JP4631232B2

JP4631232B2 - Circuit element bonding method and electric circuit device manufacturing method

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Publication number: JP4631232B2
Application number: JP2001248718A
Authority: JP
Inventors: 寿章岩渕
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-08-20
Filing date: 2001-08-20
Publication date: 2011-02-16
Anticipated expiration: 2021-08-20
Also published as: JP2003059555A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光素子等の回路素子のボンディング方法、及びこの回路素子を表示素子等として内蔵した画像表示装置等の電気回路装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体チップ等の回路素子の配列方法及びボンディング方法としては、ウエーハからダイシングして回路素子を分離し、分離した回路素子をダイシングシートからチップトレイに移送し、更には、チップトレイから回路素子を真空吸着でピックアップして、基板にマウント若しくは接続するという方法が知られていた。
【０００３】
この方法は、例えば、半導体パッケージの製造工程等において一般的に行われていた。
【０００４】
【発明に至る経過】
本出願人は、効果的で好ましい回路素子の配列方法及びボンディング方法等を特願２００１−１４４５９２等において既に提起した。この回路素子の配列方法及びボンディング方法等は下記のようなものである。
【０００５】
この先願発明による回路素子の配列方法及びボンディング方法に用いる回路素子は、例えば、先細り形状に形成された先端部を有する回路素子であって、図１６に示すような構造の発光素子を挙げることができる。図１６の（ａ）が発光素子の断面図であり、図１６の（ｂ）がその平面図である。
【０００６】
この発光素子はＧａＮ系の発光ダイオードであり、例えば、サファイア基板（図示せず）上に結晶成長されて得られる発光素子である。このようなＧａＮ系の発光ダイオード素子は、基板を透過するレーザ照射によってレーザアブレーションを生じさせ、ＧａＮの窒素が気化する現象に伴なってサファイア基板とＧａＮ系の結晶成長層との間の界面で膜剥れが生じ、素子分離が容易になるという特徴を有している。
【０００７】
この構造によれば、例えば、ＧａＮ系半導体層からなる下地成長層２１上に選択成長された六角錐形状のｎ型のＧａＮ：Ｓｉ層２２を有していて、下地成長層２１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状のＧａＮ：Ｓｉ層２２は、この絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法等によって形成される。
【０００８】
このＧａＮ：Ｓｉ層２２は、成長時に使用されるサファイア基板の主面をＣ面とした場合に、Ｓ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長層であり、シリコンをドープさせた領域である。そして、このＧａＮ：Ｓｉ層２２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造のクラッドとして機能する。
【０００９】
そして、ＧａＮ：Ｓｉ層２２の傾斜したＳ面を覆うように、活性層であるＩｎＧａＮ層２３が形成されており、その外側に、マグネシウムドープのｐ型のＧａＮ：Ｍｇ層２４が形成される。なお、このマグネシウムドープのＧａＮ：Ｍｇ層２４もクラッドとして機能する。
【００１０】
更に、この発光ダイオード素子５２には、ｐ電極２５が形成されている。このｐ電極２５は、マグネシウムドープのＧａＮ：Ｍｇ層２４上に形成されるが、これはＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ又はＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕ等の金属材料を蒸着して形成される。
【００１１】
このような構造のＧａＮ系の発光ダイオード素子５２は、青色発光も可能な素子であって、特に、レーザアブレーションによって比較的簡単にサファイア基板から剥離することができ、レーザビームを選択的に照射することによって選択的な剥離を行う。
【００１２】
なお、このＧａＮ系の発光ダイオード素子５２としては、平板状や帯状に活性層が形成される構造であってもよく、上端部にＣ面が形成された角錐構造のものであってもよい。又、他の窒化物系や化合物半導体等からなっていてもよい。
【００１３】
次に、この発光ダイオード素子５２を表示用素子として用いた樹脂チップについて説明する。
【００１４】
図１７及び図１８に示すように、この樹脂チップ５４は、ほぼ平板状であってその主たる面がほぼ正方形状となっている。この樹脂チップ５４は樹脂５３を固めて形成されたものであり、具体的には、未硬化の樹脂中に発光ダイオード素子５２を埋設（転写して）硬化させた後、樹脂層５３をダイシング等で切断することによって得られる。
【００１５】
こうして発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂層５３の表面側と裏面側とには、それぞれ電極パッド５６及び５７が形成される。これらの電極パッド５６及び５７の形成方法としては、例えば、全面に電極パッド５６及び５７の材料となる金属層や多結晶シリコン層等の導電層を形成し、フォトリソグラフィー技術等により、所要の電極の形状にパターニングすることにより形成される。これらの電極パッド５６及び５７は、発光ダイオード素子である素子５２のｐ電極と必要あればｎ電極（図示せず）とにそれぞれ接続するように形成されている。
【００１６】
ここで、電極パッド５６及び５７は、樹脂チップ５４の表面側と裏面側とにそれぞれ形成されているが、一方の面に双方の電極パッドを形成することも可能である。電極パッド５６及び５７の形状は正方形に限定されず、他の形状としてもよい。
【００１７】
このような樹脂チップ５４によれば、発光ダイオード素子５２の周りが樹脂５３で被覆されて平坦化され、精度良く電極パッド５６及び５７を形成できると共に、発光ダイオード素子５２に比べて広い領域に電極パッド５６及び５７を延在できる。これによって、次の第２転写工程における転写を吸着装置等で行う場合に、取り扱いが容易になる。
【００１８】
又、後述するように、最終的な配線が、第２転写工程の後に行われるために、比較的大きいサイズの電極パッド５６及び５７を利用した配線を行うことによって、接続不良が未然に防止される。
【００１９】
次に、図５から図１５までを参照しながら、図１６に示した発光ダイオード素子５２の配列方法及びボンディング方法等の具体的手法について説明する。
【００２０】
先ず、図５に示すように、第１の一時保持用部材５１の上面に、第１の剥離層６４と樹脂層５３とを積層する。
【００２１】
第１の一時保持用部材５１の材質としては、高分子シート等を挙げることができ、剥離層６４の材質としては、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えば、ポリビニルアルコール：ＰＶＡ）及びポリイミド等を用いることができる。
【００２２】
又、第１の一時保持用部材５１の樹脂層５３としては、紫外線（ＵＶ）硬化型樹脂、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂のいずれかからなる層を用いることができる。一例として、第１の一時保持用部材５１として高分子シート等を用い、第１の剥離層６４としてポリイミド膜を形成後、樹脂層５３としてＵＶ硬化型樹脂を塗布することができる。
【００２３】
そして、樹脂層５３のうち、発光ダイオード素子５２を埋設（転写）する部分以外をレーザ光の照射によって硬化させる。そして、これ以外のレーザ光の非照射部分は、後の工程で発光ダイオード素子５２を埋め込む軟質部８２とする。
【００２４】
次に、図６に示すように、第１基板５０の主面上に、図１６に示した如き発光ダイオード素子５２を例えばマトリクス状に形成したものを作製する。この発光ダイオード素子５２は、以降の図面においても簡略図示しているが、その大きさは約２０μｍ程度とすることができる。
【００２５】
なお、第１基板５０の構成材料としては、サファイア基板等のように、発光ダイオード素子５２に照射するレーザ光の透過率の高い材料を用いる。この第１基板上に上述したようにして発光ダイオード素子の各構成層を順次形成し、また発光ダイオード素子５２間を分離する分離溝６２ｇをＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等により形成している。
【００２６】
次に、この第１基板５０を第１の一時保持用部材５１に対峙させて図６に示すように転写を行う。
【００２７】
この転写に際しては、転写する所定の発光ダイオード素子５２に対してレーザ光を第１基板５０の裏面から照射し、この転写する所定の発光ダイオード素子５２を第１基板５０からレーザアブレーションを利用して剥離する。この際、ＧａＮ系の発光ダイオード素子５２は、ＧａＮ層（上述の２１）が第１基板５０との界面でＧａと窒素とに分解することから、比較的簡単に剥離できる。
【００２８】
照射するレーザ光としては、エキシマレーザ及び高調波ＹＡＧレーザ等を用いる。そして、このレーザアブレーションを利用した剥離によって、転写する所定の発光ダイオード素子５２はＧａＮ層と第１基板５０との界面で分離し、図６に示すように、反対側の樹脂層５３の軟質部８２にｐ電極部分を突き刺すようにして転写する。
【００２９】
なお、樹脂層５３の軟質部８２に転写される所定の発光ダイオード素子５２以外の発光ダイオード素子５２については、前工程において、この発光ダイオード素子５２が接触する樹脂層５３の部分が、既にレーザ光によって硬化しているために、接触するだけでは樹脂層５３に転写されることはない。
【００３０】
そして、転写後の状態は、図７に示すように、転写された発光ダイオード素子５２の間隔が、第１基板５０上に配列されていた時よりも離間して第１の一時保持用部材５１上に配列される。
【００３１】
即ち、Ｘ方向にそれぞれの発光ダイオード素子５２の間隔が広げられ、同時に、Ｘ方向に垂直なＹ方向にもそれぞれの発光ダイオード素子５２の間隔が広げられる。
【００３２】
次に、図８に示すように、樹脂層５３の軟質部８２上に保持された発光ダイオード素子５２を加圧手段８４によって樹脂層５３の軟質部８２に押し付けて埋設する。
【００３３】
こうして、発光ダイオード素子５２は、図９に示すように、第１の一時保持用部材５１の樹脂層５３に埋設保持された状態になる。この場合、発光ダイオード素子５２の裏面はｎ電極側（カソード電極側）であり、この裏面は、第１基板５０との間に存在していた樹脂５３等が残らないように洗浄し、ここに形成する上述の電極パッド５７を発光ダイオード素子５２の裏面側と確実に電気的に接続する。
【００３４】
その後、図１０に示すように、電極パッド５７を所定の形状にパターニングして形成する。この電極パッド５７の材質としては、透明電極（ＩＴＯ及びＺｎＯ系等）、若しくはＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕ等の材料を用いる。
【００３５】
なお、透明電極を用いる場合には、これが発光ダイオード素子５２の裏面を大きく覆っても発光を遮ることがないために、パターニング精度が粗くしてもよく、大きなパターンに形成でき、更にパターニングプロセスが容易になるという利点がある。
【００３６】
この電極パッド５７の形成後、図１１に示すように、発光ダイオード素子５２を埋め込んだ樹脂層５３を第１の一時保持用部材５１から第２の一時保持用部材６７に転写し、更にダイシングプロセスにより発光ダイオード素子５２毎に樹脂層５３を分断し、各発光ダイオード素子５２に対応した樹脂チップ５４とする。
ここで、ダイシングプロセスは、機械的手段を用いたダイシング、或いは、レーザビームを用いたレーザダイシング等により行う。
【００３７】
このダイシングによって素子分離溝７１を形成し、発光ダイオード素子５２を素子毎に区分して樹脂チップ５４とする。この素子分離溝７１はマトリクス状の各発光ダイオード素子５２を分離するため、平面的に見たパターンとしては、縦横に延長された複数の平行線からなる。なお、この素子分離溝７１の底部では、第２の一時保持用部材６７の表面が臨んでいる。この第２の一時保持用部材６７は、一例として、プラスチック基板に粘着材が塗布してあるダイシングシートであり、紫外線（ＵＶ）が照射されると粘着力が低下するものを利用できる。
【００３８】
なお、ダイシングによる切り込み幅は、画像表示装置の画素内の樹脂層５３で覆われた発光ダイオード素子５２（樹脂チップ５４）の大きさに依存するが、例えば、２０μｍ以下の幅の狭い切り込みが必要な時には、上記のレーザービームを用いたレーザによる加工を行うことが必要である。この時、レーザビームとしては、エキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ等を用いることができる。
【００３９】
図１１は、第１の一時保持用部材５１から発光ダイオード素子５２を、第２の剥離層６０及びポリイミドからなる下地層８０を設けた第２の一時保持用部材６７に転写した後、アノード電極（ｐ電極）側にビアホール７０を形成し、ここにアノード側の電極パッド５６を形成し、更に樹脂層５３の一部をダイシングして個々の樹脂チップ５４とした状態を示している。
【００４０】
なお、この転写の際には、第１の剥離層６４を形成した第１の一時保持用部材５１の裏面から例えばエキシマレーザ光を照射する。これにより、例えば、第１の剥離層６４としてポリイミドを形成した場合では、ポリイミドのアブレーションにより剥離し、その後、各発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂層５３を第２の一時保持用部材６７側に転写する。
【００４１】
更に、上記のアノード側の電極パッド５６の形成においては、例えば樹脂層５３の表面を酸素プラズマ、エキシマレーザ、高調波ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ等により発光ダイオード素子５２のｐ電極が露出してくるまでエッチングしてビアホール７０を形成した後、アノード側の電極パッド５６をＮｉ／Ｐｔ／Ａｕ等で形成する。
【００４２】
次に、図１２に示すように、機械的手段としての吸着装置７３を用いて、発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４を第２の一時保持用部材６７から剥離する。この時、第２の一時保持用部材６７上には、フッ素コート、シリコーン樹脂及び水溶性接着剤（例えば、ＰＶＡ）等の剥離層６０、及びポリイミド等の下地層８０を形成しておく。
【００４３】
このような剥離層６０及び下地層８０を形成した第２の一時保持用部材６７の裏面から、例えばＹＡＧ第３高調波レーザ光を照射する。これにより、例えば下地層８０をポリイミドで形成した場合では、ポリイミドの層と第２の一時保持用部材６７の界面とでポリイミドのアブレーションにより剥離が発生して、発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４は、第２の一時保持用部材６７から上記の吸着装置７３のような機械的手段により容易に剥離可能となる。
【００４４】
図１２は、第２の一時保持用部材６７上に配列している発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４を、上記の機械的手段としての吸着装置７３でピックアップするところを示したものである。
【００４５】
この時、吸着装置７３の吸着孔７５は、画像表示装置の画素ピッチにマトリクス状に開口していて、発光ダイオード素子５２埋設した樹脂チップ５４を多数個、一括して吸着できるようになっている。
【００４６】
吸着孔７５の部材には、例えば、Ｎｉ電鋳により作製したもの、若しくは、ステンレス（ＳＵＳ）等の金属板７２をエッチングで穴加工したもの等が使用される。そして、金属板７２の吸着孔７５の奥には吸着チャンバ７４が形成され、この吸着チャンバ７４を負圧に制御することで発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４の吸着が可能になる。
【００４７】
なお、発光ダイオード素子５２は、この段階では樹脂５３で覆われており、その上面はほぼ平坦化されている。この為に、吸着装置７３による選択的な吸着を容易に進めることができる。
【００４８】
次に、図１３は、発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４を配線基板としての第２基板５５に固定（ボンディング）するところを示したものである。
【００４９】
この第２基板５５に樹脂チップ５４を固定する際に、第２基板５５には予め接着剤層７６が塗布されているために、発光ダイオード素子５２の下面の接着剤層７６を硬化させることによって、発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４を第２基板５５上に固定して配列させることができる。この固定後には、吸着装置７３の吸着チャンバ７４部分を圧力の高い状態とし、吸着装置７３と発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４との吸着による結合状態を解放する。
【００５０】
接着剤層７６は、ＵＶ硬化型接着剤、熱硬化性接着剤及び熱可塑性接着剤等によって構成することができる。ここで、発光ダイオード素子５２が配置される位置（及び間隔）は、第１及び第２の一時保持用部材５１及び６７上での配列（間隔）よりもさらに離間したものとなってよい。
【００５１】
この時、接着剤層７６を硬化させるエネルギーは、ビーム９３の照射によって第２基板５５の裏面から供給される。例えばＵＶ硬化型接着剤を使用する場合はＵＶ照射装置によって、熱硬化性接着剤を使用する場合はレーザによって、発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４の下面のみにおいて接着剤層７６を硬化させ、又、熱可塑性接着剤を使用する場合はレーザ照射にて接着剤を溶融させて接着を行う。
【００５２】
第２基板５５上にはシャドウマスクとしても機能する電極層７７を配設し、特に電極層７７の画面側の表面に黒クロム層７８を形成する。これによって、画像のコントラストが向上すると共に、黒クロム層７８でエネルギー吸収率を高くして選択的に照射されるビーム９３によって接着剤層７６を早く硬化させることができる。
【００５３】
次に、図１４は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色のそれぞれの発光ダイオード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂを第２基板５５上に配列し、絶縁層７９で被覆した状態を示す。
【００５４】
上記の吸着装置７３を使用して、これらの発光ダイオード素子を第２基板５５にマウントする位置をそれぞれの色に対応する位置にずらしてマウントすると、画素としてのピッチを一定にして３色からなる画素を形成できる。なお、絶縁層７９の材質としては、透明エポキシ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤及びポリイミド等を用いることができる。
【００５５】
なお、図１４では、赤色の発光ダイオード素子５２Ｒが六角錐のＧａＮ層を有しない構造とされ、他の発光ダイオード素子５２Ｇ及び５２Ｂとその形状が異なっているが、この段階では、各発光ダイオード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂは既に樹脂チップ５４として樹脂５３で覆われており、素子としての構造が違うにもかかわらず同一の取り扱いを行える。
【００５６】
次に、図１５に示すように、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の発光ダイオード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂのそれぞれの電極パッド５７及びアノード側の電極パッド５６や、第２基板５５上の電極層７７等に対応して、これらを電気的に接続するために、開口部であるビアホール７０’をレーザ光の照射等によってそれぞれ形成し、更に配線８６を形成する。
【００５７】
なお、ビアホール７０’は、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の発光ダイオード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂのそれぞれの電極パッド５７及びアノード側の電極パッド５６の面積を大きくしているために、ビアホール７０’の形状を大きくでき、且つ、ビアホール７０’の位置精度も、各発光ダイオード素子に直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。
【００５８】
こうして、絶縁層７９にビアホール７０’を形成した後、Ｒ、Ｇ、Ｂ３色の発光ダイオード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂのそれぞれのアノード側の電極パッド５６及びカソード側の電極パッド５７を配線８６で取り出し、第２基板５５の配線用の電極層７７と接続する。その後、保護層（図示せず）を形成し、画像表示装置のパネルを完成する。
【００５９】
この保護層は、図１４の絶縁層７９と同様に、透明エポキシ接着剤等の材料を使用し、加熱硬化して配線を含む全面を完全に覆う。パネル端部では、配線をドライバーＩＣに接続して駆動パネルを作製する。
【００６０】
図１９は、発光色の異なる複数種類の発光（ダイオード）素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂを、配線が形成されたガラス基板１１（上記の基板５５に相当）上に一括転写した例を示すものである。
【００６１】
このガラス基板１１上には、上記の電極層７７に接続された第１配線層１２と第２配線層１３とが互いに直交して形成されており、各配線層１２及び１３にそれぞれ接続された赤色発光ダイオード素子５２Ｒ、緑色発光ダイオード素子５２Ｇ及び青色発光ダイオード素子５２Ｂがそれぞれマトリクス状に配列されている。
【００６２】
なお、ここでは、画像表示装置の基板としてガラス基板１１を使用し、この上に発光ダイオード素子を転写するようにしたが、高分子シート等を被転写基板として使用することも可能である。又、第２の一時保持用部材６７をそのまま基板として用いることも可能である。そして、例えば、高分子シートを画像表示装置の基板として使用した場合には、屈曲性を有し、軽量で、且つ割れにくい画像表示装置を実現することが可能となる。
【００６３】
【発明が解決しようとする課題】
上記したプロセスにおいて、図１１に示したように、レーザ光によるレーザアブレーションによって樹脂層５３をカットして樹脂層５３に素子分離溝７１を形成するとき、蒸発除去された樹脂層５３の一部が有機物として樹脂層５３の表面に付着するが、この付着物が以降の工程に影響を及ぼさないようにするために、クリーニングして除去している。
【００６４】
そして、図１３に示したように、発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４を配線基板５５上にボンディングする場合に、透明な樹脂チップ５４を使用しているため、レーザ光９３を照射しても熱が放散してしまうので、ダイボンディング材（接着剤層）７６の熱の吸収量が少なくなってしまう。この結果、配線基板５５上のダイボンディング材（接着剤層）７６が効果的に加熱されないために十分に硬化せず、ボンディング確率が低いものとなることがある。
【００６５】
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、確実で効果的に回路素子をボンディングし、かつ表示装置等の電気回路装置を信頼性良く製造する方法を提供することにある。
【００６６】
【問題を解決するための手段】
即ち、本発明は、
表示用素子等の回路素子を保持した素子保持層の一部を除去してチップ化する工程と、
このチップ化に際して生成した熱吸収物質が前記素子保持層に付着したまま前記チップを分離する工程と、
この分離されたチップを基板に対しボンディングし、この際にボンディング材を加熱する工程と
を有する、回路素子のボンディング方法に係るものである。
【００６７】
本発明は又、表示用素子等の回路素子を保持した素子保持層の一部を除去してチップ化する工程と、
このチップ化に際して生成した熱吸収物質が前記素子保持層に付着したまま前記チップを分離する工程と、
この分離されたチップを配線回路基板に対しボンディングし、この際にボンディング材を加熱する工程と
前記回路素子を前記配線回路基板に電気的に接続する工程と
を有する、表示装置等の電気回路装置の製造方法に係るものである。
【００６８】
本発明の方法によれば、チップ化する際に生成した熱吸収物質がチップに付着したまま加熱によりボンディングを行うために、この熱吸収物質が熱を吸収してチップからの放熱を妨げて保温効果を発揮し、これによってボンディング材を効果的に十分加熱でき、回路素子のボンディングを確実に行うことができる。
【００６９】
【発明の実施の形態】
本発明においては、複数の前記回路素子間において前記素子保持層の一部を除去して複数にチップ化するのが望ましい。
【００７０】
又、効果的なボンディングのために、樹脂層からなる前記素子保持層の一部の除去にレーザダイシング法を用い、この除去によって熱吸収性の有機物が付着した前記チップの前記ボンディング時に、前記ボンディング材をレーザ光で加熱するのが望ましい。
【００７１】
又、前記チップをレーザ光の照射によって支持体から剥離した後、配線回路基板にボンディングするのが望ましい。
【００７２】
この場合、前記チップを吸着手段によって前記支持体から剥離し、このまま前記配線回路基板上に移動させて前記ボンディングに供するのが望ましい。
【００７３】
又、前記回路素子を発光素子とし、発光表示の画像表示装置を製造することができる。
【００７４】
又、前記配線回路基板に前記回路素子と接続される配線層を形成し、この配線層に前記回路素子を接続することができる。
【００７５】
この場合、前記ボンディング後に、前記チップを含む前記配線回路基板上を絶縁層で被覆し、この絶縁層を介して前記回路素子の電極を取り出すのが望ましい。
【００７６】
以下に、本発明の好ましい実施の形態を図面の参照下に説明する。
【００７７】
本実施の形態における、回路素子のボンディング方法及び表示装置の製造方法は、前記した図５から図１０までの工程は同様とし、これ以降の工程を以下のように行う。
【００７８】
即ち、図１０に示したように電極パッド５７を形成した後に、図１１に示したようにダイシングプロセスにより発光ダイオード素子５２毎に樹脂層５３を分断して各発光ダイオード素子５２に対応した樹脂チップ５４とするに際し、エキシマレーザ及び高調波ＹＡＧレーザ等のレーザビームによるダイシングを行うと、図１に示すように、このレーザダイシングによって樹脂５３の一部が蒸発除去されて炭素や炭素化合物等からなる有機物８１として、残った樹脂層５３上に付着する。
【００７９】
この状態では、既述したと同様に、第１の一時保持用部材５１から発光ダイオード素子５２を第２の剥離層６０及び下地層８０を介して第２の一時保持用部材６７に転写し、アノード電極（ｐ電極）側にビアホール７０を形成した後に、アノード側の電極パッド５６を形成し、樹脂層５３をダイシングして素子分離溝７１を形成し、発光ダイオード素子５２を素子毎に区分して樹脂チップ５４とする。
【００８０】
次に、図２に示すように、機械的手段である吸着装置７３を用いて、有機付着物８１が付着したまま、発光ダイオード素子５２を埋設したチップ５４を第２の一時保持用部材６７から剥離する。この時、第２の一時保持用部材６７上には例えば、フッ素コート、シリコーン樹脂及び水溶性接着剤（例えばＰＶＡ）等の剥離層６０、及びポリイミド等の下地層８０が形成されている。
【００８１】
この場合、剥離層６０及び下地層８０を上面に形成した第２の一時保持用部材６７の裏面から、例えばＹＡＧ第３高調波レーザ（単波長、λ＝３５５ｎｍ）を照射すると、例えば、下地層８０としてポリイミドの層を形成した場合では、このポリイミドの層と第２の一時保持用部材（石英基板）６７の界面でポリイミド層のアブレーションにより粘着力が低下して剥離が発生して、各発光ダイオード素子５２が埋設された樹脂チップ５４を第２の一時保持用部材６７から吸着装置７３である機械的手段により容易に剥離することができる。
【００８２】
図２は、第２の一時保持用部材６７上に配列してある、有機付着物８１が付着した樹脂チップ５４を、吸着装置７３で吸着してピックアップするところを示したものである。この吸着装置７３の吸着孔７５は画像表示装置の画素ピッチ毎にマトリクス状に開口していて、発光ダイオード素子５２を埋設する樹脂チップ５４を多数個、一括して吸着できる。この時の吸着孔７５の部材としては、例えばＮｉ電鋳により作製したもの、若しくは、ステンレス（ＳＵＳ）等の金属板７２をエッチングで穴加工したものが使用される。又、金属板７２の吸着孔７５の奥には、吸着チャンバ７４が形成され、この吸着チャンバ７４を負圧に制御することによって、樹脂チップ５４の吸着が可能になる。
【００８３】
そして、発光ダイオード素子５２はこの段階で樹脂５３で覆われた樹脂チップ５４になっており、その上面はほぼ平坦化されているので、吸着装置７３による選択的な吸着を容易に行うことができる。
【００８４】
この時点において、有機付着物８１は樹脂チップ５４上に付着したままであるが、微小な粒子であるために、吸着装置７３による樹脂チップ５４の吸着工程において樹脂チップ５４の密着性に影響を及ぼさず、吸着、剥離を良好に行える。
【００８５】
次に、図３に示すように、発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４を第２基板５５上に固着（ボンディング）する。この第２基板５５へのボンディングの際に、第２基板５５に予め接着剤層７６を塗布し、発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４の下面の接着剤層７６を硬化させ、発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４を第２基板５５に固着して配列させることができる。この固着（ボンディング）後には、吸着装置７３の吸着チャンバ７４を圧力の高い状態とし、吸着装置７３と発光ダイオード素子５２を埋設した樹脂チップ５４との吸着による結合状態を解放する。
【００８６】
ここで、接着剤（ダイボンディング材）層７６は、熱硬化性接着剤又は熱可塑性接着剤等によって構成することができ、発光ダイオード素子５２が配置される位置（間隔）は、第１及び第２の一時保持用部材５１及び６７上における配列間隔よりも離間してよい。この時、接着剤層７６の樹脂を加熱硬化させるレーザ光は第２基板５５の裏面から照射し、熱硬化性接着剤を使用する場合は、レーザ光にて樹脂チップ５４の下面の接着剤層のみを硬化させ、また熱可塑性接着剤を使用する場合は、同様にレーザ光の照射にて接着剤を溶融させて接着を行なう。
【００８７】
このように樹脂チップ５４を第２基板５５にボンディングする時に、接着剤層７６の加熱用のレーザ光としては、例えば、波長が可視光（λ＝５３２ｎｍ）から赤外線（ＩＲ）（λ＝１０６４ｎｍ）の範囲のレーザ光を使用する。
【００８８】
なお、上記のボンディング工程を含む各種工程においてレーザ光を用いるのは、ビーム径を絞れること、単波長で位相が揃っているためにパワーがあること、そのために、照射部分を選択的に加熱でき、制御しやすいこと等の利点があるからである。
【００８９】
樹脂チップ５４を上記のようにボンディングする際に、上記のレーザ光によって接着剤層７６を加熱するが、樹脂チップ５４が透明の樹脂５３から形成されている場合に、樹脂チップ５４中を通して熱が樹脂チップ５４の表面から放散してしまい、効果的に接着剤７６を効果的に十分加熱することができないという問題に対し、本実施の形態のボンディング方法によれば、熱吸収体としての役割を果す有機付着物８１が樹脂チップ５４の表面に付着したままにしているために、この熱吸収体である有機付着物８１の保温効果によってレーザ光照射による加熱時に樹脂チップ５４から熱が放散するのを防止し、この結果、局部的に接着剤層７６を十分加熱でき、確実で短時間に効果的なボンディングを行うことができる。
【００９０】
又、樹脂チップ５４の上面に付着した有機付着物８１は、樹脂チップ５４の表面とこの樹脂チップ５４の上面に被覆される後述の絶縁層との密着性を高めるためには、ボンディング後に除去するのが好ましいが、この密着性に影響がなければ、図４（ｂ）に示すように、付着したままで表示装置内に残してもよい。
【００９１】
なお、接着剤層７６であるダイボンディング材として熱可塑性樹脂を使用する場合には、位置ずれが生じにくいこと、レーザビアの加工性がよいこと、他の色の素子をボンディングし易いこと等の利点がある。
【００９２】
次に、使用可能な熱可塑性樹脂としては、例えば、アイオノマー樹脂、ＥＥＡ樹脂、ＡＡＳ樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＣＳ樹脂、エチレン酢酸ビニルコポリマー、ＡＢＳ樹脂、塩化ビニル樹脂、塩素化ポリエチレン樹脂、酢酸繊維系樹脂、フッ素樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアリレート樹脂、熱可塑性ポリウレタンエラストマー、熱可塑性エラストマー、液晶ポリマー、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリエーテルサルホン樹脂、高密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、直鎖状低密度ポリエチレン、強化ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン樹脂、メタクリル樹脂、メチルペンテンポリマー等がある。また、使用可能な熱硬化性樹脂としては、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂及びアクリル樹脂等がある。
【００９３】
第２基板５５上にはシャドウマスクとしても機能する電極層７７を配設し、特に、電極層７７の画面側の面に黒クロム層７８を形成すると、画像のコントラストを向上させることができると共に、黒クロム層７８におけるエネルギー吸収率を高くして、選択的に照射されるレーザ光によって接着剤層７６が早く硬化する。
【００９４】
次に、図４（Ａ）に示すように、上記の有機付着物８１を洗浄除去した後、エポキシ樹脂等の絶縁層７９を形成し、更にＲ、Ｇ、Ｂの３色の発光ダイオード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂのそれぞれの電極パッド５７、及びアノード側の電極パッド５６や、第２基板５５上の電極層７７等に対応して、これらを電気的に接続するための開口部であるビアホール７０’をそれぞれ形成し、更に、配線８６を形成する。このビアホール７０’の形成には、例えばレーザビーム等を用いる。
【００９５】
この時、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の発光ダイオード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂのそれぞれの電極パッド５７及びアノード側の電極パッド５６の面積を大きくするために、ビアホール７０’のサイズを大きくでき、且つ、ビアホール７０’の位置精度も、各発光ダイオード素子に直接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。
【００９６】
そして、ビアホール７０’の深さは配線基板である電極層７７と接続するものと、アノード電極側のパッド５６と接続するものと、カソード電極側のパッド５７と接続するものとの３種類の深さがあるために、これらの形成に当たっては、例えば、レーザのパルス数でこれを制御し、最適な深さに開口させてもよい。
【００９７】
次に、絶縁層７９にビアホール７０’を形成した後、Ｒ、Ｇ、Ｂ３色の発光ダイオード素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂのそれぞれのアノード側電極パッド５６及びカソード側の電極パッド５７を形成し、第２基板５５の配線用の電極層７７とを接続する配線８６を形成する。その後、保護層（図示せず）を形成し、画像表示装置のパネルを完成する。
【００９８】
上記したように、本実施の形態においては、特に図１に示したレーザ光等による樹脂層５３のダイシングの際に生じ、これまでは除去していた有機付着物８１を熱吸収体としてそのまま残して使用し、レーザ光の照射によるボンディング時に接着剤層７６を十分に加熱することによって、樹脂チップ５４のボンディングを確実に行うことができる。そして、このボンディング後に有機付着物８１を除去することにより、第２の絶縁層７９の被着性を高くすることができる。
【００９９】
以上に説明した実施の形態は、本発明の技術的思想に基づいて更に変形が可能である。
【０１００】
例えば、樹脂チップ５４上に付着する有機付着物８１の量、その除去タイミング等や、各工程時におけるレーザ光の種類、照射量、照射時間及び照射位置等は、所定の効果が有れば、任意に変えてよい。この有機付着物８１は、図４（Ｂ）のように、支障がなければ表示装置内に残留させてもよい。
【０１０１】
又、ボンディング時の加熱源として、レーザ光以外に赤外線等を使用してもよい。
【０１０２】
又、上述の実施の形態におけるレーザ光を用いた加熱方法は、図３に示すように、樹脂チップ５４の第２基板５５へのボンディング時のみならず、図１に示すように、樹脂チップ５４を第２の一時保持用部材６７から剥離する際にも適用できる。この場合も、有機付着物８１の付着によって樹脂チップ５４が加熱保温されることによって、接着剤層となる下地層８０のポリイミド層に十分に熱が伝わることによりこの層が溶解し、樹脂チップ５４が第２の一時保持用部材６７から剥離し易くなる。
【０１０３】
又、図６に示す工程においては、レーザ光の照射によって樹脂層５３を選択的に硬化したが、樹脂層５３の材質を変えることによって、樹脂層５３を選択的に軟化させてもよい。
【０１０４】
又、上述の発光ダイオード素子５２に代えて他の任意の素子を用いることができ、例えば、液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子及び微小光学素子等を挙げることができる。
【０１０５】
【発明の作用効果】
上述したように、本発明の方法によれば、チップ化する際に生成した熱吸収物質がチップに付着したまま加熱によるボンディングを行うために、この熱吸収物質が熱を吸収してチップからの放熱を妨げて保温効果を発揮し、これによってボンディング材を効果的に十分加熱でき、回路素子のボンディングを確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態においてチップ化した樹脂層を分離する工程の断面図である。
【図２】同、樹脂チップをピックアップする工程の断面図である。
【図３】同、樹脂チップをボンディングする工程の断面図である。
【図４】同、配線を形成する工程の断面図である。
【図５】先願発明において樹脂層にレーザ光を照射する工程の断面図である。
【図６】同、発光ダイオード素子を樹脂層に転写する工程の断面図である。
【図７】同、発光ダイオード素子が樹脂層に転写された状態を示す断面図である。
【図８】同、発光ダイオード素子を樹脂層に埋設する工程の断面図である。
【図９】同、発光ダイオード素子が樹脂層に埋設された状態を示す断面図である。
【図１０】同、発光ダイオード素子に電極パッドを設ける工程の断面図である。
【図１１】同、樹脂層を分離してチップ化する工程の断面図である。
【図１２】同、樹脂チップをピックアップする工程の断面図である。
【図１３】同、樹脂チップをボンディングする工程の断面図である。
【図１４】同、絶縁層を形成する工程の断面図である。
【図１５】同、配線を形成する工程の断面図である。
【図１６】同、発光ダイオード素子の断面図及び平面図である。
【図１７】同、樹脂チップの斜視図である。
【図１８】同、樹脂チップの平面図である。
【図１９】同、３色の発光ダイオード素子を用いた表示装置の部分平面図である。
【符号の説明】
２１…下地成長層、２２…ＧａＮ：Ｓｉ層、２３…ＩｎＧａＮ層、
２４…ＧａＮ：Ｍｇ層、２５…ｐ電極、５０…第１基板、
５１…第１の一時保持用部材、５２…発光ダイオード素子、
５２Ｒ…赤色発光ダイオード素子、５２Ｇ…緑色発光ダイオード素子、
５２Ｂ…青色発光ダイオード素子、５３…樹脂層、５４…樹脂チップ、
５５…第２基板（配線回路基板）、５６、５７…電極パッド、
６０…第２の剥離層、６２ｇ…溝、６４…第１の剥離層、
６７…第２の一時保持用部材、７０、７０’…ビアホール、７１…素子分離溝、
７３…吸着装置、７４…吸着チャンバ、７５…吸着孔、７６…接着剤層、
７７…電極層、７８…黒クロム層、７９…絶縁層、８０…下地層、
８１…有機付着物、８２…軟質部、８４…加圧手段、８６…配線[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method for bonding circuit elements such as light emitting elements, and a method for manufacturing an electric circuit device such as an image display device incorporating the circuit elements as display elements.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as a method for arranging and bonding circuit elements such as semiconductor chips, circuit elements are separated by dicing from a wafer, and the separated circuit elements are transferred from a dicing sheet to a chip tray. A method of picking up the substrate by vacuum suction and mounting or connecting to the substrate has been known.
[0003]
This method is generally performed in, for example, a semiconductor package manufacturing process.
[0004]
[Course to Invention]
The present applicant has already proposed an effective and preferable circuit element arrangement method and bonding method in Japanese Patent Application No. 2001-144592. The arrangement method and bonding method of the circuit elements are as follows.
[0005]
The circuit element used for the circuit element arrangement method and bonding method according to the prior application invention is, for example, a circuit element having a tip portion formed in a tapered shape, and includes a light emitting element having a structure as shown in FIG. it can. 16A is a cross-sectional view of the light-emitting element, and FIG. 16B is a plan view thereof.
[0006]
This light-emitting element is a GaN-based light-emitting diode, for example, a light-emitting element obtained by crystal growth on a sapphire substrate (not shown). Such a GaN-based light-emitting diode element causes laser ablation by laser irradiation that passes through the substrate, and at the interface between the sapphire substrate and the GaN-based crystal growth layer due to the phenomenon of vaporization of GaN nitrogen. The film is peeled off and element isolation is easy.
[0007]
According to this structure, for example, the hexagonal pyramid-shaped n-type GaN: Si layer 22 is selectively grown on the underlying growth layer 21 made of a GaN-based semiconductor layer. The GaN: Si layer 22 having a hexagonal pyramid shape is formed by a MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method or the like in a portion where the insulating film is opened.
[0008]
This GaN: Si layer 22 is a pyramidal growth layer covered with an S plane (1-101 plane) when the main surface of a sapphire substrate used during growth is a C plane, and is doped with silicon. Area. The inclined S-plane portion of the GaN: Si layer 22 functions as a double heterostructure cladding.
[0009]
Then, an InGaN layer 23 which is an active layer is formed so as to cover the inclined S surface of the GaN: Si layer 22, and a magnesium-doped p-type GaN: Mg layer 24 is formed on the outside thereof. The magnesium-doped GaN: Mg layer 24 also functions as a cladding.
[0010]
Further, a p-electrode 25 is formed on the light emitting diode element 52. The p-electrode 25 is formed on a magnesium-doped GaN: Mg layer 24, which is formed by vapor deposition of a metal material such as Ni / Pt / Au or Ni (Pd) / Pt / Au.
[0011]
The GaN-based light-emitting diode element 52 having such a structure is an element capable of emitting blue light. In particular, the GaN-based light-emitting diode element 52 can be peeled off from the sapphire substrate relatively easily by laser ablation, and selectively emits a laser beam. To perform selective peeling.
[0012]
The GaN-based light-emitting diode element 52 may have a structure in which an active layer is formed in a flat plate shape or a strip shape, or may have a pyramid structure in which a C surface is formed at an upper end portion. Further, it may be made of other nitrides or compound semiconductors.
[0013]
Next, a resin chip using the light emitting diode element 52 as a display element will be described.
[0014]
As shown in FIGS. 17 and 18, the resin chip 54 has a substantially flat plate shape, and its main surface has a substantially square shape. The resin chip 54 is formed by solidifying the resin 53. Specifically, after the light emitting diode element 52 is embedded (transferred) and cured in an uncured resin, the resin layer 53 is diced or the like. Obtained by cutting with.
[0015]
Thus, electrode pads 56 and 57 are formed on the front surface side and the back surface side of the resin layer 53 in which the light emitting diode element 52 is embedded, respectively. As a method of forming these electrode pads 56 and 57, for example, a conductive layer such as a metal layer or a polycrystalline silicon layer, which is a material of the electrode pads 56 and 57, is formed on the entire surface, and a required electrode is formed by a photolithography technique or the like. It is formed by patterning in the shape of These electrode pads 56 and 57 are formed so as to be connected to the p electrode of the element 52 which is a light emitting diode element and, if necessary, an n electrode (not shown).
[0016]
Here, the electrode pads 56 and 57 are formed on the front surface side and the back surface side of the resin chip 54, respectively, but it is also possible to form both electrode pads on one surface. The shape of the electrode pads 56 and 57 is not limited to a square, and may be other shapes.
[0017]
According to such a resin chip 54, the periphery of the light emitting diode element 52 is covered with the resin 53 and flattened, and the electrode pads 56 and 57 can be formed with high accuracy. Pads 56 and 57 can extend. This facilitates handling when the transfer in the next second transfer step is performed by an adsorption device or the like.
[0018]
As will be described later, since the final wiring is performed after the second transfer process, the wiring using the electrode pads 56 and 57 having a relatively large size can prevent the connection failure. The
[0019]
Next, specific methods such as an arrangement method and a bonding method of the light-emitting diode elements 52 shown in FIG. 16 will be described with reference to FIGS.
[0020]
First, as shown in FIG. 5, the first release layer 64 and the resin layer 53 are laminated on the upper surface of the first temporary holding member 51.
[0021]
Examples of the material of the first temporary holding member 51 include a polymer sheet, and examples of the material of the release layer 64 include a fluorine coat, a silicone resin, a water-soluble adhesive (for example, polyvinyl alcohol: PVA), and the like. Polyimide or the like can be used.
[0022]
As the resin layer 53 of the first temporary holding member 51, a layer made of any one of an ultraviolet (UV) curable resin, a thermosetting resin, and a thermoplastic resin can be used. As an example, a polymer sheet or the like can be used as the first temporary holding member 51, and after forming a polyimide film as the first release layer 64, a UV curable resin can be applied as the resin layer 53.
[0023]
Then, the resin layer 53 other than the portion where the light emitting diode element 52 is embedded (transferred) is cured by laser light irradiation. Then, the other non-irradiated portion of the laser beam is a soft portion 82 in which the light emitting diode element 52 is embedded in a later process.
[0024]
Next, as shown in FIG. 6, a light emitting diode element 52 as shown in FIG. 16 formed on the main surface of the first substrate 50, for example, in a matrix is manufactured. The light emitting diode element 52 is simplified in the following drawings, but its size can be about 20 μm.
[0025]
In addition, as a constituent material of the 1st board | substrate 50, the material with the high transmittance | permeability of the laser beam irradiated to the light emitting diode element 52 like a sapphire substrate etc. is used. The constituent layers of the light emitting diode elements are sequentially formed on the first substrate as described above, and the separation grooves 62g for separating the light emitting diode elements 52 are formed by RIE (Reactive Ion Etching) or the like.
[0026]
Next, the first substrate 50 is transferred to the first temporary holding member 51 as shown in FIG.
[0027]
In this transfer, the predetermined light emitting diode element 52 to be transferred is irradiated with laser light from the back surface of the first substrate 50, and the predetermined light emitting diode element 52 to be transferred is irradiated from the first substrate 50 by laser ablation. Peel off. At this time, the GaN-based light emitting diode element 52 can be peeled relatively easily because the GaN layer (21 described above) is decomposed into Ga and nitrogen at the interface with the first substrate 50.
[0028]
As a laser beam to be irradiated, an excimer laser, a harmonic YAG laser, or the like is used. Then, the predetermined light emitting diode element 52 to be transferred is separated at the interface between the GaN layer and the first substrate 50 by peeling using this laser ablation, and as shown in FIG. 6, the soft portion of the resin layer 53 on the opposite side is separated. The p electrode part is pierced into 82 and transferred.
[0029]
For the light-emitting diode elements 52 other than the predetermined light-emitting diode element 52 transferred to the soft portion 82 of the resin layer 53, the portion of the resin layer 53 that is in contact with the light-emitting diode element 52 is already laser light in the previous step. Therefore, it is not transferred to the resin layer 53 only by contact.
[0030]
Then, after the transfer, as shown in FIG. 7, the first temporary holding member 51 is spaced apart from the distance between the transferred light emitting diode elements 52 when they are arranged on the first substrate 50. Arranged above.
[0031]
That is, the interval between the respective light emitting diode elements 52 is expanded in the X direction, and at the same time, the interval between the respective light emitting diode elements 52 is also expanded in the Y direction perpendicular to the X direction.
[0032]
Next, as shown in FIG. 8, the light-emitting diode element 52 held on the soft part 82 of the resin layer 53 is pressed against the soft part 82 of the resin layer 53 by the pressurizing means 84 and embedded.
[0033]
In this way, the light emitting diode element 52 is in a state of being embedded and held in the resin layer 53 of the first temporary holding member 51, as shown in FIG. In this case, the back surface of the light-emitting diode element 52 is on the n-electrode side (cathode electrode side), and this back surface is cleaned so that the resin 53 and the like existing with the first substrate 50 does not remain. The electrode pad 57 to be formed is reliably electrically connected to the back side of the light emitting diode element 52.
[0034]
Then, as shown in FIG. 10, the electrode pad 57 is formed by patterning into a predetermined shape. As the material of the electrode pad 57, a transparent electrode (ITO and ZnO-based material) or a material such as Ti / Al / Pt / Au is used.
[0035]
In the case of using a transparent electrode, even if the back surface of the light emitting diode element 52 is largely covered, the light emission is not blocked. Therefore, the patterning accuracy may be roughened, and a large pattern can be formed. There is an advantage that it becomes easy.
[0036]
After the formation of the electrode pad 57, as shown in FIG. 11, the resin layer 53 in which the light emitting diode element 52 is embedded is transferred from the first temporary holding member 51 to the second temporary holding member 67, and further a dicing process. Thus, the resin layer 53 is divided for each light-emitting diode element 52 to form a resin chip 54 corresponding to each light-emitting diode element 52.
Here, the dicing process is performed by dicing using a mechanical means or laser dicing using a laser beam.
[0037]
Element dicing grooves 71 are formed by this dicing, and the light emitting diode elements 52 are divided into elements to form resin chips 54. In order to separate the light emitting diode elements 52 in a matrix form, the element separation groove 71 is composed of a plurality of parallel lines extending in the vertical and horizontal directions as a pattern in plan view. Note that the surface of the second temporary holding member 67 faces the bottom of the element isolation groove 71. As an example, the second temporary holding member 67 is a dicing sheet in which an adhesive material is applied to a plastic substrate, and a material whose adhesive force is reduced when irradiated with ultraviolet rays (UV) can be used.
[0038]
The cut width by dicing depends on the size of the light-emitting diode element 52 (resin chip 54) covered with the resin layer 53 in the pixel of the image display device. For example, a narrow cut having a width of 20 μm or less is necessary. In some cases, it is necessary to perform processing with a laser using the above laser beam. At this time, an excimer laser, a harmonic YAG laser, a carbon dioxide gas laser, or the like can be used as the laser beam.
[0039]
FIG. 11 shows the light emitting diode element 52 transferred from the first temporary holding member 51 to the second temporary holding member 67 provided with the second release layer 60 and the base layer 80 made of polyimide, and then the anode electrode. A via hole 70 is formed on the (p electrode) side, an anode-side electrode pad 56 is formed here, and a part of the resin layer 53 is further diced to form individual resin chips 54.
[0040]
In this transfer, for example, excimer laser light is irradiated from the back surface of the first temporary holding member 51 on which the first release layer 64 is formed. Thereby, for example, when polyimide is formed as the first release layer 64, the resin layer 53 in which each light-emitting diode element 52 is embedded is peeled to the second temporary holding member 67 side after peeling by polyimide ablation. Transcript.
[0041]
Furthermore, in the formation of the electrode pad 56 on the anode side, for example, the surface of the resin layer 53 is exposed until the p-electrode of the light-emitting diode element 52 is exposed by oxygen plasma, excimer laser, harmonic YAG laser, carbon dioxide gas laser, or the like. After the via hole 70 is formed by etching, the electrode pad 56 on the anode side is formed of Ni / Pt / Au or the like.
[0042]
Next, as shown in FIG. 12, the resin chip 54 in which the light-emitting diode element 52 is embedded is peeled from the second temporary holding member 67 using an adsorption device 73 as mechanical means. At this time, a release layer 60 such as a fluorine coat, a silicone resin and a water-soluble adhesive (for example, PVA), and a base layer 80 such as polyimide are formed on the second temporary holding member 67.
[0043]
For example, YAG third harmonic laser light is irradiated from the back surface of the second temporary holding member 67 on which the peeling layer 60 and the base layer 80 are formed. Thereby, for example, in the case where the base layer 80 is formed of polyimide, peeling occurs due to polyimide ablation between the polyimide layer and the interface of the second temporary holding member 67, and the resin chip in which the light emitting diode element 52 is embedded. 54 can be easily peeled from the second temporary holding member 67 by mechanical means such as the suction device 73 described above.
[0044]
FIG. 12 shows that the resin chip 54 embedded with the light emitting diode elements 52 arranged on the second temporary holding member 67 is picked up by the suction device 73 as the mechanical means. .
[0045]
At this time, the suction holes 75 of the suction device 73 are opened in a matrix at the pixel pitch of the image display device so that a large number of resin chips 54 embedded in the light-emitting diode elements 52 can be sucked together. .
[0046]
As the member of the suction hole 75, for example, a member produced by Ni electroforming or a member obtained by etching a metal plate 72 such as stainless steel (SUS) is used. An adsorption chamber 74 is formed in the back of the adsorption hole 75 of the metal plate 72. By controlling the adsorption chamber 74 to a negative pressure, the resin chip 54 in which the light emitting diode element 52 is embedded can be adsorbed.
[0047]
The light emitting diode element 52 is covered with a resin 53 at this stage, and the upper surface thereof is substantially flattened. For this reason, selective adsorption by the adsorption device 73 can be easily advanced.
[0048]
Next, FIG. 13 shows a state where the resin chip 54 in which the light emitting diode element 52 is embedded is fixed (bonded) to a second substrate 55 as a wiring substrate.
[0049]
When the resin chip 54 is fixed to the second substrate 55, since the adhesive layer 76 is previously applied to the second substrate 55, the adhesive layer 76 on the lower surface of the light emitting diode element 52 is cured. The resin chip 54 in which the light emitting diode element 52 is embedded can be fixed and arranged on the second substrate 55. After this fixing, the adsorption chamber 74 portion of the adsorption device 73 is brought into a high pressure state, and the coupled state by adsorption between the adsorption device 73 and the resin chip 54 in which the light emitting diode element 52 is embedded is released.
[0050]
The adhesive layer 76 can be composed of a UV curable adhesive, a thermosetting adhesive, a thermoplastic adhesive, or the like. Here, the positions (and intervals) at which the light emitting diode elements 52 are arranged may be further separated from the arrangements (intervals) on the first and second temporary holding members 51 and 67.
[0051]
At this time, energy for curing the adhesive layer 76 is supplied from the back surface of the second substrate 55 by irradiation of the beam 93. For example, when a UV curable adhesive is used, the adhesive layer 76 is cured only on the lower surface of the resin chip 54 in which the light emitting diode element 52 is embedded, by a UV irradiation device, or when a thermosetting adhesive is used, by a laser. When a thermoplastic adhesive is used, the adhesive is melted by laser irradiation for adhesion.
[0052]
An electrode layer 77 that also functions as a shadow mask is provided on the second substrate 55, and a black chromium layer 78 is formed on the surface of the electrode layer 77 on the screen side. As a result, the contrast of the image is improved, and the adhesive layer 76 can be quickly cured by the beam 93 that is selectively irradiated with the black chrome layer 78 having a high energy absorption rate.
[0053]
Next, in FIG. 14, light emitting diode elements 52R, 52G, and 52B of three colors of R (red), G (green), and B (blue) are arranged on the second substrate 55 and covered with an insulating layer 79. Shows the state.
[0054]
When the above-described adsorption device 73 is used to mount these light-emitting diode elements on the second substrate 55 by shifting them to positions corresponding to the respective colors, the pixel pitch is fixed and the three colors are formed. Pixels can be formed. In addition, as a material of the insulating layer 79, a transparent epoxy adhesive, a UV curable adhesive, polyimide, or the like can be used.
[0055]
In FIG. 14, the red light emitting diode element 52R has a structure that does not have a hexagonal pyramid GaN layer, and is different in shape from the other light emitting diode elements 52G and 52B. 52R, 52G, and 52B are already covered with the resin 53 as the resin chip 54, and can be handled in the same manner regardless of the structure of the element.
[0056]
Next, as shown in FIG. 15, the electrode pads 57 and anode electrode pads 56 of the light emitting diode elements 52R, 52G, and 52B of three colors R, G, and B, and electrode layers on the second substrate 55 Corresponding to 77 and the like, in order to electrically connect them, via holes 70 ′ which are openings are respectively formed by laser light irradiation or the like, and wiring 86 is further formed.
[0057]
Note that the via hole 70 ′ has a large area for the electrode pads 57 and the anode-side electrode pads 56 of the light emitting diode elements 52 R, 52 G, and 52 B of the three colors R, G, and B. In addition, the position accuracy of the via hole 70 ′ can be formed with coarser accuracy than the via hole directly formed in each light emitting diode element.
[0058]
Thus, after forming the via hole 70 ′ in the insulating layer 79, the anode-side electrode pad 56 and the cathode-side electrode pad 57 of each of the R, G, B three-color light emitting diode elements 52 R, 52 G, 52 B are taken out by the wiring 86. The wiring layer is connected to the wiring electrode layer 77 of the second substrate 55. Thereafter, a protective layer (not shown) is formed to complete the panel of the image display device.
[0059]
As with the insulating layer 79 of FIG. 14, this protective layer uses a material such as a transparent epoxy adhesive and is heat-cured to completely cover the entire surface including the wiring. At the panel end, a wiring panel is connected to a driver IC to produce a drive panel.
[0060]
FIG. 19 shows an example in which a plurality of types of light emitting (diode) elements 52R, 52G, and 52B having different emission colors are collectively transferred onto a glass substrate 11 (corresponding to the substrate 55 described above) on which wiring is formed. .
[0061]
On the glass substrate 11, the first wiring layer 12 and the second wiring layer 13 connected to the electrode layer 77 are formed orthogonal to each other, and are connected to the wiring layers 12 and 13, respectively. The red light emitting diode element 52R, the green light emitting diode element 52G, and the blue light emitting diode element 52B are arranged in a matrix.
[0062]
Here, the glass substrate 11 is used as the substrate of the image display device, and the light emitting diode element is transferred thereon, but a polymer sheet or the like can also be used as the substrate to be transferred. Further, the second temporary holding member 67 can be used as it is as a substrate. For example, when a polymer sheet is used as a substrate of an image display device, it is possible to realize an image display device that is flexible, lightweight, and difficult to break.
[0063]
[Problems to be solved by the invention]
In the above-described process, as shown in FIG. 11, when the resin layer 53 is cut by laser ablation with laser light to form the element isolation groove 71 in the resin layer 53, a part of the resin layer 53 removed by evaporation is removed. Although it adheres to the surface of the resin layer 53 as an organic substance, it is removed by cleaning in order to prevent this adhered substance from affecting the subsequent processes.
[0064]
Then, as shown in FIG. 13, when the resin chip 54 in which the light emitting diode element 52 is embedded is bonded on the wiring board 55, the transparent resin chip 54 is used. Since heat is dissipated, the amount of heat absorbed by the die bonding material (adhesive layer) 76 is reduced. As a result, the die bonding material (adhesive layer) 76 on the wiring board 55 is not effectively heated, so that the die bonding material (adhesive layer) 76 is not sufficiently cured and the bonding probability may be low.
[0065]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to reliably and effectively bond circuit elements and to reliably manufacture an electric circuit device such as a display device. It is to provide.
[0066]
[Means for solving problems]
That is, the present invention
Removing a part of the element holding layer holding a circuit element such as a display element to form a chip;
A step of separating the chip while the heat-absorbing material generated upon chip formation is attached to the element holding layer;
Bonding the separated chip to the substrate and heating the bonding material at this time;
The present invention relates to a circuit element bonding method.
[0067]
The present invention also includes a step of removing a part of the element holding layer holding a circuit element such as a display element to form a chip;
A step of separating the chip while the heat-absorbing material generated upon chip formation is attached to the element holding layer;
Bonding the separated chip to the printed circuit board and heating the bonding material
Electrically connecting the circuit element to the wired circuit board;
The present invention relates to a method for manufacturing an electric circuit device such as a display device.
[0068]
According to the method of the present invention, since the heat absorbing material generated during chip formation is bonded by heating while adhering to the chip, the heat absorbing material absorbs heat and prevents heat dissipation from the chip, thereby keeping the heat. This brings about an effect, whereby the bonding material can be effectively heated sufficiently, and the circuit elements can be bonded reliably.
[0069]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
In the present invention, it is preferable that a part of the element holding layer is removed between the plurality of circuit elements to form a plurality of chips.
[0070]
Further, for effective bonding, a laser dicing method is used to remove a part of the element holding layer made of a resin layer, and the bonding is performed at the time of bonding of the chip to which a heat-absorbing organic substance is adhered. It is desirable to heat the material with laser light.
[0071]
Further, it is desirable to bond the chip to the printed circuit board after peeling off the chip from the support by laser light irradiation.
[0072]
In this case, it is preferable that the chip is peeled off from the support by an adsorbing means and moved onto the printed circuit board as it is for bonding.
[0073]
Further, an image display device for light emission display can be manufactured by using the circuit element as a light emitting element.
[0074]
Also, a wiring layer connected to the circuit element can be formed on the wired circuit board, and the circuit element can be connected to the wiring layer.
[0075]
In this case, it is desirable that after the bonding, the printed circuit board including the chip is covered with an insulating layer, and the electrode of the circuit element is taken out through the insulating layer.
[0076]
Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0077]
In the present embodiment, the circuit element bonding method and the display device manufacturing method are the same as those shown in FIGS. 5 to 10, and the subsequent steps are performed as follows.
[0078]
That is, after forming the electrode pad 57 as shown in FIG. 10, the resin layer 53 is divided for each light emitting diode element 52 by a dicing process as shown in FIG. 54, when dicing with a laser beam such as an excimer laser or a harmonic YAG laser is performed, as shown in FIG. 1, a part of the resin 53 is evaporated and removed by this laser dicing, and is made of carbon, a carbon compound, or the like. The organic matter 81 adheres on the remaining resin layer 53.
[0079]
In this state, as described above, the light-emitting diode element 52 is transferred from the first temporary holding member 51 to the second temporary holding member 67 through the second release layer 60 and the base layer 80. After forming the via hole 70 on the anode electrode (p electrode) side, the electrode pad 56 on the anode side is formed, the resin layer 53 is diced to form the element isolation groove 71, and the light emitting diode element 52 is divided into each element. Thus, the resin chip 54 is obtained.
[0080]
Next, as shown in FIG. 2, the chip 54 in which the light emitting diode element 52 is embedded is removed from the second temporary holding member 67 while the organic deposit 81 is adhered, using an adsorption device 73 that is a mechanical means. Peel off. At this time, on the second temporary holding member 67, for example, a peeling layer 60 such as a fluorine coat, a silicone resin and a water-soluble adhesive (for example, PVA), and a base layer 80 such as polyimide are formed.
[0081]
In this case, when, for example, a YAG third harmonic laser (single wavelength, λ = 355 nm) is irradiated from the back surface of the second temporary holding member 67 having the release layer 60 and the base layer 80 formed on the upper surface, for example, the base layer In the case where a polyimide layer is formed as 80, the adhesive force is reduced due to ablation of the polyimide layer at the interface between the polyimide layer and the second temporary holding member (quartz substrate) 67, and peeling occurs. The resin chip 54 in which the diode element 52 is embedded can be easily peeled from the second temporary holding member 67 by mechanical means that is the suction device 73.
[0082]
FIG. 2 shows the resin chip 54 arranged on the second temporary holding member 67 and adsorbed by the adsorbing device 73 for picking up the resin chip 54 to which the organic deposit 81 is adhered. The suction holes 75 of the suction device 73 are opened in a matrix for each pixel pitch of the image display device, and a large number of resin chips 54 in which the light emitting diode elements 52 are embedded can be sucked together. As a member of the suction hole 75 at this time, for example, a member produced by Ni electroforming or a member obtained by etching a metal plate 72 such as stainless steel (SUS) is used. Further, a suction chamber 74 is formed in the back of the suction hole 75 of the metal plate 72. By controlling the suction chamber 74 to a negative pressure, the resin chip 54 can be sucked.
[0083]
The light emitting diode element 52 is a resin chip 54 covered with a resin 53 at this stage, and the upper surface thereof is substantially flattened, so that selective adsorption by the adsorption device 73 can be easily performed. .
[0084]
At this time, the organic deposit 81 remains attached on the resin chip 54, but because it is a fine particle, the adhesion of the resin chip 54 is affected in the adsorption process of the resin chip 54 by the adsorption device 73. Adsorption and peeling can be performed well.
[0085]
Next, as shown in FIG. 3, the resin chip 54 in which the light emitting diode element 52 is embedded is fixed (bonded) on the second substrate 55. At the time of bonding to the second substrate 55, an adhesive layer 76 is applied in advance to the second substrate 55, and the adhesive layer 76 on the lower surface of the resin chip 54 in which the light emitting diode element 52 is embedded is cured, so that the light emitting diode element is obtained. The resin chip 54 with the embedded 52 can be fixedly arranged on the second substrate 55. After this adhering (bonding), the suction chamber 74 of the suction device 73 is brought into a high pressure state, and the combined state by suction between the suction device 73 and the resin chip 54 in which the light emitting diode element 52 is embedded is released.
[0086]
Here, the adhesive (die bonding material) layer 76 can be composed of a thermosetting adhesive or a thermoplastic adhesive, and the positions (intervals) at which the light emitting diode elements 52 are arranged are the first and the second. It may be separated from the arrangement interval on the two temporary holding members 51 and 67. At this time, the laser light for heat-curing the resin of the adhesive layer 76 is irradiated from the back surface of the second substrate 55. When using a thermosetting adhesive, the adhesive layer on the lower surface of the resin chip 54 is irradiated with the laser light. In the case of using only a thermoplastic adhesive, the adhesive is similarly melted by laser light irradiation for adhesion.
[0087]
As described above, when the resin chip 54 is bonded to the second substrate 55, the laser beam for heating the adhesive layer 76 may be, for example, from visible light (λ = 532 nm) to infrared (IR) (λ = 1064 nm). The laser beam in the range is used.
[0088]
Note that the laser beam is used in various processes including the bonding process described above because the beam diameter can be reduced, and there is power because the phases are uniform at a single wavelength, so that the irradiated part can be selectively heated. This is because there are advantages such as easy control.
[0089]
When the resin chip 54 is bonded as described above, the adhesive layer 76 is heated by the laser beam described above. When the resin chip 54 is formed of the transparent resin 53, heat is passed through the resin chip 54. According to the bonding method of the present embodiment, the bonding method according to the present embodiment plays a role as a heat absorber for the problem that the adhesive 76 cannot be effectively heated sufficiently and effectively diffused from the surface of the resin chip 54. Since the organic deposit 81 is left attached to the surface of the resin chip 54, heat is dissipated from the resin chip 54 during heating by laser light irradiation due to the heat retaining effect of the organic deposit 81 as a heat absorber. As a result, the adhesive layer 76 can be sufficiently heated locally, and effective bonding can be performed reliably in a short time.
[0090]
Further, the organic deposit 81 attached to the upper surface of the resin chip 54 is removed after bonding in order to improve the adhesion between the surface of the resin chip 54 and an insulating layer described later that is coated on the upper surface of the resin chip 54. However, as long as this adhesion is not affected, as shown in FIG. 4B, it may be left attached in the display device.
[0091]
When a thermoplastic resin is used as the die bonding material that is the adhesive layer 76, advantages such as less misalignment, good processability of laser vias, and easy bonding of elements of other colors, etc. There is.
[0092]
Next, usable thermoplastic resins include, for example, ionomer resins, EEA resins, AAS resins, AS resins, ACS resins, ethylene vinyl acetate copolymers, ABS resins, vinyl chloride resins, chlorinated polyethylene resins, and acetate fiber resins. , Fluorine resin, Polyacetal resin, Polyamide resin, Polyarylate resin, Thermoplastic polyurethane elastomer, Thermoplastic elastomer, Liquid crystal polymer, Polyetheretherketone resin, Polysulfone resin, Polyethersulfone resin, High density polyethylene, Low density polyethylene, Direct Chain low density polyethylene, reinforced polyethylene terephthalate, polycarbonate resin, polystyrene, polyphenylene ether resin, polyphenylene sulfide resin, polybutadiene resin, polybutylene terephthalate, polyethylene Propylene resin, a methacrylic resin, a methylpentene polymer. Examples of thermosetting resins that can be used include urea resins, melamine resins, phenol resins, epoxy resins, unsaturated polyester resins, and acrylic resins.
[0093]
An electrode layer 77 that also functions as a shadow mask is disposed on the second substrate 55. In particular, when the black chrome layer 78 is formed on the screen side surface of the electrode layer 77, the contrast of the image can be improved. The adhesive layer 76 is quickly cured by the laser beam selectively irradiated with the energy absorption rate of the black chromium layer 78 being increased.
[0094]
Next, as shown in FIG. 4A, after the organic deposit 81 is washed and removed, an insulating layer 79 such as an epoxy resin is formed, and further, light emitting diode elements 52R of three colors of R, G, and B are formed. , 52G, 52B corresponding to the electrode pad 57 on the anode side, the electrode pad 56 on the anode side, the electrode layer 77 on the second substrate 55, and the like, via holes 70 which are openings for electrically connecting them. 'Are formed, and further, a wiring 86 is formed. For example, a laser beam is used to form the via hole 70 ′.
[0095]
At this time, in order to increase the areas of the electrode pads 57 and the anode-side electrode pads 56 of the light emitting diode elements 52R, 52G, and 52B of the three colors R, G, and B, the size of the via hole 70 ′ can be increased. In addition, the positional accuracy of the via hole 70 'can be formed with coarser accuracy than the via hole directly formed in each light emitting diode element.
[0096]
The depth of the via hole 70 ′ has three types of depths: one connecting to the electrode layer 77 which is a wiring board, one connecting to the anode electrode side pad 56, and one connecting to the cathode electrode side pad 57. Therefore, in forming these, for example, this may be controlled by the number of pulses of the laser, and the aperture may be opened to an optimum depth.
[0097]
Next, after forming via holes 70 ′ in the insulating layer 79, the anode-side electrode pads 56 and the cathode-side electrode pads 57 of the R, G, and B three-color light emitting diode elements 52 R, 52 G, and 52 B are formed. A wiring 86 for connecting the wiring electrode layer 77 of the two substrates 55 is formed. Thereafter, a protective layer (not shown) is formed to complete the panel of the image display device.
[0098]
As described above, in the present embodiment, the organic adhering material 81 generated when the resin layer 53 is diced by the laser beam or the like shown in FIG. The resin chip 54 can be reliably bonded by sufficiently heating the adhesive layer 76 at the time of bonding by laser beam irradiation. Then, by removing the organic deposit 81 after this bonding, the adhesion of the second insulating layer 79 can be increased.
[0099]
The embodiment described above can be further modified based on the technical idea of the present invention.
[0100]
For example, the amount of the organic deposit 81 adhering to the resin chip 54, the removal timing thereof, the type of laser light, the irradiation amount, the irradiation time, the irradiation position, etc. at each step have a predetermined effect. It may be changed arbitrarily. This organic deposit 81 may remain in the display device as long as there is no problem as shown in FIG.
[0101]
In addition to laser light, infrared rays or the like may be used as a heating source during bonding.
[0102]
In addition, the heating method using the laser beam in the above-described embodiment is not only at the time of bonding the resin chip 54 to the second substrate 55 as shown in FIG. 3, but also as shown in FIG. This can also be applied when peeling from the second temporary holding member 67. Also in this case, the resin chip 54 is heated and kept warm due to the adhesion of the organic deposit 81, whereby the layer is dissolved by sufficiently transferring heat to the polyimide layer of the base layer 80 serving as the adhesive layer. Becomes easy to peel from the second temporary holding member 67.
[0103]
In the process shown in FIG. 6, the resin layer 53 is selectively cured by laser light irradiation. However, the resin layer 53 may be selectively softened by changing the material of the resin layer 53.
[0104]
In addition, any other element can be used in place of the above-described light emitting diode element 52. For example, a liquid crystal control element, a photoelectric conversion element, a piezoelectric element, a thin film transistor element, a thin film diode element, a resistance element, a switching element, a micromagnetic element, etc. An element, a micro optical element, etc. can be mentioned.
[0105]
[Effects of the invention]
As described above, according to the method of the present invention, in order to perform bonding by heating while the heat absorbing material generated at the time of chip formation is attached to the chip, the heat absorbing material absorbs heat and is removed from the chip. This prevents heat dissipation and exerts a heat retaining effect, whereby the bonding material can be effectively heated sufficiently and bonding of circuit elements can be performed reliably.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view of a process of separating a chip-formed resin layer in an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a sectional view of a process of picking up a resin chip.
FIG. 3 is a cross-sectional view of the step of bonding a resin chip.
FIG. 4 is a cross-sectional view of a process of forming a wiring in the same.
FIG. 5 is a cross-sectional view of a process of irradiating a resin layer with a laser beam in the prior invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view of the process of transferring the light emitting diode element to the resin layer.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state where the light emitting diode element is transferred to the resin layer.
FIG. 8 is a cross-sectional view of the process of embedding the light-emitting diode element in the resin layer.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing a state where the light emitting diode element is embedded in a resin layer.
FIG. 10 is a cross-sectional view of a process of providing an electrode pad on the light emitting diode element.
FIG. 11 is a cross-sectional view of the process of separating the resin layer into chips.
FIG. 12 is a sectional view of a process of picking up a resin chip.
FIG. 13 is a sectional view of a step of bonding a resin chip in the same manner.
FIG. 14 is a sectional view of a step of forming an insulating layer.
FIG. 15 is a cross-sectional view of the step of forming the wiring in the same manner.
FIG. 16 is a cross-sectional view and a plan view of the light-emitting diode element.
FIG. 17 is a perspective view of the resin chip.
FIG. 18 is a plan view of the resin chip.
FIG. 19 is a partial plan view of a display device using light emitting diode elements of the same three colors.
[Explanation of symbols]
21 ... Growth layer, 22 ... GaN: Si layer, 23 ... InGaN layer,
24 ... GaN: Mg layer, 25 ... p-electrode, 50 ... first substrate,
51: First temporary holding member, 52: Light emitting diode element,
52R: Red light emitting diode element, 52G: Green light emitting diode element,
52B ... Blue light emitting diode element, 53 ... Resin layer, 54 ... Resin chip,
55 ... 2nd board | substrate (wiring circuit board), 56, 57 ... electrode pad,
60 ... second release layer, 62g ... groove, 64 ... first release layer,
67 ... second temporary holding member, 70, 70 '... via hole, 71 ... element isolation groove,
73 ... Adsorption device, 74 ... Adsorption chamber, 75 ... Adsorption hole, 76 ... Adhesive layer,
77 ... Electrode layer, 78 ... Black chromium layer, 79 ... Insulating layer, 80 ... Underlayer,
81 ... Organic deposits, 82 ... Soft part, 84 ... Pressure means, 86 ... Wiring

Claims

Forming an element holding layer holding a circuit element on a support;
Removing a part of the element holding layer to form a chip;
Separating the chip from the support while the heat-absorbing material generated upon chip formation is attached to the element holding layer;
Bonding the separated chips to a substrate and heating the bonding material at this time.

The circuit element bonding method according to claim 1, wherein a part of the element holding layer is removed between the plurality of circuit elements to form a plurality of chips.

A laser dicing method is used to remove a part of the element holding layer made of a resin layer, and the bonding material is heated with a laser beam during the bonding of the chip to which a heat-absorbing organic substance is adhered. 2. A method for bonding circuit elements according to 1.

After peeling from the support of the chip by irradiation of the laser beam, it is bonded to the printed circuit board, the bonding method of the circuit device according to claim 1.

5. The circuit element bonding method according to claim 4, wherein the chip is peeled off from the support by an adsorbing means and is moved onto the wired circuit board as it is and used for the bonding.

The circuit element bonding method according to claim 1, wherein the circuit element is a light emitting element.

Forming an element holding layer holding a circuit element on a support;
Removing a part of the element holding layer to form a chip;
Separating the chip from the support while the heat-absorbing material generated upon chip formation is attached to the element holding layer;
Bonding the separated chip to the printed circuit board and heating the bonding material at this time;
Electrically connecting the circuit element to the wired circuit board.

The method for manufacturing an electric circuit device according to claim 7, wherein a part of the element holding layer is removed between the plurality of circuit elements to form a plurality of chips.

A laser dicing method is used to remove a part of the element holding layer made of a resin layer, and the bonding material is heated with a laser beam during the bonding of the chip to which a heat-absorbing organic substance is adhered. 8. A method for manufacturing an electric circuit device according to 7.

After removing the chip from the support by irradiation of the laser beam, it is bonded to the wiring circuit board, method of manufacturing the electric circuit device according to claim 7.

The method of manufacturing an electric circuit device according to claim 10, wherein the chip is peeled off from the support by an adsorbing unit, and is moved as it is onto the wired circuit board and used for the bonding.

The method for manufacturing an electric circuit device according to claim 7, wherein a wiring layer connected to the circuit element is formed on the wired circuit board, and the circuit element is connected to the wiring layer.

13. The method of manufacturing an electric circuit device according to claim 12, wherein after the bonding, the printed circuit board including the chip is covered with an insulating layer, and the electrode of the circuit element is taken out through the insulating layer.

The method for manufacturing an electric circuit device according to claim 7, wherein the circuit element is a light emitting element to manufacture a display device.