JP3481499B2 - レジスト処理方法及びレジスト処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハやＬ
ＣＤ基板等の基板の表面に所望のレジストパターンを形
成するレジスト処理方法及びレジスト処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウ
ェハ（以下、「ウェハ」という）の表面にレジスト膜を
形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後のウェハ
に対して露光処理を行った後に当該ウェハに対して現像
を行う現像処理とが行われる。

【０００３】従来からこれらレジスト塗布処理と現像処
理は、例えば特公平２−３０１９４号公報によっても公
知なように、対応する各種処理装置が１つのシステム内
に装備された複合処理システム内で、露光プロセスを挟
んで所定のシーケンスに従って行われている。

【０００４】ところで、近年、ウェハ表面に形成される
レジストパターンの微細化の要求が年々高まり、レジス
トパターンの線幅についての厳しい管理が必須となって
きている。

【０００５】このようなレジストパターンの線幅に関す
る管理は、例えば作業員がレジスト塗布現像システムか
ら搬出されたウェハ表面のレジストパターンの線幅を、
ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃ
ｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて実測し、その線幅が規格値の
範囲を満足するか否かによって行っている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た方法では、高価なＳＥＭを必要とし、線幅の測定に多
大な労力と時間とを必要とするという問題があった。ま
た、ＳＥＭを用いて線幅を測定する際に、一旦ウェハを
搬出してＳＥＭの真空試料室内に搬入しなければならな
いため、ウェハが汚染されてしまうという問題もあっ
た。

【０００７】そこで、例えばレジストパターンの形成条
件（レジストの塗布条件や露光条件、現像条件等）をよ
り厳格に定めることで、レジストパターンの線幅をより
厳しく制御し、上記のような測定を不要とすることが考
えられる。しかし、本発明者等の考察によると、レジス
トパターンの形成条件を厳格に定めたとしてもレジスト
パターンの線幅の制御には限界がある、という問題があ
る。

【０００８】本発明の目的は、レジストパターンの高精
度な線幅制御が可能なレジスト処理方法及びレジスト処
理装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
下地膜が形成された基板上に所定のレジストパターンを
形成するレジスト処理方法において、 （ａ）前記レジストパターンの形成に先立ち、前記下地
膜の光の反射率を検出する工程と、 （ｂ）あらかじめ定められた前記基板を回転するときの
回転数及び加速度に基づき、前記基板を回転させ前記基
板上にレジストを塗布する工程と、 （ｃ）あらかじめ定められた前記基板を露光するときの
露光時間に基づき、レジストが塗布された前記基板を露
光する工程と、 （ｄ）あらかじめ定められた前記基板を現像するときの
現像時間に基づき、前記露光された基板を現像する工程
と、 （ｅ）光の反射率と、光の反射率に対して所望の線幅の
レジストパターンを得るための回転数、加速度、露光時
間、現像時間のうち少なくとも１つとの関係を記憶する
工程と、 （ｆ）前記記憶された関係と前記検出された反射率とに
基づき、あらかじめ定められた回転数、加速度、露光時
間、現像時間 のうち、少なくとも１つを制御する工程と
を具備することを特徴とする。

【００１０】請求項２の発明は、請求項１のレジスト処
理方法において、（ｇ）前記レジストパターンの形成に先立ち、前記基板
と共に、測定用基板に所定の前記下地膜を形成する工程
と、 （ｈ）前記測定用基板にレジストを塗布する工程と、 （ｉ）前記測定用基板に露光を行い、レジストが完全に
感光されるのに必要で十分な露光エネルギーを求める工
程と、 （ｊ）前記求められた露光エネルギーに基づき、所定の
処理を実行する工程と を更に具備する ことを特徴とす
る。

【００１１】

【００１２】

【００１３】

【００１４】

【００１５】請求項３の発明は、請求項２のレジスト処
理方法において、前記工程（ｊ）が、前記露光エネルギ
ーの値が予め定められた所定の範囲内か否かによって前
記被処理基板の処理を実行するか否かを判定する工程を
含むことを特徴とする。

【００１６】請求項４の発明は、請求項２のレジスト処
理方法において、前記工程（ｊ）が、前記露光エネルギ
ーの値に応じて、処理条件を変更して前記基板の露光、
現像工程を実行する工程を含むことを特徴とする。

【００１７】請求項５の発明は、請求項２のレジスト処
理方法において、前記工程（ｉ）が、前記測定用基板の
所定の露光位置毎に露光量を変えて複数回露光を行い、
この後現像して、前記露光エネルギーを求める工程を含
むことを特徴とする。

【００１８】請求項６の発明は、請求項５のレジスト処
理方法において、露光時間を変えることによって前記露
光量を変えることを特徴とする。

【００１９】請求項７の発明は、請求項２のレジスト処
理方法において、前記工程（ｉ）が、前記現像後に、膜
厚測定装置によってレジストの膜厚を測定し、膜厚が零
となる位置の露光エネルギーから、前記露光エネルギー
を求める工程を含むことを特徴とする。

【００２０】

【００２１】請求項８の発明は、下地膜が形成された基
板上に所定のレジストパターンを形成するレジスト処理
装置において、前記レジストパターンの形成に先立ち、
前記下地膜の光の反射率を検出する手段と、前記基板を
回転するときの回転数及び加速度に基づき、前記基板上
にレジストを塗布する手段と、前記基板を露光するとき
の露光時間に基づき、前記レジストが塗布された基板を
露光する手段と、前記基板を現像するときの現像時間に
基づき、前記露光された基板を現像する手段と、前記反
射率と、前記回転数、加速度、露光時間、現像時間のう
ち少なくとも１つとの関係を記憶する記憶手段と、 前記
記憶された関係と前記検出された反射率に基づき、前記
回転数、加速度、露光時間、現像時間のうち、少なくと
も１つを制御する制御手段とを具備することを特徴とす
る。

【００２２】

【００２３】

【００２４】

【００２５】

【００２６】請求項９の発明は、請求項８のレジスト処
理装置において、前記レジストパターンの形成に先立
ち、前記基板とともに、測定用基板に所定の前記下地膜
を形成する手段と、前記測定用基板にレジストを塗布す
る手段と、前記測定用基板に露光を行い、レジストが完
全に感光されるのに必要で十分な露光エネルギーを求め
る手段と、前記求められた露光エネルギーに基づき、所
定の処理を実行する手段とを更に具備することを特徴と
する。請求項１０の発明は、請求項８または９のレジス
ト処理装置において、前記下地膜の光の反射率を測定す
る手段は、前記基板の位置合わせを行うアライメント装
置内に配置されることを特徴とする。

【００２７】レジストが塗布された基板を露光するとき
に光がレジストより下層に形成された下地膜で反射し、
その反射光も感光に寄与する。従って、下地膜の反射率
が異なると露光量が異なり、レジストパターンの線幅が
異なることになる。

【００２８】一方、例えば基板としての半導体ウェハ上
には下地膜として光の反射率が異なるＳｉＯ2 及びＡｌ
が形成されており、形成すべき回路パターンに応じてＳ
ｉＯ2 の占める面積とＡｌが占める面積との割合が異な
り、その割合に応じて下地膜の光の反射率が異なる。従
って、レジストパターンを同一の条件で形成すると下地
膜の光の反射率に応じてレジストパターンの線幅が異な
ることになる。そこで、本発明では、まず下地膜の光の
反射率を検出し、検出された反射率に基づき、これらの
条件を制御することで、レジストパターンの高精度な線
幅制御を可能とするものである。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の詳細を、図面を参
照して、実施の形態について説明する。

【００３０】図１に示すように、このレジスト塗布現像
システム１は、半導体ウェハに化学増幅型レジストを塗
布し、現像するシステムにおいて、カセットステーショ
ン１０、処理ステーション１１及びインターフェース部
１２を一対に接続した構成を有している。

【００３１】カセットステーション１０では、ウェハＷ
が（カセットＣ単位で複数枚、例えば２５枚単位で）外
部からレジスト塗布現像システム１に搬入され、またレ
ジスト塗布現像システム１から外部に搬出される。ま
た、カセットＣに対してウェハＷが搬出・搬入される。

【００３２】処理ステーション１１では、塗布現像処理
工程の中で１枚ずつウェハＷに所定の処理を施す枚葉式
の各種処理装置が所定位置に多段に配置されている。

【００３３】インターフェース部１２では、このレジス
ト塗布現像システム１に隣接して設けられる露光装置１
３との間でウェハＷが受け渡される。

【００３４】カセットステーション１０では、図１に示
すように、カセット載置台２０上の位置決め突起２０ａ
の位置に複数個（例えば４個）のカセットＣが、それぞ
れのウェハＷ出入口を処理ステーション１１側に向けて
Ｘ方向（図１中の上下方向）一列に載置される。このカ
セットＣ配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣ内に収容さ
れたウェハＷのウェハＷ配列方向（Ｚ方向；垂直方向）
に移動可能なウェハ搬送装置２１が、搬送路２１ａに沿
って移動自在であり、各カセットＣに選択的にアクセス
する。

【００３５】ウェハ搬送装置２１は、θ方向に回転自在
に構成されており、後述するように処理ステーション１
１側の第３の処理装置群Ｇ3 の多段装置部に属するアラ
イメント装置（ＡＬＩＭ）及びエクステンション装置
（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。

【００３６】処理ステーション１１では、図１に示すよ
うに、その中心部には垂直搬送型の搬送装置２２が設け
られ、その周りに処理室としての各種処理装置が１組ま
たは複数の組に亙って多段集積配置されて処理装置群を
構成している。このレジスト塗布現像システム１におい
ては、５つの処理装置群Ｇ1 、Ｇ2 、Ｇ3 、Ｇ4 、Ｇ5
が配置可能な構成であり、第１及び第２の処理装置群Ｇ
1 、Ｇ2 はシステム正面側に配置され、第３の処理装置
群Ｇ3 はカセットステーション１０に隣接して配置さ
れ、第４の処理装置群Ｇ4 はインターフェース部１２に
隣接して配置され、更に破線で示した第５の処理装置群
Ｇ5 を背面側に配置することが可能となっている。搬送
装置２２は、θ方向に回転自在でＺ方向に移動可能に構
成されており、各処理装置との間でウェハＷの受け渡し
が可能とされている。

【００３７】第１の処理装置群Ｇ1 では、図２に示すよ
うに、カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せ
て所定の処理を行う２台のスピンナ型処理装置、例えば
レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）及び現像処理装置（ＤＥ
Ｖ）が下から順に２段に重ねられている。そして第１の
処理装置群Ｇ1 と同様に、第２の処理装置群Ｇ2 におい
ても、２台のスピンナ型処理装置、例えばレジスト液塗
布装置（ＣＯＴ）及び現像処理装置（ＤＥＶ）が下から
順に２段に重ねられている。

【００３８】第３の処理装置群Ｇ3 では、図３に示すよ
うに、ウェハＷを載置台（図示せず）に載せて所定の処
理を行うオーブン型の処理装置、例えば冷却処理を行う
冷却処理装置（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高めるた
めのいわゆる疎水化処理を行う疎水化処理装置（Ａ
Ｄ）、位置合わせを行うアライメント装置（ＡＬＩ
Ｍ）、エクステンション装置（ＥＸＴ）、露光処理前の
加熱処理であるプリベークを行う加熱処理装置（ＰＲＥ
ＢＡＫＥ）及びポストベークを行う加熱処理装置（ＰＯ
ＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段に重ねられてい
る。

【００３９】同様に、第４の処理装置群Ｇ4 では、ウェ
ハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処
理装置、例えば冷却処理を行う冷却処理装置（ＣＯ
Ｌ）、冷却処理も兼ねたエクステンション・冷却処理装
置（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンション装置（ＥＸ
Ｔ）、疎水化処理装置（ＡＤ）、プリベークを行う加熱
処理装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベークを行う加
熱処理装置（ＰＯＢＡＫＥ）が下から順に、例えば８段
に重ねられている。

【００４０】インターフェース部１２では、図１に示す
ように、奥行き方向（Ｘ方向）については、上記処理ス
テーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。図１及び図２に
示すように、このインターフェース部１２の正面側に
は、可搬性のピックアップカセットＣＲと、定置型のバ
ッファカセットＢＲが２段に配置され、他方背面部には
周辺露光装置２４が配設されている。

【００４１】インターフェース部１２の中央部には、ウ
ェハ搬送装置２５が設けられている。ウェハ搬送装置２
５は、Ｘ方向、Ｚ方向（垂直方向）に移動して両カセッ
トＣＲ、ＢＲ及び周辺露光装置２４にアクセスできるよ
うになっている。ウェハ搬送装置２５は、θ方向にも回
転自在となるように構成されており、処理ステーション
１１側の第４の処理装置群Ｇ4 に属するエクステンショ
ン装置（ＥＸＴ）や、更には隣接する露光装置側のウェ
ハ受け渡し台（図示せず）にもアクセスできるようにな
っている。

【００４２】図４に示すように、カセットステーション
１０の上部にはフィルタ２６が、処理ステーション１１
の上部にはフィルタ２７が、インターフェース部１２の
上部にはフィルタ２８がそれぞれ取り付けられている。
これらのフィルタは上部空間２９を共有している。この
上部空間２９はダクト（図示を省略）を介して下方の空
調装置（図示を省略）に連通し、アンモニアを除去し、
湿度及び温度が制御された清浄空気が空調装置から上部
空間２９に供給されるようになっている。清浄空気は、
上部空間２９から各フィルタを通って下方に向けて吹き
出され、これにより清浄空気のダウンフローが各部１
０、１１、１２に形成されるようになっている。

【００４３】上記した第３の処理装置群Ｇ3 のアライメ
ント装置（ＡＬＩＭ）には、図５に示すように、このア
ライメント装置（ＡＬＩＭ）の両側に、カセットステー
ション１０のウェハ搬送装置２１がアクセスするため開
口部３１と、処理ステーション１１の搬送装置２２がア
クセスするための開口部３２とが設けられている。この
アライメント装置（ＡＬＩＭ）のほぼ中央にはウェハＷ
を位置決めするためのウェハ載置台３３が配置されてい
る。ウェハ載置台３３の上方には、ウェハＷの光の反射
率を測定するための複数の反射率測定装置３４が配置さ
れている。各反射率測定装置３４は、例えばウェハＷに
おける１チップの相当する領域の光の反射率を測定す
る。各反射率測定装置３４は、例えばこの領域に光を照
射し、その反射光の光量を測定し、照射光の光量と反射
光の光量との比に基づき反射率を算出する。このような
測定装置は複数配置しても単数配置しても構わない。こ
のような反射率測定装置は、このレジスト塗布現像シス
テム１におけるウェハＷ搬送経路上のどこかにあればよ
く、或いはレジスト塗布現像システム１外に別途設けて
もよい。

【００４４】図６は上記のように構成されたレジスト塗
布現像システム１における制御系の構成を示すブロック
図である。

【００４５】図６に示すように、各反射率測定装電３４
により測定された反射率のデータは制御部３５に送られ
る。制御部３５には、記憶部３６が接続されている。記
憶部３６には、図７に示すようなライブラリィーが記憶
されている。このライブラリィーは、光の反射率と光の
反射率に対して所望の線幅のレジストパターンを得るた
めの各種の条件との関係を示している。各種の条件と
は、例えばレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）においてウェ
ハＷを回転させなからレジスト液を供給するときの当該
回転数または加速度（回転数を上昇等させる際の加速
度）あるいはその双方である。別の所定の条件とは、例
えば露光装置１３においてウェハＷを露光するときの露
光時間である。更に別の所定の条件とは、現像処理装置
（ＤＥＶ）においてウェハＷを現像するときの現像時間
である。制御部３５は、測定された反射率に応じた各種
の条件を図７のライブラリィーから求め、求められた条
件によって、上記の回転数または加速度、露光時間及び
現像時間を制御する。なお、図７のライブラリィーは、
レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）の回転数のみを変更する
場合の例を示してあるが、制御対象は、上記の回転数、
加速度、露光時間及び現像時間の４つであってもよい
し、これらのうち３つあるいは２つであってもよいし、
１つであってもよいし、これらの条件以外の線幅に関係
するパラメータであってもよい。

【００４６】次に、以上のように構成されたレジスト塗
布現像システム１における処理工程について説明する。

【００４７】レジスト塗布現像システム１において、カ
セットＣ内に収容された未処理のウェハＷ（下地膜が形
成されている。）はカセットステーション１０のウェハ
搬送装置２１によって取り出された後、処理ステーショ
ン１１の第３の処理群Ｇ3 のアライメント装置（ＡＬＩ
Ｍ）内に搬送され、位置合わせが行われる。

【００４８】その後、このアライメント装置（ＡＬＩ
Ｍ）内において反射率測定装置３４によりウェハＷの光
の反射率が測定される。

【００４９】ここで、ウェハＷ上には、図８に示すよう
に下地膜３７としてＳｉＯ２が形成された領域と図９に
示すようにＡｌが形成された領域とがあり、形成すべき
回路パターンに応じてＳｉＯ２の占める面積とＡｌが占
める面積との割合が異なり、その割合に応じて下地膜３
７の光の反射率が異なる。反射率測定装置３４はこのよ
うな光の反射率を測定し、測定された反射率のデータは
制御部３５に送られる。この後、搬送装置２２を反対側
から搬入させ、ウェハＷはアライメント装置（ＡＬＩ
Ｍ）内から搬出され搬送される。

【００５０】次に、ウェハＷは、第３の処理詳Ｇ3 の疎
水化処理装置（ＡＤ）にて疎水化処理され、第３の処理
群Ｇ3 又は第４の処理群Ｇ4 の冷却処理装置（ＣＯＬ）
にて冷却された後に、第１の処理群Ｇ1 又は第２の処理
群Ｇ2 のレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）にてフォトレジ
スト膜すなわち感光膜を塗布形成される。このとき、制
御部３５は、反射率測定装置３４により測定された反射
率のデータに応じた条件をライブラリィーから読み出
し、この条件でレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）において
ウェハＷを回転させながらレジスト液を供給するときの
当該回転数または加速度あるいはこれらの双方を制御す
る。

【００５１】感光膜を形成した後、第３の処理群Ｇ3 又
は第４の処理群Ｇ4 のプリベーキング装置（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）にて加熱処理を行い、ウェハＷ上の感光膜から残
存溶剤を蒸発除去する。次に、ウェハＷは第４の処理群
Ｇ4 のエクステンション冷却装置（ＥＸＴＣＯＬ）で冷
却された後に、第４の処理群Ｇ4 のエクステンション装
置（ＥＸＴ）内に載置される。次に、ウェハ搬送装置２
５を反対側から搬入させ、ウェハＷは搬出される。次
に、ウェハＷは露光装置１３内に搬送され、ウェハ露光
される。このとき、制御部３５は、反射率測定装置３４
により測定された反射率のデータに応じた条件をライブ
ラリィーから読み出し、この条件で露光装置１３におけ
る露光時間を制御する。

【００５２】露光後にウェハＷは再び第４の処理群Ｇ4
のエクステンション装置（ＥＸＴ）に搬入され、これを
介して搬送装置２２に受け渡される。次に、ウェハＷ
は、第１の処理群Ｇ1 又は第２の処理群Ｇ2 の現像処理
装置（ＤＥＶ）内に搬送され、現像液により現像された
後にリンス液により現像液を洗い流し、現像処理を完了
する。このとき、制御部３５は、反射率測定装置３４に
より測定された反射率のデータに応じた条件をライブラ
リィーから読み出し、この条件で現像処理装置（ＤＥ
Ｖ）における現像時間を制御する。

【００５３】次に、ウェハＷは搬送装置２２によって現
像処理装置（ＤＥＶ）内から搬出される。その後、ウェ
ハＷは、第３の処理群Ｇ3 又は第４の処理群Ｇ4 のポス
トベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）て加熱処埋され、第
３の処理群Ｇ3 又は第４の処理群Ｇ4 の冷却処理装置で
（ＣＯＬ）で冷却された後に、第３の処理群Ｇ3 のエク
ステンション装置（ＥＸＴ）内に載置される。そして、
ウェハ搬送装置２１を反対側から搬入させ、ウェハＷは
搬出され、カセットステーション１０に載置された処理
済みウェハ収納用のカセットＣにウェハＷが搬入され
る。

【００５４】本実施の形態によれば、レジストパターン
の形成に先立ち反射率測定装置３４によりウェハＷの下
地膜の光の反射率を検出し、検出された反射率に基づ
き、レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）においてウェハＷを
回転させながらレジスト液を供給するときの当該回転
数、加速度、露光装置１３における露光時間及び現像処
理装置（ＤＥＶ）における現像時間を制御しているの
て、レジストパターンの高精度な線幅制御が可能とな
る。

【００５５】次に、本発明の他の実施形態を説明する。

【００５６】ここで、例えば、ウェハから半導体デバイ
スを製造する工程においては、シリコンからなるウェハ
上に、酸化膜、窒化膜等の下地膜を順次形成した後、こ
の下地膜の上にレジストを塗布し、所定パターンが形成
されたマスク（レティクル）を用いてステッパ等の露光
装置で露光を行い、この後、現像を行って、下地膜上に
所定のレジストパターンを形成する。

【００５７】このような一連の工程において、レジスト
パターンを所定の線幅に保つためには、露光の際の露光
量（露光エネルギー）が、適切な量に制御される必要が
ある。すなわち、露光の際の露光量が過度であったり逆
に不足していると、レジストパターンの線幅が所定幅よ
り狭くなったり広くなったりしてしまう。

【００５８】ところが、適切な露光量は、例えば、直接
レジストに当たる光の影響のみだけではなく、下地膜か
らの反射光や、これらの光のレジスト内での干渉等の影
響があるため、レジスト及び下地膜の膜厚や種類、露光
光の波長等によって微妙に変動する。

【００５９】したがって、例えばレジストの膜厚や下地
膜の膜厚が僅かに変化しても、適切な露光量が大きく変
化する場合があり、これらの各成膜工程の各パラメータ
をできる限り一定に保ったとしても、例えば、下地膜の
膜厚を各バッチにおいて完全に同一とし、膜厚の差を完
全に零とすることは不可能なため、適切な露光量を常に
一定に保つことは困難である。

【００６０】このため、露光、現像工程における各処理
パラメータを常に一定として処理を行うと、レジスト線
幅が予め決められている規格値の範囲を外れる可能性が
あり、従来においては、露光、現像後のウェハのレジス
ト線幅を、ＳＥＭによって実際に測定し、その結果が予
め決められている規格値の範囲内にあるか否かの評価を
行っている。

【００６１】ところで、レジストの露光量については、
レジストを１００％感光させることのできるエネルギー
を一般的にＥ0 として表している。つまり、このＥ0
は、レジストを１００％感光させることのできる最低の
エネルギーを示したもので、実際の露光工程において
は、このＥ0 より、若干多いエネルギーがレジストに照
射されるようにして、露光不足とならないよう配慮され
ている。

【００６２】なお、図１０は、縦軸をＥ0 、横軸をレジ
スト膜厚として、Ｅ0 とレジスト膜厚との関係を模式的
に示したもので、Ｅ0 は、露光光の波長をλ、レジスト
の屈折率をｎとして、λ／４ｎの周期で変動する。

【００６３】そして、露光量が一定で、その後の現像工
程が同一の条件で行われれば、Ｅ0の値とレジストの線
幅との間には、一定の相関関係があり、Ｅ0 を測定する
ことによって、現像後に形成されるレジスト線幅を予測
することができる。

【００６４】つまり、各ウェハについてのＥ0 は、実質
的にある工程以降の下地膜の成膜工程及びレジスト塗布
工程によって決定されるものである。したがって、それ
以降の工程である露光及び現像工程において、一定の条
件で処理が行われれば、現像後の線幅は、実質的にこの
Ｅ0 の値に依存することになり、Ｅ0 の測定によって、
現像後に形成されるレジスト線幅を評価することが可能
となる。換言すれば、露光量を一定として処理する場
合、Ｅ0 の値がこの露光量より僅かに小さな所定の範囲
内にあれば、実質的に露光量の過不足が生じることな
く、形成されるレジスト線幅を予め決められている規格
値の範囲内とすることができる。

【００６５】そこで、この実施形態では、図１１のフロ
ーチャートに示すように、少なくともＥ0 に影響を与え
る下地膜の成膜工程から測定用ウェハ（測定用基板）
を、例えばバッチ毎に１枚ずつ導入し（１０１）、各種
下地膜の形成工程及びレジストの塗布工程により、通常
のウェハと同様に測定用ウェハに成膜及びレジスト塗布
を行う（１０２）。

【００６６】なお、半導体デバイスの製造工程では、一
枚のウェハに複数回の露光、現像工程を施すことになる
が、測定用ウェハを導入するタイミングとしては、最初
の工程から複数枚の測定用ウェハを導入しておき、各露
光、現像工程毎にこれらのうちから一枚あるいは複数枚
の測定用ウェハを使用するようにしてもよく、あるい
は、各露光、現像工程毎にそのＥ0 に影響を与える下地
膜の成膜工程から測定用ウェハを導入してもよい。

