JP3802539B2 - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、記録層が所定の凹凸パターンで形成され、情報を記録するための記録要素が凹凸パターンの凸部として形成された磁気記録媒体の製造方法に関する。

従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されている。

しかしながら、ヘッドの加工限界、磁界の広がりに起因するサイドフリンジ、クロストーク等の問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきているため、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、記録層が所定の凹凸パターンで形成され、情報を記録するための記録要素が凹凸パターンの凸部として形成されたディスクリートトラックメディアやパターンドメディア等の磁気記録媒体が提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。尚、記録要素の側面は、例えば特許文献１等にも記載されているように、表面に対して垂直に近いことが好ましいと考えられている。

このように、凸部として形成された記録要素に情報を記録することで、隣接する他の記録要素との間のサイドフリンジ、クロストーク等を抑制することができる。

一方、磁気記録媒体の表面が凹凸パターンであるとヘッドの浮上高さが不安定となり、記録・再生特性が悪化することがあるため、凹凸パターンの記録層上に非磁性材を成膜して記録要素の間の凹部を充填し、記録要素上の余剰の非磁性材を除去して表面を平坦化することが好ましい。又、記録要素の側面は加工によるダメージを受けやすく、これにより磁気特性が悪化することがある。このような記録要素の側面の加工によるダメージを放置すると水分や空気中の酸素等による腐食、酸化が進行し、磁気特性の更なる悪化をもたらすことがあるが、記録要素の側面に非磁性材が密着することで水分や酸素が記録要素の側面に接触することを抑制できるので、この点でも、記録要素の間の凹部を非磁性材で充填することが好ましい。

記録層を凹凸パターンに加工する手法としてはドライエッチングの手法を利用しうる。尚、ドライエッチングについては、凹凸パターンの凸部の側面を表面に対して垂直に近い形状に加工するための種々の手法が開発されている。又、非磁性材を成膜する手法としては半導体製造の分野で用いられているスパッタリング等の成膜技術を利用しうる。又、記録層上の余剰の非磁性材を除去して平坦化する手法についても半導体製造の分野で用いられているＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等の加工技術を利用しうる。

特開平１０−２２２９４４号公報 特開平９−９７４１９号公報

しかしながら、上記の手法を用いて凹凸パターンの記録層上に非磁性材を成膜しても、記録要素の間の凹部を非磁性材で完全に充填することは困難であり、凹部内に空隙部が形成されることがあった。このように凹部内に空隙部が形成されると、空隙部に水分や空気等が入り込み、記録要素の側面が腐食したり、酸化されて磁気特性が悪化することが懸念される。

本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、凹凸パターンの凸部として形成された記録要素の間の凹部が非磁性材でほぼ完全に充填された信頼性が高い磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、記録要素が突出する側の表面を臨む方向に該記録要素の側面が傾斜し、且つ、該記録要素の側面が前記表面に垂直な方向に対してなす傾斜角が９０°よりも小さく、５°以上であるように構成したことにより上記目的を達成したものである。

このように、記録要素の側面が表面側を臨む方向に傾斜することで、凹部に非磁性材が入り込みやすくなり、凹部内に空隙部が形成されることを防止又は抑制する効果が得られる。即ち、従来、凹凸パターンの凸部として記録要素を形成する場合、記録要素の側面は、表面に対して極力垂直に加工しようとすることが常識であったのに対し、記録要素の側面を表面側に臨むように傾斜させることで磁気記録媒体の信頼性の向上を図ったものであり、本発明は、従来と全く異なるコンセプトに基づいてなされたものである。

即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。

（１）基板と、該基板上に所定の凹凸パターンで形成され、情報を記録するための記録要素が前記凹凸パターンの凸部として形成された記録層と、前記記録要素の間の凹部に充填された非磁性材と、を含む板状体で、その表面のうち前記記録要素が前記凹凸パターンにおいて突出する側の表面を臨む方向に該記録要素の側面が傾斜し、且つ、該記録要素の側面が前記表面に垂直な方向に対してなす傾斜角が９０°よりも小さく、５°以上であることを特徴とする磁気記録媒体。

