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JP5206518B2 - Organic electroluminescence device, light emitting device array, exposure head, and image forming apparatus - Google Patents

Organic electroluminescence device, light emitting device array, exposure head, and image forming apparatus Download PDF

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JP5206518B2
JP5206518B2 JP2009062674A JP2009062674A JP5206518B2 JP 5206518 B2 JP5206518 B2 JP 5206518B2 JP 2009062674 A JP2009062674 A JP 2009062674A JP 2009062674 A JP2009062674 A JP 2009062674A JP 5206518 B2 JP5206518 B2 JP 5206518B2
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Description

本発明は、有機電界発光素子、発光素子アレイ、露光ヘッド及び画像形成装置に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescent element, a light emitting element array, an exposure head, and an image forming apparatus.

発光素子としては、特許文献1に開示される有機EL素子が公知である。特許文献1に開示される有機EL素子は、高輝度発光で長寿命を実現することを目的とし、以下のように構成されている。   As the light emitting element, an organic EL element disclosed in Patent Document 1 is known. The organic EL element disclosed in Patent Document 1 is configured as follows for the purpose of realizing long life with high luminance light emission.

特許文献1の有機EL素子は、対向する陽極電極2と陰極電極5の間に複数個の発光ユニット3−1、3−2....3−nを有し、各発光ユニットがそれぞれ1層の等電位面を形成する層4−1、4−2....4−nによって仕切られていることを特徴とする。   The organic EL element of Patent Document 1 includes a plurality of light emitting units 3-1, 3-2. . . . 3-n, and each light-emitting unit forms a single equipotential surface. . . . It is characterized by being partitioned by 4-n.

特開2003−45676号公報JP 2003-45676 A

本発明は、発光輝度を向上させることを課題とする。   An object of the present invention is to improve light emission luminance.

本発明の請求項1に係る有機電界発光素子は、第1電極と、前記第1電極と対をなし、光を透過する第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、前記第1電極と前記第2電極との間に電圧が印加されることにより発光する発光層と、前記第2電極から見て前記発光層の配置側とは反対側に配置され、前記発光層から前記第2電極側へ発光する光の一部を遮蔽する光遮蔽部と、を備える。   An organic electroluminescent device according to claim 1 of the present invention is a first electrode, a second electrode that forms a pair with the first electrode, and transmits light, and the gap between the first electrode and the second electrode. A light-emitting layer that emits light when a voltage is applied between the first electrode and the second electrode, and is disposed on the opposite side of the light-emitting layer from the second electrode as viewed from the second electrode; A light shielding portion that shields part of the light emitted from the light emitting layer toward the second electrode.

本発明の請求項1に係る有機電界発光素子では、さらに、前記光遮蔽部は、前記発光層からの光を反射する光反射性を有する。 In the organic electroluminescent element according to claim 1 of the present invention, the light shielding portion further has light reflectivity for reflecting light from the light emitting layer.

本発明の請求項1に係る有機電界発光素子では、さらに、前記光遮蔽部は、金属で形成されている。 In the organic electroluminescent element according to claim 1 of the present invention, the light shielding portion is further made of metal.

本発明の請求項1に係る有機電界発光素子では、さらに、前記光遮蔽部は、Alで形成されている。 In the organic electroluminescent element according to claim 1 of the present invention, the light shielding portion is further made of Al.

本発明の請求項1に係る有機電界発光素子では、さらに、前記第1電極が、前記発光層からの光を反射する光反射性を有する。 In the organic electroluminescent element according to claim 1 of the present invention, the first electrode further has light reflectivity for reflecting light from the light emitting layer.

本発明の請求項1に係る有機電界発光素子では、さらに、前記光遮蔽部材及び前記第1電極は、共振器構造を有する。 In the organic electroluminescence device according to claim 1 of the present invention, furthermore, the light shielding member and the first electrode has a resonator structure.

本発明の請求項2に係る発光素子アレイは、請求項1に記載の有機電界発光素子が千鳥状に配置されている。 Emitting element array according to claim 2 of the present invention, an organic electroluminescent device according to claim 1 are arranged in a staggered manner.

本発明の請求項3に係る露光ヘッドは、請求項2に記載の発光素子アレイと、前記発光素子アレイにより生成された光を集光し、被照射面に結像する結像素子アレイと、を備える。 Exposure head according to claim 3 of the present invention includes a light emitting device array of claim 2, the light generated by the light emitting element array is condensed, and the imaging device array for imaging an irradiated surface, Is provided.

本発明の請求項4に係る画像形成装置は、潜像を保持する潜像保持体と、前記潜像保持体に光を照射して潜像を形成する請求項3に記載の露光ヘッドと、前記露光ヘッドによって形成された潜像を現像する現像装置と、を備える。 An image forming apparatus according to a fourth aspect of the present invention comprises: a latent image holding body that holds a latent image; and the exposure head according to claim 3 that forms a latent image by irradiating the latent image holding body with light. And a developing device for developing the latent image formed by the exposure head.

本発明の請求項1の構成によれば、光遮蔽部を有さない場合に比べ、発光輝度を向上させることができる。   According to the configuration of the first aspect of the present invention, the light emission luminance can be improved as compared with the case where the light shielding portion is not provided.

本発明の請求項1の構成によれば、光遮蔽部が光反射性を有さない場合に比べ、発光輝度を向上させることができる。 According to the configuration of the first aspect of the present invention, the light emission luminance can be improved as compared with the case where the light shielding portion does not have light reflectivity.

本発明の請求項1の構成によれば、光遮蔽部が金属で形成されていない場合に比べ、外部と第2電極との電気接続が取りやすくなる。 According to the structure of Claim 1 of this invention, compared with the case where the light shielding part is not formed with the metal, it becomes easy to take the electrical connection of the exterior and the 2nd electrode.

本発明の請求項1の構成によれば、光遮蔽部がAlで形成されていない場合に比べ、光取り出し効率を向上できる。 According to the structure of Claim 1 of this invention, compared with the case where the light-shielding part is not formed with Al, light extraction efficiency can be improved.

本発明の請求項1の構成によれば、第1電極が光反射性を有さない場合に比べ、指向性(光などが空間中に出力されるとき、その強度が方向によって異なる性質)が向上する。 According to the configuration of the first aspect of the present invention, the directivity (the property that the intensity varies depending on the direction when light or the like is output in the space) compared to the case where the first electrode does not have light reflectivity. improves.

本発明の請求項1の構成によれば、共振器構造を有さない場合に比べ、指向性が向上する。 According to the configuration of the first aspect of the present invention, the directivity is improved as compared with the case where the resonator structure is not provided.

本発明の請求項2の構成によれば、千鳥状に配置されていない場合に比べ、高密度な発光アレイが得られる。 According to the configuration of the second aspect of the present invention, a light-emitting array having a high density can be obtained as compared with the case where they are not arranged in a staggered pattern.

本発明の請求項3の構成によれば、本構成を有さない場合に比べ、高精細な画像書き込みが可能となる。 According to the configuration of the third aspect of the present invention, high-definition image writing can be performed as compared with the case where this configuration is not provided.

本発明の請求項4の構成によれば、本構成を有さない場合に比べ、高精細な画像が得られる。 According to the configuration of the fourth aspect of the present invention, a high-definition image can be obtained as compared with the case where the configuration is not provided.

図1は、本実施形態に係る画像形成装置の構成を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an image forming apparatus according to the present embodiment. 図2は、本実施形態に係る露光ヘッドの構成を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic view showing the arrangement of the exposure head according to this embodiment. 図3は、本実施形態に係る露光ヘッドからの発光光が感光体ドラムに結像される状態を模式的に示した模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram schematically showing a state in which light emitted from the exposure head according to the present embodiment is imaged on the photosensitive drum. 図4は、本実施形態に係る露光ヘッドの構成と示す発光面側から見た概略図である。FIG. 4 is a schematic view seen from the light emitting surface side, showing the configuration of the exposure head according to the present embodiment. 図5は、本実施形態に係る有機EL素子の構成を示す概略図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing the configuration of the organic EL element according to this embodiment. 図6は、本実施形態に係る有機EL素子において、反射電極を凹レンズ構造とした概略図である。FIG. 6 is a schematic diagram in which the reflective electrode has a concave lens structure in the organic EL element according to the present embodiment. 図7は、本実施形態に係る有機EL素子において、反射電極を凹レンズ構造とした概略図である。FIG. 7 is a schematic diagram in which the reflective electrode has a concave lens structure in the organic EL element according to the present embodiment. 図8は、遮光マスク74を有する構成と遮光マスク74を有さない構成を比較するための概略図である。FIG. 8 is a schematic diagram for comparing a configuration having the light shielding mask 74 with a configuration not having the light shielding mask 74. 図9は、ボトムエミッション構造とした変形例に係る有機EL素子の構成を示す概略図である。FIG. 9 is a schematic view showing a configuration of an organic EL element according to a modified example having a bottom emission structure. 図10は、比較例1に係る有機EL素子の構成を示す概略図である。FIG. 10 is a schematic diagram illustrating a configuration of an organic EL element according to Comparative Example 1. 図11は、比較例1と実施例1〜3との評価結果を示す表である。FIG. 11 is a table showing the evaluation results of Comparative Example 1 and Examples 1 to 3.

以下に、本発明に係る実施形態の一例を図面に基づき説明する。
(本実施形態に係る画像形成装置の構成)
まず、本実施形態に係る画像形成装置の構成を説明する。図1は、本実施形態に係る画像形成装置の構成を示す概略図である。
Below, an example of an embodiment concerning the present invention is described based on a drawing.
(Configuration of image forming apparatus according to the present embodiment)
First, the configuration of the image forming apparatus according to the present embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an image forming apparatus according to the present embodiment.

画像形成装置10は、用紙等の記録媒体Pが収容される記録媒体収容部12と、記録媒体Pにトナー画像を形成する画像形成部14と、記録媒体収容部12から画像形成部14へ記録媒体Pを搬送する搬送手段16と、画像形成部14によって形成されたトナー画像を記録媒体Pに定着させる定着装置18と、定着装置18によってトナー画像が定着された記録媒体Pが排出される記録媒体排出部(図示省略)と、を備えている。   The image forming apparatus 10 includes a recording medium accommodating unit 12 that accommodates a recording medium P such as paper, an image forming unit 14 that forms a toner image on the recording medium P, and recording from the recording medium accommodating unit 12 to the image forming unit 14. Conveying means 16 that conveys the medium P, a fixing device 18 that fixes the toner image formed by the image forming unit 14 to the recording medium P, and a recording medium P on which the toner image is fixed by the fixing device 18 is discharged. A medium discharge unit (not shown).

画像形成部14は、シアン(C)、マゼンタ(M)、イエロー(Y)、ブラック(K)の各色のトナー画像が形成される画像形成ユニット22C、22M、22Y、22Kと、画像形成ユニット22C、22M、22Y、22Kで形成されたトナー画像が転写される中間転写体の一例としての中間転写ベルト24と、画像形成ユニット22C、22M、22Y、22Kで形成されたトナー画像を中間転写ベルト24に転写する一次転写部材の一例としての一次転写ロール26と、中間転写ベルト24に転写されたトナー画像を記録媒体Pに転写する二次転写部材の一例としての二次転写ロール28と、を備えている。   The image forming unit 14 includes image forming units 22C, 22M, 22Y, and 22K that form toner images of cyan (C), magenta (M), yellow (Y), and black (K), and an image forming unit 22C. , 22M, 22Y, 22K, an intermediate transfer belt 24 as an example of an intermediate transfer member to which a toner image is transferred, and a toner image formed by the image forming units 22C, 22M, 22Y, 22K as an intermediate transfer belt 24. A primary transfer roll 26 as an example of a primary transfer member that transfers the toner image to the recording medium P, and a secondary transfer roll 28 as an example of a secondary transfer member that transfers the toner image transferred to the intermediate transfer belt 24 to the recording medium P. ing.

画像形成ユニット22C、22M、22Y、22Kは、表面に静電潜像が形成される像保持体として、一方向(図1において時計回り方向)へ回転する感光体ドラム30をそれぞれ有している。   Each of the image forming units 22C, 22M, 22Y, and 22K has a photosensitive drum 30 that rotates in one direction (clockwise in FIG. 1) as an image carrier on which an electrostatic latent image is formed on the surface. .

各感光体ドラム30の周囲には、感光体ドラム30の回転方向上流側から順に、感光体ドラム30の表面を帯電させる帯電装置32と、帯電した感光体ドラム30の表面を露光して感光体ドラム30の表面に静電潜像を形成する露光装置としての露光ヘッド34と、感光体ドラム30の表面に形成された静電潜像を現像してトナー画像を形成する現像装置36と、トナー画像が中間転写ベルト24に転写された後の感光体ドラム30の表面に残留しているトナーを除去する除去装置40と、が設けられている。   Around each photosensitive drum 30, a charging device 32 for charging the surface of the photosensitive drum 30 in order from the upstream side in the rotation direction of the photosensitive drum 30, and the surface of the charged photosensitive drum 30 are exposed to expose the photosensitive drum 30. An exposure head 34 as an exposure device that forms an electrostatic latent image on the surface of the drum 30; a developing device 36 that develops the electrostatic latent image formed on the surface of the photosensitive drum 30 to form a toner image; and a toner A removing device 40 that removes toner remaining on the surface of the photosensitive drum 30 after the image is transferred to the intermediate transfer belt 24 is provided.

中間転写ベルト24は、二次転写ロール28に対向する対向ロール42、駆動ロール44及び支持ロール46によって支持され、感光体ドラム30と接触しながら一方向(図1において反時計回り方向)へ循環移動するようになっている。   The intermediate transfer belt 24 is supported by a counter roll 42, a drive roll 44, and a support roll 46 that face the secondary transfer roll 28, and circulates in one direction (counterclockwise in FIG. 1) while being in contact with the photosensitive drum 30. It is supposed to move.

一次転写ロール26は、中間転写ベルト24を挟んで、感光体ドラム30に対向している。一次転写ロール26と感光体ドラム30との間には、感光体ドラム30上のトナー画像が中間転写ベルト24に一次転写される一次転写位置が形成される。この一次転写位置において、一次転写ロール26が感光体ドラム30の表面のトナー画像を圧接力と静電力により中間転写ベルト24に転写するようになっている。   The primary transfer roll 26 faces the photosensitive drum 30 with the intermediate transfer belt 24 interposed therebetween. Between the primary transfer roll 26 and the photosensitive drum 30, a primary transfer position where the toner image on the photosensitive drum 30 is primarily transferred to the intermediate transfer belt 24 is formed. At the primary transfer position, the primary transfer roll 26 transfers the toner image on the surface of the photoconductive drum 30 to the intermediate transfer belt 24 by a pressing force and an electrostatic force.

二次転写ロール28は、中間転写ベルト24を挟んで対向ロール42と対向している。二次転写ロール28と対向ロール42との間には、中間転写ベルト24上のトナー画像が記録媒体Pに二次転写される二次転写位置が形成される。   The secondary transfer roll 28 faces the opposing roll 42 with the intermediate transfer belt 24 interposed therebetween. A secondary transfer position where the toner image on the intermediate transfer belt 24 is secondarily transferred to the recording medium P is formed between the secondary transfer roll 28 and the opposing roll 42.

搬送手段16は、記録媒体収容部12に収容された記録媒体Pを送り出す送出ロール50と、送出ロール50によって送り出された記録媒体Pを二次転写位置へ挟持搬送する搬送ロール対52と、を備えている。   The conveying means 16 includes a sending roll 50 that sends out the recording medium P accommodated in the recording medium accommodating portion 12, and a conveying roll pair 52 that sandwiches and conveys the recording medium P sent out by the sending roll 50 to the secondary transfer position. I have.

定着装置18は、二次転写位置より搬送方向下流側に配置されており、二次転写位置で転写されたトナー画像を記録媒体Pへ定着させる。   The fixing device 18 is disposed downstream in the transport direction from the secondary transfer position, and fixes the toner image transferred at the secondary transfer position to the recording medium P.

二次転写位置より搬送方向下流側であって、定着装置18よりも搬送方向上流側には、定着装置18に記録媒体Pを搬送する搬送部材の一例としての搬送ベルト54が配置されている。   A conveyance belt 54 as an example of a conveyance member that conveys the recording medium P to the fixing device 18 is disposed downstream of the secondary transfer position in the conveyance direction and upstream of the fixing device 18 in the conveyance direction.

以上の構成により、本実施形態に係る画像形成装置10では、まず記録媒体収容部12から送り出された記録媒体Pが、搬送ロール対52によって二次転写位置へ送り込まれる。   With the above configuration, in the image forming apparatus 10 according to the present embodiment, the recording medium P sent out from the recording medium storage unit 12 is first sent to the secondary transfer position by the transport roll pair 52.

一方、中間転写ベルト24には、画像形成ユニット22C、22M、22Y、22Kで形成された各色のトナー画像が重ねられて、カラー画像が形成される。二次転写位置へ送り込まれた記録媒体Pは、中間転写ベルト24上に形成されたカラー画像が転写される。   On the other hand, the toner images of the respective colors formed by the image forming units 22C, 22M, 22Y, and 22K are superimposed on the intermediate transfer belt 24 to form a color image. The color image formed on the intermediate transfer belt 24 is transferred to the recording medium P sent to the secondary transfer position.

トナー画像が転写された記録媒体Pは、定着装置18へ搬送され、転写されたトナー画像が定着装置18により定着される。トナー画像が定着された記録媒体Pは、記録媒体排出部(図示省略)へ排出される。以上のように、一連の画像形成動作が行われる。   The recording medium P to which the toner image is transferred is conveyed to the fixing device 18, and the transferred toner image is fixed by the fixing device 18. The recording medium P on which the toner image is fixed is discharged to a recording medium discharge unit (not shown). As described above, a series of image forming operations are performed.

なお、画像形成装置の構成としては、上記の構成に限られず、例えば、中間転写体を有さない直接転写型の画像形成装置でもよく、種々の構成とすることが可能である。   The configuration of the image forming apparatus is not limited to the above-described configuration. For example, a direct transfer type image forming apparatus that does not have an intermediate transfer member may be used, and various configurations may be employed.

(露光ヘッドの構成)
次に、露光ヘッドの構成を説明する。図2及び図3は、本実施形態に係る露光ヘッドの構成を示す概略図である。
(Configuration of exposure head)
Next, the configuration of the exposure head will be described. 2 and 3 are schematic views showing the arrangement of the exposure head according to this embodiment.

各露光ヘッド34は、図2及び図3に示すように、主走査方向に長尺状に形成された基板60と、発光素子アレイの一例としての有機EL素子アレイ62と、有機EL素子アレイ62により生成された光を集光し感光体ドラム30に結像する結像素子アレイの一例としてのセルフォックレンズアレイ64と、を備えている。   As shown in FIGS. 2 and 3, each exposure head 34 includes a substrate 60 formed in an elongated shape in the main scanning direction, an organic EL element array 62 as an example of a light emitting element array, and an organic EL element array 62. And a Selfoc lens array 64 as an example of an imaging element array that collects the light generated by the above and focuses the light on the photosensitive drum 30.

有機EL素子アレイ62は、有機電界発光素子の一例としての有機EL素子70を有している。有機EL素子70は、画素数(ドット数)に応じて、基板60に主走査方向へ沿って複数配列されている。具体的には、有機EL素子70は、図4に示すように、千鳥状に配置されている。   The organic EL element array 62 includes an organic EL element 70 as an example of an organic electroluminescent element. A plurality of organic EL elements 70 are arranged along the main scanning direction on the substrate 60 according to the number of pixels (number of dots). Specifically, the organic EL elements 70 are arranged in a staggered manner as shown in FIG.

千鳥状の配置は、具体的には、以下のとおりとされる。有機EL素子70が予め定められたピッチで主走査方向に沿って配列された列が、並列に2列配置される。各列の有機EL素子70のピッチは同じピッチとされ、一方の列は他方の列に対して、主走査方向に半ピッチ程度ずれている。このように千鳥配置にすることにより、千鳥配置でない構成に比して、単位長さ当たりの素子数が多くなる。   Specifically, the staggered arrangement is as follows. Two rows in which the organic EL elements 70 are arranged at a predetermined pitch along the main scanning direction are arranged in parallel. The pitch of the organic EL elements 70 in each row is the same, and one row is shifted by about a half pitch in the main scanning direction with respect to the other row. By adopting the staggered arrangement in this way, the number of elements per unit length is increased as compared with the configuration without the staggered arrangement.

また、基板60には、有機EL素子70を駆動する駆動回路の一例としてのドライバIC66が複数設けられている。ドライバIC66は、複数の有機EL素子70を個別に駆動するようになっている。   The substrate 60 is provided with a plurality of driver ICs 66 as an example of drive circuits for driving the organic EL elements 70. The driver IC 66 drives the plurality of organic EL elements 70 individually.

セルフォックレンズアレイ64は、ロッドレンズ64Aが複数配列されて構成されており、複数の有機EL素子70の光射出側に配置されている。   The selfoc lens array 64 is configured by arranging a plurality of rod lenses 64 </ b> A, and is arranged on the light emission side of the plurality of organic EL elements 70.

セルフォックレンズアレイ64では、1ドットに対して複数のロッドレンズ64Aで正立等倍結像するように、各ロッドレンズ64Aが2次元状に配列されている。従って、各有機EL素子70からの発光光は、対応する複数のセルフォックレンズアレイ64を介して感光体ドラム30の表面に結像される。このように、有機EL素子70からの発光光によって、感光体ドラム30が露光されて潜像が形成される。   In the SELFOC lens array 64, the rod lenses 64A are two-dimensionally arranged so as to form an erecting equal-magnification image with a plurality of rod lenses 64A for one dot. Therefore, the emitted light from each organic EL element 70 is imaged on the surface of the photosensitive drum 30 via the corresponding plurality of selfoc lens arrays 64. As described above, the photosensitive drum 30 is exposed by the light emitted from the organic EL element 70 to form a latent image.

なお、有機EL素子70に組み合わせる光学レンズとしては、セルフォックレンズアレイ64に限られず、シリンドリカルレンズを組み合わせても良い。また、個々の有機EL素子70上にマイクロレンズを接合しても良い。   The optical lens combined with the organic EL element 70 is not limited to the SELFOC lens array 64, and a cylindrical lens may be combined. Further, a microlens may be bonded on each organic EL element 70.

(有機EL素子の構成)
次に、有機EL素子の構成を説明する。図5は、本実施形態に係る有機EL素子の構成を示す概略図である。
(Configuration of organic EL element)
Next, the configuration of the organic EL element will be described. FIG. 5 is a schematic diagram showing the configuration of the organic EL element according to this embodiment.

有機EL(エレクトロルミネッセント)素子70は、第1電極の一例としての反射電極71と、前記第1電極と対をなす第2電極の一例としての透明電極73と、前記第1電極と前記第2電極との間に配置された発光層の一例としての有機EL層72と、前記第2電極から見て前記発光層の配置側とは反対側に配置された光遮蔽部の一例としての遮光マスク74とを備えている。   The organic EL (electroluminescent) element 70 includes a reflective electrode 71 as an example of a first electrode, a transparent electrode 73 as an example of a second electrode paired with the first electrode, the first electrode, An organic EL layer 72 as an example of a light emitting layer disposed between the second electrode and an example of a light shielding unit disposed on the opposite side of the light emitting layer from the second electrode. A light-shielding mask 74.

反射電極71は、基板60上に形成されている。反射電極71は、有機EL素子70がトップエミッション構造をとる時は、陽極として用いられる。   The reflective electrode 71 is formed on the substrate 60. The reflective electrode 71 is used as an anode when the organic EL element 70 has a top emission structure.

反射電極71は、後述のように、遮光マスク74とで共振器構造を形成する為に、高反射率の金属、高反射率のアモルファス合金を用いるのが良い。高反射率の金属としては、例えば、Al、Ag、Mo、W、Ni、Crなどがある。高反射率のアモルファス合金としては、例えば、NiP、NiB、CrP及びCrBなどがある。なお、反射電極71の材料としては、上記の材料に限られるものではない。   As described later, in order to form a resonator structure with the light shielding mask 74, the reflective electrode 71 is preferably made of a highly reflective metal or a highly reflective amorphous alloy. Examples of the highly reflective metal include Al, Ag, Mo, W, Ni, and Cr. Examples of the highly reflective amorphous alloy include NiP, NiB, CrP, and CrB. The material of the reflective electrode 71 is not limited to the above material.

また、反射電極71は、図6及び図7に示すように、凹型のレンズ構造としても良い。この凹レンズ構造では、ガラスで形成された基板60上に有機又は無機材料からなる下地形成層76を予め形成し、その予め形成しておいた下地形成層76に対し、結晶異方エッチング法、高密度プラズマを用いた反応性イオンエッチング法、またはマイクロインプリンティング法を用いて凹型パターンを加工し、該凹型パターンに電極材料を蒸着、又はスパッタすることで形成される。凹部の形状は、図6に示すように、円孔状に湾曲する構成であってもよいし、図7に示すように、V字状に屈曲する構成であってもよい。   The reflective electrode 71 may have a concave lens structure as shown in FIGS. In this concave lens structure, a base formation layer 76 made of an organic or inorganic material is formed in advance on a substrate 60 formed of glass, and a crystal anisotropic etching method, It is formed by processing a concave pattern using a reactive ion etching method using a density plasma or a micro-imprinting method, and depositing or sputtering an electrode material on the concave pattern. As shown in FIG. 6, the shape of the recess may be configured to be curved in a circular hole shape, or may be configured to be bent in a V shape as illustrated in FIG. 7.

このように、凹型のレンズ構造とすることにより、後述の共振構造において、光取り出し部への集光性が向上し、発光の指向性の向上及び強度向上する。   Thus, by using a concave lens structure, in a later-described resonance structure, the light condensing property to the light extraction portion is improved, and the directivity of light emission and the strength are improved.

有機EL層72は、反射電極71側に形成されたホール注入層及びホール輸送層と、透明電極73側に形成された電子注入層及び電子輸送層と、ホール注入層及びホール輸送層と電子注入層及び電子輸送層との間に形成された発光層とを備えている。   The organic EL layer 72 includes a hole injection layer and a hole transport layer formed on the reflective electrode 71 side, an electron injection layer and an electron transport layer formed on the transparent electrode 73 side, a hole injection layer, a hole transport layer, and an electron injection. And a light emitting layer formed between the layer and the electron transport layer.

これら有機層は低分子、もしくは高分子有機材料による有機薄膜を積層することで形成される。有機薄膜の形成法としては、CVD(化学気相成長 、Chemical Vapor Deposition)法、分子線蒸着法、ディッピング法、スピンコート法、キャスト法、印刷法、インクジェット法、スプレー法などを用いて成膜しても良い。   These organic layers are formed by laminating organic thin films made of low-molecular or high-molecular organic materials. Organic thin film formation methods include CVD (Chemical Vapor Deposition), molecular beam deposition, dipping, spin coating, casting, printing, inkjet, and spraying. You may do it.

ホール注入層の材料としては、フタロシアニン類(CuPcなどを含む)またはインダンスレン系化合物などの低分子材料、MTDATA(4,4’,4”−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン)、ポリアニリン、PEDOT/PSS(ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォネート)等の高分子材料等が用いられる。   Examples of the material for the hole injection layer include low molecular weight materials such as phthalocyanines (including CuPc) or indanthrene compounds, MTDATA (4,4 ′, 4 ″ -tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine ), Polyaniline, polymer materials such as PEDOT / PSS (polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonate), and the like.

ホール輸送層の材料としては、例えばトリフェニルジアミン誘導体、ポリフィリル誘導体、スチルベン誘導体、オキサジアゾール誘導体、テトラフェニレンジアミン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、カルバゾール誘導体、スチルベン誘導体、アリールヒドラゾン誘導体、ポルフィリン系化合物等を用いることができる。   Examples of the material for the hole transport layer include triphenyldiamine derivatives, polyphylyl derivatives, stilbene derivatives, oxadiazole derivatives, tetraphenylenediamine derivatives, triphenylamine derivatives, carbazole derivatives, stilbene derivatives, arylhydrazone derivatives, porphyrin compounds, and the like. Can be used.

発光層としては、キレート型有機金属錯体、多核又は縮合芳香環化合物、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサチアゾール誘導体、又はオキサジアゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、又はポリアセチレン誘導体等が挙げられる。   As the light-emitting layer, chelate type organometallic complexes, polynuclear or condensed aromatic ring compounds, perylene derivatives, coumarin derivatives, styrylarylene derivatives, silole derivatives, oxazole derivatives, oxathiazole derivatives, oxadiazole derivatives, polyparaphenylene derivatives, poly Paraphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyacetylene derivatives, and the like can be given.

電子輸送層としてはオキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、フェニルキノキサリン類、チオフェン誘導体、キレート型有機金属錯体等が用いられる。   As the electron transport layer, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, triazine derivatives, phenylquinoxalines, thiophene derivatives, chelate type organometallic complexes, and the like are used.

電子注入層としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属又はそれらを含む合金、アルカリ金属フッ化物、またはアルカリ土類金属をドープしたアルミニウムキノリノール錯体を用いてもよい。   As the electron injection layer, an alkali metal, an alkaline earth metal or an alloy containing them, an alkali metal fluoride, or an aluminum quinolinol complex doped with an alkaline earth metal may be used.

有機EL層72上に形成される透明電極73は、光を透過する透過性を有し、陰極として用いられる。透明電極73は、例えば、スパッタ法により積層される。透明電極73は、SnO2、In2O3、ITO、IZO:Alなどの導電性金属酸化物を用いて形成される。 The transparent electrode 73 formed on the organic EL layer 72 has a light transmitting property and is used as a cathode. The transparent electrode 73 is laminated by, for example, a sputtering method. The transparent electrode 73 is formed using a conductive metal oxide such as SnO 2 , In 2 O 3 , ITO, or IZO: Al.

透明電極73を陰極として用いる場合には、有機EL層72の最上層を電子注入層として電子注入効率を高めることが望ましい。透明電極73は、波長400〜800nmの光に対して好ましくは50%以上、より好ましくは80%以上の透過率を有することが望ましい。透明電極73は、通常50nm以上、好ましくは50nm〜1μm、より好ましくは100〜300nmの範囲の厚さを有することが望ましい。   When the transparent electrode 73 is used as a cathode, it is desirable to increase the electron injection efficiency by using the uppermost layer of the organic EL layer 72 as an electron injection layer. The transparent electrode 73 preferably has a transmittance of preferably 50% or more, more preferably 80% or more with respect to light having a wavelength of 400 to 800 nm. The transparent electrode 73 has a thickness of usually 50 nm or more, preferably 50 nm to 1 μm, more preferably 100 to 300 nm.

透明電極73及び上記の反射電極71は、図4に示すように、それぞれ帯状に形成されており、その交差部に発光部78が形成される。反射電極71は発光部78毎に分割されており、発光部78に流れる電流は個別に制御される。透明電極73は全ての発光部78に対して共通に形成されている。   As shown in FIG. 4, the transparent electrode 73 and the reflective electrode 71 are each formed in a band shape, and a light emitting portion 78 is formed at the intersection. The reflective electrode 71 is divided for each light emitting unit 78, and the current flowing through the light emitting unit 78 is individually controlled. The transparent electrode 73 is formed in common for all the light emitting portions 78.

バンク(隔壁)75は、素子分離するためのものであり、ポリイミド系又はアクリル系の樹脂からなる。バンク75は、例えば、フォトリソグラフィーによって形成される。なお、バンク75は、反射性金属で被覆した後、絶縁膜でコーティングしてもよい。この場合、有機EL素子70外部への光の漏れが減少し、発光強度が上昇する。   The bank (partition wall) 75 is for element isolation, and is made of a polyimide or acrylic resin. The bank 75 is formed by, for example, photolithography. The bank 75 may be coated with an insulating film after being coated with a reflective metal. In this case, light leakage to the outside of the organic EL element 70 is reduced, and the light emission intensity is increased.

遮光マスク74は、有機EL層72から透明電極73側へ発光する光の一部を遮蔽し、透明電極73から光が取り出される光取出部としての出口を制限する。   The light shielding mask 74 blocks part of the light emitted from the organic EL layer 72 toward the transparent electrode 73, and restricts the exit as a light extraction portion from which light is extracted from the transparent electrode 73.

遮光マスク74は、有機EL層72から発せられた光を反射電極71との間で共振器構造を形成するために、高反射率の金属、高反射率のアモルファス合金を用いるのが良い。高反射率の金属としては、例えば、Al、Ag、Mo、W、Ni、Crなどがある。高反射率のアモルファス合金としては、例えば、NiP、NiB、CrP及びCrBなどがある。なお、遮光マスク74の材料としては、上記の材料に限られるものではない。   The light shielding mask 74 is preferably made of a highly reflective metal or a highly reflective amorphous alloy in order to form a resonator structure between the light emitted from the organic EL layer 72 and the reflective electrode 71. Examples of the highly reflective metal include Al, Ag, Mo, W, Ni, and Cr. Examples of the highly reflective amorphous alloy include NiP, NiB, CrP, and CrB. The material of the light shielding mask 74 is not limited to the above materials.

遮光マスク74には、光の一部を通過させるための開口74Aが形成されている。遮光マスク74の開口74Aの形成法は、マスクで穴形成部を覆った後蒸着、スパッタで穴あきパターンを形成する方法や、フォトリソグラフィーを用いたエッチングなどが挙げられる。   The light shielding mask 74 is formed with an opening 74A for allowing a part of the light to pass therethrough. Examples of the method of forming the opening 74A of the light shielding mask 74 include a method of forming a holed pattern by vapor deposition and sputtering after covering the hole forming portion with the mask, and etching using photolithography.

ここで、図8(A)に示すように、上記のような遮光マスク74を有さない構成では、光を取り出すための光取り出し部174Aと同じ面積を有する有機EL層で生じた光が照射されるのに対して、図8(B)に示すように、遮光マスク74を設けることで開口74A(光取り出し部)よりも広い面積を有する有機EL層72からの光が照射されるので、発光輝度(単位面積あたりの明るさ)が向上する。   Here, as shown in FIG. 8A, in the configuration without the light shielding mask 74 as described above, the light generated by the organic EL layer having the same area as the light extraction portion 174A for extracting light is irradiated. On the other hand, as shown in FIG. 8B, by providing the light shielding mask 74, light from the organic EL layer 72 having an area larger than the opening 74A (light extraction portion) is irradiated. Luminous brightness (brightness per unit area) is improved.

なお、遮光マスク74は、導電性を有するので、透明電極73と接触させ、あわせて電極として用いても良い。これにより、外部との電機接続がしやすい。   In addition, since the light shielding mask 74 has electroconductivity, you may make it contact with the transparent electrode 73 and use it as an electrode collectively. This facilitates electrical connection to the outside.

本実施形態では、遮光マスク74と反射電極71とにより共振器構造が形成されても良い。
たとえば発光領域が反射電極71と有機EL層72の界面に存在すると仮定すると、光取り出し波長λに対して遮光マスク74と反射電極71間の距離Lは
L=n(λ/2):n=1,2,・・・
とすればよい。
In the present embodiment, a resonator structure may be formed by the light shielding mask 74 and the reflective electrode 71.
For example, assuming that a light emitting region exists at the interface between the reflective electrode 71 and the organic EL layer 72, the distance L between the light shielding mask 74 and the reflective electrode 71 with respect to the light extraction wavelength λ is L = n (λ / 2): n = 1,2, ...
And it is sufficient.

共振器構造では、共振器の共振器長に応じた波長で伝播する波動の重ね合わせを生じ、単位角度、単位スペクトルで見た場合に、発光が増大し、指向性が向上する。これにより、照射口を小さくした場合でも、高輝度が維持される。   In the resonator structure, superposition of waves propagating at a wavelength corresponding to the resonator length of the resonator occurs, and light emission increases and directivity improves when viewed in unit angles and unit spectra. Thereby, even when the irradiation port is made small, high luminance is maintained.

また、図9に示すように、有機EL素子70は、ボトムエミッション構造としても良い。その場合は、透明基板60には、遮光マスク74、透明電極73、有機EL層72、反射電極71の順になる。この場合においては、透明電極73は陽極とされ、反射電極71は陰極とされる。   Further, as shown in FIG. 9, the organic EL element 70 may have a bottom emission structure. In that case, the light shielding mask 74, the transparent electrode 73, the organic EL layer 72, and the reflective electrode 71 are arranged on the transparent substrate 60 in this order. In this case, the transparent electrode 73 is an anode and the reflective electrode 71 is a cathode.

〔実施例〕
次に、実施例について説明する。なお、本発明はこれらの実施例に限るものではない。
〔Example〕
Next, examples will be described. The present invention is not limited to these examples.

<実施例1(トップエミッション)>
実施例1では、図5に示すように、まず、洗浄をしたガラス基板60上にフォトリソグラフィーを用いてバンク75を形成する。このバンク75の形成パターンは、有機EL素子70の密度を大きくするため、千鳥配置とした。その後、Alを100nm蒸着することにより反射電極71を形成した。
<Example 1 (top emission)>
In Example 1, as shown in FIG. 5, first, a bank 75 is formed on a cleaned glass substrate 60 using photolithography. The formation pattern of the banks 75 is staggered in order to increase the density of the organic EL elements 70. Then, reflective electrode 71 was formed by vapor-depositing 100 nm of Al.

次に、バンク75により囲まれた画素形成部に、ITOを200nmスパッタにより形成した後、インクジェット法によりPEDOT/PSS,正孔輸送層、発光層の順に有機機能層を形成し、有機EL層72とした。   Next, after ITO is formed by 200 nm sputtering in the pixel formation portion surrounded by the bank 75, an organic functional layer is formed in the order of PEDOT / PSS, a hole transport layer, and a light emitting layer by an ink jet method. It was.

次にCa:30nm,ITO:250nmをスパッタすることで透明電極73(陰極)を形成した後、開口74Aに相当する位置に蒸着マスクをし、Al蒸着により穴あきパターンを形成することで、反射性を有する遮光マスク74を形成した。   Next, after forming a transparent electrode 73 (cathode) by sputtering Ca: 30nm and ITO: 250nm, a deposition mask is formed at a position corresponding to the opening 74A, and a perforated pattern is formed by Al deposition. A light-shielding mask 74 having the property was formed.

本実施例による有機EL素子の透明電極73と反射電極71との間に電圧を印加して有機EL層72を発光させ、遮光マスク74の光の取り出し面側で発光強度を測定した。比較として、遮光マスク74を持たないガラス基板上に作製した有機EL素子の発光強度を測定した。   A voltage was applied between the transparent electrode 73 and the reflective electrode 71 of the organic EL element according to this example to cause the organic EL layer 72 to emit light, and the light emission intensity was measured on the light extraction surface side of the light shielding mask 74. As a comparison, the light emission intensity of an organic EL element produced on a glass substrate without the light shielding mask 74 was measured.

この結果、実施例1の有機EL素子70は、遮光マスク74を持たない有機EL素子に比べて、発光強度が高かった。すなわち、実施例1の有機EL素子の構成によって、集光効率を上げられることがわかった。   As a result, the organic EL element 70 of Example 1 had higher emission intensity than the organic EL element without the light shielding mask 74. That is, it has been found that the light collection efficiency can be increased by the configuration of the organic EL element of Example 1.

<実施例2(ボトムエミッション)>
まず、図9に示すように、洗浄をしたガラス基板60上にフォトリソグラフィーにより、開口74Aに相当するドットパターンを形成し、その後、画素形成部にスパッタによりAlパターンを形成する。このパターンは有機EL素子70の密度を大きくする為、千鳥配置とした。その後リフトオフすることにより、反射性を有する遮光マスク74が形成される。
<Example 2 (bottom emission)>
First, as shown in FIG. 9, a dot pattern corresponding to the opening 74A is formed on the cleaned glass substrate 60 by photolithography, and then an Al pattern is formed on the pixel forming portion by sputtering. This pattern has a staggered arrangement in order to increase the density of the organic EL element 70. Thereafter, the light shielding mask 74 having reflectivity is formed by lifting off.

次に、遮光マスク74の孔を埋めフラットにする為、PMMA(ポリメタクリル酸メチル)をスピンコートし、絶縁膜77を形成した。   Next, in order to fill the hole of the light shielding mask 74 and make it flat, PMMA (polymethyl methacrylate) was spin-coated to form an insulating film 77.

次に、レジスト(ポリイミド)をスピンコートし、フォトリソグラフィーにより、遮光マスク74の位置に合わせてバンク75を形成した。次に、画素形成部に透明電極73(陽極)を、ITOをスパッタすることにより形成した。   Next, a resist (polyimide) was spin-coated, and a bank 75 was formed in accordance with the position of the light shielding mask 74 by photolithography. Next, a transparent electrode 73 (anode) was formed on the pixel formation portion by sputtering ITO.

次に、バンク75により囲まれた画素形成部に、インクジェット法によりPEDOT/PSS,正孔輸送層、発光層の順に有機EL層72を形成した。   Next, the organic EL layer 72 was formed in the order of PEDOT / PSS, the hole transport layer, and the light emitting layer by the inkjet method in the pixel formation portion surrounded by the bank 75.

最後に、反射電極71(陰極)をCa,Alの順に蒸着し、有機EL素子を形成した。   Finally, the reflective electrode 71 (cathode) was deposited in the order of Ca and Al to form an organic EL element.

この構造では、回路が形成される基板側から光を取り出す為開口率が低下し、実施例1に比べ発光効率が低下することがわかった。   With this structure, it was found that the aperture ratio is reduced because light is extracted from the substrate side on which the circuit is formed, and the light emission efficiency is reduced as compared with Example 1.

<実施例3(トップエミッション+レンズ構造)>
まず、図6に示すように、洗浄をしたガラス基板60上にPMMAをスピンコーターにより塗布した後、200℃まで過熱し、PMMAを軟化させた。その後、球状の凸型が形成された金型モールドを樹脂上に押し付け、徐冷することで樹脂上に半球状の凹型形状を転写することで下地形成層76を形成した。このパターンは、有機EL素子70の密度を大きくする為、千鳥配置とした。
<Example 3 (top emission + lens structure)>
First, as shown in FIG. 6, PMMA was applied onto a cleaned glass substrate 60 by a spin coater, and then heated to 200 ° C. to soften PMMA. Thereafter, a mold mold on which a spherical convex mold was formed was pressed onto the resin and slowly cooled to transfer a hemispherical concave mold shape onto the resin, thereby forming the base forming layer 76. This pattern has a staggered arrangement in order to increase the density of the organic EL elements 70.

次に、フォトリソグラフィーを用いてその半球凹型を囲む形状にポリイミドのバンク75を形成し、その後Alを100nm蒸着し、ITOを200nmスパッタすることでレンズ型の反射電極71(陽極)を形成した。   Next, a polyimide bank 75 was formed in a shape surrounding the hemispherical concave mold using photolithography, and then Al was evaporated to 100 nm, and ITO was sputtered to 200 nm to form a lens-type reflective electrode 71 (anode).

次に、バンク75により囲まれた画素形成部に、インクジェット法によりPEDOT/PSS,正孔輸送層、発光層の順に有機EL層72を形成した。   Next, the organic EL layer 72 was formed in the order of PEDOT / PSS, the hole transport layer, and the light emitting layer by the inkjet method in the pixel formation portion surrounded by the bank 75.

次に、Caを20nm蒸着した後、ITOを200nmスパッタすることで透明電極73(陰極)を形成した後、その上部にAlを蒸着することで、反射性を有する遮光マスク74を形成した。   Next, after depositing Ca to 20 nm, ITO was sputtered to 200 nm to form a transparent electrode 73 (cathode), and then Al was deposited on the transparent electrode 73 to form a light-shielding mask 74 having reflectivity.

この素子構造では、実施例1と比較し、レンズ構造の効果により発光強度と指向性が向上することがわかった。   In this element structure, it was found that the light emission intensity and directivity were improved by the effect of the lens structure as compared with Example 1.

<実施例4(トップエミッション+レンズ構造)>
まず、図7に示すように、洗浄をしたガラス基板60上にPMMAをスピンコーターにより塗布した後、200℃まで過熱し、PMMAを軟化させた。その後、断面が三角形である凸型が形成された金型モールドを樹脂上に押し付け、徐冷することで樹脂上に断面が三角形である下地形成層76を形成した。このパターンは、有機EL素子70の密度を大きくする為千鳥配置とした。
<Example 4 (top emission + lens structure)>
First, as shown in FIG. 7, PMMA was applied on a cleaned glass substrate 60 by a spin coater, and then heated to 200 ° C. to soften PMMA. Thereafter, a mold mold in which a convex mold having a triangular cross section was pressed onto the resin and slowly cooled to form a base forming layer 76 having a triangular cross section on the resin. This pattern is staggered to increase the density of the organic EL elements 70.

次に、フォトリソグラフィーを用いてその半球凹型を囲む形状にポリイミドのバンク75を形成し、その後Alを100nm蒸着し、ITOを200nmスパッタすることで反射電極71(陽極)を形成した。   Next, a polyimide bank 75 was formed in a shape surrounding the hemispherical concave mold using photolithography, and then Al was deposited by 100 nm, and ITO was sputtered by 200 nm to form a reflective electrode 71 (anode).

次にバンクにより囲まれた画素形成部に、インクジェット法によりPEDOT/PSS,正孔輸送層、発光層の順に有機EL層72を形成した。   Next, the organic EL layer 72 was formed in the order of PEDOT / PSS, the hole transport layer, and the light emitting layer by the inkjet method in the pixel formation portion surrounded by the bank.

次にCaを20nm蒸着した後、ITOを200nmスパッタすることで透明電極73(陰極)を形成した後、その上部にマスク蒸着により中央に穴を形成したAlパターンを蒸着することで、反射性を有する遮光マスク74を形成した。   Next, after depositing 20 nm of Ca, ITO is sputtered to 200 nm to form a transparent electrode 73 (cathode), and then an Al pattern with a hole formed in the center is deposited on the top by mask deposition, thereby improving reflectivity. A shading mask 74 having the same was formed.

この素子構造では、実施例1と比較し、レンズ構造の効果により発光強度と指向性が向上することがわかった。   In this element structure, it was found that the light emission intensity and directivity were improved by the effect of the lens structure as compared with Example 1.

(比較例1)
まず、図10に示すように、洗浄をしたガラス基板60上にフォトリソグラフィーを用いて、バンク75を形成する。その後、ITOを250nmスパッタすることで電極171(陽極)を形成した。
(Comparative Example 1)
First, as shown in FIG. 10, a bank 75 is formed on a cleaned glass substrate 60 using photolithography. Thereafter, ITO 251 was sputtered to form an electrode 171 (anode).

次にバンク75により囲まれた画素形成部に、インクジェット法によりPEDOT/PSS、正孔輸送層、発光層の順に有機EL層72を形成した。   Next, the organic EL layer 72 was formed in the order of PEDOT / PSS, the hole transport layer, and the light emitting layer by the inkjet method in the pixel formation portion surrounded by the bank 75.

次に、Caを20nm蒸着した後、ITOを200nmスパッタすることで透明電極73(陰極)を形成し、比較例素子とした。   Next, after depositing Ca by 20 nm, ITO was sputtered by 200 nm to form a transparent electrode 73 (cathode), thereby obtaining a comparative element.

(評価)
作製したトップエミッション型有機電界発光素子において、輝度を測定した。比較例1を1とした場合の相対輝度を表1に示す。
(Evaluation)
The luminance was measured in the produced top emission type organic electroluminescence device. Table 1 shows the relative luminance when Comparative Example 1 is 1.

図11の表1に示すように、比較例1に比べ、反射性を有する遮光マスク74を有する実施例1は1.4倍輝度が向上した。また、レンズ構造を有する実施例3、4はそれぞれ1.9倍、1.8倍輝度が向上した。
本発明は、上記の実施形態に限るものではなく、種々の変形、変更、改良が可能である。
As shown in Table 1 of FIG. 11, compared to Comparative Example 1, Example 1 having a light-shielding mask 74 having reflectivity improved the luminance by 1.4 times. Further, in Examples 3 and 4 having a lens structure, the luminance was improved by 1.9 times and 1.8 times, respectively.
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications, changes, and improvements can be made.

10 画像形成装置
30 感光体ドラム(像保持体)
34 露光ヘッド
36 現像装置
62 有機EL素子アレイ(発光素子アレイ)
64 セルフォックレンズアレイ(結像素子アレイ)
70 有機EL素子
71 反射電極(第1電極)
72 有機EL層(発光層)
73 透明電極(第2電極)
74 遮光マスク(光遮蔽部)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Image forming apparatus 30 Photosensitive drum (Image holding body)
34 Exposure Head 36 Developing Device 62 Organic EL Element Array (Light Emitting Element Array)
64 Selfoc lens array (imaging element array)
70 Organic EL element 71 Reflective electrode (first electrode)
72 Organic EL layer (light emitting layer)
73 Transparent electrode (second electrode)
74 Shading mask (light shielding part)

Claims (4)

第1電極と、
前記第1電極と対をなし、光を透過する第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に配置され、前記第1電極と前記第2電極との間に電圧が印加されることにより発光する発光層と、
前記第2電極から見て前記発光層の配置側とは反対側に配置され、前記発光層から前記第2電極側へ発光する光の一部を遮蔽する光遮蔽部と、
基板と、
前記基板上に形成され、凹部を表面に複数有する下地形成層と、
を備え、
前記光遮蔽部は、前記発光層からの光を反射する光反射性を有し、且つ、前記発光層からの光が取り出される開口を有し、金属としてのAlで形成され、
前記第1電極は、前記発光層からの光を反射する光反射性を有し、且つ、前記下地形成層の表面における凹部に形成され、当該反射する光を前記開口へ集光させる凹型のレンズ構造を有し、
前記光遮蔽部材及び前記第1電極は、共振器構造を有し、
前記下地形成層の表面における前記複数の凹部の間には、前記第1電極を挟むように隔壁が設けられ、
前記隔壁の側面は、前記発光層からの光を反射する反射材料で被覆され、
前記発光層、前記第2電極及び前記光遮蔽部は、この順で、前記隔壁の間で前記第1電極上に形成されている有機電界発光素子。
A first electrode;
A second electrode paired with the first electrode and transmitting light;
A light emitting layer that is disposed between the first electrode and the second electrode, and emits light when a voltage is applied between the first electrode and the second electrode;
A light shielding portion disposed on the side opposite to the light emitting layer arrangement side when viewed from the second electrode, and shielding a part of light emitted from the light emitting layer to the second electrode side;
A substrate,
An underlying layer formed on the substrate and having a plurality of recesses on the surface;
With
The light shielding portion has light reflectivity for reflecting light from the light emitting layer, and has an opening through which light from the light emitting layer is extracted, and is formed of Al as a metal,
The first electrode has a light reflecting property to reflect light from the light emitting layer, and is formed in a concave portion on the surface of the base forming layer , and a concave lens that collects the reflected light to the opening. Has a structure,
The light shielding member and the first electrode have a resonator structure,
A partition is provided between the plurality of recesses on the surface of the foundation forming layer so as to sandwich the first electrode,
A side surface of the partition wall is coated with a reflective material that reflects light from the light emitting layer,
The light emitting layer, the second electrode, and the light shielding part are organic electroluminescent elements formed on the first electrode between the partition walls in this order .
請求項1に記載の有機電界発光素子が千鳥状に配置された発光素子アレイ。   The light emitting element array in which the organic electroluminescent element of Claim 1 is arrange | positioned in zigzag form. 請求項2に記載の発光素子アレイと、
前記発光素子アレイにより生成された光を集光し、被照射面に結像する結像素子アレイと、
を備える露光ヘッド。
The light emitting element array according to claim 2;
An imaging element array for condensing the light generated by the light emitting element array and forming an image on an irradiated surface;
An exposure head comprising:
潜像を保持する潜像保持体と、
前記潜像保持体に光を照射して潜像を形成する請求項3に記載の露光ヘッドと、
前記露光ヘッドによって形成された潜像を現像する現像装置と、
を備える画像形成装置。
A latent image holding body for holding the latent image;
The exposure head according to claim 3, wherein the latent image holding member is irradiated with light to form a latent image;
A developing device for developing a latent image formed by the exposure head;
An image forming apparatus comprising:
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