JP4702021B2 - Ceramic substrate with conductor layer and method for producing the same - Google Patents
Ceramic substrate with conductor layer and method for producing the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP4702021B2 JP4702021B2 JP2005351296A JP2005351296A JP4702021B2 JP 4702021 B2 JP4702021 B2 JP 4702021B2 JP 2005351296 A JP2005351296 A JP 2005351296A JP 2005351296 A JP2005351296 A JP 2005351296A JP 4702021 B2 JP4702021 B2 JP 4702021B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- conductor layer
- glass
- ceramic substrate
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
ハンダ付け等のための表層導体が形成されている低温同時焼成セラミックス基板など導体層付セラミックス基板およびその製造方法に関する。 The present invention relates to a ceramic substrate with a conductor layer such as a low-temperature co-fired ceramic substrate on which a surface conductor for soldering or the like is formed, and a method for manufacturing the same.
低温同時焼成セラミックス(LTCC)技術は高周波用受動部品内蔵技術として広く用いられている。最近では無線LANやブルートウース、あるいはウルトラワイドバンド(UWB)向けのアンテナや各種フィルタなどへの応用が期待されている。
図1は、導体層付セラミックス基板の一種であるUWB向けの代表的なアンテナの断面の概念図である。アンテナ(導体層付セラミックス基板)10はその本体であるセラミックス層11の積層体と、その内部に配線される内層導体2、多層化されているために必要となる縦方向のパターンを電気的に接合するためのビア導体3およびアンテナへの給電および接合する基板とのハンダ付け用に用いられる表層導体1とを有する。
Low temperature co-fired ceramics (LTCC) technology is widely used as a high frequency passive component built-in technology. Recently, application to antennas and various filters for wireless LAN, bluetooth, or ultra wide band (UWB) is expected.
FIG. 1 is a conceptual diagram of a cross section of a typical antenna for UWB, which is a kind of ceramic substrate with a conductor layer. An antenna (ceramic substrate with a conductor layer) 10 is an electric circuit in which a laminated body of ceramic layers 11 as a main body, an inner layer conductor 2 wired therein, and a vertical pattern necessary for multilayering are electrically formed. It has a
セラミックス層11の形成は、ガラスセラミックス組成物をセラミックグリーンシート(以下、単にグリーンシートということがある。)にしたものを焼成して行われる。そのようなガラスセラミックス組成物としては、たとえばSiO2−B2O3−Al2O3−RO(アルカリ土類金属酸化物)−ZnO系ガラス粉末およびアルミナ粉末からなるものが知られている(特許文献1参照)。 The ceramic layer 11 is formed by firing a glass ceramic composition made of a ceramic green sheet (hereinafter sometimes simply referred to as a green sheet). As such a glass ceramic composition, for example, a composition comprising SiO 2 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 —RO (alkaline earth metal oxide) —ZnO glass powder and alumina powder is known ( Patent Document 1).
グリーンシートは積層されてグリーンシート積層体とされるが、焼成されて表層導体1となる導体ペースト層がグリーンシート積層体表面に、焼成されて内層導体2となる導体ペースト層がグリーンシート層間に、焼成されてビア導体3となる導体ペースト充填孔がグリーンシート内にそれぞれ形成される。
The green sheets are laminated to form a green sheet laminate, and the conductor paste layer that is fired to become the
このような導体層付セラミックス基板は一般的なプリント基板上にハンダリフロー炉を用いて表層導体部分でハンダ付け実装されることが通常であるが、この場合表層導体には十分なハンダ付け性および接着強度が求められる。
このようなハンダ付け性および接着強度に優れた表層導体の形成に好適な導体ペーストとして、金属粉末、微量の酸化マンガン粉末、微量のガラスフリットおよび有機ビヒクルからなるものが知られている(特許文献2参照)。
Such a ceramic substrate with a conductor layer is usually soldered and mounted on a general printed circuit board using a solder reflow furnace at the surface layer conductor portion. In this case, the surface layer conductor has sufficient solderability and Adhesive strength is required.
As a conductor paste suitable for forming such a surface layer conductor excellent in solderability and adhesive strength, a paste composed of a metal powder, a trace amount of manganese oxide powder, a trace amount of glass frit and an organic vehicle is known (Patent Document). 2).
高周波用受動部品の表層導体にはその比抵抗が3.0μΩ・cm以下であることが求められる。比抵抗が3.0μΩ・cm超であるようなものであると、アンテナの場合には放射効率が低下し、フィルタの場合にはこれを組み込んだ伝送ラインの導体損失が増大して伝送損失が悪化するという問題が生じるからである。
しかし、表層導体をハンダ付け性および接着強度に優れ、しかも比抵抗が小さいものとすることは困難であった。
The surface conductor of the high-frequency passive component is required to have a specific resistance of 3.0 μΩ · cm or less. When the specific resistance is more than 3.0 μΩ · cm, the radiation efficiency is lowered in the case of an antenna, and in the case of a filter, the conductor loss of the transmission line in which the antenna is incorporated is increased and the transmission loss is reduced. This is because the problem of worsening occurs.
However, it has been difficult to make the surface conductor excellent in solderability and adhesive strength and low in specific resistance.
たとえば、特許文献2に記載されている導体ペーストでは接着強度を高くするべくガラス粉末(ガラスフリット)が添加されているが、導体の比抵抗を高くするべくガラス粉末を除去したペーストを作製してこれを焼成して得られた導体においてもその比抵抗は3.0μΩ・cm超であった。 For example, in the conductor paste described in Patent Document 2, glass powder (glass frit) is added to increase the adhesive strength, but a paste from which the glass powder is removed to increase the specific resistance of the conductor is prepared. The specific resistance of the conductor obtained by firing this was also more than 3.0 μΩ · cm.
すなわち、特許文献2の表1に記載されている実施例1(重量部で、銀粉末:95、パラジウム粉末:5、MnO2粉末:1、ガラスフリット:1)、実施例4(重量部で、銀粉末:80、パラジウム粉末:20、MnO2粉末:0.2、SnO2粉末:1、ガラスフリット:1)のそれぞれにおいてガラスフリットを0としたものに対応する導体ペースト1’、4’を、銀粉末(平均粒径1μmの球状粉末)、パラジウム粉末(平均粒径0.5μmの球状粉末)、MnO2粉末(平均粒径1μmの球状粉末)もしくはSnO2粉末(平均粒径1μmの球状粉末)および有機質ワニス(重合度7のエチルセルロ−ス樹脂をα−テレピネオ−ルに濃度が20質量%となるように溶解したもの)を調合後、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って作製した。
That is, Example 1 described in Table 1 of Patent Document 2 (in parts by weight, silver powder: 95, palladium powder: 5, MnO 2 powder: 1, glass frit: 1), Example 4 (in parts by weight) , Silver powder: 80, palladium powder: 20, MnO 2 powder: 0.2, SnO 2 powder: 1, glass frit: 1)
導体ペースト1’、4’を用いてスクリーン印刷法によりアルミナ基板上に長さ50cm、厚み10μmの短冊状パターンを形成し、室温から550℃まで5時間、550℃から875℃まで0.5時間、875℃に1.5時間、その後室温まで自然冷却、という条件で焼成した。
このようにして得られた導体ペースト1’、4’の各焼成体(導体)について比抵抗を測定したところそれぞれ3.8μΩ・cm、4.9μΩ・cmであった。
このことから、特許文献2に記載されているガラスフリット含有導体ペーストを焼成して得られる導体の比抵抗は3.0μΩ・cm超であることがわかる。
A strip-shaped pattern having a length of 50 cm and a thickness of 10 μm is formed on an alumina substrate by screen printing using the
The specific resistances of the fired bodies (conductors) of the
From this, it can be seen that the specific resistance of the conductor obtained by firing the glass frit-containing conductor paste described in Patent Document 2 is more than 3.0 μΩ · cm.
本発明は、ハンダ付け性および接着強度に優れ、しかも比抵抗が小さい導体層が表面に形成されている導体層付セラミックス基板の提供を目的とする。 An object of this invention is to provide the ceramic substrate with a conductor layer in which the conductor layer which is excellent in solderability and adhesive strength, and has a small specific resistance is formed in the surface.
本発明は、焼成されてセラミックス積層体となるセラミックグリーンシート積層体の表面に、ガラス粉末および金属粉末を含有し焼成されて導体層となる導体ペーストが塗布されたものを焼成して得られたセラミックス配線基板であって、セラミックス積層体上の導体層がその表面側に存在する金属層と、セラミックス積層体との界面側に存在するガラス層とに分離している導体層付セラミックス基板を提供する。 The present invention was obtained by firing the surface of a ceramic green sheet laminate that was fired to form a ceramic laminate, containing glass powder and metal powder, and applied with a conductor paste that was fired to become a conductor layer. Provided is a ceramic wiring board having a conductor layer in which a conductor layer on a ceramic laminate is separated into a metal layer on the surface side and a glass layer on the interface side of the ceramic laminate. To do.
また、ガラス粉末および金属粉末を質量比で3:97〜25:75の割合で含有する導体ペーストをセラミックグリーンシート積層体の表面に塗布し、焼成を行って導体層付セラミックス基板を製造する方法であって、ガラス粉末が前記焼成を行ったときに結晶を析出するものであり、その軟化点は焼成を行う温度よりも300〜400℃低い導体層付セラミックス基板製造方法を提供する。 Also, a method for producing a ceramic substrate with a conductor layer by applying a conductive paste containing glass powder and metal powder in a mass ratio of 3:97 to 25:75 on the surface of the ceramic green sheet laminate and firing it. In this case, the glass powder precipitates crystals when the firing is performed, and the softening point thereof provides a method for producing a ceramic substrate with a conductor layer that is 300 to 400 ° C. lower than the temperature for firing.
また、ガラス粉末および金属粉末を質量比で3:97〜25:75含有する導体ペーストをセラミックグリーンシート積層体の表面に塗布し、焼成を行って導体層付セラミックス基板を製造する方法であって、ガラス粉末が前記焼成を行ったときに結晶を析出するものであり、その軟化点が500〜600℃である導体層付セラミックス基板製造方法を提供する。 Further, a method for producing a ceramic substrate with a conductor layer by applying a conductor paste containing glass powder and metal powder in a mass ratio of 3:97 to 25:75 on the surface of a ceramic green sheet laminate, and firing the paste. Provided is a method for producing a ceramic substrate with a conductor layer, in which crystals are precipitated when the glass powder is baked, and the softening point thereof is 500 to 600 ° C.
本発明者は、ハンダ付け性および接着強度に優れしかも比抵抗が小さい表層導体を得るために、銀粉末の粒径を変更してみる、セラミックグリーンシートが含有するガラス粉末と同じガラスの粉末を使用する、強度向上のための添加剤として知られている酸化銅や酸化バナジウムの粉末を添加する、等の種々の試みを行ったが所望の結果を得ることはできなかった。
しかし、導体ペーストに含有させるガラス粉末を軟化点が低くかつ焼成時にセラミックグリーンシート積層体が焼結し始める前に結晶を析出するものとすることによりハンダ付け性および接着強度に優れしかも比抵抗が小さい表層導体を得られることがわかった。
In order to obtain a surface layer conductor having excellent solderability and adhesive strength and low specific resistance, the present inventor tried changing the particle size of the silver powder, and using the same glass powder as the glass powder contained in the ceramic green sheet Various attempts were made such as adding copper oxide or vanadium oxide powder, which is known as an additive for improving strength, but the desired results could not be obtained.
However, the glass powder contained in the conductor paste has a low softening point and precipitates crystals before the ceramic green sheet laminate starts to sinter during firing, so that it has excellent solderability and adhesive strength and has a specific resistance. It has been found that a small surface conductor can be obtained.
このようにして得られた導体層付セラミックス基板について表層導体部分の断面のSEM−EPMA写真をとったところ、表層導体部分が表層導体表面側の金属層と基板側のガラス層とに分離していることを見出し、本発明に至った。 When the SEM-EPMA photograph of the cross section of the surface conductor portion was taken on the ceramic substrate with the conductor layer thus obtained, the surface conductor portion was separated into a metal layer on the surface of the surface conductor and a glass layer on the substrate side. And found the present invention.
図2は後述する例1の導体層付セラミックス基板における表層導体部分の断面のSEM−EPMA写真を層構造に着目して概念的にスケッチしたものであり、たとえば層境界は実際にはこのような直線状ではなく凹凸のあるものであった。 FIG. 2 is a conceptual sketch of an SEM-EPMA photograph of the cross-section of the surface conductor portion in the ceramic substrate with a conductor layer of Example 1 described later, focusing on the layer structure. It was not linear but uneven.
SEM−EPMA写真は次のようにして撮影した。すなわち、導体層付セラミックス基板を切断し、アクリル樹脂に埋包した後、破断面を鏡面研磨して試料を作製した。試料にカーボン蒸着を施し、日本電子社製電子線マイクロアナライザ(JXA−8900M)を用いて、出力15KV−30nA、分析プローブ径10μmにて半定量モードで面分析して撮影した。 The SEM-EPMA photograph was taken as follows. That is, the ceramic substrate with a conductor layer was cut and embedded in an acrylic resin, and then the fracture surface was mirror-polished to prepare a sample. Carbon vapor deposition was performed on the sample, and the surface was analyzed in a semi-quantitative mode using an electron beam microanalyzer (JXA-8900M) manufactured by JEOL Ltd. with an output of 15 KV-30 nA and an analysis probe diameter of 10 μm.
図2(a)は表層導体の金属成分である銀のマッピングである。表面側の厚みがほぼ10μmの領域でのみ銀の存在が確認され、その他の領域の約99%において銀の濃度は0.1質量%未満であった。 FIG. 2A is a mapping of silver which is a metal component of the surface layer conductor. The presence of silver was confirmed only in the region having a thickness of about 10 μm on the surface side, and the concentration of silver was less than 0.1% by mass in about 99% of the other regions.
図2(b)は表層導体に存在するガラスの成分であるビスマスのマッピングである。表面側に存在する厚みがほぼ10μmの銀の層(図2(a))に接するようにビスマスの層は存在し、上記銀の層にあたる領域においてビスマスの存在は認められなかった。すなわち、銀の層とビスマスを含有するガラスの層とは分離した状態で接していた。ビスマスの層の厚みすなわちガラスの層の厚みはほぼ8μmであり、このビスマスの層以外の領域の約98%においてビスマスの濃度は0.1質量%未満であった。 FIG. 2B is a mapping of bismuth which is a component of glass existing in the surface layer conductor. The bismuth layer was present so as to be in contact with the silver layer having a thickness of about 10 μm on the surface side (FIG. 2A), and the presence of bismuth was not observed in the region corresponding to the silver layer. That is, the silver layer and the glass layer containing bismuth were in contact with each other in a separated state. The thickness of the bismuth layer, that is, the thickness of the glass layer was approximately 8 μm, and the concentration of bismuth was less than 0.1% by mass in about 98% of the region other than the bismuth layer.
図2(b)においてビスマスの層の下方の領域は基板本体そのものすなわちセラミックグリーンシート積層体が焼成されたもの(セラミックス積層体)そのものである。
前記ビスマスの層は、焼成されて表層導体となる導体ペーストが存在しなければ基板本体となっていた部分に導体ペースト由来のガラスがいわば滲みこんでいる部分であり、いわば基板本体の変質部分である。
In FIG. 2B, the region below the bismuth layer is the substrate body itself, that is, the one obtained by firing the ceramic green sheet laminate (ceramic laminate) itself.
The bismuth layer is a portion where glass derived from the conductive paste is soaked in the portion that has become the substrate body if there is no conductive paste that becomes a surface conductor after being baked. is there.
本発明では導体層付セラミックス基板表面に存在する表層導体または導体層は上記基板本体の変質部分(SEM−EPMA写真で認められるもの)を含むものとし、導体層において金属層(図2の例でいえば銀の層)とガラス層が分離しているとはガラスの金属層への混入がSEM−EPMA写真で認められないことである。 In the present invention, the surface conductor or conductor layer present on the surface of the ceramic substrate with a conductor layer includes an altered portion of the substrate main body (recognized in the SEM-EPMA photograph), and the metal layer in the conductor layer (in the example of FIG. 2) If the silver layer is separated from the glass layer, it means that mixing of the glass into the metal layer is not observed in the SEM-EPMA photograph.
本発明では、図2(a)に示すように導体層表面にガラスが存在しないのでハンダ付け性すなわちハンダ濡れ性に優れる。
また、図2(b)に示すように金属層と基板本体の間に導体ペースト由来のガラスを含有する変質部分が存在し、この変質部分によって導体層または金属層と基板本体との接着強度が高くなる。
また、図2(a)、(b)に示すように金属層にはガラスが存在しないので導体層の比抵抗が小さくなる。
In the present invention, since no glass is present on the surface of the conductor layer as shown in FIG. 2A, the solderability, that is, the solder wettability is excellent.
Further, as shown in FIG. 2 (b), there is an altered portion containing glass derived from the conductive paste between the metal layer and the substrate body, and this altered portion provides an adhesive strength between the conductor layer or the metal layer and the substrate body. Get higher.
Further, as shown in FIGS. 2A and 2B, since the glass does not exist in the metal layer, the specific resistance of the conductor layer is reduced.
UWB向けのアンテナなどの放射効率を高くしたり、高周波用フィルタを組み込んだ伝送ラインの伝送損失を小さくしたりすることが可能になる。
また、一般的なプリント基板への実装強度を高くできる、メッキ処理なしでボンディングやハンダ付けができる、鉛含有ハンダに比べて濡れ性に劣る無鉛ハンダを用いたハンダ付けができる、などの効果がある。
It becomes possible to increase the radiation efficiency of an antenna for UWB or to reduce the transmission loss of a transmission line incorporating a high frequency filter.
In addition, there are effects such as high mounting strength on general printed circuit boards, bonding and soldering without plating, and soldering using lead-free solder that is inferior in wettability compared to lead-containing solder. is there.
本発明の導体層付セラミックス基板(以下、単に導体層付基板という。)を図1を用いて説明する。なお、本発明は図1に限定されない。
本発明の導体層付基板の主要部は複数のセラミックス層11が積層されたセラミックス積層体であり、セラミックス積層体の内部には通常、配線の一部となる内層導体2およびビア導体3が存在する。
セラミックス積層体の表面には導体層(表面導体)1が形成されており、導体層1は通常、内層導体2またはビア導体3と接続するように形成される。
A ceramic substrate with a conductor layer (hereinafter simply referred to as a substrate with a conductor layer) of the present invention will be described with reference to FIG. Note that the present invention is not limited to FIG.
The main part of the substrate with a conductor layer of the present invention is a ceramic laminate in which a plurality of ceramic layers 11 are laminated, and an inner layer conductor 2 and a via
A conductor layer (surface conductor) 1 is formed on the surface of the ceramic laminate, and the
セラミックス積層体の表面に形成されている導体層について、それがセラミックス層11上に形成されている場合を例にとってその断面の概念図である図3を用いて説明する。
断面のSEM−EPMA写真で見たときにセラミックス層11との間に境界を有して存在する層が導体層である。
同じように見たときに導体層自体がその内部に境界を有し、その境界よりも導体層表面側に存在する層が金属層1aであり、セラミックス層11との間の前記境界側すなわちセラミックス層11との界面側に存在する層がガラス層1bである。
The conductor layer formed on the surface of the ceramic laminate will be described with reference to FIG. 3 which is a conceptual diagram of the cross section, taking as an example the case where it is formed on the ceramic layer 11.
A layer presenting a boundary with the ceramic layer 11 when viewed with a cross-sectional SEM-EPMA photograph is a conductor layer.
When viewed in the same manner, the conductor layer itself has a boundary inside thereof, and the layer present on the surface side of the conductor layer from the boundary is the metal layer 1a. The layer present on the interface side with the layer 11 is the glass layer 1b.
金属層1aには金属が存在し、ガラス層1bにはガラスが存在する。
金属層1aにはガラスは実質的に存在しないことが好ましい。すなわち、金属層断面中のガラスが存在する部分の面積割合が3%以下であることが好ましい。
ガラス層1bには金属層1aの構成成分である金属すなわち焼成されて導体層となる導体ペーストが含有する金属粉末の金属は実質的に存在しないことが好ましい。すなわち、ガラス層断面中の前記金属粉末の金属が存在する部分の面積割合が2%以下であることが好ましい。
Metal is present in the metal layer 1a, and glass is present in the glass layer 1b.
It is preferable that glass is not substantially present in the metal layer 1a. That is, it is preferable that the area ratio of the portion where the glass exists in the cross section of the metal layer is 3% or less.
It is preferable that the glass layer 1b is substantially free of metal that is a constituent component of the metal layer 1a, that is, a metal powder contained in a conductor paste that is fired to become a conductor layer. That is, it is preferable that the area ratio of the portion where the metal of the metal powder exists in the cross section of the glass layer is 2% or less.
金属層1a断面中のガラスが存在する部分の面積割合およびガラス層1b断面中の前記金属が存在する部分の面積割合は、100μmの長さにわたる導体層の断面のSEM−EPMA写真を検出限界が0.1質量%の条件で撮影して求められる。 As for the area ratio of the portion where the glass exists in the cross section of the metal layer 1a and the area ratio of the portion where the metal exists in the cross section of the glass layer 1b, the detection limit is the SEM-EPMA photograph of the cross section of the conductor layer over a length of 100 μm. It is obtained by photographing under the condition of 0.1% by mass.
前記金属粉末は、銀、金および銀−パラジウム合金からなる群から選ばれる1種以上の金属の粉末である、または、銀、金および銀−パラジウム合金からなる群から選ばれる1種以上の金属の粉末とパラジウム粉末との混合粉末であることが好ましい。
金属層の比抵抗は3μΩ・cm以下であることが好ましい。3μΩ・cm超では高周波用受動部品に使用することが困難になる。
導体層は鉛を含有しないものであることが好ましい。
The metal powder is a powder of one or more metals selected from the group consisting of silver, gold and a silver-palladium alloy, or one or more metals selected from the group consisting of silver, gold and a silver-palladium alloy. It is preferable to be a mixed powder of the above powder and palladium powder.
The specific resistance of the metal layer is preferably 3 μΩ · cm or less. If it exceeds 3 μΩ · cm, it will be difficult to use for high frequency passive components.
The conductor layer preferably does not contain lead.
次に、本発明の導体層付基板製造方法(本発明の製造方法)について説明する。
本発明の製造方法は本発明の導体層付基板を製造する方法として好適である。
導体ペーストは通常、第1のガラス粉末、金属粉末および有機質ワニスからなるが、必要に応じてその他の粉末などを含有してもよい。
第1のガラス粉末と金属粉末の質量比が3:97よりも小さいと前記接着強度が低下する。典型的には5:95以上である。25:75よりも大きいと導体ペーストを焼成して得られた導体層の表面にガラスが存在しやすくなり、導体層のハンダ付け性が低下するまたは比抵抗が大きくなる。典型的には23:77以下である。
Next, the method for producing a substrate with a conductor layer of the present invention (the production method of the present invention) is described.
The manufacturing method of this invention is suitable as a method of manufacturing the board | substrate with a conductor layer of this invention.
The conductor paste is usually composed of a first glass powder, a metal powder and an organic varnish, but may contain other powders as necessary.
When the mass ratio of the first glass powder and the metal powder is smaller than 3:97, the adhesive strength is lowered. Typically, it is 5:95 or more. If it is larger than 25:75, glass tends to be present on the surface of the conductor layer obtained by firing the conductor paste, and the solderability of the conductor layer is reduced or the specific resistance is increased. Typically it is 23:77 or less.
第1のガラス粉末は焼成時に結晶を析出するものでなければならない。そのようなものでないと、焼成時のガラス流動が過大となり導体層表面にガラスが存在しやすくなる。
第1のガラス粉末が結晶を析出する温度(Tc)は前記焼成を行う温度(Tb)よりも150〜250℃低いことが好ましい。TcがTbよりも150℃未満の範囲で低いものであると、焼成時にガラスが流動できる時間が短くなってセラミックス層との界面にガラスが存在しにくくなり接着強度が低下するおそれがある。TcはTbよりも180℃以上低いものであることがより好ましい。TcがTbよりも250℃を超えて低いものであると、焼成時のガラス流動が過大となり導体層表面にガラスが存在しやすくなるおそれがある。TcはTbよりも220℃以下の範囲で低いものであることがより好ましい。
典型的には、Tcは620〜720℃、Tbは850〜900℃である。
The first glass powder must deposit crystals upon firing. Otherwise, the glass flow during firing becomes excessive and glass tends to exist on the surface of the conductor layer.
The temperature (Tc) at which the first glass powder precipitates crystals is preferably 150 to 250 ° C. lower than the temperature (Tb) at which the firing is performed. If Tc is lower than Tb in a range of less than 150 ° C., the time during which the glass can flow during firing is shortened, and the glass is unlikely to exist at the interface with the ceramic layer, which may reduce the adhesive strength. More preferably, Tc is 180 ° C. lower than Tb. If Tc is lower than Tb by more than 250 ° C., the glass flow during firing becomes excessive, and there is a possibility that the glass tends to exist on the surface of the conductor layer. More preferably, Tc is lower than Tb in the range of 220 ° C. or lower.
Typically, Tc is 620 to 720 ° C and Tb is 850 to 900 ° C.
第1のガラス粉末の軟化点(Ts)はTbよりも260〜370℃低いものでなければならない。TsがTbよりも260℃未満の範囲で低いものであると、焼成時にガラスが流動できる時間が短くなってセラミックス層との界面にガラスが存在しにくくなり接着強度が低下するおそれがある。TsはTbよりも300℃以上低いものであることがより好ましい。
Tsは典型的には500〜600℃である。
The softening point (Ts) of the first glass powder must be 260 to 370 ° C. lower than Tb. If Ts is lower than Tb in a range of less than 260 ° C., the time during which the glass can flow during firing is shortened, and the glass is unlikely to exist at the interface with the ceramic layer, which may reduce the adhesive strength. More preferably, Ts is lower by 300 ° C. or more than Tb.
Ts is typically 500-600 ° C.
第1のガラス粉末は、下記酸化物基準のモル%表示で、SiO2 40〜50%、B2O3 10〜16%、ZnO 15〜21%、Li2O+Na2O+K2O 10〜16%、Bi2O3 2〜8%、TiO2 1〜6%、CeO2 0〜3%、から本質的になるガラスの粉末である。
この例示ガラスにおいてモル%表示で、B2O3が10〜15%、Li2Oが4〜8%、Na2Oが5〜9%、K2Oが0〜2%、Bi2O3が3〜7%、TiO2が2〜5%、であることが典型的である。
The first glass powder is expressed in terms of mol% based on the following oxides: SiO 2 40-50%, B 2 O 3 10-16%, ZnO 15-21%, Li 2 O + Na 2 O + K 2 O 10-16% , Bi 2 O 3 2-8%, TiO 2 1-6%, CeO 2 0-3% .
In this exemplary glass, in terms of mol%, B 2 O 3 is 10 to 15%, Li 2 O is 4 to 8%, Na 2 O is 5 to 9%, K 2 O is 0 to 2%, Bi 2 O 3 Is typically 3-7% and TiO 2 is 2-5%.
このガラスは本質的に上記成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲でその他の成分を含有してもよく、その場合そのような成分の含有量の合計は10モル%以下であることが好ましく、より好ましくは5モル%以下である。なお、たとえばK2Oが0〜2%であるとは、K2Oは必須ではないが2%まで含有してもよい、の意である。
This glass consists essentially of the above components, may contain other components within a range not impairing the object of the present invention, in which case the total content of such components 10 mol% or less It is preferable that it is 5 mol% or less. For example, K 2 O being 0 to 2% means that K 2 O is not essential but may be contained up to 2%.
金属粉末は、銀、金および銀−パラジウム合金からなる群から選ばれる1種以上の金属の粉末であることが好ましい。 The metal powder is preferably a powder of one or more metals selected from the group consisting of silver, gold, and a silver-palladium alloy.
導体ペーストにおける有機質ワニスの質量百分率表示含有割合は、好ましくは3〜20%である。3%未満では焼成前の塗膜強度が不十分になる、またはペースト粘度が高くなり印刷性が低下するおそれがある。20%超では導体層中に空隙が多くなり比抵抗が大きくなる、またはペースト粘度が小さくなりすぎ印刷性がかえって低下するおそれがある。
導体ペーストは鉛を含有しないものであることが好ましい。
The mass percentage display content ratio of the organic varnish in the conductor paste is preferably 3 to 20%. If it is less than 3%, the coating film strength before firing may be insufficient, or the paste viscosity may be increased and the printability may be reduced. If it exceeds 20%, the conductor layer has more voids and the specific resistance becomes larger, or the paste viscosity becomes too small and the printability may be lowered.
The conductor paste preferably does not contain lead.
セラミックグリーンシート積層体はグリーンシートを積層したものである。
グリーンシートはLTCC技術において周知の方法によって作製される。すなわち、前記第2のガラス粉末およびアルミナ粉末等のセラミックス粉末を必須成分とするガラスセラミックス組成物をポリビニルブチラールやアクリル樹脂等の樹脂とトルエン、キシレン、ブタノール等の溶剤と、さらに必要に応じてフタル酸ジブチル、フタル酸ジオクチル、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール等の可塑剤や分散剤を添加して混合し、スラリーとする。次に、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のフィルム上にドクターブレード法等によって、前記スラリーをシート状に成形する。このシート状に成形されたものを乾燥して溶剤を除去し、グリーンシートとする。
The ceramic green sheet laminate is a laminate of green sheets.
Green sheets are made by methods well known in the LTCC technology. That is, a glass ceramic composition containing ceramic powder such as the second glass powder and alumina powder as an essential component, a resin such as polyvinyl butyral and acrylic resin, a solvent such as toluene, xylene, and butanol, and further phthalate as necessary. A plasticizer and a dispersant such as dibutyl acid, dioctyl phthalate, triethylene glycol, and polyethylene glycol are added and mixed to obtain a slurry. Next, the slurry is formed into a sheet shape by a doctor blade method or the like on a film of polyethylene terephthalate (PET) or the like. The sheet formed into a sheet is dried to remove the solvent to obtain a green sheet.
第2のガラス粉末はSiO2、Al2O3、ZnOおよびアルカリ土類金属酸化物を合計で70モル%以上含有するガラスの粉末であるが、その他に含有してもよい成分としてはB2O3、Bi2O3等が例示される。なお、PbOは含有しないものであることが好ましい。 Although the second glass powder is a powder of glass containing SiO 2, Al 2 O 3, ZnO and the alkaline earth metal oxide in total 70 mol% or more, as good components also contain other B 2 Examples include O 3 and Bi 2 O 3 . In addition, it is preferable that PbO does not contain.
第2のガラス粉末として、下記酸化物基準のモル%表示で、SiO2 25〜50%、B2O3 0〜25%、Al2O3 3〜12%、ZnO 1〜22%、MgO +CaO+BaO 18〜55%、から本質的になるガラスの粉末が例示される。この例示ガラスは本質的に上記成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲でその他の成分を含有してもよく、その場合そのような成分の含有量の合計は10モル%以下であることが好ましく、より好ましくは5モル%以下である。
As a second glass powder, as represented by mol% based on the following oxides, SiO 2 25~50%, B 2
グリーンシート積層体を次のようにして作製した。
まず、表1のSiO2からSnO2までの欄にモル%表示で示す組成となるように原料を調合、混合し、この混合された原料を溶融し、得られた溶融ガラスを流し出し冷却した。冷却されたガラスを粉砕してガラスA〜Dの粉末を得た。この粉末はフレーク状で、平均粒径は1μmであった。
A green sheet laminate was produced as follows.
First, raw materials were prepared and mixed so as to have a composition represented by mol% in the columns of SiO 2 to SnO 2 in Table 1, and the mixed raw materials were melted, and the obtained molten glass was poured out and cooled. . The cooled glass was pulverized to obtain powders of glasses AD. This powder was flaky and had an average particle size of 1 μm.
次に、表2のガラス、セラミックスの各粉末をガラス量、セラミックス量の各欄に質量百分率表示で示す割合で含有するガラスセラミックス組成物GC−A〜Dを作製した。
アルミナ粉末としては住友化学工業社製スミコランダムAA2を用いた。
チタン酸バリウム粉末は次のようにして作製した。すなわち、BaCO3粉末(堺化学工業社製炭酸バリウムBW−KT)88gとTiO2粉末(東邦チタニウム社製HT0210)130gとを水を溶媒としてボールミルで混合し、乾燥後1150℃に2時間保持した。その後ボールミルで60時間粉砕して平均粒経が1μmの粉末とした。
Next, glass ceramic compositions GC-A to GC-D containing the glass and ceramic powders in Table 2 at the ratios indicated by mass percentage in each column of glass amount and ceramic amount were prepared.
Sumiko Random AA2 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd. was used as the alumina powder.
The barium titanate powder was produced as follows. That is, 88 g of BaCO 3 powder (barium carbonate BW-KT manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd.) and 130 g of TiO 2 powder (HT0210 manufactured by Toho Titanium Co., Ltd.) were mixed in a ball mill using water as a solvent, and kept at 1150 ° C. for 2 hours after drying. . Thereafter, it was pulverized for 60 hours by a ball mill to obtain a powder having an average particle size of 1 μm.
ガラスセラミックス組成物GC−A〜Dのそれぞれについて、ガラスセラミックス組成物100質量部に、トルエン、キシレン、イソプロピルアルコール、2−ブチルアルコールを質量比で4:2:2:1の割合で含有する有機溶剤を70質量部、フタル酸ジオクチルを5質量部、分散剤(ビックケミージャパン社製BYK180)を0.3質量部、ポリビニルブチラールを10質量部の割合で加えて撹拌し、なめらかなスラリーとした。このスラリーをPETフィルム上にドクターブレード法によって塗布し、乾燥して厚みが200μmのグリーンシートGS−A〜Dを得た。
グリーンシートGS−A〜Dのそれぞれについて、大きさが40mm×100mmのもの6枚を積層し、80℃に加熱し、80MPaの圧力をかけて一体化し、グリーンシート積層体A〜Dを作製した。
For each of the glass ceramic compositions GC-A to D, an organic material containing toluene, xylene, isopropyl alcohol, and 2-butyl alcohol in a mass ratio of 4: 2: 2: 1 in 100 parts by mass of the glass ceramic composition. 70 parts by mass of solvent, 5 parts by mass of dioctyl phthalate, 0.3 parts by mass of a dispersant (BYK180 manufactured by BYK Japan) and 10 parts by mass of polyvinyl butyral were added and stirred to obtain a smooth slurry. . This slurry was applied onto a PET film by a doctor blade method and dried to obtain green sheets GS-A to D having a thickness of 200 μm.
For each of the green sheets GS-A to D, 6 sheets each having a size of 40 mm × 100 mm were laminated, heated to 80 ° C., and integrated by applying a pressure of 80 MPa to produce green sheet laminates A to D. .
一方、導体ペースト用ガラス粉末としてガラス粉末1(モル%で、SiO2 44.65%、B2O3 13.13%、ZnO 18.44%、Li2O 6.58%、Na2O 7.06%、K2O 0.71%、Bi2O3 5.28%、TiO2 3.15%、CeO2 1.0%)、ガラス粉末2(モル%で、SiO2 51.9%、Al2O3 13.2%、ZnO 10.5%、MgO 24.4%)、ガラス粉末3(旭硝子社製SiO2−B2O3−PbO系ガラス粉末ASF−1340)を用意した。
ガラス粉末1、2、3はいずれも平均粒径が1μmのフレーク状のものであった。
On the other hand, glass powder 1 (mole%, SiO 2 44.65%, B 2 O 3 13.13%, ZnO 18.44%, Li 2 O 6.58%, Na 2 O 7 as a conductive paste glass powder. 0.06%, K 2 O 0.71%, Bi 2 O 3 5.28%, TiO 2 3.15%, CeO 2 1.0%), glass powder 2 (mol%, SiO 2 51.9%) Al 2 O 3 13.2%, ZnO 10.5%, MgO 24.4%) and glass powder 3 (SiO 2 —B 2 O 3 —PbO glass powder ASF-1340 manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) were prepared.
Glass powders 1, 2, and 3 were all in the form of flakes having an average particle diameter of 1 μm.
ガラス粉末1、2、3のTs、Tcを次のようにして測定した。結果を表3に示す。なお、ガラス粉末3については850℃までの範囲で結晶析出は認められなかった。
Ts、Tc:示差熱分析による測定であり、島津製作所社製DTA−50を用いて白金容器にガラス粉末を30mg充填し、1分間につき10℃のスピードで900℃まで昇温した時の発吸熱曲線から、Tsについては第2吸熱部の裾の温度を、Tcについては発熱が最高になる温度をそれぞれ読み取った。
Ts and Tc of
Ts, Tc: Measurement by differential thermal analysis, heat absorption when 30 mg of glass powder is filled in a platinum container using DTA-50 manufactured by Shimadzu Corporation and the temperature is raised to 900 ° C. at a speed of 10 ° C. per minute. From the curve, the temperature at the bottom of the second endothermic part was read for Ts, and the temperature at which heat generation was highest for Tc.
ガラス粉末1、2または3を用いた導体ペーストをグリーンシート積層体A、B、CまたはDの表面にスクリーン印刷して図4のようなパターンを作製した。
図4の左側のパターンは比抵抗測定用パターン、右上側の3個の大きな正方形はハンダ濡れ測定用パターン、右下側の小さな正方形12個は接着強度測定用パターンである。
A conductor paste using
The left pattern in FIG. 4 is a specific resistance measurement pattern, the three large squares on the upper right side are solder wetting measurement patterns, and the twelve small squares on the lower right side are adhesive strength measurement patterns.
次に、このようなパターンが表面に形成されたグリーンシート積層体を箱形電気炉に入れ、室温から550℃まで5時間、550℃から875℃まで30分で昇温し、875℃にて1時間30分保持する焼成を行って図4に示すような導体層を表面に有する導体層付基板を得た。 Next, the green sheet laminate having such a pattern formed on the surface is placed in a box-type electric furnace, heated from room temperature to 550 ° C. for 5 hours, from 550 ° C. to 875 ° C. in 30 minutes, and at 875 ° C. The board | substrate with a conductor layer which performed the baking hold | maintained for 1 hour 30 minutes and has a conductor layer as shown in FIG. 4 on the surface was obtained.
表4、5の例1〜7は本発明の製造方法の実施例、例8〜11は比較例であり、例1は先にも述べたように本発明の導体層付基板の実施例である。
例8、9においては導体ペーストのガラス粉末と銀粉末の質量比が3:97〜5:75の範囲外であり、例10は導体ペーストのガラス粉末のTsが焼成温度すなわち875℃よりも245℃低く、例11は導体ペーストのガラス粉末が焼成時に結晶を析出しないものである。
Examples 1 to 7 in Tables 4 and 5 are examples of the production method of the present invention, Examples 8 to 11 are comparative examples, and Example 1 is an example of the substrate with a conductor layer of the present invention as described above. is there.
In Examples 8 and 9, the mass ratio of the glass powder of the conductive paste to the silver powder is outside the range of 3:97 to 5:75. In Example 10, the Ts of the glass powder of the conductive paste is 245 ° C. above the firing temperature, that is, 875 ° C. In Example 11, the glass powder of the conductor paste does not precipitate crystals upon firing.
表4、5において、ガラス欄には導体ペーストに使用したガラス粉末のガラスを、ガラス量、銀粉末量、ワニス量の欄には導体ペーストの各成分の質量百分率表示含有量を、ガラス:銀の欄にはガラス粉末と銀粉末の質量比を、積層体の欄には使用したグリーンシート積層体の名称をそれぞれ示す。 In Tables 4 and 5, the glass column shows the glass powder used in the conductor paste, the glass amount, silver powder amount, and varnish amount columns show the percentage content of each component of the conductor paste. In the column, the mass ratio of the glass powder and the silver powder is shown, and in the column of the laminate, the name of the green sheet laminate used is shown.
銀粉末としては平均粒径が3μmである球状のものを用いた。
有機質ワニスとしては、重合度7のエチルセルロ−ス樹脂をα−テレピネオ−ルに濃度が20質量%となるように溶解したものを用いた。
導体ペーストは、ガラス粉末、銀粉末および有機質ワニスを表4、5の割合で調合後、磁器乳鉢中で1時間混練を行い、さらに三本ロールにて3回分散を行って作製した。
A silver powder having an average particle diameter of 3 μm was used as the silver powder.
As the organic varnish, an ethyl cellulose resin having a polymerization degree of 7 dissolved in α-terpineol so as to have a concentration of 20% by mass was used.
The conductive paste was prepared by mixing glass powder, silver powder and organic varnish in the ratios shown in Tables 4 and 5 and then kneading them in a porcelain mortar for 1 hour and further dispersing them three times with three rolls.
例1〜11の導体層付基板について、比抵抗(単位:μΩ・cm)、ハンダ濡れ性(単位:%)、接着強度(単位:kg重/2mm2。なお、1kg重/2mm2=2.5MPa。)を以下のようにして測定した。結果を表4、5に示す。
比抵抗:アドバンテスト社製デジタルマルチメ−タ−を用いて、前記比抵抗測定用パターンについて電気抵抗Rを測定した。さらに、走査型電子顕微鏡により導体層付基板の断面を観察し金属層の断面積Sを求めた。前記R、Sと前記パターンの導電性線条の長さLを用いてR×S÷Lを算出し、これを比抵抗とした。比抵抗は3μΩ・cm以下であることが好ましい。
For the conductive layer-attached substrate of Examples 1-11, the specific resistance (unit: [mu] [Omega] · cm), the solder wettability (unit:%), the adhesive strength (unit:. Kg Weight / 2 mm 2 Note, 1 kg weight / 2 mm 2 = 2 .5 MPa) was measured as follows. The results are shown in Tables 4 and 5.
Specific Resistance: The electrical resistance R was measured for the specific resistance measurement pattern using a digital multimeter manufactured by Advantest Corporation. Furthermore, the cross section of the board | substrate with a conductor layer was observed with the scanning electron microscope, and the cross-sectional area S of the metal layer was calculated | required. R × S ÷ L was calculated using R, S and the length L of the conductive filament of the pattern, and this was defined as the specific resistance. The specific resistance is preferably 3 μΩ · cm or less.
ハンダ濡れ性:240℃に保持したはんだ浴槽(3%Ag/96.5%Sn/0.5%Cu)に5秒間浸漬して引き出し、冷却後、導体層パターン面積に対するはんだの付着している部分の面積の割合を算出して表示した。ハンダ濡れ性はハンダ付け性の指標であり、100%であることが好ましい。 Solder wettability: After being immersed in a solder bath (3% Ag / 96.5% Sn / 0.5% Cu) maintained at 240 ° C. for 5 seconds and then cooled, the solder adheres to the conductor layer pattern area. The ratio of the area of the part was calculated and displayed. Solder wettability is an index of solderability and is preferably 100%.
接着強度:2mm角の接着強度測定用パターンの上に無電解Niメッキを3μm施し、さらに無電解Auメッキを0.5μm施した後、0.6mm径のSnメッキ銅線をL字型にし、その水平部分をハンダ付けして、引張試験機によって20mm/分の速度で引っ張ることにより測定した。パターンがはがれたときの引張力を接着強度とした。接着強度は2.0kg重(5.0MPa)以上であることが好ましい。
なお、例9、10についてはハンダ付けができず接着強度を測定できなかった。
Adhesive strength: After applying 3 μm of electroless Ni plating on the pattern for measuring adhesive strength of 2 mm square, and further applying 0.5 μm of electroless Au plating, 0.6 mm diameter Sn-plated copper wire is made L-shaped, The horizontal portion was soldered and measured by pulling at a rate of 20 mm / min with a tensile tester. The tensile force when the pattern was peeled was defined as the adhesive strength. The adhesive strength is preferably 2.0 kg weight (5.0 MPa) or more.
In Examples 9 and 10, soldering could not be performed and the adhesive strength could not be measured.
高周波用受動部品として利用できる。 It can be used as a passive component for high frequencies.
1:表層導体(導体層)
1a:金属層
1b:ガラス層
2:内層導体
3:ビア導体
10:導体層付セラミックス基板
11:セラミックス層
1: Surface layer conductor (conductor layer)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a: Metal layer 1b: Glass layer 2: Inner layer conductor 3: Via conductor 10: Ceramic substrate with a conductor layer 11: Ceramic layer
Claims (12)
ガラス粉末および金属粉末を含有し焼成されて導体層となる導体ペーストが塗布されたものを焼成して得られたセラミックス基板であって、
セラミックス積層体上の導体層がその表面側に存在する金属層と、セラミックス積層体との界面側に存在する結晶が析出したガラス層とに分離しており、
ガラス粉末が下記酸化物基準のモル%表示で、
SiO 2 40〜50%、
B 2 O 3 10〜16%、
ZnO 15〜21%、
Li 2 O+Na 2 O+K 2 O 10〜16%、
Bi 2 O 3 2〜8%、
TiO 2 1〜6%、
CeO 2 0〜3%、
から本質的になり、
導体層が鉛を含有しない
導体層付セラミックス基板。 On the surface of the ceramic green sheet laminate that is fired to become a ceramic laminate,
A ceramic substrate obtained by firing a conductive paste that contains a glass powder and a metal powder and is fired to form a conductor layer,
The conductor layer on the ceramic laminate is separated into a metal layer present on its surface side and a glass layer on which crystals present on the interface side with the ceramic laminate are deposited ,
The glass powder is expressed in mol% based on the following oxides:
SiO 2 40~50%,
B 2 O 3 10-16%,
ZnO 15-21%,
Li 2 O + Na 2 O + K 2 O 10-16%,
Bi 2 O 3 2-8%,
TiO 2 1-6%,
CeO 2 0-3%,
Essentially consists of
A ceramic substrate with a conductor layer, wherein the conductor layer does not contain lead .
第2のガラス粉末を含有するセラミックグリーンシート積層体の表面に塗布し、焼成を行って導体層付セラミックス基板を製造する方法であって、
第1のガラス粉末が、前記焼成を行ったときに結晶を析出し軟化点が焼成を行う温度よりも260〜370℃低いガラスの粉末であり、
下記酸化物基準のモル%表示で、
SiO 2 40〜50%、
B 2 O 3 10〜16%、
ZnO 15〜21%、
Li 2 O+Na 2 O+K 2 O 10〜16%、
Bi 2 O 3 2〜8%、
TiO 2 1〜6%、
CeO 2 0〜3%、
から本質的になり、
導体ペーストが鉛を含有しないガラス粉末であり、
第2のガラス粉末が、SiO2、Al2O3、ZnOおよびアルカリ土類金属酸化物を合計で70モル%以上含有するガラスの粉末である導体層付セラミックス基板製造方法。 A conductor paste containing the first glass powder and the metal powder in a mass ratio of 3:97 to 25:75,
It is a method for producing a ceramic substrate with a conductor layer by applying to the surface of a ceramic green sheet laminate containing a second glass powder and firing.
The first glass powder is a glass powder that is 260 to 370 ° C. lower than the temperature at which the crystals are precipitated and the softening point is fired when the firing is performed,
In mol% display based on the following oxides:
SiO 2 40~50%,
B 2 O 3 10-16%,
ZnO 15-21%,
Li 2 O + Na 2 O + K 2 O 10-16%,
Bi 2 O 3 2-8%,
TiO 2 1-6%,
CeO 2 0-3%,
Essentially consists of
The conductive paste is a glass powder containing no lead,
A method for producing a ceramic substrate with a conductor layer, wherein the second glass powder is a glass powder containing SiO 2 , Al 2 O 3 , ZnO and an alkaline earth metal oxide in a total amount of 70 mol% or more.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005351296A JP4702021B2 (en) | 2005-12-05 | 2005-12-05 | Ceramic substrate with conductor layer and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005351296A JP4702021B2 (en) | 2005-12-05 | 2005-12-05 | Ceramic substrate with conductor layer and method for producing the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007158027A JP2007158027A (en) | 2007-06-21 |
| JP4702021B2 true JP4702021B2 (en) | 2011-06-15 |
Family
ID=38241994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005351296A Expired - Fee Related JP4702021B2 (en) | 2005-12-05 | 2005-12-05 | Ceramic substrate with conductor layer and method for producing the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4702021B2 (en) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3218767B2 (en) * | 1992-01-24 | 2001-10-15 | 東レ株式会社 | Photosensitive conductive paste |
| JPH06231613A (en) * | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Conductive paste of photopolymerization type |
| JPH06334351A (en) * | 1993-05-19 | 1994-12-02 | Nippon Cement Co Ltd | Conductor paste and ceramic multilayer interconnection board using same |
| JP3209089B2 (en) * | 1996-05-09 | 2001-09-17 | 昭栄化学工業株式会社 | Conductive paste |
| JP3588224B2 (en) * | 1997-03-31 | 2004-11-10 | 京セラ株式会社 | High frequency wiring board |
| JP2002151810A (en) * | 2000-11-10 | 2002-05-24 | Denso Corp | Circuit board and its manufacturing method |
| JP2005191310A (en) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | Conductive paste for forming via conductor and method for manufacturing circuit board using the same |
-
2005
- 2005-12-05 JP JP2005351296A patent/JP4702021B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007158027A (en) | 2007-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100525176B1 (en) | Ceramic electronic component and production method therefor | |
| KR100791208B1 (en) | Thick Film Conductor Paste Composition for LTCC Tapes in Microwave Applications | |
| JP4645594B2 (en) | Conductive paste and ceramic electronic component using the same | |
| TW200919492A (en) | Conductor paste for ceramic substrate and electric circuit | |
| JP2009088089A (en) | Ceramic multilayer substrate | |
| JP5641216B2 (en) | Method for manufacturing ceramic electronic component and ceramic electronic component | |
| JP2010531044A (en) | Insulating paste for metal core substrates and electronic devices | |
| JP3851295B2 (en) | Low temperature fired dielectric composition, multilayer ceramic capacitor and ceramic electronic component | |
| JP4577461B2 (en) | Conductive paste composition and multilayer capacitor | |
| US20060246322A1 (en) | Oxide porcelain composition, ceramic multilayer substrate, and ceramic electronic component | |
| JP2007294633A (en) | Ceramic electronic component and conductive paste therefor | |
| JP4802039B2 (en) | Ceramic composition and multilayer ceramic circuit device | |
| US8652982B2 (en) | Ceramic sintered body and method for producing ceramic sintered body | |
| EP1383361A2 (en) | Copper paste, wiring board using the same, and production method of wiring board | |
| JP4867399B2 (en) | Conductor paste and ceramic multilayer substrate manufacturing method | |
| JP2003277852A (en) | Copper metallized composition and ceramic wiring board | |
| JP4702021B2 (en) | Ceramic substrate with conductor layer and method for producing the same | |
| JP4645383B2 (en) | Conductive paste and method for manufacturing ceramic electronic component using the same | |
| JP4438090B2 (en) | Glass powder for conductor paste | |
| JPH11284296A (en) | Wiring board | |
| JP4646362B2 (en) | Conductor composition and wiring board using the same | |
| JP4540297B2 (en) | Low-temperature fired porcelain composition, low-temperature fired porcelain, and wiring board | |
| JP2011142307A (en) | Electronic component and method for manufacturing the same | |
| JP2010109133A (en) | Ceramic electronic component and electronic apparatus using the same | |
| JP3426820B2 (en) | Copper metallized composition and method for producing glass ceramic wiring board using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080828 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100916 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100928 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101129 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110208 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110221 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140318 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140318 Year of fee payment: 3 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140318 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |