JP4309700B2

JP4309700B2 - Thermal head substrate, thermal head and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP4309700B2
Application number: JP2003154967A
Authority: JP
Inventors: 大樹杉山; 努竹谷; 俊宏小林; 元輝平山
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2003-05-30
Filing date: 2003-05-30
Publication date: 2009-08-05
Anticipated expiration: 2023-05-30
Also published as: JP2004351868A; CN1284676C; CN1572518A

Description

【０００１】
【発明の技術分野】
本発明は、フォトプリンタやサーマルプリンタ等に搭載されるサーマルヘッド、このサーマルヘッドが複数形成されているサーマルヘッド基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】
サーマルヘッドには、多数の発熱抵抗部に電流を供給するための導体として、全ての発熱抵抗部に接続されたコモン導体と、各発熱抵抗部を個別に選択して通電するための複数の個別導体とが備えられている。このようなサーマルヘッドでは、コモン導体における電圧降下（コモンドロップ）が印字品質のばらつきの原因となるため、コモン導体での抵抗（コモン抵抗）を最小限に抑えることが好ましく、従来では、コモン導体の上にコモン電極を形成してコモン抵抗を低減させる対策が提案されている。
【０００３】
コモン電極は、例えば１０μｍ程度の厚い膜厚を要するため、電解メッキ法により形成される。具体的には、コモン導体及び複数の個別導体をパターン形成する際にコモン導体に連続するメッキ給電用電極を同時形成し、このメッキ給電用電極を介してコモン導体を通電して、電解メッキ法により、コモン導体上にコモン電極を形成している。
【０００４】
ところで、従来では、サーマルヘッドの生産性を向上させるため、基板上に複数のサーマルヘッド形成エリアを設定し、各サーマルヘッド形成エリアに上記サーマルヘッド構造を同時形成した後に、基板を各サーマルヘッド形成エリア毎に切断することで、個々のサーマルヘッドを得ている。各サーマルヘッド形成エリアの間には、個別導体の長手方向及び短手方向に対して平行なダイシングラインが複数設定されている。このダイシングラインの一部は、メッキ給電用電極とコモン導体との間に位置していて、コモン電極形成後に不要となるメッキ給電用電極は、基板切断時にコモン導体から切り離される。
【０００５】
しかしながら、メッキ給電用電極とコモン導体の間に位置するダイシングラインに沿って基板を切断すると、その切断面（機械切断面）には、コモン導体（あるいはメッキ給電用電極の残部）が露出することとなる。一般に、コモン導体及びメッキ給電用電極はＡｌ又はＡｌ合金により形成されているため、切断面に露出していると、該露出部分から腐食される虞があった。
【０００６】
【特許文献】
特開昭６１−２０２８５７号公報
【０００７】
【発明の目的】
本発明は、導体の腐食を防止できるサーマルヘッド及びその製造方法を得ることを目的とする。
【０００８】
【発明の概要】
本発明は、腐食されやすいＡｌ膜又はＡｌ合金膜がダイシングライン上に存在していなければ、基板切断面にＡｌ膜又はＡｌ合金膜が露出されず、導体の腐食を防止できることに着目してなされたものである。
【０００９】
すなわち、本発明は、基板上に保温層と、抵抗層と、この抵抗層に給電するコモン導体及び複数の個別導体と、コモン導体上に形成されたメッキシード層と、このメッキシード層上に電解メッキにより形成されたコモン電極とを順に備え、個別導体の長手方向に対して平行な一対の機械切断面と該長手方向に対して直交する一対の機械切断面によって外囲が規定されているサーマルヘッドにおいて、個別導体の長手方向に対して平行な機械切断面の一方には、メッキシード層と保温層、または、メッキシード層と抵抗層と保温層が露出していること、個別導体の長手方向に対して平行な機械切断面の他方及び直交する一対の機械切断面には、保温層のみが露出していること、及び、すべての機械切断面に、コモン導体及び複数の個別導体が露出しないことを特徴としている。
【００１０】
上記構成によれば、腐食されやすいコモン導体及び複数の個別導体が機械切断面に露出していないので、サーマルヘッドが水で濡らされたり素手で直接触れられたりしても、コモン導体及び複数の個別導体が腐食される虞がなく、コモン導体及び複数の個別導体の断線を防止することができる。
【００１１】
また本発明は、保温層を有する基板上に複数のサーマルヘッド形成エリアが設定され、各サーマルヘッド形成エリアには、抵抗層と、この抵抗層に給電するコモン導体及び複数の個別導体と、コモン導体上に形成されたメッキシード層と、このメッキシード層上に電解メッキにより形成されたコモン電極とが順に形成されており、各サーマルヘッド形成エリアの間に、個別導体の長手方向に対して平行な一対のダイシングラインと個別導体の長手方向に対して直交する一対のダイシングラインが設定されているサーマルヘッド基板において、個別導体の長手方向に対して平行な一方のダイシングライン上には、メッキシード層と保温層、または、メッキシード層と抵抗層と保温層が存在していること、個別導体の長手方向に対して平行なダイシングラインの他方及び直交する一対のダイシングライン上には、保温層のみが存在していること、及び、すべてのダイシングライン上に、コモン導体及び複数の個別導体が存在しないことを特徴としている。
【００１２】
上記構成によれば、基板を切断するためのダイシングライン上にコモン導体及び複数の個別導体が存在していないので、基板を各サーマルヘッド形成エリア毎に切断したとき、該切断面にコモン導体及び複数の個別導体が露出することがない。よって、個々のサーマルヘッドが水で濡らされたり素手で直接触れられたりしても、コモン導体及び複数の個別導体が腐食されることがない。
【００１３】
また、本発明による製造方法では、保温層を有する基板上に設定された複数のサーマルヘッド形成エリアにそれぞれ、抵抗層と導体膜を順に形成する工程と、フォトリソグラフィ技術を用いて、導体膜及び抵抗層を所望形状にパターニングする工程と、基板を各サーマルヘッド形成エリア毎に切断するためのダイシングラインに位置する導体膜と抵抗層を除去し、該ダイシングラインを挟んで離間する導体パターンとメッキ給電用電極を得る工程と、導体パターンの一部を除去して抵抗層の表面を露出させる開放部を複数形成し、この開放部の両側に位置するコモン導体及び複数の個別導体を得る工程と、コモン導体上、メッキ給電用電極上、及びコモン導体とメッキ給電用電極の間に露出する保温層上に、メッキシード層を形成する工程と、メッキシード層を介してメッキ給電用電極からコモン導体に給電し、コモン導体上に形成されたメッキシード層の上に、コモン電極を電解メッキ方により形成する工程と、ダイシングラインで基板を切断する工程とを有していることを特徴としている。
【００１４】
上記製造方法において、導体膜及び抵抗層をパターニングする工程とダイシングライン上の導体膜及び抵抗層を除去する工程は、同時に行なうことができる。
【００１５】
さらに本発明による製造方法は、別の態様では、保温層を有する基板上に設定された複数のサーマルヘッド形成エリアにそれぞれ、抵抗層と導体膜とを順に形成する工程と、フォトリソグラフィ技術を用いて、導体膜及び抵抗層を所望形状にパターニングする工程と、導体膜の一部を除去して抵抗層の表面を露出させる開放部を複数形成し、この開放部の両側に位置するコモン導体及び複数の個別導体を得る工程と、基板を各サーマルヘッド形成エリア毎に切断するためのダイシングライン上に位置する導体膜を除去し、該ダイシングラインを挟んでコモン導体から離間させたメッキ給電用電極を得る工程と、コモン導体上、メッキ給電用電極上、及びコモン導体とメッキ給電用電極の間に露出する保温層上に、メッキシード層を形成する工程と、コモン導体とメッキ給電用電極の間に介在するメッキシード層を介してメッキ給電用電極からコモン導体に給電し、コモン導体上に形成されたメッキシード層の上に、コモン電極を電解メッキ方により形成する工程と、ダイシングライン上で基板を切断する工程とを有していることを特徴としている。
【００１６】
上記製造方法において、抵抗層の表面を露出させる開放部を形成する工程とダイシングライン上の導体膜を除去する工程は、同時に行なうことができる。
【００１７】
上記各態様の製造方法によれば、ダイシングライン上の導体膜を予め除去しておき、耐腐食性のメッキシード層を介してコモン導体とメッキ給電用電極を接続してコモン電極を電解メッキにより形成するので、ダイシングラインで基板を切断したとき、その切断面にコモン導体及び複数の個別導体が露出することはない。よって、完成後にサーマルヘッドが水で濡らされたり素手で直接触れられたりしても、コモン導体及び複数の個別導体の腐食を防止することができる。
【００１８】
コモン導体及び複数の個別導体は、Ａｌ導体膜により形成されていることが実際的である。この場合、Ａｌ導体膜により形成されたコモン導体と良好に密着できるように、メッキシード層は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒのいずれか一種により形成された密着層と、Ａｕ又はＡｕ合金からなる耐腐食金属層とによる２層構造で形成されていることが好ましい。ただし、コモン導体及び複数の個別導体が例えばＣｕやＡｕなどの導電材料で形成されている場合は、メッキシード層は、Ａｕ又はＡｕ合金からなる耐腐食金属層の１層構造で形成することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照し、本発明を適用したサーマルヘッド基板、サーマルヘッド及びその製造方法の一実施形態について説明する。図１〜図６において、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う横断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う縦断面図をそれぞれ示している。
【００２０】
本発明による製造方法では、一枚の基板上に複数のサーマルヘッド形成エリアを設定し、各サーマルヘッド形成エリアにそれぞれサーマルヘッド構造を形成した後、基板を各サーマルヘッド形成エリア毎に切断して、個々のサーマルヘッドを得る。各サーマルヘッド形成エリアの間には、個別導体の長手方向に対して平行な水平ダイシングラインＤｈｉ（ｉ＝自然数）と、個別導体の長手方向に対して直交する垂直ダイシングラインＤｐｉ（ｉ＝自然数）とがそれぞれ複数設けられている。本発明によるサーマルヘッドは、その外囲が、一対の水平ダイシングラインＤｈ１、Ｄｈ２と一対の垂直ダイシングラインＤｐ１、Ｄｐ２で切断されてなる機械切断面により規定される。
【００２１】
本製造方法では、先ず、グレーズ保温層２を全面的に有する基板１を準備する。基板１には、アルミナセラミック基板、アルミナ基板、シリコン基板などを用いることができる。
【００２２】
次に、図１に示すように、グレーズ保温層２の各サーマルヘッド形成エリア上にそれぞれ抵抗層３及び導体膜５を同一真空中で連続成膜した後、アニール処理を施す。成膜にはスパッタや蒸着法を用いることができる。このアニール処理は、予め大きい熱的負荷を加えて抵抗層３の抵抗値を安定させる加速処理である。
【００２３】
グレーズ保温層２は、断熱性の高いガラスにより形成される。抵抗層３は、高抵抗化しやすいＴａ−Ｓｉ−Ｏ、Ｔｉ−Ｓｉ−Ｏ、Ｃｒ−Ｓｉ−Ｏ等の高融点金属のサーメット材料により、例えば１００ｎｍ程度の膜厚で形成される。導体膜５は、Ａｌ−ＣｕやＡｌ−Ｓｃ等のＡｌ合金又はＡｌにより形成することができる。本実施形態の導体膜５は、Ａｌにより例えば３００ｎｍ程度の膜厚で形成する。
【００２４】
アニール処理後は、フォトリソグラフィ技術を用いて、図２に示すように、ダイシングラインＤｈ１、Ｄｈ２、Ｄｐ１、Ｄｐ２上に位置する導体膜５及び抵抗層３をすべて除去すると共に、導体膜５及び抵抗層３を所望形状にパターニングする。導体膜５及び抵抗層３を除去した部分は、グレーズ保温層２が露出するギャップ領域（穴部）６となる。グレーズ保温層２上には、ダイシングラインＤを挟んで離間する導体パターン５’とメッキ給電用電極５ｃが残る。本実施形態では、メッキ給電用電極５ｃを図示左右方向に延ばして形成しているため、該メッキ給電用電極５ｃと導体パターン５’の間には水平ダイシングラインＤｈ１が位置している。
【００２５】
続いて、図３に示すように、導体パターン５’の一部を除去し、抵抗層３の表面を露出させる開放部αを複数形成する。開放部αから露出している抵抗層３は、給電により発熱する発熱抵抗部３ａとなる。また導体パターン５’は、開放部αを挟んで、全ての発熱抵抗部３ａに導通する１つのコモン導体５ａと、各発熱抵抗部３ａに独立して導通する複数の個別導体５ｂとに分離される。コモン導体５ａと複数の個別導体５ｂは、発熱抵抗部３ａの抵抗長方向の両端部にそれぞれ接する。各発熱抵抗部３ａの抵抗長Ｌは開放部αにより規定され、各発熱抵抗部３ａ及び各個別導体５ｂの幅寸法Ｗはギャップ領域６により規定される。
【００２６】
続いて、図４に示すように、コモン導体５ａ上、メッキ給電用電極５ｃ上、コモン導体５ａとメッキ給電用電極５ｃの間のグレーズ保温層２上及び図示左右方向に隣り合うメッキ給電用電極５ｃの間のグレーズ保温層２上にメッキシード層７をパターン形成すると共に、各個別導体５ｂの電極パッド形成範囲上にパッド用メッキシード層９をそれぞれパターン形成する。図４（ｃ）に示すようにダイシングラインＤｈ１を挟んで離間しているコモン導体５ａとメッキ給電用電極５ｃは、該ダイシングラインＤｈ１に直交する方向に長く延びた上記メッキシード層７を介して、電気的に接続される。また各サーマルヘッドエリアの図示左右方向に隣り合うメッキ給電用電極５ｃは、図示左右方向に延びたメッキシード層７を介して、電気的に接続される。
【００２７】
メッキシード層７及びパッド用メッキシード層９は、耐腐食性金属材料を用いて形成する。耐腐食性金属材料として具体的には、ＡｕやＡｕ合金を用いる。本実施形態のメッキシード層７は、Ａｌにより形成されたコモン導体５ａ及びメッキ給電用電極５ｃとの密着性を高めるため、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｒのいずれか一種により形成された密着層７ａと、ＡｕやＡｕ合金により形成された耐腐食金属層７ｂとによる２層構造で形成する。
【００２８】
続いて、電解メッキ法を用いて、図５に示すようにコモン導体５ａ上に形成したメッキシード層７の上に、コモン電極８を形成する。このとき、コモン導体５ａには、不図示の外部電源からメッキ給電用電極５ｃ及びメッキシード層７を介して給電する。コモン電極８は、例えば、低抵抗であるＣｕにより約１０μｍの膜厚で形成する。このコモン電極８がコモン導体５ａ上に形成されれば、コモン抵抗（コモン導体５ａ、メッキシード層７及びコモン電極８の全体抵抗）が低減され、コモン導体５ａでの電圧降下を抑制することができる。
【００２９】
コモン電極８を形成したら、図６に示すように、コモン電極８、メッキシード層７、コモン導体５ｂ、各発熱抵抗部３ａ、及びパッド用メッキシード層９が形成された領域付近を除く各個別導体５ｂを覆う保護層１１を形成する。保護層１１は、ＳｉＡｌＯＮやＴａ₂Ｏ₅等の耐摩耗材料により、例えば６μｍ程度の膜厚で形成する。保護層１１の形成には、バイアススパッタ法を用いることができる。続いて、露出している個別導体５ｂ上から保護層１１の端面にかけて有機絶縁層１２を形成し、同時に、コモン電極８が形成されている範囲に対応する保護層１１の上面位置にも有機絶縁層１２を形成する。有機絶縁層１２は、例えばレジスト材料により約２μｍの膜厚で形成する。有機絶縁層１２を形成したら、パッド用メッキシード層９の上に電極パッド１０を形成する。電極パッド９は、メッキ法により、Ａｕを用いて例えば１．５μｍ程度の膜厚で形成する。
【００３０】
以上の工程により、各サーマルヘッド形成エリア上にサーマルヘッド構造が完成する。
【００３１】
このヘッド構造完成状態において、図６に示されるように各サーマルヘッド形成エリア間に位置するダイシングライン上には、コモン導体５ａ及び複数の個別導体５ｂが存在していない。別言すれば、垂直ダイシングラインＤｐ１、Ｄｐ２及び一方の水平ダイシングラインＤｈ２上にはグレーズ保温層２のみが存在し、他方の水平ダイシングラインＤｈ１上にはメッキシード層７とグレーズ保温層２が存在している。
【００３２】
ヘッド構造が完成したら、水平ダイシングラインＤｈ１、Ｄｈ２及び垂直ダイシングラインＤｐ１、Ｄｐ２で基板１を切断し、個々のサーマルヘッドに分割する。この際、水平ダイシングラインＤｈ１で基板１が切断されることにより、メッキシード層７を介してコモン導体５ａに接続されていたメッキ給電用電極５ｃが切り離される。完成状態のサーマルヘッドには、メッキ給電用電極５ｃは備えられない。
【００３３】
完成状態のサーマルヘッドは、個別導体５ｂの長手方向及び短手方向に対して平行な機械切断面を有する。上述したようにダイシングライン上にコモン導体５ａ及び複数の個別導体５ｂが存在していなかったので、上記機械切断面には、コモン導体５及び複数の個別導体５ｂが露出せず、グレーズ保温層２のみ、又はグレーズ保温層２とメッキシード層７が露出している。具体的には、垂直ダイシングラインＤｐ１、Ｄｐ２及び一方の水平ダイシングラインＤｈ２で切断されてなる機械切断面Ｐ１には、図７（ａ）に示すように、グレーズ保温層２のみが露出している。他方の水平ダイシングラインＤｈ１で切断されてなる機械切断面Ｐ２には、図７（ｂ）に示すように、メッキシード層７とグレーズ保温層２が露出している。
【００３４】
以上のように本実施形態では、ダイシングライン上の導体膜５を予め除去しておき、耐腐食性のメッキシード層７を介してコモン導体５ａとメッキ給電用電極５ｃを接続してコモン電極８を電解メッキにより形成しているので、ダイシングラインＤｈ１、Ｄｈ２、Ｄｐ１、Ｄｐ２で基板１を切断したとき、その切断面（機械切断面）には、グレーズ保温層２のみ、又は腐食されないメッキシード層７とグレーズ保温層２が露出することとなる。すなわち、腐食されやすいコモン導体５ａ及び複数の個別導体５ｂは機械切断面に露出しない。よって、完成後にサーマルヘッドが水で濡らされたり素手で直接触れられたりしても、コモン導体５ａ及び複数の個別導体５ｂの腐食を防止することができ、コモン導体５ａ及び複数の個別導体５ｂの断線を防止できる。これにより、ヘッドの耐久性が向上する。
【００３５】
本実施形態では、導体膜５及び抵抗層３を所望形状にパターニングする工程（図２）で同時にダイシングライン上の導体膜５及び抵抗層３を両方とも除去しているが、ダイシングライン上の導体膜５は、抵抗層３の表面を露出させる開放部αを形成する工程（図３）で除去してもよい。この開放部αを形成する工程で同時にダイシングライン上の導体膜５を除去した場合、図８に示すように、コモン導体５ａとメッキ給電用電極５ｃの間に位置するダイシングラインＤｈ１上には、メッキシード層７と抵抗層３とグレーズ保温層２とが残る。つまり、切断面には、グレーズ保温層２のみ、又は腐食されないメッキシード層７と抵抗層３とグレーズ保温層２が露出することとなる。なお、導体５及び抵抗層３を所望形状にパターニングする工程（図２）と、ダイシングライン上の導体膜５を除去する工程と、抵抗層３の表面を露出させる開放部αを形成する工程（図３）とをそれぞれ独立に行なってもよいのは勿論である。
【００３６】
また本実施形態では、導体膜５を所望形状にパターニングしてメッキ給電用電極５ｃを形成しているが、メッキ給電用電極はメッキシード層７のみによって形成することも可能である。
【００３７】
また本実施形態では、メッキ給電用電極５ｃを個別導体５ｂの長手方向に対して平行な方向に長く延ばして形成しているが、個別導体５ｂの短手方向に対して平行な方向に長く延ばして形成することも可能である。メッキ給電用電極を個別導体５ｂの短手方向に長く延ばして形成した場合には、垂直ダイシングラインＤｐ１（又はＤｐ２）で切断してなる機械切断面に、メッキシード層とグレーズ保温層が露出することとなる。
【００３８】
さらに本実施形態では、密着層７ａと金属層７ｂによる２層構造でメッキシード層７を形成しているが、メッキシード層７は２層以上で構成されていてもよい。また、導体膜５（コモン導体５ａ、複数の個別導体５ｂ、メッキ給電用電極５ｃ）が例えばＣｕやＡｕなどＡｌ以外の導電材料により形成されている場合には、メッキシード層７をＡｕ膜又はＡｕ合金膜の単層構造で形成してもよい。
【００３９】
本実施形態では、グレーズ保温層２を基板全面に有する全面グレーズタイプのサーマルヘッドＨについて説明したが、本発明は、部分グレーズやリアルエッジ、ダブルグレーズ、ＤＯＳ等の他タイプにも適用可能である。さらに本発明は、シリアルヘッドにもラインヘッドにも適用可能である。
【００４０】
【発明の効果】
本発明によれば、腐食されやすいコモン導体及び複数の個別導体が機械切断面（基板切断面）に露出しないサーマルヘッドを形成することができる。よって、完成後にサーマルヘッドが水で濡らされたり素手で直接触れられたりしても、塩素や水がコモン導体及び複数の個別導体に付着することがなく、コモン導体及び複数の個別導体の腐食を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態によるサーマルヘッドの製造方法を示す（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のｂ−ｂ線に沿う横断面図、（ｃ）（ａ）のｃ−ｃ線に沿う縦断面図である。
【図２】図１の工程の次工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のｂ−ｂ線に沿う横断面図、（ｃ）（ａ）のｃ−ｃ線に沿う縦断面図である。
【図３】図２の工程の次工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のｂ−ｂ線に沿う横断面図、（ｃ）（ａ）のｃ−ｃ線に沿う縦断面図である。
【図４】図３の工程の次工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のｂ−ｂ線に沿う横断面図、（ｃ）（ａ）のｃ−ｃ線に沿う縦断面図である。
【図５】図４の工程の次工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のｂ−ｂ線に沿う横断面図、（ｃ）（ａ）のｃ−ｃ線に沿う縦断面図である。
【図６】図５の工程の次工程を示す（ａ）平面図、（ｂ）（ａ）のｂ−ｂ線に沿う横断面図、（ｃ）（ａ）のｃ−ｃ線に沿う縦断面図である。
【図７】完成後のサーマルヘッドが有する、（ａ）個別導体の長手方向に平行な切断面と（ｂ）個別導体の短手方向に平行な切断面をそれぞれ示す断面図である。
【図８】図３に示す工程でダイシングライン上の導体を除去した場合を示す縦断面図である。
【符号の説明】
１基板
２グレーズ保温層
３抵抗層
３ａ発熱抵抗部
５導体膜
５’ 導体パターン
５ａコモン導体
５ｂ個別導体
５ｃメッキ給電用電極
６ギャップ領域
７メッキシード層
７ａ密着層
７ｂ耐腐食金属層
８コモン電極
９パッド用メッキシード層
１０電極パッド
１１保護層
１２有機絶縁層
Ｄｐ１垂直ダイシングライン
Ｄｐ２垂直ダイシングライン
Ｄｈ１水平ダイシングライン
Ｄｈ２水平ダイシングライン[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a thermal head mounted on a photo printer, a thermal printer, or the like, a thermal head substrate on which a plurality of thermal heads are formed, and a manufacturing method thereof.
[0002]
[Prior art and its problems]
The thermal head has a common conductor connected to all of the heating resistors as a conductor for supplying current to a large number of heating resistors, and a plurality of individual conductors for selecting and supplying each heating resistor individually. And a conductor. In such a thermal head, the voltage drop (common drop) in the common conductor causes variations in print quality. Therefore, it is preferable to minimize the resistance (common resistance) in the common conductor. A countermeasure for reducing the common resistance by forming a common electrode on the substrate has been proposed.
[0003]
Since the common electrode requires a thick film thickness of about 10 μm, for example, it is formed by an electrolytic plating method. Specifically, when patterning a common conductor and a plurality of individual conductors, a plating power supply electrode continuous to the common conductor is formed at the same time, and the common conductor is energized through the plating power supply electrode to perform an electrolytic plating method. Thus, a common electrode is formed on the common conductor.
[0004]
By the way, conventionally, in order to improve the productivity of the thermal head, a plurality of thermal head forming areas are set on the substrate, and the thermal head structure is simultaneously formed in each thermal head forming area, and then the substrate is formed on each thermal head. Individual thermal heads are obtained by cutting each area. A plurality of dicing lines parallel to the longitudinal direction and the short direction of the individual conductors are set between the thermal head forming areas. A part of the dicing line is located between the plating power supply electrode and the common conductor, and the plating power supply electrode that is unnecessary after the formation of the common electrode is separated from the common conductor when the substrate is cut.
[0005]
However, when the substrate is cut along the dicing line located between the plating power supply electrode and the common conductor, the common conductor (or the remainder of the plating power supply electrode) is exposed on the cut surface (mechanical cutting surface). It becomes. In general, since the common conductor and the plating power supply electrode are made of Al or an Al alloy, there is a possibility that the exposed portion is corroded when exposed to the cut surface.
[0006]
[Patent Literature]
Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-202857
OBJECT OF THE INVENTION
An object of this invention is to obtain the thermal head which can prevent the corrosion of a conductor, and its manufacturing method.
[0008]
Summary of the Invention
The present invention is made by paying attention to the fact that the Al film or the Al alloy film is not exposed on the cut surface of the substrate and the corrosion of the conductor can be prevented unless the Al film or the Al alloy film which is easily corroded exists on the dicing line. It is a thing.
[0009]
That is, the present invention includes a heat insulating layer on a substrate, a resistance layer, a common conductor and a plurality of individual conductors that feed the resistance layer, a plating seed layer formed on the common conductor, and a plating seed layer on the plating seed layer. and a common electrode formed by electrolytic plating in this order, are defined outer circumference by a pair of mechanical cutting plane perpendicular to the pair of parallel mechanical cutting surface and the longitudinal direction with respect to the longitudinal direction of the individual conductors In the thermal head, the plating seed layer and the heat insulating layer, or the plating seed layer, the resistance layer, and the heat insulating layer are exposed on one of the machine cut surfaces parallel to the longitudinal direction of the individual conductor. Only the heat insulating layer is exposed on the other one of the machine cut surfaces parallel to the longitudinal direction and the pair of machine cut surfaces perpendicular to each other, and a common conductor and a plurality of individual conductors are present on all the machine cut surfaces. Dew It is characterized in that it does not.
[0010]
According to the above configuration, since the common conductor and the plurality of individual conductors that are easily corroded are not exposed to the machine cut surface, even if the thermal head is wet with water or directly touched with bare hands, the common conductor and the plurality of individual conductors are not exposed. There is no possibility that the individual conductors are corroded, and disconnection of the common conductor and the plurality of individual conductors can be prevented.
[0011]
In the present invention, a plurality of thermal head formation areas are set on a substrate having a heat retaining layer. Each thermal head formation area has a resistance layer, a common conductor for supplying power to the resistance layer, a plurality of individual conductors, and a common A plating seed layer formed on the conductor and a common electrode formed by electrolytic plating on the plating seed layer are formed in order, and between each thermal head formation area, the longitudinal direction of the individual conductor in the thermal head substrate in which a pair of dicing lines perpendicular to the longitudinal direction of the pair of parallel dicing lines and individual conductors are set in the longitudinal direction while parallel to the dicing lines on the individual conductors, the plating Dies that are parallel to the longitudinal direction of the individual conductors, and that there is a seed layer and a heat insulation layer, or a plating seed layer, a resistance layer, and a heat insulation layer. The pair of dicing lines on the other and orthogonal Ngurain, that only insulation layer is present, and, on all dicing lines, is characterized in that there is no common conductor and a plurality of individual conductors.
[0012]
According to the above configuration, since the common conductor and the plurality of individual conductors do not exist on the dicing line for cutting the substrate, when the substrate is cut for each thermal head forming area, the common conductor and A plurality of individual conductors are not exposed. Therefore, even if each thermal head is wetted with water or directly touched with bare hands, the common conductor and the plurality of individual conductors are not corroded.
[0013]
Further, in the manufacturing method according to the present invention, the step of forming the resistance layer and the conductor film in order on each of the plurality of thermal head formation areas set on the substrate having the heat insulating layer, and the photolithography technique is used to form the conductor film and The process of patterning the resistance layer into a desired shape, the conductor film located on the dicing line for cutting the substrate into each thermal head forming area, and the resistance layer are removed, and the conductor pattern and the plating separated by sandwiching the dicing line A step of obtaining a power supply electrode, a step of removing a part of the conductor pattern to form a plurality of open portions exposing the surface of the resistance layer, and obtaining a common conductor and a plurality of individual conductors located on both sides of the open portion. , on the common conductor, plating feed electrode, and the insulation layer exposed between the common conductor and the plating feed electrode, forming a plating seed layer Through a plating seed layer to power the common conductor from the plating power supply electrode, on the plating seed layer formed on the common conductor, and forming a common electrode by electrolytic plating hand, cutting the substrate in dicing lines It has the process.
[0014]
In the manufacturing method, the step of patterning the conductor film and the resistance layer and the step of removing the conductor film and the resistance layer on the dicing line can be performed simultaneously.
[0015]
Furthermore, in another aspect, the manufacturing method according to the present invention uses a step of sequentially forming a resistance layer and a conductor film in a plurality of thermal head formation areas set on a substrate having a heat retaining layer, and a photolithography technique. A step of patterning the conductor film and the resistance layer into a desired shape, and forming a plurality of open portions for removing a portion of the conductor film to expose the surface of the resistance layer, and a common conductor located on both sides of the open portion and A process for obtaining a plurality of individual conductors, and a plating power feeding electrode in which a conductor film located on a dicing line for cutting the substrate in each thermal head forming area is removed and spaced apart from the common conductor across the dicing line obtaining a, on the common conductor, plating feed electrode, and the insulation layer exposed between the common conductor and the plating power supply electrodes, engineering of forming a plating seed layer If, on the common conductor and through the plating seed layer interposed between the plating feed electrode to power the common conductor from the plating power supply electrodes, the plating seed layer formed on the common conductor, electroless plating the common electrode It has the process of forming by a method, and the process of cut | disconnecting a board | substrate on a dicing line.
[0016]
In the above manufacturing method, the step of forming the open portion exposing the surface of the resistance layer and the step of removing the conductor film on the dicing line can be performed simultaneously.
[0017]
According to the manufacturing method of each aspect described above, the conductor film on the dicing line is removed in advance, the common conductor is connected to the plating power supply electrode through the corrosion-resistant plating seed layer, and the common electrode is electroplated. Therefore, when the substrate is cut by the dicing line, the common conductor and the plurality of individual conductors are not exposed on the cut surface. Therefore, even if the thermal head is wetted with water or directly touched with bare hands after completion, corrosion of the common conductor and the plurality of individual conductors can be prevented.
[0018]
In practice, the common conductor and the plurality of individual conductors are formed of an Al conductor film. In this case, the plating seed layer includes an adhesion layer formed of any one of Ti, Cr, Nb, Ta, W, and Zr, Au, or Au so that the common conductor formed by the Al conductor film can be satisfactorily adhered. It is preferably formed in a two-layer structure with a corrosion-resistant metal layer made of an Au alloy. However, when the common conductor and the plurality of individual conductors are formed of a conductive material such as Cu or Au, the plating seed layer may be formed of a single layer structure of a corrosion-resistant metal layer made of Au or Au alloy. it can.
[0019]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, an embodiment of a thermal head substrate, a thermal head and a manufacturing method thereof to which the invention is applied will be described with reference to the drawings. 1 to 6, (a) is a plan view, (b) is a transverse sectional view taken along line bb in (a), and (c) is a longitudinal sectional view taken along line cc in (a). Each is shown.
[0020]
In the manufacturing method according to the present invention, a plurality of thermal head formation areas are set on a single substrate, a thermal head structure is formed in each thermal head formation area, and then the substrate is cut into each thermal head formation area. Get individual thermal heads. Between each thermal head formation area, a horizontal dicing line Dhi (i = natural number) parallel to the longitudinal direction of the individual conductor and a vertical dicing line Dpi (i = natural number) orthogonal to the longitudinal direction of the individual conductor. Are provided in plural. The outer circumference of the thermal head according to the present invention is defined by a mechanical cutting surface formed by cutting along a pair of horizontal dicing lines Dh1, Dh2 and a pair of vertical dicing lines Dp1, Dp2.
[0021]
In this manufacturing method, first, a substrate 1 having the glaze heat insulating layer 2 over its entire surface is prepared. As the substrate 1, an alumina ceramic substrate, an alumina substrate, a silicon substrate, or the like can be used.
[0022]
Next, as shown in FIG. 1, the resistance layer 3 and the conductor film 5 are continuously formed in the same vacuum on each thermal head formation area of the glaze insulation layer 2, and then annealed. Sputtering or vapor deposition can be used for film formation. This annealing process is an acceleration process that stabilizes the resistance value of the resistance layer 3 by applying a large thermal load in advance.
[0023]
The glaze heat insulating layer 2 is formed of glass having high heat insulating properties. The resistance layer 3 is formed with a film thickness of, for example, about 100 nm using a cermet material of a refractory metal such as Ta—Si—O, Ti—Si—O, or Cr—Si—O that easily increases resistance. The conductor film 5 can be formed of an Al alloy such as Al—Cu or Al—Sc or Al. The conductor film 5 of the present embodiment is formed of Al with a film thickness of about 300 nm, for example.
[0024]
After the annealing process, as shown in FIG. 2, the conductor film 5 and the resistance layer 3 located on the dicing lines Dh1, Dh2, Dp1, and Dp2 are all removed and the conductor film 5 and the resistance are removed by using a photolithography technique. Layer 3 is patterned into the desired shape. The portion from which the conductor film 5 and the resistance layer 3 are removed becomes a gap region (hole) 6 where the glaze heat insulating layer 2 is exposed. On the glaze heat insulating layer 2, the conductor pattern 5 'and the plating power supply electrode 5c which are separated with the dicing line D interposed therebetween remain. In the present embodiment, since the plating power supply electrode 5c is formed to extend in the horizontal direction in the figure, the horizontal dicing line Dh1 is located between the plating power supply electrode 5c and the conductor pattern 5 ′.
[0025]
Subsequently, as shown in FIG. 3, a part of the conductor pattern 5 ′ is removed, and a plurality of open portions α that expose the surface of the resistance layer 3 are formed. The resistance layer 3 exposed from the open portion α becomes a heating resistor portion 3a that generates heat by power feeding. The conductor pattern 5 ′ is separated into one common conductor 5a that conducts to all the heating resistor portions 3a, and a plurality of individual conductors 5b that conduct independently to each of the heating resistor portions 3a across the open portion α. The The common conductor 5a and the plurality of individual conductors 5b are in contact with both ends of the heating resistor 3a in the resistance length direction. The resistance length L of each heating resistor 3 a is defined by the open portion α, and the width dimension W of each heating resistor 3 a and each individual conductor 5 b is defined by the gap region 6.
[0026]
Subsequently, as shown in FIG. 4, the plating power supply electrode adjacent to the common conductor 5a, the plating power supply electrode 5c, the glaze insulation layer 2 between the common conductor 5a and the plating power supply electrode 5c, and the horizontal direction in the drawing. The plating seed layer 7 is patterned on the glaze insulation layer 2 between 5c, and the pad plating seed layer 9 is patterned on the electrode pad formation area of each individual conductor 5b. As shown in FIG. 4C, the common conductor 5a and the plating power supply electrode 5c, which are separated from each other with the dicing line Dh1 interposed therebetween, pass through the plating seed layer 7 extending long in a direction perpendicular to the dicing line Dh1. Electrically connected. The plating power supply electrodes 5c adjacent to each other in the horizontal direction of the thermal head area are electrically connected through the plating seed layer 7 extending in the horizontal direction of the drawing.
[0027]
The plating seed layer 7 and the pad plating seed layer 9 are formed using a corrosion-resistant metal material. Specifically, Au or an Au alloy is used as the corrosion-resistant metal material. The plating seed layer 7 of this embodiment is formed of any one of Ti, Cr, Nb, Ta, W, and Zr in order to improve adhesion between the common conductor 5a formed of Al and the plating power supply electrode 5c. The adhesion layer 7a and the corrosion-resistant metal layer 7b formed of Au or Au alloy are formed in a two-layer structure.
[0028]
Subsequently, the common electrode 8 is formed on the plating seed layer 7 formed on the common conductor 5a as shown in FIG. 5 by electrolytic plating. At this time, power is supplied to the common conductor 5a from an external power source (not shown) through the plating power supply electrode 5c and the plating seed layer 7. The common electrode 8 is formed with a film thickness of about 10 μm using, for example, low resistance Cu. If the common electrode 8 is formed on the common conductor 5a, the common resistance (the overall resistance of the common conductor 5a, the plating seed layer 7 and the common electrode 8) is reduced, and the voltage drop at the common conductor 5a can be suppressed. it can.
[0029]
When the common electrode 8 is formed, as shown in FIG. 6, each individual except for the vicinity of the region where the common electrode 8, the plating seed layer 7, the common conductor 5b, each heating resistor 3a, and the pad plating seed layer 9 are formed. A protective layer 11 is formed to cover the conductor 5b. The protective layer 11 is formed of a wear resistant material such as SiAlON or Ta ₂ O _{5 with} a film thickness of about 6 μm, for example. A bias sputtering method can be used to form the protective layer 11. Subsequently, an organic insulating layer 12 is formed from the exposed individual conductor 5b to the end surface of the protective layer 11, and at the same time, an organic insulating layer is also formed on the upper surface of the protective layer 11 corresponding to the area where the common electrode 8 is formed. Layer 12 is formed. The organic insulating layer 12 is formed with a film thickness of about 2 μm using, for example, a resist material. After the organic insulating layer 12 is formed, the electrode pad 10 is formed on the pad plating seed layer 9. The electrode pad 9 is formed with a film thickness of, for example, about 1.5 μm using Au by plating.
[0030]
Through the above steps, a thermal head structure is completed on each thermal head forming area.
[0031]
In this completed head structure, as shown in FIG. 6, the common conductor 5a and the plurality of individual conductors 5b do not exist on the dicing lines located between the thermal head forming areas. In other words, only the glaze insulation layer 2 exists on the vertical dicing lines Dp1, Dp2 and one horizontal dicing line Dh2, and the plating seed layer 7 and the glaze insulation layer 2 exist on the other horizontal dicing line Dh1. is doing.
[0032]
When the head structure is completed, the substrate 1 is cut along the horizontal dicing lines Dh1, Dh2 and the vertical dicing lines Dp1, Dp2, and divided into individual thermal heads. At this time, the substrate 1 is cut along the horizontal dicing line Dh1, whereby the plating power supply electrode 5c connected to the common conductor 5a via the plating seed layer 7 is cut off. The completed thermal head is not provided with the plating power supply electrode 5c.
[0033]
The completed thermal head has a machine cut surface parallel to the longitudinal direction and the short direction of the individual conductor 5b. As described above, since the common conductor 5a and the plurality of individual conductors 5b did not exist on the dicing line, the common conductor 5 and the plurality of individual conductors 5b were not exposed on the machine cut surface, and the glaze heat insulating layer 2 was not exposed. Or the glaze insulation layer 2 and the plating seed layer 7 are exposed. Specifically, as shown in FIG. 7A, only the glaze heat insulating layer 2 is exposed on the mechanical cut surface P1 cut by the vertical dicing lines Dp1 and Dp2 and one horizontal dicing line Dh2. . As shown in FIG. 7B, the plating seed layer 7 and the glaze insulation layer 2 are exposed on the machine cut surface P2 cut by the other horizontal dicing line Dh1.
[0034]
As described above, in the present embodiment, the conductor film 5 on the dicing line is removed in advance, and the common conductor 5a and the plating power supply electrode 5c are connected via the corrosion-resistant plating seed layer 7 so that the common electrode 8 is connected. Is formed by electrolytic plating, so that when the substrate 1 is cut by the dicing lines Dh1, Dh2, Dp1, and Dp2, only the glaze insulation layer 2 or the plating seed layer that is not corroded is present on the cut surface (mechanical cut surface). 7 and the glaze insulation layer 2 are exposed. That is, the common conductor 5a and the plurality of individual conductors 5b that are easily corroded are not exposed to the machine cut surface. Therefore, even if the thermal head is wetted with water or directly touched with bare hands after completion, corrosion of the common conductor 5a and the plurality of individual conductors 5b can be prevented, and the common conductor 5a and the plurality of individual conductors 5b can be prevented from being corroded. Disconnection can be prevented. This improves the durability of the head.
[0035]
In the present embodiment, both the conductor film 5 and the resistance layer 3 on the dicing line are simultaneously removed in the step of patterning the conductor film 5 and the resistance layer 3 into a desired shape (FIG. 2). The film 5 may be removed in the step of forming the open portion α that exposes the surface of the resistance layer 3 (FIG. 3). When the conductor film 5 on the dicing line is removed at the same time in the process of forming the open portion α, as shown in FIG. 8, on the dicing line Dh1 located between the common conductor 5a and the plating power supply electrode 5c, The plating seed layer 7, the resistance layer 3, and the glaze heat insulating layer 2 remain. That is, only the glaze heat insulating layer 2 or the plating seed layer 7, the resistance layer 3, and the glaze heat insulating layer 2 that are not corroded are exposed at the cut surface. In addition, the process (FIG. 2) of patterning the conductor 5 and the resistance layer 3 into a desired shape, the process of removing the conductor film 5 on the dicing line, and the process of forming the open portion α that exposes the surface of the resistance layer 3 ( Of course, FIG. 3) may be performed independently.
[0036]
In this embodiment, the conductive film 5 is patterned into a desired shape to form the plating power supply electrode 5c. However, the plating power supply electrode can be formed only by the plating seed layer 7.
[0037]
In the present embodiment, the plating power supply electrode 5c is formed to extend long in a direction parallel to the longitudinal direction of the individual conductor 5b. However, it extends long in a direction parallel to the short direction of the individual conductor 5b. It can also be formed. When the plating power supply electrode is formed to extend long in the short direction of the individual conductor 5b, the plating seed layer and the glaze insulation layer are exposed on the machine cut surface formed by cutting along the vertical dicing line Dp1 (or Dp2). It will be.
[0038]
Furthermore, in the present embodiment, the plating seed layer 7 is formed in a two-layer structure including the adhesion layer 7a and the metal layer 7b. However, the plating seed layer 7 may be composed of two or more layers. When the conductor film 5 (the common conductor 5a, the plurality of individual conductors 5b, and the plating power supply electrode 5c) is formed of a conductive material other than Al, such as Cu or Au, the plating seed layer 7 is made of an Au film or You may form with the single layer structure of Au alloy film.
[0039]
In the present embodiment, the entire glaze type thermal head H having the glaze heat retaining layer 2 on the entire surface of the substrate has been described. However, the present invention can also be applied to other types such as partial glaze, real edge, double glaze, and DOS. . Furthermore, the present invention can be applied to both a serial head and a line head.
[0040]
【The invention's effect】
According to the present invention, it is possible to form a thermal head in which a common conductor and a plurality of individual conductors that are easily corroded are not exposed to a machine cut surface (substrate cut surface). Therefore, even if the thermal head is wet with water or directly touched with bare hands after completion, chlorine and water will not adhere to the common conductor and multiple individual conductors, and the common conductor and multiple individual conductors will be corroded. Can be prevented.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1A is a plan view showing a method of manufacturing a thermal head according to an embodiment of the present invention, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line bb in FIG. It is a longitudinal section along line c.
2A is a plan view showing the next process of FIG. 1, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line bb in FIG. 1A, and FIG. 2C is a longitudinal section taken along line cc in FIG. FIG.
3A is a plan view showing the next step of FIG. 2, FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line bb in FIG. 2A, and FIG. 3C is a longitudinal section taken along the line cc in FIG. FIG.
4A is a plan view showing the next process of FIG. 3, FIG. 4B is a cross-sectional view taken along line bb in FIG. 3A, and FIG. 4C is a longitudinal section taken along line cc in FIG. FIG.
5A is a plan view showing the next process of FIG. 4, FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line bb in FIG. 4A, and FIG. 5C is a longitudinal section taken along line cc in FIG. FIG.
6A is a plan view showing the next process of FIG. 5, FIG. 6B is a cross-sectional view taken along the line bb in FIG. 5A, and FIG. 6C is a longitudinal section taken along the line cc in FIG. FIG.
7A and 7B are cross-sectional views respectively showing (a) a cut surface parallel to the longitudinal direction of the individual conductor and (b) a cut surface parallel to the short direction of the individual conductor of the thermal head after completion.
8 is a longitudinal sectional view showing a case where a conductor on a dicing line is removed in the step shown in FIG. 3;
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Glaze thermal insulation layer 3 Resistance layer 3a Heat generation resistance part 5 Conductive film 5 'Conductive pattern 5a Common conductor 5b Individual conductor 5c Plating feeding electrode 6 Gap region 7 Plating seed layer 7a Adhesion layer 7b Corrosion resistant metal layer 8 Common electrode 9 Plating seed layer 10 for pads Electrode pad 11 Protective layer 12 Organic insulating layer Dp1 Vertical dicing line Dp2 Vertical dicing line Dh1 Horizontal dicing line Dh2 Horizontal dicing line

Claims

A heat insulating layer, a resistance layer, a common conductor and a plurality of individual conductors for supplying power to the resistance layer, a plating seed layer formed on the common conductor, and electrolytic plating on the plating seed layer. and a common electrode in order, in the thermal head outer circumference is defined by a pair of mechanical cutting plane perpendicular to the pair of parallel mechanical cutting surface and the longitudinal direction with respect to the longitudinal direction of the individual conductors,
The plating seed layer and the heat insulating layer, or the plating seed layer, the resistance layer, and the heat insulating layer are exposed on one of the machine cut surfaces parallel to the longitudinal direction of the individual conductors,
Only the heat retaining layer is exposed on the other of the machine cut surfaces parallel to the longitudinal direction of the individual conductors and a pair of machine cut surfaces orthogonal to the longitudinal direction, and
The common conductor and the plurality of individual conductors are not exposed on all machine cut surfaces;
Thermal head characterized by

2. The thermal head according to claim 1, wherein the common conductor and the individual conductor are formed of an Al conductor film, and the plating seed layer is formed of any one of Ti, Cr, Nb, Ta, W, and Zr. A thermal head formed of a two-layer structure including a close adhesion layer and a corrosion-resistant metal layer made of Au or an Au alloy.

A plurality of thermal head formation areas are set on a substrate having a heat insulating layer, and each thermal head formation area is formed on a resistance layer, a common conductor supplying power to the resistance layer, and a plurality of individual conductors, and the common conductor. A plating seed layer and a common electrode formed by electrolytic plating on the plating seed layer are formed in order, and a pair of parallel parallel to the longitudinal direction of the individual conductors is formed between the thermal head formation areas . In the thermal head substrate in which a pair of dicing lines orthogonal to the longitudinal direction of the dicing lines and the individual conductors is set,
On one dicing line parallel to the longitudinal direction of the individual conductor, the plating seed layer and the heat retaining layer, or the plating seed layer, the resistance layer, and the heat retaining layer are present,
On the other of the dicing lines parallel to the longitudinal direction of the individual conductor and a pair of orthogonal dicing lines, only the heat retaining layer exists, and
The common conductor and the plurality of individual conductors are not present on all dicing lines;
Thermal head substrate characterized by

4. The thermal head substrate according to claim 3, wherein the common conductor and the plurality of individual conductors are formed of an Al conductor film, and the plating seed film is any one of Ti, Cr, Nb, Ta, W, and Zr. A thermal head substrate formed of a two-layer structure including an adhesion layer formed by the above and a corrosion-resistant metal layer formed of Au or an Au alloy.

Forming a resistance layer and a conductor film in order in each of a plurality of thermal head formation areas set on a substrate having a heat retaining layer;
Patterning the conductor film and the resistive layer into a desired shape using a photolithography technique;
Removing the conductive film and the resistance layer located on a dicing line for cutting the substrate for each thermal head formation area, obtaining a conductive pattern and a plating power supply electrode spaced apart by the dicing line; and
Removing a part of the conductor pattern to form a plurality of open portions exposing the surface of the resistance layer, obtaining a common conductor and a plurality of individual conductors located on both sides of the open portion;
Forming a plating seed layer on the common conductor, on the plating power supply electrode, and on the heat retaining layer exposed between the common conductor and the plating power supply electrode;
Feeding the common conductor from the plating power supply electrode through the plating seed layer, and forming a common electrode on the plating seed layer formed on the common conductor by electrolytic plating;
Cutting the substrate with the dicing line;
A method of manufacturing a thermal head, comprising:

6. The method of manufacturing a thermal head according to claim 5, wherein the step of patterning the conductor film and the resistance film and the step of removing the conductor film and the resistance layer on the dicing line are performed simultaneously. .

Forming a resistance layer and a conductor film in order on each of a plurality of thermal head formation areas set on a substrate having a heat retaining layer;
Patterning the conductor film and the resistive layer into a desired shape using a photolithography technique;
Removing a part of the conductor film to form a plurality of open portions exposing the surface of the resistance layer, obtaining a common conductor and a plurality of individual conductors located on both sides of the open portion;
Removing the conductor film located on a dicing line for cutting the substrate for each thermal head forming area, and obtaining the plating power feeding electrode spaced from the common conductor across the dicing line; and
Forming a plating seed layer on the common conductor, on the plating power supply electrode, and on the heat retaining layer exposed between the common conductor and the plating power supply electrode;
Power is supplied from the plating power supply electrode to the common conductor via a plating seed layer interposed between the common conductor and the plating power supply electrode, and a common electrode is formed on the plating seed layer formed on the common conductor. Forming by an electrolytic plating method,
Cutting the substrate on the dicing line;
A method of manufacturing a thermal head, comprising:

8. The method of manufacturing a thermal head according to claim 7, wherein the step of forming an open portion exposing the surface of the resistance layer and the step of removing the conductive film on the dicing line are performed simultaneously.

9. The thermal head manufacturing method according to claim 5, wherein the conductor is formed of Al or an Al alloy, and the plating seed layer is any one of Ti, Cr, Nb, Ta, W, and Zr. A method of manufacturing a thermal head formed by laminating a corrosion-resistant metal layer formed of Au or an Au alloy on an adhesion layer formed of one kind.