JP4168642B2 - 被処理体収納容器体及び処理システム - Google Patents
被処理体収納容器体及び処理システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP4168642B2 JP4168642B2 JP2002054540A JP2002054540A JP4168642B2 JP 4168642 B2 JP4168642 B2 JP 4168642B2 JP 2002054540 A JP2002054540 A JP 2002054540A JP 2002054540 A JP2002054540 A JP 2002054540A JP 4168642 B2 JP4168642 B2 JP 4168642B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- container body
- port
- transfer
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 61
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 45
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 136
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 69
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008407 joint function Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体を密閉状態で収容して運搬する被処理体収納容器体及び複数の処理装置を有する処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路を製造するためにはウエハに対して成膜、エッチング、酸化、拡散等の各種の処理が行なわれる。そして、半導体集積回路の微細化及び高集積化によって、スループット及び歩留りを向上させるために、同一処理を行なう複数の処理装置、或いは異なる処理を行なう複数の処理装置を、共通の搬送室を介して相互に結合して、ウエハを大気に晒すことなく各種工程の連続処理を可能とした、いわゆるクラスタ化された処理システム装置が、例えば特開２０００−２０８５８９号公報や特開２０００−２９９３６７号公報等に開示されているように、すでに知られている。また、本出願人も上記クラスタ装置の改良されたものを特願２００１−０６０９６８において開示している。
【０００３】
図７はこのようなクラスタ化された従来の処理システムの一例を示す概略構成図である。図示するように、この処理システム２は、３つの処理装置４Ａ、４Ｂ、４Ｃと、第１の搬送室６と、予熱機構或いは冷却機構を兼ね備えた２つのロードロック室８Ａ、８Ｂと、第２の搬送室１０と２つのカセット収容室１２Ａ、１２Ｂを有している。上記３つの処理装置４Ａ〜４Ｃは上記第２の搬送室６に共通に連結され、上記２つのロードロック室８Ａ、８Ｂは、上記第１及び第２の搬送室６、１０間に並列に介在されている。また、上記２つのカセット収容室１２Ａ、１２Ｂは、上記第２の搬送室１０に連結されている。そして、各室間には気密に開閉可能になされたゲートバルブＧが介在されている。
【０００４】
そして、上記第１及び第２の搬送室６、１０内には、それぞれ屈伸及び旋回可能になされた多関節式の第１及び第２搬送アーム１４、１６が設けられており、これにより半導体ウエハＷを保持して搬送することにより、ウエハＷを移載する。また、第２の搬送室１０内には、回転台１８と光学センサ２０よりなる位置合わせ機構２２が設けられており、カセット収容室１２Ａ或いは１２Ｂより取り込んだウエハＷを回転してこのオリエンテーションフラットやノッチを検出してその位置合わせを行なうようになっている。
半導体ウエハＷの処理に関しては、まず、Ｎ2 雰囲気の大気圧に維持されている第２の搬送室１０内の第２の搬送アーム１６により、いずれか一方のカセット収容室、例えば１２Ａ内のカセットＣから未処理の半導体ウエハＷを取り出し、これを第２の搬送室１０内の位置合わせ機構２２の回転台１８に載置する。そして、回転台１８が回転して位置出しを行なっている間、この搬送アーム１６は動かずに待機している。この位置合わせ操作に要する時間は、例えば１０〜２０秒程度である。そして、位置合わせ操作が終了すると、この待機していた搬送アーム１６は再度、この位置合わせ後のウエハＷを保持し、これをいずれか一方のロードロック室、例えば８Ａ内に収容する。このロードロック室８Ａ内では、必要に応じてウエハを予熱すると同時に、ロードロック室８Ａ内は所定の圧力に真空引きされる。
【０００５】
このように予熱操作が終了したならば、このロードロック室８Ａ内と予め真空状態になされている第１の搬送室６内とをゲートバルブＧを開いて連通し、予熱されたウエハＷを第１の搬送アーム１４で把持し、これを所定の処理装置、例えば４Ａ内に移載して所定の処理、例えば金属膜や絶縁膜などの成膜処理を行なう。
処理済みの半導体ウエハＷは、前述した逆の経路を通り、例えばカセット収容室１２Ａの元のカセットＣ内に収容される。この処理済みのウエハＷを戻すときの経路では、例えば他方のロードロック室８Ｂを用い、ここで所定の温度までウエハＷを冷却して搬送する。また、処理済みのウエハＷをカセットＣ内に収容する前には、必要に応じて位置合わせ機構２２により位置合わせを行なう場合もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、半導体ウエハ処理の高微細化、高集積化、薄膜化及び多層化の傾向が進むに従って、集積回路の機能の多様化の要請も多くなり、この結果、半導体集積回路の製造に関しては小品種多量生産から多品種小量生産の方向へと移行する傾向にある。
この場合、図７に示したようなクラスタツール形の処理システムにあっては、より多くの処理装置を設けるには、第１の搬送室６をより拡張して更に大きなサイズにしなければならず、装置自体が非常に大型化する、といった問題がある。特に、ウエハサイズも８インチ（２００ｍｍ）から３００ｍｍの大型サイズへ移行する傾向にあることから、処理装置４Ａ〜４Ｃを共通に接続する第１の搬送室６のサイズが一層大型化してしまう、といった問題があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、複数枚の被処理体を密閉状態で収容できる運搬可能になされた被処理体収納容器体を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記被処理体収納容器体を用いた処理システムを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、一側に開閉可能になされたゲートバルブを設けた接合ポートを有して密閉可能になされた容器本体と、前記容器本体の内部に設けられて被処理体を複数枚支持する被処理体支持部材と、前記容器本体の雰囲気を排気するために開閉可能になされた排気ポートと、を有し、前記容器本体は、この排気口に設けた真空ポンプと、前記真空ポンプを駆動するポンプ電源と、前記真空ポンプの排気側に接続された背圧室とを有し、前記排気ポートは、前記背圧室に接続されていることを特徴とする運搬可能な被処理体収納容器体である。
。
これにより、複数枚の被処理体を、運搬可能な容器本体内へ密閉状態で収容でき、内部を例えば真空状態や不活性ガス雰囲気中に維持することが可能となる。また、ポンプ電源で真空ポンプを駆動することにより、容器本体内を高い真空度に維持することが可能となる。
この場合、例えば請求項２に記載したように、前記容器本体の下面には位置決め突起が設けられる。
【０００８】
請求項３に規定する発明は、複数の被処理体を収容するカセット容器を設置する搬出入ポートと、請求項１又は２に規定する被処理体収納容器体と、内部に前記被処理体の移載アーム機構を有すると共に一側に前記被処理体収納容器体を接合する容器ポートを有し、前記搬出入ポートの前記カセット容器と前記被処理体収納容器体との間で前記被処理体の移載を中継する第１の移載補助室と、前記被処理体に所定の処理を施す処理室と、内部に前記被処理体の移載アーム機構を有すと共に、一側に前記処理室が連設され、他側に前記被処理体収納容器体を接合する容器ポートを有する第２の移載補助室と、前記第１及び第２の移載補助室間で前記被処理体収納容器体を搬送する容器搬送手段と、を備えたことを特徴とする処理システムである。
これにより、被処理体は被処理体収納容器体に収容された状態で、第１及び第２の移載補助室間に運搬することが可能になり、従来必要とされた共通の搬送室を不要にすることが可能になる。
この場合、例えば請求項４に記載したように、前記第２の移載補助室の容器ポートに設けられて、前記被処理体収納容器体を載置して前記位置決め突起を嵌め込む位置決め溝を有すると共に前記容器ポート側へスライド移動可能になされた容器台を有する。
また、例えば請求項５に記載したように、前記第２の移載補助室側の容器台には、前記被処理体収納容器体の排気ポートに接合される排気ジョイントノズルが設けられる。
また例えば請求項６に記載したように、前記第１の移載補助室の容器ポートに設けられて、前記被処理体収納容器体を載置して前記位置決め突起を嵌め込む位置決め溝を有すると共に前記容器ポート側へスライド移動可能になされた容器台を有する。
また例えば請求項７に記載したように、前記第１の移載補助室側の容器台には、前記被処理体収納容器体の排気ポートに接合される排気ジョイントノズルが設けられる。
この場合、例えば請求項８に規定するように、前記搬出入ポートと前記第１の移載補助室との間には、内部に共通搬送機構を有する共通搬送室が設けられ、該共通搬送室には、前記被処理体の位置決めを行う位置決め機構が設けられる。
【０００９】
また、例えば請求項９に規定するように、前記第１及び第２の移載補助室の容器ポートには、開閉可能になされたゲートバルブが設けられる。
更に、例えば請求項１０に規定するように、前記第１及び第２の移載補助室には、少なくとも排気ラインがそれぞれ設けられると共に、各容器ポートのゲートバルブの外側には、ポート給気ラインとポート排気ラインとがそれぞれ設けられる。
また、例えば請求項１１に規定するように、前記第１及び第２の移載補助室には、それぞれ所定のガスを供給する給気ラインが設けられる。
また、例えば請求項１２に規定するように、前記容器搬送手段は、案内軌道レールと、前記被処理体収容容器体を保持すると共に前記案内軌道レールに沿って移動する保持アームとよりなる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る被処理体収納容器体及び処理システムの一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係る被処理体の処理システムを示す概略構成図、図２は第１の移載補助室に接合された被処理体収容容器体を示す断面図、図３は被処理体収納容器体を示す斜視図、図４は第２の移載補助室に接合された被処理体収納容器体を示す断面図、図５は容器体搬送手段の一例を示す図である。ここでは被処理体として半導体ウエハを用いた場合について説明する。
【００１１】
まず、図１を参照して被処理体を処理するための処理システムについて説明する。この処理システム３０は、被処理体としての半導体ウエハＷに対して成膜処理、エッチング処理等の各種の処理を行なう処理ユニット３２と、この処理ユニット３２に対してウエハＷを搬入、搬出させる搬送ユニット３４とにより主に構成される。
上記搬送ユニット３４は、例えば清浄空気が循環される横長の箱体として形成される共通搬送室３６を有している。この共通搬送室３６の横長の一側には、複数の、図示例では３台のカセット容器Ｃを設置する搬出入ポートとしてのカセット台３８Ａ、３８Ｂ、３８Ｃが設けられ、ここにそれぞれ１つずつカセット容器Ｃを載置できるようになっている。各カセット容器Ｃには、最大例えば２５枚のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっている。このカセット容器Ｃとしては、内部が例えばＮ2 ガス雰囲気などの不活性ガスで満たされた密閉構造となっているものを用いてもよいし、内部が大気に晒された開放構造のものを用いてもよい。そして、共通搬送室３６内へウエハを搬出入可能になされている。
【００１２】
共通搬送室３６内には、ウエハＷをその長手方向に沿って搬送する共通搬送機構４０が設けられる。この共通搬送機構４０は、基台４２上に固定されており、この基台４２は共通搬送室３６内の中心部を長さ方向（Ｘ方向）に沿って延びるように設けた案内レール４４上に、図示しないリニアモータ等を用いてスライド移動可能に支持されている。
また、上記共通搬送機構４０は、上下２段に配置された多関節形状になされた２つの搬送アーム４６、４８を有している。この各搬送アーム４６、４８の先端にはそれぞれ２股状になされたフォークを取り付けており、このフォーク上にそれぞれウエハＷを直接的に保持するようになっている。従って、各搬送アーム４６、４８は、この中心より半径方向へ向かうＲ方向へ屈伸自在になされており、また、各搬送アーム４６、４８の屈伸動作は個別に制御可能になされている。
【００１３】
上記搬送アーム４６、４８の各回転軸は、それぞれ基台４２に対して同軸状に回転可能に連結されており、各回転軸は、例えば基台４２に対する旋回方向であるθ方向へ一体的に回転できるようになっている。更に、この各回転軸は、基台４２を中心として、上下方向へ、すなわちＺ方向へも例えば一体的に移動可能になっている。従って、上記搬送アーム４６、４８は、Ｘ、Ｚ、Ｒ、θの方向へ移動できるようになっている。尚、この共通搬送機構４０の構成としては、上下２段に重なるようにして搬送アーム４６、４８が設けられる構造に限定されない。
【００１４】
また、共通搬送室３６の他端には、ウエハの位置決めを行なう位置決め機構としてのオリエンタ５０が設けられる。このオリエンタ５０は、駆動モータ（図示せず）によって回転される基準台５２を有しており、この上にウエハＷを載置した状態で回転するようになっている。この基準台５２の外周には、ウエハＷの周縁部を検出するための光学センサ５４が設けられる。この光学センサ５４は基準台５２の半径方向に沿って配置した所定の長さのライン状の発光素子（図示せず）と、ウエハ周縁部を挟んでこれと対応するように配置した受光素子（図示せず）とよりなり、レーザ光をウエハ端部に照射してこの変動を検出し、この検出結果よりウエハＷの偏心量、偏心方向及びウエハＷに形成されている切り欠き目印としての例えばノッチやオリエンテーションフラットの回転位置、すなわち方位を認識できるようになっている。
【００１５】
更に、上記共通搬送室３６の長手方向の他側には、複数の、図示例では３つの第１の移載補助室５６Ａ、５６Ｂ、５６Ｃがそれぞれ開閉可能になされたゲートバルブ５８Ａ、５８Ｂ、５８Ｃを介して設けられる。各第１の移載補助室５６Ａ〜５６Ｃ内には、それぞれウエハＷを一時的に載置して待機させる一対のバッファ用載置台６０、６２が設けられる。ここで共通搬送室３６側のバッファ用載置台６０を第１バッファ用載置台とし、反対側のバッファ用載置台６２を第２バッファ用載置台とする。そして、両バッファ用載置台６０、６２間には、屈伸、旋回及び昇降可能になされた多関節アームよりなる移載アーム機構６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃがそれぞれ設けられており、その先端に設けたフォークを用いて第１、第２の両バッファ用載置台６０、６２間でウエハＷの受け渡し移載を行い得るようになっている。尚、ここではウエハＷの効率的な受け渡しを行うために、各バッファ用載置台６０、６２はそれぞれ上下に２枚のウエハを保持できるようになっている。そして、各第１の移載補助室５６Ａ〜５６Ｃの他端には、それぞれ開閉可能になされたゲートバルブ６６Ａ、６６Ｂ、６６Ｃを有する容器ポート６８Ａ、６８Ｂ、６８Ｃが設けられており、この先端には、図２に示すように接合フランジ７０が形成されて、ここに本発明の特徴とする被処理体収納容器体７２を着脱可能に接合し得るようになっている。ここで、各容器ポート６８Ａ〜６８Ｃは、全く同じように構成されているので、図２では容器ポート６８Ａを代表として記載してある。この図２は図１中のＡ−Ａ線矢視断面図を示している。
【００１６】
また、上記各第１の移載補助室５６Ａ〜５６Ｃには、内部にＮ2 ガス等の不活性ガスなどの所定のガスを必要に応じて導入するためのガス供給ライン７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｃが設けられると共に、必要時に内部の雰囲気を真空排気するための排気ライン７６Ａ、７６Ｂ、７６Ｃがそれぞれ設けられている。従って、ここでは第１の移載補助室５６Ａ〜５６Ｃに、大気圧雰囲気と真空雰囲気とを繰り返すことができるロードロック機能を持たせている。
更に、上記各容器ポート６８Ａ〜６８Ｃのゲートバルブ６６Ａ〜６６Ｃの外側には、必要時にここに所定のガスを供給するポートガス給気ライン７８Ａ、７８Ｂ、７８Ｃと、必要時に真空引きするポート排気ライン８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃとがそれぞれ設けられており、後述するように、被処理体収納容器体７２との接合空間の圧力調整を行い得るようになっている。
【００１７】
そして、各接合フランジ７０（図２参照）の先端面には、その周方向に沿ってＯリング等のシール部材８２が設けられており、被処理体収納容器体７２の接合時のシール性を確保するようになっている。
また、各容器ポート６８Ａ〜６８Ｃの下部には、その前方へ延在させた容器台８４（図２参照、図１では図示省略）が、必要時に応じて前後方向へスライド移動可能に設けられており、この上面に上記被処理体収納容器体７２を載置し得るようになっている。そして、この容器台８４の上面には、凹部状の位置決め溝８６が設けられると共に、上方へ向けられてジョイントを兼用する排気ジョイントノズル８８が設けられており、この排気ジョイントノズル８８は真空排気系９０に接続されている。
【００１８】
一方、上記被処理体収納容器体７２は、図２及び図３にも示すように一側が開放された薄い容器状の容器本体９２を有している。この容器本体９２は、例えばアルミニウムやステンレス等により構成される。この容器本体９２の開放側はゲートバルブ９４を有する接合ポート９６として構成されている。この接合ポート９６の先端には、接合フランジ９８が設けられており、これが上記第１の移載補助室５６Ａ〜５６Ｃの接合フランジ７０（図２参照）と気密に密着接合し得るようになっている。この容器本体９２内には、ウエハＷを支持する被処理体支持部材１００が設けられる。具体的には、この被処理体支持部材１００は、ウエハの外周に沿った円周上に起立させて配置された、例えば３本（図２では２本のみ記す）の石英製の支柱１０２よりなり、各支柱１０２に内周側に向けて設けた支持突起１０４に、ウエハＷを上下に複数枚、ここでは２枚支持し得るようになっている。尚、ウエハの支持枚数は２枚に限定されず、１枚或いは３枚以上でもよい。
【００１９】
そして、この容器本体９２の底部の下面には、複数の位置決め突起１０６が下方へ突出されて設けられており、これを前記容器台８４に形成されている位置決め溝８６に嵌め込むことにより、この容器本体９２の位置決めを行い得るようになっている。
また、この容器本体９２の底部には、容器本体９２内の雰囲気を排気するために下方に向けられてジョイントを兼用する排気ポートとしての排気ポートノズル１０８が設けられており、これと前記容器台８４側の排気ジョイントノズル８８とが着脱自在に結合するようになっている。このようにして、上記被処理体収納容器体７２は単体として運搬・可能になされている。
【００２０】
一方、図１に戻って、前記処理ユニット３２には、本実施例では６つの処理室１１０Ａ〜１１０Ｆがそれぞれ３個ずつ２列に配置されている。これらの各処理室１１０Ａ〜１１０Ｆでは、同種、或いは異種の処理をウエハＷに対して施すようになっている。そして、各処理室１１０Ａ〜１１０Ｆには、それぞれ開閉可能になされたゲートバルブ１１２Ａ〜１１２Ｆを介して第２の移載補助室１１４Ａ〜１１４Ｆが連設されている。そして、上記各第２の移載補助室１１４Ａ〜１１４Ｆ内には、昇降、旋回及び屈伸が可能になされた多関節アームよりなる移載アーム機構１１６Ａ〜１１６Ｆが設けられている。
そして、前記第１の移載補助室５６Ａ〜５６Ｃの構造と同様に、上記各第２の移載補助室１１４Ａ〜１１４Ｆの他端には、それぞれ開閉可能になされたゲートバルブ１１８Ａ〜１１８Ｆを有する容器ポート１２０Ａ〜１２０Ｆが設けられており、この先端には、図４に示すように接合フランジ１２２が形成されて、ここに上記被処理体収納容器体７２を着脱可能に接合し得るようになっている。ここで、各容器ポート１２０Ａ〜１２０Ｆは、全く同じように構成されているので、図４では容器ポート１２０Ｆを代表として記載してある。この図４は図１中のＦ−Ｆ線矢視断面図を示している。
【００２１】
また、上記各第２の移載補助室１１４Ａ〜１１４Ｆには、内部にＮ2 ガス等の不活性ガスなどの所定のガスを必要に応じて導入するためのガス供給ライン１２４Ａ〜１２４Ｆが設けられると共に、必要時に内部の雰囲気を真空排気するための排気ライン１２６Ａ〜１２６Ｆがそれぞれ設けられている。従って、ここでは第２の移載補助室１１４Ａ〜１１４Ｆに、大気圧雰囲気と真空雰囲気とを繰り返すことができるロードロック機能を持たせている。
更に、上記各容器ポート１２０Ａ〜１２０Ｆのゲートバルブ１１８Ａ〜１１８Ｆの外側には、必要時にここに所定のガスを供給するポートガス給気ライン１２８Ａ〜１２８Ｆと、必要時に真空引きするポート排気ライン１３０Ａ〜１３０Ｆとがそれぞれ設けられており、後述するように、被処理体収納容器体７２との接合空間の圧力調整を行い得るようになっている。
【００２２】
そして、各接合フランジ１２２（図４参照）の先端面には、その周方向に沿ってＯリング等のシール部材１３２が設けられており、被処理体収納容器体７２の接合時のシール性を確保するようになっている。
また、各容器ポート１２０Ａ〜１２０Ｆの下部には、その前方へ延在させた容器台１３４（図４参照、図１では図示省略）が、必要時に応じて前後方向へスライド移動可能に設けられており、この上面に上記被処理体収納容器体７２を載置し得るようになっている。そして、この容器台１３４の上面には、凹部状の位置決め溝１３６が設けられると共に、上方へ向けられてジョイントを兼用する排気ジョイントノズル１３８が設けられており、この排気ジョイントノズル１３８は真空排気系１４０に接続されている。
そして、上記各第１の移載補助室５６Ａ〜５６Ｃと各第２の移載補助室１１４Ａ〜１１４Ｆとの間で、上記被処理体収納容器体７２を搬送するために図５に示すような容器搬送手段１４２が設けられる。
【００２３】
具体的には、この容器搬送手段１４２は、主として天井部に設けた案内軌道レール１４４と、これに沿って移動する一対の保持アーム１４６により構成される。この保持アーム１４６は、上記被処理体収納容器体７２を挟んで保持し得るように拡縮可能になされており、この保持アーム１４６は、伸縮ロッド１４８を介して案内軌道レール１４４に走行移動可能に保持される移動体１５０に連結されている。そして、上記案内軌道レール１４４は、図１に示す搬送路１５２に沿って敷設されており、前述したように上記被処理体収納容器体７２を任意の位置に搬送し得るようになっている。尚、この容器搬送手段１４２としては、この構成に限定されず、例えばマニシング工場等で用いられるロボット型の容器搬送手段でもよく、或いは、リニアモータとレールを用いて容器搬送手段を構成してもよく、容器体７２を搬送し得るならばその構成は問わない。
【００２４】
次に、以上のような処理システム３０を用いて行なわれる搬送方法について、説明する。
図１においては２つの第１の移載補助室５６Ａ、５６Ｂと４つの第２の移載補助室１１４Ａ〜１１４Ｃ、１１４Ｆにそれぞれ被処理体収容容器体７２を接合させている状況を示している。
まず、ウエハＷの一般的な流れについて説明すると、共通搬送機構４０により各カセット容器Ｃより取り出されたウエハは、オリエンタ５０まで搬送されてオリエンタ５０の基準台５２に移載され、ここで位置決めされる。この位置決めされたウエハは、再度、上記共通搬送機構４０により受け取られて保持され、いずれかの第１の移載補助室、例えば５６Ａの直前まで搬送される。そして、圧力調整を行った後にこの第１の移載補助室５６Ａのゲートバルブ５８Ａを開いてこの保持していたウエハを第１の移載補助室５６Ａ内の第１のバッファ用載置台６０に保持させる。同様にして２枚目の未処理のウエハもこの載置台６０に保持させる。
【００２５】
この時、第１のバッファ用載置台６０に処理済みのウエハが存在すれば、これと未処理のウエハを置き換えて処理済みウエハはカセットＣ側へ戻すことになる。このようにして、２枚の未処理のウエハを第１の移載補助室５６Ａ内に収容したならば、この内部を真空引きして圧力調整を行う。
ここで、容器台８４上に載置されている被処理体収納容器体７２は、図２に示すようにこの下部に設けた排気ポートノズル１０８が容器台８４側の排気ジョイントノズル８８と容器体載置時に連結されており、容器本体９２の内部は予め所定の圧力まで真空引きされている。
また、第１の移載補助室５６Ａの容器ポート６８Ａに容器体７２を接合した際、上記容器ポート６８Ａと容器体７２の接合ポート９６との間に形成される密閉空間１５４（図２参照）には、常圧の清浄空気が閉じ込められることになるので、この密閉空間１５４内の雰囲気をポート排気ライン８０Ａから真空引きしてこの内部の圧力調整を行う。
【００２６】
このようにして、上記第１の移載補助室５８Ａ内、上記密閉空間１５４内及び容器体７２内の圧力が略同圧になるように圧力調整が完了したならば、各ゲートバルブ６６Ａ及び９４（図２参照）をそれぞれ開状態とする。そして、第１の移載補助室５８Ａ内の移載アーム機構６４Ａを用いて、未処理の２枚のウエハＷを容器体７２内の被処理体支持部材１００に移載して保持させる。尚、ウエハを１枚のみ移載し、他方の支持突起１０４を空状態としてもよい。この時、処理済みのウエハＷが被処理体支持部材１００に保持されていたならば、まず、この処理済みのウエハＷを第１の移載補助室５８Ａ内へ取り込んだ後に、上記未処理のウエハＷの移載を行う。
このようにして、容器体７２内へ未処理のウエハＷの移載が完了したならば、各ゲートバルブ６６Ａ及び９４を閉じた後、容器ポート６８Ａに設けたポート給気ライン６８Ａより密閉空間１５４内へ空気を送り込んでこの密閉空間１５４内を常圧まで復帰させ、容器ポート６８Ａから容器体７２側が離脱できるようにする。そして、この容器体７２を載置している容器台８４を容器体離脱方向へ僅かに移動させて、容器ポート６８Ａから容器体７２を離脱させる。この際、容器体７２内は真空状態に維持されているのは勿論である。
【００２７】
次に、天井部に設けた図５に示すような容器搬送手段１４２を用いて、この容器体７２を所定の処理室、例えば処理室１１０Ｆの第２の移載補助室１１４Ｆまで搬送することになる。
ここでは、先の第１の移載補助室５６Ａの場合と逆の手順により、未処理のウエハＷが第２の移載補助室１１４Ｆ側に向けて搬出されることになる。すなわち、図４に示すように、容器台１３４を接合側（図中左側）へスライド移動させることにより、第２の移載補助室１１４Ｆの容器ポート１２０Ｆと容器体７２の接合ポート９６とを接合し、ここに形成された密閉空間１５６の常圧雰囲気をポート排気ライン１３０Ｆから真空引きして圧力調整し、予め真空状態に維持されている第２の移載補助室１１４Ｆ内の圧力と略同圧にする。そして、両ゲートバルブ１１８Ｆ及び９４を開いて内部を連通状態とし、未処理のウエハＷを容器体７２内より第２の移載補助室１１４Ｆ内へ移載する。
ここで処理済みのウエハＷが第２の移載補助室１１４Ｆ内に存在する場合には、容器体７２内へは未処理のウエハＷを２枚ではなく、１枚のみ収容した状態で搬送し、１枚処理済みのウエハを載置する余裕スペースを確保しておいてもよいし、或いは、第２の移載補助室１１４Ｆ内にバッファ用の載置台を別途設けるようにしてもよい。或いは、第２の移載補助室１１４Ｆ内の移載アーム機構１１６Ｆを、共通搬送機構４０と同じ構造の２ピックタイプのアーム機構としてもよい。いずれにしても、処理済みウエハと未処理ウエハとの取り換え時にデッドロックが生じないような搬送形態を用いる。
【００２８】
以上のようにして、未処理のウエハＷが第２の移載補助室１１４Ｆ内に取り込まれることになる。そして、この容器体７２内に処理済みのウエハＷが収容されたならば、密閉空間１５６内を大気圧復帰させて、この容器体７２を容器ポート１２０側から離脱させる。そして、この処理済みウエハＷを収容した容器体７２を元の第１の移載補助室、例えば５６Ａ側まで運搬することになる。また、上記載置台１３４上に容器体７２を載置している時も、真空排気系１４０から容器体７２内を真空引きするようにしてもよい。
このように、容器体７２内は、常時真空雰囲気に維持されていることになり、ウエハ表面に自然酸化膜等の発生を極力抑制することができる。
【００２９】
また、このような密閉可能な容器体７２を用いたので、従来必要とされた大型の共通搬送室（図７の第１の搬送室６に対応）、いわゆるトランスファチャンバを不要にすることが可能となる。
尚、ここでは、容器体７２内を常時真空状態に維持する場合を例にとって説明したが、これに限定されず、容器体７２内のＮ2 ガスやＡｒガス等の不活性ガスを充填できるようにしてもよい。この場合には、図６でも説明するように、容器体７２の底部にガス供給ポートを設け、また、両容器台８４、１３４側には、ガス供給ジョイントノズルを設けて、Ｎ2 ガスやＡｒガスを必要に応じて供給するように構成すればよい。
また、上記被処理体収納容器体７２内の真空度をより高く維持するために、図６に示すように構成してもよい。図６は被処理体収納容器体の変形例を示す図である。
【００３０】
図６に示す構成は、図２に示す容器体７２と基本的に同じであり、同一構成部分については同一符号を付して説明を省略する。
図６に示す被処理体収納容器体１６０は、底部に比較的大口径の排気口１６２を形成しており、この排気口１６２に、例えばターボ分子ポンプ等の真空ポンプ１６４を直接的に取り付けている。更に、真空ポンプ１６４の排気側に比較的容量の大きな背圧室１６６が連接させて設けられており、この真空ポンプ１６４の排気側の圧力をできるだけ低くできるようになっている。
そして、この背圧室１６６に、図２に示したと同様な構造の排気ポートノズル１０８を連結させて設けている。また、この容器体１６０の容器本体９２の背面側には、上記真空ポンプ１６４を回転駆動する充電可能なポンプ電源１６８が設けられており、これには図示しないポンプ制御部も含まれて、上記真空ポンプ１６４を必要に応じて回転駆動し得るようになっている。
【００３１】
また、この容器本体９２の底部には、この内部に必要なガスを供給するためのガス供給ポート１７０が設けられると共に、これに対向する容器台８４には、ジョイント機能を有して上記ガス供給ポート１７０と着脱自在に結合されるガス供給ジョイントノズル１７２が設けられており、Ｎ2 ガスやＡｒガス等の不活性ガスを必要に応じて供給できるようになっている。尚、このガス供給ポート１７０とガス供給ジョイントノズル１７２を、図２に示す装置例に設けてもよいのは、前述した通りである。
また、この容器台８４に、上記ポンプ電源１６８に電力を供給する電力用ジョイントを設けてもよいのは勿論である。
また、各第２の移載補助室１１４Ａ〜１１４Ｆに対応させて設けた各容器台１３４の構造も、図６に示す容器台８４と同様に構成されている。
このように、被処理体収納容器体１６０を構成することにより、必要に応じてこの容器体１６０の内部には不活性ガスを供給できる。また、真空引きは、ターボ分子ポンプよりなる真空ポンプ１６４と真空排気系９０の真空ポンプ（図示せず）とによる２段引きが可能なので、容器体１６０内の真空度を高く維持することができる。
【００３２】
特に、この容器体１６０が、容器台８４から運び出されて単独で運搬されている場合でも、これに一体的に設けられているポンプ電源１６８からの電力により真空ポンプ１６４は常時、回転駆動されて、内部雰囲気が背圧室１６６側に排気されているので、この点よりも容器体１６０内の真空度を高く維持することが可能となる。
尚、この背圧室１６６内の雰囲気は、この容器体１６０が容器台８４上に載置された時に、前述のように真空排気系９０から系外へ排気されるのは勿論である。
以上に説明した装置では、共通搬送機構４０を内部に有する共通搬送室３６を設けた場合を例にとって説明したが、これを省略して、各搬出入ポート３８Ａ〜３８Ｃから直接的に各第１の移載補助室５６Ａ〜５６Ｃにウエハを搬入させるようにしてもよい。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハＷを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板等にも本発明を適用することができる。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の被処理体収納容器体及び処理システムによれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
本発明によれば、複数枚の被処理体を、運搬可能な容器本体内へ密閉状態で収容でき、内部を例えば真空状態や不活性ガス雰囲気中に維持することができる。
また、ポンプ電源で真空ポンプを駆動することにより、容器本体内を高い真空度に維持することができる。
本発明の処理システムによれば、被処理体は被処理体収納容器体に収容された状態で、第１及び第２の移載補助室間に運搬することが可能になり、従来必要とされた共通の搬送室を不要にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る被処理体の処理システムを示す概略構成図である。
【図２】第１の移載補助室に接合された被処理体収容容器体を示す断面図である。
【図３】被処理体収納容器体を示す斜視図である。
【図４】第２の移載補助室に接合された被処理体収納容器体を示す断面図である。
【図５】容器体搬送手段の一例を示す図である。
【図６】被処理体収納容器体の変形例を示す図である。
【図７】従来の被処理体の処理システムを示す概略構成図である。
【符号の説明】
３０ 処理システム
３６ 共通搬送室
３８Ａ〜３８Ｃ カセット（搬出入ポート）
４０ 共通搬送機構
５０ オリエンタ（位置決め機構）
５６Ａ〜５６Ｃ 第１の移載補助室
６４Ａ〜６４Ｃ 移載アーム機構
６６Ａ〜６６Ｃ ゲートバルブ
６８Ａ〜６８Ｃ 容器ポート
７２，１６０ 被処理体収納容器体
７８Ａ〜７８Ｃ ポート給気ライン
８０Ａ〜８０Ｃ ポート排気ライン
９２ 容器本体
９４ ゲートバルブ
９６ 接合ポート
１００ 被処理体支持部材
１０８ 排気ポートノズル（排気ポート）
１１０Ａ〜１１０Ｆ 処理室
１１４Ａ〜１１４Ｆ 第２の移載補助室
１４２ 容器体搬送手段
１６２ 排気口
１６４ 真空ポンプ
１６６ 背圧室
１６８ ポンプ電源
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体を密閉状態で収容して運搬する被処理体収納容器体及び複数の処理装置を有する処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、半導体集積回路を製造するためにはウエハに対して成膜、エッチング、酸化、拡散等の各種の処理が行なわれる。そして、半導体集積回路の微細化及び高集積化によって、スループット及び歩留りを向上させるために、同一処理を行なう複数の処理装置、或いは異なる処理を行なう複数の処理装置を、共通の搬送室を介して相互に結合して、ウエハを大気に晒すことなく各種工程の連続処理を可能とした、いわゆるクラスタ化された処理システム装置が、例えば特開２０００−２０８５８９号公報や特開２０００−２９９３６７号公報等に開示されているように、すでに知られている。また、本出願人も上記クラスタ装置の改良されたものを特願２００１−０６０９６８において開示している。
【０００３】
図７はこのようなクラスタ化された従来の処理システムの一例を示す概略構成図である。図示するように、この処理システム２は、３つの処理装置４Ａ、４Ｂ、４Ｃと、第１の搬送室６と、予熱機構或いは冷却機構を兼ね備えた２つのロードロック室８Ａ、８Ｂと、第２の搬送室１０と２つのカセット収容室１２Ａ、１２Ｂを有している。上記３つの処理装置４Ａ〜４Ｃは上記第２の搬送室６に共通に連結され、上記２つのロードロック室８Ａ、８Ｂは、上記第１及び第２の搬送室６、１０間に並列に介在されている。また、上記２つのカセット収容室１２Ａ、１２Ｂは、上記第２の搬送室１０に連結されている。そして、各室間には気密に開閉可能になされたゲートバルブＧが介在されている。
【０００４】
そして、上記第１及び第２の搬送室６、１０内には、それぞれ屈伸及び旋回可能になされた多関節式の第１及び第２搬送アーム１４、１６が設けられており、これにより半導体ウエハＷを保持して搬送することにより、ウエハＷを移載する。また、第２の搬送室１０内には、回転台１８と光学センサ２０よりなる位置合わせ機構２２が設けられており、カセット収容室１２Ａ或いは１２Ｂより取り込んだウエハＷを回転してこのオリエンテーションフラットやノッチを検出してその位置合わせを行なうようになっている。
半導体ウエハＷの処理に関しては、まず、Ｎ2 雰囲気の大気圧に維持されている第２の搬送室１０内の第２の搬送アーム１６により、いずれか一方のカセット収容室、例えば１２Ａ内のカセットＣから未処理の半導体ウエハＷを取り出し、これを第２の搬送室１０内の位置合わせ機構２２の回転台１８に載置する。そして、回転台１８が回転して位置出しを行なっている間、この搬送アーム１６は動かずに待機している。この位置合わせ操作に要する時間は、例えば１０〜２０秒程度である。そして、位置合わせ操作が終了すると、この待機していた搬送アーム１６は再度、この位置合わせ後のウエハＷを保持し、これをいずれか一方のロードロック室、例えば８Ａ内に収容する。このロードロック室８Ａ内では、必要に応じてウエハを予熱すると同時に、ロードロック室８Ａ内は所定の圧力に真空引きされる。
【０００５】
このように予熱操作が終了したならば、このロードロック室８Ａ内と予め真空状態になされている第１の搬送室６内とをゲートバルブＧを開いて連通し、予熱されたウエハＷを第１の搬送アーム１４で把持し、これを所定の処理装置、例えば４Ａ内に移載して所定の処理、例えば金属膜や絶縁膜などの成膜処理を行なう。
処理済みの半導体ウエハＷは、前述した逆の経路を通り、例えばカセット収容室１２Ａの元のカセットＣ内に収容される。この処理済みのウエハＷを戻すときの経路では、例えば他方のロードロック室８Ｂを用い、ここで所定の温度までウエハＷを冷却して搬送する。また、処理済みのウエハＷをカセットＣ内に収容する前には、必要に応じて位置合わせ機構２２により位置合わせを行なう場合もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、半導体ウエハ処理の高微細化、高集積化、薄膜化及び多層化の傾向が進むに従って、集積回路の機能の多様化の要請も多くなり、この結果、半導体集積回路の製造に関しては小品種多量生産から多品種小量生産の方向へと移行する傾向にある。
この場合、図７に示したようなクラスタツール形の処理システムにあっては、より多くの処理装置を設けるには、第１の搬送室６をより拡張して更に大きなサイズにしなければならず、装置自体が非常に大型化する、といった問題がある。特に、ウエハサイズも８インチ（２００ｍｍ）から３００ｍｍの大型サイズへ移行する傾向にあることから、処理装置４Ａ〜４Ｃを共通に接続する第１の搬送室６のサイズが一層大型化してしまう、といった問題があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、複数枚の被処理体を密閉状態で収容できる運搬可能になされた被処理体収納容器体を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記被処理体収納容器体を用いた処理システムを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、一側に開閉可能になされたゲートバルブを設けた接合ポートを有して密閉可能になされた容器本体と、前記容器本体の内部に設けられて被処理体を複数枚支持する被処理体支持部材と、前記容器本体の雰囲気を排気するために開閉可能になされた排気ポートと、を有し、前記容器本体は、この排気口に設けた真空ポンプと、前記真空ポンプを駆動するポンプ電源と、前記真空ポンプの排気側に接続された背圧室とを有し、前記排気ポートは、前記背圧室に接続されていることを特徴とする運搬可能な被処理体収納容器体である。
。
これにより、複数枚の被処理体を、運搬可能な容器本体内へ密閉状態で収容でき、内部を例えば真空状態や不活性ガス雰囲気中に維持することが可能となる。また、ポンプ電源で真空ポンプを駆動することにより、容器本体内を高い真空度に維持することが可能となる。
この場合、例えば請求項２に記載したように、前記容器本体の下面には位置決め突起が設けられる。
【０００８】
請求項３に規定する発明は、複数の被処理体を収容するカセット容器を設置する搬出入ポートと、請求項１又は２に規定する被処理体収納容器体と、内部に前記被処理体の移載アーム機構を有すると共に一側に前記被処理体収納容器体を接合する容器ポートを有し、前記搬出入ポートの前記カセット容器と前記被処理体収納容器体との間で前記被処理体の移載を中継する第１の移載補助室と、前記被処理体に所定の処理を施す処理室と、内部に前記被処理体の移載アーム機構を有すと共に、一側に前記処理室が連設され、他側に前記被処理体収納容器体を接合する容器ポートを有する第２の移載補助室と、前記第１及び第２の移載補助室間で前記被処理体収納容器体を搬送する容器搬送手段と、を備えたことを特徴とする処理システムである。
これにより、被処理体は被処理体収納容器体に収容された状態で、第１及び第２の移載補助室間に運搬することが可能になり、従来必要とされた共通の搬送室を不要にすることが可能になる。
この場合、例えば請求項４に記載したように、前記第２の移載補助室の容器ポートに設けられて、前記被処理体収納容器体を載置して前記位置決め突起を嵌め込む位置決め溝を有すると共に前記容器ポート側へスライド移動可能になされた容器台を有する。
また、例えば請求項５に記載したように、前記第２の移載補助室側の容器台には、前記被処理体収納容器体の排気ポートに接合される排気ジョイントノズルが設けられる。
また例えば請求項６に記載したように、前記第１の移載補助室の容器ポートに設けられて、前記被処理体収納容器体を載置して前記位置決め突起を嵌め込む位置決め溝を有すると共に前記容器ポート側へスライド移動可能になされた容器台を有する。
また例えば請求項７に記載したように、前記第１の移載補助室側の容器台には、前記被処理体収納容器体の排気ポートに接合される排気ジョイントノズルが設けられる。
この場合、例えば請求項８に規定するように、前記搬出入ポートと前記第１の移載補助室との間には、内部に共通搬送機構を有する共通搬送室が設けられ、該共通搬送室には、前記被処理体の位置決めを行う位置決め機構が設けられる。
【０００９】
また、例えば請求項９に規定するように、前記第１及び第２の移載補助室の容器ポートには、開閉可能になされたゲートバルブが設けられる。
更に、例えば請求項１０に規定するように、前記第１及び第２の移載補助室には、少なくとも排気ラインがそれぞれ設けられると共に、各容器ポートのゲートバルブの外側には、ポート給気ラインとポート排気ラインとがそれぞれ設けられる。
また、例えば請求項１１に規定するように、前記第１及び第２の移載補助室には、それぞれ所定のガスを供給する給気ラインが設けられる。
また、例えば請求項１２に規定するように、前記容器搬送手段は、案内軌道レールと、前記被処理体収容容器体を保持すると共に前記案内軌道レールに沿って移動する保持アームとよりなる。
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る被処理体収納容器体及び処理システムの一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係る被処理体の処理システムを示す概略構成図、図２は第１の移載補助室に接合された被処理体収容容器体を示す断面図、図３は被処理体収納容器体を示す斜視図、図４は第２の移載補助室に接合された被処理体収納容器体を示す断面図、図５は容器体搬送手段の一例を示す図である。ここでは被処理体として半導体ウエハを用いた場合について説明する。
【００１１】
まず、図１を参照して被処理体を処理するための処理システムについて説明する。この処理システム３０は、被処理体としての半導体ウエハＷに対して成膜処理、エッチング処理等の各種の処理を行なう処理ユニット３２と、この処理ユニット３２に対してウエハＷを搬入、搬出させる搬送ユニット３４とにより主に構成される。
上記搬送ユニット３４は、例えば清浄空気が循環される横長の箱体として形成される共通搬送室３６を有している。この共通搬送室３６の横長の一側には、複数の、図示例では３台のカセット容器Ｃを設置する搬出入ポートとしてのカセット台３８Ａ、３８Ｂ、３８Ｃが設けられ、ここにそれぞれ１つずつカセット容器Ｃを載置できるようになっている。各カセット容器Ｃには、最大例えば２５枚のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっている。このカセット容器Ｃとしては、内部が例えばＮ2 ガス雰囲気などの不活性ガスで満たされた密閉構造となっているものを用いてもよいし、内部が大気に晒された開放構造のものを用いてもよい。そして、共通搬送室３６内へウエハを搬出入可能になされている。
【００１２】
共通搬送室３６内には、ウエハＷをその長手方向に沿って搬送する共通搬送機構４０が設けられる。この共通搬送機構４０は、基台４２上に固定されており、この基台４２は共通搬送室３６内の中心部を長さ方向（Ｘ方向）に沿って延びるように設けた案内レール４４上に、図示しないリニアモータ等を用いてスライド移動可能に支持されている。
また、上記共通搬送機構４０は、上下２段に配置された多関節形状になされた２つの搬送アーム４６、４８を有している。この各搬送アーム４６、４８の先端にはそれぞれ２股状になされたフォークを取り付けており、このフォーク上にそれぞれウエハＷを直接的に保持するようになっている。従って、各搬送アーム４６、４８は、この中心より半径方向へ向かうＲ方向へ屈伸自在になされており、また、各搬送アーム４６、４８の屈伸動作は個別に制御可能になされている。
【００１３】
上記搬送アーム４６、４８の各回転軸は、それぞれ基台４２に対して同軸状に回転可能に連結されており、各回転軸は、例えば基台４２に対する旋回方向であるθ方向へ一体的に回転できるようになっている。更に、この各回転軸は、基台４２を中心として、上下方向へ、すなわちＺ方向へも例えば一体的に移動可能になっている。従って、上記搬送アーム４６、４８は、Ｘ、Ｚ、Ｒ、θの方向へ移動できるようになっている。尚、この共通搬送機構４０の構成としては、上下２段に重なるようにして搬送アーム４６、４８が設けられる構造に限定されない。
【００１４】
また、共通搬送室３６の他端には、ウエハの位置決めを行なう位置決め機構としてのオリエンタ５０が設けられる。このオリエンタ５０は、駆動モータ（図示せず）によって回転される基準台５２を有しており、この上にウエハＷを載置した状態で回転するようになっている。この基準台５２の外周には、ウエハＷの周縁部を検出するための光学センサ５４が設けられる。この光学センサ５４は基準台５２の半径方向に沿って配置した所定の長さのライン状の発光素子（図示せず）と、ウエハ周縁部を挟んでこれと対応するように配置した受光素子（図示せず）とよりなり、レーザ光をウエハ端部に照射してこの変動を検出し、この検出結果よりウエハＷの偏心量、偏心方向及びウエハＷに形成されている切り欠き目印としての例えばノッチやオリエンテーションフラットの回転位置、すなわち方位を認識できるようになっている。
【００１５】
更に、上記共通搬送室３６の長手方向の他側には、複数の、図示例では３つの第１の移載補助室５６Ａ、５６Ｂ、５６Ｃがそれぞれ開閉可能になされたゲートバルブ５８Ａ、５８Ｂ、５８Ｃを介して設けられる。各第１の移載補助室５６Ａ〜５６Ｃ内には、それぞれウエハＷを一時的に載置して待機させる一対のバッファ用載置台６０、６２が設けられる。ここで共通搬送室３６側のバッファ用載置台６０を第１バッファ用載置台とし、反対側のバッファ用載置台６２を第２バッファ用載置台とする。そして、両バッファ用載置台６０、６２間には、屈伸、旋回及び昇降可能になされた多関節アームよりなる移載アーム機構６４Ａ、６４Ｂ、６４Ｃがそれぞれ設けられており、その先端に設けたフォークを用いて第１、第２の両バッファ用載置台６０、６２間でウエハＷの受け渡し移載を行い得るようになっている。尚、ここではウエハＷの効率的な受け渡しを行うために、各バッファ用載置台６０、６２はそれぞれ上下に２枚のウエハを保持できるようになっている。そして、各第１の移載補助室５６Ａ〜５６Ｃの他端には、それぞれ開閉可能になされたゲートバルブ６６Ａ、６６Ｂ、６６Ｃを有する容器ポート６８Ａ、６８Ｂ、６８Ｃが設けられており、この先端には、図２に示すように接合フランジ７０が形成されて、ここに本発明の特徴とする被処理体収納容器体７２を着脱可能に接合し得るようになっている。ここで、各容器ポート６８Ａ〜６８Ｃは、全く同じように構成されているので、図２では容器ポート６８Ａを代表として記載してある。この図２は図１中のＡ−Ａ線矢視断面図を示している。
【００１６】
また、上記各第１の移載補助室５６Ａ〜５６Ｃには、内部にＮ2 ガス等の不活性ガスなどの所定のガスを必要に応じて導入するためのガス供給ライン７４Ａ、７４Ｂ、７４Ｃが設けられると共に、必要時に内部の雰囲気を真空排気するための排気ライン７６Ａ、７６Ｂ、７６Ｃがそれぞれ設けられている。従って、ここでは第１の移載補助室５６Ａ〜５６Ｃに、大気圧雰囲気と真空雰囲気とを繰り返すことができるロードロック機能を持たせている。
更に、上記各容器ポート６８Ａ〜６８Ｃのゲートバルブ６６Ａ〜６６Ｃの外側には、必要時にここに所定のガスを供給するポートガス給気ライン７８Ａ、７８Ｂ、７８Ｃと、必要時に真空引きするポート排気ライン８０Ａ、８０Ｂ、８０Ｃとがそれぞれ設けられており、後述するように、被処理体収納容器体７２との接合空間の圧力調整を行い得るようになっている。
【００１７】
そして、各接合フランジ７０（図２参照）の先端面には、その周方向に沿ってＯリング等のシール部材８２が設けられており、被処理体収納容器体７２の接合時のシール性を確保するようになっている。
また、各容器ポート６８Ａ〜６８Ｃの下部には、その前方へ延在させた容器台８４（図２参照、図１では図示省略）が、必要時に応じて前後方向へスライド移動可能に設けられており、この上面に上記被処理体収納容器体７２を載置し得るようになっている。そして、この容器台８４の上面には、凹部状の位置決め溝８６が設けられると共に、上方へ向けられてジョイントを兼用する排気ジョイントノズル８８が設けられており、この排気ジョイントノズル８８は真空排気系９０に接続されている。
【００１８】
一方、上記被処理体収納容器体７２は、図２及び図３にも示すように一側が開放された薄い容器状の容器本体９２を有している。この容器本体９２は、例えばアルミニウムやステンレス等により構成される。この容器本体９２の開放側はゲートバルブ９４を有する接合ポート９６として構成されている。この接合ポート９６の先端には、接合フランジ９８が設けられており、これが上記第１の移載補助室５６Ａ〜５６Ｃの接合フランジ７０（図２参照）と気密に密着接合し得るようになっている。この容器本体９２内には、ウエハＷを支持する被処理体支持部材１００が設けられる。具体的には、この被処理体支持部材１００は、ウエハの外周に沿った円周上に起立させて配置された、例えば３本（図２では２本のみ記す）の石英製の支柱１０２よりなり、各支柱１０２に内周側に向けて設けた支持突起１０４に、ウエハＷを上下に複数枚、ここでは２枚支持し得るようになっている。尚、ウエハの支持枚数は２枚に限定されず、１枚或いは３枚以上でもよい。
【００１９】
そして、この容器本体９２の底部の下面には、複数の位置決め突起１０６が下方へ突出されて設けられており、これを前記容器台８４に形成されている位置決め溝８６に嵌め込むことにより、この容器本体９２の位置決めを行い得るようになっている。
また、この容器本体９２の底部には、容器本体９２内の雰囲気を排気するために下方に向けられてジョイントを兼用する排気ポートとしての排気ポートノズル１０８が設けられており、これと前記容器台８４側の排気ジョイントノズル８８とが着脱自在に結合するようになっている。このようにして、上記被処理体収納容器体７２は単体として運搬・可能になされている。
【００２０】
一方、図１に戻って、前記処理ユニット３２には、本実施例では６つの処理室１１０Ａ〜１１０Ｆがそれぞれ３個ずつ２列に配置されている。これらの各処理室１１０Ａ〜１１０Ｆでは、同種、或いは異種の処理をウエハＷに対して施すようになっている。そして、各処理室１１０Ａ〜１１０Ｆには、それぞれ開閉可能になされたゲートバルブ１１２Ａ〜１１２Ｆを介して第２の移載補助室１１４Ａ〜１１４Ｆが連設されている。そして、上記各第２の移載補助室１１４Ａ〜１１４Ｆ内には、昇降、旋回及び屈伸が可能になされた多関節アームよりなる移載アーム機構１１６Ａ〜１１６Ｆが設けられている。
そして、前記第１の移載補助室５６Ａ〜５６Ｃの構造と同様に、上記各第２の移載補助室１１４Ａ〜１１４Ｆの他端には、それぞれ開閉可能になされたゲートバルブ１１８Ａ〜１１８Ｆを有する容器ポート１２０Ａ〜１２０Ｆが設けられており、この先端には、図４に示すように接合フランジ１２２が形成されて、ここに上記被処理体収納容器体７２を着脱可能に接合し得るようになっている。ここで、各容器ポート１２０Ａ〜１２０Ｆは、全く同じように構成されているので、図４では容器ポート１２０Ｆを代表として記載してある。この図４は図１中のＦ−Ｆ線矢視断面図を示している。
【００２１】
また、上記各第２の移載補助室１１４Ａ〜１１４Ｆには、内部にＮ2 ガス等の不活性ガスなどの所定のガスを必要に応じて導入するためのガス供給ライン１２４Ａ〜１２４Ｆが設けられると共に、必要時に内部の雰囲気を真空排気するための排気ライン１２６Ａ〜１２６Ｆがそれぞれ設けられている。従って、ここでは第２の移載補助室１１４Ａ〜１１４Ｆに、大気圧雰囲気と真空雰囲気とを繰り返すことができるロードロック機能を持たせている。
更に、上記各容器ポート１２０Ａ〜１２０Ｆのゲートバルブ１１８Ａ〜１１８Ｆの外側には、必要時にここに所定のガスを供給するポートガス給気ライン１２８Ａ〜１２８Ｆと、必要時に真空引きするポート排気ライン１３０Ａ〜１３０Ｆとがそれぞれ設けられており、後述するように、被処理体収納容器体７２との接合空間の圧力調整を行い得るようになっている。
【００２２】
そして、各接合フランジ１２２（図４参照）の先端面には、その周方向に沿ってＯリング等のシール部材１３２が設けられており、被処理体収納容器体７２の接合時のシール性を確保するようになっている。
また、各容器ポート１２０Ａ〜１２０Ｆの下部には、その前方へ延在させた容器台１３４（図４参照、図１では図示省略）が、必要時に応じて前後方向へスライド移動可能に設けられており、この上面に上記被処理体収納容器体７２を載置し得るようになっている。そして、この容器台１３４の上面には、凹部状の位置決め溝１３６が設けられると共に、上方へ向けられてジョイントを兼用する排気ジョイントノズル１３８が設けられており、この排気ジョイントノズル１３８は真空排気系１４０に接続されている。
そして、上記各第１の移載補助室５６Ａ〜５６Ｃと各第２の移載補助室１１４Ａ〜１１４Ｆとの間で、上記被処理体収納容器体７２を搬送するために図５に示すような容器搬送手段１４２が設けられる。
【００２３】
具体的には、この容器搬送手段１４２は、主として天井部に設けた案内軌道レール１４４と、これに沿って移動する一対の保持アーム１４６により構成される。この保持アーム１４６は、上記被処理体収納容器体７２を挟んで保持し得るように拡縮可能になされており、この保持アーム１４６は、伸縮ロッド１４８を介して案内軌道レール１４４に走行移動可能に保持される移動体１５０に連結されている。そして、上記案内軌道レール１４４は、図１に示す搬送路１５２に沿って敷設されており、前述したように上記被処理体収納容器体７２を任意の位置に搬送し得るようになっている。尚、この容器搬送手段１４２としては、この構成に限定されず、例えばマニシング工場等で用いられるロボット型の容器搬送手段でもよく、或いは、リニアモータとレールを用いて容器搬送手段を構成してもよく、容器体７２を搬送し得るならばその構成は問わない。
【００２４】
次に、以上のような処理システム３０を用いて行なわれる搬送方法について、説明する。
図１においては２つの第１の移載補助室５６Ａ、５６Ｂと４つの第２の移載補助室１１４Ａ〜１１４Ｃ、１１４Ｆにそれぞれ被処理体収容容器体７２を接合させている状況を示している。
まず、ウエハＷの一般的な流れについて説明すると、共通搬送機構４０により各カセット容器Ｃより取り出されたウエハは、オリエンタ５０まで搬送されてオリエンタ５０の基準台５２に移載され、ここで位置決めされる。この位置決めされたウエハは、再度、上記共通搬送機構４０により受け取られて保持され、いずれかの第１の移載補助室、例えば５６Ａの直前まで搬送される。そして、圧力調整を行った後にこの第１の移載補助室５６Ａのゲートバルブ５８Ａを開いてこの保持していたウエハを第１の移載補助室５６Ａ内の第１のバッファ用載置台６０に保持させる。同様にして２枚目の未処理のウエハもこの載置台６０に保持させる。
【００２５】
この時、第１のバッファ用載置台６０に処理済みのウエハが存在すれば、これと未処理のウエハを置き換えて処理済みウエハはカセットＣ側へ戻すことになる。このようにして、２枚の未処理のウエハを第１の移載補助室５６Ａ内に収容したならば、この内部を真空引きして圧力調整を行う。
ここで、容器台８４上に載置されている被処理体収納容器体７２は、図２に示すようにこの下部に設けた排気ポートノズル１０８が容器台８４側の排気ジョイントノズル８８と容器体載置時に連結されており、容器本体９２の内部は予め所定の圧力まで真空引きされている。
また、第１の移載補助室５６Ａの容器ポート６８Ａに容器体７２を接合した際、上記容器ポート６８Ａと容器体７２の接合ポート９６との間に形成される密閉空間１５４（図２参照）には、常圧の清浄空気が閉じ込められることになるので、この密閉空間１５４内の雰囲気をポート排気ライン８０Ａから真空引きしてこの内部の圧力調整を行う。
【００２６】
このようにして、上記第１の移載補助室５８Ａ内、上記密閉空間１５４内及び容器体７２内の圧力が略同圧になるように圧力調整が完了したならば、各ゲートバルブ６６Ａ及び９４（図２参照）をそれぞれ開状態とする。そして、第１の移載補助室５８Ａ内の移載アーム機構６４Ａを用いて、未処理の２枚のウエハＷを容器体７２内の被処理体支持部材１００に移載して保持させる。尚、ウエハを１枚のみ移載し、他方の支持突起１０４を空状態としてもよい。この時、処理済みのウエハＷが被処理体支持部材１００に保持されていたならば、まず、この処理済みのウエハＷを第１の移載補助室５８Ａ内へ取り込んだ後に、上記未処理のウエハＷの移載を行う。
このようにして、容器体７２内へ未処理のウエハＷの移載が完了したならば、各ゲートバルブ６６Ａ及び９４を閉じた後、容器ポート６８Ａに設けたポート給気ライン６８Ａより密閉空間１５４内へ空気を送り込んでこの密閉空間１５４内を常圧まで復帰させ、容器ポート６８Ａから容器体７２側が離脱できるようにする。そして、この容器体７２を載置している容器台８４を容器体離脱方向へ僅かに移動させて、容器ポート６８Ａから容器体７２を離脱させる。この際、容器体７２内は真空状態に維持されているのは勿論である。
【００２７】
次に、天井部に設けた図５に示すような容器搬送手段１４２を用いて、この容器体７２を所定の処理室、例えば処理室１１０Ｆの第２の移載補助室１１４Ｆまで搬送することになる。
ここでは、先の第１の移載補助室５６Ａの場合と逆の手順により、未処理のウエハＷが第２の移載補助室１１４Ｆ側に向けて搬出されることになる。すなわち、図４に示すように、容器台１３４を接合側（図中左側）へスライド移動させることにより、第２の移載補助室１１４Ｆの容器ポート１２０Ｆと容器体７２の接合ポート９６とを接合し、ここに形成された密閉空間１５６の常圧雰囲気をポート排気ライン１３０Ｆから真空引きして圧力調整し、予め真空状態に維持されている第２の移載補助室１１４Ｆ内の圧力と略同圧にする。そして、両ゲートバルブ１１８Ｆ及び９４を開いて内部を連通状態とし、未処理のウエハＷを容器体７２内より第２の移載補助室１１４Ｆ内へ移載する。
ここで処理済みのウエハＷが第２の移載補助室１１４Ｆ内に存在する場合には、容器体７２内へは未処理のウエハＷを２枚ではなく、１枚のみ収容した状態で搬送し、１枚処理済みのウエハを載置する余裕スペースを確保しておいてもよいし、或いは、第２の移載補助室１１４Ｆ内にバッファ用の載置台を別途設けるようにしてもよい。或いは、第２の移載補助室１１４Ｆ内の移載アーム機構１１６Ｆを、共通搬送機構４０と同じ構造の２ピックタイプのアーム機構としてもよい。いずれにしても、処理済みウエハと未処理ウエハとの取り換え時にデッドロックが生じないような搬送形態を用いる。
【００２８】
以上のようにして、未処理のウエハＷが第２の移載補助室１１４Ｆ内に取り込まれることになる。そして、この容器体７２内に処理済みのウエハＷが収容されたならば、密閉空間１５６内を大気圧復帰させて、この容器体７２を容器ポート１２０側から離脱させる。そして、この処理済みウエハＷを収容した容器体７２を元の第１の移載補助室、例えば５６Ａ側まで運搬することになる。また、上記載置台１３４上に容器体７２を載置している時も、真空排気系１４０から容器体７２内を真空引きするようにしてもよい。
このように、容器体７２内は、常時真空雰囲気に維持されていることになり、ウエハ表面に自然酸化膜等の発生を極力抑制することができる。
【００２９】
また、このような密閉可能な容器体７２を用いたので、従来必要とされた大型の共通搬送室（図７の第１の搬送室６に対応）、いわゆるトランスファチャンバを不要にすることが可能となる。
尚、ここでは、容器体７２内を常時真空状態に維持する場合を例にとって説明したが、これに限定されず、容器体７２内のＮ2 ガスやＡｒガス等の不活性ガスを充填できるようにしてもよい。この場合には、図６でも説明するように、容器体７２の底部にガス供給ポートを設け、また、両容器台８４、１３４側には、ガス供給ジョイントノズルを設けて、Ｎ2 ガスやＡｒガスを必要に応じて供給するように構成すればよい。
また、上記被処理体収納容器体７２内の真空度をより高く維持するために、図６に示すように構成してもよい。図６は被処理体収納容器体の変形例を示す図である。
【００３０】
図６に示す構成は、図２に示す容器体７２と基本的に同じであり、同一構成部分については同一符号を付して説明を省略する。
図６に示す被処理体収納容器体１６０は、底部に比較的大口径の排気口１６２を形成しており、この排気口１６２に、例えばターボ分子ポンプ等の真空ポンプ１６４を直接的に取り付けている。更に、真空ポンプ１６４の排気側に比較的容量の大きな背圧室１６６が連接させて設けられており、この真空ポンプ１６４の排気側の圧力をできるだけ低くできるようになっている。
そして、この背圧室１６６に、図２に示したと同様な構造の排気ポートノズル１０８を連結させて設けている。また、この容器体１６０の容器本体９２の背面側には、上記真空ポンプ１６４を回転駆動する充電可能なポンプ電源１６８が設けられており、これには図示しないポンプ制御部も含まれて、上記真空ポンプ１６４を必要に応じて回転駆動し得るようになっている。
【００３１】
また、この容器本体９２の底部には、この内部に必要なガスを供給するためのガス供給ポート１７０が設けられると共に、これに対向する容器台８４には、ジョイント機能を有して上記ガス供給ポート１７０と着脱自在に結合されるガス供給ジョイントノズル１７２が設けられており、Ｎ2 ガスやＡｒガス等の不活性ガスを必要に応じて供給できるようになっている。尚、このガス供給ポート１７０とガス供給ジョイントノズル１７２を、図２に示す装置例に設けてもよいのは、前述した通りである。
また、この容器台８４に、上記ポンプ電源１６８に電力を供給する電力用ジョイントを設けてもよいのは勿論である。
また、各第２の移載補助室１１４Ａ〜１１４Ｆに対応させて設けた各容器台１３４の構造も、図６に示す容器台８４と同様に構成されている。
このように、被処理体収納容器体１６０を構成することにより、必要に応じてこの容器体１６０の内部には不活性ガスを供給できる。また、真空引きは、ターボ分子ポンプよりなる真空ポンプ１６４と真空排気系９０の真空ポンプ（図示せず）とによる２段引きが可能なので、容器体１６０内の真空度を高く維持することができる。
【００３２】
特に、この容器体１６０が、容器台８４から運び出されて単独で運搬されている場合でも、これに一体的に設けられているポンプ電源１６８からの電力により真空ポンプ１６４は常時、回転駆動されて、内部雰囲気が背圧室１６６側に排気されているので、この点よりも容器体１６０内の真空度を高く維持することが可能となる。
尚、この背圧室１６６内の雰囲気は、この容器体１６０が容器台８４上に載置された時に、前述のように真空排気系９０から系外へ排気されるのは勿論である。
以上に説明した装置では、共通搬送機構４０を内部に有する共通搬送室３６を設けた場合を例にとって説明したが、これを省略して、各搬出入ポート３８Ａ〜３８Ｃから直接的に各第１の移載補助室５６Ａ〜５６Ｃにウエハを搬入させるようにしてもよい。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハＷを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板等にも本発明を適用することができる。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の被処理体収納容器体及び処理システムによれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
本発明によれば、複数枚の被処理体を、運搬可能な容器本体内へ密閉状態で収容でき、内部を例えば真空状態や不活性ガス雰囲気中に維持することができる。
また、ポンプ電源で真空ポンプを駆動することにより、容器本体内を高い真空度に維持することができる。
本発明の処理システムによれば、被処理体は被処理体収納容器体に収容された状態で、第１及び第２の移載補助室間に運搬することが可能になり、従来必要とされた共通の搬送室を不要にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る被処理体の処理システムを示す概略構成図である。
【図２】第１の移載補助室に接合された被処理体収容容器体を示す断面図である。
【図３】被処理体収納容器体を示す斜視図である。
【図４】第２の移載補助室に接合された被処理体収納容器体を示す断面図である。
【図５】容器体搬送手段の一例を示す図である。
【図６】被処理体収納容器体の変形例を示す図である。
【図７】従来の被処理体の処理システムを示す概略構成図である。
【符号の説明】
３０ 処理システム
３６ 共通搬送室
３８Ａ〜３８Ｃ カセット（搬出入ポート）
４０ 共通搬送機構
５０ オリエンタ（位置決め機構）
５６Ａ〜５６Ｃ 第１の移載補助室
６４Ａ〜６４Ｃ 移載アーム機構
６６Ａ〜６６Ｃ ゲートバルブ
６８Ａ〜６８Ｃ 容器ポート
７２，１６０ 被処理体収納容器体
７８Ａ〜７８Ｃ ポート給気ライン
８０Ａ〜８０Ｃ ポート排気ライン
９２ 容器本体
９４ ゲートバルブ
９６ 接合ポート
１００ 被処理体支持部材
１０８ 排気ポートノズル（排気ポート）
１１０Ａ〜１１０Ｆ 処理室
１１４Ａ〜１１４Ｆ 第２の移載補助室
１４２ 容器体搬送手段
１６２ 排気口
１６４ 真空ポンプ
１６６ 背圧室
１６８ ポンプ電源
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
Claims (12)
- 一側に開閉可能になされたゲートバルブを設けた接合ポートを有して密閉可能になされた容器本体と、
前記容器本体の内部に設けられて被処理体を複数枚支持する被処理体支持部材と、
前記容器本体の雰囲気を排気するために開閉可能になされた排気ポートと、
を有し、
前記容器本体は、
この排気口に設けた真空ポンプと、
前記真空ポンプを駆動するポンプ電源と、
前記真空ポンプの排気側に接続された背圧室とを有し、
前記排気ポートは、前記背圧室に接続されていることを特徴とする運搬可能な被処理体収納容器体。 - 前記容器本体の下面には位置決め突起が設けられることを特徴とする請求項１記載の運搬可能な被処理体収納容器体。
- 複数の被処理体を収容するカセット容器を設置する搬出入ポートと、
請求項１又は２に規定する被処理体収納容器体と、
内部に前記被処理体の移載アーム機構を有すると共に一側に前記被処理体収納容器体を接合する容器ポートを有し、前記搬出入ポートの前記カセット容器と前記被処理体収納容器体との間で前記被処理体の移載を中継する第１の移載補助室と、
前記被処理体に所定の処理を施す処理室と、
内部に前記被処理体の移載アーム機構を有すと共に、一側に前記処理室が連設され、他側に前記被処理体収納容器体を接合する容器ポートを有する第２の移載補助室と、
前記第１及び第２の移載補助室間で前記被処理体収納容器体を搬送する容器搬送手段と、
を備えたことを特徴とする処理システム。 - 前記第２の移載補助室の容器ポートに設けられて、前記被処理体収納容器体を載置して前記位置決め突起を嵌め込む位置決め溝を有すると共に前記容器ポート側へスライド移動可能になされた容器台を有することを特徴とする請求項３記載の処理システム。
- 前記第２の移載補助室側の容器台には、前記被処理体収納容器体の排気ポートに接合される排気ジョイントノズルが設けられることを特徴とする請求項４記載の処理システム。
- 前記第１の移載補助室の容器ポートに設けられて、前記被処理体収納容器体を載置して前記位置決め突起を嵌め込む位置決め溝を有すると共に前記容器ポート側へスライド移動可能になされた容器台を有することを特徴とする請求項３又は４記載の処理システム。
- 前記第１の移載補助室側の容器台には、前記被処理体収納容器体の排気ポートに接合される排気ジョイントノズルが設けられることを特徴とする請求項３又は４記載の処理システム。
- 前記搬出入ポートと前記第１の移載補助室との間には、内部に共通搬送機構を有する共通搬送室が設けられ、該共通搬送室には、前記被処理体の位置決めを行う位置決め機構が設けられることを特徴とする請求項３乃至７のいずれかに記載の処理システム。
- 前記第１及び第２の移載補助室の容器ポートには、開閉可能になされたゲートバルブが設けられることを特徴とする請求項３乃至８のいずれかに記載の処理システム。
- 前記第１及び第２の移載補助室には、少なくとも排気ラインがそれぞれ設けられると共に、各容器ポートのゲートバルブの外側には、ポート給気ラインとポート排気ラインとがそれぞれ設けられることを特徴とする請求項３乃至９のいずれかに記載の処理システム。
- 前記第１及び第２の移載補助室には、それぞれ所定のガスを供給する給気ラインが設けられることを特徴とする請求項３乃至１０のいずれかに記載の処理システム。
- 前記容器搬送手段は、案内軌道レールと、前記被処理体収容容器体を保持すると共に前記案内軌道レールに沿って移動する保持アームとよりなることを特徴とする請求項３乃至１１のいずれかに記載の処理システム。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002054540A JP4168642B2 (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 被処理体収納容器体及び処理システム |
| PCT/JP2003/002380 WO2003073497A1 (fr) | 2002-02-28 | 2003-02-28 | Corps de cuve recevant un milieu a traiter et systeme de traitement |
| US10/505,168 US20050118000A1 (en) | 2002-02-28 | 2003-02-28 | Treatment subject receiving vessel body, and treating system |
| KR1020047013333A KR100627782B1 (ko) | 2002-02-28 | 2003-02-28 | 피처리체 수납 용기체 및 처리 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002054540A JP4168642B2 (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 被処理体収納容器体及び処理システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003258077A JP2003258077A (ja) | 2003-09-12 |
| JP4168642B2 true JP4168642B2 (ja) | 2008-10-22 |
Family
ID=27764401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002054540A Expired - Fee Related JP4168642B2 (ja) | 2002-02-28 | 2002-02-28 | 被処理体収納容器体及び処理システム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050118000A1 (ja) |
| JP (1) | JP4168642B2 (ja) |
| KR (1) | KR100627782B1 (ja) |
| WO (1) | WO2003073497A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7318972B2 (en) * | 2001-09-07 | 2008-01-15 | Itm Power Ltd. | Hydrophilic polymers and their use in electrochemical cells |
| KR101077630B1 (ko) * | 2003-01-02 | 2011-10-27 | 로마 린다 유니버시티 메디칼 센터 | 양자 빔 치료 시스템에 대한 구성 관리 및 검색 시스템 |
| US8313277B2 (en) | 2003-11-10 | 2012-11-20 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor manufacturing process modules |
| US10086511B2 (en) | 2003-11-10 | 2018-10-02 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor manufacturing systems |
| US8696298B2 (en) * | 2003-11-10 | 2014-04-15 | Brooks Automation, Inc. | Semiconductor manufacturing process modules |
| US20070269297A1 (en) * | 2003-11-10 | 2007-11-22 | Meulen Peter V D | Semiconductor wafer handling and transport |
| EP1786710A4 (en) * | 2004-08-19 | 2011-10-12 | Brooks Automation Inc | REDUCED CAPACITY SUPPORT AND METHOD OF USE |
| US7665951B2 (en) * | 2006-06-02 | 2010-02-23 | Applied Materials, Inc. | Multiple slot load lock chamber and method of operation |
| US8950998B2 (en) * | 2007-02-27 | 2015-02-10 | Brooks Automation, Inc. | Batch substrate handling |
| US20080219806A1 (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-11 | Van Der Meulen Peter | Semiconductor manufacturing process modules |
| US9105673B2 (en) | 2007-05-09 | 2015-08-11 | Brooks Automation, Inc. | Side opening unified pod |
| KR102110585B1 (ko) * | 2007-05-17 | 2020-05-13 | 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 | 측면 개방형 기판 캐리어 및 로드 포트 |
| US8367565B2 (en) | 2008-12-31 | 2013-02-05 | Archers Inc. | Methods and systems of transferring, docking and processing substrates |
| WO2010078264A2 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-08 | Archers Inc. | Methods and systems of transferring, docking and processing substrates |
| US20100162954A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-07-01 | Lawrence Chung-Lai Lei | Integrated facility and process chamber for substrate processing |
| US8110511B2 (en) | 2009-01-03 | 2012-02-07 | Archers Inc. | Methods and systems of transferring a substrate to minimize heat loss |
| US7897525B2 (en) | 2008-12-31 | 2011-03-01 | Archers Inc. | Methods and systems of transferring, docking and processing substrates |
| TW201123340A (en) * | 2009-11-12 | 2011-07-01 | Hitachi High Tech Corp | Vacuum processing system and vacuum processing method of semiconductor processing substrate |
| JP2012009519A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
| US10490431B2 (en) * | 2017-03-10 | 2019-11-26 | Yield Engineering Systems, Inc. | Combination vacuum and over-pressure process chamber and methods related thereto |
| JP7341822B2 (ja) * | 2019-09-26 | 2023-09-11 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
| JP7307240B1 (ja) | 2022-06-30 | 2023-07-11 | 蘇州芯慧聯半導体科技有限公司 | 真空ウエーハ搬送システム |
| JP7307241B1 (ja) | 2022-06-30 | 2023-07-11 | 蘇州芯慧聯半導体科技有限公司 | 基板自動搬送装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60110685U (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-26 | 日本電子株式会社 | タ−ボ分子ポンプを用いた排気系 |
| JPH03154751A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-07-02 | Hitachi Ltd | 多品種搬送方法及び装置 |
| US5169272A (en) * | 1990-11-01 | 1992-12-08 | Asyst Technologies, Inc. | Method and apparatus for transferring articles between two controlled environments |
| KR100303075B1 (ko) * | 1992-11-06 | 2001-11-30 | 조셉 제이. 스위니 | 집적회로 웨이퍼 이송 방법 및 장치 |
| JPH0927542A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-01-28 | Hitachi Ltd | 搬送容器 |
| JPH0964144A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Japan Steel Works Ltd:The | 基板の保管方法とそのためのクリーンストッカ、真空ゲートバルブおよび搬送容器 |
| JPH10313041A (ja) * | 1998-04-15 | 1998-11-24 | Hitachi Ltd | 複数処理装置 |
| JP3367421B2 (ja) * | 1998-04-16 | 2003-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の収納装置及び搬出入ステージ |
| TW442891B (en) * | 1998-11-17 | 2001-06-23 | Tokyo Electron Ltd | Vacuum processing system |
| JP4256551B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2009-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理システム |
-
2002
- 2002-02-28 JP JP2002054540A patent/JP4168642B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-28 US US10/505,168 patent/US20050118000A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-28 WO PCT/JP2003/002380 patent/WO2003073497A1/ja active Application Filing
- 2003-02-28 KR KR1020047013333A patent/KR100627782B1/ko not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100627782B1 (ko) | 2006-09-25 |
| US20050118000A1 (en) | 2005-06-02 |
| KR20040086450A (ko) | 2004-10-08 |
| WO2003073497A1 (fr) | 2003-09-04 |
| JP2003258077A (ja) | 2003-09-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4168642B2 (ja) | 被処理体収納容器体及び処理システム | |
| KR100870816B1 (ko) | 진공 처리 시스템 | |
| JP4239572B2 (ja) | 搬送システムの搬送位置合わせ方法及び処理システム | |
| US6467491B1 (en) | Processing apparatus and processing method | |
| JP2000299367A (ja) | 処理装置及び被処理体の搬送方法 | |
| JP3238432B2 (ja) | マルチチャンバ型枚葉処理装置 | |
| JP4833512B2 (ja) | 被処理体処理装置、被処理体処理方法及び被処理体搬送方法 | |
| US20110076117A1 (en) | Process module, substrate processing apparatus, and substrate transferring method | |
| JP2003077976A (ja) | 処理システム | |
| JP2004349503A (ja) | 被処理体の処理システム及び処理方法 | |
| WO2000028587A1 (fr) | Dispositif de traitement | |
| JP2010098121A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| JP2002324829A (ja) | 処理システム | |
| JP3151582B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JP2000208589A (ja) | 処理装置 | |
| JP2004288718A (ja) | 基板搬送装置及び基板処理装置 | |
| JP3172331B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JP4642619B2 (ja) | 基板処理システム及び方法 | |
| JP2012195427A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| KR100456711B1 (ko) | 열처리장치 | |
| WO1998019335A1 (fr) | Appareil de traitement thermique de type vertical | |
| JPH08340036A (ja) | 処理装置 | |
| JP2002237507A (ja) | 処理システム及び処理システムの被処理体の搬送方法 | |
| KR100242534B1 (ko) | 멀티 챔버시스템 | |
| JP4207530B2 (ja) | 被処理体の搬送機構 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040512 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061205 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070205 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070313 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070414 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20070517 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080715 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080728 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140815 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |