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JP4552436B2 - Organic electroluminescence element, display device and lighting device - Google Patents

Organic electroluminescence element, display device and lighting device Download PDF

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JP4552436B2
JP4552436B2 JP2003426570A JP2003426570A JP4552436B2 JP 4552436 B2 JP4552436 B2 JP 4552436B2 JP 2003426570 A JP2003426570 A JP 2003426570A JP 2003426570 A JP2003426570 A JP 2003426570A JP 4552436 B2 JP4552436 B2 JP 4552436B2
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organic
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智寛 押山
栄作 加藤
弘志 北
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Konica Minolta Inc
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Indole Compounds (AREA)

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence element, a display device, and a lighting device.

従来の有機エレクトロルミネッセンス素子(以後、有機EL素子ともいう)においては、CBP(4,4’−Bis(9−carbazolyl)−biphenyl)に代表されるカルバゾール誘導体を有機エレクトロルミネッセンス素子の発光材料に用いる技術(例えば、特許文献1参照。)があり、また、カルバゾール誘導体をリン光性ドーパントと共に発光ホストとして用いる(例えば、特許文献2、特許文献3参照。)ことも知られている。   In conventional organic electroluminescence elements (hereinafter also referred to as organic EL elements), a carbazole derivative typified by CBP (4,4′-Bis (9-carbazolyl) -biphenyl) is used as a light emitting material of the organic electroluminescence element. There is a technique (for example, see Patent Document 1), and it is also known to use a carbazole derivative together with a phosphorescent dopant as a light-emitting host (for example, see Patent Document 2 and Patent Document 3).

しかしながら、青〜青緑色の燐光性化合物を発光ドーパントとして用いた場合に、前記CBP或いはカルバゾール誘導体をホスト化合物として使用しても、その外部取り出し量子効率が低く、不十分な結果であり(例えば、非特許文献1参照。)、更なる改良がのぞまれている状態である。   However, when a blue to blue-green phosphorescent compound is used as a light-emitting dopant, even if the CBP or carbazole derivative is used as a host compound, the external extraction quantum efficiency is low, which is an insufficient result (for example, Non-patent document 1)), further improvement is desired.

また、素子の長寿命化に関しても、燐光性化合物をドーパントとして用い、カルバゾール誘導体に加えて、特定の5配位の金属錯体を正孔阻止層に使用し長寿命化を達成した技術がある(例えば、特許文献2参照。)。更に、フッ素やシアノ基をカルバゾール誘導体に置換したホストが知られている(特許文献3、4参照)。   In addition, with regard to extending the lifetime of an element, there is a technology that achieves a long lifetime by using a phosphorescent compound as a dopant and using a specific five-coordinate metal complex for a hole blocking layer in addition to a carbazole derivative ( For example, see Patent Document 2.) Furthermore, a host in which a fluorine or cyano group is substituted with a carbazole derivative is known (see Patent Documents 3 and 4).

しかしながら、前記引用文献に記載のカルバゾール誘導体は、高輝度領域(高電流密度領域)での発光効率が不充分で、かつ、寿命についても更に改善の余地があり、未だ、実用化に耐えうる発光効率と寿命を有するまでには至っていない。今後の実用化に向けては、更に低消費電力で効率よく高輝度に発光する有機EL素子の開発が望まれている。
特開2000−21572号公報 特開2002−8860号公報 特開2001−313179号公報 国際公開第03−077609号パンフレット 第62回応用物理学会学術講演会予稿集12−a−M8
However, the carbazole derivative described in the above cited document has insufficient luminous efficiency in a high luminance region (high current density region), and there is room for further improvement in the lifetime, and it is still capable of withstanding practical use. It has not yet reached efficiency and lifetime. For future practical use, it is desired to develop an organic EL element that emits light efficiently and with high luminance with low power consumption.
JP 2000-21572 A Japanese Patent Laid-Open No. 2002-8860 JP 2001-313179 A International Publication No. 03-077609 Pamphlet 62nd Japan Society of Applied Physics Academic Lecture Proceedings 12-a-M8

本発明の目的は、発光効率が高く、また、発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子、前記素子を有する表示装置及び照明装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide an organic electroluminescence element having a high light emission efficiency and a long light emission lifetime, and a display device and a lighting device having the element.

本発明の上記目的は下記の構成1〜により達成された。 The above object of the present invention has been achieved by the following constitutions 1 to 5 .

1.下記一般式()で表される化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 1. The organic electroluminescent device characterized by containing the represented Ru of compounds with the following general formula (A).

Figure 0004552436
Figure 0004552436

〔式中、Z、Zは、各々ベンゼン環、または、ピリジン環を形成するのに必要な原子群を表し、R、Rは、各々下記一般式(2)で表される基を表し、Rは下記一般式(5)で表される基を表し、n1、m1は、各々0〜4の整数を表す。但し、1≦n1+m1≦8を満たす。〕
一般式(2)
−L−R
〔式中、Lはアルキレン基、酸素原子、または、硫黄原子を表し、Rはトリフルオロメチル基、フルオロ基、シアノ基またはシアノメチル基を表す。〕

Figure 0004552436
〔式中、Rは、アルキル基またはアリール基を表し、pは1〜5の整数を表す。〕 [Wherein, Z 1 and Z 2 each represents an atomic group necessary for forming a benzene ring or a pyridine ring, and R 1 and R 2 are groups represented by the following general formula (2), respectively. R 5 represents a group represented by the following general formula (5), and n1 and m1 each represents an integer of 0 to 4. However, 1 ≦ n1 + m1 ≦ 8 is satisfied. ]
General formula (2)
-L 1 -R 3
Wherein, L 1 is an alkylene group, an oxygen atom, or a sulfur atom, R 3 is trifluoromethyl, fluoro, cyano Motoma other represents a cyanomethyl group. ]
Figure 0004552436
Wherein, R 8 represents an alkyl group or an aryl group, p is an integer of 1-5. ]

2.りん光性ドーパントを発光層に含有することを特徴とする前記に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 2. 2. The organic electroluminescence device as described in 1 above, wherein a phosphorescent dopant is contained in the light emitting layer.

3.白色に発光することを特徴とする前記1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 3. 3. The organic electroluminescence device as described in 1 or 2 above, which emits white light.

4.前記1〜のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備してなることを特徴とする表示装置。 4). 4. A display device comprising the organic electroluminescence element according to any one of 1 to 3 above .

5.前記1〜のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備してなることを特徴とする照明装置。 5. 4. An illuminating device comprising the organic electroluminescent element according to any one of 1 to 3 above .

本発明により、発光効率が高く、また発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子、前記素子を有する表示装置及び照明装置を提供することが出来た。   According to the present invention, it is possible to provide an organic electroluminescence element having a high light emission efficiency and a long light emission lifetime, and a display device and a lighting device having the element.

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、請求項1〜9のいすれか1項に規定の構成にすることにより、発光効率が高く、また発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることが出来た。更に、前記特性を示す、有機EL素子を用いて、高輝度、高寿命の表示装置、照明装置を得ることが出来た。   In the organic electroluminescence device of the present invention, an organic electroluminescence device having a high luminous efficiency and a long light emission lifetime can be obtained by adopting the constitution defined in any one of claims 1 to 9. . Furthermore, a high-luminance and long-life display device and lighting device could be obtained using an organic EL element exhibiting the above characteristics.

以下、本発明に係る構成要素の詳細について説明する。   Details of the constituent elements according to the present invention will be described below.

本発明者等は、燐光発光用のホスト材料について鋭意検討を重ねた結果、弱い電子吸引性基を置換基として含有する特定のカルバゾール誘導体から構成される化合物が、光化学的、あるいは電気化学的な安定性、耐熱性に優れ、且つ、比較的短波長に燐光発光を示すことを見出すとともに、本発明に係る部分構造を有する化合物を用いて有機EL素子を作製した場合に、有機EL素子の発光輝度及び寿命が改善されることを見出し本発明に至ったものである。   As a result of intensive studies on the host material for phosphorescence emission, the present inventors have found that a compound composed of a specific carbazole derivative containing a weak electron-withdrawing group as a substituent is photochemically or electrochemically. When the organic EL device is produced using the compound having the partial structure according to the present invention, it is found that the organic EL device is excellent in stability and heat resistance and exhibits phosphorescence emission at a relatively short wavelength. The present inventors have found that the luminance and lifetime are improved, and have reached the present invention.

特に、青色発光において、発光輝度、発光効率の向上及び耐久性の両立を達成した有機EL素子、及びこれを用いた発光輝度の高い、耐久性の良好な表示装置を提供できることを見出した。   In particular, the present inventors have found that it is possible to provide an organic EL element that achieves both improvement in light emission luminance, light emission efficiency, and durability in blue light emission, and a display device having high light emission luminance and good durability using the organic EL element.

従来公知の発光ホストであるCBPは、部分構造としてカルバゾール環を有しているが、該カルバゾール環に置換基を有していないため、カルバゾール環が電子リッチな電子状態となっているため、分子全体としては分極が大きくなっていると推定される。   CBP, which is a conventionally known light-emitting host, has a carbazole ring as a partial structure, but since the carbazole ring has no substituent, the carbazole ring is in an electron-rich electronic state. As a whole, the polarization is estimated to be large.

また、CBPを構成しているようなカルバゾール環に、置換基を有していないか、または、メチル基のような電子供与基を置換基として有しているような化合物は、発光ホストとしてはホールと電子の輸送バランスが少し劣るものと考えられる。   Further, a compound that does not have a substituent on the carbazole ring that constitutes CBP or has an electron donating group such as a methyl group as a substituent is a luminescent host. The transport balance between holes and electrons is considered to be slightly inferior.

従って、これらの化合物のEL素子特性をさらに高める改良手段として、我々はこれらの材料のホールと電子の輸送バランスを一定に保つため、置換基の電子的パラメータを制御して分子内の分極をなるべく抑制する分子設計が必要であると考えた。   Therefore, as an improvement means to further enhance the EL device characteristics of these compounds, we maintain the electron-balance of holes and electrons in these materials, and control the electronic parameters of the substituents as much as possible in the intramolecular polarization. We thought that molecular design to suppress was necessary.

そこで、電子供与体であるカルバゾール環の分極を抑制するためには、特定の範囲の電子吸引性基が置換基として有効であるが、鋭意検討した結果、前記一般式(1)、(4)、(6)または(7)に規定されるような部分構造を有する置換基を部分構造として有する化合物が分子内の分極を抑制する観点から最も有効であることを見出した。   Therefore, in order to suppress the polarization of the carbazole ring as an electron donor, an electron-withdrawing group in a specific range is effective as a substituent. As a result of intensive studies, the above general formulas (1) and (4) The present inventors have found that a compound having a substituent having a partial structure as defined in (6) or (7) as a partial structure is most effective from the viewpoint of suppressing polarization in the molecule.

