JP4396864B2 - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、熱転写法による転写発光層を有する有機発光素子を用いた表示装置およびその製造方法に関する。

有機発光素子の製造方法の一つとして、熱転写を用いたパターン作製法が開示されている。熱転写法は、支持材に発光材料を含む転写層を形成したドナー要素を形成し、このドナー要素を、有機発光素子を形成するための被転写基板に対向配置し、減圧環境下で輻射線を照射することにより転写層を被転写基板に転写する方法である。支持材には、ガラスなどの剛体を用いる場合（例えば、特許文献１参照。）と、柔軟性フィルムを用いる場合（例えば、特許文献２参照。）とがある。後者の場合、ドナー要素を被転写基板上の電極に完全密着させて転写を行う。前者の場合、被転写基板上に発光領域を規定する絶縁層を設けておき、この絶縁層の高さ分だけ被転写基板とドナー基板との距離を離間させた状態で輻射線を照射し、転写層を昇華または気化させて被転写基板に転写する。
特開２００６−３０９９９４号公報 特開２００３−１６８５６９号公報 特開２００３−１６８５６９号公報

しかしながら、特許文献１に記載されたように、ドナー要素の支持材にガラス等の剛体を用いた場合には、発光領域内における転写発光層の膜厚分布や隣接する発光領域への混色を抑えるため、発光領域を規定する絶縁層の寸法・形状や、転写パターンの幅，位置などにおいて、より改善の余地があった。

ちなみに、特許文献３では、転写層を昇華または気化させる転写方法においてフリンジパターンの対策が開示されているが、根本的な発光領域内の転写発光層の膜厚分布の改善や混色の防止については記載されていない。

また、転写工程においては、図３０（Ａ）に示したように、転写層８５０を形成したドナー基板８４０を、第１電極８１３，絶縁層８１４，正孔注入層および正孔輸送層８１５ＡＢを形成した被転写基板８１１に、大気圧の差圧を用いて密着させるので、成膜済みの正孔注入層および正孔輸送層８１５ＡＢが、ドナー基板８４０の密着圧力によりドナー基板８４０へ加圧転写される、いわゆる逆転写が生じてしまうおそれがあった。このような逆転写の現象は、ドナー基板８４０による加圧に、転写時のレーザ光による加熱が加わると顕著になりやすかった。逆転写が生じてしまうと、被転写基板８１１上の正孔注入層および正孔輸送層８１５ＡＢの成膜面が乱されてしまうので、図３０（Ｂ）に示したように、そこをパスとして電流リークＣＬが発生し、表示装置を点灯させた際、スジムラや、まだら状のムラの原因となってしまうという問題がある。そのため、逆転写を確実に抑えることが望まれていた。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、発光領域内の転写発光層の膜厚分布を抑制すると共に、逆転写を抑えて表示品位を向上させることができる表示装置およびその製造方法を提供することにある。

本発明による表示装置は、被転写基板に、赤色，緑色および青色のいずれかの光を発生する長方形の有機発光素子が各色別に長手方向に配列された赤色素子列，緑色素子列および青色素子列を行方向に順に配置したものであって、有機発光素子は、第１電極と、第１電極の発光領域に対応して開口部を有する絶縁層と、発光層を含むと共に少なくとも発光領域に形成された有機層と、第２電極とを有し、赤色素子列および緑色素子列の発光層は、第１電極および絶縁層が形成された被転写基板と、発光材料を含む転写層が形成されたドナー基板とを、絶縁層を間にして対向配置し、輻射線を照射して転写層を昇華または気化させて少なくとも発光領域に転写することにより形成された転写発光層であり、絶縁層を赤色素子列，緑色素子列および青色素子列の各々に均等分すると、青色素子列における絶縁層とドナー基板との接触面積が最も大きく、発光領域の端から引いた絶縁層への接線とドナー基板の表面との交点をＡ、Ａより被転写基板へ下ろした垂線と絶縁層の表面との交点をＣとすると、転写発光層は前記Ｃを含んで形成されているものである。ここに「接線」とは、絶縁層の側面が傾斜面または凸形状である場合は、上述したように、発光領域の端から引いた絶縁層への接線であるが、絶縁層の側面が凹形状である場合は、発光領域の端と、絶縁層の側面のうち発光領域側へ最も突出した位置とを結ぶ直線である。
本発明による表示装置の製造方法は、被転写基板に、赤色，緑色および青色のいずれかの光を発生する長方形の有機発光素子を各色別に長手方向に配列した赤色素子列，緑色素子列および青色素子列を行方向に順に配置する表示装置を製造するものであって、第１電極と、第１電極の発光領域に対応して開口部を有する絶縁層と、発光層を含むと共に少なくとも発光領域に形成された有機層と、第２電極とを順に形成することにより有機発光素子を形成する工程を含み、発光層を形成する工程において、赤色素子列および緑色素子列の発光層を、第１電極および絶縁層が形成された被転写基板と、発光材料を含む転写層が形成されたドナー基板とを、絶縁層を間にして対向配置し、輻射線を照射して転写層を昇華または気化させて少なくとも発光領域に転写することにより形成した転写発光層とし、青色素子列の発光層を蒸着により形成し、絶縁層を赤色素子列，緑色素子列および青色素子列の各々に均等分すると、青色素子列における絶縁層とドナー基板との接触面積を最も大きくし、発光領域の端から引いた絶縁層への接線とドナー基板の表面との交点をＡ、Ａより被転写基板へ下ろした垂線と絶縁層の表面との交点をＣとすると、転写発光層をＣを含んで形成するようにしたものである。

本発明による表示装置では、発光領域の端から引いた絶縁層への接線とドナー基板の表面との交点をＡ、Ａより被転写基板へ下ろした垂線と絶縁層の表面との交点をＣとすると、転写発光層はＣを含んで形成されているので、発光領域内の転写発光層の膜厚分布が小さくなる。よって、輝度ムラ，色ムラ，発光効率の低下などが抑えられ、表示品位が向上する。
また、赤色素子列および緑色素子列の発光層のみが転写発光層とされており、絶縁層を赤色素子列，緑色素子列および青色素子列の各々に均等分すると、青色素子列における絶縁層とドナー基板との接触面積が最も大きくなっているので、逆転写が抑えられ、スジムラやまだら状のムラの発生が回避され、表示品質が向上する。

本発明の表示装置、または本発明の表示装置の製造方法によれば、発光領域の端から引いた絶縁層への接線とドナー基板の表面との交点をＡ、Ａより被転写基板へ下ろした垂線と絶縁層の表面との交点をＣとし、転写発光層を、Ｃを含んで形成するようにしたので、発光領域内の転写発光層の膜厚分布を小さくすることができる。よって、輝度ムラ，色ムラ，発光効率の低下などを抑え、表示品位を向上させることができる。
また、赤色素子列および緑色素子列の発光層のみを転写発光層とし、絶縁層を赤色素子列，緑色素子列および青色素子列の各々に均等分すると、青色素子列における絶縁層とドナー基板との接触面積が最も大きくなるようにしたので、逆転写を抑えて表示品質を向上させることが可能となる。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。

（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスよりなる被転写基板１１の上に、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されたものである。

表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１５の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。

画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。

図３は、表示領域１１０の平面構成の一例を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは長方形の平面形状を有し、各色別に長手方向（列方向）に配列された赤色素子列１１０Ｒ，緑色素子列１１０Ｇ，青色素子列１１０Ｂを構成している。これらの赤色素子列１１０Ｒ，緑色素子列１１０Ｇ，青色素子列１１０Ｂは、表示領域１１０内において、行方向に順に配置されている。なお、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）１０を構成している。画素ピッチは例えば３００μｍである。

図４は図３に示した有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの断面構成を表したものである。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタ（図示せず）および平坦化絶縁膜（図示せず）を間にして、陽極としての第１電極１３、絶縁層１４、後述する発光層１５Ｃを含む有機層１５、および陰極としての第２電極１６がこの順に積層された構成を有している。

このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）などの保護膜１７により被覆され、更にこの保護膜１７上に接着層２０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板３０が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。

第１電極１３は、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物）により構成されている。

絶縁層１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えばポリイミドなどの感光性樹脂により構成されている。絶縁層１４には、第１電極１３の発光領域１３Ａに対応して開口部が設けられている。なお、有機層１５および第２電極１６は、発光領域１３Ａだけでなく絶縁層１４の上にも連続して設けられていてもよいが、発光が生じるのは絶縁層１４の開口部だけである。

有機層１５は、第１電極１３の側から順に、正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢ，発光層１５Ｃおよび電子輸送層および電子輸送層１５ＤＥを積層した構成を有するが、これらのうち発光層１５Ｃ以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層１５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層１５Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１５Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層１５Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、例えば厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ₂ Ｏなどにより構成されている。なお、図４では、正孔注入層および正孔輸送層を一層（正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢ）、電子輸送層および電子注入層を一層（電子輸送層および電子注入層１５ＤＥ）として表している。

有機発光素子１０Ｒの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に２，６≡ビス［４´≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ₃ ）により構成されている。

有機発光素子１０Ｇの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮにクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ₃ により構成されている。

有機発光素子１０Ｂの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１５Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮに４，４´≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ₃ により構成されている。

図５および図６は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光層１５Ｃと、第１電極１３の発光領域１３Ａおよび絶縁層１４との位置関係を表したものである。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光層１５Ｃは、後述するように、第１電極１３および絶縁層１４が形成された被転写基板１１と、発光材料を含む転写層５０が形成されたドナー基板４０とを、絶縁層１４を間にして対向配置し、レーザ光を照射して転写層５０を昇華または気化させて少なくとも発光領域１３Ａに転写することにより形成された転写発光層である。更に、発光領域１３Ａの端から引いた絶縁層１４への接線とドナー基板４０の表面との交点をＡ、Ａより被転写基板１１へ下ろした垂線と絶縁層１４の表面との交点をＣとすると、発光層１５ＣはＣを含んで形成されている。

図４に示した第２電極１６は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。

図４に示した保護膜１７は、有機層１５に水分などが侵入することを防止するためのものであり、透過水性および吸水性の低い材料により構成されると共に十分な厚みを有している。また、保護膜１７は、発光層１５Ｃで発生した光に対する透過性が高く、例えば８０％以上の透過率を有する材料により構成されている。このような保護膜１７は、例えば、厚みが２μｍないし３μｍ程度であり、無機アモルファス性の絶縁性材料により構成されている。具体的には、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ_1-x Ｎ_x ）およびアモルファスカーボン（α−Ｃ）が好ましい。これらの無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないので透水性が低く、良好な保護膜１７となる。また、保護膜１７は、ＩＴＯのような透明導電材料により構成されていてもよい。

図４に示した接着層２０は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂により構成されている。

図４に示した封止用基板３０は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１６の側に位置しており、接着層２０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものであり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板３０には、例えば、カラーフィルタ（図示せず）が設けられており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっていてもよい。

カラーフィルタは、封止用基板３０のどちら側の面に設けられてもよいが、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの側に設けられることが好ましい。カラーフィルタが表面に露出せず、接着層２０により保護することができるからである。また、発光層１５Ｃとカラーフィルタとの間の距離が狭くなることにより、発光層１５Ｃから出射した光が隣接する他の色のカラーフィルタに入射して混色を生じることを避けることができるからである。カラーフィルタは、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタ（いずれも図示せず）を有しており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。

赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、それぞれ例えば矩形形状で隙間なく形成されている。これら赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。

まず、上述した材料よりなる被転写基板１１を用意し、この被転写基板１１の上に駆動トランジスタを含む画素駆動回路１４０を形成したのち、全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化絶縁膜を形成し、露光および現像により所定の形状にパターニングすると共に、駆動トランジスタと第１電極１３との接続孔（図示せず）を形成し、焼成する。

次いで、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる第１電極１３を形成し、例えばドライエッチングにより所定の形状に成形する。なお、被転写基板１１の所定の位置には、後述する転写工程においてドナー基板との位置合わせに使用するアライメントマークが形成されている。

続いて、被転写基板１１の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により発光領域に対応して開口部を設け、焼成することにより、絶縁層１４を形成する。

そののち、例えば蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを順次成膜する。

正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成したのち、熱転写法により、発光層１５Ｃを形成する。すなわち、図５に示したように、第１電極１３および絶縁層１４が形成された被転写基板１１と、発光材料を含む転写層５０が形成されたドナー基板４０とを、絶縁層１４を間にして対向配置し、真空環境下で両基板を密着させたのち、真空保持フレームで両基板間の真空を保持しながら大気圧環境下へ搬出する。これにより、基板内外の圧力差により、ドナー基板４０は被転写基板１１に均一に密着する。ただし、ドナー基板４０上の転写層５０の表面と、被転写基板１１上の正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢ（図６には図示せず）の表面との間には、絶縁層１４の厚み（高さ）分の距離が保たれている。

続いて、レーザ光を照射して転写層５０を昇華または気化させて少なくとも発光領域１３Ａに転写することにより、図６および図７に示したように、発光層１５Ｃを形成する。このとき、発光領域１３Ａの端から引いた絶縁層１４への接線とドナー基板４０の表面との交点をＡ、Ａより被転写基板１１へ下ろした垂線と絶縁層１４の表面との交点をＣとすると、発光層１５Ｃを、Ｃを含んで形成する。これにより、この表示装置では、発光領域１３Ａ内の発光層１５Ｃの膜厚分布を抑制し、表示品位を向上させることができるようになっている。

また、発光領域１３Ａに対して行方向に隣接する発光領域１３Ａの端から引いた絶縁層１４への接線とドナー基板４０の表面との交点をＢ、Ｂより被転写基板１１へ下ろした垂線と絶縁層１４の表面との交点をＤとすると、発光層１５Ｃを、Ｄを含まないで形成することが好ましい。隣接する発光領域１３Ａへの混色を抑制することができ、表示品位を向上させることができるからである。

更に、発光領域１３Ａの行方向両側で得られる交点Ｃ間の距離をＣＣ，交点Ｄ間の距離をＤＤとすると、発光層１５Ｃの行方向における幅Ｗを、ＣＣ以上ＤＤ未満とすることが好ましい。このようにすることにより、発光領域１３Ａ内の発光層１５Ｃの膜厚分布や、隣接する発光領域１３Ａへの混色を抑制し、表示品位を向上させることができるからである。また、レーザ光のスポットサイズなど、転写条件の最適化を容易に行うことができ、条件出し時間を短縮することができる。更に、転写の位置精度マージンの予測が可能となり、後述する変形例のように、マージンを拡大するための絶縁層１４の形状の設計を可能とすることもできる。

加えて、発光領域１３Ａの端と、絶縁層１４およびドナー基板４０の接触面（絶縁層１４の上面の平坦面）との間の行方向における距離ｄを、４μｍ以上とすることが好ましい。逆転写に起因するスジムラやまだら状のムラ等の悪影響を抑えることができるからである。

なお、ドナー基板４０は、例えば、共通基板（図示せず）上に、光熱変換層（図示せず）を形成したものであり、必要に応じて、共通基板と光熱変換層との間にアモルファスシリコンなどの吸収層を配置してレーザ光の吸収効率を高めたり、光熱変換層の酸化防止のため窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などの保護層で被覆するようにしてもよい。共通基板は、被転写基板１１との位置合わせが可能な堅固さを有すると共に、レーザ光に対する透過性の高い材料、例えばガラスにより構成されている。光熱変換層は、例えばモリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），クロム（Ｃｒ）あるいはこれらを含む合金など吸収率の高い金属材料により構成されている。転写層５０は、上述した有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光層１５Ｃの材料を含み、各色別に用意したドナー基板４０上に、例えば真空蒸着により形成されたものである。

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光層１５Ｃを形成したのち、例えば蒸着により、電子輸送層および電子注入層１５ＤＥ、並びに第２電極１６を形成する。このようにして、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、これらの上に上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。保護膜１７の形成方法は、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法またはＣＶＤ法が好ましい。また、保護膜１７は、第２電極１６を大気に暴露することなく、第２電極１６の形成と連続して行うことが望ましい。大気中の水分や酸素により有機層１５が劣化してしまうのを抑制することができるからである。更に、有機層１５の劣化による輝度の低下を防止するため、保護膜１７の成膜温度は常温に設定すると共に、保護膜１７の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。

また、例えば、上述した材料よりなる封止用基板３０の上に、赤色フィルタの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタを形成する。続いて、赤色フィルタと同様にして、青色フィルタおよび緑色フィルタを順次形成する。

そののち、保護膜１７の上に、接着層２０を形成し、この接着層２０を間にして封止用基板３０を貼り合わせる。その際、封止用基板３０のカラーフィルタ３１を形成した面を、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ側にして配置することが好ましい。以上により、図１に示した表示装置が完成する。

このようにして得られた表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６，カラーフィルタおよび封止用基板３０を透過して取り出される。

ここでは、発光層１５Ｃが、発光領域１３Ａの端から引いた絶縁層１４への接線とドナー基板４０の表面との交点をＡ、Ａより被転写基板１１へ下ろした垂線と絶縁層１４の表面との交点をＣとすると、Ｃを含んで形成されているので、発光領域１３Ａ内の発光層１５Ｃの膜厚分布が抑制されている。よって、輝度ムラ，色ムラあるいは発光効率の低下が抑えされ、表示品位が向上する。

このように本実施の形態では、発光領域１３Ａの端から引いた絶縁層１４への接線とドナー基板４０の表面との交点をＡ、Ａより被転写基板１１へ下ろした垂線と絶縁層１４の表面との交点をＣとすると、発光層１５Ｃを、Ｃを含んで形成するようにしたので、発光領域１３Ａ内の発光層１５Ｃの膜厚分布を抑制し、表示品位を向上させることができる。

また、発光領域１３Ａに対して行方向に隣接する発光領域１３Ａの端から引いた絶縁層１４への接線とドナー基板４０の表面との交点をＢ、Ｂより被転写基板１１へ下ろした垂線と絶縁層１４の表面との交点をＤとすると、発光層１５Ｃを、Ｄを含まないで形成するようにしたので、隣接する発光領域１３Ａへの混色を抑制することができ、表示品位を向上させることができる。

更に、発光領域１３Ａの行方向両側で得られる交点Ｃ間の距離をＣＣ，交点Ｄ間の距離をＤＤとすると、発光層１５Ｃの行方向における幅Ｗを、ＣＣ以上ＤＤ未満とするようにしたので、発光領域１３Ａ内の発光層１５Ｃの膜厚分布や、隣接する発光領域１３Ａへの混色を抑制し、表示品位を向上させることができる。また、転写条件の最適化を容易に行うことができ、条件出し時間を短縮することができる。更に、転写の位置精度マージンの予測が可能となり、後述する変形例のように、マージンを拡大するための絶縁層１４の形状の設計を可能とし、歩留まりを更に高めることもできる。

加えて、発光領域１３Ａの端と、絶縁層１４およびドナー基板４０の接触面との間の行方向における距離ｄを、４μｍ以上とするようにしたので、逆転写に起因するスジムラやまだら状のムラ等の悪影響を抑えることができる。

なお、上記実施の形態では、絶縁層１４の側面が傾斜面である場合について説明したが、絶縁層１４の側面は、図８に示したような凸形状、あるいは図９に示したような凹形状でもよく、種々の変形が可能である。

例えば、図１０または図１１に示したように、絶縁層１４の上面には、リブ（突条部または突出部）１４Ａが設けられていてもよい。このリブ１４Ａは、図１２に示したように、発光領域１３Ａの長手方向および幅方向の両方に延びていてもよいし、図１３に示したように、発光領域１３Ａの長手方向にのみ設けられていてもよいし、図１４に示したように、点状に配置されていてもよい。なお、リブ１４Ａは、絶縁層１４を成形するフォトリソグラフィ工程において二重露光することにより形成することができる。

また、リブ１４Ａは、図１５に示したように、絶縁層１４の上面の両端に設けられていてもよい。あるいは、図１６または図１７に示したように、絶縁層１４の形状は、発光領域１３Ａの両端で異なっていてもよい。

（第２の実施の形態）
図１８は、本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の絶縁層１４の形状を表したものである。この表示装置は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇの発光層１５Ｃのみが、転写により形成された転写発光層であり、有機発光素子１０Ｂの発光層１５Ｃは、蒸着など、転写以外の方法により形成されたものである。更に、絶縁層１４を赤色素子列１１０Ｒ，緑色素子列１１０Ｇおよび青色素子列１０Ｂの各々に均等分すると、青色素子列１０Ｂにおける絶縁層１４とドナー基板４０との接触面積（すなわち、リブ１４Ａの上面の面積）が最も大きくなっている。これにより、この表示装置では、逆転写そのものを抑制することができ、スジムラやまだら状のムラの発生を回避して、表示品質を向上させることができるようになっている。また、転写の位置精度マージンをより拡大することができ、歩留まりを更に向上させることも可能となっている。

転写発光層である有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇの発光層１５Ｃを形成する工程では、レーザ光を、絶縁層１４とドナー基板４０との接触面（リブ１４Ａの上面）を回避して照射し、これにより、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇの発光層１５Ｃを、この接触面を回避して形成することが好ましい。逆転写をほとんど生じさせずに有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇの発光層１５Ｃを転写することができ、電流リーク量を低減し、表示ムラの発生を抑えることができるからである。

なお、絶縁層１４のリブ１４Ａは、図１８に示したように、発光領域１３Ａの長手方向にのみ設けられていてもよいし、図１９に示したように、発光領域１３Ａの長手方向および幅方向の両方に延びていてもよいし、図２０に示したように、発光領域１３Ａの幅方向にのみ設けられていてもよいし、図２１に示したように、点状に配置されていてもよい。

更に、本発明の具体的な実施例について説明する。

（実施例１）
第１の実施の形態と同様にして、赤色および青色の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂを有する表示装置を作製した。その際、発光領域１３Ａの幅、距離ＣＣ，ＤＤを測定したところ、発光領域１３Ａの幅は７０μｍ、距離ＣＣは７８μｍ、距離ＤＤは１２２μｍであった。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｂの発光層１５Ｃを、いずれも転写により形成し、レーザ光のスポットサイズの長軸を７０μｍから１３０μｍまで変化させることにより、発光層１５Ｃの行方向における幅Ｗを、７０μｍから１３０μｍまで変化させた。なお、レーザ光のスポットサイズの短軸は２０μｍに固定し、スポットサイズの長手方向に直交する方向においてレーザ光を走査した。レーザ光の波長は８００ｎｍ、エネルギ密度は２．６Ｅ^-3Ｊ／μｍ² とした。得られた発光層１５Ｃは、発光領域１３Ａの中心に対し、ほぼ中心に転写された。

（実施例２）
絶縁層１４の上面に、図１０に示したようなリブ１４Ａを形成し、距離ＣＣを８２μｍ、距離ＤＤを１１８μｍとしたことを除いては、実施例１と同様にして表示装置を作製した。

実施例１，２で得られた表示装置について、有機発光素子１０Ｒの発光領域１３Ａにおける発光層１５Ｃの膜厚分布と、有機発光素子１０Ｂの発光効率を調べた。その結果を図２２および図２３にそれぞれ示す。

図２２および図２３から分かるように、発光層１５ＣがＣを含まない場合、すなわち発光層１５Ｃの行方向における幅Ｗが距離ＣＣよりも狭い場合には、有機発光素子１０Ｒの発光領域１３Ａにおける発光層１５Ｃの膜厚分布が急激に大きくなってしまっていた。これは、面内の輝度ムラや色度ムラの原因となってしまう。一方、発光層１５ＣがＤを含まない場合、すなわち、発光層１５Ｃの行方向における幅Ｗが距離ＤＤよりも広い場合、隣接する有機発光素子１０Ｂの発光効率が急激に低下してしまっていた。

すなわち、発光層１５Ｃの行方向における幅Ｗを、ＣＣ以上ＤＤ未満とするようにすれば、発光領域１３Ａ内の発光層１５Ｃの膜厚分布や、隣接する発光領域１３Ａへの混色を抑制し、表示品位を向上させることができることが分かった。

（実施例３−１〜３−４）
第１の実施の形態と同様にして、赤色，緑色および青色の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを有する表示装置を作製した。その際、絶縁層１４を成形する際のリソグラフィ条件を調整することにより、発光領域１３Ａの端１３Ｂと、絶縁層１４およびドナー基板４０の接触面６０との間の行方向における距離ｄを、実施例３−１では５μｍ、実施例３−２では４μｍ、実施例３−３では３μｍ、実施例３−４では２μｍと異ならせた。

（実施例４）
第２の実施の形態と同様にして、赤色，緑色および青色の三色の表示装置を作製した。その際、距離ｄを１５μｍないしそれ以上とした。

実施例３−１〜３−４および実施例４で得られた表示装置について、点灯時のスジムラおよびまだら状のムラの有無を確認した。その結果を表１に示す。

表１から分かるように、距離ｄを４μｍまたはそれ以上とした実施例３−１，３−２および実施例４では、３μｍまたは２μｍとした実施例３−３，３−４に比べて、スジムラおよびまだら状のムラのいずれも良好に抑えられていた。これは、実施例３−１，３−２では、距離ｄを長くすることにより電流リークパスの長さが確保され、抵抗値が増して、ムラが抑制されたからであると考えられ、実施例４では逆転写そのものが抑えられたからであると考えられる。すなわち、距離ｄを４μｍ以上とすることにより、逆転写に起因するスジムラやまだら状のムラ等の悪影響を抑えることができ、表示品質を高めることができることが分かった。

（モジュールおよび適用例）
以下、上述した各実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記各実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。

（モジュール）
上記各実施の形態の表示装置は、例えば、図２４に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、被転写基板１１の一辺に、封止用基板３０および接着層２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図２５は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例２）
図２６は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例３）
図２７は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例４）
図２８は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例５）
図２９は、上記各実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態および実施例では、転写工程でレーザ光を照射する場合について説明したが、例えばランプなど他の輻射線を照射するようにしてもよい。

また、上記第１の実施の形態では、発光色数と同じく三回の転写を行う場合について説明したが、第１の実施の形態においても第２の実施の形態と同様に、赤色および緑色の発光層１５Ｃのみを熱転写法により形成したのち、青色共通層を蒸着法により全面成膜するようにしてもよい。このとき、有機発光素子１０Ｒでは、赤色発光材料を含む発光層１５Ｃと、青色発光材料を含む青色共通層とが形成されているが、最もエネルギー準位の低い赤色にエネルギー移動が起こり、赤色発光が支配的となる。有機発光素子１０Ｇでは、緑色発光材料を含む発光層１５Ｃと、青色発光材料を含む青色共通層とが形成されているが、よりエネルギー準位の低い緑色にエネルギー移動が起こり、緑色発光が支配的となる。有機発光素子１０Ｂでは、青色共通層のみを有するので、青色発光が生じる。

更に、例えば、上記実施の形態および実施例において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法，成膜条件およびレーザ光の照射条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法，成膜条件および照射条件としてもよい。例えば、第１電極１３は、ＩＴＯのほか、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物）により構成されていてもよい。また、第１電極１３は、反射電極により構成してもよい。その場合、第１電極１３は、例えば、厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。例えば、第１電極１３を構成する材料としては、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。更に、例えば第１電極１３は、誘電体多層膜を有するようにすることもできる。

加えて、例えば、上記実施の形態においては、被転写基板１１の上に、第１電極１３，有機層１５および第２電極１６を被転写基板１１の側から順に積層し、封止用基板３０の側から光を取り出すようにした場合について説明したが、積層順序を逆にして、被転写基板１１の上に、第２電極１６，有機層１５および第１電極１３を被転写基板１１の側から順に積層し、被転写基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。

更にまた、例えば、上記実施の形態では、第１電極１３を陽極、第２電極１６を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１３を陰極、第２電極１６を陽極としてもよい。さらに、第１電極１３を陰極、第２電極１６を陽極とすると共に、被転写基板１１の上に、第２電極１６，有機層１５および第１電極１３を被転写基板１１の側から順に積層し、被転写基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。

加えてまた、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、第１電極１３と有機層１５との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ₂ Ｏ₃ ），ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide：インジウム（Ｉｎ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物混合膜）などからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。

更にまた、上記実施の形態では、第２電極１６が半透過性電極により構成され、発光層１５Ｃで発生した光を第２電極１６の側から取り出す場合について説明したが、発生した光を第１電極１３の側から取り出すようにしてもよい。この場合、第２電極１６はできるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。

加えてまた、上記各実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。

本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。 図３に示した有機発光素子の構成を表す断面図である。 図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表し、被転写基板とドナー基板との位置関係を表す断面図である。 図５に続く工程を表し、有機発光素子の発光層と、第１電極の発光領域および絶縁層との位置関係を表す断面図である。 図６に示した工程において形成された発光層の平面図である。 図５に示した絶縁層の変形例を表す断面図である。 図５に示した絶縁層の他の変形例を表す断面図である。 図５に示した絶縁層の更に他の変形例を表す断面図である。 図５に示した絶縁層の更に他の変形例を表す断面図である。 図５に示した絶縁層の更に他の変形例を表す断面図である。 図５に示した絶縁層の更に他の変形例を表す断面図である。 図５に示した絶縁層の更に他の変形例を表す断面図である。 図５に示した絶縁層の更に他の変形例を表す断面図である。 図５に示した絶縁層の更に他の変形例を表す断面図である。 図５に示した絶縁層の更に他の変形例を表す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の絶縁層の形状を表す断面図である。 図１８に示した絶縁層の変形例を表す断面図である。 図１８に示した絶縁層の他の変形例を表す断面図である。 図１８に示した絶縁層の更に他の変形例を表す断面図である。 実施例１の結果を表す図である。 実施例２の結果を表す図である。 上記各実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 上記各実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。 従来の転写方法の問題点を説明するための図である。

符号の説明

１０…画素、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…被転写基板、１３…第１電極、１４…絶縁層、１５…有機層、１５Ａ…正孔注入層、１５Ｂ…正孔輸送層、１５Ｃ…発光層、１５Ｄ…電子輸送層、１６…第２電極、１７…保護膜、２０…接着層、３０…封止用基板、４０…ドナー基板、５０…転写層

Claims (8)

1. 被転写基板に、赤色，緑色および青色のいずれかの光を発生する長方形の有機発光素子が各色別に長手方向に配列された赤色素子列，緑色素子列および青色素子列を行方向に順に配置した表示装置であって、
   前記有機発光素子は、第１電極と、前記第１電極の発光領域に対応して開口部を有する絶縁層と、発光層を含むと共に少なくとも前記発光領域に形成された有機層と、第２電極とを有し、
   前記赤色素子列および前記緑色素子列の発光層は、前記第１電極および前記絶縁層が形成された前記被転写基板と、発光材料を含む転写層が形成されたドナー基板とを、前記絶縁層を間にして対向配置し、輻射線を照射して前記転写層を昇華または気化させて少なくとも前記発光領域に転写することにより形成された転写発光層であり、
   前記絶縁層を前記赤色素子列，前記緑色素子列および前記青色素子列の各々に均等分すると、前記青色素子列における前記絶縁層と前記ドナー基板との接触面積が最も大きく、
   前記発光領域の端から引いた前記絶縁層への接線と前記ドナー基板の表面との交点をＡ、前記Ａより前記被転写基板へ下ろした垂線と前記絶縁層の表面との交点をＣとすると、前記転写発光層は前記Ｃを含んで形成されている
   表示装置。
2. 前記青色素子列における前記絶縁層の上面にリブを有し、前記リブの上面と前記ドナー基板とが接触する
   請求項１記載の表示装置。
3. 前記発光領域に対して前記行方向に隣接する発光領域の端から引いた前記絶縁層への接線と前記ドナー基板の表面との交点をＢ、前記Ｂより前記被転写基板へ下ろした垂線と前記絶縁層の表面との交点をＤとすると、前記転写発光層は前記Ｄを含まないで形成されている
   請求項１記載の表示装置。
4. 前記発光領域の前記行方向両側で得られる交点Ｃ間の距離をＣＣ，交点Ｄ間の距離をＤＤとすると、前記転写発光層の前記行方向における幅は、前記ＣＣ以上前記ＤＤ未満である
   請求項３記載の表示装置。
5. 前記発光領域の端と、前記絶縁層および前記ドナー基板の接触面との間の前記行方向における距離は、４μｍ以上である
   請求項１記載の表示装置。
6. 前記転写発光層は、前記絶縁層と前記ドナー基板との接触面を回避して形成されている
   請求項１記載の表示装置。
7. 被転写基板に、赤色，緑色および青色のいずれかの光を発生する長方形の有機発光素子を各色別に長手方向に配列した赤色素子列，緑色素子列および青色素子列を行方向に順に配置する表示装置の製造方法であって、
   第１電極と、前記第１電極の発光領域に対応して開口部を有する絶縁層と、発光層を含むと共に少なくとも前記発光領域に形成された有機層と、第２電極とを順に形成することにより前記有機発光素子を形成する工程を含み、
   前記発光層を形成する工程において、前記赤色素子列および前記緑色素子列の発光層を、前記第１電極および前記絶縁層が形成された前記被転写基板と、発光材料を含む転写層が形成されたドナー基板とを、前記絶縁層を間にして対向配置し、輻射線を照射して前記転写層を昇華または気化させて少なくとも前記発光領域に転写することにより形成した転写発光層とし、前記青色素子列の発光層を蒸着により形成し、
   前記絶縁層を前記赤色素子列，前記緑色素子列および前記青色素子列の各々に均等分すると、前記青色素子列における前記絶縁層と前記ドナー基板との接触面積を最も大きくし、
   前記発光領域の端から引いた前記絶縁層への接線と前記ドナー基板の表面との交点をＡ、前記Ａより前記被転写基板へ下ろした垂線と前記絶縁層の表面との交点をＣとすると、前記転写発光層を前記Ｃを含んで形成する
   表示装置の製造方法。
8. 前記青色素子列における前記絶縁層の上面にリブを設け、前記リブの上面と前記ドナー基板とを接触させる
   請求項７記載の表示装置の製造方法。

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