【００６７】そして、ウェハの露光工程に至ると（１０
３）、通常のウェハの露光、現像工程に先立って、この
測定用ウェハのＥ0 を測定する（１０４）。

【００６８】そして、このＥ0 の値が、予め定めた所定
の範囲内に入るか否かを判断し（１０５）、予め定めた
所定の範囲内に入れば、そのバッチ内の他の通常のウェ
ハについて、その後の露光、現像工程において、許容さ
れる一定の誤差範囲内にある所定のレジスト線幅が得ら
れると判定して、通常のウェハの露光、現像工程を実施
する（１０６）。

【００６９】一方、Ｅ0 の値が、所定の範囲外となる場
合は、そのままの条件で露光、現像工程を実施すると所
定のレジスト線幅が得られなくなる可能性が高いため、
通常のウェハに対する露光、現像工程を一時中断する
（１０７）。

【００７０】なお、この場合の対策としては、処理パラ
メータを適宜変更すること、例えば、Ｅ0 の値に応じて
露光量を調節したり、現像時間や温度を調節することに
よって、所定のレジスト線幅を得られるようにすること
ができる。

【００７１】かかるパラメータの調節は、作業員の手作
業によって行っても良いし、あるいは、他の実施態様と
しては、Ｅ0 の値に応じて露光量あるいは現像時間や温
度を調節するようプログラムされたコンピュータ等を用
いて行うこともできる。例えば、露光装置の露光量を制
御する場合であれば、Ｅ0 の値が大きければ露光量を増
やし、逆にＥ0 の値が小さければ露光量を減少させるよ
う予めプログラムされたコンピュータにより露光装置の
露光量を制御する。

【００７２】図１２のフローチャートは、上記処理パラ
メータの変更を自動的に行う場合の処理を示しており、
Ｅ0 の値が、所定の範囲外となる場合は（１０５）、こ
のＥ0 の値に応じて処理パラメータの変更を自動的に行
った後（２０７）、通常のウェハの露光、現像工程を実
施する（１０６）。

【００７３】次に、上記Ｅ0 の値の測定方法の一例をよ
り具体的に示す。

【００７４】すなわち、この方法では、まず、例えば露
光装置により、露光量を少しずつ増やして、測定用ウェ
ハ上の各領域毎に異なった露光量で露光を行い、この
後、現像して、露光量の少ない領域から順次露光量の多
い領域に向かって、レジストが完全に除去されているか
否かを見ていき、最初に現われたレジストが完全に除去
されている領域の露光量を、Ｅ0 とする。つまり、Ｅ0
以上の露光量で露光が行われた領域のレジストは、全て
完全に除去された状態となっており、Ｅ0 に満たない露
光量で露光が行われた領域のレジストは、、完全に除去
されていない状態となっているため、その境界の領域で
あって、レジストが完全に除去されている領域の露光量
を、Ｅ0 とする。

【００７５】なお、レジストが完全に除去されているか
否かの判定は、例えば顕微鏡やテレビカメラなどを用い
た拡大像等を、作業員が観察することによって行うこと
もでき、また、例えば、膜厚測定装置により、各領域毎
にレジスト膜厚を測定し、その膜厚の値が零となったか
否かによって行うこともできる。

【００７６】以上のように本実施形態によれば、ＳＥＭ
を用いてレジスト線幅を実測することなく、レジスト処
理工程において形成されるレジスト線幅の評価を行うこ
とができ、ＳＥＭを用いてレジスト線幅を実測する場合
に比べて、レジスト線幅の評価を短時間で容易に行うこ
とができ、また、ウェハの汚染も防止することができ
る。

【００７７】図１３〜図１５は、この実施形態における
レジスト塗布現像処理システム１０１の全体構成を示し
ており、図１３は平面、図１４は正面、図１５は背面を
各々示している。

【００７８】これらの図に示すように、塗布現像処理シ
ステム１０１は、ウェハＷを複数収容したウェハカセッ
トＣＲを外部との間で搬入・搬出したり、ウェハカセッ
トＣＲに対してウェハＷの出し入れを行うためのカセッ
トステーション１１０と、ウェハＷに対して１枚ずつ所
定の処理を施す枚葉式の各種処理装置を縦横多段に重ね
て配置して構成される処理ステーション１１１と、図示
しない外部の露光装置との間でウェハＷの受け渡しを行
うインターフェース部１１２とを一体に組み合わせて構
成される。

【００７９】カセットステーション１１０内には、図１
３に示すように、カセット載置台１２０上の各カセット
位置決め部１２０ａに、複数例えば４個までのウェハカ
セットＣＲが各々のウェハ出入口を処理ステーション１
１１側に向けてＸ方向に一列に載置され、これらウェハ
カセットＣＲに対して、Ｘ方向及びＺ方向（ウェハカセ
ットＣＲ内のウェハ配列方向：垂直方向）に移動自在に
設けられたウェハ搬送装置１２１がウェハＷの出し入れ
操作を行うようになっている。さらにこのウェハ搬送装
置１２１は、θ方向に回転自在に構成され、処理ステー
ション１１１側のウェハ搬送装置１２２に対してウェハ
Ｗの受け渡しを行うことも可能である。処理ステーショ
ン１１１内のウェハ搬送装置１２２は、カセットステー
ション１１０とインターフェース部１１２との間をＹ方
向に移動自在に構成され、またＺ方向（垂直方向）に上
下動できると共に、θ方向に回転し得るように構成され
ている。

【００８０】そして処理ステーション１１１内の各処理
装置は、ウェハ搬送装置１２２の搬送路を挟んで二分し
て配置されている。ここで上下１列分の処理装置の集合
を一つの処理装置群と呼ぶと、処理ステーション１１１
内の各処理装置は例えば８つの処理装置群Ｇ1 、Ｇ2 、
Ｇ3 、Ｇ4 、Ｇ5 、Ｇ6 、Ｇ7 、Ｇ8 に分けられ、その
うち第２、第４、第６及び第８の処理装置群Ｇ2 、Ｇ4
、Ｇ6 、Ｇ8 は、図１４に示したように例えばシステ
ム正面側に配置され、第１、第３、第５及び第７の処理
装置群Ｇ1 、Ｇ3 、Ｇ5 、Ｇ7 は、図１５に示したよう
に例えばシステム背面側に配置されている。

【００８１】図１４に示すように、第２、第４、第６及
び第８の処理装置群Ｇ2 、Ｇ4 、Ｇ6 、Ｇ8 は各々、上
下２段に重ねられたレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）及び
現像処理装置（ＤＥＶ）を含んでいる。

【００８２】また、図１５に示すように、第１の処理装
置群Ｇ1 は、ウェハＷ上のレジストの膜厚測定を行うレ
ジスト膜厚測定装置（ＲＴＭ）、ウェハＷの位置合わせ
を行うアライメント装置（ＡＬＩＭ）、露光処理前のウ
ェハＷに対して加熱処理を行うプリベーキング装置（Ｐ
ＲＥＢＡＫＥ）及び露光処理後のウェハＷに対して加熱
処理を行うポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）が、
下から順に重ねて配置されている。

【００８３】さらに、第３の処理装置Ｇ3 は、ウェハＷ
の冷却処理を行う冷却処理装置（ＣＯＬ）、ウェハＷ表
面に塗布されたレジスト液の定着性を高めるための疎水
化処理を行う疎水化処理装置（ＡＤ）、露光処理前のウ
ェハＷに対して加熱処理を行うプリベーキング装置（Ｐ
ＲＥＢＡＫＥ）及び露光処理後のウェハＷに対して加熱
処理を行うポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）が、
下から順に重ねて設けられている。

【００８４】第５及び第７の処理装置Ｇ5 、Ｇ7 は、ウ
ェハＷの冷却処理を行う冷却処理装置（ＣＯＬ）、イク
ステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣＯＬ）、露光
処理前のウェハＷに対して加熱処理を行うプリベーキン
グ装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）及び露光処理後のウェハＷに
対して加熱処理を行うポストベーキング装置（ＰＯＢＡ
ＫＥ）が、下から順に重ねて配置されている。

【００８５】このように処理温度の低い冷却処理装置
（ＣＯＬ）、イクステンション・クーリング装置（ＥＸ
ＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いプリベーキ
ング装置（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキング装置
（ＰＯＢＡＫＥ）及び疎水化処理装置（ＡＤ）を上段に
配置することで、装置間の熱的な相互干渉を少なくする
ことができる。

【００８６】インターフェース部１１２には、可搬性の
ピックアップカセットＣＲ、定置型のバッファカセット
ＢＲ、周辺露光装置１２３、ウェハ搬送装置１２４が設
けられている。ウェハ搬送装置１２４は、Ｘ方向及びＺ
方向に移動して上記両カセットＣＲ、ＢＲ及び周辺露光
装置１２３に対するウェハＷの受け渡し動作を行う。ま
た、ウェハ搬送装置１２４はθ方向にも回転自在とさ
れ、処理ステーション１１１側のウェハ搬送装置１２２
及び外部の露光装置側のウェハ受け渡し台（図示せず）
との間でのウェハＷの受け渡しを行うように構成されて
いる。

【００８７】現像処理装置（ＤＥＶ）は、処理容器内
に、ウェハＷを真空吸着により水平に保持しながら回転
するように構成されたスピンチャックと、このスピンチ
ャックの外側及び下部側を包囲すると共に底部に排液口
と排気口を設けたカップと、現像液をスピンチャック上
に保持されるウェハＷの表面へ吐出する現像液供給ノズ
ル等から構成される。

【００８８】また、レジスト液塗布装置（ＣＯＴ）は、
処理容器内に、ウェハＷを真空吸着により水平に保持し
ながら回転するように構成されたスピンチャックと、こ
のスピンチャックの外側及び下部側を包囲すると共に底
部に排液口と排気口を設けたカップと、レジスト液をス
ピンチャック上に保持されるウェハＷの表面へ吐出する
レジスト液供給ノズル等から構成される。

【００８９】次に、この塗布現像処理システムによるウ
ェハＷの処理の流れについて説明する。

【００９０】まずカセットステーション１１０におい
て、ウェハ搬送装置１２１がカセット載置台１２０上の
処理前のウェハＷを収容しているカセットＣＲにアクセ
スして、そのカセットＣＲから１枚のウェハＷを取り出
す。その後、ウェハ搬送装置１２１は、処理ステーショ
ン１１１側のウェハ搬送装置１２２にウェハＷを受け渡
す。ウェハ搬送装置１２２は、第１の処理装置群Ｇ1 の
アライメント装置（ＡＬＩＭ）まで移動し、このアライ
メント装置（ＡＬＩＭ）内にウェハＷを移載する。

【００９１】なお、この時、例えば、あるバッチの最初
のウェハに処理を施す場合等であって、前述したＥ0 を
測定する場合には、まず測定用ウェハが選択される。

【００９２】アライメント装置（ＡＬＩＭ）にてウェハ
Ｗのオリフラ合わせ及びセンタリングが終了すると、ウ
ェハ搬送装置１２２は、アライメントが完了したウェハ
Ｗを受け取り、第３の処理装置群Ｇ3 の疎水化処理装置
（ＡＤ）にウェハＷを搬入して疎水化処理を行う。

【００９３】疎水化処理を終えたウェハＷは、その後ウ
ェハ搬送装置１２２によって所定のプリベーキング装置
（ＰＲＥＢＡＫＥ）に搬入されてベーキングされた後、
所定の冷却処理装置（ＣＯＬ）に搬入される。この冷却
処理装置（ＣＯＬ）内でウェハＷはレジスト塗布処理前
の設定温度例えば２３℃まで冷却される。冷却処理が終
了すると、ウェハＷはウェハ搬送装置１２２によって所
定のレジスト液塗布装置（ＣＯＴ）へ搬入され、このレ
ジスト液塗布装置（ＣＯＴ）内でウェハＷ表面へのレジ
スト塗布が行われる。

【００９４】レジスト塗布処理が終了すると、ウェハ搬
送装置１２２はウェハＷをレジスト液塗布装置（ＣＯ
Ｔ）から取り出し、再び所定のプリベーキング装置（Ｐ
ＲＥＢＡＫＥ）内へ搬入する。ウェハＷはここで所定温
度例えば１００℃で所定時間加熱され、これによりウェ
ハＷ上の塗布膜から残存溶剤が蒸発除去される。

【００９５】この後、ウェハＷはウェハ搬送装置１２２
によってイクステンション・クーリング装置（ＥＸＴＣ
ＯＬ）へ搬入される。ここで、ウェハＷは、次工程つま
り周辺露光装置１２３による周辺露光処理に適した温度
例えば２４℃まで冷却される。 この後、ウェハ搬送装
置１２２はウェハＷをインターフェース部１１２のウェ
ハ搬送装置１２４に受け渡す。ウェハ搬送装置１２４は
当該ウェハＷをインターフェース部１１２内の周辺露光
装置１２３へ搬入する。ここで、ウェハＷはその周縁部
に露光処理を受ける。

【００９６】周辺露光処理が終了すると、ウェハ搬送装
置１２４は、ウェハＷを周辺露光装置１２３から搬出
し、隣接する露光装置側のウェハ受取り台（図示せず）
へ移行する。この場合、ウェハＷは、露光装置へ渡され
る前に、必要に応じてバッファカセットＢＲに一時的に
格納されることもある。

【００９７】この後、露光装置により、レティクルを用
いた露光が行われる。この際、露光装置に受け渡された
ウェハが、前述した測定用ウェハの場合は、レティクル
を用いた一定露光量に代えて、露光量を露光領域毎に変
えたＥ0 測定のための露光が行われる。すなわち、例え
ば、予測されるＥ0 値を中心として、その上下に一定の
幅を設け、予測されるＥ0 値より低い露光エネルギーが
露光される露光量から次第に露光量が増加するようにし
て露光領域毎に異なった露光量で露光を行う。露光装置
でのウェハＷ全面への露光処理が完了して、ウェハＷが
露光装置側のウェハ受取り台に戻されると、インターフ
ェース部１１２のウェハ搬送装置１２４はそのウェハ受
取り台へアクセスして露光処理後のウェハＷを受け取
り、処理ステーション１１１側のウェハ搬送装置１２２
に受け渡される。なおこの場合、ウェハＷを、処理ステ
ーション１１１側へ渡される前に、必要に応じてインタ
ーフェース部１１２内のバッファカセットＢＲに一時的
に格納するようにしてもよい。

【００９８】ウェハ搬送装置１２２は、受け取ったウェ
ハＷを所定のポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）に
搬入する。このポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）
において、ウェハＷは熱板上に載置されて所定時間ベー
ク処理される。

【００９９】この後、ベーキングされたウェハＷはウェ
ハ搬送装置１２２によっていずれかの冷却処理装置（Ｃ
ＯＬ）に搬入され、この冷却処理装置（ＣＯＬ）内でウ
ェハＷは常温に戻される。続いて、ウェハＷはウェハ搬
送装置１２２によって所定の現像処理装置（ＤＥＶ）に
搬入される。

【０１００】この現像処理装置（ＤＥＶ）内では、ウェ
ハＷはスピンチャックの上に載せられ、例えばスプレー
方式により、ウェハＷ表面のレジストに現像液が均一に
かけられて現像が行われる。そして現像後、ウェハＷ表
面にリンス液がかけられ、現像液の洗い落しが行われ、
この後ウェハＷが高速回転されて乾燥が行われる。

【０１０１】この後、ウェハ搬送装置１２２は、ウェハ
Ｗを現像処理装置（ＤＥＶ）から搬出して、次に所定の
ポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫＥ）へウェハＷを再
び搬入する。このポストベーキング装置（ＰＯＢＡＫ
Ｅ）において、ウェハＷは例えば１００℃で所定時間だ
け加熱され、これによって、現像で膨潤したレジストが
硬化し、耐薬品性が向上する。

【０１０２】ポストベーキングが終了すると、ウェハ搬
送装置１２２はウェハＷをポストベーキング装置（ＰＯ
ＢＡＫＥ）から搬出し、次に所定の冷却処理装置（ＣＯ
Ｌ）へウェハＷを搬入して冷却処理が行われる。

【０１０３】ここでウェハＷが常温に戻った後、受け取
ったウェハＷが通常のウェハの場合は、ウェハ搬送装置
１２２は、ウェハＷをカセットステーション１１０側の
ウェハ搬送装置１２１に受け渡し、ウェハ搬送装置１２
１は、受け取ったウェハＷをカセット載置台１２０上の
処理済みウェハ収容用のカセットＣＲの所定のウェハ収
容溝に入れる。一方、受け取ったウェハＷが測定用ウェ
ハの場合は、ウェハ搬送装置１２２は、この受け取った
測定用ウェハを、レジスト膜厚測定装置（ＲＴＭ）に搬
入する。

【０１０４】そして、レジスト膜厚測定装置（ＲＴＭ）
では、前述した測定用ウェハの露光領域毎に、露光量の
少ない領域から多い領域に向けて順次レジスト膜厚を測
定して、そのレジスト膜厚が初めて零となる露光領域を
見つけ出す。

【０１０５】このレジスト膜厚が初めて零となる露光領
域の前述した露光装置による露光量（露光エネルギー）
がＥ0 と認識され、このＥ0 の値が、予め定められてい
る所定の範囲内にある場合は、この後、通常のウェハの
処理は実行される。一方、上記Ｅ0 の値が所定の範囲外
となる場合には、この後、通常のウェハの処理が一旦停
止される。そして、作業員による処理パラメータの変更
等が行われた後、通常のウェハの処理が実行される。

【０１０６】なお、この際に、Ｅ0 の値によって、例え
ば、露光装置の露光時間、現像装置の現像時間等を適宜
変更するよう予めプログラムしておき、自動的に処理パ
ラメータの変更を行って、通常のウェハの処理を連続的
に行うようにしてもよい。

【０１０７】以上のとおり、本実施の形態によれば、Ｓ
ＥＭを用いたレジスト線幅の測定を行うことなく、レジ
スト線幅の評価を行うことができる。また、Ｅ0 の値に
よって、処理パラメータを自動的に変更するよう構成す
ることにより、作業員による操作を介在させることな
く、自動的にレジスト線幅の高精度な制御を行うことが
できる。また、このような条件出しを最初に説明した実
施形態に適用すれば、より高精度なレジスト線幅の制御
を行うことができる。

【０１０８】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れず、その技術思想の範囲内で様々な変形が可能であ
る。

【０１０９】例えば、上述した例では、レジストが完全
に除去されているか否かの判定を、膜厚測定によって行
う場合について説明したが、例えば顕微鏡やテレビカメ
ラなどを用いた拡大像等を、作業員が観察することによ
ってレジストが完全に除去されているか否かの判定を行
ってもよい。

【０１１０】また、例えば基板は上記ウェハＷに限るも
のでなく、ＬＣＤ基板、ガラス基板、ＣＤ基板、フォト
マスク、プリント基板、セラミック基板等でも可能であ
る。

【０１１１】以上説明した実施形態は、あくまでも本発
明の技術的内容を明らかにする意図のものにおいて、本
発明はそうした具体例にのみ限定して狭義に解釈される
ものではなく、本発明の精神と特許請求の範囲に述べる
範囲で、いろいろと変更して実施することができるもの
である。

【０１１２】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明のレジスト
処理方法およびレジスト処理装置によれば、レジストパ
ターンの高精度な線幅制御が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係るレジスト塗布現像シ
ステムを示す平面図。

