JP4105537B2 - エレクトロクロミック素子 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、エレクトロクロミック（以下「ＥＣ」）素子に関し、酸化発色層をニッケル酸化物を含有する材料で構成し、電解質層を固体電解質で構成した場合の、着消色の繰り返しによる特性劣化を抑制したものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＥＣ素子は、ＥＣ現象を利用して着色、消色を可逆的に行う素子であって、防眩ミラー、調光ガラス、表示素子等に利用される。従来のＥＣ素子の積層断面構造例を図２に示す。これは素子全体を透明に構成したものである。透明ガラス基板１０の上に下部電極膜を構成するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極膜１２が成膜され、その上に、酸化発色層を構成する酸化イリジウム・酸化スズ混合膜１４、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜１６、還元発色層を構成する酸化タングステン膜１８、上部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜２０が順次積層成膜されている。下部ＩＴＯ透明電極膜１２の一端部には予めレーザエッチングにより分割線２２が形成されて、該一端部の領域１２ａが電気的に分離されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の一端部はこの下部ＩＴＯ透明電極膜１２の分離された領域１２ａに電気的に接続されている。基板１０の両端部には、電極取り出し用クリップ電極２４，２６が装着されている。クリップ電極２４は下部ＩＴＯ透明電極膜１２に電気的に接続され、クリップ電極２６は上部ＩＴＯ透明電極膜２０に電気的に接続されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の上には透明封止樹脂２８が塗布され、そこに透明封止部材３０として透明ガラス板が接着され、積層膜全体が封止されている。以上の構成によれば、クリップ電極２４側を正極性、クリップ電極２６側を負極性にして電圧を印加すると酸化発色層１４および還元発色層１８がともに着色し、逆電圧を印加する（あるいは短絡する）と両発色層１４，１８がともに消色する。
【０００３】
前記従来のＥＣ素子における酸化イリジウム・酸化スズ混合膜１４および酸化タングステン膜１８の着色時色はともに青色であり、素子全体としての着色時色も青色であった。このため、色を重視する（つまり、該ＥＣ素子を通して得られる影像に色相の変化が生じることを嫌う）用途には使用することができなかった。例えば、現行のデジタルカメラは、ＮＤ（Ｎｅｕｔｒａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）フィルタを内蔵し、入射光量が大きいときに、該ＮＤフィルタをモータ駆動でＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）等の撮像素子の前面に移動させて減光するように構成されている。このＮＤフィルタをＥＣ素子で置き換えて減光できれば、モータ駆動が不要となるので、デジタルカメラの小型化および省電力化が図れる。ところが、前記従来のＥＣ素子は着色時色が青色で、撮られた像の色も青みがかり、ホワイトバランスも取り難いため、このＥＣ素子をＮＤフィルタの代わりに使うことはできなかった。
【０００４】
本出願人は、上述の点に鑑みて、灰色の着色時色（着色時の色）を実現したＥＣ素子を特願２００２−２５１８５６にて提案した。その技術について、該特許出願の明細書および図面の記載を引用して説明する。該特許出願に開示されているＥＣ素子を図３に示す。図２の従来構造と共通する部分には同一の符号を用いる。透明ガラス基板１０の上に下部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜１２が成膜され、その上に、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜１６、還元発色層を構成する酸化タングステンと酸化チタンの混合膜３４、上部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜２０が順次積層成膜されている。下部ＩＴＯ透明電極膜１２の一端部には予めレーザエッチングにより分割線２２が形成されて、該一端部の領域１２ａが電気的に分離されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の一端部はこの下部ＩＴＯ透明電極膜１２の分離された領域１２ａに電気的に接続されている。基板１０の両端部には、電極取り出し用クリップ電極２４，２６が装着されている。クリップ電極２４は下部ＩＴＯ透明電極膜１２に電気的に接続され、クリップ電極２６は上部ＩＴＯ透明電極膜２０に電気的に接続されている。上部ＩＴＯ透明電極膜１２の上には透明液状封止樹脂２８が塗布され、そこに透明封止部材３０として透明ガラス板が接着され、該液状封止樹脂２８が硬化されて、積層膜全体を封止している。以上の構成により、図３のＥＣ素子は全体が厚み方向に透明に構成されている。
【０００５】
図３のＥＣ素子によれば、クリップ電極２４側を正極性、クリップ電極２６側を負極性にして電圧を印加すると酸化発色層３２および還元発色層３４がともに着色し、逆電圧を印加する（あるいは短絡する）と両発色層３２，３４がともに消色する。着色および消色時の各層の化学反応は例えば次式のとおりである。
【化６】
【０００６】
図３のＥＣ素子の製造工程の一例を順を追って説明する。
（１）ＩＴＯ透明電極膜１２が成膜された透明ガラス基板１０を用意し、所望の形状にカットする。あるいは、所望の形状にカットされた透明ガラス基板１０を用意し、ＩＴＯ透明電極膜１２を成膜する。
（２）透明ガラス基板１０をレーザエッチングして分割線２２を形成する。
（３）基板１０を真空蒸着装置の真空チャンバー内に収容し、ＮｉＯまたはＮｉを蒸着材料（出発材料）とする真空蒸着法により、ニッケル酸化物膜３２を成膜する。Ｎｉを蒸着材料とする場合は、蒸発したＮｉが真空チャンバー内の酸素と化合してニッケル酸化物となる。
（４）続けて、Ｔａ２Ｏ５を蒸着材料とする真空蒸着法（正確には、高周波を印加したイオンプレーティング法）により、酸化タンタル膜１６を成膜する。
（５）続けて、ＷＯ３およびＴｉＯ２をそれぞれ蒸着材料とする二元真空蒸着法により、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４を成膜する。この二元真空蒸着を行う際の真空蒸着装置内における各要素の配置例を図４に示す。回転する基板ホルダ１１の下面には酸化タンタル膜１６まで成膜された複数の基板１０が成膜面を下に向けて保持されている。基板ホルダ１１の下方には、るつぼ１３，１５が配置されている。るつぼ１３には、蒸着材料１７としてＷＯ３が収容されている。るつぼ１５には、蒸着材料１９としてＴｉＯ２が収容されている。蒸着材料１７，１９は電子ビーム２１，２３が当てられてそれぞれ加熱され、蒸発する。蒸発した蒸着材料１７，１９は上昇し、混合されて基板１０に堆積し、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４を形成する。るつぼ１３，１５の斜め上方には、膜厚計として水晶振動子２５，２７がそれぞれ配置されている。水晶振動子２５の振動周波数の変化により、蒸着材料１７の蒸発速度が監視される。水晶振動子２７の振動周波数の変化により、蒸着材料１９の蒸発速度が監視される。これら監視される蒸発材料１７，１９の蒸発速度に応じて電子ビーム２１，２３の出力を調整することにより、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４の酸化タングステンと酸化チタンの混合比が所定値に調整される。なお、以上の一連の成膜工程（３）〜（５）は、基板１０を基板ホルダ１１に保持したまま真空チャンバーの外に取り出さずに、蒸発源および成膜条件を順次切り換えながら連続的にして行うことができる。
（６）基板１０を真空チャンバーから一旦取り出し、マスクパターンを換えて再び真空チャンバー内に収容し、ＩＴＯを蒸着材料とする真空蒸着法（正確には、高周波を印加したイオンプレーティング法）により、上部ＩＴＯ透明電極膜２０を成膜する。なお、以上の成膜工程（３）〜（６）のうち、工程（４）の酸化タンタル膜１６の成膜を６００Ｗの高周波を印加したイオンプレーティング法により行い、工程（６）の上部ＩＴＯ透明電極膜２０を４００Ｗの高周波を印加したイオンプレーティング法により行った。他の工程（３）、（５）は、高周波を印加しないで行った。なお、工程（３）のニッケル酸化物膜３２の成膜を、ＮｉＯペレットを出発材料として高周波を印加したイオンプレーティング法により行ったところ、初めから着色したニッケル酸化物膜が成膜された。しかし、ＥＣ素子として完成した後に消色電圧を印加したところ、きれいに消色し、特性的にも高周波を印加しないで作製したものと同等の特性を示した。したがって、工程（３）のニッケル酸化物膜３２の成膜は高周波を印加して行うこともできる。
（７）成膜工程が終了したら、基板１０を真空チャンバーから取り出し、クリップ電極２４，２６を装着する。
（８）透明液状封止樹脂２８を塗布し、封止部材３０として透明ガラス板を接着し、該液状封止樹脂２８を硬化させて完成する。
【０００７】
以上の製造工程により製造した図３のＥＣ素子の測定特性を説明する。なお、この測定では、約４ｃｍ角のサンプルを使用した。各層の膜厚は、ＩＴＯ透明電極膜１２：約２５０ｎｍ、ニッケル酸化物膜３２：約１００ｎｍ、酸化タンタル膜１６：約６００ｎｍ、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４：約５００ｎｍ、ＩＴＯ透明電極膜２０：約２５０ｎｍとした。また、ニッケル酸化物膜３２、酸化タンタル膜１６、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４の成膜条件は次のとおりとした。ニッケル酸化物膜３２は、純度９９．９％以上のＮｉＯを蒸着材料として使用し、基板温度１２０℃、酸素分圧３×１０−４Ｔｏｒｒ、成膜速度０．７５ｎｍ／秒で成膜した。酸化タンタル膜１６は、純度９９．９％以上のＴａ２Ｏ５を蒸着材料として使用し、基板温度１２０℃、酸素分圧３×１０−４Ｔｏｒｒ、成膜速度０．６７ｎｍ／秒で成膜した。酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４は、いずれも純度９９．９％以上のＷＯ３、ＴｉＯ２を蒸着材料として使用し、基板温度１２０℃、酸素分圧１．６×１０−４Ｔｏｒｒで成膜した。なお、ＷＯ３とＴｉＯ２の蒸発速度比は実現しようとする酸化タングステンと酸化チタンの混合比に応じて設定する。例えば、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４に含まれるタングステン原子とチタン原子の原子数の合計値に対するチタン原子数の割合（ａｔ％：原子百分率）をＷ：Ｔｉ＝７２：２８とする混合比に設定する場合は、ＷＯ３とＴｉＯ２の蒸発速度比（水晶振動子２５，２７で計測される膜厚増大速度比）を約３：２に設定した。
【０００８】
製造されたＥＣ素子のニッケル酸化物膜３２は結晶（多結晶）であった。酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４はアモルファスであった。ＮｉＯの蒸着過程でＮｉＯの一部が他のニッケル酸化物｛Ｎｉ（ＯＨ）２，Ｎｉ２Ｏ３，ＮｉＯＯＨ等｝に変化している可能性があるが、いずれにしてもニッケル酸化物膜３２はＮｉＯが主成分であると考えられる。同様に、ＷＯ３およびＴｉＯ２の二元蒸着過程でＷＯ３の一部が他の酸化タングステン（タングステン酸化物）に変化し、ＴｉＯ２の一部が他の酸化チタン（チタン酸化物）に変化している可能性があるが、いずれにしても酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４はＷＯ３・ＴｉＯ２混合物が主成分であると考えられる。なお、ニッケル酸化物膜３２は、結晶、微結晶、アモルファスのいずれの状態であってもＥＣ現象を呈するものと考えられる。酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４は結晶化させると着消色の効率が下がるので、アモルファスが望ましいと考えられる。
【０００９】
図３のＥＣ素子において還元発色層３４の酸化タングステンと酸化チタンの混合比を様々に変化させた場合の分光透過率特性を図５に示す。図５に示されているＴｉの比率の数値（ａｔ％）は、Ｘ線光電子分光法（ＥＳＣＡ）で測定される、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４に含まれるタングステン原子とチタン原子の原子数の合計値に対するチタン原子数の割合を示したものである。なお、図５の測定では、着色時は、印加電圧を２．０Ｖとし、９０秒印加した後の特性を測定した。また、消色時は、消色電圧を−２．０Ｖとし、９０秒印加した後の特性を測定した。図５によれば、着色時は酸化タングステンと酸化チタンの混合比によって分光特性の特に長波長側が変化し、ＴｉＯ２が少なくなるほど長波長側のレベルが下がって青みが強くなり、ＴｉＯ２が多くなるほど長波長側のレベルが上がって青みが少なくなってくることがわかる。そして、チタン原子数の比率が５〜４０ａｔ％（つまり、ＷとＴｉの原子数の比率が、Ｗ：Ｔｉ＝９５：５乃至６０：４０）の範囲では灰色を示した。特に、チタン原子数の比率が２０〜３０ａｔ％（つまり、ＷとＴｉの原子数の比率が、Ｗ：Ｔｉ＝８０：２０乃至７０：３０）の範囲で分光特性が可視領域（４００〜８００ｎｍ）で平坦に近くなり、ほぼ純粋な灰色が得られた。なお、消色時はＴｉＯ２の混合比による分光特性の違いは少なく、人間の視感度のピーク位置（波長５５０ｎｍ）での透過率はいずれも８０％以上（可視光域全体での平均透過率は約８０％）得られ、無彩色でほぼ透明の透過色が得られた。
【００１０】
次に、図３のＥＣ素子において着色電圧を様々に変化させた場合の分光透過率特性および消色電圧を印加したときの分光透過率特性を図６に示す。なお、図６の測定では、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４に含まれるチタン原子数の比率を２８ａｔ％（ＷとＴｉの原子数の比率が、Ｗ：Ｔｉ＝７２：２８）とした。また、着色時は、着色電圧を９０秒印加した後の特性を測定した。消色時は、消色電圧を−１．５Ｖとし、９０秒印加した後の特性を測定した。図６によれば、着色時は、着色電圧が高いほど透過率が低くなりかつ特性が可視領域で平坦になって青みが少なくなってくることがわかる。そして、着色電圧が１．７５Ｖより高くなると濃い着色時色が得られた。特に、着色電圧が２Ｖ以上では、透過率が可視領域のほぼ全域で１０％近くまたはそれ以下まで下がり、特性がより平坦化されて、ほぼ純粋な灰色が得られた。したがって、着色時の印加電圧のピーク値は、１．７５Ｖ以上、より好ましくは２Ｖ以上で、耐圧以下とするのが望ましい。消色時の特性も、可視領域で比較的平坦であり、無彩色でほぼ透明の透過色が得られた。消色時の透過率は人間の視感度のピーク位置で８０％以上得られた。
【００１１】
なお、その後の実験によれば、着色時の印加電圧のピーク値は３Ｖ以下とするのが望ましいことがわかった。すなわち、３Ｖ以上では、着消色の繰り返しに対する耐久性が低下した。また、以上は両電極ともＩＴＯ透明電極膜を使用した透過型素子（厚み方向に透明に構成されているＥＣ素子）の場合であって、一方の電極にＩＴＯ透明電極膜を使用し他方の電極に電極兼用反射膜を使用した反射型素子（ミラーとして構成されているＥＣ素子）の場合は着色時の印加電圧のピーク値は透過型素子の場合よりも低くすることが望ましいことがわかった。すなわち、電極兼用反射膜を形成した反射型素子の場合は、着色時の印加電圧を２Ｖとしたところ、数十回の着消色で壊れてしまった。その原因は現時点では明らかではないが、ＩＴＯ透明電極膜に比べて電極兼用反射膜（Ａｌ膜）は電気抵抗が低いため、ＥＣ膜自体にかかる電圧が高くなることが１つの原因として推測される。実験によれば、電極兼用反射膜（Ａｌ膜）を使用した反射型素子の場合、着色時の印加電圧のピーク値は、１Ｖ以上、１．８Ｖ以下が望ましいことがわかった。
【００１２】
次に、図３のＥＣ素子において着色電圧を様々に変化させた場合の着色時の応答速度特性を図７に示す。なお、図７の測定では、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４に含まれるチタン原子数の比率を２８ａｔ％とした。また、透過率は人間の視感度のピーク位置（波長５５０ｎｍ）での値を測定した。図７によれば、応答速度特性は素子の面積によって異なり、素子面積が小さいほど速く、素子面積が大きいほど遅くなる。カメラ用露出調整素子として使用する場合は、素子面積は比較的小面積で済み、１．７５Ｖ以上の着色電圧であれば、比較的瞬時に濃い着色濃度まで到達する。
【００１３】
次に、図３のＥＣ素子と図２の従来のＥＣ素子の分光透過率特性の違いを図８に示す。なお、図８の測定では、図３のＥＣ素子は、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４に含まれるチタン原子数の比率を２８ａｔ％とした。着色電圧は、図３のＥＣ素子は２．０Ｖ、図２の従来のＥＣ素子は１．５Ｖとし、いずれも３０秒印加した。消色電圧は、いずれも−１．５Ｖとし、３０秒印加した。図８によれば、着色時の透過色は、図２の従来のＥＣ素子は青みが非常に強いのに対し、図３のＥＣ素子は特性が可視領域で平坦で、灰色が得られた。また、消色時の透過色は、図２の従来のＥＣ素子は、黄色付近のレベルが高いので、黄色みがかった色となるのに対し、図３のＥＣ素子は無彩色でほぼ透明であった。また、図３のＥＣ素子は、着色時の透過率が可視領域のほぼ全域で約２０％、消色時の透過率が人間の視感度のピーク位置で約８０％であった。この透過率８０％という数値は、図２の従来のＥＣ素子に比べて高く、見た目にも該従来のＥＣ素子に比べて透明度が高かった。
【００１４】
なお、図２の従来構造において、酸化発色層１４の材料をニッケル酸化物（ＮｉＯが主成分）に変えただけでは灰色の着色時色は得られなかった。また、還元発色層１８の材料を酸化タングステン・酸化チタン混合物（ＷＯ３・ＴｉＯ２混合物が主成分）に変えただけでも灰色の着色時色は得られなかった。酸化発色層１４の材料をニッケル酸化物（ＮｉＯが主成分）に変え、かつ還元発色層１８の材料を酸化タングステン・酸化チタン混合物（ＷＯ３・ＴｉＯ２混合物が主成分）に変えたら、灰色の着色時色が得られた。
【００１５】
以上のように、図３のＥＣ素子は、着色時には灰色の透過色が得られ、消色時には無彩色でほぼ透明の透過色が得られるので、ＥＣ素子を通して得られる影像に色相の変化が生じることを嫌う用途に特に好適である。図３のＥＣ素子をデジタルカメラ（スチルカメラ、ビデオカメラ等）に使用する場合の光学系の主要部の配置例を図９に模式的に示す。レンズ３６からＣＣＤ等の撮像素子４２に至る光軸上に、モータ駆動によるメカ式絞り３８および図３のＥＣ素子によるＮＤフィルタ４０が順次配列されている。ＥＣ素子ＮＤフィルタ４０は固定的に配置されている。別途搭載されている測光素子で測光される被写体の輝度が所定値以内のときはＥＣ素子ＮＤフィルタ４０は消色されている。消色時はＥＣ素子ＮＤフィルタ４０の可視光域平均透過率が約８０％あるので、露出不足となることはない。また、透過色は無彩色でほぼ透明なので、撮影された画像が青みがかることはなく、ホワイトバランスも取り易い。被写体輝度が所定値よりも大きくなり、絞り３８では適切な露出調整ができなくなると、ＥＣ素子ＮＤフィルタ４０に所定の着色電圧（例えば２．０Ｖ）を印加し着色状態にして減光する。着色時はＥＣ素子ＮＤフィルタ４０の可視光域平均透過率が約２０％であり、十分に減光することができる。また、透過色は灰色なので色再現性がよく、撮影された画像が青みがかることはない。その後被写体輝度が所定値よりも低下したら、ＥＣ素子ＮＤフィルタ４０に所定の消色電圧を印加（または両電極間を短絡）して、消色状態にする。このように、従来のモータ駆動式ＮＤフィルタをＥＣ素子ＮＤフィルタ４０で置き換えることにより、メカ構成が簡単になり、カメラの小型化、デザイン性向上、軽量化が図れる。また、モータ駆動が不要なので、省電力化が図れる。また、ＥＣ素子ＮＤフィルタ４０は着脱が不要であり、着脱操作の手間がかからない。また、ＥＣ素子ＮＤフィルタ４０は１眼レフカメラにも内蔵することができる。また、ＥＣ素子ＮＤフィルタ４０は全固体型なので、破損した場合の液の漏出等の問題がない。
【００１６】
なお、以上の例ではＥＣ素子ＮＤフィルタ４０の着色量の調整を着色、消色の１段階（オン／オフ）切り換え式にしたが、着色電圧の調整により２段階以上の切り換え式あるいは無段階切り換え式にして、着色量を２段階以上または無段階に調整する（着色電圧のピーク値を、例えば１．７５Ｖ以上、より好ましくは２Ｖ以上、３Ｖ以下とする。）こともできる。そしてそのように構成した場合は、ＥＣ素子ＮＤフィルタ４０で絞りの機能を兼ねてメカ式絞り３８を無くすことも可能になり、メカ構成をより簡単にすることができる。
【００１７】
なお、図３のＥＣ素子はデジタルカメラだけでなくフィルム式カメラの露出調整素子として用いることもできる。また、図３のＥＣ素子は、サングラス、調光ガラス、サンルーフ等に用いることもできる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者のその後の研究によれば、特願２００２−２５１８５６に開示のＥＣ素子が、着消色を繰り返すと比較的早期に着色が薄くなるとともに応答性が劣化することがわかった。この着消色の繰り返しによる特性劣化が、どのような化学反応に基づいて生じているかは定かでないが、ニッケル酸化物と固体電解質の界面で、ニッケル酸化物または固体電解質に何らかの劣化が生じているものと考えられる。
【００１９】
この発明は、上述の点に鑑みてなされたもので、酸化発色層をニッケル酸化物で構成し電解質を固体電解質で構成したＥＣ素子において、着消色の繰り返しに対する耐久性を向上させることを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
この発明は、特願２００２−２５１８５６に開示のＥＣ素子について、着消色の繰り返しに対する耐久性を向上させることができるものである。すなわち、この発明は、還元発色層と酸化発色層を固体電解質層を挟んで対向配置した構造を有するＥＣ素子において、前記還元発色層が酸化タングステンと酸化チタンを含有する材料で構成され、前記酸化発色層がニッケル酸化物を含有する材料で構成され、前記酸化発色層と前記固体電解質層との間に、ニッケル酸化物以外の金属酸化物もしくは金属、またはニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物（ニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属の積層体、混合物等）を主成分として構成される透明性を有する中間層を配置してなり、着色時の色が灰色（分光特性が可視光域でほぼ平坦な純粋な灰色に限らず、人間の目で見て灰色と認識できる程度のものを含む。この明細書全体を通じて同じ。）を呈するものである。この発明によれば、還元発色層を酸化タングステンと酸化チタンを含有する材料で構成し、酸化発色層をニッケル酸化物を含有する材料で構成することにより、灰色の着色時色が得られる。また、無彩色（分光特性が可視光域でほぼ平坦な純粋な無彩色に限らず、人間の目で見て無彩色と認識できる程度のものを含む。この明細書全体を通じて同じ。）でほぼ透明な消色時色（消色時の色）も容易に得られる。また、中間層を設けることにより、中間層がない場合に比べて着消色の繰り返しに対する耐久性を向上させることができる。これは、中間層を設けることにより、酸化発色層と固体電解質層との間の直接的なイオンのやりとりが妨げられたことによるものと推測される。
【００２１】
この発明は、２枚の板材の間に、第１の電極層、還元発色層、固体電解質層、酸化発色層、第２の電極層を積層配置し、前記２枚の板材および前記２層の電極層のうち、少なくとも一方側の板材および電極層の組み合わせが透明に構成されているＥＣ素子において、前記還元発色層が酸化タングステンと酸化チタンを含有する材料で構成され、前記酸化発色層がニッケル酸化物を含有する材料で構成され、前記酸化発色層と前記固体電解質層との間に、ニッケル酸化物以外の金属酸化物もしくは金属、またはニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物を主成分として構成される透明性を有する中間層を配置してなり、着色時の色が灰色を呈するものである。このＥＣ素子は、例えば、前記２枚の板材および前記２層の電極層をいずれも透明に構成し、素子全体を厚み方向に透明に構成して、デジタルカメラの撮像素子の光軸上に配置する露出調整素子として構成することができる。また、前記２枚の板材および前記２層の電極層のうち、一方側の板材および電極層の組み合わせを透明に構成し、他方側の電極層を金属反射膜で構成して、反射率可変ミラーを構成することができる。
【００２２】
この発明は、基材と、該基材の上に固定形成された第１の電極層と、該第１の電極膜の上に固定形成された酸化または還元発色層と、該酸化または還元発色層の上に固定形成された固体電解質層と、該固体電解質層の上に固定形成された還元または酸化発色層と、該還元または酸化発色層の上に固定形成された第２の電極層とを具備し、前記第１、第２の電極層の少なくとも一方が透明に構成されているＥＣ素子において、前記還元発色層が酸化タングステンと酸化チタンを含有する材料で構成され、前記酸化発色層がニッケル酸化物を含有する材料で構成され、前記酸化発色層と前記固体電解質層との間に、ニッケル酸化物以外の金属酸化物もしくは金属、またはニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物で構成される透明性を有する中間層を配置してなり、着色時の色が灰色を呈するものである。これによれば、着消色の繰り返しに対する耐久性を向上させた全固体型ＥＣ素子が構成される。固体電解質層は無機材料で構成する場合は、例えばＴａ２Ｏ５を主成分として構成することができる。この全固体型ＥＣ素子は、例えば次のような様々な用途に適用することができる。
【００２３】
（ａ）調光素子
前記基材を透明ガラス板等の透明板状部材で構成し、前記第１、第２の電極層をＩＴＯ等の透明電極膜で構成し、前記第２の電極層の上に透明封止樹脂を介して透明ガラス板等の透明板状封止部材を接合し、素子全体を厚み方向に透明に構成する。これにより、灰色の着色時色を呈する調光素子（透過率可変素子）が構成される。この調光素子は、例えばカメラ用露出調整素子（ＮＤフィルタ、絞り等）、サングラス、調光ガラス、サンルーフ等として構成することができる。いずれの場合も透過光の色を変えずに光の強さを調整することができる。
【００２４】
（ｂ）反射率可変ミラー
前記基材を透明ガラス板等の透明板状部材で構成し、前記第１の電極層をＩＴＯ等の透明電極膜で構成し、前記第２の電極層を金属反射膜で構成し、該第２の電極層の上に封止樹脂を介して封止部材を接合する。これにより、前記基材側が表面側で、灰色の着色時色を呈する反射率可変ミラーが構成される。
あるいは、前記第１の電極層を金属反射膜で構成し、前記第２の電極層をＩＴＯ等の透明電極膜で構成し、該第２の電極層の上に透明封止樹脂を介して透明ガラス板等の透明板状封止部材を接合する。これにより、前記透明板状封止部材側が表面側で、灰色の着色時色を呈する反射率可変ミラーが構成される。
【００２５】
（ｃ）表示素子
前記基材を透明ガラス板等の透明板状部材で構成し、前記第１、第２の電極層をＩＴＯ等の透明電極膜で構成し、前記第２の電極層の上に透明封止樹脂を介して白色ガラス板等の不透明背景部材を接合する。これにより、前記基材側が表面側で、灰色の表示色を呈する表示素子が構成される。
あるいは、前記基材を白色ガラス板等の不透明背景部材で構成し、前記第１、第２の電極層をＩＴＯ等の透明電極膜で構成し、前記第２の電極層の上に透明封止樹脂を介して透明ガラス板等の透明板状封止部材を接合する。これにより、前記透明板状封止部材側が表面側で、灰色の表示色を呈する表示素子が構成される。
【００２６】
また、この発明はさらに、特願２００２−２５１８５６に開示のＥＣ素子に限らず、酸化発色層をニッケル酸化物で構成し電解質を固体電解質で構成した各種ＥＣ素子（灰色の着色時色を呈するものに限らない。）に広く適用できるものである。すなわち、この発明は、ニッケル酸化物を含有する材料で構成された酸化発色層と、固体電解質層との間に、ニッケル酸化物以外の金属酸化物もしくは金属、またはニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物を主成分として構成される透明性を有する中間層を配置してなるものである。これによれば、中間層を設けることにより、中間層がない場合に比べて着消色の繰り返しに対する耐久性を向上させることができる。
【００２７】
なお、酸化発色層と固体電解質層との間に中間層を配置して着消色の繰り返しに対する耐久性の向上を図ったＥＣ素子の先行技術として特開平９−１５２６３４に記載のものがある。これは、中間層を「酸化発色性エレクトロクロミック物質と金属酸化物とからなる層」で構成したものである。同先行技術文献には、「酸化発色性エレクトロクロミック物質と金属酸化物の重量比は、０．０２≦（酸化発色性エレクトロクロミック物質／金属酸化物）≦１であることが好ましい。重量比が１よりも大きくなると吸光度が大きくなり、重量比が０．０２よりも小さくなると着色速度が遅くなるとともに耐久性が悪くなる。」との記載がある。発明者の実験によれば、後述するように、酸化発色層をニッケル酸化物を含有する材料で構成した場合には、この先行技術文献の記載に反し、中間層にニッケル酸化物を含まない方が着消色の繰り返しに対する耐久性が高められることがわかった。したがって、この発明では、中間層は、ニッケル酸化物を含まないか、あるいは含むとしてもその含有量が該中間層を構成する主成分に対する重量比で０．０２未満とするのが好ましく、０．０１以下とするのがより好ましい。
【００２８】
この発明において、前記固体電解質層は、例えばＴａ２Ｏ５を主成分として構成することができる。また、前記中間層を構成する材料としては、例えば、透明で（金属であっても膜厚が薄ければ透明性が得られる。）かつ導電性または固体電解質の特性を持ち合わせるものなどを使用することができる。具体的には、前記中間層を構成する金属としては、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐｄのいずれか１つ、または２つ以上の複合物（２つ以上の金属の積層体、混合物等）を主成分とすることができる。また、前記中間層を構成する金属酸化物としては、例えばＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＴＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｓｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２のいずれか１つ、または２つ以上の複合物（２つ以上の金属酸化物の積層体、混合物等）を主成分とすることができる。また、前記酸化発色層はニッケル酸化物を主成分とする膜で構成することができる。また、前記酸化発色層に含まれるニッケル酸化物はＮｉＯを主成分とすることができる。前記中間層の膜厚は、材料によっても異なるので一概には言えないが、下限値は着消色の繰り返しによる特性劣化を抑制する効果が得られる膜厚であり、上限値は用途に応じて要求される透明性を阻害しない膜厚である。また、中間層が絶縁体の場合は、膜厚が厚くなると応答性が悪くなるので、用途に応じて要求される応答性を満たす膜厚にする。例えば、ＳｎＯ２の場合は、５ｎｍ以上、７０ｎｍ未満とするのが望ましい。すなわち、５ｎｍ未満では、着消色の繰り返しによる特性劣化を抑制する効果が薄れる。また、７０ｎｍ以上になると徐々に消色時の応答性が遅くなっていく。
【００２９】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
この発明のＥＣ素子の実施の形態１を図１に示す。これは、前記図３の灰色の着色時色を呈するＥＣ素子についてこの発明による耐久性向上対策を施したものである。図３と共通する部分には同一の符号を用いる。なお、特許請求の範囲に記載の事項のうち以下に説明がない事項については図３についてした説明がそのまま当てはまるので、図３についての説明を参照されたい。図１において、透明ガラス基板１０の上に下部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜１２が成膜され、その上に、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２、中間層３３、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜１６、還元発色層を構成する酸化タングステンと酸化チタンの混合膜３４、上部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜２０が順次積層成膜されている。
【００３０】
中間層３３は、ニッケル酸化物以外の金属酸化物もしくは金属、またはニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物を主成分として構成される透明性を有する薄膜で構成されている。中間層３３は無色透明に近いものが望ましい。中間層３３を構成する金属酸化物としては、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＴＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｓｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２等のいずれか１つ、または２つ以上の複合物を使用することができる。中間層３３を構成する金属酸化物はＳｎＯ２等の電気伝導性がある材料が好ましいと考えられるが、絶縁性の材料であっても薄く成膜すればＥＣ現象を阻害しないので、使用することができる。中間層３３を構成する金属としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐｄ等のいずれか１つ、または２つ以上の複合物を使用することができる。また、後述するように、中間層３３は、酸化発色材料であるニッケル酸化物を含むと着消色の繰り返しに対する耐久性が低下するので、ニッケル酸化物を含まないか、あるいは含むとしてもその含有量が該中間層を構成する主成分に対する重量比で０．０２未満とするのが好ましく、０．０１以下とするのがより好ましい。
【００３１】
下部ＩＴＯ透明電極膜１２の一端部には予めレーザエッチングにより分割線２２が形成されて、該一端部の領域１２ａが電気的に分離されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の一端部はこの下部ＩＴＯ透明電極膜１２の分離された領域１２ａに電気的に接続されている。基板１０の両端部には、電極取り出し用クリップ電極２４，２６が装着されている。クリップ電極２４は下部ＩＴＯ透明電極膜１２に電気的に接続され、クリップ電極２６は上部ＩＴＯ透明電極膜２０に電気的に接続されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の上には透明液状封止樹脂２８が塗布され、そこに透明封止部材３０として透明ガラス板が接着され、該液状封止樹脂２８が硬化されて、積層膜全体を封止している。以上の構成により、図１のＥＣ素子は全体が厚み方向に透明に構成されている。
【００３２】
図１のＥＣ素子によれば、クリップ電極２４側を正極性、クリップ電極２６側を負極性にして電圧を印加すると酸化発色層３２および還元発色層３４がともに着色し、逆電圧を印加する（あるいは短絡する）と両発色層３２，３４がともに消色する。着色および消色時の各層の化学反応は例えば前記化学式（化６）のとおりである。
【００３３】
図１のＥＣ素子の製造工程の一例を順を追って説明する。中間層３３はここではＳｎＯ２膜で構成するものとする。
（１）ＩＴＯ透明電極膜１２が成膜された透明ガラス基板１０を用意し、所望の形状にカットする。あるいは、所望の形状にカットされた透明ガラス基板１０を用意し、ＩＴＯ透明電極膜１２を成膜する。
（２）透明ガラス基板１０をレーザエッチングして分割線２２を形成する。
（３）基板１０を真空蒸着装置の真空チャンバー内に収容し、ＮｉＯまたはＮｉを蒸着材料（出発材料）とする真空蒸着法により、ニッケル酸化物膜３２を成膜する。Ｎｉを蒸着材料とする場合は、蒸発したＮｉが真空チャンバー内の酸素と化合してニッケル酸化物となる。
（４）続けて、Ｓｎを蒸着材料（出発材料）とする真空蒸着法（正確には、電子ビーム蒸発源を使用し、高周波を印加したイオンプレーティング法）により、ＳｎＯ２膜３３を成膜する。
（５）続けて、Ｔａ２Ｏ５を蒸着材料とする真空蒸着法（正確には、高周波を印加したイオンプレーティング法）により、酸化タンタル膜１６を成膜する。
（６）続けて、ＷＯ３およびＴｉＯ２をそれぞれ蒸着材料とする二元真空蒸着法により、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４を成膜する。この二元真空蒸着を行う際の真空蒸着装置内における各要素の配置例を図４に示す。回転する基板ホルダ１１の下面には酸化タンタル膜１６まで成膜された複数の基板１０が成膜面を下に向けて保持されている。基板ホルダ１１の下方には、るつぼ１３，１５が配置されている。るつぼ１３には、蒸着材料１７としてＷＯ３が収容されている。るつぼ１５には、蒸着材料１９としてＴｉＯ２が収容されている。蒸着材料１７，１９は電子ビーム２１，２３が当てられてそれぞれ加熱され、蒸発する。蒸発した蒸着材料１７，１９は上昇し、混合されて基板１０に堆積し、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４を形成する。るつぼ１３，１５の斜め上方には、膜厚計として水晶振動子２５，２７がそれぞれ配置されている。水晶振動子２５の振動周波数の変化により、蒸着材料１７の蒸発速度が監視される。水晶振動子２７の振動周波数の変化により、蒸着材料１９の蒸発速度が監視される。これら監視される蒸発材料１７，１９の蒸発速度に応じて電子ビーム２１，２３の出力を調整することにより、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４の酸化タングステンと酸化チタンの混合比が所定値に調整される。なお、以上の一連の成膜工程（３）〜（６）は、基板１０を基板ホルダ１１に保持したまま真空チャンバーの外に取り出さずに、蒸発源および成膜条件を順次切り換えながら連続的にして行うことができる。
（７）基板１０を真空チャンバーから一旦取り出し、マスクパターンを換えて再び真空チャンバー内に収容し、ＩＴＯを蒸着材料とする真空蒸着法（正確には、高周波を印加したイオンプレーティング法）により、上部ＩＴＯ透明電極膜２０を成膜する。なお、以上の成膜工程（３）〜（７）のうち、工程（４）のＳｎＯ２膜３３の成膜を４００Ｗの高周波を印加したイオンプレーティング法により行い、工程（５）の酸化タンタル膜１６の成膜を６００Ｗの高周波を印加したイオンプレーティング法により行い、工程（７）の上部ＩＴＯ透明電極膜２０の成膜を４００Ｗの高周波を印加したイオンプレーティング法により行った。他の工程（３）、（６）は、高周波を印加しないで行った。特に、工程（３）のニッケル酸化物膜３２の成膜を、ＮｉＯペレットを出発材料として高周波を印加したイオンプレーティング法により行ったところ、初めから着色したニッケル酸化物膜が成膜されてしまい、高周波を印加しない方がよい（無色透明のニッケル酸化物膜を成膜できる）ことがわかった。
（８）成膜工程が終了したら、基板１０を真空チャンバーから取り出し、クリップ電極２４，２６を装着する。
（９）透明液状封止樹脂２８を塗布し、封止部材３０として透明ガラス板を接着し、該液状封止樹脂２８を硬化させて完成する。
【００３４】
なお、以上の製造工程では、酸化発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４をＷＯ３およびＴｉＯ２をそれぞれ蒸着材料とする二元真空蒸着法で成膜したが、所定混合比のＷＯ３・ＴｉＯ２混合材を予め作製し、これをターゲット材（出発材料）としてスパッタ法により酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４を成膜することもできる。また、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２を真空蒸着法で成膜したが、ＮｉＯまたはＮｉをターゲット材（出発材料）とするスパッタ法により成膜することもできる。Ｎｉをターゲット材とする場合は、飛散したＮｉが真空チャンバー内の酸素と化合してニッケル酸化物となる。
【００３５】
ここで、図１のＥＣ素子について中間層３３による効果を測定した結果を説明する。この測定では約４ｃｍ角のサンプル（本発明サンプルＡ）を使用した。本発明サンプルＡの各層の膜厚は、ＩＴＯ透明電極膜１２：約２５０ｎｍ、ニッケル酸化物膜３２：約１００ｎｍ、ＳｎＯ２膜３３：約８ｎｍ、酸化タンタル膜１６：約６００ｎｍ、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４：約５００ｎｍ、ＩＴＯ透明電極膜２０：約２５０ｎｍとした。本発明サンプルＡは上述した製造工程により作製した。作製の際のニッケル酸化物膜３２、ＳｎＯ２膜３３、酸化タンタル膜１６、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４の成膜条件は次のとおりとした。ニッケル酸化物膜３２は、純度９９．９％以上のＮｉＯを蒸着材料として使用し、基板温度１２０℃、酸素分圧３×１０−４Ｔｏｒｒ、成膜速度０．７５ｎｍ／秒で成膜した。ＳｎＯ２膜３３は純度９９．９％以上のＳｎを蒸着材料として使用し、基板温度１２０℃、酸素分圧３×１０−４Ｔｏｒｒ、成膜速度０．０５ｎｍ／秒で成膜した。酸化タンタル膜１６は、純度９９．９％以上のＴａ２Ｏ５を蒸着材料として使用し、基板温度１２０℃、酸素分圧３×１０−４Ｔｏｒｒ、成膜速度０．６７ｎｍ／秒で成膜した。酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４は、いずれも純度９９．９％以上のＷＯ３、ＴｉＯ２を蒸着材料として使用し、基板温度１２０℃、酸素分圧１．６×１０−４Ｔｏｒｒで成膜した。また、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４に含まれるタングステン原子とチタン原子の原子数比をＷ：Ｔｉ＝７２：２８とした。中間層３３による効果を測定するため、中間層を有しない図３のＥＣ素子のサンプル（比較例サンプルａ）を、図３について説明した製造工程で作製した。比較例サンプルａの構造は、中間層を有しないこと以外は本発明サンプルＡと同じである。
【００３６】
本発明サンプルＡについて測定した分光スペクトルを図１０に示し、比較例サンプルａについて測定した分光スペクトルを図１１に示す。この測定では、サンプルＡ，ａについて、サンプル作製後初期段階での特性（作動１万回試験の直前の特性）と、作動１万回試験後の特性を測定した。なお、この測定では、着色時透過率は、印加電圧を＋２．０Ｖとし、６０秒印加した後に特性を測定した。また、消色時透過率は、消色電圧を−２．０Ｖとし、６０秒印加した後に特性を測定した。また、作動１万回試験の作動条件は、＋２．０Ｖ印加による着色方向駆動を１５秒間行い、次いで−２．０Ｖ印加による消色方向駆動を５秒間行う行程を１回として、これを１万回繰り返すこととした。図１０、図１１からわかるように、サンプルＡ，ａとも、着色時色はほぼ純粋な灰色が得られ、消色時色は無彩色でほぼ透明の透過色が得られる。また、図１０、図１１によれば、作動１万回試験前の着色時透過率はサンプルＡ，ａであまり変わらない（本発明サンプルＡの方がやや低い）が、作動１万回試験後の着色時透過率は、比較例サンプルａが作動１万回試験前に比べて上昇する（着色が薄くなる）のに対し、本発明サンプルＡでは作動１万回試験前に比べて逆にやや低下する（着色がやや濃くなる）ことがわかる。なお、消色時透過率は、サンプルＡ，ａでの違いおよび作動１万回試験前後での違いはあまり見られなかった。
【００３７】
前記サンプルＡ，ａについて測定した応答速度特性を図１２に示す。この測定では、前記作動１万回試験前後のサンプルＡ，ａについて、はじめに−２．０Ｖ印加による消色方向駆動を１０秒間行い、次いで＋２．０Ｖ印加による着色方向駆動を９０秒間行い、次いで−２．０Ｖ印加による消色方向駆動を３０秒間行い、その間の波長５５０ｎｍにおける透過率の変化を測定した。図１２によれば、作動１万回試験の前後いずれにおいても、着色方向駆動時および消色方向駆動時とも、本発明サンプルＡの方が比較例サンプルａよりも応答速度が速いことがわかる。また、サンプルＡ，ａとも作動１万回試験により応答速度が低下するが、その低下幅は、比較例サンプルａでは着色方向駆動時の応答速度低下幅が非常に大きいのに対し、本発明サンプルＡでは同応答速度低下幅が比較的小さく抑えられることがわかる。したがって、本発明サンプルＡによれば、ＳｎＯ２製の中間層３３の存在により、着消色の繰り返しに対する耐久性が高められていることがわかる。
【００３８】
ところで、本発明サンプルＡについて中間層３３の組成比を分析したところ、原子数比でＮｉ：Ｓｎ＝２：９８であった。中間層３３は純度９９．９％以上のＳｎを蒸着材料として使用したので、本来であればＳｎがほぼ１００％となるはずであるが、製造工程の影響で、最初に成膜するＮｉＯが若干中間層３３に混入したものと思われる。原子数比でＮｉ：Ｓｎ＝２：９８は、重量比に換算するとＮｉＯ／ＳｎＯ２＝０．０１となる。なお、この重量比への換算は、Ｎｉ原子が全量ＮｉＯを形成し、Ｓｎ原子が全量ＳｎＯ２を形成していると仮定している。
【００３９】
ＮｉＯが中間層３３に混入することによる影響を調べるため、中間層３３におけるＮｉＯの混入量を本発明サンプルＡよりも増やしたサンプル（比較例サンプルｂ）を作製し、試験を行った。比較例サンプルｂにおけるＮｉＯとＳｎＯ２の重量比は、ＮｉＯ／ＳｎＯ２＝０．１４であった。本発明サンプルＡと比較例サンプルｂについて、前記作動１万回試験と同様に、＋２．０Ｖ印加による着色方向駆動を１５秒間行い、次いで−２．０Ｖ印加による消色方向駆動を５秒間行う行程を繰り返したところ、繰り返し回数６０回で比較例サンプルｂは茶色に変色してしまい、透明状態に戻らなくなってしまった。一方、本発明サンプルＡでは何の問題も生じなかった。
【００４０】
以上の結果によれば、前記特開平９−１５２６３４には「酸化発色性エレクトロクロミック物質と金属酸化物の重量比は、０．０２≦（酸化発色性エレクトロクロミック物質／金属酸化物）≦１であることが好ましい。重量比が１よりも大きくなると吸光度が大きくなり、重量比が０．０２よりも小さくなると着色速度が遅くなるとともに耐久性が悪くなる。」との記載があるものの、酸化発色層をニッケル酸化物を含有する材料で構成した場合には、これとは逆に、中間層３３がニッケル酸化物を含まないか、あるいは含むとしてもその含有量が該中間層を構成する主成分である金属酸化物に対する重量比で０．０２未満とするのが好ましく、０．０１以下とするのがより好ましいと言える。中間層３３を構成する主成分が金属、またはニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物である場合も同様である可能性が考えられる。
【００４１】
なお、本発明サンプルＡのＳｎＯ２膜３３は非常に薄いため、その結晶構造の分析は困難であり、結晶、アモルファスのいずれであるかを確認することはできなかった。ただし、結晶、アモルファスのいずれであっても、性能上は問題ないものと推測される。
【００４２】
本発明サンプルＡの中間層３３を、ＳｎＯ２に代えてＡｌで構成したサンプル（本発明サンプルＢ）を作製して、図１０の場合と同様に測定した分光スペクトルを図１３に示す。なお、本発明サンプルＢのＡｌ膜３３は、純度９９．９％以上のＡｌを蒸着材料とする電子ビーム蒸発源を使用し、基板温度１２０℃、真空容器内圧力１×１０−５Ｔｏｒｒ以下の条件下で、真空蒸着法により、成膜速度５ｎｍ／秒（ＳｎＯ２膜の場合はＳｎを酸素ガスと反応させて成膜するので成膜速度はゆっくりであるが、Ａｌ膜の場合は酸素を導入せずにすなわち酸素と反応させずに成膜するので、成膜速度を速くすることができる。）で２０ｎｍの膜厚に成膜した。Ａｌ膜３３以外の層の成膜方法は、本発明サンプルＡについて説明したのと同じである。図１３からわかるように、着色時色はほぼ純粋な灰色が得られ、消色時色は無彩色でほぼ透明の透過色が得られる。また、作動１万回試験前の着色時透過率は作動１万回試験前に比べて大きく低下する（着色が濃くなる）。消色時透過率は、作動１万回試験前後での違いはあまり見られなかった。
【００４３】
本発明サンプルＢと前記比較例サンプルａについて前記図１２の場合と同様に測定した応答速度特性を図１４に示す。図１４によれば、作動１万回試験の前後いずれにおいても、着色方向駆動時および消色方向駆動時とも、本発明サンプルＢの方が比較例サンプルａよりも応答速度が速いことがわかる。また、サンプルＢ，ａとも作動１万回試験により応答速度が低下するが、その低下幅は、比較例サンプルａでは着色方向駆動時の応答速度低下幅が非常に大きいのに対し、本発明サンプルＢでは同応答速度低下幅が比較的小さく抑えられることがわかる。したがって、本発明サンプルＢによれば、Ａｌ製の中間層３３の存在により、着消色の繰り返しに対する耐久性が高められていることがわかる。
【００４４】
図１５は図１２に示す本発明サンプルＡ（中間層３３：ＳｎＯ２）の応答速度特性と、図１４に示す本発明サンプルＢ（中間層３３：Ａｌ）の応答速度特性を重ねて示したものである。これによれば、作動１万回試験前特性（初期特性）は本発明サンプルＡの方が優れているが、作動１万回試験後特性は本発明サンプルＢの方がコントラスト比が優れている（着色が濃くなる）ことがわかる。
【００４５】
なお、図１のＥＣ素子において、中間層３３はニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物（ニッケル酸化物以外の金属酸化物膜と金属膜との多層膜構造等の積層体や、ニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との混合物等）で構成することもできる。
【００４６】
この発明の他の実施の形態を以下説明する。中間層３３はいずれも実施の形態１で説明したのと同様に構成することができる。
（実施の形態２）
この発明の実施の形態２を図１６に示す。これは、図１の実施の形態において、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２と、還元発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４の配置を入れ替えたものである。図１の実施の形態と共通する部分には同一の符号を用いる。
【００４７】
（実施の形態３）
この発明の実施の形態３を図１７に示す。これは、基板側を表面側とする車両用等の防眩ミラーを構成したものである。図１の実施の形態と共通する部分には同一の符号を用いる。透明ガラス基板１０の上に下部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜１２が成膜され、その上に、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２、中間層３３、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜１６、還元発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４、上部電極膜兼反射膜を構成するＡｌ，Ｎｉ，Ｃｒ等の反射電極膜４４が順次積層成膜されている。下部ＩＴＯ透明電極膜１２の一端部には予めレーザエッチングにより分割線２２が形成されて、該一端部の領域１２ａが電気的に分離されている。上部電極膜兼反射膜４４の一端部はこの下部ＩＴＯ透明電極膜１２の分離された領域１２ａに電気的に接続されている。基板１０の両端部には、電極取り出し用クリップ電極２４，２６が装着されている。クリップ電極２４は下部ＩＴＯ透明電極膜１２に電気的に接続され、クリップ電極２６は上部電極膜兼反射膜４４に電気的に接続されている。上部電極膜兼反射膜４４の上には液状封止樹脂４６が塗布され、そこに封止部材４８としてガラス板、樹脂板、金属板等の板状部材が接着され、該液状封止樹脂４６が硬化されて、積層膜全体を封止している。以上の構成により、図１７のＥＣ素子は透明ガラス基板１０側を表面側とし、着色時は色が灰色で低反射率、消色時は色が無彩色で高反射率の防眩ミラーを構成する。
【００４８】
（実施の形態４）
この発明の実施の形態４を図１８に示す。これは、封止部材側を表面側とする車両用等の防眩ミラーを構成したものである。図１および図１７の実施の形態と共通する部分には同一の符号を用いる。ガラス等の基板５０の上に下部電極膜兼反射膜を構成する反射電極膜５２が成膜され、その上に、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２、中間層３３、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜１６、還元発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４、上部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜２０が順次積層成膜されている。反射電極膜５２はそれよりも上層の積層工程で腐食しない金属材料を使用するのが望ましい。反射電極膜５２の一端部には予めレーザエッチングにより分割線２２が形成されて、該一端部の領域５２ａが電気的に分離されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の一端部はこの反射電極膜５２の分離された領域５２ａに電気的に接続されている。基板５０の両端部には、電極取り出し用クリップ電極２４，２６が装着されている。クリップ電極２４は反射電極膜５２に電気的に接続され、クリップ電極２６は上部ＩＴＯ透明電極膜２０に電気的に接続されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の上には透明液状封止樹脂２８が塗布され、そこに封止部材３０として透明ガラス板が接着され、該液状封止樹脂２８が硬化されて、積層膜全体を封止している。以上の構成により、図１８のＥＣ素子は透明封止樹脂２８側を表面側とし、着色時は色が灰色で低反射率、消色時は色が無彩色で高反射率の防眩ミラーを構成する。
【００４９】
（実施の形態５）
この発明の実施の形態５を図１９に示す。これは、基板側を表面側とする表示素子を構成したものである。図１の実施の形態と共通する部分には同一の符号を用いる。透明ガラス基板１０の上に下部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜１２が成膜され、その上に、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２、中間層３３、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜１６、還元発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４、上部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜２０が順次積層成膜されている。下部ＩＴＯ透明電極膜１２の一端部には予めレーザエッチングにより分割線２２が形成されて、該一端部の領域１２ａが電気的に分離されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の一端部はこの下部ＩＴＯ透明電極膜１２の分離された領域１２ａに電気的に接続されている。基板１０の両端部には、電極取り出し用クリップ電極２４，２６が装着されている。クリップ電極２４は下部ＩＴＯ透明電極膜１２に電気的に接続され、クリップ電極２６は上部ＩＴＯ透明電極膜２０に電気的に接続されている。なお、上下ＩＴＯ透明電極膜１２，２０は任意の文字、記号、絵等を表示するようにパターニングされている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の上には透明液状封止樹脂２８が塗布され、そこに封止部材５４として白色ガラス板等の不透明背景板が接着され、該液状封止樹脂２８が硬化されて、積層膜全体を封止している。以上の構成により、図１９のＥＣ素子は透明ガラス基板１０側を表面側とする表示素子を構成する。この場合、表示色は灰色になるので、従来の青色等の色相を有する表示に比べて違和感のない表示を行うことができる。また、セグメント方式あるいはドットマトリクス方式等の文字盤や時計等の表示装置を構成した場合に、消色部分が無彩色でほぼ透明になるので、表示を視認しやすい。
【００５０】
（実施の形態６）
この発明の実施の形態６を図２０に示す。これは、封止部材側を表面側とする表示素子を構成したものである。図１および図１９の実施の形態と共通する部分には同一の符号を用いる。白色ガラス板等の不透明背景基板５６の上に下部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜１２が成膜され、その上に、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２、中間層３３、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜１６、還元発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４、上部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜２０が順次積層成膜されている。下部ＩＴＯ透明電極膜１２の一端部には予めレーザエッチングにより分割線２２が形成されて、該一端部の領域１２ａが電気的に分離されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の一端部はこの下部ＩＴＯ透明電極膜１２の分離された領域１２ａに電気的に接続されている。基板５６の両端部には、電極取り出し用クリップ電極２４，２６が装着されている。クリップ電極２４は下部ＩＴＯ透明電極膜１２に電気的に接続され、クリップ電極２６は上部ＩＴＯ透明電極膜２０に電気的に接続されている。なお、上下ＩＴＯ透明電極膜１２，２０は任意の文字、記号、絵等を表示するようにパターニングされている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の上には透明液状封止樹脂２８が塗布され、そこに封止部材３０として透明ガラス板が接着され、該液状封止樹脂２８が硬化されて、積層膜全体を封止している。以上の構成により、図２０のＥＣ素子は封止部材３０側を表面側とする表示素子を構成する。この場合、表示色は灰色になるので、従来の青色等の色相を有する表示に比べて違和感のない表示を行うことができる。また、セグメント方式あるいはドットマトリクス方式等の文字盤や時計等の表示装置を構成した場合に、消色部分が無彩色でほぼ透明になるので、表示を視認しやすい。
【００５１】
なお、実施の形態３〜６においても、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２と、還元発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４の配置を入れ替えることができる。また、前記各実施の形態では固体電解質層１６をＴａ２Ｏ５膜で構成したが、他の無機固体電解質材料（例えば、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、Ｓｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２等）を使用することもできる。
【００５２】
（実施の形態７）
この発明の実施の形態７を図２１に示す。これは、図１の構造において、液状封止樹脂２８に代えて、固体状封止樹脂部材を使用したものである。下部ＩＴＯ透明電極膜１２付き透明ガラス基板１０の上に酸化発色層３２、中間層３３、固体電解質層、還元発色層３４、上部ＩＴＯ透明電極膜２０の積層膜を成膜した後、固体状封止樹脂部材としてリング状封止樹脂部材５５を該積層膜の周囲を取り囲んで配置し、該リング状封止樹脂部材５５の下面を透明ガラス基板１０に接着し、上面を封止部材３０に接着して全体を一体化する。上部ＩＴＯ透明電極膜２０と封止部材３０との間には、エアーギャップ（空気層）５７が形成されていてもよい。
【００５３】
（実施の形態８）
この発明の実施の形態８を図２２に示す。これは、図１の構造において、固体電解質層１６を、無機固体電解質材料に代えて、高分子固体電解質材料（導電性ポリマーシート）で構成したものである。図１の実施の形態と共通する部分には同一の符号を用いる。このＥＣ素子は、上下ＩＴＯ透明電極膜２０，１２の間に、ニッケル酸化物で構成される酸化発色層３２、中間層３３，導電性ポリマーシート５８、保護層６０、酸化タングステン・酸化チタン混合物で構成される還元発色層３４を積層して構成されている。保護層６０は還元発色層３４を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜の保護用である。封止樹脂６２は、酸化発色層３２、中間層３３，導電性ポリマーシート５８、保護層６０、還元発色層３４で構成される積層体の外周縁全周に塗布、硬化されて、該積層体を封止している。上部ＩＴＯ透明電極膜２０に電気的に接続されるクリップ電極２６は、封止部材３０側に取り付けられている。
【００５４】
このＥＣ素子の製造工程の一例を図２３を参照して順を追って説明する。
（１）ＩＴＯ透明電極膜が成膜された所定形状の２枚の透明ガラス板を、下部ＩＴＯ透明電極膜１２付き透明ガラス基板１０、上部ＩＴＯ透明電極膜２０付き封止部材３０としてそれぞれ用意する。
（２）基板１０を真空蒸着装置内に収容し、ＮｉＯまたはＮｉを蒸着材料（出発材料）とする真空蒸着法により、ニッケル酸化物膜３２を成膜する。
（３）続けて、Ｓｎを蒸着材料（出発材料）とする真空蒸着法（正確には、電子ビーム蒸発源を使用し、高周波を印加したイオンプレーティング法）により、ＳｎＯ２膜３３を成膜する。
（４）基板１０を真空蒸着装置から取り出し、封止部材３０を真空蒸着装置内に収容し、ＷＯ３およびＴｉＯ２をそれぞれ蒸着材料とする二元真空蒸着法により、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４を成膜する。
（５）続けて、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４の表面に、該酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４の保護層６０として、例えばＴａ２Ｏ５膜を成膜する。
（６）封止部材３０を真空蒸着装置から取り出し、基板１０と封止部材３０にクリップ電極２４，２６をそれぞれ取り付ける。
（７）基板１０と封止部材３０を積層面どうしを対面させ、間に導電性ポリマーシート５８を挟んで密着させる。
（８）積層体の外周縁全周に液状封止樹脂を塗布し、硬化させて該積層体を封止し、全体を一体化させて完成する。
【００５５】
なお、前記実施の形態では、酸化発色層をニッケル酸化物のみで構成した場合について説明したが、これに限らず、酸化発色層はニッケル酸化物を主成分として含んでいればよく、この発明の効果が得られる限り、ニッケル酸化物に他の物質を添加させたもので酸化発色層を構成することもできる。また、この発明は、酸化発色層と中間層との間に酸化発色層材料と中間層材料が混在した遷移領域が存在したり、中間層と固体電解質層との間に中間層材料と固体電解質材料が混在した遷移領域が存在することを妨げるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１を示す図で、ＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図２】 従来のＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図３】 特願２００２−２５１８５６に開示のＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図４】 酸化タングステン・酸化チタン混合膜を二元真空蒸着で成膜する際の真空蒸着装置内における各要素の配置例を示す模式図である。
【図５】 図３のＥＣ素子において還元発色層の酸化タングステンと酸化チタンの混合比を様々に変化させた場合の分光透過率特性を示す図である。
【図６】 図３のＥＣ素子において着色時の印加電圧を様々に変化させた場合の分光透過率特性を示す図である。
【図７】 図３のＥＣ素子において着色電圧を様々に変化させた場合の着色時の応答速度特性を示す図である。
【図８】 図３のＥＣ素子と図２の従来のＥＣ素子の分光透過率特性を示す図である。
【図９】 図３のＥＣ素子をデジタルカメラに使用する場合の光学系の主要部の配置例を示す模式図である。
【図１０】 中間層をＳｎＯ２で構成した図１のＥＣ素子について測定した分光透過率特性を示す図である。
【図１１】 中間層を有しない比較例について測定した分光透過率特性を示す図である。
【図１２】 中間層をＳｎＯ２で構成した図１のＥＣ素子と中間層を有しない比較例について測定した応答速度特性を示す図である。
【図１３】 中間層をＡｌで構成した図１のＥＣ素子について測定した分光透過率特性を示す図である。
【図１４】 中間層をＡｌで構成した図１のＥＣ素子と中間層を有しない比較例について測定した応答速度特性を示す図である。
【図１５】 中間層をＳｎＯ２で構成した図１のＥＣ素子の応答速度特性と、中間層をＡｌで構成した図１のＥＣ素子の応答速度特性を重ねて示した図である。
【図１６】 この発明の実施の形態２を示す図で、ＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図１７】 この発明の実施の形態３を示す図で、ＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図１８】 この発明の実施の形態４を示す図で、ＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図１９】 この発明の実施の形態５を示す図で、ＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図２０】 この発明の実施の形態６を示す図で、ＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図２１】 この発明の実施の形態７を示す図で、ＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図２２】 この発明の実施の形態８を示す図で、ＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図２３】 実施の形態８のＥＣ素子の製造方法を説明する模式図である。
【符号の説明】
１０…透明ガラス基板、１２…下部ＩＴＯ透明電極膜、１６…無機固体電解質層、２０…上部ＩＴＯ透明電極膜、２８…透明封止樹脂、３０…透明封止部材、３２…酸化発色層、３３…中間層、３４…還元発色層、４２…撮像素子、４４，５２…反射電極膜、４６…封止樹脂、４８…封止部材、５０…基板、５４…封止部材（不透明背景板）、５６…不透明背景基板、５８…導電性ポリマーシート（高分子固体電解質材料）。
【発明の属する技術分野】
この発明は、エレクトロクロミック（以下「ＥＣ」）素子に関し、酸化発色層をニッケル酸化物を含有する材料で構成し、電解質層を固体電解質で構成した場合の、着消色の繰り返しによる特性劣化を抑制したものである。
【０００２】
【従来の技術】
ＥＣ素子は、ＥＣ現象を利用して着色、消色を可逆的に行う素子であって、防眩ミラー、調光ガラス、表示素子等に利用される。従来のＥＣ素子の積層断面構造例を図２に示す。これは素子全体を透明に構成したものである。透明ガラス基板１０の上に下部電極膜を構成するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）透明電極膜１２が成膜され、その上に、酸化発色層を構成する酸化イリジウム・酸化スズ混合膜１４、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜１６、還元発色層を構成する酸化タングステン膜１８、上部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜２０が順次積層成膜されている。下部ＩＴＯ透明電極膜１２の一端部には予めレーザエッチングにより分割線２２が形成されて、該一端部の領域１２ａが電気的に分離されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の一端部はこの下部ＩＴＯ透明電極膜１２の分離された領域１２ａに電気的に接続されている。基板１０の両端部には、電極取り出し用クリップ電極２４，２６が装着されている。クリップ電極２４は下部ＩＴＯ透明電極膜１２に電気的に接続され、クリップ電極２６は上部ＩＴＯ透明電極膜２０に電気的に接続されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の上には透明封止樹脂２８が塗布され、そこに透明封止部材３０として透明ガラス板が接着され、積層膜全体が封止されている。以上の構成によれば、クリップ電極２４側を正極性、クリップ電極２６側を負極性にして電圧を印加すると酸化発色層１４および還元発色層１８がともに着色し、逆電圧を印加する（あるいは短絡する）と両発色層１４，１８がともに消色する。
【０００３】
前記従来のＥＣ素子における酸化イリジウム・酸化スズ混合膜１４および酸化タングステン膜１８の着色時色はともに青色であり、素子全体としての着色時色も青色であった。このため、色を重視する（つまり、該ＥＣ素子を通して得られる影像に色相の変化が生じることを嫌う）用途には使用することができなかった。例えば、現行のデジタルカメラは、ＮＤ（Ｎｅｕｔｒａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）フィルタを内蔵し、入射光量が大きいときに、該ＮＤフィルタをモータ駆動でＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）等の撮像素子の前面に移動させて減光するように構成されている。このＮＤフィルタをＥＣ素子で置き換えて減光できれば、モータ駆動が不要となるので、デジタルカメラの小型化および省電力化が図れる。ところが、前記従来のＥＣ素子は着色時色が青色で、撮られた像の色も青みがかり、ホワイトバランスも取り難いため、このＥＣ素子をＮＤフィルタの代わりに使うことはできなかった。
【０００４】
本出願人は、上述の点に鑑みて、灰色の着色時色（着色時の色）を実現したＥＣ素子を特願２００２−２５１８５６にて提案した。その技術について、該特許出願の明細書および図面の記載を引用して説明する。該特許出願に開示されているＥＣ素子を図３に示す。図２の従来構造と共通する部分には同一の符号を用いる。透明ガラス基板１０の上に下部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜１２が成膜され、その上に、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜１６、還元発色層を構成する酸化タングステンと酸化チタンの混合膜３４、上部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜２０が順次積層成膜されている。下部ＩＴＯ透明電極膜１２の一端部には予めレーザエッチングにより分割線２２が形成されて、該一端部の領域１２ａが電気的に分離されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の一端部はこの下部ＩＴＯ透明電極膜１２の分離された領域１２ａに電気的に接続されている。基板１０の両端部には、電極取り出し用クリップ電極２４，２６が装着されている。クリップ電極２４は下部ＩＴＯ透明電極膜１２に電気的に接続され、クリップ電極２６は上部ＩＴＯ透明電極膜２０に電気的に接続されている。上部ＩＴＯ透明電極膜１２の上には透明液状封止樹脂２８が塗布され、そこに透明封止部材３０として透明ガラス板が接着され、該液状封止樹脂２８が硬化されて、積層膜全体を封止している。以上の構成により、図３のＥＣ素子は全体が厚み方向に透明に構成されている。
【０００５】
図３のＥＣ素子によれば、クリップ電極２４側を正極性、クリップ電極２６側を負極性にして電圧を印加すると酸化発色層３２および還元発色層３４がともに着色し、逆電圧を印加する（あるいは短絡する）と両発色層３２，３４がともに消色する。着色および消色時の各層の化学反応は例えば次式のとおりである。
【化６】
図３のＥＣ素子の製造工程の一例を順を追って説明する。
（１）ＩＴＯ透明電極膜１２が成膜された透明ガラス基板１０を用意し、所望の形状にカットする。あるいは、所望の形状にカットされた透明ガラス基板１０を用意し、ＩＴＯ透明電極膜１２を成膜する。
（２）透明ガラス基板１０をレーザエッチングして分割線２２を形成する。
（３）基板１０を真空蒸着装置の真空チャンバー内に収容し、ＮｉＯまたはＮｉを蒸着材料（出発材料）とする真空蒸着法により、ニッケル酸化物膜３２を成膜する。Ｎｉを蒸着材料とする場合は、蒸発したＮｉが真空チャンバー内の酸素と化合してニッケル酸化物となる。
（４）続けて、Ｔａ２Ｏ５を蒸着材料とする真空蒸着法（正確には、高周波を印加したイオンプレーティング法）により、酸化タンタル膜１６を成膜する。
（５）続けて、ＷＯ３およびＴｉＯ２をそれぞれ蒸着材料とする二元真空蒸着法により、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４を成膜する。この二元真空蒸着を行う際の真空蒸着装置内における各要素の配置例を図４に示す。回転する基板ホルダ１１の下面には酸化タンタル膜１６まで成膜された複数の基板１０が成膜面を下に向けて保持されている。基板ホルダ１１の下方には、るつぼ１３，１５が配置されている。るつぼ１３には、蒸着材料１７としてＷＯ３が収容されている。るつぼ１５には、蒸着材料１９としてＴｉＯ２が収容されている。蒸着材料１７，１９は電子ビーム２１，２３が当てられてそれぞれ加熱され、蒸発する。蒸発した蒸着材料１７，１９は上昇し、混合されて基板１０に堆積し、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４を形成する。るつぼ１３，１５の斜め上方には、膜厚計として水晶振動子２５，２７がそれぞれ配置されている。水晶振動子２５の振動周波数の変化により、蒸着材料１７の蒸発速度が監視される。水晶振動子２７の振動周波数の変化により、蒸着材料１９の蒸発速度が監視される。これら監視される蒸発材料１７，１９の蒸発速度に応じて電子ビーム２１，２３の出力を調整することにより、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４の酸化タングステンと酸化チタンの混合比が所定値に調整される。なお、以上の一連の成膜工程（３）〜（５）は、基板１０を基板ホルダ１１に保持したまま真空チャンバーの外に取り出さずに、蒸発源および成膜条件を順次切り換えながら連続的にして行うことができる。
（６）基板１０を真空チャンバーから一旦取り出し、マスクパターンを換えて再び真空チャンバー内に収容し、ＩＴＯを蒸着材料とする真空蒸着法（正確には、高周波を印加したイオンプレーティング法）により、上部ＩＴＯ透明電極膜２０を成膜する。なお、以上の成膜工程（３）〜（６）のうち、工程（４）の酸化タンタル膜１６の成膜を６００Ｗの高周波を印加したイオンプレーティング法により行い、工程（６）の上部ＩＴＯ透明電極膜２０を４００Ｗの高周波を印加したイオンプレーティング法により行った。他の工程（３）、（５）は、高周波を印加しないで行った。なお、工程（３）のニッケル酸化物膜３２の成膜を、ＮｉＯペレットを出発材料として高周波を印加したイオンプレーティング法により行ったところ、初めから着色したニッケル酸化物膜が成膜された。しかし、ＥＣ素子として完成した後に消色電圧を印加したところ、きれいに消色し、特性的にも高周波を印加しないで作製したものと同等の特性を示した。したがって、工程（３）のニッケル酸化物膜３２の成膜は高周波を印加して行うこともできる。
（７）成膜工程が終了したら、基板１０を真空チャンバーから取り出し、クリップ電極２４，２６を装着する。
（８）透明液状封止樹脂２８を塗布し、封止部材３０として透明ガラス板を接着し、該液状封止樹脂２８を硬化させて完成する。
【０００７】
以上の製造工程により製造した図３のＥＣ素子の測定特性を説明する。なお、この測定では、約４ｃｍ角のサンプルを使用した。各層の膜厚は、ＩＴＯ透明電極膜１２：約２５０ｎｍ、ニッケル酸化物膜３２：約１００ｎｍ、酸化タンタル膜１６：約６００ｎｍ、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４：約５００ｎｍ、ＩＴＯ透明電極膜２０：約２５０ｎｍとした。また、ニッケル酸化物膜３２、酸化タンタル膜１６、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４の成膜条件は次のとおりとした。ニッケル酸化物膜３２は、純度９９．９％以上のＮｉＯを蒸着材料として使用し、基板温度１２０℃、酸素分圧３×１０−４Ｔｏｒｒ、成膜速度０．７５ｎｍ／秒で成膜した。酸化タンタル膜１６は、純度９９．９％以上のＴａ２Ｏ５を蒸着材料として使用し、基板温度１２０℃、酸素分圧３×１０−４Ｔｏｒｒ、成膜速度０．６７ｎｍ／秒で成膜した。酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４は、いずれも純度９９．９％以上のＷＯ３、ＴｉＯ２を蒸着材料として使用し、基板温度１２０℃、酸素分圧１．６×１０−４Ｔｏｒｒで成膜した。なお、ＷＯ３とＴｉＯ２の蒸発速度比は実現しようとする酸化タングステンと酸化チタンの混合比に応じて設定する。例えば、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４に含まれるタングステン原子とチタン原子の原子数の合計値に対するチタン原子数の割合（ａｔ％：原子百分率）をＷ：Ｔｉ＝７２：２８とする混合比に設定する場合は、ＷＯ３とＴｉＯ２の蒸発速度比（水晶振動子２５，２７で計測される膜厚増大速度比）を約３：２に設定した。
【０００８】
製造されたＥＣ素子のニッケル酸化物膜３２は結晶（多結晶）であった。酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４はアモルファスであった。ＮｉＯの蒸着過程でＮｉＯの一部が他のニッケル酸化物｛Ｎｉ（ＯＨ）２，Ｎｉ２Ｏ３，ＮｉＯＯＨ等｝に変化している可能性があるが、いずれにしてもニッケル酸化物膜３２はＮｉＯが主成分であると考えられる。同様に、ＷＯ３およびＴｉＯ２の二元蒸着過程でＷＯ３の一部が他の酸化タングステン（タングステン酸化物）に変化し、ＴｉＯ２の一部が他の酸化チタン（チタン酸化物）に変化している可能性があるが、いずれにしても酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４はＷＯ３・ＴｉＯ２混合物が主成分であると考えられる。なお、ニッケル酸化物膜３２は、結晶、微結晶、アモルファスのいずれの状態であってもＥＣ現象を呈するものと考えられる。酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４は結晶化させると着消色の効率が下がるので、アモルファスが望ましいと考えられる。
【０００９】
図３のＥＣ素子において還元発色層３４の酸化タングステンと酸化チタンの混合比を様々に変化させた場合の分光透過率特性を図５に示す。図５に示されているＴｉの比率の数値（ａｔ％）は、Ｘ線光電子分光法（ＥＳＣＡ）で測定される、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４に含まれるタングステン原子とチタン原子の原子数の合計値に対するチタン原子数の割合を示したものである。なお、図５の測定では、着色時は、印加電圧を２．０Ｖとし、９０秒印加した後の特性を測定した。また、消色時は、消色電圧を−２．０Ｖとし、９０秒印加した後の特性を測定した。図５によれば、着色時は酸化タングステンと酸化チタンの混合比によって分光特性の特に長波長側が変化し、ＴｉＯ２が少なくなるほど長波長側のレベルが下がって青みが強くなり、ＴｉＯ２が多くなるほど長波長側のレベルが上がって青みが少なくなってくることがわかる。そして、チタン原子数の比率が５〜４０ａｔ％（つまり、ＷとＴｉの原子数の比率が、Ｗ：Ｔｉ＝９５：５乃至６０：４０）の範囲では灰色を示した。特に、チタン原子数の比率が２０〜３０ａｔ％（つまり、ＷとＴｉの原子数の比率が、Ｗ：Ｔｉ＝８０：２０乃至７０：３０）の範囲で分光特性が可視領域（４００〜８００ｎｍ）で平坦に近くなり、ほぼ純粋な灰色が得られた。なお、消色時はＴｉＯ２の混合比による分光特性の違いは少なく、人間の視感度のピーク位置（波長５５０ｎｍ）での透過率はいずれも８０％以上（可視光域全体での平均透過率は約８０％）得られ、無彩色でほぼ透明の透過色が得られた。
【００１０】
次に、図３のＥＣ素子において着色電圧を様々に変化させた場合の分光透過率特性および消色電圧を印加したときの分光透過率特性を図６に示す。なお、図６の測定では、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４に含まれるチタン原子数の比率を２８ａｔ％（ＷとＴｉの原子数の比率が、Ｗ：Ｔｉ＝７２：２８）とした。また、着色時は、着色電圧を９０秒印加した後の特性を測定した。消色時は、消色電圧を−１．５Ｖとし、９０秒印加した後の特性を測定した。図６によれば、着色時は、着色電圧が高いほど透過率が低くなりかつ特性が可視領域で平坦になって青みが少なくなってくることがわかる。そして、着色電圧が１．７５Ｖより高くなると濃い着色時色が得られた。特に、着色電圧が２Ｖ以上では、透過率が可視領域のほぼ全域で１０％近くまたはそれ以下まで下がり、特性がより平坦化されて、ほぼ純粋な灰色が得られた。したがって、着色時の印加電圧のピーク値は、１．７５Ｖ以上、より好ましくは２Ｖ以上で、耐圧以下とするのが望ましい。消色時の特性も、可視領域で比較的平坦であり、無彩色でほぼ透明の透過色が得られた。消色時の透過率は人間の視感度のピーク位置で８０％以上得られた。
【００１１】
なお、その後の実験によれば、着色時の印加電圧のピーク値は３Ｖ以下とするのが望ましいことがわかった。すなわち、３Ｖ以上では、着消色の繰り返しに対する耐久性が低下した。また、以上は両電極ともＩＴＯ透明電極膜を使用した透過型素子（厚み方向に透明に構成されているＥＣ素子）の場合であって、一方の電極にＩＴＯ透明電極膜を使用し他方の電極に電極兼用反射膜を使用した反射型素子（ミラーとして構成されているＥＣ素子）の場合は着色時の印加電圧のピーク値は透過型素子の場合よりも低くすることが望ましいことがわかった。すなわち、電極兼用反射膜を形成した反射型素子の場合は、着色時の印加電圧を２Ｖとしたところ、数十回の着消色で壊れてしまった。その原因は現時点では明らかではないが、ＩＴＯ透明電極膜に比べて電極兼用反射膜（Ａｌ膜）は電気抵抗が低いため、ＥＣ膜自体にかかる電圧が高くなることが１つの原因として推測される。実験によれば、電極兼用反射膜（Ａｌ膜）を使用した反射型素子の場合、着色時の印加電圧のピーク値は、１Ｖ以上、１．８Ｖ以下が望ましいことがわかった。
【００１２】
次に、図３のＥＣ素子において着色電圧を様々に変化させた場合の着色時の応答速度特性を図７に示す。なお、図７の測定では、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４に含まれるチタン原子数の比率を２８ａｔ％とした。また、透過率は人間の視感度のピーク位置（波長５５０ｎｍ）での値を測定した。図７によれば、応答速度特性は素子の面積によって異なり、素子面積が小さいほど速く、素子面積が大きいほど遅くなる。カメラ用露出調整素子として使用する場合は、素子面積は比較的小面積で済み、１．７５Ｖ以上の着色電圧であれば、比較的瞬時に濃い着色濃度まで到達する。
【００１３】
次に、図３のＥＣ素子と図２の従来のＥＣ素子の分光透過率特性の違いを図８に示す。なお、図８の測定では、図３のＥＣ素子は、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４に含まれるチタン原子数の比率を２８ａｔ％とした。着色電圧は、図３のＥＣ素子は２．０Ｖ、図２の従来のＥＣ素子は１．５Ｖとし、いずれも３０秒印加した。消色電圧は、いずれも−１．５Ｖとし、３０秒印加した。図８によれば、着色時の透過色は、図２の従来のＥＣ素子は青みが非常に強いのに対し、図３のＥＣ素子は特性が可視領域で平坦で、灰色が得られた。また、消色時の透過色は、図２の従来のＥＣ素子は、黄色付近のレベルが高いので、黄色みがかった色となるのに対し、図３のＥＣ素子は無彩色でほぼ透明であった。また、図３のＥＣ素子は、着色時の透過率が可視領域のほぼ全域で約２０％、消色時の透過率が人間の視感度のピーク位置で約８０％であった。この透過率８０％という数値は、図２の従来のＥＣ素子に比べて高く、見た目にも該従来のＥＣ素子に比べて透明度が高かった。
【００１４】
なお、図２の従来構造において、酸化発色層１４の材料をニッケル酸化物（ＮｉＯが主成分）に変えただけでは灰色の着色時色は得られなかった。また、還元発色層１８の材料を酸化タングステン・酸化チタン混合物（ＷＯ３・ＴｉＯ２混合物が主成分）に変えただけでも灰色の着色時色は得られなかった。酸化発色層１４の材料をニッケル酸化物（ＮｉＯが主成分）に変え、かつ還元発色層１８の材料を酸化タングステン・酸化チタン混合物（ＷＯ３・ＴｉＯ２混合物が主成分）に変えたら、灰色の着色時色が得られた。
【００１５】
以上のように、図３のＥＣ素子は、着色時には灰色の透過色が得られ、消色時には無彩色でほぼ透明の透過色が得られるので、ＥＣ素子を通して得られる影像に色相の変化が生じることを嫌う用途に特に好適である。図３のＥＣ素子をデジタルカメラ（スチルカメラ、ビデオカメラ等）に使用する場合の光学系の主要部の配置例を図９に模式的に示す。レンズ３６からＣＣＤ等の撮像素子４２に至る光軸上に、モータ駆動によるメカ式絞り３８および図３のＥＣ素子によるＮＤフィルタ４０が順次配列されている。ＥＣ素子ＮＤフィルタ４０は固定的に配置されている。別途搭載されている測光素子で測光される被写体の輝度が所定値以内のときはＥＣ素子ＮＤフィルタ４０は消色されている。消色時はＥＣ素子ＮＤフィルタ４０の可視光域平均透過率が約８０％あるので、露出不足となることはない。また、透過色は無彩色でほぼ透明なので、撮影された画像が青みがかることはなく、ホワイトバランスも取り易い。被写体輝度が所定値よりも大きくなり、絞り３８では適切な露出調整ができなくなると、ＥＣ素子ＮＤフィルタ４０に所定の着色電圧（例えば２．０Ｖ）を印加し着色状態にして減光する。着色時はＥＣ素子ＮＤフィルタ４０の可視光域平均透過率が約２０％であり、十分に減光することができる。また、透過色は灰色なので色再現性がよく、撮影された画像が青みがかることはない。その後被写体輝度が所定値よりも低下したら、ＥＣ素子ＮＤフィルタ４０に所定の消色電圧を印加（または両電極間を短絡）して、消色状態にする。このように、従来のモータ駆動式ＮＤフィルタをＥＣ素子ＮＤフィルタ４０で置き換えることにより、メカ構成が簡単になり、カメラの小型化、デザイン性向上、軽量化が図れる。また、モータ駆動が不要なので、省電力化が図れる。また、ＥＣ素子ＮＤフィルタ４０は着脱が不要であり、着脱操作の手間がかからない。また、ＥＣ素子ＮＤフィルタ４０は１眼レフカメラにも内蔵することができる。また、ＥＣ素子ＮＤフィルタ４０は全固体型なので、破損した場合の液の漏出等の問題がない。
【００１６】
なお、以上の例ではＥＣ素子ＮＤフィルタ４０の着色量の調整を着色、消色の１段階（オン／オフ）切り換え式にしたが、着色電圧の調整により２段階以上の切り換え式あるいは無段階切り換え式にして、着色量を２段階以上または無段階に調整する（着色電圧のピーク値を、例えば１．７５Ｖ以上、より好ましくは２Ｖ以上、３Ｖ以下とする。）こともできる。そしてそのように構成した場合は、ＥＣ素子ＮＤフィルタ４０で絞りの機能を兼ねてメカ式絞り３８を無くすことも可能になり、メカ構成をより簡単にすることができる。
【００１７】
なお、図３のＥＣ素子はデジタルカメラだけでなくフィルム式カメラの露出調整素子として用いることもできる。また、図３のＥＣ素子は、サングラス、調光ガラス、サンルーフ等に用いることもできる。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明者のその後の研究によれば、特願２００２−２５１８５６に開示のＥＣ素子が、着消色を繰り返すと比較的早期に着色が薄くなるとともに応答性が劣化することがわかった。この着消色の繰り返しによる特性劣化が、どのような化学反応に基づいて生じているかは定かでないが、ニッケル酸化物と固体電解質の界面で、ニッケル酸化物または固体電解質に何らかの劣化が生じているものと考えられる。
【００１９】
この発明は、上述の点に鑑みてなされたもので、酸化発色層をニッケル酸化物で構成し電解質を固体電解質で構成したＥＣ素子において、着消色の繰り返しに対する耐久性を向上させることを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
この発明は、特願２００２−２５１８５６に開示のＥＣ素子について、着消色の繰り返しに対する耐久性を向上させることができるものである。すなわち、この発明は、還元発色層と酸化発色層を固体電解質層を挟んで対向配置した構造を有するＥＣ素子において、前記還元発色層が酸化タングステンと酸化チタンを含有する材料で構成され、前記酸化発色層がニッケル酸化物を含有する材料で構成され、前記酸化発色層と前記固体電解質層との間に、ニッケル酸化物以外の金属酸化物もしくは金属、またはニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物（ニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属の積層体、混合物等）を主成分として構成される透明性を有する中間層を配置してなり、着色時の色が灰色（分光特性が可視光域でほぼ平坦な純粋な灰色に限らず、人間の目で見て灰色と認識できる程度のものを含む。この明細書全体を通じて同じ。）を呈するものである。この発明によれば、還元発色層を酸化タングステンと酸化チタンを含有する材料で構成し、酸化発色層をニッケル酸化物を含有する材料で構成することにより、灰色の着色時色が得られる。また、無彩色（分光特性が可視光域でほぼ平坦な純粋な無彩色に限らず、人間の目で見て無彩色と認識できる程度のものを含む。この明細書全体を通じて同じ。）でほぼ透明な消色時色（消色時の色）も容易に得られる。また、中間層を設けることにより、中間層がない場合に比べて着消色の繰り返しに対する耐久性を向上させることができる。これは、中間層を設けることにより、酸化発色層と固体電解質層との間の直接的なイオンのやりとりが妨げられたことによるものと推測される。
【００２１】
この発明は、２枚の板材の間に、第１の電極層、還元発色層、固体電解質層、酸化発色層、第２の電極層を積層配置し、前記２枚の板材および前記２層の電極層のうち、少なくとも一方側の板材および電極層の組み合わせが透明に構成されているＥＣ素子において、前記還元発色層が酸化タングステンと酸化チタンを含有する材料で構成され、前記酸化発色層がニッケル酸化物を含有する材料で構成され、前記酸化発色層と前記固体電解質層との間に、ニッケル酸化物以外の金属酸化物もしくは金属、またはニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物を主成分として構成される透明性を有する中間層を配置してなり、着色時の色が灰色を呈するものである。このＥＣ素子は、例えば、前記２枚の板材および前記２層の電極層をいずれも透明に構成し、素子全体を厚み方向に透明に構成して、デジタルカメラの撮像素子の光軸上に配置する露出調整素子として構成することができる。また、前記２枚の板材および前記２層の電極層のうち、一方側の板材および電極層の組み合わせを透明に構成し、他方側の電極層を金属反射膜で構成して、反射率可変ミラーを構成することができる。
【００２２】
この発明は、基材と、該基材の上に固定形成された第１の電極層と、該第１の電極膜の上に固定形成された酸化または還元発色層と、該酸化または還元発色層の上に固定形成された固体電解質層と、該固体電解質層の上に固定形成された還元または酸化発色層と、該還元または酸化発色層の上に固定形成された第２の電極層とを具備し、前記第１、第２の電極層の少なくとも一方が透明に構成されているＥＣ素子において、前記還元発色層が酸化タングステンと酸化チタンを含有する材料で構成され、前記酸化発色層がニッケル酸化物を含有する材料で構成され、前記酸化発色層と前記固体電解質層との間に、ニッケル酸化物以外の金属酸化物もしくは金属、またはニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物で構成される透明性を有する中間層を配置してなり、着色時の色が灰色を呈するものである。これによれば、着消色の繰り返しに対する耐久性を向上させた全固体型ＥＣ素子が構成される。固体電解質層は無機材料で構成する場合は、例えばＴａ２Ｏ５を主成分として構成することができる。この全固体型ＥＣ素子は、例えば次のような様々な用途に適用することができる。
【００２３】
（ａ）調光素子
前記基材を透明ガラス板等の透明板状部材で構成し、前記第１、第２の電極層をＩＴＯ等の透明電極膜で構成し、前記第２の電極層の上に透明封止樹脂を介して透明ガラス板等の透明板状封止部材を接合し、素子全体を厚み方向に透明に構成する。これにより、灰色の着色時色を呈する調光素子（透過率可変素子）が構成される。この調光素子は、例えばカメラ用露出調整素子（ＮＤフィルタ、絞り等）、サングラス、調光ガラス、サンルーフ等として構成することができる。いずれの場合も透過光の色を変えずに光の強さを調整することができる。
【００２４】
（ｂ）反射率可変ミラー
前記基材を透明ガラス板等の透明板状部材で構成し、前記第１の電極層をＩＴＯ等の透明電極膜で構成し、前記第２の電極層を金属反射膜で構成し、該第２の電極層の上に封止樹脂を介して封止部材を接合する。これにより、前記基材側が表面側で、灰色の着色時色を呈する反射率可変ミラーが構成される。
あるいは、前記第１の電極層を金属反射膜で構成し、前記第２の電極層をＩＴＯ等の透明電極膜で構成し、該第２の電極層の上に透明封止樹脂を介して透明ガラス板等の透明板状封止部材を接合する。これにより、前記透明板状封止部材側が表面側で、灰色の着色時色を呈する反射率可変ミラーが構成される。
【００２５】
（ｃ）表示素子
前記基材を透明ガラス板等の透明板状部材で構成し、前記第１、第２の電極層をＩＴＯ等の透明電極膜で構成し、前記第２の電極層の上に透明封止樹脂を介して白色ガラス板等の不透明背景部材を接合する。これにより、前記基材側が表面側で、灰色の表示色を呈する表示素子が構成される。
あるいは、前記基材を白色ガラス板等の不透明背景部材で構成し、前記第１、第２の電極層をＩＴＯ等の透明電極膜で構成し、前記第２の電極層の上に透明封止樹脂を介して透明ガラス板等の透明板状封止部材を接合する。これにより、前記透明板状封止部材側が表面側で、灰色の表示色を呈する表示素子が構成される。
【００２６】
また、この発明はさらに、特願２００２−２５１８５６に開示のＥＣ素子に限らず、酸化発色層をニッケル酸化物で構成し電解質を固体電解質で構成した各種ＥＣ素子（灰色の着色時色を呈するものに限らない。）に広く適用できるものである。すなわち、この発明は、ニッケル酸化物を含有する材料で構成された酸化発色層と、固体電解質層との間に、ニッケル酸化物以外の金属酸化物もしくは金属、またはニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物を主成分として構成される透明性を有する中間層を配置してなるものである。これによれば、中間層を設けることにより、中間層がない場合に比べて着消色の繰り返しに対する耐久性を向上させることができる。
【００２７】
なお、酸化発色層と固体電解質層との間に中間層を配置して着消色の繰り返しに対する耐久性の向上を図ったＥＣ素子の先行技術として特開平９−１５２６３４に記載のものがある。これは、中間層を「酸化発色性エレクトロクロミック物質と金属酸化物とからなる層」で構成したものである。同先行技術文献には、「酸化発色性エレクトロクロミック物質と金属酸化物の重量比は、０．０２≦（酸化発色性エレクトロクロミック物質／金属酸化物）≦１であることが好ましい。重量比が１よりも大きくなると吸光度が大きくなり、重量比が０．０２よりも小さくなると着色速度が遅くなるとともに耐久性が悪くなる。」との記載がある。発明者の実験によれば、後述するように、酸化発色層をニッケル酸化物を含有する材料で構成した場合には、この先行技術文献の記載に反し、中間層にニッケル酸化物を含まない方が着消色の繰り返しに対する耐久性が高められることがわかった。したがって、この発明では、中間層は、ニッケル酸化物を含まないか、あるいは含むとしてもその含有量が該中間層を構成する主成分に対する重量比で０．０２未満とするのが好ましく、０．０１以下とするのがより好ましい。
【００２８】
この発明において、前記固体電解質層は、例えばＴａ２Ｏ５を主成分として構成することができる。また、前記中間層を構成する材料としては、例えば、透明で（金属であっても膜厚が薄ければ透明性が得られる。）かつ導電性または固体電解質の特性を持ち合わせるものなどを使用することができる。具体的には、前記中間層を構成する金属としては、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐｄのいずれか１つ、または２つ以上の複合物（２つ以上の金属の積層体、混合物等）を主成分とすることができる。また、前記中間層を構成する金属酸化物としては、例えばＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＴＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｓｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２のいずれか１つ、または２つ以上の複合物（２つ以上の金属酸化物の積層体、混合物等）を主成分とすることができる。また、前記酸化発色層はニッケル酸化物を主成分とする膜で構成することができる。また、前記酸化発色層に含まれるニッケル酸化物はＮｉＯを主成分とすることができる。前記中間層の膜厚は、材料によっても異なるので一概には言えないが、下限値は着消色の繰り返しによる特性劣化を抑制する効果が得られる膜厚であり、上限値は用途に応じて要求される透明性を阻害しない膜厚である。また、中間層が絶縁体の場合は、膜厚が厚くなると応答性が悪くなるので、用途に応じて要求される応答性を満たす膜厚にする。例えば、ＳｎＯ２の場合は、５ｎｍ以上、７０ｎｍ未満とするのが望ましい。すなわち、５ｎｍ未満では、着消色の繰り返しによる特性劣化を抑制する効果が薄れる。また、７０ｎｍ以上になると徐々に消色時の応答性が遅くなっていく。
【００２９】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
この発明のＥＣ素子の実施の形態１を図１に示す。これは、前記図３の灰色の着色時色を呈するＥＣ素子についてこの発明による耐久性向上対策を施したものである。図３と共通する部分には同一の符号を用いる。なお、特許請求の範囲に記載の事項のうち以下に説明がない事項については図３についてした説明がそのまま当てはまるので、図３についての説明を参照されたい。図１において、透明ガラス基板１０の上に下部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜１２が成膜され、その上に、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２、中間層３３、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜１６、還元発色層を構成する酸化タングステンと酸化チタンの混合膜３４、上部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜２０が順次積層成膜されている。
【００３０】
中間層３３は、ニッケル酸化物以外の金属酸化物もしくは金属、またはニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物を主成分として構成される透明性を有する薄膜で構成されている。中間層３３は無色透明に近いものが望ましい。中間層３３を構成する金属酸化物としては、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＴＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｓｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２等のいずれか１つ、または２つ以上の複合物を使用することができる。中間層３３を構成する金属酸化物はＳｎＯ２等の電気伝導性がある材料が好ましいと考えられるが、絶縁性の材料であっても薄く成膜すればＥＣ現象を阻害しないので、使用することができる。中間層３３を構成する金属としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐｄ等のいずれか１つ、または２つ以上の複合物を使用することができる。また、後述するように、中間層３３は、酸化発色材料であるニッケル酸化物を含むと着消色の繰り返しに対する耐久性が低下するので、ニッケル酸化物を含まないか、あるいは含むとしてもその含有量が該中間層を構成する主成分に対する重量比で０．０２未満とするのが好ましく、０．０１以下とするのがより好ましい。
【００３１】
下部ＩＴＯ透明電極膜１２の一端部には予めレーザエッチングにより分割線２２が形成されて、該一端部の領域１２ａが電気的に分離されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の一端部はこの下部ＩＴＯ透明電極膜１２の分離された領域１２ａに電気的に接続されている。基板１０の両端部には、電極取り出し用クリップ電極２４，２６が装着されている。クリップ電極２４は下部ＩＴＯ透明電極膜１２に電気的に接続され、クリップ電極２６は上部ＩＴＯ透明電極膜２０に電気的に接続されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の上には透明液状封止樹脂２８が塗布され、そこに透明封止部材３０として透明ガラス板が接着され、該液状封止樹脂２８が硬化されて、積層膜全体を封止している。以上の構成により、図１のＥＣ素子は全体が厚み方向に透明に構成されている。
【００３２】
図１のＥＣ素子によれば、クリップ電極２４側を正極性、クリップ電極２６側を負極性にして電圧を印加すると酸化発色層３２および還元発色層３４がともに着色し、逆電圧を印加する（あるいは短絡する）と両発色層３２，３４がともに消色する。着色および消色時の各層の化学反応は例えば前記化学式（化６）のとおりである。
【００３３】
図１のＥＣ素子の製造工程の一例を順を追って説明する。中間層３３はここではＳｎＯ２膜で構成するものとする。
（１）ＩＴＯ透明電極膜１２が成膜された透明ガラス基板１０を用意し、所望の形状にカットする。あるいは、所望の形状にカットされた透明ガラス基板１０を用意し、ＩＴＯ透明電極膜１２を成膜する。
（２）透明ガラス基板１０をレーザエッチングして分割線２２を形成する。
（３）基板１０を真空蒸着装置の真空チャンバー内に収容し、ＮｉＯまたはＮｉを蒸着材料（出発材料）とする真空蒸着法により、ニッケル酸化物膜３２を成膜する。Ｎｉを蒸着材料とする場合は、蒸発したＮｉが真空チャンバー内の酸素と化合してニッケル酸化物となる。
（４）続けて、Ｓｎを蒸着材料（出発材料）とする真空蒸着法（正確には、電子ビーム蒸発源を使用し、高周波を印加したイオンプレーティング法）により、ＳｎＯ２膜３３を成膜する。
（５）続けて、Ｔａ２Ｏ５を蒸着材料とする真空蒸着法（正確には、高周波を印加したイオンプレーティング法）により、酸化タンタル膜１６を成膜する。
（６）続けて、ＷＯ３およびＴｉＯ２をそれぞれ蒸着材料とする二元真空蒸着法により、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４を成膜する。この二元真空蒸着を行う際の真空蒸着装置内における各要素の配置例を図４に示す。回転する基板ホルダ１１の下面には酸化タンタル膜１６まで成膜された複数の基板１０が成膜面を下に向けて保持されている。基板ホルダ１１の下方には、るつぼ１３，１５が配置されている。るつぼ１３には、蒸着材料１７としてＷＯ３が収容されている。るつぼ１５には、蒸着材料１９としてＴｉＯ２が収容されている。蒸着材料１７，１９は電子ビーム２１，２３が当てられてそれぞれ加熱され、蒸発する。蒸発した蒸着材料１７，１９は上昇し、混合されて基板１０に堆積し、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４を形成する。るつぼ１３，１５の斜め上方には、膜厚計として水晶振動子２５，２７がそれぞれ配置されている。水晶振動子２５の振動周波数の変化により、蒸着材料１７の蒸発速度が監視される。水晶振動子２７の振動周波数の変化により、蒸着材料１９の蒸発速度が監視される。これら監視される蒸発材料１７，１９の蒸発速度に応じて電子ビーム２１，２３の出力を調整することにより、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４の酸化タングステンと酸化チタンの混合比が所定値に調整される。なお、以上の一連の成膜工程（３）〜（６）は、基板１０を基板ホルダ１１に保持したまま真空チャンバーの外に取り出さずに、蒸発源および成膜条件を順次切り換えながら連続的にして行うことができる。
（７）基板１０を真空チャンバーから一旦取り出し、マスクパターンを換えて再び真空チャンバー内に収容し、ＩＴＯを蒸着材料とする真空蒸着法（正確には、高周波を印加したイオンプレーティング法）により、上部ＩＴＯ透明電極膜２０を成膜する。なお、以上の成膜工程（３）〜（７）のうち、工程（４）のＳｎＯ２膜３３の成膜を４００Ｗの高周波を印加したイオンプレーティング法により行い、工程（５）の酸化タンタル膜１６の成膜を６００Ｗの高周波を印加したイオンプレーティング法により行い、工程（７）の上部ＩＴＯ透明電極膜２０の成膜を４００Ｗの高周波を印加したイオンプレーティング法により行った。他の工程（３）、（６）は、高周波を印加しないで行った。特に、工程（３）のニッケル酸化物膜３２の成膜を、ＮｉＯペレットを出発材料として高周波を印加したイオンプレーティング法により行ったところ、初めから着色したニッケル酸化物膜が成膜されてしまい、高周波を印加しない方がよい（無色透明のニッケル酸化物膜を成膜できる）ことがわかった。
（８）成膜工程が終了したら、基板１０を真空チャンバーから取り出し、クリップ電極２４，２６を装着する。
（９）透明液状封止樹脂２８を塗布し、封止部材３０として透明ガラス板を接着し、該液状封止樹脂２８を硬化させて完成する。
【００３４】
なお、以上の製造工程では、酸化発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４をＷＯ３およびＴｉＯ２をそれぞれ蒸着材料とする二元真空蒸着法で成膜したが、所定混合比のＷＯ３・ＴｉＯ２混合材を予め作製し、これをターゲット材（出発材料）としてスパッタ法により酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４を成膜することもできる。また、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２を真空蒸着法で成膜したが、ＮｉＯまたはＮｉをターゲット材（出発材料）とするスパッタ法により成膜することもできる。Ｎｉをターゲット材とする場合は、飛散したＮｉが真空チャンバー内の酸素と化合してニッケル酸化物となる。
【００３５】
ここで、図１のＥＣ素子について中間層３３による効果を測定した結果を説明する。この測定では約４ｃｍ角のサンプル（本発明サンプルＡ）を使用した。本発明サンプルＡの各層の膜厚は、ＩＴＯ透明電極膜１２：約２５０ｎｍ、ニッケル酸化物膜３２：約１００ｎｍ、ＳｎＯ２膜３３：約８ｎｍ、酸化タンタル膜１６：約６００ｎｍ、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４：約５００ｎｍ、ＩＴＯ透明電極膜２０：約２５０ｎｍとした。本発明サンプルＡは上述した製造工程により作製した。作製の際のニッケル酸化物膜３２、ＳｎＯ２膜３３、酸化タンタル膜１６、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４の成膜条件は次のとおりとした。ニッケル酸化物膜３２は、純度９９．９％以上のＮｉＯを蒸着材料として使用し、基板温度１２０℃、酸素分圧３×１０−４Ｔｏｒｒ、成膜速度０．７５ｎｍ／秒で成膜した。ＳｎＯ２膜３３は純度９９．９％以上のＳｎを蒸着材料として使用し、基板温度１２０℃、酸素分圧３×１０−４Ｔｏｒｒ、成膜速度０．０５ｎｍ／秒で成膜した。酸化タンタル膜１６は、純度９９．９％以上のＴａ２Ｏ５を蒸着材料として使用し、基板温度１２０℃、酸素分圧３×１０−４Ｔｏｒｒ、成膜速度０．６７ｎｍ／秒で成膜した。酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４は、いずれも純度９９．９％以上のＷＯ３、ＴｉＯ２を蒸着材料として使用し、基板温度１２０℃、酸素分圧１．６×１０−４Ｔｏｒｒで成膜した。また、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４に含まれるタングステン原子とチタン原子の原子数比をＷ：Ｔｉ＝７２：２８とした。中間層３３による効果を測定するため、中間層を有しない図３のＥＣ素子のサンプル（比較例サンプルａ）を、図３について説明した製造工程で作製した。比較例サンプルａの構造は、中間層を有しないこと以外は本発明サンプルＡと同じである。
【００３６】
本発明サンプルＡについて測定した分光スペクトルを図１０に示し、比較例サンプルａについて測定した分光スペクトルを図１１に示す。この測定では、サンプルＡ，ａについて、サンプル作製後初期段階での特性（作動１万回試験の直前の特性）と、作動１万回試験後の特性を測定した。なお、この測定では、着色時透過率は、印加電圧を＋２．０Ｖとし、６０秒印加した後に特性を測定した。また、消色時透過率は、消色電圧を−２．０Ｖとし、６０秒印加した後に特性を測定した。また、作動１万回試験の作動条件は、＋２．０Ｖ印加による着色方向駆動を１５秒間行い、次いで−２．０Ｖ印加による消色方向駆動を５秒間行う行程を１回として、これを１万回繰り返すこととした。図１０、図１１からわかるように、サンプルＡ，ａとも、着色時色はほぼ純粋な灰色が得られ、消色時色は無彩色でほぼ透明の透過色が得られる。また、図１０、図１１によれば、作動１万回試験前の着色時透過率はサンプルＡ，ａであまり変わらない（本発明サンプルＡの方がやや低い）が、作動１万回試験後の着色時透過率は、比較例サンプルａが作動１万回試験前に比べて上昇する（着色が薄くなる）のに対し、本発明サンプルＡでは作動１万回試験前に比べて逆にやや低下する（着色がやや濃くなる）ことがわかる。なお、消色時透過率は、サンプルＡ，ａでの違いおよび作動１万回試験前後での違いはあまり見られなかった。
【００３７】
前記サンプルＡ，ａについて測定した応答速度特性を図１２に示す。この測定では、前記作動１万回試験前後のサンプルＡ，ａについて、はじめに−２．０Ｖ印加による消色方向駆動を１０秒間行い、次いで＋２．０Ｖ印加による着色方向駆動を９０秒間行い、次いで−２．０Ｖ印加による消色方向駆動を３０秒間行い、その間の波長５５０ｎｍにおける透過率の変化を測定した。図１２によれば、作動１万回試験の前後いずれにおいても、着色方向駆動時および消色方向駆動時とも、本発明サンプルＡの方が比較例サンプルａよりも応答速度が速いことがわかる。また、サンプルＡ，ａとも作動１万回試験により応答速度が低下するが、その低下幅は、比較例サンプルａでは着色方向駆動時の応答速度低下幅が非常に大きいのに対し、本発明サンプルＡでは同応答速度低下幅が比較的小さく抑えられることがわかる。したがって、本発明サンプルＡによれば、ＳｎＯ２製の中間層３３の存在により、着消色の繰り返しに対する耐久性が高められていることがわかる。
【００３８】
ところで、本発明サンプルＡについて中間層３３の組成比を分析したところ、原子数比でＮｉ：Ｓｎ＝２：９８であった。中間層３３は純度９９．９％以上のＳｎを蒸着材料として使用したので、本来であればＳｎがほぼ１００％となるはずであるが、製造工程の影響で、最初に成膜するＮｉＯが若干中間層３３に混入したものと思われる。原子数比でＮｉ：Ｓｎ＝２：９８は、重量比に換算するとＮｉＯ／ＳｎＯ２＝０．０１となる。なお、この重量比への換算は、Ｎｉ原子が全量ＮｉＯを形成し、Ｓｎ原子が全量ＳｎＯ２を形成していると仮定している。
【００３９】
ＮｉＯが中間層３３に混入することによる影響を調べるため、中間層３３におけるＮｉＯの混入量を本発明サンプルＡよりも増やしたサンプル（比較例サンプルｂ）を作製し、試験を行った。比較例サンプルｂにおけるＮｉＯとＳｎＯ２の重量比は、ＮｉＯ／ＳｎＯ２＝０．１４であった。本発明サンプルＡと比較例サンプルｂについて、前記作動１万回試験と同様に、＋２．０Ｖ印加による着色方向駆動を１５秒間行い、次いで−２．０Ｖ印加による消色方向駆動を５秒間行う行程を繰り返したところ、繰り返し回数６０回で比較例サンプルｂは茶色に変色してしまい、透明状態に戻らなくなってしまった。一方、本発明サンプルＡでは何の問題も生じなかった。
【００４０】
以上の結果によれば、前記特開平９−１５２６３４には「酸化発色性エレクトロクロミック物質と金属酸化物の重量比は、０．０２≦（酸化発色性エレクトロクロミック物質／金属酸化物）≦１であることが好ましい。重量比が１よりも大きくなると吸光度が大きくなり、重量比が０．０２よりも小さくなると着色速度が遅くなるとともに耐久性が悪くなる。」との記載があるものの、酸化発色層をニッケル酸化物を含有する材料で構成した場合には、これとは逆に、中間層３３がニッケル酸化物を含まないか、あるいは含むとしてもその含有量が該中間層を構成する主成分である金属酸化物に対する重量比で０．０２未満とするのが好ましく、０．０１以下とするのがより好ましいと言える。中間層３３を構成する主成分が金属、またはニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物である場合も同様である可能性が考えられる。
【００４１】
なお、本発明サンプルＡのＳｎＯ２膜３３は非常に薄いため、その結晶構造の分析は困難であり、結晶、アモルファスのいずれであるかを確認することはできなかった。ただし、結晶、アモルファスのいずれであっても、性能上は問題ないものと推測される。
【００４２】
本発明サンプルＡの中間層３３を、ＳｎＯ２に代えてＡｌで構成したサンプル（本発明サンプルＢ）を作製して、図１０の場合と同様に測定した分光スペクトルを図１３に示す。なお、本発明サンプルＢのＡｌ膜３３は、純度９９．９％以上のＡｌを蒸着材料とする電子ビーム蒸発源を使用し、基板温度１２０℃、真空容器内圧力１×１０−５Ｔｏｒｒ以下の条件下で、真空蒸着法により、成膜速度５ｎｍ／秒（ＳｎＯ２膜の場合はＳｎを酸素ガスと反応させて成膜するので成膜速度はゆっくりであるが、Ａｌ膜の場合は酸素を導入せずにすなわち酸素と反応させずに成膜するので、成膜速度を速くすることができる。）で２０ｎｍの膜厚に成膜した。Ａｌ膜３３以外の層の成膜方法は、本発明サンプルＡについて説明したのと同じである。図１３からわかるように、着色時色はほぼ純粋な灰色が得られ、消色時色は無彩色でほぼ透明の透過色が得られる。また、作動１万回試験前の着色時透過率は作動１万回試験前に比べて大きく低下する（着色が濃くなる）。消色時透過率は、作動１万回試験前後での違いはあまり見られなかった。
【００４３】
本発明サンプルＢと前記比較例サンプルａについて前記図１２の場合と同様に測定した応答速度特性を図１４に示す。図１４によれば、作動１万回試験の前後いずれにおいても、着色方向駆動時および消色方向駆動時とも、本発明サンプルＢの方が比較例サンプルａよりも応答速度が速いことがわかる。また、サンプルＢ，ａとも作動１万回試験により応答速度が低下するが、その低下幅は、比較例サンプルａでは着色方向駆動時の応答速度低下幅が非常に大きいのに対し、本発明サンプルＢでは同応答速度低下幅が比較的小さく抑えられることがわかる。したがって、本発明サンプルＢによれば、Ａｌ製の中間層３３の存在により、着消色の繰り返しに対する耐久性が高められていることがわかる。
【００４４】
図１５は図１２に示す本発明サンプルＡ（中間層３３：ＳｎＯ２）の応答速度特性と、図１４に示す本発明サンプルＢ（中間層３３：Ａｌ）の応答速度特性を重ねて示したものである。これによれば、作動１万回試験前特性（初期特性）は本発明サンプルＡの方が優れているが、作動１万回試験後特性は本発明サンプルＢの方がコントラスト比が優れている（着色が濃くなる）ことがわかる。
【００４５】
なお、図１のＥＣ素子において、中間層３３はニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物（ニッケル酸化物以外の金属酸化物膜と金属膜との多層膜構造等の積層体や、ニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との混合物等）で構成することもできる。
【００４６】
この発明の他の実施の形態を以下説明する。中間層３３はいずれも実施の形態１で説明したのと同様に構成することができる。
（実施の形態２）
この発明の実施の形態２を図１６に示す。これは、図１の実施の形態において、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２と、還元発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４の配置を入れ替えたものである。図１の実施の形態と共通する部分には同一の符号を用いる。
【００４７】
（実施の形態３）
この発明の実施の形態３を図１７に示す。これは、基板側を表面側とする車両用等の防眩ミラーを構成したものである。図１の実施の形態と共通する部分には同一の符号を用いる。透明ガラス基板１０の上に下部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜１２が成膜され、その上に、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２、中間層３３、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜１６、還元発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４、上部電極膜兼反射膜を構成するＡｌ，Ｎｉ，Ｃｒ等の反射電極膜４４が順次積層成膜されている。下部ＩＴＯ透明電極膜１２の一端部には予めレーザエッチングにより分割線２２が形成されて、該一端部の領域１２ａが電気的に分離されている。上部電極膜兼反射膜４４の一端部はこの下部ＩＴＯ透明電極膜１２の分離された領域１２ａに電気的に接続されている。基板１０の両端部には、電極取り出し用クリップ電極２４，２６が装着されている。クリップ電極２４は下部ＩＴＯ透明電極膜１２に電気的に接続され、クリップ電極２６は上部電極膜兼反射膜４４に電気的に接続されている。上部電極膜兼反射膜４４の上には液状封止樹脂４６が塗布され、そこに封止部材４８としてガラス板、樹脂板、金属板等の板状部材が接着され、該液状封止樹脂４６が硬化されて、積層膜全体を封止している。以上の構成により、図１７のＥＣ素子は透明ガラス基板１０側を表面側とし、着色時は色が灰色で低反射率、消色時は色が無彩色で高反射率の防眩ミラーを構成する。
【００４８】
（実施の形態４）
この発明の実施の形態４を図１８に示す。これは、封止部材側を表面側とする車両用等の防眩ミラーを構成したものである。図１および図１７の実施の形態と共通する部分には同一の符号を用いる。ガラス等の基板５０の上に下部電極膜兼反射膜を構成する反射電極膜５２が成膜され、その上に、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２、中間層３３、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜１６、還元発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４、上部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜２０が順次積層成膜されている。反射電極膜５２はそれよりも上層の積層工程で腐食しない金属材料を使用するのが望ましい。反射電極膜５２の一端部には予めレーザエッチングにより分割線２２が形成されて、該一端部の領域５２ａが電気的に分離されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の一端部はこの反射電極膜５２の分離された領域５２ａに電気的に接続されている。基板５０の両端部には、電極取り出し用クリップ電極２４，２６が装着されている。クリップ電極２４は反射電極膜５２に電気的に接続され、クリップ電極２６は上部ＩＴＯ透明電極膜２０に電気的に接続されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の上には透明液状封止樹脂２８が塗布され、そこに封止部材３０として透明ガラス板が接着され、該液状封止樹脂２８が硬化されて、積層膜全体を封止している。以上の構成により、図１８のＥＣ素子は透明封止樹脂２８側を表面側とし、着色時は色が灰色で低反射率、消色時は色が無彩色で高反射率の防眩ミラーを構成する。
【００４９】
（実施の形態５）
この発明の実施の形態５を図１９に示す。これは、基板側を表面側とする表示素子を構成したものである。図１の実施の形態と共通する部分には同一の符号を用いる。透明ガラス基板１０の上に下部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜１２が成膜され、その上に、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２、中間層３３、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜１６、還元発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４、上部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜２０が順次積層成膜されている。下部ＩＴＯ透明電極膜１２の一端部には予めレーザエッチングにより分割線２２が形成されて、該一端部の領域１２ａが電気的に分離されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の一端部はこの下部ＩＴＯ透明電極膜１２の分離された領域１２ａに電気的に接続されている。基板１０の両端部には、電極取り出し用クリップ電極２４，２６が装着されている。クリップ電極２４は下部ＩＴＯ透明電極膜１２に電気的に接続され、クリップ電極２６は上部ＩＴＯ透明電極膜２０に電気的に接続されている。なお、上下ＩＴＯ透明電極膜１２，２０は任意の文字、記号、絵等を表示するようにパターニングされている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の上には透明液状封止樹脂２８が塗布され、そこに封止部材５４として白色ガラス板等の不透明背景板が接着され、該液状封止樹脂２８が硬化されて、積層膜全体を封止している。以上の構成により、図１９のＥＣ素子は透明ガラス基板１０側を表面側とする表示素子を構成する。この場合、表示色は灰色になるので、従来の青色等の色相を有する表示に比べて違和感のない表示を行うことができる。また、セグメント方式あるいはドットマトリクス方式等の文字盤や時計等の表示装置を構成した場合に、消色部分が無彩色でほぼ透明になるので、表示を視認しやすい。
【００５０】
（実施の形態６）
この発明の実施の形態６を図２０に示す。これは、封止部材側を表面側とする表示素子を構成したものである。図１および図１９の実施の形態と共通する部分には同一の符号を用いる。白色ガラス板等の不透明背景基板５６の上に下部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜１２が成膜され、その上に、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２、中間層３３、固体電解質層を構成する酸化タンタル膜１６、還元発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４、上部電極膜を構成するＩＴＯ透明電極膜２０が順次積層成膜されている。下部ＩＴＯ透明電極膜１２の一端部には予めレーザエッチングにより分割線２２が形成されて、該一端部の領域１２ａが電気的に分離されている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の一端部はこの下部ＩＴＯ透明電極膜１２の分離された領域１２ａに電気的に接続されている。基板５６の両端部には、電極取り出し用クリップ電極２４，２６が装着されている。クリップ電極２４は下部ＩＴＯ透明電極膜１２に電気的に接続され、クリップ電極２６は上部ＩＴＯ透明電極膜２０に電気的に接続されている。なお、上下ＩＴＯ透明電極膜１２，２０は任意の文字、記号、絵等を表示するようにパターニングされている。上部ＩＴＯ透明電極膜２０の上には透明液状封止樹脂２８が塗布され、そこに封止部材３０として透明ガラス板が接着され、該液状封止樹脂２８が硬化されて、積層膜全体を封止している。以上の構成により、図２０のＥＣ素子は封止部材３０側を表面側とする表示素子を構成する。この場合、表示色は灰色になるので、従来の青色等の色相を有する表示に比べて違和感のない表示を行うことができる。また、セグメント方式あるいはドットマトリクス方式等の文字盤や時計等の表示装置を構成した場合に、消色部分が無彩色でほぼ透明になるので、表示を視認しやすい。
【００５１】
なお、実施の形態３〜６においても、酸化発色層を構成するニッケル酸化物膜３２と、還元発色層を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４の配置を入れ替えることができる。また、前記各実施の形態では固体電解質層１６をＴａ２Ｏ５膜で構成したが、他の無機固体電解質材料（例えば、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、Ｓｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２等）を使用することもできる。
【００５２】
（実施の形態７）
この発明の実施の形態７を図２１に示す。これは、図１の構造において、液状封止樹脂２８に代えて、固体状封止樹脂部材を使用したものである。下部ＩＴＯ透明電極膜１２付き透明ガラス基板１０の上に酸化発色層３２、中間層３３、固体電解質層、還元発色層３４、上部ＩＴＯ透明電極膜２０の積層膜を成膜した後、固体状封止樹脂部材としてリング状封止樹脂部材５５を該積層膜の周囲を取り囲んで配置し、該リング状封止樹脂部材５５の下面を透明ガラス基板１０に接着し、上面を封止部材３０に接着して全体を一体化する。上部ＩＴＯ透明電極膜２０と封止部材３０との間には、エアーギャップ（空気層）５７が形成されていてもよい。
【００５３】
（実施の形態８）
この発明の実施の形態８を図２２に示す。これは、図１の構造において、固体電解質層１６を、無機固体電解質材料に代えて、高分子固体電解質材料（導電性ポリマーシート）で構成したものである。図１の実施の形態と共通する部分には同一の符号を用いる。このＥＣ素子は、上下ＩＴＯ透明電極膜２０，１２の間に、ニッケル酸化物で構成される酸化発色層３２、中間層３３，導電性ポリマーシート５８、保護層６０、酸化タングステン・酸化チタン混合物で構成される還元発色層３４を積層して構成されている。保護層６０は還元発色層３４を構成する酸化タングステン・酸化チタン混合膜の保護用である。封止樹脂６２は、酸化発色層３２、中間層３３，導電性ポリマーシート５８、保護層６０、還元発色層３４で構成される積層体の外周縁全周に塗布、硬化されて、該積層体を封止している。上部ＩＴＯ透明電極膜２０に電気的に接続されるクリップ電極２６は、封止部材３０側に取り付けられている。
【００５４】
このＥＣ素子の製造工程の一例を図２３を参照して順を追って説明する。
（１）ＩＴＯ透明電極膜が成膜された所定形状の２枚の透明ガラス板を、下部ＩＴＯ透明電極膜１２付き透明ガラス基板１０、上部ＩＴＯ透明電極膜２０付き封止部材３０としてそれぞれ用意する。
（２）基板１０を真空蒸着装置内に収容し、ＮｉＯまたはＮｉを蒸着材料（出発材料）とする真空蒸着法により、ニッケル酸化物膜３２を成膜する。
（３）続けて、Ｓｎを蒸着材料（出発材料）とする真空蒸着法（正確には、電子ビーム蒸発源を使用し、高周波を印加したイオンプレーティング法）により、ＳｎＯ２膜３３を成膜する。
（４）基板１０を真空蒸着装置から取り出し、封止部材３０を真空蒸着装置内に収容し、ＷＯ３およびＴｉＯ２をそれぞれ蒸着材料とする二元真空蒸着法により、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４を成膜する。
（５）続けて、酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４の表面に、該酸化タングステン・酸化チタン混合膜３４の保護層６０として、例えばＴａ２Ｏ５膜を成膜する。
（６）封止部材３０を真空蒸着装置から取り出し、基板１０と封止部材３０にクリップ電極２４，２６をそれぞれ取り付ける。
（７）基板１０と封止部材３０を積層面どうしを対面させ、間に導電性ポリマーシート５８を挟んで密着させる。
（８）積層体の外周縁全周に液状封止樹脂を塗布し、硬化させて該積層体を封止し、全体を一体化させて完成する。
【００５５】
なお、前記実施の形態では、酸化発色層をニッケル酸化物のみで構成した場合について説明したが、これに限らず、酸化発色層はニッケル酸化物を主成分として含んでいればよく、この発明の効果が得られる限り、ニッケル酸化物に他の物質を添加させたもので酸化発色層を構成することもできる。また、この発明は、酸化発色層と中間層との間に酸化発色層材料と中間層材料が混在した遷移領域が存在したり、中間層と固体電解質層との間に中間層材料と固体電解質材料が混在した遷移領域が存在することを妨げるものではない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１を示す図で、ＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図２】 従来のＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図３】 特願２００２−２５１８５６に開示のＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図４】 酸化タングステン・酸化チタン混合膜を二元真空蒸着で成膜する際の真空蒸着装置内における各要素の配置例を示す模式図である。
【図５】 図３のＥＣ素子において還元発色層の酸化タングステンと酸化チタンの混合比を様々に変化させた場合の分光透過率特性を示す図である。
【図６】 図３のＥＣ素子において着色時の印加電圧を様々に変化させた場合の分光透過率特性を示す図である。
【図７】 図３のＥＣ素子において着色電圧を様々に変化させた場合の着色時の応答速度特性を示す図である。
【図８】 図３のＥＣ素子と図２の従来のＥＣ素子の分光透過率特性を示す図である。
【図９】 図３のＥＣ素子をデジタルカメラに使用する場合の光学系の主要部の配置例を示す模式図である。
【図１０】 中間層をＳｎＯ２で構成した図１のＥＣ素子について測定した分光透過率特性を示す図である。
【図１１】 中間層を有しない比較例について測定した分光透過率特性を示す図である。
【図１２】 中間層をＳｎＯ２で構成した図１のＥＣ素子と中間層を有しない比較例について測定した応答速度特性を示す図である。
【図１３】 中間層をＡｌで構成した図１のＥＣ素子について測定した分光透過率特性を示す図である。
【図１４】 中間層をＡｌで構成した図１のＥＣ素子と中間層を有しない比較例について測定した応答速度特性を示す図である。
【図１５】 中間層をＳｎＯ２で構成した図１のＥＣ素子の応答速度特性と、中間層をＡｌで構成した図１のＥＣ素子の応答速度特性を重ねて示した図である。
【図１６】 この発明の実施の形態２を示す図で、ＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図１７】 この発明の実施の形態３を示す図で、ＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図１８】 この発明の実施の形態４を示す図で、ＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図１９】 この発明の実施の形態５を示す図で、ＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図２０】 この発明の実施の形態６を示す図で、ＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図２１】 この発明の実施の形態７を示す図で、ＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図２２】 この発明の実施の形態８を示す図で、ＥＣ素子の積層断面構造を示す模式図である。
【図２３】 実施の形態８のＥＣ素子の製造方法を説明する模式図である。
【符号の説明】
１０…透明ガラス基板、１２…下部ＩＴＯ透明電極膜、１６…無機固体電解質層、２０…上部ＩＴＯ透明電極膜、２８…透明封止樹脂、３０…透明封止部材、３２…酸化発色層、３３…中間層、３４…還元発色層、４２…撮像素子、４４，５２…反射電極膜、４６…封止樹脂、４８…封止部材、５０…基板、５４…封止部材（不透明背景板）、５６…不透明背景基板、５８…導電性ポリマーシート（高分子固体電解質材料）。
Claims (28)
- 還元発色層と酸化発色層を固体電解質層を挟んで対向配置した構造を有するエレクトロクロミック素子において、
前記還元発色層が酸化タングステンと酸化チタンを含有する材料で構成され、
前記酸化発色層がニッケル酸化物を含有する材料で構成され、
前記酸化発色層と前記固体電解質層との間に、ニッケル酸化物以外の金属酸化物もしくは金属、またはニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物を主成分として構成される透明性を有する中間層を配置してなり、
前記中間層を構成する金属が、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐｄのいずれか１つ、または２つ以上の複合物を主成分とするものであり、
着色時の色が灰色を呈するエレクトロクロミック素子。 - ２枚の板材の間に、第１の電極層、還元発色層、固体電解質層、酸化発色層、第２の電極層を積層配置し、前記２枚の板材および前記２層の電極層のうち、少なくとも一方側の板材および電極層の組み合わせが透明に構成されているエレクトロクロミック素子において、
前記還元発色層が酸化タングステンと酸化チタンを含有する材料で構成され、
前記酸化発色層がニッケル酸化物を含有する材料で構成され、
前記酸化発色層と前記固体電解質層との間に、ニッケル酸化物以外の金属酸化物もしくは金属、またはニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物を主成分として構成される透明性を有する中間層を配置してなり、
前記中間層を構成する金属が、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐｄのいずれか１つ、または２つ以上の複合物を主成分とするものであり、
着色時の色が灰色を呈するエレクトロクロミック素子。 - 前記２枚の板材および前記２層の電極層がいずれも透明に構成され、素子全体が厚み方向に透明に構成されてなり、デジタルカメラの撮像素子の光軸上に露出調整素子として配置されている請求項２記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記２枚の板材および前記２層の電極層のうち、一方側の板材および電極層の組み合わせが透明に構成され、他方側の電極層が金属反射膜で構成されてなり、反射率可変ミラーを構成している請求項２記載のエレクトロクロミック素子。
- 基材と、
該基材の上に固定形成された第１の電極層と、
該第１の電極膜の上に固定形成された酸化または還元発色層と、
該酸化または還元発色層の上に固定形成された固体電解質層と、
該固体電解質層の上に固定形成された還元または酸化発色層と、
該還元または酸化発色層の上に固定形成された第２の電極層と
を具備し、前記第１、第２の電極層の少なくとも一方が透明に構成されているエレクトロクロミック素子において、
前記還元発色層が酸化タングステンと酸化チタンを含有する材料で構成され、
前記酸化発色層がニッケル酸化物を含有する材料で構成され、
前記酸化発色層と前記固体電解質層との間に、ニッケル酸化物以外の金属酸化物もしくは金属、またはニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物で構成される透明性を有する中間層を配置してなり、
前記中間層を構成する金属が、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐｄのいずれか１つ、または２つ以上の複合物を主成分とするものであり、
着色時の色が灰色を呈するエレクトロクロミック素子。 - 前記基材が透明板状部材で構成され、前記第１、第２の電極層が透明電極膜で構成され、前記第２の電極層の上に透明封止樹脂を介して透明板状封止部材が接合され、素子全体が厚み方向に透明に構成されてなり、デジタルカメラの撮像素子の光軸上に露出調整素子として配置されている請求項５記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記基材が透明板状部材で構成され、前記第１の電極層が透明電極膜で構成され、前記第２の電極層が金属反射膜で構成され、該第２の電極層の上に封止樹脂を介して封止部材が接合されてなり、前記基材側を表面側とする反射率可変ミラーを構成している請求項５記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記還元発色層は酸化タングステンと酸化チタンを主成分として構成される、混合物の膜であり、または、酸化タングステンが主成分で酸化チタンが添加されている混合物の膜であり、前記酸化発色層はニッケル酸化物を主成分として構成される膜である請求項１から７のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記還元発色層に含まれるタングステン原子の原子数がチタン原子の原子数よりも多い請求項１から８のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記還元発色層に含まれるタングステン原子とチタン原子の原子数の合計値に対するチタン原子数の割合が５〜４０％、好ましくは２０〜３０％である請求項９記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記酸化タングステンはＷＯ３が主成分であり、前記酸化チタンはＴｉＯ２が主成分であり、前記ニッケル酸化物はＮｉＯが主成分である請求項１から１０のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記ニッケル酸化物はＮｉ（ＯＨ）２を含有する請求項１から１１のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記還元発色層はアモルファスであり、前記酸化発色層は結晶または微結晶またはアモルファスである請求項１から１２のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記還元発色層は、電圧の印加により、少なくとも
前記酸化発色層は、電圧の印加により、少なくとも
- 前記還元発色層はＷＯ３およびＴｉＯ２をそれぞれ出発材料とする二元蒸着により形成される膜の成分を含み、前記酸化発色層はＮｉＯを出発材料とする蒸着により形成される膜の成分を含む請求項１から１４のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック素子。
- 着色時の印加電圧のピーク値が、両電極とも透明電極膜を使用した素子の場合は１．７５Ｖ以上、より好ましくは２Ｖ以上、３Ｖ以下、一方の電極に透明電極膜を使用し他方の電極に電極兼反射膜を使用した素子の場合は１Ｖ以上、１．８Ｖ以下である請求項１から１５のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック素子。
- 消色時の色が無彩色を呈する請求項１から１６のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記中間層を構成する金属酸化物が、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＴＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｓｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２のいずれか１つ、または２つ以上の複合物を主成分とする請求項１から１７のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記中間層を構成する金属酸化物が電気伝導性金属酸化物を主成分とする請求項１から１７のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記中間層が、ニッケル酸化物を含まないか、あるいは含むとしてもその含有量が該中間層を構成する主成分に対する重量比で０．０２未満、より好ましくは０．０１以下である請求項１から１９のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック素子。
- ニッケル酸化物を含有する材料で構成された酸化発色層と、固体電解質層との間に、金属、またはニッケル酸化物以外の金属酸化物と金属との複合物を主成分として構成される透明性を有する中間層を配置してなり、
前記中間層を構成する金属が、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｐｄのいずれか１つ、または２つ以上の複合物を主成分とするものである
エレクトロクロミック素子。 - 前記中間層が、ニッケル酸化物を含まないか、あるいは含むとしてもその含有量が該中間層を構成する主成分に対する重量比で０．０２未満、より好ましくは０．０１以下である請求項２１記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記中間層を構成する金属酸化物が、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＴＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｓｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２のいずれか１つ、または２つ以上の複合物を主成分とする請求項２１または２２記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記中間層を構成する金属酸化物が電気伝導性金属酸化物を主成分とする請求項２１または２２記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記酸化発色層はニッケル酸化物を主成分として構成される膜である請求項２１から２４のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記酸化発色層に含まれるニッケル酸化物はＮｉＯが主成分である請求項２１から２５のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記中間層を構成する金属酸化物がＳｎＯ２であり、その膜厚が７０ｎｍ未満である請求項１から２６のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック素子。
- 前記固体電解質層がＴａ２Ｏ５を主成分として構成される請求項１から２７のいずれか１つに記載のエレクトロクロミック素子。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7827672B2 (en) | 1998-10-28 | 2010-11-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacture stator for an automotive alternator |
| EP2896992A1 (en) | 2014-01-15 | 2015-07-22 | Ricoh Company, Ltd. | Electrochromic device and production method thereof |
| WO2016079982A1 (en) | 2014-11-19 | 2016-05-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrochromic device and production method thereof |
| US10431702B2 (en) | 2017-07-21 | 2019-10-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Transparent electrode, manufacturing method thereof and electronic device employing the transparent electrode |
| US10495937B2 (en) | 2014-11-19 | 2019-12-03 | Ricoh Company, Ltd. | Electrochromic device and production method thereof |
| EP4006635A1 (en) | 2020-11-30 | 2022-06-01 | Ricoh Company, Ltd. | Electrochromic element and electrochromic light control lens |
Families Citing this family (77)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE602005003234T2 (de) | 2004-07-12 | 2008-08-28 | Cardinal Cg Co., Eden Prairie | Wartungsarme beschichtungen |
| FR2882828B1 (fr) * | 2005-03-03 | 2007-04-06 | Saint Gobain | Procede d'alimentation d'un dispositif electrocommandable a proprietes optiques et/ou energetiques variables |
| JP4200221B2 (ja) * | 2005-03-19 | 2008-12-24 | 国立大学法人東京農工大学 | 可逆着脱色固体素子、可逆導電性変化固体素子、可逆屈折率変化固体素子、非発光型表示素子、通電路素子および光導波路素子 |
| JP5129975B2 (ja) | 2006-04-11 | 2013-01-30 | 日本板硝子株式会社 | 向上した低保守特性を有する光触媒コーティング |
| US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
| FR2904123B1 (fr) * | 2006-07-21 | 2008-09-12 | Saint Gobain | Dispositif electrochimique / electrocommandable du type vitrage et a proprietes optiques et/ou energetiques variables. |
| EP2078980B1 (en) * | 2006-11-02 | 2019-01-09 | Guala Technology Co., Ltd. | Electric field sensing element and display device making use of the same |
| JP2008203740A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Nissan Motor Co Ltd | 調光素子及び調光デバイス |
| JP4252110B2 (ja) | 2007-03-29 | 2009-04-08 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置、不揮発性記憶素子および不揮発性記憶素子アレイ |
| EP2066594B1 (en) * | 2007-09-14 | 2016-12-07 | Cardinal CG Company | Low-maintenance coatings, and methods for producing low-maintenance coatings |
| US9782949B2 (en) | 2008-05-30 | 2017-10-10 | Corning Incorporated | Glass laminated articles and layered articles |
| US8168265B2 (en) | 2008-06-06 | 2012-05-01 | Applied Materials, Inc. | Method for manufacturing electrochromic devices |
| FR2934062B1 (fr) * | 2008-07-17 | 2010-08-13 | Saint Gobain | Dispositif electrochrome a reflexion infrarouge controlee |
| JP2010160370A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Ricoh Co Ltd | エレクトロクロミック表示素子及び表示装置 |
| US9664974B2 (en) | 2009-03-31 | 2017-05-30 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US8582193B2 (en) | 2010-04-30 | 2013-11-12 | View, Inc. | Electrochromic devices |
| US10591795B2 (en) | 2009-03-31 | 2020-03-17 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
| US10261381B2 (en) | 2009-03-31 | 2019-04-16 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| US12043890B2 (en) | 2009-03-31 | 2024-07-23 | View, Inc. | Electrochromic devices |
| US10156762B2 (en) | 2009-03-31 | 2018-12-18 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
| US10852613B2 (en) | 2009-03-31 | 2020-12-01 | View, Inc. | Counter electrode material for electrochromic devices |
| US12353109B2 (en) | 2009-12-22 | 2025-07-08 | View Operating Corporation | Electrochromic cathode materials |
| KR20130010899A (ko) | 2010-03-05 | 2013-01-29 | 세이지 일렉트로크로믹스, 인크. | 유리 기판에 전기변색 소자의 적층체 |
| US9759975B2 (en) | 2010-04-30 | 2017-09-12 | View, Inc. | Electrochromic devices |
| FR2962818B1 (fr) | 2010-07-13 | 2013-03-08 | Saint Gobain | Dispositif electrochimique a proprietes de transmission optique et/ou energetique electrocommandables. |
| FR2962682B1 (fr) | 2010-07-16 | 2015-02-27 | Saint Gobain | Vitrage electrochimique a proprietes optiques et/ou energetiques electrocommandables |
| JP5539162B2 (ja) * | 2010-11-04 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | エレクトロクロミック素子 |
| US8164818B2 (en) | 2010-11-08 | 2012-04-24 | Soladigm, Inc. | Electrochromic window fabrication methods |
| CN102708758B (zh) * | 2011-08-25 | 2015-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、双面显示器件及其制造方法 |
| US10606142B2 (en) | 2011-12-12 | 2020-03-31 | View, Inc. | Thin-film devices and fabrication |
| US10739658B2 (en) | 2011-12-12 | 2020-08-11 | View, Inc. | Electrochromic laminates |
| US11048137B2 (en) | 2011-12-12 | 2021-06-29 | View, Inc. | Thin-film devices and fabrication |
| KR20220120709A (ko) | 2011-12-12 | 2022-08-30 | 뷰, 인크. | 박막 디바이스 및 제조 |
| US12321075B2 (en) | 2011-12-12 | 2025-06-03 | View Operating Corporation | Electrochromic laminates |
| US20130293825A1 (en) * | 2012-03-26 | 2013-11-07 | Pixeloptics, Inc. | Electrochromic materials and optical systems employing the same |
| US20140327950A1 (en) | 2012-03-26 | 2014-11-06 | Hpo Assets Llc | Electrochromic materials and optical systems employing the same |
| US9264150B2 (en) * | 2012-03-28 | 2016-02-16 | Globalfoundries Inc. | Reactive metal optical security device and methods of fabrication and use |
| JP6378167B2 (ja) | 2012-04-05 | 2018-08-22 | セイジ・エレクトロクロミクス，インコーポレイテッド | エレクトロクロミック素子を製造するためのサーマルレーザースクライブ切断の方法及び装置、並びに対応する切断されたガラスパネル |
| EP3054347B1 (en) | 2012-12-28 | 2020-05-20 | e-Vision Smart Optics Inc. | Double-layer electrode for electro-optic liquid crystal lens |
| CN104122730A (zh) * | 2013-04-27 | 2014-10-29 | 珠海兴业绿色建筑科技有限公司 | 一种反射型电致变色器件 |
| US10061175B2 (en) * | 2013-07-25 | 2018-08-28 | E-Vision, Llc | Electrochromic films and related methods thereof |
| CN104423114B (zh) * | 2013-09-05 | 2018-03-06 | 华为技术有限公司 | 一种全固态电致变色复合器件及其制备方法 |
| US11891327B2 (en) | 2014-05-02 | 2024-02-06 | View, Inc. | Fabrication of low defectivity electrochromic devices |
| CN104076569B (zh) * | 2014-07-15 | 2017-11-17 | 常州深蓝涂层技术有限公司 | 一种电致变色器件及其制备方法 |
| TW201628249A (zh) * | 2014-08-28 | 2016-08-01 | 應用材料股份有限公司 | 包含用於降低界面電阻及過電位的中間層的電化學裝置堆疊 |
| US10345671B2 (en) | 2014-09-05 | 2019-07-09 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
| JPWO2016063849A1 (ja) | 2014-10-21 | 2017-08-10 | 旭硝子株式会社 | 光学素子および撮像装置 |
| KR101688401B1 (ko) * | 2014-10-31 | 2016-12-22 | 한국과학기술연구원 | 박막 태양전지의 제조 방법 및 모듈 구조 |
| CN104492675A (zh) * | 2014-11-17 | 2015-04-08 | 中山大学 | 一种低温制备电致变色NiO薄膜的方法 |
| EP3224670B1 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-12 | View, Inc. | Counter electrode for electrochromic devices |
| CN104407483A (zh) * | 2014-12-25 | 2015-03-11 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 电致变色器件及其制备方法和应用 |
| US10353497B2 (en) * | 2015-03-04 | 2019-07-16 | Kaneka Corporation | Substrate with conductive layers, substrate with touch-panel transparent electrodes, and method for fabricating same |
| CN104789927B (zh) * | 2015-04-20 | 2017-08-01 | 福建省诺希科技园发展有限公司 | 一种全固态氧化钨系电致变色器件的制备方法及其制品 |
| HK1254946A1 (zh) * | 2015-07-14 | 2019-08-02 | View, Inc. | 用於电致变色装置的对电极 |
| WO2017141528A1 (ja) * | 2016-02-15 | 2017-08-24 | シャープ株式会社 | エレクトロクロミックデバイス、およびエレクトロクロミックデバイスを備えるスマートウインドウ |
| KR102794400B1 (ko) * | 2016-09-22 | 2025-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| EP3541762B1 (en) | 2016-11-17 | 2022-03-02 | Cardinal CG Company | Static-dissipative coating technology |
| US10509291B2 (en) | 2017-02-27 | 2019-12-17 | Sage Electrochromics, Inc. | Electrical device including a substrate and a transparent conductive layer and a process of forming the same |
| KR102118361B1 (ko) * | 2017-04-24 | 2020-06-04 | 주식회사 엘지화학 | 전기변색필름 및 이를 포함하는 전기변색소자 |
| WO2018199569A1 (ko) * | 2017-04-24 | 2018-11-01 | 주식회사 엘지화학 | 전기변색필름 및 이를 포함하는 전기변색소자 |
| KR102078403B1 (ko) | 2017-04-27 | 2020-04-07 | 주식회사 엘지화학 | 전기변색소자 |
| KR102660379B1 (ko) * | 2017-11-14 | 2024-04-23 | 소니그룹주식회사 | 조광 장치, 화상 표시 장치 및 표시 장치 |
| JP7223242B2 (ja) * | 2018-03-19 | 2023-02-16 | 株式会社リコー | エレクトロクロミックデバイス、及び、それを用いた電子機器 |
| US12066734B1 (en) | 2018-11-07 | 2024-08-20 | Eclipse Energy Systems, Inc. | Electrochromic device having various uses |
| US10996535B1 (en) | 2018-11-07 | 2021-05-04 | Eclipse Energy Systems, Inc. | Electrochromic device with buffer layer(s) |
| KR102759688B1 (ko) * | 2018-12-31 | 2025-01-24 | 주식회사 동진쎄미켐 | 전기변색소자 및 그의 제조방법 |
| CN109709737B (zh) * | 2019-02-27 | 2022-04-19 | 暨南大学 | 一种电致变色薄膜的制作方法 |
| US11604393B2 (en) | 2019-05-30 | 2023-03-14 | Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. | Electronic apparatus and electrochromic device |
| CN112099277A (zh) * | 2019-06-18 | 2020-12-18 | 泰特博旗滨股份有限公司 | 具保护层的电致变色组件结构 |
| JP2021021872A (ja) | 2019-07-30 | 2021-02-18 | 株式会社リコー | エレクトロクロミック装置、光学レンズデバイス、眼鏡、エレクトロクロミック装置の制御装置、エレクトロクロミック装置の制御方法、及び、エレクトロクロミック装置の制御プログラム |
| FR3105459B1 (fr) * | 2019-12-20 | 2023-06-23 | Saint Gobain | Trempe thermique d’une electrode travail |
| CN111913329B (zh) * | 2020-08-25 | 2021-10-08 | 上海交通大学 | 可见至中红外波段可调控光性能的电致变色薄膜器件及制备方法 |
| CN113568233B (zh) * | 2021-07-21 | 2022-10-14 | 深圳市光羿科技有限公司 | 一种电致变色器件及其制备方法 |
| CN112305826B (zh) * | 2020-10-27 | 2023-06-23 | 广东省科学院新材料研究所 | 一种电致变色材料及其制备方法与应用、一种电致变色器件 |
| EP4310586A1 (en) | 2021-03-17 | 2024-01-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Tungsten oxide powder and electrochromic element using same |
| JP7676862B2 (ja) | 2021-03-23 | 2025-05-15 | 株式会社リコー | エレクトロクロミック表示素子 |
| CN119667997A (zh) * | 2024-12-17 | 2025-03-21 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种NiO阳极电致变色薄膜及其制备方法与应用 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6011577A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-21 | Fujitsu Ltd | 全固体エレクトロクロミツク表示素子 |
| JP3480002B2 (ja) * | 1993-07-28 | 2003-12-15 | 旭硝子株式会社 | エレクトロクロミック調光窓 |
| JPH09152634A (ja) | 1995-03-03 | 1997-06-10 | Canon Inc | エレクトロクロミック素子及びその製造方法 |
| FR2746934B1 (fr) * | 1996-03-27 | 1998-05-07 | Saint Gobain Vitrage | Dispositif electrochimique |
| JP2000010126A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Asahi Glass Co Ltd | エレクトロクロミック調光体及びエレクトロクロミック調光窓 |
| FR2781062B1 (fr) * | 1998-07-09 | 2002-07-12 | Saint Gobain Vitrage | Vitrage a proprietes optiques et/ou energetiques electrocommandables |
| SE523711C2 (sv) * | 1998-09-22 | 2004-05-11 | Forskarpatent I Uppsala Ab | Elektrokrom anordning innefattande tandemskikt av katodiska/ anodiska material |
| JP2004093687A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Murakami Corp | エレクトロクロミック素子 |
-
2002
- 2002-12-24 JP JP2002372054A patent/JP4105537B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-12-10 EP EP03028527A patent/EP1434083A3/en not_active Withdrawn
- 2003-12-15 US US10/734,291 patent/US7428090B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-24 CN CNA2003101130108A patent/CN1510494A/zh active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7827672B2 (en) | 1998-10-28 | 2010-11-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacture stator for an automotive alternator |
| EP2896992A1 (en) | 2014-01-15 | 2015-07-22 | Ricoh Company, Ltd. | Electrochromic device and production method thereof |
| US9304368B2 (en) | 2014-01-15 | 2016-04-05 | Ricoh Company, Ltd. | Electrochromic device and production method thereof |
| WO2016079982A1 (en) | 2014-11-19 | 2016-05-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrochromic device and production method thereof |
| US10495937B2 (en) | 2014-11-19 | 2019-12-03 | Ricoh Company, Ltd. | Electrochromic device and production method thereof |
| US10431702B2 (en) | 2017-07-21 | 2019-10-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Transparent electrode, manufacturing method thereof and electronic device employing the transparent electrode |
| US10644172B2 (en) | 2017-07-21 | 2020-05-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Transparent electrode, manufacturing method thereof and electronic device employing the transparent electrode |
| EP4006635A1 (en) | 2020-11-30 | 2022-06-01 | Ricoh Company, Ltd. | Electrochromic element and electrochromic light control lens |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| JP2004205628A (ja) | 2004-07-22 |
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