JP3543941B2 - Electrical check method for semiconductor integrated circuit device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体集積回路の電気的チェックに関し、特にチェック対象配線が集積回路の階層間にまたがる電気的チェックに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体集積回路の電気的チェック、特にゲートアレイまたはスタンダードセルのように基本回路機能ブロックを用いてレイアウトを行う場合のクロストークノイズは、レイアウト後の配線から抽出されたパラメータと基本回路機能ブロックの特性ライブラリを用いて行われている。例えば、回路のクロストークチェックの場合には、クロストークノイズ量Vnは
Vn={CL/(CF+CL)}×{1/(1+TRn/TRc)}
CL :チェック対象配線の配線容量
CF :チェック対象配線の機能ブロックの負荷容量
TRn :ノイズ源配線の負荷遅延
TRc :チェック対象配線の負荷遅延
であり。チェック対象配線の機能ブロックの負荷容量CFは基本回路機能ブロックの特性ライブラリに含まれている。ノイズ源配線の負荷遅延TRnおよびチェック対象配線の負荷遅延TRcは同様に機能ブロックの特性ライブラリ中に含まれている出力端子のインピーダンスおよび配線の容量値と、抵抗値によって決まるため、クロストークチェックを行うには特性ライブラリの値以外にレイアウトされた配線の容量値および抵抗値が必要である。従って、クロストークチェックのような、電気的特性チェックは、一般的にレイアウト設計単位毎に行われるが、最終的にはLSIチップのレベルで行なう必要がある。近年LSIが大規模になり集積された機能ブロックや配線の数が多くなると、クロストークチェックを一度に実行するのが困難になりつつある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
クロストークチェックを一度に実行する要請に応えるために、例えば下位のレイアウト階層でチェックされた配線は上位ではチェックしないといった省力化の手法が検討されているが、チェック対象配線が階層間をまたがる場合には全体が見えるように下位のデータを上位で展開することが必要であり、結局上位でのチェックには多大な時間を要するという問題がある。
【0004】
本発明の目的はこのような階層間にまたがる配線においても簡便な半導体集積回路装置の電気的チェック方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体集積回路装置の電気的チェック方法は、複数の階層に分割されたレイアウトを有する半導体集積回路におけるチェック対象の配線が上位のレイアウトと下位のレイアウトに亘って存在するときのクロストークノイズの電気的チェック方法であって、下位の各レイアウト単位で抽出した配線系パラメータとクロストークチェックの結果得られたノイズ量を各レイアウト単位のライブラリとして記憶するステップと、下位の各レイアウト単位と接続される上位のレイアウトのチェック対象配線の電気的チェックを下位の各レイアウト単位のライブラリに記憶された配線系パラメータとノイズ量と上位に存在するレイアウトデータによるチェック結果の値を加算して求めるステップを有する。
【0006】
また、各レイアウト単位のライブラリは、複数の基本回路機能ブロックで構成され、独立したレイアウトの単位となる集積回路であるマクロと呼ばれる階層にレイアウトされた機能ブロックを含み、レイアウト後の機能ブロックの出力配線から抽出された配線系パラメータと、マクロ毎に行われるクロストークチェックのクロストークノイズ量とを有する。
【0007】
また、ライブラリは、更に機能ブロックのチェック対象配線の機能ブロックの負荷容量を有する。
【0008】
さらに、ライブラリは、機能ブロックの出力配線から抽出された配線系パラメータと基本回路機能ブロックの特性ライブラリに含まれる負荷容量と出力端子のインピーダンスを使用して計算される配線の負荷遅延を有する。
【0009】
また、配線系パラメータは、各レイアウト単位にレイアウトされた配線の容量値と、抵抗値またはインピーダンスを有する。
【0010】
さらに、クロストークノイズ量は、マクロに含まれる機能ブロックの出力配線であるチェック対象配線のノイズ源配線によるクロストークノイズ量である。
【0011】
また、クロストークチェックを行う時のレイアウトデータは、基本回路機能ブロックの特性ライブラリに含まれるチェック対象配線の基本回路機能ブロックの負荷容量と、特性ライブラリに含まれるノイズ源配線およびチェック対象配線の負荷遅延と、レイアウトされた配線の容量値と抵抗値とを有する。
【0012】
さらに、加算して求めるステップは、チェック対象配線のクロストークチェックを行い、クロストークノイズ量V0を求めるステップと、ライブラリに記憶されている下位の各レイアウト単位のクロストークチェックの結果得られたノイズ量Vnと、 チェック対象の配線と下位の各レイアウト単位との配線容量Cnを抽出するステップと、チェック対象の配線と上位に存在するレイアウトのノイズ源配線との配線容量とチェック対象の配線に接続されている負荷容量を加算して配線容量C0として求めるステップと、チェック対象の配線の全クロストークノイズ量VSとして(V1・C1+V2・C2+・・+Vn・Cn+V0・C0)/(C1+C2+・・+Cn+C0)を計算するステップを有する。
【0013】
