JP5544898B2 - Tungsten etchant - Google Patents
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Description
本発明はタングステンのエッチング液に関する。 The present invention relates to an etchant for tungsten.
半導体集積回路、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイには、タングステンが使用されている。 Tungsten is used in flat panel displays such as semiconductor integrated circuits, liquid crystal displays, plasma displays, and organic EL displays.
タングステンは、コンタクトプラグ、ゲートメタル、バリアとして有用な金属である。半導体集積回路、フラットパネルディスプレイ等で、タングステンをコンタクトプラグ、ゲートメタル、バリアに形成するには、一般的にリソグラフィー法が用いられている。リソグラフィー法によって製造する場合、基板上にタングステン膜をＣＶＤやスパッタで形成した後、その表面にフォトレジストを均一に塗布し、これを選択的露光する。ポジ型フォトレジストの場合は、塩基性物質で現像処理してレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして下層部のタングステン膜を選択的にエッチングし、パターンを形成した後、基板上のレジストをレジスト剥離液で完全に除去しするという一連の工程が行われる。また各工程間に洗浄操作を行う。 Tungsten is a metal useful as a contact plug, gate metal, and barrier. Lithography is generally used to form tungsten on contact plugs, gate metal, and barriers in semiconductor integrated circuits, flat panel displays, and the like. When manufacturing by a lithography method, after forming a tungsten film on a substrate by CVD or sputtering, a photoresist is uniformly applied to the surface, and this is selectively exposed. In the case of a positive type photoresist, a resist pattern is formed by developing with a basic substance. Next, a series of processes are performed in which the lower layer tungsten film is selectively etched using the resist pattern as a mask to form a pattern, and then the resist on the substrate is completely removed with a resist stripping solution. A washing operation is performed between the steps.
タングステンをエッチングする液としては、一般に知られているフッ化水素酸と硝酸の混合液が広く使用されている（例えば、特許文献１参照）。 As a solution for etching tungsten, a generally known mixed solution of hydrofluoric acid and nitric acid is widely used (see, for example, Patent Document 1).
しかしながら、タングステンを高速でエッチングするほどの高濃度のフッ化水素酸と硝酸の混合液を使用した場合、ガラス基板や、シリコン基板、シリコン酸化膜もエッチングされてしまうという問題があり、一方、ガラス基板、シリコン基板、及びシリコン酸化膜を侵さないほど低濃度のフッ化水素酸と硝酸の混合液では、タングステンのエッチング速度も遅くなってしまうという問題があった。 However, there is a problem that glass substrates, silicon substrates, and silicon oxide films are also etched when using a mixed solution of hydrofluoric acid and nitric acid that is high enough to etch tungsten at a high speed. In a mixed solution of hydrofluoric acid and nitric acid having such a low concentration that does not attack the substrate, the silicon substrate, and the silicon oxide film, there has been a problem that the etching rate of tungsten becomes slow.
一方、シリコン基板や、シリコン酸化膜を侵さないタングステンのエッチング液としてフッ化水素酸と硝酸の混合液にケトン、エーテル等の有機物を添加する方法が提案されている（特許文献２）。 On the other hand, a method has been proposed in which an organic substance such as ketone or ether is added to a mixed solution of hydrofluoric acid and nitric acid as an etchant for tungsten that does not attack a silicon substrate or a silicon oxide film (Patent Document 2).
しかしながら、シリコン基板、シリコン酸化膜を侵さないようにするためには、有機物を多量に添加する必要があることから引火性を有してしまい、取扱いには注意が必要であった。更に、これら有機物は高濃度硝酸中で分解しやすいものが多く、また、廃水処理にも手間がかかるため、工業的に使用するには問題があった。 However, in order not to attack the silicon substrate and the silicon oxide film, it is necessary to add a large amount of an organic substance, so that it has flammability and handling is necessary. Furthermore, many of these organic substances are easily decomposed in high-concentration nitric acid, and it also takes time for wastewater treatment, and thus there is a problem in industrial use.
その他、多価カルボン酸等の有機物を使用したエッチング液も知られているが（特許文献３）、これも有機物を含んでいるため、廃水処理に手間がかかり、工業的に使用するには問題があった。 In addition, an etching solution using an organic substance such as polyvalent carboxylic acid is also known (Patent Document 3). However, since this also contains an organic substance, it takes time for wastewater treatment and is a problem for industrial use. was there.
