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JP3939192B2 - Duplexer - Google Patents

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JP3939192B2
JP3939192B2 JP2002121589A JP2002121589A JP3939192B2 JP 3939192 B2 JP3939192 B2 JP 3939192B2 JP 2002121589 A JP2002121589 A JP 2002121589A JP 2002121589 A JP2002121589 A JP 2002121589A JP 3939192 B2 JP3939192 B2 JP 3939192B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アンテナによって受信された高周波信号から帯域の異なる2種類の高周波信号を選択的に抽出するための分波器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、携帯電話機においては、図5に示す如く、アンテナ(1)にアンテナ共用器(2)を介して送信系(3)及び受信系(4)を接続して、1本のアンテナ(1)を送信系(3)と受信系(4)で共用している。
ところで、欧州においては、EGSM(Extended Global System for Mobile Communication)方式とDCS(Digital Communication System)方式の2つの異なるバンドの携帯電話方式が実用化され、北米においては、GSM(Global System for Mobile Communication)850方式とPCS(Personal Communication System)方式の2つの異なるバンドの携帯電話方式が実用化されている。
そこで、欧州及び北米において何れのバンドにも対応することが出来る携帯電話機の開発が進められている。
【0003】
この様なマルチバンド対応型の携帯電話機の場合、アンテナ共用器(2)は、例えば図3に示す如く、アンテナが接続されるべきアンテナ端子ANTと、送信系が接続されるべき第1及び第2の送信側端子(11)(12)と、受信系が接続されるべき第1〜第4の受信側端子(13)(14)(15)(16)を具えている。
アンテナ端子ANTはダイプレクサ(5)のアンテナ側端子に接続されている。第1送信側端子(11)は、800MHz帯の高周波信号を通過させるべき第1ローパスフィルター(8)を介して、ダイプレクサ(5)の第1送信側出力端子に接続され、第2送信側端子(12)は、1800MHz帯の高周波信号を通過させるべき第2ローパスフィルター(9)を介して、ダイプレクサ(5)の第2送信側出力端子に接続されている。
又、ダイプレクサ(5)の第1受信側入力端子は、800MHz帯の高周波信号を処理すべき第1分波器(60)を介して、第1受信側端子(13)及び第2受信側端子(14)に接続され、ダイプレクサ(5)の第2受信側出力端子は、1800MHz帯の高周波信号を処理すべき第2分波器(70)を介して、第3受信側端子(15)及び第4受信側端子(16)へ接続されている。
【0004】
第1分波器(60)は、±90°の移相器(61)と、EGSM方式に対応する800HHz帯の高周波信号を通過させるべき第1弾性表面波フィルター(62)と、GSM850方式に対応する800MHz帯の高周波信号を通過させるべき第2弾性表面波フィルター(63)とから構成される。又、第2分波器(70)は、±90°の移相器(71)と、DCS方式に対応する1800MHz帯の高周波信号を通過させるべき第3弾性表面波フィルター(72)と、PCS方式に対応する1800MHz帯の高周波信号を通過させるべき第4弾性表面波フィルター(73)とから構成される。
【0005】
上述のアンテナ共用器(2)を具えた携帯電話機においては、送信バンドが800MHzの場合、送信系は第1送信側端子(11)に接続され、送信バンドが1800MHzの場合、送信系は第2送信側端子(12)に接続される。
又、欧州においては、受信バンドが800MHzの場合、受信系は第1受信側端子(13)に接続され、受信バンドが1800MHzの場合、受信系は第3受信側端子(15)に接続される。一方、北米においては、受信バンドが800MHzの場合、受信系は第2受信側端子(14)に接続され、受信バンドが1800MHzの場合、受信系は第4受信側端子(16)に接続される。
【0006】
第1分波器(60)の移相器(61)は、受信信号がEGSM方式に対応する800MHz帯の高周波信号の場合は第1弾性表面波フィルター(62)のみを機能させ、受信信号がGSM850方式に対応する800MHz帯の高周波信号の場合は第2弾性表面波フィルター(63)のみを機能させるものである。又、第2分波器(70)の移相器(71)は、受信信号がDCS方式に対応する1800MHz帯の高周波信号の場合は第3弾性表面波フィルター(72)のみを機能させ、受信信号がPCS方式に対応する1800MHz帯の高周波信号の場合は第4弾性表面波フィルター(73)のみを機能させるものである。
【0007】
例えば第1分波器(60)に装備される移相器(61)は、図6に示す如く、アンテナに繋がる共用信号線路(64)と、共用信号線路(64)から分岐して第1弾性表面波フィルター(62)に繋がる第1分岐信号線路(65)と、共用信号線路(64)から分岐して第2弾性表面波フィルター(63)に繋がる第2分岐信号線路(66)とを具えている。第1分岐信号線路(65)には、第1キャパシタンス素子C1が介在すると共に、第1インダクタンス素子L1の一端が連結され、該第1インダクタンス素子L1の他端は接地されている。又、第2分岐信号線路(66)には、第2インダクタンス素子L2が介在すると共に、第2キャパシタンス素子L2の一端が連結され、該第2キャパシタンス素子L2の他端は接地されている。又、共用信号線路(64)には、第3キャパシタンス素子C3が介在している。
図3に示す第2分波器(70)に装備される移相器(71)も、上記移相器(61)と同様の構成である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
図8は、第1弾性表面波フィルター(62)の通過特性を実線で示すと共に、第2弾性表面波フィルター(63)の通過特性を一点鎖線で示したものであって、両通過特性の通過帯域は、EGSM方式の受信バンドとGSM850方式の受信バンドに応じて互いにずれており、これによってマルチバンド対応が図られている。
【0009】
しかしながら、第1弾性表面波フィルター(62)の通過特性においては、通過帯域から低周波数側にずれた位置にもピークPが発生しており、その周波数では信号の減衰量が劣化している。該周波数成分は、僅かに減衰するだけで第1弾性表面波フィルター(62)を通過するので、後段の増幅回路において妨害信号となって顕れ、受信性能を悪化させることになる。
そこで本発明の目的は、従来よりも高い受信性能を得ることが出来る分波器を提供することである。
【0010】
【課題を解決する為の手段】
上記目的を達成するべく本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、従来の検波器の弾性表面波フィルターの通過特性において通過帯域よりも低周波数側にピークPが発生する原因を次のように究明し、本発明の完成に至った。
【0011】
即ち、図6に示す如く第1弾性表面波フィルター(62)には、その入出力ポート間に、第1分岐信号線路(65)に対して並列のキャパシタンス成分C′と直列のキャパシタンス成分C″が含まれており、該並列キャパシタンス成分C′と移相器(61)の第1インダクタンス素子L1とがLC共振回路を構成して、通過帯域よりも低域側で共振を発生し、前述のピークPを生起させるのである。
そこで本発明においては、上記共振の発生点にて通過特性にトラップを形成して、共振を打ち消すことにより、分波器の受信性能を改善する。
【0012】
本発明に係る分波器は、共用信号線路(64)と、該共用信号線路(64)から分岐する第1分岐信号線路(65)及び第2分岐信号線路(66)と、第1分岐信号線路(65)に介在する第1キャパシタンス素子C1と、第1分岐信号線路(65)に一端が連結され他端が接地された第1インダクタンス素子L1と、第1分岐信号線路(65)に介在する第1弾性表面波フィルター(62)と、第2分岐信号線路(66)に介在する第2インダクタンス素子L2と、第2分岐信号線路(66)に一端が連結され他端が接地された第2キャパシタンス素子C2と、第2分岐信号線路(66)に介在する第2弾性表面波フィルター(63)とを具えると共に、第1弾性表面波フィルター(62)に含まれる第1分岐信号線路(65)に対する直列キャパシタンス成分C”との組み合わせで共振回路を構成すべき第3インダクタンス素子L3を第1弾性表面波フィルター(62)に対して並列に接続している。
【0013】
上記本発明の分波器においては、前記第1キャパシタンス素子C1及び第1インダクタンス素子L1によって第1LC回路が構成されると共に、前記第2インダクタンス素子L2及び第2キャパシタンス素子C2によって第2LC回路が構成され、両LC回路は、アンテナ(1)によって受信された高周波信号に±90°の位相差を与える移相器(61)を構成している。
該分波器においては、第1弾性表面波フィルター(62)に含まれる並列キャパシタンス成分C′と移相器(61)の第1インダクタンス素子L1とによって共振回路が構成されるが、第1弾性表面波フィルター(62)に含まれる直列キャパシタンス成分C”と第3インダクタンス素子L3とによって前記共振回路とは逆特性(トラップ特性)の共振回路が構成されて、2つの共振回路の共振特性が互いに相殺されることになる。
従って、第1弾性表面波フィルター(62)の通過帯域よりも低域側に発生していた従来のピークは抑圧され、通過帯域の外側に十分な減衰量が得られる。
【0014】
【発明の効果】
本発明に係る分波器によれば、通過帯域の外側に十分な減衰量が得られるので、従来よりも高い受信性能を得ることが出来る。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を携帯電話機のアンテナ共用器に実施した形態につき、図面に沿って具体的に説明する。尚、本発明に係る分波器は、表面にキャパシタンス素子パターンやインダクタンス素子パターンを形成したLTCC(低温焼結セラミック)製のセラミックス層を積層してセラミックス積層体とし、モジュール化された小型のRF部品を構成したものであって、図3に示すアンテナ共用器(2)の第1分波器(60)及び第2分波器(70)として採用する。
【0016】
第1実施例
図1に示す本発明の第1分波器(6)は、前記ダイプレクサ(5)と繋がる共用信号線路(64)と、共用信号線路(64)から分岐して第1弾性表面波フィルター(62)に繋がる第1分岐信号線路(65)と、共用信号線路(64)から分岐して第2弾性表面波フィルター(63)に繋がる第2分岐信号線路(66)とを具えている。第1分岐信号線路(65)には、第1キャパシタンス素子C1が介在すると共に、第1インダクタンス素子L1の一端が接続され、該第1インダクタンス素子L1の他端は接地されている。又、第2分岐信号線路(66)には、第2インダクタンス素子L2が介在すると共に、第2キャパシタンス素子C2の一端が接続され、該第2キャパシタンス素子C2の他端は接地されている。更に、共用信号線路(64)には第3キャパシタンス素子C3が介在している。
更に又、第1弾性表面波フィルター(62)に対して並列に第3インダクタンス素子L3が接続されている。
【0017】
上記第1分波器(6)においては、第1キャパシタンス素子C1及び第1インダクタンス素子L1によって第1LC回路が構成されると共に、前記第2インダクタンス素子L2及び第2キャパシタンス素子C2によって第2LC回路が構成され、両LC回路は、アンテナ(1)によって受信された高周波信号に±90°の位相差を与える移相器(61)を構成している。
移相器(61)は、受信信号がEGSM方式に対応する800MHz帯の高周波信号の場合は第1弾性表面波フィルター(62)のみを機能させ、受信信号がGSM850方式に対応する800MHz帯の高周波信号の場合は第2弾性表面波フィルター(63)のみを機能させる。
【0018】
上記第1分波器(6)においては、第1弾性表面波フィルター(62)に含まれる並列キャパシタンス成分C′と移相器(61)の第1インダクタンス素子L1とによって共振回路が構成されるが、第1キャパシタンス素子C1と第3インダクタンス素子L3とによって前記共振回路とは逆特性(トラップ特性)の共振回路が構成されて、2つの共振回路の共振特性が互いに相殺されることになる。
従って、第1弾性表面波フィルター(62)の通過帯域よりも低域側に発生していた従来のピークは抑圧され、通過帯域の外側に十分な減衰量が得られる。
尚、第2分波器(7)も同様の構成であって、同様の作用効果が得られる。
【0019】
図7は、第1弾性表面波フィルター(62)の通過特性を実線で示すと共に、第2弾性表面波フィルター(63)の通過特性を一点鎖線で示したものであって、両通過特性の通過帯域は、EGSM方式の受信バンドとGSM850方式の受信バンドに応じて互いにずれており、これによってマルチバンド対応が図られている。
第1弾性表面波フィルター(62)の通過特性においては、通過帯域よりも低周波数側に発生していた従来のピークは十分に抑圧されており、通過帯域の外側には十分な減衰量が得られている。従って、第1弾性表面波フィルター(62)を通過した信号が後段の増幅回路へ供給された場合に妨害信号が顕れることはなく、良好な受信性能を得ることが出来る。
【0020】
第2実施例
図1に示す本発明の第1分波器(6)は、移相器(61)については第1実施例と同じ構成を有しているが、第1キャパシタンス素子C1に対して並列に第3インダクタンス素子L3が接続されている。
【0021】
上記第1分波器(6)においても、第1弾性表面波フィルター(62)に含まれる並列キャパシタンス成分C′と移相器(61)の第1インダクタンス素子L1とによって共振回路が構成されるが、第1キャパシタンス素子C1と第3インダクタンス素子L3とによって前記共振回路とは逆特性(トラップ特性)の共振回路が構成されて、2つの共振回路の共振特性が互いに相殺されることになる。
従って、第1弾性表面波フィルター(62)の通過帯域よりも低域側に発生していた従来のピークは抑圧され、通過帯域の外側に十分な減衰量が得られる。
尚、第2分波器(7)も同様の構成であって、同様の作用効果が得られる。
【0022】
尚、本発明の各部構成は上記実施の形態に限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能である。例えば、本発明は、図4に示す如くダイプレクサ(5)と分波器(60)の間に切換えスイッチ(10)が介在すると共に第1弾性表面波フィルター(62)及び第2弾性表面波フィルター(63)の両出力端が移相器(67)を介して受信側端子(17)に接続されているアンテナ共用器(2)に実施することも可能である。この場合、分波器(6)(7)は、図1及び図2に示す構成とは入出力関係が逆となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明における第1実施例の分波器の回路図である。
【図2】本発明における第2実施例の分波器の回路図である。
【図3】アンテナ共用器の構成を示すブロック図である。
【図4】アンテナ共用器の他の構成を示すブロック図である。
【図5】携帯電話機の構成を示すブロック図である。
【図6】従来の分波器の回路図である。
【図7】本発明の分波器の通過特性を示すグラフである。
【図8】従来の分波器の通過特性を示すグラフである。
【符号の説明】
(1) アンテナ
(2) アンテナ共用器
(3) 送信系
(4) 受信系
(5) ダイプレクサ
(6) 分波器
(61) 移相器
(62) 第1弾性表面波フィルター
(63) 第2弾性表面波フィルター
C1 第1キャパシタンス素子
C2 第2キャパシタンス素子
L1 第1インダクタンス素子
L2 第3インダクタンス素子
L3 第3インダクタンス素子
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a duplexer for selectively extracting two types of high frequency signals having different bands from a high frequency signal received by an antenna.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, in a cellular phone, as shown in FIG. 5, a transmission system (3) and a reception system (4) are connected to an antenna (1) via an antenna duplexer (2), thereby providing one antenna (1). Is shared by the transmission system (3) and the reception system (4).
By the way, in Europe, two different band mobile phone systems, EGSM (Extended Global System for Mobile Communication) system and DCS (Digital Communication System) system, have been put into practical use. In North America, GSM (Global System for Mobile Communication) system has been put into practical use. Two different band mobile phone systems, the 850 system and the PCS (Personal Communication System) system, have been put into practical use.
Therefore, development of mobile phones that can support any band in Europe and North America is underway.
[0003]
In the case of such a multi-band mobile phone, the antenna duplexer (2) includes, as shown in FIG. 3, for example, an antenna terminal ANT to which the antenna is connected and the first and second antennas to which the transmission system is connected. 2 transmission side terminals (11), (12), and first to fourth reception side terminals (13), (14), (15), (16) to which a reception system is to be connected.
The antenna terminal ANT is connected to the antenna side terminal of the diplexer (5). The first transmission side terminal (11) is connected to the first transmission side output terminal of the diplexer (5) via the first low-pass filter (8) through which a high frequency signal in the 800 MHz band should pass, and the second transmission side terminal. (12) is connected to the second transmission-side output terminal of the diplexer (5) via a second low-pass filter (9) through which a high-frequency signal in the 1800 MHz band should pass.
The first receiving side input terminal of the diplexer (5) is connected to the first receiving side terminal (13) and the second receiving side terminal via the first demultiplexer (60) that should process a high frequency signal in the 800 MHz band. The second receiving-side output terminal of the diplexer (5) is connected to the third receiving-side terminal (15) and the second demultiplexer (70) to process a high-frequency signal in the 1800 MHz band. It is connected to the fourth receiving side terminal (16).
[0004]
The first branching filter (60) includes a ± 90 ° phase shifter (61), a first surface acoustic wave filter (62) that should pass a high-frequency signal in the 800 Hz band corresponding to the EGSM method, and a GSM850 method. It comprises a second surface acoustic wave filter (63) through which a corresponding 800 MHz band high frequency signal should pass. The second demultiplexer (70) includes a ± 90 ° phase shifter (71), a third surface acoustic wave filter (72) to pass a 1800 MHz band high frequency signal corresponding to the DCS system, and a PCS. It comprises a fourth surface acoustic wave filter (73) through which a high-frequency signal in the 1800 MHz band corresponding to the system should pass.
[0005]
In the cellular phone provided with the antenna duplexer (2), when the transmission band is 800 MHz, the transmission system is connected to the first transmission terminal (11), and when the transmission band is 1800 MHz, the transmission system is the second transmission system. Connected to the transmitting terminal (12).
In Europe, when the reception band is 800 MHz, the reception system is connected to the first reception side terminal (13), and when the reception band is 1800 MHz, the reception system is connected to the third reception side terminal (15). . On the other hand, in North America, when the reception band is 800 MHz, the reception system is connected to the second reception terminal (14), and when the reception band is 1800 MHz, the reception system is connected to the fourth reception terminal (16). .
[0006]
The phase shifter (61) of the first demultiplexer (60) operates only the first surface acoustic wave filter (62) when the received signal is a high-frequency signal in the 800 MHz band corresponding to the EGSM system. In the case of an 800 MHz band high frequency signal corresponding to the GSM850 system, only the second surface acoustic wave filter (63) is made to function. The phase shifter (71) of the second demultiplexer (70) allows only the third surface acoustic wave filter (72) to function when the received signal is a high-frequency signal in the 1800 MHz band corresponding to the DCS system. When the signal is a high-frequency signal in the 1800 MHz band corresponding to the PCS system, only the fourth surface acoustic wave filter (73) is made to function.
[0007]
For example, as shown in FIG. 6, the phase shifter (61) provided in the first duplexer (60) branches from the shared signal line (64) connected to the antenna and the shared signal line (64) to the first. A first branched signal line (65) connected to the surface acoustic wave filter (62) and a second branched signal line (66) branched from the shared signal line (64) and connected to the second surface acoustic wave filter (63). It has. A first capacitance element C1 is interposed in the first branch signal line (65), and one end of the first inductance element L1 is connected to the other end of the first inductance element L1. A second inductance element L2 is interposed in the second branch signal line 66, and one end of the second capacitance element L2 is connected to the other end of the second capacitance element L2. A third capacitance element C3 is interposed in the shared signal line (64).
The phase shifter (71) equipped in the second duplexer (70) shown in FIG. 3 has the same configuration as the phase shifter (61).
[0008]
[Problems to be solved by the invention]
FIG. 8 shows the pass characteristic of the first surface acoustic wave filter (62) by a solid line and the pass characteristic of the second surface acoustic wave filter (63) by a one-dot chain line. The bands are shifted from each other in accordance with the reception band of the EGSM system and the reception band of the GSM850 system, thereby achieving multiband correspondence.
[0009]
However, in the pass characteristic of the first surface acoustic wave filter (62), a peak P is also generated at a position shifted from the pass band to the low frequency side, and the signal attenuation is deteriorated at that frequency. Since the frequency component passes through the first surface acoustic wave filter (62) with only slight attenuation, it appears as an interference signal in the subsequent amplification circuit, and deteriorates the reception performance.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a duplexer capable of obtaining higher reception performance than before.
[0010]
[Means for solving the problems]
As a result of intensive studies conducted by the present inventors to achieve the above object, the cause of the occurrence of the peak P on the lower frequency side of the pass band in the pass characteristics of the surface acoustic wave filter of the conventional detector is as follows. As a result, the present invention has been completed.
[0011]
That is, as shown in FIG. 6, the first surface acoustic wave filter 62 has a capacitance component C ″ in series with a capacitance component C ′ in parallel with the first branch signal line 65 between its input and output ports. The parallel capacitance component C ′ and the first inductance element L1 of the phase shifter (61) constitute an LC resonance circuit, and generate resonance at a lower frequency side than the pass band. The peak P is generated.
Therefore, in the present invention, the reception performance of the duplexer is improved by forming a trap in the pass characteristic at the resonance occurrence point and canceling the resonance.
[0012]
The duplexer according to the present invention includes a shared signal line (64), a first branch signal line (65) and a second branch signal line (66) branched from the shared signal line (64), and a first branch signal. The first capacitance element C1 interposed in the line (65), the first inductance element L1 having one end connected to the first branch signal line (65) and the other end grounded, and the first branch signal line (65) The first surface acoustic wave filter 62, the second inductance element L2 interposed in the second branch signal line 66, and the second branch signal line 66 having one end connected to the other end and grounded. The first surface acoustic wave filter (62) includes a second capacitance element C2 and a second surface acoustic wave filter (63) interposed in the second branch signal line (66). A third inductor to form a resonant circuit in combination with a series capacitance component C ″ for 65) They are connected in parallel to the scan element L3 with respect to the first surface acoustic wave filter (62).
[0013]
In the duplexer of the present invention, a first LC circuit is constituted by the first capacitance element C1 and the first inductance element L1, and a second LC circuit is constituted by the second inductance element L2 and the second capacitance element C2. Both LC circuits constitute a phase shifter (61) that gives a phase difference of ± 90 ° to the high-frequency signal received by the antenna (1).
In the duplexer, a resonant circuit is constituted by the parallel capacitance component C ′ included in the first surface acoustic wave filter (62) and the first inductance element L1 of the phase shifter (61). The series capacitance component C ″ included in the surface wave filter (62) and the third inductance element L3 form a resonance circuit having a reverse characteristic (trap characteristic) to the resonance circuit, and the resonance characteristics of the two resonance circuits are mutually different. Will be offset.
Therefore, the conventional peak generated on the lower side of the pass band of the first surface acoustic wave filter (62) is suppressed, and a sufficient amount of attenuation is obtained outside the pass band.
[0014]
【The invention's effect】
According to the duplexer according to the present invention, a sufficient attenuation amount can be obtained outside the passband, so that a higher reception performance than the conventional one can be obtained.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments in which the present invention is implemented in an antenna duplexer of a mobile phone will be specifically described below with reference to the drawings. The duplexer according to the present invention has a ceramic laminated body formed by laminating a ceramic layer made of LTCC (low temperature sintered ceramic) having a capacitance element pattern and an inductance element pattern formed on the surface, and is made into a small RF module that is modularized. This is a component and is adopted as the first duplexer (60) and the second duplexer (70) of the antenna duplexer (2) shown in FIG.
[0016]
First embodiment A first duplexer (6) of the present invention shown in FIG. 1 is branched from a shared signal line (64) connected to the diplexer (5) and the shared signal line (64). A first branched signal line (65) connected to the first surface acoustic wave filter (62) and a second branched signal line (66) branched from the shared signal line (64) and connected to the second surface acoustic wave filter (63) And has. A first capacitance element C1 is interposed in the first branch signal line (65), and one end of the first inductance element L1 is connected to the other end of the first inductance element L1. A second inductance element L2 is interposed in the second branch signal line 66, and one end of the second capacitance element C2 is connected to the other end of the second capacitance element C2. Further, a third capacitance element C3 is interposed in the shared signal line (64).
Furthermore, a third inductance element L3 is connected in parallel to the first surface acoustic wave filter (62).
[0017]
In the first duplexer (6), the first LC circuit is constituted by the first capacitance element C1 and the first inductance element L1, and the second LC circuit is constituted by the second inductance element L2 and the second capacitance element C2. Both LC circuits constitute a phase shifter (61) that gives a phase difference of ± 90 ° to the high-frequency signal received by the antenna (1).
When the received signal is an 800 MHz band high frequency signal corresponding to the EGSM system, the phase shifter (61) functions only the first surface acoustic wave filter (62), and the received signal is an 800 MHz band high frequency signal corresponding to the GSM850 system. In the case of a signal, only the second surface acoustic wave filter (63) is made to function.
[0018]
In the first duplexer (6), a resonant circuit is constituted by the parallel capacitance component C ′ included in the first surface acoustic wave filter (62) and the first inductance element L1 of the phase shifter (61). However, the first capacitance element C1 and the third inductance element L3 constitute a resonance circuit having a reverse characteristic (trap characteristic) to the resonance circuit, and the resonance characteristics of the two resonance circuits cancel each other.
Therefore, the conventional peak generated on the lower side of the pass band of the first surface acoustic wave filter (62) is suppressed, and a sufficient amount of attenuation is obtained outside the pass band.
The second duplexer (7) has the same configuration, and the same operational effects can be obtained.
[0019]
FIG. 7 shows the pass characteristic of the first surface acoustic wave filter (62) by a solid line and the pass characteristic of the second surface acoustic wave filter (63) by a one-dot chain line. The bands are shifted from each other in accordance with the reception band of the EGSM system and the reception band of the GSM850 system, thereby achieving multiband correspondence.
In the pass characteristic of the first surface acoustic wave filter (62), the conventional peak generated on the lower frequency side than the pass band is sufficiently suppressed, and sufficient attenuation is obtained outside the pass band. It has been. Therefore, when the signal that has passed through the first surface acoustic wave filter (62) is supplied to the amplifier circuit at the subsequent stage, no interference signal appears and good reception performance can be obtained.
[0020]
Second embodiment The first duplexer (6) of the present invention shown in Fig. 1 has the same configuration as the first embodiment with respect to the phase shifter (61), but the first capacitance. A third inductance element L3 is connected in parallel to the element C1.
[0021]
Also in the first duplexer (6), a resonance circuit is constituted by the parallel capacitance component C ′ included in the first surface acoustic wave filter (62) and the first inductance element L1 of the phase shifter (61). However, the first capacitance element C1 and the third inductance element L3 constitute a resonance circuit having a reverse characteristic (trap characteristic) to the resonance circuit, and the resonance characteristics of the two resonance circuits cancel each other.
Therefore, the conventional peak generated on the lower side of the pass band of the first surface acoustic wave filter (62) is suppressed, and a sufficient amount of attenuation is obtained outside the pass band.
The second duplexer (7) has the same configuration, and the same operational effects can be obtained.
[0022]
In addition, each part structure of this invention is not restricted to the said embodiment, A various deformation | transformation is possible within the technical scope as described in a claim. For example, in the present invention, as shown in FIG. 4, a changeover switch (10) is interposed between a diplexer (5) and a duplexer (60), and a first surface acoustic wave filter (62) and a second surface acoustic wave filter are provided. It is also possible to implement in the antenna duplexer (2) in which both output terminals of (63) are connected to the receiving side terminal (17) via the phase shifter (67). In this case, the duplexers (6) and (7) have an input / output relationship opposite to the configuration shown in FIGS.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a circuit diagram of a duplexer according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram of a duplexer according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of an antenna duplexer.
FIG. 4 is a block diagram showing another configuration of the antenna duplexer.
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of a mobile phone.
FIG. 6 is a circuit diagram of a conventional duplexer.
FIG. 7 is a graph showing pass characteristics of the duplexer of the present invention.
FIG. 8 is a graph showing pass characteristics of a conventional duplexer.
[Explanation of symbols]
(1) Antenna
(2) Antenna duplexer
(3) Transmission system
(4) Reception system
(5) Diplexer
(6) Splitter
(61) Phase shifter
(62) First surface acoustic wave filter
(63) Second surface acoustic wave filter C1 First capacitance element C2 Second capacitance element L1 First inductance element L2 Third inductance element L3 Third inductance element

Claims (3)

共用信号線路(64)と、該共用信号線路(64)から分岐する第1分岐信号線路(65)及び第2分岐信号線路(66)と、第1分岐信号線路(65)に介在する第1キャパシタンス素子C1と、第1分岐信号線路(65)に一端が連結され他端が接地された第1インダクタンス素子L1と、第1分岐信号線路(65)に介在する第1弾性表面波フィルター(62)と、第2分岐信号線路(66)に介在する第2インダクタンス素子L2と、第2分岐信号線路(66)に一端が連結され他端が接地された第2キャパシタンス素子C2と、第2分岐信号線路(66)に介在する第2弾性表面波フィルター(63)とを具えると共に、第1弾性表面波フィルター (62) に含まれる第1分岐信号線路 (65) に対する直列キャパシタンス成分C”との組み合わせで共振回路を構成すべき第3インダクタンス素子L3を第1弾性表面波フィルター (62) に対して並列に接続してなることを特徴とする分波器。The common signal line (64), the first branch signal line (65) and the second branch signal line (66) branching from the common signal line (64), and the first branch signal line (65) intervening in the first branch signal line (65). A capacitance element C1, a first inductance element L1 having one end connected to the first branch signal line (65) and the other end grounded, and a first surface acoustic wave filter (62) interposed in the first branch signal line (65) ), A second inductance element L2 interposed in the second branch signal line 66, a second capacitance element C2 having one end connected to the second branch signal line 66 and grounded at the other end, and a second branch A second surface acoustic wave filter (63) interposed in the signal line (66), and a series capacitance component C ″ for the first branch signal line (65) included in the first surface acoustic wave filter (62) ; The third inductance element L3, which should constitute a resonance circuit with a combination of Surface wave duplexer, characterized in that formed by connecting in parallel to the filter (62). 前記第1キャパシタンス素子C1及び第1インダクタンス素子L1によって第1LC回路が構成されると共に、前記第2インダクタンス素子L1及び第2キャパシタンス素子C2によって第2LC回路が構成され、両LC回路は、アンテナ(1)によって受信された高周波信号に±90°の位相差を与える移相器(61)を構成している請求項1に記載の分波器。  The first capacitance element C1 and the first inductance element L1 constitute a first LC circuit, and the second inductance element L1 and the second capacitance element C2 constitute a second LC circuit. 2. A duplexer according to claim 1, comprising a phase shifter (61) that gives a phase difference of ± 90 ° to the high-frequency signal received by (1). アンテナ(1)によって受信された高周波信号に±90°の位相差を与える移相器(61)と、該移相器(61)の2つの出力端に接続された第1弾性表面波フィルター(62)及び第2弾性表面波フィルター(63)とを具えた分波器において、前記移相器(61)は、アンテナ(1)へ繋がる共用信号線路(64)と、該共用信号線路(64)から分岐して第1弾性表面波フィルター(62)及び第2弾性表面波フィルター(63)へ繋がる第1分岐信号線路(65)及び第2分岐信号線路(66)と、第1分岐信号線路(65)に介在する第1キャパシタンス素子C1と、第1分岐信号線路(65)に一端が連結され他端が接地された第1インダクタンス素子L1と、第2分岐信号線路(66)に介在する第2インダクタンス素子L2と、第2分岐信号線路(66)に一端が連結され他端が接地された第2キャパシタンス素子C2とを具え、前記第1弾性表面波フィルター(62)に対して並列に第3インダクタンス素子L3が接続されていることを特徴とする分波器。A phase shifter (61) that gives a phase difference of ± 90 ° to a high-frequency signal received by the antenna (1), and a first surface acoustic wave filter connected to two output ends of the phase shifter (61) ( 62) and a second surface acoustic wave filter (63), the phase shifter (61) includes a shared signal line (64) connected to the antenna (1) and the shared signal line (64). ) Branching from the first surface acoustic wave filter (62) and the second surface acoustic wave filter (63), the first branch signal line (65) and the second branch signal line (66), and the first branch signal line The first capacitance element C1 interposed in (65), the first inductance element L1 having one end connected to the first branch signal line (65) and the other end grounded, and the second branch signal line (66). the second inductance element L2, a second capacitance element C2 to which the other end is connected at one end to the second branch signal line (66) is grounded The comprising, duplexer, wherein the third inductance element L3 is connected in parallel to the first surface acoustic wave filter (62).
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