【図２】図１に示したレジスト塗布現像システムの正面
図。

【図３】図１に示したレジスト塗布現像システムの背面
図。

【図４】図１に示したレジスト塗布現像システムにおけ
る空気の流れを示す正面図。

【図５】図３に示したアライメント装置の概略構成を示
す正面図。

【図６】図１に示したレジスト塗布現像システムの制御
系の構成を示すブロック図。

【図７】図６に示した記憶部が有するライブラリィーの
内容を示す図。

【図８】下地膜の光の反射率の相違を説明するための
図。

【図９】下地膜の光の反射率の相違を説明するための
図。

【図１０】レジスト膜厚とＥ0 との関係を示すグラフ。

【図１１】本発明の他の実施形態に係るフローチャー
ト。

【図１２】本発明の更に別の実施形態に係るフローチャ
ート。

【図１３】他の実施形態に係るレジスト塗布現像処理シ
ステムの全体構成を示す平面図。

【図１４】図１３に示したレジスト塗布現像処理システ
ムの正面図。

【図１５】図１３に示したレジスト塗布現像処理システ
ムの背面図。

【符号の説明】

１……レジスト塗布現像システム １０……カセットステーション １１……処理ステーション １２……インターフェース部 １３……露光装置 ２１……ウェハ搬送装置 ２２……搬送装置 ２５……ウェハ搬送装置 ３４……反射率測定装置 ３５……制御部 ３６……記憶部 Ｗ……ウェハ ＣＯＴ……レジスト液塗布装置 ＤＥＶ……現像処理装置 ＡＬＩＭ……アライメント装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｚ (56)参考文献 特開 昭63−131517（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−143816（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−267813（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−203811（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−86133（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/027

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下地膜が形成された基板上に所定のレジ
   ストパターンを形成するレジスト処理方法において、 （ａ）前記レジストパターンの形成に先立ち、前記下地
   膜の光の反射率を検出する工程と、 （ｂ）あらかじめ定められた前記基板を回転するときの
   回転数及び加速度に基づき、前記基板を回転させ前記基
   板上にレジストを塗布する工程と、 （ｃ）あらかじめ定められた前記基板を露光するときの
   露光時間に基づき、レジストが塗布された前記基板を露
   光する工程と、 （ｄ）あらかじめ定められた前記基板を現像するときの
   現像時間に基づき、前記露光された基板を現像する工程
   と、 （ｅ）光の反射率と、光の反射率に対して所望の線幅の
   レジストパターンを得るための回転数、加速度、露光時
   間、現像時間のうち少なくとも１つとの関係を記憶する
   工程と、 （ｆ）前記記憶された関係と前記検出された反射率とに
   基づき、あらかじめ定められた回転数、加速度、露光時
   間、現像時間 のうち、少なくとも１つを制御する工程と
   を具備することを特徴とするレジスト処理方法。
2. 【請求項２】 請求項１のレジスト処理方法において、（ｇ）前記レジストパターンの形成に先立ち、 前記基板
   と共に、測定用基板に所定の前記下地膜を形成する工程
   と、（ｈ） 前記測定用基板にレジストを塗布する工程と、（ｉ） 前記測定用基板に露光を行い、レジストが完全に
   感光されるのに必要で十分な露光エネルギーを求める工
   程と、（ｊ） 前記求められた露光エネルギーに基づき、所定の
   処理を実行する工程とを更に具備することを特徴とする
   レジスト処理方法。
3. 【請求項３】 請求項２のレジスト処理方法において、 前記工程（ｊ）が、前記露光エネルギーの値が予め定め
   られた所定の範囲内か否かによって前記被処理基板の処
   理を実行するか否かを判定する工程を含むことを特徴と
   するレジスト処理方法。
4. 【請求項４】 請求項２のレジスト処理方法において、 前記工程（ｊ）が、前記露光エネルギーの値に応じて、
   処理条件を変更して前記基板の露光、現像工程を実行す
   る工程を含むことを特徴とするレジスト処理方法。
5. 【請求項５】 請求項２のレジスト処理方法において、 前記工程（ｉ）が、前記測定用基板の所定の露光位置毎
   に露光量を変えて複数回露光を行い、この後現像して、
   前記露光エネルギーを求める工程を含むことを特徴とす
   るレジスト処理方法。
6. 【請求項６】 請求項５のレジスト処理方法において、 露光時間を変えることによって前記露光量を変えること
   を特徴とするレジスト処理方法。
7. 【請求項７】 請求項２のレジスト処理方法において、 前記工程（ｉ）が、前記現像後に、膜厚測定装置によっ
   てレジストの膜厚を測定し、膜厚が零となる位置の露光
   エネルギーから、前記露光エネルギーを求める工程を含
   むことを特徴とするレジスト処理方法。
8. 【請求項８】 下地膜が形成された基板上に所定のレジ
   ストパターンを形成するレジスト処理装置において、前記レジストパターンの形成に先立ち、 前記下地膜の光
   の反射率を検出する手段と、前記基板を回転するときの回転数及び加速度 に基づき、
   前記基板上にレジストを塗布する手段と、前記基板を露光するときの露光時間 に基づき、前記レジ
   ストが塗布された基板を露光する手段と、前記基板を現像するときの現像時間 に基づき、前記露光
   された基板を現像する手段と、前記反射率と、前記回転数、加速度、露光時間、現像時
   間のうち少なくとも１つとの関係を記憶する記憶手段
   と、 前記記憶された関係と 前記検出された反射率に基づき、
   前記回転数、加速度、 露光時間、現像時間のうち、少な
   くとも１つを制御する制御手段とを具備することを特徴
   とするレジスト処理装置。
9. 【請求項９】 請求項８のレジスト処理装置において、前記レジストパターンの形成に先立ち、 前記基板ととも
   に、測定用基板に所定の前記下地膜を形成する手段と、 前記測定用基板にレジストを塗布する手段と、 前記測定用基板に露光を行い、レジストが完全に感光さ
   れるのに必要で十分な露光エネルギーを求める手段と、 前記求められた露光エネルギーに基づき、所定の処理を
   実行する手段とを更に具備することを特徴とするレジス
   ト処理装置。
10. 【請求項１０】 請求項８または９のレジスト処理装置
    において、 前記下地膜の光の反射率を測定する手段は、前記基板の
    位置合わせを行うアライメント装置内に配置されること
    を特徴とするレジスト処理装置。