムクロマト処理にて精製し、さらに
ヘプタン−エタノール混合溶媒から再結晶して無色結晶
物22.8gを得た。これが（３′,4′,5′−トリフルオロ
ビフェニル）−４−（トランス−４−シクロヘキシル）
ベンゾアートである。
次に窒素導入管および冷却管を備えた1000mlナスフラ
スコ中上記操作で得た（３′,4′,5′−トリフルオロビ
フェニル）−４−（トランス−４−シクロヘキシル）ベ
ンゾアート22.8g（50.5mmol）、ローソン試薬40.9g（10
1.1mmol）をトルエン500mlに溶解し、窒素気流下撹拌し
ながら加熱還流を60時間行った。反応溶液を室温まで冷
却後、水200mlを添加、トルエン層を分離後、水層をさ
らにトルエン200mlで抽出した。有機層を混合し、水（2
00ml x2）、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（100ml）、
10％亜硫酸水素ナトリウム水溶液100mlおよび水（200ml
x2）で順次洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥、減
圧下濃縮して、茶褐色結晶状混合物23.4gを得た。反応
物はシリカゲルを充填剤にし展開溶媒としてヘプタンを
用いたカラムクロマト処理にて精製後、ヘプタンから再
結晶して黄色針状結晶物8.3gを得た。これが４−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニルカルボチ
オ酸−Ｏ−３′,4′,5′−トリフルオロビフェニルであ
る。
窒素導入管を備えた100mlナスフラスコ中、室温下４
−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル
カルボチオ酸−Ｏ−３′,4′,5′−トリフルオロビフェ
ニル8.3g（17.7mmol）をジクロロメタン80mlに溶解し、
DAST8.5g（53.0mmol）を添加して室温にて40時間撹拌し
た。反応溶液に水50mlを添加し、ジクロロメタン層を分
離後、水層をさらにジクロロメタン50mlで抽出、抽出層
を混合し、水（50ml x2）、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液30mlおよび水（50ml x2）で順次洗浄後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥し、減圧下濃縮して褐色結晶物8.1g
を得た。反応物はシリカゲルを充填剤とし、展開溶媒と
してヘプタンを用いたカラムクロマト処理にて精製後、
ヘプタンから再結晶して無色針状結晶物を1.9g得た。こ
れがジフルオロ−（３′,4′,5′−トリフルオロビフェ
ニルオキシ）−〔４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）フェニル〕メタンである。
上記製造方法に準じて、４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）安息香酸および３′,4′,5′−トリ
フルオロビフェノールの代わりに、種々の既知の安息香
酸誘導体および種々の既知のフェノール誘導体を任意に
選択して使用することにより以下の式（Ｉ−２）の化合
物が製造できる。
ジフルオロ−（４′−トリフルオロメトキシビフェニ
ルオキシ）−〔４−（トランス−４−エチルシクロヘキ
シル）フェニル〕メタン ジフルオロ−（４′−トリフルオロメトキシビフェニ
ルオキシ）−〔４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）フェニル〕メタン ジフルオロ−（４′−トリフルオロメトキシビフェニ
ルオキシ）−〔４−（トランス−４−ブチルシクロヘキ
シル）フェニル〕メタン ジフルオロ−（４′−トリフルオロメトキシビフェニ
ルオキシ）−〔４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）フェニル〕メタン ジフルオロ−（３′,4′−ジフルオロビフェニルオキ
シ）−〔４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）
フェニル〕メタン ジフルオロ−（３′,4′−ジフルオロビフェニルオキ
シ）−〔４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）フェニル〕メタン ジフルオロ−（３′,4′−ジフルオロビフェニルオキ
シ）−〔４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）
フェニル〕メタン ジフルオロ−（３′,4′−ジフルオロビフェニルオキ
シ）−〔４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）フェニル〕メタン ジフルオロ−（３′−フルオロ−４′−トリフルオロ
メトキシビフェニルオキシ）−〔４−（トランス−４−
エチルシクロヘキシル）フェニル〕メタン ジフルオロ−（３′−フルオロ−４′−トリフルオロ
メトキシビフェニルオキシ）−〔４−（トランス−４−
プロピルシクロヘキシル）フェニル〕メタン ジフルオロ−（３′−フルオロ−４′−トリフルオロ
メトキシビフェニルオキシ）−〔４−（トランス−４−
ブチルシクロヘキシル）フェニル〕メタン ジフルオロ−（３′−フルオロ−４′−トリフルオロ
メトキシビフェニルオキシ）−〔４−（トランス−４−
ペンチルシクロヘキシル）フェニル〕メタン ジフルオロ−（４′−トリフルオロメトキシビフェニ
ルオキシ）−｛４−〔２−（トランス−４−エチルシク
ロヘキシル）エチル〕フェニル｝メタン ジフルオロ−（４′−トリフルオロメトキシビフェニ
ルオキシ）−｛４−〔２−（トランス−４−プロピルシ
クロヘキシル）エチル〕フェニル｝メタン ジフルオロ−（４′−トリフルオロメトキシビフェニ
ルオキシ）−｛４−〔２−（トランス−４−ブチルシク
ロヘキシル）エチル〕フェニル｝メタン ジフルオロ−（４′−トリフルオロメトキシビフェニ
ルオキシ）−｛４−〔２−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）エチル〕フェニル｝メタン 次に、本発明の液晶組成物の実施例および比較例を示
す。比較例、実施例の組成比はすべて重量％で示され
る。尚、実施例および比較例で用いる化合物は、表１に
示した定義に基づき、記号で表した。
液晶組成物の特性のデータは、透明点（TNI）、スメ
クティック−ネマティック相転移点（TSN）20℃におけ
る粘度（η20）、25℃における屈折率異方性（Δｎ）、
25℃における誘電率異方性（Δε）、20℃におけるしき
い値電圧（Vth）で表した。
電圧保持率の測定は、面積法（嶋崎達男 他,TFT−LC
Dの電圧保持特性I,p.78,第14回液晶討論会講演予稿集
（1988年）に記載の方法）に基づいて、フレーム周期60
Hz、電圧5.0ボルト、ON時間60μsec、液晶層の層厚7.0
μ、電極面積1cm2のITOパターンを蒸着したガラス基板
上にポリイミド系配向膜をラビングした液晶セルを用い
て25℃において実施した。なお、TSN点は、０℃、−10
℃、−20℃、−30℃の各々のフリーザー中に30日間放置
した後の液晶相で判断した。
比較例１ 特開平２−233626号公報の応用例２で開示されてい
る、以下の組成物を調整した。
３−HHB（F,F）−Ｆ 15.0％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ 28.4％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ 28.3％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ 28.3％ この液晶組成物の物性値を以下に示す。
TNI＝110.7℃ TSN＜０℃ η20＝25.0mPa・ｓ Δｎ＝0.077 Vth＝2.32（Ｖ） V.H.R＝98.8％ この液晶組成物は、しきい値電圧が大きく、低温相溶
性が良くなかった（TSNが高い）。また、Δｎが若干小
さく、実用性に欠けていた。
比較例２ WO94/03558号公報の実施例１で開示されている、以下
の組成物を調整した。
７−HB（F,F）−Ｆ 10.0％ ２−HHB（F,F）−Ｆ 25.0％ ３−HHB（F,F）−Ｆ 35.0％ ５−HHB（F,F）−Ｆ 18.0％ ７−HB（Ｆ）−Ｆ 12.0％ この液晶組成物の物性値を以下に示す。
TNI＝42.9℃ TSN＜０℃ η20＝22.2mPa・ｓ Δｎ＝0.059 Vth＝1.07V V.H.R＝98.7％ この液晶組成物は、しきい値電圧は小さいが、透明点
が小さく、また低温相溶性が良くなかった。また、Δｎ
が小さく実用性に欠けていた。
比較例３ WO94/03558号公報の実施例２で開示されている。以下
の組成物を調整した。
２−HHB（F,F）−Ｆ 26.0％ ３−HHB（F,F）−Ｆ 26.0％ ５−HHB（F,F）−Ｆ 26.0％ ７−HB（Ｆ）−Ｆ 12.0％ ５−H2B（Ｆ）−Ｆ 10.0％ この液晶組成物の物性値を以下に示す。
TNI＝46.0℃ TSN＜０℃ η20＝21.6mPa・ｓ Δｎ＝0.058 Vth＝1.17V V.H.R＝98.5％ この液晶組成物は、しきい値電圧は小さいが、透明点
が小さく、また低温相溶性が良くなかった。また、Δｎ
が小さく実用性に欠けていた。
実施例１ ５−HBCF2OB（Ｆ）−Ｆ 10％ ５−HBCF2OB（Ｆ）−OCF3 15％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ２−H2HB（Ｆ）−Ｆ 10％ ３−H2HB（Ｆ）−Ｆ ５％ ５−H2HB（Ｆ）−Ｆ 10％ ２−HBB（Ｆ）−Ｆ ５％ ３−HBB（Ｆ）−Ｆ ５％ ５−HBB（Ｆ）−Ｆ 10％ この液晶組成物の物性値を以下に示す。
TNI＝87.9℃ TSN＜−30℃ η20＝24.1mPa・ｓ Δｎ＝0.094 Δε＝5.9 Vth＝2.02V V.H.R＝98.8％ この液晶組成物は、比較例１〜３と比較して、特に低
温相溶性に優れており、Δｎも高い。また、比較例１と
比べて、透明点が実用上問題がない程度に高い割には粘
度が低く、Vthも小さかった。
実施例２ ３−HBCF2OB−OCF3 10％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ２−H2HB（Ｆ）−Ｆ ８％ ３−H2HB（Ｆ）−Ｆ ４％ ５−H2HB（Ｆ）−Ｆ ８％ ３−HHB−Cl ５％ ３−HHEB−Ｆ ４％ ５−HHEB−Ｆ ４％ ３−HBEB−Ｆ ４％ 1O1−HH−３ ５％ ３−HH−５ ５％ 1O1−HBBH−３ ３％ ３−H2BB（F,F）−Ｆ ５％ ３−H2HB（F,F）−Ｆ ５％ この液晶組成物の物性値を以下に示す。
TNI＝110.5℃ TSN＜−20℃ η20＝24.2mPa・ｓ Δｎ＝0.081 Δε＝4.7 Vth＝2.29V V.H.R＝98.5％ この液晶組成物は、比較例１〜３と比較して、低温相
溶性に優れており、Δｎも高い。また、比較例１と比べ
て、粘度が低く、Vthも小さかった。
実施例３ ３−HBCF2OB−OCF3 ５％ ７−HB（Ｆ）−Ｆ 10％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ 12％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ 12％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ 12％ ２−HBB（Ｆ）−Ｆ ５％ ３−HBB（Ｆ）−Ｆ ５％ ５−HBB（Ｆ）−Ｆ 10％ ３−HHB−Ｆ ５％ ３−HHEB（F,F）−Ｆ 10％ ３−HH2B（F,F）−Ｆ ８％ ２−HHHB（F,F）−Ｆ ３％ ３−HH2BB（F,F）−Ｆ ３％ この液晶組成物の物性値を以下に示す。
TNI＝92.2℃ TSN＜−30℃ η20＝24.3mPa・ｓ Δｎ＝0.091 Δε＝6.1 Vth＝1.97V V.H.R＝98.3％ この液晶組成物は、比較例１〜３と比較して、特に低
温相溶性に優れており、Δｎも高い。また、比較例１と
比べて、透明点が高い割には粘度が低く、Vthも小さか
った。
実施例４ ３−H2BCF2OB−OCF3 ５％ ３−HBCF2OB−OCF3 15％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ２−HBB（Ｆ）−Ｆ ４％ ３−HBB（Ｆ）−Ｆ ４％ ５−HBB（Ｆ）−Ｆ ８％ ３−HH2B−OCF3 ６％ ５−H2HB−OCF ６％ ３−HB−O2 ４％ ３−HHB−O1 ４％ ３−HHB（F,F）−Ｆ ５％ ５−HHB（F,F）−Ｆ ３％ ５−HH2B（F,F）−Ｆ ６％ この液晶組成物の物性値を以下に示す。
TNI＝99.9℃ TSN＜−20℃ η20＝21.5mPa・ｓ Δｎ＝0.096 Δε＝5.5 Vth＝2.18V V.H.R＝99.9％ 実施例５ ３−HBCF2OB−OCF3 ５％ ５−HBCF2OB−OCF3 10％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ 12％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ 12％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ 12％ ３−HBB−Ｆ ４％ ２−H2HB（Ｆ）−Ｆ ２％ ３−H2HB（Ｆ）−Ｆ １％ ５−H2HB（Ｆ）−Ｆ ２％ ２−HBB（Ｆ）−Ｆ ４％ ３−HBB（Ｆ）−Ｆ ４％ ５−HBB（Ｆ）−Ｆ ８％ ２−HBB−Ｆ ３％ ３−HBB−Ｆ ３％ ５−HBB−Ｆ ２％ ７−HB（Ｆ）−Ｆ ４％ ５−H2B（Ｆ）−Ｆ ６％ ３−HHB−１ ６％ この液晶組成物の物性値を以下に示す。
TNI＝87.9℃ TSN＜−20℃ η20＝20.5mPa・ｓ Δｎ＝0.095 Δε＝5.0 Vth＝2.22V V.H.R＝98.6％ 実施例６ ５−HBCF2OB−OCF3 ５％ ３−H2BCF2OB−OCF3 ５％ ３−H2BCF20OBB（Ｆ）−OCF ５％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ３−HHB−Ｆ ４％ ２−HBB（Ｆ）−Ｆ ４％ ３−HBB（Ｆ）−Ｆ ４％ ５−HBB（Ｆ）−Ｆ ８％ ２−HBB−Ｆ ３％ ３−HBB−Ｆ ３％ ５−HBB−Ｆ ３％ ２−H2BB（Ｆ）−Ｆ ４％ ３−H2BB（Ｆ）−Ｆ ４％ ５−H2BB（Ｆ）−Ｆ ４％ ７−HB（Ｆ）−Ｆ ３％ ５−H2B（Ｆ）−Ｆ ５％ ３−HHB−１ ６％ から成る組成物を調整した。
実施例７ ３−HBCF2OB−OCF3 10％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ ６％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ ６％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ 12％ ３−HB−Cl ５％ ５−HB−Cl ５％ ７−HB−Cl ５％ ２−HHB−Cl ６％ ３−HHB−Cl ７％ ５−HHB−Cl ６％ ３−HB（Ｆ）TB−２ ３％ ３−HB（Ｆ）VB−２ ３％ ３−HBB（F,F）−Ｆ 13％ ５−HBB（F,F）−Ｆ 13％ この液晶組成物の物性値を以下に示す。
TNI＝90.1℃ TSN＜−20℃ η20＝22.1mPa・ｓ Δｎ＝0.109 Δε＝6.1 Vth＝2.13V V.H.R＝98.8％ 実施例８ ３−HBCF2OB−OCF3 15％ ５−HBCF2OB−OCF3 15％ ５−HBCF20B（Ｆ）−OCF3 10％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ ８％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ ８％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ ８％ ３−HBB−Ｆ ３％ ２−H2HB（Ｆ）−Ｆ ４％ ３−H2HB（Ｆ）−Ｆ ２％ ５−H2HB（Ｆ）−Ｆ ４％ ３−HHEB−Ｆ ３％ ５−HHEB−Ｆ ３％ ３−HHB−１ ３％ ３−HHB−O1 ３％ ７−HB（F,F）−Ｆ ３％ ３−HHB（F,F）−Ｆ ４％ ４−HHB（F,F）−Ｆ ４％ この液晶組成物の物性値を以下に示す。
TNI＝90.8℃ TSN＜−20℃ η20＝21.6mPa・ｓ Δｎ＝0.085 Δε＝6.2 Vth＝2.04V V.H.R＝98.2％ 実施例９ ５−HBCF2OB−OCF3 10％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ２−H2HB−Ｆ ６％ ３−H2HB（Ｆ）−Ｆ ３％ ５−H2HB（Ｆ）−Ｆ ６％ ３−HHEB−Ｆ ３％ ５−HHEB−Ｆ ３％ ３−HBEB−Ｆ ３％ ７−HB（Ｆ）−Ｆ ５％ ３−HHB−Cl ４％ ３−HHB−１ ４％ ３−HHB−O1 ４％ ２−HHB（F,F）−Ｆ ５％ ３−HHB（F,F）Ｆ ５％ ３−HHEB（F,F）−Ｆ ５％ ３−HBEB（F,F）−Ｆ ４％ この液晶組成物の物性値を以下に示す。
TNI＝104.9℃ TSN＜−30℃ η20＝26.1mPa・ｓ Δｎ＝0.084 Δε＝6.3 Vth＝2.07V V.H.R＝99.0％ 実施例10 ５−HBCF2OB−OCF3 15％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ２−H2HB−Ｆ ６％ ３−H2HB（Ｆ）−Ｆ ３％ ５−H2HB（Ｆ）−Ｆ ６％ ２−HBB（Ｆ）−Ｆ ３％ ３−HBB（Ｆ）−Ｆ ３％ ５−HBB（Ｆ）−Ｆ ６％ ３−HHEB−Ｆ ４％ ５−HHEB−Ｆ ４％ ３−HHEBB−Ｆ ３％ ５−HHEBB−Ｆ ３％ ７−HB（Ｆ）−Ｆ ４％ ５−HB−Ｆ ５％ ６−HB−Ｆ ５％ この液晶組成物の物性値を以下に示す。
TNI＝89.6℃ TSN＜−20℃ η20＝21.8mPa・ｓ Δｎ＝0.087 Δε＝5.1 Vth＝2.15V V.H.R＝98.4％ 実施例11 ５−HBCF2OB（Ｆ）−Ｆ ３％ ３−HBCF2OB−OCF3 ５％ ５−HBCF2OB−OCF3 ９％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ 11％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ 11％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ 11％ ３−HHB−Ｆ ５％ ２−HBB（Ｆ）−Ｆ ３％ ３−HBB（Ｆ）−Ｆ ３％ ５−HBB（Ｆ）−Ｆ ６％ ３−HHEBB−Ｆ ４％ ５−HHEBB−Ｆ ３％ ７−HB（Ｆ）−Ｆ 15％ ３−HB−O2 ３％ ３−HHB−１ ５％ ３−HHB−O1 ３％ この液晶組成物の物性値を以下に示す。
TNI＝91.4℃ TSN＜−20℃ η20＝19.8mPa・ｓ Δｎ＝0.092 Δε＝4.8 Vth＝2.25V V.H.R＝98.7％ 実施例12 ５−HBCF2OB（Ｆ）−Ｆ ６％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ 13％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ 13％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ 13％ ２−H2HB−Ｆ ８％ ３−H2HB（Ｆ）−Ｆ ４％ ５−H2HB（Ｆ）−Ｆ ８％ ２−HBB（Ｆ）−Ｆ ５％ ３−HBB（Ｆ）−Ｆ ５％ ５−HBB（Ｆ）−Ｆ 10％ ７−HB（Ｆ）−Ｆ ８％ ５−H2B（Ｆ）−Ｆ ７％ この液晶組成物の物性値を以下に示す。
TNI＝70.4℃ TSN＜−30℃ η20＝20.9mPa・ｓ Δｎ＝0.081 Δε＝4.8 Vth＝1.96V V.H.R＝98.6％ 実施例13 ５−HBCF2OB−Ｆ ５％ ３−H2BCF2OB（Ｆ）−Ｆ ５％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ２−H2HB−Ｆ ６％ ３−H2HB（Ｆ）−Ｆ ３％ ５−H2HB（Ｆ）−Ｆ ６％ ３−HHEB−Ｆ ３％ ５−HHEB−Ｆ ３％ ３−HBEB−Ｆ ３％ ７−HB（Ｆ）−Ｆ ５％ ３−HHB−Cl ４％ ３−HHB−１ ４％ ３−HHB−O1 ４％ ２−HHB（F,F）−Ｆ ５％ ３−HHB（F,F）Ｆ ５％ ３−HHEB（F,F）−Ｆ ５％ ３−HBEB（F,F）−Ｆ ４％ から成る組成物を調製した。
実施例14 ５−H2BCF2OB（Ｆ）−OCF3 ９％ ３−HBCF2OBB−OCF3 ３％ ５−HBCF2OBB（Ｆ）−Ｆ ３％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ２−H2HB（Ｆ）−Ｆ ６％ ３−H2HB（Ｆ）−Ｆ ３％ ５−H2HB（Ｆ）−Ｆ ６％ ２−HBB（Ｆ）−Ｆ ３％ ３−HBB（Ｆ）−Ｆ ３％ ５−HBB（Ｆ）−Ｆ ６％ ３−HHEB−Ｆ ４％ ５−HHEB−Ｆ ４％ ３−HHEBB−Ｆ ３％ ５−HHEBB−Ｆ ３％ ７−HB（Ｆ）−Ｆ ４％ ５−HB−Ｆ ５％ ６−HB−Ｆ ５％ から成る組成物を調製した。
実施例15 ５−HBCF2OB（Ｆ）−Ｆ ４％ ３−HBCF2OB−OCF3 ５％ ３−H2BCF2OBB−Ｆ ４％ ５−H2BCF2OBB（Ｆ）−Ｆ ４％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ 11％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ 11％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ 11％ ３−HHB−Ｆ ５％ ２−HBB（Ｆ）−Ｆ ３％ ３−HBB（Ｆ）−Ｆ ３％ ５−HBB（Ｆ）−Ｆ ６％ ３−HHEBB−Ｆ ４％ ５−HHEBB−Ｆ ３％ ７−HB（Ｆ）−Ｆ 15％ ３−HB−O2 ３％ ３−HHB−１ ５％ ３−HHB−O1 ３％ から成る組成物を調製した。
実施例16 ５−H2BCF2OBB−OCF3 ５％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ 13％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ 13％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ 13％ ２−H2HB−Ｆ ８％ ３−H2HB（Ｆ）−Ｆ ４％ ５−H2HB（Ｆ）−Ｆ ８％ ２−HBB（Ｆ）−Ｆ ５％ ３−HBB（Ｆ）−Ｆ ５％ ５−HBB（Ｆ）−Ｆ 10％ ７−HB（Ｆ）−Ｆ ８％ ５−H2B（Ｆ）−Ｆ ８％ から成る組成物を調製した。
実施例17 ５−HBCF2OB（Ｆ）−Ｆ 16％ ５−HBCF2OBB−Ｆ ３％ ３−HBCF2OBB（Ｆ）−OCF3 ３％ ３−H2BCF2OBB−OCF3 ３％ ２−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ３−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ５−HHB（Ｆ）−Ｆ 10％ ２−H2HB（Ｆ）−Ｆ 10％ ３−H2HB（Ｆ）−Ｆ ５％ ５−H2HB（Ｆ）−Ｆ 10％ ２−HBB（Ｆ）−Ｆ ５％ ３−HBB（Ｆ）−Ｆ ５％ ５−HBB（Ｆ）−Ｆ 10％ から成る組成物を調製した。
実施例18 ３−H2BCF2OB−OCF3 ４％ ３−H2BCF2OBB−OCF3 ３％ ５−HB−Ｆ ９％ ６−HB−Ｆ ９％ ７−HB−Ｆ ９％ ３−HBB（Ｆ）−Ｆ 11％ ５−HBB（Ｆ）−Ｆ 11％ ２−HHB−OCF3 ８％ ３−HHB−OCF3 ８％ ４−HHB−OCF3 ８％ ５−HHB−OCF3 ８％ ３−HH2B−OCF3 ４％ ５−HH2B−OCF3 ４％ ３−HBBH−５ ２％ ３−HB（Ｆ）BH−３ ２％ から成る組成物を調整した。
実施例19 ３−HBCF2OB−OCF3 10％ ５−HBCF2OB−OCF3 ９％ ５−HB−Ｆ ６％ ７−HB−Ｆ ６％ ３−HH−O1 ３％ ３−HBB−OCF3 ５％ ５−HHB−OCF3 ５％ ３−HH2B−Ｆ ８％ ５−HH2B−Ｆ ８％ ３−HH2B（Ｆ）−Ｆ ８％ ５−HH2B（Ｆ）−Ｆ ８％ ３−HBB（Ｆ）−Ｆ 12％ ５−HBB（Ｆ）−Ｆ 12％ から成る組成物を調整した。
本発明によれば、AM−LCD用液晶組成物に求められる
種々の特性を満たしながら、特に、低温相溶性に優れ、
Δｎが適当に高く、Vthおよび粘度の小さい液晶組成物
が提供される。
産業上の利用可能性 本発明の液晶組成物は、アクティブマトリックス方
式、STN方式等の種々のモードにおける低電圧用液晶材
料として有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中川 悦男 千葉県市原市五井8890番地 (72)発明者 澤田 信一 千葉県市原市西広316−１ 168街区11 (56)参考文献 特開 平５−112778（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C09K 19/42 - 19/46 G02F 1/13 ＣＡ（ＳＴＮ) ＣＡＯＬＤ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１成分として、一般式（Ｉ−１）または
    （Ｉ−２）のいずれかで表される化合物を１種以上含有
    し、第２成分として、一般式（II−１）〜（II−６）の
    いずれかで表される化合物を１種以上含有することを特
    徴とする液晶組成物。 （式中、ｎは１〜10の整数を示し、Z1は−CH2CH2−また
    は単結合を示し、ＸはＦまたはOCF3を示し、ＹはＨまた
    はＦを示し、ｍは０または１を示す。）
  2. 【請求項２】液晶組成物の全重量に対して、第１成分が
    ３〜40重量％、第２成分が60〜97重量％であることを特
    徴とする請求項（１）記載の液晶組成物。
  3. 【請求項３】請求項１または２に記載の液晶組成物にお
    いて、第一成分として、一般式（Ｉ−１）または（Ｉ−
    ２）のいずれかで表される化合物を１種以上含有し、第
    二成分として、一般式（II−１）〜（II−６）のいずれ
    かで表される化合物を１種以上含有し、さらに第三成分
    として、一般式（II−７）で表される化合物を１種以上
    含有することを特徴とする液晶組成物。
  4. 【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載した液晶組
    成物に加えて、一般式（III）で表される化合物をさら
    に含有することを特徴とする液晶組成物。 （式中、ｎは１〜10の整数を示し、ＸはＦまたはOCF3を
    示し、ＹはＦまたはＨを示し、Z2は−CH2CH2−または単
    結合を示す。）
  5. 【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の液晶組成
    物に加えて、一般式（IV−１）および／または一般式
    （IV−２）で表される化合物をさらに含有することを特
    徴とする液晶組成物。 （式中、ｎは１〜10の整数を示す）
  6. 【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の液晶組成
    物に加えて、一般式（Ｖ−１）〜（Ｖ−３）で表される
    化合物から選択される１種またはそれ以上の化合物をさ
    らに含有することを特徴とする記載の液晶組成物。 （式中、R1、R3、R5は炭素数１から10のアルキル基また
    はアルケニル基を示し、いずれにおいても基中の任意の
    １つまたは相隣接しない２つのメチレン基（−CH2−）
    は酸素原子（−Ｏ−）によって置換されても良い。R2、
    R4、R6は炭素数１〜10のアルキル基またはアルコキシ基
    を示し、Ａはトランス−４−シクロヘキシレン基または
    1,4−フェニレン基、Z3は、−CH＝CH−または−Ｃ≡Ｃ
    −を示し、ＹはＨまたはＦを示し、ｐは０または１を示
    す。）
  7. 【請求項７】請求項１〜６のいずれかに記載の液晶組成
    物を用いた液晶表示素子。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001123170A (ja) * 1999-10-25 2001-05-08 Chisso Corp 液晶組成物および液晶表示素子
JP2004149775A (ja) * 2002-09-30 2004-05-27 Merck Patent Gmbh 液晶媒体
JP2005506399A (ja) * 2001-06-19 2005-03-03 メルク　パテント　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフトング Ｃｆ２ｏ構造要素を含むポリマー

Families Citing this family (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE219041T1 (de) 1996-04-02 2002-06-15 Chisso Corp Flüssigkristallverbindungen, flüssigkristalle enthaltende zubereitungen, und aus diesen verbindungen hergestellte flüssigkristallanzeigen
JP3511846B2 (ja) * 1996-10-22 2004-03-29 チッソ株式会社 液晶組成物および液晶表示素子
JP3531713B2 (ja) * 1996-11-22 2004-05-31 チッソ株式会社 液晶組成物および液晶表示素子
JP3287288B2 (ja) * 1996-11-22 2002-06-04 チッソ株式会社 ポリハロアルキルエーテル誘導体とそれらを含む液晶組成物及び液晶表示素子
WO1999001433A1 (fr) * 1997-07-04 1999-01-14 Chisso Corporation Composes de type cristaux liquides dotes d'une valeur elevee d'anisotropie de permittivite, composition de cristaux liquides contenant ces composes et element d'affichage a cristaux liquides fabrique a partir d'une telle composition de cristaux liquides
JP4206525B2 (ja) * 1998-09-10 2009-01-14 チッソ株式会社 液晶組成物および液晶表示素子
JP2000087039A (ja) * 1998-09-10 2000-03-28 Chisso Corp 液晶組成物および液晶表示素子
US6214256B1 (en) * 1998-09-10 2001-04-10 Chisso Corporation Liquid crystal compositions and liquid crystal display devices
JP4288729B2 (ja) 1998-09-28 2009-07-01 チッソ株式会社 ベンゼン誘導体およびその製造方法
JP2001003051A (ja) * 1999-04-19 2001-01-09 Chisso Corp 液晶組成物および液晶表示素子
JP4534287B2 (ja) 1999-04-19 2010-09-01 チッソ株式会社 液晶組成物および液晶表示素子
JP4556259B2 (ja) * 1999-09-14 2010-10-06 チッソ株式会社 液晶組成物および液晶表示素子
JP2001098272A (ja) * 1999-09-30 2001-04-10 Chisso Corp 液晶組成物および液晶表示素子
DE19949333A1 (de) * 1999-10-13 2001-04-19 Merck Patent Gmbh Esterverbindungen und deren Verwendung in flüssigkristallinen Medien
DE19961702B4 (de) * 1999-12-21 2010-09-30 Merck Patent Gmbh Flüssigkristallines Medium und seine Verwendung
DE10116400A1 (de) * 2000-04-28 2001-12-06 Merck Patent Gmbh Elektrooptische Anzeige und darin enthaltenes Flüssigkristallmedium
US6468443B1 (en) 2000-07-21 2002-10-22 Raytheon Company Colorless and low viscosity compounds for low voltage liquid crystal operation
DE10061790A1 (de) 2000-12-12 2002-06-13 Merck Patent Gmbh Flüssigkristalline Verbindungen
EP1341742B1 (de) 2000-12-12 2005-05-25 MERCK PATENT GmbH Verfahren zur herstellung von verbindungen mit einer cf2o-brücke
CN100408564C (zh) * 2001-04-10 2008-08-06 美国辉瑞有限公司 治疗hiv的吡唑衍生物
JP4329298B2 (ja) * 2001-04-27 2009-09-09 チッソ株式会社 液晶組成物及び液晶表示素子
DE10243776B4 (de) * 2001-09-29 2017-11-16 Merck Patent Gmbh Flüssigkristalline Verbindungen
DE10151300A1 (de) * 2001-10-17 2003-04-30 Merck Patent Gmbh Flüssigkristalline Verbindungen
DE10204790A1 (de) * 2002-02-06 2003-08-14 Merck Patent Gmbh Flüssigkristallines Medium
US6479645B1 (en) 2002-03-22 2002-11-12 Air Products And Chemicals, Inc. Sulfurpentafluoride compounds and methods for making and using same
ATE408663T1 (de) * 2002-09-30 2008-10-15 Merck Patent Gmbh Flüssigkristallines medium
JP4738718B2 (ja) * 2003-02-06 2011-08-03 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 液晶媒体
DE102004012970A1 (de) * 2003-04-11 2004-10-28 Merck Patent Gmbh Flüssigkristallines Medium
US8409237B2 (en) * 2004-05-27 2013-04-02 Medtronic, Inc. Emboli filter export system
JP2009515825A (ja) * 2005-10-19 2009-04-16 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング スピロ［３．３］ヘプチル−ジオキサン誘導体類および液晶媒体中におけるそれらの使用
US8163200B2 (en) 2006-08-16 2012-04-24 Merck Patent Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung Cyclohexene compounds for liquid-crystalline mixtures
ATE476489T1 (de) 2006-09-13 2010-08-15 Merck Patent Gmbh Fluorphenyl-verbindungen für flüssigkristalline mischungen
JP5299265B2 (ja) * 2007-02-28 2013-09-25 Ｊｎｃ石油化学株式会社 Ｃｆ２ｏ結合基を有する５環液晶化合物、液晶組成物および液晶表示素子
JP2009292729A (ja) * 2007-02-28 2009-12-17 Chisso Corp Ｃｆ２ｏ結合基を有する５環液晶化合物、液晶組成物および液晶表示素子
US8012547B2 (en) * 2007-04-24 2011-09-06 Merch Patent Gmbh Pyridine compounds for liquid-crystalline mixtures
EP2182045B1 (en) * 2007-08-27 2015-05-27 JNC Corporation Liquid crystal composition, and liquid crystal display element
JP5470757B2 (ja) * 2007-08-29 2014-04-16 Ｊｎｃ株式会社 光学的に等方性の液晶媒体及び光素子
CN101790575B (zh) * 2007-08-29 2013-01-23 Jnc株式会社 液晶组成物以及液晶显示元件
US7879413B2 (en) * 2007-08-29 2011-02-01 Chisso Corporation Optically isotropic liquid crystal medium and optical device
EP2182044B1 (en) 2007-08-30 2015-03-18 JNC Corporation Liquid crystal composition, and liquid crystal display element
JP5321461B2 (ja) * 2007-08-31 2013-10-23 Ｊｎｃ株式会社 液晶組成物および液晶表示素子
KR20090055269A (ko) * 2007-11-28 2009-06-02 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 이에 사용되는 액정 혼합물
JP5493393B2 (ja) * 2008-03-18 2014-05-14 Ｊｎｃ株式会社 液晶組成物および液晶表示素子
KR101490474B1 (ko) 2008-05-13 2015-02-05 삼성디스플레이 주식회사 액정 조성물, 이를 사용하는 액정 표시 장치 및 그 제조방법
WO2009150963A1 (ja) 2008-06-09 2009-12-17 チッソ株式会社 シクロヘキサン環を有する５環液晶化合物、液晶組成物および液晶表示素子
JP5359053B2 (ja) 2008-06-24 2013-12-04 Ｊｎｃ株式会社 液晶組成物および液晶表示素子
JP5359055B2 (ja) 2008-06-25 2013-12-04 Ｊｎｃ株式会社 液晶組成物および液晶表示素子
US8475888B2 (en) 2008-10-21 2013-07-02 Jnc Corporation Five-ring liquid crystal compound having a nitrogen-containing heterocyclic ring, liquid crystal composition and liquid crystal display device
CN102197108B (zh) * 2008-10-27 2014-04-09 Jnc株式会社 液晶组成物以及液晶显示元件
EP2357218B1 (en) * 2008-12-08 2017-08-16 JNC Corporation Liquid crystal composition and liquid crystal display device
US8609714B2 (en) 2009-02-19 2013-12-17 Merck Patent Gmbh Thiophene compounds for liquid-crystalline media
TWI458703B (zh) 2009-03-30 2014-11-01 Jnc Corp 具有二氟伸丙烯基氧基結合基的液晶化合物
CN101735822B (zh) * 2009-12-14 2015-04-29 武汉工业学院 一类低温低粘度液晶组合物的制备与用途
DE102010052795A1 (de) * 2009-12-21 2011-06-22 Merck Patent GmbH, 64293 Flüssigkristallines Medium und Flüssigkristallanzeige
TWI539215B (zh) * 2010-04-20 2016-06-21 友達光電股份有限公司 液晶顯示面板
CN102947262B (zh) * 2010-06-22 2016-04-13 捷恩智株式会社 具有分枝烷基或分枝烯基的化合物及光学各向同性的液晶媒体及光元件
CN102031120B (zh) * 2010-11-17 2013-07-10 上海天问化学有限公司 4-(2,3,5,6-四氟-r取代基苯乙基)苯甲酸-4’-氟-4-联苯酯的含氟液晶
EP2457975B1 (en) * 2010-11-29 2014-06-25 Merck Patent GmbH Liquid-crystalline mixtures
US10047292B2 (en) 2010-12-17 2018-08-14 Merck Patent Gmbh Liquid-crystalline medium
TWI512094B (zh) * 2011-04-14 2015-12-11 Jnc Corp 液晶組成物、液晶顯示元件及其用途
JP6019728B2 (ja) 2011-06-08 2016-11-02 Jnc株式会社 複数のｃｆ２ｏ結合基を有する４環化合物、液晶組成物および液晶表示素子
WO2013018796A1 (ja) * 2011-08-02 2013-02-07 Dic株式会社 ネマチック液晶組成物
GB201301786D0 (en) 2012-02-15 2013-03-20 Merck Patent Gmbh Liquid-crystalline medium
CN102618296B (zh) * 2012-02-17 2013-09-11 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 一种液晶化合物及其制备方法
CN102924243B (zh) * 2012-03-27 2013-11-06 石家庄诚志永华显示材料有限公司 含有环戊基及二氟亚甲氧基连接基团的液晶化合物及其制备方法与应用
TWI550072B (zh) * 2012-04-02 2016-09-21 捷恩智股份有限公司 液晶組成物與其用途、及液晶顯示元件
JP5962164B2 (ja) 2012-04-17 2016-08-03 Jnc株式会社 複数のｃｆ２ｏ結合基を有する３環化合物、液晶組成物および液晶表示素子
US9493704B2 (en) 2012-09-24 2016-11-15 Shijiazhuang Chengzhi Yonghua Display Materials Co., Ltd. Cycloheptane derivative and preparation method and use thereof
DE112013005035B4 (de) * 2012-10-17 2016-09-08 Dic Corporation Nematische Flüssigkristallzusammensetzung und seine Verwendung
JP6299011B2 (ja) 2013-01-21 2018-03-28 Jnc株式会社 ３，３，３−トリフルオロ−１−プロペニルオキシを有する化合物、液晶組成物および液晶表示素子
CN103131425A (zh) * 2013-02-01 2013-06-05 西安近代化学研究所 一种含氟液晶化合物
EP2957554B1 (en) 2013-02-13 2018-11-07 JNC Corporation Liquid-crystalline compound having difluoromethyleneoxy group, liquid crystal composition, and liquid crystal display element
KR20150123848A (ko) 2013-02-20 2015-11-04 제이엔씨 주식회사 액정성 화합물, 액정 조성물 및 액정 표시 소자
CN103242854B (zh) * 2013-04-15 2014-10-15 西安近代化学研究所 一种含氟液晶化合物
CN103254902B (zh) * 2013-04-15 2015-02-11 西安近代化学研究所 一种含有乙烷桥键和-cf2o-桥键的含氟液晶化合物
TWI631207B (zh) 2013-05-28 2018-08-01 日商捷恩智股份有限公司 液晶組成物與其用途及液晶顯示元件
CN105358656A (zh) 2013-07-05 2016-02-24 捷恩智株式会社 液晶组合物及液晶显示元件
US20150034874A1 (en) * 2013-07-31 2015-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Trifluorophenyl derivative, liquid crystal composition, and liquid crystal display device
JP6311531B2 (ja) 2013-08-28 2018-04-18 Jnc株式会社 ３，３−ジフルオロ−１−プロペニルオキシを有する化合物、液晶組成物および液晶表示素子
WO2015029876A1 (ja) * 2013-08-30 2015-03-05 Dic株式会社 ネマチック液晶組成物
KR20160070074A (ko) 2013-10-17 2016-06-17 제이엔씨 주식회사 액정 조성물 및 액정 표시 소자
JP6358034B2 (ja) 2013-12-12 2018-07-18 Jnc株式会社 液晶組成物および液晶表示素子
EP3088489B1 (en) 2013-12-26 2018-06-27 JNC Corporation Liquid-crystal composition and liquid-crystal display device
CN103820127B (zh) * 2014-01-25 2015-09-09 石家庄诚志永华显示材料有限公司 正介电液晶组合物
CN103923662B (zh) * 2014-04-03 2015-10-28 石家庄诚志永华显示材料有限公司 一种介电正性液晶组合物
CN103980098B (zh) * 2014-05-16 2016-07-13 上海康鹏化学有限公司 含二氟甲氧醚桥键（cf2o）的单体液晶化合物的制备方法
EP3156388B1 (en) * 2014-06-11 2019-01-30 JNC Corporation Liquid crystal compound having cf2o bonding group and tolane backbone, liquid crystal composition, and liquid crystal display element
JP6458391B2 (ja) 2014-06-24 2019-01-30 Jnc株式会社 液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子
TWI648381B (zh) 2014-07-03 2019-01-21 日商捷恩智股份有限公司 液晶組成物、光元件、混合物、化合物、高分子／液晶複合材料以及液晶組成物及高分子／液晶複合材料的用途
JP6493678B2 (ja) 2014-07-31 2019-04-03 Jnc株式会社 液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子
JP5910800B1 (ja) 2014-07-31 2016-04-27 Dic株式会社 ネマチック液晶組成物
JP6002997B2 (ja) 2014-07-31 2016-10-05 Dic株式会社 ネマチック液晶組成物
JP6398442B2 (ja) 2014-08-06 2018-10-03 Jnc株式会社 液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子
CN104449761A (zh) * 2014-11-20 2015-03-25 蒋战英 一种含有二氟甲氧基桥键的液晶化合物及其应用
JP6402919B2 (ja) 2014-11-27 2018-10-10 Jnc株式会社 ペルフルオロアルキル末端基とｃｆ２ｏ結合基とを有する化合物、液晶組成物および液晶表示素子
CN104496766B (zh) * 2014-12-11 2017-02-08 西安彩晶光电科技股份有限公司 一类含有2,3,5,6‑四氟苯基和三氟甲氧基的二氟甲氧基化合物及其制备方法与应用
JP6524699B2 (ja) 2015-02-24 2019-06-05 Jnc株式会社 ビニレン基を有する液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子
JP6617596B2 (ja) 2015-03-25 2019-12-11 Jnc株式会社 シクロヘキセン環を有する液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子
JP2016185913A (ja) * 2015-03-27 2016-10-27 Jnc株式会社 アルケニルジオキサン化合物、液晶組成物および液晶表示素子
US9783735B2 (en) 2015-04-15 2017-10-10 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and liquid crystal composition used therefor
JP6642260B2 (ja) 2015-05-19 2020-02-05 Jnc株式会社 四環を有する液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子
KR102202251B1 (ko) * 2015-05-29 2021-01-12 베이징 바이 스페이스 엘시디 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 액정 화합물, 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
JP6784069B2 (ja) * 2015-07-07 2020-11-11 Jnc株式会社 液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子
JP6610057B2 (ja) 2015-07-29 2019-11-27 Ｊｎｃ株式会社 液晶組成物および液晶表示素子
WO2017163663A1 (ja) 2016-03-25 2017-09-28 Jnc株式会社 液晶組成物および液晶表示素子
JP6717022B2 (ja) 2016-04-15 2020-07-01 Jnc株式会社 液晶組成物および液晶表示素子
JP6708042B2 (ja) * 2016-07-27 2020-06-10 Jnc株式会社 ジフルオロメチレンオキシ基を有する液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子
US10655065B2 (en) 2016-08-01 2020-05-19 Jnc Corporation Liquid crystal composition and liquid crystal display device
EP3375842A1 (en) 2017-03-16 2018-09-19 Merck Patent GmbH Liquid-crystalline medium
CN108659861A (zh) * 2017-03-31 2018-10-16 北京八亿时空液晶科技股份有限公司 一种具有高透过率的液晶组合物及其应用
CN109134423B (zh) 2017-11-23 2020-03-17 江苏和成显示科技有限公司 一种化合物及其液晶组合物和光电显示器件
JP7386414B2 (ja) * 2018-07-30 2023-11-27 Jnc株式会社 ベンゾチアゾール環とｃｆ２ｏ結合基とを有する液晶性化合物、液晶組成物、および液晶表示素子
CN109652094B (zh) * 2018-12-24 2020-07-14 西安彩晶光电科技股份有限公司 一种二氟甲醚桥键液晶单体的制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2696557B2 (ja) * 1989-03-07 1998-01-14 チッソ株式会社 トリフルオロベンゼン誘導体
GB2229438B (en) * 1989-03-18 1993-06-16 Merck Patent Gmbh Difluoromethylene compounds and liquid crystalline-media containing such compounds
DE4023106A1 (de) * 1990-03-06 1992-01-23 Merck Patent Gmbh Difluormethylenverbindungen
JP3122199B2 (ja) * 1991-10-18 2001-01-09 旭硝子株式会社 液晶組成物及びそれを用いた液晶表示装置
DE19531165B4 (de) * 1994-09-06 2013-04-11 Merck Patent Gmbh Benzolderivate und flüssigkristallines Medium

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001123170A (ja) * 1999-10-25 2001-05-08 Chisso Corp 液晶組成物および液晶表示素子
JP2005506399A (ja) * 2001-06-19 2005-03-03 メルク　パテント　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフトング Ｃｆ２ｏ構造要素を含むポリマー
JP2004149775A (ja) * 2002-09-30 2004-05-27 Merck Patent Gmbh 液晶媒体

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