JP6055494B2 - Laser dicing method - Google Patents
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Description
本発明は、レーザーダイシング用保護膜組成物に係り、特に、レーザーダイシング工程に使用される保護膜に応用するものに関する。 The present invention relates to a protective film composition for laser dicing, and more particularly to an application to a protective film used in a laser dicing process.
半導体ウェハは、層間絶縁膜及び機能性膜を半導体基板（例えば、珪）の上に積層した積層構造を有する。そして、ダイシング工程において、基板の上に各種の電子回路を設計して形成し、且つ表面処理した後に、半導体基板を切断分離する（ダイシングする）ことによって、チップ素子を製造する（例えば、半導体素子）。そのダイシング工程は、ストリート（ｓｔｒｅｅｔ）という境界面に沿ってウェハをダイシングし、設置された電子部品を分離することによって、この工程の目的が達成される。半導体装置の高集積化に伴ってストリートの幅が狭くなり、ダイシングの精度も高くなるが、それに伴う熱的影響（熱によって切断線に割れやクラックが生じる等）による問題が、レーザーダイシング工程の障害となる。 The semiconductor wafer has a laminated structure in which an interlayer insulating film and a functional film are laminated on a semiconductor substrate (for example, silica). Then, in the dicing process, various electronic circuits are designed and formed on the substrate, and after surface treatment, the semiconductor substrate is cut and separated (diced) to manufacture a chip element (for example, a semiconductor element) ). The dicing process achieves the purpose of this process by dicing the wafer along a boundary surface called “street” and separating the installed electronic components. As semiconductor devices are highly integrated, the width of streets becomes narrower and the accuracy of dicing increases, but problems due to thermal effects (such as cracks and cracks in the cutting line due to heat) can cause problems with the laser dicing process. It becomes an obstacle.
ウェハのダイシング工程は、ブレードを利用してウェハをダイシングする方法から、現在の典型的なレーザーダイシング工程へと進展した。その工程は、先ずストリートに沿ってレーザーを照射することにより、ブレードの刃先縁の幅に合わせた溝を形成してから、ブレードでウェハをダイシングする。しかし、レーザーをウェハのストリートに沿って照射する時に生じた熱エネルギーがウェハに吸収され、熱エネルギーがウェハに蓄積することで、ダイシング工程において避けられない問題が生じる。そして、ウェハの積層構造において最上層に位置する絶縁膜の主な材料であるポリイミドが、ウェハのレーザーダイシング工程において破損しやすい。また、熱エネルギーによってウェハ基材のシリコンが溶融又は熱分解しやすいことで、シリコン蒸気等の問題が発生し、且つウェハの表面上に凝固して堆積する。よって、ウェハをダイシングする時、ウェハの保護膜が耐熱性を有しない場合、保護膜が破損しやすくなることで、ウェハのダイシングに生じた飛散物が保護膜の隙間に侵入する。これらの残留物が非水溶性であることで、ウェハの表面上に付着した時、水で洗浄できないのでウェハの欠陥となる。 The wafer dicing process has progressed from a method of dicing a wafer using a blade to a current typical laser dicing process. In this process, first, a laser is irradiated along the street to form a groove in accordance with the width of the blade edge of the blade, and then the wafer is diced with the blade. However, the heat energy generated when the laser is irradiated along the street of the wafer is absorbed by the wafer, and the heat energy is accumulated in the wafer, which causes an inevitable problem in the dicing process. In addition, polyimide, which is the main material of the insulating film located in the uppermost layer in the laminated structure of the wafer, is easily damaged in the laser dicing process of the wafer. In addition, since the silicon of the wafer base material is easily melted or thermally decomposed by thermal energy, problems such as silicon vapor occur, and it solidifies and accumulates on the surface of the wafer. Therefore, when dicing the wafer, if the protective film of the wafer does not have heat resistance, the protective film is likely to be damaged, so that scattered matter generated in the dicing of the wafer enters the gap of the protective film. Since these residues are water-insoluble, when they adhere to the surface of the wafer, they cannot be cleaned with water, resulting in a wafer defect.
最近、レーザーだけでウェハをダイシングする工程が発展し、その技術は、熱的損耗が少なく且つ高精密加工を行うことができるので、精密切断技術として注目されている。しかし、その技術を使用しても、レーザーで生じた熱によりウェハの絶縁層の積層不良を引き起こす可能性がある。また、熱で生じたシリカフュームも、積層した絶縁層とウェハ表面上の間に堆積される可能性があるので、ウェハの絶縁層を洗浄する時、そのフュームの堆積物が除去出来ず残留し、欠陥となることで、ウェハ表面上の汚染という問題になる。 Recently, a process of dicing a wafer using only a laser has been developed, and this technique is attracting attention as a precision cutting technique because it has little thermal wear and can perform high precision processing. However, even if this technology is used, the heat generated by the laser may cause defective stacking of the insulating layer of the wafer. In addition, silica fume generated by heat may be deposited between the laminated insulating layer and the wafer surface, so when cleaning the insulating layer of the wafer, the fume deposit remains and cannot be removed. Defects cause contamination on the wafer surface.
その問題を解決するための技術は、たとえば特許文献ＴＷ２００６３１０８６Ａ号に、一種の溶液を含むレーザーダイシング用保護膜剤が開示されている。その溶液は、水溶性樹脂と、水溶性染料、水溶性着色剤及び水溶性紫外線吸収剤からなる群より選択された少なくとも１種の水溶性レーザー光吸収剤とを溶解した溶液を含むものである。その保護膜剤は、たとえば、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール又はセルロース等の水溶性樹脂をウェハの表面に塗布して保護膜を形成してから、レーザーダイシング工程を行う。よって、ウェハの表面が保護膜で保護されているため、シリコン蒸気やレーザー照射によって発生した基板の熱分解物などの残留物が生じたとしても、保護膜表面上にだけ飛散して凝固堆積し、ウェハの表面上に堆積することはない。また、保護膜は水溶性であるため、水洗によって容易に除去することができる。即ち、保護膜上の残留物は、保護膜の水洗と同時に洗い流すことができる。 As a technique for solving the problem, for example, Patent Document TW200631086A discloses a protective film agent for laser dicing containing a kind of solution. The solution includes a solution in which a water-soluble resin and at least one water-soluble laser light absorber selected from the group consisting of a water-soluble dye, a water-soluble colorant, and a water-soluble ultraviolet absorber are dissolved. As the protective film agent, for example, a water-soluble resin such as polyvinyl alcohol, polyethylene glycol, or cellulose is applied to the surface of the wafer to form a protective film, and then the laser dicing process is performed. Therefore, since the surface of the wafer is protected by a protective film, even if a residue such as thermal decomposition product of the substrate generated by silicon vapor or laser irradiation occurs, it is scattered and solidified only on the surface of the protective film. It does not deposit on the surface of the wafer. Moreover, since the protective film is water-soluble, it can be easily removed by washing with water. That is, the residue on the protective film can be washed away simultaneously with the washing of the protective film.
また、特許文献ＴＷＩ３９９４０２には、ウェハダイシング用保護膜組成物が開示されている。その組成物は、ポリエチルオキサゾリン及びポリビニルピロリドンからなる群より選択された少なくとも１種の樹脂と、水溶性樹脂及びアルコール単量体からなる群より選択された少なくとも１種の成分と、溶媒としての水又は水と有機溶剤との混合物とを含むものである。よって、ウェハダイシング用保護膜組成物は、熱安定性に優れ、ダイシング工程中のレーザー照射による熱架橋物質の生成を防止し、ウェハとの接着力に優れ、レーザーダイシング工程中における保護膜の剥離を防止することができる。さらに、その保護膜組成物は適切な硬度を有する保護膜を形成することにより、ウェハを切削する際の保護膜の破断の発生を防止することができる。 Patent Document TWI399402 discloses a protective film composition for wafer dicing. The composition comprises at least one resin selected from the group consisting of polyethyloxazoline and polyvinylpyrrolidone, at least one component selected from the group consisting of a water-soluble resin and an alcohol monomer, and a solvent. It contains water or a mixture of water and an organic solvent. Therefore, the protective film composition for wafer dicing has excellent thermal stability, prevents formation of a thermal cross-linking substance by laser irradiation during the dicing process, has excellent adhesion to the wafer, and peels off the protective film during the laser dicing process. Can be prevented. Furthermore, the protective film composition can prevent the protective film from being broken when the wafer is cut by forming a protective film having an appropriate hardness.
しかし、上記の方法はいずれも水溶性樹脂を使用することで、一般的に熱安定性が低く、ウェハのレーザーダイシング工程においてレーザー照射により内部熱が生じ、使用された水溶性樹脂の分子量が低いと、熱を受けて熱分解を起こす可能性があり、基材に対する保護効果が限られる。 However, all of the above methods use a water-soluble resin and generally have low thermal stability, and internal heat is generated by laser irradiation in the laser dicing process of the wafer, and the molecular weight of the water-soluble resin used is low. And may cause thermal decomposition upon receiving heat, and the protective effect on the base material is limited.
よって、現段階でウェハ製造業者が解決しようとする問題点は、如何に高熱安定性を有し、且つダイシング工程においてレーザー照射により熱分解を起こすことを防止できる保護膜組成物を開発するかということである。 Therefore, the problem that the wafer manufacturer tries to solve at this stage is how to develop a protective film composition having high thermal stability and capable of preventing thermal decomposition by laser irradiation in the dicing process. That is.
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、本発明者は、従来の問題を解決するために、鋭意研究を行った。その結果、これまで積み重ねられた当該産業の経験をもって、レーザーダイシング方法を開発した。 The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and the present inventor has conducted intensive research in order to solve the conventional problems. As a result, the laser dicing method was developed with the industry experience accumulated so far.
上記目的を達成するため、本発明は、半導体ウェハの表面にレーザーダイシング用保護膜を設け、この保護膜付きの半導体ウェハをレーザーだけでダイシングしてチップに分割するレーザーダイシング方法において、前記ダイシング用保護膜が、重量平均分子量（Ｍｗ）が１００００〜１５００００である（Ａ）水溶性ポリマー１００重量部に対し、（Ｂ）架橋剤を０．１〜１０重量部を加えて架橋させてなる水溶性ポリマー組成物からなることを特徴とする。なお、（Ａ）水溶性ポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、特に１２５００〜１２５０００であることが好ましい。また、（Ｂ）架橋剤は、（Ａ）水溶性ポリマー１００重量部に対して特に１〜５重量部であることが好ましく、添加量を過剰にする時、水溶性が低くなることで、温水洗浄設備により保護膜を除去することが必要となる。前記レーザーダイシング用保護膜は、架橋剤の添加によって高分子の間の架橋度が向上しているため、レーザーダイシングに際して高熱安定性を有し、且つ分子量の低い水溶性樹脂をもって塗布することができ、設備機材を清潔にしやすく、均一に塗布することができ、且つ強度を維持することができるという効果がある。 To achieve the above object, the present invention provides a laser dicing protective film on the surface of a semiconductor wafer, and dicing the semiconductor wafer with the protective film with a laser alone to divide the chip into chips. The protective film is formed by adding 0.1 to 10 parts by weight of (B) a cross-linking agent to 100 parts by weight of the water-soluble polymer (A) having a weight average molecular weight (Mw) of 10,000 to 150,000. It consists of a polymer composition. Incidentally, (A) a weight average molecular weight of the water-soluble polymer (Mw) of, preferably a 12,500 to 125000, especially. In addition, (B) the crosslinking agent is preferably 1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the (A) water-soluble polymer. It is necessary to remove the protective film by a cleaning facility. The laser dicing protective film has a high degree of cross-linking between polymers due to the addition of a cross-linking agent, so it can be applied with a water-soluble resin having high thermal stability and low molecular weight during laser dicing. easy to clean equipment equipment, it can be uniformly applied, there is an effect that it is possible to maintain the且single-strength.
本発明に記載された保護膜組成物を、加工しようとするウェハの表面上に塗布して形成した厚みが、約１００〜５０００ｎｍであり、特に５００〜１５００ｎｍであることが好ましい。架橋剤を添加することにより高分子の間の架橋度を向上させることで、使用する水溶性ポリマーの重量平均分子量が最低５０００だけでよい。また、分子量の高いレーザーダイシング用保護膜剤を使用する時、組成物に使用する溶剤の量が比較的多く必要となり、塗布工程の硬化プロセスにおいて溶剤を蒸発させた後、塗膜の厚みが不均一になりやすい。 The thickness formed by applying the protective film composition described in the present invention on the surface of the wafer to be processed is about 100 to 5000 nm, and particularly preferably 500 to 1500 nm. By adding a crosslinking agent to improve the degree of crosslinking between the polymers, the weight average molecular weight of the water-soluble polymer used may be at least 5000. In addition, when using a protective film agent for laser dicing having a high molecular weight, a relatively large amount of solvent is required for the composition, and the thickness of the coating film is reduced after the solvent is evaporated in the curing process of the coating process. It tends to be uniform.
上記の組成物において、前記（Ａ）水溶性ポリマーの構造中に、少なくとも１種の親水性基を含有し、前記親水性基が、水酸基、オキシエチル基、アミド基、アミノ基、スルホン酸基、スルフィン酸基、カルボキシル基及びカルボニル基からなる群より選択されるものである。 In the above composition, the structure of the water-soluble polymer (A) contains at least one hydrophilic group, and the hydrophilic group is a hydroxyl group, an oxyethyl group, an amide group, an amino group, a sulfonic acid group, It is selected from the group consisting of a sulfinic acid group, a carboxyl group and a carbonyl group.
本発明の実施例によれば、前記（Ａ）水溶性ポリマーが、ポリエチレングリコール類、ポリプロピレングリコ−ル類、ポリエチレンオキサイド類、ポリプロピレンオキサイド類、ポリエーテルエステル類、ポリビニルアルコール類、ポリアクリル酸ナトリウム類、ポリアクリルアミド類、ポリビニルピロリドン類、カルボキシメチルセルロース、ポリテトラメチレングリコール類及びポリエーテルエステル類からなる群より選択されるものである。 According to an embodiment of the present invention, the water-soluble polymer (A) is a polyethylene glycol, a polypropylene glycol, a polyethylene oxide, a polypropylene oxide, a polyether ester, a polyvinyl alcohol, or a sodium polyacrylate. , Polyacrylamides, polyvinylpyrrolidones, carboxymethylcellulose, polytetramethylene glycols and polyetheresters.
上記の組成物において、前記（Ｂ）架橋剤が、イソシアネート系架橋剤、メラミン系架橋剤、エポキシ系架橋剤、アクリレート系架橋剤、アルデヒド類又はイソシアネート基含有の（メタ）アクリレートからなる群より選択されるものである。 In the above composition, the (B) crosslinking agent is selected from the group consisting of an isocyanate crosslinking agent, a melamine crosslinking agent, an epoxy crosslinking agent, an acrylate crosslinking agent, an aldehyde or an isocyanate group-containing (meth) acrylate. It is what is done.
上記の組成物は、界面活性剤、消泡剤、レベリング剤及び溶剤からなる群より選択される添加物を更に含む。界面活性剤が、０．０１〜５重量部であり、ポリオキシエチレン類、ポリオキシエチレンエーテル類、ソルビット類、ソルビタンエステル類、ポリエーテル類、脂肪アルコールアルコシキ類、ステアリン酸類、スルホン酸類、カルボン酸類、リン酸類等の非イオン性又は陰イオン性の界面活性剤から選択される一種又は複数のものを合わせて使用する。消泡剤が、メチルエーテル類、ポリエーテルエステル類、プロピレングリコ−ル類、エチレンオキサイド類及びプロピレンオキサイド類のポリマー、低級アルコール類、高級アルコール類から選択される一種又は複数のものを合わせて使用する。レベリング剤が、０．１〜５重量部であり、ポリオキシエチレンエーテル類、アルコールエーテル類、酢酸塩類、アクリル酸類、アクリレート類、ベンゾフェノン類、水酸基類から選択される一種又は複数のものを合わせて使用する。溶剤が、５〜３０重量部であり、エーテル類、低級アルコール類、プロピレングリコ−ル類、アルコールエーテル類、ヒドロキシ酸類から選択される一種又は複数のものを合わせて使用する。 The composition further includes an additive selected from the group consisting of a surfactant, an antifoaming agent, a leveling agent and a solvent. Surfactant is 0.01 to 5 parts by weight, polyoxyethylenes, polyoxyethylene ethers, sorbits, sorbitan esters, polyethers, fatty alcohol alkoxys, stearic acids, sulfonic acids, carvone One or more selected from nonionic or anionic surfactants such as acids and phosphoric acids are used in combination. Antifoaming agent is used in combination with one or more selected from methyl ethers, polyether esters, propylene glycols, ethylene oxide and propylene oxide polymers, lower alcohols and higher alcohols To do. The leveling agent is 0.1 to 5 parts by weight, and one or more selected from polyoxyethylene ethers, alcohol ethers, acetates, acrylic acids, acrylates, benzophenones, and hydroxyls are combined. use. The solvent is 5 to 30 parts by weight, and one or more solvents selected from ethers, lower alcohols, propylene glycols, alcohol ethers, and hydroxy acids are used in combination.
前記レーザーダイシング用保護膜は、基体シートの上面に上記のレーザーダイシング用保護膜組成物を塗布して形成したものでもよい。 The protective film for laser dicing may be formed by applying the protective film composition for laser dicing to the upper surface of a base sheet .
本発明に記載されたレーザーダイシング用保護膜組成物が、液状の塗布剤であってもよく、又は予め基体シートの表面に塗布して成膜してから接着剤層によりウェハの表面に接着してもよい。また、接着性を有する水溶性ポリマーを採用すれば、接着剤層を使用しなくても、ウェハの表面に接着してレーザーダイシング用保護シートとして使用することができる。 The protective film composition for laser dicing described in the present invention may be a liquid coating agent, or may be applied to the surface of the substrate sheet in advance and then adhered to the wafer surface by the adhesive layer. May be. Further, if a water-soluble polymer having adhesiveness is employed, it can be used as a protective sheet for laser dicing by adhering to the wafer surface without using an adhesive layer.
本発明に記載されたレーザーダイシング用保護膜組成物を、加工しようとするウェハの表面上、たとえば、そのウェハの表面上に格子状に形成された複数のストリートによって区画された半導体チップに塗布し、そしてそのコーティングを乾燥させることにより、保護膜を形成する。保護膜の厚みが一般的に約１００〜５０００ｎｍであり、特に５００〜１５００ｎｍであることが好ましい。また、加工しようとするウェハの表面に多数の凹部及び凸部を有し、ストリートがその凹部内に形成されるので、その厚みが小さすぎると、その凸部にある保護膜の厚みが更に小さくなることで、破片等が保護膜に侵入してチップの表面に堆積する。一方、必要以上の厚みもメリットがなく、加工後の洗浄作業に時間がかかるという欠点になるだけである。 The protective film composition for laser dicing described in the present invention is applied to the surface of a wafer to be processed, for example, a semiconductor chip partitioned by a plurality of streets formed in a lattice pattern on the surface of the wafer. The protective film is formed by drying the coating. The thickness of the protective film is generally about 100 to 5000 nm, particularly preferably 500 to 1500 nm. In addition, since the surface of the wafer to be processed has a large number of recesses and projections, and streets are formed in the recesses, if the thickness is too small, the thickness of the protective film on the projections is further reduced. As a result, fragments and the like enter the protective film and accumulate on the surface of the chip. On the other hand, an unnecessarily thick thickness has no merit, and it only has the disadvantage that it takes a long time for the cleaning operation after processing.
本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、その実施をすることができるように更なる開示をするために、以下、本発明をいくつかの実施例により説明する。しかし、注意すべきことは、以下の実施例はただ説明のために記載したものであって、本発明を限定するためのものではない。加えて、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の変更もまた、本発明の請求範囲に含まれるものである。 In order to provide further disclosure so that a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains can carry out its implementation, the present invention will now be described by means of several examples. However, it should be noted that the following examples are provided for illustrative purposes only and are not intended to limit the present invention. In addition, various modifications within the scope of the present invention are also included in the claims of the present invention.
本発明の目的、特徴及び効果を完全に理解するために、以下、具体的に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明する。 In order to fully understand the objects, features and effects of the present invention, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples.
以下は、本発明によりレーザーダイシング用保護膜の実施例の説明及び表１を提供する。
実施例１ Example 1
以下の組成を有する保護膜水溶液を製造する。 An aqueous protective film solution having the following composition is produced.
先ずは、ポリビニルアルコール（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ， ＰＶＡ）という水溶性樹脂２０ｇ（分子量が約１３Ｋ）を水１００ｍＬ中に溶かして、グルタルアルデヒドという架橋剤１ｇを添加する。上記の保護膜水溶液をシリコンウェハ上にスピンコートで塗布し、乾燥してシリコンウェハ上に厚みが５００〜１３００ｎｍの保護膜を形成する。そして塗布完了したシリコンウェハをレーザー加工設備に置き、レーザー加工を行って、純水で保護膜を洗い流して、シリコンウェハにおけるレーザー加工された部分の状態を観察する。その結果は、シリコン残滓の堆積がなく、且つ加工した界面幅は設定したレーザーの直径パラメータとほぼ同じであり、保護膜の影響を受けないことを示した。 First, 20 g of water-soluble resin (polyvinyl alcohol, PVA) (molecular weight is about 13 K) is dissolved in 100 mL of water, and 1 g of a cross-linking agent called glutaraldehyde is added. The above protective film aqueous solution is applied onto a silicon wafer by spin coating and dried to form a protective film having a thickness of 500 to 1300 nm on the silicon wafer. The coated silicon wafer is placed in a laser processing facility, laser processing is performed, the protective film is washed away with pure water, and the state of the laser processed portion of the silicon wafer is observed. The result showed that there was no deposition of silicon residue, and the processed interface width was almost the same as the set laser diameter parameter and was not affected by the protective film.
実施例２ Example 2
実施例１と同じ方法及び重量部で保護膜水溶液を製造するが、代わりに分子量約１１９Ｋのポリビニルアルコールを使用する。そして実施例１と同じ方法で塗布し且つ保護膜を評価する。その保護膜は、純水で洗浄することができ、シリコン残滓の堆積がなく、且つ加工した界面幅は設定したレーザーの直径パラメータとほぼ同じである。 A protective film aqueous solution is prepared by the same method and parts by weight as in Example 1, but polyvinyl alcohol having a molecular weight of about 119K is used instead. And it apply | coats by the same method as Example 1, and evaluates a protective film. The protective film can be cleaned with pure water, there is no deposition of silicon residue, and the processed interface width is almost the same as the set laser diameter parameter.
比較例１ Comparative Example 1
実施例１と同じ方法及び重量部で保護膜水溶液を製造するが、架橋剤を添加しない。そして実施例１と同じ方法で塗布し且つ保護膜を評価する。その保護膜は、純水で洗浄することができるが、シリコンウェハにおけるレーザー加工された部分の状態は、シリコン残滓の堆積があり、且つ切断線に焼結が発生することが容易に観察される。 A protective film aqueous solution is produced by the same method and parts by weight as in Example 1, but no crosslinking agent is added. And it apply | coats by the same method as Example 1, and evaluates a protective film. The protective film can be washed with pure water, but the state of the laser-processed portion of the silicon wafer is easily observed that silicon residue is deposited and that the cutting line is sintered. .
比較例２ Comparative Example 2
実施例１と同じ方法及び重量部で保護膜水溶液を製造するが、代わりに架橋剤１５ｇを添加する。そして実施例１と同じ方法で塗布し且つ保護膜を評価する。その保護膜は、常温の純水で洗い流しにくいことで、熱水を使用することが必要となるが、レーザー加工された部分に明らかな切断線焼結物や残滓が残留しない。 A protective film aqueous solution is produced by the same method and parts by weight as in Example 1, but 15 g of a crosslinking agent is added instead. And it apply | coats by the same method as Example 1, and evaluates a protective film. Since the protective film is difficult to wash away with pure water at room temperature, it is necessary to use hot water, but no obvious cutting line sintered product or residue remains on the laser-processed portion.
