JP5275834B2 - ウエハ加工用フィルム及びウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法 - Google Patents
ウエハ加工用フィルム及びウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5275834B2 JP5275834B2 JP2009024005A JP2009024005A JP5275834B2 JP 5275834 B2 JP5275834 B2 JP 5275834B2 JP 2009024005 A JP2009024005 A JP 2009024005A JP 2009024005 A JP2009024005 A JP 2009024005A JP 5275834 B2 JP5275834 B2 JP 5275834B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive layer
- film
- pressure
- wafer
- sensitive adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/2901—Shape
- H01L2224/29012—Shape in top view
- H01L2224/29014—Shape in top view being circular or elliptic
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、
前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、
半導体ウエハを前記接着剤層に貼合した状態でダイシングしてチップに個片化した後、前記接着剤層を前記粘着剤層から剥離して前記接着剤層が付着した状態の前記チップをピックアップするために用いるウエハ加工用フィルムであって、
前記粘着剤層は、少なくともリングフレームに対応する部分に、放射線重合性化合物と一の光開始剤とを含み、前記一の光開始剤を含む箇所以外の部分に、放射線重合性化合物と他の光開始剤とを含み、
前記一の光開始剤が反応する光の波長は、前記他の光開始剤が反応する光の波長と異なる
ことを特徴とすることを特徴とする。
以下、第1実施形態に係る加工用フィルムの各構成要素について詳細に説明する。第1実施形態に係るウエハ加工用フィルムは、図1に示すように、基材フィルム11及び基材フィルム11上に設けられた粘着剤層12からなる粘着フィルム14と、粘着剤層14上に設けられた接着剤層13とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム15である。また、接着剤層13は、半導体ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、粘着剤層12は、リングフレームに対応した形状にプリカットされていない。本実施形態においては、粘着剤層12及び接着剤層13は、基材フィルム11上に、基材フィルム11と同様に長尺状に積層されており、ウエハ加工用フィルム10は、厚さが異なる部分を有していない。また、粘着剤層には、放射線重合性化合物と、反応する光の波長が異なる2種類の光開始剤が含まれている。
ウエハ加工用フィルムに用いられる離型フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート(PET)系、ポリエチレン系、その他、離型処理がされたフィルム等周知のものを使用することができる。離型フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、25〜50μmが好ましい。
接着剤層は、半導体ウエハ等が貼り合わされてダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着フィルムから剥離してチップに付着し、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。従って、接着剤層は、チップをピックアップする際に、個片化された半導体に付着したままの状態で、粘着フィルムから剥離することができる剥離性を有し、さらに、ダイボンディングする際において、チップを基板やリードフレームに接着固定するために、十分な接着信頼性を有するものである。
本実施形態に係る粘着フィルムは、基材フィルムに粘着剤層を設けたものである。そして、粘着フィルムは、ウエハをダイシングする際にはウエハが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後にチップをピックアップする際には容易に接着剤層から剥離できるよう低い粘着力を有するものである。また、本実施形態に係るウエハ加工用フィルムは、接着剤層のリングフレームに対応する位置がプリカットされていないため、リングフレーム装着前に、接着剤層のリングフレームに対応する位置を含む部分の下に位置する粘着剤層の粘着力を低くする必要がある。そのため、粘着フィルムの粘着剤層は、ウエハに対応する部分以外の部分に、放射線重合性化合物と一の光開始剤とが含まれており、一の光開始剤を含む箇所以外の部分すなわちウエハに対応する部分に、放射線重合性化合物と他の光開始剤とを含まれている。なお、ウエハに対応する部分以外の部分は、リングフレームに対応する位置を含む部分であるが、リングフレームに対応する部分にのみ一の光開始剤が含まれるようにし、それ以外の部分には他の光開始剤が含まれるようにしてもよい。
3,3−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノン、テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン等のベンゾフェノン系光開始剤は紫外線領域の有効励起波長210〜260nmを、2,4−ジエチルチオキサンソン、2,4−ジイソプロピルチオキサンソン,2,4−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン等のチオキサントン系光開始剤は紫外線領域の有効励起波長259〜260nmを、ベンゾインエーテル系光開始剤のベンゾインイソプロピルエーテルは紫外線領域の有効励起波長360nmを有する。従って、これらの光開始剤を適宜組合せることにより、反応する波長が異なる2種類の光開始剤を粘着剤層のウエハに対応する部分とそれ以外の部分とにそれぞれ含ませることができる。なお、ウエハに対応する部分とそれ以外の部分とで、反応する波長が異なっていれば、それぞれに複数種類の光開始剤を含ませてもよい。
第2実施形態に係るウエハ加工用フィルムは、第1実施形態に係るウエハ加工用フィルムと同様、基材フィルム及び基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有するものであり、接着剤層は半導体ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、粘着剤層もリングフレームに対応した形状にプリカットされていない。また、接着剤層には、少なくとも半導体ウエハに対応する位置よりも外側であってリングフレームに対応する位置よりも内側に切り込みが設けられている(図1参照)。なお、粘着剤層及び接着剤層は、基材フィルム上に、基材フィルムと同様に長尺状に積層されており、ウエハ加工用フィルムは、厚さが異なる部分を有していない。
第1実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を、図2及び図3を用いて説明する。図2及び図3は第1実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を説明する図であって、図2(A)は離型フィルム16が接着剤層13上に貼り付けられている状態を、図2(B)は粘着剤層12の一部を硬化させ、硬化させた粘着剤層部分12a上の接着剤層を剥離させた状態を、図2(C)はウエハWがウエハ加工用フィルムに貼り付けられた状態を、図2(D)はウエハをダイシングした状態を、図2(E)はウエハに対応する位置の粘着剤層部分12bを硬化させた状態を、さらに、図3(A)はダイシングされたウエハが貼り合わされたウエハ加工用フィルムをエキスパンド装置に搭載した状態を、図3(B)はエキスパンド後のウエハ及びウエハ加工用フィルムを示す断面図である。
図2(A)に示すように、まず、基材フィルム11及び基材フィルム11上に設けられた粘着剤層12からなる粘着フィルム14と、図示しないウエハの外周に対応した位置に切り込み13aが設けられている接着剤層13とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム15に対して、接着剤層13側から離型フィルム16が貼り付けられているウエハ加工用フィルムを準備する。ウエハ加工用フィルムは、接着剤層等がプリカットされていないことから、離型フィルムが貼り合わされた製品としてロール状に巻いた際、接着剤層13と粘着フィルム14との積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層13に転写痕が発生することを防止することができる。
次に、一の光開始剤、すなわち、粘着剤層12のウエハに対応する部分以外に含まれる光開始剤が反応する波長(「波長A」と称する)の紫外線を、粘着剤層12に照射して硬化させる。硬化した部分12aの粘着力が低下するため、図2(B)に示すように、ウエハ加工用フィルムから離型フィルム16を剥がすとともに、接着剤層13の切り込み13aを基点として、硬化した粘着剤層部分12a上の接着剤層のみを剥離することができる。
次に、図2(C)に示すように、硬化した粘着剤層部分12aの所定位置にリングフレーム20を貼り合わせ、ダイシング・ダイボンディングフィルム15の接着剤層13側から、接着剤層13に対して半導体ウエハWの裏面を貼り合わせる。なお、以後の工程において、リングフレーム20及び半導体ウエハWを長尺状のダイシング・ダイボンディングフィルム15に貼り合わせた状態で各工程を搬送させるのではなく、リングフレーム20及び半導体ウエハWを1組ずつ個別に搬送させる場合には、リングフレーム20を貼り合わせる前あるいは貼り合わせた後に、リングフレーム20の外周に沿って、ダイシング・ダイボンディングフィルム15を切断するとよい。
リングフレーム20を介してウエハ加工用フィルムを図示しないダイシング装置に固定し、ブレードを用いて、半導体ウエハWを機械的に切断し、複数の半導体チップCに分割するとともに、接着剤層13も分割する(図2(D))。
そして、図2(E)に示すように、複数の半導体チップCに分割されたウエハの位置に対応する粘着剤層部分12bに含まれる波長A以外の波長(「波長B」と称する)に反応する光開始剤を反応させるため、波長Aとは異なる波長Bの紫外線を、粘着剤層12に照射して硬化させる。硬化した部分12bは粘着力が低下するため、硬化した粘着剤層部分12b上の接着剤層13を剥離させることが可能となる。
半導体チップCに分割されたウエハの位置に対応する粘着剤層部分12bに照射して硬化させた後、図3(A)に示すように、分割された複数の半導体チップCを保持するウエハ加工用フィルムをエキスパンド装置のステージ21上に載置する。図中、符号22は、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材である。
そして、図3(B)に示すように、ダイシングされたチップC及び接着剤層13を保持した基材フィルム11及び粘着剤層12からなる粘着フィルムをリングフレームの周方向に引き伸ばすエキスパンド工程を実施する。具体的には、ダイシングされた複数のチップC及び接着フィルム13を保持した状態の粘着フィルムに対して、中空円柱形状の突き上げ部材22を、粘着フィルムの下面側から上昇させ、上記粘着フィルムをリングフレームの周方向に引き伸ばす。エキスパンド工程により、チップ同士の間隔を広げ、CCDカメラ等によるチップの認識性を高めるとともに、ピックアップの際に隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップ同士の再接着を防止することができる。
エキスパンド工程を実施した後、粘着フィルムをエキスパンドした状態のままで、チップCをピックアップするピックアップ工程を実施する。具体的には、粘着フィルムの下側からチップをピンによって突き上げるとともに、粘着フィルムの上面側から吸着冶具でチップを吸着することで、個片化されたチップCを接着フィルム13とともにピックアップする。
そして、ピックアップ工程を実施した後、ダイボンディング工程を実施する。具体的には、ピックアップ工程でチップCとともにピックアップされた接着剤層により、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板等に接着して、半導体装置を製造する。
11:基材フィルム
12:粘着剤層
13:接着剤層
13a:接着剤層の切り込み
14:粘着フィルム
15:ダイシング・ダイボンディングフィルム
16:離型フィルム
Claims (5)
- 基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、
前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、
半導体ウエハを前記接着剤層に貼合した状態でダイシングしてチップに個片化した後、前記接着剤層を前記粘着剤層から剥離して前記接着剤層が付着した状態の前記チップをピックアップするために用いるウエハ加工用フィルムであって、
前記粘着剤層は、少なくともリングフレームに対応する部分に、放射線重合性化合物と一の光開始剤とを含み、前記一の光開始剤を含む箇所以外の部分に、放射線重合性化合物と他の光開始剤とを含み、
前記一の光開始剤が反応する光の波長は、前記他の光開始剤が反応する光の波長と異なる
ことを特徴とするウエハ加工用フィルム。 - 基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、
前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、
半導体ウエハを前記接着剤層に貼合した状態でダイシングしてチップに個片化した後、前記接着剤層を前記粘着剤層から剥離して前記接着剤層が付着した状態の前記チップをピックアップするために用いるウエハ加工用フィルムであって、
前記粘着剤層は、少なくともリングフレームに対応する部分に、放射線重合性化合物および熱重合性化合物の一方を含み、前記放射線重合性化合物および熱重合性化合物の一方を含む箇所以外の部分に、前記放射線重合性化合物および熱重合性化合物の他方を含む
ことを特徴とするウエハ加工用フィルム。 - 前記接着剤層は、前記半導体ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、前記粘着剤層は、リングフレームに対応した形状にプリカットされていないことを特徴とする請求項1又は請求項2記載のウエハ加工用フィルム。
- 前記接着剤層は、少なくとも前記半導体ウエハに対応する位置よりも外側であってリングフレームに対応する位置よりも内側に切り込みが設けられていることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のウエハ加工用フィルム。
- 請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法であって、
前記粘着剤層の前記半導体ウエハに対応する部分以外であって、少なくとも前記リングフレームに対応する部分を硬化させ、硬化させた粘着剤層の部分から前記接着剤層を剥離する工程と、
前記接着剤層に前記半導体ウエハを貼合する工程と、
前記粘着剤層に前記リングフレームを固定する工程と、
前記半導体ウエハをダイシングし、個片化されたチップ及び接着剤層を形成する工程と、
前記粘着剤層の前記半導体ウエハに対応する部分を硬化させ、前記個片化されたチップ及び接着剤層をピックアップする工程とを含む
ことを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009024005A JP5275834B2 (ja) | 2009-02-04 | 2009-02-04 | ウエハ加工用フィルム及びウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009024005A JP5275834B2 (ja) | 2009-02-04 | 2009-02-04 | ウエハ加工用フィルム及びウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010182815A JP2010182815A (ja) | 2010-08-19 |
| JP5275834B2 true JP5275834B2 (ja) | 2013-08-28 |
Family
ID=42764165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009024005A Active JP5275834B2 (ja) | 2009-02-04 | 2009-02-04 | ウエハ加工用フィルム及びウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5275834B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012122058A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-28 | Nitto Denko Corp | ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、ダイボンドフィルムの製造方法、及び、ダイボンドフィルムを有する半導体装置 |
| JP5973302B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2016-08-23 | リンテック株式会社 | 積層体 |
| JP5981822B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2016-08-31 | リンテック株式会社 | シート貼付装置およびシート貼付方法 |
| JP5973303B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2016-08-23 | リンテック株式会社 | 積層体 |
| JP7568795B1 (ja) | 2023-07-28 | 2024-10-16 | 古河電気工業株式会社 | 半導体加工用テープ |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6327580A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-05 | Hitachi Ltd | 粘着テ−プ |
| DE10121556A1 (de) * | 2001-05-03 | 2002-11-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Rückseitenschleifen von Wafern |
| JP4137471B2 (ja) * | 2002-03-04 | 2008-08-20 | 東京エレクトロン株式会社 | ダイシング方法、集積回路チップの検査方法及び基板保持装置 |
| JP4107417B2 (ja) * | 2002-10-15 | 2008-06-25 | 日東電工株式会社 | チップ状ワークの固定方法 |
| JP2005005355A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Nitto Denko Corp | ダイシング・ダイボンドフィルム |
| JP2007019151A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ加工用テープおよびそれを用いたチップの製造方法 |
| JP5203593B2 (ja) * | 2006-11-02 | 2013-06-05 | リンテック株式会社 | 貼付用シート |
| US7829441B2 (en) * | 2007-03-01 | 2010-11-09 | Nitto Denko Corporation | Thermosetting die-bonding film |
| JP2008303386A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-12-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート及びその製造方法並びに接着シートを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
-
2009
- 2009-02-04 JP JP2009024005A patent/JP5275834B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010182815A (ja) | 2010-08-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5255465B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| JP5916295B2 (ja) | ウエハ加工用テープおよびウエハ加工用テープを用いて半導体装置を製造する方法 | |
| WO2010104071A1 (ja) | ウエハ加工用フィルム及びウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法 | |
| JP5158907B1 (ja) | 接着シート | |
| JP4630377B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP5275834B2 (ja) | ウエハ加工用フィルム及びウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法 | |
| JP2010192856A (ja) | ウエハ加工用フィルム | |
| JP5158906B1 (ja) | 接着シート | |
| JP5184409B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| WO2017150330A1 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| JP4785095B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| WO2011111166A1 (ja) | ウエハ加工用フィルム及びウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法 | |
| JP2010163577A (ja) | 巻き芯及び巻き芯に巻き付けられたウエハ加工用テープ | |
| JP2010251480A (ja) | 半導体装置の製造方法及びウエハ加工用テープ | |
| TWI519620B (zh) | A wafer for processing a wafer, and a method for manufacturing a semiconductor device using a wafer processing wafer | |
| JP6407060B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| JP4999117B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| JP4785093B2 (ja) | ウエハ加工用テープの長尺体 | |
| JP6410582B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| JP5566749B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| JP5578911B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| JP5144567B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| JP2010140931A (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| JP6362526B2 (ja) | ウエハ加工用テープ | |
| JP2018207117A (ja) | ウエハ加工用テープ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111101 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130215 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130403 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130426 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130516 |
|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5275834 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |