[go: up one dir, main page]

JP5768889B2 - モジュールの製造方法およびモジュール - Google Patents

モジュールの製造方法およびモジュール Download PDF

Info

Publication number
JP5768889B2
JP5768889B2 JP2013532616A JP2013532616A JP5768889B2 JP 5768889 B2 JP5768889 B2 JP 5768889B2 JP 2013532616 A JP2013532616 A JP 2013532616A JP 2013532616 A JP2013532616 A JP 2013532616A JP 5768889 B2 JP5768889 B2 JP 5768889B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
connection terminal
module
resin layer
wiring board
connection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013532616A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2013035715A1 (ja
Inventor
伸明 小川
伸明 小川
喜人 大坪
喜人 大坪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2013532616A priority Critical patent/JP5768889B2/ja
Publication of JPWO2013035715A1 publication Critical patent/JPWO2013035715A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5768889B2 publication Critical patent/JP5768889B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
    • H01L23/5389—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates the chips being integrally enclosed by the interconnect and support structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10D89/00
    • H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10D89/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
    • H05K3/4015—Surface contacts, e.g. bumps using auxiliary conductive elements, e.g. pieces of metal foil, metallic spheres
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4046—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections using auxiliary conductive elements, e.g. metallic spheres, eyelets, pieces of wire
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10D89/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of semiconductor or other solid state devices all the devices being of a type provided for in a single subclass of subclasses H10B, H10D, H10F, H10H, H10K or H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H10D89/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19106—Disposition of discrete passive components in a mirrored arrangement on two different side of a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/07—Electric details
    • H05K2201/0707—Shielding
    • H05K2201/0715—Shielding provided by an outer layer of PCB
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/10242—Metallic cylinders
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
    • H05K2201/1031—Surface mounted metallic connector elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/10507—Involving several components
    • H05K2201/10515—Stacked components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
    • H05K2203/1305—Moulding and encapsulation
    • H05K2203/1316—Moulded encapsulation of mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49146—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. with encapsulating, e.g., potting, etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Description

本発明は、層間接続導体を形成する複数の接続端子を用いたモジュールの製造方法およびモジュールに関する。
従来、図８のモジュールの一例に示すように、配線基板５０１の両面に実装された各種の電子部品５０２が、樹脂層５０３により封止されたモジュール５００が知られている（例えば特許文献１参照）。この場合、モジュール５００の一方の主面には金属シールド層５０４が設けられ、他方の主面には外部接続用の実装用端子５０５が設けられている。そして、金属シールド層５０４および実装用端子５０５は、それぞれ層間接続用のビア導体５０６により配線基板５０１の配線層と電気的に接続される。
国際公開２００５／０７８７９６号（段落００１７〜００２５，００３５、図１、要約書など）
しかしながら、特許文献１に記載の発明では、ビア導体５０６は、配線基板５０１に設けられた樹脂層５０３にレーザー加工により形成されたビアホールに、デスミア処理が施された後、ＡｇやＣｕなどを含む導体ペーストが充填されたり、ビアフィルめっきが施されることにより形成される。このように、レーザー加工を用いて樹脂層５０３にビアホールが形成される場合、レーザーの出力調整が難しく、ビアホールの形成精度にばらつきが生じることが問題となっている。また、ビア導体５０６は、複数の工程を経て樹脂層５０３に形成されるため、モジュールの製造コストの増大を招くと共に、モジュールの製造時間の短縮化を図る上で妨げとなっていた。また、レーザー加工により樹脂層５０３に形成されたビアホールにデスミア処理が施される際の薬液や、ビアフィルめっきが施される際の薬液が、樹脂層５０３や配線基板５０１を浸食するという問題があった。
この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、ビアホールを設けることなく層間接続可能なモジュールを低コストかつ短い製造時間で提供できるようにすることを目的とする。
上記した第１の目的を達成するために、本発明のモジュールの製造方法は、層間接続導体を形成する柱状の接続端子および電子部品を配線基板上に実装し樹脂封止してなるモジュールの製造方法において、一方端部の径が他方端部よりも大なる断面ほぼＴ字状を有する柱状の接続端子を準備する準備工程と、前記配線基板の一方主面に、電子部品を実装するとともに、前記接続端子の大径側の一方端部を吸着により支持して、小径側の他方端部が前記配線基板に接続されるように前記接続端子を実装する第１実装工程と、前記電子部品および前記接続端子を樹脂層により封止する第１封止工程とを備えることを特徴としている（請求項１）。
そして、前記第１実装工程における前記接続端子の実装は、磁力を有する支持体に複数の前記接続端子それぞれの大径側の一方端部を吸着させて、前記支持体に吸着させた前記複数の接続端子を配線基板に実装してもよい（請求項２）。
また、前記第１封止工程の前に、前記支持体を除去する除去工程を備えるようにしてもよい（請求項３）。
また、前記第１封止工程の後に、前記樹脂層の表面を研磨または研削する工程をさらに備えるようにしてもよい（請求項４）。
また、前記研磨または研削工程において、前記樹脂層の表面を研磨または研削することに加えて、前記接続端子の一方端部を研磨または研削してもよい（請求項５）。
また、前記配線基板の他方主面に他の電子部品を実装する第２実装工程と、前記他の電子部品を樹脂層により封止する第２封止工程とをさらに備えるようにしてもよい（請求項６）。
そして、前記第２実装工程において、前記接続端子の他方端部が前記配線基板の他方主面に接続するように前記接続端子をさらに実装してもよい（請求項７）。
また、前記配線基板の他方主面に実装された接続端子の一方端部に接続するように他の電子部品を実装する第３実装工程をさらに備えるようにしてもよい（請求項８）。
また、配線基板の少なくとも一方主面に複数の電子部品を実装したモジュールにおいて、
一方端部の径が他方端部よりも大なる断面ほぼＴ字状を有し、前記配線基板の少なくとも一方主面に実装されて層間接続導体を形成する柱状の接続端子と、前記配線基板の少なくとも一方主面に前記電子部品と前記接続端子とを被覆する樹脂層とを備え、前記接続端子は、前記他方端部が前記配線基板と接続されて、前記一方端部が前記樹脂層の表面に露出し、前記配線基板を前記接続端子の長さ方向から見たときに、前記接続端子の大径側の前記一方端部と前記電子部品とが重なって配置されていることを特徴としている（請求項９）。
請求項１の発明によれば、一方端部の径が他方端部よりも大なる断面ほぼＴ字状を有する層間接続導体を形成する柱状の接続端子が準備され、該接続端子が電子部品とともに、配線基板の一方主面に実装される。
このとき、接続端子は、実装装置などの吸着部に吸着されて配線基板に実装されるが、両端部が同径の接続端子では、安定して吸着するために必要な吸着面積を確保するのが困難な場合があり、このような場合は接続端子の実装の際に吸着エラーが頻繁に生じるおそれがある。この点、本発明における接続端子は一方端部の径が大きく形成されており、その端部を吸着することにより配線基板に実装されるため、実装時の吸着エラーが少なく生産性が向上する。
また、配線基板の一方主面に電子部品および接続端子が実装されたあとにそれらを樹脂層により封止するが、樹脂層上面には、何も実装等されておらず樹脂層形成時に発生するボイドの抜け道が十分確保されているため、樹脂層に発生するボイドが少ないモジュールを製造することができる。
また、樹脂層による封止後は接続端子により層間接続導体が形成されるため、従来の技術のように、ビアホールを設ける必要がなく、モジュールの生産にかかるコストの削減ならびに製造時間の短縮が図れる。さらに、従来のように、デスミア処理が施される際の薬液や、ビアフィルめっきが施される際の薬液が、樹脂層や配線基板を浸食するという問題も生じない。
また、請求項２の発明によれば、磁力を有する支持体に複数の接続端子の一方端部を吸着させることにより複数の接続端子を一度に実装できるため、より生産性を向上できる。
請求項３の発明によれば、複数の接続端子を吸着した支持体が第１封止工程の前に除去されるため、第１樹脂層を形成するために配線基板の一方主面に充填される樹脂の充填性が向上する。また、樹脂に封止された空気が抜けやすく、第１樹脂層にボイドが発生することを抑制できる。
また、樹脂封止の際に障壁となる支持体が除去されているため、液状の樹脂や樹脂シートなどの種々の樹脂を使用することができ、一般的に知られている種々の方法により第１樹脂層を形成することができる。
請求項４の発明によれば、第１封止工程の後に樹脂層の表面が研磨または研削されるため、樹脂表面の平坦化を図ることができるとともにモジュールの低背化を図ることができる。
請求項５の発明によれば、研磨または研削工程により、第１樹脂層の表面とともに接続端子の一方端部が研磨または研削されるため、第１樹脂層の表面に外部接続用のランドを形成することができる。また、該ランドは面積の広い接続端子の一方端部側により形成されるため、外部接続の際の接続強度および電気接続性を向上することができる。
請求項６の発明によれば、配線基板の他方主面に電子部品が実装され、配線基板の他方主面に実装された電子部品が第２樹脂層により封止されることにより、モジュールに実装される電子部品の実装密度を高めることができるので実用的である。
請求項７の発明によれば、配線基板の他方主面にも接続端子が実装されるため、他方主面側でも請求項１の効果と同様の効果を得ることができる。
請求項８の発明によれば、配線基板の他方主面に実装された接続端子の一方端部に接続するようにさらに電子部品が実装されるため、モジュールに実装される電子部品の実装密度をさらに高めることができるので実用的である。
請求項９の発明によれば、断面ほぼＴ字状を有する柱状の接続端子が配線基板の少なくとも一方主面に実装されて層間接続導体が形成されているため、従来のようにビアホールにより層間接続導体が形成されるのと比較すると、モジュールを低コストかつ短い製造時間で提供することができる。また、接続端子の他方端部が配線基板に接続され、該他方端部よりも大径の一方端部が、配線基板に実装された電子部品および接続端子を被覆する樹脂層の表面に露出することにより、樹脂層表面に、面積の大きい外部接続用のランドが形成される。したがって、樹脂層表面に大面積の外部接続用のランドが形成されるため、モジュールを外部接続する際の接続強度および電気接続性を向上することができる。
また、樹脂層の表面に露出する外部接続用のランドと層間接続導体とが、断面ほぼＴ字状の柱状の接続端子により一体形成されているため、樹脂層の表面に露出する接続端子に、スクリーン印刷やフォトリソグラフィなどによりランドを形成する場合と比較すると、ランドと層間接続導体との間の接続強度を向上することができる。
また、配線基板を接続端子の長さ方向から見たときに、接続端子の大径側の一方端部と電子部品とが重なって配置される。つまり、接続端子は径の小さな他方端部で配線基板と接合するため、配線基板の実装面積は広く確保されており、配線基板を接続端子の長さ方向から見たときに、電子部品を一方端部（大径側）と重なった位置に配置することができる。そのため、接続端子の一方端部側で外部接続用に広いランドを確保しつつモジュールの小型化を図ることができる。
本発明の第１実施形態にかかるモジュールに用いる接続端子の製造方法を示す図である。 本発明の第１実施形態にかかるモジュールに用いる接続端子を示す図である。 本発明の第１実施形態にかかるモジュールの製造方法を示す図である。 電子部品の配置例を示す図である。 本発明の第２実施形態にかかるモジュールを示す図である。 本発明の第３実施形態にかかるモジュールを示す図である。 本発明の第４実施形態にかかるモジュールを示す図である。 従来のモジュールの一例を示す図である。
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態にかかるモジュールについて、図１〜図４を参照して説明する。図１は本発明の第１実施形態にかかるモジュールに用いる接続端子の製造方法を示す図であり、図２は接続端子を示す図であり、図３は、本発明の第１実施形態にかかるモジュールの製造方法を示す図であり、（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ異なる工程を示す。また、図４は電子部品の配置例を示す図である。
この実施形態で説明するモジュールの製造方法では、通信携帯端末のマザー基板などに実装される、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）モジュールおよび無線ＬＡＮモジュールなどの各種の通信モジュール、アンテナスイッチモジュール、電源モジュールなどの高周波用回路モジュールが製造される。
（モジュールの製造方法）
本発明における接続端子の製造方法について、図１ないし図４を参照して説明する。
まず、所望の断面径を有する金属導体の線材８を用意し、その線材８を所望の長さにせん断する。このとき、せん断面は、せん断開始時には平坦な面が得られるが、せん断終了間際の後半には線材８が引きちぎられる力が大きく働くため、表面が荒れた形状で形成される。
次に、図１（ａ）のように、せん断された線材８の一部が突出するように形成された凹部を有する治具９に線材８をセットし、上からプレス機１０で線材８の突出部をつぶし、柱状の接続端子１１を形成する（図１（ｂ））。このとき、接続端子１１の一方端部は、図１（ｂ）に示すように鍔部１１ａを有して、断面がほぼＴ字状を成し、接続端子１１は、一方端部の径が他方端部の径よりも大きく形成される。
また、プレスを行うことにより上記したせん断面の荒れを形成する凸凹部がつぶされるため、線材８のせん断面全体を平坦にすることができる。
接続端子１１は、径の小さい方の他方端部を下にして配線基板１０１に実装されるため、鍔部１１ａが大きすぎると実装後やリフロー中に接続端子１１が倒れるおそれがある。したがって、接続端子１１の鍔部１１ａは、接続端子１１の重心が、断面Ｔ字の高さ２／３以下になるように形成することが好ましい。
次に、図２に示すように、支持体１２の一方面の所定位置に複数の接続端子１１の径の大きい方の一方端部が支持される接続端子１１の集合体を準備する。なお、支持体１２として、磁力を有する板状の支持体を用いることができる。この場合、各接続端子１１それぞれの鍔部１１ａを支持体１２に吸着させることにより、各接続端子１１が支持体１２に支持される接続端子１１の集合体を作製することができる。
より詳細には、振込治具に形成された、接続端子１１の径よりも大きな振込孔にその一方端部（鍔部１１ａ）が振込孔から突出するように接続端子１１を振り込み、突出した接続端子１１の一方端部（鍔部１１ａ）に支持体１２を押し当てることにより接続端子１１を支持体１２に支持させ、その後、支持体１２ごと振込治具から引き抜くことにより、接続端子１１の集合体を作製することができる。
なお、支持体１２は、磁力を有するものに限定されるものではない。例えば、支持体１２に接着性を有する支持層（図示せず）を形成し、接続端子１１の径の大きい方の一方端部が支持層を介して支持体１２に支持される接続端子１１の集合体であってもよい。
次に、図３（ａ）に示すように、複数の接続端子１１が支持された支持体１２と、各種のチップ部品やＩＣなどの電子部品１０２とを、配線基板１０１の一方主面の所定の位置に半田リフローや超音波接合、導電性ペーストによる接合などの一般的な表面実装技術により実装する（第１実装工程）。このとき、接続端子１１は他方端部が配線基板１０１に接続されるように実装される。なお、接続端子１１は、支持体１２で支持せずに、磁力によるものの他、真空吸着や静電吸着などの通常の吸着方法により接続端子１１を吸着して、一つずつ配線基板１０１に実装してもかまわない。
また、配線基板１０１は、この実施形態では、複数のセラミックグリーンシートが積層されて焼成されてなる多層セラミック基板である。セラミックグリーンシートは、アルミナおよびガラスなどの混合粉末が有機バインダおよび溶剤などと一緒に混合されたスラリーがシート化されたものであり、セラミックグリーンシートの所定位置に、レーザー加工などによりビアホールが形成され、形成されたビアホールにＡｇやＣｕなどを含む導体ペーストが充填されて、層間接続用のビア導体が形成され、導体ペーストによる印刷により種々の電極パターンが形成される。その後、各セラミックグリーンシートを積層、圧着することによりセラミック積層体を形成して、約１０００℃前後の低い温度で、所謂、低温焼成して形成されている。
このように、配線基板１０１には、内部配線パターン、接続端子１１および電子部品１０２が実装される実装用電極および外部接続用電極などの種々の電極パターンが設けられているが、配線基板１０１は、樹脂やポリマー材料などを用いた、プリント基板、ＬＴＣＣ、アルミナ系基板、ガラス基板、複合材料基板、単層基板、多層基板などで形成することができ、モジュール１００の使用目的に応じて、適宜最適な材質を選択して配線基板１０１を形成すればよい。
次に、図３（ｂ）に示すように、配線基板１０１の一方主面に実装された各接続端子１１を支持する支持体１２を各接続端子１１から除去する（除去工程）。
そして、図３（ｃ）に示すように、配線基板１０１の一方主面に樹脂が充填されることにより、配線基板１０１の一方主面に実装された電子部品１０２および接続端子１１が第１樹脂層１０３により封止される（第１封止工程）。第１樹脂層１０３は、エポキシ樹脂やフェノール樹脂、シアネート樹脂などの熱硬化性の樹脂に、酸化アルミニウムやシリカ（二酸化ケイ素）、二酸化チタンなどの無機フィラーが混合されて形成された複合樹脂により形成することができる。
例えば、ＰＥＴフィルム上に複合樹脂を成型して半硬化させた樹脂シートを用いて第１樹脂層１０３を形成する場合には、所望の厚みを有するスペーサ（型）が周囲に配置された状態の配線基板１０１に樹脂シートを被せ、スペーサ厚みになるように加熱プレスした後、配線基板１０１をオーブンにより加熱して樹脂を硬化させることにより、所望の厚みを有する第１樹脂層１０３を形成することができる。なお、第１樹脂層１０３は、液状の樹脂を用いたポッティング技術やトランスファーモールド技術、コンプレッションモールド技術など、樹脂層を形成する一般的な成型技術を用いて形成すればよい。
次に、図３（ｄ）に示すように、ローラブレード等により第１樹脂層１０３の表面を研削したり研磨することにより、不要な樹脂を除去して、第１樹脂層１０３の表面を平坦化する（研磨または研削工程）。なお、樹脂を研磨または研削するのと同時に接続端子１１の一方端部を研磨または研削してもよい。こうすることで、接続端子１１の一方端部が露出する。これにより、第１樹脂層１０３の表面に露出する接続端子１１の一方端部により外部接続用の端子（ランド）が形成されたモジュール１００が完成する。第１樹脂層１０３の表面に露出した接続端子１１の一方端部に例えばＮｉ／Ａｕめっきを施してもよい。このとき、接続端子１１の他端を配線基板１０１に接続する半田の厚みなどの影響で、接続端子１１の配線基板１０１からの高さにばらつきが生じている場合には、第１樹脂層１０３と一緒に接続端子１１の一端を削ることにより、接続端子１１の配線基板１０１からの高さを揃えることができる。
なお、第１樹脂層１０３の表面を研磨または研削する際には、第１樹脂層の樹脂と一緒に接続端子１１の一方端部に形成された鍔部１１ａ全体を取り除いてもよい。このようにすると、各接続端子１１の横断面が、外部接続用の端子として第１樹脂層１０３の表面に露出する。したがって、第１樹脂層１０３の表面に設けられる外部接続用の端子の面積を均一に形成することができる。
また、第１封止工程において、各接続端子１１の一端（一方端部）が露出するように第１樹脂層１０３が形成される場合には、第１樹脂層１０３の表面を研磨または研削する工程は、必ずしも実行しなくともよい。
また、接続端子１１が支持された支持体１２を除去せずに、配線基板１０１の一方主面に樹脂を充填して第１樹脂層１０３を形成してもよい。この場合、研磨または研削工程において、第１樹脂層１０３と一緒に支持体１２を研削や研磨により除去すればよい。
ところで、接続端子１１を通常の吸着方法により一本ずつ吸着する場合、接続端子１１の径が小さいと吸着エラーが頻繁に発生して、生産性を低下させるおそれがある。この点、本発明における接続端子１１は、一方端部に鍔部１１ａを有し、その部分で吸着するため吸着面積が十分に確保されており、吸着エラーを少なくすることができる。さらに、該鍔部１１ａは、線材８を所望の長さにせん断する際に発生する表面の凸凹が、プレスにより平坦化されて形成されるため、吸着エラーがさらに減少し、生産性の向上を図ることができる。さらに、複数の接続端子１１を磁力を有する板状の支持体１２に吸着させて支持させる場合にも、接続端子１１は鍔部１１ａを有するため、吸着面積が十分に確保されて磁力を有する板状の支持体１２に吸着エラーを少なくして支持させることができ、生産性の向上を図ることができる。
また、接続端子１１ならびに支持体１２は、電子部品１０２を実装するマウンタの吸着コレットなどの形状を変更するだけで実装することが可能であるため、既存の設備を利用できるという利点がある。さらに、接続端子１１は層間接続導体を形成するものであり、従来のように、ビアホールを形成する必要がない。つまり、層間接続導体の形成をマウンタのみで行なえるという大きな利点を有する。
さらに、接続端子１１は金属導体により形成されているため、磁力を有する支持体１２により簡単に吸着させることができる。また、その吸着は接続端子１１の径の大きい方の一方端部側で行なうため、より確実に接続端子１１を吸着させることができ、生産性の向上を図ることができる。また、接続端子１１は、磁力により支持体１２に吸着されているため、接着剤等を用いて接着した場合と比較して容易に支持体１２を除去することができる。
また、複数の接続端子１１を支持体１２により吸着して、配線基板１０１に実装するため、生産効率を高めることができる。
また、支持体１２は、接続端子１１と電子部品１０２の実装後であって、第１樹脂層１０３形成（第１封止工程）前に除去される。そのため、第１樹脂層１０３を形成するために配線基板１０１の一方主面に充填される樹脂の充填性が向上する。また、樹脂に封止された空気が抜けやすく、第１樹脂層１０３にボイドが発生することを抑制できる。
また、配線基板１０１の一方主面に実装された接続端子１１を支持する支持体１２が樹脂封止前に除去されているため、第１樹脂層１０３を形成するために、液状の樹脂や樹脂シートなどの種々の態様の樹脂を使用することができ、一般的に知られている種々の方法により第１樹脂層１０３を容易に形成することができる。
また、第１封止工程の後に第１樹脂層１０３の表面を研削や研磨することにより、第１樹脂層１０３の表面を平坦化することができるとともにモジュール１００を低背化することができる。
また、研磨または研削工程により、第１樹脂層１０３の表面に加えて、接続端子１１の一端（一方端部）を削ることで、第１樹脂層１０３の表面に接続端子１１の一端により形成される外部接続用のランドを容易に形成することができる。
さらに、この実施形態における接続端子１１は、配線基板１０１と接続する端部と反対側の一方端部に鍔部１１ａが形成されているため、研磨または研削工程において、第１樹脂層１０３と一緒に鍔部１１ａを部分的に研磨または研削することにより、第１樹脂層１０３の表面と同一表面上に、接続端子１１の横断面の面積よりも大面積の外部接続用のランドが鍔部１１ａにより形成される。したがって、モジュール１００に大面積の外部接続用のランドを設けることができるため、モジュール１００が通信携帯端末のマザー基板などに実装される際の電気的接続性を向上することができる。この場合、第１樹脂層１０３の表面に露出する外部接続用のランド（鍔部１１ａ）と接続端子１１とが一体形成されているため、第１樹脂層１０３の表面に露出する接続端子１１に、スクリーン印刷やフォトリソグラフィなどによりランドを形成する場合と比較すると、ランド（鍔部１１ａ）と接続端子１１との間の接続強度を向上することができる。
また、マザー基板などに接続する際に必要な電気接続性や接続強度は、大面積を有する当該鍔部１１ａにより確保できるため、接続端子１１の径を外部接続用のランド（鍔部１１ａ）の面積よりも小さく形成することができる。
また、第１樹脂層１０３による封止後は接続端子１１により層間接続導体が形成されるため、従来の技術のように、ビアホールを設ける必要がなく、モジュール１００の生産にかかるコストの削減ならびに製造時間の短縮が図れる。さらに、従来のように、デスミア処理が施される際の薬液や、ビアフィルめっきが施される際の薬液が、樹脂層や配線基板を浸食するという問題も生じない。
また、この実施形態では、接続端子１１は径の小さな他方端部で配線基板１０１と接合するため、配線基板１０１の実装面積は広く確保されるのに対して、第１樹脂層１０３の上面は、接続端子１１の大径側の一方端部である鍔部１１ａにより広いランドが形成される。そのため、図４に示すように、配線基板１０１を接続端子１１の長さ方向から見たときに、電子部品１０２を一方端部（大径側）と重なった位置に配置することができる。したがって、接続端子１１の一方端部側で外部接続用に広いランドを確保しつつモジュール１００の小型化を図ることができる。なお、図４は、説明を分かりやすくするために、接続端子１１の鍔部１１ａを若干誇張して描写している。
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態にかかるモジュール１００ａについて、図５を参照して説明する。図５は本発明の第２実施形態にかかるモジュール１００ａを示す図である。
この実施形態にかかるモジュール１００ａが、上記した第１実施形態と異なるのは、図５に示すように、モジュール１００ａの配線基板１０１の他方主面に電子部品１０２がさらに実装される（第２実装工程）とともに、それらの電子部品１０２が第２樹脂層１０４により封止されている（第２封止工程）点である。その他の構成は上記した第１実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
したがって、配線基板１０１の他方主面に電子部品１０２が実装され、配線基板１０１の他方主面に実装された電子部品１０２が第２樹脂層１０４により封止されることにより、モジュール１００ａに実装される電子部品１０２の実装密度を高めることができるので実用的である。
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態にかかるモジュール１００ｂについて、図６を参照して説明する。図６は本発明の第３実施形態にかかるモジュール１００ｂを示す図である。
この実施形態にかかるモジュール１００ｂが、上記した第２実施形態と異なるのは、図６に示すように、モジュール１００ｂの配線基板１０１の他方主面に設けられた第２樹脂層１０４に金属シールド層１０５が設けられている点である。その他の構成は上記した第１〜第２実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。なお、金属シールド層１０５は、配線基板１０１に設けられたＧＮＤ用配線と電気的に接続されるのが望ましい。
このように構成すると、第２樹脂層１０４に金属シールド層１０５が設けられているため、特に、第２樹脂層１０４に封止される電子部品１０２に、外部からのノイズが伝搬することを防止できるとともに、第２樹脂層１０４に封止される電子部品１０２から電磁波などが輻射されることを防止できる。
＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態にかかるモジュール１００ｃについて、図７を参照して説明する。図７は本発明の第４実施形態にかかるモジュール１００ｃを示す図である。
この実施形態にかかるモジュール１００ｃが、図５を参照して説明した第２実施形態と異なるのは、図７に示すように、モジュール１００ｃの配線基板１０１の他方主面に接続端子１１が実装されることにより（第２実装工程）、第２樹脂層１０４に接続端子１１による層間接続導体が設けられている点である。また、第２樹脂層１０４は、配線基板１０１の他方主面に実装された複数の接続端子１１が支持された支持体１２が接続端子１１から除去された後に樹脂が充填されることにより形成される。
また、この実施形態では、第２樹脂層１０４に設けられた接続端子１１により形成された層間接続導体に接続されるように、第２樹脂層１０４にさらに電子部品１０２が実装される（第３実装工程）。その他の構成は上記した第１〜第３実施形態と同様の構成であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
このように構成すると、配線基板１０１の他方主面に接続端子１１がさらに実装されるので、第２樹脂層１０４に層間接続導体を形成することができる。また、配線基板１０１の他方主面に実装された電子部品１０２および接続端子１１が第２樹脂層１０４により封止される前に、配線基板１０１の他方主面の支持体１２が接続端子１１から除去されるため、第２樹脂層１０４を形成するための樹脂を配線基板１０１の他方主面に効率よく充填することができる。
また、第２封止工程により形成された第２樹脂層１０４に、第２樹脂層１０４に設けられた接続端子１１に接続されるように電子部品１０２がさらに実装されるため、モジュール１００ｃに実装される電子部品１０２の実装密度をさらに高めることができるので実用的である。
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。
上記した実施形態では、モジュール単体ごとの製造方法について説明したが、複数のモジュールの集合体を形成した後に、個々のモジュールに個片化することによりモジュールを製造してもよい。この場合、配線基板１０１の集合体に複数の接続端子１１を支持する支持体１２を実装する際に、個片化される前の支持体１２の集合体を配線基板１０１の集合体に実装してもよい。このようにすると、配線基板１０１への支持体１２の実装時間の短縮を図ることができるので、モジュールの製造時間の短縮を図ることができる。また、配線基板１０１の集合体に、個々のモジュールに対応する複数の接続端子１１を支持する支持体１２を複数実装してもよい。このようにすると、複数の接続端子１１を位置精度よく実装することができる。
また、本発明は、モジュールの配線基板に柱状の接続端子を表面実装技術を用いて実装することにより、モジュールの層間接続導体を形成する技術に本発明を広く適用することができる。
１１ 接続端子
１１ａ 鍔部
１２ 支持体
１００，１００ａ、１００ｂ，１００ｃ モジュール
１０１ 配線基板
１０２ 電子部品
１０３ 第１樹脂層
１０４ 第２樹脂層

Claims (9)

  1. 層間接続導体を形成する柱状の接続端子および電子部品を配線基板上に実装し樹脂封止してなるモジュールの製造方法において、
    一方端部の径が他方端部よりも大なる断面ほぼＴ字状を有する柱状の接続端子を準備する準備工程と、
    前記配線基板の一方主面に、電子部品を実装するとともに、前記接続端子の大径側の一方端部を吸着により支持して、小径側の他方端部が前記配線基板に接続されるように前記接続端子を実装する第１実装工程と、
    前記電子部品および前記接続端子を樹脂層により封止する第１封止工程と
    を備えることを特徴とするモジュールの製造方法。
  2. 前記第１実装工程における前記接続端子の実装は、磁力を有する支持体に複数の前記接続端子それぞれの大径側の一方端部を吸着させて、前記支持体に吸着させた前記複数の接続端子を実装する
    ことを特徴とする請求項１に記載のモジュールの製造方法。
  3. 前記第１封止工程の前に、前記支持体を除去する除去工程を備えることを特徴とする請求項２に記載のモジュールの製造方法。
  4. 前記第１封止工程の後に前記樹脂層の表面を研磨または研削する工程を備えることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のモジュールの製造方法。
  5. 前記研磨または研削工程において、前記樹脂層の表面を研磨または研削することに加えて、前記接続端子の一方端部を研磨または研削することを特徴とする請求項４に記載のモジュールの製造方法。
  6. 前記配線基板の他方主面に他の電子部品を実装する第２実装工程と、前記他の電子部品を樹脂層により封止する第２封止工程とをさらに備えることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のモジュールの製造方法。
  7. 前記第２実装工程において、前記接続端子の他方端部が前記配線基板の他方主面に接続するように前記接続端子をさらに実装することを特徴とする請求項６に記載のモジュールの製造方法。
  8. 前記配線基板の他方主面に実装された接続端子の一方端部に接続するように他の電子部品を実装する第３実装工程をさらに備えることを特徴とする請求項７に記載のモジュールの製造方法。
  9. 配線基板の少なくとも一方主面に複数の電子部品を実装したモジュールにおいて、
    一方端部の径が他方端部よりも大なる断面ほぼＴ字状を有し、前記配線基板の少なくとも一方主面に実装されて層間接続導体を形成する柱状の接続端子と、
    前記配線基板の少なくとも一方主面に前記電子部品と前記接続端子とを被覆する樹脂層とを備え、
    前記接続端子は、前記他方端部が前記配線基板と接続されて、前記一方端部が前記樹脂層の表面に露出し、
    前記配線基板を前記接続端子の長さ方向から見たときに、前記接続端子の大径側の前記一方端部と前記電子部品とが重なって配置されていることを特徴とするモジュール。
JP2013532616A 2011-09-07 2012-09-05 モジュールの製造方法およびモジュール Active JP5768889B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013532616A JP5768889B2 (ja) 2011-09-07 2012-09-05 モジュールの製造方法およびモジュール

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011194568 2011-09-07
JP2011194568 2011-09-07
PCT/JP2012/072550 WO2013035715A1 (ja) 2011-09-07 2012-09-05 モジュールの製造方法およびモジュール
JP2013532616A JP5768889B2 (ja) 2011-09-07 2012-09-05 モジュールの製造方法およびモジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2013035715A1 JPWO2013035715A1 (ja) 2015-03-23
JP5768889B2 true JP5768889B2 (ja) 2015-08-26

Family

ID=47832160

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013532616A Active JP5768889B2 (ja) 2011-09-07 2012-09-05 モジュールの製造方法およびモジュール

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9538649B2 (ja)
JP (1) JP5768889B2 (ja)
CN (1) CN103828043B (ja)
WO (1) WO2013035715A1 (ja)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015041050A1 (ja) * 2013-09-17 2015-03-26 株式会社村田製作所 複合モジュール
KR102156483B1 (ko) * 2014-12-19 2020-09-15 인텔 아이피 코포레이션 개선된 인터커넥트 대역폭을 갖는 적층된 반도체 디바이스 패키지
JP2017168596A (ja) 2016-03-15 2017-09-21 株式会社東芝 半導体装置
JP6760397B2 (ja) * 2016-12-14 2020-09-23 株式会社村田製作所 モジュール
WO2018168653A1 (ja) * 2017-03-14 2018-09-20 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JP6725059B2 (ja) 2017-03-15 2020-07-15 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
CN111788675B (zh) * 2018-03-20 2023-11-07 株式会社村田制作所 高频模块
CN213936168U (zh) * 2018-05-08 2021-08-10 株式会社村田制作所 高频模块
WO2020196752A1 (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 株式会社村田製作所 モジュール
JP2021100213A (ja) * 2019-12-23 2021-07-01 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
JP7355056B2 (ja) * 2021-03-23 2023-10-03 株式会社村田製作所 コイル部品およびその製造方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS49131863U (ja) * 1973-03-10 1974-11-13
US5081563A (en) * 1990-04-27 1992-01-14 International Business Machines Corporation Multi-layer package incorporating a recessed cavity for a semiconductor chip
JPH07335783A (ja) 1994-06-13 1995-12-22 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置ユニット
EP0774888B1 (en) * 1995-11-16 2003-03-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd Printed wiring board and assembly of the same
JP3081168B2 (ja) * 1997-04-30 2000-08-28 イビデン株式会社 電子部品搭載用基板
JP2000307238A (ja) 1999-04-19 2000-11-02 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc ピン振込み治具およびプリント基板へのピンの取付方法
JP4526651B2 (ja) * 1999-08-12 2010-08-18 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置
JP2001168264A (ja) * 1999-12-13 2001-06-22 Hitachi Ltd 電子回路モジュール及びその製造方法
JP2004047702A (ja) * 2002-07-11 2004-02-12 Toshiba Corp 半導体装置積層モジュール
JP4072816B2 (ja) 2002-08-08 2008-04-09 太陽誘電株式会社 複合モジュール及びその製造方法
JP2004193404A (ja) * 2002-12-12 2004-07-08 Alps Electric Co Ltd 回路モジュール、及びその製造方法
JP4042785B2 (ja) 2004-02-13 2008-02-06 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法
CN100472780C (zh) * 2004-02-13 2009-03-25 株式会社村田制作所 电子零部件及其制造方法
JP2007287762A (ja) 2006-04-13 2007-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路素子とその製造方法および半導体装置
JP3960479B1 (ja) * 2006-07-07 2007-08-15 国立大学法人九州工業大学 両面電極構造の半導体装置の製造方法
JP4274290B2 (ja) * 2006-11-28 2009-06-03 国立大学法人九州工業大学 両面電極構造の半導体装置の製造方法
JP4376891B2 (ja) * 2006-12-04 2009-12-02 イビデン株式会社 半導体モジュール
JP5215587B2 (ja) 2007-04-27 2013-06-19 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置
SG149710A1 (en) * 2007-07-12 2009-02-27 Micron Technology Inc Interconnects for packaged semiconductor devices and methods for manufacturing such devices
JP2009246104A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Kyushu Institute Of Technology 配線用電子部品及びその製造方法
KR101193416B1 (ko) * 2008-05-09 2012-10-24 고쿠리츠 다이가쿠 호진 큐슈 코교 다이가쿠 3차원 실장 반도체 장치 및 그의 제조 방법
JP5491722B2 (ja) 2008-11-14 2014-05-14 インヴェンサス・コーポレイション 半導体装置パッケージ構造及びその製造方法
JP5160390B2 (ja) 2008-12-15 2013-03-13 新光電気工業株式会社 リードピン付配線基板及びその製造方法
US8097489B2 (en) * 2009-03-23 2012-01-17 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of mounting pre-fabricated shielding frame over semiconductor die
JP2010245157A (ja) 2009-04-02 2010-10-28 Kyushu Institute Of Technology 配線用部品及びその製造方法、並びに該配線用部品を組み込んで用いる電子デバイスパッケージ及びその製造方法
JP2010278069A (ja) * 2009-05-26 2010-12-09 Shinko Electric Ind Co Ltd 接続端子の配設方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140185256A1 (en) 2014-07-03
US9538649B2 (en) 2017-01-03
JPWO2013035715A1 (ja) 2015-03-23
CN103828043A (zh) 2014-05-28
CN103828043B (zh) 2017-11-24
WO2013035715A1 (ja) 2013-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5768889B2 (ja) モジュールの製造方法およびモジュール
US9293446B2 (en) Low profile semiconductor module with metal film support
CN103797577B (zh) 模块制造方法及端子集合体
JP5831057B2 (ja) モジュールの製造方法
JP3143888U (ja) 部品内蔵モジュール
JP2016136615A (ja) 電子部品内蔵基板およびその製造方法
TWI649841B (zh) High frequency module and manufacturing method thereof
WO2006043474A1 (ja) 複合多層基板及びその製造方法
CN1906986A (zh) 内装片状电子元器件的多层基板及其制造方法
JP6139653B2 (ja) 部品内蔵樹脂多層基板
JP5708814B2 (ja) モジュールの製造方法
JP4265607B2 (ja) 積層型電子部品および積層型電子部品の実装構造
CN1906758A (zh) 复合陶瓷基板
JP4432517B2 (ja) 複合多層基板
WO2010067508A1 (ja) 多層基板およびその製造方法
JP6433604B2 (ja) 非可逆回路素子、非可逆回路装置およびこれらの製造方法
JP4385782B2 (ja) 複合多層基板及びその製造方法
WO2013035717A1 (ja) モジュールおよびモジュールの製造方法
JP2013058515A (ja) モジュールの製造方法
JP2007317712A (ja) 部品内蔵複合配線基板及びその製造方法
JP2013110299A (ja) 複合モジュール
JP2007049107A (ja) 複合セラミック基板
WO2013099360A1 (ja) モジュールおよびこれを備えるモジュール搭載部品

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141216

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150526

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150608

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5768889

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150