JP4101695B2 - 加熱圧着用ツール及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 5
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims description 46
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 7
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 2
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000997 High-speed steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000181 anti-adherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000004021 metal welding Methods 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
本発明は、フリップチップと搭載基盤の圧着、液晶ドライバと液晶ガラス板の圧着など加熱圧着を行う際に使用する加熱圧着用ツール及びその製造方法に関し、詳しくは、その圧着面の改良に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
加熱圧着用ツールには、圧着面にダイヤモンド膜をコーティングしたものがあるが、従来の加熱圧着用ツールでは、耐熱性樹脂膜を形成したままの状態にて使用するために、平面度が充分でなく、また付着した溶融合金を除去する際の耐摩耗性は向上できるものの、根本原因である溶融合金の付着は防止することができず、加熱圧着用ツールの維持管理費が増大し、不経済なものとなる欠点があった。
また、特許文献1に示すように、圧着ツールの表面にフッ素樹脂コーティングを施して、半田などの溶融金属の付着を防止する技術が開示されている。しかし、コーティングされた圧着面は平面度が充分に高くなく、近年求められている高精度の圧着には不十分である。また、フッ素樹脂コーティング後のフッ素樹脂被膜の表面には、化学的に不安定な反応基を有するので金属溶着の対策を行わないと、半田などの溶融金属の付着を防止するには充分でなく、使用直後より溶着が目立つようになる。
【特許文献1】
特開平07−302818号公報
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記状況に鑑みてなされたもので、圧着面の平面度を上げるとともに、加熱時に半田や樹脂などとの溶着を防いだ加熱圧着用ツール及びその製造方法を提供し、加熱溶融接着の安定化、経済性の向上を図ることを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明に係る加熱圧着用ツールの構成は、フリップチップ上に配設された接続端子と基板とを接合する加熱圧着用ツールや、液晶ドライバと液晶ガラス板との接合に使用する加熱圧着用ツールなどにおいて、耐熱耐付着性樹脂膜を圧着ツールの圧着面に形成したことを特徴とするものである。本発明に係る加熱圧着用ツールは、シルク印刷技術などを用いて耐熱耐付着性樹脂膜を圧着ツールの圧着面に形成する加熱圧着用ツールであって、塗着したフッ素樹脂またはシリコン樹脂を固化し、その表面に加工を行ったことを特徴とするものである。
耐熱耐付着性の被膜は、溶融金属や樹脂と反応性が極めて小さく濡れない、本発明に示すフッ素樹脂またはシリコン樹脂のいずれかが最も適している。
また、本発明は形成された樹脂の表面を除去していることを特徴とする。除去することにより、被膜形成時の化学的に不安定な被膜表面の付着性反応基が除かれ、他の材料と付着しにくくなり、被膜の面状態を均一にすると共にその平面度を向上させることができる。ツールの平面度は接合加工の精度や、速度に直接影響するために、高ければ高いほどよい。また、被膜表面の除去方法としては水などの冷却媒体を被膜に吹き付けながらの平面研削、平面研磨すれば、付着性の反応基が被膜表面に形成されず好適である。
【0005】
さらに、その皮膜の面粗度は算術平均粗さがRa10μm以下(JIS規格1994年度版)である必要がある。面粗度がこれより粗ければ、被膜と溶融金属、樹脂との接触面積が大きくなり、溶融金属、樹脂が溶融、冷却の際に面の凹凸に合わせて変形して冷却ムラが起こりやすくなる。
【0006】
加熱圧着用ツールでは、圧着面に耐熱性樹脂膜が形成され、溶融金属や樹脂と濡れない性質が圧着作業面に生じることになり、圧着ツールの加熱圧着作業時、溶融金属や樹脂が圧着作業面に付着しなくなる。加熱圧着用ツールの製造方法では、シルク印刷技術を利用することによって、耐熱性樹脂膜が圧着ツールの所定の領域に、均一化された膜厚で形成される。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明の加熱圧着用ツールは表面の少なくとも圧着部にフッ素樹脂もしくはシリコン樹脂の耐熱性樹脂膜を有す。
フッ素樹脂は、ポリエチレンの分子構造における単量体であるエチレンの四つの水素が全部、または三つだけフッ素となるものである。従って、フッ素樹脂には、例えば、PTFE(ポリ4フッ化エチレン)も含まれる。
また、シリコン樹脂は樹脂や溶融金属などの融点以上(使用温度以上)での耐熱性を持つものであれば、その種類は特に問わない。
このように、圧着面にフッ素樹脂からなる耐熱耐付着性樹脂膜が形成された圧着ツールでは、圧着作業面に溶融金属をはじく性質が生じることになり、圧着ツールの加熱圧着作業時、溶融金属や樹脂が圧着作業面に付着しなくなる。
本発明に用いる耐熱耐付着性樹脂膜は、圧着ツール基材にプリント配線板などの製造に用いられるシルク印刷技術によって形成することができる。その後に加熱乾燥を行い固化させることにより、表面にフッ素樹脂を得ることができる。なお、耐熱耐付着性樹脂膜の形成方法としては、上述のシルク印刷技術による他、蒸着によって形成する方法などでであってもよく、その方法は問わない。
また、圧着ツールの基材としては、鉄材、ステンレス材料、窒化珪素、炭化珪素、窒化アルミ、酸化アルミ、酸化珪素など、用途に応じてさまざまな材料から選択することができ、それらを表面にコーティングした材料も同様に好適する。
次に、得られた耐熱耐付着性樹脂被膜表面に加工を加える。加工はダイヤモンド砥石などを用いた研削加工、セラミックスやダイヤモンドの砥粒を用いた砥粒加工などが好適し、その場合の平面度は従来のコーティングのみでは得られなかった圧着面に対して0.1μ以下も可能である。この加工により、本発明の加熱圧着用ツールは充分な平面度を得ることができ、より精密な接合に対応できる。
除去する厚さは0.05μm以上の必要がある。0.05μm未満であれば反応基が表面に残る可能性がある。
また、本発明に示す耐熱耐付着樹脂被膜が圧着面に形成された圧着ツールは、圧着作業面に半田などの溶融金属と濡れない性質が生じることになり、溶融金属が圧着作業面に付着しなくなる。
以下実施例により、より詳細に本発明を説明する。
【0008】
【実施例】
(実施例1)
窒化アルミを主原料とする、フリップチップ用圧着ツールに耐熱耐付着性樹脂被膜として、シルク印刷技術によってPFA(テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体)膜を形成した。その後に50℃の大気中にて加熱乾燥を行い固化させることにより表面にPFA膜を得ることができた。膜の厚さは約30μmであった。
次に、得られた耐熱耐付着樹脂被膜表面に加工を加えた。加工はカップ形状のダイヤモンド砥石を有す平面研削盤で行い、砥石は#1000番のものを用いた。研削加工後に膜厚を測定したところ、約20μmであった。
この圧着ツールを、フリップチップ用圧着ツールに装着し稼働し、温度を250℃まで上げた状態で加熱圧着したところ、平面度が高いために良好な接合を行うことができた。加熱圧着した面は、算術平均粗さがRa0.3μmであり平面度は圧着面の8mm×8mmの大きさに対して0.02μmであった。また、使用時の半田の溶着も全く起きなかった。
【0009】
(比較例1)
実施例1と同様にして圧着ツール試料を作製し、PFA膜表面の加工は行わなかった。
実施例1と同様の実験を行った結果、面粗さは算術平均粗さRa1.0μmと良好であったが、平面度は22μmであり、圧着面に均等に圧力を加えることはできず、精度の高い圧着はできなかった。
【0010】
(比較例2)
実施例1と同様の試料にPFAの膜を形成していない試料を作製した。
窒化アルミ部の加工により、平面度は0.05μmと優れていたが、接合の際に半田がツールの圧着面に付着し、頻繁に除去する必要が生じた。
【0011】
(比較例3)
実施例1と同様にして圧着ツール試料を作製し、PFA膜表面の加工を高速度鋼製のスローアウェーチップを複数装着したフライス盤にて行なった。
実施例1と同様の実験を行った結果、面粗さは算術平均粗さRa12μmと粗い面であった。圧着面に均等に圧力を加えることはできず、その結果、精度の高い圧着はできなかった。
【0012】
(実施例2)
窒化珪素を主原料とする、液晶ドライバ用圧着ツールに、耐熱耐溶着樹脂被膜としてPTFE(ポリ4フッ化エチレン)の蒸着膜を形成した。その後に80℃の大気中にて加熱乾燥を行い固化させることにより表面にPTFE膜を得ることができた。膜の厚さは約10μmであった。
次に、得られたPTFE膜に加工を加えた。加工は炭化珪素砥粒にて砥粒研削を行った。研削加工後に膜厚を測定したところ、約5μmであった。
この圧着ツールを、液晶ドライバ用圧着ツールとして装着し、温度を265℃まで上げた状態で、液晶ドライバとガラス基板を両者間の半田により加圧圧着したところ、圧着ツール平面度が高いために良好な接合を行うことができた。面粗さは算術平均粗さRa0.6μmと良好であり、また、平面度は圧着面の50mm×3mmの大きさに対して2.0μmとやはり良好であった。
使用時のPTFEの溶着も全く起きなかった。
【0013】
(実施例3)
窒化珪素を主原料とするACF(異方導電性フィルム)貼り付け用圧着ツールに、耐熱耐付着性樹脂被膜としてシリコン樹脂の蒸着膜を形成した。その後に50℃の大気中にて加熱乾燥を行い固化させることにより表面にシリコン樹脂膜を得ることができた。膜の厚さは約10μmであった。
次に、得られたシリコン樹脂膜に加工を加えた。加工は炭化珪素砥粒にて砥粒研削を行った。研削加工後に膜厚を測定したところ、約5μmであった。
この圧着ツールを、ACFをガラス基板に貼り付けるための圧着ツールとして装着し、温度を200℃まで上げた状態で、ACFを融かし、ガラス基板と加熱圧着したところ、平面度が高いために良好な接合を行うことができた。平面度は圧着面の50mm×3mmの大きさに対して2.5μmであった。算術平均粗さはRa0.02μmと良好であり、また、圧着ツールへのACFの溶着も全く起きなかった。
【0014】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明に係る加熱圧着用ツールによれば、平面度が極めて高く、精密な接合が可能であり、また、従来のフッ素樹脂被膜を有する加熱圧着用ツールと比較しても、溶融金属や樹脂が圧着作業面に付着しないので、圧着作業面と半導体素子との平行度が良好であり、押圧力が均一に作用し、加熱溶融接着を安定化させることができる。
この技術は特にフリップチップの基板への接合や、ACFの圧着、液晶ドライバの接合などに好適する。
Claims (2)
- 部品を加熱圧着するための圧着面と、その圧着面を加熱するための加熱部とを有する加熱圧着用ツールにおいて、
その圧着面に表面の付着性反応基を有する層が除かれた耐熱耐付着性のフッ素樹脂またはシリコン樹脂のいずれかの皮膜を有し、
その皮膜の算術平均面粗さがRa10μm以下であることを特徴とする加熱圧着用ツール。 - 部品を圧着するための圧着面と、その圧着面を加熱するための加熱部とを有する加熱圧着ツールの圧着面に耐熱耐付着性のフッ素樹脂またはシリコン樹脂を被覆した後、平面研削または平面研磨によりその表面層を少なくとも0.05μm以上除去し、その算術平均面粗さをRa10μm以下にすることを特徴とする加熱圧着用ツールの製造方法。
以上
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003127700A JP4101695B2 (ja) | 2003-05-06 | 2003-05-06 | 加熱圧着用ツール及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003127700A JP4101695B2 (ja) | 2003-05-06 | 2003-05-06 | 加熱圧着用ツール及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004335627A JP2004335627A (ja) | 2004-11-25 |
| JP4101695B2 true JP4101695B2 (ja) | 2008-06-18 |
Family
ID=33504105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003127700A Expired - Fee Related JP4101695B2 (ja) | 2003-05-06 | 2003-05-06 | 加熱圧着用ツール及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4101695B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN119768904A (zh) * | 2022-09-20 | 2025-04-04 | 株式会社村田制作所 | 压制头、压制装置、半导体制造装置以及电子部件制造装置 |
-
2003
- 2003-05-06 JP JP2003127700A patent/JP4101695B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004335627A (ja) | 2004-11-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071130 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080311 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080319 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120328 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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