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JP2828055B2 - フリップチップの製造方法 - Google Patents

フリップチップの製造方法

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JP2828055B2
JP2828055B2 JP8217306A JP21730696A JP2828055B2 JP 2828055 B2 JP2828055 B2 JP 2828055B2 JP 8217306 A JP8217306 A JP 8217306A JP 21730696 A JP21730696 A JP 21730696A JP 2828055 B2 JP2828055 B2 JP 2828055B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の、特に
フリップチップの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４及び図５は従来のフリップチップの
製造方法を説明するための図である。
【０００３】従来のフリップチップは例えば図４の
（ｂ）に示すように、半導体チップ２１（「ペレット」
とも言う）と、半導体チップ２１が搭載される凹部が形
成されて該凹部の底面に半導体チップ２１と信号をやり
とりする為の外部端子２８と電気的に接続されたインナ
ーリード２７を有するケース２３と、ケース２３の凹部
の開口を封止すると共に半導体チップ２１と接着されて
ヒートシンク（放熱部品）の役割を果たすキャップ２４
と、から構成されている。
【０００４】このようなフリップチップを製造するに
は、図５に示すように半導体チップ２１の表面の図示し
ない配線引出し端子（「パッド」とも言う）にボールバ
ンプ２２を取り付け、半導体チップ２１のボールバンプ
２２をケース２３の凹部の底面のインナーリード２７に
フェースボンディングする。その後、ケース２３に搭載
した半導体チップ２１にキャップ２３自体を樹脂２５に
より接着させると共に、ケース２３の凹部の開口をキャ
ップ２４で樹脂２６を用いて封止する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４及
び図５に示した従来のフリップチップの製造方法ではボ
ールバンプを取り付けた半導体チップをケースに搭載し
た後、ヒートシンクを兼ねたキャップを取り付けるた
め、ヒートシンク兼用キャップと半導体チップの裏面と
の間およびボールバンプとケースのインナーリードとの
間の２箇所で封止時の圧力の制御をしなければならず、
その制御が困難である。そのため、封止が不完全であっ
たり、封止時に圧力が加わり過ぎて半導体チップが割れ
てしまうという問題点が生じていた。
【０００６】そこで本発明の目的は、従来技術の問題点
に鑑み、キャップで封止する際に、１箇所のみで圧力を
制御すれば良くなり、組立を容易にすることが可能とな
るフリップチップの製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明のフリップチップの製造方法は、半導体チップ
の表面の配線引出し端子に導電性の半球状の突起を取り
付け、前記半導体チップの裏面にヒートシンクの機能を
持つキャップを接着した後、前記キャップが接着された
半導体チップをケースの凹部の底面に搭載すると共に、
前記キャップで前記ケースの凹部の開口を封止すること
を特徴とする。
【０００８】好ましくは、上記のフリップチップの製造
方法は、前記ケースの凹部の底面に内部配線を有し、前
記ケースの外部に前記内部配線と電気的に接続された外
部端子を有しており、前記半導体チップを前記ケースの
凹部の底面に搭載する際、前記半導体チップの突起と前
記ケースの内部配線とを位置合わせして接触させること
を特徴とする。
【０００９】さらに好ましくは、上のフリップチップの
製造方法は、前記キャップの、前記半導体チップが接着
される部分に前記半導体チップを収めるための凹部を形
成し、前記ケースの凹部の開口縁面に凹穴を形成し、前
記キャップに前記ケースの凹穴に嵌合する突起を設けて
おき、前記半導体チップを前記ケースの凹部の底面に搭
載する際、前記ケースの凹穴に前記キャップの突起を嵌
合させながら前記キャップが接着された半導体チップの
突起を前記ケースの内部配線に位置合わせすることや、
前記キャップの、前記半導体チップが接着される部分に
前記半導体チップを収めるための凹部を形成し、前記ケ
ースの凹部の開口縁面に突起を形成し、前記キャップに
前記ケースの突起に嵌合する凹穴を設けておき、前記半
導体チップを前記ケースの凹部の底面に搭載する際、前
記ケースの突起に前記キャップの凹穴を嵌合させながら
前記キャップが接着された半導体チップの突起を前記ケ
ースの内部配線に位置合わせすることを特徴とする。
【００１０】上記のとおりの発明では、ケースの凹部の
開口を封止する共にヒートシンクの機能を持つキャップ
に、表面の配線引出し端子に導電性の半球状の突起を付
けた半導体チップを予め接着しておき、このキャップが
接着された半導体チップをケースの凹部の底面に搭載す
るので、キャップで封止する際、半導体チップに付けた
突起とケースの内部配線との間のみで圧力を制御すれば
良くなり、組立を容易にすることが可能となる。
【００１１】また、前記キャップの、前記半導体チップ
が接着される部分に前記半導体チップを収めるための凹
部を形成し、前記ケースの凹部の開口縁面に突起を形成
し、前記キャップに前記ケースの突起に嵌合する凹穴を
設けておくことで、前記半導体チップを前記ケースの凹
部の底面に搭載する際に、半導体チップに付けた突起と
ケースの内部配線との位置合わせが容易となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
【００１３】（第１の実施形態）図１及び図２は本発明
のフリップチップの製造方法の第１の実施形態を説明す
るための図である。
【００１４】この実施形態によるフリップチップの製造
方法は、図１及び図２に示すように、半導体チップ
（「ペレット」とも言う）１と、半導体チップ１が搭載
される搭載部である凹部が形成されて該凹部の底面に半
導体チップ１と信号をやりとりする為の外部端子８と電
気的に接続されたインナーリード（内部配線）７を有す
るケース３と、ケース３の凹部の開口を封止すると共に
半導体チップ１と接着されてヒートシンク（放熱部品）
の役割を果たすキャップ４と、を用いる。
【００１５】そして、これらの部品の組立は、図２に示
すように半導体チップ１の表面の図示しない配線引出し
端子（「パッド」とも言う）に導電性の半球状の突起で
あるボールバンプ２を取り付け、半導体チップ１の裏面
をキャップ４に樹脂５を用いて接着する。その後、キャ
ップ４が接着された半導体チップ２のボールバンプ１を
ケース３の凹部の底面のインナーリード７に位置合わせ
してフェースボンディングすると共に、ケース３の凹部
の開口をキャップ４で樹脂６を用いて封止する。
【００１６】このような製造方法を採れば、キャップ４
で封止する際、ボールバンプ１とケース３のインナーリ
ード７との間のみで圧力を制御すれば良くなり、組立を
容易に行うことが可能となる。
【００１７】（第２の実施形態）図３は本発明のフリッ
プチップの製造方法の第２の実施形態を説明するための
図である。
【００１８】この実施形態によるフリップチップの製造
方法は、図３に示すように、半導体チップ１１（「ペレ
ット」とも言う）と、半導体チップ１が搭載される搭載
部である凹部が形成されて該凹部の底面に半導体チップ
１１と信号をやりとりする為の外部端子１８と電気的に
接続されたインナーリード（内部配線）１７を有するケ
ース１３と、ケース１３の凹部の開口を封止すると共に
半導体チップ１１と接着されてヒートシンク（放熱部
品）の役割を果たすキャップ１４と、を用いる。さら
に、この形態ではキャップ１４の、半導体チップ１１が
接着される部分に半導体チップ１１を収めるための凹部
１４ａが形成されている。また、ケース１３の凹部の開
口縁面には凹穴２０が形成され、キャップ１４にはケー
ス１３の凹穴２０に嵌合する突起１９が設けられてい
る。なお、ケース１３側に突起を、キャップ１４側に突
起と嵌合する凹穴を設けたものでもよい。
【００１９】そして、これらの部品の組立は、図３に示
すようにボールバンプ１２が取り付けられた半導体チッ
プ１１の裏面をキャップ１４の凹部１４ａに樹脂１５を
用いて接着する。その後、ケース１３の凹穴２０にキャ
ップ１４の突起１９を嵌合させながらキャップ１４が接
着された半導体チップ１２のボールバンプ１１をケース
１３の凹部の底面のインナーリード１７に位置合わせし
てフェースボンディングすると共に、ケース１３の凹部
の開口をキャップ１４で樹脂１６を用いて封止する。
【００２０】このように本形態では、キャップ１４に凹
部１４ａを形成して半導体チップ１１を接着する位置を
決めておき、さらにキャップ１４又はケース１３に互い
に嵌合する突起１９又は凹穴２０を設けておくことによ
り、半導体チップ１１を搭載する際にボールバンプ１２
とインナーリード１７の位置合わせを容易に行うことが
できる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、表面の配
線引出し端子に導電性の半球状の突起を取り付けた半導
体チップの裏面に、ヒートシンクの機能を持つキャップ
を接着した後、前記キャップが接着された半導体チップ
をケースの凹部の底面に搭載すると共に、前記キャップ
で前記ケースの凹部の開口を封止することにより、その
キャップで封止する際の圧力の制御が容易になり、封止
時に圧力が加わり過ぎて半導体チップが割れたり、キャ
ップの封止が不完全である等の不具合を防ぐことができ
る。
【００２２】また、前記キャップの、前記半導体チップ
が接着される部分に前記半導体チップを収めるための凹
部を形成し、前記ケースの凹部の開口縁面に突起を形成
し、前記キャップに前記ケースの突起に嵌合する凹穴を
設けておくことにより、前記半導体チップを前記ケース
の凹部の底面に搭載する際に、半導体チップに付けた突
起とケースの内部配線との位置合わせが容易になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のフリップチップの製造方法の第１の実
施形態を説明するための図である。
【図２】本発明のフリップチップの製造方法の第１の実
施形態を説明するための図である。
【図３】本発明のフリップチップの製造方法の第２の実
施形態を説明するための図である。
【図４】従来のフリップチップの製造方法を説明するた
めの図である。
【図５】従来のフリップチップの製造方法を説明するた
めの図である。
【符号の説明】
１、１１ 半導体チップ（ペレット） ２、１２ ボールバンプ（導電性の半球状の突起） ３、１３ ケース ４、１４ キャップ １４ａ 凹部 ５、６、１５、１６ 樹脂 ７、１７ インナーリード（内部配線） ８、１８ 外部端子 １９ 突起 ２０ 凹穴

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップの表面の配線引出し端子に
    導電性の半球状の突起を取り付け、前記半導体チップの
    裏面にヒートシンクの機能を持つキャップを接着した
    後、前記キャップが接着された半導体チップをケースの
    凹部の底面に搭載すると共に、前記キャップで前記ケー
    スの凹部の開口を封止する、フリップチップの製造方
    法。
  2. 【請求項２】 前記ケースの凹部の底面に内部配線を有
    し、前記ケースの外部に前記内部配線と電気的に接続さ
    れた外部端子を有しており、前記半導体チップを前記ケ
    ースの凹部の底面に搭載する際、前記半導体チップの突
    起と前記ケースの内部配線とを位置合わせして接触させ
    る、請求項１に記載のフリップチップの製造方法。
  3. 【請求項３】 前記キャップの、前記半導体チップが接
    着される部分に前記半導体チップを収めるための凹部を
    形成し、前記ケースの凹部の開口縁面に凹穴を形成し、
    前記キャップに前記ケースの凹穴に嵌合する突起を設け
    ておき、前記半導体チップを前記ケースの凹部の底面に
    搭載する際、前記ケースの凹穴に前記キャップの突起を
    嵌合させながら前記キャップが接着された半導体チップ
    の突起を前記ケースの内部配線に位置合わせする、請求
    項２に記載のフリップチップの製造方法。
  4. 【請求項４】 前記キャップの、前記半導体チップが接
    着される部分に前記半導体チップを収めるための凹部を
    形成し、前記ケースの凹部の開口縁面に突起を形成し、
    前記キャップに前記ケースの突起に嵌合する凹穴を設け
    ておき、前記半導体チップを前記ケースの凹部の底面に
    搭載する際、前記ケースの突起に前記キャップの凹穴を
    嵌合させながら前記キャップが接着された半導体チップ
    の突起を前記ケースの内部配線に位置合わせする、請求
    項２に記載のフリップチップの製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO1997004376A1 (en) * 1995-07-20 1997-02-06 Dallas Semiconductor Corporation Secure module with microprocessor and co-processor
US6075289A (en) * 1996-10-24 2000-06-13 Tessera, Inc. Thermally enhanced packaged semiconductor assemblies
DE19644758A1 (de) * 1996-10-29 1998-04-30 Sel Alcatel Ag Zentrieranordnung zum Positionieren von mikrostrukturierten Körpern
US6001672A (en) * 1997-02-25 1999-12-14 Micron Technology, Inc. Method for transfer molding encapsulation of a semiconductor die with attached heat sink
TW388976B (en) * 1998-10-21 2000-05-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package with fully exposed heat sink
JP3395164B2 (ja) * 1998-11-05 2003-04-07 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 半導体装置
US6218730B1 (en) * 1999-01-06 2001-04-17 International Business Machines Corporation Apparatus for controlling thermal interface gap distance
JP3180794B2 (ja) * 1999-02-19 2001-06-25 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
US6222263B1 (en) * 1999-10-19 2001-04-24 International Business Machines Corporation Chip assembly with load-bearing lid in thermal contact with the chip
JP3834603B2 (ja) * 2000-03-13 2006-10-18 国立大学法人 千葉大学 １−置換２，５−ジチエニルピロール誘導体及び被膜形成材料
US6333460B1 (en) 2000-04-14 2001-12-25 International Business Machines Corporation Structural support for direct lid attach
US6282096B1 (en) * 2000-04-28 2001-08-28 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Integration of heat conducting apparatus and chip carrier in IC package
US6335189B1 (en) * 2000-11-22 2002-01-01 Cytokinetics, Inc. Motor proteins and methods for their use
US6462271B2 (en) * 2000-12-27 2002-10-08 International Business Machines Corporation Capping structure for electronics package undergoing compressive socket actuation
GB2371674A (en) * 2001-01-30 2002-07-31 Univ Sheffield Micro-element package
US6340583B1 (en) * 2001-03-22 2002-01-22 Pe Corporation (Ny) Isolated human kinase proteins, nucleic acid molecules encoding human kinase proteins, and uses thereof
JP2002372473A (ja) * 2001-04-12 2002-12-26 Fuji Electric Co Ltd 半導体センサ収納容器およびその製造方法、並びに半導体センサ装置
US7220615B2 (en) * 2001-06-11 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Alternative method used to package multimedia card by transfer molding
US7061102B2 (en) * 2001-06-11 2006-06-13 Xilinx, Inc. High performance flipchip package that incorporates heat removal with minimal thermal mismatch
US6724079B2 (en) * 2002-01-04 2004-04-20 Motorola, Inc. Wire bond-less electronic component for use with an external circuit and method of manufacture
JP3888228B2 (ja) * 2002-05-17 2007-02-28 株式会社デンソー センサ装置
US6936919B2 (en) * 2002-08-21 2005-08-30 Texas Instruments Incorporated Heatsink-substrate-spacer structure for an integrated-circuit package
JP3920172B2 (ja) * 2002-08-26 2007-05-30 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 蓋保持フレーム及び電子部品の封止方法
US6982470B2 (en) * 2002-11-27 2006-01-03 Seiko Epson Corporation Semiconductor device, method of manufacturing the same, cover for semiconductor device, and electronic equipment
US20050030723A1 (en) * 2003-02-19 2005-02-10 Miks Jeffrey Alan Fully-molded or lidded circuit module assembly having edge-stiffening interlock features
TW200428623A (en) * 2003-06-11 2004-12-16 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package with heat sink
US6873040B2 (en) * 2003-07-08 2005-03-29 Texas Instruments Incorporated Semiconductor packages for enhanced number of terminals, speed and power performance
TWI242862B (en) * 2003-08-21 2005-11-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package with heat sink
US7012326B1 (en) * 2003-08-25 2006-03-14 Xilinx, Inc. Lid and method of employing a lid on an integrated circuit
TWI247395B (en) * 2004-03-09 2006-01-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package with heatsink and method for fabricating the same and stiffener
US7208342B2 (en) * 2004-05-27 2007-04-24 Intel Corporation Package warpage control
US7304849B2 (en) * 2004-08-16 2007-12-04 International Business Machines Corporation Compliant thermal cap for an electronic device
US7388284B1 (en) 2005-10-14 2008-06-17 Xilinx, Inc. Integrated circuit package and method of attaching a lid to a substrate of an integrated circuit
US20070108595A1 (en) * 2005-11-16 2007-05-17 Ati Technologies Inc. Semiconductor device with integrated heat spreader
JP4910439B2 (ja) * 2006-03-23 2012-04-04 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置
US8064211B2 (en) * 2006-08-31 2011-11-22 Tdk Corporation Passive component and electronic component module
US7906857B1 (en) 2008-03-13 2011-03-15 Xilinx, Inc. Molded integrated circuit package and method of forming a molded integrated circuit package
US20100014251A1 (en) * 2008-07-15 2010-01-21 Advanced Micro Devices, Inc. Multidimensional Thermal Management Device for an Integrated Circuit Chip
US9847268B2 (en) * 2008-11-21 2017-12-19 Advanpack Solutions Pte. Ltd. Semiconductor package and manufacturing method thereof
US7964951B2 (en) * 2009-03-16 2011-06-21 Ati Technologies Ulc Multi-die semiconductor package with heat spreader
US8362609B1 (en) 2009-10-27 2013-01-29 Xilinx, Inc. Integrated circuit package and method of forming an integrated circuit package
US8810028B1 (en) 2010-06-30 2014-08-19 Xilinx, Inc. Integrated circuit packaging devices and methods
US8476115B2 (en) * 2011-05-03 2013-07-02 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of mounting cover to semiconductor die and interposer with adhesive material
EP2608258A1 (en) * 2011-12-20 2013-06-26 STMicroelectronics (Grenoble 2) SAS A package
US20150076685A1 (en) * 2012-03-30 2015-03-19 Kyocera Corporation Flow path member, and heat exchanger and semiconductor device using the same
CN103268869A (zh) * 2013-05-20 2013-08-28 池州睿成微电子有限公司 一种ic封装结构及其制备模具和制备工艺
US9018753B2 (en) * 2013-08-02 2015-04-28 Stmicroelectronics Pte Ltd Electronic modules
US8912641B1 (en) * 2013-09-09 2014-12-16 Harris Corporation Low profile electronic package and associated methods
JP6398405B2 (ja) * 2014-07-15 2018-10-03 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US10764996B1 (en) * 2018-06-19 2020-09-01 Xilinx, Inc. Chip package assembly with composite stiffener
US20210028084A1 (en) * 2019-07-22 2021-01-28 Intel Corporation Variable-thickness integrated heat spreader (ihs)

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58176979A (ja) * 1982-04-09 1983-10-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置のパツケ−ジ
JPS5917270A (ja) * 1982-07-21 1984-01-28 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS6237950A (ja) * 1985-08-12 1987-02-18 Matsushita Electronics Corp 電子部品塔載用パツケ−ジ
JPS62108545A (ja) * 1985-11-06 1987-05-19 Shinko Electric Ind Co Ltd プリント基板型パッケ−ジ
JPS63293958A (ja) * 1987-05-27 1988-11-30 Hitachi Ltd 電子装置
JPS6457738A (en) * 1987-08-28 1989-03-06 Sumitomo Electric Industries Package for semiconductor device
JPH01161736A (ja) * 1987-12-17 1989-06-26 Nec Corp 半導体装置用パッケージ
JPH03105950A (ja) * 1989-09-19 1991-05-02 Nec Kyushu Ltd 半導体集積回路のパッケージ
JPH03187247A (ja) * 1989-12-18 1991-08-15 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置およびその製造方法
JPH0443671A (ja) * 1990-06-11 1992-02-13 Matsushita Electron Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2629459B2 (ja) * 1991-01-24 1997-07-09 日本電気株式会社 チップキャリア
JPH05114662A (ja) * 1991-08-20 1993-05-07 Fujitsu Ltd 電子部品用気密封止容器およびその封止方法

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JPH1065071A (ja) 1998-03-06
US5889323A (en) 1999-03-30

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