JP4408150B2 - Solid-state imaging device - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、入力した2次元光像を撮像する固体撮像装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
電荷結合素子(CCD)に代表される固体撮像素子を使用した撮像装置は、家庭用ビデオをはじめ様々な分野で使用されている。しかし、比較的大きな受光面積を有するフォトダイオード電荷を取り扱う場合には、CCDでは電荷転送効率が低いので、電荷の転送をしきれないという問題を生じる。そこで、特定の分野では、固体撮像装置の内で、電荷転送効率の問題が生じないアモルファスシリコンにより形成されたイメージセンサが用いられることがある。このアモルファスシリコンにより形成されたイメージセンサは、入力光信号を電流信号に変換する光電変換素子とこの光電変換素子で発生した電流信号を流出するスイッチ素子とからなる受光素子(画素)が、2次元に配列されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、アモルファスシリコンを用いて受光部(光電変換素子)を形成した場合、受光部が形成されたアモルファスシリコン部分から信号を読み出すために、信号読み出し回路、シフトレジスタ等の周辺回路が形成されたシリコンチップが必要となり、受光部が形成されたアモルファスシリコン部分とシリコンチップとをボンディングする際に、ボンディング不良等の問題が生じ易く、歩留まりが低下してしまう。また、静止画像の撮像は可能であるものの、残像等の問題から、動画像の撮像は困難とされていた。
【0004】
そこで、本発明者らは、上述した問題を解消すべく、シリコンウェハに、受光部、周辺回路等を形成した固体撮像装置の研究開発を進めてきた。このようにシリコンウェハに受光部を形成する場合、例えば8インチといった大面積のシリコンウェハを用いることにより、受光部の大面積化が可能となる。しかしながら、受光部の大面積化により、1枚のシリコンウェハから得ることのできる固体撮像装置の数は、1つといったように、極めて少なくなり、また、受光部内に欠陥画素が存在する可能性も高くなることから、歩留まりが悪化してしまうことが新たに判明した。
【0005】
また、周辺回路として、特に、光電変換素子からの出力された電流信号を読み出すためのデジタル信号読み出し回路を同一ウェハ上に形成する場合、受光部の大面積化に伴ってデジタル信号読み出し回路自体の数も増加し、これらデジタル信号読み出し回路を限られたスペース内に形成することになるため、デジタル信号読み出し回路の中に欠陥のものが存在する可能性が高くなり、更に歩留まりが低下してしまうことも新たに判明した。
【0006】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、同一基板に受光部及び周辺回路を形成する場合においても、歩留まりの低下が抑制され、受光部の大面積化が可能な固体撮像装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る固体撮像装置は、入力した2次元光像を撮像する固体撮像装置であって、入力光信号を電流信号に変換する光電変換素子が2次元に配列された矩形状の受光部と、矩形状の受光部の一辺に沿って、一辺の延びる方向に配置された光電変換素子の数に対応した数だけ設けられ、矩形状の受光部の一辺と直交する方向に配列された光電変換素子で発生した電流信号をアナログ信号として読み出すアナログ信号読み出し回路と、矩形状の受光部の一辺に対向する辺に沿って、一辺の延びる方向に配置された光電変換素子の数に対応した数だけ設けられ、矩形状の受光部の一辺と直交する方向に配列された光電変換素子で発生した電流信号をデジタル信号として読み出すデジタル信号読み出し回路と、矩形状の受光部の一辺と直交する方向に配列された光電変換素子で発生した電流信号を、アナログ信号読み出し回路及びデジタル信号読み出し回路のいずれに向けても送り出し得るシフトレジスタと、を同一基板に備えることを特徴としている。
【0008】
本発明に係る固体撮像装置では、同一基板に対して、矩形状の受光部の一辺に沿って、この一辺の延びる方向に配置された光電変換素子の数に対応した数のアナログ信号読み出し回路が設けられ、矩形状の受光部の一辺に対向する辺に沿って、同じく一辺の延びる方向に配置された光電変換素子の数に対応して数のデジタル信号読み出し回路が設けられ、更に、矩形状の受光部の一辺と直交する方向に配列された光電変換素子で発生した電流信号を、アナログ信号読み出し回路及びデジタル信号読み出し回路のいずれに向けても送り出し得るシフトレジスタが備えられており、このシフトレジスタがデジタル信号読み出し回路に向けて電流信号を送り出す場合には、光電変換素子で発生した電流信号がデジタル信号読み出し回路にてデジタル信号として読み出されることになる。一方、デジタル信号読み出し回路のうちのいずれかに欠陥がある場合には、シフトレジスタにより、アナログ信号読み出し回路に向けて電流信号を送り出すことで、光電変換素子で発生した電流信号がアナログ信号読み出し回路にてアナログ信号として読み出されることになる。したがって、デジタル信号読み出し回路のうちのいずれかに欠陥がある場合でも、アナログ信号読み出し回路にて光電変換素子で発生した電流信号を読み出すことが可能となり、受光部を大面積化した場合においても固体撮像装置の歩留まりの低下を抑制することができる。また、デジタル信号読み出し回路にて光電変換素子で発生した電流信号を読み出す場合には、デジタル出力となるために、高速での電流信号の読み出しが可能であり、外付けのA/Dコンバータが不要となり、固体撮像装置の低コスト化が可能となる。また、アナログ信号読み出し回路にて光電変換素子で発生した電流信号を読み出す場合には、外付けのA/Dコンバータを用いることで、高分解能化が可能となる。
【0009】
本発明に係る固体撮像装置は、入力した2次元光像を撮像する固体撮像装置であって、入力光信号を電流信号に変換する光電変換素子と、光電変換素子の信号出力端子に第1の端子が接続され、走査信号に応じて第2の端子から光電変換素子で発生した電流信号を流出するスイッチ素子とを1組の受光素子として、第1の方向に沿って第1の数だけ配列される単位受光部が、第2の方向に沿って第2の数だけ配列された受光部を有し、夫々の単位受光部の一方の端部には、夫々のスイッチ素子の第2の端子と互いに電気的に接続された第1信号出力端子が設けられ、夫々の単位受光部の他方の端部には、夫々のスイッチ素子の第2の端子と互いに電気的に接続された第2信号出力端子が各々設けられており、夫々の単位受光部の第1信号出力端子から出力された信号を夫々個別に入力し、単位受光部から出力された電流信号をアナログ信号として読み出す第2の数のアナログ信号読み出し回路と、夫々の単位受光部の第2信号出力端子から出力された信号を夫々個別に入力し、単位受光部から出力された電流信号をデジタル信号として読み出す第2の数のデジタル信号読み出し回路と、夫々の光電変換素子で発生した電流信号を、夫々の単位受光部の第1信号出力端子及び第2信号出力端子のいずれに向けても送り出し得るように、走査信号を出力するシフトレジスタと、を同一基板に備えることを特徴としている。
【0010】
本発明に係る固体撮像装置では、同一基板に対して、夫々の単位受光部の第1信号出力端子から出力された信号を夫々個別に入力し、単位受光部から出力された電流信号をアナログ信号として読み出す第2の数のアナログ信号読み出し回路と、夫々の単位受光部の第2信号出力端子から出力された信号を夫々個別に入力し、単位受光部から出力された電流信号をデジタル信号として読み出す第2の数のデジタル信号読み出し回路と、夫々の光電変換素子で発生した電流信号を、夫々の単位受光部の第1信号出力端子及び第2信号出力端子のいずれに向けても送り出し得るように、走査信号を出力するシフトレジスタとが備えられており、このシフトレジスタが第2信号出力端子側に向けて電流信号を送り出す場合には、夫々の単位受光部における光電変換素子で発生した電流信号が夫々のデジタル信号読み出し回路にてデジタル信号として読み出されることになる。一方、デジタル信号読み出し回路のうちのいずれかに欠陥がある場合には、シフトレジスタにより、第1信号出力端子側に向けて電流信号を送り出すことで、夫々の単位受光部における光電変換素子で発生した電流信号が夫々のアナログ信号読み出し回路にてアナログ信号として読み出されることになる。したがって、デジタル信号読み出し回路のうちのいずれかに欠陥がある場合でも、夫々のアナログ信号読み出し回路にて光電変換素子で発生した電流信号を読み出すことが可能となり、受光部を大面積化した場合においても固体撮像装置の歩留まりの低下を抑制することができる。また、夫々のデジタル信号読み出し回路にて光電変換素子で発生した電流信号を読み出す場合には、デジタル出力となるために、高速での電流信号の読み出しが可能であり、外付けのA/Dコンバータが不要となり、固体撮像装置の低コスト化が可能となる。また、夫々のアナログ信号読み出し回路にて光電変換素子で発生した電流信号を読み出す場合には、外付けのA/Dコンバータを用いることで、高分解能化が可能となる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る固体撮像装置の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付しており、重複する説明は省略する。また、Nは2以上の整数であり、添え字nは特に明示しない限り1からNまでの任意の整数を示すものとする。
【0012】
(第1実施形態)
先ず、本発明に係る固体撮像装置の第1実施形態について、図1及び図2を用いて説明する。図1は、第1実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示す概念図であり、図2は、第1実施形態に係る固体撮像装置の回路構成図である。第1実施形態に係る固体撮像装置1は、図1に示されるように、矩形に形成された基板10を有し、この基板10には、受光部20、第1アナログ信号読み出し部30、第1デジタル信号読み出し部40、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60が、CMOSプロセス等を用いて設けられている。基板10にはシリコンインゴットを切断したシリコンウェハを用いており、このシリコンウェハを矩形に切断することにより基板10が形成される。本実施形態においては、8インチφのシリコンウェハを用いている。
【0013】
受光部20は、各辺が130mmとされた略正方形状に形成されており、この中に縦横50μmピッチ程度で各受光素子(画素)211.1〜21N.Nが形成されている。第1アナログ信号読み出し部30は、受光部20の第1の辺20aに沿って設けられている。第1デジタル信号読み出し部40は、受光部20の第1の辺20aに対向する第2の辺20bに沿って設けられている。第1シフトレジスタ50は、受光部20の第1の辺20a及び第2の辺20bに直交する第3の辺20cに沿って設けられている。第2シフトレジスタ60は、受光部20の第1の辺20a及び第2の辺20bに直交し且つ第3の辺20cに対向する第4の辺20dに沿って設けられている。第1アナログ信号読み出し部30及び第1デジタル信号読み出し部40には、各々信号出力端子80,90が接続されている。
【0014】
受光部20は、図2に示されるように、受光素子21n.nがN行×N列に2次元配列されている。夫々の受光素子211.1〜21N.Nは、入力光信号を電流信号に変換する光電変換素子としてのフォトダイオード23と、第1のスイッチ素子25とを有している。第1のスイッチ素子25は信号入力端子と信号出力端子を有しており、第1のスイッチ素子25の信号入力端子はフォトダイオード23の信号出力端子に接続されており、第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60からの走査信号Snに応じてフォトダイオード23で発生した電流信号を信号出力端子から流出する。このような受光素子21n.nが、第1の方向(第3の辺20cあるいは第4の辺20dの延びる方向)に沿ってN個配列されており、この第1の方向に沿ってN個配列された受光素子21n.1〜21n.Nは、夫々の第1のスイッチ素子25の信号出力端子が電気的に接続されることにより単位受光部22nを構成している。この単位受光部22nは、第1の方向と直交する第2の方向(第1の辺20aあるいは第2の辺20bの延びる方向)に沿ってN個配列されている。
【0015】
夫々の単位受光部22nの一方の端部には、夫々の第1のスイッチ素子25の信号出力端子と互いに電気的に接続された第1信号出力端子27が設けられ、夫々の単位受光部22nの他方の端部には、夫々の第1のスイッチ素子25の信号出力端子と互いに電気的に接続された第2信号出力端子29が各々設けられている。夫々の第1信号出力端子27は、第2のスイッチ素子71を介して第1アナログ信号読み出し部30に接続される。この第2のスイッチ素子71は、第2の方向に、単位受光部22nの数(第2の方向に配置されたフォトダイオード23の数)に対応してN個配列されている。また、夫々の第2信号出力端子29は、第3のスイッチ素子72を介して第1デジタル信号読み出し部40に接続される。この第3のスイッチ素子72は、第2の方向に、単位受光部22nの数(第2の方向に配置されたフォトダイオード23の数)に対応してN個配列されている。第2のスイッチ素子71及び第3のスイッチ素子72は、制御回路(図示せず)からの信号に応じて、作動する。
【0016】
第1アナログ信号読み出し部30は、図2に示されるように、第1アナログ信号読み出し回路31を有している。この第1アナログ信号読み出し回路31は、第2の方向に、単位受光部22nの数(第2の方向に配置されたフォトダイオード23の数)に対応してN個配列されて、アレイ状に形成されている。夫々の第1アナログ信号読み出し回路31は、積分回路33、CDS回路(図示せず)、等を有している。積分回路33は、単位受光部22n(第1信号出力端子27)からの出力信号を入力し、入力した電流信号の電荷を増幅する電荷増幅器35と、電荷増幅器35の入力端子に一方の端子が接続され、電荷増幅器35の出力端子に他方の端子が接続された容量素子37と、電荷増幅器35の入力端子に一方の端子が接続され、電荷増幅器35の出力端子に他方の端子が接続され、制御回路から出力されるリセット信号Rが有意の場合には「ON」状態となり、リセット信号Rが非有意の場合には「OFF」状態となる第4のスイッチ素子39とを有している。この積分回路33は、リセット信号Rが非有意の場合には、単位受光部22nからの出力信号を入力し、リセット信号Rに応じて単位受光部22nから出力された電流信号を入出力端子間に接続された容量素子37に積分の動作を行い、リセット信号Rが有意の場合には非積分の動作を行うようになる。
【0017】
単位受光部22n(第1信号出力端子27)からの電流信号は、第1アナログ信号読み出し回路31(積分回路33、CDS回路等)により、アナログ信号として読み出され、このアナログ信号が信号出力端子80に向けて送り出される。夫々の第1アナログ信号読み出し回路31の後段(信号出力端子80との間)には、第5のスイッチ素子73が設けられている。この第5のスイッチ素子73は、第1アナログ信号読み出し回路31の数に対応してN個配列されており、制御回路からの信号に応じて、作動する。
【0018】
第1デジタル信号読み出し部40は、図2に示されるように、第2アナログ信号読み出し部41と、第1デジタル信号変換部47とを有しており、第2アナログ信号読み出し部41は、第2アナログ信号読み出し回路42を含んでいる。この第2アナログ信号読み出し回路42は、第2の方向に、単位受光部22nの数(第2の方向に配置されたフォトダイオード23の数)に対応してN個配列されて、アレイ状に形成されている。夫々の第2アナログ信号読み出し回路42は、積分回路43、CDS回路(図示せず)等を有している。積分回路43は、単位受光部22n(第2信号出力端子29)からの出力信号を入力し、入力した電流信号の電荷を増幅する電荷増幅器44と、電荷増幅器44の入力端子に一方の端子が接続され、電荷増幅器44の出力端子に他方の端子が接続された容量素子45と、電荷増幅器44の入力端子に一方の端子が接続され、電荷増幅器44の出力端子に他方の端子が接続され、制御回路から出力されるリセット信号Rが有意の場合には「ON」状態となり、リセット信号Rが非有意の場合には「OFF」状態となる第6のスイッチ素子46とを有している。この積分回路43は、リセット信号Rが非有意の場合には、単位受光部22nからの出力信号を入力し、リセット信号Rに応じて単位受光部22nから出力された電流信号を入出力端子間に接続された容量素子45に積分の動作を行い、リセット信号Rが有意の場合には非積分の動作を行うようになる。
【0019】
単位受光部22n(第2信号出力端子29)からの電流信号は、第2アナログ信号読み出し回路42(積分回路43、CDS回路等)により、アナログ信号として読み出され、このアナログ信号が第1デジタル信号変換部47に向けて送り出される。夫々の第2アナログ信号読み出し回路42と第1デジタル信号変換部47との間には、第7のスイッチ素子74が設けられている。この第7のスイッチ素子74は、第2アナログ信号読み出し回路42の数に対応してN個配列されており、制御回路からの信号に応じて、作動する。
【0020】
第1デジタル信号変換部47は、A/Dコンバータ48を有しており、このA/Dコンバータ48は、第2の方向に、第2アナログ信号読み出し回路42の数に対応してN個配列されて、アレイ状に形成されている。夫々のA/Dコンバータ48は、夫々の第2アナログ信号読み出し回路42からの出力されたアナログ信号を入力し、このアナログ信号をデジタル信号に変換して、データバスを介して信号出力端子90に向けて送り出す。
【0021】
第1シフトレジスタ50は、夫々の受光素子21n.nのフォトダイオード23で発生した電流信号を送り出すために、夫々の第1のスイッチ素子25に対して走査信号Snを出力する。第1シフトレジスタ50は、図2に示されるように、第2の方向に配列された受光素子211.n〜21N.nの第1のスイッチ素子25に対して、同時に走査信号Snを出力し得るように、これらの第1のスイッチ素子25に対して接続されている。
【0022】
第2シフトレジスタ60も、第1シフトレジスタ50と同様に、夫々の受光素子21n.nのフォトダイオード23で発生した電流信号を送り出すために、夫々の第1のスイッチ素子25に対して走査信号Snを出力する。第2シフトレジスタ60は、図2に示されるように、第2の方向に配列された受光素子211.n〜21N.nの第1のスイッチ素子25に対して、同時に走査信号Snを出力し得るように、これらの第1のスイッチ素子25に対して接続されている。
【0023】
次に、第1実施形態の固体撮像装置1の動作を説明する。この固体撮像装置1では、受光部20が入射した光が形成する光像を入力し、受光部20のフォトダイオード23に受光量に応じた電荷が蓄積される。そして、所定の受光期間の経過後に夫々のフォトダイオード23に蓄積された電荷量を以下のようにして読み出す。
【0024】
第1アナログ信号読み出し部30側にて、夫々のフォトダイオード23に蓄積された電荷量を読み出す場合には、まず、制御回路からの信号により、夫々の第2のスイッチ素子71が閉じられ、夫々の第3のスイッチ素子72が開かれる。また、読み出しの実行に先立って、積分回路33に対するリセット信号Rを有意として、第4のスイッチ素子39を閉じて容量素子37を初期化する。
【0025】
次に、積分回路33に対するリセット信号Rを非有意として、第4のスイッチ素子39を開き、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60のいずれか一方から夫々の第1のスイッチ素子25に走査信号Snが所定のタイミングにて有意とされる。各単位受光部22nの第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1の第1のスイッチ素子25のみを「ON」とする走査信号S1が有意とされる。第1のスイッチ素子25が「ON」となると、それまでの受光によってフォトダイオード23に蓄積された電荷が電流信号となって、第2のスイッチ素子71を介して、第1アナログ信号読み出し回路31(第1アナログ信号読み出し部30)に出力される。そして、第1アナログ信号読み出し回路31の積分回路33によってその帰還容量である容量素子37に蓄積されていき、積分回路33の出力端子から出力される電圧信号は次第に大きくなっていく。
【0026】
積分回路33から出力された電圧信号は、CDS回路等を介して、アナログ信号として夫々の第1アナログ信号読み出し回路31(第1アナログ信号読み出し部30)から出力され、第1の方向での走査における第1番目の受光素子211 . 1〜21N . 1に関するデータ読み出しを終了する。なお、夫々の第1アナログ信号読み出し回路31からアナログ信号が出力される際に、夫々の第5のスイッチ素子73に送られる信号を順次有意として、各第1アナログ信号読み出し回路31から順次アナログ信号を出力させており、第2の方向での走査を行っている。
【0027】
次いで、積分回路33に対するリセット信号Rを有意として、第4のスイッチ素子39を閉じて容量素子37を初期化しながら、第1の方向での走査における第2番目以降の受光素子211.n〜21N.nに関するデータ読み出しを実行する。
【0028】
こうして、受光部20に入力した光の形成する光像を撮像し、撮像データとしてのアナログ信号を得る。
【0029】
一方、第1デジタル信号読み出し部40側にて、夫々のフォトダイオード23に蓄積された電荷量を読み出す場合には、まず、制御回路からの信号により、夫々の第2のスイッチ素子71が開かれ、夫々の第3のスイッチ素子72及び夫々の第7のスイッチ素子74が閉じられる。また、読み出しの実行に先立って、積分回路43に対するリセット信号Rを有意として、第6のスイッチ素子46を閉じて容量素子45を初期化する。
【0030】
次に、積分回路43に対するリセット信号Rを非有意として、第6のスイッチ素子46を開き、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60のいずれか一方から夫々の第1のスイッチ素子25にSnが所定のタイミングにて有意とされる。各単位受光部22nの第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1の第1のスイッチ素子25のみを「ON」とする走査信号S1が有意とされる。第1のスイッチ素子25が「ON」となると、それまでの受光によってフォトダイオード23に蓄積された電荷が電流信号となって、第3のスイッチ素子72を介して、第2アナログ信号読み出し回路42(第1デジタル信号読み出し部40)に出力される。そして、第2アナログ信号読み出し回路42の積分回路43によってその帰還容量である容量素子45に蓄積されていき、積分回路43の出力端子から出力される電圧信号は次第に大きくなっていく。
【0031】
積分回路43から出力された電圧信号は、CDS回路等を介して、アナログ信号として夫々の第2アナログ信号読み出し回路42から夫々のA/Dコンバータ48に出力される。A/Dコンバータ48では、第2アナログ信号読み出し回路42から出力されたアナログ信号がデジタル信号に変換され、このデジタル信号がデータバスに出力され、第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1に関するデータ読み出しを終了する。夫々のA/Dコンバータ48からデジタル信号が出力される際に、夫々のA/Dコンバータ48は、制御回路からの信号に基づいて、所定タイミングにて順次デジタル信号を出力し、第2の方向での走査を行っている。なお、夫々の第2アナログ信号読み出し回路42からアナログ信号が出力される際に、夫々の第7のスイッチ素子74に送られる信号を順次有意として、各第2アナログ信号読み出し回路42から順次アナログ信号を出力させることにより、第2の方向での走査を行うことも可能である。
【0032】
次いで、積分回路43に対するリセット信号Rを有意として、第6のスイッチ素子46を閉じて容量素子45を初期化しながら、第1の方向での走査における第2番目以降の受光素子211 . n〜21N . nに関するデータ読み出しを実行する。
【0033】
こうして、受光部20に入力した光の形成する光像を撮像し、撮像データとしてのデジタル信号を得る。
【0034】
以上のように、第1実施形態の固体撮像装置1によれば、第1アナログ信号読み出し部30は、受光素子21n.nがN行×N列に2次元配列された受光部20の第1の辺20aに沿って設けられ、第1デジタル信号読み出し部40は、受光部20の第1の辺20aに対向する第2の辺20bに沿って設けられている。また、第1アナログ信号読み出し部30は、夫々の単位受光部22nの第1信号出力端子27から出力された信号を夫々個別に入力し、単位受光部22nから出力された電流信号をアナログ信号として読み出すN個の第1アナログ信号読み出し回路31を有し、第1デジタル信号読み出し部40は、夫々の単位受光部22nの第2信号出力端子29から出力された信号を夫々個別に入力し、単位受光部22nから出力された電流信号をアナログ信号として読み出すN個の第2アナログ信号読み出し回路42と、夫々の第2アナログ信号読み出し回路42から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するN個のA/Dコンバータ48とを有している。また、夫々のフォトダイオード23で発生した電流信号を、夫々の単位受光部22nの第1信号出力端子27及び第2信号出力端子29のいずれに向けても送り出し得るように、走査信号Snを出力する第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60が備えられている。夫々の第2のスイッチ素子71を開き、夫々の第3のスイッチ素子72を閉じた場合には、第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60が第2信号出力端子29側に向けて電流信号を送り出すことになり、夫々の単位受光部22nにおけるフォトダイオード23で発生した電流信号が夫々の第1デジタル信号読み出し部40にてデジタル信号として読み出されることになる。
【0035】
一方、第1デジタル信号読み出し部40、例えばN個のA/Dコンバータ48のうちのいずれかに欠陥がある場合には、夫々の第2のスイッチ素子71を閉じ、夫々の第3のスイッチ素子72を開き、第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60により第1信号出力端子27側に向けて電流信号を送り出すことで、夫々の単位受光部22nにおけるフォトダイオード23で発生した電流信号が夫々の第1アナログ信号読み出し回路31(第1アナログ信号読み出し部30)にてアナログ信号として読み出されることになる。
【0036】
したがって、第1デジタル信号読み出し部40側に欠陥がある場合でも、第1アナログ信号読み出し部30側にてフォトダイオード23で発生した電流信号を読み出すことが可能となり、受光部20を大面積化し、第1アナログ信号読み出し部30、第1デジタル信号読み出し部40、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60等の周辺回路を同一の基板10に設けた場合においても固体撮像装置1の歩留まりの低下を抑制することができる。
【0037】
また、第1デジタル信号読み出し部40側にてフォトダイオード23で発生した電流信号を読み出す場合には、デジタル出力となるために、高速での電流信号の読み出しが可能であり、外付けのA/Dコンバータが不要となり、固体撮像装置1の低コスト化が可能となる。また、第1デジタル信号読み出し部40での分解能は、同一の基板10に設けられるためスペース的な問題から、高くすることには限界(例えば、11ビット程度の分解能)があるものの、第1アナログ信号読み出し部30側にてフォトダイオード23で発生した電流信号を読み出す場合には、外付けのA/Dコンバータを用いることで、高分解能化(例えば16ビット程度の分解能)が可能となる。
【0038】
また、第1の辺20aに沿って第1アナログ信号読み出し部30を設け、第2の辺20bに沿って第1デジタル信号読み出し部40を設けることで、第1アナログ信号読み出し部30と第1デジタル信号読み出し部40とが受光部20を挟んだ対向する位置に設けられることになり、基板10をコンパクトに構成することができる。
【0039】
また、第3の辺20cに沿って第1シフトレジスタ50が設けられ、第4の辺20dに沿って第2シフトレジスタ60が設けられ、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60のいずれも、夫々の第2のスイッチ素子71を閉じ、夫々の第3のスイッチ素子72を開いた場合には、各単位受光部22n(第1の方向に配列されたフォトダイオード23)で発生した電流信号を、第1アナログ信号読み出し部30に向けて送り出すので、第1シフトレジスタ50に欠陥がある場合には、第2シフトレジスタ60により各単位受光部22nで発生した電流信号が第1アナログ信号読み出し部30に向けて送り出されることになる。一方、第2シフトレジスタ60に欠陥がある場合には、第1シフトレジスタ50により各単位受光部22nで発生した電流信号が第1アナログ信号読み出し部30に向けて送り出されることになる。同様に、夫々の第2のスイッチ素子71を開き、夫々の第3のスイッチ素子72を閉じた場合には、各単位受光部22nで発生した電流信号を、第1デジタル信号読み出し部40に向けて送り出すので、第1シフトレジスタ50に欠陥がある場合には、第2シフトレジスタ60により各単位受光部22nで発生した電流信号が第1デジタル信号読み出し部40に向けて送り出されることになる。一方、第2シフトレジスタ60に欠陥がある場合には、第1シフトレジスタ50により各単位受光部22nで発生した電流信号が第1デジタル信号読み出し部40に向けて送り出されることになる。
【0040】
したがって、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60のいずれか一方に欠陥がある場合でも、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60のいずれか他方にて、第1アナログ信号読み出し部30あるいは第1デジタル信号読み出し部40に向けて各単位受光部22nで発生した電流信号を送り出すことが可能となり、受光部20を大面積化し、第1アナログ信号読み出し部30、第1デジタル信号読み出し部40、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60等の周辺回路を同一の基板10に設けた場合においても固体撮像装置1の歩留まりの低下を更に抑制することができる。
【0041】
また、第3の辺20cに沿って第1シフトレジスタ50を設け、第4の辺20dに沿って第2シフトレジスタ60を設けることで、第1シフトレジスタ50と第2シフトレジスタ60とが受光部20を挟んだ対向する位置に設けられることになり、基板10を更にコンパクトに構成することができる。
【0042】
(第2実施形態)
次に、本発明に係る固体撮像装置の第2実施形態について、図3及び図4を用いて説明する。図3は、第2実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示す概念図であり、図4は、第2実施形態に係る固体撮像装置の回路構成図である。第2実施形態に係る固体撮像装置101は、第1実施形態に係る固体撮像装置1と比べて、2つのアナログ信号読み出し部を有する点で相違する。
【0043】
第2実施形態に係る固体撮像装置101は、図3に示されるように、矩形に形成された基板110を有し、この基板110には、受光部20、第1アナログ信号読み出し部130、第1デジタル信号読み出し部140、第2アナログ信号読み出し部150、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60が、CMOSプロセス等を用いて設けられている。基板110には、第1実施形態と同様に、8インチφのシリコンウェハを用いている。
【0044】
受光部20は、各辺が130mmとされた略正方形状に形成されており、この中に縦横50μmピッチ程度で各受光素子(画素)211.1〜21N.Nが形成されている。第1アナログ信号読み出し部130は、受光部20の第1の辺20aに沿って設けられている。第1デジタル信号読み出し部140は、受光部20の第1の辺20aに沿って設けられた第1アナログ信号読み出し部130に沿って設けられている。第2アナログ信号読み出し部150は、受光部20の第1の辺20aに対向する第2の辺20bに沿って設けられている。第1シフトレジスタ50は、受光部20の第1の辺20a及び第2の辺20bに直交する第3の辺20cに沿って設けられている。第2シフトレジスタ60は、受光部20の第1の辺20a及び第2の辺20bに直交し且つ第3の辺20cに対向する第4の辺20dに沿って設けられている。第1アナログ信号読み出し部130、第1デジタル信号読み出し部140及び第2アナログ信号読み出し部150には、各々信号出力端子191,192,193が接続されている。
【0045】
受光部20は、図4に示されるように、受光素子21n.nがN行×N列に2次元配列されている。夫々の受光素子211.1〜21N.Nは、入力光信号を電流信号に変換する光電変換素子としてのフォトダイオード23と、第1のスイッチ素子25とを有している。第1のスイッチ素子25は信号入力端子と信号出力端子を有しており、第1のスイッチ素子25の信号入力端子はフォトダイオード23の信号出力端子に接続されており、第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60からの走査信号Snに応じてフォトダイオード23で発生した電流信号を信号出力端子から流出する。このような受光素子21n.nが、第1の方向(第3の辺20cあるいは第4の辺20dの延びる方向)に沿ってN個配列されおり、この第1の方向に沿ってN個配列された受光素子21n.1〜21n.Nは、夫々の第1のスイッチ素子25の信号出力端子が電気的に接続されることにより単位受光部22nを構成している。この単位受光部22nは、第1の方向と直交する第2の方向(第1の辺20aあるいは第2の辺20bの延びる方向)に沿ってN個配列されている。
【0046】
夫々の単位受光部22nの一方の端部には、夫々の第1のスイッチ素子25の信号出力端子と互いに電気的に接続された第1信号出力端子27が設けられ、夫々の単位受光部22nの他方の端部には、夫々の第1のスイッチ素子25の信号出力端子と互いに電気的に接続された第2信号出力端子29が各々設けられている。夫々の第1信号出力端子27は、第2のスイッチ素子181を介して第1アナログ信号読み出し部130に接続される。この第2のスイッチ素子181は、第2の方向に、単位受光部22nの数(第2の方向に配置されたフォトダイオード23の数)に対応してN個配列されている。また、夫々の第2信号出力端子29は、第3のスイッチ素子182を介して第2アナログ信号読み出し部150に接続される。この第3のスイッチ素子182は、第2の方向に、単位受光部22nの数(第2の方向に配置されたフォトダイオード23の数)に対応してN個配列されている。第2のスイッチ素子181及び第3のスイッチ素子182は、制御回路(図示せず)からの信号に応じて、作動する。
【0047】
第1アナログ信号読み出し部130は、図4に示されるように、第1アナログ信号読み出し回路131を有している。この第1アナログ信号読み出し回路131は、第2の方向に、単位受光部22nの数(第2の方向に配置されたフォトダイオード23の数)に対応してN個配列されて、アレイ状に形成されている。夫々の第1アナログ信号読み出し回路131は、積分回路133、CDS回路(図示せず)等を有している。積分回路133は、単位受光部22n(第1信号出力端子27)からの出力信号を入力し、入力した電流信号の電荷を増幅する電荷増幅器135と、電荷増幅器135の入力端子に一方の端子が接続され、電荷増幅器135の出力端子に他方の端子が接続された容量素子137と、電荷増幅器135の入力端子に一方の端子が接続され、電荷増幅器135の出力端子に他方の端子が接続され、制御回路から出力されるリセット信号Rが有意の場合には「ON」状態となり、リセット信号Rが非有意の場合には「OFF」状態となる第4のスイッチ素子139とを有している。この積分回路133は、リセット信号Rが非有意の場合には、単位受光部22nからの出力信号を入力し、リセット信号Rに応じて単位受光部22nから出力された電流信号を入出力端子間に接続された容量素子137に積分の動作を行い、リセット信号Rが有意の場合には非積分の動作を行うようになる。
【0048】
単位受光部22n(第1信号出力端子27)からの電流信号は、第1アナログ信号読み出し回路131(積分回路133、CDS回路等)により、アナログ信号として読み出され、このアナログ信号が信号出力端子191に向けて送り出される。夫々の第1アナログ信号読み出し回路131の後段(信号出力端子191との間)には、第5のスイッチ素子183が設けられている。この第5のスイッチ素子183は、第1アナログ信号読み出し回路131の数に対応してN個配列されており、制御回路からの信号に応じて、作動する。
【0049】
また、第1アナログ信号読み出し回路131により読み出されたアナログ信号は、第1デジタル信号読み出し部140に向けても送り出される。夫々の第1アナログ信号読み出し回路131と第1デジタル信号読み出し部140との間には、第6のスイッチ素子184が設けられている。この第6のスイッチ素子184は、第1アナログ信号読み出し回路131の数に対応してN個配列されており、制御回路からの信号に応じて、作動する。
【0050】
第1デジタル信号読み出し部140は、A/Dコンバータ141を有しており、このA/Dコンバータ141は、第2の方向に、第1アナログ信号読み出し回路131の数に対応してN個配列されて、アレイ状に形成されている。夫々のA/Dコンバータ141は、夫々の第1アナログ信号読み出し回路131からの出力されたアナログ信号を入力し、このアナログ信号をデジタル信号に変換して、データバスを介して信号出力端子192に向けて送り出す。
【0051】
第2アナログ信号読み出し部150は、図4に示されるように、第2アナログ信号読み出し回路151を有している。この第2アナログ信号読み出し回路151は、第2の方向に、単位受光部22nの数(第2の方向に配置されたフォトダイオード23の数)に対応してN個配列されて、アレイ状に形成されている。夫々の第2アナログ信号読み出し回路151は、積分回路153、CDS回路(図示せず)等を有している。積分回路153は、単位受光部22n(第2信号出力端子29)からの出力信号を入力し、入力した電流信号の電荷を増幅する電荷増幅器155と、電荷増幅器155の入力端子に一方の端子が接続され、電荷増幅器155の出力端子に他方の端子が接続された容量素子157と、電荷増幅器155の入力端子に一方の端子が接続され、電荷増幅器155の出力端子に他方の端子が接続され、制御回路から出力されるリセット信号Rが有意の場合には「ON」状態となり、リセット信号Rが非有意の場合には「OFF」状態となる第7のスイッチ素子159とを有している。この積分回路153は、リセット信号Rが非有意の場合には、単位受光部22nからの出力信号を入力し、リセット信号Rに応じて単位受光部22nから出力された電流信号を入出力端子間に接続された容量素子157に積分の動作を行い、リセット信号Rが有意の場合には非積分の動作を行うようになる。
【0052】
単位受光部22n(第2信号出力端子29)からの電流信号は、第2アナログ信号読み出し回路151(積分回路153、CDS回路等)により、アナログ信号として読み出され、このアナログ信号が信号出力端子193に向けて送り出される。夫々の第2アナログ信号読み出し回路151の後段(信号出力端子193との間)には、第8のスイッチ素子185が設けられている。この第8のスイッチ素子185は、第2アナログ信号読み出し回路151の数に対応してN個配列されており、制御回路からの信号に応じて、作動する。
【0053】
次に、第2実施形態の固体撮像装置101の動作を説明する。この固体撮像装置101では、受光部20が入射した光が形成する光像を入力し、受光部20のフォトダイオード23に受光量に応じた電荷が蓄積される。そして、所定の受光期間の経過後に夫々のフォトダイオード23に蓄積された電荷量を以下のようにして読み出す。
【0054】
第1アナログ信号読み出し部130側にて、夫々のフォトダイオード23に蓄積された電荷量を読み出す場合には、まず、制御回路からの信号により、夫々の第2のスイッチ素子181が閉じられ、夫々の第3のスイッチ素子182が開かれ、夫々の第5のスイッチ素子183が閉じられ、夫々の第6のスイッチ素子184が開かれる。また、読み出しの実行に先立って、積分回路133に対するリセット信号Rを有意として、第4のスイッチ素子139を閉じて容量素子137を初期化する。
【0055】
次に、積分回路133に対するリセット信号Rを非有意として、第4のスイッチ素子139を開き、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60のいずれか一方から夫々の第1のスイッチ素子25に走査信号Snが所定のタイミングにて有意とされる。各単位受光部22nの第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1の第1のスイッチ素子25のみを「ON」とする走査信号S 1 が有意とされる。第1のスイッチ素子25が「ON」となると、それまでの受光によってフォトダイオード23に蓄積された電荷が電流信号となって、第2のスイッチ素子181を介して、第1アナログ信号読み出し回路131(第1アナログ信号読み出し部130)に出力される。そして、第1アナログ信号読み出し回路131の積分回路133によってその帰還容量である容量素子137に蓄積されていき、積分回路133の出力端子から出力される電圧信号は次第に大きくなっていく。
【0056】
積分回路133から出力された電圧信号は、CDS回路等を介して、アナログ信号として夫々の第1アナログ信号読み出し回路131(第1アナログ信号読み出し部130)から出力され、第1の方向での走査における第1番目の受光素子211 . 1〜21N . 1に関するデータ読み出しを終了する。夫々の第6のスイッチ素子184は開かれているため、第1アナログ信号読み出し回路131(第1アナログ信号読み出し部130)から出力されるアナログ信号は第1デジタル信号読み出し部140に送られることはない。なお、夫々の第1アナログ信号読み出し回路131からアナログ信号が出力される際に、夫々の第5のスイッチ素子183に送られる信号を順次有意として、各第1アナログ信号読み出し回路131から順次アナログ信号を出力させており、第2の方向での走査を行っている。
【0057】
次いで、積分回路133に対するリセット信号Rを有意として、第4のスイッチ素子139を閉じて容量素子137を初期化しながら、第1の方向での走査における第2番目以降の受光素子211.n〜21N.nに関するデータ読み出しを実行する。
【0058】
こうして、受光部20に入力した光の形成する光像を撮像し、撮像データとしてのアナログ信号を得る。
【0059】
一方、第1デジタル信号読み出し部140側にて、夫々のフォトダイオード23に蓄積された電荷量を読み出す場合には、まず、制御回路からの信号により、夫々の第2のスイッチ素子181が閉じられ、夫々の第3のスイッチ素子182が開かれ、夫々の第5のスイッチ素子183が開かれ、夫々の第6のスイッチ素子184が閉じられる。また、読み出しの実行に先立って、積分回路133に対するリセット信号Rを有意として、第4のスイッチ素子139を閉じて容量素子137を初期化する。
【0060】
次に、積分回路133に対するリセット信号Rを非有意として、第4のスイッチ素子139を開き、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60のいずれか一方から夫々の第1のスイッチ素子25に走査信号Snが所定のタイミングにて有意とされる。各単位受光部22nの第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1の第1のスイッチ素子25のみを「ON」とする走査信号S1が有意とされる。第1のスイッチ素子25が「ON」となると、それまでの受光によってフォトダイオード23に蓄積された電荷が電流信号となって、第2のスイッチ素子181を介して、第1アナログ信号読み出し回路131に出力される。そして、第1アナログ信号読み出し回路131の積分回路133によってその帰還容量である容量素子137に蓄積されていき、積分回路133の出力端子から出力される電圧信号は次第に大きくなっていく。
【0061】
積分回路133から出力された電圧信号は、CDS回路等を介して、アナログ信号として夫々の第1アナログ信号読み出し回路131から夫々のA/Dコンバータ141(第1デジタル信号読み出し部140)に出力される。A/Dコンバータ141では、第1アナログ信号読み出し回路131から出力されたアナログ信号がデジタル信号に変換され、このデジタル信号が夫々のA/Dコンバータ141(第1デジタル信号読み出し部140)からデータバスに出力され、第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1に関するデータ読み出しを終了する。夫々のA/Dコンバータ141からデジタル信号が出力される際に、夫々のA/Dコンバータ141は、制御回路からの信号に基づいて、所定タイミングにて順次デジタル信号を出力し、第2の方向での走査を行っている。夫々の第5のスイッチ素子183は開かれているため、第1アナログ信号読み出し回路131(第1アナログ信号読み出し部130)から出力されるアナログ信号は信号出力端子191に送られることはない。なお、夫々の第1アナログ信号読み出し回路131からアナログ信号が出力される際に、夫々の第6のスイッチ素子184に送られる信号を順次有意として、各第1アナログ信号読み出し回路131から順次アナログ信号を出力させることにより、第2の方向での走査を行うことも可能である。
【0062】
次いで、積分回路133に対するリセット信号Rを有意として、第4のスイッチ素子139を閉じて容量素子137を初期化しながら、第1の方向での走査における第2番目以降の受光素子211.n〜21N.nに関するデータ読み出しを実行する。
【0063】
こうして、受光部20に入力した光の形成する光像を撮像し、撮像データとしてのデジタル信号を得る。
【0064】
第2アナログ信号読み出し部150側にて、夫々のフォトダイオード23に蓄積された電荷量を読み出す場合には、まず、制御回路からの信号により、夫々の第2のスイッチ素子181が開かれ、夫々の第3のスイッチ素子182が閉じられる。また、読み出しの実行に先立って、積分回路153に対するリセット信号Rを有意として、第7のスイッチ素子を閉じて容量素子157を初期化する。
【0065】
次に、積分回路153に対するリセット信号Rを非有意として、第7のスイッチ素子159を開き、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60のいずれか一方から夫々の第1のスイッチ素子25に走査信号Snが所定のタイミングにて有意とされる。各単位受光部22nの第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1の第1のスイッチ素子25のみを「ON」とする走査信号S1が有意とされる。第1のスイッチ素子25が「ON」となると、それまでの受光によってフォトダイオード23に蓄積された電荷が電流信号となって、第3のスイッチ素子182を介して、第2アナログ信号読み出し回路151(第2アナログ信号読み出し部150)に出力される。そして、第2アナログ信号読み出し回路151の積分回路153によってその帰還容量である容量素子157に蓄積されていき、積分回路153の出力端子から出力される電圧信号は次第に大きくなっていく。
【0066】
積分回路153から出力された電圧信号は、CDS回路等を介して、アナログ信号として夫々の第2アナログ信号読み出し回路151(第2アナログ信号読み出し部150)から出力され、第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1に関するデータ読み出しを終了する。なお、夫々の第2アナログ信号読み出し回路151からアナログ信号が出力される際に、夫々の第8のスイッチ素子185に送られる信号を順次有意として、各第2アナログ信号読み出し回路151から順次アナログ信号を出力させており、第2の方向での走査を行っている。
【0067】
次いで、積分回路153に対するリセット信号Rを有意として、第7のスイッチ素子159を閉じて容量素子157を初期化しながら、第1の方向での走査における第2番目以降の受光素子211.n〜21N.nに関するデータ読み出しを実行する。
【0068】
こうして、受光部20に入力した光の形成する光像を撮像し、撮像データとしてのアナログ信号を得る。
【0069】
以上のように、第2実施形態の固体撮像装置101によれば、第1アナログ信号読み出し部130は、受光素子21n.nがN行×N列に2次元配列された受光部20の第1の辺20aに沿って設けられ、第1デジタル信号読み出し部140は、第1アナログ信号読み出し部130に沿って設けられ、第2アナログ信号読み出し部150は、受光部20の第1の辺20aに対向する第2の辺20bに沿って設けられている。また、第1アナログ信号読み出し部130は、夫々の単位受光部22nの第1信号出力端子27から出力された信号を夫々個別に入力し、単位受光部22nから出力された電流信号をアナログ信号として読み出すN個の第1アナログ信号読み出し回路131を有し、第1デジタル信号読み出し部140は、夫々の第1アナログ信号読み出し回路131から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するN個のA/Dコンバータ141を有し、第2アナログ信号読み出し部150は、夫々の単位受光部22nの第2信号出力端子29から出力された信号を夫々個別に入力し、単位受光部22nから出力された電流信号をアナログ信号として読み出すN個の第2アナログ信号読み出し回路151を有している。また、夫々のフォトダイオード23で発生した電流信号を、夫々の単位受光部22nの第1信号出力端子27及び第2信号出力端子29のいずれに向けても送り出し得るように、走査信号Snを出力する第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60が備えられている。夫々の第2のスイッチ素子181を閉じ、夫々の第3のスイッチ素子182を開き、夫々の第5のスイッチ素子183を開き、夫々の第6のスイッチ素子184を閉じた場合には、第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60が第1信号出力端子27側に向けて電流信号を送り出すことになり、夫々の単位受光部22nにおけるフォトダイオード23で発生した電流信号が夫々の第1デジタル信号読み出し部140にてデジタル信号として読み出されることになる。
【0070】
一方、第1デジタル信号読み出し部140、例えばN個のA/Dコンバータ141のうちのいずれかに欠陥がある場合には、夫々の第2のスイッチ素子181を閉じ、夫々の第3のスイッチ素子182を開き、夫々の第5のスイッチ素子183を閉じ、夫々の第6のスイッチ素子184を開き、第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60により第1信号出力端子27側に向けて電流信号を送り出すことで、夫々の単位受光部22nにおけるフォトダイオード23で発生した電流信号が夫々の第1アナログ信号読み出し回路131(第1アナログ信号読み出し部130)にてアナログ信号として読み出されることになる。
【0071】
更に、第1デジタル信号読み出し部140及び第1アナログ信号読み出し部130に欠陥がある場合には、夫々の第2のスイッチ素子181を開き、夫々の第3のスイッチ素子182を閉じ、第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60により第2信号出力端子29側に向けて電流信号を送り出すことで、夫々の単位受光部22nにおけるフォトダイオード23で発生した電流信号が夫々の第2アナログ信号読み出し回路151(第2アナログ信号読み出し部150)にてアナログ信号として読み出されることになる。
【0072】
したがって、第1デジタル信号読み出し部140側に欠陥がある場合には、第1アナログ信号読み出し部130側にてフォトダイオード23で発生した電流信号を読み出すことが可能となり、また、第1デジタル信号読み出し部140及び第1アナログ信号読み出し部130に欠陥がある場合でも、第2アナログ信号読み出し部150側にてフォトダイオード23で発生した電流信号を読み出すことが可能となり、受光部20を大面積化し、第1アナログ信号読み出し部130、第1デジタル信号読み出し部140、第2アナログ信号読み出し部150、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60等の周辺回路を同一の基板110に設けた場合においても固体撮像装置101の歩留まりの低下を大幅に抑制することができる。
【0073】
また、第1デジタル信号読み出し部140側にてフォトダイオード23で発生した電流信号を読み出す場合には、デジタル出力となるために、高速での電流信号の読み出しが可能であり、外付けのA/Dコンバータが不要となり、固体撮像装置101の低コスト化が可能となる。また、第1デジタル信号読み出し部140での分解能は、同一の基板110に設けられるためスペース的な問題から、高くすることには限界(例えば、11ビット程度の分解能)があるものの、第1アナログ信号読み出し部130側あるいは第2アナログ信号読み出し部150側にてフォトダイオード23で発生した電流信号を読み出す場合には、外付けのA/Dコンバータを用いることで、高分解能化(例えば16ビット程度の分解能)が可能となる。
【0074】
また、第1の辺20aに沿って第1アナログ信号読み出し部130(第1デジタル信号読み出し部140)を設け、第2の辺20bに沿って第2アナログ信号読み出し部150を設けることで、第1アナログ信号読み出し部130(第1デジタル信号読み出し部140)と第1アナログ信号読み出し部130とが受光部20を挟んだ対向する位置に設けられることになり、基板110をコンパクトに構成することができる。
【0075】
(第3実施形態)
次に、本発明に係る固体撮像装置の第3実施形態について、図5及び図6を用いて説明する。図5は、第3実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示す概念図であり、図6は、第3実施形態に係る固体撮像装置の回路構成図である。第3実施形態に係る固体撮像装置201は、第2実施形態に係る固体撮像装置101と比べて、2つのデジタル信号読み出し部を有する点で相違する。
【0076】
第3実施形態に係る固体撮像装置201は、図5に示されるように、矩形に形成された基板210を有し、この基板210には、受光部20、第1アナログ信号読み出し部230、第1デジタル信号読み出し部240、第2アナログ信号読み出し部250、第2デジタル信号読み出し部260、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60が、CMOSプロセス等を用いて設けられている。基板210には、第1実施形態及び第2実施形態と同様に、8インチφのシリコンウェハを用いている。
【0077】
受光部20は、各辺が130mmとされた略正方形状に形成されており、この中に縦横50μmピッチ程度で各受光素子(画素)211.1〜21N.Nが形成されている。第1アナログ信号読み出し部230は、受光部20の第1の辺20aに沿って設けられている。第1デジタル信号読み出し部240は、受光部20の第1の辺20aに沿って設けられた第1アナログ信号読み出し部230に沿って設けられている。第2アナログ信号読み出し部250は、受光部20の第1の辺20aに対向する第2の辺20bに沿って設けられている。第2デジタル信号読み出し部260は、受光部20の第2の辺20bに沿って設けられた第2アナログ信号読み出し部250に沿って設けられている。第1シフトレジスタ50は、受光部20の第1の辺20a及び第2の辺20bに直交する第3の辺20cに沿って設けられている。第2シフトレジスタ60は、受光部20の第1の辺20a及び第2の辺20bに直交し且つ第3の辺20cに対向する第4の辺20dに沿って設けられている。第1アナログ信号読み出し部230、第1デジタル信号読み出し部240、第2アナログ信号読み出し部250及び第2デジタル信号読み出し部260には、各々信号出力端子291,292,293,294が接続されている。
【0078】
受光部20は、図6に示されるように、受光素子21n.nがN行×N列に2次元配列されている。夫々の受光素子211.1〜21N.Nは、入力光信号を電流信号に変換する光電変換素子としてのフォトダイオード23と、第1のスイッチ素子25とを有している。第1のスイッチ素子25は信号入力端子と信号出力端子を有しており、第1のスイッチ素子25の信号入力端子はフォトダイオード23の信号出力端子に接続されており、第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60からの走査信号Snに応じてフォトダイオード23で発生した電流信号を信号出力端子から流出する。このような受光素子21n.nが、第1の方向(第3の辺20cあるいは第4の辺20dの延びる方向)に沿ってN個配列されおり、この第1の方向に沿ってN個配列された受光素子21n.1〜21n.Nは、夫々の第1のスイッチ素子25の信号出力端子が電気的に接続されることにより単位受光部22nを構成している。この単位受光部22nは、第1の方向と直交する第2の方向(第1の辺20aあるいは第2の辺20bの延びる方向)に沿ってN個配列されている。
【0079】
夫々の単位受光部22nの一方の端部には、夫々の第1のスイッチ素子25の信号出力端子と互いに電気的に接続された第1信号出力端子27が設けられ、夫々の単位受光部22nの他方の端部には、夫々の第1のスイッチ素子25の信号出力端子と互いに電気的に接続された第2信号出力端子29が各々設けられている。夫々の第1信号出力端子27は、第2のスイッチ素子281を介して第1アナログ信号読み出し部230に接続される。この第2のスイッチ素子281は、第2の方向に、単位受光部22nの数(第2の方向に配置されたフォトダイオード23の数)に対応してN個配列されている。また、夫々の第2信号出力端子29は、第3のスイッチ素子282を介して第2アナログ信号読み出し部250に接続される。この第3のスイッチ素子282は、第2の方向に、単位受光部22nの数(第2の方向に配置されたフォトダイオード23の数)に対応してN個配列されている。第2のスイッチ素子281及び第3のスイッチ素子282は、制御回路(図示せず)からの信号に応じて、作動する。
【0080】
第1アナログ信号読み出し部230は、図6に示されるように、第1アナログ信号読み出し回路231を有している。この第1アナログ信号読み出し回路231は、第2の方向に、単位受光部22nの数(第2の方向に配置されたフォトダイオード23の数)に対応してN個配列されて、アレイ状に形成されている。夫々の第1アナログ信号読み出し回路231は、積分回路233、CDS回路(図示せず)等を有している。積分回路233は、単位受光部22n(第1信号出力端子27)からの出力信号を入力し、入力した電流信号の電荷を増幅する電荷増幅器235と、電荷増幅器235の入力端子に一方の端子が接続され、電荷増幅器235の出力端子に他方の端子が接続された容量素子237と、電荷増幅器235の入力端子に一方の端子が接続され、電荷増幅器235の出力端子に他方の端子が接続され、制御回路から出力されるリセット信号Rが有意の場合には「ON」状態となり、リセット信号Rが非有意の場合には「OFF」状態となる第4のスイッチ素子239とを有している。この積分回路233は、リセット信号Rが非有意の場合には、単位受光部22nからの出力信号を入力し、リセット信号Rに応じて単位受光部22nから出力された電流信号を入出力端子間に接続された容量素子237に積分の動作を行い、リセット信号Rが有意の場合には非積分の動作を行うようになる。
【0081】
単位受光部22n(第1信号出力端子27)からの電流信号は、第1アナログ信号読み出し回路231(積分回路233、CDS回路等)により、アナログ信号として読み出され、このアナログ信号が信号出力端子291に向けて送り出される。夫々の第1アナログ信号読み出し回路231の後段(信号出力端子291との間)には、第5のスイッチ素子283が設けられている。この第5のスイッチ素子283は、第1アナログ信号読み出し回路231の数に対応してN個配列されており、制御回路からの信号に応じて、作動する。
【0082】
また、第1アナログ信号読み出し回路231により読み出されたアナログ信号は、第1デジタル信号読み出し部240に向けても送り出される。夫々の第1アナログ信号読み出し回路231と第1デジタル信号読み出し部240との間には、第6のスイッチ素子284が設けられている。この第6のスイッチ素子284は、第1アナログ信号読み出し回路231の数に対応してN個配列されており、制御回路からの信号に応じて、作動する。
【0083】
第1デジタル信号読み出し部240は、A/Dコンバータ241を有しており、このA/Dコンバータ241は、第2の方向に、第1アナログ信号読み出し回路231の数に対応してN個配列されて、アレイ状に形成されている。夫々のA/Dコンバータ241は、夫々の第1アナログ信号読み出し回路231からの出力されたアナログ信号を入力し、このアナログ信号をデジタル信号に変換して、データバスを介して信号出力端子292に向けて送り出す。
【0084】
第2アナログ信号読み出し部250は、図6に示されるように、第2アナログ信号読み出し回路251を有している。この第2アナログ信号読み出し回路251は、第2の方向に、単位受光部22nの数(第2の方向に配置されたフォトダイオード23の数)に対応してN個配列されて、アレイ状に形成されている。夫々の第2アナログ信号読み出し回路251は、積分回路253、CDS回路(図示せず)等を有している。積分回路253は、単位受光部22n(第2信号出力端子29)からの出力信号を入力し、入力した電流信号の電荷を増幅する電荷増幅器255と、電荷増幅器255の入力端子に一方の端子が接続され、電荷増幅器255の出力端子に他方の端子が接続された容量素子257と、電荷増幅器255の入力端子に一方の端子が接続され、電荷増幅器255の出力端子に他方の端子が接続され、制御回路から出力されるリセット信号Rが有意の場合には「ON」状態となり、リセット信号Rが非有意の場合には「OFF」状態となる第7のスイッチ素子259とを有している。この積分回路253は、リセット信号Rが非有意の場合には、単位受光部22nからの出力信号を入力し、リセット信号Rに応じて単位受光部22nから出力された電流信号を入出力端子間に接続された容量素子257に積分の動作を行い、リセット信号Rが有意の場合には非積分の動作を行うようになる。
【0085】
単位受光部22n(第2信号出力端子29)からの電流信号は、第2アナログ信号読み出し回路251(積分回路253、CDS回路等)により、アナログ信号として読み出され、このアナログ信号が信号出力端子293に向けて送り出される。夫々の第2アナログ信号読み出し回路251の後段(信号出力端子293との間)には、第8のスイッチ素子285が設けられている。この第8のスイッチ素子285は、第2アナログ信号読み出し回路251の数に対応してN個配列されており、制御回路からの信号に応じて、作動する。
【0086】
また、第2アナログ信号読み出し回路251により読み出されたアナログ信号は、第2デジタル信号読み出し部260に向けても送り出される。夫々の第2アナログ信号読み出し回路251と第2デジタル信号読み出し部260との間には、第9のスイッチ素子286が設けられている。この第9のスイッチ素子286は、第2アナログ信号読み出し回路251の数に対応してN個配列されており、制御回路からの信号に応じて、作動する。
【0087】
第2デジタル信号読み出し部260は、A/Dコンバータ261を有しており、このA/Dコンバータ261は、第2の方向に、第2アナログ信号読み出し回路251の数に対応してN個配列されて、アレイ状に形成されている。夫々のA/Dコンバータ261は、夫々の第2アナログ信号読み出し回路251からの出力されたアナログ信号を入力し、このアナログ信号をデジタル信号に変換して、データバスを介して信号出力端子294に向けて送り出す。
【0088】
次に、第3実施形態の固体撮像装置201の動作を説明する。この固体撮像装置201では、受光部20が入射した光が形成する光像を入力し、受光部20のフォトダイオード23に受光量に応じた電荷が蓄積される。そして、所定の受光期間の経過後に夫々のフォトダイオード23に蓄積された電荷量を以下のようにして読み出す。
【0089】
第1アナログ信号読み出し部230側にて、夫々のフォトダイオード23に蓄積された電荷量を読み出す場合には、まず、制御回路からの信号により、夫々の第2のスイッチ素子281が閉じられ、夫々の第3のスイッチ素子282が開かれ、夫々の第5のスイッチ素子283が閉じられ、夫々の第6のスイッチ素子284が開かれる。また、読み出しの実行に先立って、積分回路233に対するリセット信号Rを有意として、第4のスイッチ素子239を閉じて容量素子237を初期化する。
【0090】
次に、積分回路233に対するリセット信号Rを非有意として、第4のスイッチ素子239を開き、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60のいずれか一方から夫々の第1のスイッチ素子25に走査信号Snが所定のタイミングにて有意とされる。各単位受光部22nの第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1の第1のスイッチ素子25のみを「ON」とする走査信号S1が有意とされる。第1のスイッチ素子25が「ON」となると、それまでの受光によってフォトダイオード23に蓄積された電荷が電流信号となって、第2のスイッチ素子281を介して、第1アナログ信号読み出し回路231(第1アナログ信号読み出し部230)に出力される。そして、第1アナログ信号読み出し回路231の積分回路233によってその帰還容量である容量素子237に蓄積されていき、積分回路233の出力端子から出力される電圧信号は次第に大きくなっていく。
【0091】
積分回路233から出力された電圧信号は、CDS回路等を介して、アナログ信号として夫々の第1アナログ信号読み出し回路231(第1アナログ信号読み出し部230)から出力され、第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1に関するデータ読み出しを終了する。夫々の第6のスイッチ素子284は開かれているため、第1アナログ信号読み出し回路231(第1アナログ信号読み出し部230)から出力されるアナログ信号は第1デジタル信号読み出し部240に送られることはない。なお、夫々の第1アナログ信号読み出し回路231からアナログ信号が出力される際に、夫々の第5のスイッチ素子283に送られる信号を順次有意として、各第1アナログ信号読み出し回路231から順次アナログ信号を出力させており、第2の方向での走査を行っている。
【0092】
次いで、積分回路233に対するリセット信号Rを有意として、第4のスイッチ素子239を閉じて容量素子237を初期化しながら、第1の方向での走査における第2番目以降の受光素子211.n〜21N.nに関するデータ読み出しを実行する。
【0093】
こうして、受光部20に入力した光の形成する光像を撮像し、撮像データとしてのアナログ信号を得る。
【0094】
一方、第1デジタル信号読み出し部240側にて、夫々のフォトダイオード23に蓄積された電荷量を読み出す場合には、まず、制御回路からの信号により、夫々の第2のスイッチ素子281が閉じられ、夫々の第3のスイッチ素子282が開かれ、夫々の第5のスイッチ素子283が開かれ、夫々の第6のスイッチ素子284が閉じられる。また、読み出しの実行に先立って、積分回路233に対するリセット信号Rを有意として、第4のスイッチ素子239を閉じて容量素子237を初期化する。
【0095】
次に、積分回路233に対するリセット信号Rを非有意として、第4のスイッチ素子239を開き、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60のいずれか一方から夫々の第1のスイッチ素子25に走査信号Snが所定のタイミングにて有意とされる。各単位受光部22nの第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1の第1のスイッチ素子25のみを「ON」とする走査信号S1が有意とされる。第1のスイッチ素子25が「ON」となると、それまでの受光によってフォトダイオード23に蓄積された電荷が電流信号となって、第2のスイッチ素子281を介して、第1アナログ信号読み出し回路231に出力される。そして、第1アナログ信号読み出し回路231の積分回路233によってその帰還容量である容量素子237に蓄積されていき、積分回路233の出力端子から出力される電圧信号は次第に大きくなっていく。
【0096】
積分回路233から出力された電圧信号は、CDS回路等を介して、アナログ信号として夫々の第1アナログ信号読み出し回路231から夫々のA/Dコンバータ241(第1デジタル信号読み出し部240)に出力される。A/Dコンバータ241では、第1アナログ信号読み出し回路231から出力されたアナログ信号がデジタル信号に変換され、このデジタル信号が夫々のA/Dコンバータ241(第1デジタル信号読み出し部240)からデータバスに出力され、第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1に関するデータ読み出しを終了する。夫々のA/Dコンバータ241からデジタル信号が出力される際に、夫々のA/Dコンバータ241は、制御回路からの信号に基づいて、所定タイミングにて順次デジタル信号を出力し、第2の方向での走査を行っている。夫々の第5のスイッチ素子283は開かれているため、第1アナログ信号読み出し回路231(第1アナログ信号読み出し部230)から出力されるアナログ信号は信号出力端子291に送られることはない。なお、夫々の第1アナログ信号読み出し回路231からアナログ信号が出力される際に、夫々の第6のスイッチ素子284に送られる信号を順次有意として、各第1アナログ信号読み出し回路231から順次アナログ信号を出力させることにより、第2の方向での走査を行うことも可能である。
【0097】
次いで、積分回路233に対するリセット信号Rを有意として、第4のスイッチ素子239を閉じて容量素子237を初期化しながら、第1の方向での走査における第2番目以降の受光素子211.n〜21N.nに関するデータ読み出しを実行する。
【0098】
こうして、受光部20に入力した光の形成する光像を撮像し、撮像データとしてのデジタル信号を得る。
【0099】
第2アナログ信号読み出し部250側にて、夫々のフォトダイオード23に蓄積された電荷量を読み出す場合には、まず、制御回路からの信号により、夫々の第2のスイッチ素子281が開かれ、夫々の第3のスイッチ素子282が閉じられ、夫々の第8のスイッチ素子285が閉じられ、夫々の第9のスイッチ素子286が開かれる。また、読み出しの実行に先立って、積分回路253に対するリセット信号Rを有意として、第7のスイッチ素子259を閉じて容量素子257を初期化する。
【0100】
次に、積分回路253に対するリセット信号Rを非有意として、第7のスイッチ素子259を開き、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60のいずれか一方から夫々の第1のスイッチ素子25に走査信号Snが所定のタイミングにて有意とされる。各単位受光部22nの第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1の第1のスイッチ素子25のみを「ON」とする走査信号S1が有意とされる。第1のスイッチ素子25が「ON」となると、それまでの受光によってフォトダイオード23に蓄積された電荷が電流信号となって、第3のスイッチ素子282を介して、第2アナログ信号読み出し回路251(第2アナログ信号読み出し部250)に出力される。そして、第2アナログ信号読み出し回路251の積分回路253によってその帰還容量である容量素子257に蓄積されていき、積分回路253の出力端子から出力される電圧信号は次第に大きくなっていく。
【0101】
積分回路253から出力された電圧信号は、CDS回路等を介して、アナログ信号として夫々の第2アナログ信号読み出し回路251(第2アナログ信号読み出し部250)から出力され、第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1に関するデータ読み出しを終了する。夫々の第9のスイッチ素子286は開かれているため、第2アナログ信号読み出し回路251(第2アナログ信号読み出し部250)から出力されるアナログ信号は第2デジタル信号読み出し部260に送られることはない。なお、夫々の第2アナログ信号読み出し回路251からアナログ信号が出力される際に、夫々の第8のスイッチ素子285に送られる信号を順次有意として、各第2アナログ信号読み出し回路251から順次アナログ信号を出力させており、第2の方向での走査を行っている。
【0102】
次いで、積分回路253に対するリセット信号Rを有意として、第7のスイッチ素子259を閉じて容量素子257を初期化しながら、第1の方向での走査における第2番目以降の受光素子211.n〜21N.nに関するデータ読み出しを実行する。
【0103】
こうして、受光部20に入力した光の形成する光像を撮像し、撮像データとしてのアナログ信号を得る。
【0104】
一方、第2デジタル信号読み出し部260側にて、夫々のフォトダイオード23に蓄積された電荷量を読み出す場合には、まず、制御回路からの信号により、夫々の第2のスイッチ素子281が開かれ、夫々の第3のスイッチ素子282が閉じられ、夫々の第8のスイッチ素子285が開かれ、夫々の第9のスイッチ素子286が閉じられる。また、読み出しの実行に先立って、積分回路253に対するリセット信号Rを有意として、第7のスイッチ素子259を閉じて容量素子257を初期化する。
【0105】
次に、積分回路253に対するリセット信号Rを非有意として、第7のスイッチ素子259を開き、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60のいずれか一方から夫々の第1のスイッチ素子25に走査信号Snが所定のタイミングにて有意とされる。各単位受光部22nの第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1の第1のスイッチ素子25のみを「ON」とする走査信号S1が有意とされる。第1のスイッチ素子25が「ON」となると、それまでの受光によってフォトダイオード23に蓄積された電荷が電流信号となって、第3のスイッチ素子282を介して、第2アナログ信号読み出し回路251に出力される。そして、第2アナログ信号読み出し回路251の積分回路253によってその帰還容量である容量素子257に蓄積されていき、積分回路253の出力端子から出力される電圧信号は次第に大きくなっていく。
【0106】
積分回路253から出力された電圧信号は、CDS回路等を介して、アナログ信号として夫々の第2アナログ信号読み出し回路251から夫々のA/Dコンバータ261(第2デジタル信号読み出し部260)に出力される。A/Dコンバータ261では、第2アナログ信号読み出し回路251から出力されたアナログ信号がデジタル信号に変換され、このデジタル信号が夫々のA/Dコンバータ261(第2デジタル信号読み出し部260)からデータバスに出力され、第1の方向での走査における第1番目の受光素子211.1〜21N.1に関するデータ読み出しを終了する。夫々のA/Dコンバータ261からデジタル信号が出力される際に、夫々のA/Dコンバータ261は、制御回路からの信号に基づいて、所定タイミングにて順次デジタル信号を出力し、第2の方向での走査を行っている。夫々の第8のスイッチ素子285は開かれているため、第2アナログ信号読み出し回路251(第2アナログ信号読み出し部250)から出力されるアナログ信号は信号出力端子293に送られることはない。なお、夫々の第2アナログ信号読み出し回路251からアナログ信号が出力される際に、夫々の第9のスイッチ素子286に送られる信号を順次有意として、各第2アナログ信号読み出し回路251から順次アナログ信号を出力させることにより、第2の方向での走査を行うことも可能である。
【0107】
次いで、積分回路253に対するリセット信号Rを有意として、第7のスイッチ素子259を閉じて容量素子257を初期化しながら、第1の方向での走査における第2番目以降の受光素子211 . n〜21N . nに関するデータ読み出しを実行する。
【0108】
こうして、受光部20に入力した光の形成する光像を撮像し、撮像データとしてのデジタル信号を得る。
【0109】
以上のように、第3実施形態の固体撮像装置201によれば、第1アナログ信号読み出し部230は、受光素子21n.nがN行×N列に2次元配列された受光部20の第1の辺20aに沿って設けられ、第1デジタル信号読み出し部240は、第1アナログ信号読み出し部230に沿って設けられ、第2アナログ信号読み出し部250は、受光部20の第1の辺20aに対向する第2の辺20bに沿って設けられ、第2デジタル信号読み出し部260は、第2アナログ信号読み出し部250に沿って設けられている。また、第1アナログ信号読み出し部230は、夫々の単位受光部22nの第1信号出力端子27から出力された信号を夫々個別に入力し、単位受光部22nから出力された電流信号をアナログ信号として読み出すN個の第1アナログ信号読み出し回路231を有し、第1デジタル信号読み出し部240は、夫々の第1アナログ信号読み出し回路231から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するN個のA/Dコンバータ241を有し、第2アナログ信号読み出し部250は、夫々の単位受光部22nの第2信号出力端子29から出力された信号を夫々個別に入力し、単位受光部22nから出力された電流信号をアナログ信号として読み出すN個の第2アナログ信号読み出し回路251を有し、第2デジタル信号読み出し部260は、夫々の第2アナログ信号読み出し回路251から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するN個のA/Dコンバータ261を有している。また、夫々のフォトダイオード23で発生した電流信号を、夫々の単位受光部22nの第1信号出力端子27及び第2信号出力端子29のいずれに向けても送り出し得るように、走査信号Snを出力する第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60が備えられている。夫々の第2のスイッチ素子281を閉じ、夫々の第3のスイッチ素子282を開き、夫々の第5のスイッチ素子283を開き、夫々の第6のスイッチ素子284を閉じた場合には、第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60が第1信号出力端子27側に向けて電流信号を送り出すことになり、夫々の単位受光部22nにおけるフォトダイオード23で発生した電流信号が夫々の第1デジタル信号読み出し部240にてデジタル信号として読み出されることになる。
【0110】
一方、第1デジタル信号読み出し部240、例えばN個のA/Dコンバータ241のうちのいずれかに欠陥がある場合には、夫々の第2のスイッチ素子281を閉じ、夫々の第3のスイッチ素子282を開き、夫々の第5のスイッチ素子283を閉じ、夫々の第6のスイッチ素子284を開き、第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60により第1信号出力端子27側に向けて電流信号を送り出すことで、夫々の単位受光部22nにおけるフォトダイオード23で発生した電流信号が夫々の第1アナログ信号読み出し回路231(第1アナログ信号読み出し部230)にてアナログ信号として読み出されることになる。
【0111】
第1デジタル信号読み出し部240及び第1アナログ信号読み出し部230に欠陥がある場合には、夫々の第2のスイッチ素子281を開き、夫々の第3のスイッチ素子282を閉じ、夫々の第8のスイッチ素子285を開き、夫々の第9のスイッチ素子286を閉じ、第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60により第2信号出力端子29側に向けて電流信号を送り出すことで、夫々の単位受光部22nにおけるフォトダイオード23で発生した電流信号が夫々の第2デジタル信号読み出し部260にてデジタル信号として読み出されることになる。
【0112】
更に、第1デジタル信号読み出し部240、第1アナログ信号読み出し部230及び第2デジタル信号読み出し部260に欠陥がある場合には、夫々の第2のスイッチ素子281を開き、夫々の第3のスイッチ素子282を閉じ、夫々の第8のスイッチ素子285を閉じ、夫々の第9のスイッチ素子286を開き、第1シフトレジスタ50あるいは第2シフトレジスタ60により第2信号出力端子29側に向けて電流信号を送り出すことで、夫々の単位受光部22nにおけるフォトダイオード23で発生した電流信号が夫々の第2アナログ信号読み出し回路251(第2アナログ信号読み出し部250)にてアナログ信号として読み出されることになる。
【0113】
したがって、第1デジタル信号読み出し部240側に欠陥がある場合には、第1アナログ信号読み出し部230側にてフォトダイオード23で発生した電流信号を読み出すことが可能となり、また、第1デジタル信号読み出し部240及び第1アナログ信号読み出し部230に欠陥がある場合でも、また、第2デジタル信号読み出し部260側にてフォトダイオード23で発生した電流信号を読み出すことが可能となり、更に、第1デジタル信号読み出し部240、第1アナログ信号読み出し部230及び第2デジタル信号読み出し部260に欠陥がある場合でも、また、第2アナログ信号読み出し部250側にてフォトダイオード23で発生した電流信号を読み出すことが可能となり、受光部20を大面積化し、第1アナログ信号読み出し部230、第1デジタル信号読み出し部240、第2アナログ信号読み出し部250、第1シフトレジスタ50及び第2シフトレジスタ60等の周辺回路を同一の基板210に設けた場合においても固体撮像装置201の歩留まりの低下を大幅に抑制することができる。
【0114】
また、第1デジタル信号読み出し部240側あるいは第2デジタル信号読み出し部260側にてフォトダイオード23で発生した電流信号を読み出す場合には、デジタル出力となるために、高速での電流信号の読み出しが可能であり、外付けのA/Dコンバータが不要となり、固体撮像装置201の低コスト化が可能となる。また、第1デジタル信号読み出し部240での分解能は、同一の基板210に設けられるためスペース的な問題から、高くすることには限界(例えば、11ビット程度の分解能)があるものの、第1アナログ信号読み出し部230側あるいは第2アナログ信号読み出し部250側にてフォトダイオード23で発生した電流信号を読み出す場合には、外付けのA/Dコンバータを用いることで、高分解能化(例えば16ビット程度の分解能)が可能となる。
【0115】
また、第1の辺20aに沿って第1アナログ信号読み出し部230(第1デジタル信号読み出し部240)を設け、第2の辺20bに沿って第2アナログ信号読み出し部250(第2デジタル信号読み出し部260)を設けることで、第1アナログ信号読み出し部230(第1デジタル信号読み出し部240)と第2アナログ信号読み出し部250(第2デジタル信号読み出し部260)とが受光部20を挟んだ対向する位置に設けられることになり、基板210をコンパクトに構成することができる。
【0116】
CCD等の電荷結合型の固体撮像素子においては、受光素子で発生した電荷は、転送部に形成されるポテンシャル差に基づいて移動する。このため、ウェハの一部に欠陥が存在した場合、欠陥が存在する部分でポテンシャル差を形成することができなくなり、転送部の1列分の信号は転送できない。したがって、欠陥が存在する列がデッドラインとなり、このデッドラインは、受光部の面積が大きくなればなるほど、発生する確率が高くなる。この結果、CCDにおける受光部の大面積化は歩留まりが極めて悪く、また、歩留まりを良くするためには高価なものになってしまう。しかしながら、第1実施形態〜第3実施形態にて示したように、本発明に係る固体撮像装置においては、歩留まりの低下が抑制され、受光部の大面積化が可能となる。
【0117】
なお、第1実施形態〜第3実施形態においては、受光素子21n . nがN行×N列に2次元配列された受光部20を基板に形成しているが、受光部20は、これに限られることなく、例えば受光素子がN行×M列(N≠M)に2次元配列された受光部を用いてもよく、その形状も正方形に限られるものではない。
【0118】
また、第1実施形態〜第3実施形態においては、第1シフトレジスタ50と第2シフトレジスタ60とを設け、いずれか一方のシフトレジスタにて、夫々の受光素子21n.nのフォトダイオード23で発生した電流信号を送り出すようにしているが、これに限られることなく、シフトレジスタを1つとして、この1つのシフトレジスタにより、夫々の受光素子21n.nのフォトダイオード23で発生した電流信号を送り出すようにしてもよい。
【0119】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したとおり、本発明の固体撮像装置によれば、同一基板に受光部及び周辺回路を形成する場合においても、歩留まりの低下が抑制され、受光部の大面積化が可能な固体撮像装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る固体撮像装置の第1実施形態の概略構成を示す概念図である。
【図2】本発明に係る固体撮像装置の第1実施形態の回路構成図である。
【図3】本発明に係る固体撮像装置の第2実施形態の概略構成を示す概念図である。
【図4】本発明に係る固体撮像装置の第2実施形態の回路構成図である。
【図5】本発明に係る固体撮像装置の第3実施形態の概略構成を示す概念図である。
【図6】本発明に係る固体撮像装置の第3実施形態の回路構成図である。
【符号の説明】
1,101,201…固体撮像装置、10,110,210…基板、20…受光部、20a…第1の辺、20b…第2の辺、20c…第3の辺、20d…第4の辺、21n.n…受光素子、22n…単位受光部、23…フォトダイオード、25…第1のスイッチ素子、27…第1信号出力端子、29…第2信号出力端子、30…第1アナログ信号読み出し部、31…第1アナログ信号読み出し回路、33…積分回路、40…第1デジタル信号読み出し部、41…第2アナログ信号読み出し部、42…第2アナログ信号読み出し回路、43…積分回路、47…第1デジタル信号変換部、48…A/Dコンバータ、50…第1シフトレジスタ、60…第2シフトレジスタ、130…第1アナログ信号読み出し部、131…第1アナログ信号読み出し回路、133…積分回路、140…第1デジタル信号読み出し部、141…A/Dコンバータ、150…第2アナログ信号読み出し部、151…第2アナログ信号読み出し回路、153…積分回路、230…第1アナログ信号読み出し部、231…第1アナログ信号読み出し回路、233…積分回路、240…第1デジタル信号読み出し部、241…A/Dコンバータ、250…第2アナログ信号読み出し部、251…第2アナログ信号読み出し回路、253…積分回路、260…第1デジタル信号読み出し部、261…A/Dコンバータ、Sn…走査信号。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a solid-state imaging device that captures an input two-dimensional optical image.
[0002]
[Prior art]
An imaging device using a solid-state imaging device typified by a charge coupled device (CCD) is used in various fields including home video. However, when a photodiode charge having a relatively large light receiving area is handled, the charge transfer efficiency is low in the CCD, which causes a problem that the charge cannot be transferred. Therefore, in a specific field, an image sensor formed of amorphous silicon that does not cause a problem of charge transfer efficiency may be used in a solid-state imaging device. This image sensor formed of amorphous silicon has a two-dimensional light receiving element (pixel) including a photoelectric conversion element that converts an input optical signal into a current signal and a switch element that flows out a current signal generated by the photoelectric conversion element. Is arranged.
[0003]
[Problems to be solved by the invention]
However, when the light receiving part (photoelectric conversion element) is formed using amorphous silicon, silicon in which peripheral circuits such as a signal reading circuit and a shift register are formed in order to read a signal from the amorphous silicon part where the light receiving part is formed. A chip is required, and when bonding the amorphous silicon portion where the light receiving portion is formed and the silicon chip, problems such as bonding failure are likely to occur, and the yield is reduced. Moreover, although still images can be captured, it has been difficult to capture moving images due to problems such as afterimages.
[0004]
Accordingly, the present inventors have advanced research and development of a solid-state imaging device in which a light receiving portion, a peripheral circuit, and the like are formed on a silicon wafer in order to solve the above-described problems. When the light receiving portion is formed on the silicon wafer in this way, the area of the light receiving portion can be increased by using a silicon wafer having a large area of, for example, 8 inches. However, due to the increase in the area of the light receiving part, the number of solid-state imaging devices that can be obtained from one silicon wafer is extremely small, such as one, and there is a possibility that defective pixels exist in the light receiving part. It has been newly found that the yield deteriorates due to the increase.
[0005]
In addition, as a peripheral circuit, in particular, when a digital signal readout circuit for reading out a current signal output from a photoelectric conversion element is formed on the same wafer, the digital signal readout circuit itself is increased with the increase in area of the light receiving unit. Since the number of digital signal readout circuits is increased and the digital signal readout circuits are formed in a limited space, there is a high possibility that the digital signal readout circuits are defective, and the yield is further reduced. It was also newly discovered.
[0006]
The present invention has been made in view of such circumstances, and a solid-state imaging device capable of suppressing a decrease in yield and increasing the area of the light receiving portion even when the light receiving portion and the peripheral circuit are formed on the same substrate. The purpose is to provide.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
A solid-state imaging device according to the present invention is a solid-state imaging device that captures an input two-dimensional optical image, and a rectangular light receiving unit in which photoelectric conversion elements that convert an input optical signal into a current signal are two-dimensionally arranged; The photoelectric conversions are provided in the number corresponding to the number of photoelectric conversion elements arranged in the extending direction of one side along one side of the rectangular light receiving unit and arranged in a direction orthogonal to one side of the rectangular light receiving unit. An analog signal readout circuit that reads out the current signal generated by the element as an analog signal, and the number corresponding to the number of photoelectric conversion elements arranged in the extending direction of one side along the side opposite to one side of the rectangular light receiving unit A digital signal readout circuit that reads out as a digital signal a current signal generated by a photoelectric conversion element that is provided and arranged in a direction orthogonal to one side of the rectangular light receiving unit, and one that is orthogonal to one side of the rectangular light receiving unit It is characterized in that it comprises a current signal generated by the array of photoelectric conversion elements, a shift register, to the same substrate that can feed even towards any of the analog signal read circuit and the digital signal read circuit.
[0008]
In the solid-state imaging device according to the present invention, the number of analog signal readout circuits corresponding to the number of photoelectric conversion elements arranged in the extending direction of one side of the same substrate along one side of the rectangular light receiving unit is provided. A number of digital signal readout circuits are provided corresponding to the number of photoelectric conversion elements arranged in the direction in which one side extends along a side opposite to one side of the rectangular light receiving unit. A shift register is provided that can send out a current signal generated by photoelectric conversion elements arranged in a direction orthogonal to one side of the light receiving section to either an analog signal readout circuit or a digital signal readout circuit. When the register sends out a current signal to the digital signal readout circuit, the current signal generated by the photoelectric conversion element is digitalized by the digital signal readout circuit. It will be possible to read as Nos. On the other hand, if any of the digital signal readout circuits is defective, a current signal is sent out to the analog signal readout circuit by the shift register so that the current signal generated by the photoelectric conversion element is converted into the analog signal readout circuit. Is read out as an analog signal. Therefore, even if any of the digital signal readout circuits is defective, it is possible to read out the current signal generated by the photoelectric conversion element by the analog signal readout circuit, and even when the area of the light receiving unit is increased, it is solid. A decrease in the yield of the imaging device can be suppressed. In addition, when the current signal generated by the photoelectric conversion element is read out by the digital signal readout circuit, the current signal can be read out at a high speed because it is a digital output, and an external A / D converter is unnecessary. Thus, the cost of the solid-state imaging device can be reduced. In addition, when the current signal generated by the photoelectric conversion element is read by the analog signal reading circuit, high resolution can be achieved by using an external A / D converter.
[0009]
A solid-state imaging device according to the present invention is a solid-state imaging device that captures an input two-dimensional optical image, and includes a photoelectric conversion element that converts an input optical signal into a current signal, and a first signal output terminal of the photoelectric conversion element. A switch element that is connected to the terminal and that outputs a current signal generated by the photoelectric conversion element from the second terminal in response to the scanning signal is arranged in a first number along the first direction as a set of light receiving elements. Unit light receiving units each having a second number of light receiving units arranged in the second direction, and at one end of each unit light receiving unit, a second terminal of each switch element is provided. The first signal output terminal electrically connected to each other is provided, and the second signal electrically connected to the second terminal of each switch element is provided at the other end of each unit light receiving part. Each output terminal is provided, and the first signal output of each unit light receiving unit From the second number of analog signal readout circuits that individually input the signals output from the child and read out the current signal output from the unit light receiving unit as an analog signal, and from the second signal output terminal of each unit light receiving unit Each of the output signals is individually input, and the second number of digital signal readout circuits that read out the current signal output from the unit light receiving unit as a digital signal, and the current signal generated by each photoelectric conversion element, A shift register that outputs a scanning signal is provided on the same substrate so that it can be sent to either the first signal output terminal or the second signal output terminal of the unit light receiving unit.
[0010]
In the solid-state imaging device according to the present invention, the signal output from the first signal output terminal of each unit light receiving unit is individually input to the same substrate, and the current signal output from the unit light receiving unit is analog signal. The second number of analog signal readout circuits to read out and the signal output from the second signal output terminal of each unit light receiving unit are individually input, and the current signal output from the unit light receiving unit is read out as a digital signal. The current signal generated by the second number of digital signal readout circuits and the respective photoelectric conversion elements can be sent to either the first signal output terminal or the second signal output terminal of each unit light receiving unit. And a shift register for outputting a scanning signal. When this shift register sends out a current signal toward the second signal output terminal, each unit light-receiving unit is provided. Photoelectric current signals generated by the transducer is to be read out as a digital signal by the digital signal read-out circuit respectively that. On the other hand, if any of the digital signal readout circuits is defective, it is generated in the photoelectric conversion element in each unit light receiving unit by sending a current signal toward the first signal output terminal side by the shift register. The read current signal is read out as an analog signal by each analog signal readout circuit. Therefore, even when any of the digital signal readout circuits is defective, it is possible to read out the current signal generated by the photoelectric conversion element in each analog signal readout circuit, and in the case where the light receiving portion is enlarged Also, it is possible to suppress a decrease in the yield of the solid-state imaging device. In addition, when the current signal generated by the photoelectric conversion element is read out by each digital signal reading circuit, since it becomes a digital output, it is possible to read out the current signal at a high speed, and an external A / D converter. Is unnecessary, and the cost of the solid-state imaging device can be reduced. In addition, when the current signal generated by the photoelectric conversion element is read by each analog signal reading circuit, high resolution can be achieved by using an external A / D converter.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of a solid-state imaging device according to the invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. N is an integer of 2 or more, and the subscript n indicates an arbitrary integer from 1 to N unless otherwise specified.
[0012]
(First embodiment)
First, a first embodiment of a solid-state imaging device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a schematic configuration of the solid-state imaging device according to the first embodiment, and FIG. 2 is a circuit configuration diagram of the solid-state imaging device according to the first embodiment. As shown in FIG. 1, the solid-
[0013]
The
[0014]
As shown in FIG. 2, the
[0015]
Each unit light receiving unit 22nThe first
[0016]
As shown in FIG. 2, the first analog
[0017]
Unit light receiving unit 22nThe current signal from the (first signal output terminal 27) is read out as an analog signal by the first analog signal readout circuit 31 (
[0018]
As shown in FIG. 2, the first digital
[0019]
Unit light receiving unit 22nThe current signal from the (second signal output terminal 29) is read out as an analog signal by the second analog signal readout circuit 42 (
[0020]
The first digital
[0021]
The
[0022]
Similarly to the
[0023]
Next, the operation of the solid-
[0024]
When the charge amount accumulated in each
[0025]
Next, the reset signal R for the
[0026]
The voltage signal output from the
[0027]
Next, the reset signal R for the
[0028]
In this way, an optical image formed by the light input to the
[0029]
On the other hand, when the charge amount accumulated in each
[0030]
Next, the reset signal R for the integrating
[0031]
The voltage signal output from the integrating
[0032]
Next, the integration circuit43The reset signal R is significant, the
[0033]
In this way, an optical image formed by the light input to the
[0034]
As described above, according to the solid-
[0035]
On the other hand, if any one of the first digital
[0036]
Therefore, even when there is a defect on the first digital
[0037]
Further, when the current signal generated by the
[0038]
In addition, the first analog
[0039]
Further, a
[0040]
Therefore, even if one of the
[0041]
Further, the
[0042]
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the solid-state imaging device according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a conceptual diagram showing a schematic configuration of the solid-state imaging device according to the second embodiment.FIG.These are the circuit block diagrams of the solid-state imaging device which concerns on 2nd Embodiment. The solid-
[0043]
As shown in FIG. 3, the solid-
[0044]
The
[0045]
As shown in FIG. 4, the
[0046]
Each unit light receiving unit 22nThe first
[0047]
As shown in FIG. 4, the first analog
[0048]
Unit light receiving unit 22nThe current signal from the (first signal output terminal 27) is read as an analog signal by the first analog signal readout circuit 131 (
[0049]
Further, the analog signal read by the first analog
[0050]
The first digital
[0051]
As shown in FIG. 4, the second analog
[0052]
Unit light receiving unit 22nThe current signal from the (second signal output terminal 29) is read as an analog signal by the second analog signal readout circuit 151 (
[0053]
Next, the operation of the solid-
[0054]
When the charge amount accumulated in each
[0055]
Next, the reset signal R for the
[0056]
The voltage signal output from the
[0057]
Next, the reset signal R for the
[0058]
In this way, an optical image formed by the light input to the
[0059]
On the other hand, when the charge amount stored in each
[0060]
Next, the reset signal R for the
[0061]
The voltage signal output from the
[0062]
Next, the reset signal R for the
[0063]
In this way, an optical image formed by the light input to the
[0064]
When the charge amount accumulated in each
[0065]
Next, the reset signal R for the
[0066]
The voltage signal output from the
[0067]
Next, the reset signal R for the
[0068]
In this way, an optical image formed by the light input to the
[0069]
As described above, according to the solid-
[0070]
On the other hand, if any of the first digital
[0071]
Further, when the first digital
[0072]
Therefore, when there is a defect on the first digital
[0073]
Further, when the current signal generated by the
[0074]
In addition, the first analog signal readout unit 130 (first digital signal readout unit 140) is provided along the
[0075]
(Third embodiment)
Next, a third embodiment of the solid-state imaging device according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a conceptual diagram illustrating a schematic configuration of the solid-state imaging device according to the third embodiment, and FIG. 6 is a circuit configuration diagram of the solid-state imaging device according to the third embodiment. The solid-state imaging device 201 according to the third embodiment is different from the solid-
[0076]
As shown in FIG. 5, the solid-state imaging device 201 according to the third embodiment includes a
[0077]
The
[0078]
As shown in FIG. 6, the
[0079]
Each unit light receiving unit 22nThe first
[0080]
As shown in FIG. 6, the first analog
[0081]
Unit light receiving unit 22nThe current signal from the (first signal output terminal 27) is read as an analog signal by the first analog signal readout circuit 231 (
[0082]
The analog signal read by the first analog
[0083]
The first digital
[0084]
The second analog
[0085]
Unit light receiving unit 22nThe current signal from the (second signal output terminal 29) is read out as an analog signal by the second analog signal readout circuit 251 (
[0086]
The analog signal read by the second analog
[0087]
The second digital
[0088]
Next, the operation of the solid-state imaging device 201 of the third embodiment will be described. In the solid-state imaging device 201, a light image formed by light incident on the
[0089]
When the charge amount accumulated in each
[0090]
Next, the reset signal R for the
[0091]
The voltage signal output from the integrating
[0092]
Next, the reset signal R for the integrating
[0093]
In this way, an optical image formed by the light input to the
[0094]
On the other hand, when the charge amount stored in each
[0095]
Next, the reset signal R for the
[0096]
The voltage signal output from the
[0097]
Next, the reset signal R for the integrating
[0098]
In this way, an optical image formed by the light input to the
[0099]
When the charge amount accumulated in each
[0100]
Next, the reset signal R for the integrating
[0101]
The voltage signal output from the
[0102]
Next, the reset signal R for the
[0103]
In this way, an optical image formed by the light input to the
[0104]
On the other hand, when the charge amount accumulated in each
[0105]
Next, the reset signal R for the integrating
[0106]
The voltage signal output from the
[0107]
Next, the reset signal R for the
[0108]
In this way, an optical image formed by the light input to the
[0109]
As described above, according to the solid-state imaging device 201 of the third embodiment, the first analog signal read-out
[0110]
On the other hand, if any one of the first digital
[0111]
When the first digital
[0112]
Further, when the first digital
[0113]
Therefore, if there is a defect on the first digital
[0114]
Further, when the current signal generated by the
[0115]
In addition, a first analog signal readout unit 230 (first digital signal readout unit 240) is provided along the
[0116]
In a charge-coupled solid-state imaging device such as a CCD, charges generated by a light receiving element move based on a potential difference formed in a transfer unit. For this reason, when a defect exists in a part of the wafer, a potential difference cannot be formed in the part where the defect exists, and a signal for one column of the transfer unit cannot be transferred. Therefore, a column in which a defect exists becomes a deadline, and the probability of occurrence of this deadline increases as the area of the light receiving portion increases. As a result, the increase in the area of the light receiving portion in the CCD results in a very poor yield, and it becomes expensive to improve the yield. However, the first embodiment toThirdAs shown in the embodiment, in the solid-state imaging device according to the present invention, a decrease in yield is suppressed, and the area of the light receiving unit can be increased.
[0117]
In the first embodiment to the third embodiment, the light receiving element 21 is used.n . nIs formed on the substrate in a two-dimensional array of N rows × N columns. However, the
[0118]
In the first to third embodiments, the
[0119]
【The invention's effect】
As described above in detail, according to the solid-state imaging device of the present invention, even when the light receiving unit and the peripheral circuit are formed on the same substrate, a decrease in yield is suppressed, and the solid state capable of increasing the area of the light receiving unit. An imaging device can be realized.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a conceptual diagram showing a schematic configuration of a first embodiment of a solid-state imaging device according to the present invention.
FIG. 2 is a circuit configuration diagram of the first embodiment of the solid-state imaging device according to the present invention.
FIG. 3 is a conceptual diagram showing a schematic configuration of a second embodiment of the solid-state imaging device according to the present invention.
FIG. 4 is a circuit configuration diagram of a second embodiment of the solid-state imaging device according to the present invention.
FIG. 5 is a conceptual diagram showing a schematic configuration of a third embodiment of a solid-state imaging device according to the present invention.
FIG. 6 is a circuit configuration diagram of a third embodiment of a solid-state imaging device according to the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,101,201 ... Solid-state imaging device 10,110,210 ... Board | substrate, 20 ... Light-receiving part, 20a ... 1st edge | side, 20b ... 2nd edge | side, 20c ... 3rd edge | side, 20d ... 4th edge | side , 21nn... Light receiving element, 22n... Unit light-receiving unit, 23 ... Photodiode, 25 ... First switch element, 27 ... First signal output terminal, 29 ... Second signal output terminal, 30 ... First analog signal readout unit, 31 ... First analog signal readout Circuit: 33... Integration circuit, 40... First digital signal readout unit, 41... Second analog signal readout unit, 42... Second analog signal readout circuit, 43 .. Integration circuit, 47. A / D converter, 50 ... first shift register, 60 ... second shift register, 130 ... first analog signal readout unit, 131 ... first analog signal readout circuit, 133 ... integration circuit, 140 ... first digital signal readout unit , 141... A / D converter, 150... Second analog signal readout unit, 151... Second analog signal readout circuit, 153. , 230... First analog signal readout unit, 231... First analog signal readout circuit, 233... Integration circuit, 240... First digital signal readout unit, 241... A / D converter, 250. ... Second analog signal readout circuit, 253 ... Integral circuit, 260 ... First digital signal readout unit, 261 ... A / D converter, Sn... Scanning signal.
Claims (6)
入力光信号を電流信号に変換する光電変換素子が2次元に配列された矩形状の受光部と、
前記矩形状の受光部の一辺に沿って、前記一辺の延びる方向に配置された前記光電変換素子の数に対応した数だけ設けられ、前記矩形状の受光部の前記一辺と直交する方向に配列された前記光電変換素子で発生した電流信号をアナログ信号として読み出すアナログ信号読み出し回路と、
前記アナログ信号読み出し回路に接続され、前記アナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を出力する信号出力端子と、
前記矩形状の受光部の前記一辺に対向する辺に沿って、前記一辺の延びる方向に配置された前記光電変換素子の数に対応した数だけ設けられ、前記矩形状の受光部の前記一辺と直交する方向に配列された前記光電変換素子で発生した電流信号をデジタル信号として読み出すデジタル信号読み出し回路と、
前記デジタル信号読み出し回路に接続され、前記デジタル信号読み出し回路からのデジタル信号を出力する信号出力端子と、
前記矩形状の受光部の前記一辺と直交する方向に配列された前記光電変換素子で発生した前記電流信号を、前記アナログ信号読み出し回路及び前記デジタル信号読み出し回路のいずれに向けても送り出し得るシフトレジスタと、
を同一基板に備え、
前記アナログ信号読み出し回路へ前記光電変換素子で発生した前記電流信号を送り出すときには、前記デジタル信号読み出し回路へ前記光電変換素子で発生した前記電流信号を送り出さず、
前記デジタル信号読み出し回路へ前記光電変換素子で発生した前記電流信号を送り出すときには、前記アナログ信号読み出し回路へ前記光電変換素子で発生した前記電流信号を送り出さないことを特徴とする固体撮像装置。A solid-state imaging device that captures an input two-dimensional optical image,
A rectangular light receiving portion in which photoelectric conversion elements for converting an input optical signal into a current signal are two-dimensionally arranged;
Along the one side of the rectangular light receiving part, the number corresponding to the number of the photoelectric conversion elements arranged in the extending direction of the one side is provided and arranged in a direction orthogonal to the one side of the rectangular light receiving part. An analog signal readout circuit that reads out the current signal generated by the photoelectric conversion element as an analog signal;
A signal output terminal connected to the analog signal readout circuit and outputting an analog signal from the analog signal readout circuit;
A number corresponding to the number of the photoelectric conversion elements arranged in the extending direction of the one side is provided along a side facing the one side of the rectangular light receiving unit, and the one side of the rectangular light receiving unit A digital signal readout circuit that reads out a current signal generated by the photoelectric conversion elements arranged in an orthogonal direction as a digital signal;
A signal output terminal connected to the digital signal readout circuit and outputting a digital signal from the digital signal readout circuit;
A shift register capable of sending out the current signal generated by the photoelectric conversion elements arranged in a direction orthogonal to the one side of the rectangular light receiving unit to either the analog signal readout circuit or the digital signal readout circuit When,
On the same board ,
When sending the current signal generated by the photoelectric conversion element to the analog signal readout circuit, without sending the current signal generated by the photoelectric conversion element to the digital signal readout circuit,
A solid-state imaging device , wherein when the current signal generated by the photoelectric conversion element is sent to the digital signal readout circuit, the current signal generated by the photoelectric conversion element is not sent to the analog signal readout circuit .
入力光信号を電流信号に変換する光電変換素子と、前記光電変換素子の信号出力端子に第1の端子が接続され、走査信号に応じて第2の端子から前記光電変換素子で発生した電流信号を流出するスイッチ素子とを1組の受光素子として、第1の方向に沿って第1の数だけ配列される単位受光部が、第2の方向に沿って第2の数だけ配列された受光部を有し、
夫々の前記単位受光部の一方の端部には、夫々の前記スイッチ素子の第2の端子と互いに電気的に接続された第1信号出力端子が設けられ、夫々の前記単位受光部の他方の端部には、夫々の前記スイッチ素子の第2の端子と互いに電気的に接続された第2信号出力端子が各々設けられており、
夫々の前記単位受光部の前記第1信号出力端子から出力された信号を夫々個別に入力し、前記単位受光部から出力された電流信号をアナログ信号として読み出す前記第2の数のアナログ信号読み出し回路と、
前記第2の数の前記アナログ信号読み出し回路にそれぞれ接続され、前記第2の数のアナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を出力する信号出力端子と、
夫々の前記単位受光部の前記第2信号出力端子から出力された信号を夫々個別に入力し、前記単位受光部から出力された電流信号をデジタル信号として読み出す前記第2の数のデジタル信号読み出し回路と、
前記第2の数の前記デジタル信号読み出し回路にそれぞれ接続され、前記第2の数のデジタル信号読み出し回路からのデジタル信号を出力する信号出力端子と、
夫々の前記光電変換素子で発生した前記電流信号を、夫々の前記単位受光部の前記第1信号出力端子及び前記第2信号出力端子のいずれに向けても送り出し得るように、前記走査信号を出力するシフトレジスタと、
を同一基板に備え、
前記第2の数の前記アナログ信号読み出し回路へ前記光電変換素子で発生した前記電流信号を送り出すときには、前記第2の数の前記デジタル信号読み出し回路へ前記光電変換素子で発生した前記電流信号を送り出さず、
前記第2の数の前記デジタル信号読み出し回路へ前記光電変換素子で発生した前記電流信号を送り出すときには、前記第2の数の前記アナログ信号読み出し回路へ前記光電変換素子で発生した前記電流信号を送り出さないことを特徴とする固体撮像装置。A solid-state imaging device that captures an input two-dimensional optical image,
A photoelectric conversion element that converts an input optical signal into a current signal, and a current signal generated by the photoelectric conversion element from a second terminal in response to a scanning signal, with a first terminal connected to the signal output terminal of the photoelectric conversion element The unit light-receiving portions arranged in the first direction along the first direction are arranged in the second direction as a set of light-receiving elements that flow out of the switch elements. Part
A first signal output terminal electrically connected to the second terminal of each of the switch elements is provided at one end of each of the unit light receiving units, and the other end of each of the unit light receiving units is provided. Each of the end portions is provided with a second signal output terminal electrically connected to the second terminal of each of the switch elements,
The second number of analog signal readout circuits that individually input signals output from the first signal output terminals of the unit light receiving units and read out the current signals output from the unit light receiving units as analog signals. When,
A signal output terminal connected to each of the second number of the analog signal readout circuits and outputting an analog signal from the second number of the analog signal readout circuits;
The second number of digital signal readout circuits that individually input signals output from the second signal output terminals of the unit light receiving units and read out the current signals output from the unit light receiving units as digital signals. When,
A signal output terminal connected to each of the second number of digital signal readout circuits and outputting a digital signal from the second number of digital signal readout circuits;
The scanning signal is output so that the current signal generated in each of the photoelectric conversion elements can be sent to either the first signal output terminal or the second signal output terminal of each unit light receiving unit. A shift register to
On the same board ,
When the current signal generated by the photoelectric conversion element is sent out to the second number of the analog signal readout circuits, the current signal generated by the photoelectric conversion element is sent out to the second number of the digital signal readout circuits. Without
When the current signal generated by the photoelectric conversion element is sent to the second number of the digital signal readout circuits, the current signal generated by the photoelectric conversion element is sent to the second number of the analog signal readout circuits. There is no solid-state imaging device.
前記新たなアナログ信号読み出し回路に接続され、前記新たなアナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を出力する信号出力端子と、を更に備え、
前記新たなアナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を該新たなアナログ信号読み出し回路に接続された前記信号出力端子へ送り出すときには、前記新たなアナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を前記デジタル信号読み出し回路へ送り出さず、
前記新たなアナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を前記デジタル信号読み出し回路へ送り出すときには、前記新たなアナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を該新たなアナログ信号読み出し回路に接続された前記信号出力端子へ送り出さないことを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。Between the digital signal readout circuit and the rectangular light receiving part, the number of the photoelectric conversion elements arranged in the extending direction of the one side along the side opposite to the one side of the rectangular light receiving part. A new analog signal readout circuit that reads out a current signal generated by the photoelectric conversion element as an analog signal provided in a corresponding number and arranged in a direction orthogonal to the one side of the rectangular light receiving unit;
A signal output terminal connected to the new analog signal readout circuit and outputting an analog signal from the new analog signal readout circuit; and
When the analog signal from the new analog signal readout circuit is sent out to the signal output terminal connected to the new analog signal readout circuit, the analog signal from the new analog signal readout circuit is sent out to the digital signal readout circuit. Without
When sending an analog signal from the new analog signal readout circuit to the digital signal readout circuit, the analog signal from the new analog signal readout circuit is sent to the signal output terminal connected to the new analog signal readout circuit. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the solid-state imaging device is not provided.
前記新たなデジタル信号読み出し回路に接続され、前記新たなデジタル信号読み出し回路からのデジタル信号を出力する信号出力端子と、を更に備え、
前記アナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を該アナログ信号読み出し回路に接続された前記信号出力端子へ送り出すときには、前記アナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を前記新たなデジタル信号読み出し回路へ送り出さず、
前記アナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を前記デジタル信号読み出し回路へ送り出すときには、前記アナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を該アナログ信号読み出し回路に接続された前記信号出力端子へ送り出さないことを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置。The number corresponding to the number of the photoelectric conversion elements arranged in the extending direction of the one side along the one side of the rectangular light receiving unit so that the analog signal reading circuit is sandwiched between the rectangular light receiving unit. A new digital signal readout circuit for converting an analog signal from the analog signal readout circuit into a digital signal,
A signal output terminal connected to the new digital signal readout circuit and outputting a digital signal from the new digital signal readout circuit;
When sending an analog signal from the analog signal read circuit to the signal output terminal connected to the analog signal read circuit, the analog signal from the analog signal read circuit is not sent to the new digital signal read circuit,
When sending an analog signal from the analog signal read circuit to the digital signal read circuit, the analog signal from the analog signal read circuit is not sent to the signal output terminal connected to the analog signal read circuit. The solid-state imaging device according to claim 3.
前記第2の数の前記新たなアナログ信号読み出し回路に接続され、前記第2の数の前記新たなアナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を出力する信号出力端子と、を更に備え、
前記第2の数の前記新たなアナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を該第2の数の新たなアナログ信号読み出し回路に接続された前記信号出力端子へ送り出すときには、前記第2の数の前記新たなアナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を前記第2の数の前記デジタル信号読み出し回路へ送り出さず、
前記第2の数の前記新たなアナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を前記第2の数の前記デジタル信号読み出し回路へ送り出すときには、前記第2の数の前記新たなアナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を該第2の数の新たなアナログ信号読み出し回路に接続された前記信号出力端子へ送り出さないことを特徴とする請求項2に記載の固体撮像装置。A signal output from the second signal output terminal of each unit light receiving unit is individually input between the second number of digital signal readout circuits and the rectangular light receiving unit, and the unit The second number of new analog signal readout circuits for reading out the current signal output from the light receiving unit as an analog signal;
A signal output terminal connected to the second number of new analog signal readout circuits and outputting an analog signal from the second number of new analog signal readout circuits;
When sending an analog signal from the second number of new analog signal readout circuits to the signal output terminal connected to the second number of new analog signal readout circuits, the second number of the new analog signal readout circuits. Without sending analog signals from the analog signal readout circuit to the second number of digital signal readout circuits,
When sending an analog signal from the second number of the new analog signal readout circuits to the second number of the digital signal readout circuits, an analog signal from the second number of the new analog signal readout circuits. The solid-state imaging device according to claim 2, wherein the signal is not sent to the signal output terminal connected to the second number of new analog signal readout circuits.
前記第2の数の前記新たなデジタル信号読み出し回路に接続され、前記第2の数の前記新たなデジタル信号読み出し回路からのデジタル信号を出力する信号出力端子と、を更に備え、
前記第2の数の前記アナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を該第2の数のアナログ信号読み出し回路に接続された前記信号出力端子へ送り出すときには、前記第2の数の前記アナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を前記第2の数の前記新たなデジタル信号読み出し回路へ送り出さず、
前記第2の数の前記アナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を前記第2の数の前記新たなデジタル信号読み出し回路へ送り出すときには、前記第2の数の前記アナログ信号読み出し回路からのアナログ信号を該第2の数のアナログ信号読み出し回路に接続された前記信号出力端子へ送り出さないことを特徴とする請求項5に記載の固体撮像装置。The analog signals output from the second number of the analog signal readout circuits are individually input so as to sandwich the second number of the analog signal readout circuits with the rectangular light receiving unit, and digital signals Said second number of new digital signal readout circuits to convert to
A signal output terminal connected to the second number of the new digital signal readout circuits and outputting a digital signal from the second number of the new digital signal readout circuits;
When sending analog signals from the second number of analog signal readout circuits to the signal output terminals connected to the second number of analog signal readout circuits, the second number of analog signal readout circuits Are not sent to the second number of the new digital signal readout circuits,
When sending analog signals from the second number of the analog signal readout circuits to the second number of the new digital signal readout circuits, the analog signals from the second number of the analog signal readout circuits are The solid-state imaging device according to claim 5, wherein the solid-state imaging device is not sent to the signal output terminal connected to the second number of analog signal readout circuits.
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