JP4032268B2 - Wafer planar processing equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はウェーハの平面加工装置に係り、特に半導体ウェーハの製造工程で半導体ウェーハの裏面を研削加工するウェーハの平面加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェーハの裏面を研削する平面研削装置は、チャックテーブルと砥石とを備えており、このチャックテーブルで半導体ウェーハの表面を吸着保持し、そして、半導体ウェーハの裏面に砥石を押し付けると共に、チャックテーブル及び研削砥石を回転させてウェーハの裏面を研削する。
【0003】
このような平面研削装置は、ねじ送り装置によって砥石をテーブルに送り移動させる送り手段を有し、この送り手段による砥石の送り量を制御することにより、半導体ウェーハの研削量を制御している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、最近の半導体ウェーハは、ICの高集積化に伴って薄肉化の要求があり、斯かる要求によって高い研削精度が平面研削装置に要求されている。
しかしながら、従来の平面研削装置は、半導体ウェーハの研削量をねじ送り装置による定量送りで制御しているため、微小送りに限界があり、半導体ウェーハを所望の薄肉の厚さに研削することができない場合があるという欠点がある。
【0005】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ウェーハの加工精度を向上させることができるウェーハの平面加工装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決する為の手段】
本発明は、前記目的を達成するために、ウェーハを保持したテーブルと、該ウェーハを加工する砥石をねじ送り手段のねじ棒を回転させることによって相対的に近づく方向に定量移動させることにより砥石とウェーハとを押し当てると共に、砥石とウェーハとを相対的に回転させてウェーハを研削するウェーハの平面加工装置において、前記ねじ送り手段のねじ棒の回転のみによる定量移動による前記ウェーハの精研削が終了し前記ねじ送り手段のねじ棒の回転を停止させた後、前記ねじ送り手段のねじ棒の回転を停止させた状態の下、定圧力で前記砥石と前記ウェーハとを相対的に押圧することによって相対的に近づく方向に微小移動させ前記ウェーハのスパークアウトを行う押圧手段を設けたことを特徴としている。
【0007】
請求項1記載の発明によれば、平面加工装置に押圧手段を設け、この押圧手段を駆動してウェーハと砥石とを制御された圧力で押圧しながらウェーハを加工するようにした。これにより、ねじ送り装置では達成することが困難な微小送りによる加工が可能になるので、ウェーハの加工精度を向上させることができる。また、請求項1記載の発明によれば、粗加工及び精加工等の定量送りによる加工工程では、送り手段のみを駆動してウェーハを加工し、スパークアウト等の微小送りによる加工工程では、押圧手段のみを駆動してウェーハと砥石とを一定圧力で押し付けてウェーハを加工する。このように、ウェーハの加工過程において、送り手段と押圧手段とを別々に駆動制御することにより、ウェーハを精度良く且つ効率良く加工することができる。
【0008】
請求項2記載の発明によれば、前記押圧手段として、シリンダ装置、圧電素子、又は磁歪素子を適用したので、微小送りによる加工が可能となる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下添付図面に従って本発明に係るウェーハの平面加工装置の好ましい実施の形態について詳説する。図1は、本発明が適用された半導体ウェーハの平面研削装置の斜視図であり、図2は平面図である。
図1に示すように平面研削装置10の本体12には、カセット収納ステージ14、アライメントステージ16、粗研削ステージ18、仕上げ研削ステージ20、及び洗浄ステージ22が設けられている。
【0010】
前記カセット収納ステージ14には、2台のカセット24、24が着脱自在にセットされ、これらのカセット24、24には裏面研削前のウェーハ26が多数枚収納されている。このウェーハ26は、搬送用ロボット28によって1枚ずつ保持されて、次工程であるアライメントステージ16に順次搬送される。前記搬送用ロボット28は、本体12に立設されたビーム30に昇降装置32を介して吊り下げ支持される。また、前記昇降装置32は、ビーム30に内蔵された図示しない送りねじ装置に連結されており、この送りねじ装置で前記昇降装置32を送り移動させると、前記搬送用ロボット28が、ビーム30の配設方向に沿って図1、図2上矢印A、B方向に往復移動することができる。この搬送用ロボット28の前記移動と、搬送用ロボット28の動作によって、前記ウェーハ26が平面研削装置10内で予め設定された順路に従って順次搬送される。
【0011】
本実施の形態の如く搬送用ロボット28を吊り下げ支持すると、カセット収納ステージ14とアライメントステージ16との間隔を狭くすることができるので、平面研削装置10を小型化することができる。即ち、搬送用ロボット28を装置本体12の上面に設置すると、ウェーハ26を搬送する関係上、搬送用ロボット28をカセット収納ステージ14とアライメントステージ16との間のスペースに設置しなければならない。このため、前記スペースの分だけ平面研削装置10が無用に大型化する。これに対して、本実施の形態の平面研削装置10は、装置本体12の上方空間を搬送用ロボット28の設置スペース及び動作スペースとして有効利用したので、装置の小型化を図ることができる。
【0012】
前記ロボット28は、汎用の産業用ロボットであり、その構成はウェーハ26を吸着保持する馬蹄形のアーム34、及び3本のリンク36、38、40等から成っている。前記アーム34の先端には、ウェーハ26を吸着する吸着パッド35、35が設けられる。また、アーム34は、リンク36にその基端部が軸芯を中心に回転自在に支持され、図示しないモータからの駆動力で軸芯を中心に回転することができる。前記リンク36は、リンク38に軸42を介して回動自在に連結され、図示しないモータからの駆動力で軸42を中心に回転することができる。また、リンク38は、軸44を介してリンク40に回動自在に連結され、図示しないモータからの駆動力で軸44を中心に回転することができる。さらに、リンク40は、軸46を介して図示しないモータの出力軸に連結されているので、モータを駆動することにより軸46を中心に回転することができる。また、モータは、昇降装置32の図示しない昇降ロッドに連結されている。したがって、前記ロボット28によれば、アーム34及び3本のリンク36、38、40の動作を各々のモータで制御すると共に、昇降装置32の昇降ロッドの収縮動作を制御することにより、前記カセット24に収納されたウェーハ26を取り出してアライメントステージ16に搬送することができる。
【0013】
前記アライメントステージ16は、カセット24から搬送されたウェーハ26を所定の位置に位置合わせするステージである。このアライメントステージ16で位置合わせされたウェーハ26は、前記搬送用ロボット28の吸着パッド35、35に再度吸着保持された後、空のチャックテーブル48に向けて搬送され、このチャックテーブル48の所定の位置に吸着保持される。
【0014】
前記チャックテーブル48は、ターンテーブル50に設置され、また、同機能を備えたチャックテーブル52、54がターンテーブル50に所定の間隔をもって設置されている。前記チャックテーブル52は、粗研削ステージ18に位置されており、吸着したウェーハ26がここで粗研削される。また、前記チャックテーブル54は、仕上げ研削ステージ20に位置され、吸着したウェーハ26がここで仕上げ研削(精研削、スパークアウト)される。
【0015】
前記チャックテーブル48に吸着保持されたウェーハ26は、図示しない測定ゲージによってその厚みが測定される。厚みが測定されたウェーハ26は、ターンテーブル50の図1、図2上矢印C方向の回動で粗研削ステージ18に位置し、粗研削ステージ18のカップ型砥石56によって粗研削される。このカップ型砥石56は図1に示すように、モータ58の図示しない出力軸に連結され、また、モータ58のサポート用ケーシング60を介して砥石送り装置(ねじ送り装置)62に取り付けられている。前記砥石送り装置62は、カップ型砥石56をモータ58と共に昇降移動させるもので、この下降移動によりカップ型砥石56がウェーハ26の裏面に押し付けられる。これにより、ウェーハ26の裏面粗研削が行われる。カップ型砥石56の下降移動量は、即ち、カップ型砥石56による研削量は、予め登録されたカップ型砥石56の基準位置と、ウェーハ26の厚みとに基づいて設定される。
【0016】
粗研削ステージ18で粗研削されたウェーハ26は、ウェーハ26からカップ型砥石58が退避移動した後に、図示しない厚み測定ゲージによってその厚みが測定される。厚みが測定されたウェーハ26は、ターンテーブル50の同方向の回動で仕上げ研削ステージ20に位置し、仕上げ研削ステージ20の図2に示すカップ型砥石64によって精研削、スパークアウトされる。この仕上げ研削ステージ20については後述する。
【0017】
仕上げ研削ステージ20で仕上げ研削されたウェーハ26は、ウェーハ26からカップ型砥石64が退避移動した後に、ターンテーブル50の同方向の回動で図1に示した空のチャックテーブル48の位置に搬送される。そして、前記ウェーハは、搬送アーム66の先端に設けた、ウェーハと略同径の吸着パッド68に吸着された後、搬送アーム66の図1上矢印D方向の回動で洗浄ステージ22に搬送され、ここで洗浄される。
【0018】
洗浄ステージ22で洗浄されたウェーハ26は、前記搬送用ロボット28によって吸着保持されてカセット収納ステージ14に搬送され、所定のカセット24の所定の棚に収納される。以上が、本実施の形態の平面研削装置10によるウェーハ処理工程の流れである。
次に、仕上げ研削ステージ20について説明する。
【0019】
図3に示すように、仕上げ研削ステージ20のカップ型砥石64は、モータ72の出力軸74に連結されている。また、前記モータ72の側面には、LM(直動)ガイドを構成するガイドブロック76、76が設けられており、このガイドブロック76、76が、サポート用ケーシング78の内側面に設けられたガイドレール80に上下移動自在に係合されている。したがって、前記カップ型砥石64はモータ72と共に、サポート用ケーシング78に対して上下移動自在に取り付けられている。
【0020】
前記サポート用ケーシング78の外側面には、LM(直動)ガイドを構成するガイドブロック82、82が設けられ、このガイドブロック82、82が、ねじ送り装置用ハウジング84の内側面に設けられたガイドレール86に上下移動自在に係合されている。また、サポート用ケーシング78の外側面には、ナット部材86が突設されている。前記ナット部材86は、前記ハウジング84に形成された開口部85を介してハウジング84内に配設され、ねじ送り装置のねじ棒88に螺合されている。このねじ棒88の上端には、モータ90の出力軸92が連結されている。したがって、前記モータ90を駆動してねじ棒88を回転させると、ねじ送り装置の送り作用と、前記ガイドブロック82とレール86の直進作用とによって、前記カップ型砥石64がサポート用ケーシング78と共に上下移動する。
【0021】
ところで、前記モータ72の上面には、押圧手段であるエアシリンダ装置94のピストン96がケーシング78の貫通孔79を介して連結されている。また、エアシリンダ装置94のシリンダ95には、シリンダ95の内圧Pを制御するレギュレータ98が接続されている。したがって、このレギュレータ98によって前記内圧Pを制御すると、ウェーハ26に対するカップ型砥石64の押圧力を制御することができる。また、図示していないが、前記ピストン96の伸縮を機械的にロック及びロック解除するロック機構が設けられている。このロック機構は、精研削からスパークアウトに研削工程が切り替わる際に、図示しないCPUによって駆動制御される。なお、図3上で符号100は、チャックテーブル54を回転するモータであり、このモータ100の出力軸102がチャックテーブル54の下面に接続されている。
【0022】
次に、前記の如く構成された仕上げ研削ステージ20の動作について説明する。
まず、チャックテーブル54に吸着されたウェーハ26がカップ型砥石64の下方に位置すると、ねじ送り装置のモータ90が駆動してケーシング78を下降移動させ、ウェーハ26にカップ型砥石64を当接させる。
【0023】
次に、カップ型砥石64をモータ72で回転させると共にウェーハ26をモータ100で回転させる。
次いで、前記ねじ送り装置のモータ90を駆動して、ケーシング78を下降移動させることにより、ねじ送り装置の定量送りによる精研削を開始する。この時、ピストン96の収縮をロック機構によって予めロックしておく。これにより、ねじ送り装置の定量送り量とウェーハ26の研削量とが等しくなるので、研削量を容易に検出することができる。
【0024】
次に、ねじ送り装置の定量送りによる精研削が終了すると、ねじ送り装置のモータ90を若干量逆回転させて停止する。これにより、カップ型砥石64がウェーハ26から若干量上方に退避する。次いで、前記ロック機構によるピストン96のロックを解除すると共に、レギュレータ98によってシリンダ95の内圧Pを所望の圧力に設定する。これにより、ピストン96が内圧Pによって伸長するので、カップ型砥石64が下降移動してウェーハ26に当接し、ウェーハ26を定圧で押圧する。この押圧力を前記レギュレータ98で制御して研削を継続することにより、定圧送りによるウェーハ26のスパークアウトを実施する。
【0025】
所定時間の経過後、スパークアウトが終了すると、ねじ送り装置でカップ型砥石64をウェーハ26から退避移動させる。これによって、仕上げ研削ステージ20におけるウェーハ26の精研削、スパークアウトが終了する。
以上説明したように、本実施の形態では、ウェーハ26を一定圧力で研削することができるエアシリンダ装置94を設けたので、ねじ送り装置では達成することが困難な微小送りによる研削が可能になる。よって、ウェーハ26の研削精度を向上させることができる。
【0026】
また、本実施の形態では、ねじ送り装置のみを駆動してウェーハ26を精研削し、エアシリンダ装置94のみを駆動してスパークアウトを実施した。このように、ねじ送り装置とエアシリンダ装置94とを別々に駆動制御すると、ウェーハ26を精度良く且つ効率良く研削することができる。
なお、本実施の形態では、押圧手段としてエアシリンダ装置94を適用したが、これに限られるものではなく、油圧シリンダ装置、圧電装置、磁歪素子を適用しても同様な効果を得ることができる。即ち、砥石を一定圧力で押圧する手段であれば、その形態は問わない。また、カップ型砥石64をウェーハ26に押圧するのではなく、ウェーハ26をカップ型砥石64に一定圧力で押圧させる機構を採用しても良い。
【0027】
更に、本実施の形態では、カップ型砥石を上下移動させてウェーハを研削するようにしたが、ウェーハ側を上下移動させてウェーハを研削するようにしても良い。
また、本実施の形態では、仕上げ研削ステージ20のみ押圧手段を設けたが、粗研削ステージ18にも押圧手段を設けても良い。この場合、粗研削ステージや仕上げ研削ステージのように研削工程を区別をせず、各々のステージ18、20で、粗研削、精研削、スパークアウアトを行うことができる。即ち、ねじ送り装置による定量送り動作で粗研削、精研削を行い、押圧手段による定圧送り動作でスパークアウトを行うことができる。これによって、研削ステージを2ヵ所有するマルチ型平面研削装置を提供することができる。
【0028】
なお、本実施の形態では、ウェーハの裏面を研削する平面研削装置について説明したが、カップ型砥石の代わりに研磨布を使用してウェーハを加工するCMP装置、カップ型砥石の代わりにブレードを使用してウェーハをダイス状に切断するダイシング装置に本発明を適用しても良い。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係るウェーハの平面加工装置によれば、平面加工装置に押圧手段を設け、この押圧手段を駆動してウェーハと砥石とを所定の圧力で押圧しながらウェーハを加工するようにしたので、ウェーハの加工精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハの平面研削装置の全体斜視図
【図2】図1に示した平面研削装置の平面図
【図3】図1に示した平面研削装置の仕上げ研削ステージの一部断面を含む側面図
【符号の説明】
10…平面研削装置
12…本体
14…カセット収納ステージ
16…アライメントステージ
18…粗研削ステージ
20…仕上げ研削ステージ
22…洗浄ステージ
26…ウェーハ
48、52、54…チャックテーブル
56、64…カップ型砥石
94…エアシリンダ装置[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a wafer flat surface processing apparatus, and more particularly to a wafer flat surface processing apparatus for grinding a back surface of a semiconductor wafer in a semiconductor wafer manufacturing process.
[0002]
[Prior art]
A surface grinding apparatus for grinding the back surface of a semiconductor wafer includes a chuck table and a grindstone. The chuck table holds the surface of the semiconductor wafer by suction, and presses the grindstone against the back surface of the semiconductor wafer. The back surface of the wafer is ground by rotating the grinding wheel.
[0003]
Such a surface grinding apparatus has feed means for feeding and moving a grindstone to a table by a screw feed device, and controls the grinding amount of the semiconductor wafer by controlling the feed amount of the grindstone by the feed means.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, recent semiconductor wafers are required to be thinned as ICs are highly integrated. Due to such demands, high grinding accuracy is required for the surface grinding apparatus.
However, since the conventional surface grinding apparatus controls the grinding amount of the semiconductor wafer by quantitative feeding by the screw feeding device, there is a limit to the fine feeding, and the semiconductor wafer cannot be ground to a desired thin thickness. There is a drawback that there are cases.
[0005]
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a wafer processing apparatus capable of improving the processing accuracy of a wafer.
[0006]
[Means for solving the problems]
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a table holding a wafer and a grindstone by moving a grindstone for processing the wafer in a relatively approaching direction by rotating a screw rod of a screw feeding means. In the wafer surface processing machine that grinds the wafer by rotating the grindstone and the wafer relative to each other while pressing the wafer, the precise grinding of the wafer by the quantitative movement only by the rotation of the screw rod of the screw feeding means is completed. after then stopping the rotation of the screw rod of the screw feed means, under the state where the rotation of the threaded rod is stopped in the feed screw means, by relatively pressing and the said grindstone wafer at a constant pressure It is characterized in that a pressing means is provided that performs a slight movement in a relatively approaching direction to spark out the wafer.
[0007]
According to the first aspect of the present invention, the pressing means is provided in the planar processing apparatus, and the pressing means is driven to process the wafer while pressing the wafer and the grindstone with a controlled pressure. As a result, processing by micro feed that is difficult to achieve with the screw feed device becomes possible, so that wafer processing accuracy can be improved. According to the first aspect of the present invention, in the processing step by quantitative feed such as roughing and fine processing, only the feeding means is driven to process the wafer, and in the processing step by micro feed such as spark out, The wafer is processed by driving only the means and pressing the wafer and the grindstone with a constant pressure. Thus, in the wafer processing process, the wafer can be processed with high accuracy and efficiency by separately controlling the feeding means and the pressing means.
[0008]
According to the second aspect of the present invention, since a cylinder device, a piezoelectric element, or a magnetostrictive element is applied as the pressing means, processing by minute feed becomes possible.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a wafer flat surface processing apparatus according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer surface grinding apparatus to which the present invention is applied, and FIG. 2 is a plan view.
As shown in FIG. 1, the
[0010]
Two
[0011]
If the
[0012]
The
[0013]
The
[0014]
The chuck table 48 is installed on the
[0015]
The thickness of the
[0016]
The thickness of the
[0017]
After the cup-
[0018]
The
Next, the
[0019]
As shown in FIG. 3, the cup-
[0020]
Guide blocks 82 and 82 constituting an LM (linear motion) guide are provided on the outer surface of the
[0021]
By the way, a piston 96 of an
[0022]
Next, the operation of the
First, when the
[0023]
Next, the cup-
Next, by driving the motor 90 of the screw feeder and moving the
[0024]
Next, when the precision grinding by the fixed amount feeding of the screw feeding device is completed, the motor 90 of the screw feeding device is rotated in the reverse direction by a little amount and stopped. As a result, the cup-
[0025]
When the spark-out is completed after a predetermined time has elapsed, the cup-
As described above, in the present embodiment, since the
[0026]
Further, in the present embodiment, only the screw feeding device is driven to finely grind the
In this embodiment, the
[0027]
Further, in the present embodiment, the cup-type grindstone is moved up and down to grind the wafer, but the wafer side may be moved up and down to grind the wafer.
In the present embodiment, the pressing means is provided only for the
[0028]
In this embodiment, the surface grinding apparatus that grinds the back surface of the wafer has been described. However, a CMP apparatus that uses a polishing cloth instead of a cup-type grindstone and a blade instead of a cup-type grindstone are used. Then, the present invention may be applied to a dicing apparatus that cuts a wafer into dice.
[0029]
【The invention's effect】
As described above, according to the planar processing apparatus for wafers according to the present invention, pressing means is provided in the planar processing apparatus, and the pressing means is driven to process the wafer while pressing the wafer and the grindstone with a predetermined pressure. Since it did in this way, the processing precision of a wafer can be improved.
[Brief description of the drawings]
1 is an overall perspective view of a surface grinding apparatus for a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the surface grinding apparatus shown in FIG. 1. FIG. Side view including partial cross section of finish grinding stage [Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF
Claims (2)
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