さらに、本発明の半導体集積回路装置の電気的チェック方法は、複数の階層に分割されたレイアウトを有する半導体集積回路におけるチェック対象の配線が上位のレイアウトと下位のレイアウトと該下位のレイアウト中に低位のレイアウトに亘って存在するときのクロストークノイズの電気的チェック方法において、低位のレイアウト単位で抽出した配線系パラメータとクロストークチェックの結果得られたノイズ量を各レイアウト単位の低位ライブラリとして記憶するステップと、低位の各レイアウト単位と接続される下位のレイアウトのチェック対象配線の電気的チェックを低位の各レイアウト単位の低位ライブラリと下位に存在するレイアウトデータによるチェック結果を加算して求める下位算出ステップと、下位の各レイアウト単位で抽出した配線系パラメータとクロストークチェックの結果得られたノイズ量を各レイアウト単位の下位ライブラリとして記憶するステップと、下位の各レイアウト単位と接続される上位のレイアウトのチェック対象配線の電気的チェックを下位の各レイアウト単位の下位ライブラリと上位に存在するレイアウトデータによるチェック結果を加算して求める上位算出ステップを有することを特徴とする。
【0014】
本発明は、半導体集積回路装置、特にゲートアレイまたはスタンダードセルのように基本回路機能ブロックを用いて階層的なレイアウトを行う場合の電気的チェックにおけるクロストークノイズのチェック方法において、チェック対象の配線が上位のレイアウトと下位のレイアウトに亘って存在するとき、上位のレイアウトで下位のレイアウトデータが直接見えなくともチェック可能なように、下位のレイアウトで抽出した配線系パラメータと下位レイアウトでクロストークチェックした結果のノイズ量をレイアウト単位でライブラリ化して、上位でのチェックでは下位のライブラリ化された配線系パラメータとクロストークチェック結果のノイズ量と上位に存在するレイアウトデータによるチェック結果とを合わせて、全体のチェックとすることを特徴としている。
【0015】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【0016】
図1は第1実施例の半導体集積回路装置の電気的チェック方法を説明するための基本回路機能ブロックの階層的なレイアウトを示す半導体集積回路装置の構成図である。図によると、本レイアウトにおいてLSI101には下位階層であり内部に機能ブロックレベルの回路を含むマクロ201と、マクロ202と、上位にレイアウトされたマクロ201と、202の直下の機能ブロックであるFB303と、 FB305が含まれている。
【0017】
マクロ201には機能ブロックであるFB301と、FB302とが、マクロ202には機能ブロックであるFB304と、FB306とが含まれている。配線NET1は階層間にまたがるクロストークチェックの対象となる配線であり、FB301によって駆動され、FB305、306を負荷として持つている。
【0018】
NET2と、NET3と、NET4は、それぞれNET1にノイズを与える可能性のある配線であり、それぞれFB302と、FB303と、FB304とによってそれぞれが駆動されている。
【0019】
NET1とNET2間の配線容量をC1、NET1とNET3間の配線容量をC3、NET1とNET4間の配線容量をC4とする。この回路構成において、下位の各レイアウト単位として抽出した配線系パラメータとクロストークチェックの結果得られるノイズ量を各レイアウト単位に記憶しているライブラリには、下位の各レイアウト単位のクロストークノイズ量と内部の配線容量が含まれている。
【0020】
すなわち、マクロ201のライブラリ中にはNET1をマクロ201レベルでチェックしたときのクロストークノイズ量V1およびマクロ201の内部の配線容量C1がふくまれている。マクロ202のライブラリ中にはNET1をマクロ202レベルでチェックしたときのクロストークノイズ量V2およびマクロ202の内部の配線容量C4とFB306の負荷容量C6の合計容量C2(不図示)が含まれている。
【0021】
次に、本発明の半導体集積回路装置の電気的チェック方法の動作につき図2を参照して説明する。図2は本発明の第1の実施例の電気的チェック方法のフローチャート図である。
【0022】
図によれば、下位の階層にレイアウトされた機能ブロックを含むマクロにおけるレイアウト後のチェック対象配線である出力配線とノイズ源配線間の配線容量と、チェック対象配線に接続される負荷容量等の配線系パラメータとマクロのチェック対象配線のノイズ源配線によるクロストークノイズ量とを各レイアウト単位のライブラリとして記憶するステップ(S101)と、
クロストークチェックを行う時のレイアウトデータが、基本回路機能ブロックの特性ライブラリに含まれるチェック対象配線の基本回路機能ブロックの負荷容量と、特性ライブラリに含まれるノイズ源配線およびチェック対象配線の負荷遅延と、レイアウトされた配線の容量値と抵抗値とを有し、下位の各レイアウト単位と接続される上位のレイアウトのチェック対象配線の電気的チェックを下位の各レイアウト単位のライブラリと上位に存在するレイアウトデータによるチェック結果を加算して求めるステップ(S102)を有する。
【0023】
さらに、図3に示すように、その加算して求めるステップが、下位のマクロをブラックボックスとして、LSIレベルでチェック対象配線のクロストークチェックを行い、チェック対象配線のクロストークノイズ量V0を求めるステップ(S201)と、ライブラリに記憶されている下位の各レイアウト単位のクロストークチェックの結果得られたノイズ量Vnと、チェック対象の配線と下位の各レイアウト単位との配線容量Cnを抽出するステップ(S202)と、下位の各レイアウト単位のノイズ量Vnと配線容量Cn の抽出完了かを判断すのステップ(S203)と、チェック対象の配線と上位に存在するレイアウトのノイズ源配線との配線容量とチェック対象の配線に接続されている負荷容量を加算して配線容量C0として求めるステップ(S204)と、チェック対象の配線の全クロストークノイズ量VSとして(V1・C1+V2・C2+・・+Vn・Cn+V0・C0)/(C1+C2+・・+Cn+C0)を計算するステップ(S205)と、全クロストークノイズ量VSとして出力するステップ(S206)を有する。
【0024】
図1に示すように、マクロ201と、マクロ202と、直下の機能ブロックであるFB303とFB305が含まれているLSI101レベルで下位層マクロ201と、マクロ202をブラックボックスとしてNET1のクロストークチェックを行いLSI101レベルのノイズ量V0を求める。 LSI101レベルのノイズ量V0とマクロ201、202中に含まれるノイズ量V1、V2および配線容量から、NET1の全クロストークノイズ量VSは
VS=(V1・C1+V2・C2+V0・C0)/(C1+C2+C0)
と計算される。C0(不図示)はLSI101レベルでのNET1とNET3の配線容量C3とFB305の負荷容量C5の合計である。
【0025】
図4に示すように、本発明の電気的チェック方法の動作フローは、下位である各マクロ単位で、そのマクロに存在する各配線毎に配線系のパラメータを抽出するステップ(S301)と、おなじく下位である各マクロ単位で、そのマクロに存在する各配線毎に配線系のパラメータと基本回路機能ブロックのライブラリを用いてノイズ量を計算するステップ(S02)と、各マクロ単位で抽出された配線系のパラメータおよび基本回路機能ブロックのライブラリ値およびノイズ量が含まれたライブラリを作成するステップ(S303)と、上位であるLSI単位で各配線毎に配線系のパラメータを抽出するステップ(S304)と、配線系のパラメータと基本回路機能ブロックのライブラリと、マクロ単位のライブラリを用いてノイズ量を計算するステップ(S305)と、LSIで計算されたノイズ量およびマクロ単位のライブラリに含まれているノイズ量を用いて全体のノイズ量を計算するステップ(S306)を有している。
【0026】
次に、本発明の第2の実施例について図5を用いて説明する。図5は本発明の第2の実施例の電気的チェック方法を説明するための基本回路機能ブロックの階層的なレイアウトを示す半導体集積回路装置の構成図である。
【0027】
本発明の第2の実施例が第1の実施例と異なるところは、図に示されるように、マクロ201の下位層にマクロ401が実装され、マクロ202の下位層にマクロ402が実装されていることである。
【0028】
すなわち、本発明の第2の実施例の電気的チェック方法は、3階層に分割されたレイアウトを有するLSI101におけるチェック対象の配線NET1が上位のレイアウト(101)と下位のレイアウト(201,202)とその下位のレイアウトの中にさらに低位のレイアウト(401,402)に亘って存在するときのクロストークノイズの電気的チェック方法であって、低位のレイアウト単位で抽出した配線系パラメータとクロストークチェックの結果得られたノイズ量を各レイアウト単位の低位ライブラリとして記憶するステップと、低位の各レイアウト単位と接続される下位のレイアウトのチェック対象配線の電気的チェックを低位の各レイアウト単位の低位ライブラリと下位に存在するレイアウトデータによるチェック結果を加算して求める下位算出ステップと、下位の各レイアウト単位で抽出した配線系パラメータとクロストークチェックの結果得られたノイズ量を各レイアウト単位の下位ライブラリとして記憶するステップと、下位の各レイアウト単位と接続される上位のレイアウトのチェック対象配線の電気的チェックを下位の各レイアウト単位の下位ライブラリと上位に存在するレイアウトデータによるチェック結果を加算して求める上位算出ステップを有する。
【0029】
図1及び図5に示すマクロの基本回路機能ブロックの接続構成は1例を示すものであって、特に限定するものではない。例えば、マクロ401とマクロ402が入れ替わっていても良いし、また、他の接続構成であってもよく、制限されるものではない。
【0030】
【発明の効果】
本発明の電気的特性チェック方法においては下位のレイアウトでチェックを行った結果を用いて上位でのチェックを行うため、上位でのチェックに際してレイアウトデータを展開し膨大なデータを扱わなくて済むという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の電気的チェック方法を説明するための基本回路機能ブロックの階層的なレイアウトを示す半導体集積回路装置の構成図である。
【図2】本発明の電気的チェック方法の基本フローチャート図である。
【図3】本発明の第1の実施例の電気的チェック方法のフローチャート図である。
【図4】本発明の一般的な実施例の電気的チェック方法のフローチャート図である。
【図5】本発明の第2の実施例の電気的チェック方法を説明するための基本回路機能ブロックの階層的なレイアウトを示す半導体集積回路装置の構成図である。
【符号の説明】
101 LSI
201、202、401、402 マクロ
301〜306 基本回路機能ブロック(FB)
501、502、504、506 基本回路機能ブロック(FB)[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an electrical check of a semiconductor integrated circuit, and more particularly, to an electrical check in which a wiring to be checked extends between layers of the integrated circuit.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, the electrical check of a semiconductor integrated circuit, in particular, the crosstalk noise when a layout is performed using a basic circuit function block such as a gate array or a standard cell is based on parameters extracted from the wiring after layout and the basic circuit function block. This is performed using the characteristic library. For example, in the case of cross-talk check circuit, the amount of crosstalk noise V n is V n = {C L / ( C F + C L)} × {1 / (1 + TR n / TR c)}
C L: line capacitance of the check target wiring C F: load capacitance of the functional blocks of the check target wiring TR n: Load delay of the noise source wiring TR c: Yes load delay check target wiring. Load capacitance C F of the functional blocks of the check target wiring is included in characteristic library of basic circuit function blocks. Since the capacitance value of the impedance and the wiring of the load delay TR n and check load delay target wiring TR c output terminals contained in the characteristic library of similarly functional blocks of the noise source wiring is determined by the resistance value, the crosstalk To perform the check, a capacitance value and a resistance value of the laid out wiring are required in addition to the value of the characteristic library. Therefore, an electrical characteristic check such as a crosstalk check is generally performed for each layout design unit, but ultimately needs to be performed at an LSI chip level. In recent years, as the size of an LSI has increased and the number of integrated functional blocks and wirings has increased, it has become difficult to execute a crosstalk check at one time.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
In order to respond to the request to execute the crosstalk check all at once, for example, labor saving methods such as checking the wiring checked in the lower layout hierarchy not in the upper layer are being studied, but when the wiring to be checked spans between layers However, there is a problem that it is necessary to develop lower data at a higher level so that the whole can be seen, so that a check at a higher level requires a lot of time.
[0004]
An object of the present invention is to provide a simple electrical check method for a semiconductor integrated circuit device even in such wiring extending between layers.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
An electrical check method for a semiconductor integrated circuit device according to the present invention provides a crosstalk noise when a wiring to be checked exists in an upper layout and a lower layout in a semiconductor integrated circuit having a layout divided into a plurality of layers. Storing a wiring system parameter extracted for each lower layout unit and a noise amount obtained as a result of the crosstalk check as a library for each layout unit, and connecting to each lower layout unit. Determining the electrical check of the wiring to be checked in the upper layout by adding the wiring parameter stored in the library of each lower layout unit, the noise amount, and the value of the check result based on the layout data present in the upper layout. Have.
[0006]
The library of each layout unit includes a plurality of basic circuit function blocks, includes function blocks laid out in a hierarchy called a macro, which is an integrated circuit serving as an independent layout unit, and outputs the function blocks after the layout. It has the wiring system parameters extracted from the wiring and the amount of crosstalk noise of the crosstalk check performed for each macro.
[0007]
The library further has the load capacity of the function block of the wiring to be checked of the function block.
[0008]
Further, the library has a wiring delay calculated using the wiring parameters extracted from the output wiring of the functional block and the load capacitance and the impedance of the output terminal included in the characteristic library of the basic circuit functional block.
[0009]
The wiring parameters include the capacitance value, the resistance value, or the impedance of the wiring laid out in each layout unit.
[0010]
Further, the amount of crosstalk noise is the amount of crosstalk noise due to the noise source wiring of the wiring to be checked, which is the output wiring of the functional block included in the macro.
[0011]
The layout data for performing the crosstalk check includes the load capacitance of the basic circuit function block of the wiring to be checked included in the characteristic library of the basic circuit function block, and the load of the noise source wiring and the wiring of the wiring to be checked included in the characteristic library. It has a delay and a capacitance value and a resistance value of the laid out wiring.
[0012]
Furthermore, the step of obtaining by adding performs crosstalk the check target wiring, and obtaining the crosstalk noise quantity V 0, obtained as a result of the crosstalk check the layout units lower stored in the library a noise amount V n, extracting wiring capacitance C n to the check target wiring and the lower the layout units, the wiring capacitance and checked with the layout of the noise source wiring that exists in the wiring and upper checked a step of obtaining a wiring capacitance C 0 by adding the load capacitance connected to the wiring, as all crosstalk noise amount V S to be checked in the wiring (V 1 · C 1 + V 2 · C 2 + ·· + V n · C n + V 0 · C 0) including the step of calculating a / (C 1 + C 2 + ·· + C n + C 0).
[0013]
Further, in the electrical checking method for a semiconductor integrated circuit device according to the present invention, the wiring to be checked in a semiconductor integrated circuit having a layout divided into a plurality of hierarchies includes an upper layout, a lower layout, and a lower level in the lower layout. In the electrical check method for crosstalk noise when the layout exists across the layouts, the wiring system parameters extracted in the lower layout units and the noise amount obtained as a result of the crosstalk check are stored as a lower library in each layout unit. A lower-level calculation step in which an electrical check of a wiring to be checked of a lower-level layout connected to each lower-level layout unit is performed by adding a check result based on a lower-level library of each lower-level layout unit and layout data existing at a lower level. And each lower layout unit A step of storing the extracted wiring system parameters and the noise amount obtained as a result of the crosstalk check as a lower library of each layout unit, and an electrical check of a wiring to be checked of an upper layout connected to each lower layout unit. An upper-order calculation step is provided in which a lower-order library of each lower-order layout unit and a check result based on layout data existing in the upper order are added to obtain an upper-order calculation step.
[0014]
The present invention relates to a method for checking crosstalk noise in an electrical check when a hierarchical layout is performed using a basic circuit functional block such as a semiconductor integrated circuit device, particularly a gate array or a standard cell, wherein a wiring to be checked is When the layout exists between the upper layout and the lower layout, crosstalk is checked with the wiring parameters extracted in the lower layout and the lower layout so that the lower layout data can be checked even if the lower layout data is not directly visible. The resulting noise amount is compiled into a library in layout units, and the upper-level check combines the lower-level library-related wiring system parameters, the noise amount of the crosstalk check result, and the upper-level layout data check result into Check It is characterized in that.
[0015]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0016]
FIG. 1 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit device showing a hierarchical layout of basic circuit function blocks for explaining an electrical check method of the semiconductor integrated circuit device of the first embodiment. According to the drawing, in this layout, the LSI 101 includes a
[0017]
The
[0018]
NET2, NET3, and NET4 are wirings that may give noise to NET1, respectively, and are driven by FB302, FB303, and FB304, respectively.
[0019]
The wiring capacitance between the wiring capacitance between NET1 and NET2 the wiring capacitance between the C 1, NET1 and NET3 C 3, NET1 and NET4 and C 4. In this circuit configuration, the library storing the wiring system parameters extracted as each lower layout unit and the noise amount obtained as a result of the crosstalk check in each layout unit includes the crosstalk noise amount of each lower layout unit. Includes internal wiring capacitance.
[0020]
That is, inside the wiring capacitance C 1 of the crosstalk noise quantity V 1 and the macro 201 when checked
[0021]
Next, the operation of the electrical check method of the semiconductor integrated circuit device according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a flowchart of the electrical check method according to the first embodiment of the present invention.
[0022]
According to the figure, in the macro including the functional blocks laid out in the lower hierarchy, the wiring capacity between the output wiring and the noise source wiring, which is the wiring to be checked after layout, and the wiring such as the load capacitance connected to the wiring to be checked Storing the system parameters and the amount of crosstalk noise due to the noise source wiring of the wiring to be checked of the macro as a library for each layout (S101);
The layout data at the time of performing the crosstalk check includes the load capacitance of the basic circuit function block of the wiring to be checked included in the characteristic library of the basic circuit function block, the load delay of the noise source wiring and the wiring to be checked included in the characteristic library. , Having a capacitance value and a resistance value of the laid out wiring, and performing an electrical check of a wiring to be checked of an upper layout connected to each lower layout unit and a library of each lower layout unit and an upper layout There is a step (S102) of adding and obtaining a check result based on data.
[0023]
Furthermore, as shown in FIG. 3, determining by its addition is subordinate macro as black box performs crosstalk the check target wiring in LSI level, obtaining the crosstalk noise quantity V 0 which checked wiring a step (S201), and the noise amount V n obtained as a result of the crosstalk check the layout units subordinate stored in the library, the wiring capacitance C n to the check target wiring and the lower the layout unit extraction and step (S202), and the lower step to determine completion of the extraction of the noise amount V n and the wiring capacitance C n of each layout unit (S203), checked wiring and noise source wiring layout in the higher calculated as the wiring capacitance C 0 by adding the wiring capacity and the check load capacitance connected to the wiring of the target and Step (S204) and, (V 1 · C 1 + V 2 · C 2 + ·· + V n · C n + V 0 · C 0) as the total crosstalk noise amount V S of the wiring to be checked / (C 1 + C 2 + ·· + C n + C 0 ) to calculate the step and (S205), a step (S206) for outputting the total crosstalk noise quantity V S.
[0024]
As shown in FIG. 1, a crosstalk check of NET1 is performed using the macro 201, the macro 202, the
Is calculated. C 0 (not shown) is the sum of the wiring capacitance C 3 of NET 1 and NET 3 and the load capacitance C 5 of
[0025]
As shown in FIG. 4, the operation flow of the electrical check method of the present invention is the same as the step (S301) of extracting wiring system parameters for each wiring existing in the macro in each lower macro unit. A step (S02) of calculating a noise amount using wiring system parameters and a library of basic circuit function blocks for each wiring existing in the macro in each lower macro unit, and a wiring extracted in each macro unit A step of creating a library including system parameters, a library value of a basic circuit function block, and a noise amount (S303); and a step of extracting wiring system parameters for each wiring for each higher-level LSI (S304). , Calculates the amount of noise using the library of wiring parameters and basic circuit function blocks, and the library for each macro That the step (S305), and a step (S306) for calculating a total noise amount using the noise amount contained in the library of calculated amount of noise and macro-unit in LSI.
[0026]
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit device showing a hierarchical layout of basic circuit function blocks for explaining an electrical check method according to a second embodiment of the present invention.
[0027]
The difference between the second embodiment of the present invention and the first embodiment is that the macro 401 is mounted on the lower layer of the macro 201 and the macro 402 is mounted on the lower layer of the macro 202 as shown in FIG. It is that you are.
[0028]
That is, in the electrical check method according to the second embodiment of the present invention, the wiring NET1 to be checked in the
[0029]
The connection configuration of the basic circuit functional blocks of the macro shown in FIGS. 1 and 5 is an example, and is not particularly limited. For example, the macro 401 and the macro 402 may be interchanged, or another connection configuration may be used, and there is no limitation.
[0030]
【The invention's effect】
In the electrical characteristic checking method of the present invention, since the upper-level check is performed using the result of the lower-level layout check, the layout data is not expanded at the time of the upper-level check, so that an enormous amount of data need not be handled. There is.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit device showing a hierarchical layout of basic circuit function blocks for explaining an electrical check method according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a basic flowchart of the electrical check method of the present invention.
FIG. 3 is a flowchart of an electrical check method according to the first embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a flowchart of an electrical check method according to a general embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a configuration diagram of a semiconductor integrated circuit device showing a hierarchical layout of basic circuit function blocks for explaining an electrical check method according to a second embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
101 LSI
201, 202, 401, 402
501, 502, 504, 506 Basic circuit function block (FB)
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