JP4974873B2 - 静電チャック及び基板温調固定装置 - Google Patents

Description

本発明は、静電チャック及び基板温調固定装置に係り、特に基体上に載置された吸着対象物を吸着する静電チャック及び基板温調固定装置に関する。

従来、ＩＣやＬＳＩ等の半導体装置を製造する際に使用される成膜装置（例えば、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置等）やプラズマエッチング装置は、基板（例えば、シリコンウエハ）を真空の処理室内に精度良く保持するためのステージを有する。このようなステージとして、例えば、静電チャックを有する基板温調固定装置が提案されている。

基板温調固定装置は、静電チャックにより基板を吸着保持し、吸着保持された基板が所定の温度となるように温度制御を行う装置である。静電チャックには、クーロン力型静電チャックと、ジョンソンラーベック力型静電チャックとがある。クーロン力型静電チャックは、吸着力の電圧印加に対する応答性はよいが、高電圧の印加を必要とし、静電チャックと基板との接触面積が大きくないと十分な吸着力が得られないことが特徴である。ジョンソンラーベック力型静電チャックは、基板に電流を流す必要があるが、静電チャックと基板との接触面積が小さくても十分な吸着力が得られることが特徴である。

図１は、従来の基板温調固定装置１００を簡略化して例示する平面図である。図２は、従来の基板温調固定装置１００を簡略化して例示する図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図１及び図２を参照するに、基板温調固定装置１００は、静電チャック１０１と、接着層１０５と、ベースプレート１０６とを有する。静電チャック１０１は、基体１０２と、静電電極１０３とを有するクーロン力型静電チャックである。基体１０２は、ベースプレート１０６上に接着層１０５を介して固定されている。基体１０２は、セラミックスにより構成されている。

基体１０２の上面１０２ａの外縁部には平面視円環状の突起部である外周シールリング１０２ｂが設けられている。外周シールリング１０２ｂの平面視内側には、円柱形状の多数の突起部１０２ｃが平面視水玉模様状に点在するように設けられている。外周シールリング１０２ｂと多数の突起部１０２ｃの上面の高さｈ_１は同一であり、高さｈ_１は、例えば、２０〜４０μｍとすることができる。突起部１０２ｃの上面の直径φ_１は、例えば、１．０〜２．０ｍｍとすることができる。

静電電極１０３は、薄膜静電電極であり、基体１０２に内蔵されている。静電電極１０３は、基板温調固定装置１００の外部に設けられた直流電源（図示せず）に接続され、所定の電圧が印加されると、基板等の吸着対象物（図示せず）を外周シールリング１０２ｂ及び多数の突起部１０２ｃの上面に吸着保持する。吸着保持力は、静電電極１０３に印加される電圧が高いほど強くなる。

ベースプレート１０６は、静電チャック１０１を支持するためのものである。ベースプレート１０６には、発熱体（図示せず）や水路１０４が設けられており、基体１０２の温度制御を行う。発熱体（図示せず）は、電圧を印加されることで発熱し、接着層１０５を介して基体１０２を加熱する。

水路１０４は、ベースプレート１０６の下面１０６ｂに形成された冷却水導入部１０４ａと、冷却水排出部１０４ｂとを有する。冷却水導入部１０４ａ及び冷却水排出部１０４ｂは、基板温調固定装置１００の外部に設けられた冷却水制御装置（図示せず）に接続されている。冷却水制御装置（図示せず）は、冷却水を冷却水導入部１０４ａから水路１０４に導入し、冷却水排出部１０４ｂから排出する。冷却水を循環させベースプレート１０６を冷却することで、接着層１０５を介して基体１０２を冷却する。

基体１０２，接着層１０５，ベースプレート１０６には、これらを貫通するガス路１０８が形成されている。ガス路１０８は、ベースプレート１０６の下面１０６ｂに形成された複数のガス導入部１０８ａと基体１０２の上面１０２ａに形成された複数のガス排出部１０８ｂとを有する。複数のガス導入部１０８ａは、基板温調固定装置１００の外部に設けられたガス圧力制御装置（図示せず）に接続されている。ガス圧力制御装置（図示せず）は、不活性ガスの圧力を、例えば、０〜５０Ｔｏｒｒの範囲で可変し、不活性ガスをガス導入部１０８ａからガス路１０８に導入することができる。

図３は、従来の基板温調固定装置１００が基板１０７を吸着保持した状態を簡略化して例示する断面図である。同図中、図１及び図２と同一部品については、同一符号を付し、その説明は省略する。図３において、１０７は基板、１０９は不活性ガスが充填されるガス充填部である。図３を参照するに、基板１０７は、基体１０２の外周シールリング１０２ｂ及び多数の突起部１０２ｃの上面に吸着保持されている。基板１０７は、ベースプレート１０６に内蔵されている発熱体（図示せず）や水路１０４により温度制御される。

ガス圧力制御装置（図示せず）は、不活性ガスを複数のガス導入部１０８ａからガス路１０８に導入する。導入された不活性ガスが、ガス排出部１０８ｂから排出され、基板１０７と基体１０２の上面１０２ａとの間に形成された空間であるガス充填部１０９に充填されると、基体１０２と基板１０７との間の熱伝導性が向上する。外周シールリング１０２ｂは、ガス充填部１０９に充填された不活性ガスが、ガス充填部１０９外に漏れることを防止するために設けられている。

以上のように、従来の基板温調固定装置１００は、静電チャック１０１の基体１０２の外周シールリング１０２ｂ及び多数の突起部１０２ｃの上面に基板１０７を吸着保持する。又、従来の基板温調固定装置１００の基体１０２の上面１０２ａの外縁部に設けられた平面視円環状の突起部である外周シールリング１０２ｂは、基体１０２と基板１０７との間の熱伝導性を向上するためにガス充填部１０９に充填された不活性ガスがガス充填部１０９外に漏れることを防止する。又、従来の基板温調固定装置１００のベースプレート１０６に内蔵されている発熱体（図示せず）や水路１０４は、基板１０７の温度を制御する（例えば、特許文献１参照）。

又、従来の基板温調固定装置の他の例として、図１に示す基板温調固定装置１００と同様に、基体１０２の上面１０２ａの外縁部に平面視円環状の突起部である外周シールリング１０２ｂを設けるとともに、外周シールリング１０２ｂの平面視内側に、円柱形状の多数の突起部１０２ｃを平面視水玉模様状に点在するように設け、多数の突起部１０２ｃの上面の直径φ_１を極力小さくすることにより、多数の突起部１０２ｃの上面と基板１０７との接触面積を小さくしたジョンソンラーベック力型静電チャックを有する基板温調固定装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２０００−３１７７６１号公報 特開２００５−３３１２５号公報

しかしながら、従来の基板温調固定装置１００では、外周シールリング１０２ｂ及び多数の突起部１０２ｃの上面と基板１０７との接触面積が大きいため、外周シールリング１０２ｂ及び多数の突起部１０２ｃの上面と接触する基板１０７の裏面側にパーティクルが付着しやすいという問題があった。

上記特許文献２に開示されているように、基体１０２の上面１０２ａに設けられた多数の突起部１０２ｃの上面の直径φ_１を極力小さくし、多数の突起部１０２ｃの上面と基板１０７との接触面積を減らすことにより、基板１０７の裏面の、多数の突起部１０２ｃの上面に接触する部分に付着するパーティクルを減らすことは可能であるが、パーティクルの多くは基板１０７の裏面の、外周シールリング１０２ｂの上面に接触する部分に付着することが確認されており、多数の突起部１０２ｃの上面の直径φ_１を極力小さくすることのみで、基板１０７の裏面側にパーティクルが付着しやすいという問題は解決できない。

本発明は、上記に鑑みてなされたもので、静電チャックに吸着保持される吸着対象物の裏面側に付着するパーティクルを低減することができる静電チャック、及び、静電チャックを有する基板温調固定装置を提供することを目的とする。

本発明は、静電電極が内蔵された基体に吸着対象物を載置し、前記静電電極に電圧を印加することで前記吸着対象物との間にクーロン力を発生させ、前記吸着対象物を吸着保持する静電チャックであって、前記基体は、前記吸着対象物と対向する上面を有し、前記基体の上面の外縁部を除く領域には、前記外縁部よりも前記吸着対象物側に突起する突起部が形成されており、前記外縁部と前記突起部の上面とが前記吸着対象物と当接可能とされていることを特徴とする。

本発明によれば、静電チャックに吸着保持される吸着対象物の裏面側に付着するパーティクルを低減することができる静電チャック、及び、静電チャックを有する基板温調固定装置を提供することができる。

以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態の説明を行う。

図４は、本発明に係る基板温調固定装置１０を簡略化して例示する平面図である。図５は、本発明に係る基板温調固定装置１０を簡略化して例示する図４のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。図４及び図５を参照するに、基板温調固定装置１０は、静電チャック１１と、接着層１５と、ベースプレート１６とを有する。

静電チャック１１は、基体１２と、静電電極１３とを有するクーロン力型静電チャックである。基体１２は誘電体であり、ベースプレート１６上に接着層１５を介して固定されている。基体１２としては、例えば、セラミックス等を用いることができるが、後述する多数の突起部１２ｃを形成できる誘電体であれば、どのような材料を用いても構わない。基体１２の厚さｔ_１は、例えば、２００〜４００μｍ、基体１２の比誘電率（１ＫＨｚ）は、例えば、９〜１０、基体１２の体積抵抗率は、例えば、１０^１２〜１０^１６Ωｍとすることができる。

１２ａは基体１２の上面を、１２ｂは基体１２の上面１２ａの外縁部を示している。従来の基板温調固定装置１００では、外縁部１２ｂには外周シールリング１０２ｂが設けられていたが、本発明に係る基板温調固定装置１０では、外縁部１２ｂには外周シールリング１０２ｂは設けられていない。

図４及び図５に示すように、基体１２は、吸着対象物（図示せず）と対向する上面１２ａと、吸着対象物（図示せず）が当接する、上面１２ａに設けられた突起部１２ｃとを備え、突起部１２ｃは、基体１２の上面１２ａの外縁部１２ｂを除く領域に形成されており、外縁部１２ａは、基体１２の上面１２ａと略面一である。突起部１２ｃは、円柱形状をしており、多数の突起部１２ｃが、基体１２の上面１２ａの外縁部１２ｂを除く領域に平面視水玉模様状に点在するように設けられている。

多数の突起部１２ｃの上面の高さｈ_２は略同一であり、高さｈ_２は、例えば、３〜５μｍとすることができる。突起部１２ｃの上面の直径φ_２は、例えば、０．１〜０．２ｍｍとすることができる。突起部１２ｃは、円柱形状（平面視円形）以外に、平面視楕円形、平面視６角形等の平面視多角形、直径の異なる複数の円柱を組み合わせた形状、これらの組み合わせ等でも構わない。なお、突起部１２ｃが、円柱形状（平面視円形）以外の場合も含めて、本願では「平面視水玉模様状」と表現する。

突起部１２ｃは、例えば、サンドブラスト加工により形成される。具体的には、基体１２の上面１２ａの突起部１２ｃを形成したい部分をマスクし、細かい粒子を気体の圧力により基体１２の上面１２ａに打ち付け、マスクされてない部分を削ることにより形成される。多数の突起部１２ｃの上面の面積の合計と、多数の突起部１２ｃが形成されている部分も含めた基体１２の上面１２ａ全体の面積との比率（以下、「接触面積比率」という）は、例えば、０．００５〜０．０３％とすることができる。なお、突起部１２ｃは、基体１２の上面１２ａに略均一に設けられていれば、どのような規則性に従って配置されても構わない。

静電電極１３は、薄膜電極であり、基体１２に内蔵されている。静電電極１３は、基板温調固定装置１０の外部に設けられた直流電源（図示せず）に接続され、所定の電圧が印加されると、基板等の吸着対象物（図示せず）との間にクーロン力を発生させ、吸着対象物（図示せず）を多数の突起部１２ｃの上面に吸着保持する。吸着保持力は、静電電極１３に印加される電圧が高いほど強くなる。静電電極１３は、単極形状でも、双極形状でも構わない。静電電極１３の材料としては、例えば、タングステン等を用いることができる。

接着層１５は、基体１２を、ベースプレート１６上に固定するために設けられている。接着層１５としては、例えば、熱伝導率の良いシリコン接着剤等を用いることができる。

ベースプレート１６は、静電チャック１１を支持するためのものである。ベースプレート１６には、発熱体（図示せず）や水路１４が設けられており、基体１２の温度制御を行う。ベースプレート１６の材料としては、例えば、Ａｌを用いることができる。発熱体（図示せず）は、電圧を印加されることで発熱し、接着層１５を介して基体１２を加熱する。

水路１４は、ベースプレート１６の下面１６ｂに形成された冷却水導入部１４ａと、冷却水排出部１４ｂとを有する。冷却水導入部１４ａ及び冷却水排出部１４ｂは、基板温調固定装置１０の外部に設けられた冷却水制御装置（図示せず）に接続されている。冷却水制御装置（図示せず）は、冷却水を冷却水導入部１４ａから水路１４に導入し、冷却水排出部１４ｂから排出する。冷却水を循環させベースプレート１６を冷却することで、接着層１５を介して基体１２を冷却する。

基体１２，接着層１５，ベースプレート１６には、これらを貫通するガス路１８が形成されている。ガス路１８は、ベースプレート１６の下面１６ｂに形成された複数のガス導入部１８ａと基体１２の上面１２ａに形成された複数のガス排出部１８ｂとを有する。複数のガス導入部１８ａは、基板温調固定装置１０の外部に設けられたガス圧力制御装置（図示せず）に接続されている。ガス圧力制御装置（図示せず）は、不活性ガスの圧力を、例えば、０〜５０Ｔｏｒｒの範囲で可変し、不活性ガスをガス導入部１８ａからガス路１８に導入することができる。

図６は、本発明に係る基板温調固定装置１０が基板１７を吸着保持した状態を簡略化して例示する断面図である。同図中、図４及び図５と同一部品については、同一符号を付し、その説明は省略する。図６において、１７は基板、１９は不活性ガスが充填されるガス充填部である。図６を参照するに、基板１７は、多数の突起部１２ｃの上面に吸着保持されている。基板１７は、ベースプレート１６に設けられている発熱体（図示せず）や水路１４により温度制御される。基板１７は、例えば、シリコンウエハ等である。基板１７の厚さは、例えば、７００μｍ〜１０００μｍである。突起部１２ｃの形状及び寸法により、これ以外の厚さの基板に対しても本発明を適用することができる。

ガス圧力制御装置（図示せず）は、不活性ガスを複数のガス導入部１８ａからガス路１８に導入する。導入された不活性ガスが、ガス排出部１８ｂから排出され、基板１７の下面と基体１２の上面１２ａとの間に形成された空間であるガス充填部１９に充填されると、基体１２と基板１７との間の熱伝導性が向上する。不活性ガスとしては、例えば、ＨｅやＡｒを用いることができる。

従来の基板温調固定装置１００では、外縁部１２ｂに外周シールリング１０２ｂが設けられ、外周シールリング１０２ｂは、不活性ガスがガス充填部１９外に漏れることを防止していた。本発明に係る基板温調固定装置１０では、外縁部１２ｂには外周シールリング１０２ｂが設けられていないが、不活性ガスがガス充填部１９から漏れることはない。

なぜなら、基板１７は、多数の突起部１２ｃの上面に吸着保持されているが、本発明に係る基板温調固定装置１０では、多数の突起部１２ｃの高さｈ_２は、例えば、３〜５μｍと極めて低く、多数の突起部１２ｃの上面から、静電電極１３までの距離が従来の基板温調固定装置１００と比べて短いため吸着力（クーロン力）が強くなり、基板１７が多数の突起部１２ｃの上面に吸着保持されると、基板１７の外縁部が湾曲し、基板１７の下面の外縁部が基体１２の上面１２ａの外縁部１２ｂと密着するからである。なお、図６では、基板１７の外縁部の湾曲は誇張されて描かれているが、実際は３〜５μｍ程度の極めて小さな湾曲であり、実用上は全く問題にならない。

表１は、静電電極１０３及び１３に印加する直流電圧の値を変化させながら、従来の基板温調固定装置１００のガス充填部１０９及び本発明に係る基板温調固定装置１０のガス充填部１９に、基板温調固定装置１０及び１００の外部に設けられたガス圧力制御装置から、不活性ガスであるＨｅの圧力を２０Ｔｏｒｒ，３０Ｔｏｒｒ，４０Ｔｏｒｒ，５０Ｔｏｒｒと変化させながら充填したときの、Ｈｅリークの量を測定した結果を示している。

Ｈｅリークの量を測定した従来の基板温調固定装置１００は、突起部１０２ｃの上面の直径φ_１が１．０ｍｍ、高さｈ_１が１０μｍ、接触面積比率が６．４％であり、本発明に係る基板温調固定装置１０は、突起部１２ｃの上面の直径φ_２が０．１ｍｍ、高さｈ_２が５μｍ、接触面積比率が０．００７％である。Ｈｅリークは、５ｓｃｃｍ以下であれば問題なしと判定した。なお、６０ｓｃｃｍは、基板１０７又は１７が、静電チャック１０１又は１１から剥がれたことを意味している。

表１に示すように、本発明に係る基板温調固定装置１０は、外縁部１２ｂに外周シールリング１０２ｂが設けられていないにもかかわらず、Ｈｅリーク量は、従来の基板温調固定装置１００と同程度、又は、それ以下である。すなわち、本発明に係る基板温調固定装置１０は、外縁部１２ｂに外周シールリング１０２ｂが設けられていないにもかかわらず、従来の基板温調固定装置１００と同程度の吸着力が得られることが確認された。

これは、前述のように、基板１７が多数の突起部１２ｃの上面に吸着保持されると、基板１７の外縁部が湾曲し、基板１７の下面の外縁部が基体１２の上面１２ａの外縁部１２ｂと密着するからである。換言すれば、本発明に係る基板温調固定装置１０においては、基板１７の下面の外縁部が、外周シールリング１０２ｂと同等の機能を果たしているといえる。

このように、本発明に係る基板温調固定装置１０によれば、多数の突起部１２ｃの高さｈ_２は、例えば、３〜５μｍと極めて低く、多数の突起部１２ｃの上面から、静電電極１３までの距離が従来の基板温調固定装置１００と比べて短いため吸着力（クーロン力）が強くなり、基板１７と多数の突起部１２ｃとの密着性を向上することができる。

又、基板１７が多数の突起部１２ｃの上面に吸着保持されると、基板１７の外縁部が湾曲し、基板１７の下面の外縁部が基体１２の上面１２ａの外縁部１２ｂと密着するため、不活性ガスがガス充填部１９外に漏れることによる、真空の処理室内の真空度の悪化を防止することができる。

表１に示すように、従来の基板温調固定装置１００では、ガス充填部１０９に充填されるＨｅの圧力が、例えば、４０Ｔｏｒｒの場合には、静電電極１０３に４０００ｖの直流電圧を印加しないとＨｅリークは許容値（５ｓｃｃｍ以下）にならないが、本発明に係る基板温調固定装置１０では、ガス充填部１９に充填されるＨｅの圧力が、４０Ｔｏｒｒの場合には、静電電極１３に３５００ｖの直流電圧を印加すれば、Ｈｅリークは許容値（５ｓｃｃｍ以下）になる。

これは、本発明に係る基板温調固定装置１０では、多数の突起部１２ｃの高さｈ_２が、例えば、３〜５μｍと極めて低く、多数の突起部１２ｃの上面から、静電電極１３までの距離が従来の基板温調固定装置１００と比べて短いため、静電電極１３に印加する電圧が従来より低くても大きな吸着力（クーロン力）が得られ、密着性が向上したためである。

このように、本発明に係る基板温調固定装置１０によれば、静電電極１３に印加する電圧が従来より低くても大きな吸着力（クーロン力）が得られ、密着性が向上した結果、静電電極１３に印加する電圧を高くする必要がなくなったため、アーキングや基板１７へのチャージアップ等の発生をなくし、基板１７の劣化を防止することができる。

又、従来の基板温調固定装置１００は、外周シールリング１０２ｂ及び多数の突起部１０２ｃの上面と基板１０７との接触面積が大きいため、外周シールリング１０２ｂ及び多数の突起部１０２ｃの上面と接触する基板１０７の裏面側にパーティクルが付着しやすい。本発明に係る基板温調固定装置１０は、外周シールリング１０２ｂを有さず、かつ、多数の突起部１２ｃの上面の直径φ_２は、例えば、０．１〜０．２ｍｍと極めて小さく、多数の突起部１２ｃの上面と基板１７との接触面積が小さいため、基板１７の裏面側に付着するパーティクルを大幅に低減することができる。

パーティクルの低減に関して、図７及び図８を参照しながら更に詳しく説明する。図１及び図４は説明の便宜上、突起部の上面の直径を拡大すると共に、突起部の密度を低く描いて基板温調固定装置を簡略化して例示したが、実際の基板温調固定装置は図７に示す如くである。

図７は、基板温調固定装置１００及び１０を例示する平面図である。図７（ａ）は、従来の基板温調固定装置１００を例示する平面図であり、図７（ｂ）は、本発明に係る基板温調固定装置１０を例示する平面図である。同図中、図１及び図４と同一部品については、同一符号を付し、その説明は省略する。なお、図７は、突起部について説明することを目的としているため、ガス排出部１０８ｂ及び１８ｂは省略されている。

図７に示すように、基体１０２及び１２の上面１０２ａ及び１２ａには、円柱形状の多数の突起部１０２ｃ及び１２ｃが平面視水玉模様状に点在するように設けられている。又、図７（ａ）に示す従来の基板温調固定装置１００は、前述のように、基体１０２の上面１０２ａの外縁部に平面視円環状の突起部である外周シールリング１０２ｂが設けられている。図７（ｂ）に示す本発明に係る基板温調固定装置１０は、前述のように、基体１２の上面１２ａの外縁部１２ｂに、外周シールリング１０２ｂが設けられていない。又、本発明に係る基板温調固定装置１０の突起部１２ｃの上面の直径φ_２は、従来の基板温調固定装置１００の突起部１０２ａの上面の直径φ_１よりも小さい。

図８は、図７に示す基板温調固定装置１００及び１０に基板１０７及び１７を載置した場合に基板１０７及び１７裏面に付着するパーティクル２００及び２０を模式的に例示する図である。図８（ａ）は、従来の基板温調固定装置１００に基板１０７を載置した場合に基板１０７裏面に付着するパーティクル２００を模式的に例示する図であり、図８（ｂ）は、本発明に係る基板温調固定装置１０に基板１７を載置した場合に基板１７裏面に付着するパーティクル２０を模式的に例示する図である。

図８（ａ）に示すように、従来の基板温調固定装置１００に基板１０７を載置した場合には、パーティクル２００は基板１０７裏面の、外周シールリング１０２ｂ及び多数の突起部１０２ｃに接触する部分の全体に付着するが、特に外周シールリング１０２ｂに接触する部分にパーティクル２００が集中的に付着する。

一方、図８（ｂ）に示すように、本発明に係る基板温調固定装置１０に基板１７を載置した場合には、基板温調固定装置１０は外周シールリング１０２ｂを有さないため、基板１７裏面の外縁部に、パーティクル２０が集中的に付着することはなく、又、基板温調固定装置１０の突起部１２ｃの上面の直径φ_２は、基板温調固定装置１００の突起部１０２ａの上面の直径φ_１よりも小さいので、基板１７裏面に付着するパーティクル２０を大幅に低減することができる。

本発明に係る基板温調固定装置１０によれば、基体１２の上面１２ａの外縁部１２ｂに外周シールリング１０２ｂを設けず、更に、突起部１２ｃの上面の直径φ_２を従来よりも大幅に小さくすることにより、突起部１２ｃの上面と基板１７との接触面積を大幅に減らすことが可能となり、外縁部も含めた基板１７の裏面全体に付着するパーティクル２０を大幅に低減することができる。

以上、本発明の好ましい実施の形態について詳説したが、本発明は、上述した実施の形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

従来の基板温調固定装置１００を簡略化して例示する平面図である。 従来の基板温調固定装置１００を簡略化して例示する図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。 従来の基板温調固定装置１００が基板１０７を吸着保持した状態を簡略化して例示する断面図である。 本発明に係る基板温調固定装置１０を簡略化して例示する平面図である。 本発明に係基板温調固定装置１０を簡略化して例示する図４のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。 本発明に係る基板温調固定装置１０が基板１７を吸着保持した状態を簡略化して例示する断面図である。 基板温調固定装置１００及び１０を例示する平面図である。 図７に示す基板温調固定装置１００及び１０に基板１０７及び１７を載置した場合に基板１０７及び１７裏面に付着するパーティクル２００及び２０を模式的に例示する図である。

符号の説明

１０，１００ 基板温調固定装置
１１，１０１ 静電チャック
１２，１０２ 基体
１２ａ，１０２ａ 基体の上面
１２ｂ 基体１２の上面１２ａの外縁部
１２ｃ，１０２ｃ 多数の突起部
１３，１０３ 静電電極
１４，１０４ 水路
１４ａ，１０４ａ 冷却水導入部
１４ｂ，１０４ｂ 冷却水排出部
１５，１０５ 接着層
１６，１０６ ベースプレート
１６ｂ，１０６ｂ ベースプレートの下面
１７，１０７ 基板
１８，１０８ ガス路
１８ａ，１０８ａ ガス導入部
１８ｂ，１０８ｂ ガス排出部
１９，１０９ ガス充填部
２０，２００ パーティクル
１０２ｂ 外周シールリング
ｈ_１，ｈ_２ 高さ
φ_１，φ_２ 直径
ｔ_１ 厚さ

Claims (8)

1. 静電電極が内蔵された基体に吸着対象物を載置し、前記静電電極に電圧を印加することで前記吸着対象物との間にクーロン力を発生させ、前記吸着対象物を吸着保持する静電チャックであって、
   前記基体は、前記吸着対象物と対向する上面を有し、
   前記基体の上面の外縁部を除く領域には、前記外縁部よりも前記吸着対象物側に突起する突起部が形成されており、
   前記外縁部と前記突起部の上面とが前記吸着対象物と当接可能とされていることを特徴とする静電チャック。
2. 前記突起部は前記基体の上面に複数形成されており、前記基体の上面と前記外縁部とは面一であることを特徴とする請求項１記載の静電チャック。
3. 前記突起部の上面の面積の合計と、前記突起部が形成されている部分も含めた前記基体の上面全体の面積との比率は、０．００５〜０．０３％であることを特徴とする請求項１又は２記載の静電チャック。
4. 前記突起部は、平面視水玉模様状に点在するように設けられていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項記載の静電チャック。
5. 前記吸着対象物が吸着保持されると、前記吸着対象物の下面の外縁部が、前記クーロン力により、前記基体の上面の前記外縁部と密着することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項記載の静電チャック。
6. 吸着保持されている前記吸着対象物の下面と、前記基体の上面とが形成する空間に、圧力を調整した不活性ガスを充填することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項記載の静電チャック。
7. 請求項１乃至６の何れか一項記載の静電チャックと、前記静電チャックを支持するベースプレートとを有する基板温調固定装置。
8. 前記ベースプレートは、前記静電チャックに前記不活性ガスを導入するガス路と、前記静電チャックを加熱する発熱体と、前記静電チャックを冷却する水路とを内蔵することを特徴とする請求項７記載の基板温調固定装置。