比較例３ Comparative Example 3
実施例１と同じ方法及び重量部で保護膜水溶液を製造するが、代わりに分子量約２５０Ｋのポリビニルアルコールを使用する。そして実施例１と同じ方法で塗布し且つ保護膜を評価する。その保護膜は、常温の純水で洗い流しにくいことで、熱水を使用することが必要となり、且つ膜の厚みが不均一なので切断線が平坦でなく、焼結物及びシリコン残滓の残留量が増加される。 A protective film aqueous solution is prepared by the same method and parts by weight as in Example 1, but polyvinyl alcohol having a molecular weight of about 250K is used instead. And it apply | coats by the same method as Example 1, and evaluates a protective film. The protective film is difficult to wash away with pure water at room temperature, and it is necessary to use hot water, and since the thickness of the film is not uniform, the cutting line is not flat, and the residual amount of the sintered product and silicon residue remains. Will be increased.
実施例３ Example 3
実施例１と同じ方法及び重量部で保護膜水溶液を製造し、その保護膜水溶液を基体シート上に塗布し、レーザーダイシング用保護シートを形成する。 A protective film aqueous solution is produced by the same method and parts by weight as in Example 1, and the protective film aqueous solution is applied onto a substrate sheet to form a protective sheet for laser dicing.
実施例３のレーザーダイシング用保護シートは、図１に示すように、基体シート１０と、その基体シート１０の上面にレーザーダイシング用保護膜組成物を塗布して形成した保護層２０とを含むレーザーダイシング用保護シート１である。その保護層２０の厚みが５００〜１５００ｎｍである。
As shown in FIG. 1, the protective sheet for laser dicing of Example 3 is a laser including a
上記説明したとおり、本発明は、新規性、進歩性及び産業上の利用可能性という特許の要件を有する。新規性及び進歩性について、本発明は、架橋剤を添加することにより高分子の間の架橋度を向上させたレーザーダイシング用保護膜により、レーザーだけで半導体ウェハをダイシングしてチップに分割する際、高熱安定性が得られ、該保護膜の強度を維持することができるという効果がある。産業上の利用可能性について、本発明を利用して製造される商品は、現在の市場の需要を十分に満たすことができる。 As explained above, the present invention has the patent requirements of novelty, inventive step and industrial applicability. With regard to novelty and inventive step, the present invention provides a laser dicing protective film in which the degree of cross-linking between polymers is improved by adding a cross-linking agent. High thermal stability can be obtained, and the strength of the protective film can be maintained. With regard to industrial applicability, products manufactured using the present invention can fully meet current market demand.
以上、好ましい実施例が開示されるが、その実施例は本発明の説明のために記載したものであって、本発明を限定するためのものではない。注意すべきことは、本発明の要旨を逸脱しない範囲での修正又は変更は、本発明の範囲に含まれるものとする。従って、本発明の保護範囲は、添付した特許請求の範囲に定義される。 While preferred embodiments have been disclosed above, the embodiments have been described for the purpose of illustrating the invention and are not intended to limit the invention. It should be noted that modifications or changes within the scope of the present invention are included in the scope of the present invention. Accordingly, the scope of protection of the present invention is defined by the appended claims.
１：レーザーダイシング用保護シート
１０：基体シート
２０：保護層
1: Protective sheet for laser dicing 10: Base sheet 20: Protective layer
Claims (11)
前記レーザーダイシング用保護膜が、重量平均分子量（Ｍｗ）が１００００〜１５００００である（Ａ）水溶性ポリマー１００重量部に対し、（Ｂ）架橋剤を０．１〜１０重量部を加えて架橋させてなる水溶性ポリマー組成物からなることを特徴とするレーザーダイシング方法。The protective film for laser dicing is crosslinked by adding 0.1 to 10 parts by weight of (B) a crosslinking agent to 100 parts by weight of (A) a water-soluble polymer having a weight average molecular weight (Mw) of 10,000 to 150,000. A laser dicing method comprising a water-soluble polymer composition.
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