JP5823022B2 - 誘導加熱調理器 - Google Patents
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Description
なお、以下の説明において、理解を容易にするために方向を表す用語(例えば「上」、「下」など)を適宜用いるが、これは説明のためのものであって、これらの用語は本願発明を限定するものではない。
図1は、実施の形態1に係る誘導加熱調理器の構成図である。
実施の形態1に係る誘導加熱調理器は、炊飯釜1と、加熱コイル2と、駆動部3と、表示操作部4と、制御部5と、コードリールケース6と、電磁シールド板7と、冷却手段8と、電源部9と、漏洩磁束回収手段10と、電力変換手段11とを備えている。
コードリールケース6よりも下側には、電磁シールド板7が設けられている。電磁シールド板7は、誘導加熱調理器の下部からの漏洩磁束を低減させる目的で設けられたものであり、アルミ板や銅板等の誘導加熱されにくい材料で構成された円盤状の部材である。
コードリールケース6及び電磁シールド板7は、炊飯釜1とは加熱コイル2を挟んで反対側に位置している。
図2において、商用交流電源20に接続されて交流電圧を直流に変換する整流部21と、インダクタ22とコンデンサ23からなるノイズフィルタと、加熱コイル2と共振コンデンサ24からなる共振回路と、スイッチング素子(IGBT)25と、ダイオード26が、図1に示した駆動部3に相当する。この駆動部3は、いわゆる一石電圧共振インバータを構成している。スイッチング素子25のゲート端子には、制御部5が接続され、スイッチング素子25のオンオフ信号が制御部5から出力される。ここで、上記説明ではスイッチング素子としてIGBTを使用する例を示したが、他のスイッチング素子、例えばMOSFETを使用してもよい。なお、MOSFETは、ソース−ドレイン端子間に寄生ダイオードが形成されるため、ダイオード26を設けなくても構わない。
また、電源部9は、商用交流電源から受けた交流電圧を、制御部5や表示操作部4、冷却手段8を駆動するために直流電圧に変換する電力変換回路を構成している(詳細は図示せず)。電源部9は、電力変換手段11にダイオード29を介して接続される。そして、漏洩磁束回収手段10により生成され、直流化、平滑化された電圧が、電源部9で生成される直流電圧よりも低くなった場合に、電源部9からダイオード29を介して制御部5、表示操作部4、及び冷却手段8に電力が供給される。
また、本発明の「金属部品」は、本実施の形態1の「コードリールケース6」及び「電磁シールド板7」に相当する。なお、以降の説明において、コードリールケース6及び電磁シールド板7を、「金属部品」と称する場合がある。
また、本発明の「漏洩磁束回収コイル」は、本実施の形態1の「漏洩磁束回収手段10」に相当する。
また、本発明の「電気負荷」は、本実施の形態1の「駆動部3」、「表示操作部4」、「制御部5」、及び「冷却手段8」に相当する。
図5は、実施の形態1に係る加熱コイル、漏洩磁束回収手段、及び金属部品の構成を説明する図である。図5(a)は加熱コイル2、漏洩磁束回収手段10、及びコードリールケース6を炊飯釜1側からみた状態を示し、図5(b)は、これらを側方からみた状態を示している。なお、図5の一点鎖線は、加熱コイル2の中心軸を示している。
図6は、実施の形態1に係る加熱コイル、漏洩磁束回収手段、及び金属部品の構成を説明する図である。図6(a)は加熱コイル2、漏洩磁束回収手段10、及びコードリールケース6を炊飯釜1側からみた状態を示し、図6(b)は、これらを側方からみた状態を示している。なお、図6の一点鎖線は、加熱コイル2の中心軸を示している。
図7は、実施の形態1に係る加熱コイル、漏洩磁束回収手段、及び金属部品の構成を説明する図である。図7(a)は加熱コイル2、漏洩磁束回収手段10、及びコードリールケース6を炊飯釜1側からみた状態を示し、図7(b)は、これらを側方からみた状態を示している。なお、図7の一点鎖線は、加熱コイル2の中心軸を示している。
本実施の形態1では、図2に示すように、駆動部3に一石電圧共振インバータを用いており、このような構成においては、スイッチング素子25をオンすると商用交流電源20からブリッジ整流回路である整流部21を介して直流化された電圧が、加熱コイル2に印加される。次にスイッチング素子25をオフすると共振コンデンサ24と加熱コイル2との間で共振現象が発生し、加熱コイルには共振電圧が印加される。この動作をスイッチング毎に繰り返すので、加熱コイル2には正負非対称の電圧が印加されることとなる。したがって、漏洩磁束回収手段10に誘導される電圧も正負非対称の波形となる。図8は、実施の形態1に係る電力変換手段に電気負荷が接続されていない状態における、漏洩磁束回収手段に発生する電圧の波形例を示す図である。図8に示すように、正側の電圧ピーク値と負側の電圧ピーク値とが異なることが分かる。
図11は、図10に示す電力変換手段に電気負荷が接続された状態における、加熱コイル電流波形と漏洩磁束回収手段を構成するコイルの電流波形の例を説明する図である。
図10に示した電力変換手段11によれば、漏洩磁束回収手段10から発生した交流電圧の正の期間と負の期間とで、それぞれ独立した経路にて電流を流すことができる。すなわち、図11において、例えば加熱コイル電流が正側のとき、漏洩磁束回収手段10の電流は、漏洩磁束回収手段10(コイル)→整流ダイオード27a→平滑コンデンサ28a→漏洩磁束回収手段10(コイル)の経路で平滑コンデンサ28aを充電する充電電流が流れ、この充電電流により加熱コイル2の漏洩磁束を打ち消す。次に加熱コイル電流が負側のとき、漏洩磁束回収手段10の電流は、漏洩磁束回収手段10(コイル)→平滑コンデンサ28b→整流ダイオード27b→漏洩磁束回収手段10(コイル)の経路で平滑コンデンサ28bを充電する充電電流が流れ、この充電電流により加熱コイルの漏洩磁束を打ち消す。
以下、駆動部3をハーフブリッジインバータで構成した例を説明する。
そこで、図12に示す例では、半波整流回路で構成された電力変換手段11を用いて、漏洩磁束回収手段10に発生する交流電圧を直流化している。これにより、ダイオード素子は1つでよく、ブリッジ形の全波整流回路と比較して回路簡略化が可能で、小型化が達成できる。
図20は、図19に示す電力変換手段に電気負荷が接続された状態における、加熱コイル電流波形と漏洩磁束回収手段を構成するコイルの電流波形の例を説明する図である。
図19に示した電力変換手段11によれば、漏洩磁束回収手段10から発生した交流電圧の正の期間と負の期間とで、それぞれ独立した経路にて電流を流すことができる。すなわち、図20において、例えば加熱コイル電流が正側のとき、漏洩磁束回収手段10の電流は、漏洩磁束回収手段10(コイル)→整流ダイオード27a→平滑コンデンサ28a→漏洩磁束回収手段10(コイル)の経路で平滑コンデンサ28aを充電する充電電流が流れ、この充電電流により加熱コイル2の漏洩磁束を打ち消す。次に加熱コイル電流が負側のとき、漏洩磁束回収手段10の電流は、漏洩磁束回収手段10(コイル)→平滑コンデンサ28b→整流ダイオード27b→漏洩磁束回収手段10(コイル)の経路で平滑コンデンサ28bを充電する充電電流が流れ、この充電電流により加熱コイル2の漏洩磁束を打ち消す。このため、図20に示すように、加熱コイル電流波形と漏洩磁束回収手段10を構成するコイル電流波形は正負反転したほぼ相似波形の電流となり、加熱コイル2から発生する漏洩磁束を効率よく打ち消すことができる。
そこで、スイッチング素子として、窒化ガリウム系材料、炭化珪素(SiC。シリコンカーバイト)、ダイヤモンド等のワイドバンドギャップ半導体で構成されるスイッチング素子を用いる。例えばSiC MOSFETの特性として、オン抵抗が小さく、さらにジャンクション温度が上昇してもオン抵抗がほとんど上昇しないため、発熱部品の近くにSiC MOSFETを配置することができ、基板の小型化や低コスト化を図ることができる。そして漏洩磁束回収手段10で駆動される冷却手段8の冷却能力を抑えることが可能になる。よって冷却手段8を低コスト化、小型化、軽量化でき、また、冷却手段8の動作による騒音も低減することができる。
前述の実施の形態1では、導線を円形に巻いたコイルからなる漏洩磁束回収手段と、漏洩磁束回収手段10に接続された電力変換手段とを設けて金属部品の損失を低減し、電力を有効利用する形態を示したが、本実施の形態2では、漏洩磁束回収手段をプリント基板上に設けたパターン配線とし、かつ電力変換手段を漏洩磁束回収手段と同一のプリント基板上に形成した構成例について説明する。なお、実施の形態1と同様の構成については、同一の符号を付け、詳細な説明は省略する。
前述の実施の形態2においては、漏洩磁束回収手段をプリント基板上のパターン配線として形成し、かつ同一基板上に電力変換手段を実装した形態について説明した。本実施の形態3では、実施の形態2と同様に漏洩磁束回収手段としてのパターン配線及び電力変換手段が実装されたプリント基板を、冷却手段8とともに誘導加熱調理器の筐体の底部部材(下部筐体)内に配置する形態について説明する。
下部筐体50は、誘導加熱調理器の筐体のうち最下部を構成している。この下部筐体50内には、漏洩磁束回収手段10A及び電力変換手段11Aが実装されたプリント基板40と、冷却手段8と、コードリールケース6とが収容されている。なお、図15、図16では図示しないが、実施の形態1で示したのと同様の構成の電磁シールド板7が、下部筐体50内において漏洩磁束回収手段10Aよりも下側に配置される。
開閉部筐体52は、上部筐体51の上面に設けられた開口部を開閉自在に覆う蓋である。
Claims (19)
- 高周波磁界を発生し、被加熱物を誘導加熱する加熱コイルと、
前記加熱コイルに高周波電流を供給する駆動部と、
前記駆動部を制御する制御部と、
前記制御部に制御用電源を供給する制御電源部と、
電気負荷と、
前記被加熱物とは前記加熱コイルを挟んで反対側に配置された金属部品と、
前記加熱コイルと前記金属部品との間に挟まれた位置に配置され、前記加熱コイルから発生する磁束と鎖交する漏洩磁束回収手段と、
前記漏洩磁束回収手段により生成された電力を前記制御電源部及び前記電気負荷の少なくともいずれか一方に供給する電力変換手段とを備えた
ことを特徴とする誘導加熱調理器。 - 前記漏洩磁束回収手段は、前記加熱コイルからみて、前記金属部品の少なくとも一部と重なる位置に配置されている
ことを特徴とする請求項1記載の誘導加熱調理器。 - 前記漏洩磁束回収手段は、コイルで構成されている
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の誘導加熱調理器。 - 前記漏洩磁束回収手段の前記コイルは、前記加熱コイルの中心軸の外周側に配置されている
ことを特徴とする請求項3記載の誘導加熱調理器。 - 前記漏洩磁束回収手段の前記コイルの中心軸は、前記加熱コイルの中心軸と同軸上に配置されている
ことを特徴とする請求項3または請求項4に記載の誘導加熱調理器。 - 前記漏洩磁束回収手段の前記コイルは、外形の異なる2つ以上の経路を有しており、少なくともいずれか一方の経路が、前記加熱コイルの中心軸の外周側に配置されている
ことを特徴とする請求項3記載の誘導加熱調理器。 - 前記漏洩磁束回収手段の前記コイルは、前記電力変換手段の入力部に接続するための引き出し線を備え、前記引き出し線の引き出し口は、前記電力変換手段の入力部に対面する位置に設けられている
ことを特徴とする請求項3〜請求項6のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。 - 前記漏洩磁束回収手段の前記コイルは、前記電力変換手段が実装されたプリント基板上に、パターン配線として形成されている
ことを特徴とする請求項3〜請求項6のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。 - 前記プリント基板及び前記電気負荷は、同一の筐体内に配置されている
ことを特徴とする請求項8記載の誘導加熱調理器。 - 前記被加熱物を収容する上部筐体と、
前記上部筐体の下側に設けられ、前記プリント基板及び前記電気負荷を収容する下部筐体とを備えた
ことを特徴とする請求項8または請求項9に記載の誘導加熱調理器。 - 前記電力変換手段は、前記電気負荷にのみ電力を供給するものであり、前記電力変換手段は、前記制御電源部とは電気的に絶縁されている
ことを特徴とする請求項8〜請求項10のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。 - 前記電力変換手段は、前記電気負荷に接続するための電気配線を備え、
前記電気配線の引き出し口は、前記電気負荷に電力を供給する供給口に対面する位置に設けられている
ことを特徴とする請求項8〜請求項11のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。 - 前記電気負荷は、前記加熱コイル及び前記駆動部の少なくとも一方を冷却する冷却手段である
ことを特徴とする請求項1〜請求項12のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。 - 前記金属部品は、商用電源接続コードの収納容器である
ことを特徴とする請求項1〜請求項13のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。 - 前記駆動部は、ワイドバンドギャップ半導体で構成されるスイッチング素子を用いたインバータである
ことを特徴とする請求項1〜請求項14のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。 - 前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、またはダイヤモンドである
ことを特徴とする請求項15記載の誘導加熱調理器。 - 前記駆動部は、直列接続された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子を有するハーフブリッジインバータを備え、
前記制御部は、前記第1スイッチング素子と前記第2スイッチング素子を同一オン時間で駆動し、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子のスイッチング周波数を可変することにより前記被加熱物への投入電力を調整する周波数制御を行うものであり、
前記電力変換手段は全波整流回路を備えた
ことを特徴とする請求項1〜請求項16のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。 - 前記駆動部は、前記加熱コイルと並列に接続された共振コンデンサ、及び前記共振コンデンサと直列に接続されたスイッチング素子を有し、前記加熱コイルに高周波電流を供給する一石電圧共振インバータを備え、
前記電力変換手段は、倍電圧整流回路または半波整流回路を備えた
ことを特徴とする請求項1〜請求項16のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。 - 前記駆動部は、商用交流電源を直流化する直流電源部に接続され、直列接続された第1スイッチング素子及び第2スイッチング素子を有し、第1スイッチング素子と前記第2スイッチング素子との接続点に前記加熱コイルが直列に接続されたハーフブリッジインバータを備え、
前記加熱コイルには、コンデンサが直列に接続されており、
前記制御部は、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子を駆動し、前記第1スイッチング素子と前記第2スイッチング素子のオン時間比率を可変することで前記被加熱物への投入電力を調整するデューティ制御を行うものであり、
前記電力変換手段は、倍電圧整流回路または半波整流回路を備えた
ことを特徴とする請求項1〜請求項16のいずれか一項に記載の誘導加熱調理器。
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