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JP4173349B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

Substrate processing apparatus and substrate processing method Download PDF

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JP4173349B2
JP4173349B2 JP2002308195A JP2002308195A JP4173349B2 JP 4173349 B2 JP4173349 B2 JP 4173349B2 JP 2002308195 A JP2002308195 A JP 2002308195A JP 2002308195 A JP2002308195 A JP 2002308195A JP 4173349 B2 JP4173349 B2 JP 4173349B2
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，例えば半導体ウェハやＬＣＤ基板用ガラス等の基板を洗浄処理などする基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）に種々の処理を施す基板処理装置にあっては，ウェハに供給する処理液を再利用するための処理液循環回路が設けられる。この処理液循環回路には，ウェハ処理後の処理液に混合している異物等を除去するフィルターが設けられ，これにより処理液を清浄化して，再びウェハに供給する構成となっている。処理液に混合する異物としては，例えば変質したレジスト膜がある。これは，ウェハに塗布されたレジストに対して有機溶剤やその他の剥離薬液を供給して，レジストを薬液に溶解させて除去する工程において認められるものである。即ち，レジストの表面に生成されたポリマーや変質したレジスト膜は，薬液に完全に溶解せずに，膜状やコロイド状の異物となってウェハから剥がれ落ち，処理後の処理液とともに排出される異物となる。このような異物を除去するフィルターとしては，例えば円筒形のろ過部材をハウジング内に備えたものがあり，ろ過部材の外周から内部へ異物を含有した処理液を通過させ，ろ過部材の外周において異物を捕捉するようになっている。
【０００３】
ところで，異物を含有する液体をフィルターによってろ過する場合，異物がフィルターの目に詰まるとろ過機能が低下する問題がある。かかる目詰まりを解消してフィルターのろ過機能を回復させる構成として，種々のものが提案されている。例えば，ろ過する際に液体を通過させる方向と逆方向に圧縮空気を送り，フィルターに蓄積した異物を除去する構成が提案されている（例えば，特許文献１参照。）。また，処理槽内に貯留した処理液に基板を浸漬させて処理するバッチ式基板処理装置にあっては，処理槽から処理液を排液する際，フィルターに処理液を逆流させることが可能な構成とし，排液によってフィルターから異物を押し流す構成が提案されている（例えば，特許文献２参照。）。
【０００４】
【特許文献１】
特開２００１−１２０９６４
【特許文献２】
特開２００２−７５９５７
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
従来の基板洗浄処理装置にあっては，比較的大きな異物がフィルターに詰まる問題があり，特にウェハＷから剥がれ落ちたポリマーや変質レジストは，膜状やコロイド状の異物であるため，フィルターの目詰まりが著しかった。従って，フィルターを頻繁に交換する必要があり，コストアップの原因となっていた。また，フィルターの交換作業はウェハの洗浄処理を中断して行うので，ウェハ処理全体のスループットが低下する原因となっていた。さらに，フィルターによって処理液から除去された膜状やコロイド状の異物が，フィルターの周囲に沈殿して堆積し，これを除去することが難しい問題があった。
【０００６】
従って本発明の目的は，フィルターの異物詰まりを解消し，フィルターを長寿命化する基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために，本発明によれば，処理液によって基板を処理する基板処理部と，前記基板処理部から排出した処理液を通過させる処理液回収路を設けた基板処理装置において，前記処理液回収路に，処理液に混合した異物を除去するフィルターと，前記フィルターよりも目の細かい追加フィルターを順に設け，前記フィルターを洗浄する洗浄用流体を，前記フィルターと前記追加フィルターの間において前記処理液回収路に供給する洗浄用流体供給路と，前記フィルターから異物及び前記洗浄用流体を，前記基板処理部と前記フィルターの間において前記処理液回収路から排出する排出路を設けたことを特徴とする，基板処理装置が提供される。この基板処理装置にあっては，洗浄用流体をフィルターに通過させることによりフィルターに詰まった異物を除去し，排出路から排出することができる。従って，フィルターを頻繁に交換しなくても異物詰まりを解消することができる。
【０００８】
また，本発明によれば，処理液によって基板を処理する基板処理部と，前記基板処理部から排出した処理液を通過させる複数の処理液回収路を設けた基板処理装置において，前記複数の処理液回収路の各々に，処理液に混合した異物を除去するフィルターと，前記フィルターよりも目の細かい追加フィルターを順に設け，前記フィルターを洗浄する洗浄用流体を，前記フィルターと前記追加フィルターの間において前記処理液回収路に供給する洗浄用流体供給路と，前記フィルターから異物及び前記洗浄用流体を，前記基板処理部と前記フィルターの間において前記処理液回収路から排出する排出路を設けたことを特徴とする，基板処理装置が提供される。この基板処理装置にあっては，ある処理液回収路において，フィルターに処理液から除去した異物が蓄積した場合，処理液が他の処理液回収路に設けたフィルターを通過するように切り替えることによって，処理液回収路による送液工程を続行することができる。また，送液工程を続行する間に，異物が蓄積したフィルターを洗浄することができる。
【０００９】
前記処理液回収路の前記フィルターの下流に，前記フィルターよりも目の細かい追加フィルターを設ける。この場合，大きな異物を捕捉する粗い目のフィルターを上流に設置することにより，要求される清浄度が得られる細かい目の追加フィルターを長寿命化することができる。
【００１０】
前記フィルターは筒型のろ過部材であって，前記処理液は前記ろ過部材の外周から内部へ通過し，前記洗浄用流体は前記筒型ろ過部材の内部から外周へ通過することが好ましい。この場合，洗浄用流体によって異物を剥離させて除去し，フィルターを洗浄することができる。
【００１１】
また，前記フィルターは筒型のろ過部材であって，前記フィルターの内側に，前記フィルターよりも目の細かい筒型のろ過部材からなる追加フィルターを設け，前記処理液は，外側の前記フィルターの筒型のろ過部材の外周から内部へ通過し，続いて前記追加フィルターの筒型のろ過部材の外周から内部へ通過し，前記洗浄用流体は，外側の前記フィルターの筒型のろ過部材の内部から外周へ通過することとしても良い。この場合，大きな異物を捕捉する粗い目のフィルターを外側に設置することにより，要求される清浄度が得られる細かい目の追加フィルターを長寿命化することができる。また，洗浄用流体を外側のフィルターに通過させることにより，外側のフィルターに詰まった異物を除去し，フィルターを頻繁に交換しなくても異物詰まりを解消することができる。
【００１２】
なお，前記筒型のろ過部材は交換可能なカートリッジに形成されていることが好ましい。この場合，フィルターの交換がきわめて容易になる。
【００１３】
さらに，前記フィルターの筒型のろ過部材を囲むハウジングの上部から異物及び前記洗浄用流体を排出する上部排出路と，前記ハウジングの下部から異物及び前記洗浄用流体を排出する下部排出路を設けることが好ましい。この場合，ハウジング内の異物を処理液及び前記洗浄用流体とともに効率良く排出することができる。
【００１４】
前記処理液回収路の前記フィルターの上流に，処理液をフィルターに送液する送液ポンプを設けることが好ましい。さらに，前記送液ポンプと前記フィルターとの間において処理液の圧力を計測する圧力センサー及び／又は処理液の流量を計測する流量センサーを設けることが好ましい。この場合，計測された圧力及び／又は流量からフィルターに捕捉された異物の蓄積状態を推測することができる。
【００１５】
さらに，前記洗浄用流体供給路に圧力センサー及び／又は流量センサーを設けることが好ましい。この場合，洗浄用流体の圧力及び流量は，洗浄用流体によってフィルターから剥離した異物の量に依存するので，フィルターの洗浄状態を推測することができる。
【００１６】
前記フィルターに超音波振動子又は周波数１０Ｈｚ〜１００Ｈｚの音波振動子を設けることができる。この場合，超音波振動や周波数１０Ｈｚ〜１００Ｈｚの音波振動によって，フィルターからの異物の剥離を促進することができる。また，前記フィルターにヒーターを設けても良い。この場合，ヒーターの熱によってフィルターからの異物の剥離を促進することができる。
【００１７】
また，前記フィルターにカラーセンサーを設けても良い。この場合，カラーセンサーによって異物の蓄積を検知でき，フィルターの目詰まりを防止することができる。前記フィルターを囲むハウジングに前記フィルターを目視確認するための窓を設けても良い。これにより，窓を通じてフィルターの異物の蓄積を目視確認でき，フィルターの目詰まりを防止することができる。
【００１８】
さらに，前記フィルターの洗浄工程を制御する制御部を有し，前記制御部は前記フィルターの洗浄を行った回数をカウントし，所定の回数に達したときは，前記フィルターを交換するメッセージを出力することが好ましい。この場合，所定の回数ごとにフィルターが取り替えられ，フィルターの目詰まりを防止することができる。
【００１９】
前記制御部は，所定の時間が経過するごとに，前記フィルターの洗浄工程を開始することが好ましい。この場合，所定の時間ごとにフィルターが洗浄され，フィルターの目詰まりを防止することができる。
【００２０】
また，前記処理液回収路の前記フィルターの上流に，処理液をフィルターに送液する送液ポンプを設け，前記処理液回収路の前記フィルターの下流に，前記フィルターよりも目の細かい追加フィルターを設け，前記処理液回収路の前記フィルターと前記送液ポンプとの間の所定部分から分岐し，前記処理液回収路の前記フィルターと前記追加フィルターとの間の所定部分に接続する少なくとも一つの追加の処理液回収路を設け，前記追加の処理液回収路に，処理液に混合した異物を除去するフィルターと，前記フィルターを洗浄する洗浄用流体を供給する洗浄用流体供給路と，前記フィルターから異物及び前記洗浄用流体を排出する排出路をそれぞれ設けることが好ましい。このようにすると，異物が蓄積しやすい上流のフィルターの一つに異物が蓄積した場合，処理液が他の処理液回収路を通過するように切り替えられ，処理を続行している間に，異物が蓄積したフィルターを洗浄することができる。
【００２１】
また，本発明によれば，処理液によって基板を処理し，処理後に排出される処理液をフィルターと，前記フィルターよりも目の細かい追加フィルターに順に通過させ，処理液中の異物を除去する基板処理方法において，前記フィルターが詰まった際に，前記フィルターのみに前記処理液が通過する方向と逆方向から洗浄用流体を通過させて異物を剥離させ，前記追加フィルターが詰まった際に，前記追加フィルターを新しい追加フィルターと交換することを特徴とする，基板処理方法が提供される。
【００２２】
前記フィルターを通過した洗浄用流体及び前記フィルターから剥離させた異物を，前記フィルターの上部から排出する工程と，前記フィルターの上部と下部から排出する工程を有するようにしても良い。この場合，異物がフィルターの下部付近に沈殿しても，これを排出することができる。
【００２３】
前記フィルターを通過した洗浄用流体及び前記フィルターから剥離させた異物を，前記フィルターを囲むハウジングの上部から排出する工程と，前記ハウジングの下部から排出する工程とを有し，前記ハウジングの下部から排出する工程においては，前記ハウジング内に処理液を送液することが好ましい。この場合，ハウジングの下部に沈殿した異物を，少量の処理液によって，押し流して排出することができる。
【００２４】
前記フィルター通過前における処理液の圧力が上昇した際に，又は，処理液の流量が減少した際に，前記フィルターの異物剥離を開始するようにしても良い。また，前記フィルター通過前における洗浄用流体の圧力が下降した際に，又は，洗浄用流体の流量が増大した際に，前記フィルターの異物剥離を停止するようにしても良い。
【００２５】
前記洗浄用流体は，Ｎ２（窒素），あるいはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を含む有機溶剤，あるいは純水，あるいは有機溶剤を含んだ気体であることが好ましい。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態を，基板の一例としてのウェハの表面に対して，レジスト除去処理等するように構成された，基板処理装置としての基板処理ユニットに基づいて説明する。図１は，本実施の形態にかかる基板処理ユニット１２，１３，１４，１５を組み込んだ処理システム１の平面図である。図２は，その側面図である。この処理システム１は，ウェハＷにレジスト除去処理及び熱的処理を施す処理部２と，処理部２に対してウェハＷを搬入出する搬入出部３から構成されている。
【００２７】
搬入出部３は，複数枚，例えば２５枚のウェハＷが所定の間隔で略水平に収容可能な容器（キャリアＣ）を載置するための載置台６が設けられたイン・アウトポート４と，載置台６に載置されたキャリアＣと処理部２との間でウェハの受け渡しを行うウェハ搬送装置７が備えられたウェハ搬送部５と，から構成されている。
【００２８】
ウェハＷはキャリアＣの一側面を通して搬入出され，キャリアＣの側面には開閉可能な蓋体が設けられている。また，ウェハＷを所定間隔で保持するための棚板が内壁に設けられており，ウェハＷを収容する２５個のスロットが形成されている。ウェハＷは表面（半導体デバイスを形成する面）が上面（ウェハＷを水平に保持した場合に上側となっている面）となっている状態で各スロットに１枚ずつ収容される。
【００２９】
イン・アウトポート４の載置台６上には，例えば，３個のキャリアを水平面のＹ方向に並べて所定位置に載置することができるようになっている。キャリアＣは蓋体が設けられた側面をイン・アウトポート４とウェハ搬送部５との境界壁８側に向けて載置される。境界壁８においてキャリアＣの載置場所に対応する位置には窓部９が形成されており，窓部９のウェハ搬送部５側には，窓部９をシャッター等により開閉する窓部開閉機構１０が設けられている。
【００３０】
この窓部開閉機構１０は，キャリアＣに設けられた蓋体もまた開閉可能であり，窓部９の開閉と同時にキャリアＣの蓋体も開閉する。窓部９を開口してキャリアＣのウェハ搬入出口とウェハ搬送部５とを連通させると，ウェハ搬送部５に配設されたウエハ搬送装置７のキャリアＣへのアクセスが可能となり，ウェハＷの搬送を行うことが可能な状態となる。
【００３１】
ウェハ搬送部５に配設されたウエハ搬送装置７は，Ｙ方向とＺ方向に移動可能であり，かつ，Ｘ―Ｙ平面内（θ方向）で回転自在に構成されている。また，ウェハ搬送装置７は，ウェハＷを把持する取出収納アーム１１を有し，この取出収納アーム１１はＸ方向にスライド自在となっている。こうして，ウェハ搬送装置７は，載置台６に載置された全てのキャリアＣの任意の高さのスロットにアクセスし，また，処理部２に配設された上下２台のウェハ受け渡しユニット１６，１７にアクセスして，イン・アウトポート４側から処理部２側へ，逆に処理部２側からイン・アウトポート４側へウェハＷを搬送することができるようになっている。
【００３２】
処理部２は，主ウェハ搬送装置１８と，ウェハ搬送部５との間でウェハＷの受け渡しを行うためにウェハＷを一時的に載置するウェハ受け渡しユニット１６，１７と，本実施の形態にかかる４台の基板処理ユニット１２，１３，１４，１５と，処理後のウェハＷを加熱処理する３台の加熱ユニット及び加熱されたウェハＷを冷却する冷却ユニットからなる加熱・冷却部１９とを備えている。主ウェハ搬送装置１８は，ウェハ受け渡しユニット１６，１７，基板処理ユニット１２，１３，１４，１５，加熱・冷却部１９の全てのユニットにアクセス可能に配設されている。
【００３３】
また，処理部２は，処理システム１全体を稼働させるための電源である電装ユニット２３と，処理システム１内に配設された各種装置及び処理システム１全体の動作制御を行う機械制御ユニット２４と，基板処理ユニット１２，１３，１４，１５に送液する所定の洗浄液を貯蔵する薬液貯蔵ユニット２５とが配設されている。電装ユニット２３は図示しない主電源と接続される。処理部２の天井部には，各ユニット及び主ウェハ搬送装置１８に，清浄な空気をダウンフローするためのファンフィルターユニット（ＦＦＵ）２６が配設されている。
【００３４】
電装ユニット２３と薬液貯蔵ユニット２５と機械制御ユニット２４を処理部２の外側に設置することによって，又は外部に引き出すことによって，この面（Ｙ方向）からウェハ受け渡しユニット１６，主ウェハ搬送装置１８，加熱・冷却部１９のメンテナンスを容易に行うことが可能である。
【００３５】
ウェハ受け渡し部１６，１７は，いずれもウェハ搬送部５との間でウェハＷの受け渡しを行うためにウェハＷを一時的に載置するものであり，これらウェハ受け渡しユニット１６，１７は上下２段に積み重ねられて配置されている。例えば，下段のウェハ受け渡しユニット１７は，イン・アウトポート４側から処理部２側へ搬送するウェハＷを載置するために用い，上段のウェハ受け渡しユニット１６は，処理部２側からイン・アウトポート４側へ搬送するウェハＷを載置するために用いることができる。
【００３６】
ファンフィルターユニット（ＦＦＵ）２６からのダウンフローの一部は，ウェハ受け渡しユニット１６，１７と，その上部の空間を通ってウェハ搬送部５に向けて流出する構造となっている。これにより，ウェハ搬送部５から処理部２へのパーティクル等の侵入が防止され，処理部２の清浄度が保持されるようになっている。
【００３７】
主ウェハ搬送装置１８は，図示しないモータの回転駆動力によって回転可能な筒状支持体３０と，筒状支持体３０の内側に沿ってＺ方向に昇降自在に設けられたウェハ搬送体３１とを有している。ウェハ搬送体３１は，筒状支持体３０の回転に伴って一体的に回転されるようになっており，それぞれ独立して進退移動することが可能な多段に配置された３本の搬送アーム３４，３５，３６を備えている。
【００３８】
加熱・冷却部１９においては，ウェハＷの強制冷却を行う冷却ユニットが一台配設され，その上にウェハＷの強制加熱と自然冷却を行う加熱ユニットが３台積み重ねられて配設されている。なお，ウェハ受け渡しユニット１６の上部の空間に加熱・冷却部１９を設けることも可能である。この場合には，図１に示す加熱・冷却部１９の位置をその他のユーティリティ空間として利用することができる。
【００３９】
基板処理ユニット１２，１３，１４，１５は，図２に示すように，上下２段で各段に２台ずつ配設されている。図１に示すように，基板処理ユニット１２，１３と基板処理ユニット１４，１５とは，その境界をなしている壁面４１に対して対称な構造を有しているが，対称であることを除けば，各基板処理ユニット１２，１３，１４，１５は概ね同様の構成を備えている。そこで，基板処理ユニット１２を例として，その構造について詳細に以下に説明することとする。
【００４０】
図３は，基板処理ユニット１２の平面図である。基板処理ユニット１２のユニットチャンバー４５内には，処理液によってウェハＷを処理する基板処理部であるアウターチャンバー４６と，アウターチャンバー４６内に収納されたウェハＷに対して処理液等を供給する処理液供給手段４７とを備えている。ユニットチャンバー４５には開口５０が形成され，開口５０を図示しない開閉機構によって開閉するユニットチャンバー用メカシャッター５１が設けられており，搬送アーム３４によって基板処理ユニット１２に対して開口５０からウェハＷが搬入出される際には，このユニットチャンバー用メカシャッター５１が開くようになっている。ユニットチャンバー用メカシャッター５１はユニットチャンバー４５の内部から開口５０を開閉するようになっており，ユニットチャンバー４５内が陽圧になったような場合でも，ユニットチャンバー４５内部の雰囲気が外部に漏れ出ない。
【００４１】
アウターチャンバー４６は，ウェハＷを密閉して収納する構造を有している。アウターチャンバー４６には開口５２が形成され，開口５２を図示しないシリンダ駆動機構によって開閉するアウターチャンバー用メカシャッター５３が設けられており，例えば搬送アーム３４によってアウターチャンバー４６に対して開口５２からウェハＷが搬入出される際には，このアウターチャンバー用メカシャッター５３が開くようになっている。アウターチャンバー用メカシャッター５３は，ユニットチャンバー用メカシャッター５１と共通の開閉機構によって開閉するようにしても良い。また，アウターチャンバー４６には開口５５が形成され，開口５５を図示しない駆動機構によって開閉する処理液供給手段用シャッター５６が設けられている。処理液供給手段４７をアウターチャンバー４６と雰囲気隔離するときは，この処理液供給手段用シャッター５６を閉じる。
【００４２】
アウターチャンバー用メカシャッター５３はアウターチャンバー４６の内部から開口５５を開閉するようになっており，アウターチャンバー４６内が陽圧になったような場合でも，アウターチャンバー４６内部の雰囲気が外部に漏れ出ない。処理液供給手段用シャッター５６はアウターチャンバー４６の内部から開口５５を開閉するようになっており，アウターチャンバー４６内が陽圧になったような場合でも，アウターチャンバー４６内部の雰囲気が外部に漏れ出ない。この場合，アウターチャンバー４６内におけるウェハＷの周囲の雰囲気を，アウターチャンバー４６の外部と隔離し，アウターチャンバー４６の外部の雰囲気が与える影響を抑制する。従って，例えば処理液とウェハＷの温度を良好に保つことができる。
【００４３】
ウェハＷの表面に塗布されたレジスト膜を溶解する薬液，リンス液等の処理液をウェハＷの表面に供給する処理液供給手段４７は，処理液を処理液供給ノズル６０と，処理液供給ノズル６０を支持するアーム６１と，アーム６１の端部を回動自在に支持する回動手段６２を備えている。従って，処理液供給ノズル６０は，アーム６１によって，アウターチャンバー４６外の待機位置とウェハＷの上部において処理液を供給する供給位置との間で回動自在に支持されており，また，アウターチャンバー４６内で後述のスピンチャック７１で保持されたウェハＷの少なくとも中心から周縁部までをスキャン可能である。
【００４４】
アウターチャンバー４６内には，ウェハＷを回転自在に保持するスピンチャック７１が備えられている。アウターチャンバー４６上部には，ウェハＷの周囲に温度調整した不活性の気体を吐出する図示しない気体供給ノズルが備えられている。スピンチャック７１の上部には，ウェハＷの裏面の周縁部を支持するための図示しない支持ピンと，ウェハＷを周縁部から保持するための保持部材７２がそれぞれ複数箇所に装着されている。図示の例では，３つの保持部材７２により，ウェハＷを周りから保持できるようになっている。
【００４５】
図４は，基板処理ユニット１２において，処理液の一種である薬液とリンス液が通過する回路を示している。基板処理ユニット１２は，アウターチャンバー４６から排出した薬液を通過させる薬液回収路７５を備えている。薬液回収路７５の上流端は，アウターチャンバー４６内の薬液及びリンス液をアウターチャンバー４６から排出する処理液排出管７４に接続され，下流端は処理液供給ノズル６０に接続されている。また，リンス液として純水を供給するリンス液供給手段９０が，処理液供給ノズル６０に接続されている。リンス液供給手段９０は，リンス液供給源９２を備えており，リンス処理時に純水を通過させる開閉弁９３が介設されている。さらに，基板処理ユニット１２は，アウターチャンバー４６からリンス液を排液させるリンス液排液路７８を備えている。リンス液排液路７８の上流端は処理液排出管７４に接続されている。
【００４６】
薬液回収路７５とリンス液排液路７８は，バルブ７９を切り替えることにより処理液排出管７４と接続することができる。薬液処理時は，処理液排出管７４と薬液回収路７５とを接続する状態にし，薬液を処理液排出管７４から薬液回収路７５に通過させる。リンス処理時は，処理液排出管７４とリンス液排液路７８とを接続する状態にし，リンス液を処理液排出管７４からリンス液排液路７８に通過させて排液する。即ち，バルブ７９の切り替えにより，リンス液が薬液回収路７５に流れ込まないようになっている。そして，後述する薬液タンク７６にリンス液が流れ込むことを防止する。
【００４７】
薬液回収路７５には，アウターチャンバー４６から回収された薬液を貯留する薬液タンク７６と，薬液回収路７５内を流れる薬液を送液する送液ポンプ７７と，薬液回収路７５内を流れる薬液に混合している異物を除去するフィルター８０と，フィルター８０の下流側に配置され，フィルター８０よりも目の細かいろ過部材である清浄化フィルター８１（追加フィルター）が介設されており，上流側から下流側へ薬液タンク７６，送液ポンプ７７，フィルター８０，清浄化フィルター８１の順で配置されている。このように，目の粗いフィルター８０の下流に，再使用する薬液に要求される清浄度の得られる目の細かい清浄化フィルター８１を設置すると，目の粗いフィルター８０を設置しない場合と比較して，清浄化フィルター８１の交換頻度を１／３程度まで減少させることができる。
【００４８】
なお，本発明においては，フィルター８０が目の細かいろ過部材からなり，清浄化フィルター８１の機能を兼ねることができる。この場合には，薬液回収路７５にはフィルター８０だけが設けられることになる。
【００４９】
アウターチャンバー４６から薬液回収路７５によって回収された薬液は，薬液タンク７６に貯留された後，送液ポンプ７７によって吸い上げられ，フィルター８０，清浄化フィルター８１を通過することにより，混合していた異物がフィルター８０と清浄化フィルター８１によって除去されて清浄化される構成となっている。清浄化された薬液は処理液供給ノズル６０から再びウェハＷに供給される。
【００５０】
ここで，図５に示すように，薬液回収路７５は，アウターチャンバー４６の処理液排出管７４と薬液タンク７６とを接続する薬液路７５ａと，薬液タンク７６から薬液を送出する薬液路７５ｂと，フィルター８０を囲むハウジング７５ｃと，フィルター８０から薬液を送出する薬液路７５ｄと，清浄化フィルター８１を囲むハウジング７５ｅと，清浄化フィルター８１から薬液を送出する薬液路７５ｆと，から構成されている。また，上流側から下流側へ薬液路７５ａ，薬液路７５ｂ，ハウジング７５ｃ，薬液路７５ｄ，ハウジング７５ｅ，薬液路７５ｆの順で配置されている。即ち，薬液路７５ｂは薬液タンク７６とフィルター８０を囲むハウジング７５ｃとを接続し，ハウジング７５ｃは薬液路７５ｂと薬液路７５ｄとを接続し，薬液路７５ｄはハウジング７５ｃとハウジング７５ｄとを接続し，ハウジング７５ｅは薬液路７５ｄと薬液路７５ｆとを接続し，薬液路７５ｆはハウジング７５ｅと処理液供給ノズル６０とを接続する構成となっている。
【００５１】
薬液路７５ａと薬液路７５ｂとの間に介設されている薬液タンク７６の底面１０５は傾斜面に形成され，底面１０５の下部には，底面１０５に超音波振動を与える超音波振動子１０６が設けられ，また，薬液タンク７６から薬液を排液する排液管１０７が設けられている。排液管１０７は，傾斜した底面１０５の低位置に設けられており，弁１０８を介して薬液タンク７６の側面に接続されている。この場合，排液管１０７によって薬液タンク７６から薬液を余すことなく確実に排液することができる。さらに，薬液タンク７６の壁面には，薬液タンク７６内を洗浄するためのスプレーノズル１０９が備えられている。超音波振動子１０６は，異物が沈殿して底面１０５に堆積し，底面１０５に付着して剥がれにくくなった場合に，超音波振動を与えて剥離を促進する。スプレーノズル１０９は，タンク内洗浄液として純水をスプレー供給する。また，タンク内乾燥流体としてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の蒸気をスプレー供給する。これにより，薬液タンク７６内を洗浄し，乾燥することができる。薬液タンク７６内に供給された純水は，排液管１０７から排出されるようになっている。薬液タンク７６内を洗浄するときは，先ず貯留している薬液を排液管１０７より排液し，その後，スプレーノズル１０９から純水を供給して薬液タンク７６内を水洗し，最後にＩＰＡを供給して乾燥させる。
【００５２】
薬液路７５ｂには，前述した送液ポンプ７７，開閉弁Ｖ１，薬液路７５ｂ内を流れる薬液の圧力を計測する圧力センサーＰＳ１及び薬液の流量を計測する流量センサーＦＳ１が介設されており，上流側から送液ポンプ７７，流量センサーＦＳ１，開閉弁Ｖ１，圧力センサーＰＳ１の順で配置されている。送液ポンプ７７は，薬液タンク７６に貯留された薬液を吸い上げて，薬液路７５ｂ，ハウジング７５ｃ，薬液路７５ｄ，ハウジング７５ｅ，薬液路７５ｆ内の薬液を，薬液タンク７６から処理液供給ノズル６０へ送液するように駆動する。また，送液ポンプ７７はフィルター８０の上流に設置されており，所定の流速を与えた薬液をフィルター８０へ送液することができる。さらに，送液ポンプ７７は，後述する制御部２００から送信される制御信号に従って駆動し，薬液路７５ｂ内を流れる薬液の流速を調節して流すことができる。
【００５３】
ここで，図１３を参照して，基板処理ユニット１２の制御システムを説明する。基板処理ユニット１２の制御システムは，制御部２００を有している。制御部２００は，メインコントローラ２００ａと，ブロックコントローラ２００ｂを有している。メインコントローラ２００ａは，フィルター８０の洗浄を開始する指令や，フィルター交換のメッセージを出力する。ブロックコントローラ２００ｂは，フィルター８０の洗浄のシーケンスを実施し，その制御を行う。
【００５４】
また，基板処理ユニット１２は，圧力センサーＰＳ１，流量センサーＦＳ１を含むセンサー群２０１を備えている。なお，センサー群２０１は，圧力センサーＰＳ１，流量センサーＦＳ１の他，カラーセンサー２０１ａ，カウンター２０１ｂ，タイマー２０１ｃ，後述する圧力センサーＰＳ２，流量センサーＦＳ２を備えている。センサー群２０１からの情報は，入力回路２０２を介して制御部２００に入力され，制御部２００からは制御信号が出力される。制御信号は出力回路２０３に送られ，出力回路２０３は制御信号に基づいてソレノイドバルブ集合ボックス２０４を制御する。ソレノイドバルブ集合ボックス２０４は駆動源として空気源に接続され，前記制御信号に従って，本装置の空気駆動薬液ポンプとして構成された送液ポンプ７７や，空気駆動バルブとして構成された開閉弁Ｖ１，及び，後述する開閉弁Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７を駆動する。
【００５５】
図５の開閉弁Ｖ１は，制御部２００から送信される制御信号に従って開閉する。圧力センサーＰＳ１は，計測した値を制御部２００に検出信号として送信するようになっている。圧力センサーＰＳ１により計測される圧力は，フィルター８０の異物の蓄積状態に依存する。フィルター８０の異物蓄積量が増加すると，圧力センサーＰＳ１により計測される圧力が高くなる。従って，制御部２００は，圧力センサーＰＳ１からの検出信号からフィルターに捕捉された異物の蓄積状態を推測し，後述するフィルター洗浄工程の開始を判断することができる。また，ウェハＷの処理工程を中断するか否かの判断をすることもできる。
【００５６】
薬液回収路７５の一部を構成するハウジング７５ｃは，内部に前述したフィルター８０を備え，フィルター８０とフィルター８０の周囲から薬液，後述する洗浄用流体としてのＮ２ガス，異物を排出するフィルター排出路１１５を備えている。ハウジング７５ｃは，フィルター８０を密閉して囲む容器となっており，下部に下フィルター排出路１１５ａが接続され，上部に上フィルター排出路１１５ｂが接続されている。ハウジング７５ｃの下部から薬液，洗浄用流体としてのＮ２ガス，異物を排出する下フィルター排出路１１５ａには，開閉弁Ｖ３が介設されている。ハウジング７５ｃの上部から薬液，Ｎ２ガス，異物を排出する上フィルター排出路１１５ｂには，開閉弁Ｖ６と，ハウジング７５ｃ内の気体を排気する排気管１１６が介設され，上流側のハウジング７５ｃから排気管１１６，開閉弁Ｖ６の順に配置されている。排気管１１６には，制御部２００から送信される制御信号に従って開閉する開閉弁Ｖ５が介設されている。
【００５７】
フィルター８０は，円筒型の形状をしたろ過部材である。即ち，円筒の外周面が薬液中の異物を捕捉するろ過部材であり，内部に円筒型の空間を有する構造である。この円筒型内部空間の両端は閉じられた面となっている。フィルター８０は，外周面をハウジング７５ｃに囲まれ，内部空間の下部に薬液路７５ｄが接続され，内部空間の上部に排気管１１７が接続され，内部空間の流体に超音波振動を与える超音波振動子１１８が設けられている。また，薬液路７５ｂは，フィルター８０の外周面を通過する前の薬液をフィルター８０の外周面に供給するように，ハウジング７５ｃとフィルター８０との間に接続されている。従って，図６に示すように，薬液路７５ｂから送液された薬液は，フィルター８０の円筒状の外周面から内部の空間へ通過し，外周面により異物が除去され，内部空間に流れ込み，内部空間の下部から薬液路７５ｄへ流れるようになっている。排気管１１７には，制御部２００から送信される制御信号に従って開閉する開閉弁Ｖ４が介設されている。
【００５８】
薬液路７５ｄには，フィルター８０を清浄化する洗浄用流体としてＮ２ガスを供給するＮ２ガス供給路１２０と，制御部２００から送信される制御信号に従って開閉する開閉弁Ｖ２と，薬液路７５ｄ内を流れる薬液の圧力を計測する圧力センサーＰＳ３が介設されており，上流側から下流側へＮ２ガス供給路１２０，開閉弁Ｖ２，圧力センサーＰＳ３の順に配設されている。
【００５９】
Ｎ２ガス供給路１２０は，フィルター８０の内部空間と開閉弁Ｖ２との間で薬液路７５ｄに接続され，薬液路７５ｄはフィルター８０の内部空間に接続されている。従って，薬液路７５ｄの開閉弁Ｖ２を閉じると，Ｎ２ガス供給路１２０から供給されるＮ２ガスは，薬液路７５ｄを通過し，円筒型のフィルター８０の内部空間に流入し，内部空間から外周面へ通過するようになっている。さらに，フィルター排出路１１５の開閉弁Ｖ６，Ｖ３を開くことにより，Ｎ２ガスがハウジング７５ｃ内から排出される。従って，Ｎ２ガス供給路１２０からＮ２ガスを連続的に供給すると，薬液路７５ｄ，フィルター８０，ハウジング７５ｃ内のフィルター８０の周囲，フィルター排出路１１５へと流れるＮ２ガスの流れが形成される。この場合，Ｎ２ガスは，異物を除去される薬液がフィルター８０を通過する方向の逆方向から通過するので，Ｎ２ガスがフィルター８０を通過する際に，フィルター８０に蓄積した異物を剥離させ，さらに，剥離した異物をＮ２ガスと共にハウジング７５ｃから排出することができる。また，ハウジング７５ｃ内に残留している薬液も，Ｎ２ガスによってハウジング７５ｃ内から押し出されて排出される。即ち，フィルター排出路１１５が設けられていることにより，ハウジング７５ｃ内のフィルター８０とその周囲から，残留していた薬液，異物を混合したＮ２ガスを排出できるようになっている。このような構成により，フィルター８０の異物を剥離除去するフィルター洗浄工程を行うことができる。
【００６０】
Ｎ２ガス供給路１２０は，Ｎ２ガス供給源１２１を備えている。さらに，Ｎ２ガス供給路１２０内を流れるＮ２ガスの圧力を制御する圧力制御装置１２２と，Ｎ２ガスの流量を計測する流量センサーＦＳ２と，Ｎ２ガスを清浄化するガスフィルター１２３と，逆止弁１２４と，Ｎ２ガスの圧力を計測する圧力センサーＰＳ２と，制御部２００から送信される制御信号に従って開閉する開閉弁Ｖ７が介設されており，Ｎ２ガス供給源１２１側から，圧力制御装置１２２，流量センサーＦＳ２，ガスフィルター１２３，逆止弁１２４，圧力センサーＰＳ２，開閉弁Ｖ７の順に配置されている。圧力センサーＰＳ２は，計測した値を制御部２００に検出信号として送信するようになっている。圧力センサーＰＳ２により計測される圧力は，フィルター８０の異物の蓄積状態に依存する。フィルター洗浄工程において，フィルター８０の異物剥離が進行し，異物蓄積量が減少すると，フィルター８０の圧力損失が低下して，圧力センサーＰＳ２により計測される圧力が低くなる。従って，制御部２００は，圧力センサーＰＳ２からの検出信号からフィルターに捕捉された異物の剥離状態を推測し，フィルター洗浄工程の終了を判断することができる。
【００６１】
圧力センサーＰＳ３により計測される圧力は，フィルター８０の下流に位置する清浄化フィルター８１の異物の蓄積状態に依存する。清浄化フィルター８１の異物蓄積量が増加すると，圧力センサーＰＳ３により計測される圧力が高くなる。従って，制御部２００は，圧力センサーＰＳ３からの検出信号から清浄化フィルター８１に捕捉された異物の蓄積状態を推測し，清浄化フィルター８１の交換が必要になったことを検知できる。
【００６２】
薬液回収路７５の一部を構成するハウジング７５ｅは，内部に前述した清浄化フィルター８１を備え，清浄化フィルター８１の周囲から薬液，異物を排出するフィルター排出路１２５と，ハウジング７５ｃ内の気体を排気する排気管１２６を備えている。ハウジング７５ｅは，清浄化フィルター８１を密閉して囲む容器となっており，下部にフィルター排出路１２５が接続され，上部に排気管１２６が接続されている。フィルター排出路１２５には，制御部２００から送信される制御信号に従って開閉する開閉弁Ｖ８が介設されている。上部の排気管１２６には，制御部２００から送信される制御信号に従って開閉する開閉弁Ｖ１０が介設されている。
【００６３】
清浄化フィルター８１は，フィルター８０と同様の構成を有し，フィルター８０よりも目の細かい，円筒型の形状をしたろ過部材である。即ち，円筒の外周面が薬液中の異物を捕捉するろ過部材であり，内部に円筒型の空間を有する構造である。この円筒型内部空間の両端は閉じられた面となっている。清浄化フィルター８１は，外周面をハウジング７５ｅに囲まれ，内部空間の下部に薬液路７５ｆが接続され，内部空間の上部に排気管１２７が接続されている。また，薬液路７５ｄは，清浄化フィルター８１の外周面を通過する前の薬液を清浄化フィルター８１の外周面に供給するように，ハウジング７５ｅと清浄化フィルター８１との間に接続されている。従って，薬液路７５ｄから送液された薬液は，円筒の外周面から内部の空間へ通過し，外周面により異物が除去され，内部空間に流れ込み，内部空間の下部から薬液路７５ｆへ流れるようになっている。排気管１２７には，制御部２００から送信される制御信号に従って開閉する開閉弁Ｖ９が介設されている。
【００６４】
以上が基板処理ユニット１２の構成であるが，処理システム１に備えられた他の基板処理ユニット１３，１４，１５も，基板処理ユニット１２と同様の構成を有し，薬液によりウェハＷを処理することができる。
【００６５】
次に，この処理システム１によってウェハＷを処理する工程を説明する。先ず，処理システム１のイン・アウトポート４に，図示しない搬送ロボットにより未だ処理されていないウェハＷを例えば２５枚ずつ収納したキャリアＣが載置される。そして，このイン・アウトポート４に載置されたキャリアＣから取出収納アーム１１によって一枚ずつウェハＷが取り出され，取出収納アーム３から主ウェハ搬送装置７にウェハＷが受け渡される。そして，例えば搬送アーム３４によってウェハＷは各基板処理ユニット１２，１３，１４，１５に適宜搬入され，ウェハＷに塗布されているレジスト膜が除去される。所定のレジスト膜除去処理が終了すると，ウェハＷは主ウェハ搬送装置７によって各基板洗浄ユニット１２から適宜搬出され，取出収納アーム１１に受け渡されて，再びキャリアＣに収納される。
【００６６】
ここで，代表して基板処理ユニット１２での処理について説明する。先ず，図３に示す基板処理ユニット１２のユニットチャンバー用メカシャッター５１と，アウターチャンバー４６のアウターチャンバー用メカシャッター５３が開く。そして，ウェハＷを保持した搬送アーム３４を装置内に進入させる。主ウェハ搬送装置１８は，搬送アーム３４を水平移動させてスピンチャック７１にウェハＷを渡し，スピンチャック７１は，図示しない支持ピンによって，半導体デバイスが形成されるウェハＷ表面を上面にしてウェハＷを支持する。ウェハＷをスピンチャック７１に受け渡した後，搬送アーム３４はアウターチャンバー４６及びユニットチャンバー用メカシャッター５１の内部から退出し，退出後，基板洗浄ユニット１２のユニットチャンバー用メカシャッター５１とアウターチャンバー４６のアウターチャンバー用メカシャッター５３が閉じられる。
【００６７】
次に，スピンチャック７１が回転し，保持部材７２が遠心力を利用してウェハＷの周縁を外側から保持し，ウェハＷを回転させる。そして，処理液供給手段用シャッター５６を開き，処理液供給ノズル６０をウェハＷの上方に移動させる。図４に示す送液ポンプ７７が，制御部２００の制御信号を受信して駆動し，薬液タンク７６に貯留されているレジスト膜を除去する薬液を吸い上げ，薬液回収路７５内を通過させ処理液供給ノズル６０へ送液する。こうして薬液がウェハＷに供給され，ウェハＷのレジスト膜除去処理が行われる。薬液はウェハＷの中心部近傍に供給され，ウェハＷの回転による遠心力でウェハＷの外周方向に流れる。ウェハＷの外周方向に流れた薬液は，図４に示す処理液排出管７４によりアウターチャンバー４６内から排出され，バルブ７９と薬液路７５ａを通過して，薬液タンク７６に貯留される。その後，薬液は薬液回収路７５内を再び循環する。
【００６８】
ウェハＷの処理に使用された薬液には，膜状やコロイド状の異物が混合している。使用された薬液は薬液タンク７６に貯留され，送液ポンプ７７によってフィルター８０へ送液される。フィルター８０は，大きな異物を捕捉するので，フィルター８０より下流にある目の細かい清浄化フィルター８１の目詰まりを防止する。清浄化フィルター８１は，大きな異物が除去された後の薬液から，小さな異物を捕捉して，薬液を要求される清浄度にろ過する。捕捉した異物はフィルター８０，清浄化フィルター８１の外周面に蓄積される。このように，ウェハＷの処理に使用した薬液は回収され，再びウェハＷの処理に使用される。従って，薬液の消費量を抑制することができる。
【００６９】
所定時間経過後，レジスト膜の除去工程が終了し，次いでリンス処理が開始される。処理液供給ノズル６０はウェハＷの少なくとも中心から周縁までをスキャンしながら，ウェハＷの上面にリンス液として純水を供給する。回転しているウェハＷに純水を供給することにより，純水をウェハＷ上面全体に均一に拡散させることができる。こうして，ウェハＷから薬液を洗い流す。処理に供された純水は，図４に示す処理液排出管７４によりアウターチャンバー４６内から排出される。バルブ７９は純水が薬液回収路７５に流れ込まないように切り替えられているので，純水はバルブ７９を通過してリンス液排液路７８によって排液される。
【００７０】
リンス処理後，ウェハＷをリンス処理するときよりも高速（例えば１５００ｒｐｍ程度）に回転させてウェハＷをスピン乾燥させる。また，処理液供給ノズル６０により，ウェハＷ上面にＮ２を供給する。
【００７１】
乾燥処理後，処理液供給ノズル６０はアウターチャンバー４６内から退出し，その後，基板洗浄ユニット１２内からウェハＷを搬出する。ユニットチャンバー用メカシャッター５３とアウターチャンバー用メカシャッター５１が開き，ウェハ搬送装置１８が搬送アーム３４を装置内に進入させてウェハＷ下面を支持する。次いで，搬送アーム３４がスピンチャック７１の支持ピンからウェハＷを離して受け取り，装置内から退出する。
【００７２】
その後，例えば搬送アーム３５によって，未だ洗浄されていないウェハＷ’が基板洗浄ユニット１２に搬入され，ウェハＷ’に塗布されているレジスト膜が除去され，リンス処理，乾燥処理が行われる。所定の処理が終了したウェハＷ’は，再び主ウェハ搬送装置７によって各基板洗浄ユニット１２から適宜搬出される。以上のウェハ処理工程が基板処理ユニット１２において数回行われる。
【００７３】
ウェハＷの処理枚数に応じて，フィルター８０，清浄化フィルター８１の異物の蓄積量が増加していく。フィルター８０の異物の蓄積量が増加すると，薬液路７５ｂに設けられた圧力センサーＰＳ１により計測される圧力が上昇する。圧力センサーＰＳ１の検出信号は制御部２００に送信される。フィルター８０が目詰まりを起こした場合，又は目詰まりを起こしそうになった場合は，基板洗浄ユニット１２におけるウェハＷの処理工程を中断して，フィルター洗浄工程を行う。フィルター洗浄工程においては，Ｎ２ガスをブロー供給して，フィルター８０上の異物を剥離して排出するブロー洗浄工程と，ブロー洗浄工程の後，ハウジング７５ｃの下部に沈殿した異物を排出する下部排出工程が行われる。制御部２００は，圧力センサーＰＳ１の検出信号に基づき，フィルター８０の洗浄が必要と判断すると，基板洗浄ユニット１２におけるウェハＷの処理工程を中断して，フィルター８０上の異物を剥離するブロー洗浄工程を開始させる。そして，圧力センサーＰＳ２からの検出信号に基づき，フィルター８０の異物が十分に剥離されたと判断すると，ブロー洗浄工程を終了させ，下部排出工程を行う。
【００７４】
清浄化フィルター８１の異物の蓄積量が増加すると，薬液路７５ｄに設けられた圧力センサーＰＳ３により計測される圧力が上昇する。圧力センサーＰＳ３の検出信号は制御部２００に送信される。この検出信号に基づき，制御部２００において清浄化フィルター８１の洗浄が必要であると判断した場合，即ち清浄化フィルター８１が目詰まりを起こした場合，又は目詰まりを起こしそうになった場合は，基板洗浄ユニット１２におけるウェハＷの処理工程を中断して，新しい清浄化フィルター８１と交換する作業が行われる。
【００７５】
以下，フィルター８０を洗浄するフィルター洗浄工程について説明する。この工程は，制御部２００の制御信号によって，開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７を切り替えて，Ｎ２ガスにより異物を剥離して排出するものである。薬液回収路７５に薬液を通過させている間は，図６に示すように，開閉弁Ｖ１，Ｖ２が開いている。また，排気管１１６の開閉弁Ｖ５を開いて，ハウジング７５ｃの上部に溜まった気体を排出するようになっている。排気管１１７の開閉弁Ｖ４を開いて，フィルター８０の上部に溜まった気体を排出するようになっている。一方，開閉弁Ｖ３，Ｖ６，Ｖ７は閉じている。
【００７６】
図７は，Ｎ２ガスをブロー供給してフィルター上の異物を剥離し，排出するブロー洗浄工程の説明図である。先ず，制御部２００からの制御信号によって，送液ポンプ７７を停止させる。そして，開閉弁Ｖ１，Ｖ２，排気管１１６の開閉弁Ｖ５，排気管１１７の開閉弁Ｖ４を閉じた状態とする。次に，上フィルター排出路１１５ｂの開閉弁Ｖ６と，Ｎ２ガス供給路１２０の開閉弁Ｖ７を開く。そして，Ｎ２ガス供給源１２１からＮ２ガスを供給する。Ｎ２ガスは，Ｎ２ガス供給路１２０から薬液路７５ｄを介してフィルター８０の内部空間に流入し，フィルター８０を通過する。Ｎ２ガスがフィルター８０を通過すると，Ｎ２ガスがフィルター８０に蓄積された異物を剥離する。ブロー洗浄工程においては，Ｎ２ガスを勢い良く供給してブローさせるようにする。Ｎ２ガスをブロー供給することにより，異物を効果的に剥離し，異物とハウジング７５ｃ内に残留している薬液を押し出す。さらに，異物を効果的に剥離するため，超音波振動子１１８を作動させ，フィルター８０の内部に残留している薬液や，Ｎ２ガスに超音波振動を与える。Ｎ２ガスは，上フィルター排出路１１５ｂに向かってハウジング７５ｃの内部を流れ，上フィルター排出路１１５ｂから排出される。また，剥離された異物と，残留していた薬液が，Ｎ２ガスと共に上フィルター排出路１１５ｂから排出される。
【００７７】
ブロー洗浄工程において，フィルター８０の異物剥離が進行し，異物蓄積量が減少すると，フィルターの圧力損失が小さくなり，Ｎ２ガス供給路１２０を流れるＮ２ガスの圧力が下降する。即ち，Ｎ２ガス供給路１２０に設置された圧力センサーＰＳ２により計測される圧力が低くなる。制御部２００は，圧力センサーＰＳ２からの検出信号から，フィルターに捕捉された異物の剥離状態を推測する。そして，十分に異物が剥離されたと判断するまで，ブロー洗浄工程を継続させる。
【００７８】
フィルター８０の異物が十分に剥離されると，フィルター８０通過前のＮ２ガスの圧力が下降する。制御部２００は，圧力センサーＰＳ２からの検出信号に基づき，十分に異物が剥離されたと判断すると，Ｎ２ガス供給路１２０から供給するＮ２ガスの流量を低下させ，フィルター８０の異物剥離を停止させる。こうしてブロー洗浄工程が終了する。その後，制御部２００は，Ｎ２ガス供給路１２０と下フィルター排出路１１５ａの開閉弁Ｖ３に制御信号を送信し，下部排出工程を開始させる。図８は，ハウジング７５ｃの下部に沈殿した異物を排出する下部排出工程の説明図である。ブロー洗浄工程時と同様に，開閉弁Ｖ２，排気管１１６の開閉弁Ｖ５，排気管１１７の開閉弁Ｖ４は閉じた状態であり，上フィルター排出路１１５ｂの開閉弁Ｖ６と，Ｎ２ガス供給路１２０の開閉弁Ｖ７は開いた状態である。Ｎ２ガスは，ブロー洗浄工程終了時に低下させた流量にて供給を継続する。
【００７９】
先ず，下フィルター排出路１１５ａの開閉弁Ｖ３を開く。Ｎ２ガス供給路１２０から供給するＮ２ガスは，Ｎ２ガス供給路１２０から薬液路７５ｄを介してフィルター８０の内部空間に流入し，フィルター８０を通過する。Ｎ２ガスがフィルター８０を通過すると，Ｎ２ガスがフィルター８０に蓄積された異物を剥離する。Ｎ２ガスはハウジング７５ｃの上部に設置された上フィルター排出路１１５ｂと，下部に設置された下フィルター排出路１１５ａから排出される。下部に溜まった異物と薬液は，ハウジング７５ｃの下部に設置された下フィルター排出路１１５ａから，Ｎ２ガスと共に排出される。
【００８０】
また，薬液回収路７５ｂの開閉弁Ｖ１を開き，送液ポンプ７７を駆動して，ハウジング７５ｃの下部に少量の薬液を流す。送液ポンプ７７の動作は，通常の薬液送液時よりも低速に制御する。ハウジング７５ｃの下部に薬液を供給すると，薬液が下フィルター排出路１１５ａから排出されるので，下部に沈殿した異物を薬液と共に下フィルター排出路１１５ａから排出することができる。この場合，薬液は異物を排出できる程度に，少量流すことが望ましい。
【００８１】
その後，制御部２００からの制御信号によって，開閉弁Ｖ７を閉じてＮ２ガス供給を終了し，開閉弁Ｖ３，Ｖ６を閉じ，フィルター排出路１１５からの排出を停止する。こうして下部排出工程が終了する。このようにブロー洗浄工程の後に下部排出工程を行うことにより，異物と薬液を効果的に排出することができる。なお，ブロー洗浄工程と下部排出工程は，同時に行っても良い。例えば，開閉弁Ｖ６とＶ３を同時に開いて，Ｎ２ガス供給回路１２０からＮ２ガスをブロー供給し，同時に送液ポンプ７７を駆動させて薬液を低流量にて供給する。即ち，Ｎ２ガスのブロー供給により異物を剥離しながら，下フィルター排出路１１５ａから薬液と共に異物を排出する。この場合，フィルター洗浄工程を短時間で行うことができる。
【００８２】
以上に説明したフィルター８０のブロー洗浄工程と下部排出工程からなるフィルター洗浄工程を行うことにより，フィルター８０の異物除去機能を回復させることができる。そして，再び図６に示すように開閉弁Ｖ１，Ｖ２を開き，薬液回収路７５に薬液を通過させ，薬液中の異物を除去することができる。
【００８３】
かかる基板洗浄ユニット１２によれば，Ｎ２ガス供給路１２０とフィルター排出路１１５を設けることにより，フィルター８０の異物除去機能を回復させることができる。目の細かい清浄化フィルター８１の上流に，フィルター８０を設置することにより，大きな異物を捕捉し，清浄化フィルター８１を長寿命化することができる。従って，清浄化フィルター８１に要求される清浄化機能をより長く維持し，清浄化フィルター８１の交換頻度を減少させることができる。
【００８４】
以上，本発明の好ましい実施の形態の一例を説明したが，本発明は以上に説明した実施の形態に限られないことは勿論であり，適宜変更実施することが可能である。例えば，基板処理装置は，本発明の実施の形態において説明した枚葉式のものに限らず，複数枚を同時処理するスピン式，浸漬式などの基板処理装置であっても良い。例えば，浸漬式の基板処理装置においては，処理液を貯留する処理槽を基板処理部とし，これに実施の形態において前述した薬液回収路７５を設けることにより実施できる。なお，浸漬式の基板処理装置の場合，薬液回収路７５に設置された薬液タンク７６を介設する必要はない。
【００８５】
基板処理ユニット１２において，基板処理部であるアウターチャンバー４６に薬液回収路７５を接続する構成は種々のものがある。例えば，図１１に示すように，密閉構造のアウターチャンバー４６の内部に上下に移動可能なインナーカップ１３０を設け，インナーカップ１３０に薬液回収路７５を接続し，アウターチャンバー４６にリンス液排液路７８を接続しても良い。即ち，薬液処理時は図１１に示すように，インナーカップ１３０によりウェハＷを包囲して薬液が周囲に飛び散ることを防止し，インナーカップ１３０内に薬液が排出されるようにする。リンス処理時は図１２に示すように，下降してアウターチャンバー４６によりウェハＷを包囲してリンス液が周囲に飛び散ることを防止し，アウターチャンバー４６内にリンス液が排出されるようにする。さらに，インナーカップ１３０が上昇したときはアウターチャンバー４６と近接して，アウターチャンバー４６とインナーカップ１３０との間に薬液が入らないようにする。また，インナーカップ１３０が下降したときは，インナーカップ１３０内にリンス液が入らないようになっている。この場合，回収する薬液にリンス液が混入することを防止するので，清浄度の高い薬液を循環供給することができる。また，インナーカップ１３０にリンス液排液路７８を接続し，アウターチャンバー４６に薬液回収路７５を接続し，インナーカップ１３０内にリンス液を排出し，アウターチャンバー４６に薬液を排出するようにしても良い。
【００８６】
目の細かい清浄化フィルター８１の上流に，大きな異物を除去する目の粗いフィルターを設置する第２の方法として，フィルター８０と送液ポンプ７７との間の所定部分から分岐し，フィルター８０と清浄化フィルター８１との間の所定部分に接続する追加の薬液回収路を設け，この追加の薬液回収路にフィルター８０’を設けることにより，清浄化フィルター８１の上流に，フィルター８０とフィルター８０’を並列に分岐させて設けた構成としても良い。例えば図９に示すように，開閉弁Ｖ１に代えて切替開閉弁Ｖ１１を薬液路７５ｂに介設し，切替開閉弁Ｖ１１に第２薬液路７５ｇを接続し，薬液を薬液路７５ｂに流す状態と第２薬液路７５ｇに流す状態とに切り替え可能にする。第２薬液路７５ｇの下流端には，ハウジング７５ｃと同様の構成を有するハウジング７５ｃ’を接続し，ハウジング７５ｃ’の内部にフィルター８０と同様の構成を有するフィルター８０’を設置し，ハウジング７５ｃ’に第２薬液路７５ｈを接続し，第２薬液路７５ｈの下流端を，開閉弁Ｖ２に代えて介設した切替開閉弁Ｖ１２を介して，薬液路７５ｄに接続する。即ち，薬液路７５ａ，薬液路７５ｂ，ハウジング７５ｃ，薬液路７５ｄ，ハウジング７５ｅ，薬液路７５ｆから構成される薬液回収路７５に，第２薬液路７５ｇ，ハウジング７５ｃ’，第２薬液路７５ｈ，から構成される第２薬液回収路７５’（追加の薬液回収路）を設ける。また，第２薬液回収路７５’は，第２薬液路７５ｇに圧力センサーＰＳ１’が介設され，ハウジング７５ｃ’に下フィルター排出路１１５ａ’，上フィルター排出路１１５ｂ’が設けられ，第２薬液路７５ｈにＮ２ガス供給路１２０と同様の構成を有するＮ２ガス供給路１２０’ が設けられている。即ち，第２薬液回収路７５’は，薬液回収路７５と同様に薬液を清浄化することができ，フィルター８０’は，フィルター８０と同様にＮ２ガスの供給によって洗浄される。なお，フィルター８０と同様の構成を有するフィルターを設ける追加の薬液回収路は，２以上設けても良い。
【００８７】
フィルター８０の異物の蓄積量が増加し，ろ過機能が低下した場合は，開閉弁Ｖ１の切り替えによって，フィルター８０’に薬液を通過させ，薬液の異物除去を行う。異物除去後の薬液は，切替開閉弁Ｖ１１の切り替えによって，薬液路７５ｄから，清浄化フィルター８１へ流れるようにする。そして，フィルター８０’によって異物除去を行う間に，フィルター８０のフィルター洗浄工程を行う。この場合，薬液回収路７５のフィルター８０に異物が蓄積しても，薬液が第２薬液回収路７５’に設けたフィルター８０’に通過するように切り替えることによって，処理液供給ノズル６０への送液を続行することができる。また，送液を続行する間に，異物が蓄積したフィルター８０を洗浄することができる。同様に，フィルター８０’の異物の蓄積量が増加し，ろ過機能が低下した場合は，フィルター８０によって薬液の異物除去を行い，フィルター８０’の洗浄を行う。このように，清浄化フィルター８１の上流に設けられ，異物が蓄積しやすいフィルター８０，８０’のうち一つに異物が蓄積した場合，薬液が他の薬液回収路７５又は第２薬液回収路７５’を通過するように切り替えられ，処理を続行している間に，異物が蓄積したフィルター８０，８０’を洗浄することができる。即ち，薬液中の異物除去とフィルターの洗浄を並行して行うことができる。
【００８８】
また，目の細かい清浄化フィルター８１の上流に，大きな異物を除去するフィルターを設置する第３の方法として，薬液回収路７５と第２薬液回収路７５’の各々に，フィルター８０とＮ２ガス供給路１２０と下フィルター排出路１１５ａと上フィルター排出路１１５ｂを設けても良い。例えば図１０に示すように，第２薬液路７５ｈの下流端に，ハウジング７５ｅ’を接続し，ハウジング７５ｅ’の内部に清浄化フィルター８１’を設置し，ハウジング７５ｅ’に第２薬液路７５ｉを接続し，第２薬液路７５ｉの下流端を，切替開閉弁Ｖ１３を介して薬液路７５ｆに接続する。即ち，第２薬液路７５ｇ，ハウジング７５ｃ’，第２薬液路７５ｈ，ハウジング７５ｅ’，第２薬液路７５ｉから構成される第２薬液回収路７５’とする。即ち，清浄化フィルター８１と同様の構成を有する清浄化フィルター８１’を，フィルター８０及び清浄化フィルター８１と並列に分岐させて設けた構成として，さらに清浄化フィルター８１’の上流にフィルター８０’を設ける。フィルター８０’は，フィルター８０と同様の構成を有し，清浄化フィルター８１’は清浄化フィルター８１と同様に，再使用する薬液に要求される清浄度を実現する構成を有する。第２薬液回収路７５’には，フィルター８０’，前述したＮ２ガス供給路１２０’，清浄化フィルター８１’が設けられている。また，フィルター８０’を囲むハウジング７５ｃ’に下フィルター排出路１１５ａ’，上フィルター排出路１１５ｂ’が設けられ，第２薬液路７５ｈにＮ２ガス供給路１２０と同様の構成を有するＮ２ガス供給路１２０’が設けられている。清浄化フィルター８１’はハウジング７５ｅと同様の構成を有するハウジング７５ｅ’に囲まれている。即ち，第２薬液回収路７５’は，薬液回収路７５と同様に薬液を清浄化することができ，フィルター８０’は，フィルター８０と同様にＮ２ガスの供給によって洗浄される。この場合も，フィルター８０’の異物の蓄積量が増加し，ろ過機能が低下した場合は，フィルター８０によって薬液の異物除去を行い，フィルター８０’の洗浄を行うように切り替えて，薬液中の異物除去とフィルターの洗浄を並行して行うことができる。なお，フィルター８０’，清浄化フィルター８１’を設ける薬液回収路は，２以上設けても良い。
【００８９】
本発明の実施形態の一例では，圧力センサーＰＳ１によりフィルター８０の異物蓄積状態を推測し，圧力センサーＰＳ２によりフィルター８０の洗浄状態を推測する方法を示したが，流量センサーＦＳ１，ＦＳ２により流量を計測して，この計測値から，異物蓄積状態と洗浄状態を推測することも可能である。例えば，流量センサーＦＳ１，ＦＳ２によって計測した値は，制御部２００に検出信号として送信する。薬液の異物除去中は，フィルター８０の異物蓄積量が増加すると，流量センサーＦＳ１により計測される薬液の流量が減少する。従って，制御部２００は，流量センサーＦＳ１の検出信号からフィルター８０に捕捉された異物の蓄積状態を推測し，フィルター８０の異物剥離を開始する判断を行うことができる。また，フィルター洗浄工程においては，フィルター８０の異物蓄積量が増加すると，流量センサーＦＳ２により計測されるＮ２ガスの流量が増加する。従って，制御部２００は，流量センサーＦＳ２からフィルター８０の異物の剥離状態を推測し，フィルター８０の異物剥離を終了する判断を行うことができる。
【００９０】
また，本実施の形態ではＮ２ガス供給路１２０を薬液路７５ｄの途中に接続したが，Ｎ２ガス供給路１２０は，フィルター８０の内部空間に直接接続し，Ｎ２ガスを直接内部空間へ供給するようにしても良い。この場合も，Ｎ２ガス供給路１２０からフィルター８０，ハウジング７５ｃ内のフィルター８０の周囲，フィルター排出路１１５へと流れるＮ２ガスの流れが形成され，フィルター８０の異物を剥離除去するフィルター洗浄工程を行うことができる。
【００９１】
また，フィルター８０を洗浄する洗浄用流体は，Ｎ２ガスの他に，フィルター８０を通過する薬液と同じ薬液を使用することができる。また，フィルター８０を洗浄する洗浄用流体として，純水，あるいはＩＰＡを含む有機溶剤を使用することができる。
【００９２】
さらに，フィルター８０を洗浄する洗浄用流体として，有機溶剤を含む気体を使用することもできる。有機溶剤を含む気体を生成する方法と装置を図１４に示す。図１４に示すように，有機溶剤の溶液を溶剤タンク２１０に貯留し，Ｎ２ガスを含むガスをチューブ等の供給路２１１によって溶剤タンク２１０内の有機溶剤の溶液の内部に放出し，ガスの気泡が有機溶剤の溶液と接触することにより，有機溶剤を含む気体が生成される。この有機溶剤を含む気体を使用してフィルター８０の洗浄を行うことにより，有機溶剤が異物を溶かし，気体が異物を効率良く剥離させることができる。
【００９３】
薬液路７５ｆに，清浄化フィルター８１を洗浄する洗浄用流体を供給する洗浄用流体供給路と，清浄化フィルター８１から清浄化フィルター８１に蓄積した異物及び洗浄用流体を排出する排出路を設けても良い。例えば，Ｎ２ガス供給路１２０と同様の構成を有し，洗浄用流体としてＮ２ガスを供給する洗浄用流体供給路を薬液路７５ｆに接続し，その下流に開閉弁Ｖ２と同様にＮ２ガスを筒型のろ過部材へ流入させる開閉弁を介設する。また，上フィルター排出路１１５ｂと同様の構成を有する排出路を設け，Ｎ２ガスをブロー供給して異物を効果的に剥離させるようにする。この場合，清浄化フィルター８１を洗浄することにより異物除去機能を回復させるので，清浄化フィルター８１の交換頻度を低減させることができる。従って，さらにウェハＷ処理のスループットを向上させることができる。
【００９４】
フィルター８０に捕捉された異物の蓄積状態の検知は，フィルター８０の色を検出する図１３に示すカラーセンサー２０１ａを用いて行うようにしても良い。レジスト膜の除去処理において薬液に混合する異物がフィルター８０に蓄積されると，フィルター８０上で蓄積した異物が黒色に認められる。異物蓄積前のフィルター８０を白色等の淡色にすれば，カラーセンサー２０１ａによって異物の黒色を検出することにより，異物の蓄積状態を検知できる。従って，制御部２００はこの検出信号から，異物の蓄積状態とフィルター８０の洗浄状態を推測することができる。また，目視によって異物の蓄積状態を検査しても良い。この場合，フィルター８０を囲むハウジング７５ｃに透明な窓を設け，容易に異物を目視できるようにすることが望ましい。また，基板処理ユニット１２において処理されたウェハＷの処理状態を検査する検査装置を設置し，検査装置によるウェハＷの処理状態の検査結果から，フィルター８０の異常を検知し，フィルター８０の異物の蓄積状態を推測するようにしても良い。
【００９５】
フィルター８０の洗浄工程は，フィルター洗浄工程終了から次のフィルター洗浄工程開始までの時間間隔を予め設定することにより，実行するようにしても良い。この方法は，図１３に示すタイマー２０１ｃによってフィルター洗浄工程開始までの時間間隔を計測し，所定の時間が経過すると，信号を制御部２００に送り，制御部２００のメインコントローラ２００ａがフィルター８０の洗浄開始を指示する信号を出力し，ブロックコントローラ２００ｂが洗浄工程のシーケンスを実行するように制御する。この方法は，複数のウェハＷを所定の時間間隔で連続的に処理する場合に用いることができる。
【００９６】
また，フィルター８０の洗浄工程は，基板処理ユニット１２の処理回数，即ちウェハＷの処理枚数を予め設定することにより，所定処理回数毎に実行するようにしても良い。この方法は，図１３に示すカウンター２０１ｂによってフィルター８０の処理枚数をカウントし，所定枚数に達したときに信号を制御部２００に送り，制御部２００のメインコントローラ２００ａがフィルター８０の洗浄開始を指示する信号を出力し，ブロックコントローラ２００ｂが洗浄工程のシーケンスを実行するように制御する。
【００９７】
フィルター８０の交換は，フィルター８０の洗浄工程を行った回数を予め設定することにより，所定洗浄回数毎に実行するようにしても良い。この方法は，図１３に示すカウンター２０１ｂによってフィルター８０の洗浄回数をカウントし，所定回数に達したときに信号を制御部２００に送り，制御部２００のメインコントローラ２００ａがフィルター８０の交換を指示するメッセージを出力する。メッセージは，アナウンス，アラーム，インジケーターによる表示等であっても良い。
【００９８】
フィルター８０に設けられる超音波振動子１１８は，フィルター８０に超音波振動を直接与えるようにしても良い。この場合も，フィルター８０に蓄積された異物の剥離を効果的に促進することができる。また，超音波振動子１１８はハウジング７５ｃに設けても良い。例えば，ハウジング７５ｃの内部の壁面に設けるようにする。この場合も，ハウジング７５ｃ内の流体を介して異物に超音波振動を与えることができる。
【００９９】
さらに，超音波振動子の代わりにフィルター８０に周波数１０Ｈｚ〜１００Ｈｚの音波振動子を設けても良い。音波振動子フィルター８０自体，あるいはハウジング７５ｃに取り付けるなど，種々の方法によって設置して良いことは超音波振動子の場合と同様である。
【０１００】
また，超音波振動子の代わりにフィルター８０にヒーターを設けても良い。この場合は，ヒーターの熱によってフィルター８０に堆積した異物が軟化し，洗浄用流体によって容易に異物を除去することができる。
【０１０１】
本発明のフィルター８０は，筒型のろ過部材によって形成し，その筒型のろ過部材は交換可能なカートリッジに形成することができる。即ち，フィルター８０を囲むハウジングを着脱可能に構成し，ハウジングの内部に交換可能なカートリッジ式のフィルター８０を配置可能に構成することができる。このように，フィルター８０をカートリッジにすることにより，フィルター８０を極めて容易に交換することができる。
【０１０２】
さらに，本発明の清浄化フィルター８１をフィルター８０の内側に設けることもできる。この場合，フィルター８０と清浄化フィルター８１をともに筒型のろ過部材に形成し，フィルター８０の内側に清浄化フィルター８１を設ける。処理液は外側のフィルター８０の筒型ろ過部材の外周から内部へ通過し，続いて清浄化フィルター８１の筒型ろ過部材の外周から内部へ通過するようにする。一方，洗浄用流体はフィルター８０と清浄化フィルター８１との間の空間に流入し，フィルター８０の筒型ろ過部材の内部から外周へ通過するようにする。この方法及び構成によれば，コンパクトな構成でありながら，清浄化フィルター８１の寿命を長くすることができる。
【０１０３】
本発明の基板処理装置はレジスト膜除去処理のための薬液を供給するものに限定されず，その他の種々の処理液などを用いて，レジスト膜除去処理以外の他の処理を基板に対して施す基板処理装置であっても良い。例えば，ポリマー除去処理を行う基板処理装置であっても良い。また，基板は半導体ウェハに限らず，その他のＬＣＤ基板用ガラスやＣＤ基板，プリント基板，セラミック基板などであっても良い。
【０１０４】
【発明の効果】
本発明によれば，フィルターが目詰まりを起しても，フィルターに蓄積された異物を剥離し，洗浄することができる。従って，フィルターの異物除去機能を回復させることができる。その下流に設けた目の細かいフィルターを長寿命化することができる。また，送液工程を中断することなく，処理液中の異物除去とフィルターの洗浄を並行して行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】処理システムの平面図である。
【図２】処理システムの側面図である。
【図３】本発明の実施の形態にかかる基板処理ユニットの平面図である。
【図４】薬液が循環する回路図である。
【図５】薬液回収路と，フィルター，ハウジング，Ｎ２ガス供給路，フィルター排出路の説明図である。
【図６】フィルターによって薬液中の異物を除去する工程の説明図である。
【図７】フィルターにＮ２ガスをブローし，ハウジングの上部から異物を排出するブロー洗浄工程の説明図である。
【図８】ハウジングの下部から異物を排出する工程の説明図である。
【図９】追加の薬液回収路を設け，清浄化フィルターの上流に，２つのフィルターを並列に設置した場合の概略説明図である。
【図１０】２つの薬液回収路を設け，各々に清浄化フィルターを設け，各清浄化フィルターの上流にフィルターを設けた場合の概略説明図である。
【図１１】インナーカップを設けた場合に，インナーカップ内の液滴をミストトラップに排出する工程の説明図である。
【図１２】インナーカップを設けた場合に，アウターチャンバー内の液滴をミストトラップに排出する工程の説明図である。
【図１３】制御システムの構成図である。
【図１４】洗浄用流体として有機溶剤を含む気体を生成する装置と方法を示した概略説明図である。
【符号の説明】
Ｃ キャリア
ＦＳ１，ＦＳ２ 流量センサー
ＰＳ１，ＰＳ２ 圧力センサー
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４，Ｖ５，Ｖ６，Ｖ７ 開閉弁
Ｗ ウェハ
１ 処理システム
２ 処理部
３ 搬入出部
５ ウェハ搬送部
７ ウェハ搬送装置
１２，１３，１４，１５ 基板洗浄ユニット
１８ 主ウェハ搬送装置
３４，３５，３６ 搬送アーム
４５ ユニットチャンバー
４６ アウターチャンバー
６０ 処理液供給ノズル
７１ スピンチャック
７５ 薬液回収路
７５’ 第２薬液回収路
７５ｃ ハウジング
７５ｅ ハウジング
７６ 薬液タンク
８０ フィルター
８１ 清浄化フィルター
１１５ フィルター排出路
１１５ａ 下フィルター排出路
１１５ｂ 上フィルター排出路
１２０ Ｎ２ガス供給路
２００ 制御部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for cleaning a substrate such as a semiconductor wafer or glass for an LCD substrate.
[0002]
[Prior art]
For example, in a semiconductor device manufacturing process, a substrate processing apparatus that performs various processing on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) has a processing liquid circulation circuit for reusing processing liquid supplied to the wafer. Provided. The processing liquid circulation circuit is provided with a filter that removes foreign matters and the like mixed in the processing liquid after the wafer processing, thereby cleaning the processing liquid and supplying it again to the wafer. An example of the foreign matter mixed with the processing liquid is a modified resist film. This is recognized in a process in which an organic solvent or other stripping chemical solution is supplied to the resist applied to the wafer, and the resist is dissolved and removed in the chemical solution. In other words, the polymer generated on the resist surface and the altered resist film are not completely dissolved in the chemical solution, but become a film-like or colloidal foreign substance that peels off from the wafer and is discharged together with the treated solution. It becomes a foreign object. As a filter for removing such foreign matter, for example, there is a filter provided with a cylindrical filtration member in the housing, and a treatment liquid containing foreign matter is passed from the outer periphery of the filtration member to the outer periphery of the filtration member. Is supposed to capture.
[0003]
By the way, when a liquid containing foreign matter is filtered by a filter, there is a problem that the filtration function is lowered when the foreign matter is clogged with the filter. Various configurations have been proposed for eliminating such clogging and restoring the filtration function of the filter. For example, a configuration has been proposed in which compressed air is sent in a direction opposite to the direction in which liquid is passed during filtration to remove foreign substances accumulated in the filter (see, for example, Patent Document 1). In addition, in a batch type substrate processing apparatus in which a substrate is immersed in a processing solution stored in the processing tank, the processing liquid can be reversely flowed to the filter when the processing liquid is discharged from the processing tank. A configuration has been proposed in which foreign matter is pushed away from the filter by drainage (see, for example, Patent Document 2).
[0004]
[Patent Document 1]
JP 2001-120964 A
[Patent Document 2]
JP 2002-75957 A
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
In the conventional substrate cleaning processing apparatus, there is a problem that relatively large foreign matters are clogged in the filter. In particular, the polymer or the altered resist that has been peeled off from the wafer W is a film-like or colloidal foreign matter. The clogging was significant. Therefore, it is necessary to change the filter frequently, resulting in an increase in cost. In addition, since the filter replacement operation is performed by interrupting the wafer cleaning process, the throughput of the entire wafer process is reduced. In addition, film-like or colloidal foreign matter removed from the processing solution by the filter settles around the filter and is difficult to remove.
[0006]
Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that eliminates clogging of foreign matters in the filter and extends the life of the filter.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve the above-described problems, according to the present invention, in a substrate processing apparatus provided with a substrate processing unit that processes a substrate with a processing solution, and a processing liquid recovery path through which the processing solution discharged from the substrate processing unit passes. A filter for removing foreign matter mixed in the processing liquid in the processing liquid recovery path; Additional filters that are finer than the filters are provided in order, Cleaning fluid for cleaning the filter , Between the filter and the additional filter in the treatment liquid recovery path A cleaning fluid supply path for supplying foreign matter and the cleaning fluid from the filter; , From the processing liquid recovery path between the substrate processing unit and the filter There is provided a substrate processing apparatus characterized in that a discharge path for discharging is provided. In this substrate processing apparatus, the foreign substance clogged in the filter can be removed by passing the cleaning fluid through the filter and discharged from the discharge path. Therefore, it is possible to eliminate clogging of foreign substances without frequently changing the filter.
[0008]
Further, according to the present invention, in the substrate processing apparatus provided with the substrate processing unit for processing the substrate with the processing liquid and the plurality of processing liquid recovery paths through which the processing liquid discharged from the substrate processing unit passes, the plurality of processings In each of the liquid recovery paths, a filter that removes foreign matters mixed in the processing liquid, Additional filters that are finer than the filters are provided in order, Cleaning fluid for cleaning the filter , Between the filter and the additional filter in the treatment liquid recovery path A cleaning fluid supply path for supplying foreign matter and the cleaning fluid from the filter; , From the processing liquid recovery path between the substrate processing unit and the filter There is provided a substrate processing apparatus characterized in that a discharge path for discharging is provided. In this substrate processing apparatus, when foreign matter removed from the processing liquid is accumulated in a filter in a certain processing liquid recovery path, the processing liquid is switched so as to pass through a filter provided in another processing liquid recovery path. , The liquid feeding process by the processing liquid recovery path can be continued. In addition, the filter in which foreign substances are accumulated can be washed while the liquid feeding process is continued.
[0009]
Above An additional filter that is finer than the filter is placed downstream of the filter in the treatment liquid recovery path. Provide. In this case, by installing a coarse filter for catching large foreign matters upstream, it is possible to extend the life of the fine additional filter that provides the required cleanliness.
[0010]
Preferably, the filter is a cylindrical filtration member, and the treatment liquid passes from the outer periphery of the filtration member to the inside, and the cleaning fluid passes from the inside to the outer periphery of the cylindrical filtration member. In this case, the filter can be cleaned by removing and removing the foreign matter with the cleaning fluid.
[0011]
The filter is a cylindrical filter member, and an additional filter made of a cylindrical filter member finer than the filter is provided on the inner side of the filter, and the treatment liquid is disposed outside the filter cylinder. From the outer periphery of the filter member of the mold, and then from the outer periphery of the cylindrical filter member of the additional filter to the inside, and the cleaning fluid is passed from the inside of the cylindrical filter member of the outer filter. It is good also as passing to an outer periphery. In this case, by installing a coarse filter that captures large foreign matters on the outside, it is possible to extend the life of the additional filter with a fine mesh that provides the required cleanliness. In addition, by allowing the cleaning fluid to pass through the outer filter, foreign matters clogged in the outer filter can be removed, and the foreign matter clogging can be eliminated without frequently replacing the filter.
[0012]
The cylindrical filtration member is preferably formed in a replaceable cartridge. In this case, it is very easy to replace the filter.
[0013]
Furthermore, an upper discharge path for discharging foreign matter and the cleaning fluid from the upper part of the housing surrounding the cylindrical filter member of the filter and a lower discharge path for discharging foreign matter and the cleaning fluid from the lower part of the housing are provided. Is preferred. In this case, the foreign matter in the housing can be efficiently discharged together with the processing liquid and the cleaning fluid.
[0014]
It is preferable to provide a liquid feed pump for feeding the treatment liquid to the filter upstream of the filter in the treatment liquid recovery path. Furthermore, it is preferable to provide a pressure sensor for measuring the pressure of the processing liquid and / or a flow rate sensor for measuring the flow rate of the processing liquid between the liquid feed pump and the filter. In this case, it is possible to infer the accumulated state of the foreign matter captured by the filter from the measured pressure and / or flow rate.
[0015]
Furthermore, it is preferable to provide a pressure sensor and / or a flow rate sensor in the cleaning fluid supply path. In this case, since the pressure and flow rate of the cleaning fluid depend on the amount of foreign matter peeled from the filter by the cleaning fluid, it is possible to estimate the cleaning state of the filter.
[0016]
The filter may be provided with an ultrasonic vibrator or a sound vibrator having a frequency of 10 Hz to 100 Hz. In this case, the separation of the foreign matter from the filter can be promoted by ultrasonic vibration or sound wave vibration having a frequency of 10 Hz to 100 Hz. Further, a heater may be provided in the filter. In this case, the exfoliation of the foreign matter from the filter can be promoted by the heat of the heater.
[0017]
Further, a color sensor may be provided in the filter. In this case, accumulation of foreign matters can be detected by the color sensor, and clogging of the filter can be prevented. A window for visually confirming the filter may be provided in a housing surrounding the filter. As a result, the accumulation of foreign matter on the filter can be visually confirmed through the window, and the filter can be prevented from being clogged.
[0018]
Furthermore, it has a control part which controls the washing | cleaning process of the said filter, and the said control part counts the frequency | count of having performed the washing | cleaning of the said filter, and when the predetermined number is reached, it outputs the message which replaces | exchanges the said filter It is preferable. In this case, the filter is replaced every predetermined number of times, and the filter can be prevented from being clogged.
[0019]
It is preferable that the controller starts the filter cleaning process every time a predetermined time elapses. In this case, the filter is washed every predetermined time, and the filter can be prevented from being clogged.
[0020]
In addition, a liquid feed pump for feeding the processing liquid to the filter is provided upstream of the filter in the processing liquid recovery path, and an additional filter finer than the filter is provided downstream of the filter in the processing liquid recovery path. And at least one additional branching from a predetermined portion between the filter of the processing liquid recovery path and the liquid feed pump and connecting to a predetermined portion of the processing liquid recovery path between the filter and the additional filter A processing liquid recovery path, a filter for removing foreign matter mixed in the processing liquid, a cleaning fluid supply path for supplying a cleaning fluid for cleaning the filter, and a filter from the filter. It is preferable to provide a discharge path for discharging the foreign matter and the cleaning fluid. In this way, when foreign matter accumulates in one of the upstream filters where foreign matter is likely to accumulate, the processing liquid is switched to pass through another processing liquid recovery path, and while the processing continues, The accumulated filter can be washed.
[0021]
Further, according to the present invention, the substrate is processed with the processing liquid, and the processing liquid discharged after the processing is filtered. In order of additional filters that are finer than the above filters In the substrate processing method for removing foreign matter in the processing liquid, when the filter is clogged, the filter only The cleaning fluid is allowed to pass through in a direction opposite to the direction in which the treatment liquid passes. The Remove foreign matter When the additional filter is clogged, replace the additional filter with a new additional filter. A substrate processing method is provided.
[0022]
You may make it have the process of discharging | emitting the cleaning fluid which passed the said filter, and the foreign material peeled from the said filter from the upper part of the said filter, and the process of discharging | emitting from the upper part and the lower part of the said filter. In this case, even if foreign matter settles near the bottom of the filter, it can be discharged.
[0023]
The cleaning fluid passing through the filter and the foreign matter separated from the filter are discharged from the upper part of the housing surrounding the filter and discharged from the lower part of the housing, and are discharged from the lower part of the housing. In the step of performing, it is preferable to feed the processing liquid into the housing. In this case, the foreign matter settled on the lower part of the housing can be pushed away and discharged by a small amount of processing liquid.
[0024]
When the pressure of the processing liquid before passing through the filter increases or when the flow rate of the processing liquid decreases, the foreign matter separation of the filter may be started. Further, when the pressure of the cleaning fluid before passing through the filter decreases, or when the flow rate of the cleaning fluid increases, the foreign matter separation of the filter may be stopped.
[0025]
The cleaning fluid is N 2 An organic solvent containing (nitrogen) or IPA (isopropyl alcohol), pure water, or a gas containing an organic solvent is preferable.
[0026]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described based on a substrate processing unit as a substrate processing apparatus configured to perform resist removal processing on the surface of a wafer as an example of a substrate. FIG. 1 is a plan view of a processing system 1 incorporating substrate processing units 12, 13, 14, 15 according to the present embodiment. FIG. 2 is a side view thereof. The processing system 1 includes a processing unit 2 that performs resist removal processing and thermal processing on the wafer W, and a loading / unloading unit 3 that loads the wafer W into and out of the processing unit 2.
[0027]
The carry-in / out unit 3 includes an in / out port 4 provided with a mounting table 6 on which a plurality of, for example, 25 wafers W, which can accommodate containers (carriers C) that can be accommodated substantially horizontally at predetermined intervals, are provided. , A wafer transfer unit 5 provided with a wafer transfer device 7 for transferring a wafer between the carrier C mounted on the mounting table 6 and the processing unit 2.
[0028]
The wafer W is loaded and unloaded through one side of the carrier C, and a lid that can be opened and closed is provided on the side of the carrier C. Further, a shelf plate for holding the wafer W at a predetermined interval is provided on the inner wall, and 25 slots for accommodating the wafer W are formed. One wafer W is accommodated in each slot in a state where the surface (surface on which the semiconductor device is formed) is the upper surface (the surface that is the upper side when the wafer W is held horizontally).
[0029]
On the mounting table 6 of the in / out port 4, for example, three carriers can be mounted in a predetermined position side by side in the Y direction on the horizontal plane. The carrier C is placed with the side surface on which the lid is provided facing toward the boundary wall 8 between the in / out port 4 and the wafer transfer unit 5. A window portion 9 is formed in the boundary wall 8 at a position corresponding to the place where the carrier C is placed, and a window portion opening / closing mechanism for opening and closing the window portion 9 with a shutter or the like is provided on the wafer transfer portion 5 side of the window portion 9. 10 is provided.
[0030]
The window opening / closing mechanism 10 can also open and close the lid provided on the carrier C, and simultaneously opens and closes the lid of the carrier C. When the window 9 is opened and the wafer loading / unloading port of the carrier C communicates with the wafer transfer unit 5, the wafer transfer unit 7 provided in the wafer transfer unit 5 can access the carrier C, and the wafer W It is in a state where it can be transported.
[0031]
The wafer transfer device 7 disposed in the wafer transfer unit 5 is movable in the Y direction and the Z direction, and is configured to be rotatable in the XY plane (θ direction). The wafer transfer device 7 has a take-out / storage arm 11 that holds the wafer W, and the take-out / storage arm 11 is slidable in the X direction. In this way, the wafer transfer device 7 accesses the slots of any height of all the carriers C placed on the mounting table 6, and the upper and lower two wafer transfer units 16 disposed in the processing unit 2, 17, the wafer W can be transferred from the in / out port 4 side to the processing unit 2 side, and conversely from the processing unit 2 side to the in / out port 4 side.
[0032]
The processing unit 2 includes wafer transfer units 16 and 17 for temporarily placing the wafer W in order to transfer the wafer W between the main wafer transfer device 18 and the wafer transfer unit 5, and the present embodiment. The four substrate processing units 12, 13, 14, and 15, and the heating / cooling unit 19 including three heating units that heat-process the processed wafer W and a cooling unit that cools the heated wafer W are provided. I have. The main wafer transfer device 18 is disposed so as to be accessible to all the units of the wafer transfer units 16 and 17, the substrate processing units 12, 13, 14 and 15, and the heating / cooling unit 19.
[0033]
The processing unit 2 includes an electrical unit 23 that is a power source for operating the entire processing system 1, various devices disposed in the processing system 1, and a machine control unit 24 that controls the operation of the entire processing system 1. A chemical solution storage unit 25 for storing a predetermined cleaning solution to be sent to the substrate processing units 12, 13, 14, and 15 is disposed. The electrical unit 23 is connected to a main power source (not shown). On the ceiling of the processing unit 2, a fan filter unit (FFU) 26 for downflowing clean air is disposed in each unit and the main wafer transfer device 18.
[0034]
By installing the electrical unit 23, the chemical storage unit 25, and the machine control unit 24 outside the processing unit 2 or by pulling them out, the wafer transfer unit 16, the main wafer transfer device 18, Maintenance of the heating / cooling unit 19 can be easily performed.
[0035]
The wafer transfer units 16 and 17 are for temporarily placing the wafer W in order to transfer the wafer W to and from the wafer transfer unit 5. The wafer transfer units 16 and 17 are arranged in two upper and lower stages. Are arranged in a stack. For example, the lower wafer transfer unit 17 is used to place the wafer W to be transferred from the in / out port 4 side to the processing unit 2 side, and the upper wafer transfer unit 16 is input / output from the processing unit 2 side. It can be used to place the wafer W to be transferred to the port 4 side.
[0036]
A part of the downflow from the fan filter unit (FFU) 26 flows out toward the wafer transfer unit 5 through the wafer transfer units 16 and 17 and the space above the wafer transfer units 16 and 17. This prevents particles and the like from entering the processing unit 2 from the wafer transfer unit 5 and maintains the cleanliness of the processing unit 2.
[0037]
The main wafer transfer device 18 includes a cylindrical support body 30 that can be rotated by a rotational driving force of a motor (not shown), and a wafer transfer body 31 that is vertically movable along the inner side of the cylindrical support body 30. Have. The wafer transfer body 31 is rotated integrally with the rotation of the cylindrical support 30 and has three transfer arms 34 arranged in multiple stages that can move forward and backward independently. , 35, 36.
[0038]
In the heating / cooling unit 19, one cooling unit that performs forced cooling of the wafer W is disposed, and three heating units that perform forced heating and natural cooling of the wafer W are stacked and disposed thereon. . It is also possible to provide a heating / cooling unit 19 in the space above the wafer transfer unit 16. In this case, the position of the heating / cooling unit 19 shown in FIG. 1 can be used as another utility space.
[0039]
As shown in FIG. 2, two substrate processing units 12, 13, 14, and 15 are arranged in two stages at the top and bottom. As shown in FIG. 1, the substrate processing units 12 and 13 and the substrate processing units 14 and 15 have a symmetric structure with respect to the wall surface 41 forming the boundary, except that they are symmetric. For example, the substrate processing units 12, 13, 14, and 15 have substantially the same configuration. Therefore, the structure of the substrate processing unit 12 will be described in detail below using the substrate processing unit 12 as an example.
[0040]
FIG. 3 is a plan view of the substrate processing unit 12. In the unit chamber 45 of the substrate processing unit 12, an outer chamber 46 that is a substrate processing unit for processing the wafer W with the processing liquid, and a processing for supplying the processing liquid and the like to the wafer W accommodated in the outer chamber 46. Liquid supply means 47 is provided. An opening 50 is formed in the unit chamber 45, and a unit chamber mechanical shutter 51 that opens and closes the opening 50 by an opening / closing mechanism (not shown) is provided. A wafer W is transferred from the opening 50 to the substrate processing unit 12 by the transfer arm 34. When carrying in / out, the unit chamber mechanical shutter 51 is opened. The mechanical shutter 51 for the unit chamber opens and closes the opening 50 from the inside of the unit chamber 45. Even when the inside of the unit chamber 45 becomes a positive pressure, the atmosphere inside the unit chamber 45 leaks to the outside. Absent.
[0041]
The outer chamber 46 has a structure in which the wafer W is sealed and stored. An opening 52 is formed in the outer chamber 46, and an outer chamber mechanical shutter 53 that opens and closes the opening 52 by a cylinder drive mechanism (not shown) is provided. For example, the wafer W is opened from the opening 52 to the outer chamber 46 by the transfer arm 34. The outer chamber mechanical shutter 53 is opened when the is carried in and out. The outer chamber mechanical shutter 53 may be opened and closed by an opening / closing mechanism common to the unit chamber mechanical shutter 51. Further, an opening 55 is formed in the outer chamber 46, and a processing liquid supply means shutter 56 for opening and closing the opening 55 by a driving mechanism (not shown) is provided. When the processing liquid supply means 47 is isolated from the outer chamber 46 in the atmosphere, the processing liquid supply means shutter 56 is closed.
[0042]
The mechanical shutter 53 for the outer chamber opens and closes the opening 55 from the inside of the outer chamber 46, and even when the inside of the outer chamber 46 becomes positive pressure, the atmosphere inside the outer chamber 46 leaks to the outside. Absent. The processing liquid supply means shutter 56 opens and closes the opening 55 from the inside of the outer chamber 46. Even when the inside of the outer chamber 46 becomes positive pressure, the atmosphere inside the outer chamber 46 leaks to the outside. Does not appear. In this case, the atmosphere around the wafer W in the outer chamber 46 is isolated from the outside of the outer chamber 46, and the influence of the atmosphere outside the outer chamber 46 is suppressed. Therefore, for example, the temperature of the processing liquid and the wafer W can be kept good.
[0043]
A processing liquid supply means 47 for supplying a processing liquid such as a chemical solution or a rinsing liquid for dissolving the resist film applied to the surface of the wafer W to the surface of the wafer W includes a processing liquid supply nozzle 60 and a processing liquid supply nozzle. An arm 61 for supporting 60 and a rotating means 62 for rotatably supporting an end of the arm 61 are provided. Accordingly, the processing liquid supply nozzle 60 is supported by the arm 61 so as to be rotatable between a standby position outside the outer chamber 46 and a supply position for supplying the processing liquid at the upper part of the wafer W. Within 46, scanning is possible from at least the center to the peripheral edge of the wafer W held by a spin chuck 71 described later.
[0044]
A spin chuck 71 is provided in the outer chamber 46 to hold the wafer W rotatably. An upper portion of the outer chamber 46 is provided with a gas supply nozzle (not shown) that discharges an inert gas whose temperature is adjusted around the wafer W. On top of the spin chuck 71, support pins (not shown) for supporting the peripheral edge of the back surface of the wafer W and holding members 72 for holding the wafer W from the peripheral edge are mounted at a plurality of locations. In the illustrated example, the wafer W can be held from around by three holding members 72.
[0045]
FIG. 4 shows a circuit through which a chemical liquid and a rinse liquid, which are a kind of processing liquid, pass in the substrate processing unit 12. The substrate processing unit 12 includes a chemical solution recovery path 75 that allows the chemical solution discharged from the outer chamber 46 to pass therethrough. The upstream end of the chemical liquid recovery path 75 is connected to a processing liquid discharge pipe 74 that discharges the chemical liquid and the rinse liquid in the outer chamber 46 from the outer chamber 46, and the downstream end is connected to the processing liquid supply nozzle 60. A rinsing liquid supply means 90 for supplying pure water as a rinsing liquid is connected to the processing liquid supply nozzle 60. The rinsing liquid supply means 90 includes a rinsing liquid supply source 92, and is provided with an on-off valve 93 that allows pure water to pass during the rinsing process. Further, the substrate processing unit 12 includes a rinse liquid drain path 78 for draining the rinse liquid from the outer chamber 46. The upstream end of the rinse liquid drainage path 78 is connected to the processing liquid drain pipe 74.
[0046]
The chemical liquid recovery path 75 and the rinse liquid drain path 78 can be connected to the processing liquid discharge pipe 74 by switching the valve 79. At the time of chemical processing, the processing liquid discharge pipe 74 and the chemical recovery path 75 are connected, and the chemical is passed from the processing liquid discharge pipe 74 to the chemical recovery path 75. During the rinsing process, the processing liquid discharge pipe 74 and the rinsing liquid drainage path 78 are connected to each other, and the rinsing liquid is passed from the processing liquid drainage pipe 74 to the rinse liquid drainage path 78 to be drained. In other words, the rinsing liquid does not flow into the chemical liquid recovery path 75 by switching the valve 79. Then, the rinse liquid is prevented from flowing into a chemical liquid tank 76 which will be described later.
[0047]
The chemical solution collection path 75 includes a chemical solution tank 76 that stores the chemical solution collected from the outer chamber 46, a liquid feed pump 77 that sends the chemical solution that flows through the chemical solution collection path 75, and a chemical solution that flows through the chemical solution collection path 75. A filter 80 that removes mixed foreign matter and a cleaning filter 81 (additional filter) that is disposed on the downstream side of the filter 80 and is finer than the filter 80 are interposed from the upstream side. A chemical tank 76, a liquid feed pump 77, a filter 80, and a cleaning filter 81 are arranged in this order on the downstream side. As described above, when the fine cleaning filter 81 having the cleanliness required for the chemical solution to be reused is installed downstream of the coarse filter 80, the coarse filter 80 is not installed. , The replacement frequency of the cleaning filter 81 can be reduced to about 1/3.
[0048]
In the present invention, the filter 80 is made of a fine filtration member and can also function as the cleaning filter 81. In this case, only the filter 80 is provided in the chemical solution recovery path 75.
[0049]
The chemical solution collected from the outer chamber 46 by the chemical solution collection path 75 is stored in the chemical solution tank 76, then sucked up by the liquid feed pump 77, and passes through the filter 80 and the cleaning filter 81, thereby mixing foreign substances. Is removed and cleaned by the filter 80 and the cleaning filter 81. The cleaned chemical liquid is again supplied to the wafer W from the processing liquid supply nozzle 60.
[0050]
Here, as shown in FIG. 5, the chemical liquid recovery path 75 includes a chemical liquid path 75 a that connects the processing liquid discharge pipe 74 of the outer chamber 46 and the chemical liquid tank 76, and a chemical liquid path 75 b that delivers the chemical liquid from the chemical liquid tank 76. , A housing 75c surrounding the filter 80, a chemical liquid path 75d for sending the chemical liquid from the filter 80, a housing 75e surrounding the cleaning filter 81, and a chemical liquid path 75f for sending the chemical liquid from the cleaning filter 81. . Further, the chemical liquid passage 75a, the chemical liquid passage 75b, the housing 75c, the chemical liquid passage 75d, the housing 75e, and the chemical liquid passage 75f are arranged in this order from the upstream side to the downstream side. That is, the chemical liquid path 75b connects the chemical liquid tank 76 and the housing 75c surrounding the filter 80, the housing 75c connects the chemical liquid path 75b and the chemical liquid path 75d, the chemical liquid path 75d connects the housing 75c and the housing 75d, The housing 75e connects the chemical liquid path 75d and the chemical liquid path 75f, and the chemical liquid path 75f connects the housing 75e and the processing liquid supply nozzle 60.
[0051]
The bottom surface 105 of the chemical liquid tank 76 interposed between the chemical liquid path 75 a and the chemical liquid path 75 b is formed in an inclined surface, and an ultrasonic transducer 106 that applies ultrasonic vibration to the bottom surface 105 is formed below the bottom surface 105. A drainage pipe 107 for draining the chemical liquid from the chemical liquid tank 76 is also provided. The drainage pipe 107 is provided at a low position on the inclined bottom surface 105, and is connected to the side surface of the chemical liquid tank 76 via the valve 108. In this case, the chemical liquid can be reliably drained from the chemical liquid tank 76 by the drain pipe 107. Further, a spray nozzle 109 for cleaning the inside of the chemical tank 76 is provided on the wall surface of the chemical tank 76. The ultrasonic transducer 106 promotes peeling by applying ultrasonic vibration when foreign matter is deposited and deposited on the bottom surface 105 and adheres to the bottom surface 105 and becomes difficult to peel off. The spray nozzle 109 sprays pure water as a tank cleaning liquid. Also, IPA (isopropyl alcohol) vapor is sprayed as a tank drying fluid. Thereby, the inside of the chemical tank 76 can be washed and dried. The pure water supplied into the chemical solution tank 76 is discharged from the drainage pipe 107. When cleaning the chemical tank 76, the stored chemical liquid is first drained from the drain pipe 107, then pure water is supplied from the spray nozzle 109 to rinse the chemical tank 76, and finally the IPA is washed. Feed and dry.
[0052]
In the chemical liquid path 75b, the above-described liquid feed pump 77, the on-off valve V1, the pressure sensor PS1 for measuring the pressure of the chemical liquid flowing in the chemical liquid path 75b, and the flow rate sensor FS1 for measuring the flow rate of the chemical liquid are interposed. From the side, the liquid feed pump 77, the flow rate sensor FS1, the on-off valve V1, and the pressure sensor PS1 are arranged in this order. The liquid feed pump 77 sucks up the chemical liquid stored in the chemical liquid tank 76 and supplies the chemical liquid in the chemical liquid path 75b, the housing 75c, the chemical liquid path 75d, the housing 75e, and the chemical liquid path 75f from the chemical liquid tank 76 to the processing liquid supply nozzle 60. Drive to deliver liquid. The liquid feed pump 77 is installed upstream of the filter 80, and can feed a chemical solution having a predetermined flow rate to the filter 80. Furthermore, the liquid feed pump 77 can be driven according to a control signal transmitted from the control unit 200 to be described later, and the flow rate of the chemical solution flowing in the chemical solution path 75b can be adjusted to flow.
[0053]
Here, the control system of the substrate processing unit 12 will be described with reference to FIG. The control system of the substrate processing unit 12 has a control unit 200. The control unit 200 includes a main controller 200a and a block controller 200b. The main controller 200a outputs a command to start cleaning the filter 80 and a message for filter replacement. The block controller 200b performs the control of the cleaning sequence of the filter 80.
[0054]
The substrate processing unit 12 includes a sensor group 201 including a pressure sensor PS1 and a flow rate sensor FS1. The sensor group 201 includes a color sensor 201a, a counter 201b, a timer 201c, a pressure sensor PS2 and a flow rate sensor FS2, which will be described later, in addition to the pressure sensor PS1 and the flow rate sensor FS1. Information from the sensor group 201 is input to the control unit 200 via the input circuit 202, and a control signal is output from the control unit 200. The control signal is sent to the output circuit 203, and the output circuit 203 controls the solenoid valve assembly box 204 based on the control signal. The solenoid valve assembly box 204 is connected to an air source as a drive source, and in accordance with the control signal, a liquid feed pump 77 configured as an air-driven chemical liquid pump of the apparatus, an on-off valve V1, configured as an air-driven valve, The on-off valves V2, V3, V4, V5, V6, and V7 described later are driven.
[0055]
The on-off valve V1 in FIG. 5 opens and closes according to a control signal transmitted from the control unit 200. The pressure sensor PS1 transmits the measured value to the control unit 200 as a detection signal. The pressure measured by the pressure sensor PS1 depends on the accumulation state of foreign matter in the filter 80. As the amount of accumulated foreign matter in the filter 80 increases, the pressure measured by the pressure sensor PS1 increases. Therefore, the control unit 200 can estimate the accumulation state of the foreign matter captured by the filter from the detection signal from the pressure sensor PS1 and determine the start of the filter cleaning process described later. It is also possible to determine whether or not to interrupt the wafer W processing step.
[0056]
A housing 75c that constitutes a part of the chemical solution recovery path 75 includes the filter 80 described above, and a chemical solution from the periphery of the filter 80 and the filter 80 and N as a cleaning fluid described later. 2 A filter discharge path 115 for discharging gas and foreign matter is provided. The housing 75c is a container that hermetically surrounds the filter 80. The lower filter discharge path 115a is connected to the lower part, and the upper filter discharge path 115b is connected to the upper part. N as a chemical or cleaning fluid from the bottom of the housing 75c 2 An open / close valve V3 is interposed in the lower filter discharge passage 115a for discharging gas and foreign matter. Chemical solution, N from the top of the housing 75c 2 An open / close valve V6 and an exhaust pipe 116 for exhausting the gas in the housing 75c are interposed in the upper filter discharge path 115b for discharging gas and foreign matter, and the exhaust pipe 116 and the open / close valve V6 are arranged in this order from the housing 75c on the upstream side. Has been placed. An open / close valve V5 that opens and closes according to a control signal transmitted from the control unit 200 is interposed in the exhaust pipe 116.
[0057]
The filter 80 is a filtering member having a cylindrical shape. That is, the outer peripheral surface of the cylinder is a filtration member that captures foreign substances in the chemical solution, and has a cylindrical space inside. Both ends of this cylindrical internal space are closed surfaces. The filter 80 has an outer peripheral surface surrounded by a housing 75c, a chemical solution path 75d is connected to the lower part of the internal space, an exhaust pipe 117 is connected to the upper part of the internal space, and an ultrasonic vibration that applies ultrasonic vibration to the fluid in the internal space. A child 118 is provided. Further, the chemical solution path 75 b is connected between the housing 75 c and the filter 80 so that the chemical solution before passing through the outer peripheral surface of the filter 80 is supplied to the outer peripheral surface of the filter 80. Therefore, as shown in FIG. 6, the chemical liquid sent from the chemical liquid path 75b passes from the cylindrical outer peripheral surface of the filter 80 to the internal space, and foreign matters are removed by the outer peripheral surface, and flows into the internal space. It flows from the lower part of the space to the chemical solution path 75d. The exhaust pipe 117 is provided with an on-off valve V4 that opens and closes according to a control signal transmitted from the control unit 200.
[0058]
In the chemical channel 75d, N is used as a cleaning fluid for cleaning the filter 80. 2 N to supply gas 2 A gas supply path 120, an on-off valve V2 that opens and closes in accordance with a control signal transmitted from the control unit 200, and a pressure sensor PS3 that measures the pressure of the chemical liquid flowing in the chemical liquid path 75d are provided. To N 2 The gas supply path 120, the on-off valve V2, and the pressure sensor PS3 are arranged in this order.
[0059]
N 2 The gas supply path 120 is connected to the chemical liquid path 75 d between the internal space of the filter 80 and the on-off valve V 2, and the chemical liquid path 75 d is connected to the internal space of the filter 80. Therefore, when the on-off valve V2 of the chemical liquid passage 75d is closed, N 2 N supplied from the gas supply path 120 2 The gas passes through the chemical liquid path 75d, flows into the internal space of the cylindrical filter 80, and passes from the internal space to the outer peripheral surface. Further, by opening the on-off valves V6 and V3 of the filter discharge passage 115, N 2 The gas is discharged from the housing 75c. Therefore, N 2 From gas supply path 120 to N 2 When the gas is continuously supplied, N flows to the chemical solution path 75d, the filter 80, the periphery of the filter 80 in the housing 75c, and the filter discharge path 115. 2 A gas flow is formed. In this case, N 2 Since the gas passes from the opposite direction of the direction in which the chemical solution from which the foreign matter is removed passes through the filter 80, N 2 When the gas passes through the filter 80, the foreign matter accumulated in the filter 80 is peeled off. 2 The gas can be discharged from the housing 75c together with the gas. Also, the chemical solution remaining in the housing 75c is N 2 The gas is pushed out of the housing 75c and discharged. That is, since the filter discharge path 115 is provided, the remaining chemical solution and foreign matter are mixed from the filter 80 in the housing 75c and its surroundings. 2 Gas can be discharged. With such a configuration, it is possible to perform a filter cleaning process for peeling off and removing foreign matter from the filter 80.
[0060]
N 2 The gas supply path 120 is N 2 A gas supply source 121 is provided. In addition, N 2 N flowing in the gas supply path 120 2 A pressure control device 122 for controlling the pressure of the gas, and N 2 A flow rate sensor FS2 for measuring the flow rate of gas, N 2 Gas filter 123 for purifying gas, check valve 124, N 2 A pressure sensor PS2 for measuring the pressure of the gas and an open / close valve V7 that opens and closes according to a control signal transmitted from the control unit 200 are provided. 2 From the gas supply source 121 side, the pressure control device 122, the flow sensor FS2, the gas filter 123, the check valve 124, the pressure sensor PS2, and the on-off valve V7 are arranged in this order. The pressure sensor PS2 transmits the measured value to the control unit 200 as a detection signal. The pressure measured by the pressure sensor PS2 depends on the accumulation state of foreign matter in the filter 80. In the filter cleaning process, when the foreign matter separation of the filter 80 proceeds and the foreign matter accumulation amount decreases, the pressure loss of the filter 80 is lowered, and the pressure measured by the pressure sensor PS2 is lowered. Accordingly, the control unit 200 can estimate the separation state of the foreign matter captured by the filter from the detection signal from the pressure sensor PS2 and determine the end of the filter cleaning process.
[0061]
The pressure measured by the pressure sensor PS3 depends on the accumulation state of foreign matter in the cleaning filter 81 located downstream of the filter 80. As the amount of foreign matter accumulated in the cleaning filter 81 increases, the pressure measured by the pressure sensor PS3 increases. Therefore, the control unit 200 can estimate the accumulation state of the foreign matter captured by the cleaning filter 81 from the detection signal from the pressure sensor PS3 and detect that the cleaning filter 81 needs to be replaced.
[0062]
The housing 75e that constitutes a part of the chemical solution recovery path 75 includes the above-described cleaning filter 81 inside, the filter discharge path 125 that discharges the chemical liquid and foreign matter from the periphery of the cleaning filter 81, and the gas in the housing 75c. An exhaust pipe 126 for exhausting is provided. The housing 75e is a container that hermetically surrounds the cleaning filter 81, and has a filter discharge path 125 connected to the lower part and an exhaust pipe 126 connected to the upper part. An open / close valve V8 that opens and closes according to a control signal transmitted from the control unit 200 is interposed in the filter discharge path 125. An open / close valve V10 that opens and closes according to a control signal transmitted from the control unit 200 is interposed in the upper exhaust pipe 126.
[0063]
The cleaning filter 81 is a filtering member having a configuration similar to that of the filter 80 and having a finer shape than the filter 80 and having a cylindrical shape. That is, the outer peripheral surface of the cylinder is a filtration member that captures foreign substances in the chemical solution, and has a cylindrical space inside. Both ends of this cylindrical internal space are closed surfaces. The cleaning filter 81 has an outer peripheral surface surrounded by a housing 75e, a chemical solution path 75f connected to the lower part of the internal space, and an exhaust pipe 127 connected to the upper part of the internal space. Further, the chemical liquid path 75 d is connected between the housing 75 e and the cleaning filter 81 so that the chemical liquid before passing through the outer peripheral surface of the cleaning filter 81 is supplied to the outer peripheral surface of the cleaning filter 81. Accordingly, the chemical solution fed from the chemical solution path 75d passes from the outer peripheral surface of the cylinder to the internal space, foreign matter is removed by the outer peripheral surface, flows into the internal space, and flows from the lower part of the internal space to the chemical solution channel 75f. It has become. The exhaust pipe 127 is provided with an on-off valve V9 that opens and closes according to a control signal transmitted from the control unit 200.
[0064]
The above is the configuration of the substrate processing unit 12, but the other substrate processing units 13, 14, and 15 provided in the processing system 1 also have the same configuration as the substrate processing unit 12, and process the wafer W with a chemical solution. be able to.
[0065]
Next, a process for processing the wafer W by the processing system 1 will be described. First, a carrier C storing, for example, 25 wafers W each not yet processed by a transfer robot (not shown) is placed on the in / out port 4 of the processing system 1. Then, the wafers W are taken out one by one from the carrier C placed on the in / out port 4 by the take-out / storage arm 11, and the wafers W are transferred from the take-out / storage arm 3 to the main wafer transfer device 7. For example, the wafer W is appropriately carried into the substrate processing units 12, 13, 14, and 15 by the transfer arm 34, and the resist film applied to the wafer W is removed. When the predetermined resist film removing process is completed, the wafer W is appropriately unloaded from each substrate cleaning unit 12 by the main wafer transfer device 7, transferred to the take-out storage arm 11, and stored in the carrier C again.
[0066]
Here, the processing in the substrate processing unit 12 will be described as a representative. First, the unit chamber mechanical shutter 51 of the substrate processing unit 12 and the outer chamber mechanical shutter 53 of the outer chamber 46 shown in FIG. 3 are opened. Then, the transfer arm 34 holding the wafer W enters the apparatus. The main wafer transfer device 18 moves the transfer arm 34 horizontally to deliver the wafer W to the spin chuck 71. The spin chuck 71 uses a support pin (not shown) to place the wafer W on the surface of the wafer W on which the semiconductor device is formed. Support. After the wafer W is transferred to the spin chuck 71, the transfer arm 34 is withdrawn from the inside of the outer chamber 46 and the unit chamber mechanical shutter 51, and after the withdrawal, the unit chamber mechanical shutter 51 and the outer chamber 46 of the substrate cleaning unit 12 are removed. The outer chamber mechanical shutter 53 is closed.
[0067]
Next, the spin chuck 71 rotates, the holding member 72 uses the centrifugal force to hold the periphery of the wafer W from the outside, and rotates the wafer W. Then, the processing liquid supply means shutter 56 is opened, and the processing liquid supply nozzle 60 is moved above the wafer W. The liquid feed pump 77 shown in FIG. 4 is driven by receiving a control signal from the control unit 200, sucks up the chemical solution that removes the resist film stored in the chemical solution tank 76, passes it through the chemical solution recovery path 75, and passes the treatment solution Liquid is fed to the supply nozzle 60. In this way, the chemical solution is supplied to the wafer W, and the resist film removal processing of the wafer W is performed. The chemical solution is supplied near the center of the wafer W, and flows toward the outer periphery of the wafer W due to the centrifugal force generated by the rotation of the wafer W. The chemical liquid flowing in the outer peripheral direction of the wafer W is discharged from the outer chamber 46 by the processing liquid discharge pipe 74 shown in FIG. 4, passes through the valve 79 and the chemical liquid path 75a, and is stored in the chemical tank 76. Thereafter, the chemical solution circulates again in the chemical solution collection path 75.
[0068]
The chemical used for processing the wafer W is mixed with film-like or colloidal foreign matter. The used chemical solution is stored in the chemical solution tank 76 and fed to the filter 80 by the liquid feed pump 77. Since the filter 80 captures large foreign matters, the fine cleaning filter 81 downstream from the filter 80 is prevented from being clogged. The cleaning filter 81 captures small foreign substances from the chemical liquid after the large foreign substances are removed, and filters the chemical liquid to the required cleanliness. The trapped foreign matter is accumulated on the outer peripheral surfaces of the filter 80 and the cleaning filter 81. In this way, the chemical solution used for processing the wafer W is collected and used again for processing the wafer W. Therefore, the consumption of the chemical solution can be suppressed.
[0069]
After a predetermined time has elapsed, the resist film removal step is completed, and then a rinsing process is started. The processing liquid supply nozzle 60 supplies pure water as a rinse liquid to the upper surface of the wafer W while scanning from at least the center to the periphery of the wafer W. By supplying pure water to the rotating wafer W, the pure water can be uniformly diffused over the entire upper surface of the wafer W. In this way, the chemical solution is washed away from the wafer W. The pure water subjected to the treatment is discharged from the outer chamber 46 through the treatment liquid discharge pipe 74 shown in FIG. Since the valve 79 is switched so that pure water does not flow into the chemical solution recovery path 75, the pure water passes through the valve 79 and is drained by the rinse liquid drain path 78.
[0070]
After the rinsing process, the wafer W is spin-dried by rotating at a higher speed (for example, about 1500 rpm) than when rinsing the wafer W. Further, the processing liquid supply nozzle 60 causes N on the upper surface of the wafer W. 2 Supply.
[0071]
After the drying process, the processing liquid supply nozzle 60 is withdrawn from the outer chamber 46, and then the wafer W is unloaded from the substrate cleaning unit 12. The unit chamber mechanical shutter 53 and the outer chamber mechanical shutter 51 are opened, and the wafer transfer device 18 advances the transfer arm 34 into the device to support the lower surface of the wafer W. Next, the transfer arm 34 receives the wafer W away from the support pins of the spin chuck 71 and moves out of the apparatus.
[0072]
Thereafter, for example, the wafer W ′ that has not been cleaned is carried into the substrate cleaning unit 12 by the transfer arm 35, the resist film applied to the wafer W ′ is removed, and rinse treatment and drying processing are performed. The wafer W ′ for which the predetermined processing has been completed is appropriately unloaded from each substrate cleaning unit 12 by the main wafer transfer device 7 again. The above wafer processing steps are performed several times in the substrate processing unit 12.
[0073]
In accordance with the number of processed wafers W, the amount of accumulated foreign matter on the filter 80 and the cleaning filter 81 increases. When the accumulated amount of foreign matter in the filter 80 increases, the pressure measured by the pressure sensor PS1 provided in the chemical liquid path 75b increases. The detection signal of the pressure sensor PS1 is transmitted to the control unit 200. When the filter 80 is clogged or clogged, the wafer cleaning process in the substrate cleaning unit 12 is interrupted and the filter cleaning process is performed. In the filter cleaning process, N 2 A blow cleaning process in which gas is blown and the foreign matter on the filter 80 is peeled off and discharged, and a lower discharge process in which foreign matter precipitated in the lower portion of the housing 75c is discharged after the blow cleaning process. When the control unit 200 determines that the filter 80 needs to be cleaned based on the detection signal of the pressure sensor PS1, the control unit 200 interrupts the processing process of the wafer W in the substrate cleaning unit 12 and removes the foreign matter on the filter 80. To start. When it is determined that the foreign matter on the filter 80 is sufficiently peeled based on the detection signal from the pressure sensor PS2, the blow cleaning process is terminated and the lower discharge process is performed.
[0074]
When the amount of accumulated foreign matter in the cleaning filter 81 increases, the pressure measured by the pressure sensor PS3 provided in the chemical liquid path 75d increases. A detection signal of the pressure sensor PS3 is transmitted to the control unit 200. Based on this detection signal, when the control unit 200 determines that the cleaning of the cleaning filter 81 is necessary, that is, when the cleaning filter 81 is clogged or is likely to be clogged, An operation of interrupting the processing step of the wafer W in the substrate cleaning unit 12 and replacing it with a new cleaning filter 81 is performed.
[0075]
Hereinafter, a filter cleaning process for cleaning the filter 80 will be described. In this process, the on / off valves V1, V2, V3, V4, V5, V6, V7 are switched by the control signal of the control unit 200, and N 2 Foreign matter is peeled off by gas and discharged. While the chemical liquid is passing through the chemical liquid recovery path 75, the on-off valves V1 and V2 are open as shown in FIG. Further, the on-off valve V5 of the exhaust pipe 116 is opened to discharge the gas accumulated in the upper part of the housing 75c. The on-off valve V4 of the exhaust pipe 117 is opened, and the gas accumulated on the upper part of the filter 80 is discharged. On the other hand, the on-off valves V3, V6, V7 are closed.
[0076]
FIG. 7 shows N 2 It is explanatory drawing of the blow cleaning process which blows off gas, peels off the foreign material on a filter, and discharges. First, the liquid feed pump 77 is stopped by a control signal from the control unit 200. Then, the on-off valves V1, V2, the on-off valve V5 of the exhaust pipe 116, and the on-off valve V4 of the exhaust pipe 117 are closed. Next, the on-off valve V6 of the upper filter discharge passage 115b, N 2 The on-off valve V7 of the gas supply path 120 is opened. And N 2 Gas supply 121 to N 2 Supply gas. N 2 Gas is N 2 The gas flows from the gas supply path 120 into the internal space of the filter 80 through the chemical liquid path 75 d and passes through the filter 80. N 2 When gas passes through the filter 80, N 2 The gas removes foreign matter accumulated in the filter 80. In the blow cleaning process, N 2 Supply gas vigorously and let it blow. N 2 By blowing the gas, the foreign matter is effectively peeled off and the foreign matter and the chemical liquid remaining in the housing 75c are pushed out. Further, in order to effectively remove the foreign matter, the ultrasonic vibrator 118 is operated, and the chemical solution remaining in the filter 80, N 2 Apply ultrasonic vibration to the gas. N 2 The gas flows inside the housing 75c toward the upper filter discharge path 115b and is discharged from the upper filter discharge path 115b. Also, the peeled foreign material and the remaining chemical solution 2 The gas is discharged from the upper filter discharge path 115b together with the gas.
[0077]
In the blow cleaning process, when the foreign matter separation of the filter 80 progresses and the amount of foreign matter accumulated decreases, the pressure loss of the filter decreases, and N 2 N flowing through the gas supply path 120 2 The gas pressure drops. That is, N 2 The pressure measured by the pressure sensor PS2 installed in the gas supply path 120 becomes low. The control unit 200 estimates the peeling state of the foreign matter captured by the filter from the detection signal from the pressure sensor PS2. Then, the blow cleaning process is continued until it is determined that the foreign matter has been sufficiently removed.
[0078]
When foreign matter from filter 80 is sufficiently peeled off, N before passing filter 80 2 The gas pressure drops. When the control unit 200 determines that the foreign matter is sufficiently peeled based on the detection signal from the pressure sensor PS2, N 2 N supplied from the gas supply path 120 2 The flow rate of the gas is decreased, and the foreign matter peeling of the filter 80 is stopped. This completes the blow cleaning process. Thereafter, the control unit 200 2 A control signal is transmitted to the on-off valve V3 of the gas supply path 120 and the lower filter discharge path 115a to start the lower discharge process. FIG. 8 is an explanatory diagram of a lower discharge process for discharging foreign matter precipitated in the lower part of the housing 75c. As in the blow cleaning step, the on-off valve V2, the on-off valve V5 of the exhaust pipe 116, and the on-off valve V4 of the exhaust pipe 117 are closed, and the on-off valve V6 of the upper filter discharge passage 115b, N 2 The on-off valve V7 of the gas supply path 120 is in an open state. N 2 Gas supply continues at a reduced flow rate at the end of the blow cleaning process.
[0079]
First, the on-off valve V3 of the lower filter discharge passage 115a is opened. N 2 N supplied from the gas supply path 120 2 Gas is N 2 The gas flows from the gas supply path 120 into the internal space of the filter 80 through the chemical liquid path 75 d and passes through the filter 80. N 2 When gas passes through the filter 80, N 2 The gas removes foreign matter accumulated in the filter 80. N 2 The gas is discharged from an upper filter discharge path 115b installed in the upper part of the housing 75c and a lower filter discharge path 115a installed in the lower part. Foreign substances and chemicals accumulated in the lower part are transferred from the lower filter discharge passage 115a installed in the lower part of the housing 75c to the N 2 It is discharged with gas.
[0080]
Further, the on-off valve V1 of the chemical solution recovery path 75b is opened, and the liquid feed pump 77 is driven to flow a small amount of chemical solution to the lower portion of the housing 75c. The operation of the liquid feed pump 77 is controlled at a lower speed than during normal liquid feeding. When the chemical liquid is supplied to the lower part of the housing 75c, the chemical liquid is discharged from the lower filter discharge path 115a, so that the foreign matter precipitated in the lower part can be discharged together with the chemical liquid from the lower filter discharge path 115a. In this case, it is desirable to flow a small amount of the chemical so that foreign matter can be discharged.
[0081]
Thereafter, the control signal from the control unit 200 closes the on-off valve V7 and N 2 The gas supply is terminated, the on-off valves V3 and V6 are closed, and the discharge from the filter discharge passage 115 is stopped. Thus, the lower discharge process is completed. By performing the lower discharge process after the blow cleaning process in this way, foreign substances and chemicals can be effectively discharged. The blow cleaning process and the lower discharge process may be performed simultaneously. For example, if the on-off valves V6 and V3 are opened simultaneously, 2 Gas supply circuit 120 to N 2 Gas is blown and simultaneously the liquid feed pump 77 is driven to supply the chemical at a low flow rate. That is, N 2 The foreign matter is discharged together with the chemical solution from the lower filter discharge passage 115a while the foreign matter is peeled off by the gas blow supply. In this case, the filter cleaning process can be performed in a short time.
[0082]
The foreign matter removing function of the filter 80 can be recovered by performing the filter cleaning step including the blow cleaning step and the lower discharge step of the filter 80 described above. Then, as shown in FIG. 6 again, the on-off valves V1 and V2 are opened, and the chemical solution is allowed to pass through the chemical solution recovery path 75 to remove foreign substances in the chemical solution.
[0083]
According to the substrate cleaning unit 12, N 2 By providing the gas supply path 120 and the filter discharge path 115, the foreign matter removing function of the filter 80 can be recovered. By installing the filter 80 upstream of the fine cleaning filter 81, large foreign substances can be captured and the life of the cleaning filter 81 can be extended. Therefore, the cleaning function required for the cleaning filter 81 can be maintained longer, and the replacement frequency of the cleaning filter 81 can be reduced.
[0084]
Although an example of a preferred embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the embodiment described above, and can be modified as appropriate. For example, the substrate processing apparatus is not limited to the single wafer type described in the embodiment of the present invention, but may be a substrate processing apparatus such as a spin type or an immersion type that simultaneously processes a plurality of substrates. For example, in the immersion type substrate processing apparatus, the processing tank storing the processing liquid can be used as the substrate processing unit, and the chemical solution recovery path 75 described above in the embodiment can be provided in the processing tank. In the case of an immersion type substrate processing apparatus, there is no need to provide a chemical tank 76 installed in the chemical recovery path 75.
[0085]
In the substrate processing unit 12, there are various configurations in which the chemical solution recovery path 75 is connected to the outer chamber 46 that is a substrate processing unit. For example, as shown in FIG. 11, an inner cup 130 that can move up and down is provided inside an outer chamber 46 having a sealed structure, a chemical solution recovery path 75 is connected to the inner cup 130, and a rinse liquid drainage path is connected to the outer chamber 46. 78 may be connected. That is, at the time of chemical solution processing, as shown in FIG. 11, the inner cup 130 surrounds the wafer W to prevent the chemical solution from splashing around, and the chemical solution is discharged into the inner cup 130. At the time of the rinsing process, as shown in FIG. 12, the wafer W is lowered and surrounded by the outer chamber 46 to prevent the rinsing liquid from splashing around, and the rinsing liquid is discharged into the outer chamber 46. Further, when the inner cup 130 is raised, the chemical solution is prevented from entering between the outer chamber 46 and the inner cup 130 in the vicinity of the outer chamber 46. Further, when the inner cup 130 is lowered, the rinse liquid is prevented from entering the inner cup 130. In this case, since the rinse liquid is prevented from being mixed into the chemical liquid to be collected, the chemical liquid having a high cleanliness can be circulated and supplied. Further, the rinse liquid drainage path 78 is connected to the inner cup 130, the chemical liquid recovery path 75 is connected to the outer chamber 46, the rinse liquid is discharged into the inner cup 130, and the chemical liquid is discharged to the outer chamber 46. Also good.
[0086]
As a second method of installing a coarse filter for removing large foreign matters upstream of the fine cleaning filter 81, the filter 80 and the filter 80 are cleaned by branching from a predetermined portion between the filter 80 and the liquid feed pump 77. An additional chemical solution recovery path connected to a predetermined portion between the filter 80 and the purification filter 81 is provided, and the filter 80 ′ is provided in the additional chemical solution recovery path, so that the filter 80 and the filter 80 ′ are disposed upstream of the cleaning filter 81. It is good also as a structure provided by branching in parallel. For example, as shown in FIG. 9, a switching on-off valve V11 is provided in the chemical liquid passage 75b instead of the on-off valve V1, a second chemical liquid passage 75g is connected to the switching on-off valve V11, and a state in which the chemical liquid flows through the chemical liquid passage 75b. It is possible to switch to a state of flowing through the second chemical liquid path 75g. A housing 75c ′ having the same configuration as the housing 75c is connected to the downstream end of the second chemical liquid passage 75g, and a filter 80 ′ having the same configuration as the filter 80 is installed inside the housing 75c ′. The second chemical liquid path 75h is connected to the second chemical liquid path 75h, and the downstream end of the second chemical liquid path 75h is connected to the chemical liquid path 75d via a switching on-off valve V12 provided in place of the on-off valve V2. That is, from the second chemical liquid path 75g, the housing 75c ′, and the second chemical liquid path 75h to the chemical liquid recovery path 75 including the chemical liquid path 75a, the chemical liquid path 75b, the housing 75c, the chemical liquid path 75d, the housing 75e, and the chemical liquid path 75f. A configured second chemical solution recovery path 75 ′ (additional chemical solution recovery path) is provided. In the second chemical solution recovery path 75 ′, a pressure sensor PS1 ′ is interposed in the second chemical liquid path 75g, and a lower filter discharge path 115a ′ and an upper filter discharge path 115b ′ are provided in the housing 75c ′. N on road 75h 2 N having the same configuration as the gas supply path 120 2 A gas supply path 120 'is provided. That is, the second chemical solution recovery path 75 ′ can clean the chemical solution in the same manner as the chemical solution recovery path 75, and the filter 80 ′ 2 It is cleaned by supplying gas. Note that two or more additional chemical recovery paths for providing a filter having the same configuration as the filter 80 may be provided.
[0087]
When the accumulated amount of foreign matter in the filter 80 increases and the filtration function is lowered, the chemical solution is passed through the filter 80 'by switching the on-off valve V1 to remove the foreign matter from the chemical solution. The chemical solution after removing the foreign matter is caused to flow from the chemical solution path 75d to the cleaning filter 81 by switching the switching on-off valve V11. Then, a filter cleaning process of the filter 80 is performed while the foreign matter is removed by the filter 80 ′. In this case, even if foreign matter accumulates in the filter 80 of the chemical solution recovery path 75, the chemical solution is switched so that it passes through the filter 80 ′ provided in the second chemical solution recovery path 75 ′. The liquid can continue. Further, the filter 80 in which foreign substances are accumulated can be washed while the liquid feeding is continued. Similarly, when the accumulated amount of foreign matter in the filter 80 ′ increases and the filtration function is lowered, the foreign matter in the chemical solution is removed by the filter 80, and the filter 80 ′ is cleaned. As described above, when foreign matter accumulates in one of the filters 80 and 80 ′ that are provided upstream of the cleaning filter 81 and easily accumulate foreign matter, the chemical solution is another chemical solution recovery path 75 or the second chemical solution recovery path 75. The filters 80 and 80 ′ in which foreign substances are accumulated can be washed while the processing is continued and the process is continued. That is, the removal of foreign substances in the chemical solution and the cleaning of the filter can be performed in parallel.
[0088]
Further, as a third method of installing a filter for removing large foreign substances upstream of the fine cleaning filter 81, a filter 80 and N are provided in each of the chemical liquid recovery path 75 and the second chemical liquid recovery path 75 ′. 2 A gas supply path 120, a lower filter discharge path 115a, and an upper filter discharge path 115b may be provided. For example, as shown in FIG. 10, a housing 75e ′ is connected to the downstream end of the second chemical liquid path 75h, a cleaning filter 81 ′ is installed inside the housing 75e ′, and a second chemical liquid path 75i is connected to the housing 75e ′. The downstream end of the second chemical liquid path 75i is connected to the chemical liquid path 75f via the switching on-off valve V13. That is, the second chemical solution path 75 ′ is constituted by the second chemical solution path 75g, the housing 75c ′, the second chemical liquid path 75h, the housing 75e ′, and the second chemical liquid path 75i. That is, a cleaning filter 81 ′ having the same configuration as that of the cleaning filter 81 is provided in parallel with the filter 80 and the cleaning filter 81, and a filter 80 ′ is further provided upstream of the cleaning filter 81 ′. Provide. The filter 80 ′ has the same configuration as that of the filter 80, and the cleaning filter 81 ′ has a configuration that achieves the cleanliness required for the chemical solution to be reused, like the cleaning filter 81. The second chemical solution recovery path 75 ′ includes a filter 80 ′ and the N described above. 2 A gas supply path 120 ′ and a cleaning filter 81 ′ are provided. Further, a lower filter discharge path 115a ′ and an upper filter discharge path 115b ′ are provided in a housing 75c ′ surrounding the filter 80 ′, and N is provided in the second chemical liquid path 75h. 2 N having the same configuration as the gas supply path 120 2 A gas supply path 120 ′ is provided. The cleaning filter 81 ′ is surrounded by a housing 75e ′ having the same configuration as the housing 75e. That is, the second chemical solution recovery path 75 ′ can clean the chemical solution in the same manner as the chemical solution recovery path 75, and the filter 80 ′ 2 It is cleaned by supplying gas. Also in this case, when the accumulated amount of foreign matter in the filter 80 ′ increases and the filtration function is lowered, the foreign matter in the chemical solution is removed by removing the foreign matter from the chemical solution by the filter 80 and cleaning the filter 80 ′. Removal and filter cleaning can be performed in parallel. Two or more chemical solution recovery paths for providing the filter 80 ′ and the cleaning filter 81 ′ may be provided.
[0089]
In the example of the embodiment of the present invention, the method of estimating the foreign matter accumulation state of the filter 80 by the pressure sensor PS1 and estimating the cleaning state of the filter 80 by the pressure sensor PS2 has been shown. Thus, it is possible to estimate the foreign matter accumulation state and the cleaning state from the measured values. For example, the values measured by the flow sensors FS1 and FS2 are transmitted to the control unit 200 as detection signals. During the removal of foreign substances from the chemical solution, if the amount of foreign matter accumulated in the filter 80 increases, the flow rate of the chemical solution measured by the flow sensor FS1 decreases. Therefore, the control unit 200 can estimate the accumulation state of the foreign matter captured by the filter 80 from the detection signal of the flow rate sensor FS1, and can determine to start the foreign matter separation of the filter 80. In the filter cleaning process, when the amount of accumulated foreign matter in the filter 80 increases, N measured by the flow sensor FS2 2 The gas flow rate increases. Therefore, the control unit 200 can estimate the separation state of the foreign matter on the filter 80 from the flow rate sensor FS2 and determine whether to finish the separation of the foreign matter on the filter 80.
[0090]
In the present embodiment, N 2 The gas supply path 120 is connected in the middle of the chemical liquid path 75d. 2 The gas supply path 120 is directly connected to the internal space of the filter 80, and N 2 Gas may be supplied directly to the internal space. Again, N 2 N flowing from the gas supply path 120 to the filter 80, the periphery of the filter 80 in the housing 75c, and the filter discharge path 115 2 A gas flow is formed, and a filter cleaning process for peeling and removing foreign matter from the filter 80 can be performed.
[0091]
The cleaning fluid for cleaning the filter 80 is N 2 In addition to gas, the same chemical solution as that passing through the filter 80 can be used. Further, as a cleaning fluid for cleaning the filter 80, pure water or an organic solvent containing IPA can be used.
[0092]
Further, a gas containing an organic solvent can be used as a cleaning fluid for cleaning the filter 80. A method and apparatus for producing a gas containing an organic solvent is shown in FIG. As shown in FIG. 14, an organic solvent solution is stored in a solvent tank 210, and N 2 Gas containing gas is discharged into the organic solvent solution in the solvent tank 210 through a supply path 211 such as a tube and the gas bubbles come into contact with the organic solvent solution, thereby generating a gas containing the organic solvent. . By cleaning the filter 80 using the gas containing the organic solvent, the organic solvent dissolves the foreign matter, and the gas can efficiently separate the foreign matter.
[0093]
A cleaning fluid supply path for supplying a cleaning fluid for cleaning the cleaning filter 81 and a discharge path for discharging foreign substances accumulated in the cleaning filter 81 and the cleaning fluid from the cleaning filter 81 are provided in the chemical path 75f. Also good. For example, N 2 It has the same configuration as the gas supply path 120, and N is used as a cleaning fluid. 2 A cleaning fluid supply path for supplying gas is connected to the chemical liquid path 75f, and N is provided downstream thereof in the same manner as the on-off valve V2. 2 An on-off valve is provided to allow gas to flow into the cylindrical filter member. Also, a discharge path having the same configuration as the upper filter discharge path 115b is provided, and N 2 A gas is blown to effectively remove foreign matters. In this case, since the foreign matter removing function is restored by washing the cleaning filter 81, the replacement frequency of the cleaning filter 81 can be reduced. Therefore, the throughput of the wafer W processing can be further improved.
[0094]
The accumulation state of the foreign matter captured by the filter 80 may be detected by using the color sensor 201a shown in FIG. When foreign matter mixed with the chemical solution is accumulated on the filter 80 in the resist film removal process, the foreign matter accumulated on the filter 80 is recognized as black. If the filter 80 before accumulation of foreign matter is made light color such as white, the accumulated state of foreign matter can be detected by detecting the black color of the foreign matter by the color sensor 201a. Therefore, the control unit 200 can estimate the accumulated state of foreign matter and the cleaning state of the filter 80 from this detection signal. Further, the accumulation state of the foreign matter may be inspected visually. In this case, it is desirable to provide a transparent window in the housing 75c surrounding the filter 80 so that foreign matter can be easily seen. Further, an inspection device for inspecting the processing state of the wafer W processed in the substrate processing unit 12 is installed, and an abnormality of the filter 80 is detected from the inspection result of the processing state of the wafer W by the inspection device, and foreign matter of the filter 80 is detected. The accumulation state may be estimated.
[0095]
The cleaning process of the filter 80 may be executed by setting in advance a time interval from the end of the filter cleaning process to the start of the next filter cleaning process. In this method, the timer 201c shown in FIG. 13 measures the time interval until the start of the filter cleaning process. When a predetermined time elapses, a signal is sent to the control unit 200, and the main controller 200a of the control unit 200 cleans the filter 80. A signal for instructing the start is output, and the block controller 200b is controlled to execute the sequence of the cleaning process. This method can be used when a plurality of wafers W are continuously processed at a predetermined time interval.
[0096]
Further, the cleaning process of the filter 80 may be executed every predetermined number of times by presetting the number of times the substrate processing unit 12 is processed, that is, the number of processed wafers W. In this method, the number of processed sheets of the filter 80 is counted by the counter 201b shown in FIG. 13, and when the predetermined number is reached, a signal is sent to the control unit 200, and the main controller 200a of the control unit 200 instructs the start of cleaning of the filter 80. The block controller 200b is controlled to execute the sequence of the cleaning process.
[0097]
The replacement of the filter 80 may be executed every predetermined number of times by presetting the number of times the filter 80 is cleaned. In this method, the counter 201b shown in FIG. 13 counts the number of times the filter 80 is washed. When the predetermined number of times is reached, a signal is sent to the control unit 200, and the main controller 200a of the control unit 200 instructs the replacement of the filter 80. Output a message. The message may be an announcement, an alarm, an indicator display, or the like.
[0098]
The ultrasonic vibrator 118 provided in the filter 80 may directly apply ultrasonic vibration to the filter 80. Also in this case, it is possible to effectively promote the separation of the foreign matter accumulated in the filter 80. Further, the ultrasonic transducer 118 may be provided in the housing 75c. For example, it is provided on the inner wall surface of the housing 75c. Also in this case, ultrasonic vibration can be applied to the foreign matter via the fluid in the housing 75c.
[0099]
Further, a sound wave vibrator having a frequency of 10 Hz to 100 Hz may be provided in the filter 80 instead of the ultrasonic vibrator. As in the case of the ultrasonic vibrator, the ultrasonic vibrator may be installed by various methods such as attaching to the ultrasonic vibrator filter 80 itself or the housing 75c.
[0100]
Further, a heater may be provided in the filter 80 instead of the ultrasonic vibrator. In this case, the foreign matter accumulated on the filter 80 is softened by the heat of the heater, and the foreign matter can be easily removed by the cleaning fluid.
[0101]
The filter 80 of the present invention is formed by a cylindrical filter member, and the cylindrical filter member can be formed in a replaceable cartridge. That is, the housing surrounding the filter 80 can be configured to be detachable, and the replaceable cartridge type filter 80 can be arranged inside the housing. Thus, the filter 80 can be replaced | exchanged very easily by making the filter 80 into a cartridge.
[0102]
Further, the cleaning filter 81 of the present invention can be provided inside the filter 80. In this case, both the filter 80 and the cleaning filter 81 are formed in a cylindrical filter member, and the cleaning filter 81 is provided inside the filter 80. The treatment liquid is allowed to pass from the outer periphery of the cylindrical filter member of the outer filter 80 to the inside, and then to pass from the outer periphery of the cylindrical filter member of the cleaning filter 81 to the inside. On the other hand, the cleaning fluid flows into the space between the filter 80 and the cleaning filter 81 and passes from the inside of the cylindrical filtration member of the filter 80 to the outer periphery. According to this method and configuration, the life of the cleaning filter 81 can be extended while having a compact configuration.
[0103]
The substrate processing apparatus of the present invention is not limited to the one that supplies a chemical solution for the resist film removal process, and performs various processes other than the resist film removal process on the substrate by using various other process liquids. It may be a substrate processing apparatus. For example, a substrate processing apparatus that performs polymer removal processing may be used. The substrate is not limited to a semiconductor wafer, but may be other LCD substrate glass, a CD substrate, a printed substrate, a ceramic substrate, or the like.
[0104]
【The invention's effect】
According to the present invention, even if the filter is clogged, foreign substances accumulated in the filter can be peeled off and washed. Therefore, the foreign matter removing function of the filter can be restored. It is possible to extend the life of a fine filter provided downstream thereof. In addition, it is possible to remove foreign substances in the processing liquid and clean the filter in parallel without interrupting the liquid feeding process.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view of a processing system.
FIG. 2 is a side view of the processing system.
FIG. 3 is a plan view of the substrate processing unit according to the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a circuit diagram in which a chemical solution circulates.
[Fig.5] Chemical recovery path, filter, housing, N 2 It is explanatory drawing of a gas supply path and a filter discharge path.
FIG. 6 is an explanatory diagram of a process of removing foreign substances in a chemical solution using a filter.
Fig. 7 N in the filter 2 It is explanatory drawing of the blow washing process which blows gas and discharges | emits a foreign material from the upper part of a housing.
FIG. 8 is an explanatory diagram of a step of discharging foreign matter from the lower part of the housing.
FIG. 9 is a schematic explanatory diagram when an additional chemical solution recovery path is provided and two filters are installed in parallel upstream of the cleaning filter.
FIG. 10 is a schematic explanatory diagram when two chemical solution recovery paths are provided, each provided with a cleaning filter, and a filter provided upstream of each cleaning filter.
FIG. 11 is an explanatory diagram of a process of discharging droplets in the inner cup to a mist trap when an inner cup is provided.
FIG. 12 is an explanatory diagram of a process of discharging droplets in the outer chamber to a mist trap when an inner cup is provided.
FIG. 13 is a configuration diagram of a control system.
FIG. 14 is a schematic explanatory view showing an apparatus and a method for generating a gas containing an organic solvent as a cleaning fluid.
[Explanation of symbols]
C career
FS1, FS2 flow sensor
PS1, PS2 pressure sensor
V1, V2, V3, V4, V5, V6, V7 On-off valve
W wafer
1 Processing system
2 processing section
3 carry-in / out section
5 Wafer transfer part
7 Wafer transfer equipment
12, 13, 14, 15 Substrate cleaning unit
18 Main wafer transfer device
34, 35, 36 Transfer arm
45 unit chamber
46 Outer chamber
60 Treatment liquid supply nozzle
71 Spin chuck
75 chemical recovery path
75 'Second chemical recovery path
75c housing
75e housing
76 Chemical tank
80 filters
81 Cleaning filter
115 Filter discharge path
115a Lower filter discharge path
115b Upper filter discharge path
120 N 2 Gas supply path
200 Control unit

Claims (22)

処理液によって基板を処理する基板処理部と，前記基板処理部から排出した処理液を通過させる処理液回収路を設けた基板処理装置において，
前記処理液回収路に，処理液に混合した異物を除去するフィルターと，前記フィルターよりも目の細かい追加フィルターを順に設け，
前記フィルターを洗浄する洗浄用流体を，前記フィルターと前記追加フィルターの間において前記処理液回収路に供給する洗浄用流体供給路と，前記フィルターから剥離した異物及び前記洗浄用流体を，前記基板処理部と前記フィルターの間において前記処理液回収路から排出する排出路を設けたことを特徴とする，基板処理装置。In a substrate processing apparatus provided with a substrate processing section for processing a substrate with a processing liquid and a processing liquid recovery path through which the processing liquid discharged from the substrate processing section passes.
In the treatment liquid recovery path, a filter for removing foreign matters mixed in the treatment liquid and an additional filter finer than the filter are sequentially provided,
A cleaning fluid supply path for supplying a cleaning fluid for cleaning the filter to the processing liquid recovery path between the filter and the additional filter, a foreign matter separated from the filter, and the cleaning fluid for the substrate processing A substrate processing apparatus , wherein a discharge path for discharging from the processing liquid recovery path is provided between a section and the filter . 処理液によって基板を処理する基板処理部と，前記基板処理部から排出した処理液を通過させる複数の処理液回収路を設けた基板処理装置において，
前記複数の処理液回収路の各々に，処理液に混合した異物を除去するフィルターと，前記フィルターよりも目の細かい追加フィルターを順に設け，
前記フィルターを洗浄する洗浄用流体を，前記フィルターと前記追加フィルターの間において前記処理液回収路に供給する洗浄用流体供給路と，前記フィルターから剥離した異物及び前記洗浄用流体を，前記基板処理部と前記フィルターの間において前記処理液回収路から排出する排出路を設けたことを特徴とする，基板処理装置。In a substrate processing apparatus provided with a substrate processing section for processing a substrate with a processing liquid, and a plurality of processing liquid recovery paths through which the processing liquid discharged from the substrate processing section passes.
In each of the plurality of treatment liquid recovery paths, a filter for removing foreign matters mixed in the treatment liquid and an additional filter finer than the filter are sequentially provided,
A cleaning fluid supply path for supplying a cleaning fluid for cleaning the filter to the processing liquid recovery path between the filter and the additional filter, a foreign matter separated from the filter, and the cleaning fluid for the substrate processing A substrate processing apparatus , wherein a discharge path for discharging from the processing liquid recovery path is provided between a section and the filter . 前記フィルターは筒型のろ過部材であって，The filter is a cylindrical filter member,
前記処理液は前記筒型のろ過部材の外周から内部へ通過し，  The treatment liquid passes from the outer periphery to the inside of the cylindrical filter member,
前記洗浄用流体は前記筒型のろ過部材の内部から外周へ通過することを特徴とする，請求項１又は２に記載の基板処理装置。  The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cleaning fluid passes from the inside to the outer periphery of the cylindrical filter member. 前記フィルターは筒型のろ過部材であって，The filter is a cylindrical filter member,
前記フィルターの内側に，前記フィルターよりも目の細かい筒型のろ過部材からなる前記追加フィルターを設け，  Provided on the inside of the filter is the additional filter made of a cylindrical filter member that is finer than the filter,
前記処理液は，外側の前記フィルターの筒型のろ過部材の外周から内部へ通過し，続いて前記追加フィルターの筒型のろ過部材の外周から内部へ通過し，  The treatment liquid passes from the outer periphery of the cylindrical filter member of the outer filter to the inner portion, and then passes from the outer periphery of the cylindrical filter member of the additional filter to the inner portion.
前記洗浄用流体は，外側の前記フィルターの筒型のろ過部材の内部から外周へ通過することを特徴とする，請求項１又は２に記載の基板処理装置。  The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the cleaning fluid passes from the inside to the outer periphery of a cylindrical filtration member of the outer filter. 前記フィルターの筒型のろ過部材は交換可能なカートリッジに形成されていることを特徴とする，請求項３又は４に記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the cylindrical filter member of the filter is formed in a replaceable cartridge. 前記フィルターの筒型のろ過部材を囲むハウジングの上部から異物及び前記洗浄用流体を排出する上部排出路と，前記ハウジングの下部から異物及び前記洗浄用流体を排出する下部排出路を設けたことを特徴とする，請求項３，４又は５に記載の基板処理装置。An upper discharge passage for discharging foreign matter and the cleaning fluid from an upper portion of a housing surrounding the cylindrical filter member of the filter, and a lower discharge passage for discharging foreign matter and the cleaning fluid from the lower portion of the housing are provided. The substrate processing apparatus according to claim 3, 4, or 5. 前記処理液回収路の前記フィルターの上流に，処理液をフィルターに送液する送液ポンプを設けたことを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a liquid supply pump for supplying a processing liquid to the filter is provided upstream of the filter in the processing liquid recovery path. 前記送液ポンプと前記フィルターとの間において処理液の圧力を計測する圧力センサー及び／又は処理液の流量を計測する流量センサーを設けたことを特徴とする，請求項７に記載の基板処理装置。8. The substrate processing apparatus according to claim 7, further comprising a pressure sensor for measuring a pressure of the processing liquid and / or a flow rate sensor for measuring a flow rate of the processing liquid between the liquid feeding pump and the filter. . 前記洗浄用流体供給路に圧力センサー及び／又は流量センサーを設けたことを特徴とする，請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a pressure sensor and / or a flow rate sensor is provided in the cleaning fluid supply path. 前記フィルターに超音波振動子又は周波数１０Ｈｚ〜１００Ｈｚの音波振動子を設けたことを特徴とする，請求項１〜９のいずれかに記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein an ultrasonic vibrator or a sound wave vibrator having a frequency of 10 Hz to 100 Hz is provided in the filter. 前記フィルターにヒーターを設けたことを特徴とする，請求項１〜１０のいずれかに記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a heater is provided in the filter. 前記フィルターにカラーセンサーを設けたことを特徴とする，請求項１〜１１のいずれかに記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the filter is provided with a color sensor. 前記フィルターを囲むハウジングに前記フィルターを目視確認するための窓を設けたことを特徴とする，請求項１〜１２のいずれかに記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a window for visually confirming the filter is provided in a housing surrounding the filter. 前記フィルターの洗浄工程を制御する制御部を有し，A control unit for controlling the cleaning process of the filter;
前記制御部は前記フィルターの洗浄を行った回数をカウントし，所定の回数に達したときは，前記フィルターを交換するメッセージを出力することを特徴とする，請求項１〜１３のいずれかに記載の基板処理装置。  The controller according to any one of claims 1 to 13, wherein the controller counts the number of times the filter has been washed, and outputs a message for replacing the filter when the predetermined number of times is reached. Substrate processing equipment. 前記制御部は，所定の時間が経過するごとに，前記フィルターの洗浄工程を開始することを特徴とする，請求項１４に記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 14, wherein the control unit starts a cleaning process of the filter every time a predetermined time elapses. 前記処理液回収路の前記フィルターの上流に，処理液をフィルターに送液する送液ポンプを設け，A liquid feed pump for feeding the treatment liquid to the filter is provided upstream of the filter in the treatment liquid recovery path,
前記処理液回収路の前記フィルターと前記送液ポンプとの間の所定部分から分岐し，前記処理液回収路の前記フィルターと前記追加フィルターとの間の所定部分に接続する少なくとも一つの追加の処理液回収路を設け，  At least one additional process branched from a predetermined part between the filter and the liquid feed pump in the processing liquid recovery path and connected to a predetermined part between the filter and the additional filter in the processing liquid recovery path Set up a liquid recovery path,
前記追加の処理液回収路に，処理液に混合した異物を除去するフィルターと，前記フィルターを洗浄する洗浄用流体を供給する洗浄用流体供給路と，前記フィルターから異物及び前記洗浄用流体を排出する排出路をそれぞれ設けたことを特徴とする，請求項１に記載の基板処理装置。  A filter for removing foreign matter mixed in the processing liquid, a cleaning fluid supply path for supplying a cleaning fluid for cleaning the filter, and a foreign matter and the cleaning fluid are discharged from the filter to the additional processing liquid recovery path. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a discharge path is provided. 処理液によって基板を処理し，処理後に排出される処理液をフィルターと，前記フィルターよりも目の細かい追加フィルターに順に通過させ，処理液中の異物を除去する基板処理方法において，In the substrate processing method of processing a substrate with a processing liquid, passing the processing liquid discharged after the processing through a filter and an additional filter finer than the filter in order, and removing foreign matters in the processing liquid,
前記フィルターが詰まった際に，前記フィルターのみに前記処理液が通過する方向と逆方向から洗浄用流体を通過させて異物を剥離させ，  When the filter is clogged, the cleaning fluid is allowed to pass through only the filter from the direction opposite to the direction in which the treatment liquid passes, and the foreign matter is peeled off.
前記追加フィルターが詰まった際に，前記追加フィルターを新しい追加フィルターと交換することを特徴とする，基板処理方法。  When the additional filter is clogged, the additional filter is replaced with a new additional filter. 前記フィルターを通過した洗浄用流体及び前記フィルターから剥離させた異物を，前記フィルターの上部から排出する工程と，前記フィルターの下部から排出する工程を有することを特徴とする，請求項１７に記載の基板処理方法。18. The method according to claim 17, further comprising a step of discharging the cleaning fluid that has passed through the filter and the foreign matter separated from the filter from an upper portion of the filter and a step of discharging the lower portion of the filter. Substrate processing method. 前記フィルターを通過した洗浄用流体及び前記フィルターから剥離させた異物を，前記フィルターを囲むハウジングの上部から排出する工程と，前記ハウジングの下部から排出する工程とを有し，A step of discharging the cleaning fluid that has passed through the filter and the foreign matter separated from the filter from an upper portion of the housing surrounding the filter, and a step of discharging from the lower portion of the housing;
前記ハウジングの下部から排出する工程においては，前記ハウジング内に処理液を送液することを特徴とする，請求項１７又は１８に記載の基板処理方法。  19. The substrate processing method according to claim 17, wherein in the step of discharging from the lower part of the housing, a processing liquid is fed into the housing. 前記フィルター通過前における処理液の圧力が上昇した際に，又は，処理液の流量が減少した際に，前記フィルターの異物剥離を開始することを特徴とする，請求項１７，１８又は１９に記載の基板処理方法。20. The foreign matter separation of the filter is started when the pressure of the processing liquid before passing through the filter increases or when the flow rate of the processing liquid decreases. Substrate processing method. 前記フィルター通過前における洗浄用流体の圧力が下降した際に，又は，洗浄用流体の流量が増大した際に，前記フィルターの異物剥離を停止することを特徴とする，請求項１７〜２０のいずれかに記載の基板処理方法。21. The foreign matter peeling of the filter is stopped when the pressure of the cleaning fluid before passing through the filter decreases or when the flow rate of the cleaning fluid increases. A substrate processing method according to claim 1. 前記洗浄用流体は，ＮThe cleaning fluid is N ２2 ，あるいはＩＰＡを含む有機溶剤，あるいは純水，あるいは有機溶剤を含んだ気体であることを特徴とする，請求項１７〜２１のいずれかに記載の基板処理方法。The substrate processing method according to claim 17, wherein the substrate processing method is an organic solvent containing IPA, pure water, or a gas containing an organic solvent.
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