また、過酸化水素を主成分とするエッチング液も提案されている（特許文献４）。過酸化水素はガラス基板、シリコン基板、シリコン酸化膜を侵さないが、不安定な過酸化水素を使用するため、エッチング液の寿命が短いという問題があった。 In addition, an etching solution mainly containing hydrogen peroxide has also been proposed (Patent Document 4). Although hydrogen peroxide does not attack the glass substrate, silicon substrate, and silicon oxide film, there is a problem that the life of the etching solution is short because unstable hydrogen peroxide is used.
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、タングステンを材料とする半導体集積回路、フラットパネルディスプレイの製造において有用なタングステンのエッチング液を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a tungsten etching solution useful in the manufacture of semiconductor integrated circuits and flat panel displays made of tungsten.
本発明者らは、タングステンのエッチング液について鋭意検討した結果、鉄を添加したフッ化水素酸と硝酸の混合液がタングステンを高速でエッチングでき、しかもガラス基板、シリコン基板、及びシリコン酸化膜へのダメージも小さいことを見出し、本発明を完成させるに至ったものである。 As a result of intensive studies on the etching solution of tungsten, the present inventors have found that a mixed solution of hydrofluoric acid and nitric acid to which iron has been added can etch tungsten at a high speed, and can be applied to a glass substrate, a silicon substrate, and a silicon oxide film. The inventors have found that the damage is small and have completed the present invention.
すなわち、本発明は、以下に示すとおりのタングステンのエッチング液及びそれを用いたエッチング方法である。 That is, the present invention is a tungsten etching solution and an etching method using the same as described below.
［１］硝酸、フッ化物、鉄塩及び水を含有するタングステンのエッチング液。 [1] An etching solution for tungsten containing nitric acid, fluoride, iron salt and water.
［２］フッ化物が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化鉄、フッ化ガリウム、フッ化インジウム、フッ化マンガン、フッ化ニッケル、フッ化スズ、フッ化チタン、フッ化亜鉛、フッ化ジルコニウム、フッ化タングステン、フッ化ホウ素、及びフッ化ケイ素からなる群より選ばれる一種又は二種以上であることを特徴とする上記［１］に記載のエッチング液。 [2] Fluoride is hydrofluoric acid, ammonium fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride, iron fluoride, gallium fluoride, indium fluoride, manganese fluoride, nickel fluoride, tin fluoride, fluoride The etching solution as described in [1] above, which is one or more selected from the group consisting of titanium, zinc fluoride, zirconium fluoride, tungsten fluoride, boron fluoride, and silicon fluoride.
［３］鉄塩が、鉄（ＩＩＩ）イオンを含む塩であることを特徴とする上記［１］又は［２］に記載のエッチング液。 [3] The etching solution as described in [1] or [2] above, wherein the iron salt is a salt containing iron (III) ions.
［４］鉄塩が、フッ化鉄、塩化鉄、臭化鉄、ヨウ化鉄、硫酸鉄、硝酸鉄、シアン化鉄、チオシアン酸鉄、過塩素酸鉄、シュウ酸鉄、及びクエン酸鉄からなる群より選ばれる一種又は二種以上であることを特徴とする上記［１］乃至［３］のいずれかに記載のエッチング液。 [4] The iron salt is from iron fluoride, iron chloride, iron bromide, iron iodide, iron sulfate, iron nitrate, iron cyanide, iron thiocyanate, iron perchlorate, iron oxalate, and iron citrate. The etching solution according to any one of [1] to [3], wherein the etching solution is one or more selected from the group consisting of:
［５］硝酸の含有量が、エッチング液全体に対し、１〜４０重量％の範囲であることを特徴とする上記［１］乃至［４］のいずれかに記載のエッチング液。 [5] The etching solution according to any one of [1] to [4], wherein the nitric acid content is in the range of 1 to 40% by weight with respect to the entire etching solution.
［６］フッ化物の含有量が、エッチング液全体に対し、０．０１〜１０重量％の範囲であることを特徴とする上記［１］乃至［５］のいずれかに記載のエッチング液。 [6] The etching solution according to any one of [1] to [5], wherein the fluoride content is in the range of 0.01 to 10% by weight with respect to the entire etching solution.
［７］鉄塩の含有量が、エッチング液全体に対し、鉄換算で、０．０１〜５重量％の範囲であることを特徴とする上記［１］乃至［６］のいずれかに記載のエッチング液。 [7] The content of the iron salt is in the range of 0.01 to 5% by weight in terms of iron with respect to the entire etching solution, according to any one of the above [1] to [6] Etching solution.
［８］上記［１］乃至［７］のいずれかに記載のエッチング液を用いてタングステンをエッチングすることを特徴とするエッチング方法。 [8] An etching method comprising etching tungsten using the etching solution according to any one of [1] to [7].
［９］タングステンが、タングステン金属及び／又はタングステン合金であることを特徴とする上記［８］に記載のエッチング方法。 [9] The etching method according to [8], wherein the tungsten is tungsten metal and / or tungsten alloy.
［１０］エッチング液を使用する温度が、０〜８０℃の範囲であることを特徴とする上記［８］又は［９］に記載のエッチング方法。 [10] The etching method as described in [8] or [9] above, wherein the temperature at which the etching solution is used is in the range of 0 to 80 ° C.
本発明のエッチング液は、例えば、半導体集積回路、フラットパネルディスプレイの製造において使用されるタングステンを高速でエッチングでき、しかもガラス基板、シリコン基板、及びシリコン酸化膜へのダメージも小さいため、工業的に極めて有用である。 The etching solution of the present invention can etch tungsten used in the manufacture of, for example, semiconductor integrated circuits and flat panel displays at high speed, and damage to glass substrates, silicon substrates, and silicon oxide films is small. Very useful.
本発明のエッチング液は、硝酸、フッ化物、鉄塩及び水を含有する。 The etching solution of the present invention contains nitric acid, fluoride, iron salt and water.
本発明のエッチング液において、使用される硝酸には特に制限はなく、一般に流通しているものを使用することができるが、半導体集積回路、フラットパネルディスプレイの製造においては、ナトリウム等アルカリ金属イオン含有量が少ないものを使用するのが好ましい。 In the etching solution of the present invention, nitric acid to be used is not particularly limited, and those that are generally available can be used. In the production of semiconductor integrated circuits and flat panel displays, alkali metal ions such as sodium are contained. It is preferable to use a small amount.
本発明のエッチング液において、使用されるフッ化物としては、エッチング液に溶解するものであれば、特に制限はないが、あえて例示すると、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化鉄、フッ化ガリウム、フッ化インジウム、フッ化マンガン、フッ化ニッケル、フッ化スズ、フッ化チタン、フッ化亜鉛、フッ化ジルコニウム、フッ化タングステン等のフッ化物塩、フッ化ホウ素、フッ化ケイ素等が挙げられる。これらの中でも、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、フッ化カリウムが工業的に安価なため特に好ましい。 The fluoride used in the etching solution of the present invention is not particularly limited as long as it is soluble in the etching solution, but for example, hydrofluoric acid, ammonium fluoride, sodium fluoride, fluoride Fluoride salts such as potassium, iron fluoride, gallium fluoride, indium fluoride, manganese fluoride, nickel fluoride, tin fluoride, titanium fluoride, zinc fluoride, zirconium fluoride, tungsten fluoride, boron fluoride And silicon fluoride. Among these, hydrofluoric acid, ammonium fluoride, and potassium fluoride are particularly preferable because they are industrially inexpensive.
本発明のエッチング液において、鉄塩は、鉄（ＩＩＩ）イオンを含む塩であることが好ましい。鉄（ＩＩＩ）イオンを含む塩としては、エッチング液に溶解するものであれば、特に制限はないが、あえて例示すると、フッ化鉄、塩化鉄、臭化鉄、ヨウ化鉄等のハロゲン化物、硫酸鉄、硝酸鉄、シアン化鉄、チオシアン酸鉄、過塩素酸鉄等の無機酸塩、シュウ酸鉄、クエン酸鉄等の有機酸塩等が挙げられる。この中でも、塩化鉄、硫酸鉄、硝酸鉄が工業的に安価なため特に好ましい。 In the etching solution of the present invention, the iron salt is preferably a salt containing iron (III) ions. The salt containing iron (III) ions is not particularly limited as long as it dissolves in the etching solution, but for example, halides such as iron fluoride, iron chloride, iron bromide, iron iodide, Examples thereof include inorganic acid salts such as iron sulfate, iron nitrate, iron cyanide, iron thiocyanate and iron perchlorate, and organic acid salts such as iron oxalate and iron citrate. Among these, iron chloride, iron sulfate, and iron nitrate are particularly preferable because they are industrially inexpensive.
本発明のエッチング液は、水に溶解するものであれば、さらに界面活性剤、キレート剤、有機溶媒等の添加剤を含有してもよい。界面活性剤としては、例えば、非イオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤が使用できる。キレート剤としては、例えば、多価カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸等を使用することができる。有機溶媒としては、例えば、アルコール、エーテル、アミン、アミド、スルホキシド等、エッチング液中で直ぐに分解することなく、水に可溶なものであれば使用することができる。 The etching solution of the present invention may further contain additives such as a surfactant, a chelating agent, and an organic solvent as long as it is soluble in water. As the surfactant, for example, a nonionic surfactant or a cationic surfactant can be used. Examples of chelating agents that can be used include polyvalent carboxylic acids and hydroxycarboxylic acids. As the organic solvent, for example, alcohol, ether, amine, amide, sulfoxide, or the like can be used as long as it is soluble in water without being immediately decomposed in the etching solution.
本発明のエッチング液において、硝酸の含有量は、エッチング液全体に対し、通常１〜４０重量％、好ましくは１〜３０重量％の範囲である。１重量％以上とすることで、エッチング速度を工業的なレベルまで向上させることができるが、４０重量％を超えるとエッチング速度の向上効果は小さくなる。 In the etching solution of the present invention, the nitric acid content is usually in the range of 1 to 40% by weight, preferably 1 to 30% by weight, based on the whole etching solution. The etching rate can be improved to an industrial level by setting it to 1% by weight or more, but if it exceeds 40% by weight, the effect of improving the etching rate becomes small.
本発明のエッチング液において、フッ化物の含有量は、フッ化物の種類により異なるため、規定することは困難であるが、フッ化水素酸を例に示すと、エッチング液全体に対し、通常０．０１〜１０重量％、好ましくは０．１〜５重量％の範囲である。０．０１重量％以上とすることで、エッチング速度を工業的なレベルまで向上させることができ、１０重量％以下とすることで、ガラス基板、シリコン基板、及びシリコン酸化膜へのダメージを抑えることができる。 In the etching solution of the present invention, the content of fluoride differs depending on the type of fluoride and is difficult to define. However, when hydrofluoric acid is taken as an example, the content is usually 0. It is in the range of 01 to 10% by weight, preferably 0.1 to 5% by weight. The etching rate can be improved to an industrial level by setting it to 0.01% by weight or more, and the damage to the glass substrate, silicon substrate, and silicon oxide film can be suppressed by setting it to 10% by weight or less. Can do.
本発明のエッチング液において、鉄塩の含有量は、エッチング液全体に対し、鉄換算で、通常０．０１〜５重量％、好ましくは０．０５〜１重量の範囲％である。０．０１重量％以上とすることで、鉄塩の添加効果が大きくなり、５重量％以下とすることで、タングステンのエッチング速度の低下を抑えることができる。 In the etching solution of the present invention, the content of iron salt is usually 0.01 to 5% by weight, preferably 0.05 to 1% by weight, in terms of iron, with respect to the whole etching solution. By making it 0.01% by weight or more, the effect of adding an iron salt is increased, and by making it 5% by weight or less, a decrease in the etching rate of tungsten can be suppressed.
本発明のエッチング液は、タングステンをエッチングする際のエッチング液として使用される。 The etching solution of the present invention is used as an etching solution when etching tungsten.
本発明のエッチング液は、タングステン金属をエッチングするのみならず、タングステン合金もエッチングすることができる。本発明のエッチング液を適用できるタングステン合金としては、特に制限はないが、例えば、一般に半導体集積回路、フラットパネルディスプレイに使用される、モリブデンタングステン合金、チタンタングステン合金、タングステンシリサイド等が挙げられる。 The etching solution of the present invention can etch not only tungsten metal but also tungsten alloy. The tungsten alloy to which the etching solution of the present invention can be applied is not particularly limited, and examples thereof include molybdenum tungsten alloy, titanium tungsten alloy, tungsten silicide and the like that are generally used for semiconductor integrated circuits and flat panel displays.
本発明のエッチング液を用いてタングステンをエッチングする温度としては、特に制限はないが、０〜８０℃での使用が好ましい。０℃未満ではエッチング速度が遅くなり、８０℃を超える温度では、成分の揮発が多く、液の寿命が短くなる。 Although there is no restriction | limiting in particular as temperature which etches tungsten using the etching liquid of this invention, Use at 0-80 degreeC is preferable. When the temperature is lower than 0 ° C., the etching rate is slow, and when the temperature exceeds 80 ° C., the components are largely volatilized and the life of the liquid is shortened.
本発明のエッチング液は、バッチ式、枚葉式いずれのエッチング方法においても問題なく使用することができ、また、スプレー噴霧やその他の方法を使用しても差し支えない。さらに、必要に応じて超音波を併用することができる。 The etching solution of the present invention can be used without any problem in either batch type or single wafer type etching methods, and spraying or other methods may be used. Furthermore, ultrasonic waves can be used in combination as necessary.
本発明を以下の実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、表記を簡潔にするため、以下の略記号を使用した。 The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited thereto. In order to simplify the notation, the following abbreviations were used.
Ｗ：タングステン金属
ＭｏＷ：モリブデンタングステン合金
ＴｉＷ：チタンタングステン合金
ＮＨ４Ｆ：フッ化アンモニウム
ＨＦ：フッ化水素酸
実施例１．
硝酸、ＮＨ４Ｆ、硝酸鉄（ＩＩＩ）九水和物を水に溶解し、硝酸 １０重量％、ＮＨ４Ｆ １重量％、鉄 ０．４重量％を含有するエッチング液とした。このエッチング液を４０℃に加温した。次いで、シリコン上に４０ｎｍの厚みでＷを成膜した基板を３０秒間、エッチング液に浸漬した。基板を取り出し、水洗した後、乾燥し、残存したＷの膜厚からＷのエッチング速度を算出したところ、６０ｎｍ／分となった。
W: Tungsten metal MoW: Molybdenum tungsten alloy TiW: Titanium tungsten alloy NH 4 F: Ammonium fluoride HF: Hydrofluoric acid Example 1.
Nitric acid, NH 4 F, and iron (III) nitrate nonahydrate were dissolved in water to obtain an etching solution containing 10 wt% nitric acid, 1 wt% NH 4 F, and 0.4 wt% iron. This etching solution was heated to 40 ° C. Next, a substrate on which W was formed to a thickness of 40 nm on silicon was immersed in an etching solution for 30 seconds. The substrate was taken out, washed with water, dried, and the etching rate of W was calculated from the remaining W film thickness, which was 60 nm / min.
さらに、シリコン上に酸化ケイ素（熱酸化膜）を１０００ｎｍの厚みで成膜した基板を、このエッチング液に４０℃で１分浸漬した。基板を取り出し、水洗した後、乾燥し、残存した酸化ケイ素の膜厚から酸化ケイ素のエッチング速度を算出したところ、２．９ｎｍ／分となった。 Further, a substrate on which silicon oxide (thermal oxide film) was formed to a thickness of 1000 nm on silicon was immersed in this etching solution at 40 ° C. for 1 minute. The substrate was taken out, washed with water, dried, and the etching rate of silicon oxide was calculated from the film thickness of the remaining silicon oxide, which was 2.9 nm / min.
比較例１．
鉄が入っていない他は実施例１と同じエッチング液を使用し、Ｗ及び酸化ケイ素のエッチング速度を実施例１と同じ方法で測定した。その結果、Ｗのエッチング速度は、１．０ｎｍ／分、酸化ケイ素のエッチング速度は、５．１ｎｍ／分となった。
Comparative Example 1
Except for not containing iron, the same etching solution as in Example 1 was used, and the etching rates of W and silicon oxide were measured by the same method as in Example 1. As a result, the etching rate of W was 1.0 nm / min, and the etching rate of silicon oxide was 5.1 nm / min.
比較例２．
硝酸、ＨＦを水に溶解し、硝酸 １０重量％、フッ酸 ５重量％のエッチング液とした。このエッチング液を使用し、Ｗ及び酸化ケイ素のエッチング速度を実施例１と同じ方法で測定した。その結果、Ｗのエッチング速度は、２．３ｎｍ／分、酸化ケイ素のエッチング速度は、３５ｎｍ／分となった。
Comparative Example 2
Nitric acid and HF were dissolved in water to obtain an etching solution containing 10% by weight nitric acid and 5% by weight hydrofluoric acid. Using this etching solution, the etching rates of W and silicon oxide were measured in the same manner as in Example 1. As a result, the etching rate of W was 2.3 nm / min, and the etching rate of silicon oxide was 35 nm / min.
実施例２．
硝酸、ＮＨ４Ｆ、硝酸鉄（ＩＩＩ）九水和物を水に溶解し、硝酸 １０重量％、ＮＨ４Ｆ １重量％、鉄 ０．３重量％を含有するエッチング液とした。このエッチング液を４０℃に加温した。次いで、シリコン上に４０ｎｍの厚みでＷを成膜した基板を３０秒間、エッチング液に浸漬した。基板を取り出し、水洗した後、乾燥し、残存したＷの膜厚からＷのエッチング速度を算出したところ、４７ｎｍ／分となった。
Example 2
Nitric acid, NH 4 F, and iron (III) nitrate nonahydrate were dissolved in water to obtain an etching solution containing 10 wt% nitric acid, 1 wt% NH 4 F, and 0.3 wt% iron. This etching solution was heated to 40 ° C. Next, a substrate on which W was formed to a thickness of 40 nm on silicon was immersed in an etching solution for 30 seconds. The substrate was taken out, washed with water, dried, and the etching rate of W was calculated from the remaining W film thickness, which was 47 nm / min.
実施例３．
硝酸、ＮＨ４Ｆ、硝酸鉄（ＩＩＩ）九水和物を水に溶解し、硝酸 １０重量％、ＮＨ４Ｆ １重量％、鉄 ０．１重量％を含有するエッチング液とした。このエッチング液を４０℃に加温した。次いで、シリコン上に４０ｎｍの厚みでＷを成膜した基板を３０秒間、エッチング液に浸漬した。基板を取り出し、水洗した後、乾燥し、残存したＷの膜厚からＷのエッチング速度を算出したところ、２３ｎｍ／分となった。
Example 3
Nitric acid, NH 4 F, and iron (III) nitrate nonahydrate were dissolved in water to obtain an etching solution containing 10 wt% nitric acid, 1 wt% NH 4 F, and 0.1 wt% iron. This etching solution was heated to 40 ° C. Next, a substrate on which W was formed to a thickness of 40 nm on silicon was immersed in an etching solution for 30 seconds. The substrate was taken out, washed with water, dried, and the etching rate of W was calculated from the remaining W film thickness, which was 23 nm / min.
実施例４．
硝酸、フッ化カリウム、塩化鉄（ＩＩＩ）六水和物を水に溶解し、硝酸 ２５重量％、フッ化カリウム ０．８重量％、鉄 ０．１重量％を含有するエッチング液とした。このエッチング液を１５℃にし、これに５０ｎｍの厚みでＭｏＷをシリコン上に成膜した基板を３０秒浸漬した。基板を取り出し、水洗した後、乾燥し、残存したＭｏＷの膜厚からＭｏＷのエッチング速度を算出したところ、４３ｎｍ／分となった。
Example 4
Nitric acid, potassium fluoride, and iron (III) chloride hexahydrate were dissolved in water to obtain an etching solution containing 25 wt% nitric acid, 0.8 wt% potassium fluoride, and 0.1 wt% iron. The etching liquid was brought to 15 ° C., and a substrate having a thickness of 50 nm deposited on MoW on silicon was immersed in the etching liquid for 30 seconds. The substrate was taken out, washed with water, dried, and the etching rate of MoW was calculated from the film thickness of the remaining MoW, which was 43 nm / min.
参考例．
硝酸、ＨＦ、硫酸鉄（ＩＩＩ）を水に溶解し、硝酸 ５重量％、ＨＦ ０．５重量％、鉄 ０．０５重量％を含有するエッチング液とした。このエッチング液を６０℃にし、これに５０ｎｍの厚みでＴｉＷをシリコン上に成膜した基板を３０秒浸漬した。基板を取り出し、水洗した後、乾燥し、残存したＴｉＷの膜厚からＴｉＷのエッチング速度を算出したところ、２１ｎｍ／分となった。
Reference example .
Nitric acid, HF, and iron (III) sulfate were dissolved in water to obtain an etching solution containing 5 wt% nitric acid, 0.5 wt% HF, and 0.05 wt% iron. The etching liquid was heated to 60 ° C., and a substrate on which TiW was formed on silicon with a thickness of 50 nm was immersed for 30 seconds. The substrate was taken out, washed with water, dried, and the etching rate of TiW was calculated from the thickness of the remaining TiW, which was 21 nm / min.
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