JP6097783B2 - Method for transferring carbon nanotube array and method for manufacturing carbon nanotube structure - Google Patents
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Description
本発明は、カーボンナノチューブアレイの転移方法及びカーボンナノチューブ構造体の製造方法に関し、特に、カーボンナノチューブアレイの転移方法及びカーボンナノチューブフィルム或いはカーボンナノチューブワイヤの製造方法に関する。 The present invention relates to a carbon nanotube array transfer method and a carbon nanotube structure manufacturing method, and more particularly to a carbon nanotube array transfer method and a carbon nanotube film or a carbon nanotube wire manufacturing method.
カーボンナノチューブ(Carbon Nanotube,CNT)は1991年に飯島によって発見され、カーボンナノチューブは21世紀において重要な新素材の1つとして、特に機械・電気・熱特性に優れていることから、エレクトロニクス、バイオテクノロジー、エネルギー、複合材料等、広範な分野での応用に期待されている。しかし、一本のカーボンナノチューブはナノスケールの大きさであるので利用し難い。現在、複数のカーボンナノチューブを原材料として、大きい寸法の巨視的なカーボンナノチューブ構造体を形成することができる。巨視的なカーボンナノチューブ構造体は、例えば、複数のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブフィルム、及び複数のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブワイヤである。 Carbon Nanotube (CNT) was discovered by Iijima in 1991, and carbon nanotubes are one of the important new materials in the 21st century, especially because of their excellent mechanical, electrical, and thermal properties. It is expected to be applied in a wide range of fields such as energy and composite materials. However, a single carbon nanotube is difficult to use because it has a nano-scale size. Currently, a macroscopic carbon nanotube structure having a large size can be formed using a plurality of carbon nanotubes as a raw material. The macroscopic carbon nanotube structure is, for example, a carbon nanotube film composed of a plurality of carbon nanotubes and a carbon nanotube wire composed of a plurality of carbon nanotubes.
特許文献1に、カーボンナノチューブアレイから直接にカーボンナノチューブフィルムが引き出されることが開示されている。該カーボンナノチューブフィルムは分子間力で端と端とが接続された複数のカーボンナノチューブからなる自立構造体であり、優れた透明度及び巨視的な寸法を有する。カーボンナノチューブアレイから直接に引き出されるカーボンナノチューブフィルムにおいて、複数のカーボンナノチューブが同じ方向に沿って配列されるので、カーボンナノチューブの軸方向において優れた導電性及び熱伝導性を有し、広範な分野で応用できる。例えば、タッチパネル、液晶ディスプレイ、スピーカ、加熱装置、薄膜トランジスタなどの分野である。 Patent Document 1 discloses that a carbon nanotube film is drawn directly from a carbon nanotube array. The carbon nanotube film is a self-standing structure composed of a plurality of carbon nanotubes whose ends are connected to each other by intermolecular force, and has excellent transparency and macroscopic dimensions. In a carbon nanotube film drawn directly from a carbon nanotube array, a plurality of carbon nanotubes are arranged in the same direction, so that they have excellent conductivity and thermal conductivity in the axial direction of the carbon nanotube, Can be applied. For example, it is fields such as a touch panel, a liquid crystal display, a speaker, a heating device, and a thin film transistor.
カーボンナノチューブフィルムを形成する原理は、超配列カーボンナノチューブアレイにおけるカーボンナノチューブが分子間力で緊密に結合され、一部のカーボンナノチューブが引き出される際、隣接するカーボンナノチューブが分子間力の作用で端と端とが接続されて引き出されるので、端と端とが接続された複数のカーボンナノチューブからなるカーボンナノチューブフィルムを形成することができる。しかし、カーボンナノチューブの間の分子間力のみによって、カーボンナノチューブが相互に吸着され、カーボンナノチューブフィルムが形成されるので、いったんカーボンナノチューブアレイの形態が破壊されたり、或いは変化したりすると、均一なカーボンナノチューブフィルムを連続に引き出すことができない。従来の方法では、成長基板(一般的に、単結晶のシリコン)の表面にカーボンナノチューブアレイを成長させた後、成長基板に直接に成長したカーボンナノチューブアレイを引き出す工程を行い、カーボンナノチューブフィルムを獲得している。 The principle of forming a carbon nanotube film is that when carbon nanotubes in a super aligned carbon nanotube array are tightly coupled by intermolecular force and some of the carbon nanotubes are pulled out, the adjacent carbon nanotubes are brought into contact by the action of intermolecular force. Since the ends are connected and pulled out, a carbon nanotube film composed of a plurality of carbon nanotubes connected to the ends can be formed. However, since the carbon nanotubes are adsorbed to each other only by the intermolecular force between the carbon nanotubes to form a carbon nanotube film, once the morphology of the carbon nanotube array is destroyed or changed, uniform carbon The nanotube film cannot be pulled out continuously. In the conventional method, after a carbon nanotube array is grown on the surface of a growth substrate (generally, single crystal silicon), a carbon nanotube array grown directly on the growth substrate is pulled out to obtain a carbon nanotube film. doing.
現在、カーボンナノチューブアレイの生産者はカーボンナノチューブアレイと成長基板とを共に、ユーザーに提供する。しかし、これでは、成長基板の回収までの期間が長くなり、新たなカーボンナノチューブアレイの成長基板として迅速に利用することができない。また、コストが高い単結晶のシリコンは運送中に破壊され易い。また、カーボンナノチューブアレイから直接にカーボンナノチューブワイヤを引き出すことには、上述した問題が存在する。 Currently, carbon nanotube array producers provide users with both carbon nanotube arrays and growth substrates. However, this increases the period until the growth substrate is recovered, and cannot be used quickly as a growth substrate for a new carbon nanotube array. In addition, high-cost single crystal silicon is easily broken during transportation. In addition, the above-described problem exists in drawing a carbon nanotube wire directly from a carbon nanotube array.
従って、前記課題を解決するために、本発明はカーボンナノチューブ構造体及びこの応用物の生産コストを低くして、生産プロセスを簡略化できるカーボンナノチューブアレイの転移方法及びカーボンナノチューブ構造体の製造方法を提供する。 Accordingly, in order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a method for transferring a carbon nanotube array and a method for manufacturing a carbon nanotube structure, which can reduce the production cost of the carbon nanotube structure and the applied product and simplify the production process. provide.
カーボンナノチューブアレイの転移方法は、代替基板、成長基板及び間隔装置を提供し、成長基板の表面にカーボンナノチューブアレイを形成する第一ステップであって、カーボンナノチューブアレイの形態がカーボンナノチューブ構造体をカーボンナノチューブアレイから連続的に引き出すことを保証でき、カーボンナノチューブ構造体が端と端とが接続された複数のカーボンナノチューブを含む第一ステップと、カーボンナノチューブアレイを成長基板から代替基板に転移させる第二ステップであって、代替基板に転移されたカーボンナノチューブアレイの形態は、カーボンナノチューブ構造体をカーボンナノチューブアレイから連続的に引き出すことを保証できる第二ステップと、を含むカーボンナノチューブアレイの転移方法であって、第二ステップは、代替基板の表面をカーボンナノチューブアレイの成長基板から離れる表面に接触させ、間隔装置によって、代替基板と成長基板との間隔をあけるステップと、代替基板及び成長基板のうちの少なくとも一方を移動させて、代替基板と成長基板とを離し、カーボンナノチューブアレイを成長基板から脱離させ、代替基板に転移させるステップと、を含む。 The transfer method of the carbon nanotube array provides an alternative substrate, a growth substrate, and a spacing device, and is the first step of forming the carbon nanotube array on the surface of the growth substrate. A first step that can ensure continuous withdrawal from the nanotube array, the carbon nanotube structure comprising a plurality of carbon nanotubes connected end to end, and a second step of transferring the carbon nanotube array from a growth substrate to an alternative substrate The carbon nanotube array transferred to the alternative substrate is a carbon nanotube array transfer method comprising: a second step capable of ensuring that the carbon nanotube structure is continuously drawn from the carbon nanotube array. The second step is to bring the surface of the alternative substrate into contact with the surface away from the growth substrate of the carbon nanotube array, and to space the alternative substrate and the growth substrate with a spacing device; and at least one of the alternative substrate and the growth substrate. Moving one of them to separate the growth substrate from the growth substrate, detaching the carbon nanotube array from the growth substrate, and transferring to the substitution substrate.
間隔装置が代替基板と成長基板との間に位置する際の高さは、カーボンナノチューブアレイの高さと同じであるか、又はカーボンナノチューブアレイの高さより低く、カーボンナノチューブアレイが、カーボンナノチューブ構造体をカーボンナノチューブアレイから連続的に引き出すことを保証できない形態まで押される距離より高い。 The height when the spacing device is located between the alternative substrate and the growth substrate is the same as the height of the carbon nanotube array or lower than the height of the carbon nanotube array, and the carbon nanotube array Higher than the distance pushed to a form that cannot be guaranteed to be continuously pulled out of the carbon nanotube array.
代替基板の表面に複数の微構造体を有しており、代替基板の微構造体を有する表面を、カーボンナノチューブアレイの成長基板から離れる表面に接触させる。 The surface of the substitute substrate has a plurality of microstructures, and the surface having the microstructure of the substitute substrate is brought into contact with the surface away from the growth substrate of the carbon nanotube array.
カーボンナノチューブ構造体の製造方法は、代替基板、成長基板及び間隔装置を提供し、成長基板の表面にカーボンナノチューブアレイを形成する第一ステップであって、カーボンナノチューブアレイの形態がカーボンナノチューブ構造体をカーボンナノチューブアレイから連続的に引き出すことを保証でき、カーボンナノチューブ構造体が端と端とが接続された複数のカーボンナノチューブを含む第一ステップと、カーボンナノチューブアレイを成長基板から代替基板に転移させる第二ステップであって、代替基板に転移されたカーボンナノチューブアレイの形態は、カーボンナノチューブ構造体をカーボンナノチューブアレイから連続的に引き出すことを保証できる第二ステップと、代替基板におけるカーボンナノチューブアレイからカーボンナノチューブ構造体を引き出す第三ステップと、を含み、第二ステップは、代替基板の表面をカーボンナノチューブアレイの成長基板から離れる表面に接触させ、間隔装置によって、代替基板と成長基板との間隔をあけるステップと、代替基板及び成長基板のうちの少なくとも一方を移動させて、代替基板と成長基板とを離し、カーボンナノチューブアレイを成長基板から脱離させ、代替基板に転移させるステップと、を含む。 A method of manufacturing a carbon nanotube structure provides an alternative substrate, a growth substrate, and a spacing device, and is a first step of forming a carbon nanotube array on the surface of the growth substrate. A first step that can ensure continuous withdrawal from the carbon nanotube array, the carbon nanotube structure comprising a plurality of carbon nanotubes connected end to end, and a step of transferring the carbon nanotube array from a growth substrate to an alternative substrate; The form of the carbon nanotube array transferred to the alternative substrate in two steps is a second step that can ensure that the carbon nanotube structure is continuously pulled out of the carbon nanotube array, and the carbon nanotube array on the alternative substrate is A third step of pulling out the Bonn nanotube structure, wherein the second step contacts the surface of the substitute substrate with the surface away from the growth substrate of the carbon nanotube array, and the spacing device sets the spacing between the substitute substrate and the growth substrate. And a step of moving at least one of the substitute substrate and the growth substrate to separate the substitute substrate and the growth substrate, detaching the carbon nanotube array from the growth substrate, and transferring to the substitute substrate.
従来の技術と比べて、本発明のカーボンナノチューブアレイの転移方法及びカーボンナノチューブ構造体の製造方法は以下の有利な効果を有する。カーボンナノチューブアレイを成長させる工程及びカーボンナノチューブアレイからカーボンナノチューブ構造体を引き出す工程において、カーボンナノチューブアレイが成長基板から異なる基板に転移設置されたので、カーボンナノチューブアレイからカーボンナノチューブ構造体を引き出す工程において、カーボンナノチューブアレイが設置される基板をコストが低い材料から製造することができる。これにより、カーボンナノチューブアレイの生産者は、カーボンナノチューブアレイを代替基板に転移させ、カーボンナノチューブアレイと代替基板とを共にユーザーに提供することで、コストが高い成長基板を迅速に回収することができ、生産プロセスを簡単にする。よって、本発明のカーボンナノチューブアレイの転移方法及びカーボンナノチューブ構造体の製造方法は、カーボンナノチューブフィルム及びカーボンナノチューブワイヤに対する産業的応用に有利であり、生産方式を変えて、生産コストを低くする。また、カーボンナノチューブアレイを転移する工程において、間隔装置は、代替基板と成長基板との間の距離が近過ぎないことを保証できるため、カーボンナノチューブアレイの形態の保護に有利である。また、代替基板の表面に微構造体を設置して、代替基板の表面積を増加させることによって、代替基板とカーボンナノチューブアレイとの間の結合力を高めることができるので、代替基板の材料の選択範囲を広めることができる。 Compared with the prior art, the method for transferring a carbon nanotube array and the method for producing a carbon nanotube structure of the present invention have the following advantageous effects. In the step of growing the carbon nanotube array and the step of extracting the carbon nanotube structure from the carbon nanotube array, the carbon nanotube array has been transferred from the growth substrate to a different substrate, so in the step of extracting the carbon nanotube structure from the carbon nanotube array, The substrate on which the carbon nanotube array is installed can be manufactured from a low cost material. This enables carbon nanotube array producers to quickly collect costly growth substrates by transferring the carbon nanotube array to an alternative substrate and providing the user with both the carbon nanotube array and the alternative substrate. To simplify the production process. Therefore, the method for transferring a carbon nanotube array and the method for producing a carbon nanotube structure of the present invention are advantageous for industrial application to a carbon nanotube film and a carbon nanotube wire, and change the production method to lower the production cost. Also, in the process of transferring the carbon nanotube array, the spacing device can ensure that the distance between the alternative substrate and the growth substrate is not too close, which is advantageous for protecting the form of the carbon nanotube array. In addition, by installing the microstructure on the surface of the alternative substrate and increasing the surface area of the alternative substrate, the bonding force between the alternative substrate and the carbon nanotube array can be increased, so the selection of the alternative substrate material Can widen the range.
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
(実施形態1)
図1を参照すると、本発明は、カーボンナノチューブアレイ10の転移方法を提供する。該カーボンナノチューブアレイ10の転移方法は、下記のステップを含む。
(Embodiment 1)
Referring to FIG. 1, the present invention provides a method for transferring a carbon nanotube array 10. The transfer method of the carbon nanotube array 10 includes the following steps.
ステップS1:図1に示したように、代替基板30及び成長基板20を提供し、成長基板20の表面にカーボンナノチューブアレイ10を形成するステップであって、カーボンナノチューブアレイ10の形態は、カーボンナノチューブ構造体をカーボンナノチューブアレイ10から連続的に引き出すことを保証でき、カーボンナノチューブ構造体は端と端とが接続された複数のカーボンナノチューブを含み、また、代替基板30の表面302には複数の微構造体304が形成される。 Step S1: As shown in FIG. 1, the alternative substrate 30 and the growth substrate 20 are provided, and the carbon nanotube array 10 is formed on the surface of the growth substrate 20. It is possible to ensure that the structure is continuously pulled out from the carbon nanotube array 10, and the carbon nanotube structure includes a plurality of carbon nanotubes connected at one end to the other. A structure 304 is formed.
ステップS2:カーボンナノチューブアレイ10を成長基板20から代替基板30に転移するステップであって、代替基板30に転移されたカーボンナノチューブアレイ10の形態は、カーボンナノチューブ構造体をカーボンナノチューブアレイ10から連続的に引き出せることを保証している。 Step S2: A step of transferring the carbon nanotube array 10 from the growth substrate 20 to the alternative substrate 30. The form of the carbon nanotube array 10 transferred to the alternative substrate 30 is that the carbon nanotube structure is continuously formed from the carbon nanotube array 10. It is guaranteed that it can be pulled out.
またステップS2は、代替基板30の微構造体304を有する表面302を、カーボンナノチューブアレイ10の成長基板20から離れる表面に接触させるステップ(S21)と、代替基板30及び成長基板20のうちの少なくとも一方を移動させて代替基板30と成長基板20とを離し、カーボンナノチューブアレイ10を成長基板20から脱離させて、代替基板30に転移させるステップ(S22)と、を含む。 Step S2 is a step (S21) of bringing the surface 302 having the microstructure 304 of the alternative substrate 30 into contact with the surface of the carbon nanotube array 10 away from the growth substrate 20, and at least one of the alternative substrate 30 and the growth substrate 20. And moving the one to separate the alternative substrate 30 and the growth substrate 20, detaching the carbon nanotube array 10 from the growth substrate 20, and transferring to the alternative substrate 30 (S 22).
カーボンナノチューブ構造体は、端と端とが接続された複数のカーボンナノチューブを含み、該複数のカーボンナノチューブは、分子間力で相互に結合され、且つ端と端とが接続されて形成された巨視的な構造体である。例えば、カーボンナノチューブフィルム或いはカーボンナノチューブワイヤである。 The carbon nanotube structure includes a plurality of carbon nanotubes whose ends are connected to each other, and the plurality of carbon nanotubes are bonded to each other by an intermolecular force and are formed by connecting the ends to each other. Structure. For example, a carbon nanotube film or a carbon nanotube wire.
カーボンナノチューブアレイ10は、化学気相蒸着法(CVD)によって成長基板20の表面に成長する。カーボンナノチューブアレイ10におけるカーボンナノチューブは相互に基本的に平行であり、且つ成長基板20の表面に垂直である。隣接するカーボンナノチューブは相互に接触して、且つ分子間力で結合されている。成長条件を制御することによって、カーボンナノチューブアレイ10に基本的に不純物を含ませない。ここで不純物とは、例えば、アモルファスカーボン或いは残留した触媒の金属粒である。カーボンナノチューブアレイ10は、基本的に不純物を含まず、カーボンナノチューブが相互に緊密に接触して、且つ隣接するカーボンナノチューブの間に、大きな分子間力を有するので、一部のカーボンナノチューブ(カーボンナノチューブセグメント)を引き出す際、隣接するカーボンナノチューブが分子間力の作用によって端と端で接続され、連続的に引き出され、自立構造体(例えば、カーボンナノチューブフィルム或いはカーボンナノチューブワイヤ)を形成する。カーボンナノチューブが端と端で接続されて引き出すことのできる前記カーボンナノチューブアレイ10は、超配列カーボンナノチューブアレイである。超配列カーボンナノチューブアレイについては特許文献1に掲載されている。 The carbon nanotube array 10 is grown on the surface of the growth substrate 20 by chemical vapor deposition (CVD). The carbon nanotubes in the carbon nanotube array 10 are basically parallel to each other and perpendicular to the surface of the growth substrate 20. Adjacent carbon nanotubes are in contact with each other and bonded by intermolecular forces. By controlling the growth conditions, the carbon nanotube array 10 is basically free of impurities. Here, the impurities are, for example, amorphous carbon or residual metal particles of the catalyst. The carbon nanotube array 10 is basically free of impurities, the carbon nanotubes are in close contact with each other, and has a large intermolecular force between adjacent carbon nanotubes. When pulling out a segment, adjacent carbon nanotubes are connected end-to-end by the action of intermolecular forces and are continuously drawn out to form a self-supporting structure (eg, carbon nanotube film or carbon nanotube wire). The carbon nanotube array 10 in which carbon nanotubes can be pulled out by being connected end to end is a super aligned carbon nanotube array. The super-aligned carbon nanotube array is described in Patent Document 1.
成長基板20は超配列カーボンナノチューブアレイの成長に適した基板であり、その材料は、例えば、P型シリコン、N型シリコン、或いは酸化シリコンなどである。 The growth substrate 20 is a substrate suitable for the growth of the super aligned carbon nanotube array, and the material thereof is, for example, P-type silicon, N-type silicon, or silicon oxide.
カーボンナノチューブアレイ10から引き出されるカーボンナノチューブ構造体は、端と端とが接続された複数のカーボンナノチューブを含む。具体的には、カーボンナノチューブ構造体はカーボンナノチューブフィルムでもよい。該カーボンナノチューブフィルムは自立構造体であり、基本的に同じ方向に沿って配列された複数のカーボンナノチューブを含む。図2を参照すると、カーボンナノチューブフィルムにおける複数のカーボンナノチューブは、同じ方向に沿って配列されている。複数のカーボンナノチューブが延伸する方向は、カーボンナノチューブフィルムの表面と基本的に平行である。また、複数のカーボンナノチューブは分子間力で接続されている。具体的には、複数のカーボンナノチューブにおける各カーボンナノチューブは、延伸する方向における隣接するカーボンナノチューブと、分子間力で端と端とが接続されているので、カーボンナノチューブフィルムは自立構造を実現できる。更に、カーボンナノチューブフィルムは、複数のカーボンナノチューブセグメントを含むことができる。複数のカーボンナノチューブセグメントは、カーボンナノチューブの長軸方向に沿って、分子間力で端と端とが接続されている。各カーボンナノチューブセグメントは、相互に平行に分子間力で結合された複数のカーボンナノチューブを含む。単一のカーボンナノチューブセグメントにおいて、複数のカーボンナノチューブの長さは同じである。 The carbon nanotube structure drawn out from the carbon nanotube array 10 includes a plurality of carbon nanotubes whose ends are connected to each other. Specifically, the carbon nanotube structure may be a carbon nanotube film. The carbon nanotube film is a self-supporting structure and includes a plurality of carbon nanotubes arranged basically along the same direction. Referring to FIG. 2, a plurality of carbon nanotubes in the carbon nanotube film are arranged along the same direction. The direction in which the plurality of carbon nanotubes extend is basically parallel to the surface of the carbon nanotube film. The plurality of carbon nanotubes are connected by intermolecular force. Specifically, each carbon nanotube in the plurality of carbon nanotubes is connected to the adjacent carbon nanotubes in the extending direction and the ends of the carbon nanotubes by intermolecular force, so that the carbon nanotube film can realize a self-supporting structure. Further, the carbon nanotube film can include a plurality of carbon nanotube segments. The ends of the plurality of carbon nanotube segments are connected by an intermolecular force along the long axis direction of the carbon nanotubes. Each carbon nanotube segment includes a plurality of carbon nanotubes bonded in parallel to each other by an intermolecular force. In a single carbon nanotube segment, the lengths of the plurality of carbon nanotubes are the same.
また、カーボンナノチューブフィルムは、少数のランダムなカーボンナノチューブを含む。しかし、大部分のカーボンナノチューブは同じ方向に沿って配列されているので、このランダムなカーボンナノチューブの延伸方向は、大部分のカーボンナノチューブの延伸方向には影響しない。具体的には、カーボンナノチューブフィルムにおける多数のカーボンナノチューブは、絶対的に直線状ではなくやや湾曲している。または、延伸する方向に完全に配列せず、少しずれている場合もある。従って、同じ方向に沿って配列されている複数のカーボンナノチューブにおいて、隣同士のカーボンナノチューブが部分的に接触する可能性がある。実際に、カーボンナノチューブフィルムは複数の空隙を有する。即ち、隣接するカーボンナノチューブの間に空隙が形成されている。これにより、カーボンナノチューブフィルムは優れた透明度を有する。さらに、隣接するカーボンナノチューブの接触した部分の分子間力及び端と端とが接続された部分の分子間力は、カーボンナノチューブフィルムの自立構造を維持できる。カーボンナノチューブフィルムの厚さは0.5nm〜100μmであり、好ましくは、0.5nm〜10μmである。カーボンナノチューブ構造体の幅が狭い場合、カーボンナノチューブ構造体は自立構造を有するカーボンナノチューブワイヤである。 The carbon nanotube film also includes a small number of random carbon nanotubes. However, since most of the carbon nanotubes are arranged along the same direction, the extending direction of the random carbon nanotubes does not affect the extending direction of most of the carbon nanotubes. Specifically, a large number of carbon nanotubes in the carbon nanotube film are slightly curved rather than absolutely linear. Or, it may not be completely arranged in the extending direction and may be slightly shifted. Therefore, in the plurality of carbon nanotubes arranged along the same direction, adjacent carbon nanotubes may partially contact each other. Indeed, the carbon nanotube film has a plurality of voids. That is, voids are formed between adjacent carbon nanotubes. Thereby, the carbon nanotube film has excellent transparency. Furthermore, the intermolecular force at the part where the adjacent carbon nanotubes are in contact and the intermolecular force at the part where the ends are connected can maintain the self-supporting structure of the carbon nanotube film. The thickness of the carbon nanotube film is 0.5 nm to 100 μm, preferably 0.5 nm to 10 μm. When the width of the carbon nanotube structure is narrow, the carbon nanotube structure is a carbon nanotube wire having a free-standing structure.
ここで自立構造体とは、支持体材を利用せず、カーボンナノチューブフィルム或いはカーボンナノチューブワイヤを独立して利用することができる形態のことである。即ち、カーボンナノチューブフィルム或いはカーボンナノチューブワイヤを対向する両側から支持して、カーボンナノチューブフィルム或いはカーボンナノチューブワイヤの構造を変化させずに、カーボンナノチューブフィルム或いはカーボンナノチューブワイヤを懸架させることができることを意味する。カーボンナノチューブフィルム或いはカーボンナノチューブワイヤにおけるカーボンナノチューブが分子間力によって接続されているので、自立構造体が実現される。 Here, the self-supporting structure is a form in which a carbon nanotube film or a carbon nanotube wire can be used independently without using a support material. That is, it means that the carbon nanotube film or the carbon nanotube wire can be suspended without supporting the carbon nanotube film or the carbon nanotube wire from the opposite sides and changing the structure of the carbon nanotube film or the carbon nanotube wire. Since the carbon nanotubes in the carbon nanotube film or the carbon nanotube wire are connected by intermolecular force, a self-supporting structure is realized.
カーボンナノチューブアレイ10からカーボンナノチューブフィルムを引き出す方法は、特許文献1に掲載されている。 A method of pulling out a carbon nanotube film from the carbon nanotube array 10 is disclosed in Patent Document 1.
代替基板30は、固体の基板であり、軟質基板或いは硬質基板である。代替基板30は、カーボンナノチューブアレイ10が設置される表面を有する。カーボンナノチューブアレイ10を成長基板20から代替基板30に転移させる工程において、カーボンナノチューブアレイ10の形態を基本的に維持し、カーボンナノチューブ構造体をカーボンナノチューブアレイ10から連続的に引き出せることを保証している。即ち、カーボンナノチューブアレイ10は超配列カーボンナノチューブアレイの形態を維持する。 The alternative substrate 30 is a solid substrate and is a soft substrate or a hard substrate. The alternative substrate 30 has a surface on which the carbon nanotube array 10 is placed. In the process of transferring the carbon nanotube array 10 from the growth substrate 20 to the alternative substrate 30, the form of the carbon nanotube array 10 is basically maintained, and it is ensured that the carbon nanotube structure can be continuously pulled out from the carbon nanotube array 10. Yes. That is, the carbon nanotube array 10 maintains the form of a super aligned carbon nanotube array.
カーボンナノチューブアレイ10の形態を維持することを前提に、カーボンナノチューブアレイ10を代替基板30に転移させる際、カーボンナノチューブアレイ10は、代替基板30の表面302に逆さに設置される。具体的には、カーボンナノチューブアレイ10は、第一表面102及び該第一表面102に対向して位置する第二表面104を含む。各カーボンナノチューブは、成長基板20の表面から成長し、カーボンナノチューブアレイ10を形成する。各カーボンナノチューブが成長基板20と隣接する一端をカーボンナノチューブの下端と定義し、下端と対向する端部をカーボンナノチューブの上端と定義する。成長基板20において、第一表面102は、カーボンナノチューブアレイ10におけるカーボンナノチューブの下端側に形成され、第二表面104は、カーボンナノチューブアレイ10におけるカーボンナノチューブの上端側に形成される。すなわち、カーボンナノチューブアレイ10の第一表面102は、成長基板20の表面と近接し、或いは成長基板20の表面202に位置される。よって、第一表面102は、カーボンナノチューブアレイ10における各カーボンナノチューブの成長下端である。第二表面104は、成長基板20の表面から離れ、カーボンナノチューブアレイ10における各カーボンナノチューブの成長上端である。カーボンナノチューブアレイ10を代替基板30に転移させた後、カーボンナノチューブアレイ10の第二表面104は代替基板30の表面302と近接し、或いは代替基板30の表面302に位置される。 Assuming that the shape of the carbon nanotube array 10 is maintained, when the carbon nanotube array 10 is transferred to the alternative substrate 30, the carbon nanotube array 10 is placed upside down on the surface 302 of the alternative substrate 30. Specifically, the carbon nanotube array 10 includes a first surface 102 and a second surface 104 positioned opposite to the first surface 102. Each carbon nanotube grows from the surface of the growth substrate 20 to form the carbon nanotube array 10. One end of each carbon nanotube adjacent to the growth substrate 20 is defined as the lower end of the carbon nanotube, and the end opposite to the lower end is defined as the upper end of the carbon nanotube. In the growth substrate 20, the first surface 102 is formed on the lower end side of the carbon nanotubes in the carbon nanotube array 10, and the second surface 104 is formed on the upper end side of the carbon nanotubes in the carbon nanotube array 10. That is, the first surface 102 of the carbon nanotube array 10 is positioned close to the surface of the growth substrate 20 or on the surface 202 of the growth substrate 20. Therefore, the first surface 102 is the lower growth end of each carbon nanotube in the carbon nanotube array 10. The second surface 104 is away from the surface of the growth substrate 20 and is the upper growth end of each carbon nanotube in the carbon nanotube array 10. After the carbon nanotube array 10 is transferred to the alternative substrate 30, the second surface 104 of the carbon nanotube array 10 is adjacent to the surface 302 of the alternative substrate 30 or positioned on the surface 302 of the alternative substrate 30.
ステップ(S21)及びステップ(S22)は常温の環境下で行うことができる。ステップ(S21)及びステップ(S22)において、カーボンナノチューブアレイ10の形態はカーボンナノチューブ構造体をカーボンナノチューブアレイ10から連続的に引き出せることを保証している。カーボンナノチューブアレイ10を代替基板30に転移させた後で、カーボンナノチューブ構造体を連続的に引き出すことができるように、代替基板30の表面302とカーボンナノチューブアレイ10の第二表面104との間は分子間力のみで結合している。すなわち、代替基板30とカーボンナノチューブアレイ10との間の結合力(FBC)は、カーボンナノチューブアレイ10におけるカーボンナノチューブ同士の間の分子間力(FCC)より小さい。また、代替基板30とカーボンナノチューブアレイ10との間の結合力(FBC)は、成長基板20の表面202とカーボンナノチューブアレイ10との間の結合力(FAC)より大きい。これにより、カーボンナノチューブアレイ10を成長基板20から脱離させ、代替基板30に転移させることができる。即ち、FAC<FBC<FCCである。 Step (S21) and step (S22) can be performed in a room temperature environment. In step (S21) and step (S22), the configuration of the carbon nanotube array 10 ensures that the carbon nanotube structure can be continuously pulled out from the carbon nanotube array 10. After the carbon nanotube array 10 is transferred to the alternative substrate 30, the space between the surface 302 of the alternative substrate 30 and the second surface 104 of the carbon nanotube array 10 can be continuously extracted. Bonded only by intermolecular forces. That is, the bonding force (F BC ) between the alternative substrate 30 and the carbon nanotube array 10 is smaller than the intermolecular force (F CC ) between the carbon nanotubes in the carbon nanotube array 10. Further, the bonding force (F BC ) between the alternative substrate 30 and the carbon nanotube array 10 is larger than the bonding force (F AC ) between the surface 202 of the growth substrate 20 and the carbon nanotube array 10. Thereby, the carbon nanotube array 10 can be detached from the growth substrate 20 and transferred to the alternative substrate 30. That is, F AC <F BC <F CC .
カーボンナノチューブアレイ10を成長基板20から脱離させ、代替基板30に転移させる工程において、代替基板30の表面302とカーボンナノチューブアレイ10の第二表面104とが接触することのみによって、代替基板30の表面302とカーボンナノチューブアレイ10との間に、十分な結合力(例えば、分子間力)を発生させて、カーボンナノチューブアレイ10を成長基板20から脱離させる。 In the process of detaching the carbon nanotube array 10 from the growth substrate 20 and transferring it to the alternative substrate 30, the surface 302 of the alternative substrate 30 and the second surface 104 of the carbon nanotube array 10 are only in contact with each other. A sufficient binding force (for example, intermolecular force) is generated between the surface 302 and the carbon nanotube array 10 to detach the carbon nanotube array 10 from the growth substrate 20.
代替基板30の表面302とカーボンナノチューブアレイ10との間の結合力(FBC)を高め、FAC<FBC<FCCを満たすために、代替基板30の表面302に複数の微構造体304を設置することができる。これにより、代替基板30の表面302の表面積は大きくなり、代替基板30の材料を変えなくても、該結合力(FBC)を高めることができる。微構造体304は、代替基板30の表面302に設置された突起又は凹部である。図1、図3、図4及び図5を参照すると、微構造体304の断面の形状は、半球形、矩形、先細形、歯形、階段形又は他の形状であり、微構造体304は、点状、線状又はシート状からなる。図6を参照すると、一つの実施形態において、微構造体304は、互いに平行し、且つ間隔をあけて設置された槽状の構造体である。図7を参照すると、別の実施形態において、微構造体304は、互いに間隔をあけて、且つ均一に設置された半球形の突起である。また、大多数の微構造体304は、代替基板30の表面302に均一に設置されるのが好ましい。また、微構造体304の数量は、代替基板30の表面302の表面積を平面の表面積より30%〜120%増加させる数量であるのが好ましい。代替基板30の微構造体304を有する表面302は、カーボンナノチューブアレイ10と十分に接触することができる。微構造体304によって、代替基板30とカーボンナノチューブアレイ10との接触面積を増やし、代替基板30に大きな吸着力を保持させ、結合力(FBC)を高める。また、代替基板30は、通常の無機材料又は有機材料からなる基板である、例えば、ガラス、シリコン、石英、プラスチック又はゴムである。プラスチックは、例えばアクリル樹脂(PMMA)又はポリエチレンテレフタラート(PET)である。 In order to increase the bonding force (F BC ) between the surface 302 of the alternative substrate 30 and the carbon nanotube array 10 and satisfy F AC <F BC <F CC , a plurality of microstructures 304 are provided on the surface 302 of the alternative substrate 30. Can be installed. Thereby, the surface area of the surface 302 of the alternative substrate 30 is increased, and the bonding force (F BC ) can be increased without changing the material of the alternative substrate 30. The microstructure 304 is a protrusion or a recess provided on the surface 302 of the alternative substrate 30. 1, 3, 4, and 5, the cross-sectional shape of the microstructure 304 is hemispherical, rectangular, tapered, toothed, stepped, or other shape, It consists of a dot, line or sheet. Referring to FIG. 6, in one embodiment, the microstructures 304 are tub-like structures that are parallel to each other and spaced from each other. Referring to FIG. 7, in another embodiment, the microstructures 304 are hemispherical protrusions that are spaced apart and evenly spaced. Further, it is preferable that the majority of the microstructures 304 be uniformly installed on the surface 302 of the alternative substrate 30. The number of the microstructures 304 is preferably a quantity that increases the surface area of the surface 302 of the alternative substrate 30 by 30% to 120% from the surface area of the plane. The surface 302 having the microstructure 304 of the alternative substrate 30 can be in sufficient contact with the carbon nanotube array 10. The microstructure 304 increases the contact area between the substitute substrate 30 and the carbon nanotube array 10, maintains a large adsorption force on the substitute substrate 30, and increases the bonding force (F BC ). The alternative substrate 30 is a substrate made of a normal inorganic material or organic material, for example, glass, silicon, quartz, plastic, or rubber. The plastic is, for example, acrylic resin (PMMA) or polyethylene terephthalate (PET).
突起の微構造体304の高さ又は凹部の微構造体304の深さは、カーボンナノチューブアレイ10の高さの0.5%〜10%であることが好ましい。より好ましくは、5μm〜50μmである。即ち、表面302は、かなりの平坦性を有する必要があり、カーボンナノチューブアレイ10が代替基板30の表面302に設置された時、該表面302との不十分な接触を防止することができる。微構造体304は、光エッチング、レーザーエッチング又は化学エッチングなどの方法によって形成される。 The height of the protrusion microstructure 304 or the depth of the recess microstructure 304 is preferably 0.5% to 10% of the height of the carbon nanotube array 10. More preferably, it is 5 micrometers-50 micrometers. That is, the surface 302 needs to have a considerable flatness, and when the carbon nanotube array 10 is placed on the surface 302 of the alternative substrate 30, insufficient contact with the surface 302 can be prevented. The microstructure 304 is formed by a method such as photoetching, laser etching, or chemical etching.
FAC<FBC<FCCを満たすために、適切な表面エネルギー及び界面エネルギーを有する材料を利用して代替基板30を製造することができる。或いは適切な表面エネルギー及び界面エネルギーを有する材料を代替基板30の表面に設置することもできる。本実施形態において、代替基板30の材料はポリジメチルシロキサン(PDMS)である。 In order to satisfy F AC <F BC <F CC , the substitute substrate 30 can be manufactured using a material having appropriate surface energy and interface energy. Alternatively, a material having appropriate surface energy and interface energy can be provided on the surface of the alternative substrate 30. In this embodiment, the material of the alternative substrate 30 is polydimethylsiloxane (PDMS).
代替基板30を接着剤によってカーボンナノチューブアレイ10に貼り付けることはしない。従来の接着剤によって、FAC<FBCを満たし、カーボンナノチューブアレイ10を成長基板20から脱離させることができる。しかし、カーボンナノチューブアレイ10におけるカーボンナノチューブ同士の間の分子間力は小さいので、従来の任意の接着剤では、FBC>FCCとなってしまう。これにより、後のカーボンナノチューブ構造体を引き出すステップを行うことができない。ステップ(S21)及びステップ(S22)において、代替基板30は固体状態を維持する。 The alternative substrate 30 is not attached to the carbon nanotube array 10 with an adhesive. With the conventional adhesive, FAC < FBC is satisfied, and the carbon nanotube array 10 can be detached from the growth substrate 20. However, since the intermolecular force between the carbon nanotubes in the carbon nanotube array 10 is small, F BC > F CC is satisfied with any conventional adhesive. Thereby, the step of pulling out the subsequent carbon nanotube structure cannot be performed. In step (S21) and step (S22), the alternative substrate 30 maintains a solid state.
ステップ(S21)において、代替基板30の表面302とカーボンナノチューブアレイ10におけるカーボンナノチューブの上端とを十分に接触させるために、代替基板30とカーボンナノチューブアレイ10に小さい圧力(f)を印加する。ただし、代替基板30が、カーボンナノチューブアレイ10におけるカーボンナノチューブを倒してしまわないようにする。でないと、カーボンナノチューブアレイ10の形態を変えてしまい、カーボンナノチューブ構造体をカーボンナノチューブアレイ10から連続的に引き出すことができない。 In step (S <b> 21), a small pressure (f) is applied to the alternative substrate 30 and the carbon nanotube array 10 in order to bring the surface 302 of the alternative substrate 30 into sufficient contact with the upper end of the carbon nanotubes in the carbon nanotube array 10. However, the alternative substrate 30 prevents the carbon nanotubes in the carbon nanotube array 10 from being brought down. Otherwise, the shape of the carbon nanotube array 10 is changed, and the carbon nanotube structure cannot be continuously drawn out from the carbon nanotube array 10.
代替基板30の微構造体304と代替基板30の表面302との間に高さの差を有するので、該表面302の凹部とカーボンナノチューブアレイ10の第二表面104とが接触する際、表面302の突起が該突起と接触するカーボンナノチューブに圧力を加える。これにより、カーボンナノチューブアレイ10における直立するカーボンナノチューブはやや湾曲する。しかし、微構造体304の高さは低いので、カーボンナノチューブの湾曲は小さい。代替基板30と成長基板20とを分離させる過程において、カーボンナノチューブアレイ10は、従来の高さに回復することができ、カーボンナノチューブ構造体をカーボンナノチューブアレイ10から連続的に引き出すことができる形態を維持する。 Since there is a difference in height between the microstructure 304 of the alternative substrate 30 and the surface 302 of the alternative substrate 30, the surface 302 is in contact with the concave portion of the surface 302 and the second surface 104 of the carbon nanotube array 10. A pressure is applied to the carbon nanotube in contact with the protrusion. Thereby, the upstanding carbon nanotubes in the carbon nanotube array 10 are slightly curved. However, since the microstructure 304 has a low height, the curvature of the carbon nanotube is small. In the process of separating the alternative substrate 30 and the growth substrate 20, the carbon nanotube array 10 can be restored to the conventional height, and the carbon nanotube structure can be continuously pulled out from the carbon nanotube array 10. maintain.
ステップ(S22)において、カーボンナノチューブアレイ10を成長基板20から脱離させる工程では、好ましくは、カーボンナノチューブアレイ10における全てのカーボンナノチューブを同時に成長基板20から脱離させる。即ち、代替基板30及び成長基板20のうちの少なくとも一方の移動方向は、成長基板20のカーボンナノチューブが成長する表面と垂直であり、カーボンナノチューブアレイ10におけるカーボンナノチューブを、カーボンナノチューブの成長方向に沿って成長基板20から脱離させる。代替基板30及び成長基板20が共に移動する場合、両者の移動方向は、成長基板20のカーボンナノチューブが成長する表面と垂直である。 In the step (S22), in the step of detaching the carbon nanotube array 10 from the growth substrate 20, preferably, all the carbon nanotubes in the carbon nanotube array 10 are simultaneously detached from the growth substrate 20. That is, the movement direction of at least one of the alternative substrate 30 and the growth substrate 20 is perpendicular to the surface of the growth substrate 20 on which the carbon nanotubes grow, and the carbon nanotubes in the carbon nanotube array 10 are moved along the growth direction of the carbon nanotubes. To be detached from the growth substrate 20. When the alternative substrate 30 and the growth substrate 20 move together, the moving direction of both is perpendicular to the surface of the growth substrate 20 on which the carbon nanotubes grow.
ステップ(S21)及びステップ(S22)において、まず、カーボンナノチューブアレイ10が成長基板20から押される力を受け、次に、代替基板30に向けて引かれる力を受ける。 In step (S <b> 21) and step (S <b> 22), first, the carbon nanotube array 10 receives a force that is pushed from the growth substrate 20, and then receives a force that is pulled toward the alternative substrate 30.
(実施形態2)
図8を参照すると、本発明は、カーボンナノチューブアレイ10の転移方法を提供する。該カーボンナノチューブアレイ10の転移方法は、下記のステップを含む。
(Embodiment 2)
Referring to FIG. 8, the present invention provides a method for transferring a carbon nanotube array 10. The transfer method of the carbon nanotube array 10 includes the following steps.
ステップS1:代替基板30、成長基板20及び間隔装置60を提供し、成長基板20の表面にカーボンナノチューブアレイ10を形成するステップであって、カーボンナノチューブアレイ10の形態は、カーボンナノチューブ構造体をカーボンナノチューブアレイ10から連続的に引き出せることを保証している。 Step S1: providing an alternative substrate 30, a growth substrate 20, and a spacing device 60, and forming the carbon nanotube array 10 on the surface of the growth substrate 20, wherein the carbon nanotube array 10 is formed by converting the carbon nanotube structure into carbon. It is guaranteed that the nanotube array 10 can be continuously pulled out.
ステップS2:カーボンナノチューブアレイ10を成長基板20から代替基板30に転移させるステップであって、代替基板30に転移されたカーボンナノチューブアレイ10の形態は、カーボンナノチューブ構造体をカーボンナノチューブアレイ10から連続的に引き出せることを保証している。 Step S2: a step of transferring the carbon nanotube array 10 from the growth substrate 20 to the alternative substrate 30. The form of the carbon nanotube array 10 transferred to the alternative substrate 30 is that the carbon nanotube structure is continuously formed from the carbon nanotube array 10. It is guaranteed that it can be pulled out.
また、ステップS2は、代替基板30の表面302を、カーボンナノチューブアレイ10の成長基板20から離れる表面に接触させ、間隔装置60によって、代替基板30と成長基板20との間隔をあけるステップ(S21)と、代替基板30及び成長基板20のうちの少なくとも一方を移動させて、代替基板30と成長基板20とを離し、カーボンナノチューブアレイ10を成長基板20から脱離させ、代替基板30に転移させるステップ(S22)と、含む。 In step S2, the surface 302 of the alternative substrate 30 is brought into contact with the surface of the carbon nanotube array 10 away from the growth substrate 20, and the distance between the alternative substrate 30 and the growth substrate 20 is set by the spacing device 60 (S21). And moving at least one of the alternative substrate 30 and the growth substrate 20 to separate the alternative substrate 30 and the growth substrate 20, detaching the carbon nanotube array 10 from the growth substrate 20, and transferring to the alternative substrate 30. (S22).
カーボンナノチューブ構造体は、端と端とが接続された複数のカーボンナノチューブを含み、該複数のカーボンナノチューブは、分子間力で相互に結合され、且つ端と端とが接続されて形成された巨視的な構造体であり、例えば、カーボンナノチューブフィルム或いはカーボンナノチューブワイヤである。 The carbon nanotube structure includes a plurality of carbon nanotubes whose ends are connected to each other, and the plurality of carbon nanotubes are bonded to each other by an intermolecular force and are formed by connecting the ends to each other. For example, a carbon nanotube film or a carbon nanotube wire.
カーボンナノチューブアレイ10の生長方法及び構造は、実施形態1におけるカーボンナノチューブアレイ10の生長方法及び構造と同じである。実施形態2におけるカーボンナノチューブ構造体の構造は、実施形態1におけるカーボンナノチューブ構造体の構造と同じである。 The growth method and structure of the carbon nanotube array 10 are the same as the growth method and structure of the carbon nanotube array 10 in the first embodiment. The structure of the carbon nanotube structure in the second embodiment is the same as the structure of the carbon nanotube structure in the first embodiment.
本実施形態2におけるステップS2の工程は、本実施形態1におけるステップS2の工程と基本的に同じであるが、異なる点は以下の通りである。 The process of step S2 in the second embodiment is basically the same as the process of step S2 in the first embodiment, but the differences are as follows.
ステップ(S21)において、代替基板30の表面302とカーボンナノチューブアレイ10におけるカーボンナノチューブの上端とを十分に接触させるために、代替基板30のカーボンナノチューブアレイ10と接触する表面302と成長基板20のカーボンナノチューブが成長した表面202との間の距離を、カーボンナノチューブアレイ10の高さと同じにするか、又はカーボンナノチューブアレイ10の高さより小さくする。これにより、代替基板30は、カーボンナノチューブアレイ10に小さい圧力を加える。代替基板30は、カーボンナノチューブアレイ10におけるカーボンナノチューブを倒すことはない。でないと、カーボンナノチューブアレイ10の形態を変えてしまい、カーボンナノチューブ構造体40をカーボンナノチューブアレイ10から連続的に引き出すことができない。従って、圧力は大き過ぎてはならない。即ち、代替基板30の表面302と成長基板20の表面202との距離が近過ぎてはならない。即ち、極限距離より大きい必要がある。ここで極限距離とは、カーボンナノチューブ構造体をカーボンナノチューブアレイから連続的に引き出すことを保証できない形態までカーボンナノチューブアレイ10が押されてしまう距離である。つまり、表面302と表面202との間の距離を制御することによって、カーボンナノチューブアレイ10の形態において、カーボンナノチューブ構造体を前記カーボンナノチューブアレイから連続的に引き出すことができる形態に維持することを保証できる。 In step (S21), the surface 302 of the alternative substrate 30 that contacts the carbon nanotube array 10 and the carbon of the growth substrate 20 are sufficiently brought into contact with the surface 302 of the alternative substrate 30 and the upper end of the carbon nanotube in the carbon nanotube array 10. The distance from the surface 202 on which the nanotubes are grown is the same as the height of the carbon nanotube array 10 or smaller than the height of the carbon nanotube array 10. Thereby, the alternative substrate 30 applies a small pressure to the carbon nanotube array 10. The alternative substrate 30 does not defeat the carbon nanotubes in the carbon nanotube array 10. Otherwise, the shape of the carbon nanotube array 10 is changed, and the carbon nanotube structure 40 cannot be continuously pulled out from the carbon nanotube array 10. Therefore, the pressure should not be too great. That is, the distance between the surface 302 of the alternative substrate 30 and the surface 202 of the growth substrate 20 should not be too short. That is, it needs to be larger than the limit distance. Here, the ultimate distance is a distance at which the carbon nanotube array 10 is pushed to a form in which it cannot be guaranteed that the carbon nanotube structure is continuously drawn out from the carbon nanotube array. That is, by controlling the distance between the surface 302 and the surface 202, in the form of the carbon nanotube array 10, it is ensured that the structure of the carbon nanotube structure can be continuously pulled out from the carbon nanotube array. it can.
前記圧力は、容易に制御することができず、少し大きくなっただけで、カーボンナノチューブアレイ10は倒されてしまう。また、カーボンナノチューブアレイ10の高さは、僅かに数十マイクロメートル〜数百マイクロメートルであるため、代替基板30を利用してカーボンナノチューブアレイ10を転移させる場合、代替基板30と成長基板20との距離を制御しにくい。従って、代替基板30と成長基板20との間に、間隔装置60を設置することができる。該間隔装置60によって、代替基板30の表面302と成長基板20の表面202との間の距離が近過ぎないことを保証できる。間隔装置60が代替基板30と成長基板20との間に位置する際の高さは、カーボンナノチューブアレイ10の高さに相等するか、又はカーボンナノチューブアレイ10の高さより低く、この場合間隔装置60とカーボンナノチューブアレイ10との間には、高さの差(X)が形成される。間隔装置60の高さは、極限距離より大きい。ステップ(S21)において、間隔装置60とカーボンナノチューブアレイ10とは、代替基板30と成長基板20との間に設置される。 The pressure cannot be easily controlled, and the carbon nanotube array 10 is brought down when the pressure is slightly increased. Further, since the height of the carbon nanotube array 10 is only several tens of micrometers to several hundreds of micrometers, when the carbon nanotube array 10 is transferred using the alternative substrate 30, the alternative substrate 30, the growth substrate 20, It is difficult to control the distance. Therefore, the spacing device 60 can be installed between the alternative substrate 30 and the growth substrate 20. The spacing device 60 can ensure that the distance between the surface 302 of the alternative substrate 30 and the surface 202 of the growth substrate 20 is not too close. The height when the spacing device 60 is located between the alternative substrate 30 and the growth substrate 20 is equal to the height of the carbon nanotube array 10 or lower than the height of the carbon nanotube array 10, in this case the spacing device 60. And a carbon nanotube array 10 is formed with a height difference (X). The height of the spacing device 60 is greater than the limit distance. In step (S <b> 21), the spacing device 60 and the carbon nanotube array 10 are installed between the alternative substrate 30 and the growth substrate 20.
間隔装置60は、固体であり、且つ剛性の素子であることが好ましい。また、該間隔装置60は、代替基板30の表面302と成長基板20の表面202との間に位置し、間隔装置60の高さを制御することによって、代替基板30と成長基板20との間の距離を精確に保持できる。間隔装置60の高さ(m)は、カーボンナノチューブアレイ10の高さ(n)の0.9倍〜1倍である。即ち、m=0.9n〜1nである。 The spacing device 60 is preferably a solid and rigid element. Further, the spacing device 60 is located between the surface 302 of the alternative substrate 30 and the surface 202 of the growth substrate 20, and controls the height of the spacing device 60 so that the space between the alternative substrate 30 and the growth substrate 20 can be controlled. Can be accurately maintained. The height (m) of the spacing device 60 is 0.9 to 1 times the height (n) of the carbon nanotube array 10. That is, m = 0.9n to 1n.
間隔装置60の高さがカーボンナノチューブアレイ10の高さより低い場合、代替基板30は、カーボンナノチューブアレイ10上で直立するカーボンナノチューブをやや湾曲させる。しかし、間隔装置60を有するので、カーボンナノチューブの湾曲は小さい。代替基板30と成長基板20とを分離させる過程において、カーボンナノチューブアレイ10は、従来の高さに回復することができ、カーボンナノチューブ構造体40をカーボンナノチューブアレイ10から連続的に引き出すことができる形態を維持する。 When the height of the spacing device 60 is lower than the height of the carbon nanotube array 10, the alternative substrate 30 slightly curves the carbon nanotubes standing upright on the carbon nanotube array 10. However, since the spacing device 60 is included, the curvature of the carbon nanotube is small. In the process of separating the alternative substrate 30 and the growth substrate 20, the carbon nanotube array 10 can be restored to the conventional height, and the carbon nanotube structure 40 can be continuously pulled out from the carbon nanotube array 10. To maintain.
また間隔装置60は、成長基板20に設置することができる。図9を参照すると、他の実施形態において、間隔装置60は、代替基板30に設置することもできる。図10を参照すると、間隔装置60は、代替基板30の一部であってもよく、代替基板30の表面から突出する構造体である。間隔装置60の形状は制限されず、ブロック状、シート状、柱状又は球状であり、最適な高さを有すればよい。また、間隔装置60は、カーボンナノチューブアレイ10の周囲に均一に設置される複数の間隔装置であってもよい。これにより、成長基板20と代替基板30との間は安定的に支持される。図11を参照すると、一つの実施形態において、間隔装置60はリング・ガスケットであり、カーボンナノチューブアレイ10の周囲に設置される。図12を参照すると、もう一つの実施形態において、間隔装置60は複数の円柱形のガスケットであり、カーボンナノチューブアレイ10の周囲に均一に設置される。 The spacing device 60 can be installed on the growth substrate 20. Referring to FIG. 9, in another embodiment, the spacing device 60 may be installed on the alternative substrate 30. Referring to FIG. 10, the spacing device 60 may be a part of the alternative substrate 30 and is a structure protruding from the surface of the alternative substrate 30. The shape of the spacing device 60 is not limited, and may be a block shape, a sheet shape, a column shape, or a spherical shape, and may have an optimum height. Further, the spacing device 60 may be a plurality of spacing devices that are uniformly installed around the carbon nanotube array 10. As a result, the growth substrate 20 and the alternative substrate 30 are stably supported. Referring to FIG. 11, in one embodiment, the spacing device 60 is a ring gasket and is placed around the carbon nanotube array 10. Referring to FIG. 12, in another embodiment, the spacing device 60 is a plurality of cylindrical gaskets that are uniformly installed around the carbon nanotube array 10.
(実施形態3)
本発明は、カーボンナノチューブアレイ10の転移方法を提供する。該カーボンナノチューブアレイ10の転移方法は、実施形態2のカーボンナノチューブアレイ10の転移方法と基本的に同じであり、共に間隔装置60を有するが、異なる点は、代替基板30の表面に微構造体304が形成されている点である。また、実施形態3の代替基板30の構造は、実施形態1における代替基板30の構造と同じである。つまり、代替基板30の表面302には複数の微構造体304が形成されている。
(Embodiment 3)
The present invention provides a method for transferring a carbon nanotube array 10. The transfer method of the carbon nanotube array 10 is basically the same as the transfer method of the carbon nanotube array 10 of the second embodiment, and both have the spacing device 60, except that the microstructure is formed on the surface of the alternative substrate 30. 304 is formed. The structure of the alternative substrate 30 of the third embodiment is the same as the structure of the alternative substrate 30 in the first embodiment. That is, a plurality of microstructures 304 are formed on the surface 302 of the alternative substrate 30.
図13、図14を参照すると、本発明は、カーボンナノチューブ構造体40の製造方法を提供する。カーボンナノチューブ構造体40の製造方法は、実施形態1、実施形態2及び実施形態3におけるステップ(S1)及びステップ(S2)を含み、更に、代替基板30におけるカーボンナノチューブアレイ10からカーボンナノチューブ構造体40を引き出すステップ(S3)と、含む。 Referring to FIGS. 13 and 14, the present invention provides a method for manufacturing a carbon nanotube structure 40. The method for manufacturing the carbon nanotube structure 40 includes steps (S1) and (S2) in the first, second, and third embodiments, and further includes the carbon nanotube structure 40 from the carbon nanotube array 10 on the alternative substrate 30. And step (S3) of withdrawing.
図15を参照すると、ステップ(S3)が従来のカーボンナノチューブアレイからカーボンナノチューブ構造体を引き出すステップと異なる点は以下の通りである。カーボンナノチューブ構造体40は、代替基板30に転移したカーボンナノチューブアレイ10から引き出されたものであり、成長基板20に成長したカーボンナノチューブアレイ10から直接に引き出されたものではない。好ましくは、カーボンナノチューブ構造体40は、代替基板30の表面に逆さに設置されたカーボンナノチューブアレイ10から引き出される。即ち、カーボンナノチューブアレイ10の成長下部からカーボンナノチューブ構造体40を引き出す。 Referring to FIG. 15, the step (S3) is different from the step of extracting the carbon nanotube structure from the conventional carbon nanotube array as follows. The carbon nanotube structure 40 is drawn from the carbon nanotube array 10 transferred to the alternative substrate 30, and is not directly drawn from the carbon nanotube array 10 grown on the growth substrate 20. Preferably, the carbon nanotube structure 40 is pulled out from the carbon nanotube array 10 installed upside down on the surface of the alternative substrate 30. That is, the carbon nanotube structure 40 is pulled out from the lower growth portion of the carbon nanotube array 10.
またステップ(S3)は、引き出し道具50によって、代替基板30の表面に設置されたカーボンナノチューブアレイ10における一部のカーボンナノチューブセグメントを選択するステップ(S31)と、引き出し道具50を移動させることによって、特定の速度で選択したカーボンナノチューブセグメントを引き、端と端とが接続された複数のカーボンナノチューブセグメントを引き出し、連続したカーボンナノチューブ構造体40を形成するステップ(S32)と、を含む。 Further, the step (S3) includes a step (S31) of selecting a part of the carbon nanotube segments in the carbon nanotube array 10 installed on the surface of the alternative substrate 30 by the extraction tool 50, and moving the extraction tool 50, Drawing a selected carbon nanotube segment at a specific speed, and drawing out a plurality of carbon nanotube segments whose ends are connected to form a continuous carbon nanotube structure 40 (S32).
ステップ(S31)において、カーボンナノチューブフィルムを引き出す際、特定の幅を有する接着テープ或いは接着性を有するストリップを採用し、カーボンナノチューブアレイ10と接触させ、特定の幅を有するカーボンナノチューブセグメントを選択する。カーボンナノチューブワイヤを引き出す場合、幅が狭い道具(ピンセット)によって、幅が狭いカーボンナノチューブセグメントを選択する。ステップ(S32)において、選択したカーボンナノチューブセグメントの引き出す方向は、カーボンナノチューブアレイ10におけるカーボンナノチューブの成長方向と角度αを成す。角度αは0°〜90°(0°は含まず)であり、好ましくは、30°〜90°である。 In step (S31), when pulling out the carbon nanotube film, an adhesive tape having a specific width or an adhesive strip is adopted and brought into contact with the carbon nanotube array 10 to select a carbon nanotube segment having a specific width. When pulling out the carbon nanotube wire, the narrow carbon nanotube segment is selected by a narrow tool (tweezers). In the step (S32), the direction in which the selected carbon nanotube segment is pulled out forms an angle α with the growth direction of the carbon nanotubes in the carbon nanotube array 10. The angle α is 0 ° to 90 ° (not including 0 °), and preferably 30 ° to 90 °.
ステップ(S22)はステップ(S3)と異なる。ステップ(S22)では、カーボンナノチューブアレイ10全体を成長基板20から脱離させ、カーボンナノチューブアレイ10が成長基板20から脱離した後でも、カーボンナノチューブアレイ10の形態を維持できることを目指す。ステップ(S3)では、カーボンナノチューブアレイ10からカーボンナノチューブフィルム或いはカーボンナノチューブワイヤを引き出すことを目指す。従って、カーボンナノチューブアレイ10全体が代替基板30から脱離せず、一部のカーボンナノチューブ、例えば、カーボンナノチューブセグメントを代替基板30から脱離させ、引き出されたカーボンナノチューブセグメントが隣接するカーボンナノチューブセグメントを動かし、隣接するカーボンナノチューブセグメントが端と端とが接続されて引き出され、次々に代替基板30から脱離する。 Step (S22) is different from step (S3). In step (S <b> 22), the entire carbon nanotube array 10 is detached from the growth substrate 20, and an object is to maintain the form of the carbon nanotube array 10 even after the carbon nanotube array 10 is detached from the growth substrate 20. In step (S3), the carbon nanotube film or the carbon nanotube wire is drawn out from the carbon nanotube array 10. Accordingly, the entire carbon nanotube array 10 is not detached from the alternative substrate 30, but some carbon nanotubes, for example, carbon nanotube segments are detached from the alternative substrate 30, and the extracted carbon nanotube segments move adjacent carbon nanotube segments. The adjacent carbon nanotube segments are pulled out with their ends connected to each other and are detached from the alternative substrate 30 one after another.
本実施形態のカーボンナノチューブアレイの転移方法及びカーボンナノチューブ構造体の製造方法は以下の有利な効果を有する。カーボンナノチューブアレイを成長させる工程及びカーボンナノチューブアレイからカーボンナノチューブ構造体を引き出す工程において、カーボンナノチューブアレイが成長基板から異なる基板に転移設置されたので、カーボンナノチューブアレイからカーボンナノチューブ構造体を引き出す工程において、カーボンナノチューブアレイが設置される基板を、コストが低い材料から製造することができる。これにより、カーボンナノチューブアレイの生産者は、カーボンナノチューブアレイを代替基板に転移させ、カーボンナノチューブアレイと代替基板とを共にユーザーに提供することで、コストが高い成長基板を迅速に回収することができ、生産プロセスを簡単にする。よって、本発明のカーボンナノチューブアレイの転移方法及びカーボンナノチューブ構造体の製造方法は、カーボンナノチューブフィルム及びカーボンナノチューブワイヤに対しての産業的応用に有利であり、生産方式を変えて、生産コストを低くする。また、カーボンナノチューブアレイを転移する工程において、間隔装置は、代替基板と成長基板との間の距離が近過ぎないことを保証できるため、カーボンナノチューブアレイの形態の保護に有利である。また、代替基板の表面に微構造体を設置して、代替基板の表面積を増加させることによって、代替基板とカーボンナノチューブアレイとの間の結合力を高めることができるので、代替基板の材料の選択範囲を広めることができる。 The carbon nanotube array transfer method and the carbon nanotube structure manufacturing method of the present embodiment have the following advantageous effects. In the step of growing the carbon nanotube array and the step of extracting the carbon nanotube structure from the carbon nanotube array, the carbon nanotube array has been transferred from the growth substrate to a different substrate, so in the step of extracting the carbon nanotube structure from the carbon nanotube array, The substrate on which the carbon nanotube array is installed can be manufactured from a low cost material. This enables carbon nanotube array producers to quickly collect costly growth substrates by transferring the carbon nanotube array to an alternative substrate and providing the user with both the carbon nanotube array and the alternative substrate. To simplify the production process. Therefore, the method for transferring a carbon nanotube array and the method for producing a carbon nanotube structure of the present invention are advantageous for industrial application to a carbon nanotube film and a carbon nanotube wire. To do. Also, in the process of transferring the carbon nanotube array, the spacing device can ensure that the distance between the alternative substrate and the growth substrate is not too close, which is advantageous for protecting the form of the carbon nanotube array. In addition, by installing the microstructure on the surface of the alternative substrate and increasing the surface area of the alternative substrate, the bonding force between the alternative substrate and the carbon nanotube array can be increased, so the selection of the alternative substrate material Can widen the range.
10 カーボンナノチューブアレイ
20 成長基板
30 代替基板
40 カーボンナノチューブ構造体
50 引き出し道具
60 間隔装置
102 第一表面
104 第二表面
202、302 表面
304 微構造体
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Carbon nanotube array 20 Growth substrate 30 Alternative substrate 40 Carbon nanotube structure 50 Drawer tool 60 Spacer 102 First surface 104 Second surface 202, 302 Surface 304 Microstructure
Claims (4)
前記カーボンナノチューブアレイを前記成長基板から前記代替基板に転移させる第二ステップであって、前記代替基板に転移された前記カーボンナノチューブアレイは前記超配列カーボンナノチューブアレイである第二ステップと、を含むカーボンナノチューブアレイの転移方法であって、
前記第二ステップは、前記代替基板の表面を前記カーボンナノチューブアレイの前記成長基板から離れる表面に接触させ、前記間隔装置によって、前記代替基板と前記成長基板との間隔をあけるステップと、前記代替基板及び前記成長基板のうちの少なくとも一方を移動させて、前記代替基板と前記成長基板とを離し、カーボンナノチューブアレイを前記成長基板から脱離させ、前記代替基板に転移させるステップと、を含むことを特徴とするカーボンナノチューブアレイの転移方法。 A first step of providing an alternative substrate, a growth substrate, and a spacing device, and forming a carbon nanotube array on a surface of the growth substrate, wherein the carbon nanotube array is a super aligned carbon nanotube array, and the super aligned carbon nanotube array The carbon nanotube structure continuously drawn from the first step includes a plurality of carbon nanotubes connected end to end,
A second step of transferring the carbon nanotube array from the growth substrate to the alternative substrate, wherein the carbon nanotube array transferred to the alternative substrate is a second step in which the carbon nanotube array is the super-aligned carbon nanotube array. A nanotube array transfer method comprising:
In the second step, the surface of the substitute substrate is brought into contact with the surface of the carbon nanotube array away from the growth substrate, and the substitute device and the growth substrate are spaced apart by the spacing device; And moving at least one of the growth substrates to separate the alternative substrate and the growth substrate, detaching the carbon nanotube array from the growth substrate, and transferring to the alternative substrate. A carbon nanotube array transfer method that is characterized.
前記カーボンナノチューブアレイを前記成長基板から前記代替基板に転移させる第二ステップであって、前記代替基板に転移されたカーボンナノチューブアレイは前記超配列カーボンナノチューブアレイである第二ステップと、
前記代替基板における前記カーボンナノチューブアレイから前記カーボンナノチューブ構造体を引き出す第三ステップと、を含み、
前記第二ステップは、前記代替基板の表面を前記カーボンナノチューブアレイの前記成長基板から離れる表面に接触させ、前記間隔装置によって、前記代替基板と前記成長基板との間隔をあけるステップと、前記代替基板及び前記成長基板のうちの少なくとも一方を移動させて、前記代替基板と前記成長基板とを離し、前記カーボンナノチューブアレイを前記成長基板から脱離させ、前記代替基板に転移させるステップと、を含むことを特徴とするカーボンナノチューブ構造体の製造方法。 A first step of providing an alternative substrate, a growth substrate, and a spacing device, and forming a carbon nanotube array on a surface of the growth substrate, wherein the carbon nanotube array is a super aligned carbon nanotube array, and the super aligned carbon nanotube array The carbon nanotube structure continuously drawn from the first step includes a plurality of carbon nanotubes connected end to end,
A second step of transferring the carbon nanotube array from the growth substrate to the alternative substrate, wherein the carbon nanotube array transferred to the alternative substrate is the super-aligned carbon nanotube array ;
Withdrawing the carbon nanotube structure from the carbon nanotube array on the alternative substrate,
In the second step, the surface of the substitute substrate is brought into contact with the surface of the carbon nanotube array away from the growth substrate, and the substitute device and the growth substrate are spaced apart by the spacing device; And moving at least one of the growth substrates to separate the alternative substrate and the growth substrate, detaching the carbon nanotube array from the growth substrate, and transferring to the alternative substrate. A method for producing a carbon nanotube structure characterized by the above.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410147435.9A CN104973583B (en) | 2014-04-14 | 2014-04-14 | The preparation method of the transfer method and carbon nano tube structure of carbon nano pipe array |
| CN201410147542.1 | 2014-04-14 | ||
| CN201410147435.9 | 2014-04-14 | ||
| CN201410147542.1A CN104973584B (en) | 2014-04-14 | 2014-04-14 | The transfer method of carbon nano pipe array and the preparation method of carbon nano tube structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015203003A JP2015203003A (en) | 2015-11-16 |
| JP6097783B2 true JP6097783B2 (en) | 2017-03-15 |
Family
ID=54596669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015082389A Active JP6097783B2 (en) | 2014-04-14 | 2015-04-14 | Method for transferring carbon nanotube array and method for manufacturing carbon nanotube structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6097783B2 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6879664B2 (en) * | 2016-01-05 | 2021-06-02 | リンテック株式会社 | Drawer |
| EP3404487B1 (en) * | 2017-05-15 | 2021-12-01 | IMEC vzw | Method for forming a carbon nanotube pellicle membrane |
| JP7054734B2 (en) * | 2017-12-07 | 2022-04-14 | リンテック・オヴ・アメリカ,インコーポレイテッド | Transfer of nanofiber forest between substrates |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002141633A (en) * | 2000-10-25 | 2002-05-17 | Lucent Technol Inc | Articles comprising vertically nano-interconnected circuit devices and methods of making the same |
| KR101458846B1 (en) * | 2004-11-09 | 2014-11-07 | 더 보드 오브 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | The fabrication and application of nanofiber ribbons and sheets and twisted and non-twisted nanofiber yarns |
| JP2009537339A (en) * | 2006-05-19 | 2009-10-29 | マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー | Nanostructure reinforced composite and nanostructure strengthening method |
| US8337979B2 (en) * | 2006-05-19 | 2012-12-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanostructure-reinforced composite articles and methods |
| CN101407312B (en) * | 2007-10-10 | 2011-01-26 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | Apparatus and method for preparing carbon nano-tube film |
| KR101015327B1 (en) * | 2008-04-16 | 2011-02-15 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | Aggregate of fibrous columnar structures and pressure-sensitive adhesive member using the same |
| JP5534133B2 (en) * | 2009-03-14 | 2014-06-25 | 大陽日酸株式会社 | Aligned carbon nanotube continuous synthesis method and apparatus |
| JP5629869B2 (en) * | 2010-03-30 | 2014-11-26 | 大陽日酸株式会社 | Rope-like carbon structure and manufacturing method thereof |
-
2015
- 2015-04-14 JP JP2015082389A patent/JP6097783B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015203003A (en) | 2015-11-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20151109 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20151127 |
|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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