[go: up one dir, main page]

JP6896472B2 - Wafer polishing method and polishing equipment - Google Patents

Wafer polishing method and polishing equipment Download PDF

Info

Publication number
JP6896472B2
JP6896472B2 JP2017058159A JP2017058159A JP6896472B2 JP 6896472 B2 JP6896472 B2 JP 6896472B2 JP 2017058159 A JP2017058159 A JP 2017058159A JP 2017058159 A JP2017058159 A JP 2017058159A JP 6896472 B2 JP6896472 B2 JP 6896472B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
wafer
unit
temperature
polishing pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017058159A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2018160627A (en
Inventor
俊一郎 廣沢
俊一郎 廣沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2017058159A priority Critical patent/JP6896472B2/en
Priority to KR1020180028225A priority patent/KR102293098B1/en
Priority to CN201810228241.XA priority patent/CN108621021A/en
Priority to TW107109666A priority patent/TWI748069B/en
Publication of JP2018160627A publication Critical patent/JP2018160627A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6896472B2 publication Critical patent/JP6896472B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
    • B24B37/015—Temperature control
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Description

本発明は、ウエーハの研磨方法及び研磨装置に関する。 The present invention relates to a wafer polishing method and a polishing device.

半導体デバイスが表面に形成されたシリコンなどからなる半導体ウエーハや、光デバイスが形成されたサファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）などからなる光デバイスウエーハなどの各種ウエーハは、厚さを薄くするため、研削砥石で研削されて薄化される。その後、研削によって発生した被研削面（裏面）の破砕層を除去し、チップになった際の抗折強度を上げるために、ウエーハは、研磨パッドで研磨される（例えば、特許文献１参照）。 Various wafers such as semiconductor wafers made of silicon on which semiconductor devices are formed on the surface and optical device wafers made of sapphire and SiC (silicon carbide) on which optical devices are formed are ground grinding wheels to reduce the thickness. It is ground and thinned with. After that, the wafer is polished with a polishing pad in order to remove the crushed layer on the surface to be ground (back surface) generated by grinding and increase the bending resistance when it becomes a chip (see, for example, Patent Document 1). ..

特開２００３−２４３３４５号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-243345

ウエーハを研磨する研磨方法は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）研磨のほか、砥粒を含有する比較的柔らかい研磨パッドを用いるドライ加工であるドライポリッシュという加工方法がある。ドライポリッシュでは、ウエーハの被研磨面に研磨パッドを押圧しつつウエーハと研磨パッドを回転させ、ウエーハの所定の厚さを除去し、被研磨面に形成された破砕層を除去する。破砕層が、数μｍの厚さで存在し、その領域を全て除去するために研磨が行われるが、ドライポリッシュは、除去量を多く設定すればそれだけ加工時間が長くかかる。 As a polishing method for polishing a wafer, there is a processing method called dry polishing, which is a dry process using a relatively soft polishing pad containing abrasive grains, in addition to CMP (Chemical Mechanical Polishing) polishing. In dry polishing, the wafer and the polishing pad are rotated while pressing the polishing pad against the surface to be polished of the wafer to remove a predetermined thickness of the wafer and the crushed layer formed on the surface to be polished is removed. The crushed layer exists with a thickness of several μm, and polishing is performed to remove the entire region. However, in dry polishing, the longer the removal amount is set, the longer the processing time is.

本発明は、加工時間を抑制することができるウエーハの研磨方法及び研磨装置を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a wafer polishing method and a polishing apparatus capable of suppressing processing time.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの研磨方法は、表面に形成された格子状の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、該保護部材を介して該ウエーハをチャックテーブルで保持し、該ウエーハの裏面を研磨パッドで研磨する研磨ステップと、を備え、該研磨ステップでは、研磨液を供給せずに、該ウエーハより直径の大きくかつ下面の一部を該ウエーハの裏面に接触させるドライポリッシュ用の該研磨パッドを用い、該ウエーハに接触せず露出した該研磨パッドの下面の領域に下側から温風を吹き付けて加熱しながら研磨することを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the method of polishing a wafer of the present invention is a surface of a wafer in which a device is formed in a plurality of regions divided into grid-like division schedule lines formed on the surface. The polishing step includes a protective member attaching step of attaching the protective member to the surface, and a polishing step of holding the wafer on a chuck table via the protective member and polishing the back surface of the wafer with a polishing pad. , without supplying a polishing liquid, the polishing pad part size KuKatsu lower surface diameter than the wafer with the polishing pad for dry polishing of contacting the rear surface of the wafer was exposed without contact with the wafer It is characterized in that it is polished while heating by blowing warm air from below to the area on the lower surface of the wafer.

前記ウエーハの研磨方法において、該研磨ステップでは、該ウエーハに接触せず露出した該研磨パッドの下面を選択的に加熱しても良い。 In the method of polishing a wafer, the lower surface of the polishing pad exposed without contacting the wafer may be selectively heated in the polishing step.

前記ウエーハの研磨方法において、該研磨ステップでは、該ウエーハに接触せず露出した該研磨パッドの下面の領域の温度を測定し、測定された該研磨パッドの温度に応じて温風の温度又は量を調整しても良い。 In the method of polishing a wafer, in the polishing step, the temperature of the area of the lower surface of the polishing pad exposed without contacting the wafer is measured, and the temperature or amount of warm air is measured according to the measured temperature of the polishing pad. May be adjusted.

本発明の研磨装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、研磨液を供給せずに、該ウエーハの直径より大きい直径の研磨パッドがスピンドルの下端に装着され該チャックテーブルに保持された該ウエーハに下面の一部を該ウエーハの裏面に接触させるドライポリッシュ用の該研磨パッドで研磨する研磨ユニットと、該ウエーハを研磨加工中の該研磨パッドの温度を調整する温度調整ユニットと、を備え、該温度調整ユニットは、該ウエーハに接触せず露出した該研磨パッドの下面の領域に下側から温風を吹き付ける温風噴射ユニットを備えることを特徴とする。 The polishing apparatus of the present invention, a chuck table for holding a wafer, a polishing liquid without supplying, to said wafer polishing pad of larger diameter than the diameter of the wafer is held on the chuck table is mounted to the lower end of the spindle A polishing unit for polishing a part of the lower surface with the polishing pad for dry polishing in which a part of the lower surface is brought into contact with the back surface of the wafer, and a temperature adjusting unit for adjusting the temperature of the polishing pad during polishing of the wafer are provided. The temperature adjusting unit is characterized by including a warm air injection unit that blows warm air from below to a region on the lower surface of the polishing pad that is exposed without contacting the wafer.

前記研磨装置において、該温度調整ユニットは、該ウエーハに接触せず露出した該研磨パッドの下面の所望の領域に選択的に温風を吹き付ける選択噴射部を備えても良い。 In the polishing apparatus, the temperature adjusting unit may include a selective injection unit that selectively blows warm air onto a desired region on the lower surface of the polishing pad that is exposed without contacting the wafer.

前記研磨装置において、該温度調整ユニットは、該ウエーハに接触せず露出した該研磨パッドの下面の領域の温度を測定する温度測定器と、該温度測定器の測定結果に応じて、該温風噴射ユニットの温風噴射温度又は量を調整する制御ユニットと、を備えても良い。 In the polishing apparatus, the temperature adjusting unit is a temperature measuring device that measures the temperature of the area of the lower surface of the polishing pad that is exposed without contacting the wafer, and the warm air according to the measurement result of the temperature measuring device. A control unit for adjusting the hot air injection temperature or amount of the injection unit may be provided.

本願発明のウエーハの研磨方法及び研磨装置は、加工時間を抑制することができる、という効果を奏する。 The wafer polishing method and polishing apparatus of the present invention have an effect that the processing time can be suppressed.

図１は、実施形態１に係る研磨装置の構成例の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a configuration example of the polishing apparatus according to the first embodiment. 図２は、実施形態１に係るウエーハの研磨方法の研磨対象のウエーハを示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a wafer to be polished in the wafer polishing method according to the first embodiment. 図３は、図２に示されたウエーハを裏面側からみた斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of the wafer shown in FIG. 2 as viewed from the back surface side. 図４は、図１に示された研磨装置の研磨ユニットの研磨加工中の状態を示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing a state during polishing of the polishing unit of the polishing apparatus shown in FIG. 図５は、図４に示された研磨パッドとウエーハとの位置関係を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing the positional relationship between the polishing pad and the wafer shown in FIG. 図６は、図５に示された研磨パッドとウエーハとの位置関係を示す側面図である。FIG. 6 is a side view showing the positional relationship between the polishing pad and the wafer shown in FIG. 図７は、実施形態１に係るウエーハの研磨方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart showing the flow of the wafer polishing method according to the first embodiment. 図８は、実施形態２に係る研磨装置の構成例の斜視図である。FIG. 8 is a perspective view of a configuration example of the polishing apparatus according to the second embodiment. 図９は、実施形態３に係る研磨装置の要部の斜視図である。FIG. 9 is a perspective view of a main part of the polishing apparatus according to the third embodiment. 図１０は、実施形態３に係る研磨装置の要部の平面図である。FIG. 10 is a plan view of a main part of the polishing apparatus according to the third embodiment. 図１１は、実施形態３に係るウエーハの研磨方法の流れを示すフローチャートである。FIG. 11 is a flowchart showing the flow of the wafer polishing method according to the third embodiment. 図１２は、図１１に示されたウエーハの研磨方法の研磨前測定ステップの測定経路上のウエーハの厚さを測定する状態を示す側面図である。FIG. 12 is a side view showing a state in which the thickness of the wafer on the measurement path of the pre-polishing measurement step of the wafer polishing method shown in FIG. 11 is measured. 図１３は、図１１に示されたウエーハの研磨方法のテスト研磨ステップにおいて研磨されたウエーハを示す側面図である。FIG. 13 is a side view showing the wafer polished in the test polishing step of the wafer polishing method shown in FIG. 図１４は、図１１に示されたウエーハの研磨方法の研磨ステップ後のウエーハの側面図である。FIG. 14 is a side view of the wafer after the polishing step of the wafer polishing method shown in FIG. 図１５は、図１に示された研磨装置の研磨パッドの領域を加熱した時の単位時間当たりの除去量を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing the amount of removal per unit time when the region of the polishing pad of the polishing apparatus shown in FIG. 1 is heated.

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 An embodiment (embodiment) for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiments. In addition, the components described below include those that can be easily assumed by those skilled in the art and those that are substantially the same. Further, the configurations described below can be combined as appropriate. In addition, various omissions, substitutions or changes of the configuration can be made without departing from the gist of the present invention.

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るウエーハの研磨方法及び研磨装置を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る研磨装置の構成例の斜視図である。図２は、実施形態１に係るウエーハの研磨方法の研磨対象のウエーハを示す斜視図である。図３は、図２に示されたウエーハを裏面側からみた斜視図である。 [Embodiment 1]
The wafer polishing method and the polishing apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a configuration example of the polishing apparatus according to the first embodiment. FIG. 2 is a perspective view showing a wafer to be polished in the wafer polishing method according to the first embodiment. FIG. 3 is a perspective view of the wafer shown in FIG. 2 as viewed from the back surface side.

実施形態１に係る図１に示す研磨装置１は、研削装置により薄化された図２に示すウエーハ２０１の裏面２０２を高精度に平坦化するために研磨するものである。ウエーハ２０１は、シリコンを母材とする円板状の半導体ウエーハやサファイア、ＳｉＣ（炭化ケイ素）などからなる光デバイスウエーハである。ウエーハ２０１は、図２に示すように、表面２０３に形成された格子状の分割予定ライン２０４に区画された複数の領域にデバイス２０５が形成されている。ウエーハ２０１は、図３に示すように、表面２０３に保護部材２０６が貼着された状態で裏面２０２が研磨される。 The polishing apparatus 1 shown in FIG. 1 according to the first embodiment polishes the back surface 202 of the wafer 201 shown in FIG. 2 thinned by the grinding apparatus in order to flatten it with high accuracy. The wafer 201 is an optical device wafer made of a disk-shaped semiconductor wafer, sapphire, SiC (silicon carbide) or the like using silicon as a base material. As shown in FIG. 2, in the wafer 201, the device 205 is formed in a plurality of regions partitioned by the grid-like division schedule lines 204 formed on the surface 203. As shown in FIG. 3, the back surface 202 of the wafer 201 is polished with the protective member 206 attached to the front surface 203.

研磨装置１は、図１に示すように、装置本体２と、チャックテーブル７と、研磨ユニット５と、カセット８，９と、位置合わせユニット１０と、搬入ユニット１１と、洗浄ユニット１３と、搬出入ユニット１４と、温風噴射ユニット１５と、温度測定器１６と、制御ユニット１００とを主に備えている。 As shown in FIG. 1, the polishing apparatus 1 includes an apparatus main body 2, a chuck table 7, a polishing unit 5, cassettes 8 and 9, an alignment unit 10, a carry-in unit 11, a cleaning unit 13, and a carry-out. It mainly includes an input unit 14, a warm air injection unit 15, a temperature measuring device 16, and a control unit 100.

チャックテーブル７は、ウエーハ２０１が保護部材２０６を介して保持面７−１上に載置されて、ウエーハ２０１を保持するものである。チャックテーブル７は、保持面７−１を構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引経路を介して図示しない真空吸引源と接続され、保持面７−１に載置されたウエーハ２０１を吸引することで保持する。また。チャックテーブル７は、Ｚ軸方向と平行な軸心回りに回転自在な支持基台７−２に支持されている。なお、Ｚ軸方向は、鉛直方向と平行である。 In the chuck table 7, the wafer 201 is placed on the holding surface 7-1 via the protective member 206 to hold the wafer 201. The chuck table 7 has a disk shape in which a portion constituting the holding surface 7-1 is formed of porous ceramic or the like, and is connected to a vacuum suction source (not shown) via a vacuum suction path (not shown) to form a holding surface 7-1. The mounted wafer 201 is held by suction. Also. The chuck table 7 is supported by a support base 7-2 that is rotatable around an axis parallel to the Z-axis direction. The Z-axis direction is parallel to the vertical direction.

また、チャックテーブル７は、図示しない加工送りユニットによって搬入ユニット１１及び搬出入ユニット１４寄りの搬入搬出位置１０１と、研磨ユニット５の下方の研磨位置１０４とに亘って、Ｙ軸方向に移動自在に設けられている。なお、Ｙ軸方向は、水平方向と平行である。 Further, the chuck table 7 can be moved in the Y-axis direction by a machining feed unit (not shown) over the carry-in / carry-out position 101 near the carry-in unit 11 and the carry-in / carry-out unit 14 and the polishing position 104 below the polishing unit 5. It is provided. The Y-axis direction is parallel to the horizontal direction.

カセット８，９は、複数のスロットを有するウエーハ２０１を収容するための収容器である。一方のカセット８は、研磨加工前の表面２０３に保護部材２０６（図３に示す）が貼着されたウエーハ２０１を収容し、他方のカセット９は、研磨加工後のウエーハ２０１を収容する。また、位置合わせユニット１０は、カセット８から取り出されたウエーハ２０１が仮置きされて、その中心位置合わせを行うためのテーブルである。 The cassettes 8 and 9 are accommodators for accommodating the wafer 201 having a plurality of slots. One cassette 8 houses the wafer 201 to which the protective member 206 (shown in FIG. 3) is attached to the surface 203 before polishing, and the other cassette 9 houses the wafer 201 after polishing. Further, the alignment unit 10 is a table on which the wafer 201 taken out from the cassette 8 is temporarily placed and the center alignment thereof is performed.

搬入ユニット１１は、吸着パッドを有し、位置合わせユニット１０で位置合わせされた研磨加工前のウエーハ２０１を吸着保持して搬入搬出位置１０１に位置するチャックテーブル７上に搬入する。搬入ユニット１１は、搬入搬出位置１０１に位置するチャックテーブル７上に保持された研磨加工後のウエーハ２０１を吸着保持して洗浄ユニット１３に搬出する。 The carry-in unit 11 has a suction pad, sucks and holds the wafer 201 before polishing process aligned by the alignment unit 10, and carries it onto the chuck table 7 located at the carry-in / carry-out position 101. The carry-in unit 11 sucks and holds the polished wafer 201 held on the chuck table 7 located at the carry-in / carry-out position 101 and carries it out to the cleaning unit 13.

搬出入ユニット１４は、例えばＵ字型ハンド１４−１を備えるロボットピックであり、Ｕ字型ハンド１４−１によってウエーハ２０１を吸着保持して搬送する。具体的には、搬出入ユニット１４は、研磨加工前のウエーハ２０１をカセット８から位置合わせユニット１０へ搬出するとともに、研磨加工後のウエーハ２０１を洗浄ユニット１３からカセット９へ搬入する。洗浄ユニット１３は、研磨加工後のウエーハ２０１を洗浄し、研削及び研磨された加工面に付着している研磨屑等のコンタミネーションを除去する。 The carry-in / out unit 14 is, for example, a robot pick provided with a U-shaped hand 14-1, and the wafer 201 is sucked and held by the U-shaped hand 14-1 to be conveyed. Specifically, the carry-in / out unit 14 carries out the wafer 201 before polishing from the cassette 8 to the alignment unit 10, and carries in the wafer 201 after polishing from the cleaning unit 13 to the cassette 9. The cleaning unit 13 cleans the wafer 201 after the polishing process, and removes contamination such as polishing debris adhering to the ground and polished processed surface.

次に、研磨ユニット５を図面に基づいて説明する。図４は、図１に示された研磨装置の研磨ユニットの研磨加工中の状態を示す側面図である。図５は、図４に示された研磨パッドとウエーハとの位置関係を示す平面図である。図６は、図５に示された研磨パッドとウエーハとの位置関係を示す側面図である。 Next, the polishing unit 5 will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a side view showing a state during polishing of the polishing unit of the polishing apparatus shown in FIG. FIG. 5 is a plan view showing the positional relationship between the polishing pad and the wafer shown in FIG. FIG. 6 is a side view showing the positional relationship between the polishing pad and the wafer shown in FIG.

研磨ユニット５は、図１に示すように、装置本体２から立設したコラム１８に支持されて、図４に示すように、研磨工具５１の研磨パッド５２がスピンドル５０の下端に装着される。研磨ユニット５は、研磨工具５１の研磨パッド５２を研磨位置１０４のチャックテーブル７の保持面７−１に対向して配置させる。研磨ユニット５は、研磨工具５１がスピンドル５０により回転されながら、研磨位置１０４に位置し支持基台７−２により回転されるチャックテーブル７の保持面７−１で保持されたウエーハ２０１の裏面２０２にＺ軸移動ユニット５−１によりＺ軸方向に沿って押圧される。研磨ユニット５は、研磨工具５１の研磨パッド５２がウエーハ２０１の裏面２０２にＺ軸方向に沿って押圧されることによって、ウエーハ２０１の裏面２０２を研磨パッド５２で研磨するためのものである。 As shown in FIG. 1, the polishing unit 5 is supported by a column 18 erected from the apparatus main body 2, and as shown in FIG. 4, the polishing pad 52 of the polishing tool 51 is mounted on the lower end of the spindle 50. The polishing unit 5 arranges the polishing pad 52 of the polishing tool 51 so as to face the holding surface 7-1 of the chuck table 7 at the polishing position 104. The polishing unit 5 is the back surface 202 of the wafer 201 held by the holding surface 7-1 of the chuck table 7 located at the polishing position 104 and rotated by the support base 7-2 while the polishing tool 51 is rotated by the spindle 50. Is pressed along the Z-axis direction by the Z-axis moving unit 5-1. The polishing unit 5 is for polishing the back surface 202 of the wafer 201 with the polishing pad 52 by pressing the polishing pad 52 of the polishing tool 51 against the back surface 202 of the wafer 201 along the Z-axis direction.

研磨ユニット５は、コラム１８に設けられたＺ軸移動ユニット５−１によりＺ軸方向に移動自在に設けられたスピンドルハウジング５３と、スピンドルハウジング５３内に軸心回りに回転自在に設けられたスピンドル５０と、スピンドル５０の下端に装着される研磨工具５１とを備える。スピンドル５０は、Ｚ軸方向と平行に配置され、図１に示すスピンドルモータ５４により軸心回りに回転される。スピンドル５０は、下端に研磨工具５１を装着する円盤状の工具装着部材５０−１が取り付けられている。 The polishing unit 5 includes a spindle housing 53 movably provided in the Z-axis direction by a Z-axis moving unit 5-1 provided on the column 18, and a spindle rotatably provided around the axis in the spindle housing 53. 50 and a polishing tool 51 mounted on the lower end of the spindle 50 are provided. The spindle 50 is arranged parallel to the Z-axis direction and is rotated about the axis by the spindle motor 54 shown in FIG. A disk-shaped tool mounting member 50-1 for mounting the polishing tool 51 is attached to the lower end of the spindle 50.

研磨工具５１は、円環状の支持基台５５と、円環状の研磨パッド５２とを備える。支持基台５５は、アルミニウム合金によって構成されている。研磨パッド５２は、支持基台５５の下面に装着され、チャックテーブル７に保持されたウエーハ２０１を研磨するものである。研磨パッド５２は、例えばポリウレタンやフェルトに砥粒を分散させ固定したフェルト砥石等の砥粒から形成されている。 The polishing tool 51 includes an annular support base 55 and an annular polishing pad 52. The support base 55 is made of an aluminum alloy. The polishing pad 52 is mounted on the lower surface of the support base 55 and polishes the wafer 201 held on the chuck table 7. The polishing pad 52 is formed of, for example, abrasive grains such as a felt grindstone in which abrasive grains are dispersed and fixed in polyurethane or felt.

研磨工具５１は、スピンドル５０の下端に取り付けられている工具装着部材５０−１の下面に支持基台５５を重ね、支持基台５５が図示しないボルトにより工具装着部材５０−１に装着されることによって、工具装着部材５０−１に装着される。実施形態１において、研磨工具５１の研磨パッド５２の直径は、図５及び図６に示すように、ウエーハ２０１の直径よりも大きい。 In the polishing tool 51, the support base 55 is placed on the lower surface of the tool mounting member 50-1 attached to the lower end of the spindle 50, and the support base 55 is mounted on the tool mounting member 50-1 by bolts (not shown). Is mounted on the tool mounting member 50-1. In the first embodiment, the diameter of the polishing pad 52 of the polishing tool 51 is larger than the diameter of the wafer 201, as shown in FIGS. 5 and 6.

実施形態１において、研磨ユニット５は、研磨パッド５２でウエーハ２０１を研磨する際は、研磨液を供給せずに、研磨パッド５２の砥粒をウエーハ２０１と化学反応させる所謂ドライポリッシュをウエーハ２０１の裏面２０２に施す。即ち、実施形態１において、研磨工具５１の研磨パッド５２は、ドライポリッシュに好適なものである。 In the first embodiment, when the polishing unit 5 polishes the wafer 201 with the polishing pad 52, the wafer 201 is subjected to a so-called dry polish in which the abrasive grains of the polishing pad 52 are chemically reacted with the wafer 201 without supplying a polishing liquid. It is applied to the back surface 202. That is, in the first embodiment, the polishing pad 52 of the polishing tool 51 is suitable for dry polishing.

なお、実施形態１において、研磨ユニット５の研磨工具５１の回転中心である軸心と、研磨位置１０４のチャックテーブル７の回転中心である軸心とは、互いに平行であるとともに、水平方向に間隔をあけて配置されている。また、実施形態１において、研磨ユニット５は、図４、図５及び図６に示すように、研磨パッド５２がウエーハ２０１の裏面２０２全体を覆って、ウエーハ２０１の裏面２０２を研磨するとともに、研磨パッド５２の下面５６の一部の領域５６−１がウエーハ２０１の裏面２０２に接触せずに露出する。なお、実施形態１において、領域５６−１は、研磨装置１の平面視において、図５に示すように、Ｙ軸方向の研磨位置１０４のチャックテーブル７とコラム１８との間に配置されている。 In the first embodiment, the axis of rotation of the polishing tool 51 of the polishing unit 5 and the axis of rotation of the chuck table 7 at the polishing position 104 are parallel to each other and spaced in the horizontal direction. It is arranged with an opening. Further, in the first embodiment, as shown in FIGS. 4, 5 and 6, in the polishing unit 5, the polishing pad 52 covers the entire back surface 202 of the wafer 201 to polish the back surface 202 of the wafer 201 and polish it. A part of the area 56-1 of the lower surface 56 of the pad 52 is exposed without contacting the back surface 202 of the wafer 201. In the first embodiment, the region 56-1 is arranged between the chuck table 7 and the column 18 at the polishing position 104 in the Y-axis direction as shown in FIG. 5 in the plan view of the polishing apparatus 1. ..

温風噴射ユニット１５は、研磨加工中にウエーハ２０１に接触せずに露出した研磨パッド５２の下面５６の領域５６−１に温風を吹きつけるものである。温風噴射ユニット１５は、図４に示すように、装置本体２の研磨加工中の研磨パッド５２の領域５６−１にＺ軸方向に対向する位置に設置されている。実施形態において、温風噴射ユニット１５は、図５に示すように、Ｙ軸方向の研磨位置１０４のチャックテーブル７とコラム１８との間に配置されている。 The warm air injection unit 15 blows warm air onto the region 56-1 of the lower surface 56 of the polishing pad 52 exposed without contacting the wafer 201 during the polishing process. As shown in FIG. 4, the warm air injection unit 15 is installed at a position facing the region 56-1 of the polishing pad 52 during the polishing process of the apparatus main body 2 in the Z-axis direction. In the embodiment, the warm air injection unit 15 is arranged between the chuck table 7 and the column 18 at the polishing position 104 in the Y-axis direction, as shown in FIG.

温風噴射ユニット１５は、図示しない温風供給源から温風（即ち、加熱された気体）が供給される供給管１５１と、供給管１５１に複数設けた噴射口１５２とを備える。供給管１５１の長手方向は、Ｙ軸方向に対して直交するＸ軸方向と平行である。なお、Ｘ軸方向は、水平方向と平行である。噴射口１５２は、供給管１５１の長手方向即ちＸ軸方向に沿って間隔をあけて配置されている。温風噴射ユニット１５は、温風供給源から供給された温風を、研磨加工中の研磨パッド５２の領域５６−１に向けて噴射口１５２から噴射する。なお、温風噴射ユニット１５が領域５６−１に供給する温風は、常温よりも高い温度に加熱された気体である。また、実施形態１において、温風の温度は、保護部材２０６の溶融する温度、例えば７０℃未満であることが望ましい。 The hot air injection unit 15 includes a supply pipe 151 to which hot air (that is, heated gas) is supplied from a hot air supply source (not shown), and a plurality of injection ports 152 provided in the supply pipe 151. The longitudinal direction of the supply pipe 151 is parallel to the X-axis direction orthogonal to the Y-axis direction. The X-axis direction is parallel to the horizontal direction. The injection ports 152 are arranged at intervals along the longitudinal direction of the supply pipe 151, that is, the X-axis direction. The hot air injection unit 15 injects the warm air supplied from the hot air supply source from the injection port 152 toward the region 56-1 of the polishing pad 52 during the polishing process. The hot air supplied by the hot air injection unit 15 to the region 56-1 is a gas heated to a temperature higher than room temperature. Further, in the first embodiment, the temperature of the warm air is preferably less than the melting temperature of the protective member 206, for example, 70 ° C.

温度測定器１６は、研磨加工中にウエーハ２０１に接触せずに露出した研磨パッド５２の下面５６の領域５６−１の温度を測定するものである。温度測定器１６は、装置本体２の研磨加工中の研磨パッド５２の領域５６−１にＺ軸方向に対向する位置に設置されている。実施形態において、温度測定器１６は、図５に示すように、Ｙ軸方向の研磨位置１０４のチャックテーブル７とコラム１８との間に配置されている。 The temperature measuring device 16 measures the temperature of the region 56-1 of the lower surface 56 of the polishing pad 52 exposed without contacting the wafer 201 during the polishing process. The temperature measuring device 16 is installed at a position facing the region 56-1 of the polishing pad 52 during the polishing process of the apparatus main body 2 in the Z-axis direction. In the embodiment, the temperature measuring device 16 is arranged between the chuck table 7 and the column 18 at the polishing position 104 in the Y-axis direction, as shown in FIG.

温度測定器１６は、装置本体２に設置された設置部材１６１の先端に取り付けられている。設置部材１６１は、長手方向がＹ軸方向に対して直交するＸ軸方向と平行な棒状に形成されている。温度測定器１６は、設置部材１６１の研磨ユニット５寄りの先端に設置されている。温度測定器１６は、放射温度計、サーモグラフィー、又はパイロメータにより構成されている。温度測定器１６は、測定結果を制御ユニット１００に出力する。 The temperature measuring device 16 is attached to the tip of an installation member 161 installed on the device main body 2. The installation member 161 is formed in a rod shape parallel to the X-axis direction whose longitudinal direction is orthogonal to the Y-axis direction. The temperature measuring device 16 is installed at the tip of the installation member 161 near the polishing unit 5. The temperature measuring device 16 is composed of a radiation thermometer, a thermography, or a pyrometer. The temperature measuring device 16 outputs the measurement result to the control unit 100.

制御ユニット１００は、研磨装置１を構成する上述した構成要素をそれぞれ制御するものである。即ち、制御ユニット１００は、ウエーハ２０１に対する研磨加工を研磨装置１に実行させるものである。制御ユニット１００は、コンピュータプログラムを実行可能なコンピュータである。制御ユニット１００は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インタフェース装置とを有する。制御ユニット１００のＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているコンピュータプログラムをＲＡＭ上で実行して、研磨装置１を制御するための制御信号を生成する。制御ユニット１００のＣＰＵは、生成した制御信号を入出力インタフェース装置を介して研磨装置１の各構成要素に出力する。 The control unit 100 controls each of the above-mentioned components constituting the polishing device 1. That is, the control unit 100 causes the polishing device 1 to perform the polishing process on the wafer 201. The control unit 100 is a computer capable of executing a computer program. The control unit 100 includes an arithmetic processing device having a microprocessor such as a CPU (central processing unit), a storage device having a memory such as a ROM (read only memory) or a RAM (random access memory), and an input / output interface device. And have. The CPU of the control unit 100 executes a computer program stored in the ROM on the RAM to generate a control signal for controlling the polishing device 1. The CPU of the control unit 100 outputs the generated control signal to each component of the polishing device 1 via the input / output interface device.

また、制御ユニット１００は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示ユニットや、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力ユニットと接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等とのうち少なくとも一つにより構成される。 Further, the control unit 100 is connected to a display unit (not shown) composed of a liquid crystal display device or the like for displaying a processing operation state or an image, or an input unit used by an operator when registering processing content information or the like. .. The input unit is composed of at least one of a touch panel provided on the display unit, a keyboard, and the like.

また、制御ユニット１００は、温度測定器１６の測定結果に応じて、温風噴射ユニット１５の温風噴射温度又は量を調整する。実施形態１において、制御ユニット１００は、温風噴射ユニット１５が領域５６−１に向けて噴射する温風の温度と、温風の量との双方を変更するが、本発明では、温風の温度と、温風の量との少なくとも一方を調整すれば良い。実施形態１において、制御ユニット１００は、研磨加工中に温度測定器１６が検出する研磨パッド５２の下面５６の領域５６−１の温度が、予め設定された温度となるように、温風噴射ユニット１５が領域５６−１に向けて噴射する温風の温度と、温風の量との双方を変更する。こうして、温風噴射ユニット１５と、温度測定器１６と、制御ユニット１００は、ウエーハ２０１を研磨加工中の研磨パッド５２の温度を調整する温度調整ユニット１７を構成する。 Further, the control unit 100 adjusts the hot air injection temperature or amount of the hot air injection unit 15 according to the measurement result of the temperature measuring device 16. In the first embodiment, the control unit 100 changes both the temperature of the hot air injected by the hot air injection unit 15 toward the region 56-1 and the amount of the hot air. At least one of the temperature and the amount of warm air may be adjusted. In the first embodiment, the control unit 100 is a warm air injection unit so that the temperature of the region 56-1 of the lower surface 56 of the polishing pad 52 detected by the temperature measuring device 16 during the polishing process becomes a preset temperature. Both the temperature of the warm air that 15 injects toward the region 56-1 and the amount of warm air are changed. In this way, the warm air injection unit 15, the temperature measuring device 16, and the control unit 100 constitute a temperature adjusting unit 17 that adjusts the temperature of the polishing pad 52 during the polishing process of the wafer 201.

次に、実施形態１に係るウエーハの研磨方法について説明する。図７は、実施形態１に係るウエーハの研磨方法の流れを示すフローチャートである。 Next, the method of polishing the wafer according to the first embodiment will be described. FIG. 7 is a flowchart showing the flow of the wafer polishing method according to the first embodiment.

実施形態１に係るウエーハの研磨方法（以下、単に研磨方法と記す）は、図７に示すように、保護部材貼着ステップＳＴ１と、研磨ステップＳＴ２とを備える。 As shown in FIG. 7, the wafer polishing method according to the first embodiment (hereinafter, simply referred to as a polishing method) includes a protective member attaching step ST1 and a polishing step ST2.

保護部材貼着ステップＳＴ１は、図３に示すように、ウエーハ２０１の表面２０３に保護部材２０６を貼着するステップである。実施形態１において、保護部材貼着ステップＳＴ１は、オペレータなどがウエーハ２０１の表面２０３に保護部材２０６を貼着し、表面２０３に保護部材２０６が貼着されたウエーハ２０１をカセット８内に収容する。保護部材２０６が貼着されたウエーハ２０１は、図示しない研削ステップにおいて、裏面２０２が研削されて、薄化される。 As shown in FIG. 3, the protective member attaching step ST1 is a step of attaching the protective member 206 to the surface 203 of the wafer 201. In the first embodiment, in the protective member attaching step ST1, the operator or the like attaches the protective member 206 to the surface 203 of the wafer 201, and the wafer 201 having the protective member 206 attached to the surface 203 is housed in the cassette 8. .. The back surface 202 of the wafer 201 to which the protective member 206 is attached is ground and thinned in a grinding step (not shown).

研磨ステップＳＴ２は、研削ステップの後に、保護部材２０６が貼着された保護部材２０６を介してウエーハ２０１をチャックテーブル７で保持し、ウエーハ２０１の裏面２０２を研磨パッド５２で研磨するステップである。研磨ステップＳＴ２は、図１に示す研磨装置１により行われる。研磨ステップＳＴ２は、オペレータが研磨加工前の保護部材２０６が表面２０３に貼着されたウエーハ２０１を収容したカセット８と、ウエーハ２０１を収容していないカセット９を装置本体２に取り付けるとともに、オペレータが加工情報を制御ユニット１００に登録し、オペレータから研磨装置１に加工動作の開始指示が入力されると、実施される。 The polishing step ST2 is a step in which after the grinding step, the wafer 201 is held by the chuck table 7 via the protective member 206 to which the protective member 206 is attached, and the back surface 202 of the wafer 201 is polished by the polishing pad 52. The polishing step ST2 is performed by the polishing device 1 shown in FIG. In the polishing step ST2, the operator attaches the cassette 8 containing the wafer 201 to which the protective member 206 before polishing is attached to the surface 203 and the cassette 9 not containing the wafer 201 to the apparatus main body 2, and the operator attaches the cassette 9 to the apparatus main body 2. When the machining information is registered in the control unit 100 and the operator inputs a machining operation start instruction to the polishing device 1, the machining information is executed.

研磨ステップＳＴ２では、研磨装置１の制御ユニット１００は、搬出入ユニット１４にカセット８からウエーハ２０１を取り出させ、位置合わせユニット１０へ搬出させ、位置合わせユニット１０にウエーハ２０１の中心位置合わせを行わせ、搬入ユニット１１に位置合わせされたウエーハ２０１の表面２０３側を搬入搬出位置１０１に位置するチャックテーブル７上に搬入する。 In the polishing step ST2, the control unit 100 of the polishing device 1 causes the loading / unloading unit 14 to take out the wafer 201 from the cassette 8 and carry it out to the alignment unit 10, and causes the alignment unit 10 to align the center of the wafer 201. The surface 203 side of the wafer 201 aligned with the carry-in unit 11 is carried on the chuck table 7 located at the carry-in / carry-out position 101.

研磨ステップＳＴ２では、研磨装置１の制御ユニット１００は、ウエーハ２０１の表面２０３側を保護部材２０６を介してチャックテーブル７に保持し、裏面２０２を露出させて、加工送りユニットでウエーハ２０１を保持したチャックテーブル７を研磨位置１０４に移動する。研磨ステップＳＴ２では、研磨装置１の制御ユニット１００は、研磨位置１０４のチャックテーブル７及び研磨ユニット５の研磨工具５１を軸心回りに回転させながら、研磨ユニット５の研磨工具５１の研磨パッド５２をウエーハ２０１の裏面２０２に押圧して、ウエーハ２０１の裏面２０２を研磨する。こうして、研磨ステップＳＴ２では、ウエーハ２０１よりも直径の大きい研磨パッド５２を用いる。 In the polishing step ST2, the control unit 100 of the polishing apparatus 1 holds the front surface 203 side of the wafer 201 on the chuck table 7 via the protective member 206, exposes the back surface 202, and holds the wafer 201 by the processing feed unit. The chuck table 7 is moved to the polishing position 104. In the polishing step ST2, the control unit 100 of the polishing device 1 holds the polishing pad 52 of the polishing tool 51 of the polishing unit 5 while rotating the chuck table 7 at the polishing position 104 and the polishing tool 51 of the polishing unit 5 around the axis. The back surface 202 of the wafer 201 is pressed to polish the back surface 202 of the wafer 201. Thus, in the polishing step ST2, the polishing pad 52 having a diameter larger than that of the wafer 201 is used.

また、研磨ステップＳＴ２では、研磨装置１の制御ユニット１００は、研磨パッド５２の下面５６の領域５６−１に温風噴射ユニット１５から温風を吹き付けて加熱しながら研磨するとともに、温度測定器１６により研磨パッド５２の下面５６の領域５６−１の温度を測定し、測定された研磨パッド５２の温度に応じて温風の温度又は量を調整する。 Further, in the polishing step ST2, the control unit 100 of the polishing device 1 polishes while heating by blowing warm air from the hot air injection unit 15 onto the region 56-1 of the lower surface 56 of the polishing pad 52, and the temperature measuring device 16 The temperature of the region 56-1 on the lower surface 56 of the polishing pad 52 is measured, and the temperature or amount of warm air is adjusted according to the measured temperature of the polishing pad 52.

研磨ステップＳＴ２では、研磨装置１の制御ユニット１００は、研磨加工が終了すると、研磨ユニット５を上昇させ、チャックテーブル７の軸心回りの回転を停止するとともに、温風噴射ユニット１５からの温風の噴射を停止する。研磨ステップＳＴ２では、研磨装置１の制御ユニット１００は、チャックテーブル７を搬入搬出位置１０１に移動させ、ウエーハ２０１を搬入ユニット１１により洗浄ユニット１３に搬入し、洗浄ユニット１３で洗浄し、洗浄後のウエーハ２０１を搬出入ユニット１４でカセット９へ搬入する。そして、研磨方法は、次のウエーハ２０１に対して研磨ステップＳＴ２を実施する。研磨装置１の制御ユニット１００は、カセット８内の全てのウエーハ２０１に研磨加工を施すと、研磨ステップＳＴ２即ち研磨方法を終了する。 In the polishing step ST2, when the polishing process is completed, the control unit 100 of the polishing device 1 raises the polishing unit 5, stops the rotation around the axis of the chuck table 7, and warm air from the hot air injection unit 15. Stop the injection of. In the polishing step ST2, the control unit 100 of the polishing device 1 moves the chuck table 7 to the carry-in / carry-out position 101, carries the wafer 201 into the cleaning unit 13 by the carry-in unit 11, cleans with the cleaning unit 13, and after cleaning. The wafer 201 is carried into the cassette 9 by the carry-in / out unit 14. Then, as a polishing method, the polishing step ST2 is carried out on the next wafer 201. When all the wafers 201 in the cassette 8 are polished, the control unit 100 of the polishing device 1 ends the polishing step ST2, that is, the polishing method.

以上のように、実施形態１に係る研磨方法及び研磨装置１は、研磨ステップＳＴ２では、研磨パッド５２を温風噴射ユニット１５から噴射する温風で加熱するので、研磨パッド５２の砥粒とウエーハ２０１との反応速度を上げる事が出来る。その結果、研磨方法及び研磨装置１は、時間あたりのウエーハ２０１の除去量（ウエーハ２０１の減少させる厚みをいう）を増加させることが出来、研磨加工のスループットを向上させることができる。その結果、研磨方法及び研磨装置１は、加工時間を抑制することができる。 As described above, in the polishing step ST2, the polishing method and the polishing apparatus 1 according to the first embodiment heat the polishing pad 52 with the warm air ejected from the warm air injection unit 15, so that the abrasive grains and the wafer of the polishing pad 52 are heated. The reaction speed with 201 can be increased. As a result, the polishing method and the polishing apparatus 1 can increase the amount of removing the wafer 201 per hour (meaning the thickness to be reduced by the wafer 201), and can improve the throughput of the polishing process. As a result, the polishing method and the polishing device 1 can suppress the processing time.

また、実施形態１に係る研磨方法及び研磨装置１は、研磨ステップＳＴ２では、研磨パッド５２の下面５６の領域５６−１の温度を測定し、測定結果に応じて、予め設定された温度となるように温風の温度と量を調整するので、研磨パッド５２の下面５６の温度を予め設定された温度に維持することができる。 Further, in the polishing step ST2, the polishing method and the polishing apparatus 1 according to the first embodiment measure the temperature of the region 56-1 of the lower surface 56 of the polishing pad 52, and the temperature becomes a preset temperature according to the measurement result. Since the temperature and amount of the warm air are adjusted in this way, the temperature of the lower surface 56 of the polishing pad 52 can be maintained at a preset temperature.

〔実施形態２〕
本発明の実施形態２に係るウエーハの研磨方法及び研磨装置を図面に基づいて説明する。図８は、実施形態２に係る研磨装置の構成例の斜視図である。図８は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 2]
The wafer polishing method and the polishing apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 8 is a perspective view of a configuration example of the polishing apparatus according to the second embodiment. In FIG. 8, the same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.

実施形態２に係る研磨装置１−２は、チャックテーブル７をターンテーブル６上に複数設置し、第１の研削ユニット３と、第２の研削ユニット４を更に備えている点が、実施形態１に係る研磨装置１と異なる。 The polishing apparatus 1-2 according to the second embodiment is characterized in that a plurality of chuck tables 7 are installed on the turntable 6 and further includes a first grinding unit 3 and a second grinding unit 4. It is different from the polishing apparatus 1 according to the above.

ターンテーブル６は、装置本体２の上面に設けられた円盤状のテーブルであり、水平面内で回転可能に設けられ、所定のタイミングで回転駆動される。このターンテーブル６上には、実施形態２では、４つのチャックテーブル７が、例えば９０度の位相角で等間隔に配設されている。実施形態２において、チャックテーブル７は、ターンテーブル６の回転によって、搬入搬出位置１０１、粗研削位置１０２、仕上げ研削位置１０３、研磨位置１０４、搬入搬出位置１０１に順次移動される。 The turntable 6 is a disk-shaped table provided on the upper surface of the apparatus main body 2, is rotatably provided in a horizontal plane, and is rotationally driven at a predetermined timing. In the second embodiment, four chuck tables 7 are arranged on the turntable 6 at equal intervals, for example, at a phase angle of 90 degrees. In the second embodiment, the chuck table 7 is sequentially moved to the carry-in / carry-out position 101, the rough grinding position 102, the finish grinding position 103, the polishing position 104, and the carry-in / carry-out position 101 by the rotation of the turntable 6.

第１の研削ユニット３は、スピンドルの下端に装着された研削砥石を有する図示しない研削ホイールが回転されながら粗研削位置１０２のチャックテーブル７に保持されたウエーハ２０１の裏面２０２に鉛直方向と平行なＺ軸方向に沿って押圧されることによって、ウエーハ２０１の裏面２０２を粗研削加工するためのものである。同様に、第２の研削ユニット４は、スピンドルの下端に装着された研削砥石を有する図示しない研削ホイールが回転されながら仕上げ研削位置１０３に位置するチャックテーブル７に保持された粗研削済みのウエーハ２０１の裏面２０２にＺ軸方向に沿って押圧されることによって、ウエーハ２０１の裏面２０２を仕上げ研削加工するためのものである。 The first grinding unit 3 is parallel to the back surface 202 of the wafer 201 held on the chuck table 7 at the rough grinding position 102 while the grinding wheel (not shown) having the grinding wheel mounted on the lower end of the spindle is rotated. The back surface 202 of the wafer 201 is roughly ground by being pressed along the Z-axis direction. Similarly, in the second grinding unit 4, the coarsely ground wafer 201 held on the chuck table 7 located at the finish grinding position 103 while the grinding wheel (not shown) having the grinding wheel mounted on the lower end of the spindle is rotated. The back surface 202 of the wafer 201 is finished and ground by being pressed against the back surface 202 of the wafer 201 along the Z-axis direction.

実施形態２に係るウエーハの研磨方法（以下、単に研磨方法と記す）は、研削ステップにおいて、ウエーハ２０１の裏面２０２に粗研削加工と仕上げ研削加工とを施した後に、実施形態１と同様の研磨ステップＳＴ２を実施すること以外、実施形態１に係る研磨方法と同じである。 The method of polishing the wafer according to the second embodiment (hereinafter, simply referred to as a polishing method) is the same as that of the first embodiment after the back surface 202 of the wafer 201 is subjected to rough grinding and finish grinding in the grinding step. It is the same as the polishing method according to the first embodiment except that step ST2 is carried out.

実施形態２に係る研磨方法及び研磨装置１−２は、研磨ステップＳＴ２では、研磨パッド５２を温風噴射ユニット１５から噴射する温風で加熱するので、実施形態１と同様に、加工時間を抑制することができる。 In the polishing step ST2, the polishing method and the polishing apparatus 1-2 according to the second embodiment heat the polishing pad 52 with the warm air ejected from the warm air injection unit 15, so that the processing time is suppressed as in the first embodiment. can do.

〔実施形態３〕
本発明の実施形態３に係るウエーハの研磨方法及び研磨装置を図面に基づいて説明する。図９は、実施形態３に係る研磨装置の要部の斜視図である。図１０は、実施形態３に係る研磨装置の要部の平面図である。図１１は、実施形態３に係るウエーハの研磨方法の流れを示すフローチャートである。図１２は、図１１に示されたウエーハの研磨方法の研磨前測定ステップの測定経路上のウエーハの厚さを測定する状態を示す側面図である。図１３は、図１１に示されたウエーハの研磨方法のテスト研磨ステップにおいて研磨されたウエーハを示す側面図である。図１４は、図１１に示されたウエーハの研磨方法の研磨ステップ後のウエーハの側面図である。図９から図１４は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。 [Embodiment 3]
The wafer polishing method and the polishing apparatus according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 9 is a perspective view of a main part of the polishing apparatus according to the third embodiment. FIG. 10 is a plan view of a main part of the polishing apparatus according to the third embodiment. FIG. 11 is a flowchart showing the flow of the wafer polishing method according to the third embodiment. FIG. 12 is a side view showing a state in which the thickness of the wafer on the measurement path of the pre-polishing measurement step of the wafer polishing method shown in FIG. 11 is measured. FIG. 13 is a side view showing the wafer polished in the test polishing step of the wafer polishing method shown in FIG. FIG. 14 is a side view of the wafer after the polishing step of the wafer polishing method shown in FIG. In FIGS. 9 to 14, the same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

実施形態３に係る研磨装置１−３は、図９に示すように、測定ユニット１２を備える。測定ユニット１２は、搬入搬出位置１０１に位置するチャックテーブル７の保持面７−１に対向して配置され、図示しない水平方向移動ユニットにより保持面７−１と平行な方向に移動自在に設けられている。測定ユニット１２の水平方向移動ユニットによる図１中に一点鎖線で示す移動経路２０７は、搬入搬出位置１０１に位置するチャックテーブル７の保持面７−１の中心を通る直線状でかつチャックテーブル７の径方向と平行である。また、測定ユニット１２の水平方向移動ユニットによる移動経路２０７は、チャックテーブル７の保持面７−１の中心を互いの間に挟む二つの外縁を通る。 As shown in FIG. 9, the polishing apparatus 1-3 according to the third embodiment includes a measuring unit 12. The measuring unit 12 is arranged to face the holding surface 7-1 of the chuck table 7 located at the loading / unloading position 101, and is movably provided in a direction parallel to the holding surface 7-1 by a horizontal moving unit (not shown). ing. The moving path 207 shown by the alternate long and short dash line in FIG. 1 by the horizontal moving unit of the measuring unit 12 is a straight line passing through the center of the holding surface 7-1 of the chuck table 7 located at the carry-in / carrying-out position 101 and of the chuck table 7. It is parallel to the radial direction. Further, the movement path 207 by the horizontal movement unit of the measurement unit 12 passes through two outer edges sandwiching the center of the holding surface 7-1 of the chuck table 7 between them.

測定ユニット１２は、搬入搬出位置１０１に位置するチャックテーブル７の保持面７−１に保持されたウエーハ２０１の裏面２０２に対して光又は超音波を照射しながら裏面２０２で反射された光又は超音波を受信しながら移動経路２０７上を移動されることにより、移動経路２０７上のウエーハ２０１の予め設定された所定距離おきの各位置の厚さを測定する。本明細書は、測定ユニット１２の移動経路２０７を以下、測定経路２０７と記す。測定ユニット１２は、測定結果を制御ユニット１００に出力する。なお、実施形態１において、測定ユニット１２は、光又は超音波を照射して移動経路上のウエーハ２０１の各位置の厚さを測定する非接触式のものであるが、ウエーハ２０１の裏面２０２に接触する接触子を備える接触式のものでも良い。また、実施形態３において、測定ユニット１２を研磨装置１に設けたが、本発明では、研磨装置１−３とは別の測定装置を用いてウエーハ２０１の厚さを測定しても良い。 The measuring unit 12 irradiates the back surface 202 of the wafer 201 held on the holding surface 7-1 of the chuck table 7 located at the loading / unloading position 101 with light or ultrasonic waves, and the light or ultrasonic waves reflected by the back surface 202. By moving on the moving path 207 while receiving the ultrasonic waves, the thickness of each position of the wafer 201 on the moving path 207 at predetermined predetermined distances is measured. In the present specification, the movement path 207 of the measurement unit 12 is hereinafter referred to as the measurement path 207. The measurement unit 12 outputs the measurement result to the control unit 100. In the first embodiment, the measurement unit 12 is a non-contact type that irradiates light or ultrasonic waves to measure the thickness of each position of the wafer 201 on the movement path, but the measurement unit 12 is on the back surface 202 of the wafer 201. It may be a contact type having a contactor to be contacted. Further, in the third embodiment, the measuring unit 12 is provided in the polishing device 1, but in the present invention, the thickness of the wafer 201 may be measured by using a measuring device different from the polishing device 1-3.

また、研磨装置１−３の温度調整ユニット１７は、図１０に示すように、研磨パッド５２の下面５６の領域５６−１のうちの所望の領域に選択的に温風を吹き付ける選択噴射部１５３を備える。実施形態３において、選択噴射部１５３は、噴射口１５２それぞれに対応して設けられ、対応する噴射口１５２を開閉可能なシャッタ機構である。選択噴射部１５３は、温風噴射ユニット１５に複数設けられている。各選択噴射部１５３は、制御ユニット１００により互いに独立して、噴射口１５２を開閉する。 Further, as shown in FIG. 10, the temperature adjusting unit 17 of the polishing apparatus 1-3 selectively blows warm air onto a desired region of the regions 56-1 of the lower surface 56 of the polishing pad 52. To be equipped. In the third embodiment, the selective injection unit 153 is a shutter mechanism provided corresponding to each of the injection ports 152 and capable of opening and closing the corresponding injection port 152. A plurality of selective injection units 153 are provided in the warm air injection unit 15. Each selective injection unit 153 opens and closes the injection port 152 independently of each other by the control unit 100.

次に、実施形態３に係るウエーハの研磨方法について説明する。実施形態３に係るウエーハの研磨方法（以下、単に研磨方法と記す）は、図１１に示すように、保護部材貼着ステップＳＴ１と、研磨ステップＳＴ２とに加えて、研磨装置１−３により行われる選択ステップＳＴ３を備える。 Next, the method of polishing the wafer according to the third embodiment will be described. As shown in FIG. 11, the method of polishing the wafer according to the third embodiment (hereinafter, simply referred to as a polishing method) is performed by a polishing device 1-3 in addition to the protective member attaching step ST1 and the polishing step ST2. The selection step ST3 is provided.

選択ステップＳＴ３は、保護部材貼着ステップＳＴ１の後でかつ研磨ステップＳＴ２の前に実施されるステップである。選択ステップＳＴ３は、研磨ステップＳＴ２後のウエーハ２０１の厚さのばらつきを抑制するために、研磨ステップＳＴ２において研磨パッド５２の下面５６の領域５６−１のうちの温風を吹き付ける領域を選択するステップであり、噴射口１５２を開放する選択噴射部１５３と噴射口１５２を閉じる選択噴射部１５３とを選択するステップである。選択ステップＳＴ３は、図１１に示すように、研磨前測定ステップＳＴ３１と、テスト研磨ステップＳＴ３２と、取得ステップＳＴ３３と、選定ステップＳＴ３４とを有する。 The selection step ST3 is a step performed after the protective member attaching step ST1 and before the polishing step ST2. In the selection step ST3, in order to suppress variations in the thickness of the wafer 201 after the polishing step ST2, a step of selecting a region to which warm air is blown from the region 56-1 of the lower surface 56 of the polishing pad 52 in the polishing step ST2. This is a step of selecting the selective injection unit 153 that opens the injection port 152 and the selective injection unit 153 that closes the injection port 152. As shown in FIG. 11, the selection step ST3 includes a pre-polishing measurement step ST31, a test polishing step ST32, an acquisition step ST33, and a selection step ST34.

選択ステップＳＴ３の研磨前測定ステップＳＴ３１では、研磨装置１−３の制御ユニット１００は、搬出入ユニット１４にカセット８からウエーハ２０１（なお、選択ステップＳＴ３において研削研磨されるウエーハ２０１を、以下、テスト用ウエーハ２０１−１と記す）を取り出させ、位置合わせユニット１０へ搬出させ、位置合わせユニット１０にテスト用ウエーハ２０１−１の中心位置合わせを行わせ、搬入ユニット１１に位置合わせされたテスト用ウエーハ２０１−１の表面２０３側を搬入搬出位置１０１に位置するチャックテーブル７上に搬入する。 In the pre-polishing measurement step ST31 of the selection step ST3, the control unit 100 of the polishing device 1-3 tests the wafer 201 to be ground and polished from the cassette 8 to the loading / unloading unit 14 (note that the wafer 201 to be ground and polished in the selection step ST3 is tested below. The test wafer (referred to as 201-1) is taken out and carried out to the alignment unit 10, the alignment unit 10 is made to align the center of the test wafer 201-1, and the test wafer is aligned with the carry-in unit 11. The surface 203 side of 201-1 is carried on the chuck table 7 located at the carry-in / carry-out position 101.

研磨前測定ステップＳＴ３１では、研磨装置１−３の制御ユニット１００は、テスト用ウエーハ２０１−１の表面２０３側を保護部材２０６を介してチャックテーブル７に保持する。研磨前測定ステップＳＴ３１では、研磨装置１−３の制御ユニット１００は、図１２に示すように、測定ユニット１２を測定経路２０７に沿って移動させながら測定経路２０７上のテスト用ウエーハ２０１−１の各位置の厚さを測定させる。なお、図１２に示す搬入搬出位置１０１に位置付けられたテスト用ウエーハ２０１−１は、実施形態３において、中心の厚さと外縁の厚さとが薄く、中心と外縁との中央の厚さが厚くなるように、厚さがばらついている。なお、図１２は、実際の厚さのばらつきよりも大きくなるように、厚さのばらつきを誇張して記載している。 In the pre-polishing measurement step ST31, the control unit 100 of the polishing device 1-3 holds the surface 203 side of the test wafer 201-1 on the chuck table 7 via the protective member 206. In the pre-polishing measurement step ST31, the control unit 100 of the polishing apparatus 1-3 moves the measurement unit 12 along the measurement path 207 while moving the measurement unit 12 along the measurement path 207 of the test wafer 211-1 on the measurement path 207. Have the thickness of each position measured. In the test wafer 201-1 positioned at the carry-in / carry-out position 101 shown in FIG. 12, in the third embodiment, the thickness of the center and the thickness of the outer edge are thin, and the thickness of the center between the center and the outer edge is thick. As you can see, the thickness varies. Note that FIG. 12 exaggerates the thickness variation so as to be larger than the actual thickness variation.

テスト研磨ステップＳＴ３２は、研磨前測定ステップＳＴ３１においてウエーハ２０１の厚さ情報である移動経路２０７上の各位置の厚さを取得したテスト用ウエーハ２０１−１をチャックテーブル７に保持したチャックテーブル７を研磨ユニット５の研磨パッド５２で研磨するステップである。テスト研磨ステップＳＴ３２では、研磨装置１−３の制御ユニット１００は、テスト用ウエーハ２０１−１を保持したチャックテーブル７を研磨位置１０４に移動させて、研磨位置１０４でチャックテーブル７を軸心回りに回転させ、研磨工具５１を軸心回りに回転させながら研磨パッド５２をチャックテーブル７に保持されたウエーハ２０１に押しつけて、ウエーハ２０１の裏面２０２を研磨する。研磨装置１−３の制御ユニット１００は、テスト研磨ステップＳＴ３２が終了すると、取得ステップＳＴ３３に進む。 The test polishing step ST32 is a chuck table 7 in which the test wafer 201-1 obtained by acquiring the thickness of each position on the moving path 207, which is the thickness information of the wafer 201 in the pre-polishing measurement step ST31, is held in the chuck table 7. This is a step of polishing with the polishing pad 52 of the polishing unit 5. In the test polishing step ST32, the control unit 100 of the polishing apparatus 1-3 moves the chuck table 7 holding the test wafer 201-1 to the polishing position 104, and moves the chuck table 7 around the axis at the polishing position 104. While rotating and rotating the polishing tool 51 around the axis, the polishing pad 52 is pressed against the wafer 201 held by the chuck table 7 to polish the back surface 202 of the wafer 201. When the test polishing step ST32 is completed, the control unit 100 of the polishing apparatus 1-3 proceeds to the acquisition step ST33.

なお、図１３に示す研磨後のテスト用ウエーハ２０１−１は、実施形態３において、中心の厚さと外縁の厚さとが薄く、中心と外縁との中央の厚さが厚くなるように、厚さがばらついている。なお、図１３は、図１２と同様に、実際の厚さのばらつきよりも大きくなるように、厚さのばらつきを誇張して記載している。 In the third embodiment, the post-polishing test wafer 201-1 shown in FIG. 13 has a thickness such that the thickness of the center and the thickness of the outer edge are thin and the thickness of the center between the center and the outer edge is thick. Are scattered. In addition, in FIG. 13, similarly to FIG. 12, the variation in thickness is exaggerated so as to be larger than the variation in the actual thickness.

取得ステップＳＴ３３は、テスト研磨ステップＳＴ３２を実施後に測定したテスト用ウエーハ２０１−１の面内の厚さ情報である測定経路２０７上のテスト用ウエーハ２０１−１の各位置の厚さを取得するステップである。取得ステップＳＴ３３では、研磨装置１−３の制御ユニット１００は、チャックテーブル７の回転を停止させ、テスト用ウエーハ２０１−１を搬入搬出位置１０１に移動させた後、測定ユニット１２を測定経路２０７に沿って移動させながら測定経路２０７上のテスト用ウエーハ２０１−１の各位置の厚さを測定させる。 The acquisition step ST33 is a step of acquiring the thickness of each position of the test wafer 201-1 on the measurement path 207, which is the in-plane thickness information of the test wafer 201-1 measured after the test polishing step ST32. Is. In the acquisition step ST33, the control unit 100 of the polishing apparatus 1-3 stops the rotation of the chuck table 7, moves the test wafer 201-1 to the carry-in / carry-out position 101, and then moves the measurement unit 12 to the measurement path 207. The thickness of each position of the test wafer 211-1 on the measurement path 207 is measured while moving along the measurement path 207.

こうして、取得ステップＳＴ３３では、研磨装置１−３の制御ユニット１００は、テスト研磨ステップＳＴ３２実施後に測定したテスト用ウエーハ２０１−１の面内の厚さ情報である測定経路２０７上のテスト用ウエーハ２０１−１の各位置の厚さを取得する。 Thus, in the acquisition step ST33, the control unit 100 of the polishing apparatus 1-3 is the test wafer 201 on the measurement path 207, which is the in-plane thickness information of the test wafer 201-1 measured after the test polishing step ST32 is performed. Obtain the thickness of each position of -1.

選定ステップＳＴ３４は、ウエーハ２０１面内の他の領域よりも研磨レートを上昇させたい領域を選定するステップである。選定ステップＳＴ３４では、研磨装置１−３の制御ユニット１００は、取得ステップＳＴ３３で測定した研磨後の測定経路２０７上のテスト用ウエーハ２０１−１の各位置のうち厚さが所望の仕上げ厚さよりも厚くなる位置を、ウエーハ２０１面内の他の領域より研磨レートを上昇させたい領域として選定する。選定ステップＳＴ３４では、研磨装置１−３の制御ユニット１００は、ウエーハ２０１の裏面２０２の各領域と選択噴射部１５３との対応関係とを予め記憶しており、この予め記憶した対応関係に基づいて、ウエーハ２０１面内の他の領域より研磨レートを上昇させたい領域に対応した選択噴射部１５３を選択して、研磨ステップＳＴ２に進む。 The selection step ST34 is a step of selecting a region in which the polishing rate is desired to be increased as compared with other regions in the wafer 201 surface. In the selection step ST34, the thickness of the control unit 100 of the polishing device 1-3 is larger than the desired finish thickness at each position of the test wafer 211-1 on the measurement path 207 after polishing measured in the acquisition step ST33. The thickening position is selected as a region in which the polishing rate is desired to be increased from other regions in the wafer 201 surface. In the selection step ST34, the control unit 100 of the polishing apparatus 1-3 stores in advance the correspondence between each region of the back surface 202 of the wafer 201 and the selective injection unit 153, and based on this previously stored correspondence. , Select the selective injection unit 153 corresponding to the region where the polishing rate is desired to be increased from the other regions in the wafer 201 surface, and proceed to the polishing step ST2.

研磨ステップＳＴ２は、テスト用ウエーハ２０１−１と面内の厚さが同等なウエーハ２０１をチャックテーブル７で保持して研磨するステップである。研磨ステップＳＴ２では、研磨装置１の制御ユニット１００は、図１０に示すように、選定ステップＳＴ３４で選択した選択噴射部１５３に噴射口１５２を開放させ、他の選択噴射部１５３に噴射口１５２を閉じさせながら研磨パッド５２の下面５６の領域５６−１のうちウエーハ２０１の研磨レートを上昇させたい領域に対応する所望の領域を選択的に加熱しながら研磨する。なお、図１０は、噴射口１５２を開放する選択噴射部１５３を符号「１５３Ｏ」で示し、噴射口１５２を閉じる選択噴射部１５３を符号「１５３Ｃ」で示している。研磨ステップＳＴ２では、研磨装置１の制御ユニット１００は、搬出入ユニット１４にカセット８からウエーハ２０１（なお、研磨ステップＳＴ２において研削研磨されるウエーハ２０１を、以下、加工用ウエーハ２０１−２と記す）を取り出させ、位置合わせユニット１０へ搬出させ、位置合わせユニット１０に加工用ウエーハ２０１−２の中心位置合わせを行わせ、搬入ユニット１１に位置合わせされた加工用ウエーハ２０１−２の表面２０３側を搬入搬出位置１０１に位置するチャックテーブル７上に搬入する。 The polishing step ST2 is a step of holding the wafer 201 having the same in-plane thickness as the test wafer 2011-1 on the chuck table 7 and polishing the wafer. In the polishing step ST2, as shown in FIG. 10, the control unit 100 of the polishing device 1 opens the injection port 152 to the selective injection unit 153 selected in the selection step ST34, and causes the other selective injection unit 153 to have the injection port 152. While closing, the desired region corresponding to the region where the polishing rate of the wafer 201 is desired to be increased among the regions 56-1 on the lower surface 56 of the polishing pad 52 is selectively heated and polished. In FIG. 10, the selective injection unit 153 that opens the injection port 152 is indicated by the reference numeral “153O”, and the selective injection unit 153 that closes the injection port 152 is indicated by the reference numeral “153C”. In the polishing step ST2, the control unit 100 of the polishing device 1 is connected to the loading / unloading unit 14 from the cassette 8 to the wafer 201 (the wafer 201 ground and polished in the polishing step ST2 is hereinafter referred to as a processing wafer 201-2). Is taken out and carried out to the alignment unit 10, the alignment unit 10 is made to align the center of the processing wafer 201-2, and the surface 203 side of the processing wafer 201-2 aligned with the carry-in unit 11 is set. It is carried on the chuck table 7 located at the carry-in / carry-out position 101.

研磨ステップＳＴ２では、研磨装置１の制御ユニット１００は、加工用ウエーハ２０１−２の表面２０３側を保護部材２０６を介してチャックテーブル７に保持し、研磨位置１０４に搬送する。研磨ステップＳＴ２では、研磨装置１の制御ユニット１００は、選定ステップＳＴ３４で選択した選択噴射部１５３に噴射口１５２を開放させ、他の選択噴射部１５３に噴射口１５２を閉じさせて、開放された噴射口１５２から温風を下面５６の領域に吹き付けて加熱しながら加工用ウエーハ２０１−２の裏面２０２を図１４に示すように高精度に平坦化する。 In the polishing step ST2, the control unit 100 of the polishing device 1 holds the surface 203 side of the processing wafer 201-2 on the chuck table 7 via the protective member 206 and conveys it to the polishing position 104. In the polishing step ST2, the control unit 100 of the polishing device 1 was opened by opening the injection port 152 to the selective injection unit 153 selected in the selection step ST34 and closing the injection port 152 by the other selective injection unit 153. The back surface 202 of the processing wafer 201-2 is flattened with high accuracy as shown in FIG. 14 while heating by blowing warm air from the injection port 152 onto the region of the lower surface 56.

研磨装置１は、研磨ユニット５により研磨された加工用ウエーハ２０１−２を搬入搬出位置１０１に位置付け、搬入ユニット１１により洗浄ユニット１３に搬入し、洗浄ユニット１３で洗浄し、洗浄後の加工用ウエーハ２０１−２を搬出入ユニット１４でカセット９へ搬入する。研磨装置１は、カセット８内の全ての加工用ウエーハ２０１−２に研磨を施すと、研磨方法を終了する。 The polishing device 1 positions the processing wafer 201-2 polished by the polishing unit 5 at the carry-in / carry-out position 101, carries it into the cleaning unit 13 by the carry-in unit 11, cleans it with the cleaning unit 13, and cleans the processing wafer after cleaning. The 201-2 is carried into the cassette 9 by the carry-in / out unit 14. The polishing device 1 finishes the polishing method when all the processing wafers 201-2 in the cassette 8 are polished.

以上のように、実施形態３に係る研磨方法及び研磨装置１−３は、研磨ステップＳＴ２では、研磨パッド５２を温風噴射ユニット１５から噴射する温風で加熱するので、研磨パッド５２の砥粒とウエーハ２０１との反応速度を上げる事が出来る。その結果、研磨方法及び研磨装置１−３は、時間あたりのウエーハ２０１の除去量（ウエーハ２０１の減少させる厚みをいう）を増加させることが出来、研磨加工のスループットを向上させることができる。その結果、研磨方法及び研磨装置１は、加工時間を抑制することができる。 As described above, in the polishing step ST2, the polishing method and the polishing apparatus 1-3 according to the third embodiment heat the polishing pad 52 with the warm air ejected from the warm air injection unit 15, so that the abrasive grains of the polishing pad 52 are heated. And the reaction speed with the wafer 201 can be increased. As a result, the polishing method and the polishing apparatus 1-3 can increase the amount of removing the wafer 201 per hour (meaning the thickness to be reduced by the wafer 201), and can improve the throughput of the polishing process. As a result, the polishing method and the polishing device 1 can suppress the processing time.

また、実施形態３に係る研磨方法及び研磨装置１−３は、テスト研磨ステップＳＴ３２後のテスト用ウエーハ２０１−１の形状（厚さ）に基づいて、所望の領域のみ研磨レートを上げたいと言った場合も、研磨パッド５２の下面５６の領域５６−１のうちの所望の領域を選択的に加熱するので、加工用ウエーハ２０１−２を所望の形状（厚さ）に研磨することが出来る。 Further, the polishing method and the polishing apparatus 1-3 according to the third embodiment say that they want to increase the polishing rate only in a desired region based on the shape (thickness) of the test wafer 201-1 after the test polishing step ST32. In this case as well, since the desired region of the region 56-1 on the lower surface 56 of the polishing pad 52 is selectively heated, the processing wafer 201-2 can be polished to a desired shape (thickness).

次に、本発明の効果を確認するために、本発明の発明者は、研磨パッド５２の領域５６−１を温風噴射ユニット１５から温風を噴射して加熱した時の単位時間当たりの除去量を測定した。測定結果を図１５に示す。図１５は、図１に示された研磨装置の研磨パッドの領域を加熱した時の単位時間当たりの除去量を示す図である。 Next, in order to confirm the effect of the present invention, the inventor of the present invention removes the region 56-1 of the polishing pad 52 per unit time when the hot air is jetted from the warm air jet unit 15 to heat it. The amount was measured. The measurement result is shown in FIG. FIG. 15 is a diagram showing the amount of removal per unit time when the region of the polishing pad of the polishing apparatus shown in FIG. 1 is heated.

図１５の本発明品１は、予め設定された温度を３５．６℃とし、本発明品２は、予め設定された温度を３８．５℃として、温風噴射ユニット１５から温風を噴射して領域５６−１を加熱した。本発明品１と本発明品２とも、１５０秒研磨加工を行った時の単位時間当たりの除去量（μｍ／ｍｉｎ）を測定した。 The product 1 of the present invention of FIG. 15 has a preset temperature of 35.6 ° C., and the product of the present invention 2 has a preset temperature of 38.5 ° C., and injects warm air from the hot air injection unit 15. Region 56-1 was heated. For both the product 1 of the present invention and the product 2 of the present invention, the amount of removal (μm / min) per unit time when polishing for 150 seconds was measured.

図１５によれば、本発明品１の単位時間当たりの除去量が０．４９（μｍ／ｍｉｎ）であるのに対し、本発明品２の単位時間当たりの除去量が０．５９（μｍ／ｍｉｎ）である。したがって、図１５によれば、研磨パッド５２の温度を高くすることにより、単位時間当たりの除去量を増加させることが出来、研磨加工のスループットを向上させることができることが明らかとなった。 According to FIG. 15, the removal amount of the product 1 of the present invention per unit time is 0.49 (μm / min), whereas the removal amount of the product 2 of the present invention per unit time is 0.59 (μm / min). min). Therefore, according to FIG. 15, it was clarified that by raising the temperature of the polishing pad 52, the amount of removal per unit time can be increased and the throughput of the polishing process can be improved.

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。 The present invention is not limited to the above embodiment. That is, it can be modified in various ways without departing from the gist of the present invention.

１，１−２，１−３ 研磨装置
５ 研磨ユニット
７ チャックテーブル
１５ 温風噴射ユニット
１６ 温度測定器
１７ 温度調整ユニット
５０ スピンドル
５２ 研磨パッド
５６ 下面
５６−１ 領域
１００ 制御ユニット
１５３ 選択噴射部
２０２ 裏面
２０３ 表面
２０４ 分割予定ライン
２０５ デバイス
２０６ 保護部材
ＳＴ１ 保護部材貼着ステップ
ＳＴ２ 研磨ステップ 1,1-2,1-3 Polishing device 5 Polishing unit 7 Chuck table 15 Warm air injection unit 16 Temperature measuring instrument 17 Temperature adjustment unit 50 Spindle 52 Polishing pad 56 Bottom surface 56-1 Area 100 Control unit 153 Selective injection unit 202 Back surface 203 Surface 204 Scheduled division line 205 Device 206 Protective member ST1 Protective member attachment step ST2 Polishing step

Claims (6)

表面に形成された格子状の分割予定ラインに区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
該保護部材を介して該ウエーハをチャックテーブルで保持し、該ウエーハの裏面を研磨パッドで研磨する研磨ステップと、を備え、
該研磨ステップでは、研磨液を供給せずに、該ウエーハより直径の大きくかつ下面の一部を該ウエーハの裏面に接触させるドライポリッシュ用の該研磨パッドを用い、該ウエーハに接触せず露出した該研磨パッドの下面の領域に下側から温風を吹き付けて加熱しながら研磨することを特徴とするウエーハの研磨方法。 A protective member attaching step for attaching a protective member to the surface of a wafer in which devices are formed in a plurality of regions divided into grid-like planned division lines formed on the surface, and a protective member attaching step.
A polishing step of holding the wafer on a chuck table via the protective member and polishing the back surface of the wafer with a polishing pad is provided.
In the polishing step, without supplying a polishing liquid, a part of the magnitude KuKatsu lower surface diameter than the wafer with the polishing pad for dry polishing of contacting the rear surface of the wafer, exposed without contact with the wafer A method for polishing a wafer, which comprises blowing warm air from below onto the region of the lower surface of the polishing pad and polishing while heating. 該研磨ステップでは、該ウエーハに接触せず露出した該研磨パッドの下面を選択的に加熱する請求項１に記載のウエーハの研磨方法。 The method for polishing a wafer according to claim 1, wherein in the polishing step, the lower surface of the polishing pad exposed without contacting the wafer is selectively heated. 該研磨ステップでは、該ウエーハに接触せず露出した該研磨パッドの下面の領域の温度を測定し、測定された該研磨パッドの温度に応じて温風の温度又は量を調整する請求項１に記載のウエーハの研磨方法。 In the polishing step, the temperature of the region of the lower surface of the polishing pad exposed without contacting the wafer is measured, and the temperature or amount of warm air is adjusted according to the measured temperature of the polishing pad according to claim 1. The method for polishing a wafer as described. ウエーハを保持するチャックテーブルと、研磨液を供給せずに、該ウエーハの直径より大きい直径の研磨パッドがスピンドルの下端に装着され該チャックテーブルに保持された該ウエーハに下面の一部を該ウエーハの裏面に接触させるドライポリッシュ用の該研磨パッドで研磨する研磨ユニットと、該ウエーハを研磨加工中の該研磨パッドの温度を調整する温度調整ユニットと、を備え、
該温度調整ユニットは、該ウエーハに接触せず露出した該研磨パッドの下面の領域に下側から温風を吹き付ける温風噴射ユニットを備えることを特徴とする研磨装置。 A chuck table for holding a wafer and a polishing pad having a diameter larger than the diameter of the wafer are attached to the lower end of the spindle without supplying a polishing liquid, and a part of the lower surface of the wafer held on the chuck table is attached to the wafer. A polishing unit for polishing with the polishing pad for dry polishing, which is brought into contact with the back surface of the wafer, and a temperature adjusting unit for adjusting the temperature of the polishing pad during the polishing process of the wafer are provided.
The temperature adjusting unit is a polishing apparatus including a hot air injection unit that blows warm air from below to a region on the lower surface of the polishing pad that is exposed without contacting the wafer. 該温度調整ユニットは、該ウエーハに接触せず露出した該研磨パッドの下面の所望の領域に選択的に温風を吹き付ける選択噴射部を備える請求項４に記載の研磨装置。 The polishing apparatus according to claim 4, wherein the temperature adjusting unit includes a selective injection unit that selectively blows warm air onto a desired region on the lower surface of the polishing pad that is exposed without contacting the wafer. 該温度調整ユニットは、該ウエーハに接触せず露出した該研磨パッドの下面の領域の温度を測定する温度測定器と、該温度測定器の測定結果に応じて、該温風噴射ユニットの温風噴射温度又は量を調整する制御ユニットと、を備えることを特徴とする請求項４に記載の研磨装置。 The temperature control unit is a temperature measuring device that measures the temperature of the area of the lower surface of the polishing pad that is exposed without contacting the waiha, and warm air of the warm air injection unit according to the measurement result of the temperature measuring device. The polishing apparatus according to claim 4, further comprising a control unit for adjusting an injection temperature or an amount.
JP2017058159A 2017-03-23 2017-03-23 Wafer polishing method and polishing equipment Active JP6896472B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017058159A JP6896472B2 (en) 2017-03-23 2017-03-23 Wafer polishing method and polishing equipment
KR1020180028225A KR102293098B1 (en) 2017-03-23 2018-03-09 Wafer polishing method and polishing apparatus
CN201810228241.XA CN108621021A (en) 2017-03-23 2018-03-20 The grinding method and grinding device of chip
TW107109666A TWI748069B (en) 2017-03-23 2018-03-21 Wafer polishing method and polishing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017058159A JP6896472B2 (en) 2017-03-23 2017-03-23 Wafer polishing method and polishing equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018160627A JP2018160627A (en) 2018-10-11
JP6896472B2 true JP6896472B2 (en) 2021-06-30

Family

ID=63706334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017058159A Active JP6896472B2 (en) 2017-03-23 2017-03-23 Wafer polishing method and polishing equipment

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6896472B2 (en)
KR (1) KR102293098B1 (en)
CN (1) CN108621021A (en)
TW (1) TWI748069B (en)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111463141B (en) * 2019-01-18 2023-05-02 芯恩（青岛）集成电路有限公司 Method for improving utilization rate of wafer probe station
JP7304708B2 (en) * 2019-02-15 2023-07-07 株式会社ディスコ Wafer processing method
CN110153885A (en) * 2019-06-03 2019-08-23 西安奕斯伟硅片技术有限公司 A kind of processing method of grinding pad and the processing unit of grinding pad
CN110962022A (en) * 2019-12-31 2020-04-07 浙江芯晖装备技术有限公司 Polishing equipment
JP7551439B2 (en) * 2020-10-13 2024-09-17 株式会社ディスコ Wafer processing method and processing apparatus
JP7663468B2 (en) * 2021-04-28 2025-04-16 株式会社荏原製作所 Polishing apparatus and polishing method
JP7746092B2 (en) * 2021-09-24 2025-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Polishing apparatus, substrate processing apparatus and polishing method
JP7746093B2 (en) * 2021-09-24 2025-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate Processing Equipment
JP2023046630A (en) * 2021-09-24 2023-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Polishing method and substrate processing apparatus
JP7660056B2 (en) * 2021-11-17 2025-04-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Substrate Processing Equipment
CN114161258B (en) * 2021-12-10 2024-08-27 中国电子科技集团公司第四十六研究所 A gallium oxide wafer cleavage-resistant edge grinding method

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3672685B2 (en) * 1996-11-29 2005-07-20 松下電器産業株式会社 Polishing method and polishing apparatus
JP4149583B2 (en) * 1998-09-10 2008-09-10 株式会社ディスコ Grinding equipment
JP2003243345A (en) * 2002-02-18 2003-08-29 Disco Abrasive Syst Ltd Polishing equipment
JP2004235201A (en) * 2003-01-28 2004-08-19 Okamoto Machine Tool Works Ltd Chemical mechanical polishing method in dry condition and device therefor for substrate
JP2005019525A (en) * 2003-06-24 2005-01-20 Disco Abrasive Syst Ltd Manufacturing method of semiconductor chip
JP4631021B2 (en) * 2004-03-12 2011-02-16 株式会社ディスコ Polishing equipment
JP4733934B2 (en) * 2004-06-22 2011-07-27 株式会社ディスコ Wafer processing method
JP2006173462A (en) * 2004-12-17 2006-06-29 Disco Abrasive Syst Ltd Wafer processing equipment
JP4787063B2 (en) * 2005-12-09 2011-10-05 株式会社荏原製作所 Polishing apparatus and polishing method
JP5547472B2 (en) * 2009-12-28 2014-07-16 株式会社荏原製作所 Substrate polishing apparatus, substrate polishing method, and polishing pad surface temperature control apparatus for substrate polishing apparatus
JP5659033B2 (en) * 2011-02-04 2015-01-28 株式会社東芝 Manufacturing method of semiconductor device
JP2012222311A (en) * 2011-04-14 2012-11-12 Disco Abrasive Syst Ltd Polishing method of plate-like object
TWI565559B (en) * 2011-07-19 2017-01-11 荏原製作所股份有限公司 Polishing device and method
JP2013230509A (en) * 2012-04-27 2013-11-14 Kyocera Corp Polishing device
CN103050392B (en) * 2013-01-10 2015-10-07 武汉电信器件有限公司 A kind of abrasive polishing method of wafer
JP2016072327A (en) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社ディスコ Polishing device
JP6541476B2 (en) * 2015-07-02 2019-07-10 株式会社ディスコ Wafer polishing method
JP6517108B2 (en) * 2015-08-05 2019-05-22 株式会社ディスコ CMP polisher
KR102569631B1 (en) * 2015-12-18 2023-08-24 주식회사 케이씨텍 Chemical mechanical polishing apparatus and control method thereof
CN106002606A (en) * 2016-05-16 2016-10-12 苏州辰轩光电科技有限公司 Polishing and wax pasting machine for sapphire substrate

Also Published As

Publication number Publication date
TW201834787A (en) 2018-10-01
CN108621021A (en) 2018-10-09
KR20180108449A (en) 2018-10-04
KR102293098B1 (en) 2021-08-23
JP2018160627A (en) 2018-10-11
TWI748069B (en) 2021-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6896472B2 (en) Wafer polishing method and polishing equipment
JP7729749B2 (en) Method for grinding hard wafers
JP5276823B2 (en) Wafer grinding equipment
JP7046573B2 (en) Processing method of work piece
TWI774805B (en) Wafer Processing Method
US11400563B2 (en) Processing method for disk-shaped workpiece
JP2008155292A (en) Substrate processing method and processing apparatus
JP2013004726A (en) Processing method of plate-like object
JP7451043B2 (en) Grinding method and grinding device for workpiece
TW202133254A (en) Processing method of wafer to stably perform the so-called TAIKO grinding in which a circular concave portion corresponding to a device region and an annular convex portion corresponding to an outer peripheral surplus region are formed on the back surface of a wafer
JP6832738B2 (en) Wafer polishing method, polishing pad and polishing equipment
CN109290941B (en) wafer processing method
JP7045861B2 (en) Support base
US11858090B2 (en) Grinding apparatus and method of driving grinding apparatus
JP7636945B2 (en) Method for grinding a workpiece
JP6757223B2 (en) Cutting tool
TW202133240A (en) Processing apparatus
JP6749202B2 (en) Device chip manufacturing method
JP7477330B2 (en) Grinding device and method for grinding workpiece
JP7416591B2 (en) Polishing method
JP2020127973A (en) Grinding machine
TW202439387A (en) Wafer grinding device and grinding method
JP2025034055A (en) Grinding device and method for grinding workpiece
JP2024101764A (en) Grinding Method
JP2000176802A (en) Wafer grinding device and wafer grinding method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200109

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20201124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20201222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210218

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210511

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210609

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6896472

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250