JP3857339B2

JP3857339B2 - 光情報検出装置

Info

Publication number: JP3857339B2
Application number: JP28043695A
Authority: JP
Inventors: 寧章森本; 信秀青山; 智章原; 健治森田
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1995-10-27
Filing date: 1995-10-27
Publication date: 2006-12-13
Anticipated expiration: 2015-10-27
Also published as: JPH09128825A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ランド＆グルーブ記録を行える光磁気記録媒体および光情報検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、光ディスクは、音声信号や画像信号を再生できる記録媒体として使われている。特に、光磁気ディスクや相変化型ディスクは、書き換え可能な高密度記録媒体として、開発が盛んに行われている。螺旋状または同心円状に情報を記録する光ディスク記録媒体の記録密度を増大させるためには、トラックピッチの短縮と線記録密度の向上という２つの方法がある。いずれの場合も、記録再生に使用する半導体レーザーの短波長化によって実現される。しかし、青色や緑色といった短波長の半導体レーザーが室温で安定に連続発振し、しかもそれらが民生用として、安価で市場に出まわるまでには、今暫く時間がかかりそうである。そのような状況の中で、屈折率の温度分布を利用した光学的超解像法や、光磁気ディスクにおけるＭＳＲのように、現行波長のレーザーを用いたままで記録密度を最大限に向上させる方法が模索されている。
【０００３】
相変化型ディスクや光磁気ディスクのようなＲＡＭディスクは、情報の書き込み時と再生時とで同じ波長の光を用いるのに対して、予め情報が記録されているＲＯＭディスクでは、短波長のガスレーザー等を用いてピットが形成されている。ＲＡＭディスク側からすれば、ＲＯＭディスクは、再生条件は同じであるものの、言わば未来に使用可能な光で情報を書いているようなものであり、情報を高密度に書き込むという点でＲＡＭディスクは不利である。このため、次世代の家庭向け映像記録媒体として注目されているＤＶＤ規格においても、フルＲＯＭディスクの記録容量を、同じ大きさのＲＡＭディスクでサポートするような案が出されていない状況である。
【０００４】
ランド＆グルーブ記録は、同じ線記録密度で同じトラックピッチならば、記録密度を２倍にできるため、高密度光記録媒体を開発する上で魅力的な技術である。特に、現在使用されているＲＡＭディスクのほとんどは、予め溝が形成された基板において、ランドまたはグルーブのどちらか一方に記録を行っており、両方に記録できることが望まれる。例えば、相変化型ディスクのランド＆グルーブ記録においては、特開平７−１３０００６号公報にあるように、ランド部とグルーブ部とにおける記録感度を調整することによって記録密度を向上させる方法が提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
トラックピッチを狭めていくことによって、再生時には隣接する領域のデータ信号が出力信号に混在してくるクロストークが問題となる。ランド記録またはグルーブ記録においては、ランド間またはグルーブ間にそれぞれグルーブまたはランドが存在し、情報が書き込まれている領域間に隔たりがあるため、クロストークが抑えられる。しかし、ランド＆グルーブ記録においては、情報の記録領域が隣接しているため、クロストークの再生特性に与える影響が大きい。特開平５−６２２５０号公報では、グルーブの深さを１／４波長の整数倍に規定し、光学的にクロストークを抑える手段を提供している。この方法を用いると、０次と１次の回折光が打ち消しあうために、トラッキングの手段としてプッシュプル法が使用できないという点と、記録媒体から反射されて光検出器に到達する光量が低減してしまうという点が問題である。本発明の課題はランド＆グルーブ記録においてクロストークを低減した高密度記録可能な光磁気記録媒体及び光情報検出装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の構成は、ほぼ平坦で幅がほぼ等しいランド部およびグルーブ部を有する基板上に、誘電体層、記録層および反射層を有する光磁気記録媒体に、光源から直線偏光された入射光を前記光磁気記録媒体の前記ランド部およびグルーブ部の記録トラックにに集光し、反射した光から前記ランド部およびグルーブ部に対応する記録層に記録された信号を磁気カー効果検出系により検出する光情報検出装置において、前記ランド部およびグルーブ部は、前記ランド部およびグルーブ部から反射した光が互いに干渉してその偏光成分が位相差を生じるように形成されてなり、前記偏光成分の位相差を、前記ランド部およびグルーブ部のうち少なくともいずれか一方に対応する前記信号のＣ／Ｎ比を略最大となるように位相制御する位相補償機構を有することを特徴とする光情報検出装置に関するものである。
【０００７】
前記した光磁気記録媒体においてランド部とグルーブ部から反射した光が互いに干渉することで、反射した光の偏光成分が位相差を生じ、その位相差を位相補償機構により位相制御することにより、ランド部およびグルーブ部のうち少なくともいずれか一方に対応する対応する信号をＣ／Ｎ比が略最大化して検出することができる。Ｃ／Ｎ比を略最大とすることで、クロストークも同時に抑制して検出することができる。
【００１３】
上述の光磁気記録媒体の読み出しに使用する光情報検出装置において、磁気カー光学系及び位相補償機構を２つ有し、該位相補償機構は前記ランド部およびグルーブ部の信号について各々Ｃ／Ｎ比を略最大とする構成とする。
【００１４】
前記した光情報検出装置における位相差を与える手段として、電気光学素子を配置することが出来る。更に、光情報検出装置において、光学的位相差を与える光学素子として１／２波長板を有し、且つこの１／２波長板を光軸に対して傾けた配置にすることが出来る。
【００１５】
【発明の実施の形態】
ポリカーボネート樹脂を常法により射出成形し、溝深さ約５７ｎｍ、ランド幅とグルーブ幅との比率が１：１に溝が形成された基板を得ることが出来る。ポリカーボネート基板上に低粘度の紫外線硬化樹脂を約１μｍの厚さでスピンコートし、紫外線を照射し硬化させる。ポリカーボネート基板の屈折率が一例として１．５８であるのに対して、紫外線硬化樹脂の紫外線硬化後の屈折率は一例として１．４７である。この紫外線硬化樹脂の上に、第１の誘電体層、磁気記録層、第２の誘電体層、反射層をスパッタリング法により成膜した。第１の誘電体層は、Ｓｉターゲットを用いてＡｒとＮ₂ の混合ガス中で反応性スパッタリングで厚さ８３ｎｍを成膜する。混合ガス中に占めるＮ₂ の流量比は一例として２０％である。このときの屈折率は２．０４である。第１の誘電体層の上に、キュリー温度が約２００℃のフェリ磁性を有し、保磁力が約８ｋＯｅと良好な垂直磁気異方性を示す遷移金属と希土類金属の合金薄膜からなる磁気記録層を約２２ｎｍ成膜する。その上に、第１の誘電体層と同じ条件で、厚さ２０ｎｍの第２誘電体層を成膜し、さらにＡｌからなる厚み１００ｎｍの反射層６を成膜する。反射層の上に、紫外線硬化型樹脂を約１０μｍ均一にスピンコートし紫外線を照射して保護層を形成する。
【００１６】
発明の実施の一形態を述べたが、上記の場合、第一の紫外線硬化樹脂層のランドとグルーブでの厚さの違いにより、光の多重干渉条件の差があることで、ランド部とグルーブ部における偏光成分に位相差が生じる。
【００１７】
本発明の光磁気媒体に関して、他の形態についても実施例で詳述するがいずれも、光の干渉条件の違いによって、ランド部とグルーブ部における偏光成分に位相差が生じる。ランド部とグルーブ部とで、偏光成分に位相差が生じるため、光磁気信号を読み出す際の位相補償条件を、ランド部、グルーブ部について最適な条件に合わせることで、隣接するグルーブまたはランドからの光は位相補償条件からずれるため、クロストークを低減することができる。
【００１８】
本発明の今一つの構成である前記光磁気記録媒体に記録した信号を検出する光情報検出装置について述べる。前記した装置は磁気カー効果検出光学系に光学的な位相差を与える手段を有することを特徴とする光情報検出装置である。特に、前記磁気カー効果検出光学系を２つ有し、該２つの磁気カー効果検出光学系がそれぞれにおいて異なる位相差を共する手段を有するものが望ましい。この光情報検出装置により、ランド部及びグルーブ部の位相補償条件を最適化する。更に、位相光学素子を配置した磁気カー効果検出光学系を２つ設け、一方の光学系をランド部の光磁気情報検出用に、もう一方の光学系をグルーブ部の光磁気情報検出用に割り当て、それぞれの光学系の位相補償条件を最適化することで、隣接するランド部とグルーブ部間のクロストークを低減できるうえに、最初に位相補償条件を設定しておけば、ランド部とグルーブ部とを交互に読み出しても位相補償条件を調節する必要がない。また、電気光学素子により位相補償を行うことにより、ランド部またはグルーブ部にアクセスした際の位相補償条件を光磁気信号を利用して、自動的に最適化することができる。更に詳しくは位相補償素子として１／２波長板を傾けて使用することにより、１／２波長付近の位相差を任意に調節できる。
【００１９】
上述のように本発明の第一の構成によりランド部とグルーブ部とで偏光成分に位相差がある光磁気記録媒体の情報を得て、本発明の第二の構成により位相補償素子を含んだ光情報検出装置を用いて読み出すことにより、隣接するランドとグルーブ間のクロストークを低減できる。
【００２０】
【実施例】
以下、図面を用いて本発明の実施例における光記録媒体および光情報検出装置について詳しく説明する。
【００２１】
（ディスクＡ）図１は、本発明における実施例で使用した光磁気記録媒体（ディスクＡ）の断面を模式図で示したものである。厚み１．２ｍｍのポリカーボネート基板１は、Ｎｉ製スタンパを用いて射出成形したものである。Ｎｉスタンパの作製においては、スピンコート法により厚さ約６０ｎｍのフォトレジストを、均一にコーティングした厚さ１２ｍｍ、直径３００ｍｍの平坦性の良いガラス原盤を用いている。フォトレジストには、露光部分が現像されるポジ型を使用した。フォトレジストを希釈するのに使用した溶剤であるＭＩＢＫを蒸発させるために、上述のガラス原盤に９０℃で３０分間ベーキング処理を施した。原盤の露光には、波長４５７９ｎｍの高出力Ａｒレーザー光を使用した。ガラス原盤は回転角速度６００ｒｐｍ一定で回転させると共に、螺旋状に形成される溝のトラックピッチが１．４μｍになるように、レーザー光に対して一定の速度で平行移動させた。
【００２２】
角速度一定であるため、露光部分の線速度が半径位置によって異なるため、実効的な露光量（露光レーザーパワー／線速度）が外周部で小さくなってしまうことから、露光パワーは半径位置に比例するように設定した。露光は半径２３ｍｍから４２ｍｍまで行った。このようにして露光した原盤に、現像液をスピンコート法で流して現像を行った。現像時間を変化させて現像を行ったガラス原盤を数枚作製し、その溝形状をＳＴＭを用いて測定し、溝形状においてランド幅とグルーブ幅との比率が１：１になる条件を決めた。上述のようにして、露光および現像を行ったガラス原盤上に、無電解メッキ法により厚み約７０ｎｍのＮｉ層を成長させ、さらに電気鋳造法により厚み約３００μｍのＮｉ層を作製し、裏面を研磨し、ガラス原盤から剥離し、洗浄したものをスタンパとして用いた。
【００２３】
このスタンパを用いて、ポリカーボネート基板１を射出成形し、その溝形状をＳＴＭで測定したところ、溝深さ約５７ｎｍ、ランド幅とグルーブ幅との比率が１：１に溝が形成されていた。ポリカーボネート基板１上に低粘度の紫外線硬化樹脂２を約１μｍの厚さでスピンコートし、紫外線を照射し硬化させた。この紫外線硬化樹脂の表面をＳＴＭで調べたところ、ランドとグルーブに対応した約±１０ｎｍのなだらかな凹凸が確認されたが、ポリカーボネート基板１の切れの良い凹凸に較べると、図１の２に模式的に示したように上部はほぼ平らに近い形状といえる。
【００２４】
ポリカーボネート基板１の屈折率が１．５８であったのに対して、紫外線硬化樹脂２の紫外線硬化後の屈折率は、１．４７であった。この紫外線硬化樹脂の上に、第１の誘電体層３、磁気記録層４、第２の誘電体層５、反射層６をスパッタリング法により成膜した。第１の誘電体層３は、Ｓｉターゲットを用いてＡｒとＮ₂ の混合ガス中で反応性スパッタリングで厚さ８３ｎｍを成膜した。混合ガス中に占めるＮ₂ の流量比は２０％とした。このときの屈折率は２．０４であった。第１の誘電体層の上に、キュリー温度が約２００℃のフェリ磁性を有し、保磁力が約８ｋＯｅと良好な垂直磁気異方性を示す遷移金属と希土類金属の合金薄膜からなる磁気記録層４を約２２ｎｍ成膜した。その上に、第１の誘電体層と同じ条件で、厚さ２０ｎｍの第２誘電体層５を成膜し、さらにＡｌからなる厚み１００ｎｍの反射層６を成膜した。反射層６の上に、紫外線硬化型樹脂を約１０μｍ均一にスピンコートし紫外線を照射して保護層７を形成した。
【００２５】
（ディスクＢ）図２は、本発明における実施例で使用した光磁気記録媒体（ディスクＢ）の断面を模式図で示したものである。厚み１．２ｍｍ、直径８６ｍｍ、内径１５ｍｍの穴を有する屈折率１．５２のソーダライムガラスからなるガラス基板８上に、ディスクＡと同じ条件で、フォトレジストのコーティング、ベーキング処理、露光、現像を行った。フォトレジストの未露光部は、ランド部１０としてガラス基板８上に残り、露光部はフォトレジストが取り去られ、ガラス面によりグルーブ部１１が形成される。溝形状は、溝深さが５５ｎｍ、ランド幅とグルーブ幅との比率がほぼ１：１であった。この上に、ディスクＡと全く同じ条件で、第１誘電体層３、磁気記録層４、第２誘電体層５、反射層６、保護コート７を形成した。
【００２６】
（ディスクＣ）図３は、本発明における実施例で使用した光磁気記録媒体（ディスクＣ）の断面を模式図で示したものである。ディスクＢで使用したものと同じ形状、同じ性質のガラス基板８上に、ディスクＡで使用したものと同じ条件で作製したスタンパを用いて、２Ｐ法により溝を形成した。材料には、ポリカーボネートジアクリレートを主な成分とするオリゴマーを用いて、高パワーの紫外光で硬化させて、厚み約３μｍのフォトポリマー層１２を形成した。この上に、ディスクＡと全く同じ条件で、第１誘電体層３、磁気記録層４、第２誘電体層５、反射層６、保護コート７を形成した。
【００２７】
（ディスクＤ）図４は、本発明における実施例（ディスクＤ）で使用した光磁気記録媒体の断面を模式図で示したものである。ディスクＡと同じ条件で作製したポリカーボネート基板上に、やはりディスクＡと同じ条件で、第１の誘電体層を厚さ５０ｎｍ成膜し、不活性ガスを用いてイオンエッチングを施した。イオンエッチング後のランドとグルーブ部を電子顕微鏡で断面を調べたところ、ランド部では、ほとんど誘電体層が無くなっていたのに対して、グルーブ部には、３０ｎｍ程誘電体層が残っていた。この上に誘電体層をさらに７０ｎｍ成膜し、ランド部誘電体層１３とグルーブ部誘電体層１４とで厚さの異なる構造にした。この上に、ディスクＡと同じ条件で、磁気記録層４、第２誘電体層５、反射層６、保護層７を形成した。
【００２８】
（ディスクＥ）図５は、本発明における実施例に使用した光磁気記録媒体（ディスクＥ）の断面を模式図で示したものである。ディスクＡと同じ条件で作製したポリカーボネート基板上に、樹脂を厚さ１μｍになるようにスピンコートした。樹脂の水分を取り除くために、９０℃で３０分間ベーキングを行った。この基板を不活性ガス中で、ランド部の樹脂がなくなるまでエッチングを行った。この状態で、ディスクＡと同じ条件で厚さ８０ｎｍの誘電体層を成膜した後、グルーブ部の樹脂と誘電体層を有機溶剤を用いて除去した。この上に、ＡｒとＮ₂ の混合ガス中に占めるＮ₂ の流量比を８％として誘電体層の成膜をさらに１３０ｎｍ行った。このときの屈折率は２．３０であった。次に不活性ガスによるイオンエッチングを行い、ランド部の誘電体層約１３０ｎｍをほとんど取り除いた。上述の工程により、グルーブ部では低屈折率誘電体層１５、ランド部では高屈折率誘電体層１６がほぼ同じ膜厚約８０ｎｍで形成された。この上に、ディスクＡと同じ条件で磁気記録層４、第２誘電体層５、反射層６、保護層７を形成した。
【００２９】
図６は本発明の実施例で使用した、光情報検出装置の１例を模式図で示したものである。スピンドルモータ１８により回転する光磁気ディスク１７に、半導体レーザー１９より出射した光が、コリメータレンズ２０により平行光となり偏光ビームスプリッター２１（以下ＰＢＳという）を介して、対物レンズ２２により集光される。本発明の実施例では、波長６８０ｎｍの半導体レーザー１９とＮＡが０．５５の対物レンズ２２を使用している。光磁気ディスク１７により反射された光は、ＰＢＳ２１、ＰＢＳ２４、シルンドリカルレンズ２５を介して、収束レンズ２６により、４分割光検出器２７に集光される。この４分割光検出器２７の信号は、非点収差法によるフォーカスサーボ信号と、プッシュプル法によるトラッキングサーボ信号として利用し、対物レンズの動きを制御して、フォーカシングおよびトラッキングを行う。ランド部およびグルーブ部へのトラッキングの切り替えは、プッシュプル信号のゼロクロス位置での信号の傾きの正負を利用する。ＰＢＳ２４を通過した光は、１／２波長板２８を介して、収束レンズ３０、３１によりそれぞれ光検出器３２、３３上に集光される。この光検出器３２、３３の差信号より、光磁気信号を読み出す。
【００３０】
図７には、本発明で使用した光情報検出装置のもう１つの例を示す。ＰＢＳ２４までは、上述図６の光情報検出装置と同じ構造であるが、光磁気信号を読み出す光学系として、ハーフミラープリズム３４により光は、２つに分けられ、それぞれ１／２波長板３５、３６を介した後に、ウォランストンプリズム３７を通過し、その際に偏光方向に依存してそれぞれの光は２つの方向に分けられ、収束レンズ３８、３９により、それぞれ２分割ダイオード４０、４１上に集光される。この装置では、ランド部とグルーブ部の偏光成分の位相補償を、別々に行えるという利点がある。また、ウォランストンプリズム３７を用いることで、ＰＢＳに較べて消光比が高いために、再生信号のノイズを小さくできる。また、装置を小型化できる。
【００３１】
図６の光検出装置において、１／２波長板２８の代わりにバビネソレイユ板を用いたものを装置Ａとする。図７の光検装置で、１／２波長板３５、３６の代わりにバビネソレイユ板を２つ配置したものを装置Ｂとする。図６の１／２波長板２８の代わりに、電気光学素子を配置したものを装置Ｃとする。図７において、１／２波長板３５、３６をそれぞれ別個に光軸に対して斜めに配置したものを装置Ｄとする。
【００３２】
ディスクＡのランド部およびグルーブ部のそれぞれに光を集光した時の反射率は、ランド部６８％に対して、グルーブ部６２％であった。ディスクＡは本発明の請求項２に係わるものである。図２にその構造を示したディスクＢも、その構成から本発明の請求項２に係わるものである。ディスクＣにおいては、ポリカーボネートジアクリレートに高パワーの紫外光を照射させて硬化させているため、分子の配向に起因した複屈折が確認できた。ディスクＣは、本発明の請求項３に係わるものである。図４にその構造を示したディスクＤは、その構成より本発明の請求項４に係るものである。第５にその構造を示したディスクＥは、その構成より本発明の請求項５に係るものである。
【００３３】
光情報検出装置については、その構成より装置Ａ〜Ｄがそれぞれ本発明の請求項６〜９に係るものである。
【００３４】
上述のディスクＡ〜Ｅについて装置ＡからＤを用いて、クロストークを調べた。クロストーク量は、５つの隣接するランドまたはグルーブ領域のデータを一定の磁界とレーザー光を用いて消去し、次に、中心のランドまたはグルーブにマーク長２．０μｍのマークを磁界変調方式で記録し、そのキャリアレベルＣ_C を測定した後に、隣接する両側のランドまたはグルーブを再生し、そのキャリアレベルを測定した値のうち高い方の値をＣ_MAX とし、クロストークＣ_CR＝Ｃ_MAX −Ｃ_C を求めた。クロストーク量をランドとグルーブについてそれぞれ測定し、符号も含めて値の大きい方を表１に示している。
【００３５】
Ｃ_C の書き込み記録パワーは、Ｃ_C の書き込みパワー依存性を測定して、その値が飽和するパワーＰ_S に設定した。また、再生、パワーは、すべて０．７４ｍＷ一定で行った。本実施例では示していないが、光磁気記録媒体の書き込みパワー感度を高パワー側へシフトさせることによって、再生パワーを大きくすることができるため、記録特性が向上する。ディスクの回転数は、測定半径位置での線速度が５ｍ／ｓｅｃとなるように設定した。装置Ａおよび装置Ｃにおいては、トラッキングをかけたランド部またはグルーブ部に対して、バビネソレイユ板または電気光学素子を調節して、２μｍマークに対応する１．２５ＭＨｚのＣ／Ｎが最大になるようにした状態で、隣接するグルーブ部またはランド部にトラッキングしてキャリアレベルを測定しクロストークを求めた。装置Ｃで電気光学素子を用いた時には、キャリアレベル信号をフィードバックさせて、自動的に位相補償できるような構造を設けた。
【００３６】
装置ＢおよびＤにおいては、２分割光検出器４０に集光される光学系をランド部に、２分割光検出器４１に集光される光学系をグルーブ部に割り振り、それぞれの光学系で、バビネソレイユ板または１／２波長板を調節して位相補償条件を最適化してクロストークの測定を行った。
【００３７】
【表１】

【００３８】
図８には、クロストークが他と較べて最も小さかったディスクＢについて、装置Ａを用いて、クロストークの書き込みパワーを調べた結果を示す。書き込みパワーが４．６〜５．９ｍＷの範囲でクロストークが−３０ｄＢ以下の条件を満たしていることがわかる。さらに同じディスク、同じ装置でＣ／Ｎのマーク長依存性を調べてたところ、マーク長０．５μｍでも４６ｄＢのＣ／Ｎが得られた。そこで、最短マーク長０．５５μｍの１−７変調方式のランダム信号についてジッター値の書き込みパワー依存性を調べた結果を図９に示す。読み出しレーザーパワーは、上述のクロストーク測定と同じ０．７４ｍＷで行った。信号はまずグルーブに書き込んだ後にランドに書き込んでいる。
【００３９】
クロスイレーズの影響でグルーブ部分のジッター値が高いものの、書き込みパワーが４．５〜６．５ｍＷの範囲で１０％以下のジッター値が得られた。更に、最短マーク長を０．４８μｍにして測定したところ、ジッターのパワーマージンは狭いものの１０％以下のジッター値が得られた。
【００４０】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明による光磁気記録媒体を用いてランド＆グルーブ記録を行うと、読み出し時の光の偏光成分の位相差がランド部とグルーブ部とで異なる。本発明の光磁気記録媒体と、本発明による光情報検出装置とを用いて情報の記録再生を行えば、ランド部とグルーブ部とのそれぞれについて、最適な位相補償を行うことができる。ランドまたはグルーブに対して位相補償条件を最適化することで、隣接するグルーブまたはランドからのクロストーク信号は、位相補償条件よりずれ、それにより信号振幅が減少する。この作用により、本発明に係わる光磁気記録媒体および光情報検出装置において、クロストークを低減する効果が得られる。
【００４１】
このクロストークの低減効果により、光磁気記録媒体のランド＆グルーブ記録において、高密度記録が可能となる。本実施例で示したように、本発明に係る光磁気記録媒体および光検出装置を用いると、トラックピッチ１．４μｍのランド＆グルーブ記録で、最短マーク長０．４８μｍの１−７変調のランダム信号の記録再生を調べたところ、ジッター特性として１０％以下の値が得られる。このことにより、ＩＳＯ規格３．５インチ記録容量２３０ＭＢ光磁気ディスクとほぼ同じトラックピッチの光磁気ディスクを用いて、同じ３．５インチのＩＳＯ規格６４０ＭＢディスクの２倍以上の記録容量１．５ＧＢが得られる効果があることがわかった。
【００４２】
本発明に係わる技術は、光情報検出装置に使用する光の波長に依らず普遍的なものであるため、将来、緑や青色の半導体レーザーが光情報検出装置の光源として用いられても、上述の効果が得られる。
【００４３】
本発明の光磁気記録媒体において、ランド部とグルーブ部に偏光成分の位相差の違いを作り出す構造以外は、現行の光磁気記録媒体と同じ構成で製造できるため、生産コストを抑えることができる。
【００４４】
本発明の光情報検出装置においては、位相を補償する手段として、既存の光学素子を用いており、ドライブ装置製造における負担は小さい。請求項７にあるように、位相補償を行う素子を有する磁気カー効果検出系を２つ用いることで、位相補償を含めた光学素子の調整は、製造時の初期調整で済む。また、請求項８にあるように、位相補償手段として、電気光学素子を使用することで位相調整が電気的に自動で行える。上述のように、本発明に係る光情報検出装置では、製造、調整において、低コストで利便性が良いという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例におけるディスクＡの基板の断面を示す模式図である。
【図２】本発明の実施例におけるディスクＢの基板の断面を示す模式図である。
【図３】本発明の実施例におけるディスクＣの基板の断面を示す模式図である。
【図４】本発明の実施例におけるディスクＤの基板の断面を示す模式図である。
【図５】本発明の実施例におけるディスクＥの基板の断面を示す模式図である。
【図６】本発明の実施例における光検出装置（装置Ａ，Ｃ）の構造を示す模式図である。
【図７】本発明の実施例における光検出装置（装置Ｂ，Ｄ）の構造を示す模式図である。
【図８】本発明の実施例におけるクロストークの書き込みパワー依存性（ディスクＢ，装置Ａ）を示すグラフである。
【図９】本発明の実施例におけるジッター特性の書き込みパワー依存性を示すグラフである。
【符号の説明】
１．ポリカーボネート基板
２．紫外線硬化樹脂
３．第１誘電体層
４．磁気記録層
５．第２誘電体層
６．反射層
７．保護層
８．ガラス基板
９．フォトレジスト
１０．ランド部
１１．グルーブ部
１２．フォトポリマー
１３．ランド部誘電体層
１４．グルーブ部誘電体層
１５．低屈折率誘電体層
１６．高屈折率誘電体層
１７．光磁気ディスク
１８．スピンドルモータ
１９．半導体レーザー
２０．コリメータレンズ
２１．偏光ビームスプリッター（ＰＢＳ）
２２．対物レンズ
２３．浮上磁気ヘッド
２４．ＰＢＳ
２５．シリンドリカルレンズ
２６．収束レンズ
２７．４分割光検出器
２８．１／２波長板
２９．ＰＢＳ
３０．収束レンズ
３１．収束レンズ
３２．光検出器
３３．光検出器
３４．ハーフミラープリズム
３５．１／２波長板
３６．１／２波長板
３７．ウォランストンプリズム
３８．収束レンズ
３９．収束レンズ
４０．２分割光検出器
４１．２分割光検出器

Claims

ほぼ平坦で幅がほぼ等しいランド部およびグルーブ部を有する基板上に、誘電体層、記録層および反射層を有する光磁気記録媒体に、光源から直線偏光された入射光を前記光磁気記録媒体の前記ランド部およびグルーブ部の記録トラックにに集光し、反射した光から前記ランド部およびグルーブ部に対応する記録層に記録された信号を磁気カー効果検出系により検出する光情報検出装置において、
前記ランド部およびグルーブ部は、前記ランド部およびグルーブ部から反射した光が互いに干渉してその偏光成分が位相差を生じるように形成されてなり、
前記偏光成分の位相差を、前記ランド部およびグルーブ部のうち少なくともいずれか一方に対応する前記信号のＣ／Ｎ比を略最大となるように位相制御する位相補償機構を有することを特徴とする光情報検出装置。
前記磁気カー光学系及び位相補償機構を２つ有し、
該位相補償機構は前記ランド部およびグルーブ部の信号について各々Ｃ／Ｎ比を略最大とすることを特徴とする請求項１に記載の光情報検出装置。
前記位相補償機構は、電気光学素子であることを特徴とする請求項１または２に記載の光情報検出装置。
前記位相補償機構は１／２波長板であり、
前記１／２波長板が光軸に対して傾けてなることを特徴とする請求項１または２に記載の記載の光情報検出装置。