結果的に、窒素原子を環内に有し電子リッチな環構造を有する化合物(例えば、カルバゾール環、ピロール環、インドール環等)の場合に、ある特定の範囲の電子吸引性基を前記の環構造に付与することにより、分子内の分極を抑制しようとするものである。   As a result, in the case of a compound having a nitrogen atom in the ring and an electron-rich ring structure (eg, a carbazole ring, a pyrrole ring, an indole ring, etc.) By imparting to the structure, it is intended to suppress intramolecular polarization.

《一般式(1)で表される部分構造を有する化合物》
本発明に係る前記一般式(1)で表される部分構造を有する化合物について説明する。
<< Compound having a partial structure represented by the general formula (1) >>
The compound having a partial structure represented by the general formula (1) according to the present invention will be described.

一般式(1)において、Z1、Z2で表される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−テルフェニル環、m−テルフェニル環、p−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。更に、前記芳香族炭化水素環は、後述するR3が更に有しても良い置換基を有することが出来る。 In the general formula (1), the aromatic hydrocarbon rings represented by Z 1 and Z 2 are benzene ring, biphenyl ring, naphthalene ring, azulene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, chrysene ring, naphthacene ring. , Triphenylene ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, fluorene ring, fluoranthrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, pentaphen ring, picene ring , Pyrene ring, pyranthrene ring, anthraanthrene ring and the like. Furthermore, the aromatic hydrocarbon ring may have a substituent that R 3 described later may further have.

一般式(1)において、Z1、Z2で表される芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンズイミダゾール環、ベンズチアゾール環、ベンズオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環、カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子が更に窒素原子で置換されている環等が挙げられる。更に、前記芳香族複素環基は、後述するR3が更に有しても良い置換基を有することが出来る。 In the general formula (1), the aromatic heterocycles represented by Z 1 and Z 2 include furan ring, thiophene ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, benzimidazole ring, oxadi Consists of azole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indole ring, benzimidazole ring, benzthiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, phthalazine ring, carbazole ring, carboline ring, carboline ring Examples include a ring in which the carbon atom of the hydrocarbon ring is further substituted with a nitrogen atom. Furthermore, the aromatic heterocyclic group can have a substituent which R 3 described later may further have.

本発明では、一般式(1)においては、Z1、Z2は、芳香族炭化水素環であることが好ましく、上記の芳香族炭化水素環の中でもベンゼン環を用いることが特に好ましい。 In the present invention, in the general formula (1), Z 1 and Z 2 are preferably aromatic hydrocarbon rings, and it is particularly preferable to use a benzene ring among the above aromatic hydrocarbon rings.

(一般式(2)で表される基)
一般式(1)中、R1、R2で各々表される一般式(2)で表される基において、L1で表されるアルキレン基としては、例えば、メチレン基(モノメチレン基ともいう)、エチレン基(ジメチレン基ともいう)、トリメチレン基、テトラメチレン基、プロピレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、2,2,4−トリメチルヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、シクロヘキシレン基(例えば、1,6−シクロヘキサンジイル基等)、シクロペンチレン基(例えば、1,5−シクロペンタンジイル基など)等が挙げられる。更に、前記アルキレン基は、後述するR3が更に有しても良い置換基を有することが出来る。
(Group represented by general formula (2))
In the group represented by the general formula (2) represented by R 1 and R 2 in the general formula (1), examples of the alkylene group represented by L 1 include a methylene group (also referred to as a monomethylene group). ), Ethylene group (also referred to as dimethylene group), trimethylene group, tetramethylene group, propylene group, ethylethylene group, pentamethylene group, hexamethylene group, 2,2,4-trimethylhexamethylene group, heptamethylene group, octamethylene Group, nonamethylene group, decamethylene group, undecamethylene group, dodecamethylene group, cyclohexylene group (for example, 1,6-cyclohexanediyl group, etc.), cyclopentylene group (for example, 1,5-cyclopentanediyl group, etc.) Etc. Furthermore, the alkylene group may have a substituent that R 3 described later may further have.

一般式(1)中、R1、R2で各々表される一般式(2)で表される基において、R3で表されるハメットのσp値が0.01≦σp<0.80の範囲の基としては、具体的には、シアノ基(0.66)、ニトロ基(0.78)、トリフルオロメチル基(0.54)などのポリハロアルキル基、ペンタクロロフェニル基(0.24)のようなポリハロアリール基、ホルミル基(0.42)、アルキルまたはアリールカルボニル基、カルバモイル基(0.36)、アルキルスルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基(0.49))、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基(0.72)等)、アリールスルホニル基、アルキルまたはアリールスルホニルオキシ基、スルファモイル基(0.57)、ホスフェノ基、ホスフィンオキシド基、ホスホン酸エステル基、ホスホン酸アミド基、アリールアゾ基、などが例として挙げられる。さらにこれらの基は、後述するR3が更に有してもよい置換基で置換されていてもよい。 In the group represented by the general formula (2) represented by R 1 and R 2 in the general formula (1), the Hammett σp value represented by R 3 is 0.01 ≦ σp <0.80. Specific examples of the group include polyhaloalkyl groups such as a cyano group (0.66), a nitro group (0.78), and a trifluoromethyl group (0.54), and a pentachlorophenyl group (0.24). Such as polyhaloaryl group, formyl group (0.42), alkyl or arylcarbonyl group, carbamoyl group (0.36), alkylsulfinyl group (for example, methylsulfinyl group (0.49)), arylsulfinyl group, An alkylsulfonyl group (for example, a methylsulfonyl group (0.72)), an arylsulfonyl group, an alkyl or arylsulfonyloxy group, a sulfamoyl group (0.57), Phenolate group, phosphine oxide group, phosphonic ester group, phosphonic acid amido group, an arylazo group, and the like as examples. Further, these groups may be substituted with a substituent which R 3 described later may further have.

《一般式(2)で表される基の電子的特性についての考察》
一般式(2)で表される基、−L1−R3のR3は、ハメットのσp値が0.01≦σp<0.80の範囲の基が用いられ、上限の0.80に近い基(例えば、シアノ基(0.66)、トリフルオロメチル基(0.54)、ニトロ基(0.78)、スルファモイル基(0.57)、メチルスルホニル基(0.72)等)の電子吸引性はかなり強いが、本発明では、−L1−を介することにより、一般式(2)で表される基自体の電子吸引性を、0.01〜0.15の範囲の弱い電子吸引性になるように調整して、前記芳香族炭化水素環または芳香族複素環に置換させることにより、窒素原子を含む前記部分構造の分極を低減する、電子的に中性化することが出来ることを見出した。
<< Consideration of electronic properties of the group represented by the general formula (2) >>
Groups represented by general formula (2), R 3 of -L 1 -R 3 are, .sigma.p value of Hammett's used is based on the range of 0.01 ≦ σp <0.80, 0.80 max Close group (for example, cyano group (0.66), trifluoromethyl group (0.54), nitro group (0.78), sulfamoyl group (0.57), methylsulfonyl group (0.72), etc.) Although the electron withdrawing property is considerably strong, in the present invention, the electron withdrawing property of the group itself represented by the general formula (2) is reduced to a weak electron in the range of 0.01 to 0.15 through -L 1-. Adjustment to be attractive and substitution with the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle can reduce the polarization of the partial structure containing a nitrogen atom, and can be neutralized electronically. I found out.

因みに、電子吸引性基R3のσp値と、−L1−R3のσp値との違いを具体例により示す。 Incidentally, the difference between the σp value of the electron-withdrawing group R 3 and the σp value of -L 1 -R 3 is shown by a specific example.

置換基 σp値
−CF3 0.54
−CH2−CF3 0.09(アルキレン基あり)
−CN 0.66
−CH2−CN 0.01(アルキレン基あり)
−F 0.06
−CH2−F 0.11(アルキレン基あり)
また、前記芳香族炭化水素環または前記芳香族複素環に直接、上記の弱い電子吸引性置換基を置換させるよりも、上記の−L1−を介することにより、現時点では理由は明確ではないが、本発明に記載の効果、即ち、発光効率が高く、且つ、発光寿命の長い有機EL素子が得られることも、本発明者等は併せて見出した。
Substituent σp value −CF 3 0.54
—CH 2 —CF 3 0.09 (with alkylene group)
-CN 0.66
—CH 2 —CN 0.01 (with alkylene group)
-F 0.06
—CH 2 —F 0.11 (with alkylene group)
In addition, the reason is not clear at present through the above -L 1- rather than directly substituting the weak electron-withdrawing substituent into the aromatic hydrocarbon ring or the aromatic heterocycle. The present inventors have also found that the effects described in the present invention, that is, an organic EL device having high emission efficiency and a long emission lifetime can be obtained.

《ハメットのσp値》
本発明に係るハメットのσp値とは、ハメットの置換基定数σpを指す。ハメットのσpの値は、Hammett等によって安息香酸エチルの加水分解に及ぼす置換基の電子的効果から求められた置換基定数であり、『薬物の構造活性相関』(南江堂:1979年)、『Substituent Constants for Correlation Analysis in chemistry and biology』(C.Hansch and A.Leo,John Wiley&Sons,New York,1979年)等に記載の基を引用することが出来る。
Hammett's σp value
The Hammett σp value according to the present invention refers to Hammett's substituent constant σp. Hammett's σp value is a substituent constant determined by Hammett et al. From the electronic effect of the substituent on the hydrolysis of ethyl benzoate. “Structure-activity relationship of drugs” (Nanedo: 1979), “Substituent” The groups described in “Constants for Correlation Analysis in Chemistry and Biology” (C. Hansch and A. Leo, John Wiley & Sons, New York, 1979) can be cited.

《R3が更に有してもよい置換基の例》
上記一般式(2)のR3は更に置換基を有していてよく、例えば、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、(t)ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、プロパルギル基等)、アリール基(例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビフェニリル基、アントリル基、フェナントリル基等)、複素環基(例えば、ピリジル基、チアゾリル基、オキサゾリル基、イミダゾリル基、フリル基、ピロリル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、セレナゾリル基、スルホラニル基、ピペリジニル基、ピラゾリル基、テトラゾリル基等)、アルコキシル基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシル基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基またはアリールスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基等)、ニトロ基、シアノ基、シリル基(トリメチルシリル基、t−ブチルジメチルシリル基、ジメチルフェニルシリル基、トリフェニルシリル基等)等が挙げられる。
<< Examples of Substituents that R 3 may additionally have >>
R 3 in the general formula (2) may further have a substituent, for example, an alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a (t) butyl group, a pentyl group, a hexyl group). Octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group etc.), alkenyl group (eg, vinyl group, allyl group etc.), alkynyl group (eg, Propargyl group etc.), aryl group (eg phenyl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, biphenylyl group, anthryl group, phenanthryl group etc.), heterocyclic group (eg pyridyl group, thiazolyl group, oxazolyl group, imidazolyl group) , Furyl group, pyrrolyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, selenazo Group, sulfolanyl group, piperidinyl group, pyrazolyl group, tetrazolyl group, etc.), alkoxyl group (for example, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), Cycloalkoxyl group (for example, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group (for example, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), alkylthio group (for example, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group) , Octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio group (eg, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), arylthio group (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl group (eg, meso Tiloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (eg, phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (eg, Aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group, ethylureido group, pentylureido group, cyclohexylureido) Octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group, naphthylureido group, 2-pyridylaminoureido group, etc.), acyl group (for example, acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octyl group) Carbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyloxy group (for example, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group) , Dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), amide group (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, Propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonylamino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, Aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group Naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethyl) Rusulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group, etc.), alkylsulfonyl group or arylsulfonyl group (for example, methylsulfonyl Group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (for example, amino group, ethylamino) Group, dimethylamino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridine Arylamino group), a nitro group, a cyano group, a silyl group (trimethylsilyl group, t- butyl dimethyl silyl group, dimethylphenyl silyl group, and a triphenylsilyl group, etc.) and the like.

(一般式(3)で表される基)
一般式(1)中、R1、R2で各々表される一般式(3)で表される基において、Ar1で表されるアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基や、上記Z1、Z2で表される芳香族炭化水素環から導出される2価の基等が挙げられる。
(Group represented by general formula (3))
In the general formula (1), in the groups represented by the general formula (3) represented by R 1 and R 2 , as the arylene group represented by Ar 1 , a phenylene group, a naphthylene group, and the above Z 1 And divalent groups derived from an aromatic hydrocarbon ring represented by Z 2 .

一般式(1)中、R1、R2で各々表される一般式(3)で表される基において、Ar1で表される、芳香族複素環を有する2価の基としては、2,5−チオフェンジイル基、2,5−ピリジンジイル基や、上記Z1、Z2で表される芳香族複素環から導出される2価の基等が挙げられる。 In the group represented by the general formula (3) represented by R 1 and R 2 in the general formula (1), the divalent group having an aromatic heterocyclic ring represented by Ar 1 is 2 , 5-thiophenediyl group, 2,5-pyridinediyl group, and divalent groups derived from the aromatic heterocycles represented by Z 1 and Z 2 above.

一般式(1)中、R1、R2で各々表される一般式(3)のR4はハメットのσp値は、前記一般式(1)中、R1、R2で各々表される一般式(2)で表される基において、R3で表されるハメットのσpと同義であるが、σp値の範囲は0.08<σp<0.80の範囲であり、R3で表される基の具体例の中から、前記範囲に入るものが選択される。 In the general formula (1), R 4 is σp value of Hammett general formula (3), each represented by R 1, R 2 are, in the general formula (1), represented by each of R 1, R 2 In the group represented by the general formula (2), it is synonymous with Hammett's σp represented by R 3 , but the range of σp value is 0.08 <σp <0.80, and is represented by R 3 . Among the specific examples of the groups to be selected, those within the above range are selected.

また、上記一般式(1)中、Ar1で表される芳香族炭素環や芳香族複素環を有する2価の基は、前記R3が更に有しても良い置換基を有してもよい。 In the general formula (1), the divalent group having an aromatic carbocycle or an aromatic heterocycle represented by Ar 1 may have a substituent that R 3 may further have. Good.

《一般式(4)で表される部分構造を有する化合物》
本発明に係る前記一般式(4)で表される部分構造を有する化合物について説明する。
<< Compound having a partial structure represented by the general formula (4) >>
The compound having a partial structure represented by the general formula (4) according to the present invention will be described.

一般式(4)において、Z3、Z4で形成される、芳香族炭化水素環、芳香族複素環は、一般式(1)のZ1、Z2で表される芳香族炭化水素環、芳香族複素環と各々同義である。 In the general formula (4), the aromatic hydrocarbon ring and aromatic heterocycle formed by Z 3 and Z 4 are the aromatic hydrocarbon rings represented by Z 1 and Z 2 in the general formula (1), Each is synonymous with an aromatic heterocycle.

一般式(4)において、R5で表される置換基は、上記一般式(1)のR3が更に有しても良い置換基と同義であるが、好ましくは、前記一般式(5)で表される基である。 In the general formula (4), the substituent represented by R 5 has the same meaning as the substituent that R 3 in the general formula (1) may further have, preferably the general formula (5) It is group represented by these.

ここで、前記一般式(5)において、R8で表される置換基は、一般式(1)のR3が更に有しても良い置換基と同義である。 Here, in the said General formula (5), the substituent represented by R < 8 > is synonymous with the substituent which R < 3 > of General formula (1) may have further.

《一般式(6)で表される部分構造を有する化合物》
本発明に係る前記一般式(6)で表される化合物について説明する。
<< Compound having a partial structure represented by the general formula (6) >>
The compound represented by the general formula (6) according to the present invention will be described.

一般式(6)において、R9、R10で各々表される基は、各々前記一般式(2)または前記一般式(3)で表される基と同義である。 In the general formula (6), the groups represented by R 9 and R 10 are respectively synonymous with the groups represented by the general formula (2) or the general formula (3).

《一般式(7)で表される部分構造を有する化合物》
本発明に係る前記一般式(7)で表される部分構造を有する化合物について説明する。
<< Compound having a partial structure represented by the general formula (7) >>
The compound having the partial structure represented by the general formula (7) according to the present invention will be described.

一般式(7)において、Z5により形成される、芳香族炭化水素環、芳香族複素環は、一般式(1)のZ1、Z2で表される芳香族炭化水素環、芳香族複素環と各々同義である。 In general formula (7), the aromatic hydrocarbon ring and aromatic heterocycle formed by Z 5 are the aromatic hydrocarbon ring and aromatic heterocycle represented by Z 1 and Z 2 in general formula (1). Each is synonymous with a ring.

また、一般式(7)において、R11、R12で各々表される基は、前記一般式(2)、または、前記一般式(3)で表される基と同義である。 In the general formula (7), the groups represented by R 11 and R 12 have the same meanings as the groups represented by the general formula (2) or the general formula (3).

以下、本発明に係る、一般式(1)、(4)、(6)または(7)に記載の部分構造を有する化合物の具体例を示すが本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, although the specific example of the compound which has the partial structure as described in General formula (1), (4), (6) or (7) based on this invention is shown, this invention is not limited to these.

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本発明に係る、一般式(1)、(4)、(6)または(7)に記載の部分構造を有する化合物は、従来公知の複素環化合物の合成方法を参照して、合成可能である。ここで、上記具体例のうち、化合物1の合成方法を示す。   The compound having the partial structure described in the general formula (1), (4), (6) or (7) according to the present invention can be synthesized with reference to a conventionally known method for synthesizing a heterocyclic compound. . Here, among the above specific examples, the synthesis method of Compound 1 is shown.

《合成例:例示化合物1の合成》
例示化合物1の合成スキーム及び合成方法を下記に示す。
<< Synthesis Example: Synthesis of Exemplary Compound 1 >>
The synthesis scheme and synthesis method of Exemplary Compound 1 are shown below.

Figure 0004552436
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3,6−ジブロモカルバゾール(a)5gを、脱水テトラヒドロフラン100mlに溶解し、ドライアイスで−70度に保った。ブチルリチウム−n−ヘキサン溶液を30ml添加し、1時間攪拌後、無水トリフルオロ酢酸6.5gを脱水テトラヒドロフラン20mlに溶解し添加し、一昼夜室温で攪拌した。その後、反応液の有機層を抽出しカラムクロマトグラフィーで精製し化合物(b)を3.4g得た。   5 g of 3,6-dibromocarbazole (a) was dissolved in 100 ml of dehydrated tetrahydrofuran and kept at -70 degrees with dry ice. 30 ml of butyllithium-n-hexane solution was added and stirred for 1 hour, and then 6.5 g of trifluoroacetic anhydride was dissolved in 20 ml of dehydrated tetrahydrofuran and added, and stirred overnight at room temperature. Thereafter, the organic layer of the reaction solution was extracted and purified by column chromatography to obtain 3.4 g of compound (b).

次に、化合物(b)3.4gをビス(2−ヒドロキシエチル)エーテル100mlに溶解し、ヒドラジン一水和物0.7gを添加し、10時間加熱攪拌した。その後、反応液の有機層を抽出しカラムクロマトグラフィーで精製し化合物(c)を2.1g得た。   Next, 3.4 g of the compound (b) was dissolved in 100 ml of bis (2-hydroxyethyl) ether, 0.7 g of hydrazine monohydrate was added, and the mixture was heated and stirred for 10 hours. Thereafter, the organic layer of the reaction solution was extracted and purified by column chromatography to obtain 2.1 g of compound (c).

さらに、化合物(c)2.0gと4,4−ジヨードビフェニルを酢酸パラジウムとトリ−tert−ブチルホスフィンを触媒として、キシレン溶媒中で、塩基としてナトリウム−tert−ブトキシドを使用して8時間加熱攪拌した。   Further, 2.0 g of compound (c) and 4,4-diiodobiphenyl were heated for 8 hours using palladium acetate and tri-tert-butylphosphine as catalysts in xylene solvent and sodium-tert-butoxide as a base. Stir.

反応終了後、有機層を抽出し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去してからカラムクロマトグラフィーで精製した後、トルエンで再結晶し、化合物(1)を2.7g得た。   After completion of the reaction, the organic layer was extracted, dried over magnesium sulfate, the solvent was distilled off under reduced pressure, the residue was purified by column chromatography, and recrystallized from toluene to obtain 2.7 g of Compound (1).

得られた例示化合物1の同定は1H−NMR、13C−NMR等により行った。 The obtained exemplary compound 1 was identified by 1 H-NMR, 13 C-NMR and the like.

次に、代表的な有機EL素子の構成について述べる。   Next, a configuration of a typical organic EL element will be described.

《有機EL素子の構成層》
本発明の有機EL素子の構成層について説明する。
<< Constituent layers of organic EL elements >>
The constituent layers of the organic EL element of the present invention will be described.

本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
《発光層》
本発明に係る発光層について説明する。
In this invention, although the preferable specific example of the layer structure of an organic EL element is shown below, this invention is not limited to these.
(I) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode (ii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (iii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron Transport layer / cathode (iv) anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (v) anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole Blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode << light emitting layer >>
The light emitting layer according to the present invention will be described.

本発明に係る発光層は、リン光性化合物を含有し、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。   The light emitting layer according to the present invention contains a phosphorescent compound, and is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode or the electron transport layer and the hole transport layer. It may be in the light emitting layer or at the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.

本発明に係る発光層には、前記一般式(1)、前記一般式(4)、前記一般式(6)及び前記一般式(7)の群からなる部分構造群から選ばれる少なくとも一つの部分構造を有する化合物がホスト化合物(発光ホスト)として含有されることが好ましい。   In the light emitting layer according to the present invention, at least one portion selected from the partial structure group consisting of the group of the general formula (1), the general formula (4), the general formula (6), and the general formula (7). A compound having a structure is preferably contained as a host compound (light-emitting host).

また、本発明に係る発光層には、前記リン光性ドーパントを用いることで、更に発光効率が高く、長寿命の有機EL素子とすることができる。   In addition, by using the phosphorescent dopant in the light emitting layer according to the present invention, it is possible to obtain an organic EL element with higher light emission efficiency and longer life.

リン光性化合物は、前述したリン光性化合物を用いることができる。   As the phosphorescent compound, the aforementioned phosphorescent compound can be used.

リン光性化合物の発光は、原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光性化合物に移動させることでリン光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光性化合物上でキャリアの再結合が起こりリン光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。   There are two types of light emission of phosphorescent compounds in principle. One is the recombination of carriers on the host compound to which carriers are transported to generate an excited state of the host compound, and this energy is phosphorescent. Energy transfer type to obtain light emission from the phosphorescent compound by transferring to the compound, the other is that the phosphorescent compound becomes a carrier trap, carrier recombination occurs on the phosphorescent compound, and from the phosphorescent compound In any case, the excited state energy of the phosphorescent compound is lower than the excited state energy of the host compound.

本発明においては、リン光性化合物のリン光発光極大波長としては特に制限されるものではなく、原理的には、中心金属、配位子、配位子の置換基等を選択することで得られる発光波長を変化させることができるが、リン光性化合物のリン光発光波長が380nm〜480nmにリン光発光の極大波長を有することが好ましい。   In the present invention, the phosphorescent maximum wavelength of the phosphorescent compound is not particularly limited. In principle, the phosphorescent compound can be obtained by selecting a central metal, a ligand, a ligand substituent, and the like. However, it is preferable that the phosphorescent compound has a maximum phosphorescence emission wavelength of 380 nm to 480 nm.

このようなリン光発光波長を有するものとしては、青色に発光する有機EL素子や白色に発光する有機EL素子が挙げられるが、これらの素子はより発光電圧を抑え、低消費電力で作動させることができる。   Examples of such phosphorescent emission wavelengths include organic EL elements that emit blue light and organic EL elements that emit white light. These elements should be operated with lower emission voltage and lower power consumption. Can do.

また、リン光性化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。リン光性化合物の種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用もできる。   In addition, by using a plurality of phosphorescent compounds, it is possible to mix different light emission, thereby obtaining an arbitrary emission color. White light emission is possible by adjusting the kind of phosphorescent compound and the amount of doping, and can also be applied to illumination and backlight.

また、発光層には、リン光性化合物の他にホスト化合物を含有してもよい。   The light emitting layer may contain a host compound in addition to the phosphorescent compound.

本発明において、ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物のうちで室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.01未満の化合物を示す。   In the present invention, the host compound means a compound having a phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission of less than 0.01 at room temperature (25 ° C.) among compounds contained in the light emitting layer.

本発明に係る発光層においては、前記一般式(1)、前記一般式(4)、前記一般式(6)及び前記一般式(7)の群からなる部分構造群から選ばれる少なくとも一つの部分構造を有する化合物をホスト化合物として用いることが好ましいが、更に、公知のホスト化合物を複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種もちいることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。これらの公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。   In the light emitting layer according to the present invention, at least one portion selected from the partial structure group consisting of the group of the general formula (1), the general formula (4), the general formula (6), and the general formula (7). A compound having a structure is preferably used as the host compound, but a plurality of known host compounds may be used in combination. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the organic EL element can be made highly efficient. As these known host compounds, compounds having a hole transporting ability and an electron transporting ability, preventing the emission of longer wavelengths, and having a high Tg (glass transition temperature) are preferable.

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。   Specific examples of known host compounds include compounds described in the following documents.

特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等である。   JP 2001-257076 A, JP 2002-308855 A, JP 2001-313179 A, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860, 2002-334787, 2002-15871, 2002-334788, 2002-43056, 2002-334789, 2002-75645, 2002-338579, 2002-105445 gazette, 2002-343568 gazette, 2002-141173 gazette, 2002-352957 gazette, 2002-203683 gazette, 2002-363227 gazette, 2002-231453 gazette, No. 003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-286061, No. 2002-280183, No. 2002-299060, No. 2002. -302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837, and the like.

また、発光層は、ホスト化合物としてさらに蛍光極大波長を有するホスト化合物を含有していてもよい。この場合、他のホスト化合物とリン光性化合物から蛍光性化合物へのエネルギー移動で、有機EL素子としての電界発光は蛍光極大波長を有する他のホスト化合物からの発光も得られる。蛍光極大波長を有するホスト化合物として好ましいのは、溶液状態で蛍光量子収率が高いものである。ここで、蛍光量子収率は10%以上、特に30%以上が好ましい。具体的な蛍光極大波長を有するホスト化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素等が挙げられる。蛍光量子収率は、前記第4版実験化学講座7の分光IIの362頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定することができる。   Moreover, the light emitting layer may contain the host compound which has a fluorescence maximum wavelength further as a host compound. In this case, the energy transfer from the other host compound and the phosphorescent compound to the fluorescent compound allows electroluminescence as an organic EL element to be emitted from the other host compound having a fluorescence maximum wavelength. A host compound having a fluorescence maximum wavelength is preferably a compound having a high fluorescence quantum yield in a solution state. Here, the fluorescence quantum yield is preferably 10% or more, particularly preferably 30% or more. Specific host compounds having a maximum fluorescence wavelength include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, and pyrylium dyes. Perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, and the like. The fluorescence quantum yield can be measured by the method described in 362 (1992, Maruzen) of Spectroscopic II of the Fourth Edition Experimental Chemistry Course 7.

本明細書の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS−1000(ミノルタ製)で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。   The color emitted in this specification is the spectral radiance meter CS-1000 (Minolta) in FIG. 4.16 on page 108 of “New Color Science Handbook” (Edited by the Japan Society for Color Science, University of Tokyo Press, 1985). It is determined by the color when the measured result is applied to the CIE chromaticity coordinates.

発光層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。発光層としての膜厚は特に制限はないが、通常は5nm〜5μm、好ましくは5nm〜200nmの範囲で選ばれる。この発光層は、これらのリン光性化合物やホスト化合物が1種または2種以上からなる一層構造であってもよいし、あるいは、同一組成または異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。   The light emitting layer can be formed by forming the above compound by a known thinning method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, or an ink jet method. Although the film thickness as a light emitting layer does not have a restriction | limiting in particular, Usually, 5 nm-5 micrometers, Preferably it is chosen in the range of 5 nm-200 nm. The light emitting layer may have a single layer structure in which these phosphorescent compounds and host compounds are composed of one or more kinds, or may have a laminated structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. Good.

《ドーパント(蛍光性、リン光性)》
本発明に係る発光層は、ドーパントを含有することが好ましく、更にドーパントしてはリン光性ドーパントを含有することが好ましい。その結果、更に高い発光効率を得ることができる。
<< Dopant (Fluorescence, Phosphorescence) >>
The light emitting layer according to the present invention preferably contains a dopant, and further preferably contains a phosphorescent dopant. As a result, higher luminous efficiency can be obtained.

本発明に係るホスト化合物と併用可能なドーパント(発光性ドーパントともいう)について述べる。   A dopant (also referred to as a light-emitting dopant) that can be used in combination with the host compound according to the present invention will be described.

ドーパントは、大きくわけて、蛍光を発光する蛍光性ドーパントとリン光を発光するリン光性ドーパントの2種類がある。   The dopant is roughly classified into two types: a fluorescent dopant that emits fluorescence and a phosphorescent dopant that emits phosphorescence.

前者(蛍光性ドーパント)の代表例としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または、希土類錯体系蛍光体、その他公知の蛍光性化合物等が挙げられる。   Representative examples of the former (fluorescent dopant) include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, Examples include perylene dyes, stilbene dyes, polythiophene dyes, rare earth complex phosphors, and other known fluorescent compounds.

本発明に係る発光層に含有されるリン光性化合物は、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。例えば、特開2001−247859号公報に挙げられるイリジウム錯体、あるいは、国際公開第00/70,655号パンフレット16〜18ページに挙げられるような式で表される、例えば、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム等やオスミウム錯体、あるいは2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィリン白金錯体のような白金錯体もドーパントとして挙げられる。ドーパントとしてこのようなリン光性化合物を用いることにより、内部量子効率の高い発光有機EL素子を実現できる。   The phosphorescent compound contained in the light emitting layer according to the present invention can be appropriately selected from known materials used for the light emitting layer of the organic EL device. For example, an iridium complex described in JP-A No. 2001-247859, or a formula represented by International Publication No. 00 / 70,655, pages 16 to 18, for example, tris (2-phenylpyridine) A platinum complex such as iridium or the like or an osmium complex, or 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21H, 23H-porphyrin platinum complex may be used as the dopant. By using such a phosphorescent compound as a dopant, a light-emitting organic EL device with high internal quantum efficiency can be realized.

本発明で用いられるリン光性化合物としては、好ましくは元素周期表で8属、9属、10属に属するいずれか1種の金属を含有する錯体系化合物であり、更に好ましくは、イリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。   The phosphorescent compound used in the present invention is preferably a complex compound containing any one metal belonging to Group 8, Group 10, or Group 10 in the periodic table, more preferably an iridium compound, An osmium compound, a platinum compound (platinum complex compound), or a rare earth complex, and most preferably an iridium compound.

以下に、本発明に係るリン光性ドーパントの具体例を示すが、これらに限定されるものではない。これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.40巻、1704〜1711に記載の方法等により合成できる。   Although the specific example of the phosphorescent dopant which concerns on this invention is shown below, it is not limited to these. These compounds are described, for example, in Inorg. Chem. 40, 1704-1711, and the like.

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このほかにも、例えば、J.Am.Chem.Soc.123巻4304〜4312頁(2001年)、国際公開第00/70655号パンフレット、同第02/15645号パンフレット、特開2001−247859号公報、同2001−345183号公報、同2002−117978号公報、同2002−170684号公報、同2002−203678号公報、同2002−235076号公報、同2002−302671号公報、同2002−324679号公報、同2002−332291号公報、同2002−332292号公報、同2002−338588号公報等に記載の一般式であげられるイリジウム錯体、あるいは、具体的例として挙げられるイリジウム錯体、特開2002−8860号公報記載の式(IV)で表されるイリジウム錯体等が挙げられる。   In addition, for example, J. et al. Am. Chem. Soc. 123, 4304-4312 (2001), International Publication No. 00/70655 pamphlet, No. 02/15645 pamphlet, JP-A No. 2001-247859, No. 2001-345183, No. 2002-117978, 2002-170684, 2002-203678, 2002-235076, 2002-302671, 2002-324679, 2002-332291, 2002-332292, Examples include iridium complexes represented by the general formula described in JP 2002-338588 A, etc., iridium complexes exemplified as specific examples, iridium complexes represented by formula (IV) described in JP 2002-8860 A, and the like. It is done.

本発明に係るリン光性化合物は、溶液中のリン光量子収率が25℃において0.001以上であることが好ましく、更に好ましくは0.01以上であり、特に好ましくは0.1以上である。   The phosphorescent compound according to the present invention preferably has a phosphorescence quantum yield in solution of 0.001 or more at 25 ° C., more preferably 0.01 or more, and particularly preferably 0.1 or more. .

リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398ページ(1992年版、丸善)に記載の方法で測定することが出来る。   The phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of the 4th edition, Experimental Chemistry Course 7.

《阻止層》:正孔阻止層、電子阻止層
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層であり、発光層に隣接して設けられている。正孔阻止層は電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
<< Blocking Layer >>: Hole Blocking Layer, Electron Blocking Layer The hole blocking layer is an electron transporting layer in a broad sense, and is provided adjacent to the light emitting layer. The hole blocking layer is made of a hole blocking material that has a function of transporting electrons but has a very small ability to transport holes, and the probability of recombination of electrons and holes by blocking holes while transporting electrons. Can be improved.

正孔阻止層は、正孔輸送層から移動してくる正孔を陰極に到達するのを阻止する役割と、陰極から注入された電子を効率よく発光層の方向に輸送することができる化合物により形成される。正孔阻止層を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、及び正孔を効率的に発光層内に閉じこめるために、発光層のイオン化ポテンシャルより大きいイオン化ポテンシャルの値を有するか、発光層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有することが好ましい。正孔阻止材料としては、スチリル化合物、トリアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ボロン誘導体の少なくとも1種を用いることも本発明の効果を得るうえで有効である。   The hole blocking layer has a role of blocking the holes moving from the hole transport layer from reaching the cathode and a compound that can efficiently transport the electrons injected from the cathode toward the light emitting layer. It is formed. The physical properties required of the material constituting the hole blocking layer are higher than the ionization potential of the light emitting layer in order to have high electron mobility and low hole mobility and to efficiently confine holes in the light emitting layer. It is preferable to have a value of ionization potential or a band gap larger than that of the light emitting layer. Use of at least one of styryl compounds, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, oxadiazole derivatives, and boron derivatives as the hole blocking material is also effective in obtaining the effects of the present invention.

その他の化合物例として、特開2003−31367号公報、同2003−31368号公報、特許第2721441号等に記載の例示化合物が挙げられる。   Examples of other compounds include exemplified compounds described in JP-A Nos. 2003-31367, 2003-31368, and Japanese Patent No. 2721441.

一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層であり、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。   On the other hand, the electron blocking layer is a hole transport layer in a broad sense, made of a material that has a function of transporting holes and has a very small ability to transport electrons, and blocks electrons while transporting holes. Thus, the probability of recombination of electrons and holes can be improved.

この正孔阻止層、電子阻止層は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。   The hole blocking layer and the electron blocking layer can be formed by thinning the above material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an ink jet method, or an LB method. .

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
《Hole transport layer》
The hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。   The hole transport material has any one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic.

例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等の従来公知の材料を用いてもよい。   For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Conventionally known materials such as stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers, may be used.

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。   As the hole transport material, those described above can be used, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.

芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、さらには、米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。   Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl; N, N′-diphenyl-N, N′— Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and two more described in US Pat. No. 5,061,569 Having a condensed aromatic ring of, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-308 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (MTDATA) in which three triphenylamine units described in No. 88 are linked in a starburst type ) And the like.

さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型−Si,p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used. In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.

正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。この正孔輸送層は、上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。   The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. it can. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of a positive hole transport layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5 nm-200 nm. This hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

《電子輸送層》
本発明に係る電子輸送層は、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
《Electron transport layer》
The electron transport layer according to the present invention is only required to have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer, and as the material thereof, any one of conventionally known compounds can be selected and used. Can do.

この電子輸送層に用いられる材料(以下、電子輸送材料という)の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引性基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。   Examples of materials used for this electron transport layer (hereinafter referred to as electron transport materials) include heterocyclic tetracarboxylic acid anhydrides such as nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, naphthalene perylene, carbodiimides, Examples include fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, and oxadiazole derivatives. Furthermore, in the oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron-withdrawing group can also be used as an electron transport material. .

更に、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

または、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えばトリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq3)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。   Or metal complexes of 8-quinolinol derivatives, such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq3), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum, Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc., and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Cu , Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as an electron transport material.

その他、メタルフリーまたはメタルフタロシアニン、更には、それらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。または、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様に、n型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。   In addition, metal-free or metal phthalocyanine, and those having the terminal substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material. Alternatively, the distyrylpyrazine derivative exemplified as the material for the light-emitting layer can also be used as an electron transport material, and, like the hole injection layer and the hole transport layer, inorganic such as n-type-Si and n-type-SiC A semiconductor can also be used as an electron transport material.

この電子輸送層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法等の公知の薄膜形成法により製膜して形成することができる。   The electron transport layer can be formed by forming the above compound by a known thin film forming method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method.

(電子輸送層の膜厚)
電子輸送層は、上記電子輸送材料を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。電子輸送層は、上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。
(Film thickness of electron transport layer)
The electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5 nm-200 nm. The electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

《陽極》
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In23 -ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1000nm、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれる。
"anode"
As the anode in the organic EL element, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used. Specific examples of such electrode materials include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 and ZnO. Further, IDIXO - it may be used (In 2 O 3 ZnO) spruce amorphous in can prepare a transparent conductive film material. For the anode, a thin film may be formed by depositing these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when the pattern accuracy is not required (100 μm or more) Degree), a pattern may be formed through a mask having a desired shape when the electrode material is deposited or sputtered. When light emission is extracted from the anode, it is desirable that the transmittance is greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less. Further, although the film thickness depends on the material, it is usually selected in the range of 10 nm to 1000 nm, preferably 10 nm to 200 nm.

《陰極》
一方、陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えばマグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al23)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
"cathode"
On the other hand, as the cathode, a material having a low work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, and a mixture thereof as an electrode material is used. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like. Among these, a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function value than this, such as a magnesium / silver mixture, magnesium, from the viewpoint of electron injectability and durability against oxidation, etc. / Aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred.

陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。   The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 to 200 nm. In order to transmit the emitted light, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the emission luminance is advantageously improved.

また、陰極に上記金属を1nm〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。   Moreover, after producing the said metal by the film thickness of 1 nm-20 nm to a cathode, the transparent or semi-transparent cathode can be produced by producing the electroconductive transparent material quoted by description of the anode on it, By applying this, an element in which both the anode and the cathode are transmissive can be manufactured.

次に、本発明の有機EL素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。   Next, an injection layer, a blocking layer, an electron transport layer, and the like used as a constituent layer of the organic EL element of the present invention will be described.

《バッファ層》:陽極バッファ層、陰極バッファ層
注入層は必要に応じて設け、陰極バッファ層(電子注入層)と陽極バッファ層(正孔注入層)があり、上記のごとく陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び、陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
<< Buffer layer >>: Anode buffer layer, cathode buffer layer An injection layer is provided as necessary, and includes a cathode buffer layer (electron injection layer) and an anode buffer layer (hole injection layer). You may exist between a positive hole transport layer and between a cathode and a light emitting layer or an electron carrying layer.

バッファ層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、陽極バッファ層と陰極バッファ層とがある。   The buffer layer is a layer that is provided between the electrode and the organic layer in order to lower the driving voltage and improve the light emission luminance. “The organic EL element and the forefront of its industrialization (November 30, 1998, issued by NTT Corporation) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) in detail, and includes an anode buffer layer and a cathode buffer layer.

陽極バッファ層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファ層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファ層、アモルファスカーボンバッファ層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファ層等が挙げられる。   The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A Nos. 9-45479, 9-260062, and 8-288069. Specific examples thereof include copper phthalocyanine. Examples thereof include a phthalocyanine buffer layer, an oxide buffer layer typified by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.

陰極バッファ層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファ層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファ層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファ層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファ層等が挙げられる。上記バッファ層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるが、その膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。   The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. A metal buffer layer typified by lithium fluoride, an alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, an alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, an oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc. . The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 μm, although it depends on the material.

《基体(基板、基材、支持体等ともいう)》
本発明の有機EL素子は基体上に形成されているのが好ましい。
<< Substrate (also referred to as substrate, substrate, support, etc.) >>
The organic EL device of the present invention is preferably formed on a substrate.

本発明の有機EL素子に係る基体としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明のものであれば特に制限はないが、好ましく用いられる基板としては例えばガラス、石英、光透過性樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基体は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。   The substrate of the organic EL device of the present invention is not particularly limited to the type of glass, plastic, etc., and is not particularly limited as long as it is transparent. Examples of substrates that are preferably used include glass, quartz, A light transmissive resin film can be mentioned. A particularly preferable substrate is a resin film that can give flexibility to the organic EL element.

樹脂フィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)等を有するフィルム等が挙げられる。また、樹脂フィルムの表面には、無機物または有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよい。   Examples of the resin film include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate (PEN), polyethersulfone (PES), polyetherimide, polyetheretherketone, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyimide, polycarbonate (PC), and cellulose triacetate. Examples thereof include films having (TAC), cellulose acetate propionate (CAP) and the like. In addition, an inorganic or organic film or a hybrid film of both may be formed on the surface of the resin film.

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光の室温における外部取り出し効率は1%以上であることが好ましく、より好ましくは5%以上である。ここに、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。   The external extraction efficiency at room temperature for light emission of the organic electroluminescence device of the present invention is preferably 1% or more, more preferably 5% or more. Here, the external extraction quantum efficiency (%) = the number of photons emitted to the outside of the organic EL element / the number of electrons sent to the organic EL element × 100.

また、カラーフィルタ等の色相改良フィルタ等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルタを併用してもよい。色変換フィルタを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。   In addition, a hue improvement filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter that converts the emission color from the organic EL element into multiple colors using a phosphor may be used in combination. In the case of using a color conversion filter, the λmax of light emission of the organic EL element is preferably 480 nm or less.

《有機EL素子の作製方法》
本発明の有機EL素子の作製方法の一例として、陽極/陽極バッファ層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファ層/陰極からなる有機EL素子の作製法について説明する。
<< Method for producing organic EL element >>
As an example of the method for producing the organic EL device of the present invention, a method for producing an organic EL device comprising an anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode. explain.

まず適当な基体上に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜を、1μm以下、好ましくは10nm〜200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製する。次に、この上に有機EL素子材料である陽極バッファ層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファ層の有機化合物薄膜を形成させる。   First, a thin film made of a desired electrode material, for example, an anode material is formed on a suitable substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably 10 nm to 200 nm, thereby producing an anode. To do. Next, an organic compound thin film of an anode buffer layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, and a cathode buffer layer, which are organic EL element materials, is formed thereon.

この有機化合物薄膜の薄膜化の方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス(スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法)等があるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法が特に好ましい。さらに層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は、使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50℃〜450℃、真空度10-6Pa〜10-2Pa、蒸着速度0.01nm/秒〜50nm/秒、基板温度−50℃〜300℃、膜厚0.1nm〜5μm、好ましくは5nm〜200nmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。 As a method for thinning the organic compound thin film, there are a vapor deposition method and a wet process (spin coating method, casting method, ink jet method, printing method) as described above, but it is easy to obtain a uniform film and a pinhole. From the point of being difficult to form, a vacuum deposition method, a spin coating method, an ink jet method, and a printing method are particularly preferable. Further, different film forming methods may be applied for each layer. When a vapor deposition method is employed for film formation, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, but generally a boat heating temperature of 50 ° C. to 450 ° C., a vacuum degree of 10 −6 Pa to 10 −2 Pa, and a vapor deposition rate of 0 It is desirable to select appropriately within a range of 0.01 nm / second to 50 nm / second, a substrate temperature of −50 ° C. to 300 ° C., and a film thickness of 0.1 nm to 5 μm, preferably 5 nm to 200 nm.

これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、1μm以下好ましくは50〜200nmの範囲の膜厚になるように、例えば蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより、所望の有機EL素子が得られる。この有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施してもかまわない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。   After forming these layers, a thin film made of a cathode material is formed thereon by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 to 200 nm, and a cathode is provided. Thus, a desired organic EL element can be obtained. The organic EL element is preferably produced from the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but may be taken out halfway and subjected to different film forming methods. At that time, it is necessary to consider that the work is performed in a dry inert gas atmosphere.

本発明の多色の表示装置は、発光層形成時のみシャドーマスクを設け、他層は共通であるのでシャドーマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。   The multicolor display device of the present invention is provided with a shadow mask only when the light emitting layer is formed, and the other layers are common, so that patterning of the shadow mask or the like is unnecessary, and the evaporation method, the casting method, the spin coating method, the ink jet method on one side. A film can be formed by a method or a printing method.

発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを用いたパターニングが好ましい。   When patterning is performed only on the light-emitting layer, the method is not limited, but a vapor deposition method, an inkjet method, and a printing method are preferable. In the case of using a vapor deposition method, patterning using a shadow mask is preferable.

また作製順序を逆にして、陰極、陰極バッファ層、電子輸送層、正孔輸送層、発光層、正孔輸送層、陽極バッファ層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2〜40V程度を印加すると、発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。   In addition, it is also possible to reverse the production order to produce a cathode, a cathode buffer layer, an electron transport layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole transport layer, an anode buffer layer, and an anode in this order. When a DC voltage is applied to the multicolor display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. An alternating voltage may be applied. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.

本発明の表示装置は、表示デバイス、ディスプレー、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレーにおいて、青、赤、緑発光の3種の有機EL素子を用いることにより、フルカラーの表示が可能となる。   The display device of the present invention can be used as a display device, a display, and various light emission sources. In a display device or a display, full-color display is possible by using three types of organic EL elements of blue, red, and green light emission.

表示デバイス、ディスプレーとしてはテレビ、パソコン、モバイル機器、AV機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリックス(パッシブマトリックス)方式でもアクティブマトリックス方式でもどちらでもよい。   Examples of the display device and display include a television, a personal computer, a mobile device, an AV device, a character broadcast display, and an information display in an automobile. In particular, it may be used as a display device for reproducing still images and moving images, and the driving method when used as a display device for reproducing moving images may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.

本発明の照明装置は、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサの光源等が挙げられるがこれに限定するものではない。   The lighting device of the present invention includes home lighting, interior lighting, clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources of optical storage media, light sources of electrophotographic copying machines, light sources of optical communication processors, light sensors Although a light source etc. are mentioned, it is not limited to this.

また、本発明に係る有機EL素子に共振器構造を持たせた有機EL素子として用いてもよい。   Further, the organic EL element according to the present invention may be used as an organic EL element having a resonator structure.

このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザ発振をさせることにより、上記用途に使用してもよい。   Examples of the purpose of use of the organic EL element having such a resonator structure include a light source of an optical storage medium, a light source of an electrophotographic copying machine, a light source of an optical communication processing machine, and a light source of an optical sensor. It is not limited. Moreover, you may use for the said use by making a laser oscillation.

《表示装置》
本発明の有機EL素子は、照明用や露光光源のような1種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用してもよい。動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を3種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。または、一色の発光色、例えば白色発光をカラーフィルタを用いてBGRにし、フルカラー化することも可能である。さらに、有機ELの発光色を色変換フィルタを用いて他色に変換しフルカラー化することも可能であるが、その場合、有機EL発光のλmaxは480nm以下であることが好ましい。
<Display device>
The organic EL element of the present invention may be used as one kind of lamp for illumination or exposure light source, a projection device for projecting an image, or a display for directly viewing a still image or a moving image. It may be used as a device (display). When used as a display device for reproducing moving images, the driving method may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method. Alternatively, a full-color display device can be manufactured by using three or more organic EL elements of the present invention having different emission colors. Alternatively, it is possible to make a single color emission color, for example, white emission, into BGR using a color filter to achieve full color. Further, it is possible to convert the emission color of the organic EL to another color by using a color conversion filter, and in this case, λmax of the organic EL emission is preferably 480 nm or less.

本発明の有機EL素子を構成として有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。   An example of a display device having the organic EL element of the present invention as a configuration will be described with reference to the drawings.

図1は、有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。   FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an example of a display device including organic EL elements. It is a schematic diagram of a display such as a mobile phone that displays image information by light emission of an organic EL element.

ディスプレイ1は、複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B等からなる。   The display 1 includes a display unit A having a plurality of pixels, a control unit B that performs image scanning of the display unit A based on image information, and the like.

制御部Bは、表示部Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。   The control unit B is electrically connected to the display unit A, and sends a scanning signal and an image data signal to each of the plurality of pixels based on image information from the outside. The pixels for each scanning line are converted into image data signals by the scanning signal. In response to this, light is sequentially emitted and image scanning is performed to display image information on the display unit A.

図2は、表示部Aの模式図を表す。   FIG. 2 is a schematic diagram of the display unit A.

表示部Aは基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と、複数の画素3等とを有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。図2においては、画素3の発光した光が、白矢印方向(下方向)へ取り出される場合を示している。   The display unit A includes a wiring unit including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6, a plurality of pixels 3 and the like on a substrate. The main members of the display unit A will be described below. FIG. 2 shows a case where the light emitted from the pixel 3 is extracted in the direction of the white arrow (downward).

配線部の走査線5及び複数のデータ線6は、各々導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示せず)。   The scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 in the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a grid pattern and are connected to the pixels 3 at orthogonal positions (details are shown in FIG. Not shown).

画素3は、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を、適宜、同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。   When a scanning signal is applied from the scanning line 5, the pixel 3 receives an image data signal from the data line 6 and emits light according to the received image data. Full color display is possible by appropriately arranging pixels in the red region, the green region, and the blue region that emit light on the same substrate.

次に、画素の発光プロセスを説明する。   Next, the light emission process of the pixel will be described.

図3は、画素の模式図を表す。   FIG. 3 shows a schematic diagram of a pixel.

画素は、有機EL素子10、スイッチングトランジスタ11、駆動トランジスタ12、コンデンサ13等を備えている。複数の画素に有機EL素子10として、赤色、緑色、青色発光の有機EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。   The pixel includes an organic EL element 10, a switching transistor 11, a driving transistor 12, a capacitor 13, and the like. A full color display can be performed by using red, green, and blue light emitting organic EL elements as the organic EL elements 10 in a plurality of pixels, and juxtaposing them on the same substrate.

図3において、制御部Bからデータ線6を介してスイッチングトランジスタ11のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Bから走査線5を介してスイッチングトランジスタ11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ13と駆動トランジスタ12のゲートに伝達される。   In FIG. 3, an image data signal is applied from the control unit B to the drain of the switching transistor 11 through the data line 6. When a scanning signal is applied from the control unit B to the gate of the switching transistor 11 via the scanning line 5, the driving of the switching transistor 11 is turned on, and the image data signal applied to the drain is supplied to the capacitor 13 and the driving transistor 12. Is transmitted to the gate.

画像データ信号の伝達により、コンデンサ13が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ12の駆動がオンする。駆動トランジスタ12は、ドレインが電源ライン7に接続され、ソースが有機EL素子10の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン7から有機EL素子10に電流が供給される。   By transmitting the image data signal, the capacitor 13 is charged according to the potential of the image data signal, and the drive of the drive transistor 12 is turned on. The drive transistor 12 has a drain connected to the power supply line 7 and a source connected to the electrode of the organic EL element 10, and the power supply line 7 connects to the organic EL element 10 according to the potential of the image data signal applied to the gate. Current is supplied.

制御部Bの順次走査により走査信号が次の走査線5に移ると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフしてもコンデンサ13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ12の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機EL素子10の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ12が駆動して有機EL素子10が発光する。   When the scanning signal is moved to the next scanning line 5 by the sequential scanning of the control unit B, the driving of the switching transistor 11 is turned off. However, even if the driving of the switching transistor 11 is turned off, the capacitor 13 maintains the potential of the charged image data signal, so that the driving of the driving transistor 12 is kept on and the next scanning signal is applied. Until then, the light emission of the organic EL element 10 continues. When the scanning signal is next applied by sequential scanning, the driving transistor 12 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 10 emits light.

すなわち、有機EL素子10の発光は、複数の画素それぞれの有機EL素子10に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ11と駆動トランジスタ12を設けて、複数の画素3それぞれの有機EL素子10の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。   That is, the organic EL element 10 emits light by the switching transistor 11 and the drive transistor 12 that are active elements for the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels, and the light emission of the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels 3. It is carried out. Such a light emitting method is called an active matrix method.

ここで、有機EL素子10の発光は、複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、2値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。   Here, the light emission of the organic EL element 10 may be light emission of a plurality of gradations by a multi-value image data signal having a plurality of gradation potentials, or on / off of a predetermined light emission amount by a binary image data signal. But you can.

また、コンデンサ13の電位の保持は、次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。   The potential of the capacitor 13 may be held continuously until the next scanning signal is applied, or may be discharged immediately before the next scanning signal is applied.

本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。   In the present invention, not only the active matrix method described above, but also a passive matrix light emission drive in which an organic EL element emits light according to a data signal only when a scanning signal is scanned.

図4は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図4において、複数の走査線5と複数の画像データ線6が画素3を挟んで対向して格子状に設けられている。   FIG. 4 is a schematic view of a passive matrix display device. In FIG. 4, a plurality of scanning lines 5 and a plurality of image data lines 6 are provided in a lattice shape so as to face each other with the pixel 3 interposed therebetween.

順次走査により走査線5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線5に接続している画素3が画像データ信号に応じて発光する。パッシブマトリクス方式では画素3にアクティブ素子がなく、製造コストの低減が計れる。   When the scanning signal of the scanning line 5 is applied by sequential scanning, the pixels 3 connected to the applied scanning line 5 emit light according to the image data signal. In the passive matrix system, the pixel 3 has no active element, and the manufacturing cost can be reduced.

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention, this invention is not limited to these.

実施例1
《有機EL素子OLED1−1の作製》
陽極としてガラス上にITOを150nm成膜したガラス基板(NHテクノグラス社製:NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けたガラス基板をiso−プロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 1
<< Production of Organic EL Element OLED1-1 >>
After patterning on a glass substrate (NH Techno Glass Co., Ltd .: NA-45) having a 150 nm ITO film formed on glass as an anode, the glass substrate provided with this ITO transparent electrode was ultrasonically cleaned with iso-propyl alcohol. Then, it was dried with dry nitrogen gas, and UV ozone cleaning was performed for 5 minutes.

このガラス基板を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、5つのタンタル製抵抗加熱ボートに、α−NPD、CBP、Ir−1、BCP、Alq3をそれぞれ入れ、真空蒸着装置(第1真空槽)に取付けた。 This glass substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus, while α-NPD, CBP, Ir-1, BCP, and Alq 3 are placed in five tantalum resistance heating boats, respectively. The first vacuum chamber was attached.

さらにタンタル製抵抗加熱ボートにフッ化リチウムを、タングステン製抵抗加熱ボートにアルミニウムをそれぞれ入れ、真空蒸着装置の第2真空槽に取り付けた。   Further, lithium fluoride was placed in a tantalum resistance heating boat, and aluminum was placed in a tungsten resistance heating boat, and the tantalum resistance heating boat was attached to the second vacuum chamber of the vacuum evaporation apparatus.

まず、第1の真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、α−NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm〜0.2nm/秒で透明支持基板に膜厚25nmの厚さになるように蒸着し、正孔注入/輸送層を設けた。 First, the first vacuum chamber is depressurized to 4 × 10 −4 Pa, and then heated by energizing the heating boat containing α-NPD, and the transparent support substrate is deposited at a deposition rate of 0.1 nm to 0.2 nm / sec. The film was deposited to a thickness of 25 nm to provide a hole injection / transport layer.

さらに、CBPの入った前記加熱ボートとIr−1の入ったボートをそれぞれ独立に通電して発光ホストであるCBPと発光ドーパントであるIr−1の蒸着速度が100:7になるように調節し膜厚30nmの厚さになるように蒸着し、発光層を設けた。   Further, the heating boat containing CBP and the boat containing Ir-1 are energized independently to adjust the deposition rate of CBP as a light emitting host and Ir-1 as a light emitting dopant to 100: 7. A light emitting layer was provided by vapor deposition so as to have a thickness of 30 nm.

ついで、BCPの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1〜0.2nm/秒で厚さ10nmの電子輸送層を設けた。更に、Alq3の入った前記加熱ボートを通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒〜0.2nm/秒で膜厚40nmの電子注入層を設けた。 Subsequently, the heating boat containing BCP was heated by applying electricity, and an electron transport layer having a thickness of 10 nm was provided at a deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / second. Further, the heating boat containing Alq 3 was heated by energization to provide an electron injection layer having a film thickness of 40 nm at a deposition rate of 0.1 nm / second to 0.2 nm / second.

次に、前記の如く電子注入層まで製膜した素子を真空のまま第2真空槽に移した後、電子注入層の上にステンレス鋼製の長方形穴あきマスクが配置されるように装置外部からリモートコントロールして設置した。   Next, after the element formed up to the electron injection layer as described above is transferred to the second vacuum chamber in a vacuum state, a stainless steel rectangular perforated mask is disposed on the electron injection layer from the outside of the apparatus. Installed with remote control.

第2真空槽を2×10-4Paまで減圧した後、フッ化リチウム入りのボートに通電して蒸着速度0.01nm/秒〜0.02nm/秒で膜厚0.5nmの陰極バッファー層を設け、次いでアルミニウムの入ったボートに通電して蒸着速度1〜2nm/秒で膜厚150nmの陰極をつけた。 After reducing the pressure in the second vacuum chamber to 2 × 10 −4 Pa, a cathode buffer layer having a film thickness of 0.5 nm was formed at a deposition rate of 0.01 nm / second to 0.02 nm / second by energizing a boat containing lithium fluoride. Then, a boat containing aluminum was energized to attach a cathode having a film thickness of 150 nm at a deposition rate of 1 to 2 nm / second.

さらにこの有機EL素子を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスで置換したグローブボックス)へ移し、図5の(a)、(b)に示したような封止構造にして、OLED1−1を作製した。   Further, this organic EL element was transferred to a glove box under nitrogen atmosphere (a glove box substituted with high-purity nitrogen gas with a purity of 99.999% or more) without being brought into contact with the atmosphere, and the results are shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b). An OLED 1-1 was fabricated with the sealing structure as shown.

尚、捕水剤である酸化バリウム25は、アルドリッチ社製の高純度酸化バリウム粉末を、粘着剤付きのフッ素樹脂系半透過膜(ミクロテックス S−NTF8031Q 日東電工製)でガラス製封止缶24に貼り付けたものを予め準備して使用した。封止缶と有機EL素子の接着には紫外線硬化型の接着剤27を用い、紫外線ランプを照射することで両者を接着し封止した封止構造を有する素子を作製した。図において21は透明電極を設けたガラス基板、22が前記正孔注入/輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層等からなる有機EL層、23は陰極を示す。   In addition, barium oxide 25 which is a water catching agent is a glass sealing can 24 made of high-purity barium oxide powder manufactured by Aldrich with a fluororesin semi-permeable membrane (Microtex S-NTF8031Q manufactured by Nitto Denko) with an adhesive. The material pasted on was prepared and used in advance. An ultraviolet curable adhesive 27 was used for adhering the sealing can and the organic EL element, and an element having a sealing structure was produced by adhering and sealing both by irradiating an ultraviolet lamp. In the figure, 21 is a glass substrate provided with a transparent electrode, 22 is an organic EL layer comprising the hole injection / transport layer, light emitting layer, hole blocking layer, electron transport layer, cathode buffer layer and the like, and 23 is a cathode.

《有機EL素子OLED1−2〜1−19の作製》
上記の有機EL素子OLED1−1の作製において、発光ホストを表1に記載の化合物にかえた以外は同様にして、有機EL素子OLED1−2〜1−19を各々作製した。
<< Production of Organic EL Elements OLED1-2 to 1-19 >>
In the production of the organic EL element OLED1-1, organic EL elements OLED1-2 to 1-19 were produced in the same manner except that the light-emitting host was changed to the compounds shown in Table 1.

得られた有機EL素子OLED1−1〜OLED1−19の各々について下記のような評価を行った。   The following evaluation was performed about each of obtained organic EL element OLED1-1-OLED1-19.

Figure 0004552436
Figure 0004552436

Figure 0004552436
Figure 0004552436

《発光寿命、外部取り出し量子効率》
有機EL素子OLED1−1〜1−19の各々の素子を温度23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で2.5mA/cm2の低電流条件下による連続点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度(L)[cd/m2]および発光効率をみるため外部取り出し量子効率(η)を測定した。ここで、発光輝度[cd/m2]については、ミノルタ製CS−1000を用いて測定した。また、
外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100
であり、外部取り出し量効率の測定法は、分光放射輝度計CS−1000により測定した発光スペクトルを各波長の光子のエネルギーから380nm〜780nmの光子数を求め、さらにランバーシアン仮定に基づき発光面から発光した光子数を求めた。また、電流量から電子数を求めた。
《Luminescence lifetime, external extraction quantum efficiency》
Each of the organic EL elements OLED1-1 to 1-19 is continuously lit under a low current condition of 2.5 mA / cm 2 at a temperature of 23 ° C. and in a dry nitrogen gas atmosphere. ) External extraction quantum efficiency (η) was measured to see [cd / m 2 ] and luminous efficiency. Here, the light emission luminance [cd / m 2 ] was measured using Minolta CS-1000. Also,
External extraction quantum efficiency (%) = number of photons emitted to the outside of the organic EL element / number of electrons sent to the organic EL element × 100
The method for measuring the external extraction efficiency is to obtain the number of photons from 380 nm to 780 nm from the photon energy of each wavelength from the emission spectrum measured by the spectral radiance meter CS-1000, and further from the light emitting surface based on the Lambertian assumption. The number of photons emitted was determined. In addition, the number of electrons was determined from the amount of current.

また、発光寿命については、OLED1−1〜1−19の各々の素子を温度23℃、2.5mA/m2の低電流条件下による連続点灯を行ったときの、初期輝度が半分になるのに要する時間(τ1/2)を測定した。 As for the light emission lifetime, the initial luminance is halved when each of the elements of OLEDs 1-1 to 1-19 is continuously lit under a low current condition of a temperature of 23 ° C. and 2.5 mA / m 2 . The time required for (τ1 / 2) was measured.

また、外部取り出し量子効率(発光効率)および発光寿命は、各々有機EL素子OLED1−1を100としたときの相対値で表した。得られた結果を表1に示す。尚、発光色はすべての素子で緑色であった。   Further, the external extraction quantum efficiency (luminous efficiency) and the light emission lifetime are expressed as relative values when the organic EL element OLED1-1 is 100. The obtained results are shown in Table 1. The emission color was green in all the elements.

Figure 0004552436
Figure 0004552436

表1から、本発明に係わる化合物をホスト化合物として用いたときに、発光効率が高く、又、発光寿命も長いことがわかる。   From Table 1, it can be seen that when the compound according to the present invention is used as a host compound, the luminous efficiency is high and the luminous lifetime is also long.

実施例2
《有機EL素子OLED2−1の作製》
実施例1のOLED1−1の正孔注入/輸送層のα−NPDをm−MTDATXAに変更し、発光層の作製に用いたCBPはそのままにして、発光ドーパント(Ir−1)をIr−12に変更した以外は同様にして、有機EL素子OLED2−1を得た。
Example 2
<< Production of Organic EL Element OLED2-1 >>
The α-NPD of the hole injection / transport layer of the OLED 1-1 of Example 1 was changed to m-MTDATXA, the CBP used for the production of the light emitting layer was left as it was, and the light emitting dopant (Ir-1) was Ir-12. Except having changed into, it carried out similarly and obtained organic EL element OLED2-1.

Figure 0004552436
Figure 0004552436

《有機EL素子OLED2−2〜2−20の作製》
上記の有機EL素子OLED2−1の発光層に用いた比較化合物CBPを表2に記載の化合物にかえ、有機EL素子OLED2−2〜2−20をそれぞれ作製した。
<< Production of Organic EL Elements OLED2-2 to 2-20 >>
The comparative compound CBP used for the light emitting layer of the organic EL element OLED2-1 was changed to the compounds shown in Table 2, and organic EL elements OLED2-2 to 2-20 were produced.

得られた有機EL素子OLED2−1〜2−20の各々について下記のような評価を行った。   The following evaluation was performed about each of obtained organic EL element OLED2-1 to 2-20.

《発光寿命》
得られた有機EL素子OLED2−1〜2−20の各々の素子を、温度23℃、2.5mA/m2の低電流条件下による連続点灯を行い、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間(τ1/2)を測定した。また、点灯開始直後の発光輝度(L)[cd/m2]および外部取り出し量子効率(η)を測定した。輝度の測定にはミノルタ製CS−1000を用い、外部取り出し量子効率(η)を前記と同様に評価した。
<Luminescent life>
Each of the obtained organic EL elements OLED2-1 to 2-20 is continuously lit under a low current condition of a temperature of 23 ° C. and 2.5 mA / m 2 to obtain half the initial luminance. The time required (τ1 / 2) was measured. In addition, light emission luminance (L) [cd / m 2 ] and external extraction quantum efficiency (η) immediately after the start of lighting were measured. Minolta CS-1000 was used for luminance measurement, and the external extraction quantum efficiency (η) was evaluated in the same manner as described above.

発光寿命、外部取り出し量子効率(η)(発光効率)は、それぞれ有機EL素子OLED2−1を100としたときの相対値で表し、得られた結果を表2に示す。尚、発光色はいずれも青色だった。   The light emission lifetime and the external extraction quantum efficiency (η) (light emission efficiency) are expressed as relative values when the organic EL element OLED2-1 is set to 100, and the results obtained are shown in Table 2. The emission color was blue.

Figure 0004552436
Figure 0004552436

表2から、発光ドーパントをかえた系においても、本発明に係わる化合物をホスト化合物として用いると、発光効率が高く、又、発光寿命も長いことがわかる。   From Table 2, it can be seen that even in a system in which the luminescent dopant is changed, when the compound according to the present invention is used as a host compound, the luminous efficiency is high and the luminescent lifetime is long.

実施例3
《フルカラー表示装置の作製》
〈青色発光素子〉
前記OLED2−10を青色発光素子として用いた。
Example 3
<Production of full-color display device>
<Blue light emitting element>
The OLED 2-10 was used as a blue light emitting element.

〈緑色発光素子〉
前記OLED1−7を緑色発光素子として用いた。
<Green light emitting element>
The OLED 1-7 was used as a green light emitting element.

〈赤色発光素子〉
上記の緑色発光素子OLED1−7の作製において、発光ドーパントをIr−1からIr−9に換えた以外は同様にして、赤色発光素子を作製した。
<Red light emitting element>
A red light emitting device was produced in the same manner as in the production of the green light emitting device OLED1-7, except that the light emitting dopant was changed from Ir-1 to Ir-9.

上記で作製した、各々赤色、緑色、青色発光有機EL素子を同一基板上に並置し、図2に記載のような形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製した。図2には、作製した前記表示装置の表示部Aの模式図のみを示した。即ち、同一基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と、並置した複数の画素3(発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等)とを有し、配線部の走査線5及び複数のデータ線6は、それぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示せず)。前記複数画素3は、それぞれの発光色に対応した有機EL素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。この様に各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示が可能となる。   Each of the red, green and blue light emitting organic EL elements produced above was juxtaposed on the same substrate to produce an active matrix type full color display device having the form as shown in FIG. In FIG. 2, only the schematic diagram of the display part A of the produced display device is shown. That is, a wiring portion including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6 on the same substrate, and a plurality of juxtaposed pixels 3 (light emission color is a red region pixel, a green region pixel, a blue region pixel, etc.) The scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 in the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a lattice shape and are connected to the pixels 3 at orthogonal positions. (Details not shown). The plurality of pixels 3 are driven by an active matrix system provided with an organic EL element corresponding to each emission color, a switching transistor as an active element, and a driving transistor, and a scanning signal is applied from a scanning line 5. Then, an image data signal is received from the data line 6 and light is emitted according to the received image data. In this way, full-color display is possible by appropriately juxtaposing the red, green, and blue pixels.

該フルカラー表示装置を駆動することにより、輝度が高く、高耐久性を有し、かつ、鮮明なフルカラー動画表示が得られることが判った。   It has been found that by driving the full-color display device, a clear full-color moving image display having high luminance, high durability, and clearness can be obtained.

実施例4(照明装置の実施例、白色の有機EL素子使用)
実施例1で作製した有機EL素子1−7において、発光層に用いたIr−1を、Ir−1、Ir−9、Ir−12の混合物に変更した以外は有機EL素子1−7と同様の方法で作製した有機EL素子1−7W(白色)を用いた。有機EL素子1−7W(白色)の非発光面をガラスケースで覆い、照明装置とした。照明装置は、発光効率が高く発光寿命の長い白色光を発する薄型の照明装置として使用することができた。
Example 4 (Example of lighting device, using white organic EL element)
In the organic EL element 1-7 produced in Example 1, the same as the organic EL element 1-7 except that Ir-1 used in the light emitting layer was changed to a mixture of Ir-1, Ir-9, and Ir-12. The organic EL device 1-7W (white) produced by the above method was used. The non-light emitting surface of the organic EL element 1-7W (white) was covered with a glass case to obtain a lighting device. The illuminating device could be used as a thin illuminating device that emits white light with high luminous efficiency and long emission life.

図6は照明装置の概略図で、図7は照明装置の断面図である。有機EL素子101をガラスカバー102で覆い、電源線(陽極)103と、電源線(陰極)104で接続している。105は陰極で106は有機EL層である。なおガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。   FIG. 6 is a schematic view of the lighting device, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the lighting device. The organic EL element 101 is covered with a glass cover 102 and connected with a power line (anode) 103 and a power line (cathode) 104. 105 is a cathode and 106 is an organic EL layer. The glass cover 102 is filled with nitrogen gas 108 and a water catching agent 109 is provided.

有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed an example of the display apparatus comprised from an organic EL element. 表示部の模式図である。It is a schematic diagram of a display part. 画素の模式図である。It is a schematic diagram of a pixel. パッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の模式図である。It is a schematic diagram of a passive matrix type full-color display device. 封止構造を有する有機EL素子の模式図である。It is a schematic diagram of the organic EL element which has a sealing structure. 照明装置の概略図である。It is the schematic of an illuminating device. 照明装置の断面図である。It is sectional drawing of an illuminating device.

符号の説明Explanation of symbols

1 ディスプレイ
3 画素
5 走査線
6 データ線
7 電源ライン
10、101 有機EL素子
11 スイッチングトランジスタ
12 駆動トランジスタ
13 コンデンサ
A 表示部
B 制御部
21、107 透明電極付きガラス基板
22、106 有機EL層
23、105 陰極
24 ガラス製封止缶
25、109 捕水剤
27 紫外線硬化型接着剤
102 ガラスカバー
103 電源線(陽極)
104 電源線(陰極)
108 窒素ガス
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Display 3 Pixel 5 Scan line 6 Data line 7 Power supply line 10, 101 Organic EL element 11 Switching transistor 12 Drive transistor 13 Capacitor A Display part B Control part 21, 107 Glass substrate 22 with transparent electrode 22, 106 Organic EL layer 23, 105 Cathode 24 Glass sealing can 25, 109 Water catching agent 27 UV curable adhesive 102 Glass cover 103 Power line (anode)
104 Power line (cathode)
108 nitrogen gas

Claims (5)

下記一般式(A)で表される化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 0004552436
〔式中、Z、Zは、各々ベンゼン環、または、ピリジン環を形成するのに必要な原子群を表し、R、Rは、各々下記一般式(2)で表される基を表し、Rは下記一般式(5)で表される基を表し、n1、m1は、各々0〜4の整数を表す。但し、1≦n1+m1≦8を満たす。〕
一般式(2)
−L−R
〔式中、Lはアルキレン基、酸素原子、または、硫黄原子を表し、Rはトリフルオロメチル基、フルオロ基、シアノ基またはシアノメチル基を表す。〕
Figure 0004552436
〔式中、Rはアルキル基またはアリール基を表し、pは1〜5の整数を表す。〕
The organic electroluminescent element characterized by containing the compound represented by the following general formula (A).
Figure 0004552436
[Wherein, Z 1 and Z 2 each represents an atomic group necessary for forming a benzene ring or a pyridine ring, and R 1 and R 2 are groups represented by the following general formula (2), respectively. R 5 represents a group represented by the following general formula (5), and n1 and m1 each represents an integer of 0 to 4. However, 1 ≦ n1 + m1 ≦ 8 is satisfied. ]
General formula (2)
-L 1 -R 3
Wherein, L 1 is an alkylene group, an oxygen atom, or a sulfur atom, R 3 is trifluoromethyl, fluoro, cyano Motoma other represents a cyanomethyl group. ]
Figure 0004552436
Wherein, R 8 represents an alkyl group or an aryl group, p is an integer of 1-5. ]
りん光性ドーパントを発光層に含有することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 2. The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein a phosphorescent dopant is contained in the light emitting layer. 白色に発光することを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to claim 1, which emits white light. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備してなることを特徴とする表示装置。 A display device comprising the organic electroluminescence element according to claim 1. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備してなることを特徴とする照明装置。 An illuminating device comprising the organic electroluminescent element according to claim 1.
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