JP5518457B2 - Radiation detector and scintillator panel - Google Patents
Radiation detector and scintillator panel Download PDFInfo
- Publication number
- JP5518457B2 JP5518457B2 JP2009287245A JP2009287245A JP5518457B2 JP 5518457 B2 JP5518457 B2 JP 5518457B2 JP 2009287245 A JP2009287245 A JP 2009287245A JP 2009287245 A JP2009287245 A JP 2009287245A JP 5518457 B2 JP5518457 B2 JP 5518457B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor layer
- radiation detector
- scintillator panel
- substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
本発明は、入射X線を可視光に変換する蛍光体層を有する放射線検出器及びシンチレータパネルに関する。 The present invention relates to a radiation detector and a scintillator panel having a phosphor layer that converts incident X-rays into visible light.
医療用、歯科用もしくは工業用非破壊検査などに用いられる放射線検出器は、コンピューテッド・ラジオロジー(以下、CR)や平面検出器(以下、FPD)のように、入射X線を蛍光体層で可視光に変換する方式が主流である。 Radiation detectors used for medical, dental or industrial non-destructive inspections, such as computed radiology (hereinafter referred to as CR) and flat panel detector (hereinafter referred to as FPD), emit X-rays as a phosphor. The method of converting into visible light by the layer is the mainstream.
FPDには、光電変換素子を有するセンサの該光電変換素子上に蛍光体層を直接形成する形態や、センサの光電変換素子上に蛍光体層を有するシンチレータパネルを貼り合わせる形態がある。 FPD includes a form in which a phosphor layer is directly formed on the photoelectric conversion element of a sensor having a photoelectric conversion element, and a form in which a scintillator panel having a phosphor layer is bonded on the photoelectric conversion element of the sensor.
光電変換素子を有するセンサの上に直接蛍光体層を形成した放射線検出器は、例えば、特許文献1に開示されている。 A radiation detector in which a phosphor layer is directly formed on a sensor having a photoelectric conversion element is disclosed in Patent Document 1, for example.
この放射線検出器は、光電変換素子を有する基板の上にシンチレータ層を蒸着し、その上に有機ペーストに反射材を分散させた反射層を塗布形成し、更に防湿体を被せて防湿体端部を接着層で封止したものである。 In this radiation detector, a scintillator layer is vapor-deposited on a substrate having a photoelectric conversion element, a reflective layer in which a reflective material is dispersed in an organic paste is applied and formed thereon, and a moisture-proof body is further applied to end portions of the moisture-proof body. Is sealed with an adhesive layer.
しかしながら、このような放射線検出器では、蛍光体層と基板との間の付着力が弱いという問題があった。 However, such a radiation detector has a problem that the adhesion between the phosphor layer and the substrate is weak.
この付着力が弱いという問題の原因は、蒸着膜と基板との間の付着力が分子間力のみであることと、基板と蛍光体層との熱膨張係数の相違に起因していること、が考えられる。これらは、基板母体(通常液晶ガラス)の材質、最表面の材質を選択することにより、ある程度緩和することは可能であるが、根本的な解決は難しい。 The cause of this weak adhesion is that the adhesion between the vapor deposition film and the substrate is only an intermolecular force, and that the thermal expansion coefficient is different between the substrate and the phosphor layer, Can be considered. These can be alleviated to some extent by selecting the material of the substrate matrix (usually liquid crystal glass) and the material of the outermost surface, but the fundamental solution is difficult.
また、蛍光体層を真空蒸着法で成膜すると、蛍光体層の断面端部にテーパー状の部分ができる。端部にテーパーが出来る原因は基板を固定する蒸着マスクの構造にある。 Further, when the phosphor layer is formed by a vacuum deposition method, a tapered portion is formed at the cross-sectional end of the phosphor layer. The cause of the taper at the edge is the structure of the vapor deposition mask that fixes the substrate.
即ち、蒸着マスクに固定した基板に蛍光体を蒸着すると、本来、蒸着マスクにマスクされない部分全面に均一に蛍光体層が成膜されることが期待されるが、実際は蒸着マスクの端部によって影が生じ、この影により蛍光体層の端部にテーパー角度の小さいテーパー部ができてしまう。 In other words, when a phosphor is deposited on a substrate fixed to a deposition mask, it is expected that a phosphor layer is uniformly formed on the entire surface that is not masked by the deposition mask. This shadow causes a tapered portion having a small taper angle at the end of the phosphor layer.
他方、光電変換素子の上に直接蛍光体層を形成しない形態のシンチレータパネルは、例えば、特許文献2に記載されている。
On the other hand, a scintillator panel in which a phosphor layer is not directly formed on a photoelectric conversion element is described in
このシンチレータパネルは、樹脂シートに気泡やTiO2を分散させたシートをCFRP(炭素繊維強化プラスチック)支持基板の両面に接着し、その上に蛍光体層を設け、さらに防湿層で蛍光体層の全面を覆って形成されている。防湿層と上記シートは、蛍光体層の周辺部で密着しており、これが防湿層の封止構造となっている。 In this scintillator panel, a sheet in which bubbles and TiO 2 are dispersed in a resin sheet is adhered to both surfaces of a CFRP (carbon fiber reinforced plastic) support substrate, a phosphor layer is provided on the sheet, and a moisture-proof layer is formed on the phosphor layer. It is formed covering the entire surface. The moisture-proof layer and the sheet are in close contact with each other at the periphery of the phosphor layer, and this forms a sealing structure for the moisture-proof layer.
しかしながら、このような構造の場合も、上述の光電変換素子の上に直接形成した放射線検出器の場合と状況は似ており、付着力が弱いという問題がある。 However, even in the case of such a structure, the situation is similar to the case of the radiation detector directly formed on the above-described photoelectric conversion element, and there is a problem that the adhesive force is weak.
また、蛍光体層端部の剥がれの問題に対する検討のために、図8に示すような構造の蒸着マスク71を用い、CFRPからなる基板63と蒸着マスク71とを同一面上に並べて、図示しないアクティブエリアの制約が少ない部分で固定した状態で蛍光体層77を蒸着した。この場合には、蒸着マスク71及びこれに付着した付着蛍光体75は基板63へと飛来する蛍光体蒸気に対して影を作らず、基板63のほぼ全面に均一な膜厚の蛍光体層77を形成することができる。(ただし、厳密には蛍光体層77の端部に僅かなテーパーは認められる。)
Further, in order to examine the problem of the peeling off of the phosphor layer end, a
しかし、この蛍光体層77においても、基板63として炭素繊維束を積層した板を所望のサイズに切断したものであるため端部にささくれが生じ、そのささくれを基点として蛍光体層77の端部に多数の蛍光体からなる突起物79が発生してしまう。
However, also in this
しかも、この場合は、蛍光体層77のテーパーがあまりにも急峻であるため、シンチレータパネル製造工程のハンドリングで蛍光体層の端部が欠落する部分が発生するという不都合がある。
In addition, in this case, since the
更に、蛍光体層を放射線検出器の基板又はシンチレータパネルの支持基板に蒸着する場合の問題として、蛍光体層の膜厚が大きい程、剥がれ易い傾向がある。これは膜厚が300μmを超えると顕著になり、特に膜厚が500μm以上になると、図8に示す構造の蛍光体層77ではかなり注意深く取り扱わないと、蛍光体層77の端部は剥がれてしまう。
Furthermore, as a problem when vapor-depositing the phosphor layer on the substrate of the radiation detector or the support substrate of the scintillator panel, the larger the phosphor layer thickness, the easier it is to peel off. This becomes prominent when the film thickness exceeds 300 μm, and particularly when the film thickness is 500 μm or more, if the
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、蛍光体層の端部が欠落しにくい放射線検出器及びシンチレータパネルを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described points, and an object thereof is to provide a radiation detector and a scintillator panel in which an end portion of a phosphor layer is less likely to be lost.
上述の目的を達成するため、本発明の放射線検出器は、光電変換素子が複数並んだアクティブエリアを有する基板の前記アクティブエリア上に蛍光体層が設けられ、かつ前記蛍光体層の垂直方向断面の両端に第一の傾斜面が形成されたテーパー部を有する放射線検出器において、前記テーパー部における前記蛍光体層の厚さ方向の中間位置に、段部を設けたことを特徴とする。 In order to achieve the above-described object, the radiation detector of the present invention includes a phosphor layer provided on the active area of a substrate having an active area in which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged, and a vertical section of the phosphor layer. In the radiation detector having a tapered portion in which first inclined surfaces are formed at both ends, a step portion is provided at an intermediate position in the thickness direction of the phosphor layer in the tapered portion.
また、本発明のシンチレータパネルは、放射線を透過する支持基板の一方の面上に蛍光体層が設けられ、かつ前記蛍光体層の垂直方向断面の両端に第一の傾斜面が形成されたテーパー部を有するシンチレータパネルにおいて、前記テーパー部における前記蛍光体層の厚さ方向の中間位置に、段部を設けたことを特徴とする。 The scintillator panel of the present invention is a taper in which a phosphor layer is provided on one surface of a support substrate that transmits radiation, and first inclined surfaces are formed at both ends of a vertical cross section of the phosphor layer. In the scintillator panel having a portion, a step portion is provided at an intermediate position in the thickness direction of the phosphor layer in the tapered portion.
本発明によれば、蛍光体層の端部が欠落しにくい放射線検出器及びシンチレータパネルを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a radiation detector and a scintillator panel in which the end portion of the phosphor layer is unlikely to be lost.
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(第1の実施の形態)
図1は、本発明に係る放射線検出器の第1の実施の形態を示す断面図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a sectional view showing a first embodiment of a radiation detector according to the present invention.
この放射線検出器10は、光電変換素子1が複数並んだアクティブエリア2を有する基板3上に蛍光体層4が直接形成され、この蛍光体層4上に、順に反射層5、防湿層6が積層されている。また、基板3の端部で図示しない接着層により防湿層6と基板3とが封止されている。
In this
また、蛍光体層4の両端においては、テーパー部7が形成されているが、アクティブエリア2の全領域を蛍光体層4がほぼ均一な厚みで覆うように形成するため、テーパー部7における第一の傾斜面7aの蛍光体層4の面方向からの傾斜角であるテーパー角度θ1を40度以上90度以下になるようにすることが好ましい。
In addition, the
更に、この放射線検出器10では、蛍光体層4のテーパー部7における厚さ方向の中間位置に、蛍光体層4の面方向に平行な中間面8aを備えた段部8が設けられている。
Further, in the
ここで、例えば、蛍光体層4の膜厚を500μm、テーパー部7の全体の幅を500μm、中間面8aの幅を100μmとすることができる。
Here, for example, the thickness of the
なお、図1では、この中間面8aを蛍光体層4の面方向と平行に形成しているが、傾斜していても良い。ただし、傾斜している場合は、中間面8aの蛍光体層4の面方向からの傾斜角度を、テーパー部7のテーパー角度θ1よりも小さい角度に形成する必要がある。
In FIG. 1, the
上記の光電変換素子1が複数並んだアクティブエリア2を有する基板3としては、液晶ガラス上にホトダイオード光検出素子をマトリックス上に並べ、各素子の信号をTFTスイッチング素子で列ごとに読み出すものや、CMOS、CCDが挙げられる。特に、CMOSは、基板の大きさに対して光電変換素子が並んだアクティブエリアの部分の比が大きいため、好適に用いることができる。
As the
また、蛍光体層4としては、CsI、CsI/Tl、CsI/Na、CsBr/Euのような真空蒸着法で作られ、感度特性が大きいものが有用である。
Moreover, as the
反射層5は、一旦、防湿層6の方向に向かった発光光を蛍光体層4に戻す機能があるので、蛍光体層4の感度を向上させる機能を有している。反射層5としては、TiO2などの光散乱性物質とバインダ樹脂とから成る拡散反射性の反射層を塗布形成したものなどを用いることができる。
The
更に、防湿層6としては、例えば、AL合金箔(A1N30−O材)を、周辺部に鍔部を持つ構造にプレス成型してハット状に形成したものを使用することができる。
Furthermore, as the moisture-
このような構造の放射線検出器10に対して、X線源から被写体を通して入射してきたX線は、蛍光体層4で可視光に変換される。代表としてX線フォトンを使って説明すると、フォトンは蛍光体層4内の発光点で可視光に変換される。発光点から光は、入射フォトンのベクトルとは全く無関係に八方に発散する。一方、蛍光体層4としてCsIを用いた場合、蛍光体層4はピラー構造をしているので、ピラー間の隙間とCsI(CsIの屈折率=1.8)との屈折率の差により、ある割合の発光フォトンは、ピラー内を通って、光電変換素子1に到達する。隣のピラー以遠に発散した光も、多くのピラー間の光学的界面を横切って発散する確率は低いはずであり、ある界面に差し掛かると、やはりそのピラー内に閉じ込められ、光電変換素子1に到達する。
X-rays that have entered the
以上のような作用により、ピラー構造とした蛍光体層4は、それほど発光を滲ませることがなく、発光を光電変換素子1に伝達することができ、比較的解像度特性が高いFPDを得ることができる。
Due to the above-described action, the
本実施の形態に係る放射線検出器10を製造するには、先ず、光電変換素子1が複数並んだアクティブエリア2を有する基板3上に、図2(a)に示される蒸着マスク61の端部61aを所定の角度として蛍光体の蒸着を行って蛍光体層4のテーパー部7のテーパー角度θ1を40度以上に形成後、図2(b)に示すように、端部63aを所定の角度とした蒸着マスク63を追加して蛍光体の蒸着を行い中間面8aを形成しつつ、段部8を設けた蛍光体層4を完成させる。
To manufacture the
次に、その蛍光体層4上に反射層5、防湿層6を順次積層させ、さらに基板3の端部で必要に応じ図示しない接着層を設け防湿層6と基板3との封止を行う。
Next, the
本実施の形態に係る放射線検出器10によれば、蛍光体層4の厚さ方向の中間位置に中間面8aを備えた段部8を設けることにより、基板3に付着している側の蛍光体層4の端部膜厚を実効的に薄くできるので、蛍光体層4が端部から欠落することを低減できる。
According to the
また、光電変換素子1を有する基板3上に設けられた蛍光体層4のテーパー部7のテーパー角度θ1を40度以上にしているので、アクティブエリア2の蛍光体層4の膜厚がほぼ均一な蛍光体層を形成することができる。これより、画像の最周辺部においても感度が良好となり、全体として均一な画像を得ることができる。
Further, since the taper angle theta 1 of the
(第2の実施の形態)
図3は、本発明に係る放射線検出器の第2の実施の形態を示す断面図である。なお、第1の実施の形態と同一の構成部分には同一の符号を付して説明を省略する。
(Second Embodiment)
FIG. 3 is a sectional view showing a second embodiment of the radiation detector according to the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component same as 1st Embodiment, and description is abbreviate | omitted.
本実施の形態の放射線検出器20では、蛍光体層4の両端において更に第二の傾斜面9aを有する先端部9が形成されており、この第二の傾斜面9aの蛍光体層4の面方向からの傾斜角度θ2は、第一の傾斜面7aの蛍光体層4の面方向からの傾斜角であるテーパー角度θ1よりも小さい角度になるように形成されている。
In the
また、第1の実施の形態と同様に、蛍光体層4の厚さ方向の中間位置に設けられた中間部8の中間面8aは、蛍光体層4の面方向に平行に形成するだけでなく、傾斜していても良い。ただし、傾斜している場合は、中間面8aの蛍光体層4の面方向からの傾斜角度を、蛍光体層4の厚み全体における平均のテーパー角度θ3よりも小さい角度に形成する必要がある。
Similarly to the first embodiment, the
本実施の形態に係る放射線検出器20によれば、第1の実施の形態と同様の効果を奏する他、先端部9の傾斜角度θ2をテーパー部7のテーパー角度θ1よりも小さい角度に形成することにより、さらに基板3の端部での蛍光体層4の付着力を強固なものにすることができる。
According to the
(第3の実施の形態)
図4は、本発明に係るシンチレータパネルの第1の実施の形態を示す断面図である。
(Third embodiment)
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a first embodiment of a scintillator panel according to the present invention.
このシンチレータパネル30では、炭素繊維強化プラスチック(CFRP)31の両面に樹脂製反射シート32が貼付けされた支持基板33の一面に蛍光体層34を設け、さらに、蛍光体層34全面を覆うように防湿層35が形成されている。
In this
ここで、蛍光体層34の両端において設けられているテーパー部36における第一の傾斜面36aの蛍光体層34の面方向からの傾斜角であるテーパー角度θ4を40度以上90度以下になるようにすることが好ましい。
Here, the taper angle θ 4 , which is an inclination angle of the first
更に、このシンチレータパネル30では、蛍光体層34のテーパー部36における厚さ方向の中間位置に、水平方向に平坦な中間面37aを備えた中間部37が設けられている。
Further, in this
なお、図4では、この中間面37aを蛍光体層34の面方向に平行に形成しているが、傾斜していても良い。ただし、傾斜している場合は、中間面37aの蛍光体層34の面方向からの傾斜角度を、テーパー部36のテーパー角度θ4よりも小さい角度に形成する必要がある。
In FIG. 4, the
本実施の形態に係るシンチレータパネル30を製造するには、先ず、炭素繊維強化プラスチック(CFRP)31の両面に樹脂製反射シート32を両面に貼り付けて支持基板33を形成し、次いで、この支持基板33上に、図5(a)に示される蒸着マスク61の端部61aを所定の角度として蛍光体の蒸着を行って蛍光体層34のテーパー部36のテーパー角度θ4を40度以上に形成後、図5(b)に示すように、端部63aを所定の角度とした蒸着マスク63を追加して蛍光体の蒸着を行い中間面37aを形成しつつ、段部37を設けた蛍光体層34を完成させる。さらに、蛍光体層34全面を覆うように防湿層35を形成する。
In order to manufacture the
本実施の形態に係るシンチレータパネル30によれば、蛍光体層34の厚さ方向の中間位置に中間面37aを備えた中間部37を設けることにより、支持基板33に付着している側の蛍光体層34の端部膜厚を実効的に薄くできるので、蛍光体層34が端部から欠落することを低減できる。
According to the
また、支持基板33上に設けられた蛍光体層34のテーパー部36のテーパー角度θ4を40度以上にすることにより、後述する第5の実施の形態からも明らかなように、アクティブエリア2上に膜厚がほぼ均一な蛍光体層34を形成することができる。これより、画像の最周辺部においても感度が良好であり、全体として均一な画像が得られる放射線検出器を製造することができる。
Further, by making the taper angle θ 4 of the
(第4の実施の形態)
図6は、本発明に係るシンチレータパネルの第2の実施の形態を示す断面図である。なお、第3の実施の形態と同一の構成部分には同一の符号を付して説明を省略する。
(Fourth embodiment)
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the scintillator panel according to the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the component same as 3rd Embodiment, and description is abbreviate | omitted.
本実施の形態のシンチレータパネル40では、蛍光体層34の両端において更に第二の傾斜面38aを有する先端部38が形成されており、この第二の傾斜面38aの蛍光体層34の面方向からの傾斜角度θ5は、テーパー部36のテーパー角度θ4よりも小さい角度になるように形成されている。
In the
また、第3の実施の形態と同様に、蛍光体層34の厚さ方向の中間位置に設けられた中間部37の中間面37aは、蛍光体層34の面方向に平行に形成するだけでなく、傾斜していても良い。ただし、傾斜している場合は、中間面37aの蛍光体層34の面方向からの傾斜角度を、蛍光体層34の厚み全体における平均テーパー角度θ6よりも小さい角度に形成する必要がある。
Similarly to the third embodiment, the
本実施の形態に係るシンチレータパネル40によれば、第3の実施の形態と同様の効果を奏する他、先端部38の傾斜角度θ5をテーパー部36のテーパー角度θ4よりも小さい角度に形成することにより、さらに支持基板33の端部での蛍光体層34の付着力を強固なものにすることができる。
According to the
(第5の実施の形態)
図7は、本発明に係る放射線検出器の第3の実施の形態を示す断面図である。
(Fifth embodiment)
FIG. 7 is a sectional view showing a third embodiment of the radiation detector according to the present invention.
この放射線検出器50は、第3の実施の形態のシンチレータパネル30を、図1に示す構造の基板3のアクティブエリア2側に貼り合わせて形成されている。
The
この放射線検出器50では、基板3上のアクティブエリア2を包含するように蛍光体層34の膜厚が均一なエリアが密着している。
In this
また、シンチレータパネル30の支持基板33の寸法を小さくできるので、シンチレータパネル30は基板3の端部にあるボンディング部などの突起部43と干渉することがない。
Further, since the size of the
1・・・光電変換素子
2・・・アクティブエリア
3・・・基板
4・・・蛍光体層
5・・・反射層
6・・・防湿層
7・・・テーパー部
7a・・・第一の傾斜面
8・・・段部
8a・・・中間面
9・・・先端部
9a・・・第二の傾斜面
10・・・放射線検出器
20・・・放射線検出器
30・・・シンチレータパネル
31・・・炭素繊維強化プラスチック
32・・・樹脂反射シート
33・・・支持基板
34・・・蛍光体層
35・・・防湿膜
36・・・テーパー部
36a・・・第一の傾斜面
37・・・中間部
37a・・・中間面
38・・・先端部
38a・・・第二の傾斜面
40・・・シンチレータパネル
43・・・突起部
50・・・放射線検出器
61・・・蒸着マスク
61a・・・端部
63・・・基板
63a・・・端部
65・・・蛍光体層
65a・・・テーパー部
67・・・付着蛍光体
71・・・基板
75・・・付着蛍光体
77・・・蛍光体層
79・・・突起物
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ...
Claims (9)
前記テーパー部における前記蛍光体層の厚さ方向の中間位置に、段部を設けたことを特徴とする放射線検出器。 A phosphor layer is provided on the active area of the substrate having an active area in which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged, and has a tapered portion in which first inclined surfaces are formed at both ends of a vertical section of the phosphor layer. In the radiation detector,
A radiation detector, wherein a step portion is provided at an intermediate position in the thickness direction of the phosphor layer in the tapered portion.
前記テーパー部における前記蛍光体層の厚さ方向の中間位置に、段部を設けたことを特徴とするシンチレータパネル。 In a scintillator panel having a tapered portion in which a phosphor layer is provided on one surface of a support substrate that transmits radiation, and first inclined surfaces are formed at both ends of a vertical cross section of the phosphor layer.
A scintillator panel, wherein a step portion is provided at an intermediate position in the thickness direction of the phosphor layer in the tapered portion.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009287245A JP5518457B2 (en) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | Radiation detector and scintillator panel |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009287245A JP5518457B2 (en) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | Radiation detector and scintillator panel |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011128034A JP2011128034A (en) | 2011-06-30 |
| JP5518457B2 true JP5518457B2 (en) | 2014-06-11 |
Family
ID=44290778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009287245A Active JP5518457B2 (en) | 2009-12-18 | 2009-12-18 | Radiation detector and scintillator panel |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5518457B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7268454B2 (en) * | 2019-04-03 | 2023-05-08 | コニカミノルタ株式会社 | radiography equipment |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61228399A (en) * | 1985-04-03 | 1986-10-11 | 富士写真フイルム株式会社 | Radiation image conversion panel and making thereof |
| JP2741209B2 (en) * | 1988-04-20 | 1998-04-15 | コニカ株式会社 | Radiation image conversion panel |
| JP3566926B2 (en) * | 1998-06-18 | 2004-09-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | Scintillator panel and radiation image sensor |
| JP2003066150A (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-05 | Canon Inc | Fluorescent plate, radiation detection device and radiation detection system |
| JP2006133152A (en) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | Radiological image conversion panel |
-
2009
- 2009-12-18 JP JP2009287245A patent/JP5518457B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011128034A (en) | 2011-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101542635B (en) | Scintillator panels and radiation detectors | |
| US7468514B1 (en) | Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor | |
| JP5686993B2 (en) | Scintillator panel and radiation image sensor | |
| JP2014032170A (en) | Radiation detection panel and radiation image detector | |
| CN106461794B (en) | X-ray detector panel | |
| CN104718463B (en) | Scintillator panel and radiation detector | |
| EP2006710A2 (en) | Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor | |
| JP5518457B2 (en) | Radiation detector and scintillator panel | |
| US7465932B1 (en) | Radiation image conversion panel, scintillator panel, and radiation image sensor | |
| JP2011128031A (en) | Radiation detector and scintillator panel | |
| JP2017090125A (en) | Radiation image conversion panel, method for forming the radiation image conversion panel, radiation image sensor, and method for forming the radiation image sensor | |
| JP2009287929A (en) | Scintillator panel and radiation detector | |
| JP4972037B2 (en) | Radiation measuring apparatus and method for manufacturing the same | |
| JP2023032732A (en) | scintillator panel and radiation detector | |
| TW202014148A (en) | Radiation detector and radiographic imaging device | |
| TWI898080B (en) | Radiation detector, method for manufacturing radiation detector, and scintillator panel unit | |
| EA013284B1 (en) | Radiation image conversion panel and radiation image sensor | |
| JP2024063272A (en) | Radiation image detector and method for manufacturing the same | |
| JP2022048302A (en) | Radiation detector | |
| JP5873660B2 (en) | Scintillator panel | |
| CN116648643A (en) | Radiation detector, method of manufacturing radiation detector, and scintillator panel assembly | |
| CN116724252A (en) | Radiation detector and method for manufacturing radiation detector | |
| JP2017129462A (en) | Radiation detection device, radiation detection system and manufacturing method of radiation detection device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20110421 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121214 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20130621 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20130625 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130621 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130730 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130801 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140307 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140402 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5518457 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |