JP4150493B2 - パターン描画装置における温度測定方法 - Google Patents
パターン描画装置における温度測定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4150493B2 JP4150493B2 JP2000250848A JP2000250848A JP4150493B2 JP 4150493 B2 JP4150493 B2 JP 4150493B2 JP 2000250848 A JP2000250848 A JP 2000250848A JP 2000250848 A JP2000250848 A JP 2000250848A JP 4150493 B2 JP4150493 B2 JP 4150493B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- chamber
- dummy substrate
- stage
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/42—Circuits effecting compensation of thermal inertia; Circuits for predicting the stationary value of a temperature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パターン描画製造装置における温度測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年ＬＳＩの高集積化及び大容量化に伴い、半導体装置に要求される回路線幅はますます微細化されてきている。これらの半導体装置は、従来、所望の回路パターンを形成するのに数十種類の原画パターン（レチクル或いはマスクと呼ばれる）を、半導体ウエハ上の露光領域に高精度に位置合わせして、転写することによって作成している。この半導体ウエハが光学系に対しステップ＆リピートするためにこの転写装置はステッパと呼ばれている。
【０００３】
このような半導体プロセスにおいて、原画パターンの形成方法は、片面にＣｒを蒸着したガラス基板上に、レジストが均一に塗布された基板を用い、この基板上に電子ビームを照射して、パターン設計データにしたがってビームスポットを走査する。そして現像することによって電子ビームが照射された部分のレジストをマスクとして、下層のＣｒをエッチングし前記レジストを除去することによって所望のパターンを形成する。
【０００４】
このようなガラス基板上にパターンを描画する場合、描画中にガラス基板の温度が変化するとガラス基板の膨張や収縮が生じる。描画の際、ガラス基板はレーザ干渉計により精密に制御された描画ステージ上に固定されており、ガラス基板上のどこにパターンを描画するかは、レーザ干渉計の測定値に基づき制御される。したがって描画中にガラス基板が膨張や収縮するとパターンの位置誤差が生じる。例えば、合成石英からなるガラス基板の線膨張係数αはα＝０．４×１０−６であるので、描画中のガラス基板温度が１℃変化すると、ガラス基板上で１３０ｍｍ隔てた２点間の距離は１３０ｍｍ×α＝５２ｎｍ変化し、パターン位置の誤差としては大きい値となる。このことはステージ上にガラス基板を搬送する前の温度が低い場合、描画中における温度変化が大きくなり前記パターン位置の誤差はより顕著となる。
【０００５】
上記問題を回避するために、ガラス基板を搬送する経路は、温度制御された恒温水を近傍に通過させることにより温度の安定化を図っている。また温度制御のために、基板搬送経路内の各主要部に温度計を設置し、恒温化しているかどうかモニタする必要がある。
【０００６】
しかしながら、温度計は絶対温度に対し、かならずある量の測定値ずれ（ＪＩＳ１級で絶対値±０．１５℃）を持つため、搬送経路を一様の温度に設定するためには、各温度計の個体差を較正する必要があった。しかし、温度較正を行うためには温度の絶対基準を用意して数十個ある温度計を全て合わせこむ必要があり、調整に多大な労力を要する。
【０００７】
また、温度計は基板の搬送を妨ない位置や描画中は基板から離れたステージ上或いはチャンバー内に設置しなければならず、実際の基板そのものの温度を正確に測定することができないという問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題点を鑑みてなされたもので、搬送途中の基板温度及び描画中の基板温度を正確に測定し、高精度なパターンを形成できる微細描画装置における温度測定方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、描画チャンバーと、前記描画チャンバー内に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続された待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設置された恒温装置とを具備するパターン描画装置における温度測定方法であって、温度測定手段と、前記温度測定手段によって測定された温度を記録する記録手段とを具備するダミー基板を、前記恒温装置に搬送し、次に前記描画チャンバー内に搬送し、次に前記ステージ上に設置することによって、前記恒温装置、前記ステージ上の搬送経路における前記ダミー基板の温度履歴を前記記録手段に記録する温度測定方法であり、前記搬送経路内の少なくとも１箇所に前記ダミー基板を滞留し、当該場所の温度を測定する工程と、前記搬送経路内の温度分布を計算する演算工程と、前記計算結果に基づき前記描画装置にパターン描画データの補正値を与える制御工程とを具備することを特徴とするパターン描画装置における温度測定方法を提供する。
【００１０】
また本発明は、描画チャンバーと、前記描画チャンバー内に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続された待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設置された恒温装置とを具備するパターン描画装置における温度測定方法であって、温度測定手段と、前記温度測定手段によって測定された温度を電磁波に変換し出力する発信手段とを具備するダミー基板を、前記恒温装置に搬送し、次に前記描画チャンバー内に搬送し、次に前記ステージ上に設置することによって、前記恒温装置、前記ステージ上の搬送経路における前記ダミー基板の温度履歴を前記発信手段から前記チャンバー外部で受信することによって測定する温度測定方法であり、前記搬送経路内の少なくとも１箇所に前記ダミー基板を滞留し、当該場所の温度を測定する工程と、前記搬送経路内の温度分布を計算する演算工程と、前記計算結果に基き前記描画装置にパターン描画データの補正値を与える制御工程とを具備することを特徴とするパターン描画装置における温度測定方法を提供する。
【００１１】
また、本発明は、描画チャンバーと、前記描画チャンバー内に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続された待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設置された恒温装置とを具備するパターン描画装置における温度測定方法であって、温度測定手段と、前記温度測定手段に接続された端子とを具備するダミー基板を、前記恒温装置に搬送し、次に前記描画チャンバー内に搬送し、次に前記ステージ上に設置することによって、前記恒温装置、前記ステージ上の搬送経路における前記ダミー基板の温度を前記搬送経路内に設けられた接続手段と前記ダミー基板の前記端子とを接続することによって測定する温度測定方法であり、前記搬送経路内の少なくとも１箇所に前記ダミー基板を滞留し、当該場所の温度を測定する工程と、前記搬送経路内の温度分布を計算する演算工程と、前記計算結果に基づき前記描画装置にパターン描画データの補正値を与える制御工程とを具備することを特徴とするパターン描画装置における温度測定方法を提供する。
【００１２】
また、本発明は、描画チャンバーと、前記描画チャンバー内に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続された待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設置された恒温装置とを具備するパターン描画装置における温度測定方法であって、温度測定手段と、前記温度測定手段によって測定された温度を記録又は外部に出力する記録出力手段とを具備するダミー基板を、前記恒温装置に搬送し、次に前記描画チャンバー内に搬送し、次に前記ステージ上に設置することによって、前記恒温装置、前記ステージ上の搬送経路における前記ダミー基板の温度履歴を前記記録出力手段により記録又は外部に出力する温度測定方法であり、前記搬送経路内の少なくとも１箇所に前記ダミー基板を滞留し、当該場所の温度を測定する工程と、前記搬送経路内の温度分布を計算する演算工程と、前記計算結果に基づき搬送経路内の温度変化が小さくなるように最適な値に制御する制御工程とを具備することを特徴とするパターン描画装置における温度測定方法を提供する。
【００１４】
また、本発明は、描画チャンバーと、前記描画チャンバー内に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続された待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設置された恒温装置とを具備するパターン描画装置における温度測定方法において、温度測定手段と、前記温度測定手段に接続された端子とを具備するダミー基板を、前記ステージ上に搬送し、前記ステージに設けられた接続手段と前記ダミー基板に設けられた前記端子とを接続して前記ステージ上に設置された前記ダミー基板の温度を測定し、この測定された温度に基づいて、前記ダミー基板が搬送された経路における温度変化が小さくなるように、温度を制御することを特徴とするパターン描画装置における温度測定方法を提供する。
【００１５】
本発明では、半導体素子パターンを露光する原画パターンを形成するためのマスク基板と、実質的に同じ形状を持つダミー基板に温度計を設置し、実際のマスク基板を搬送するのと同じ条件で、ダミー基板を描画装置内に搬送し、描画装置内での温度履歴を測定することを骨子とする。
【００１６】
このようにすることによって実際のマスク基板の温度変化を測定可能になり、ダミー基板の温度履歴データに基づいて必要に応じて描画装置や恒温装置、ロードロック装置等の温度制御を調整し、或いはパターン露光条件を調整することで、合わせずれのない高精度パターンマスクを製造することが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の好ましい実施形態について説明する。
【００１８】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る高精度パターン描画装置における温度測定方法に用いるダミー基板の上面から見た概略図である。
【００１９】
符号１は、実際に作成するマスク基板とほぼ同じ形状に加工されたガラス基板である。符号３は白金抵抗体や熱電対等の温度計、符号４はマイクロコンピュータを内蔵する半導体メモリ等の記憶手段を示す。温度計３はガラス基板１の表面上に設置され、ガラス基板１内部に埋め込まれている記憶手段４と電気的に接続されている。また温度計４が白金抵抗体や熱電対の場合、温度は電位差として測定されるので電圧計を介して記憶手段に記憶されるようになっている。
【００２０】
図２は、本発明に用いる高精度パターン描画装置の上面から見た概略図である。
【００２１】
描画装置の描画チャンバー１０内には、ＸＹステージ１５が配置されている。この描画チャンバー１０は、ゲートバルブ３２を介して、ロボット室３１と接続されている。ロボット室３１は恒温装置が設置されている描画待機用チャンバー８及びロードロック３０と接続されている。描画チャンバー１０には温度制御手段１１が設置されステージ１５の温度制御をし、描画待機用チャンバー８には温度制御手段１４が接続され描画待機用チャンバー内に設置されている恒温装置の温度制御を行う。
【００２２】
次に、このように配置された高精度パターン描画装置に、図１に示した温度計３及び記録手段４を具備するダミー基板１を搬入してその温度履歴を測定する場合について述べる。
【００２３】
先ず、図１に示したダミー基板１を、ロードロック３０内に配置し、真空引きしてロボット室３１に接続する。このときロボット室３１、描画待機用チャンバー８、描画チャンバー１０は予め排気されている。
【００２４】
次に、ダミー基板１は、ロボット室３１内にあるロボットアームによって描画待機用チャンバー８内に設置されている恒温装置上に搬入される。この恒温装置は、温度制御手段１４によって、描画チャンバー１０内のステージ１５と同じ温度になるように温度制御手段１１と同じ温度に設定されている。ダミー基板１は、描画待機用チャンバー８内で一定時間待機し、一定温度になるように恒温化される。
【００２５】
次に、ダミー基板１は、図２中矢印３３に示すように、ロボットアームによって描画待機用チャンバー８内から搬出され、描画チャンバー１０内のステージ上に搬入され設置される。このときゲートバルブ３２は開閉される。
【００２６】
図３は、このときのダミー基板１がステージ１５上に設置された状態を示す断面図である。
【００２７】
図３に示すように、ダミー基板１はステージ１５上の基板保持手段２によって固定されている。図中１２は電子ビームを照射するための鏡筒である。
【００２８】
そして実際の描画パターンによって描画装置を作動させる。描画終了後ダミー基板１は、ロボットアームによって、描画チャンバー１０から搬出され、ロードロック３０に搬出される。
【００２９】
ダミー基板１は、これら一連の搬入過程及び搬出過程における温度変化を、温度計３によって測定し、この測定結果を記録手段４によって記録する。
【００３０】
図４に、記録手段４に記録された温度計３の時間変化を示す。
【００３１】
図４は、描画待機チャンバー８内にＴ１時間（Ｔ１＝２時間）保持後、ステージ１５上にＴ２時間（Ｔ２＝２．５時間）保持して描画したときの温度変化を示している。
【００３２】
図４に示すように、描画待機用チャンバー８内の温度ｔ１（ｔ１＝２２．３９℃）からステージ上の温度ｔ２（ｔ２＝２３．０２℃）まで、徐々に温度が上昇している様子が分かる。
【００３３】
このようにダミー基板１をこの装置に搬入する前には、ステージ１５の温度制御装置１１と、描画待機用チャンバー８内における恒温装置の温度制御装置１４の設定温度を同じ値にしていたが、それぞれの温度センサーには誤差があり、実際にダミー基板１を搬入してみると、その経路においてダミー基板１自体が受ける温度には差が生じていることが分かる。
【００３４】
もし、ダミー基板１を予め搬入して予備温度検査をせずにマスク基板を描画していれば、ステージ１５上に設置してから描画が終了するまでに温度差による膨張或いは収縮が起こり高精度パターンを描画することができない。
【００３５】
本実施形態では図４の結果より、搬送経路中における描画待機用チャンバー８内の恒温装置の設定温度が低いと判断し、温度制御装置１４の設定温度をΔｔ＝ｔ２（ステージ温度）−ｔ１（恒温装置温度）だけ昇温した。
【００３６】
また、このとき描画条件がゆるすならばステージ１５の温度制御装置１１の設定温度をΔｔ＝ｔ２（ステージ温度）−ｔ１（恒温装置温度）だけ降温させても良い。
【００３７】
また、これらの温度調整を行った後に、温度調整が正しく行われていることの確認或いは正しくなければ微調整のために、再度ダミー基板１を搬入して温度履歴を検出することが好ましい。
【００３８】
また、最終的に全ての装置内の温度が一定となったことを確認後、ステージ１５の温度制御装置１１と描画待機用チャンバー８内の恒温装置に接続された温度制御装置１４の温度目盛りを合わせこむことによって、それぞれの温度計の温度較正を行うこともできる。
【００３９】
このように予めダミー基板によって基板温度変化を測定し、温度補正することで、実際のマスク基板を描画する際に、装置内の温度差からくる基板の膨張・収縮を抑えることが可能となり、高精度パターンを形成することが可能となる。
【００４０】
（実施形態２）
図５（ａ）は、本発明の実施形態２に係る高精度パターン描画装置における温度測定方法に用いるダミー基板の上面から見た概略図であり、図５（ｂ）はダミー基板からの温度データを外部で受信し記録する装置の概略図である。
【００４１】
符号１は、実際に作成するマスク基板とほぼ同じ形状に加工されたガラス基板である。符号３は白金抵抗体や熱電対等の温度計、符号５はマイクロコンピュータを内蔵する発信手段を示めす。温度計３はガラス基板１の表面上に設置され、ガラス基板１内部に埋め込まれている発信手段４と電気的に接続されている。また温度計４が白金抵抗体や熱電対の場合温度は電位差として測定されるので電圧計を介して発信手段５に送られ電磁波に変換される。
【００４２】
また、外部装置は、発信手段５によって発信された電磁波を受信手段６で受信し、記録手段４に記録するように接続されている。
【００４３】
本実施形態によるダミー基板１も実施形態１と同様に用いることで、搬入経路における温度履歴を測定することが可能となる。
【００４４】
また、本実施形態では、ダミー基板１が受ける温度履歴をリアルタイムで外部装置によってモニタできるので、ステージ１５の温度制御装置１１及び描画待機用チャンバー８内における恒温装置の温度制御装置１４の合わせこみもより一層高精度に行うことが可能となる。
【００４５】
（実施形態３）
図６は、本発明の実施形態３に係る高精度パターン描画装置における温度測定方法に用いるダミー基板の上面から見た概略図である。
【００４６】
符号１は、実際に作成するマスク基板とほぼ同じ形状に加工されたガラス基板である。符号３は白金抵抗体や熱電対等の温度計、符号７は温度計３に接続された出力端子を示す。温度計３及び出力端子７はガラス基板１の表面上に設置されている。
【００４７】
本実施形態では、図２に示す描画待機用チャンバー８内の恒温装置に、ダミー基板１の出力端子７と接続可能な端子を配置し、温度制御装置１４等の外部装置からダミー基板１上の温度計の測定値をモニタできるようになっている。
【００４８】
また、この場合先ず描画待機用チャンバー８内の恒温装置の温度を測定し、次に、ダミー基板１をロボットアームでステージ１５上に搬入し、ステージ上にて温度が安定するまで十分滞留した後、すばやくロボットアームで描画待機用チャンバー８内に移動させて温度をモニタする。こうすることでステージ１５上における基板温度を測定することができる。
【００４９】
このような外部とダミー基板１上に形成された出力端子７とを接続できるように搬入経路に別途端子を設けることも可能である。例えば、このような端子をステージ１５に設けることによって描画待機チャンバー８内の恒温装置から搬入されたダミー基板１の温度変化の様子がリアルタイムで観測できる。
【００５０】
（実施形態４）
図７は、図６に示すダミー基板１がステージ１５上に設置された状態を示す断面図である。
【００５１】
図７に示すように、ダミー基板１はステージ１５上の基板保持手段２によって固定されている。図中１２は電子ビームを照射するための電子光学鏡筒である。
【００５２】
基板保持手段２内部にはダミー基板１における出力端子７と電気的に接続された配線１３が通されており、外部の記憶手段４と接続されている。
【００５３】
ダミー基板１に電子光学鏡筒１２から電子ビームを照射すると、ビーム照射によるダミー基板１の温度変化をリアルタイムで測定することができる。温度変化は描画するパターンデータなどの条件によって変化するため、ダミー基板１によって予め所望の描画データにより温度変動を測定しておく。次に、この温度変動データを基にダミー基板１に温度変動が生じないように、ステージ１５温度を温度制御装置１１にて制御する。このときの制御データを基に、実際のマスク基板を描画することによって、基板温度変動が生じず、高精度のパターンを形成することが可能となる。
【００５４】
（実施形態５）
図８は、図６に示すダミー基板１がステージ１５上に設置された状態を示す断面図である。
【００５５】
図８に示すように、ダミー基板１はステージ１５上の基板保持手段２によって固定されている。図中１２は電子ビームを照射するための電子光学鏡筒である。また符合１６は、電子ビームの出力や描画パターンを制御する描画制御装置である。
【００５６】
基板保持手段２内部にはダミー基板１における出力端子７と電気的に接続された配線１３が通されており、外部の記憶手段４と接続されている。
【００５７】
ダミー基板１に電子光学鏡筒１２から電子ビームを照射すると、ビーム照射によるダミー基板１の温度変化をリアルタイムで測定することができる。温度変化は描画するパターンデータなどの条件によって変化するため、ダミー基板１によって予め所望の描画データにより温度変動を測定しておく。次に、この温度変動データを基にマスク基板の伸縮を計算し、描画制御装置１６に入力して、実際のマスク基板を描画するときにマスク基板の伸縮に対応してパターン描画させることによって、基板温度の変動が生じても、高精度のパターンを形成することが可能となる。
【００５８】
【発明の効果】
本発明では、予めダミー基板を用いて基板温度を測定し、このデータに基づいて、装置内の温度補正をし、或いはパターン補正をすることで、高精度のパターンを形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施形態１に係る高精度パターン描画装置における温度測定にもちいるダミー基板の上面概略図。
【図２】 本発明の高精度パターン描画装置の上面概略図。
【図３】 本発明の高精度パターン描画装置の断面概略図。
【図４】 本発明の実施形態１に係る高精度パターン描画装置における温度測定の測定結果を示す図。
【図５】 本発明の実施形態２に係る高精度パターン描画装置における温度測定にもちいる、（ａ）ダミー基板の上面概略図及び（ｂ）外部受信装置と記憶手段を示す概略図。
【図６】 本発明の実施形態３に係る高精度パターン描画装置における温度測定にもちいるダミー基板の上面概略図。
【図７】 本発明の実施形態４に係る高精度パターン描画装置の断面概略図。
【図８】 本発明の実施形態５に係る高精度パターン描画装置の断面概略図。
【符号の説明】
１・・・ダミー基板
２・・・基板保持手段
３・・・温度計
４・・・記録手段
５・・・発信手段
６・・・受信手段
７・・・出力端子
８・・・描画待機用チャンバー
１０・・・描画チャンバー
１１・・・温度制御装置
１２・・・電子光学鏡筒
１３・・・配線
１４・・・温度制御装置
１５・・・ステージ
１６・・・描画制御装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、パターン描画製造装置における温度測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年ＬＳＩの高集積化及び大容量化に伴い、半導体装置に要求される回路線幅はますます微細化されてきている。これらの半導体装置は、従来、所望の回路パターンを形成するのに数十種類の原画パターン（レチクル或いはマスクと呼ばれる）を、半導体ウエハ上の露光領域に高精度に位置合わせして、転写することによって作成している。この半導体ウエハが光学系に対しステップ＆リピートするためにこの転写装置はステッパと呼ばれている。
【０００３】
このような半導体プロセスにおいて、原画パターンの形成方法は、片面にＣｒを蒸着したガラス基板上に、レジストが均一に塗布された基板を用い、この基板上に電子ビームを照射して、パターン設計データにしたがってビームスポットを走査する。そして現像することによって電子ビームが照射された部分のレジストをマスクとして、下層のＣｒをエッチングし前記レジストを除去することによって所望のパターンを形成する。
【０００４】
このようなガラス基板上にパターンを描画する場合、描画中にガラス基板の温度が変化するとガラス基板の膨張や収縮が生じる。描画の際、ガラス基板はレーザ干渉計により精密に制御された描画ステージ上に固定されており、ガラス基板上のどこにパターンを描画するかは、レーザ干渉計の測定値に基づき制御される。したがって描画中にガラス基板が膨張や収縮するとパターンの位置誤差が生じる。例えば、合成石英からなるガラス基板の線膨張係数αはα＝０．４×１０−６であるので、描画中のガラス基板温度が１℃変化すると、ガラス基板上で１３０ｍｍ隔てた２点間の距離は１３０ｍｍ×α＝５２ｎｍ変化し、パターン位置の誤差としては大きい値となる。このことはステージ上にガラス基板を搬送する前の温度が低い場合、描画中における温度変化が大きくなり前記パターン位置の誤差はより顕著となる。
【０００５】
上記問題を回避するために、ガラス基板を搬送する経路は、温度制御された恒温水を近傍に通過させることにより温度の安定化を図っている。また温度制御のために、基板搬送経路内の各主要部に温度計を設置し、恒温化しているかどうかモニタする必要がある。
【０００６】
しかしながら、温度計は絶対温度に対し、かならずある量の測定値ずれ（ＪＩＳ１級で絶対値±０．１５℃）を持つため、搬送経路を一様の温度に設定するためには、各温度計の個体差を較正する必要があった。しかし、温度較正を行うためには温度の絶対基準を用意して数十個ある温度計を全て合わせこむ必要があり、調整に多大な労力を要する。
【０００７】
また、温度計は基板の搬送を妨ない位置や描画中は基板から離れたステージ上或いはチャンバー内に設置しなければならず、実際の基板そのものの温度を正確に測定することができないという問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記問題点を鑑みてなされたもので、搬送途中の基板温度及び描画中の基板温度を正確に測定し、高精度なパターンを形成できる微細描画装置における温度測定方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、描画チャンバーと、前記描画チャンバー内に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続された待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設置された恒温装置とを具備するパターン描画装置における温度測定方法であって、温度測定手段と、前記温度測定手段によって測定された温度を記録する記録手段とを具備するダミー基板を、前記恒温装置に搬送し、次に前記描画チャンバー内に搬送し、次に前記ステージ上に設置することによって、前記恒温装置、前記ステージ上の搬送経路における前記ダミー基板の温度履歴を前記記録手段に記録する温度測定方法であり、前記搬送経路内の少なくとも１箇所に前記ダミー基板を滞留し、当該場所の温度を測定する工程と、前記搬送経路内の温度分布を計算する演算工程と、前記計算結果に基づき前記描画装置にパターン描画データの補正値を与える制御工程とを具備することを特徴とするパターン描画装置における温度測定方法を提供する。
【００１０】
また本発明は、描画チャンバーと、前記描画チャンバー内に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続された待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設置された恒温装置とを具備するパターン描画装置における温度測定方法であって、温度測定手段と、前記温度測定手段によって測定された温度を電磁波に変換し出力する発信手段とを具備するダミー基板を、前記恒温装置に搬送し、次に前記描画チャンバー内に搬送し、次に前記ステージ上に設置することによって、前記恒温装置、前記ステージ上の搬送経路における前記ダミー基板の温度履歴を前記発信手段から前記チャンバー外部で受信することによって測定する温度測定方法であり、前記搬送経路内の少なくとも１箇所に前記ダミー基板を滞留し、当該場所の温度を測定する工程と、前記搬送経路内の温度分布を計算する演算工程と、前記計算結果に基き前記描画装置にパターン描画データの補正値を与える制御工程とを具備することを特徴とするパターン描画装置における温度測定方法を提供する。
【００１１】
また、本発明は、描画チャンバーと、前記描画チャンバー内に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続された待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設置された恒温装置とを具備するパターン描画装置における温度測定方法であって、温度測定手段と、前記温度測定手段に接続された端子とを具備するダミー基板を、前記恒温装置に搬送し、次に前記描画チャンバー内に搬送し、次に前記ステージ上に設置することによって、前記恒温装置、前記ステージ上の搬送経路における前記ダミー基板の温度を前記搬送経路内に設けられた接続手段と前記ダミー基板の前記端子とを接続することによって測定する温度測定方法であり、前記搬送経路内の少なくとも１箇所に前記ダミー基板を滞留し、当該場所の温度を測定する工程と、前記搬送経路内の温度分布を計算する演算工程と、前記計算結果に基づき前記描画装置にパターン描画データの補正値を与える制御工程とを具備することを特徴とするパターン描画装置における温度測定方法を提供する。
【００１２】
また、本発明は、描画チャンバーと、前記描画チャンバー内に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続された待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設置された恒温装置とを具備するパターン描画装置における温度測定方法であって、温度測定手段と、前記温度測定手段によって測定された温度を記録又は外部に出力する記録出力手段とを具備するダミー基板を、前記恒温装置に搬送し、次に前記描画チャンバー内に搬送し、次に前記ステージ上に設置することによって、前記恒温装置、前記ステージ上の搬送経路における前記ダミー基板の温度履歴を前記記録出力手段により記録又は外部に出力する温度測定方法であり、前記搬送経路内の少なくとも１箇所に前記ダミー基板を滞留し、当該場所の温度を測定する工程と、前記搬送経路内の温度分布を計算する演算工程と、前記計算結果に基づき搬送経路内の温度変化が小さくなるように最適な値に制御する制御工程とを具備することを特徴とするパターン描画装置における温度測定方法を提供する。
【００１４】
また、本発明は、描画チャンバーと、前記描画チャンバー内に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続された待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設置された恒温装置とを具備するパターン描画装置における温度測定方法において、温度測定手段と、前記温度測定手段に接続された端子とを具備するダミー基板を、前記ステージ上に搬送し、前記ステージに設けられた接続手段と前記ダミー基板に設けられた前記端子とを接続して前記ステージ上に設置された前記ダミー基板の温度を測定し、この測定された温度に基づいて、前記ダミー基板が搬送された経路における温度変化が小さくなるように、温度を制御することを特徴とするパターン描画装置における温度測定方法を提供する。
【００１５】
本発明では、半導体素子パターンを露光する原画パターンを形成するためのマスク基板と、実質的に同じ形状を持つダミー基板に温度計を設置し、実際のマスク基板を搬送するのと同じ条件で、ダミー基板を描画装置内に搬送し、描画装置内での温度履歴を測定することを骨子とする。
【００１６】
このようにすることによって実際のマスク基板の温度変化を測定可能になり、ダミー基板の温度履歴データに基づいて必要に応じて描画装置や恒温装置、ロードロック装置等の温度制御を調整し、或いはパターン露光条件を調整することで、合わせずれのない高精度パターンマスクを製造することが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の好ましい実施形態について説明する。
【００１８】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る高精度パターン描画装置における温度測定方法に用いるダミー基板の上面から見た概略図である。
【００１９】
符号１は、実際に作成するマスク基板とほぼ同じ形状に加工されたガラス基板である。符号３は白金抵抗体や熱電対等の温度計、符号４はマイクロコンピュータを内蔵する半導体メモリ等の記憶手段を示す。温度計３はガラス基板１の表面上に設置され、ガラス基板１内部に埋め込まれている記憶手段４と電気的に接続されている。また温度計４が白金抵抗体や熱電対の場合、温度は電位差として測定されるので電圧計を介して記憶手段に記憶されるようになっている。
【００２０】
図２は、本発明に用いる高精度パターン描画装置の上面から見た概略図である。
【００２１】
描画装置の描画チャンバー１０内には、ＸＹステージ１５が配置されている。この描画チャンバー１０は、ゲートバルブ３２を介して、ロボット室３１と接続されている。ロボット室３１は恒温装置が設置されている描画待機用チャンバー８及びロードロック３０と接続されている。描画チャンバー１０には温度制御手段１１が設置されステージ１５の温度制御をし、描画待機用チャンバー８には温度制御手段１４が接続され描画待機用チャンバー内に設置されている恒温装置の温度制御を行う。
【００２２】
次に、このように配置された高精度パターン描画装置に、図１に示した温度計３及び記録手段４を具備するダミー基板１を搬入してその温度履歴を測定する場合について述べる。
【００２３】
先ず、図１に示したダミー基板１を、ロードロック３０内に配置し、真空引きしてロボット室３１に接続する。このときロボット室３１、描画待機用チャンバー８、描画チャンバー１０は予め排気されている。
【００２４】
次に、ダミー基板１は、ロボット室３１内にあるロボットアームによって描画待機用チャンバー８内に設置されている恒温装置上に搬入される。この恒温装置は、温度制御手段１４によって、描画チャンバー１０内のステージ１５と同じ温度になるように温度制御手段１１と同じ温度に設定されている。ダミー基板１は、描画待機用チャンバー８内で一定時間待機し、一定温度になるように恒温化される。
【００２５】
次に、ダミー基板１は、図２中矢印３３に示すように、ロボットアームによって描画待機用チャンバー８内から搬出され、描画チャンバー１０内のステージ上に搬入され設置される。このときゲートバルブ３２は開閉される。
【００２６】
図３は、このときのダミー基板１がステージ１５上に設置された状態を示す断面図である。
【００２７】
図３に示すように、ダミー基板１はステージ１５上の基板保持手段２によって固定されている。図中１２は電子ビームを照射するための鏡筒である。
【００２８】
そして実際の描画パターンによって描画装置を作動させる。描画終了後ダミー基板１は、ロボットアームによって、描画チャンバー１０から搬出され、ロードロック３０に搬出される。
【００２９】
ダミー基板１は、これら一連の搬入過程及び搬出過程における温度変化を、温度計３によって測定し、この測定結果を記録手段４によって記録する。
【００３０】
図４に、記録手段４に記録された温度計３の時間変化を示す。
【００３１】
図４は、描画待機チャンバー８内にＴ１時間（Ｔ１＝２時間）保持後、ステージ１５上にＴ２時間（Ｔ２＝２．５時間）保持して描画したときの温度変化を示している。
【００３２】
図４に示すように、描画待機用チャンバー８内の温度ｔ１（ｔ１＝２２．３９℃）からステージ上の温度ｔ２（ｔ２＝２３．０２℃）まで、徐々に温度が上昇している様子が分かる。
【００３３】
このようにダミー基板１をこの装置に搬入する前には、ステージ１５の温度制御装置１１と、描画待機用チャンバー８内における恒温装置の温度制御装置１４の設定温度を同じ値にしていたが、それぞれの温度センサーには誤差があり、実際にダミー基板１を搬入してみると、その経路においてダミー基板１自体が受ける温度には差が生じていることが分かる。
【００３４】
もし、ダミー基板１を予め搬入して予備温度検査をせずにマスク基板を描画していれば、ステージ１５上に設置してから描画が終了するまでに温度差による膨張或いは収縮が起こり高精度パターンを描画することができない。
【００３５】
本実施形態では図４の結果より、搬送経路中における描画待機用チャンバー８内の恒温装置の設定温度が低いと判断し、温度制御装置１４の設定温度をΔｔ＝ｔ２（ステージ温度）−ｔ１（恒温装置温度）だけ昇温した。
【００３６】
また、このとき描画条件がゆるすならばステージ１５の温度制御装置１１の設定温度をΔｔ＝ｔ２（ステージ温度）−ｔ１（恒温装置温度）だけ降温させても良い。
【００３７】
また、これらの温度調整を行った後に、温度調整が正しく行われていることの確認或いは正しくなければ微調整のために、再度ダミー基板１を搬入して温度履歴を検出することが好ましい。
【００３８】
また、最終的に全ての装置内の温度が一定となったことを確認後、ステージ１５の温度制御装置１１と描画待機用チャンバー８内の恒温装置に接続された温度制御装置１４の温度目盛りを合わせこむことによって、それぞれの温度計の温度較正を行うこともできる。
【００３９】
このように予めダミー基板によって基板温度変化を測定し、温度補正することで、実際のマスク基板を描画する際に、装置内の温度差からくる基板の膨張・収縮を抑えることが可能となり、高精度パターンを形成することが可能となる。
【００４０】
（実施形態２）
図５（ａ）は、本発明の実施形態２に係る高精度パターン描画装置における温度測定方法に用いるダミー基板の上面から見た概略図であり、図５（ｂ）はダミー基板からの温度データを外部で受信し記録する装置の概略図である。
【００４１】
符号１は、実際に作成するマスク基板とほぼ同じ形状に加工されたガラス基板である。符号３は白金抵抗体や熱電対等の温度計、符号５はマイクロコンピュータを内蔵する発信手段を示めす。温度計３はガラス基板１の表面上に設置され、ガラス基板１内部に埋め込まれている発信手段４と電気的に接続されている。また温度計４が白金抵抗体や熱電対の場合温度は電位差として測定されるので電圧計を介して発信手段５に送られ電磁波に変換される。
【００４２】
また、外部装置は、発信手段５によって発信された電磁波を受信手段６で受信し、記録手段４に記録するように接続されている。
【００４３】
本実施形態によるダミー基板１も実施形態１と同様に用いることで、搬入経路における温度履歴を測定することが可能となる。
【００４４】
また、本実施形態では、ダミー基板１が受ける温度履歴をリアルタイムで外部装置によってモニタできるので、ステージ１５の温度制御装置１１及び描画待機用チャンバー８内における恒温装置の温度制御装置１４の合わせこみもより一層高精度に行うことが可能となる。
【００４５】
（実施形態３）
図６は、本発明の実施形態３に係る高精度パターン描画装置における温度測定方法に用いるダミー基板の上面から見た概略図である。
【００４６】
符号１は、実際に作成するマスク基板とほぼ同じ形状に加工されたガラス基板である。符号３は白金抵抗体や熱電対等の温度計、符号７は温度計３に接続された出力端子を示す。温度計３及び出力端子７はガラス基板１の表面上に設置されている。
【００４７】
本実施形態では、図２に示す描画待機用チャンバー８内の恒温装置に、ダミー基板１の出力端子７と接続可能な端子を配置し、温度制御装置１４等の外部装置からダミー基板１上の温度計の測定値をモニタできるようになっている。
【００４８】
また、この場合先ず描画待機用チャンバー８内の恒温装置の温度を測定し、次に、ダミー基板１をロボットアームでステージ１５上に搬入し、ステージ上にて温度が安定するまで十分滞留した後、すばやくロボットアームで描画待機用チャンバー８内に移動させて温度をモニタする。こうすることでステージ１５上における基板温度を測定することができる。
【００４９】
このような外部とダミー基板１上に形成された出力端子７とを接続できるように搬入経路に別途端子を設けることも可能である。例えば、このような端子をステージ１５に設けることによって描画待機チャンバー８内の恒温装置から搬入されたダミー基板１の温度変化の様子がリアルタイムで観測できる。
【００５０】
（実施形態４）
図７は、図６に示すダミー基板１がステージ１５上に設置された状態を示す断面図である。
【００５１】
図７に示すように、ダミー基板１はステージ１５上の基板保持手段２によって固定されている。図中１２は電子ビームを照射するための電子光学鏡筒である。
【００５２】
基板保持手段２内部にはダミー基板１における出力端子７と電気的に接続された配線１３が通されており、外部の記憶手段４と接続されている。
【００５３】
ダミー基板１に電子光学鏡筒１２から電子ビームを照射すると、ビーム照射によるダミー基板１の温度変化をリアルタイムで測定することができる。温度変化は描画するパターンデータなどの条件によって変化するため、ダミー基板１によって予め所望の描画データにより温度変動を測定しておく。次に、この温度変動データを基にダミー基板１に温度変動が生じないように、ステージ１５温度を温度制御装置１１にて制御する。このときの制御データを基に、実際のマスク基板を描画することによって、基板温度変動が生じず、高精度のパターンを形成することが可能となる。
【００５４】
（実施形態５）
図８は、図６に示すダミー基板１がステージ１５上に設置された状態を示す断面図である。
【００５５】
図８に示すように、ダミー基板１はステージ１５上の基板保持手段２によって固定されている。図中１２は電子ビームを照射するための電子光学鏡筒である。また符合１６は、電子ビームの出力や描画パターンを制御する描画制御装置である。
【００５６】
基板保持手段２内部にはダミー基板１における出力端子７と電気的に接続された配線１３が通されており、外部の記憶手段４と接続されている。
【００５７】
ダミー基板１に電子光学鏡筒１２から電子ビームを照射すると、ビーム照射によるダミー基板１の温度変化をリアルタイムで測定することができる。温度変化は描画するパターンデータなどの条件によって変化するため、ダミー基板１によって予め所望の描画データにより温度変動を測定しておく。次に、この温度変動データを基にマスク基板の伸縮を計算し、描画制御装置１６に入力して、実際のマスク基板を描画するときにマスク基板の伸縮に対応してパターン描画させることによって、基板温度の変動が生じても、高精度のパターンを形成することが可能となる。
【００５８】
【発明の効果】
本発明では、予めダミー基板を用いて基板温度を測定し、このデータに基づいて、装置内の温度補正をし、或いはパターン補正をすることで、高精度のパターンを形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施形態１に係る高精度パターン描画装置における温度測定にもちいるダミー基板の上面概略図。
【図２】 本発明の高精度パターン描画装置の上面概略図。
【図３】 本発明の高精度パターン描画装置の断面概略図。
【図４】 本発明の実施形態１に係る高精度パターン描画装置における温度測定の測定結果を示す図。
【図５】 本発明の実施形態２に係る高精度パターン描画装置における温度測定にもちいる、（ａ）ダミー基板の上面概略図及び（ｂ）外部受信装置と記憶手段を示す概略図。
【図６】 本発明の実施形態３に係る高精度パターン描画装置における温度測定にもちいるダミー基板の上面概略図。
【図７】 本発明の実施形態４に係る高精度パターン描画装置の断面概略図。
【図８】 本発明の実施形態５に係る高精度パターン描画装置の断面概略図。
【符号の説明】
１・・・ダミー基板
２・・・基板保持手段
３・・・温度計
４・・・記録手段
５・・・発信手段
６・・・受信手段
７・・・出力端子
８・・・描画待機用チャンバー
１０・・・描画チャンバー
１１・・・温度制御装置
１２・・・電子光学鏡筒
１３・・・配線
１４・・・温度制御装置
１５・・・ステージ
１６・・・描画制御装置
Claims (4)
- 描画チャンバーと、前記描画チャンバー内に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続された待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設置された恒温装置とを具備するパターン描画装置における温度測定方法であって、
温度測定手段と、前記温度測定手段によって測定された温度を記録する記録手段とを具備するダミー基板を、前記恒温装置に搬送し、次に前記描画チャンバー内に搬送し、次に前記ステージ上に設置することによって、前記恒温装置、前記ステージ上の搬送経路における前記ダミー基板の温度履歴を前記記録手段に記録する温度測定方法であり、
前記搬送経路内の少なくとも１箇所に前記ダミー基板を滞留し、当該場所の温度を測定する工程と、前記搬送経路内の温度分布を計算する演算工程と、前記計算結果に基き前記描画装置にパターン描画データの補正値を与える制御工程とを具備することを特徴とするパターン描画装置における温度測定方法。 - 描画チャンバーと、前記描画チャンバー内に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続された待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設置された恒温装置とを具備するパターン描画装置における温度測定方法であって、
温度測定手段と、前記温度測定手段によって測定された温度を電磁波に変換し出力する発信手段とを具備するダミー基板を、前記恒温装置に搬送し、次に前記描画チャンバー内に搬送し、次に前記ステージ上に設置することによって、前記恒温装置、前記ステージ上の搬送経路における前記ダミー基板の温度履歴を前記発信手段から前記チャンバー外部で受信することによって測定する温度測定方法であり、
前記搬送経路内の少なくとも１箇所に前記ダミー基板を滞留し、当該場所の温度を測定する工程と、前記搬送経路内の温度分布を計算する演算工程と、前記計算結果に基き前記描画装置にパターン描画データの補正値を与える制御工程とを具備することを特徴とするパターン描画装置における温度測定方法。 - 描画チャンバーと、前記描画チャンバー内に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続された待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設置された恒温装置とを具備するパターン描画装置における温度測定方法であって、
温度測定手段と、前記温度測定手段に接続された端子とを具備するダミー基板を、前記恒温装置に搬送し、次に前記描画チャンバー内に搬送し、次に前記ステージ上に設置することによって、前記恒温装置、前記ステージ上の搬送経路における前記ダミー基板の温度を前記搬送経路内に設けられた接続手段と前記ダミー基板の前記端子とを接続することによって測定する温度測定方法であり、
前記搬送経路内の少なくとも１箇所に前記ダミー基板を滞留し、当該場所の温度を測定する工程と、前記搬送経路内の温度分布を計算する演算工程と、前記計算結果に基き前記描画装置にパターン描画データの補正値を与える制御工程とを具備することを特徴とするパターン描画装置における温度測定方法。 - 描画チャンバーと、前記描画チャンバー内に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続された待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設置された恒温装置とを具備するパターン描画装置における温度測定方法であって、
温度測定手段と、前記温度測定手段によって測定された温度を記録又は外部に出力する記録出力手段とを具備するダミー基板を、前記恒温装置に搬送し、次に前記描画チャンバー内に搬送し、次に前記ステージ上に設置することによって、前記恒温装置、前記ステージ上の搬送経路における前記ダミー基板の温度履歴を前記記録出力手段により記録又は外部に出力する温度測定方法であり、
前記搬送経路内の少なくとも１箇所に前記ダミー基板を滞留し、当該場所の温度を測定する工程と、前記搬送経路内の温度分布を計算する演算工程と、前記計算結果に基き搬送経路内の温度変化が小さくなるように最適な値に制御する制御工程とを具備することを特徴とするパターン描画装置における温度測定方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000250848A JP4150493B2 (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | パターン描画装置における温度測定方法 |
| US09/933,719 US6676289B2 (en) | 2000-08-22 | 2001-08-22 | Temperature measuring method in pattern drawing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000250848A JP4150493B2 (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | パターン描画装置における温度測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002064050A JP2002064050A (ja) | 2002-02-28 |
| JP4150493B2 true JP4150493B2 (ja) | 2008-09-17 |
Family
ID=18740352
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000250848A Expired - Lifetime JP4150493B2 (ja) | 2000-08-22 | 2000-08-22 | パターン描画装置における温度測定方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6676289B2 (ja) |
| JP (1) | JP4150493B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011129673A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び基板配置室の温度調整方法 |
Families Citing this family (328)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030115978A1 (en) * | 2001-12-20 | 2003-06-26 | Moehnke Stephanie J. | Apparatus and method for monitoring environment within a container |
| JP2003195476A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Toshiba Corp | パターン形成装置およびパターン形成方法 |
| US6971793B2 (en) * | 2003-03-21 | 2005-12-06 | Asm Assembly Automation Ltd. | Test handler temperature monitoring system |
| KR101915914B1 (ko) * | 2003-05-28 | 2018-11-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
| EP1524558A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
| JP5034327B2 (ja) * | 2006-06-07 | 2012-09-26 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体製造装置用温度測定具、半導体製造装置の温度測定方法、及び半導体製造装置 |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| JP2012253055A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-20 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び描画方法 |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| USD876504S1 (en) | 2017-04-03 | 2020-02-25 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| TWI815813B (zh) | 2017-08-04 | 2023-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成 |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) * | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| US12272527B2 (en) | 2018-05-09 | 2025-04-08 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same |
| KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| TWI815915B (zh) | 2018-06-27 | 2023-09-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
| KR102854019B1 (ko) | 2018-06-27 | 2025-09-02 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US12378665B2 (en) | 2018-10-26 | 2025-08-05 | Asm Ip Holding B.V. | High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI866480B (zh) | 2019-01-17 | 2024-12-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| TWI845607B (zh) | 2019-02-20 | 2024-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| JP7603377B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-12-20 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR102858005B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| KR102782593B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-03-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
| KR102809999B1 (ko) | 2019-04-01 | 2025-05-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| DE102019205812A1 (de) * | 2019-04-24 | 2020-10-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Fehleridentifikation in einem Fertigungs- oder Bearbeitungsprozess für ein Bauteil, insbesondere für eine Steuerplatine, mit einem Sensor-Trägerteil |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| US11289326B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for reforming amorphous carbon polymer film |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP7598201B2 (ja) | 2019-05-16 | 2024-12-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP7612342B2 (ja) | 2019-05-16 | 2025-01-14 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| KR20200141931A (ko) | 2019-06-10 | 2020-12-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| KR102860110B1 (ko) | 2019-07-17 | 2025-09-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| TWI839544B (zh) | 2019-07-19 | 2024-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法 |
| KR20210010817A (ko) | 2019-07-19 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법 |
| TWI851767B (zh) | 2019-07-29 | 2024-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US12169361B2 (en) | 2019-07-30 | 2024-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN118422165A (zh) | 2019-08-05 | 2024-08-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| CN112342526A (zh) | 2019-08-09 | 2021-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 包括冷却装置的加热器组件及其使用方法 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR102806450B1 (ko) | 2019-09-04 | 2025-05-12 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| TW202128273A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR102845724B1 (ko) | 2019-10-21 | 2025-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR102861314B1 (ko) | 2019-11-20 | 2025-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| CN112951697B (zh) | 2019-11-26 | 2025-07-29 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692B (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-15 | Asmip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN120432376A (zh) | 2019-11-29 | 2025-08-05 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| JP7636892B2 (ja) | 2020-01-06 | 2025-02-27 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | チャネル付きリフトピン |
| TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR20210093163A (ko) | 2020-01-16 | 2021-07-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TWI889744B (zh) | 2020-01-29 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 污染物捕集系統、及擋板堆疊 |
| TW202513845A (zh) | 2020-02-03 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置結構及其形成方法 |
| TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| KR20210103953A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20210103956A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| CN113410160A (zh) | 2020-02-28 | 2021-09-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 专用于零件清洁的系统 |
| KR20210113043A (ko) | 2020-03-04 | 2021-09-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 정렬 고정구 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| KR102775390B1 (ko) | 2020-03-12 | 2025-02-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| KR102755229B1 (ko) | 2020-04-02 | 2025-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TWI887376B (zh) | 2020-04-03 | 2025-06-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 半導體裝置的製造方法 |
| TWI888525B (zh) | 2020-04-08 | 2025-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| KR20210128343A (ko) | 2020-04-15 | 2021-10-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| KR20210130646A (ko) | 2020-04-21 | 2021-11-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 방법 |
| KR102866804B1 (ko) | 2020-04-24 | 2025-09-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| TWI884193B (zh) | 2020-04-24 | 2025-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202208671A (zh) | 2020-04-24 | 2022-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括硼化釩及磷化釩層的結構之方法 |
| JP2021172585A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | バナジウム化合物を安定化するための方法および装置 |
| KR102783898B1 (ko) | 2020-04-29 | 2025-03-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| JP7726664B2 (ja) | 2020-05-04 | 2025-08-20 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板を処理するための基板処理システム |
| KR102788543B1 (ko) | 2020-05-13 | 2025-03-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
| KR20210145079A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치 |
| KR102795476B1 (ko) | 2020-05-21 | 2025-04-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| KR20210146802A (ko) | 2020-05-26 | 2021-12-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TWI876048B (zh) | 2020-05-29 | 2025-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| KR20210156219A (ko) | 2020-06-16 | 2021-12-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TWI873359B (zh) | 2020-06-30 | 2025-02-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12431354B2 (en) | 2020-07-01 | 2025-09-30 | Asm Ip Holding B.V. | Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| TWI878570B (zh) | 2020-07-20 | 2025-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| US12322591B2 (en) | 2020-07-27 | 2025-06-03 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition process |
| KR20220021863A (ko) | 2020-08-14 | 2022-02-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| TW202228863A (zh) | 2020-08-25 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統 |
| TWI874701B (zh) | 2020-08-26 | 2025-03-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法 |
| TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
| TW202217045A (zh) | 2020-09-10 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TWI889903B (zh) | 2020-09-25 | 2025-07-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR20220050047A (ko) | 2020-10-15 | 2022-04-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 예측 유지보수 방법 및 예측 유지보수 장치 |
| TW202232565A (zh) | 2020-10-15 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 製造半導體裝置之方法及使用乙太網路控制自動化技術之基板處理裝置 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| TW202233884A (zh) | 2020-12-14 | 2022-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成臨限電壓控制用之結構的方法 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202232639A (zh) | 2020-12-18 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具有可旋轉台的晶圓處理設備 |
| TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| JP2024043947A (ja) * | 2022-09-20 | 2024-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 測温用基板の校正方法、基板測温システム及び測温用基板 |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54121793A (en) * | 1978-03-15 | 1979-09-21 | Hitachi Ltd | High temperature operation sensor |
| US4278380A (en) * | 1979-04-30 | 1981-07-14 | Varian Associates, Inc. | Lock and elevator arrangement for loading workpieces into the work chamber of an electron beam lithography system |
| JPH07118440B2 (ja) * | 1986-07-09 | 1995-12-18 | 東芝機械株式会社 | 電子ビ−ム描画装置 |
| US4890245A (en) * | 1986-09-22 | 1989-12-26 | Nikon Corporation | Method for measuring temperature of semiconductor substrate and apparatus therefor |
| JPS63199421A (ja) * | 1987-02-16 | 1988-08-17 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム描画方法 |
| JPH01196518A (ja) * | 1988-01-30 | 1989-08-08 | Dainippon Printing Co Ltd | センサカード |
| US4929090A (en) * | 1988-10-24 | 1990-05-29 | Isabelle Grahm | Temperature history indicatiang label |
| US5436172A (en) * | 1991-05-20 | 1995-07-25 | Texas Instruments Incorporated | Real-time multi-zone semiconductor wafer temperature and process uniformity control system |
| JPH0510826A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アレイセンサ |
| JP2957046B2 (ja) * | 1991-07-17 | 1999-10-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 被測定体への熱電対固定方法 |
| JPH0666643A (ja) * | 1992-08-20 | 1994-03-11 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | 温度検出器付き基板 |
| DE4228484C2 (de) * | 1992-08-27 | 1998-10-01 | Bosch Gmbh Robert | Temperaturfühler |
| US5281025A (en) * | 1993-01-14 | 1994-01-25 | International Business Machines Corp. | Temperature sensing device for dynamically measuring temperature fluctuation in a tip of a bonding device |
| JPH06275674A (ja) * | 1993-03-24 | 1994-09-30 | Fujitsu Ten Ltd | ワイヤボンダ |
| TW301037B (ja) * | 1993-11-19 | 1997-03-21 | Sony Co Ltd | |
| JPH08220304A (ja) * | 1995-02-13 | 1996-08-30 | Tadahiro Omi | 光学物品及びそれを用いた露光装置又は光学系並びにその製造方法 |
| US5775808A (en) * | 1996-06-19 | 1998-07-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for real-time, in situ measurement of temperature and a method of fabricating and using same |
| KR100234539B1 (ko) * | 1996-12-24 | 1999-12-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 식각 장치 |
| US6090176A (en) * | 1997-03-18 | 2000-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sample transferring method and sample transfer supporting apparatus |
| US6417774B1 (en) * | 1997-10-30 | 2002-07-09 | Fireeye Development Inc. | System and method for identifying unsafe temperature conditions |
| JP2927284B2 (ja) * | 1997-12-22 | 1999-07-28 | 日本電気株式会社 | 磁気シールドルーム |
| US6091255A (en) * | 1998-05-08 | 2000-07-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for tasking processing modules based upon temperature |
| US6203969B1 (en) * | 1998-09-14 | 2001-03-20 | Tokyo Electron Limited | Resist processing apparatus which measures temperature of heat-sensing substrate and measuring method therein |
| US6190037B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Non-intrusive, on-the-fly (OTF) temperature measurement and monitoring system |
| JP2001127044A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Hitachi Ltd | 真空処理装置および真空処理システム |
| US6411916B1 (en) * | 1999-12-28 | 2002-06-25 | Hill Phoenix, Inc. | Food safety control method and apparatus |
| US6191399B1 (en) * | 2000-02-01 | 2001-02-20 | Asm America, Inc. | System of controlling the temperature of a processing chamber |
| JP4015352B2 (ja) * | 2000-02-22 | 2007-11-28 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子ビームを用いた検査方法 |
| DE10011179B4 (de) * | 2000-03-08 | 2005-06-30 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Ermittlung der Temperatur eines Halbleiter-Chips und Halbleiter-Chip mit Temperaturmessanordnung |
| US6488778B1 (en) * | 2000-03-16 | 2002-12-03 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for controlling wafer environment between thermal clean and thermal processing |
| JP2002050809A (ja) * | 2000-08-01 | 2002-02-15 | Anelva Corp | 基板処理装置及び方法 |
| JP3598265B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2004-12-08 | 株式会社東芝 | パターン描画装置の集塵方法 |
| JP2002175770A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Hitachi Ltd | 気体排気用試料室及びそれを用いた回路パターン形成装置 |
| US7534977B2 (en) * | 2000-12-28 | 2009-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Heat treatment apparatus and method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2003077974A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-08-22 JP JP2000250848A patent/JP4150493B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-08-22 US US09/933,719 patent/US6676289B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011129673A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び基板配置室の温度調整方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020027945A1 (en) | 2002-03-07 |
| US6676289B2 (en) | 2004-01-13 |
| JP2002064050A (ja) | 2002-02-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4150493B2 (ja) | パターン描画装置における温度測定方法 | |
| US11300886B2 (en) | Method of adapting feed-forward parameters | |
| US7902485B2 (en) | Temperature setting method of thermal processing plate, temperature setting apparatus of thermal processing plate, program, and computer-readable recording medium recording program thereon | |
| KR20030019622A (ko) | 최종 임계 치수 제어를 수행하는 방법 및 장치 | |
| JP6481636B2 (ja) | 熱板の温度測定装置及び熱板の温度測定方法 | |
| US5217834A (en) | Methods of forming and inspecting semiconductor device patterns | |
| TWI685726B (zh) | 用於控制基板之定位之方法及用於判定參照基板之特徵之位置的方法 | |
| CN114207527B (zh) | 用于控制半导体制造过程的方法 | |
| US9535335B2 (en) | Exposure apparatus and device manufacturing method | |
| KR20240089100A (ko) | 레티클 열 효과를 교정하기 위한 방법 및 시스템 | |
| KR100306838B1 (ko) | 노광장치및디바이스제조방법 | |
| JPH04293225A (ja) | 基板吸着保持方法 | |
| KR102183619B1 (ko) | 모니터링 방법 및 디바이스의 제조 방법 | |
| KR102739716B1 (ko) | 리소그래피 장치 제어 방법 | |
| US20060196960A1 (en) | Process control method | |
| US20050181571A1 (en) | Method and apparatus for forming patterned photoresist layer | |
| CN120344914A (zh) | 用于确定掩模版变形的方法和系统 | |
| CN120344910A (zh) | 基于掩模版形状测量来推断和估计掩模版温度的方法 | |
| KR100503515B1 (ko) | 온도 교정 장치 및 이를 이용한 온도 교정 방법 | |
| CN120380419A (zh) | 用于确定掩模版变形的方法和系统 | |
| CN120418733A (zh) | 用于确定掩模版变形的方法和系统 | |
| CN120359466A (zh) | 用于确定掩模版变形的方法和系统 | |
| CN120476350A (zh) | 用于确定掩模版变形的方法和系统 | |
| JPH11176900A (ja) | 不良解析方法および不良解析システム | |
| KR20060074578A (ko) | 웨이퍼 두께 측정 장치 및 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050428 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050510 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050707 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050713 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060621 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060621 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070313 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070412 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080624 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080630 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4150493 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130704 Year of fee payment: 5 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |