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JP4910953B2 - Electronic component package structure - Google Patents

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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

本発明は、高周波電子回路に使用される表面弾性波フィルタに代表される、機能素子上が中空状態で封止されてなる電子部品のパッケージ構造に関するものである。   The present invention relates to a package structure of an electronic component in which a functional element is sealed in a hollow state, represented by a surface acoustic wave filter used in a high-frequency electronic circuit.

表面弾性波フィルタに代表される、単結晶ウエハー表面に電極パターンや微細構造を形成して特定の電気的機能を発揮する素子のパッケージは、機能部表面を樹脂等で覆うと特性が変化するため、素子表面の特に機能的に重要な部分に他の物体が接触しないように、中空構造とされる。   The package of an element that exhibits a specific electrical function by forming an electrode pattern or a fine structure on the surface of a single crystal wafer, represented by a surface acoustic wave filter, changes its characteristics when the functional part surface is covered with a resin or the like. A hollow structure is employed so that other objects do not come into contact with a particularly functionally important part of the element surface.

一般的な表面弾性波フィルタ(以下SAWフィルタと記す)のパッケージ構造を図4に示す。   FIG. 4 shows a package structure of a general surface acoustic wave filter (hereinafter referred to as SAW filter).

パッケージ寸法の縮小を目的として、基板101に表面弾性波素子(以下SAW素子と記す)104を、機能面を基板側に向けて実装する、いわゆるフリップチップ実装が行われ、さらに樹脂等の材料107で封止された構造が一般的である。機能部表面を封止材が覆わない空間部108となっている。   For the purpose of reducing package dimensions, so-called flip chip mounting is performed in which a surface acoustic wave element (hereinafter referred to as a SAW element) 104 is mounted on a substrate 101 with a functional surface facing the substrate side, and a material 107 such as a resin is also used. A structure sealed with is generally used. A space part 108 is formed on the surface of the functional part so that the sealing material does not cover it.

上記構造は、SAW素子をウエハーから個片に切り出して後、個片素子を基板に実装した構造であるが、さらなる小型化を目的として、ウエハーのまま中空封止構造を形成した後、ダイシングにより個片化してパッケージ完成となる構造が提案されており、その例を図5に示す。   The above structure is a structure in which a SAW element is cut out from a wafer into individual pieces, and then the individual elements are mounted on a substrate. For the purpose of further miniaturization, after forming a hollow sealing structure with a wafer, dicing is performed. A structure in which a package is completed by dividing it into pieces is proposed, and an example thereof is shown in FIG.

図5は、個片化された後の素子の断面図で、機能部111と電極112が表面に形成された単結晶材110上に、空間116を形成するための樹脂層113とその上に接着された回路基板114からなる構造であり、115は外部接続用端子である。   FIG. 5 is a cross-sectional view of the element after being singulated. On the single crystal material 110 on which the functional portion 111 and the electrode 112 are formed, the resin layer 113 for forming the space 116 and the resin layer 113 are formed thereon. The circuit board 114 is bonded, and reference numeral 115 denotes an external connection terminal.

このような構造のパッケージは図4に示すパッケージに比べ、SAW素子を囲む封止構造がないため、さらなる小型化が図れるものである。   Compared to the package shown in FIG. 4, the package having such a structure does not have a sealing structure surrounding the SAW element, and therefore can be further reduced in size.

この出願の発明に関する先行技術文献としては、例えば特許文献1が知られている。
特表2002−532934号公報
For example, Patent Document 1 is known as a prior art document related to the invention of this application.
Special Table 2002-532934

図5に示す、先行文献が開示するパッケージ構造では、実使用上の信頼性において課題があった。   The package structure disclosed in the prior art shown in FIG. 5 has a problem in reliability in actual use.

SAWフィルタは、携帯電話に代表される小型通信機器に使用されることが多いが、最近は、予めSAWフィルタを含む電子部品が実装された機能モジュールを作成し、それを機器のマザー基板に実装する組み立て方式が使用される。   SAW filters are often used in small communication devices typified by mobile phones. Recently, functional modules on which electronic components including SAW filters are mounted in advance are created and mounted on the motherboard of the device. Assembling method is used.

機能モジュールは、小型の回路基板に高密度に電子部品を実装して、特定の機能を発揮するように形成された部品集合体であり、外部電極部を除いて、樹脂で封止されていることが一般的である。樹脂封止方法として、最もよく使用されるのがトランスファーモールド法であり、樹脂モールド工程において、150℃以上の高温と数MPa以上の高圧が電子部品に加わる。   A functional module is an assembly of components formed so as to exhibit specific functions by mounting electronic components at high density on a small circuit board, and is sealed with resin except for external electrode portions. It is common. As the resin sealing method, the transfer mold method is most often used. In the resin molding process, a high temperature of 150 ° C. or higher and a high pressure of several MPa or higher are applied to the electronic component.

特許文献1に開示された実装構造は、空間部分の蓋をプリント基板と称する回路基板が成すものである。前記回路基板は、繊維強化樹脂シートの表面が銅箔で被覆されたもので、高温中での外力に対し十分な剛性および耐力を持たない。   The mounting structure disclosed in Patent Document 1 is a circuit board in which the lid of the space portion is called a printed board. In the circuit board, the surface of the fiber reinforced resin sheet is coated with a copper foil, and the circuit board does not have sufficient rigidity and strength against an external force at a high temperature.

上記、トランスファーモールド工程において、高温高圧が加わると、空間部分の蓋を成す回路基板は容易に変形し、空間がつぶれ、SAWフィルタとしても特性が変化してしまうという課題があった。   In the above transfer molding process, when high temperature and high pressure are applied, the circuit board forming the cover of the space part is easily deformed, the space is crushed, and the characteristics of the SAW filter are changed.

また、高温高圧に耐えうるような回路基板とするには、厚みを大きくする必要があり、パッケージ全体の厚みが大きくなってしまうという課題があった。   In addition, in order to obtain a circuit board that can withstand high temperature and high pressure, it is necessary to increase the thickness, which increases the overall thickness of the package.

前記課題を解決するために、本発明の電子部品パッケージ構造として、表面に機能領域と電極を有する素子が形成された基板と、前記基板の前記機能領域上に空間を設けて配置された樹脂層と、前記空間を覆う金属層と、前記金属層の前記樹脂層に対応する位置に設けられた絶縁樹脂層とからなる電子部品パッケージであって、前記樹脂層の弾性率が前記絶縁樹脂層の弾性率よりも大きいことを特徴とする電子部品パッケージ構造を用いる。
また、上記樹脂層に上記機能領域へ連結される通路と、上記通路に連結される外部電極が、上記金属層に設けられている電子部品パッケージ構造を用いる。
また、上記の樹脂層の弾性率が、上記絶縁樹脂層の弾性率の2.5倍以上である電子部品パッケージ構造を用いる。
また、上記基板が半導体単結晶である電子部品パッケージ構造を用いる。
また、上記空間が中空封止構造である電子部品パッケージ構造を用いる。
また、上記機能領域が表面弾性波フィルター、加速度センサ、角加速度センサーである電子部品パッケージ構造を用いる。
また、導電回路パターンは、電気銅またはリン青銅からなる上記の回路基板を用いる。
In order to solve the above-mentioned problems, as an electronic component package structure of the present invention, a substrate on which an element having a functional region and an electrode is formed on the surface, and a resin layer disposed with a space on the functional region of the substrate And an electronic component package comprising a metal layer covering the space and an insulating resin layer provided at a position corresponding to the resin layer of the metal layer, wherein the elastic modulus of the resin layer is that of the insulating resin layer. An electronic component package structure characterized by being larger than the elastic modulus is used.
Further, a passage which is connected to the functional area to the resin layer, an external electrode connected to the passage, using electronic component package structure provided in the metal layer.
Also, an electronic component package structure in which the elastic modulus of the resin layer is 2.5 times or more the elastic modulus of the insulating resin layer is used.
Further, an electronic component package structure in which the substrate is a semiconductor single crystal is used.
In addition, an electronic component package structure in which the space has a hollow sealing structure is used.
Further, an electronic component package structure in which the functional area is a surface acoustic wave filter, an acceleration sensor, or an angular acceleration sensor is used.
The conductive circuit pattern uses the above circuit board made of electrolytic copper or phosphor bronze.

本発明の電子部品パッケージ構造は、空間を設けた樹脂層と、金属層が積層された構造であり、金属層により機能領域を覆う蓋が形成されているため高い剛性を持ち、トランスファーモールド等の高温高圧にさらされる場合においても、空間部分の変形が少なく、高信頼性が得られるという効果を有し、さらに、十分薄い構造でも高温高圧に耐えうるため、パッケージ全体の厚みを薄くすることができるという効果を有す。   The electronic component package structure of the present invention is a structure in which a resin layer having a space and a metal layer are laminated, and a lid that covers the functional area is formed by the metal layer, so that it has high rigidity, such as a transfer mold. Even when exposed to high temperature and high pressure, there is little deformation of the space part and high reliability can be obtained. Further, even a sufficiently thin structure can withstand high temperature and high pressure, so the thickness of the whole package can be reduced. Has the effect of being able to.

(実施の形態)
以下、本発明の実施の形態における電子部品パッケージについて図面を参照しながら説明する。
(Embodiment)
Hereinafter, an electronic component package according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は実施の形態における、SAWフィルタパッケージの断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view of a SAW filter package in the embodiment.

IDT部2(Interdigital Tranducer:櫛形電極)と電極3が形成された単結晶基板1の表面上に、空間5を有する樹脂層4が形成され、さらに樹脂層4の表面にたとえば銅からなる金属層6が積層されている。   A resin layer 4 having a space 5 is formed on the surface of a single crystal substrate 1 on which an IDT portion 2 (Interdigital Transducer) and an electrode 3 are formed, and a metal layer made of, for example, copper is formed on the surface of the resin layer 4. 6 are stacked.

電極3から外部電極7への接続は、樹脂層4に設けられた接続孔8に銅などの金属が充填されて行われる。   The connection from the electrode 3 to the external electrode 7 is performed by filling the connection hole 8 provided in the resin layer 4 with a metal such as copper.

外部電極7は、空間5の蓋を形成する金属層6と同材の金属からなり、絶縁樹脂層9によって他の電極や蓋部分と分離されている。   The external electrode 7 is made of the same metal as the metal layer 6 that forms the lid of the space 5, and is separated from other electrodes and lid portions by the insulating resin layer 9.

電極および中空部蓋を形成する金属層6に銅を用いたのは、めっき成膜が容易であり、有底孔への充填めっきと蓋部分のめっきが同時に行えることと、電気抵抗が低く電気的特性が良好なためである。しかし、同様の金属層6が形成できれば、銅に限定するものではない。   The use of copper for the metal layer 6 forming the electrode and the hollow cover facilitates the plating film formation, allows filling the bottomed hole and plating the cover part simultaneously, and has a low electric resistance and electric power. This is because the mechanical characteristics are good. However, if the same metal layer 6 can be formed, it is not limited to copper.

このパッケージを回路基板に半田等で実装して使用する際に、絶縁樹脂層9の熱膨張等によって、外部電極7に熱変形が生じる。この熱変形が接続孔8と電極3を介して単結晶基板1に伝わる。   When this package is used by being mounted on a circuit board with solder or the like, the external electrode 7 is thermally deformed due to thermal expansion or the like of the insulating resin layer 9. This thermal deformation is transmitted to the single crystal substrate 1 through the connection hole 8 and the electrode 3.

樹脂層4の弾性率の平均値を絶縁樹脂層9の弾性率の平均値よりも大きくすることにより、外部電極7に発生する熱変形を極力抑えることができ、かつ、それによって引き起こされる接続孔8の変形も抑制できるため、単結晶基板1への影響を極力抑えることができ、特性が著しく変化したり、場合によっては、単結晶基板にクラックが発生するという問題を極力防止でき、高信頼性を有するパッケージを得ることができる。なお、弾性率は、ヤング率であり、弾性率の平均値とは、(25℃のヤング率+260℃のヤング率)/2である。以下同じ。   By making the average value of the elastic modulus of the resin layer 4 larger than the average value of the elastic modulus of the insulating resin layer 9, the thermal deformation generated in the external electrode 7 can be suppressed as much as possible, and the connection hole caused thereby 8 deformation can be suppressed as much as possible, and the influence on the single crystal substrate 1 can be suppressed as much as possible, and the problem that the characteristics are remarkably changed or the single crystal substrate is cracked as much as possible can be prevented as much as possible. A package having the characteristics can be obtained. The elastic modulus is Young's modulus, and the average value of elastic modulus is (Young's modulus at 25 ° C. + Young's modulus at 260 ° C.) / 2. same as below.

さらに、十分薄い構造にできるので、絶縁樹脂層9の厚み方向の見かけの熱膨張が小さくなり、外部電極7の熱変形を小さくすることができる。   Furthermore, since the structure can be made sufficiently thin, the apparent thermal expansion in the thickness direction of the insulating resin layer 9 is reduced, and the thermal deformation of the external electrode 7 can be reduced.

また、金属層6が形成されることにより、絶縁樹脂層9の占める体積が減少するので、さらに外部電極7の熱変形を小さくすることができる。   Further, since the volume occupied by the insulating resin layer 9 is reduced by forming the metal layer 6, the thermal deformation of the external electrode 7 can be further reduced.

(実施例及び比較例)
本発明を実施例、比較例に基づいて説明する。
(Examples and Comparative Examples)
The present invention will be described based on examples and comparative examples.

単結晶基板1(材料:リチウムタンタレート、厚み:250μm)、樹脂層4(材料:ポリイミド、厚み:10μm)、絶縁樹脂層9(材料:エポキシ樹脂、厚み:30μm)からなる電子部品パッケージを用いて、260℃リフロー後に、単結晶基板1に発生する引張応力を、線形構造解析(FEMを利用)による計算によって求めた。パッケージの面内寸法は、850×650μmである。   An electronic component package comprising a single crystal substrate 1 (material: lithium tantalate, thickness: 250 μm), a resin layer 4 (material: polyimide, thickness: 10 μm), and an insulating resin layer 9 (material: epoxy resin, thickness: 30 μm) is used. Then, after reflowing at 260 ° C., the tensile stress generated in the single crystal substrate 1 was obtained by calculation by linear structure analysis (using FEM). The in-plane dimension of the package is 850 × 650 μm.

この結果を(表1)に示す。   The results are shown in (Table 1).

Figure 0004910953
Figure 0004910953

この(表1)より、比較例1〜3では、絶縁樹脂層9の弾性率が大きいため、外部電極7に発生する熱変形を抑制することができず、単結晶基板1に発生する引張応力が大きくなる。   From this (Table 1), in Comparative Examples 1-3, since the elastic modulus of the insulating resin layer 9 is large, the thermal deformation generated in the external electrode 7 cannot be suppressed, and the tensile stress generated in the single crystal substrate 1. Becomes larger.

また、樹脂層4の弾性率が小さいため、外部電極7の変形によって引き起こされる接続孔8の変形を抑制することができず、単結晶基板1に発生する引張応力が大きくなる。   Further, since the elastic modulus of the resin layer 4 is small, the deformation of the connection hole 8 caused by the deformation of the external electrode 7 cannot be suppressed, and the tensile stress generated in the single crystal substrate 1 becomes large.

そこで、実施例1のように、樹脂層4の弾性率を3925MPa、絶縁樹脂層9の弾性率を1464MPaにすると、外部電極7に発生する熱変形を抑制することができ、かつ、外部電極7の熱変形によって引き起こされる接続孔8の変形も抑制することができるため、単結晶基板1に発生する引張応力を小さくすることができ、結果としてクラックが発生しない。   Therefore, as in Example 1, when the elastic modulus of the resin layer 4 is 3925 MPa and the elastic modulus of the insulating resin layer 9 is 1464 MPa, thermal deformation generated in the external electrode 7 can be suppressed, and the external electrode 7 Since the deformation of the connection hole 8 caused by the thermal deformation of the single crystal substrate 1 can be suppressed, the tensile stress generated in the single crystal substrate 1 can be reduced, and as a result, no crack is generated.

実施例2、3も実施例1と同様である。ただし、樹脂層4と絶縁樹脂層9との弾性率の差は、2.5倍以上必要であることがわかる。   Examples 2 and 3 are the same as Example 1. However, it can be seen that the difference in elastic modulus between the resin layer 4 and the insulating resin layer 9 needs to be 2.5 times or more.

次に、このようなパッケージ構造を実現するための製造方法を説明する。   Next, a manufacturing method for realizing such a package structure will be described.

図2は、工程を追って説明するためのSAWフィルタパッケージの断面図である。   FIG. 2 is a cross-sectional view of the SAW filter package for explaining the process.

図2(a)に示すように、IDT部2と電極3が複数個形成された単結晶基板1の表面上に、感光性の樹脂層4を均一な厚みに形成する。この樹脂層の厚みが空間部の高さに相当するので、完成後のパッケージ高さおよび必要な耐圧力性を考慮して決定する。   As shown in FIG. 2A, a photosensitive resin layer 4 is formed with a uniform thickness on the surface of a single crystal substrate 1 on which a plurality of IDT portions 2 and electrodes 3 are formed. Since the thickness of the resin layer corresponds to the height of the space portion, the thickness is determined in consideration of the package height after completion and the required pressure resistance.

本図では、IDT部と電極のセットが2組形成された単結晶基板を図示している。   This figure shows a single crystal substrate in which two sets of IDT portions and electrodes are formed.

次に、図2(b)に示すように、樹脂層4の感光性を利用して、IDT部2上に空間5および電極3上に接続孔8を形成する。   Next, as shown in FIG. 2B, using the photosensitivity of the resin layer 4, the space 5 and the connection hole 8 are formed on the electrode 3 on the IDT portion 2.

次に、図2(c)に示すように、膜材10を樹脂層4上全面に接着する。   Next, as illustrated in FIG. 2C, the film material 10 is bonded to the entire surface of the resin layer 4.

本実施例では膜材は厚み3μmの銅箔を用いる。銅箔の接着面に薄いシート状の熱硬化性接着剤を積層した後、樹脂層4に加圧積層し加熱することで、容易に接着することができる。また、樹脂層4に未硬化のエポキシ樹脂を用いると、銅箔10を樹脂層4に加圧した状態で樹脂層4を硬化させることにより、他の接着剤を用いることなく銅箔を接着できる。   In this embodiment, a copper foil having a thickness of 3 μm is used as the film material. After laminating a thin sheet-like thermosetting adhesive on the adhesive surface of the copper foil, it can be easily bonded by pressure laminating on the resin layer 4 and heating. Moreover, when an uncured epoxy resin is used for the resin layer 4, the copper foil can be bonded without using another adhesive by curing the resin layer 4 in a state where the copper foil 10 is pressed against the resin layer 4. .

次に、図2(d)に示すように、銅箔10をフォトリソ法でエッチングし、接続孔8上の開口11と、他の電極と電気的に分離するためのパターン12を形成する。   Next, as shown in FIG. 2D, the copper foil 10 is etched by a photolithography method to form an opening 11 on the connection hole 8 and a pattern 12 for electrical isolation from other electrodes.

このとき、銅箔10は厚み3μmと十分薄いため、パターン12は非常に細かいものも可能である。   At this time, since the copper foil 10 is sufficiently thin with a thickness of 3 μm, the pattern 12 can be very fine.

次に、図3(a)に示すように、パターン化された樹脂層13を設ける。   Next, as shown in FIG. 3A, a patterned resin layer 13 is provided.

樹脂層13は、めっき銅層を分割する境界になるもので、少なくとも接続用孔上の開口11、および空間5上の銅箔10は露出するように設ける。   The resin layer 13 serves as a boundary for dividing the plated copper layer, and is provided so that at least the opening 11 on the connection hole and the copper foil 10 on the space 5 are exposed.

樹脂層13の厚みは、空間5上に必要な銅厚以上の値とする。   The thickness of the resin layer 13 is set to a value equal to or larger than the copper thickness required on the space 5.

空間5上に必要な銅厚は、完成後の電子部品パッケージに必要な耐圧力から決められる値とする。   The copper thickness required on the space 5 is a value determined from the pressure resistance required for the completed electronic component package.

次に、図3(b)に示すように、次工程のめっき用電極となる金属薄膜14を成膜する。 本実施例では、スパッタ法により、チタン膜と銅膜を合計300nm成膜した。   Next, as shown in FIG. 3B, a metal thin film 14 to be a plating electrode in the next step is formed. In this example, a total of 300 nm of a titanium film and a copper film was formed by sputtering.

金属薄膜14は、接続孔8の内部および電極3の表面にも成膜されることが必要である。   The metal thin film 14 needs to be formed inside the connection hole 8 and also on the surface of the electrode 3.

次に、図3(c)に示すように、前工程で成膜した金属薄膜14をめっき電極として、表面全体に銅層15をめっき形成する。このときの銅層厚みとしては、少なくとも接続用孔8内部に充填されるとともに、空間5上に最終必要な厚み以上の銅層が形成されることが必要である。   Next, as shown in FIG. 3C, a copper layer 15 is formed by plating on the entire surface using the metal thin film 14 formed in the previous step as a plating electrode. As the copper layer thickness at this time, it is necessary that at least the inside of the connection hole 8 is filled, and a copper layer having a final thickness or more is formed on the space 5.

次に、図3(d)に示すように、めっき形成された銅層15表面を切削し、樹脂層13上に堆積した銅を除去し、樹脂層13が露出するまで切削を行う。   Next, as shown in FIG. 3D, the surface of the plated copper layer 15 is cut, the copper deposited on the resin layer 13 is removed, and cutting is performed until the resin layer 13 is exposed.

この結果、表面全体に形成されていためっき銅層は、樹脂層13によって、複数の部分に分断される。この分断された部分は、複数の外部接続用電極16と空間5上の蓋17に相当するように、樹脂層13はパターン設計されている。   As a result, the plated copper layer formed on the entire surface is divided into a plurality of portions by the resin layer 13. The resin layer 13 is pattern-designed so that the divided portions correspond to the plurality of external connection electrodes 16 and the lid 17 on the space 5.

また、空間5上の蓋に相当する部分の銅層17は、外部接続用電極を兼ねるものとすることもできる。   Further, the copper layer 17 corresponding to the lid on the space 5 can also serve as an external connection electrode.

このように、めっき銅層15は、空間5を外圧から保護するための十分な厚みを持ちながら、微細なパターンに分断形成することが可能となる。   Thus, the plated copper layer 15 can be divided into fine patterns while having a sufficient thickness for protecting the space 5 from external pressure.

次に、図3(e)に示すように、ダイシングを行い、個片化することにより、パッケージが完成する。   Next, as shown in FIG. 3E, the package is completed by dicing and dividing into individual pieces.

なお、本実施の形態では、表面弾性波フィルタ(SAW)素子を用いたが、これに限らず、加速度センサ素子、角速度センサ素子等の、表面に機能的構造を有して他の物体が接することによって特性変化を来たすために、素子表面が中空状態に保たれたパッケージに適用することができる。   In this embodiment, a surface acoustic wave filter (SAW) element is used. However, the present invention is not limited to this, and other objects such as an acceleration sensor element and an angular velocity sensor element have a functional structure on the surface. Therefore, the device can be applied to a package in which the element surface is kept in a hollow state.

以上のように、本発明の電子部品パッケージ構造は、素子表面が中空状態に保たれたパッケージに適用することができ、小型かつ高信頼性が得られるものである。   As described above, the electronic component package structure of the present invention can be applied to a package in which the element surface is maintained in a hollow state, and is small and highly reliable.

また、本発明の電子部品パッケージの製造方法は、外圧に耐えることができる十分な厚みの金属層6を形成し、かつ微細な部分に金属層6を分断して電極を形成することが可能で、高信頼かつ小型の電子部品パッケージを提供するものである。   In addition, the method for manufacturing an electronic component package according to the present invention can form a metal layer 6 having a sufficient thickness that can withstand external pressure and divide the metal layer 6 into fine portions to form electrodes. A highly reliable and small electronic component package is provided.

本発明の実施の形態における電子部品パッケージの断面図Sectional drawing of the electronic component package in embodiment of this invention 同実施の形態における電子部品パッケージの製造方法を示す図The figure which shows the manufacturing method of the electronic component package in the embodiment 同実施の形態における電子部品パッケージの製造方法を示す図The figure which shows the manufacturing method of the electronic component package in the embodiment 従来のパッケージの断面図Cross section of conventional package 従来のパッケージの断面図Cross section of conventional package

符号の説明Explanation of symbols

1 単結晶基板
2 IDT部
3 電極
4 樹脂層
5 空間
6 金属層(蓋部分)
7 外部電極
8 接続孔
9 絶縁樹脂層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Single crystal substrate 2 IDT part 3 Electrode 4 Resin layer 5 Space 6 Metal layer (lid part)
7 External electrode 8 Connection hole 9 Insulating resin layer

Claims (6)

表面に機能領域と電極を有する素子が形成された基板と、
前記基板の前記機能領域上に空間を設けて配置された樹脂層と、
前記空間を覆う金属層と、
前記金属層の前記樹脂層に対応する位置に設けられた絶縁樹脂層とからなる電子部品パッケージであって、
前記樹脂層の弾性率が前記絶縁樹脂層の弾性率よりも大きいことを特徴とする電子部品パッケージ構造。
A substrate on which an element having a functional region and an electrode is formed on the surface;
A resin layer disposed with a space on the functional area of the substrate;
A metal layer covering the space;
An electronic component package comprising an insulating resin layer provided at a position corresponding to the resin layer of the metal layer,
The electronic component package structure, wherein the elastic modulus of the resin layer is larger than the elastic modulus of the insulating resin layer.
前記樹脂層に前記機能領域へ連結される通路と、
前記通路に連結される外部電極が、前記金属層に設けられている請求項1に記載の電子部品パッケージ構造。
A passage connected to the functional region in the resin layer;
The electronic component package structure according to claim 1, wherein an external electrode connected to the passage is provided on the metal layer.
前記樹脂層の弾性率が、前記絶縁樹脂層の弾性率の2.5倍以上である請求項1ないし2に記載の電子部品パッケージ構造。 The elastic modulus of the resin layer, the electronic component package structure according to claim 1 or 2 wherein at least 2.5 times the elastic modulus of the insulating resin layer. 前記基板が半導体単結晶である請求項1ないし3記載の電子部品パッケージ構造。 4. The electronic component package structure according to claim 1, wherein the substrate is a semiconductor single crystal. 前記空間が中空封止構造である請求項1ないし4記載の電子部品パッケージ構造。 5. The electronic component package structure according to claim 1, wherein the space has a hollow sealing structure. 前記機能領域が表面弾性波フィルター、加速度センサ、角加速度センサーである請求項1ないし5記載の電子部品パッケージ構造。
Electronic parts packaging structure of the functional area surface acoustic wave filter, the acceleration sensor over, claims 1 an angular accelerometer 5, wherein.
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