JP4034290B2 - 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 - Google Patents
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Description
本発明は、ハードディスク装置などに用いられる磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置に関するものであり、特に、ノイズ低減が可能な磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置に関するものである。
磁気記録再生装置の１種であるハードディスク装置（ＨＤＤ）は、現在その記録密度が年率６０％で増えており今後もその傾向は続くといわれている。
ハードディスク装置に用いられる磁気記録媒体には高記録密度化が要求されており、これに伴い保磁力の向上、媒体ノイズの低減が求められている。
ハードディスク装置に用いられる磁気記録媒体としては、磁気記録媒体用の基板に、スパッタ法により金属膜を積層した構造が主流となっている。
基板としては、アルミニウム基板とガラス基板が広く用いられている。アルミニウム基板としては、例えば鏡面研磨したＡｌ−Ｍｇ合金の基体上に、厚さ１０μｍ程度のＮｉＰ膜を無電解メッキで形成し、その表面を鏡面仕上げしたものが用いられている。ガラス基板に用いられるガラスには、主としてアモルファスガラスと結晶化ガラスの２種があり、いずれのガラスを用いた基板も、鏡面仕上げして用いられている。
ハードディスク装置に用いられる磁気記録媒体には高記録密度化が要求されており、これに伴い保磁力の向上、媒体ノイズの低減が求められている。
ハードディスク装置に用いられる磁気記録媒体としては、磁気記録媒体用の基板に、スパッタ法により金属膜を積層した構造が主流となっている。
基板としては、アルミニウム基板とガラス基板が広く用いられている。アルミニウム基板としては、例えば鏡面研磨したＡｌ−Ｍｇ合金の基体上に、厚さ１０μｍ程度のＮｉＰ膜を無電解メッキで形成し、その表面を鏡面仕上げしたものが用いられている。ガラス基板に用いられるガラスには、主としてアモルファスガラスと結晶化ガラスの２種があり、いずれのガラスを用いた基板も、鏡面仕上げして用いられている。
現在一般的に用いられているハードディスク装置用の磁気記録媒体においては、非磁性基板上に非磁性下地層（ＮｉＡｌ、Ｃｒ、Ｃｒ合金等）、非磁性中間層（ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ合金等）、磁性層（ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ合金等）、保護層（カーボン等）が順次積層され、その上に潤滑層が形成されている。
記録密度を向上させるためには、高周波で記録した際のＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）を向上させる必要性がある。Ｋｅｎｎｅｔｈ Ｅ．Ｊ．，“Ｍａｇｎｅｔｉｃ ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ｆｏｒ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｍｅｄｉａ”、ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ Ｖｏｌ．８７、Ｎｏ．９、５３６５（２０００）では、ＳＮＲを向上させるためには、記録層（磁性層）の結晶粒子の直径を小さく、かつ均一にする必要があると論ぜられている。
記録密度を向上させるためには、高周波で記録した際のＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ Ｒａｔｉｏ）を向上させる必要性がある。Ｋｅｎｎｅｔｈ Ｅ．Ｊ．，“Ｍａｇｎｅｔｉｃ ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ ｆｏｒ ｔｈｉｎ−ｆｉｌｍ ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ ｍｅｄｉａ”、ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ Ｖｏｌ．８７、Ｎｏ．９、５３６５（２０００）では、ＳＮＲを向上させるためには、記録層（磁性層）の結晶粒子の直径を小さく、かつ均一にする必要があると論ぜられている。
しかしながら、ＳＮＲを向上させるため記録層（磁性層）の結晶粒子の直径を小さくすると、結晶粒子の体積が小さくなり、熱的に不安定となる。このことは、Ｓｈａｒａｔ Ｂａｔｒａ ｅｔ ａｌ．，“Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ ｉｎ Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ Ｍｅｄｉａ”，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．Ｖｏｌ３５，Ｎｏ５，２７３６（１９９９）で報告されている。
この問題の解決策の一つとして、ルテニウムなどからなる非磁性結合層の上下にそれぞれ磁性層を形成し、これら磁性層の磁化方向を互いに反平行とする磁気記録媒体が提案されている（例えば特許文献１）。
この技術を用いた磁気記録媒体では、上記２つの磁性層の磁化方向が互いに逆になることにより、磁気的に記録再生に関与している部分は記録層全体の厚さよりも実質的には薄くなる。このためＳＮＲの向上を図ることができる。一方、記録層全体の結晶粒子の体積は大きくなるために、熱的な不安定さの改善を図ることができる。
この技術を用いた媒体は、ＡＦＣ媒体（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ−Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｍｅｄｉａ）、またはＳＦＭ（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｆｅｒｒｉｍａｇｎｅｔｉｃ Ｍｅｄｉａ）と一般的に呼ばれている。ここではＡＦＣ媒体と呼ぶ。
特開２００１−５６９２１号公報
この技術を用いた磁気記録媒体では、上記２つの磁性層の磁化方向が互いに逆になることにより、磁気的に記録再生に関与している部分は記録層全体の厚さよりも実質的には薄くなる。このためＳＮＲの向上を図ることができる。一方、記録層全体の結晶粒子の体積は大きくなるために、熱的な不安定さの改善を図ることができる。
この技術を用いた媒体は、ＡＦＣ媒体（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ−Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｍｅｄｉａ）、またはＳＦＭ（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｆｅｒｒｉｍａｇｎｅｔｉｃ Ｍｅｄｉａ）と一般的に呼ばれている。ここではＡＦＣ媒体と呼ぶ。
特許文献１に記載された磁気記録媒体においては、非磁性結合層を挟んで上下に磁性層が設けられている。この磁気記録媒体では、非磁性基板側の磁性層が強磁性層とされ、この強磁性層は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｎｉ系合金、Ｆｅ系合金、およびＣｏ系合金（ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＭを含む）からなるグループから選択された材料からなり、ＭはＢ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ、またはこれらの合金であってよいとされている。
しかしながら、従来の磁気記録媒体では、今後の高記録密度化に対応するために十分なノイズ低減は難しい。
しかしながら、従来の磁気記録媒体では、今後の高記録密度化に対応するために十分なノイズ低減は難しい。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、十分なノイズ低減が可能な磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置を提供することを目的とする。
本発明者は、上記課題を解決するために、第一磁性層にＣｏＣｒＺｒ系合金を用いることにより、媒体ノイズを低減させ、高記録密度を達成できることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成した。
（１）上記課題を解決するための第１の発明は、非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層、第一磁性層、非磁性結合層、第二磁性層および保護層がこの順番で積層され、第二磁性層が第一磁性層に反強磁性結合し、第一磁性層がＣｏＣｒＺｒ系合金で構成され、前記第一磁性層のＣｒの含有量が５〜２２ａｔ％、Ｚｒの含有量が１〜１０ａｔ％であり、前記第二磁性層が、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＭ系合金（Ｍ：Ｔａ、Ｃｕから選ばれる１種以上）から選ばれる１種以上からなることを特徴とする磁気記録媒体である。
（１）上記課題を解決するための第１の発明は、非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層、第一磁性層、非磁性結合層、第二磁性層および保護層がこの順番で積層され、第二磁性層が第一磁性層に反強磁性結合し、第一磁性層がＣｏＣｒＺｒ系合金で構成され、前記第一磁性層のＣｒの含有量が５〜２２ａｔ％、Ｚｒの含有量が１〜１０ａｔ％であり、前記第二磁性層が、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＭ系合金（Ｍ：Ｔａ、Ｃｕから選ばれる１種以上）から選ばれる１種以上からなることを特徴とする磁気記録媒体である。
（２）上記課題を解決するための第２の発明は、非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層、第一磁性層、非磁性結合層、第二磁性層、非磁性結合層、第三磁性層および保護層がこの順番で積層され、第三磁性層が第二磁性層に反強磁性結合し、かつ第二磁性層が第一磁性層に反強磁性結合し、第一磁性層がＣｏＣｒＺｒ系合金で構成され、前記第一磁性層のＣｒの含有量が５〜２２ａｔ％、Ｚｒの含有量が１〜１０ａｔ％であり、前記第二磁性層および第三磁性層が、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＭ系合金（Ｍ：Ｔａ、Ｃｕから選ばれる１種以上）から選ばれる１種以上からなることを特徴とする磁気記録媒体である。
（３）上記課題を解決するための第３の発明は、第一磁性層の厚さが、０．５〜１０ｎｍである（１）〜（２）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体である。
（４）上記課題を解決するための第４の発明は、非磁性結合層が、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｒｕ系合金、Ｒｈ系合金、Ｉｒ系合金、Ｃｒ系合金、Ｒｅ系合金から選ばれるいずれか１種からなり、かつ厚さが０．５〜１．５ｎｍである（１）〜（３）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体である。
（５）上記課題を解決するための第５の発明は、非磁性下地層が、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、Ｓｉ、およびＶから選ばれる１種または２種以上とＣｒとからなるＣｒ合金、またはＣｒからなる層を含む多層構造である（１）〜（４）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体である。
（６）上記課題を解決するための第６の発明は、非磁性下地層が、ＮｉＡｌ系合金、ＲｕＡｌ系合金、またはＣｒ合金からなる層を含む多層構造であり、このＣｒ合金が、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、Ｓｉ、およびＶから選ばれる１種または２種以上とＣｒとからなる（１）〜（５）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体である。
（７）上記課題を解決するための第７の発明は、非磁性基板が、ガラス基板、シリコン基板から選ばれるいずれか１種である（１）〜（６）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体である。
（８）上記課題を解決するための第８の発明は、非磁性基板が、Ａｌ、Ａｌ合金、ガラス、シリコンから選ばれるいずれか１種からなる基体の表面に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜を形成したものである（１）〜（７）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体である。
（９）上記課題を解決するための第９の発明は、非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層、第一磁性層、非磁性結合層、第二磁性層および保護層がこの順番で積層され、第二磁性層が第一磁性層に反強磁性結合した磁気記録媒体を製造する方法であって、第一磁性層がＣｏＣｒＺｒ系合金で構成され、前記第一磁性層のＣｒの含有量を５〜２２ａｔ％、Ｚｒの含有量を１〜１０ａｔ％とし、前記第二磁性層を、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＭ系合金（Ｍ：Ｔａ、Ｃｕから選ばれる１種以上）から選ばれる１種以上から形成する磁気記録媒体の製造方法である。
（１０）上記課題を解決するための第１０の発明は、非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層、第一磁性層、非磁性結合層、第二磁性層、非磁性結合層、第三磁性層および保護層がこの順番で積層され、第三磁性層が第二磁性層に反強磁性結合し、かつ第二磁性層が第一磁性層に反強磁性結合した磁気記録媒体を製造する方法において、第一磁性層をＣｏＣｒＺｒ系合金で構成し、、前記第一磁性層のＣｒの含有量を５〜２２ａｔ％、Ｚｒの含有量を１〜１０ａｔ％とし、前記第二磁性層および第三磁性層を、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＭ系合金（Ｍ：Ｔａ、Ｃｕから選ばれる１種以上）から選ばれる１種以上から形成する磁気記録媒体の製造方法である。
（１１）上記課題を解決するための第１１の発明は、（９）または（１０）に記載の第一磁性層の厚さを０．５〜１０ｎｍとした。
（１２）上記課題を解決するための第１２の発明は、（９）〜（１１）に記載の非磁性結合層を、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｒｕ系合金、Ｒｈ系合金、Ｉｒ系合金、Ｃｒ系合金、Ｒｅ系合金から選ばれるいずれか１種から形成し、かつ厚さを０．５〜１．５ｎｍとした。
（１３）上記課題を解決するための第１３の発明は、（１）〜（８）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置である。
（１２）上記課題を解決するための第１２の発明は、（９）〜（１１）に記載の非磁性結合層を、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｒｕ系合金、Ｒｈ系合金、Ｉｒ系合金、Ｃｒ系合金、Ｒｅ系合金から選ばれるいずれか１種から形成し、かつ厚さを０．５〜１．５ｎｍとした。
（１３）上記課題を解決するための第１３の発明は、（１）〜（８）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置である。
本発明の磁気記録媒体では、第一磁性層にＣｏＣｒＺｒ系合金を用い、その第一磁性層のＣｒの含有量を５〜２２ａｔ％、Ｚｒの含有量を１〜１０ａｔ％とし、第二磁性層として、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＭ系合金（Ｍ：Ｔａ、Ｃｕから選ばれる１種以上）から選ばれる１種以上としたので、保磁力が高く、角型比の低下が無く、低ノイズ化した磁気記録媒体を提供することができる。
図１は、本発明の磁気記録媒体の第１の実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、非磁性基板１の上に、非磁性下地層２、第一磁性層３、非磁性結合層４、第二磁性層５、保護層６、潤滑層７を順次積層させたものである。
図２は、本発明の磁気記録媒体の第２の実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、非磁性基板１の上に、非磁性下地層２、第一磁性層３、第１非磁性結合層４、第二磁性層５、第２非磁性結合層８、第三磁性層９、保護層６、潤滑層７を順次積層させたものである。
図２は、本発明の磁気記録媒体の第２の実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、非磁性基板１の上に、非磁性下地層２、第一磁性層３、第１非磁性結合層４、第二磁性層５、第２非磁性結合層８、第三磁性層９、保護層６、潤滑層７を順次積層させたものである。
本発明における非磁性基板としては、Ａｌ、Ａｌ合金などの金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜が形成されたものを用いることができる。
非磁性基板としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなるものを用いてもよいし、この非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成したものを用いてもよい。
特に、Ａｌ、Ａｌ合金、ガラス、シリコンから選ばれる１種からなる基体の表面に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成したものが好ましい。
非金属材料としては、表面平滑性の点から、ガラス、シリコンから選ばれるいずれか１種が好ましい。特に、コストおよび耐久性の点からガラスを用いるのが好ましい。ガラスとしては、結晶化ガラスまたはアモルファスガラスを用いることができる。
アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノほう珪酸ガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。
セラミックス基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体やそれらの繊維強化物が挙げられる。
非磁性基板としては、ガラス、セラミックス、シリコン、シリコンカーバイド、カーボン、樹脂などの非金属材料からなるものを用いてもよいし、この非金属材料からなる基体上にＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成したものを用いてもよい。
特に、Ａｌ、Ａｌ合金、ガラス、シリコンから選ばれる１種からなる基体の表面に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金の膜を形成したものが好ましい。
非金属材料としては、表面平滑性の点から、ガラス、シリコンから選ばれるいずれか１種が好ましい。特に、コストおよび耐久性の点からガラスを用いるのが好ましい。ガラスとしては、結晶化ガラスまたはアモルファスガラスを用いることができる。
アモルファスガラスとしては汎用のソーダライムガラス、アルミノほう珪酸ガラス、アルミノシリケートガラスを使用できる。結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスを用いることができる。
セラミックス基板としては、汎用の酸化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体やそれらの繊維強化物が挙げられる。
記録密度を高めるため、磁気ヘッドの低フライングハイト化が要求されていることから、非磁性基板の表面平滑性を高めることが望ましい。すなわち、非磁性基板は、表面平均粗さＲａが２ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以下であることが望ましい。
非磁性基板は、その表面に、テクスチャー加工によりテクスチャー痕を形成することが好ましい。テクスチャー加工では、基板表面の平均粗さが、０．１ｎｍ以上０．７ｎｍ以下（より好ましくは０．１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下、さらに好ましくは０．１ｎｍ以上０．３５ｎｍ以下）となるようにするのが好ましい。磁気記録媒体の円周方向の磁気的異方性を強める点から、テクスチャー痕はほぼ円周方向に形成されているのが好ましい。
非磁性基板は、表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３ｎｍ以下（より好ましくは０．２５ｎｍ以下）であるのが好ましい。
また、端面のチャンファー部の面取り部、側面部の少なくともいずれか一方の表面平均粗さＲａを、１０ｎｍ以下（より好ましくは９．５ｎｍ以下）とすることが、磁気ヘッドの飛行安定性にとって好ましい。
微少うねり（Ｗａ）は、例えば、表面粗さ測定装置Ｐ−１２（ＫＬＭ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用い、測定範囲８０μｍでの表面平均粗さとして測定することができる。
非磁性基板は、その表面に、テクスチャー加工によりテクスチャー痕を形成することが好ましい。テクスチャー加工では、基板表面の平均粗さが、０．１ｎｍ以上０．７ｎｍ以下（より好ましくは０．１ｎｍ以上０．５ｎｍ以下、さらに好ましくは０．１ｎｍ以上０．３５ｎｍ以下）となるようにするのが好ましい。磁気記録媒体の円周方向の磁気的異方性を強める点から、テクスチャー痕はほぼ円周方向に形成されているのが好ましい。
非磁性基板は、表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３ｎｍ以下（より好ましくは０．２５ｎｍ以下）であるのが好ましい。
また、端面のチャンファー部の面取り部、側面部の少なくともいずれか一方の表面平均粗さＲａを、１０ｎｍ以下（より好ましくは９．５ｎｍ以下）とすることが、磁気ヘッドの飛行安定性にとって好ましい。
微少うねり（Ｗａ）は、例えば、表面粗さ測定装置Ｐ−１２（ＫＬＭ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用い、測定範囲８０μｍでの表面平均粗さとして測定することができる。
非磁性基板上には、非磁性下地層が形成される。非磁性下地層は、１層構造としてもよいし、複数の構成層を積層した多層構造としてもよい。
非磁性下地層は、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種もしくは２種以上とＣｒとからなるＣｒ合金で構成することもできるし、Ｃｒで構成することもできる。
非磁性下地層を多層構造とする場合には、非磁性下地層を構成する構成層のうち少なくとも１つを上記Ｃｒ合金またはＣｒで構成することができる。
非磁性下地層は、ＮｉＡｌ系合金、ＲｕＡｌ系合金、またはＣｒ合金（Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種もしくは２種以上とＣｒとからなる合金）で構成するのが好ましい。
非磁性下地層を多層構造とする場合には、非磁性下地層を構成する構成層のうち少なくとも１つを上記ＮｉＡｌ系合金、上記ＲｕＡｌ系合金、または上記Ｃｒ合金で構成することができる。
非磁性下地層の厚さは１〜４０ｎｍ（好ましくは３〜１５ｎｍ）とすることが好ましい。この厚さが上記範囲未満では結晶成長が不充分であり、上記範囲を超えると結晶粒子が大きくなりすぎ媒体ノイズを悪化させてしまう。
非磁性下地層は、多層構造であるのが好ましい。多層構造とすることにより結晶配向がそろい、電磁変換特性が良好になるからである。
非磁性下地層を多層構造とする場合には、非磁性下地層を構成する構成層の厚さを、１〜４０ｎｍ（好ましくは３〜１５ｎｍ）とすることが好ましい。この厚さは上記範囲未満では結晶成長が不充分であり、上記範囲を超えると結晶粒子が大きくなりすぎ媒体ノイズを悪化させてしまう。
多層構造の非磁性下地層の全体の厚さは３〜１５０ｎｍとすることができる。
非磁性下地層は、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種もしくは２種以上とＣｒとからなるＣｒ合金で構成することもできるし、Ｃｒで構成することもできる。
非磁性下地層を多層構造とする場合には、非磁性下地層を構成する構成層のうち少なくとも１つを上記Ｃｒ合金またはＣｒで構成することができる。
非磁性下地層は、ＮｉＡｌ系合金、ＲｕＡｌ系合金、またはＣｒ合金（Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、ＳｉおよびＶから選ばれる１種もしくは２種以上とＣｒとからなる合金）で構成するのが好ましい。
非磁性下地層を多層構造とする場合には、非磁性下地層を構成する構成層のうち少なくとも１つを上記ＮｉＡｌ系合金、上記ＲｕＡｌ系合金、または上記Ｃｒ合金で構成することができる。
非磁性下地層の厚さは１〜４０ｎｍ（好ましくは３〜１５ｎｍ）とすることが好ましい。この厚さが上記範囲未満では結晶成長が不充分であり、上記範囲を超えると結晶粒子が大きくなりすぎ媒体ノイズを悪化させてしまう。
非磁性下地層は、多層構造であるのが好ましい。多層構造とすることにより結晶配向がそろい、電磁変換特性が良好になるからである。
非磁性下地層を多層構造とする場合には、非磁性下地層を構成する構成層の厚さを、１〜４０ｎｍ（好ましくは３〜１５ｎｍ）とすることが好ましい。この厚さは上記範囲未満では結晶成長が不充分であり、上記範囲を超えると結晶粒子が大きくなりすぎ媒体ノイズを悪化させてしまう。
多層構造の非磁性下地層の全体の厚さは３〜１５０ｎｍとすることができる。
第一磁性層は、ＣｏＣｒＺｒ系合金で構成される。第一磁性層では、Ｃｒの含有量が５〜２２ａｔ％であり、Ｚｒの含有量が１〜１０ａｔ％であるのがＳＮＲの点から好ましい。
第一磁性層の厚さは０．５〜１０ｎｍ（より好ましくは０．５〜５ｎｍ）が好適である。この厚さがこの範囲未満ではエピタキシャル成長が十分ではなく高い保磁力を得ることができない。この範囲を超えると反強磁性結合に関与しない部分によるノイズの増加が起きてしまう。
第一磁性層に用いるＣｏＣｒＺｒ系合金には、補助的効果（配向性向上、結晶粒微細化など）を有する元素を添加しても良い。添加元素としてはＴｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｈｆ、Ｒｕ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｗから選ばれた１種または２種以上が例示される。添加元素の合計含有量は１０ａｔ％以下であることが好ましい。合計含有量が１０ａｔ％を超えると、上記補助的効果（配向性向上、結晶粒微細化など）が低くなる。合計含有量は０．１ａｔ％未満では上記補助的効果が低くなるため、０．１ａｔ％以上とするのが好ましい。
第一磁性層の厚さは０．５〜１０ｎｍ（より好ましくは０．５〜５ｎｍ）が好適である。この厚さがこの範囲未満ではエピタキシャル成長が十分ではなく高い保磁力を得ることができない。この範囲を超えると反強磁性結合に関与しない部分によるノイズの増加が起きてしまう。
第一磁性層に用いるＣｏＣｒＺｒ系合金には、補助的効果（配向性向上、結晶粒微細化など）を有する元素を添加しても良い。添加元素としてはＴｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｈｆ、Ｒｕ、Ｂ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｗから選ばれた１種または２種以上が例示される。添加元素の合計含有量は１０ａｔ％以下であることが好ましい。合計含有量が１０ａｔ％を超えると、上記補助的効果（配向性向上、結晶粒微細化など）が低くなる。合計含有量は０．１ａｔ％未満では上記補助的効果が低くなるため、０．１ａｔ％以上とするのが好ましい。
非磁性結合層は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｒｕ系合金、Ｒｈ系合金、Ｉｒ系合金、Ｃｒ系合金、Ｒｅ系合金から選ばれるいずれか１種からなることが好ましい。
これらの物質は結合性エネルギー係数（Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｓｔａｎｔ）が大きいので、非磁性結合層に用いることによって、この層の上下に設けられた磁性層の磁化の反転の度合いを大きくできる。
特に、Ｒｕは上記物質の中で最も結合性エネルギー係数が大きいため、Ｒｕを使用することが望ましい。
なお、結合性エネルギー係数とは、上下に設けられた磁性層の交換相互作用の強さを表す値であり、その値が大きいほどよい。
非磁性結合層の厚さは０．５〜１．５ｎｍ（より好ましくは０．６〜１．０ｎｍ）であることが望ましい。厚さをこの範囲とすることによって十分な反強磁性結合が得られるからである。
なお、ここに示す非磁性結合層の構成は、図１に示す非磁性結合層に限らず、図２に示す第１および第２非磁性結合層に適用することもできる。
これらの物質は結合性エネルギー係数（Ｅｘｃｈａｎｇｅ Ｅｎｅｒｇｙ Ｃｏｎｓｔａｎｔ）が大きいので、非磁性結合層に用いることによって、この層の上下に設けられた磁性層の磁化の反転の度合いを大きくできる。
特に、Ｒｕは上記物質の中で最も結合性エネルギー係数が大きいため、Ｒｕを使用することが望ましい。
なお、結合性エネルギー係数とは、上下に設けられた磁性層の交換相互作用の強さを表す値であり、その値が大きいほどよい。
非磁性結合層の厚さは０．５〜１．５ｎｍ（より好ましくは０．６〜１．０ｎｍ）であることが望ましい。厚さをこの範囲とすることによって十分な反強磁性結合が得られるからである。
なお、ここに示す非磁性結合層の構成は、図１に示す非磁性結合層に限らず、図２に示す第１および第２非磁性結合層に適用することもできる。
第二磁性層および第三磁性層には、ＣｏＣｒＺｒ系合金以外の材料、例えばＣｏを主原料としたＣｏ合金であってｈｃｐ構造を有する材料を使用することができる。
具体的には、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ系合金、ＣｏＲｕＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＭ系合金（Ｍ：Ｔａ、Ｃｕから選ばれる１種以上）から選ばれた１種または２種以上を使用することができる。
なかでも特に、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＭ系合金（Ｍ：Ｔａ、Ｃｕから選ばれる１種以上）から選ばれる１種以上を使用するのが好ましい。
ＣｏＣｒＰｔ系合金を使用する場合、Ｃｒの含有量は１０〜２５ａｔ％、Ｐｔの含有量は８〜１６ａｔ％とするのがＳＮＲの点から好ましい。
ＣｏＣｒＰｔＢ系合金を使用する場合、Ｃｒの含有量は１０〜２５ａｔ％、Ｐｔの含有量は８〜１６ａｔ％、Ｂの含有量は１〜２０ａｔ％とするのがＳＮＲの点から好ましい。
ＣｏＣｒＰｔＢＴａ系合金を使用する場合、Ｃｒの含有量は１０〜２５ａｔ％、Ｐｔの含有量は８〜１６ａｔ％、Ｂの含有量は１〜２０ａｔ％、Ｔａの含有量は１〜４ａｔ％とするのがＳＮＲの点から好ましい。
ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ系合金を使用する場合、Ｃｒの含有量は１０〜２５ａｔ％、Ｐｔの含有量は８〜１６ａｔ％、Ｂの含有量は２〜２０ａｔ％、Ｃｕの含有量は１〜４ａｔ％とするのがＳＮＲの点から好ましい。
具体的には、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ系合金、ＣｏＲｕＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＭ系合金（Ｍ：Ｔａ、Ｃｕから選ばれる１種以上）から選ばれた１種または２種以上を使用することができる。
なかでも特に、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＭ系合金（Ｍ：Ｔａ、Ｃｕから選ばれる１種以上）から選ばれる１種以上を使用するのが好ましい。
ＣｏＣｒＰｔ系合金を使用する場合、Ｃｒの含有量は１０〜２５ａｔ％、Ｐｔの含有量は８〜１６ａｔ％とするのがＳＮＲの点から好ましい。
ＣｏＣｒＰｔＢ系合金を使用する場合、Ｃｒの含有量は１０〜２５ａｔ％、Ｐｔの含有量は８〜１６ａｔ％、Ｂの含有量は１〜２０ａｔ％とするのがＳＮＲの点から好ましい。
ＣｏＣｒＰｔＢＴａ系合金を使用する場合、Ｃｒの含有量は１０〜２５ａｔ％、Ｐｔの含有量は８〜１６ａｔ％、Ｂの含有量は１〜２０ａｔ％、Ｔａの含有量は１〜４ａｔ％とするのがＳＮＲの点から好ましい。
ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ系合金を使用する場合、Ｃｒの含有量は１０〜２５ａｔ％、Ｐｔの含有量は８〜１６ａｔ％、Ｂの含有量は２〜２０ａｔ％、Ｃｕの含有量は１〜４ａｔ％とするのがＳＮＲの点から好ましい。
図１に示すように、２つの磁性層（第一および第二磁性層）を備えている磁気記録媒体では、第二磁性層の厚さは、熱揺らぎ特性の点から１０ｎｍ以上とするのが好ましい。第二磁性層の厚さは、高記録密度化の観点から４０ｎｍ以下であるのが好ましい。これは、この厚さが４０ｎｍを越えると、好ましい記録再生特性が得られないからである。
図２に示すように、３つの磁性層（第一〜第三磁性層）を備えた磁気記録媒体では、第二磁性層の厚さは、第二磁性層と第一磁性層との間の反強磁性結合、および第二磁性層と第三磁性層との間の反強磁性結合の強度を高めるために、２〜１５ｎｍの範囲にすることが好ましい。
図２に示すように、３つの磁性層（第一〜第三磁性層）を備えた磁気記録媒体では、第二磁性層の厚さは、第二磁性層と第一磁性層との間の反強磁性結合、および第二磁性層と第三磁性層との間の反強磁性結合の強度を高めるために、２〜１５ｎｍの範囲にすることが好ましい。
第三磁性層の厚さは、熱揺らぎ特性の点から１０ｎｍ以上とするのが好ましい。第三磁性層の厚さは、高記録密度化の観点から４０ｎｍ以下であるのが好ましい。これは、この厚さが４０ｎｍを越えると、好ましい記録再生特性が得られないからである。
各磁性層（第一〜第三磁性層）は、複数の構成層を積層した多層構造としてもよい。この場合、構成層の材料としては第一〜第三磁性層の材料として例示したものを使用することができる。
本発明では、非磁性基板と非磁性下地層の間に、非磁性下地層のエピタキシャル成長を助長することを目的として、金属材料からなる配向調整層を設けてもよい。
配向調整層の材料としては、ＣｏＷ系合金、ＣｏＭｏ系合金、ＣｏＴａ系合金、ＣｏＮｂ系合金、ＮｉＰ系合金、ＮｉＴａ系合金、ＦｅＭｏ系合金、ＦｅＷ系合金、ＲｅＷ系合金、ＲｅＭｏ系合金、ＲｕＷ系合金、ＲｕＭｏ系合金を例示することができる。
また、配向調整層は、表面をＯ２、空気などの酸素含有ガスに接触させる表面処理を行ってもよい。配向調整層の厚さは、５〜５０ｎｍとするのが非磁性下地層におけるエピタキシャル成長の点から好ましい。
図３は、配向調整層を設けた磁気記録媒体の一例を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、非磁性基板１と非磁性下地層２との間に、配向調整層１０が設けられている。
配向調整層の材料としては、ＣｏＷ系合金、ＣｏＭｏ系合金、ＣｏＴａ系合金、ＣｏＮｂ系合金、ＮｉＰ系合金、ＮｉＴａ系合金、ＦｅＭｏ系合金、ＦｅＷ系合金、ＲｅＷ系合金、ＲｅＭｏ系合金、ＲｕＷ系合金、ＲｕＭｏ系合金を例示することができる。
また、配向調整層は、表面をＯ２、空気などの酸素含有ガスに接触させる表面処理を行ってもよい。配向調整層の厚さは、５〜５０ｎｍとするのが非磁性下地層におけるエピタキシャル成長の点から好ましい。
図３は、配向調整層を設けた磁気記録媒体の一例を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、非磁性基板１と非磁性下地層２との間に、配向調整層１０が設けられている。
さらに、非磁性基板と配向調整層との密着性を高めるために、非磁性基板と配向調整層との間に密着層を設けてもよい。
密着層には、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗから選ばれた少なくとも１種を用いることができる。密着層の厚さは１〜１００ｎｍ（より好ましくは５〜８０ｎｍ、さらに好ましくは７〜７０ｎｍ）であるのが密着性および生産性の点から好ましい。
図４は、密着層を設けた磁気記録媒体の一例を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、非磁性基板１と配向調整層１０との間に、密着層１１が設けられている。
密着層には、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗから選ばれた少なくとも１種を用いることができる。密着層の厚さは１〜１００ｎｍ（より好ましくは５〜８０ｎｍ、さらに好ましくは７〜７０ｎｍ）であるのが密着性および生産性の点から好ましい。
図４は、密着層を設けた磁気記録媒体の一例を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、非磁性基板１と配向調整層１０との間に、密着層１１が設けられている。
また、非磁性下地層と第一磁性層との間に、第一磁性層におけるエピタキシャル成長を助長することを目的として、非磁性中間層を設けても良い。非磁性中間層を設けることによって、磁気的特性（例えば保磁力）、記録再生特性（例えばＳＮＲ）を向上する効果が得られる。
非磁性中間層は、Ｃｏ、Ｃｒを含むものとすることができる。非磁性中間層にＣｏＣｒ系合金を用いた場合には、Ｃｒの含有量は２５〜４５ａｔ％の範囲内であるのがＳＮＲ向上の点から好ましい。非磁性中間層の厚さは、０．５〜３ｎｍの範囲内であるのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
図５は、非磁性中間層を設けた磁気記録媒体の一例を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、非磁性下地層２と第一磁性層３との間に、非磁性中間層１２が設けられている。
非磁性中間層は、Ｃｏ、Ｃｒを含むものとすることができる。非磁性中間層にＣｏＣｒ系合金を用いた場合には、Ｃｒの含有量は２５〜４５ａｔ％の範囲内であるのがＳＮＲ向上の点から好ましい。非磁性中間層の厚さは、０．５〜３ｎｍの範囲内であるのがＳＮＲ向上の点から好ましい。
図５は、非磁性中間層を設けた磁気記録媒体の一例を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、非磁性下地層２と第一磁性層３との間に、非磁性中間層１２が設けられている。
保護層には、従来の公知の材料、例えばカーボンやＳｉＣを用いることができる。
保護層の厚さは、１〜１０ｎｍであるのが、記録密度を高めた際のスペーシングロスおよび媒体の耐久性の点から好ましい。
保護層上には、必要に応じて、例えばパーフルオロポリエーテル等のフッ素系潤滑剤などからなる潤滑層を設けることができる。
保護層の厚さは、１〜１０ｎｍであるのが、記録密度を高めた際のスペーシングロスおよび媒体の耐久性の点から好ましい。
保護層上には、必要に応じて、例えばパーフルオロポリエーテル等のフッ素系潤滑剤などからなる潤滑層を設けることができる。
本発明の磁気記録媒体は、非磁性結合層の上下に形成された複数の磁性層の磁化方向を互いに反平行とすることができるＡＦＣ媒体である。
すなわち、上記磁気記録媒体は、第二磁性層が、第一磁性層に反強磁性結合する構成とすることができる。また、第三磁性層が第二磁性層に反強磁性結合し、かつ第二磁性層が第一磁性層に反強磁性結合した構成とすることもできる。
反強磁性結合の強さを表す指標としては、Ｈｅｘ（Ｅｘｃｈａｎｇｅ ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）、またはＪ（交換結合係数）が用いられる。
Ｈｅｘは、５００（Ｏｅ）以上であることが好ましい。Ｊは０．２ｅｒｇ／ｃｍ２以上であることが好ましい。
なお、本発明において、１ｅｒｇ／ｃｍ２＝０．００１Ｊ／ｍ２である。また、１（Ｏｅ）≒７９．５７７４７５Ａ／ｍである。また、１ｅｍｕ／ｃｃ≒１２．５６６４×１０−４Ｗｂ／ｍ２である。
すなわち、上記磁気記録媒体は、第二磁性層が、第一磁性層に反強磁性結合する構成とすることができる。また、第三磁性層が第二磁性層に反強磁性結合し、かつ第二磁性層が第一磁性層に反強磁性結合した構成とすることもできる。
反強磁性結合の強さを表す指標としては、Ｈｅｘ（Ｅｘｃｈａｎｇｅ ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）、またはＪ（交換結合係数）が用いられる。
Ｈｅｘは、５００（Ｏｅ）以上であることが好ましい。Ｊは０．２ｅｒｇ／ｃｍ２以上であることが好ましい。
なお、本発明において、１ｅｒｇ／ｃｍ２＝０．００１Ｊ／ｍ２である。また、１（Ｏｅ）≒７９．５７７４７５Ａ／ｍである。また、１ｅｍｕ／ｃｃ≒１２．５６６４×１０−４Ｗｂ／ｍ２である。
Ｈｅｘは、保磁力測定において、マイナーループを測定したときのマイナーループの中心から磁界０までの磁界強度として定義される。
Ｈｅｘが大きいほど非磁性結合層の上下に設けられた磁性層どうしの磁気的な結合は強く安定であるといえる。
マイナーループの一例を図６に示す。以下、マイナーループの測定方法の一例をこの図に沿って説明する。
まず、磁界を、０から測定最大磁界（例えば１００００（Ｏｅ））まで増加させる（図中１→２→３）。
次いで、磁界を反転させ測定最大磁界（例えば１００００（Ｏｅ））から磁化が一度減少し、磁化曲線がループを示した後、さらに磁化曲線が減少し始める位置よりも磁界が１０００（Ｏｅ）程度大きい位置（例えば−３０００（Ｏｅ））まで磁界を減少させる（図中４→５→６）。
次いで、磁界を反転させ、反転位置（例えば−３０００（Ｏｅ））から測定最大磁界（例えば１００００（Ｏｅ））まで磁界を増加させる（図中７→１→２→３）。このとき、磁化曲線に観察されるヒステリシスカーブがマイナーループである。
Ｈｅｘが大きいほど非磁性結合層の上下に設けられた磁性層どうしの磁気的な結合は強く安定であるといえる。
マイナーループの一例を図６に示す。以下、マイナーループの測定方法の一例をこの図に沿って説明する。
まず、磁界を、０から測定最大磁界（例えば１００００（Ｏｅ））まで増加させる（図中１→２→３）。
次いで、磁界を反転させ測定最大磁界（例えば１００００（Ｏｅ））から磁化が一度減少し、磁化曲線がループを示した後、さらに磁化曲線が減少し始める位置よりも磁界が１０００（Ｏｅ）程度大きい位置（例えば−３０００（Ｏｅ））まで磁界を減少させる（図中４→５→６）。
次いで、磁界を反転させ、反転位置（例えば−３０００（Ｏｅ））から測定最大磁界（例えば１００００（Ｏｅ））まで磁界を増加させる（図中７→１→２→３）。このとき、磁化曲線に観察されるヒステリシスカーブがマイナーループである。
Ｊは次の式で与えられる。
Ｊ＝Ｈｅｘ×Ｍｓ１×ｔ１
ここで、Ｍｓ１は第一磁性層の飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ）であり、ｔ１は第一磁性層の厚さである。Ｍｓ１はマイナーループより求めることができる。
Ｊ＝Ｈｅｘ×Ｍｓ１×ｔ１
ここで、Ｍｓ１は第一磁性層の飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｃ）であり、ｔ１は第一磁性層の厚さである。Ｍｓ１はマイナーループより求めることができる。
次に、本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例を説明する。
非磁性基板表面に、必要に応じてテクスチャー加工を施す。テクスチャー加工方法としては、研磨用テープを用いたメカニカルテクスチャーを採用することができる。
テクスチャー加工の際には、オッシレーションを行うことができる。オッシレーションとは、研磨用テープを基板の円周方向に走行させると同時に、この研磨用テープを基板の半径方向に揺動させる操作のことである。オッシレーションの条件は６０〜１２００回／分とすると、テクスチャーによる表面研削量が均一になるため好ましい。
テクスチャー加工の方法としては、研磨用テープを用いたメカニカルテクスチャーによる方法以外に、固定砥粒を用いた方法、固定砥石を用いた方法、レーザー加工を用いた方法を挙げることができる。
テクスチャー加工では、線密度が７５００（本／ｍｍ）以上のテクスチャー痕を基板表面に形成するのが好ましい。
非磁性基板表面に、必要に応じてテクスチャー加工を施す。テクスチャー加工方法としては、研磨用テープを用いたメカニカルテクスチャーを採用することができる。
テクスチャー加工の際には、オッシレーションを行うことができる。オッシレーションとは、研磨用テープを基板の円周方向に走行させると同時に、この研磨用テープを基板の半径方向に揺動させる操作のことである。オッシレーションの条件は６０〜１２００回／分とすると、テクスチャーによる表面研削量が均一になるため好ましい。
テクスチャー加工の方法としては、研磨用テープを用いたメカニカルテクスチャーによる方法以外に、固定砥粒を用いた方法、固定砥石を用いた方法、レーザー加工を用いた方法を挙げることができる。
テクスチャー加工では、線密度が７５００（本／ｍｍ）以上のテクスチャー痕を基板表面に形成するのが好ましい。
非磁性基板を洗浄した後、成膜装置のチャンバ内に設置する。非磁性基板は、必要に応じて１００〜４００℃に加熱される。
非磁性基板上に、非磁性下地層、第一磁性層、非磁性結合層、第二磁性層（または非磁性下地層、第一磁性層、第１非磁性結合層、第二磁性層、第２非磁性結合層、第三磁性層）をスパッタ法（例えばＤＣあるいはＲＦマグネトロンスパッタリング法）により形成する。
スパッタ法により上記各層を形成する際の操作条件は、例えば次の通りとすることができる。
非磁性基板をチャンバ内に収容し、真空度が１０−４〜１０−７Ｐａとなるまでチャンバを排気する。スパッタ用ガス（Ａｒなど）をチャンバ内に導入して放電を行う。放電の際の供給電力は０．２〜２．０ｋＷとするのが望ましい。この際、放電時間と供給電力を調節することによって、形成する層の厚さを調節することができる。
非磁性基板上に、非磁性下地層、第一磁性層、非磁性結合層、第二磁性層（または非磁性下地層、第一磁性層、第１非磁性結合層、第二磁性層、第２非磁性結合層、第三磁性層）をスパッタ法（例えばＤＣあるいはＲＦマグネトロンスパッタリング法）により形成する。
スパッタ法により上記各層を形成する際の操作条件は、例えば次の通りとすることができる。
非磁性基板をチャンバ内に収容し、真空度が１０−４〜１０−７Ｐａとなるまでチャンバを排気する。スパッタ用ガス（Ａｒなど）をチャンバ内に導入して放電を行う。放電の際の供給電力は０．２〜２．０ｋＷとするのが望ましい。この際、放電時間と供給電力を調節することによって、形成する層の厚さを調節することができる。
以下、磁気記録媒体の形成方法の一例を示す。
非磁性基板上に、Ｃｒ、Ｃｒ合金、ＮｉＡｌ系合金、ＲｕＡｌ系合金などからなるスパッタリング用ターゲットを用いて、厚さ３〜１５ｎｍの非磁性下地層を形成する。
次いで、ＣｏＣｒＺｒ系合金からなるスパッタリング用ターゲットを用いて、厚さ０．５〜５ｎｍの第一磁性層を形成する。
次いで、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｒｕ系合金、Ｒｈ系合金、Ｉｒ系合金、Ｃｒ系合金、Ｒｅ系合金などからなるスパッタリング用ターゲットを用いて、非磁性結合層を０．５〜１．５ｎｍ（より好ましくは０．６〜１．０ｎｍ）の厚さで形成する。
次いで、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ系合金、ＣｏＲｕＴａ系合金などからなるスパッタリング用ターゲットを用いて、第二磁性層を１０〜４０ｎｍの厚さで形成する。
非磁性基板上に、Ｃｒ、Ｃｒ合金、ＮｉＡｌ系合金、ＲｕＡｌ系合金などからなるスパッタリング用ターゲットを用いて、厚さ３〜１５ｎｍの非磁性下地層を形成する。
次いで、ＣｏＣｒＺｒ系合金からなるスパッタリング用ターゲットを用いて、厚さ０．５〜５ｎｍの第一磁性層を形成する。
次いで、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｒｕ系合金、Ｒｈ系合金、Ｉｒ系合金、Ｃｒ系合金、Ｒｅ系合金などからなるスパッタリング用ターゲットを用いて、非磁性結合層を０．５〜１．５ｎｍ（より好ましくは０．６〜１．０ｎｍ）の厚さで形成する。
次いで、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ系合金、ＣｏＲｕＴａ系合金などからなるスパッタリング用ターゲットを用いて、第二磁性層を１０〜４０ｎｍの厚さで形成する。
次いで、保護層を従来の公知のスパッタ法、プラズマＣＶＤ法により形成する。
次いで、必要に応じて、潤滑層を従来の公知のスピン法、ディップ法により形成する。
なお、非磁性基板と非磁性下地層との間に配向調整層を設ける場合には、非磁性下地層の形成に先だって、配向調整層の材料として例示した上述の材料からなるスパッタリング用ターゲットを用いて、配向調整層を形成する。
非磁性基板と配向調整層との間に密着層を設ける場合には、配向調整層の形成に先だって、密着層の材料として例示した上述の材料からなるスパッタリング用ターゲットを用いて、密着層を形成する。
次いで、必要に応じて、潤滑層を従来の公知のスピン法、ディップ法により形成する。
なお、非磁性基板と非磁性下地層との間に配向調整層を設ける場合には、非磁性下地層の形成に先だって、配向調整層の材料として例示した上述の材料からなるスパッタリング用ターゲットを用いて、配向調整層を形成する。
非磁性基板と配向調整層との間に密着層を設ける場合には、配向調整層の形成に先だって、密着層の材料として例示した上述の材料からなるスパッタリング用ターゲットを用いて、密着層を形成する。
上記磁気記録媒体では、ＣｏＣｒＺｒ系合金からなる第一磁性層を備えているので、媒体ノイズを低減させることができる。
この磁気記録媒体では、ＣｏＣｒＺｒ系合金が、複数の磁性層のうち最も基板側に位置する第一磁性層にのみ用いられていることが特徴である。
例えば、図１に示す例では、２つの磁性層３、５のうち第一磁性層３にのみＣｏＣｒＺｒ系合金が用いられており、図２に示す例では、３つの磁性層３、５、９のうち第一磁性層３にのみＣｏＣｒＺｒ系合金が用いられている。
この構成により、上記磁気記録媒体では、低ノイズ化が可能となる。これに対し、第一磁性層以外の磁性層にＣｏＣｒＺｒ系合金が用いられている場合には、ノイズが増加する。
また、上記磁気記録媒体は、磁性層間に反強磁性結合が形成されたＡＦＣ媒体であるので、熱的安定性を高めることができる。
この磁気記録媒体では、ＣｏＣｒＺｒ系合金が、複数の磁性層のうち最も基板側に位置する第一磁性層にのみ用いられていることが特徴である。
例えば、図１に示す例では、２つの磁性層３、５のうち第一磁性層３にのみＣｏＣｒＺｒ系合金が用いられており、図２に示す例では、３つの磁性層３、５、９のうち第一磁性層３にのみＣｏＣｒＺｒ系合金が用いられている。
この構成により、上記磁気記録媒体では、低ノイズ化が可能となる。これに対し、第一磁性層以外の磁性層にＣｏＣｒＺｒ系合金が用いられている場合には、ノイズが増加する。
また、上記磁気記録媒体は、磁性層間に反強磁性結合が形成されたＡＦＣ媒体であるので、熱的安定性を高めることができる。
図７は、上記磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置の例を示すものである。
ここに示す磁気記録再生装置は、上記構成の磁気記録媒体２０と、磁気記録媒体２０を回転駆動させる媒体駆動部２１と、磁気記録媒体２０に情報を記録再生する磁気ヘッド２２と、この磁気ヘッド２２を磁気記録媒体２０に対して相対運動させるヘッド駆動部２３と、記録再生信号処理系２４とを備えている。
記録再生信号処理系２４は、外部から入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド２２に送ったり、磁気ヘッド２２からの再生信号を処理してデータを外部に送ることができるようになっている。
磁気ヘッド２２には、再生素子として異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を利用したＭＲ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子だけでなく、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＧＭＲ素子などを有する、高記録密度に適したヘッドを用いることができる。ＧＭＲ素子を用いることによって、高密度記録化が可能となる。
ここに示す磁気記録再生装置は、上記構成の磁気記録媒体２０と、磁気記録媒体２０を回転駆動させる媒体駆動部２１と、磁気記録媒体２０に情報を記録再生する磁気ヘッド２２と、この磁気ヘッド２２を磁気記録媒体２０に対して相対運動させるヘッド駆動部２３と、記録再生信号処理系２４とを備えている。
記録再生信号処理系２４は、外部から入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド２２に送ったり、磁気ヘッド２２からの再生信号を処理してデータを外部に送ることができるようになっている。
磁気ヘッド２２には、再生素子として異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）を利用したＭＲ（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子だけでなく、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）を利用したＧＭＲ素子などを有する、高記録密度に適したヘッドを用いることができる。ＧＭＲ素子を用いることによって、高密度記録化が可能となる。
上記磁気記録再生装置によれば、第一磁性層にＣｏＣｒＺｒ系合金を用いた磁気記録媒体２０を備えているので、媒体ノイズを低減させることができる。
以下、具体例を示して本発明の作用効果を明確にする。
［実施例１］
Ａｌからなる基体（外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．２７０ｍｍ）の表面に、無電解メッキでＮｉＰ膜（厚さ１２μｍ）を形成し、その表面にテクスチャー加工を施して表面平均粗さＲａを０．５ｎｍにした非磁性基板を用いた。
非磁性基板をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ３０１０）のチャンバに収容し、チャンバを真空到達度が２×１０―７Ｔｏｒｒ（２．７×１０―５Ｐａ）まで排気した後、非磁性基板を２５０℃に加熱した。
この基板上に、非磁性下地層を設けた。非磁性下地層は、Ｃｒからなる第１構成層（厚さ５ｎｍ）上に、ＣｒＭｏ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｍｏ：２０ａｔ％）からなる第２構成層（厚さ３ｎｍ）を有する多層構造とした。
次いで、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７５ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）からなる第一磁性層（厚さ２ｎｍ）を形成した。
次いで、Ｒｕからなる非磁性結合層（厚さ０．８ｎｍ）を形成した。
次いで、ＣｏＣｒＰｔＢ合金（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：２２ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％）からなる第二磁性層（厚さ２０ｎｍ）を形成した。
次いで、カーボンからなる保護層（厚さ５ｎｍ）を形成した。
上記各層を形成する際には、スパッタガスとしてＡｒを用い、その圧力は３ｍＴｏｒｒとした。
次いで、保護層表面に、パーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤を塗布して潤滑層（厚さ２ｎｍ）を形成し、磁気記録媒体を得た。
Ａｌからなる基体（外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．２７０ｍｍ）の表面に、無電解メッキでＮｉＰ膜（厚さ１２μｍ）を形成し、その表面にテクスチャー加工を施して表面平均粗さＲａを０．５ｎｍにした非磁性基板を用いた。
非磁性基板をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ３０１０）のチャンバに収容し、チャンバを真空到達度が２×１０―７Ｔｏｒｒ（２．７×１０―５Ｐａ）まで排気した後、非磁性基板を２５０℃に加熱した。
この基板上に、非磁性下地層を設けた。非磁性下地層は、Ｃｒからなる第１構成層（厚さ５ｎｍ）上に、ＣｒＭｏ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｍｏ：２０ａｔ％）からなる第２構成層（厚さ３ｎｍ）を有する多層構造とした。
次いで、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７５ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）からなる第一磁性層（厚さ２ｎｍ）を形成した。
次いで、Ｒｕからなる非磁性結合層（厚さ０．８ｎｍ）を形成した。
次いで、ＣｏＣｒＰｔＢ合金（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：２２ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％）からなる第二磁性層（厚さ２０ｎｍ）を形成した。
次いで、カーボンからなる保護層（厚さ５ｎｍ）を形成した。
上記各層を形成する際には、スパッタガスとしてＡｒを用い、その圧力は３ｍＴｏｒｒとした。
次いで、保護層表面に、パーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤を塗布して潤滑層（厚さ２ｎｍ）を形成し、磁気記録媒体を得た。
［実施例２］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：８１ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：８１ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例３］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７９ａｔ％、Ｃｒ：１６ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７９ａｔ％、Ｃｒ：１６ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例４］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７７ａｔ％、Ｃｒ：１８ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７７ａｔ％、Ｃｒ：１８ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例５］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７３ａｔ％、Ｃｒ：２２ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７３ａｔ％、Ｃｒ：２２ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例６］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７１ａｔ％、Ｃｒ：２４ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７１ａｔ％、Ｃｒ：２４ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例７］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７９ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：１ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７９ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：１ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例８］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７７ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：３ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７７ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：３ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例９］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７３ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：７ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７３ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：７ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例１０］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７１ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：９ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７１ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：９ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例１１］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：６９ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：１１ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：６９ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：１１ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例１２］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒＢ合金（Ｃｏ：７３ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％、Ｂ：２ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒＢ合金（Ｃｏ：７３ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％、Ｂ：２ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［比較例１］
第一磁性層に、ＣｏＣｒ合金（Ｃｏ：８０ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒ合金（Ｃｏ：８０ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［比較例２］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＴａ合金（Ｃｏ：７５ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｔａ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＴａ合金（Ｃｏ：７５ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｔａ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［比較例３］
第二磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７５ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第二磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７５ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例１３］
ガラス基板（外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍ）にテクスチャー加工を施し、表面平均粗さＲａを０．３ｎｍにした非磁性基板を用いた。
非磁性基板をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ３０１０）のチャンバに収容し、チャンバを真空到達度が２×１０―７Ｔｏｒｒ（２．７×１０―５Ｐａ）となるまで排気した。
この基板上に、ＣｏＷ合金（Ｃｏ：５０ａｔ％、Ｗ：５０ａｔ％）からなる配向調整層（厚さ５ｎｍ）を形成した後、これを２５０℃に加熱した。
次いで、配向調整層の表面を酸素ガスにさらした。酸素ガスの圧力は０．０５Ｐａとし、処理時間は５秒間とした。
次いで、ＣｒＴｉＢ合金（Ｃｒ：８２ａｔ％、Ｔｉ：１６ａｔ％、Ｂ：２ａｔ％）からなる非磁性下地層（厚さ８ｎｍ）を形成した。
次いで、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：８１ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）からなる第一磁性層（厚さ２ｎｍ）を形成した。
次いで、Ｒｕからなる非磁性結合層（厚さ０．８ｎｍ）を形成した。
次いで、ＣｏＣｒＰｔＢ合金（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：２２ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％）からなる第二磁性層（厚さ２０ｎｍ）を形成した。
次いで、カーボンからなる保護層（厚さ５ｎｍ）を形成した。
上記各層を形成する際には、スパッタガスとしてＡｒを用い、その圧力は３ｍＴｏｒｒとした。
次いで、保護層表面に、パーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤を塗布して潤滑層（厚さ２ｎｍ）を形成し、磁気記録媒体を得た。
ガラス基板（外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．６３５ｍｍ）にテクスチャー加工を施し、表面平均粗さＲａを０．３ｎｍにした非磁性基板を用いた。
非磁性基板をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ３０１０）のチャンバに収容し、チャンバを真空到達度が２×１０―７Ｔｏｒｒ（２．７×１０―５Ｐａ）となるまで排気した。
この基板上に、ＣｏＷ合金（Ｃｏ：５０ａｔ％、Ｗ：５０ａｔ％）からなる配向調整層（厚さ５ｎｍ）を形成した後、これを２５０℃に加熱した。
次いで、配向調整層の表面を酸素ガスにさらした。酸素ガスの圧力は０．０５Ｐａとし、処理時間は５秒間とした。
次いで、ＣｒＴｉＢ合金（Ｃｒ：８２ａｔ％、Ｔｉ：１６ａｔ％、Ｂ：２ａｔ％）からなる非磁性下地層（厚さ８ｎｍ）を形成した。
次いで、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：８１ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）からなる第一磁性層（厚さ２ｎｍ）を形成した。
次いで、Ｒｕからなる非磁性結合層（厚さ０．８ｎｍ）を形成した。
次いで、ＣｏＣｒＰｔＢ合金（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：２２ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％）からなる第二磁性層（厚さ２０ｎｍ）を形成した。
次いで、カーボンからなる保護層（厚さ５ｎｍ）を形成した。
上記各層を形成する際には、スパッタガスとしてＡｒを用い、その圧力は３ｍＴｏｒｒとした。
次いで、保護層表面に、パーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤を塗布して潤滑層（厚さ２ｎｍ）を形成し、磁気記録媒体を得た。
［実施例１４］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：８７ａｔ％、Ｃｒ：８ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：８７ａｔ％、Ｃｒ：８ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例１５］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：８５ａｔ％、Ｃｒ：１０ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：８５ａｔ％、Ｃｒ：１０ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例１６］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：８３ａｔ％、Ｃｒ：１２ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：８３ａｔ％、Ｃｒ：１２ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例１７］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７９ａｔ％、Ｃｒ：１６ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７９ａｔ％、Ｃｒ：１６ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例１８］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７７ａｔ％、Ｃｒ：１８ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７７ａｔ％、Ｃｒ：１８ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例１９］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：８５ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％、Ｚｒ：１ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：８５ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％、Ｚｒ：１ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例２０］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：８３ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％、Ｚｒ：３ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：８３ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％、Ｚｒ：３ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例２１］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７９ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％、Ｚｒ：７ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７９ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％、Ｚｒ：７ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例２２］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７７ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％、Ｚｒ：９ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７７ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％、Ｚｒ：９ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例２３］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７５ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％、Ｚｒ：１１ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７５ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％、Ｚｒ：１１ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［比較例４］
第一磁性層に、ＣｏＣｒ合金（Ｃｏ：８６ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒ合金（Ｃｏ：８６ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［比較例５］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＴａ合金（Ｃｏ：８１ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％、Ｔａ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＴａ合金（Ｃｏ：８１ａｔ％、Ｃｒ：１４ａｔ％、Ｔａ：５ａｔ％）を用いた他は実施例１３と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［実施例２４］
Ａｌからなる基体（外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．２７０ｍｍ）の表面に、無電解メッキでＮｉＰ膜（厚さ１２μｍ）を形成し、その表面にテクスチャー加工を施し表面平均粗さＲａを０．５ｎｍにした非磁性基板を用いた。
非磁性基板をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ３０１０）のチャンバに収容し、チャンバを真空到達度が２×１０―７Ｔｏｒｒ（２．７×１０―５Ｐａ）となるまで排気した後、非磁性基板を２５０℃に加熱した。
この基板上に、非磁性下地層を設けた。非磁性下地層は、Ｃｒからなる第１構成層（厚さ５ｎｍ）上に、ＣｒＭｏ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｍｏ：２０ａｔ％）からなる第２構成層（厚さ３ｎｍ）を有する多層構造とした。
次いで、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７５ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）からなる第一磁性層（厚さ２ｎｍ）を形成した。
次いで、Ｒｕからなる第１非磁性結合層（厚さ０．８ｎｍ）を形成した。
次いで、ＣｏＣｒＰｔＢ合金（Ｃｏ：６９ａｔ％、Ｃｒ：２２ａｔ％、Ｐｔ：５ａｔ％、Ｂ：４ａｔ％）からなる第二磁性層（厚さ４ｎｍ）を形成した。
次いで、Ｒｕからなる第２非磁性結合層（厚さ０．８ｎｍ）を形成した。
次いで、ＣｏＣｒＰｔＢ合金（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：２２ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％）からなる第三磁性層（厚さ１５ｎｍ）を形成した。
次いで、カーボンからなる保護層（厚さ５ｎｍ）を形成した。
上記各層を形成する際には、スパッタガスとしてＡｒを用い、その圧力は３ｍＴｏｒｒとした。
次いで、保護層表面に、パーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤を塗布して潤滑層（厚さ２ｎｍ）を形成し、磁気記録媒体を得た。
Ａｌからなる基体（外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．２７０ｍｍ）の表面に、無電解メッキでＮｉＰ膜（厚さ１２μｍ）を形成し、その表面にテクスチャー加工を施し表面平均粗さＲａを０．５ｎｍにした非磁性基板を用いた。
非磁性基板をＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ３０１０）のチャンバに収容し、チャンバを真空到達度が２×１０―７Ｔｏｒｒ（２．７×１０―５Ｐａ）となるまで排気した後、非磁性基板を２５０℃に加熱した。
この基板上に、非磁性下地層を設けた。非磁性下地層は、Ｃｒからなる第１構成層（厚さ５ｎｍ）上に、ＣｒＭｏ合金（Ｃｒ：８０ａｔ％、Ｍｏ：２０ａｔ％）からなる第２構成層（厚さ３ｎｍ）を有する多層構造とした。
次いで、ＣｏＣｒＺｒ合金（Ｃｏ：７５ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｚｒ：５ａｔ％）からなる第一磁性層（厚さ２ｎｍ）を形成した。
次いで、Ｒｕからなる第１非磁性結合層（厚さ０．８ｎｍ）を形成した。
次いで、ＣｏＣｒＰｔＢ合金（Ｃｏ：６９ａｔ％、Ｃｒ：２２ａｔ％、Ｐｔ：５ａｔ％、Ｂ：４ａｔ％）からなる第二磁性層（厚さ４ｎｍ）を形成した。
次いで、Ｒｕからなる第２非磁性結合層（厚さ０．８ｎｍ）を形成した。
次いで、ＣｏＣｒＰｔＢ合金（Ｃｏ：６０ａｔ％、Ｃｒ：２２ａｔ％、Ｐｔ：１２ａｔ％、Ｂ：６ａｔ％）からなる第三磁性層（厚さ１５ｎｍ）を形成した。
次いで、カーボンからなる保護層（厚さ５ｎｍ）を形成した。
上記各層を形成する際には、スパッタガスとしてＡｒを用い、その圧力は３ｍＴｏｒｒとした。
次いで、保護層表面に、パーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤を塗布して潤滑層（厚さ２ｎｍ）を形成し、磁気記録媒体を得た。
［比較例６］
第一磁性層に、ＣｏＣｒ合金（Ｃｏ：８０ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％）を用いた他は実施例２４と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒ合金（Ｃｏ：８０ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％）を用いた他は実施例２４と同様にして磁気記録媒体を作製した。
［比較例７］
第一磁性層に、ＣｏＣｒＴａ合金（Ｃｏ：７５ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｔａ：５ａｔ％）を用いた他は実施例２４と同様にして磁気記録媒体を作製した。
第一磁性層に、ＣｏＣｒＴａ合金（Ｃｏ：７５ａｔ％、Ｃｒ：２０ａｔ％、Ｔａ：５ａｔ％）を用いた他は実施例２４と同様にして磁気記録媒体を作製した。
上記各実施例および比較例について、グライドテスターを用い、グライド高さを０．３μｉｎｃｈ（１ｉｎｃｈ≒２５．４ｍｍ）として、グライドテストを行ない、このテストで問題が生じなかった磁気記録媒体について、リードライトアナライザーＲＷＡ１６３２（ＧＵＺＩＫ社製）を用いて記録再生特性を調べた。
記録再生特性としては、電磁変換特性（再生信号出力（ＴＡＡ）、孤立波再生出力の半値幅（ＰＷ５０）、ＳＮＲ、オーバライト（ＯＷ））を測定した。
記録再生特性の評価には、再生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気記録ヘッドを用いた。
ノイズの測定では、５００ｋＦＣＩのパターン信号を書き込んだ時の、１ＭＨｚから５００ｋＦＣＩ相当周波数までの積分ノイズを測定した。再生出力は２５０ｋＦＣＩとし、ＳＮＲは２０×ｌｏｇ（再生出力／１ＭＨｚから５００ｋＦＣＩ相当周波数までの積分ノイズ）に基づいて算出した。
保磁力（Ｈｃ）および角型比（Ｓ＊）およびＨｅｘの測定には、カー効果式磁気特性測定装置（ＲＯ１９００、日立電子エンジニアリング社製）を用いた。
結果を表１に示す。なお、表１では、例えば、Ｃｏ：７５ａｔ％，Ｃｒ：２０ａｔ％，Ｚｒ：５ａｔ％の組成からなる磁性層を、７５Ｃｏ２０Ｃｒ５Ｚｒと表記することとする。
記録再生特性としては、電磁変換特性（再生信号出力（ＴＡＡ）、孤立波再生出力の半値幅（ＰＷ５０）、ＳＮＲ、オーバライト（ＯＷ））を測定した。
記録再生特性の評価には、再生部に巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気記録ヘッドを用いた。
ノイズの測定では、５００ｋＦＣＩのパターン信号を書き込んだ時の、１ＭＨｚから５００ｋＦＣＩ相当周波数までの積分ノイズを測定した。再生出力は２５０ｋＦＣＩとし、ＳＮＲは２０×ｌｏｇ（再生出力／１ＭＨｚから５００ｋＦＣＩ相当周波数までの積分ノイズ）に基づいて算出した。
保磁力（Ｈｃ）および角型比（Ｓ＊）およびＨｅｘの測定には、カー効果式磁気特性測定装置（ＲＯ１９００、日立電子エンジニアリング社製）を用いた。
結果を表１に示す。なお、表１では、例えば、Ｃｏ：７５ａｔ％，Ｃｒ：２０ａｔ％，Ｚｒ：５ａｔ％の組成からなる磁性層を、７５Ｃｏ２０Ｃｒ５Ｚｒと表記することとする。
実施例１〜１２、２４、比較例１〜３、６では、非磁性基板としてＡｌ基板を用いた。実施例１３〜２３、比較例４、５では、非磁性基板としてガラス基板を用いた。
実施例１〜６より、第一磁性層を構成するＣｏＣｒＺｒ系合金のＣｒ含有量が１４〜２２ａｔ％である場合には、良好なＳＮＲを示したことがわかる。Ｃｒ含有量が２４ａｔ％である場合には磁化が不充分となってしまうためにＳＮＲが低下した。
実施例１、７〜１１より、第一磁性層を構成するＣｏＣｒＺｒ系合金のＺｒ含有量が１〜９ａｔ％である場合には、良好なＳＮＲを示したことがわかる。特に３〜７ａｔ％である場合に、ＳＮＲが極大となった。Ｚｒ含有量が１１ａｔ％である場合には磁化が不充分となってしまうためにＳＮＲが低下した。
実施例１２より、第一磁性層を構成するＣｏＣｒＺｒ系合金に、添加元素としてＢを添加することによって、ＳＮＲの向上が見られたことがわかる。
比較例１、２より、第一磁性層にＣｏＣｒ系合金、ＣｏＣｒＴａ系合金を用いた場合には、ＣｏＣｒＺｒ系合金を用いた場合と比較してＳＮＲが劣ることがわかる。
比較例３より、第二磁性層にＣｏＣｒＺｒ系合金を用いた場合には、保磁力が大幅に低下しＳＮＲも大幅に低下したことがわかる。
実施例１３〜１８より、第一磁性層を構成するＣｏＣｒＺｒ系合金のＣｒ含有量が８〜１８ａｔ％である場合には、良好なＳＮＲを示したことがわかる。
実施例１９〜２３より、第一磁性層を構成するＣｏＣｒＺｒ系合金のＺｒ含有量が１〜９ａｔ％である場合には、良好なＳＮＲを示したことがわかる。特に３〜７ａｔ％である場合には、ＳＮＲが極大となった。Ｚｒ含有量が１１ａｔ％である場合には、磁化は問題ないものの、角型比、ＳＮＲの低下が見られた。
比較例３、４より、第一磁性層にＣｏＣｒ系合金、ＣｏＣｒＴａ系合金を用いた場合には、ＣｏＣｒＺｒ系合金を用いた場合と比較してＳＮＲが劣ることがわかる。
実施例２４は、第一磁性層、第１非磁性結合層、第二磁性層、第２非磁性結合層、第三磁性層を設けた場合（すなわち３層の磁性層と２層の非磁性結合層とを設けた場合）の例である。この場合にも、第一磁性層にＣｏＣｒＺｒ系合金を用いた場合には、第一磁性層にＣｏＣｒ系合金やＣｏＣｒＴａ系合金を用いた比較例６、７と比較して優れたＳＮＲを示したことがわかる。
実施例１〜６より、第一磁性層を構成するＣｏＣｒＺｒ系合金のＣｒ含有量が１４〜２２ａｔ％である場合には、良好なＳＮＲを示したことがわかる。Ｃｒ含有量が２４ａｔ％である場合には磁化が不充分となってしまうためにＳＮＲが低下した。
実施例１、７〜１１より、第一磁性層を構成するＣｏＣｒＺｒ系合金のＺｒ含有量が１〜９ａｔ％である場合には、良好なＳＮＲを示したことがわかる。特に３〜７ａｔ％である場合に、ＳＮＲが極大となった。Ｚｒ含有量が１１ａｔ％である場合には磁化が不充分となってしまうためにＳＮＲが低下した。
実施例１２より、第一磁性層を構成するＣｏＣｒＺｒ系合金に、添加元素としてＢを添加することによって、ＳＮＲの向上が見られたことがわかる。
比較例１、２より、第一磁性層にＣｏＣｒ系合金、ＣｏＣｒＴａ系合金を用いた場合には、ＣｏＣｒＺｒ系合金を用いた場合と比較してＳＮＲが劣ることがわかる。
比較例３より、第二磁性層にＣｏＣｒＺｒ系合金を用いた場合には、保磁力が大幅に低下しＳＮＲも大幅に低下したことがわかる。
実施例１３〜１８より、第一磁性層を構成するＣｏＣｒＺｒ系合金のＣｒ含有量が８〜１８ａｔ％である場合には、良好なＳＮＲを示したことがわかる。
実施例１９〜２３より、第一磁性層を構成するＣｏＣｒＺｒ系合金のＺｒ含有量が１〜９ａｔ％である場合には、良好なＳＮＲを示したことがわかる。特に３〜７ａｔ％である場合には、ＳＮＲが極大となった。Ｚｒ含有量が１１ａｔ％である場合には、磁化は問題ないものの、角型比、ＳＮＲの低下が見られた。
比較例３、４より、第一磁性層にＣｏＣｒ系合金、ＣｏＣｒＴａ系合金を用いた場合には、ＣｏＣｒＺｒ系合金を用いた場合と比較してＳＮＲが劣ることがわかる。
実施例２４は、第一磁性層、第１非磁性結合層、第二磁性層、第２非磁性結合層、第三磁性層を設けた場合（すなわち３層の磁性層と２層の非磁性結合層とを設けた場合）の例である。この場合にも、第一磁性層にＣｏＣｒＺｒ系合金を用いた場合には、第一磁性層にＣｏＣｒ系合金やＣｏＣｒＴａ系合金を用いた比較例６、７と比較して優れたＳＮＲを示したことがわかる。
１・・・非磁性基板、２・・・非磁性下地層、３・・・第一磁性層、４，８・・・非磁性結合層、５・・・第二磁性層、６・・・保護層、９・・・第三磁性層、２０…磁気記録媒体
Claims (13)
- 非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層、第一磁性層、非磁性結合層、第二磁性層および保護層がこの順番で積層され、第二磁性層が第一磁性層に反強磁性結合した磁気記録媒体において、第一磁性層がＣｏＣｒＺｒ系合金で構成され、前記第一磁性層のＣｒの含有量が５〜２２ａｔ％、Ｚｒの含有量が１〜１０ａｔ％であり、前記第二磁性層が、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＭ系合金（Ｍ：Ｔａ、Ｃｕから選ばれる１種以上）から選ばれる１種以上からなることを特徴とする磁気記録媒体。
- 非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層、第一磁性層、非磁性結合層、第二磁性層、非磁性結合層、第三磁性層および保護層がこの順番で積層され、第三磁性層が第二磁性層に反強磁性結合し、かつ第二磁性層が第一磁性層に反強磁性結合した磁気記録媒体において、第一磁性層がＣｏＣｒＺｒ系合金で構成され、前記第一磁性層のＣｒの含有量が５〜２２ａｔ％、Ｚｒの含有量が１〜１０ａｔ％であり、前記第二磁性層および第三磁性層が、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＭ系合金（Ｍ：Ｔａ、Ｃｕから選ばれる１種以上）から選ばれる１種以上からなることを特徴とする磁気記録媒体。
- 第一磁性層の厚さは、０．５〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
- 非磁性結合層は、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｒｕ系合金、Ｒｈ系合金、Ｉｒ系合金、Ｃｒ系合金、Ｒｅ系合金から選ばれるいずれか１種からなり、かつ厚さが０．５〜１．５ｎｍであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
- 非磁性下地層は、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、Ｓｉ、およびＶから選ばれる１種または２種以上とＣｒとからなるＣｒ合金、またはＣｒからなる層を含む多層構造であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
- 非磁性下地層は、ＮｉＡｌ系合金、ＲｕＡｌ系合金、またはＣｒ合金からなる層を含む多層構造であり、このＣｒ合金が、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｂ、Ｓｉ、およびＶから選ばれる１種または２種以上とＣｒとからなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
- 非磁性基板は、ガラス基板、シリコン基板から選ばれるいずれか１種であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
- 非磁性基板は、Ａｌ、Ａｌ合金、ガラス、シリコンから選ばれるいずれか１種からなる基体の表面に、ＮｉＰまたはＮｉＰ合金からなる膜を形成したものであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
- 非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層、第一磁性層、非磁性結合層、第二磁性層および保護層がこの順番で積層され、第二磁性層が第一磁性層に反強磁性結合した磁気記録媒体を製造する方法であって、第一磁性層をＣｏＣｒＺｒ系合金で構成し、前記第一磁性層のＣｒの含有量を５〜２２ａｔ％、Ｚｒの含有量を１〜１０ａｔ％とし、前記第二磁性層を、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＭ系合金（Ｍ：Ｔａ、Ｃｕから選ばれる１種以上）から選ばれる１種以上から形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
- 非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層、第一磁性層、非磁性結合層、第二磁性層、非磁性結合層、第三磁性層および保護層がこの順番で積層され、第三磁性層が第二磁性層に反強磁性結合し、かつ第二磁性層が第一磁性層に反強磁性結合した磁気記録媒体を製造する方法において、第一磁性層をＣｏＣｒＺｒ系合金で構成し、前記第一磁性層のＣｒの含有量を５〜２２ａｔ％、Ｚｒの含有量を１〜１０ａｔ％とし、前記第二磁性層および第三磁性層を、ＣｏＣｒＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢ系合金、ＣｏＣｒＰｔＢＭ系合金（Ｍ：Ｔａ、Ｃｕから選ばれる１種以上）から選ばれる１種以上から形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
- 前記第一磁性層の厚さを０．５〜１０ｎｍとすることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 前記非磁性結合層を、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｒｕ系合金、Ｒｈ系合金、Ｉｒ系合金、Ｃｒ系合金、Ｒｅ系合金から選ばれるいずれか１種から形成し、かつ厚さを０．５〜１．５ｎｍとすることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えたことを特徴とする磁気記録再生装置。
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| JP2003103367 | 2003-04-07 | ||
| JP2004113057A JP4034290B2 (ja) | 2003-04-07 | 2004-04-07 | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録再生装置 |
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