（２）前記傾斜角が１６°以上であることを特徴とする前記（１）の磁気記録媒体。

（３）前記傾斜角が４５°以下であることを特徴とする前記（１）又は（２）の磁気記録媒体。

（４）前記記録要素が２００ｎｍ以下のピッチでデータ領域に形成されたことを特徴とする前記（１）乃至（３）のいずれかの磁気記録媒体。

（５）前記記録層の厚さが２５ｎｍ以下であることを特徴とする前記（１）乃至（４）のいずれかの磁気記録媒体。

（６）前記非磁性材が、酸化物、窒化物及び炭化物のいずれかであることを特徴とする前記（１）乃至（５）のいずれかの磁気記録媒体。

（７）前記非磁性材が、アモルファス構造を有する材料及び微結晶状態の材料のいずれかであることを特徴とする前記（１）乃至（６）のいずれかの磁気記録媒体。

（８）前記非磁性材は、ＳｉＯ_２が主成分であることを特徴とする前記（１）乃至（７）のいずれかの磁気記録媒体。

（９）前記記録層が前記凹凸パターンの凸部に限定して形成されたことを特徴とする前記（１）乃至（８）のいずれかの磁気記録媒体。

尚、本出願において、「基板上に所定の凹凸パターンで形成され、情報を記録するための記録要素が前記凹凸パターンの凸部として形成された記録層」とは、多数の記録要素に分割された記録層の他、一部が連続するように記録要素が部分的に分割された記録層、螺旋状の渦巻き形状の記録層のように基板上の一部に連続して形成された記録層、凸部及び凹部双方が形成された連続した記録層、も含む意義で用いることとする。

又、本出願において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔ Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。

又、本出願において、「凹凸パターンの凸部」とは、表面に対して垂直な断面における凹凸形状の突出した部分という意義で用いることとする。

又、本出願において、「微結晶状態の材料」とは、Ｘ線回折において結晶性ピークを有していない材料という意義で用いることとする。

本発明によれば、記録要素の側面が表面側を臨む方向に傾斜しているので、凹部に非磁性材が入り込みやすく、記録要素の間の凹部が非磁性材でほぼ完全に充填される。

以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。

本実施形態に係る磁気記録媒体１０は垂直記録型のディスクリートタイプの磁気ディスクで、図１に示されるように、基板１２上に記録層１４が凹凸パターンで形成され、情報を記録するための記録要素１６が凹凸パターンの凸部として形成されている。記録要素１６の間の凹部１８には非磁性材２０が充填されている。

磁気記録媒体１０は、図２に拡大して示されるように、その表面のうち記録要素１６が前記凹凸パターンにおいて突出する側の表面１０Ａを臨む方向に記録要素１６の側面１６Ａが傾斜し、且つ、記録要素１６の側面１６Ａが表面１０Ａに垂直な方向に対してなす傾斜角θが５°以上、４５°以下であることを特徴としている。他の構成については、従来の磁気記録媒体と同様であるので説明を適宜省略することとする。

磁気記録媒体１０は、基板１２上に、下地層２２、軟磁性層２４、配向層２６がこの順で形成され、配向層２６上に前記記録層１４が凹凸パターンで形成されている。又、記録層１４上には、保護層２８、潤滑層３０がこの順で形成されている。

基板１２は、材料がガラスである。尚、剛性が高い非磁性材料であれば、基板１２の材料として、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｌ_２Ｏ_３（アルミナ）等を用いてもよい。

記録層１４は、厚さが５〜２５ｎｍで、材料はＣｏＣｒＰｔ（コバルト−クロム−白金）合金である。凹部１８は記録層１４の基板１２側の面まで形成されており、記録層１４は、凹凸パターンの凸部に限定して形成されている。

記録要素１６は、データ領域において磁気記録媒体１０の径方向に２００ｎｍ以下のピッチで同心円状に形成されている。又、記録要素１６は、サーボ領域において所定のサーボ情報等のパターンで形成されている。

非磁性材２０は、記録要素１６の間の凹部１８内をほぼ完全に充填している。非磁性材２０の主成分は、ＳｉＯ_２（二酸化ケイ素）であり、結晶粒界がない非晶質のアモルファス構造の材料である。尚、非磁性材２０として微結晶状態の材料を用いてもよい。又、非磁性材２０の表面は、記録層１４の表面とほぼ一致しており、記録要素１６及び非磁性材２０の上面は平坦化されている。

保護層２８は、厚さが１〜５ｎｍで、材料はダイヤモンドライクカーボンと呼称される硬質炭素膜である。尚、本出願において「ダイヤモンドライクカーボン（以下、「ＤＬＣ」という）」という用語は、炭素を主成分とし、アモルファス構造であって、ビッカース硬度測定で２×１０^９〜８×１０^１０Ｐａ程度の硬さを示す材料という意義で用いることとする。潤滑層３０は、厚さが１〜２ｎｍで、材料はＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）である。

次に、磁気記録媒体１０の作用について説明する。

磁気記録媒体１０は、記録要素１６の側面１６Ａが表面１０Ａ側を臨む方向に傾斜し、且つ、傾斜角θが５°以上であるので、凹部１８に非磁性材２０が入り込みやすくなっており、非磁性材２０が、記録要素１６の側面１６Ａに密着しつつ、凹部１８内をほぼ完全に充填している。従って、凹部１８内の空隙部に水分等が入り込み、記録要素が腐食したり、凹部１８内の空隙部に酸素等が入り込み、記録要素の側面が酸化されることが防止又は著しく抑制され、良好な磁気特性が確実に得られる。例えば、加工により記録要素１６の側面１６Ａがダメージを受けていても、非磁性材２０が側面１６Ａに密着するように凹部１８内をほぼ完全に充填しているので、加工によりダメージを受けた部位に水分や酸素が接触することによる腐食や酸化の進行が防止又は抑制され、良好な磁気特性が得られる。即ち、磁気記録媒体１０は、信頼性が高い。

尚、傾斜角θが過度に大きいと、加工によりダメージを受ける側面１６Ａの面積が大きくなり、記録要素１６の磁気特性が悪化することが懸念される。又、傾斜角θが過度に大きいと、記録要素１６同士が過度に接近したり、一部が連続した形状となるので、この点でも磁気記録媒体１０の記録・再生特性が悪化することが懸念される。これに対し、傾斜角θが４５°以下であるので、記録要素１６の磁気特性は良好である。傾斜角θと、記録要素１６の磁気特性と、の関係については更に後述する。

尚、傾斜角θが等しくても、凹部１８の幅が狭く、記録層１４が厚い程、記録要素１６同士が接近することとなる。本実施形態のように記録要素１６が２００ｎｍ以下のピッチで形成される場合、凹部１８の（記録要素１６の上面位置における）幅は５０ｎｍ程度まで小さくなることが想定されているが、本実施形態のように記録層１４の厚さの最大値を２５ｎｍとする場合、傾斜角θを４５°以下とすることで、記録要素１６同士が連続することを防止することができる。

又、磁気記録媒体１０は、記録要素１６がデータ領域において径方向に２００ｎｍ以下のピッチで形成されているので面記録密度が高く、記録要素１６が凹凸パターンの凸部として形成されているので、面記録密度が高くても、隣接する他の記録要素１６との間のサイドフリンジ、クロストーク等が抑制される。又、記録層１４は、記録要素１６が凹凸パターンの凸部に限定して形成されているので、凹部１８から磁気的なノイズが発生することがなく、それだけ記録・再生特性が良い。又、磁気記録媒体１０は、凹部１８に非磁性材２０が充填され、記録要素１６及び非磁性材２０の上面が平坦化されているので、潤滑層３０の表面も平坦であり、ヘッド浮上高さの変動量が小さい。

又、磁気記録媒体１０は、記録層１４の厚さが５〜２５ｎｍであるので、記録層１４の加工量が少なく、生産性が良い。尚、従来、垂直記録型の磁気記録媒体については、記録層が厚い程、良好な磁気特性が得られると考えられていたが、発明者は、記録層１４の厚さを５〜２５ｎｍとすることで、これよりも記録層が厚い磁気記録媒体と同等、又はそれ以上の良好な磁気特性が得られることを確認している。言い換えれば、記録層１４の厚さを５〜２５ｎｍとすることで、良好な生産性及び良好な磁気特性の両立を図ることができる。

次に、磁気記録媒体１０の製造方法について図３のフローチャートに沿って簡単に説明する。

まず、図４に示される被加工体５０の加工出発体を加工し、図５に示されるように連続記録層５２を記録要素１６に分割して記録層１４を形成する（Ｓ１０２）。

被加工体５０の加工出発体は、基板１２上に、下地層２２、軟磁性層２４、配向層２６、連続記録層５２、第１のマスク層５４、第２のマスク層５６をこの順でスパッタリング法により形成し、更にレジスト層５８をスピンコート法で塗布することにより得られる。尚、ディッピング法によりレジスト層５８を塗布してもよい。

連続記録層５２は、記録層１４の加工前の形態であり、連続記録層５２の厚さ及び材料は記録層１４と同じである。第１のマスク層５４は、厚さが３〜２０ｎｍで、材料はＣ（炭素）である。又、第２のマスク層５６は、厚さが３〜３０ｎｍで、材料はＳｉ（ケイ素）である。又、レジスト層５８は、厚さが３０〜３００ｎｍで、材料はネガ型レジスト（例えば、住友化学工業株式会社製ＮＢＥ２２Ａ等）である。

この被加工体５０の加工出発体のレジスト層５８に転写装置（図示省略）を用いて、サーボ領域にはコンタクトホールを含む所定のサーボパターンを、データ領域には径方向に２００ｎｍ以下の微細なピッチで凹凸パターンをナノ・インプリント法により転写し、Ｏ_２（酸素）ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、凹凸パターンの凹部底面のレジスト層５８を除去する。尚、露光・現像して、レジスト層５８を凹凸パターンに加工してもよい。

次に、ＳＦ_６（６フッ化硫黄）ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、凹部底面の第２のマスク層５６を除去し、更にＯ_２ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、凹部底面の第１のマスク層５４を除去する。これにより、凹部底面に連続記録層５２が露出する。

次に、加工用ガスとしてＡｒ（アルゴン）ガスを用いたイオンビームエッチングにより、凹部底面の連続記録層５２を除去する。これにより、連続記録層５２が多数の記録要素１６に分割され、記録層１４が形成される。ここで「イオンビームエッチング」という用語は、例えばイオンミリング等の、イオン化したガスを被加工体に照射して加工対象物を除去する加工方法の総称という意義で用いることとする。

この際、図６に示されるように、一部の加工用ガスは被加工体５０に対し、その表面に垂直な方向から若干傾斜して照射され、第１のマスク層５４から露出している部分であっても端部近傍は一部のガスに対して第１のマスク層５４の陰となるため、他の部分よりもエッチングの進行が遅れ、記録要素１６の側面１６Ａは表面側を臨む方向に傾斜したテーパ面となる。

第１のマスク層５４が厚い程、傾斜角θが大きくなる傾向があり、第１のマスク層５４の厚さを調節することで、傾斜角θを調節することができる。又、被加工体５０が収容されるチャンバ内のガス圧が高い程、イオンビームの直進性が悪化し、傾斜角θが大きくなる傾向があり、チャンバ内のガス圧を調節することで、傾斜角θを調節することもできる。又、イオンビームの照射方向を、被加工体５０の表面に垂直な方向から意図的に傾斜させることで、傾斜角θを調節することもできる。更に、これらの手法を併用して、傾斜角θを調節することも可能である。

連続記録層５２の基板１２側の面まで凹部１８が形成されるまでイオンビームエッチングによる加工を行い、Ｏ_２ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングにより、記録要素１６の上面に残存する第１のマスク層５４を完全に除去する。これにより、前記図５に示されるように、基板１２上に記録層１４が凹凸パターンで形成された被加工体５０が得られる。

次に、バイアススパッタリング法により被加工体５０にバイアスパワーを印加しつつＳｉＯ_２（非磁性材２０）の粒子を、図７に示されるように被加工体５０の表面に成膜し、記録要素１６の間の凹部１８を充填する（Ｓ１０４）。ここで、非磁性材２０は記録要素１６を完全に被覆するように成膜する。

この際、記録要素１６の側面１６Ａは表面側を臨む方向に傾斜しており、傾斜角θは５°以上であるので、非磁性材２０は、記録要素１６の間の凹部１８内に容易に入り込み、凹部１８内をほぼ完全に充填する。連続記録層５２を記録要素１６に分割する際、記録要素１６の側面１６Ａには結晶粒界等の欠陥が生じやすいが、非磁性材２０は、凹部１８内をほぼ完全に充填し、記録要素１６の側面１６Ａに密着するので、空隙部の発生を抑制し、側面１６Ａの結晶粒界等の欠陥を確実に充填することができる。尚、このような欠陥を粒界のある結晶質の材料で充填することは困難であるが、非磁性材２０は、材料がＳｉＯ_２であり、成膜条件を選択することで粒成長が抑制されたアモルファス構造又は微結晶状態となるので、磁性材料の記録要素１６の側面１６Ａに密着し、結晶粒界等の欠陥を確実に充填することができる。

又、非磁性材２０を成膜する際、Ａｒ等のスパッタリングガスがＳｉＯ_２のターゲットに衝突することによりＳｉＯ_２の粒子が飛散して、被加工体５０の表面に記録要素の凹凸形状に倣って一様に堆積しようとするので、非磁性材２０は表面が凹凸形状となる傾向がある。

一方、被加工体５０にバイアスパワーを印加することにより、スパッタリングガスは被加工体５０の方向に付勢されて堆積済みのＳｉＯ_２に衝突し、堆積済みのＳｉＯ_２の一部をエッチングする。このエッチング作用は、堆積済みのＳｉＯ_２のうち、突出した部分を他の部位よりも速く選択的に除去する傾向があるので、非磁性材２０の表面の凹凸は次第に均される。尚、実際にはこれらの作用は同時に進行し、成膜作用がエッチング作用を上回ることで表面の凹凸が小さく抑制されつつ非磁性材２０の成膜が進行する。

従って、非磁性材２０は、図７に示されるように、表面の凹凸が抑制された形状で成膜される。

次に、図８に示されるように、イオンビームエッチングを用いて非磁性材２０を記録要素１６の上面まで除去し、記録要素１６及び非磁性材２０の表面を平坦化する（Ｓ１０６）。尚、図８中に矢印で模式的に示されるように、表面に対して傾斜した方向からイオンビームを照射することにより、平坦化効果を高めることができる。

次に、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により記録要素１６及び非磁性材２０の上面に保護層２８を形成する（Ｓ１０８）。更に、ディッピング法により保護層２８の上に潤滑層３０を塗布する（Ｓ１１０）。これにより、前記図１に示される磁気記録媒体１０が完成する。

尚、本実施形態において、記録層１４を凹凸パターンに加工するためのイオンビームエッチングの加工用ガスとしてＡｒガスを用いているが、例えば、Ｋｒ（クリプトン）、Ｘｅ（キセノン）等の他の不活性ガスを用いてもよい。又、ＣＯ（一酸化炭素）及びＮＨ_３（アンモニア）等の含窒素ガスを反応性ガスとする反応性イオンエッチングにより、記録層１４を凹凸パターンに加工してもよい。尚、この場合、第１のマスク層としてはＴｉＮ（窒化チタン）、Ｔａ（タンタル）等を用いればよい。

又、本実施形態において、バイアススパッタリング法により非磁性材２０を成膜しているが、例えばイオンビームデポジションやプラズマＣＶＤ等の他の成膜手法により、非磁性材２０を成膜してもよい。この場合も、バイスパワーを印加することで表面の凹凸を抑制する効果が得られる。一方、平坦化工程（Ｓ１０６）で充分に表面を平坦化することができれば、バイスパワーを印加しない成膜手法を用いて非磁性材２０を成膜してもよい。

又、本実施形態において、第１のマスク層５４、第２のマスク層５６、レジスト層５８を連続記録層５２に形成し、３段階のドライエッチングで連続記録層５２を分割しているが、連続記録層５２を所望の凹凸パターンに加工できれば、レジスト層、マスク層の材料、積層数、厚さ、ドライエッチングの種類等は特に限定されない。

又、本実施形態において、記録層１４（連続記録層５２）の材料はＣｏＣｒＰｔ合金であるが、例えば、鉄族元素（Ｃｏ、Ｆｅ（鉄）、Ｎｉ）を含む他の合金、これらの積層体等の他の材料の記録要素で構成される磁気記録媒体にも本発明を適用可能である。

又、本実施形態において、非磁性材２０はＳｉＯ_２であるが、他の酸化物、ＴｉＮ（窒化チタン）等の窒化物、ＳｉＣ（炭化ケイ素）やＴｉＣ（炭化チタン）等の炭化物、Ｔａ（タンタル）、ＴａＳｉ、Ｓｉ等の他の非磁性材を用いてもよい。特に、酸化物、窒化物、炭化物等の非磁性材は、それ自体の化学的安定性に優れると共に、金属磁性材の記録層１４との接触による腐食等に対する化学的安定性にも優れているので、それだけ良好な記録・再生特性が得られる。

尚、記録要素１６の側面の欠陥を充填し、空隙部の発生を抑制する効果を高めることができるという点で、非磁性材２０の材料として、結晶粒界がない非晶質のアモルファス構造又は微結晶状態の材料を用いることが好ましい。

又、本実施形態において、記録層１４の下に下地層２２、軟磁性層２４、配向層２６が形成されているが、連続記録層１４の下の層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば、下地層２２、軟磁性層２４、配向層２６のうち一又は二の層を省略してもよい。又、各層が複数の層で構成されていてもよい。又、基板上に記録層を直接形成してもよい。

又、本実施形態において、磁気記録媒体１０はデータ領域において記録要素１６がトラックの径方向に微細な間隔で並設された垂直記録型のディスクリートタイプの磁気ディスクであるが、記録要素がトラックの周方向（セクタの方向）に微細な間隔で並設された磁気ディスク、トラックの径方向及び周方向の両方向に微細な間隔で並設された磁気ディスク、凹凸パターンが形成された連続記録層を有するPERM（パーム）タイプの磁気ディスク、トラックが螺旋形状をなす磁気ディスクについても本発明は当然適用可能である。又、面内記録型の磁気ディスクにも本発明は適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の磁気ディスク、更に、磁気テープ等ディスク形状以外の凹凸パターンの記録層を有する他の磁気記録媒体に対しても本発明を適用可能である。

上記実施形態のとおり、傾斜角θが異なる８種類の磁気記録媒体１０を作製した。記録層１４の具体的な形状は以下のとおりである。

厚さ ：１７ｎｍ
凹凸のピッチ ：１５０ｎｍ
記録要素１６（凸部）の幅：７５ｎｍ
凹部の幅 ：７５ｎｍ

尚、記録要素１６の幅、凹部の幅は、記録要素１６の上面位置における幅である。

これらの磁気記録媒体１０について、記録層１４のＭｓ（飽和磁化）をＶＳＭ（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ Ｓａｍｐｌｅ Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ）を用いて測定した。又、非磁性材２０の充填後に走査型電子顕微鏡を用いて断面観察を行った。表１に、凹部１８内における非磁性材料２０の充填状態と、傾斜角θと、の関係を示す。尚、表１において、×印は凹部内における記録要素の側面の近傍に多数の空隙部が存在することを示し、○印は凹部の隅部近傍に限定して微小な空隙部が存在することを示し、◎印は凹部内に空隙部が存在しないことを示す。又、表２に、傾斜角θが０°である記録層１４のＭｓに対する各磁気記録媒体１０の記録層１４のＭｓの比率と、傾斜角θと、の関係を示す。図９は表２をグラフで図示したものである。

表１より、傾斜角θが５°以上であれば、凹部１８の隅部に僅かな空隙部が認められるものの、記録要素１６の側面１６Ａに沿う空隙部の発生を防止することができ、加工による側面１６Ａのダメージを抑制する効果が得られることがわかる。又、傾斜角θが１６°以上であれば、凹部１８内を非磁性材で完全に充填することができるので、加工による側面１６Ａのダメージを抑制する効果が得られると共に、凹部１８内の空隙部に水分等が入り込むことによる記録要素の腐食や、凹部１８内の空隙部に酸素等が入り込むことによる記録要素の側面の酸化を防止することができ、良好な磁気特性が確実に得られる。

又、表２及び図９に示されるように、傾斜角θが４５°よりも大きいと、傾斜角θが０°である記録層１４のＭｓに対して記録層１４のＭｓが大きく低下するが、傾斜角θが４５°以下であれば、傾斜角θが０°である記録層１４に対する記録層１４のＭｓの低下が２％以下に抑制され、良好な磁気特性が得られる。

本発明は、例えば、ディスクリートメディア、パターンドメディア等の記録層が凹凸パターンで形成された磁気記録媒体に利用することができる。

本発明の実施形態に係る磁気記録媒体の構造を模式的に示す側断面図 同磁気記録媒体の構造を更に拡大して示す側断面図 同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート 同製造工程における被加工体の加工出発体の構造を模式的に示す側断面図 表面に記録要素が形成された被加工体の形状を模式的に示す側断面図 記録要素が形成される様子を拡大して模式的に示す側断面図 記録要素上に非磁性材が成膜され、凹部が非磁性材で充填された前記被加工体の形状を模式的に示す側断面図 前記被加工体の表面の平坦化工程を模式的に示す側断面図 傾斜角θが０°である記録層のＭｓに対する各磁気記録媒体１０の記録層のＭｓの比率と、傾斜角θと、の関係を示すグラフ

符号の説明

１０…磁気記録媒体
１２…基板
１４…記録層
１６…記録要素
１８…凹部
２０…非磁性材
２２…下地層
２４…軟磁性層
２６…配向層
２８…保護層
３０…潤滑層
５０…被加工体
５２…連続記録層
５４…第１のマスク層
５６…第２のマスク層
５８…レジスト層
θ…傾斜角
Ｓ１０２…記録層加工工程
Ｓ１０４…非磁性材充填工程
Ｓ１０６…平坦化工程
Ｓ１０８…保護層形成工程
Ｓ１１０…潤滑層形成工程

Claims (2)

1. 基板の上に連続記録層が形成された被加工体の前記連続記録層をドライエッチングにより凹凸パターンに加工して情報を記録するための記録要素を前記凹凸パターンの凸部としてデータ領域において２００ｎｍ以下のピッチで形成し、且つ、前記被加工体の表面を臨む方向に前記記録要素の側面が傾斜し、前記記録要素の側面が前記表面に垂直な方向に対してなす傾斜角が４５°以下、５°以上である形状に前記記録要素を加工する記録層加工工程と、前記記録層の上にアモルファス構造を有する材料及び微結晶材料のいずれかである非磁性材を成膜して前記凹凸パターンの凹部を該非磁性材で充填する非磁性材充填工程と、をこの順で実行することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
2. 請求項１において、
   前記記録層加工工程において、前記記録要素を前記側面の傾斜角が１６°以上である形状に加工することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。

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