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JP5731158B2 - Processing equipment - Google Patents

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JP5731158B2
JP5731158B2 JP2010222306A JP2010222306A JP5731158B2 JP 5731158 B2 JP5731158 B2 JP 5731158B2 JP 2010222306 A JP2010222306 A JP 2010222306A JP 2010222306 A JP2010222306 A JP 2010222306A JP 5731158 B2 JP5731158 B2 JP 5731158B2
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Description

本発明は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物に複数の加工を施す加工装置に関する。   The present invention relates to a processing apparatus that performs a plurality of processes on a workpiece such as a semiconductor wafer or an optical device wafer.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる切断予定ラインによって多数の矩形領域を区画し、該矩形領域の各々に半導体回路を形成する。このように多数の半導体回路が形成された半導体ウエーハをストリートに沿って分離することにより、個々の半導体チップを形成する。また、サファイヤ基板等の表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスが形成された光デバイスウエーハは、分割予定ラインに沿って個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。   In a semiconductor device manufacturing process, a large number of rectangular areas are defined by planned cutting lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially wafer-shaped semiconductor wafer, and a semiconductor circuit is formed in each of the rectangular areas. . Individual semiconductor chips are formed by separating the semiconductor wafer formed with such a large number of semiconductor circuits along the streets. In addition, an optical device wafer in which a plurality of regions are defined by streets formed in a lattice pattern on the surface of a sapphire substrate or the like, and an optical device in which a gallium nitride compound semiconductor or the like is stacked in the partitioned region is It is divided into optical devices such as individual light-emitting diodes and laser diodes along the planned dividing line, and is widely used in electrical equipment.

上述したように個々に分割されたチップの小型化および軽量化を図るために、通常、ウエーハをストリートに沿って切断し個々のチップに分割するのに先立って、ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成している。ウエーハの裏面の研削は、通常、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドの如き適宜のボンドで固着して形成した研削工具を、高速回転させつつウエーハの裏面に押圧せしめることによって遂行されている。このような研削方式によってウエーハの裏面を研削すると、ウエーハの裏面にマイクロクラック等の加工歪が生成され、これによって個々に分割されたチップの抗折強度が相当低減される。この研削されたウエーハの裏面に生成される加工歪を除去する対策として、研削されたウエーハの裏面を硝酸および弗化水素酸を含むエンチング液を使用して化学的エッチングするウエットエッチング法やエッチングガスを用いるドライエッチング法が使用されている。また、研削されたウエーハの裏面を遊離砥粒を使用してポリッシングするポリッシング法も実用化されている。しかるに、研削装置によって研削されたウエーハをエッチングまたはポリッシングするためにウエーハを研削装置からエッチング装置またはポリッシング装置に搬送する際に、ウエーハが破損するという問題がある。   As described above, in order to reduce the size and weight of the individually divided chips, usually, the wafer is ground along the back surface before being cut into individual chips by cutting along the street. The thickness is formed. Grinding of the back surface of the wafer is usually performed by pressing a grinding tool formed by fixing diamond abrasive grains with an appropriate bond such as a resin bond against the back surface of the wafer while rotating at high speed. When the back surface of the wafer is ground by such a grinding method, processing strain such as microcracks is generated on the back surface of the wafer, thereby considerably reducing the bending strength of the individually divided chips. As a measure to remove the processing strain generated on the back surface of the ground wafer, a wet etching method or etching gas for chemically etching the back surface of the ground wafer using an etching solution containing nitric acid and hydrofluoric acid. A dry etching method using is used. A polishing method for polishing the back surface of the ground wafer using loose abrasive grains has also been put into practical use. However, there is a problem that the wafer is damaged when the wafer is transported from the grinding device to the etching device or the polishing device in order to etch or polish the wafer ground by the grinding device.

上述した問題を解消するために、回動可能に配設されたターンテーブルと、該ターンテーブルに配設されウエーハを保持する保持面を備えた複数のチャックテーブルと、該複数のチャックテーブルが位置付けられる複数の加工領域にそれぞれ配設され該複数のチャックテーブルに保持されたウエーハにそれぞれ研削加工または研磨加工を施す複数の加工手段とを具備するウエーハの加工装置が提案されている。(例えば、特許文献1参照。)   In order to solve the problems described above, a turntable that is rotatably arranged, a plurality of chuck tables that are provided on the turntable and have a holding surface that holds a wafer, and the plurality of chuck tables are positioned. 2. Description of the Related Art A wafer processing apparatus has been proposed that includes a plurality of processing means that respectively perform grinding or polishing on a wafer that is disposed in each of a plurality of processing regions and held on the plurality of chuck tables. (For example, refer to Patent Document 1.)

この特許文献1に開示されたウエーハの加工装置においては、ターンテーブルの上面に各チャックテーブルを仕切る仕切り板が回転軸心から半径方向に延在して配設され、加工手段にはターンテーブルに配設された該複数のチャックテーブルが各加工領域に位置付けられた状態で仕切り板の上面と対向する壁を供えたカバー手段が配設されており、加工手段による加工の際に発生する飛沫が隣接する加工領域に飛散するのを防止している。   In the wafer processing apparatus disclosed in Patent Document 1, a partition plate for partitioning each chuck table is disposed on the upper surface of the turntable so as to extend in the radial direction from the rotation axis, and the processing means includes a turntable. Cover means provided with a wall facing the upper surface of the partition plate in a state where the plurality of chuck tables arranged are positioned in each processing area, and splashes generated during processing by the processing means are provided. It prevents splashing to adjacent processing areas.

特開2005−153090号公報JP 2005-153090 A

而して、上記特許文献1に開示されたウエーハの加工装置においては、各チャックテーブルを仕切る仕切り板が配設されたターンテーブルは回動するために、仕切り板の上端と加工手段に配設されたカバー手段の壁の下端との間には数mmの隙間が設けられている。従って、この隙間を通して隣接する加工領域に加工手段による加工の際に発生する飛沫が侵入するという問題がある。   Thus, in the wafer processing apparatus disclosed in Patent Document 1, the turntable on which the partition plates for partitioning the chuck tables are rotated is disposed at the upper end of the partition plate and the processing means. A gap of several millimeters is provided between the lower end of the cover means wall. Accordingly, there is a problem in that splashes generated during processing by the processing means enter the processing region adjacent through this gap.

本発明は、上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、複数の加工領域に配設された複数の加工手段による加工の際に発生する飛沫が隣接する加工領域に侵入するのを防止すことができる加工装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and the main technical problem thereof is that splashes generated during processing by a plurality of processing means arranged in a plurality of processing regions enter adjacent processing regions. An object of the present invention is to provide a processing apparatus capable of preventing the above.

上記技術課題を解決するために、本発明によれば、回動可能に配設されたターンテーブルと、該ターンテーブルに等角度の位相角をもって配設され被加工物を保持する保持面を備えた複数のチャックテーブルと、該複数のチャックテーブルが位置付けられる複数の加工領域にそれぞれ配設され該複数のチャックテーブルに保持された被加工物にそれぞれ加工を施す複数の加工手段と、を具備する加工装置において、
該ターンテーブルの上面には、該複数のチャックテーブルが配設された領域を仕切り回転軸心から半径方向に延在し該複数のチャックテーブルの高さより高く形成された仕切り板が配設され、
該複数の加工手段には、それぞれ該ターンテーブルに配設された該複数のチャックテーブルが各加工領域に位置付けられた状態で該仕切り板の上面と対向する下面を有する壁を備えたカバー手段が配設されており、
該ターンテーブルに配設された該複数のチャックテーブルが各加工領域に位置付けられた状態で該仕切り板の上面と該カバー手段の該壁の下面との間をシールするシール機構を備え、
該シール機構は、該仕切り板の上面に長手方向に沿って形成された溝と、該溝に水を供給する水供給手段とを具備し、該溝に供給された水の表面張力によって該仕切り板の上面と該カバー手段の該壁の下面との間に水膜を形成し、該仕切り板の上面と該カバー手段の該壁の下面との隙間を埋める、
ことを特徴とするウエーハの加工装置が提供される。
In order to solve the above technical problem, according to the present invention, a turntable that is rotatably provided, and a holding surface that is provided on the turntable with an equiangular phase angle and holds a workpiece. A plurality of chuck tables, and a plurality of processing means for processing the workpieces respectively disposed in the plurality of processing regions where the plurality of chuck tables are positioned and held by the plurality of chuck tables. In processing equipment,
On the upper surface of the turntable, a partition plate is provided that extends in a radial direction from the rotation axis of the partition where the plurality of chuck tables are disposed, and is formed higher than the height of the plurality of chuck tables.
The plurality of processing means include cover means including a wall having a lower surface facing the upper surface of the partition plate in a state where the plurality of chuck tables disposed on the turntable are positioned in each processing region. Arranged,
E Bei sealing mechanism chuck table of the plurality of disposed on the turntable seals between the lower surface of the wall of the top and the cover means of the partition plate in a state of being positioned in each processing region,
The sealing mechanism includes a groove formed along the longitudinal direction on the upper surface of the partition plate, and water supply means for supplying water to the groove, and the partition by the surface tension of water supplied to the groove. Forming a water film between the upper surface of the plate and the lower surface of the wall of the cover means, and filling a gap between the upper surface of the partition plate and the lower surface of the wall of the cover means;
A wafer processing apparatus is provided.

本発明による加工装置は、ターンテーブルに配設された複数のチャックテーブルが各加工領域に位置付けられた状態で仕切り板の上面とカバー手段の壁の下面との間をシールするシール機構を備え、該シール機構は、仕切り板の上面に長手方向に沿って形成された溝と、該溝に水を供給する水供給手段とを具備し、溝に供給された水の表面張力によって仕切り板の上面とカバー手段の壁の下面との間に水膜を形成し、仕切り板の上面と該カバー手段の該壁の下面との隙間を埋めるので、各加工手段による加工の際に発生する飛沫が隣接する加工領域に侵入することが防止される。 Machining apparatus according to the present invention, Bei example a sealing mechanism where a plurality of chuck table disposed on the turntable to seal between the lower surface of the wall of the top and cover means of the partition plate in a state of being positioned in each processing region The sealing mechanism includes a groove formed along the longitudinal direction on the upper surface of the partition plate, and water supply means for supplying water to the groove, and the partition plate has a surface tension caused by the surface tension of the water supplied to the groove. Since a water film is formed between the upper surface and the lower surface of the wall of the cover means, and the gap between the upper surface of the partition plate and the lower surface of the wall of the cover means is filled , splashes generated during processing by each processing means Intrusion into the adjacent processing area is prevented.

本発明に従って構成された加工装置の斜視図。The perspective view of the processing apparatus comprised according to this invention. 図1に示す加工装置に装備される研磨手段の斜視図。The perspective view of the grinding | polishing means with which the processing apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図1に示す加工装置に装備されるターンテーブルに配設された複数のチャックテーブルが各加工領域に位置付けられた状態で仕切り板とカバー手段の壁との間をシールするシール機構の第1の実施形態を示す断面図。A first seal mechanism for sealing between the partition plate and the wall of the cover means in a state where a plurality of chuck tables disposed on the turntable provided in the processing apparatus shown in FIG. 1 are positioned in each processing region. Sectional drawing which shows embodiment. 図1に示す加工装置に装備されるターンテーブルに配設された複数のチャックテーブルが各加工領域に位置付けられた状態で仕切り板とカバー手段の壁との間をシールするシール機構の第2の実施形態を示す断面図。A second seal mechanism that seals between the partition plate and the wall of the cover means in a state where a plurality of chuck tables disposed on the turntable provided in the processing apparatus shown in FIG. 1 is positioned in each processing region. Sectional drawing which shows embodiment. 図1に示す加工装置に装備されるターンテーブルに配設された複数のチャックテーブルが各加工領域に位置付けられた状態で仕切り板とカバー手段の壁との間をシールするシール機構の第3の実施形態を示す断面図。A third seal mechanism that seals between the partition plate and the wall of the cover means in a state where a plurality of chuck tables disposed on the turntable provided in the processing apparatus shown in FIG. 1 is positioned in each processing region. Sectional drawing which shows embodiment.

以下、本発明に従って構成された加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of a processing apparatus configured according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1には本発明に従って構成された加工装置の斜視図が示されている。
図1に示す加工装置は、全体を番号2で示す装置ハウジングを具備している。この装置ハウジング2は、細長く延在する直方体形状の主部21と、該主部21の後端部(図1において右上部)に設けられ実質的に上下方向に延びる直立壁22とを有している。このように形成された装置ハウジング2は、後述する被加工物であるウエーハを搬入・搬出する搬入・搬出領域2aと粗研削領域2bと仕上げ研削領域2cおよび研磨領域2dを備えている。
FIG. 1 shows a perspective view of a processing apparatus constructed in accordance with the present invention.
The processing apparatus shown in FIG. 1 is provided with an apparatus housing generally indicated by numeral 2. This device housing 2 has a rectangular parallelepiped main portion 21 that extends elongated and an upright wall 22 that is provided at the rear end portion (upper right portion in FIG. 1) of the main portion 21 and extends substantially in the vertical direction. ing. The apparatus housing 2 formed in this way includes a carry-in / carry-out area 2a for carrying in / out a wafer, which will be described later, a rough grinding area 2b, a finish grinding area 2c, and a polishing area 2d.

上記装置ハウジング2の主部21にはターンテーブル3が回転可能に配設されており、このターンテーブル3は図示しないテーブル回動手段によって上記搬入・搬出領域2aと粗研削領域2bと仕上げ研削領域2cおよび研磨領域2dに沿って矢印Aで示す方向に回転せしめられる。このターンテーブル3には、4個のチャックテーブル4a、4b、4c、4dが配設されている。この4個のチャックテーブル4a、4b、4c、4dは図示の実施形態においてはそれぞれ90度の等角度の位相角をもって配設されている。このチャックテーブル4a、4b、4c、4dは、それぞれ円盤状の基台と該基台の上面に配設されたポーラスセラミック材からなる吸着保持チャックとからなっており、吸着保持チャックの上面(保持面)に載置された被加工物を図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持する。このように構成されたチャックテーブル4a、4b、4c、4dは、それぞれ図示しない回転駆動機構によって回転せしめられる。   A turntable 3 is rotatably disposed in the main portion 21 of the apparatus housing 2, and the turntable 3 is loaded and unloaded area 2a, rough grinding area 2b, and finish grinding area by a table rotating means (not shown). It is rotated in the direction indicated by arrow A along 2c and polishing region 2d. The turntable 3 is provided with four chuck tables 4a, 4b, 4c, and 4d. The four chuck tables 4a, 4b, 4c, and 4d are arranged with an equiangular phase angle of 90 degrees in the illustrated embodiment. Each of the chuck tables 4a, 4b, 4c, and 4d includes a disk-shaped base and a suction holding chuck made of a porous ceramic material disposed on the top surface of the base. The workpiece placed on the surface is sucked and held by operating a suction means (not shown). The chuck tables 4a, 4b, 4c, and 4d configured as described above are rotated by a rotation driving mechanism (not shown).

上記ターンテーブル3の上面には上記4個のチャックテーブル4a、4b、4c、4dが配設された領域を仕切る仕切り板36、36、36、36が配設されている。この仕切り板36、36、36、36は、ターンテーブル3の回転軸心から半径方向に延在して配設され、その高さはチャックテーブル4a、4b、4c、4dの高さより高く形成されている。なお、仕切り板36、36、36、36は、上記粗研削領域2bおおび仕上げ研削領域2cとからなる研削領域に配設される後述する研削室カバー手段によって形成される研削室、および上記研磨領域2dに配設される後述する研磨室カバー手段によって形成される研磨室にそれぞれ位置付けられたチャックテーブルを仕切る機能を有している。   On the upper surface of the turntable 3, partition plates 36, 36, 36, 36 for partitioning an area where the four chuck tables 4a, 4b, 4c, 4d are disposed are disposed. The partition plates 36, 36, 36, 36 are arranged to extend in the radial direction from the rotational axis of the turntable 3, and the height thereof is higher than the height of the chuck tables 4 a, 4 b, 4 c, 4 d. ing. The partition plates 36, 36, 36, and 36 are a grinding chamber formed by a grinding chamber cover means, which will be described later, disposed in the grinding region including the rough grinding region 2 b and the finish grinding region 2 c, and the polishing It has a function of partitioning chuck tables respectively positioned in polishing chambers formed by polishing chamber cover means (to be described later) disposed in the region 2d.

上記粗研削領域2bには、粗研削手段としての粗研削ユニット5が配設されている。粗研削ユニット5は、ユニットハウジング51と、該ユニットハウジング51の下端に回転自在に装着された粗研削ホイール52と、該ユニットハウジング51の上端に装着され粗研削ホイール52を所定の方向に回転せしめるサーボモータ53と、ユニットハウジング51を装着した移動基台54とを具備している。移動基台54には被案内レール55、55が設けられており、この被案内レール55、55を上記直立壁22に設けられた案内レール22a、22aに移動可能に嵌合することにより、粗研削ユニット5が上下方向即ちチャックテーブル4a、4b、4c、4dの保持面に垂直な方向に移動可能に支持される。図示の形態における粗研削ユニット5は、上記移動基台54を案内レール22a、22aに沿って移動させる研削送り手段56を具備している。研削送り手段56は、上記直立壁22に設けられた案内レール22a、22aと平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ネジロッド57と、該雄ネジロッド57を回転駆動するためのパルスモータ58と、上記移動基台54に装着され雄ネジロッド57と螺合する図示しない雌ネジブロックを具備しており、パルスモータ58によって雄ネジロッド57を正転および逆転駆動することにより、粗研削ユニット5を上下方向に移動せしめる。   A rough grinding unit 5 as a rough grinding means is disposed in the rough grinding region 2b. The rough grinding unit 5 includes a unit housing 51, a rough grinding wheel 52 rotatably attached to the lower end of the unit housing 51, and a rough grinding wheel 52 attached to the upper end of the unit housing 51 to rotate in a predetermined direction. A servo motor 53 and a moving base 54 on which the unit housing 51 is mounted are provided. Guided rails 55, 55 are provided on the moving base 54, and the guided rails 55, 55 are movably fitted to the guide rails 22 a, 22 a provided on the upright wall 22, so that rough movement is achieved. The grinding unit 5 is supported so as to be movable in the vertical direction, that is, in a direction perpendicular to the holding surfaces of the chuck tables 4a, 4b, 4c, and 4d. The rough grinding unit 5 in the illustrated form includes grinding feed means 56 that moves the moving base 54 along the guide rails 22a and 22a. The grinding feed means 56 includes a male screw rod 57 disposed in the vertical direction in parallel with the guide rails 22a, 22a provided on the upright wall 22 and rotatably supported, and a pulse for rotationally driving the male screw rod 57. A rough grinding unit includes a motor 58 and a female screw block (not shown) that is mounted on the moving base 54 and is screwed with the male screw rod 57. The pulse motor 58 drives the male screw rod 57 to rotate forward and backward. Move 5 up and down.

上記仕上げ研削領域2cには、仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット50が配設されている。仕上げ研削ユニット50は、仕上げ用の研削ホイール520が上記粗研削ユニット5の粗研削ホイール52と相違する以外は粗研削ユニット5と実質的に同様の構成であり、従って粗研削ユニット5の構成部材と同一部材には同一符号を付して、その説明は省略する。   A finish grinding unit 50 as finish grinding means is disposed in the finish grinding region 2c. The finish grinding unit 50 has substantially the same configuration as that of the rough grinding unit 5 except that the finish grinding wheel 520 is different from the rough grinding wheel 52 of the rough grinding unit 5. The same members are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

図示の実施形態における加工装置は、上記粗研削領域2bに配置された粗研削ユニット5および仕上げ研削領域2cに配置された仕上げ研削ユニット50に配設され加工室としての研削室を形成する研削室カバー手段6を備えている。このカバー手段6は、全体として箱形状のカバー部材60を備えており、このカバー部材60は上壁61、前壁62および両側壁63、63を有している。また、カバー部材60を構成する上壁61の下面には、仕切り壁64が設けられている。カバー部材60の両側壁63、63は上下方向中間に下方を向いた肩面63a、63aを有し、両側壁63、63の下半部は装置ハウジング2の側壁24、24の側面に密接せしめられ、肩面63a、63aが装置ハウジング2の側壁24、24の上面に載置せしめられる。カバー部材60の上壁61には、粗研削ホイール52および仕上げ用の研削ホイール520の挿通を許容するための円形開口65aおよび66aが形成されており、この円形開口65aおよび66aの周縁から上方に延びる円筒部材65および66が設けられている。なお、円筒部材65および66とユニットハウジング51、51との間には、伸縮可能なゴム製の円筒状の蛇腹部材を配設し、該蛇腹部材の両端を円筒部材65および66とユニットハウジング51、51にそれぞれ装着することが望ましい。円筒部材65および66の略半分と上壁61の一部は上壁61と分割して形成され、それぞれ外側辺を中心として開閉可能な保守点検用の扉67および68を構成している。   The processing apparatus in the illustrated embodiment is a grinding chamber that is disposed in the rough grinding unit 5 disposed in the rough grinding region 2b and the finish grinding unit 50 disposed in the finish grinding region 2c and forms a grinding chamber as a processing chamber. Cover means 6 is provided. The cover means 6 includes a box-shaped cover member 60 as a whole. The cover member 60 has an upper wall 61, a front wall 62, and both side walls 63, 63. A partition wall 64 is provided on the lower surface of the upper wall 61 constituting the cover member 60. Both side walls 63, 63 of the cover member 60 have shoulder surfaces 63a, 63a facing downward in the middle in the vertical direction, and the lower half portions of the side walls 63, 63 are in close contact with the side surfaces 24, 24 of the apparatus housing 2. The shoulder surfaces 63a and 63a are placed on the upper surfaces of the side walls 24 and 24 of the apparatus housing 2. On the upper wall 61 of the cover member 60, circular openings 65a and 66a for allowing the rough grinding wheel 52 and the finishing grinding wheel 520 to be inserted are formed, and upward from the peripheral edges of the circular openings 65a and 66a. Extending cylindrical members 65 and 66 are provided. A rubber bellows member made of rubber that can be expanded and contracted is disposed between the cylindrical members 65 and 66 and the unit housings 51 and 51, and both ends of the bellows member are connected to the cylindrical members 65 and 66 and the unit housing 51. , 51 are preferably mounted respectively. Almost half of the cylindrical members 65 and 66 and a part of the upper wall 61 are formed separately from the upper wall 61, and constitute maintenance inspection doors 67 and 68 that can be opened and closed around the outer sides, respectively.

上記研磨領域2dには、研磨手段7が配設されている(図1には2点差線で一部の輪郭が示されている)。この研磨手段7について、図2を参照して説明する。図2に示す研磨手段7はケミカルメカニカルポリッシング(CMP)手段からなっており、研磨工具71を着脱可能に装着するマウンター72と、該マウンター72を回転せしめるスピンドルユニット73と、該スピンドルユニット73を上記チャックテーブル4a、4b、4c、4dの保持面に対して垂直な方向(Z軸方向)およびスピンドルユニット73を該チャックテーブルの保持面に対して平行な方向(Y軸方向)に移動可能に支持するスピンドルユニット支持手段74と、スピンドルユニット73をチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向(Z軸方向)に移動せしめる第1の研磨送り手段75と、スピンドルユニット73をチャックテーブルの該保持面に対して平行な方向(Y軸方向)に移動せしめる第2の研磨送り手段76とを具備している。スピンドルユニット73は、上記マウンター72を回転駆動するためのサーボモータ731を備えている。   A polishing means 7 is disposed in the polishing region 2d (a part of the outline is shown by a two-dotted line in FIG. 1). The polishing means 7 will be described with reference to FIG. The polishing means 7 shown in FIG. 2 comprises chemical mechanical polishing (CMP) means, a mounter 72 for detachably mounting the polishing tool 71, a spindle unit 73 for rotating the mounter 72, and the spindle unit 73 as described above. The chuck table 4a, 4b, 4c, 4d is supported so as to be movable in the direction perpendicular to the holding surface of the chuck table 4a, 4c, 4d (Z-axis direction) and in the direction parallel to the holding surface of the chuck table (Y-axis direction). Spindle unit supporting means 74 for rotating, first polishing feed means 75 for moving the spindle unit 73 in a direction perpendicular to the holding surface of the chuck table (Z-axis direction), and the spindle unit 73 for the holding surface of the chuck table. Second polishing feed means 76 for moving in a direction parallel to the direction (Y-axis direction); It is provided. The spindle unit 73 includes a servo motor 731 for rotating the mounter 72.

スピンドルユニット支持手段74は、図示の実施形態においては支持基台741と第1の移動基台742および第2の移動基台743とからなっている。支持基台741の一側面には、上記チャックテーブル4a、4b、4c、4dの保持面に対して平行な矢印Yで示す方向に延びる第1の案内レール741a、741aが設けられている。上記第1の移動基台742の一側面には上記支持基台741に設けられた第1の案内レール741a、741aと嵌合する第1の被案内レール742b、742bが設けられており、第1の移動基台742の他側面に上記チャックテーブル4a、4b、4c、4dの保持面に対して垂直な矢印Zで示す方向に延びる第2の案内レール742a、742aが設けられている。このように構成された第1の移動基台742は、第1の被案内レール742b、742bを上記支持基台741に設けられた第1の案内レール741a、741aと嵌合することにより、支持基台741は案内レール741a、741aに沿って移動可能に支持される。   In the illustrated embodiment, the spindle unit support means 74 includes a support base 741, a first moving base 742, and a second moving base 743. On one side surface of the support base 741, first guide rails 741a and 741a extending in a direction indicated by an arrow Y parallel to the holding surfaces of the chuck tables 4a, 4b, 4c, and 4d are provided. On one side surface of the first moving base 742, there are provided first guided rails 742b and 742b that fit with the first guide rails 741a and 741a provided on the support base 741. Second guide rails 742a and 742a extending in a direction indicated by an arrow Z perpendicular to the holding surfaces of the chuck tables 4a, 4b, 4c, and 4d are provided on the other side surface of one moving base 742. The first moving base 742 configured in this manner is supported by fitting the first guided rails 742b and 742b with the first guide rails 741a and 741a provided on the support base 741. The base 741 is supported so as to be movable along the guide rails 741a and 741a.

上記第2の移動基台743の一側面には上記第1の移動基台742に設けられた第2の案内レール742a、742aと嵌合する第2の被案内レール743b、743bが設けられており、この第2の被案内レール743b、743bを第1の移動基台742に設けられた第2の案内レール742a、742aと嵌合することにより、第2の移動基台743は第1の移動基台742に第2の案内レール742a、742aに沿って移動可能に支持される。このように構成された第2の移動基台743の他側面側に上記スピンドルユニット73が装着される。   On one side surface of the second moving base 743, second guided rails 743b and 743b which are fitted to the second guide rails 742a and 742a provided on the first moving base 742 are provided. By fitting the second guided rails 743b and 743b with the second guide rails 742a and 742a provided on the first moving base 742, the second moving base 743 The movable base 742 is supported so as to be movable along the second guide rails 742a and 742a. The spindle unit 73 is mounted on the other side surface of the second moving base 743 configured as described above.

上記第1の研磨送り手段75は、上記研削送り手段56と同様の構成をしている。即ち、第1の研磨送り手段75は、パルスモータ751と、上記第2の案内レール742a、742a間に第2の案内レール742a、742aと平行に配設されパルスモータ751によって回転駆動される雄ネジロッド(図示せず)と、第2の移動基台743に装着され雄ネジロッドと螺合する図示しない雌ネジブロックを具備しており、パルスモータ751によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、第2の移動基台743即ちスピンドルユニット73を上記チャックテーブル4a、4b、4c、4dの保持面に対して垂直な矢印Zで示す方向に移動せしめる。また、上記第2の研磨送り手段76は、パルスモータ761と、上記第1の案内レール741a、741a間に第1の案内レール741a、741aと平行に配設されパルスモータ761によって回転駆動される雄ネジロッド(図示せず)と、第1の移動基台742に装着され雄ネジロッドと螺合する図示しない雌ネジブロックを具備しており、パルスモータ761によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、第1の移動基台742即ち第2の移動基台743およびスピンドルユニット73を上記チャックテーブル4a、4b、4c、4dの保持面に対して平行な矢印Yで示す方向に移動せしめる。   The first polishing feed means 75 has the same configuration as the grinding feed means 56. That is, the first polishing feed means 75 is a male motor which is disposed between the pulse motor 751 and the second guide rails 742a and 742a in parallel with the second guide rails 742a and 742a and is driven to rotate by the pulse motor 751. A screw rod (not shown) and a female screw block (not shown) mounted on the second moving base 743 and screwed with the male screw rod are provided, and a male screw rod (not shown) is driven forward and reverse by a pulse motor 751. Thus, the second moving base 743, that is, the spindle unit 73 is moved in the direction indicated by the arrow Z perpendicular to the holding surfaces of the chuck tables 4a, 4b, 4c, and 4d. The second polishing feed means 76 is disposed between the pulse motor 761 and the first guide rails 741a and 741a in parallel with the first guide rails 741a and 741a, and is driven to rotate by the pulse motor 761. A male screw rod (not shown) and a female screw block (not shown) mounted on the first moving base 742 and screwed with the male screw rod are provided, and the male screw rod (not shown) is driven to rotate forward and backward by a pulse motor 761. As a result, the first moving base 742, that is, the second moving base 743 and the spindle unit 73 are moved in the direction indicated by the arrow Y parallel to the holding surfaces of the chuck tables 4a, 4b, 4c and 4d. .

図2を参照して説明を続けると、図示の実施形態における加工装置は、研磨領域2d(図1参照)に配置された研磨手段7に配設され加工室としての研磨室を形成する研磨室カバー手段8を具備している。この研磨室カバー手段8は、全体として箱形状に形成され下方が開放されたカバー部材81を備えており、このカバー部材81は上壁811と側壁812、813、814、815を有している。カバー部材81の上壁811には楕円形の穴816が設けられている。この穴816は、矢印Y方向に長い楕円形に形成されており、上記研磨工具71が挿通可能になっている。図示の実施形態におけるカバー手段8は、カバー部材81と上記スピンドルユニット73とを接続するブーツ82を具備している。ブーツ82はゴム等の可撓性の材料によって蛇腹状に形成されており、その下端部がカバー部材81の楕円形の穴816の周縁に装着され、その上端部がスピンドルユニット73に装着されている。このように構成されたブーツ82は、研磨室内で発生する研磨液の飛散を防止するとともに、スピンドルユニット73即ち研磨工具71の矢印Y方向およびZ方向の移動を許容する。なお、カバー部材81の上壁811には排出口817が設けられており、この排出口817は集塵ダクト83を介して図示しない集塵手段に接続されている。このように構成された研磨室カバー手段8は、カバー部材81が図1において2点差線で一部が示されているように研磨領域2dにおけるターンテーブル3の上側に配置される。   Continuing the description with reference to FIG. 2, the processing apparatus in the illustrated embodiment is a polishing chamber disposed in the polishing means 7 disposed in the polishing region 2 d (see FIG. 1) to form a polishing chamber as a processing chamber. Cover means 8 is provided. The polishing chamber cover means 8 includes a cover member 81 which is formed in a box shape as a whole and is opened at the bottom, and the cover member 81 has an upper wall 811 and side walls 812, 813, 814 and 815. . An elliptical hole 816 is provided in the upper wall 811 of the cover member 81. The hole 816 is formed in an elliptical shape that is long in the direction of the arrow Y, and the polishing tool 71 can be inserted therethrough. The cover means 8 in the illustrated embodiment includes a boot 82 that connects the cover member 81 and the spindle unit 73. The boot 82 is formed in a bellows shape by a flexible material such as rubber, and its lower end is attached to the periphery of the elliptical hole 816 of the cover member 81, and its upper end is attached to the spindle unit 73. Yes. The boot 82 configured in this manner prevents the polishing liquid from scattering in the polishing chamber and allows the spindle unit 73, that is, the polishing tool 71, to move in the arrow Y direction and the Z direction. A discharge port 817 is provided in the upper wall 811 of the cover member 81, and the discharge port 817 is connected to dust collection means (not shown) via a dust collection duct 83. The polishing chamber cover means 8 configured as described above is arranged on the upper side of the turntable 3 in the polishing region 2d so that the cover member 81 is partially shown by a two-dot chain line in FIG.

図示の実施形態における加工装置は、ターンテーブル3に配設された該複数のチャックテーブル4a、4b、4c、4dがそれぞれ粗研削領域2b、仕上げ研削領域2c、研磨領域2dに位置付けられた状態で隣接する領域への加工液の侵入を防止するためのシール機構を備えている。このシール機構について、図3乃至図5を参照して説明する。   In the processing apparatus in the illustrated embodiment, the plurality of chuck tables 4a, 4b, 4c, and 4d disposed on the turntable 3 are positioned in the rough grinding region 2b, the finish grinding region 2c, and the polishing region 2d, respectively. A sealing mechanism is provided for preventing the machining liquid from entering the adjacent area. This sealing mechanism will be described with reference to FIGS.

図3には、ターンテーブル3に設けられた仕切り板36、36、36、36と研削室カバー手段6および研磨室カバー手段8との間に構成するシール機構の第1の実施形態が示されている。図3に示す実施形態におけるシール機構9aは、仕切り板36の上面に長手方向に形成された溝91と、該溝91に連通する連通路92と、該連通路92に連通された水供給手段93とからなっている。このように構成されたシール機構9aは、水供給手段93を作動して水を連通路92を通して仕切り板36の上面に長手方向に形成された溝91に供給する。この結果、仕切り板36の上面と研削室カバー手段6のカバー部材60を構成する前壁62および仕切り壁64の下面との隙間、および仕切り板36の上面と研磨室カバー手段8のカバー部材81を構成する側壁815の下面との隙間は数mmと狭いので、溝91に供給された水の表面張力により仕切り板36の上面とカバー部材60の前壁62および仕切り壁64の下面との間と、仕切り板36の上面とカバー部材81の下面との間にはそれぞれ水膜90が形成され、この水膜90が上記隙間を埋めてシールとして機能する。従って、研削室カバー手段6によって形成された研削室から研削加工の際に発生する飛沫および研磨室カバー手段8によって形成された研磨室から研磨加工の際に発生する飛沫が隣接する加工領域に侵入することが防止される。   FIG. 3 shows a first embodiment of a seal mechanism configured between the partition plates 36, 36, 36, 36 provided on the turntable 3 and the grinding chamber cover means 6 and the polishing chamber cover means 8. ing. 3 includes a groove 91 formed in the longitudinal direction on the upper surface of the partition plate 36, a communication passage 92 communicating with the groove 91, and a water supply means communicating with the communication passage 92. 93. The sealing mechanism 9 a configured as described above operates the water supply means 93 to supply water to the groove 91 formed in the longitudinal direction on the upper surface of the partition plate 36 through the communication path 92. As a result, the gap between the upper surface of the partition plate 36 and the lower surface of the front wall 62 and the partition wall 64 constituting the cover member 60 of the grinding chamber cover means 6, and the cover member 81 of the upper surface of the partition plate 36 and the polishing chamber cover means 8. Since the gap with the lower surface of the side wall 815 constituting the wall is as narrow as several millimeters, the space between the upper surface of the partition plate 36 and the front wall 62 of the cover member 60 and the lower surfaces of the partition wall 64 is reduced by the surface tension of the water supplied to the groove 91. A water film 90 is formed between the upper surface of the partition plate 36 and the lower surface of the cover member 81, and this water film 90 fills the gap and functions as a seal. Accordingly, splashes generated during the grinding process from the grinding chamber formed by the grinding chamber cover means 6 and splashes generated during the polishing process from the polishing chamber formed by the polishing chamber cover means 8 enter the adjacent processing region. Is prevented.

次に、ターンテーブル3に設けられた仕切り板36、36、36、36と研削室カバー手段6および研磨室カバー手段8との間に構成するシール機構の第2の実施形態について、図4を参照して説明する。
図4に示す実施形態におけるシール機構9bは、研削室カバー手段6のカバー部材60を構成する前壁62および仕切り壁64と、研磨室カバー手段8のカバー部材81を構成する側壁815に下面に開口する連通路94を設け、この連通路94を水供給手段93に連通し、該連通路94から仕切り板36の上面に長手方向に形成された溝91に水を供給することにより、仕切り板36の上面と研削室カバー手段6のカバー部材60を構成する前壁62および仕切り壁64の下面との隙間、および仕切り板36の上面と研磨室カバー手段8のカバー部材81を構成する側壁815の下面との隙間は数mmと狭いので、溝91に供給された水の表面張力により仕切り板36の上面とカバー部材60の前壁62および仕切り壁64の下面との間と、仕切り板36の上面とカバー部材81の下面との間にはそれぞれ水膜90が形成され、この水膜90が上記隙間を埋めてシールとして機能する。
なお、シール機構としては、図3に示すシール機構9aに図4に示すシール機構9bを組み合わせて実施することにより、よりシール効果が得られる。
Next, FIG. 4 shows a second embodiment of the seal mechanism configured between the partition plates 36, 36, 36, 36 provided on the turntable 3 and the grinding chamber cover means 6 and the polishing chamber cover means 8. The description will be given with reference.
The seal mechanism 9b in the embodiment shown in FIG. 4 has a front wall 62 and a partition wall 64 constituting the cover member 60 of the grinding chamber cover means 6 and a side wall 815 constituting the cover member 81 of the polishing chamber cover means 8 on the lower surface. An open communication path 94 is provided, the communication path 94 is connected to the water supply means 93, and water is supplied from the communication path 94 to a groove 91 formed in the longitudinal direction on the upper surface of the partition plate 36, whereby the partition plate The gap between the upper surface of 36 and the lower surface of the front wall 62 and the partition wall 64 constituting the cover member 60 of the grinding chamber cover means 6, and the side wall 815 constituting the cover member 81 of the partition plate 36 and the polishing chamber cover means 8. Since the gap between the lower surface of the partition plate 36 and the lower surface of the partition wall 64 is reduced by the surface tension of the water supplied to the groove 91, Between the upper and lower surfaces of the cover member 81 of Riita 36 each water film 90 is formed, the water film 90 functions as a seal filling the gap.
As the sealing mechanism, a sealing effect can be further obtained by combining the sealing mechanism 9a shown in FIG. 3 with the sealing mechanism 9b shown in FIG.

次に、ターンテーブル3に設けられた仕切り板36、36、36、36と研削室カバー手段6および研磨室カバー手段8との間に構成するシール機構の第3の実施形態について、図5の(a)および(b)を参照して説明する。
図5の(a)および(b)に示す実施形態におけるシール機構9cは、仕切り板36の上端に長手方向に沿って装着されゴム等の弾性材からなる断面が半円形状に湾曲して形成された第1のシール部材95と、研削室カバー手段6のカバー部材60を構成する前壁62および仕切り壁64の下端と研磨室カバー手段8のカバー部材61を構成する側壁815の下端にそれぞれ長手方向に沿って装着されゴム等の弾性材からなる断面が半円形状に湾曲して形成された第2のシール部材96とからなっている。第1のシール部材95は両端が仕切り板36の上端面に適宜の接着剤によって装着され、第2のシール部材96は両端が研削室カバー手段6のカバー部材60を構成する前壁62および仕切り壁64の下端面と研磨室カバー手段8のカバー部材81を構成する側壁815の下端面に適宜の接着剤によって装着されている。このように構成された第1のシール部材95と第2のシール部材96は、互いに湾曲した中央凸部が接触して弾性変形することにより、仕切り板36の上面と研削室カバー手段6のカバー部材60を構成する前壁62および仕切り壁64の下面との隙間、および仕切り板36の上面と研磨室カバー手段8のカバー部材81を構成する側壁815の下面との隙間を埋めて閉塞する。従って、研削室カバー手段6によって形成された研削室から研削加工の際に発生する飛沫および研磨室カバー手段8によって形成された研磨室から研磨加工の際に発生する飛沫が隣接する加工領域に侵入することが防止される。
Next, a third embodiment of the sealing mechanism formed between the partition plates 36, 36, 36, 36 provided on the turntable 3 and the grinding chamber cover means 6 and the polishing chamber cover means 8 will be described with reference to FIG. This will be described with reference to (a) and (b).
The seal mechanism 9c in the embodiment shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b) is formed by being attached to the upper end of the partition plate 36 along the longitudinal direction and having a section made of an elastic material such as rubber curved in a semicircular shape. The first seal member 95, the lower end of the front wall 62 and the partition wall 64 constituting the cover member 60 of the grinding chamber cover means 6 and the lower end of the side wall 815 constituting the cover member 61 of the polishing chamber cover means 8, respectively. The second seal member 96 is formed along the longitudinal direction and has a cross section made of an elastic material such as rubber curved in a semicircular shape. Both ends of the first seal member 95 are attached to the upper end surface of the partition plate 36 by an appropriate adhesive, and the second seal member 96 has a front wall 62 and a partition that both ends constitute the cover member 60 of the grinding chamber cover means 6. The lower end surface of the wall 64 and the lower end surface of the side wall 815 constituting the cover member 81 of the polishing chamber cover means 8 are attached with an appropriate adhesive. The first seal member 95 and the second seal member 96 configured as described above are elastically deformed by the curved central projections contacting each other, so that the upper surface of the partition plate 36 and the cover of the grinding chamber cover means 6 are covered. The gap between the front wall 62 constituting the member 60 and the lower surface of the partition wall 64 and the gap between the upper surface of the partition plate 36 and the lower surface of the side wall 815 constituting the cover member 81 of the polishing chamber cover means 8 are filled and closed. Accordingly, splashes generated during the grinding process from the grinding chamber formed by the grinding chamber cover means 6 and splashes generated during the polishing process from the polishing chamber formed by the polishing chamber cover means 8 enter the adjacent processing region. Is prevented.

図1に戻って説明を続けると、装置ハウジング2の主部21の前端部(図1において左下端部)には、第1のカセット載置部11aおよび第2のカセット載置部11bが設けられている。第1のカセット載置部11aには加工前のウエーハが収容された第1のカセット111が載置され、第2のカセット載置部11bには加工後のウエーハを収容するための第2のカセット112が載置される。また、装置ハウジング2の主部21の前部(図1において左下部)には仮置き領域12が設けられており、この仮置き領域12に上記第1のカセット111から搬出された研削前のウエーハの中心位置合わせを行う中心合わせ手段120が配設されている。仮置き領域12の後方(図1において右上方)には洗浄領域13が設けられており、この洗浄領域13に加工後のウエーハを洗浄するスピンナー洗浄手段130が配設されている。このスピンナー洗浄手段130は、上記粗研削手段としての粗研削ユニット5と仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット50によって研削加工され、研磨手段7によって研磨加工された後のウエーハを洗浄するとともに、ウエーハの洗浄面から洗浄水を遠心力によって飛散させスピンナー乾燥する。   Returning to FIG. 1 and continuing the description, a first cassette mounting portion 11a and a second cassette mounting portion 11b are provided at the front end portion (the lower left end portion in FIG. 1) of the main portion 21 of the apparatus housing 2. It has been. A first cassette 111 in which a wafer before processing is accommodated is placed on the first cassette placing portion 11a, and a second cassette for housing the processed wafer is placed on the second cassette placing portion 11b. A cassette 112 is placed. Further, a temporary placement region 12 is provided in the front portion (lower left portion in FIG. 1) of the main portion 21 of the apparatus housing 2, and the pre-grinding that has been carried out of the first cassette 111 in the temporary placement region 12 is provided. Centering means 120 for aligning the center of the wafer is provided. A cleaning region 13 is provided behind the temporary storage region 12 (upper right in FIG. 1), and a spinner cleaning means 130 for cleaning the processed wafer is disposed in the cleaning region 13. The spinner cleaning means 130 cleans the wafer after being ground by the rough grinding unit 5 as the rough grinding means and the finish grinding unit 50 as the finish grinding means, and polished by the polishing means 7. The cleaning water is scattered from the cleaning surface by centrifugal force and spinner dried.

上記第1のカセット載置部11aおよび第2のカセット載置部11bの後方にはウエーハ搬送手段14が配設されている。このウエーハ搬送手段14は、ハンド141を装着した従来周知の多軸関節ロボット142と、該多軸関節ロボット142を装置ハウジング2の幅方向に移動する移動手段143とからなっている。上記ハンド141は、180度反転(上下を反転)できるように構成されている。上記移動手段143は、装置ハウジング2の主部21に幅方向に間隔をおいて立設された支持柱143a、143aに取り付けられた案内ロッド143bと、該案内ロッド143bに移動可能に装着された移動ブロック143cと、案内ロッド143bと平行に配設され移動ブロック143cに形成されたネジ穴と螺合するネジ棒143dと、該ネジ棒143dを回転駆動する正転逆転可能なパルスモータ143eとからなっており、移動ブロック143cに上記多軸関節ロボット142が装着されている。このように構成された移動手段143は、パルスモータ143eを正転または逆転駆動しネジ棒143dを回転することにより、移動ブロック143c即ち多軸関節ロボット142を案内ロッド143bに沿って移動せしめる。以上のように構成されたウエーハ搬送手段14は、移動手段143および多軸関節ロボット142を作動することにより、上記第1のカセット111の所定位置に収容された研削前のウエーハを搬出して後述する保護膜形成手段に搬送するとともに、上記スピンナー洗浄手段130によって洗浄および乾燥された研削後のウエーハを上記第2のカセット112の所定位置に搬入する。   Wafer transfer means 14 is disposed behind the first cassette mounting portion 11a and the second cassette mounting portion 11b. The wafer transport means 14 includes a conventionally known multi-axis joint robot 142 to which a hand 141 is attached, and a moving means 143 that moves the multi-axis joint robot 142 in the width direction of the apparatus housing 2. The hand 141 is configured to be inverted 180 degrees (upside down). The moving means 143 is mounted on a guide rod 143b attached to support pillars 143a and 143a erected on the main portion 21 of the apparatus housing 2 at intervals in the width direction, and is movably mounted on the guide rod 143b. A moving block 143c, a screw rod 143d that is arranged in parallel with the guide rod 143b and is screwed into a screw hole formed in the moving block 143c, and a pulse motor 143e that can be rotated forward and reversely and that rotates the screw rod 143d. The multi-axis joint robot 142 is attached to the moving block 143c. The moving means 143 configured as described above moves the moving block 143c, that is, the multi-axis joint robot 142 along the guide rod 143b by driving the pulse motor 143e in the normal direction or the reverse direction to rotate the screw rod 143d. The wafer conveying means 14 configured as described above operates the moving means 143 and the multi-axis joint robot 142 to carry out the unground wafer accommodated in the predetermined position of the first cassette 111, which will be described later. Then, the wafer after being ground and cleaned and dried by the spinner cleaning means 130 is carried into a predetermined position of the second cassette 112.

図示の実施形態における研削装置は、上記中心合わせ手段120に搬送され中心合わせされた研削前のウエーハを上記搬入・搬出領域2aに位置付けられたチャックテーブル4(a、b、c、d)に搬送するウエーハ搬入手段15と、上記搬入・搬出領域2aに位置付けられたチャックテーブル4(a、b、c、d)に保持されている加工後のウエーハを搬出し後述する保護膜除去手段および上記スピンナー洗浄手段130に搬送するウエーハ搬出手段16を備えている。このウエーハ搬入手段15とウエーハ搬出手段16は、装置ハウジング2に取り付けられた支持柱17、17に固定され装置ハウジング2の前後方向(長手方向)に延びる案内レール18に沿って移動可能に装着されている。ウエーハ搬入手段15は、吸着パッド151と、該吸着パッド151を下端に支持する支持ロッド512と、該支持ロッド152の上端と連結し上記案内レール18に装着された移動ブロック153とからなっている。このように構成されたウエーハ搬入手段15は、移動ブロック153が図示しない移動手段によって案内レール18に沿って矢印Bで示す方向に適宜移動せしめられるとともに、支持ロッド152が図示しない移動手段によって矢印Cで示す上下方向に適宜移動せしめられるとともに矢印Hで示す方向に旋回せしめられる。   The grinding apparatus in the illustrated embodiment conveys the wafer before grinding, which is conveyed to the centering means 120 and centered, to the chuck table 4 (a, b, c, d) positioned in the carry-in / out area 2a. A wafer carrying-in means 15 to carry out, a wafer after processing held on the chuck table 4 (a, b, c, d) positioned in the carrying-in / out area 2a, and a protective film removing means to be described later and the spinner A wafer unloading means 16 for conveying to the cleaning means 130 is provided. The wafer carry-in means 15 and the wafer carry-out means 16 are fixed to support pillars 17 and 17 attached to the apparatus housing 2 and are mounted so as to be movable along guide rails 18 extending in the front-rear direction (longitudinal direction) of the apparatus housing 2. ing. The wafer carrying means 15 includes a suction pad 151, a support rod 512 that supports the suction pad 151 at the lower end, and a moving block 153 that is connected to the upper end of the support rod 152 and is attached to the guide rail 18. . In the wafer carry-in means 15 configured as described above, the moving block 153 is appropriately moved along the guide rail 18 in the direction indicated by the arrow B by the moving means (not shown), and the support rod 152 is moved by the moving means (not shown) to the arrow C. Is moved appropriately in the vertical direction indicated by, and is turned in the direction indicated by arrow H.

また、ウエーハ搬出手段16は、吸着パッド161と、該吸着パッド161を矢印Dで示す方向に移動可能に支持する案内レール162と、該案内レール162を下端に支持する支持ロッド163と、該支持ロッド163の上端と連結し上記案内レール18に装着され矢印Eで示す方向に移動する移動ブロック164とからなっている。なお、ウエーハ搬出手段16の吸着パッド161の径は、上記ウエーハ搬入手段15の吸着パッド151の径より大きく形成されている。このようにウエーハ搬出手段16の吸着パッド161の径を大きく形成するのは、研削され薄くなったウエーハは割れ易いので吸着保持面積を広くするためである。このように構成されたウエーハ搬出手段16は、移動ブロック164が図示しない移動手段によって案内レール18に沿って適宜移動せしめられ、吸着パッド621が図示しない移動手段によって矢印Dで示すように案内レール162に沿って案内レール18と直角な方向に適宜移動せしめられるとともに、支持ロッド163が図示しない移動手段によって矢印Fで示すように上下方向に適宜移動せしめられる。   The wafer carry-out means 16 includes a suction pad 161, a guide rail 162 that supports the suction pad 161 so as to be movable in the direction indicated by arrow D, a support rod 163 that supports the guide rail 162 at the lower end, and the support The moving block 164 is connected to the upper end of the rod 163 and mounted on the guide rail 18 and moves in the direction indicated by the arrow E. The diameter of the suction pad 161 of the wafer carry-out means 16 is formed larger than the diameter of the suction pad 151 of the wafer carry-in means 15. The reason why the suction pad 161 of the wafer unloading means 16 is formed to have a large diameter is to increase the suction holding area because the wafer that has been ground and thinned is easily broken. In the wafer unloading means 16 configured as described above, the moving block 164 is appropriately moved along the guide rail 18 by a moving means (not shown), and the suction pad 621 is indicated by an arrow D by the moving means (not shown). The support rod 163 is appropriately moved in the vertical direction as indicated by an arrow F by a moving means (not shown).

図示の実施形態における加工装置は、上記ウエーハ搬出手段16の吸着パッド161の保持面(下面)を洗浄するための吸着パッド洗浄手段19を備えている。この吸着パッド洗浄手段19は、回転可能な洗浄スポンジ191と該洗浄スポンジ191を水没状態で収容する洗浄プール192とから構成され、上記搬入・搬出領域2aとスピンナー洗浄手段130の間における吸着パッド161の移動経路内に配設されている。   The processing apparatus in the illustrated embodiment includes a suction pad cleaning means 19 for cleaning the holding surface (lower surface) of the suction pad 161 of the wafer carry-out means 16. The suction pad cleaning means 19 includes a rotatable cleaning sponge 191 and a cleaning pool 192 for storing the cleaning sponge 191 in a submerged state, and the suction pad 161 between the carry-in / out area 2a and the spinner cleaning means 130. It is arrange | positioned in the movement path | route.

図示の実施形態におけるウエーハの加工装置は以上のように構成されており、以下その作動について主に図1を参照して説明する。
上述した加工装置によってウエーハを加工するには、加工前のウエーハが収容された第1のカセット111を第1のカセット載置部11aに載置するとともに、加工後のウエーハを収容するための空の第2のカセット112を第2のカセット載置部11bに載置する。そして、加工開始スイッチ(図示せず)が投入されると、ウエーハ搬送手段16が作動して第1のカセット載置部11aに載置された第1のカセット111の所定位置に収容されている加工前のウエーハを搬出して中心合わせ手段120に搬送する。中心合わせ手段120は、搬送された加工前のウエーハの中心合わせを行う。次に、ウエーハ搬入手段15が作動して、中心合わせ手段120によって中心合わせされた加工前のウエーハを上記搬入・搬出領域2aに位置付けられたチャックテーブル4a上に搬送する。なお、加工開始時においては、ターンテーブル3は図1に示す原点位置に位置付けられており、ターンテーブル3に配設されたチャックテーブル4aが搬入・搬出領域2aに、チャックテーブル4bが粗研削領域2bに、チャックテーブル4cが仕上げ研削領域2cに、チャックテーブル4dが研磨領域2dにそれぞれ位置付けられている。ウエーハ搬入手段15によって搬入・搬出領域2aに位置付けられたチャックテーブル4a上に載置された加工前のウエーハは、図示しない吸引手段によってチャックテーブル4a上に吸引保持される。
The wafer processing apparatus in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described mainly with reference to FIG.
In order to process the wafer by the above-described processing apparatus, the first cassette 111 in which the wafer before processing is accommodated is placed on the first cassette mounting portion 11a, and an empty space for accommodating the wafer after processing. The second cassette 112 is placed on the second cassette placing portion 11b. When a processing start switch (not shown) is turned on, the wafer transfer means 16 is activated and stored in a predetermined position of the first cassette 111 placed on the first cassette placement portion 11a. The unprocessed wafer is unloaded and conveyed to the centering means 120. The centering means 120 performs centering of the conveyed unprocessed wafer. Next, the wafer carry-in means 15 is operated, and the unprocessed wafer centered by the centering means 120 is carried onto the chuck table 4a positioned in the carry-in / out area 2a. At the start of machining, the turntable 3 is positioned at the origin position shown in FIG. 1, the chuck table 4a disposed on the turntable 3 is in the carry-in / out area 2a, and the chuck table 4b is in the rough grinding area. 2b, the chuck table 4c is positioned in the finish grinding region 2c, and the chuck table 4d is positioned in the polishing region 2d. The unprocessed wafer placed on the chuck table 4a positioned in the loading / unloading area 2a by the wafer loading means 15 is sucked and held on the chuck table 4a by a suction means (not shown).

搬入・搬出領域2aに位置付けられたチャックテーブル4aに加工前のウエーハを吸引保持したならば、図示しないテーブル回動手段を作動して上記ターンテーブル3を図1において矢印Aで示す所定方向に図示の実施形態においては90度の角度だけ回動する。この結果、加工前のウエーハを吸引保持したチャックテーブル4aが粗研削領域2bに位置付けられ、チャックテーブル4bが仕上げ研削領域2cに、チャックテーブル4cが研磨領域2dに、チャックテーブル4dが搬入・搬出領域2aにそれぞれ位置付けられる。このようにしてチャックテーブル4a、4b、4c、4dがそれぞれの領域に位置付けられたならば、粗研削領域2bに位置付けられたチャックテーブル4aに保持されているウエーハに対して粗研削ユニット5によって粗研削加工が実施される。なお、この間に搬入・搬出領域2aに位置付けられたチャックテーブル4dに加工前のウエーハが搬送され、チャックテーブル4d上に加工前のウエーハが吸引保持される。   If the wafer before processing is sucked and held on the chuck table 4a positioned in the loading / unloading area 2a, the table rotating means (not shown) is operated to show the turntable 3 in a predetermined direction indicated by an arrow A in FIG. In this embodiment, it is rotated by an angle of 90 degrees. As a result, the chuck table 4a that sucks and holds the unprocessed wafer is positioned in the rough grinding region 2b, the chuck table 4b is in the finish grinding region 2c, the chuck table 4c is in the polishing region 2d, and the chuck table 4d is in the loading / unloading region. 2a, respectively. If the chuck tables 4a, 4b, 4c, and 4d are positioned in the respective areas in this way, the rough grinding unit 5 performs roughing on the wafer held on the chuck table 4a positioned in the rough grinding area 2b. Grinding is performed. During this time, the unprocessed wafer is conveyed to the chuck table 4d positioned in the loading / unloading area 2a, and the unprocessed wafer is sucked and held on the chuck table 4d.

次に、図示しないテーブル回動手段を作動して上記ターンテーブル3を図1において矢印Aで示す所定方向に更に90度回動する(従って、ターンテーブル3は図1に示す原点位置から180度回動する)。この結果、粗研削領域2bにおいて粗研削加工されたウエーハを保持したチャックテーブル4aが仕上げ研削領域2cに位置付けられるとともに、搬入・搬出領域2aにおいて加工前のウエーハを吸引保持したチャックテーブル4dが粗研削領域2bに位置付けられる。そして、チャックテーブル4bが研磨領域2dに、チャックテーブル4cが搬入・搬出領域2aにそれぞれ位置付けられる。この状態で仕上げ研削領域2cに位置付けられたチャックテーブル4aに保持されている粗研削加工されたウエーハに対して仕上げ研削ユニット50によって仕上げ研削加工が施されるとともに、粗研削領域2bに位置付けられたチャックテーブル4dに保持されているウエーハに対して粗研削ユニット5によって粗研削加工が実施される。なお、この間に搬入・搬出領域2aに位置付けられたチャックテーブル4cに加工前のウエーハが搬送され、チャックテーブル4c上に加工前のウエーハが吸引保持される。   Next, a table rotating means (not shown) is operated to rotate the turntable 3 further 90 degrees in a predetermined direction indicated by an arrow A in FIG. 1 (therefore, the turntable 3 is 180 degrees from the origin position shown in FIG. 1). Rotate). As a result, the chuck table 4a holding the roughly ground wafer in the rough grinding region 2b is positioned in the finish grinding region 2c, and the chuck table 4d holding the wafer before processing in the carry-in / out region 2a is rough ground. Positioned in region 2b. The chuck table 4b is positioned in the polishing area 2d, and the chuck table 4c is positioned in the loading / unloading area 2a. In this state, the finish grinding unit 50 performs finish grinding on the roughly ground wafer held on the chuck table 4a positioned in the finish grinding region 2c, and is positioned in the rough grinding region 2b. Rough grinding is performed by the rough grinding unit 5 on the wafer held on the chuck table 4d. During this time, the unprocessed wafer is conveyed to the chuck table 4c positioned in the loading / unloading area 2a, and the unprocessed wafer is sucked and held on the chuck table 4c.

次に、図示しないテーブル回動手段を作動して上記ターンテーブル3を図1において矢印Aで示す所定方向に更に90度回動する(従って、ターンテーブル3は図1に示す原点位置から270度回動する)。この結果、仕上げ研削領域2cにおいて仕上げ研削加工されたウエーハを保持したチャックテーブル4aが研磨領域2dに位置付けられ、粗研削領域2bにおいて粗研削加工されたウエーハを保持したチャックテーブル4dが仕上げ研削領域2cに位置付けられるとともに、搬入・搬出領域2aにおいて加工前のウエーハを吸引保持したチャックテーブル4cが粗研削領域2bに位置付けられる。そして、チャックテーブル4bが搬入・搬出領域2aに位置付けられる。上述したようにターンテーブル3が回動し仕上げ研削領域2cに位置付けられたチャックテーブル4dに保持されている粗研削加工されたウエーハに対しては仕上げ研削ユニット50によって仕上げ研削加工が施されるとともに、粗研削領域2bに位置付けられたチャックテーブル4cに保持されているウエーハに対しては粗研削ユニット5によって粗研削加工が実施される。   Next, a table rotating means (not shown) is operated to further rotate the turntable 3 by 90 degrees in a predetermined direction indicated by an arrow A in FIG. 1 (therefore, the turntable 3 is 270 degrees from the origin position shown in FIG. 1). Rotate). As a result, the chuck table 4a holding the wafer subjected to finish grinding in the finish grinding region 2c is positioned in the polishing region 2d, and the chuck table 4d holding the wafer subjected to rough grinding in the rough grinding region 2b is used in the finish grinding region 2c. In addition, the chuck table 4c that sucks and holds the unprocessed wafer in the loading / unloading area 2a is positioned in the rough grinding area 2b. Then, the chuck table 4b is positioned in the loading / unloading area 2a. As described above, the finish grinding unit 50 performs finish grinding on the roughly ground wafer held on the chuck table 4d positioned in the finish grinding region 2c by turning the turntable 3. The rough grinding unit 5 performs rough grinding on the wafer held by the chuck table 4c positioned in the rough grinding region 2b.

また、研磨領域2dに位置付けられたチャックテーブル4aに保持されている仕上げ研削加工されたウエーハに対しては、研磨手段7によって研磨加工が施される。一方、この間に搬入・搬出領域2aに位置付けられたチャックテーブル4bには加工前のウエーハが搬送され、チャックテーブル4b上に加工前のウエーハが吸引保持される。   Further, the polishing process is performed by the polishing means 7 on the wafer that has been subjected to finish grinding and is held by the chuck table 4a positioned in the polishing region 2d. On the other hand, the wafer before processing is conveyed to the chuck table 4b positioned in the carry-in / out region 2a during this time, and the wafer before processing is sucked and held on the chuck table 4b.

上述したようにウエーハを吸引保持した各チャックテーブル4がそれぞれ粗研削領域2bと仕上げ研削領域2cと研磨領域2dに位置付けられると、ターンテーブル3に設けられた仕切り板36、36、36、36と研削室カバー手段6および研磨室カバー手段8との間にはシール機構9aまたはシール機構9bまたはシール機構9cが形成されるので、研削室カバー手段6によって形成された研削室から研削加工の際に発生する飛沫および研磨室カバー手段8によって形成された研磨室から研磨加工の際に発生する飛沫が隣接する加工領域に侵入することが防止される。   As described above, when each chuck table 4 that sucks and holds the wafer is positioned in the rough grinding region 2b, the finish grinding region 2c, and the polishing region 2d, the partition plates 36, 36, 36, 36 provided on the turntable 3 Since the seal mechanism 9a, the seal mechanism 9b, or the seal mechanism 9c is formed between the grinding chamber cover means 6 and the polishing chamber cover means 8, the grinding chamber formed by the grinding chamber cover means 6 is subjected to grinding. The generated splashes and the splashes generated during the polishing process from the polishing chamber formed by the polishing chamber cover means 8 are prevented from entering the adjacent processing region.

次に、図示しないテーブル回動手段を作動して上記ターンテーブル3を図1において矢印Aで示す方向に更に90度回動する(従って、ターンテーブル3は図1に示す原点位置から360度回動する)。この結果、研磨領域2dにおいて研磨加工が施され研削歪が除去されたウエーハを保持したチャックテーブル4aが搬入・搬出領域2aに位置付けられ、仕上げ研削領域2cにおいて仕上げ研削加工されたウエーハを保持したチャックテーブル4dが研磨領域2dに位置付けられ、粗研削領域2bにおいて粗研削加工されたウエーハを保持したチャックテーブル4cが仕上げ研削領域2cに位置付けられるとともに、搬入・搬出領域2aにおいて加工前のウエーハを吸引保持したチャックテーブル4bが粗研削領域2bに位置付けられる。   Next, the turntable 3 (not shown) is operated to turn the turntable 3 further 90 degrees in the direction indicated by the arrow A in FIG. 1 (therefore, the turntable 3 is rotated 360 degrees from the origin position shown in FIG. 1). Move). As a result, the chuck table 4a holding the wafer that has been polished in the polishing region 2d and from which the grinding distortion has been removed is positioned in the carry-in / out region 2a, and the chuck that holds the wafer that has been subjected to finish grinding in the finish grinding region 2c. The table 4d is positioned in the polishing region 2d, and the chuck table 4c holding the wafer subjected to rough grinding in the rough grinding region 2b is positioned in the finish grinding region 2c, and the wafer before processing is sucked and held in the loading / unloading region 2a. The chuck table 4b is positioned in the rough grinding region 2b.

搬入・搬出領域2aに位置付けられたチャックテーブル4aは、ウエーハの吸着保持を解除する。次に、上記ウエーハ搬出手段16を作動してチャックテーブル4a上のウエーハを吸着パッド161に保持してチャックテーブル4a上から搬出し、上記スピンナー洗浄手段130に搬送する。スピンナー洗浄手段130に搬送された加工後のウエーハは、ここで洗浄およびスピンナー乾燥される。このようにして洗浄および乾燥された加工後のウエーハは、上記ウエーハ搬送手段14によって上記第2のカセット112の所定位置に搬入される。   The chuck table 4a positioned in the carry-in / carry-out area 2a releases the wafer suction holding. Next, the wafer unloading means 16 is operated to hold the wafer on the chuck table 4 a on the suction pad 161, unload from the chuck table 4 a, and transport to the spinner cleaning means 130. The processed wafer conveyed to the spinner cleaning means 130 is cleaned and spinner dried here. The processed wafer thus cleaned and dried is carried into a predetermined position of the second cassette 112 by the wafer transport means 14.

なお、上記ウエーハ搬出手段16は、搬入・搬出領域2aに位置付けられたチャックテーブル上の加工後のウエーハを搬出しスピンナー洗浄手段130に搬送したならば、吸着パッド161を吸着パッド洗浄手段19の洗浄領域に位置付ける。そして、吸着パッド洗浄手段19を作動し、洗浄スポンジ191を吸着パッド161の吸着面に接触させ洗浄プール192に水没した状態で回転せしめて、吸着パッド161の吸着面を洗浄する。吸着パッド161の吸着面が洗浄されたならば、ウエーハ搬出手段16は吸着パッド161を待機位置に位置付ける。   If the wafer unloading means 16 unloads the processed wafer on the chuck table positioned in the loading / unloading area 2a and transports it to the spinner cleaning means 130, the suction pad 161 is cleaned by the suction pad cleaning means 19. Position in the area. Then, the suction pad cleaning means 19 is operated, and the cleaning sponge 191 is brought into contact with the suction surface of the suction pad 161 and rotated while being submerged in the cleaning pool 192 to clean the suction surface of the suction pad 161. When the suction surface of the suction pad 161 is cleaned, the wafer carry-out means 16 positions the suction pad 161 at the standby position.

2:装置ハウジング
2a:搬入・搬出領域
2b:粗研削領域
2c:仕上げ研削領域
2d:研磨領域
3:ターンテーブル
4a、4b、4c、4d:チャックテーブル
5:粗研削ユニット
50:仕上げ研削ユニット
51:ユニットハウジング
52:粗研削ホイール
520:仕上げ用の研削ホイール
53:サーボモータ
56:研削送り手段
6:研削室カバー手段
60:カバー部材
7:研磨手段
71:研磨工具
72:マウンター
73:スピンドルユニット
75:第1の研磨送り手段
76:第2の研磨送り手段
8:研磨室カバー手段
81:カバー部材
9a、9b、9c:シール機構
91:溝
92:連通路
93:水供給手段
94:連通路
95:第1のシール部材
96:第2のシール部材
111:第1のカセット
112:第2のカセット
120:中心合わせ手段
130:スピンナー洗浄手段
14:ウエーハ搬送手段
15:ウエーハ搬入手段
16:ウエーハ搬出手段
2: Device housing 2a: Loading / unloading area 2b: Rough grinding area 2c: Finish grinding area 2d: Polishing area 3: Turntables 4a, 4b, 4c, 4d: Chuck table 5: Rough grinding unit 50: Finish grinding unit 51: Unit housing 52: Coarse grinding wheel 520: Finishing grinding wheel 53: Servo motor 56: Grinding feed means 6: Grinding chamber cover means 60: Cover member 7: Polishing means 71: Polishing tool 72: Mounter 73: Spindle unit 75: First polishing feed means 76: Second polishing feed means 8: Polishing chamber cover means 81: Cover members 9a, 9b, 9c: Sealing mechanism 91: Groove 92: Communication path 93: Water supply means 94: Communication path 95: First seal member 96: Second seal member 111: First cassette 112: Second cassette 120: Centering means 130: Spinner cleaning means 14: Wafer conveying means 15: Wafer carrying means 16: Wafer carrying means

Claims (1)

回動可能に配設されたターンテーブルと、該ターンテーブルに等角度の位相角をもって配設され被加工物を保持する保持面を備えた複数のチャックテーブルと、該複数のチャックテーブルが位置付けられる複数の加工領域にそれぞれ配設され該複数のチャックテーブルに保持された被加工物にそれぞれ加工を施す複数の加工手段と、を具備する加工装置において、
該ターンテーブルの上面には、該複数のチャックテーブルが配設された領域を仕切り回転軸心から半径方向に延在し該複数のチャックテーブルの高さより高く形成された仕切り板が配設され、
該複数の加工手段には、それぞれ該ターンテーブルに配設された該複数のチャックテーブルが各加工領域に位置付けられた状態で該仕切り板の上面と対向する下面を有する壁を備えたカバー手段が配設されており、
該ターンテーブルに配設された該複数のチャックテーブルが各加工領域に位置付けられた状態で該仕切り板の上面と該カバー手段の該壁の下面との間をシールするシール機構を備え、
該シール機構は、該仕切り板の上面に長手方向に沿って形成された溝と、該溝に水を供給する水供給手段とを具備し、該溝に供給された水の表面張力によって該仕切り板の上面と該カバー手段の該壁の下面との間に水膜を形成し、該仕切り板の上面と該カバー手段の該壁の下面との隙間を埋める、
ことを特徴とするウエーハの加工装置。
A plurality of chuck tables each having a turntable disposed rotatably, a plurality of chuck tables each having a holding surface that holds a workpiece and is disposed on the turntable with an equiangular phase angle, and the plurality of chuck tables are positioned. In a processing apparatus comprising: a plurality of processing units that are respectively disposed in a plurality of processing regions and that respectively process the workpieces held on the plurality of chuck tables;
On the upper surface of the turntable, a partition plate is provided that extends in a radial direction from the rotation axis of the partition where the plurality of chuck tables are disposed, and is formed higher than the height of the plurality of chuck tables.
The plurality of processing means include cover means including a wall having a lower surface facing the upper surface of the partition plate in a state where the plurality of chuck tables disposed on the turntable are positioned in each processing region. Arranged,
E Bei sealing mechanism chuck table of the plurality of disposed on the turntable seals between the lower surface of the wall of the top and the cover means of the partition plate in a state of being positioned in each processing region,
The sealing mechanism includes a groove formed along the longitudinal direction on the upper surface of the partition plate, and water supply means for supplying water to the groove, and the partition by the surface tension of water supplied to the groove. Forming a water film between the upper surface of the plate and the lower surface of the wall of the cover means, and filling a gap between the upper surface of the partition plate and the lower surface of the wall of the cover means;
A wafer processing apparatus characterized by that.
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TWI860380B (en) * 2019-07-17 2024-11-01 日商東京威力科創股份有限公司 Substrate machining device, substrate processing system, and substrate processing method
JP7515357B2 (en) * 2020-09-25 2024-07-12 東京エレクトロン株式会社 Grinding Equipment
JP7628373B2 (en) * 2021-06-23 2025-02-10 株式会社ディスコ Processing Equipment
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