JP3837750B2 - インジェクタの駆動装置 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は、内燃機関の燃料噴射装置に使用されるインジェクタの駆動装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の内燃機関の燃料噴射装置に使用されるインジェクタの駆動装置の一例として、例えば特開昭59−85434公報に開示されているものがある。この従来技術の概略を表した回路図を図10に示す。この図10において、バッテリ1からソレノイド2に通電される電流は、トランジスタ3によってスイッチング制御され、ソレノイド2に電磁エネルギとして蓄積される。蓄積された電磁エネルギは、ダイオード4を介してコンデンサ5に充電され、コンデンサ5は、高電圧に昇圧される。
【0003】
そして、図11中の領域Aで示すように、大電流を必要とするインジェクタ6の開弁時には、トランジスタ7をオンすると同時に、コンデンサ5の高電圧をトランジスタ8を介して放電することによりインジェクタ6のソレノイド6aに通電する。また、インジェクタ6が開弁した状態を保持する期間は比較的低電流で維持できるため(図11中の領域B)、バッテリ1からトランジスタ9及びダイオード10を介してソレノイド6aに直接通電するようにしている。また、ダイオード11は、フライホイール用に設けられている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この従来技術では次のような問題があった。第1に、インジェクタ6の開弁保持期間(図11中の領域B)にはバッテリ1から直接通電するため、インジェクタ6のソレノイド6aは低インピーダンスのものを使用する必要があり、結果としてソレノイド6aに流れる電流値が高くなるため消費電力が大で、回路素子たるトランジスタ7,8の発熱量も大きい。
【0005】
第2に、インジェクタ6の開弁及び保持でコンデンサ5の高電圧及びバッテリ1の低電圧の2電源を用いるため、両電圧の印加を制御するためにトランジスタ7乃至9やダイオード10のように多くの回路素子が必要であり、また、これらを制御するのに複雑な制御回路を要する。
【0006】
第3に、インジェクタ6の開弁時に放電完了したコンデンサ5を再充電するには時間が必要であり、そのため、1個の高電圧源では、独立噴射方式で使用することは可能であるが、複数気筒のインジェクタを同時に開弁する同時噴射方式で使用することができない。
【0007】
本発明は上記課題を解決するもので、その目的は、インジェクタの開弁及びその保持を、1つの高電圧源からインジェクタの駆動用ソレノイドに通断電制御して行うことにより、回路素子の発熱量を低減し、また、回路素子数を削減して回路の簡素化を図ることができ、且つ、同時噴射方式にも対応できるインジェクタの駆動装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項1記載のインジェクタの駆動装置は、低電圧直流電源と、この低電圧直流電源により昇圧用ソレノイドに通断電するスイッチング素子及び昇圧用ソレノイドの蓄積エネルギが蓄積されるコンデンサ並びにスイッチング素子をオンオフ制御してコンデンサの端子間電圧を高電圧に一定に保持する制御回路を備えた高電圧安定化電源回路と、この高電圧安定化電源回路によりインジェクタの駆動用ソレノイドに起動電流を供給した後保持電流を供給するインジェクタ電流駆動回路と、前記駆動用ソレノイドに流れる電流を検出する電流検出抵抗とを備え、前記電流検出抵抗により検出された電流値に応じて前記起動電流並びに前記保持電流を制御することを特徴とするものである。
【0009】
請求項2記載のインジェクタの駆動装置は、インジェクタ電流駆動回路を、高電圧安定化電源回路より供給される高電圧安定化電源をインジェクタの駆動用ソレノイドに供給する制御用スイッチング素子及び駆動用スイッチング素子と、インジェクタを開弁させるタイミングと時間に応じて、駆動用スイッチング素子にゲート信号を与える第1の制御回路と、この第1の制御回路のゲート信号を受けて動作を開始し、電流検出抵抗により検出された電流値に応じて制御用スイッチング素子にゲート信号を与える第2の制御回路とを具備して構成し、この第2の制御回路を、電流検出抵抗が設定電流値を検出するまでは制御用スイッチング素子にゲート信号を連続的に与え、その後は保持電流に維持するように間欠的にゲート信号を与えて電流制御するように構成したことを特徴とするものである。
【0010】
請求項3記載のインジェクタの駆動装置は、低電圧直流電源と、この低電圧直流電源により昇圧用ソレノイドに通断電するスイッチング素子及び前記昇圧用ソレノイドの蓄積エネルギが蓄積されるコンデンサ並びに前記スイッチング素子をオンオフ制御してコンデンサの端子間電圧を高電圧に一定に保持する制御回路を備えた高電圧安定化電源回路と、この高電圧安定化電源回路によりインジェクタの駆動用ソレノイドに起動電流を供給した後保持電流を供給するインジェクタ電流駆動回路とを具備し、前記インジェクタ電流駆動回路は、高電圧安定化電源回路より供給される高電圧安定化電源をインジェクタの駆動用ソレノイドに供給する制御用スイッチング素子及び駆動用スイッチング素子と、インジェクタの駆動用ソレノイドに流れる電流を検出する電流検出抵抗と、インジェクタを開弁させるタイミングと時間に応じて、前記駆動用スイッチング素子にゲート信号を与える第1の制御回路と、この第1の制御回路のゲート信号を受けて動作を開始し、前記電流検出抵抗により検出された電流値に応じて前記制御用スイッチング素子にゲート信号を与える第2の制御回路とを具備し、この第2の制御回路は、前記電流検出抵抗が設定電流値を検出するまでは前記制御用スイッチング素子にゲート信号を連続的に与え、その後は保持電流に維持するように間欠的にゲート信号を与えて電流制御するように構成され、インジェクタ電流駆動回路の制御用スイッチング素子及び駆動用スイッチング素子が共にオフした時に駆動用ソレノイドに残った電磁エネルギを高電圧安定化電源回路に回生する回生用ダイオードを備えるものである。
【0011】
【作用及び発明の効果】
請求項1記載のインジェクタの駆動装置によれば、インジェクタ電流駆動回路の作用により、インジェクタの駆動用ソレノイドに対して高電圧安定化電源回路から起動電流及びその後の保持電流を供給する。従って、1つの高電圧安定化電源回路によりインジェクタの開弁及びその保持を行うことができるので、従来のような高,低電圧の2電源を用いる場合とは異なり、回路素子数を削減し得て、回路の簡素化を図り得、また、インジェクタの駆動用ソレノイドとして従来のそれよりも高インピーダンスのものを用いることができて、回路素子の発熱量を低減し得、しかも、高電圧安定化電源回路のコンデンサは常に高電圧に一定に保持されるので、独立噴射方式のみならず同時噴射方式にも採用することができる。
【0012】
請求項2記載のインジェクタの駆動装置によれば、第1の制御回路によって、インジェクタを開弁させるタイミングと時間に応じて駆動用スイッチング素子にゲート信号が与えられる。それと同時に、そのゲート信号を受けて第2の制御回路が動作を開始して、電流検出抵抗により検出された電流値に応じて制御用スイッチング素子にゲート信号を与える。この制御用スイッチング素子及び駆動用スイッチング素子によって、高電圧安定化電源回路よりの高電圧安定化電源が、インジェクタの駆動用ソレノイドに供給される。そして、第2の制御回路は、電流検出抵抗が設定電流値を検出するまでは制御用スイッチング素子にゲート信号を連続的に与え、その後は保持電流に維持するように間欠的にゲート信号を与えて制御するので、1つの高電圧安定化電源によってインジェクタの起動及び保持を確実に行うことができる。
【0013】
請求項3記載のインジェクタの駆動装置によれば、インジェクタ電流駆動回路の作用により、インジェクタの駆動用ソレノイドに対して高電圧安定化電源回路から起動電流及びその後の保持電流を供給する。従って、1つの高電圧安定化電源回路によりインジェクタの開弁及びその保持を行うことができるので、従来のような高,低電圧の2電源を用いる場合とは異なり、回路素子数を削減し得て、回路の簡素化を図り得、また、インジェクタの駆動用ソレノイドとして従来のそれよりも高インピーダンスのものを用いることができて、回路素子の発熱量を低減し得、しかも、高電圧安定化電源回路のコンデンサは常に高電圧に一定に保持されるので、独立噴射方式のみならず同時噴射方式にも採用することができる。
また、第1の制御回路によって、インジェクタを開弁させるタイミングと時間に応じて駆動用スイッチング素子にゲート信号が与えられる。それと同時に、そのゲート信号を受けて第2の制御回路が動作を開始して、電流検出抵抗により検出された電流値に応じて制御用スイッチング素子にゲート信号を与える。この制御用スイッチング素子及び駆動用スイッチング素子によって、高電圧安定化電源回路よりの高電圧安定化電源が、インジェクタの駆動用ソレノイドに供給される。そして、第2の制御回路は、電流検出抵抗が設定電流値を検出するまでは制御用スイッチング素子にゲート信号を連続的に与え、その後は保持電流に維持するように間欠的にゲート信号を与えて制御するので、1つの高電圧安定化電源によってインジェクタの起動及び保持を確実に行うことができる。
更に、インジェクタ電流駆動回路の制御用スイッチング素子及び駆動用スイッチング素子が共にオフした時に駆動用ソレノイドに残った電磁エネルギを高電圧安定化電源回路に回生する回生用ダイオードを備えるので、電力効率を高めることができる。
【0014】
【実施例】
以下本発明の第1実施例について図1乃至図5を参照して説明する。インジェクタの駆動装置の全体の電気的構成を示す図1において、バッテリ(低電圧直流電源)20の負端子はグランドに接続されており、正端子は昇圧用ソレノイド21の一方の端子に接続されている。昇圧用ソレノイド21の他方の端子はダイオード22のアノードに接続されており、ダイオード22のカソードとグランドとの間にはコンデンサ23が接続されている。また、ダイオード22のアノードにはFET(スイッチング素子)24のドレイン端子に接続され、FET24のソース端子はグランドに接続されている。
【0015】
ダイオード22とコンデンサ23の共通接続点には、高電圧電源線25が接続されており、これにより後述するインジェクタ電流駆動回路に高電圧電源を供給するようになっている。また、高電圧電源線25には高電圧検出線26が接続されており、この高電圧検出線26は、図2に示す制御回路27の入力端子に接続されている。
【0016】
制御回路27の電気的構成を示す図2において、高電圧検出線26とグランドとの間には抵抗28及び29の直列回路が接続されており、抵抗28及び29の共通接続点は、比較器30の反転入力端子に接続されている。また、比較器30の非反転入力端子とグランドとの間には、基準電圧源31が接続されている。そして、比較器30の出力端子は、AND回路32の一方の入力端子に接続されている。
【0017】
シュミットトリガNOT回路33の入力端子とグランドとの間にはコンデンサ34が接続され、シュミットトリガNOT回路33の入力端子と出力端子との間には、抵抗35a及び35bの直列回路が接続されている。また、抵抗35a及び35bの共通接続点とシュミットトリガNOT回路33の出力端子との間には、ダイオード36が順方向に接続されている。以上のシュミットトリガNOT回路33,コンデンサ34,抵抗35a及び35b並びにダイオード36は、所定のデュ−ティ比をもって発振する矩形波発振回路37を構成している。
【0018】
そして、シュミットトリガNOT回路33の出力端子は、AND回路32の他方の入力端子に接続されている。AND回路32の出力端子は、nチャネルのFET24のゲート端子に接続されており、ゲート信号Gを与えるように構成されている。以上が制御回路27を構成しており、図1について前述した部分と合わせて、高電圧安定化電源回路38を構成している。
【0019】
再び、図1において、第1の制御回路であるECU39は、図示しない内燃機関が有する複数の気筒に対応する複数のインジェクタ電流駆動回路40a,40b,…に対して制御信号線41a,41b,…によって制御信号を与えるように構成されている。その内の制御信号線41aは、バッファ42を介してnチャネルのFET(駆動用スイッチング素子)43のゲート端子に接続され、制御信号をゲート信号G1として与えると共に、そのゲート信号G1は、図3に示す第2の制御回路45の入力端子にも与えられるように構成されている。
【0020】
第2の制御回路45の電気的構成を示す図3において、ゲート信号G1は、Dフリップフロップ46のクロック入力端子に与えられると共に、AND回路47の一方の入力端子にも与えられるように構成されている。また、Dフリップフロップ46のデータ入力端子及び負論理のプリセット入力端子は、共に回路電源Vccに接続されてプルアップされている。そして、Dフリップフロップ46のセット出力端子は、OR回路48の一方の入力端子に接続されている。
【0021】
回路電源Vccとグランドとの間には、抵抗49,50及び51の直列回路が接続されている。その抵抗49及び50の共通接続点は、比較器52の非反転入力端子に接続され、抵抗50及び51の共通接続点は、比較器53の非反転入力端子に接続されている。そして、電流検出信号線54は、比較器52の反転入力端子に接続されていると共に、抵抗55を介して比較器53の反転入力端子に接続されている。比較器53の出力端子は、OR回路48の他方の入力端子に接続されていると共に、その出力端子と比較器53の反転入力端子との間には、帰還抵抗56が接続されている。また、比較器52の出力端子は、Dフリップフロップ46の負論理のクリア入力端子に接続されている。
【0022】
OR回路48の出力端子は、AND回路47の他方の入力端子に接続され、AND回路47の出力端子は、nチャネルのFET57のゲート端子に接続されている。FET57のソース端子はグランドに接続されており、FET57のドレイン端子(出力端子)は、抵抗58を介して図1に示すpチャネルのFET(制御用スイッチング素子)59のゲート端子に接続され、ゲート信号G2を与えるように構成されている。以上が第2の制御回路45を構成している。
【0023】
図1において、FET59のソース端子とゲート端子との間には、抵抗60及びツェナーダイオード61の並列回路が接続され、FET59のソース端子には、高電圧電源線25が接続されている。そして、FET59のドレイン端子とグランドとの間には、フライホイールダイオード62が逆方向に接続されている。また、FET59のドレイン端子とFET43のドレイン端子との間には、複数の気筒に対応した複数のインジェクタに対応する駆動用ソレノイド63a,63b,…の内の1つの駆動用ソレノイド63aが接続されている。更に、FET43のドレイン端子と高電圧電源線25との間には、回生用ダイオード64が順方向に接続されており、FET43のソース端子とグランドとの間には、電流検出抵抗65が接続されている。以上がインジェクタ電流駆動回路40aを構成しており、他のインジェクタ電流駆動回路40b,…も全て同一の構成である。また、高電圧安定化電源回路38とインジェクタ電流駆動回路40a,40b,…とは、インジェクタの駆動装置66を構成している。
【0024】
次に、本実施例の作動を図4及び図5をも参照して説明する。まず、高電圧安定化電源回路38の動作について説明する。バッテリ20の直流電圧を例えば14Vとして、高電圧安定化電源回路38の出力電圧を例えば56Vに設定すると、両電圧の差は42Vとなる。FET24がオン状態になると、バッテリ20から昇圧用ソレノイド21に通電が行われてエネルギが蓄積され、FET24がオフ状態になると、その蓄積エネルギによりコンデンサ23が充電される。シュミットトリガNOT回路33を中心とする矩形波発振回路37は、この通断電のサイクルを発生させるものである。
【0025】
ここで、昇圧用ソレノイド21の通電時間(FET24のオン時間)をt1とし、コンデンサ23の充電時間(FET24のオフ時間)をt2とすると、通電時間t1とバッテリ電圧14Vの積と、充電時間t2と前記差電圧42Vとの積は等しくなるように、即ち、14×t1=42×t2となるように決定される。従って、t1とt2との比は3対1になる。インダクタンスLの昇圧用ソレノイド21に14Vの電圧をt1時間通電したときに流れる電流iは、i=14×t1/Lで与えられるので、インダクタンスを14μH、t1を10μsとしてiを10Aと決定すれば、t2は3.33μsとなる。
【0026】
従って、昇圧用ソレノイド21を流れる電流iは、図4(a)に示すような電流波形にすれば良い。よって、矩形波発振回路37の出力を、図4(c)に示すような波形、即ち、周期13.33μs(周波数75KHz)でデュ−ティ比75%の矩形波となるように、抵抗35a及び35b並びにコンデンサ34の値を決定する。
【0027】
また、比較器30は、高電圧安定化電源回路38の高電圧出力56Vのレベルを検出する。例えば抵抗28及び29の値を1KΩ及び55KΩとして基準電圧源31を1Vとすれば、高電圧電源線25が56V未満の場合、比較器30の出力端子はハイレベルとなり、AND回路32から矩形波発振回路37の出力波形が出力されてコンデンサ23が充電され、高電圧電源線25が56V以上の場合は、比較器30の出力端子はローレベルとなる(図4(d)参照)。
【0028】
そして、AND回路32の出力,即ちゲート信号Gとしては、比較器30の出力レベルがハイレベルのときのみ矩形波発振回路37の出力波形が出力される(図4(b)参照)。ゲート信号GがハイレベルのときにはFET24はオンとなり、昇圧用ソレノイド21を流れる電流iは0Aから次第に増加して10μs後には10Aに達する。すると、ゲート信号GはローレベルとなってFET24はオフとなり、電流iは10Aから次第に減少して行くと共にコンデンサ23を充電する。それに伴ってコンデンサ23の電位は上昇し、電流iが0Aになると56Vに達して、比較器30の出力はローレベルになる。以上のようにして、電流iは図4(a)に示すような電流波形となり、コンデンサ23の端子電圧は常に56Vに保たれる。
【0029】
一方、ECU39は、内燃機関の各気筒毎の燃料噴射タイミングに応じてそれぞれに制御信号を与える。ここで、インジェクタの駆動用ソレノイド63aに通電してインジェクタを開弁するための起動電流を設定電流値1.2Aまで流し、インジェクタが開弁した状態を保持するための保持電流を0.4A流すように制御を行うものとする。ECU39の制御信号は、図5(a)に示すように出力され、バッファ42を介してゲート信号G1としてFET43のゲート端子及び第2の制御回路45のDフリップフロップ46のクロック入力端子に与えられる。
【0030】
FET43は、ゲート信号G1がハイレベルの間オン状態となる(図5(b)参照)。Dフリップフロップ46は、図示しないイニシャルリセット回路によってリセットされており、そのセット出力端子は、初期状態でローレベルとなっている。そして、Dフリップフロップ46は、ゲート信号G1がクロック入力端子に与えられると、その立ち上がりエッジでセット出力端子はハイレベルとなる(図5(f)参照)。すると、OR回路48及びAND回路47を介してFET57のゲート端子がハイレベルとなってFET57はオン状態となり、ゲート信号G2がローレベルとなってFET59はオン状態となる(図5(d)及び(e)参照)。従って、FET43及び59が共にオン状態になることにより、駆動用ソレノイド63aに通電が開始される。
【0031】
また、抵抗49,50及び51は回路電源Vccを分圧しており、比較器52の非反転入力端子は120mV、比較器53の非反転入力端子は40mVの電位となるようにその抵抗値が決定されている。そして、電流検出抵抗65を0.1Ωとすれば、電流検出抵抗65の端子電圧は、駆動用ソレノイドに流れる駆動電流Iが設定電流値1.2Aのときに120mVになる。従って、比較器52の出力端子は駆動電流Iの電流値が0〜1.2Aの間でハイレベルとなり、比較器53の出力端子は駆動電流Iの電流値が0〜0.4Aの間でハイレベルとなる。
【0032】
今、駆動用ソレノイド63aに高電圧電源線25から高電圧が供給されて通電が開始されると、駆動電流Iは起動電流として流れて0から次第に上昇して行き(図5(c)参照)、それに伴って電流検出抵抗65の端子電圧も上昇する。そして、図示しないインジェクタのコアが電磁力により吸引されてインジェクタが開弁する方向に動き出し、駆動電流Iの電流値が1.2Aに達すれば、コアは最大ストロークまで達して完全に開弁した状態になる。
【0033】
駆動電流Iが1.2Aに達して電流検出抵抗65の端子電圧が120mVになると、比較器52の出力端子はローレベルとなり、Dフリップフロップ46はクリアされ、そのセット出力端子は図5(f)に示すようにローレベルとなる。このとき、OR回路48の入力端子はどちらもローレベルであるから、FET57及び59はオフ状態となる。従って、駆動用ソレノイド63aの遅れ電流は、FET43,電流検出抵抗65及びフライホイールダイオード62の経路で循環する。
【0034】
そして、駆動電流Iの電流値は1.2Aから低下して行き、0.4Aを下回ると比較器53の出力端子がハイレベルとなる。すると、AND回路47の出力端子はハイレベルとなり、駆動用ソレノイド63aに再び通電が開始される。比較器53の出力端子は、駆動電流Iの電流値が0.4Aを超えるとローレベルになるので、以降、ゲート信号G1がハイレベルの間は、FET59のゲート信号は図5(d)に示すように間欠的に与えられる。従って、FET59は図5(e)に示すように間欠的にオン状態となって、駆動電流Iは0.4Aを維持するように制御され、その間インジェクタは開弁状態を保持する。尚、帰還抵抗56の抵抗値は1MΩ程度として、駆動電流Iの電流値0.4A付近での比較器53の出力の切替わりにヒステリシスを持たせるようにする。
【0035】
その後、ECU39が出力する制御信号がオフ状態になると、ゲート信号G1もオフ状態となり、且つ、AND回路47の出力端子もローレベルとなるので、FET43及び59は共にオフ状態となる。このとき、駆動用ソレノイド63aに蓄えられている電磁エネルギは、回生用ダイオード64,コンデンサ23及びフライホイールダイオード62の経路で回生電流として流れて高電圧安定化電源回路38に回生される。
【0036】
以上のように本実施例によれば、ECU39によって、インジェクタを開弁させるタイミングと時間に応じてFET43にゲート信号が与えられる。それと同時に、そのゲート信号を受けて第2の制御回路45が動作を開始して、電流検出抵抗65により検出された電流値に応じてFET59にゲート信号を与えることにより、インジェクタの駆動用ソレノイド63aに高電圧安定化電源回路38から駆動電流Iが流れる。そして、第2の制御回路45は、電流検出抵抗65が駆動電流Iの設定電流値1.2Aを検出するまではFET59にゲート信号を連続的に与え、その後は保持電流を0.4Aに維持するように間欠的にゲート信号を与えて電流制御するように構成した。
【0037】
従って、1つの高電圧安定化電源回路38によってインジェクタの開弁及びその保持が制御されるので、従来の2電源を使用する場合に必要としたトランジスタ9やダイオード10に対応する回路素子を削減することができ、回路構成を簡素化できる。また、保持電流をバッテリ20から供給しないので、駆動用ソレノイド63aには高インピーダンスのものを使用することができる。これは、ソレノイドの吸引力はソレノイドの巻数と電流との積に比例し、また、ソレノイドのインピーダンスは巻数の2乗に比例することから、同一の吸引力を得る場合に高インピーダンスのソレノイドに通電して得る方が電流値は低く押さえられることになるので、本実施例のインジェクタの駆動装置66によれば、従来の駆動装置よりも消費電力及び回路素子の発熱量を低減することができる。
【0038】
尚、駆動用ソレノイド63aが高インピーダンスであることにより、ECU39から制御信号が与えられてから設定電流値1.2Aに達するまでの時間に遅れを生じるが、この遅れ時間の分だけECU39が制御信号を与えるタイミングを早めれば良いので、実動作上は何等問題はない。
【0039】
また、本実施例によれば、インジェクタ電流駆動回路40aのFET43及び59が共にオフした時に駆動用ソレノイド63aに残った電磁エネルギを高電圧安定化電源回路38に回生する回生用ダイオード64を備えたので、FET43の耐圧は、高電圧安定化電源回路38の出力電圧56V以上を必要とすることはなく、加えて、駆動装置66の電力効率を高めることができる。
【0040】
更に、本実施例によれば、高電圧安定化電源回路38を、その制御回路27が、コンデンサ23の電位が高電圧出力電位56Vの低下を検出すると、直ちに充電して昇圧を行うように構成したので、1つの高電圧安定化電源回路38によって複数のインジェクタ電流駆動回路40a,40b,…を順次駆動することができ(独立噴射方式)、また、複数の気筒のインジェクタが同時に燃料を噴射する同時噴射方式にも対応することが可能である。
【0041】
図6は本発明の第2実施例を示すものであり、第1実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分のみ説明する。第2実施例では、第1実施例の高電圧安定化電源回路38から基準電圧源31及び矩形波発振回路37並びにAND回路32が除かれている。そして、比較器30の非反転入力端子には三角波発振器67の出力端子が接続され、比較器30の出力端子はFET24のゲート端子に接続されており、以て、制御回路27に代わる制御回路68が構成されている。また、他は第1実施例と同一構成であり、以て、高電圧安定化電源回路69が構成されている。
【0042】
次に、第2実施例の作用を説明する。比較器30では、三角波発振器67の発振出力のレベルと、抵抗28及び29により適当な値に分圧された高電圧出力レベルとが比較され、両者のレベル差に応じたPWM信号が出力されてゲート信号GとしてFET24のゲート端子に与えられる。FET24は、そのPWM信号のハイレベルのパルス幅に応じて昇圧用ソレノイド21を通断電制御するので、第1実施例の高電圧安定化電源回路38と同様な高電圧出力が得られる。
【0043】
図7は本発明の第3実施例を示すものであり、第1実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分のみ説明する。第3実施例では、第1実施例の高電圧安定化電源回路38の昇圧用ソレノイド21の代わりにパルストランス(昇圧用ソレノイド)70の1次コイル70aが接続され、グランドとダイオード22のアノードとの間には、パルストランス70の2次コイル70bが接続されており、以て、高電圧安定化電源回路71が構成されている。他は第1実施例と同一構成である。
【0044】
次に、第3実施例の作用を説明する。高電圧安定化電源回路71は、FET24によってパルストランス70の1次コイル70aを通断電することにより、その2次コイル70bに誘起される電流でコンデンサ23を充電する所謂フライバック方式で構成されているので、第1実施例の高電圧安定化電源回路38と同様な高電圧出力が得られる。
【0045】
図8は本発明の第4実施例を示すものであり、第1実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分のみ説明する。第4実施例では、第1実施例のインジェクタ電流駆動回路40aにおけるFET59の代わりに、PNP型のトランジスタ72が、エミッタ端子を高電圧電源線25側にして接続されている。また、FET43は、駆動用ソレノイド63aと電流検出抵抗65との間から除かれており、両者は直結されている。
【0046】
そして、その駆動用ソレノイド63a及び電流検出抵抗65の直列回路と並列に、逆方向のダイオード80とNPN型のトランジスタ73との直列回路がコレクタ端子をグランド側にして接続され、トランジスタ73のコレクタ及びエミッタ端子間には、ツェナーダイオード74が逆方向に接続されており、フライホイールダイオード62及び回生用ダイオード64は除かれている。他は、第1実施例と同一構成である。以上がインジェクタ電流駆動回路75aを構成している。しかして、トランジスタ72及び73のベース端子には、第1実施例のゲート信号G2及びG1がそれぞれに与えられるようになっており、従って、第1実施例と略同様の作用効果が得られる。
【0047】
図9は本発明の第5実施例を示すものであり、第1実施例と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、以下異なる部分のみ説明する。第5実施例では、インジェクタ電流駆動回路40aにおけるFET43の代わりにNPN型のトランジスタ76が接続されている。
【0048】
そして、FET59は除かれており、駆動用ソレノイド63aの一端子は高電圧電源線25に直結されている。また、駆動用ソレノイド63aに並列に、逆方向のダイオード81とNPN型のトランジスタ77との直列回路がエミッタ端子を高電圧電源線25側にして接続され、更に、ツェナーダイオード78もまた、トランジスタ77のコレクタ及びエミッタ間に接続されている。尚、第4実施例と同様に、フライホイールダイオード62及び回生用ダイオード64は除かれており、他は、第1実施例と同一構成である。以上がインジェクタ電流駆動回路79aを構成している。しかして、トランジスタ76のベース端子には、第1実施例のゲート信号G2と逆相のゲート信号が与えられ、トランジスタ77のベース端子には、第1実施例のゲート信号G1が与えられるようになっており、従って、第1実施例と略同様の作用効果が得られる。
【0049】
本発明は上記しかつ図面に記載した実施例にのみ限定されるものではなく、以下のような変形が可能である。
第1乃至第3実施例におけるスイッチング素子の内、nチャネルのFETはNPN形のトランジスタに置き換えても良い。また、FET59は、抵抗60及びツェナーダイオード61を削除してPNP形トランジスタに置き換えても良い。
【0050】
矩形波発振回路37の発振周波数及びデュ−ティ比は、高電圧安定化電源回路38の出力電圧、昇圧用ソレノイド21のインダクタンスや通電時間及び通電時間後の電流値を変更することにより適宜変更が可能である。
起動電流の設定電流値1.2A及び保持電流の電流値0.4Aについても駆動用ソレノイド63aの選択に応じて変更して良く、その変更に応じて電流検出抵抗65の抵抗値を変更したり、抵抗49乃至51の抵抗値を変えて分圧比を適宜変更すれば良い。
抵抗28及び29の分圧比を、基準電圧源31の出力電圧に応じて適宜変更して良い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示すインジェクタの駆動装置の電気的構成を示す図
【図2】高電圧安定化電源回路の制御回路の電気的構成を示す図
【図3】インジェクタ電流駆動回路の第2の制御回路の電気的構成を示す図
【図4】高電圧安定化電源回路の動作波形図
【図5】インジェクタの駆動装置の図4相当図
【図6】本発明の第2実施例の要部を示す図1相当図
【図7】本発明の第3実施例の要部を示す図1相当図
【図8】本発明の第4実施例の要部を示す図1相当図
【図9】本発明の第5実施例の要部を示す図1相当図
【図10】従来技術を示す図1相当図
【図11】動作波形図
【符号の説明】
20はバッテリ(低電圧直流電源)、21は昇圧用ソレノイド、23はコンデンサ、24はFET(スイッチング素子)、27は制御回路、38は高電圧安定化電源、39はECU(第1の制御回路)、40a,40b,…はインジェクタ電流駆動回路、43はFET(駆動用スイッチング素子)、45は第2の制御回路、59はFET(制御用スイッチング素子)、63a,63b,…は駆動用ソレノイド、64は回生用ダイオード、65は電流検出抵抗、66は駆動装置、68は制御回路、69は高電圧安定化電源回路、70はパルストランス(昇圧用ソレノイド)、71は高電圧安定化電源回路、72及び73はトランジスタ、75aはインジェクタ電流駆動回路、76及び77はトランジスタ、79aはインジェクタ電流駆動回路を示す。
Claims (3)
- 低電圧直流電源と、
この低電圧直流電源により昇圧用ソレノイドに通断電するスイッチング素子及び前記昇圧用ソレノイドの蓄積エネルギが蓄積されるコンデンサ並びに前記スイッチング素子をオンオフ制御してコンデンサの端子間電圧を高電圧に一定に保持する制御回路を備えた高電圧安定化電源回路と、
この高電圧安定化電源回路によりインジェクタの駆動用ソレノイドに起動電流を供給した後保持電流を供給するインジェクタ電流駆動回路と、
前記駆動用ソレノイドに流れる電流を検出する電流検出抵抗とを備え、
前記電流検出抵抗により検出された電流値に応じて、前記起動電流並びに前記保持電流を制御することを特徴とするインジェクタの駆動装置。 - インジェクタ電流駆動回路は、
高電圧安定化電源回路より供給される高電圧安定化電源をインジェクタの駆動用ソレノイドに供給する制御用スイッチング素子及び駆動用スイッチング素子と、
インジェクタを開弁させるタイミングと時間に応じて、前記駆動用スイッチング素子にゲート信号を与える第1の制御回路と、
この第1の制御回路のゲート信号を受けて動作を開始し、前記電流検出抵抗により検出された電流値に応じて前記制御用スイッチング素子にゲート信号を与える第2の制御回路とを具備し、
この第2の制御回路は、前記電流検出抵抗が設定電流値を検出するまでは前記制御用スイッチング素子にゲート信号を連続的に与え、その後は保持電流に維持するように間欠的にゲート信号を与えて電流制御するように構成されていることを特徴とする請求項1記載のインジェクタの駆動装置。 - 低電圧直流電源と、
この低電圧直流電源により昇圧用ソレノイドに通断電するスイッチング素子及び前記昇圧用ソレノイドの蓄積エネルギが蓄積されるコンデンサ並びに前記スイッチング素子をオンオフ制御してコンデンサの端子間電圧を高電圧に一定に保持する制御回路を備えた高電圧安定化電源回路と、
この高電圧安定化電源回路によりインジェクタの駆動用ソレノイドに起動電流を供給した後保持電流を供給するインジェクタ電流駆動回路とを具備し、
前記インジェクタ電流駆動回路は、
高電圧安定化電源回路より供給される高電圧安定化電源をインジェクタの駆動用ソレノイドに供給する制御用スイッチング素子及び駆動用スイッチング素子と、
インジェクタの駆動用ソレノイドに流れる電流を検出する電流検出抵抗と、
インジェクタを開弁させるタイミングと時間に応じて、前記駆動用スイッチング素子にゲート信号を与える第1の制御回路と、
この第1の制御回路のゲート信号を受けて動作を開始し、前記電流検出抵抗により検出された電流値に応じて前記制御用スイッチング素子にゲート信号を与える第2の制御回路とを具備し、
この第2の制御回路は、前記電流検出抵抗が設定電流値を検出するまでは前記制御用スイッチング素子にゲート信号を連続的に与え、その後は保持電流に維持するように間欠的にゲート信号を与えて電流制御するように構成され、
前記インジェクタ電流駆動回路の制御用スイッチング素子及び駆動用スイッチング素子が共にオフした時に駆動用ソレノイドに残った電磁エネルギを高電圧安定化電源回路に回生する回生用ダイオード備えたことを特徴とするインジェクタの駆動装置。
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