[go: up one dir, main page]

JP4032268B2 - Wafer planar processing equipment - Google Patents

Wafer planar processing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP4032268B2
JP4032268B2 JP11733898A JP11733898A JP4032268B2 JP 4032268 B2 JP4032268 B2 JP 4032268B2 JP 11733898 A JP11733898 A JP 11733898A JP 11733898 A JP11733898 A JP 11733898A JP 4032268 B2 JP4032268 B2 JP 4032268B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
grinding
grindstone
stage
screw
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP11733898A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH11309664A (en
Inventor
俊彦 石川
恭 片桐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP11733898A priority Critical patent/JP4032268B2/en
Publication of JPH11309664A publication Critical patent/JPH11309664A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4032268B2 publication Critical patent/JP4032268B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はウェーハの平面加工装置に係り、特に半導体ウェーハの製造工程で半導体ウェーハの裏面を研削加工するウェーハの平面加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェーハの裏面を研削する平面研削装置は、チャックテーブルと砥石とを備えており、このチャックテーブルで半導体ウェーハの表面を吸着保持し、そして、半導体ウェーハの裏面に砥石を押し付けると共に、チャックテーブル及び研削砥石を回転させてウェーハの裏面を研削する。
【0003】
このような平面研削装置は、ねじ送り装置によって砥石をテーブルに送り移動させる送り手段を有し、この送り手段による砥石の送り量を制御することにより、半導体ウェーハの研削量を制御している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、最近の半導体ウェーハは、ICの高集積化に伴って薄肉化の要求があり、斯かる要求によって高い研削精度が平面研削装置に要求されている。
しかしながら、従来の平面研削装置は、半導体ウェーハの研削量をねじ送り装置による定量送りで制御しているため、微小送りに限界があり、半導体ウェーハを所望の薄肉の厚さに研削することができない場合があるという欠点がある。
【0005】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ウェーハの加工精度を向上させることができるウェーハの平面加工装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決する為の手段】
本発明は、前記目的を達成するために、ウェーハを保持したテーブルと、該ウェーハを加工する砥石をねじ送り手段のねじ棒を回転させることによって相対的に近づく方向に定量移動させることにより砥石とウェーハとを押し当てると共に、砥石とウェーハとを相対的に回転させてウェーハを研削するウェーハの平面加工装置において、前記ねじ送り手段のねじ棒の回転のみによる定量移動による前記ウェーハの精研削が終了し前記ねじ送り手段のねじ棒の回転を停止させた後、前記ねじ送り手段のねじ棒の回転を停止させた状態の下、定圧力で前記砥石と前記ウェーハとを相対的に押圧することによって相対的に近づく方向に微小移動させ前記ウェーハのスパークアウトを行う押圧手段を設けたことを特徴としている。
【0007】
請求項記載の発明によれば、平面加工装置に押圧手段を設け、この押圧手段を駆動してウェーハと砥石とを制御された圧力で押圧しながらウェーハを加工するようにした。これにより、ねじ送り装置では達成することが困難な微小送りによる加工が可能になるので、ウェーハの加工精度を向上させることができる。また、請求項記載の発明によれば、粗加工及び精加工等の定量送りによる加工工程では、送り手段のみを駆動してウェーハを加工し、スパークアウト等の微小送りによる加工工程では、押圧手段のみを駆動してウェーハと砥石とを一定圧力で押し付けてウェーハを加工する。このように、ウェーハの加工過程において、送り手段と押圧手段とを別々に駆動制御することにより、ウェーハを精度良く且つ効率良く加工することができる。
【0008】
請求項記載の発明によれば、前記押圧手段として、シリンダ装置、圧電素子、又は磁歪素子を適用したので、微小送りによる加工が可能となる。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下添付図面に従って本発明に係るウェーハの平面加工装置の好ましい実施の形態について詳説する。図1は、本発明が適用された半導体ウェーハの平面研削装置の斜視図であり、図2は平面図である。
図1に示すように平面研削装置10の本体12には、カセット収納ステージ14、アライメントステージ16、粗研削ステージ18、仕上げ研削ステージ20、及び洗浄ステージ22が設けられている。
【0010】
前記カセット収納ステージ14には、2台のカセット24、24が着脱自在にセットされ、これらのカセット24、24には裏面研削前のウェーハ26が多数枚収納されている。このウェーハ26は、搬送用ロボット28によって1枚ずつ保持されて、次工程であるアライメントステージ16に順次搬送される。前記搬送用ロボット28は、本体12に立設されたビーム30に昇降装置32を介して吊り下げ支持される。また、前記昇降装置32は、ビーム30に内蔵された図示しない送りねじ装置に連結されており、この送りねじ装置で前記昇降装置32を送り移動させると、前記搬送用ロボット28が、ビーム30の配設方向に沿って図1、図2上矢印A、B方向に往復移動することができる。この搬送用ロボット28の前記移動と、搬送用ロボット28の動作によって、前記ウェーハ26が平面研削装置10内で予め設定された順路に従って順次搬送される。
【0011】
本実施の形態の如く搬送用ロボット28を吊り下げ支持すると、カセット収納ステージ14とアライメントステージ16との間隔を狭くすることができるので、平面研削装置10を小型化することができる。即ち、搬送用ロボット28を装置本体12の上面に設置すると、ウェーハ26を搬送する関係上、搬送用ロボット28をカセット収納ステージ14とアライメントステージ16との間のスペースに設置しなければならない。このため、前記スペースの分だけ平面研削装置10が無用に大型化する。これに対して、本実施の形態の平面研削装置10は、装置本体12の上方空間を搬送用ロボット28の設置スペース及び動作スペースとして有効利用したので、装置の小型化を図ることができる。
【0012】
前記ロボット28は、汎用の産業用ロボットであり、その構成はウェーハ26を吸着保持する馬蹄形のアーム34、及び3本のリンク36、38、40等から成っている。前記アーム34の先端には、ウェーハ26を吸着する吸着パッド35、35が設けられる。また、アーム34は、リンク36にその基端部が軸芯を中心に回転自在に支持され、図示しないモータからの駆動力で軸芯を中心に回転することができる。前記リンク36は、リンク38に軸42を介して回動自在に連結され、図示しないモータからの駆動力で軸42を中心に回転することができる。また、リンク38は、軸44を介してリンク40に回動自在に連結され、図示しないモータからの駆動力で軸44を中心に回転することができる。さらに、リンク40は、軸46を介して図示しないモータの出力軸に連結されているので、モータを駆動することにより軸46を中心に回転することができる。また、モータは、昇降装置32の図示しない昇降ロッドに連結されている。したがって、前記ロボット28によれば、アーム34及び3本のリンク36、38、40の動作を各々のモータで制御すると共に、昇降装置32の昇降ロッドの収縮動作を制御することにより、前記カセット24に収納されたウェーハ26を取り出してアライメントステージ16に搬送することができる。
【0013】
前記アライメントステージ16は、カセット24から搬送されたウェーハ26を所定の位置に位置合わせするステージである。このアライメントステージ16で位置合わせされたウェーハ26は、前記搬送用ロボット28の吸着パッド35、35に再度吸着保持された後、空のチャックテーブル48に向けて搬送され、このチャックテーブル48の所定の位置に吸着保持される。
【0014】
前記チャックテーブル48は、ターンテーブル50に設置され、また、同機能を備えたチャックテーブル52、54がターンテーブル50に所定の間隔をもって設置されている。前記チャックテーブル52は、粗研削ステージ18に位置されており、吸着したウェーハ26がここで粗研削される。また、前記チャックテーブル54は、仕上げ研削ステージ20に位置され、吸着したウェーハ26がここで仕上げ研削(精研削、スパークアウト)される。
【0015】
前記チャックテーブル48に吸着保持されたウェーハ26は、図示しない測定ゲージによってその厚みが測定される。厚みが測定されたウェーハ26は、ターンテーブル50の図1、図2上矢印C方向の回動で粗研削ステージ18に位置し、粗研削ステージ18のカップ型砥石56によって粗研削される。このカップ型砥石56は図1に示すように、モータ58の図示しない出力軸に連結され、また、モータ58のサポート用ケーシング60を介して砥石送り装置(ねじ送り装置)62に取り付けられている。前記砥石送り装置62は、カップ型砥石56をモータ58と共に昇降移動させるもので、この下降移動によりカップ型砥石56がウェーハ26の裏面に押し付けられる。これにより、ウェーハ26の裏面粗研削が行われる。カップ型砥石56の下降移動量は、即ち、カップ型砥石56による研削量は、予め登録されたカップ型砥石56の基準位置と、ウェーハ26の厚みとに基づいて設定される。
【0016】
粗研削ステージ18で粗研削されたウェーハ26は、ウェーハ26からカップ型砥石58が退避移動した後に、図示しない厚み測定ゲージによってその厚みが測定される。厚みが測定されたウェーハ26は、ターンテーブル50の同方向の回動で仕上げ研削ステージ20に位置し、仕上げ研削ステージ20の図2に示すカップ型砥石64によって精研削、スパークアウトされる。この仕上げ研削ステージ20については後述する。
【0017】
仕上げ研削ステージ20で仕上げ研削されたウェーハ26は、ウェーハ26からカップ型砥石64が退避移動した後に、ターンテーブル50の同方向の回動で図1に示した空のチャックテーブル48の位置に搬送される。そして、前記ウェーハは、搬送アーム66の先端に設けた、ウェーハと略同径の吸着パッド68に吸着された後、搬送アーム66の図1上矢印D方向の回動で洗浄ステージ22に搬送され、ここで洗浄される。
【0018】
洗浄ステージ22で洗浄されたウェーハ26は、前記搬送用ロボット28によって吸着保持されてカセット収納ステージ14に搬送され、所定のカセット24の所定の棚に収納される。以上が、本実施の形態の平面研削装置10によるウェーハ処理工程の流れである。
次に、仕上げ研削ステージ20について説明する。
【0019】
図3に示すように、仕上げ研削ステージ20のカップ型砥石64は、モータ72の出力軸74に連結されている。また、前記モータ72の側面には、LM(直動)ガイドを構成するガイドブロック76、76が設けられており、このガイドブロック76、76が、サポート用ケーシング78の内側面に設けられたガイドレール80に上下移動自在に係合されている。したがって、前記カップ型砥石64はモータ72と共に、サポート用ケーシング78に対して上下移動自在に取り付けられている。
【0020】
前記サポート用ケーシング78の外側面には、LM(直動)ガイドを構成するガイドブロック82、82が設けられ、このガイドブロック82、82が、ねじ送り装置用ハウジング84の内側面に設けられたガイドレール86に上下移動自在に係合されている。また、サポート用ケーシング78の外側面には、ナット部材86が突設されている。前記ナット部材86は、前記ハウジング84に形成された開口部85を介してハウジング84内に配設され、ねじ送り装置のねじ棒88に螺合されている。このねじ棒88の上端には、モータ90の出力軸92が連結されている。したがって、前記モータ90を駆動してねじ棒88を回転させると、ねじ送り装置の送り作用と、前記ガイドブロック82とレール86の直進作用とによって、前記カップ型砥石64がサポート用ケーシング78と共に上下移動する。
【0021】
ところで、前記モータ72の上面には、押圧手段であるエアシリンダ装置94のピストン96がケーシング78の貫通孔79を介して連結されている。また、エアシリンダ装置94のシリンダ95には、シリンダ95の内圧Pを制御するレギュレータ98が接続されている。したがって、このレギュレータ98によって前記内圧Pを制御すると、ウェーハ26に対するカップ型砥石64の押圧力を制御することができる。また、図示していないが、前記ピストン96の伸縮を機械的にロック及びロック解除するロック機構が設けられている。このロック機構は、精研削からスパークアウトに研削工程が切り替わる際に、図示しないCPUによって駆動制御される。なお、図3上で符号100は、チャックテーブル54を回転するモータであり、このモータ100の出力軸102がチャックテーブル54の下面に接続されている。
【0022】
次に、前記の如く構成された仕上げ研削ステージ20の動作について説明する。
まず、チャックテーブル54に吸着されたウェーハ26がカップ型砥石64の下方に位置すると、ねじ送り装置のモータ90が駆動してケーシング78を下降移動させ、ウェーハ26にカップ型砥石64を当接させる。
【0023】
次に、カップ型砥石64をモータ72で回転させると共にウェーハ26をモータ100で回転させる。
次いで、前記ねじ送り装置のモータ90を駆動して、ケーシング78を下降移動させることにより、ねじ送り装置の定量送りによる精研削を開始する。この時、ピストン96の収縮をロック機構によって予めロックしておく。これにより、ねじ送り装置の定量送り量とウェーハ26の研削量とが等しくなるので、研削量を容易に検出することができる。
【0024】
次に、ねじ送り装置の定量送りによる精研削が終了すると、ねじ送り装置のモータ90を若干量逆回転させて停止する。これにより、カップ型砥石64がウェーハ26から若干量上方に退避する。次いで、前記ロック機構によるピストン96のロックを解除すると共に、レギュレータ98によってシリンダ95の内圧Pを所望の圧力に設定する。これにより、ピストン96が内圧Pによって伸長するので、カップ型砥石64が下降移動してウェーハ26に当接し、ウェーハ26を定圧で押圧する。この押圧力を前記レギュレータ98で制御して研削を継続することにより、定圧送りによるウェーハ26のスパークアウトを実施する。
【0025】
所定時間の経過後、スパークアウトが終了すると、ねじ送り装置でカップ型砥石64をウェーハ26から退避移動させる。これによって、仕上げ研削ステージ20におけるウェーハ26の精研削、スパークアウトが終了する。
以上説明したように、本実施の形態では、ウェーハ26を一定圧力で研削することができるエアシリンダ装置94を設けたので、ねじ送り装置では達成することが困難な微小送りによる研削が可能になる。よって、ウェーハ26の研削精度を向上させることができる。
【0026】
また、本実施の形態では、ねじ送り装置のみを駆動してウェーハ26を精研削し、エアシリンダ装置94のみを駆動してスパークアウトを実施した。このように、ねじ送り装置とエアシリンダ装置94とを別々に駆動制御すると、ウェーハ26を精度良く且つ効率良く研削することができる。
なお、本実施の形態では、押圧手段としてエアシリンダ装置94を適用したが、これに限られるものではなく、油圧シリンダ装置、圧電装置、磁歪素子を適用しても同様な効果を得ることができる。即ち、砥石を一定圧力で押圧する手段であれば、その形態は問わない。また、カップ型砥石64をウェーハ26に押圧するのではなく、ウェーハ26をカップ型砥石64に一定圧力で押圧させる機構を採用しても良い。
【0027】
更に、本実施の形態では、カップ型砥石を上下移動させてウェーハを研削するようにしたが、ウェーハ側を上下移動させてウェーハを研削するようにしても良い。
また、本実施の形態では、仕上げ研削ステージ20のみ押圧手段を設けたが、粗研削ステージ18にも押圧手段を設けても良い。この場合、粗研削ステージや仕上げ研削ステージのように研削工程を区別をせず、各々のステージ18、20で、粗研削、精研削、スパークアウアトを行うことができる。即ち、ねじ送り装置による定量送り動作で粗研削、精研削を行い、押圧手段による定圧送り動作でスパークアウトを行うことができる。これによって、研削ステージを2ヵ所有するマルチ型平面研削装置を提供することができる。
【0028】
なお、本実施の形態では、ウェーハの裏面を研削する平面研削装置について説明したが、カップ型砥石の代わりに研磨布を使用してウェーハを加工するCMP装置、カップ型砥石の代わりにブレードを使用してウェーハをダイス状に切断するダイシング装置に本発明を適用しても良い。
【0029】
【発明の効果】
以上説明したように本発明に係るウェーハの平面加工装置によれば、平面加工装置に押圧手段を設け、この押圧手段を駆動してウェーハと砥石とを所定の圧力で押圧しながらウェーハを加工するようにしたので、ウェーハの加工精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る半導体ウェーハの平面研削装置の全体斜視図
【図2】図1に示した平面研削装置の平面図
【図3】図1に示した平面研削装置の仕上げ研削ステージの一部断面を含む側面図
【符号の説明】
10…平面研削装置
12…本体
14…カセット収納ステージ
16…アライメントステージ
18…粗研削ステージ
20…仕上げ研削ステージ
22…洗浄ステージ
26…ウェーハ
48、52、54…チャックテーブル
56、64…カップ型砥石
94…エアシリンダ装置
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a wafer flat surface processing apparatus, and more particularly to a wafer flat surface processing apparatus for grinding a back surface of a semiconductor wafer in a semiconductor wafer manufacturing process.
[0002]
[Prior art]
A surface grinding apparatus for grinding the back surface of a semiconductor wafer includes a chuck table and a grindstone. The chuck table holds the surface of the semiconductor wafer by suction, and presses the grindstone against the back surface of the semiconductor wafer. The back surface of the wafer is ground by rotating the grinding wheel.
[0003]
Such a surface grinding apparatus has feed means for feeding and moving a grindstone to a table by a screw feed device, and controls the grinding amount of the semiconductor wafer by controlling the feed amount of the grindstone by the feed means.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, recent semiconductor wafers are required to be thinned as ICs are highly integrated. Due to such demands, high grinding accuracy is required for the surface grinding apparatus.
However, since the conventional surface grinding apparatus controls the grinding amount of the semiconductor wafer by quantitative feeding by the screw feeding device, there is a limit to the fine feeding, and the semiconductor wafer cannot be ground to a desired thin thickness. There is a drawback that there are cases.
[0005]
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a wafer processing apparatus capable of improving the processing accuracy of a wafer.
[0006]
[Means for solving the problems]
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a table holding a wafer and a grindstone by moving a grindstone for processing the wafer in a relatively approaching direction by rotating a screw rod of a screw feeding means. In the wafer surface processing machine that grinds the wafer by rotating the grindstone and the wafer relative to each other while pressing the wafer, the precise grinding of the wafer by the quantitative movement only by the rotation of the screw rod of the screw feeding means is completed. after then stopping the rotation of the screw rod of the screw feed means, under the state where the rotation of the threaded rod is stopped in the feed screw means, by relatively pressing and the said grindstone wafer at a constant pressure It is characterized in that a pressing means is provided that performs a slight movement in a relatively approaching direction to spark out the wafer.
[0007]
According to the first aspect of the present invention, the pressing means is provided in the planar processing apparatus, and the pressing means is driven to process the wafer while pressing the wafer and the grindstone with a controlled pressure. As a result, processing by micro feed that is difficult to achieve with the screw feed device becomes possible, so that wafer processing accuracy can be improved. According to the first aspect of the present invention, in the processing step by quantitative feed such as roughing and fine processing, only the feeding means is driven to process the wafer, and in the processing step by micro feed such as spark out, The wafer is processed by driving only the means and pressing the wafer and the grindstone with a constant pressure. Thus, in the wafer processing process, the wafer can be processed with high accuracy and efficiency by separately controlling the feeding means and the pressing means.
[0008]
According to the second aspect of the present invention, since a cylinder device, a piezoelectric element, or a magnetostrictive element is applied as the pressing means, processing by minute feed becomes possible.
[0009]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a wafer flat surface processing apparatus according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer surface grinding apparatus to which the present invention is applied, and FIG. 2 is a plan view.
As shown in FIG. 1, the main body 12 of the surface grinding apparatus 10 is provided with a cassette storage stage 14, an alignment stage 16, a rough grinding stage 18, a finish grinding stage 20, and a cleaning stage 22.
[0010]
Two cassettes 24, 24 are detachably set on the cassette storage stage 14, and a large number of wafers 26 before back surface grinding are stored in these cassettes 24, 24. The wafers 26 are held one by one by a transfer robot 28 and are sequentially transferred to the alignment stage 16 which is the next process. The transfer robot 28 is suspended and supported by a beam 30 erected on the main body 12 via an elevating device 32. The elevating device 32 is connected to a feed screw device (not shown) built in the beam 30. When the elevating device 32 is fed and moved by the feed screw device, the transfer robot 28 moves the beam 30. It can reciprocate in the direction of arrows A and B in FIGS. 1 and 2 along the arrangement direction. By the movement of the transfer robot 28 and the operation of the transfer robot 28, the wafers 26 are sequentially transferred in accordance with a predetermined route in the surface grinding apparatus 10.
[0011]
If the transfer robot 28 is suspended and supported as in the present embodiment, the interval between the cassette storage stage 14 and the alignment stage 16 can be reduced, and the surface grinding apparatus 10 can be downsized. That is, when the transfer robot 28 is installed on the upper surface of the apparatus main body 12, the transfer robot 28 must be installed in the space between the cassette storage stage 14 and the alignment stage 16 for the purpose of transferring the wafer 26. For this reason, the surface grinding apparatus 10 is unnecessarily enlarged by the space. In contrast, the surface grinding apparatus 10 of the present embodiment effectively uses the space above the apparatus main body 12 as an installation space and an operation space for the transfer robot 28, so that the apparatus can be downsized.
[0012]
The robot 28 is a general-purpose industrial robot, and has a horseshoe-shaped arm 34 that holds the wafer 26 by suction, three links 36, 38, 40, and the like. At the tip of the arm 34, suction pads 35 and 35 for sucking the wafer 26 are provided. The arm 34 is supported by the link 36 so that its base end portion is rotatable about the axis, and can be rotated about the axis by a driving force from a motor (not shown). The link 36 is rotatably connected to the link 38 via a shaft 42, and can rotate about the shaft 42 by a driving force from a motor (not shown). The link 38 is rotatably connected to the link 40 via a shaft 44 and can be rotated around the shaft 44 by a driving force from a motor (not shown). Furthermore, since the link 40 is connected to the output shaft of the motor (not shown) via the shaft 46, the link 40 can be rotated around the shaft 46 by driving the motor. The motor is connected to a lifting rod (not shown) of the lifting device 32. Therefore, according to the robot 28, the operation of the arm 34 and the three links 36, 38, 40 is controlled by the respective motors, and the contraction operation of the lifting rod of the lifting device 32 is controlled, thereby the cassette 24. It is possible to take out the wafer 26 accommodated in the wafer and transfer it to the alignment stage 16.
[0013]
The alignment stage 16 is a stage for aligning the wafer 26 conveyed from the cassette 24 at a predetermined position. The wafer 26 aligned by the alignment stage 16 is again sucked and held by the suction pads 35 and 35 of the transfer robot 28 and then transferred toward the empty chuck table 48. Adsorbed and held in position.
[0014]
The chuck table 48 is installed on the turntable 50, and chuck tables 52 and 54 having the same function are installed on the turntable 50 at a predetermined interval. The chuck table 52 is positioned on the rough grinding stage 18, and the attracted wafer 26 is rough ground here. The chuck table 54 is positioned on the finish grinding stage 20, and the attracted wafer 26 is finish ground (fine grinding, spark out) here.
[0015]
The thickness of the wafer 26 sucked and held on the chuck table 48 is measured by a measurement gauge (not shown). The wafer 26 whose thickness has been measured is positioned on the rough grinding stage 18 by rotating the turntable 50 in the direction of arrow C in FIGS. 1 and 2 and is roughly ground by the cup-type grindstone 56 of the rough grinding stage 18. As shown in FIG. 1, the cup-type grindstone 56 is connected to an output shaft (not shown) of a motor 58 and is attached to a grindstone feeding device (screw feeding device) 62 via a support casing 60 of the motor 58. . The grindstone feeding device 62 moves the cup-shaped grindstone 56 up and down together with the motor 58, and the cup-shaped grindstone 56 is pressed against the back surface of the wafer 26 by this downward movement. Thereby, the back surface rough grinding of the wafer 26 is performed. The downward movement amount of the cup-type grindstone 56, that is, the amount of grinding by the cup-type grindstone 56 is set based on the reference position of the cup-type grindstone 56 registered in advance and the thickness of the wafer 26.
[0016]
The thickness of the wafer 26 coarsely ground by the rough grinding stage 18 is measured by a thickness measurement gauge (not shown) after the cup-type grindstone 58 is retracted from the wafer 26. The wafer 26 whose thickness has been measured is positioned on the finish grinding stage 20 by turning the turntable 50 in the same direction, and is finely ground and sparked out by the cup-type grindstone 64 of the finish grinding stage 20 shown in FIG. The finish grinding stage 20 will be described later.
[0017]
After the cup-type grindstone 64 is retracted from the wafer 26, the wafer 26, which has been finish-ground by the finish grinding stage 20, is transferred to the position of the empty chuck table 48 shown in FIG. Is done. The wafer is adsorbed by a suction pad 68 provided at the tip of the transfer arm 66 and having the same diameter as the wafer, and is then transferred to the cleaning stage 22 by the rotation of the transfer arm 66 in the direction of arrow D in FIG. , Where it is washed.
[0018]
The wafer 26 cleaned by the cleaning stage 22 is sucked and held by the transfer robot 28, transferred to the cassette storage stage 14, and stored in a predetermined shelf of a predetermined cassette 24. The above is the flow of the wafer processing process by the surface grinding apparatus 10 of the present embodiment.
Next, the finish grinding stage 20 will be described.
[0019]
As shown in FIG. 3, the cup-type grindstone 64 of the finish grinding stage 20 is connected to the output shaft 74 of the motor 72. Further, guide blocks 76, 76 constituting LM (linear motion) guides are provided on the side surface of the motor 72, and the guide blocks 76, 76 are provided on the inner side surface of the support casing 78. It is engaged with the rail 80 so as to be movable up and down. Accordingly, the cup-type grindstone 64 is attached to the support casing 78 together with the motor 72 so as to be movable up and down.
[0020]
Guide blocks 82 and 82 constituting an LM (linear motion) guide are provided on the outer surface of the support casing 78, and the guide blocks 82 and 82 are provided on the inner surface of the screw feeder housing 84. The guide rail 86 is engaged so as to be movable up and down. A nut member 86 projects from the outer surface of the support casing 78. The nut member 86 is disposed in the housing 84 through an opening 85 formed in the housing 84 and is screwed into a screw rod 88 of a screw feeding device. An output shaft 92 of a motor 90 is connected to the upper end of the screw rod 88. Therefore, when the screw 90 is rotated by driving the motor 90, the cup-type grindstone 64 is moved up and down together with the support casing 78 by the feeding action of the screw feeding device and the rectilinear action of the guide block 82 and the rail 86. Moving.
[0021]
By the way, a piston 96 of an air cylinder device 94 as a pressing means is connected to the upper surface of the motor 72 through a through hole 79 of the casing 78. A regulator 98 that controls the internal pressure P of the cylinder 95 is connected to the cylinder 95 of the air cylinder device 94. Therefore, when the internal pressure P is controlled by the regulator 98, the pressing force of the cup-type grindstone 64 against the wafer 26 can be controlled. Although not shown, a lock mechanism for mechanically locking and unlocking the expansion and contraction of the piston 96 is provided. The lock mechanism is driven and controlled by a CPU (not shown) when the grinding process is switched from precise grinding to spark-out. In FIG. 3, reference numeral 100 denotes a motor that rotates the chuck table 54, and an output shaft 102 of the motor 100 is connected to the lower surface of the chuck table 54.
[0022]
Next, the operation of the finish grinding stage 20 configured as described above will be described.
First, when the wafer 26 adsorbed on the chuck table 54 is positioned below the cup-type grindstone 64, the motor 90 of the screw feeding device is driven to move the casing 78 downward so that the cup-type grindstone 64 contacts the wafer 26. .
[0023]
Next, the cup-type grindstone 64 is rotated by the motor 72 and the wafer 26 is rotated by the motor 100.
Next, by driving the motor 90 of the screw feeder and moving the casing 78 downward, precise grinding by the quantitative feed of the screw feeder is started. At this time, the contraction of the piston 96 is locked in advance by a lock mechanism. As a result, the fixed feed amount of the screw feeder and the grinding amount of the wafer 26 become equal, so that the grinding amount can be easily detected.
[0024]
Next, when the precision grinding by the fixed amount feeding of the screw feeding device is completed, the motor 90 of the screw feeding device is rotated in the reverse direction by a little amount and stopped. As a result, the cup-type grindstone 64 is retracted slightly upward from the wafer 26. Next, the lock of the piston 96 by the lock mechanism is released, and the internal pressure P of the cylinder 95 is set to a desired pressure by the regulator 98. As a result, the piston 96 extends due to the internal pressure P, so that the cup-type grindstone 64 moves downward and comes into contact with the wafer 26 to press the wafer 26 with a constant pressure. By controlling the pressing force by the regulator 98 and continuing grinding, the wafer 26 is sparked out by constant pressure feeding.
[0025]
When the spark-out is completed after a predetermined time has elapsed, the cup-type grindstone 64 is retracted from the wafer 26 by a screw feeder. This completes the precise grinding and spark-out of the wafer 26 in the finish grinding stage 20.
As described above, in the present embodiment, since the air cylinder device 94 capable of grinding the wafer 26 with a constant pressure is provided, it is possible to perform grinding by fine feed which is difficult to achieve with the screw feed device. . Therefore, the grinding accuracy of the wafer 26 can be improved.
[0026]
Further, in the present embodiment, only the screw feeding device is driven to finely grind the wafer 26, and only the air cylinder device 94 is driven to perform spark out. As described above, when the screw feeding device and the air cylinder device 94 are separately driven and controlled, the wafer 26 can be accurately and efficiently ground.
In this embodiment, the air cylinder device 94 is applied as the pressing means. However, the present invention is not limited to this, and the same effect can be obtained by applying a hydraulic cylinder device, a piezoelectric device, or a magnetostrictive element. . That is, the form is not limited as long as it is a means for pressing the grindstone at a constant pressure. Further, instead of pressing the cup-type grindstone 64 against the wafer 26, a mechanism for pressing the wafer 26 against the cup-type grindstone 64 with a constant pressure may be employed.
[0027]
Further, in the present embodiment, the cup-type grindstone is moved up and down to grind the wafer, but the wafer side may be moved up and down to grind the wafer.
In the present embodiment, the pressing means is provided only for the finish grinding stage 20, but the rough grinding stage 18 may be provided with a pressing means. In this case, it is possible to perform rough grinding, fine grinding, and spark out at each of the stages 18 and 20 without distinguishing the grinding process as in the rough grinding stage and the finish grinding stage. That is, it is possible to perform rough grinding and fine grinding with a constant feed operation by a screw feed device, and to perform spark out with a constant pressure feed operation by a pressing means. As a result, a multi-type surface grinding apparatus having two grinding stages can be provided.
[0028]
In this embodiment, the surface grinding apparatus that grinds the back surface of the wafer has been described. However, a CMP apparatus that uses a polishing cloth instead of a cup-type grindstone and a blade instead of a cup-type grindstone are used. Then, the present invention may be applied to a dicing apparatus that cuts a wafer into dice.
[0029]
【The invention's effect】
As described above, according to the planar processing apparatus for wafers according to the present invention, pressing means is provided in the planar processing apparatus, and the pressing means is driven to process the wafer while pressing the wafer and the grindstone with a predetermined pressure. Since it did in this way, the processing precision of a wafer can be improved.
[Brief description of the drawings]
1 is an overall perspective view of a surface grinding apparatus for a semiconductor wafer according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of the surface grinding apparatus shown in FIG. 1. FIG. Side view including partial cross section of finish grinding stage [Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Surface grinding apparatus 12 ... Main body 14 ... Cassette storage stage 16 ... Alignment stage 18 ... Rough grinding stage 20 ... Finish grinding stage 22 ... Cleaning stage 26 ... Wafer 48, 52, 54 ... Chuck table 56, 64 ... Cup type grindstone 94 ... Air cylinder device

Claims (2)

ウェーハを保持したテーブルと、該ウェーハを加工する砥石をねじ送り手段のねじ棒を回転させることによって相対的に近づく方向に定量移動させることにより砥石とウェーハとを押し当てると共に、砥石とウェーハとを相対的に回転させてウェーハを研削するウェーハの平面加工装置において、前記ねじ送り手段のねじ棒の回転のみによる定量移動による前記ウェーハの精研削が終了し前記ねじ送り手段のねじ棒の回転を停止させた後、前記ねじ送り手段のねじ棒の回転を停止させた状態の下、定圧力で前記砥石と前記ウェーハとを相対的に押圧することによって相対的に近づく方向に微小移動させ前記ウェーハのスパークアウトを行う押圧手段を設けたことを特徴とするウェーハの平面加工装置。A table holding the wafer and a grindstone for processing the wafer are quantitatively moved in a relatively approaching direction by rotating the screw rod of the screw feeding means, and the grindstone and the wafer are pressed against each other. In a wafer planar processing apparatus that grinds a wafer by relatively rotating, the precise grinding of the wafer by the quantitative movement only by the rotation of the screw rod of the screw feeding means is completed, and the rotation of the screw rod of the screw feeding means is stopped. Then , under the state where the rotation of the screw rod of the screw feeding means is stopped , the grindstone and the wafer are relatively pressed with a constant pressure so as to move in a relatively approaching direction. A wafer processing apparatus comprising a pressing means for performing a spark-out. 前記押圧手段は、シリンダ装置、圧電素子、又は磁歪素子であることを特徴とする請求項1に記載のウェーハの平面加工装置。2. The wafer planar processing apparatus according to claim 1, wherein the pressing means is a cylinder device, a piezoelectric element, or a magnetostrictive element.
JP11733898A 1998-04-27 1998-04-27 Wafer planar processing equipment Expired - Fee Related JP4032268B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11733898A JP4032268B2 (en) 1998-04-27 1998-04-27 Wafer planar processing equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11733898A JP4032268B2 (en) 1998-04-27 1998-04-27 Wafer planar processing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11309664A JPH11309664A (en) 1999-11-09
JP4032268B2 true JP4032268B2 (en) 2008-01-16

Family

ID=14709249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11733898A Expired - Fee Related JP4032268B2 (en) 1998-04-27 1998-04-27 Wafer planar processing equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4032268B2 (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217141A (en) * 2001-01-15 2002-08-02 Nikon Corp Polishing method, polishing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device
JP4183672B2 (en) 2004-10-01 2008-11-19 株式会社ノリタケカンパニーリミテド Rotary grinding method and rotary grinding machine control device
KR101924990B1 (en) * 2015-12-01 2018-12-04 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 Processing device
CN114918819A (en) * 2022-06-28 2022-08-19 合肥先端晶体科技有限责任公司 Automatic diamond grinding arm system and grinding and polishing method

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11309664A (en) 1999-11-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7278903B2 (en) Processing method for wafer and processing apparatus therefor
KR100709457B1 (en) Semiconductor wafer grinding method
JP5137747B2 (en) Work holding mechanism
JP2798347B2 (en) Wafer notch polishing machine
KR20200101836A (en) Grinding apparatus
JP2001252853A (en) Flattening device
US20220063053A1 (en) Processing machine
WO1999043467A1 (en) Work outer periphery polishing device
JP4032268B2 (en) Wafer planar processing equipment
JPH09168953A (en) Semiconductor wafer edge polishing method and device
JP7398946B2 (en) polishing equipment
JPH11309673A (en) Spindle slant angle adjusting mechanism of flattening device
JP2010137328A (en) Wafer periphery polishing apparatus
JP2011156601A (en) Polishing device
JP2003007661A5 (en)
JP7335097B2 (en) Dressing board and grinding wheel dressing method
JPH11195693A (en) Work alignment device of surface grinder
KR20070016649A (en) Wafer Polishing Apparatus and Wafer Polishing Method Using the Same
JP3401705B2 (en) Surface grinding equipment
JPH11198007A (en) Surface grinding device
JPH11309666A (en) Wafer flattening device
JP4850666B2 (en) Wafer processing equipment
TWI898006B (en) processing equipment
JP7570778B2 (en) Cleaning and processing equipment
JPH11309652A (en) Plane processing device for wafer

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040629

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060816

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060818

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061017

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070219

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070410

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070823

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070831

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070927

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20071010

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111102

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121102

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131102

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees