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JP7337175B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD - Google Patents

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD Download PDF

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JP7337175B2 JP2021540734A JP2021540734A JP7337175B2 JP 7337175 B2 JP7337175 B2 JP 7337175B2 JP 2021540734 A JP2021540734 A JP 2021540734A JP 2021540734 A JP2021540734 A JP 2021540734A JP 7337175 B2 JP7337175 B2 JP 7337175B2
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Description

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

従来、半導体ウェハなどの基板の表面を液体で処理した後の乾燥工程において、液体により表面が濡れた状態の基板を超臨界状態の処理流体と接触させることによって基板を乾燥させる技術が知られている。 Conventionally, in a drying step after the surface of a substrate such as a semiconductor wafer has been processed with a liquid, there has been known a technique of drying the substrate by bringing the surface of the substrate wet with the liquid into contact with a processing fluid in a supercritical state. there is

特開２０１３－２５１５５０号公報JP 2013-251550 A

本開示は、超臨界状態の処理流体を用いて基板を乾燥させる技術において、基板の表面へのパーティクルの付着を抑制することができる技術を提供することを目的とする。 An object of the present disclosure is to provide a technique for drying a substrate using a processing fluid in a supercritical state, which is capable of suppressing adhesion of particles to the surface of the substrate.

本開示の一態様による基板処理装置は、液処理部と、乾燥処理部と、搬送部と、気体供給部とを備える。液処理部は、基板に対して液処理を行うことによって基板の表面を濡らす。乾燥処理部は、液処理部と異なる場所に配置され、表面が濡れた基板を乾燥させる乾燥処理を行う。搬送部は、表面が濡れた基板を液処理部から取り出して乾燥処理部へ搬送する。気体供給部は、表面が濡れた基板が液処理部から取り出されてから乾燥処理部において乾燥処理が開始されるまでの期間のうち少なくとも一部の期間において、表面が濡れた基板の裏面に気体を供給する。 A substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a liquid processing section, a drying processing section, a transport section, and a gas supply section. The liquid processing section wets the surface of the substrate by performing liquid processing on the substrate. The drying processing section is arranged at a location different from the liquid processing section, and performs a drying process for drying the substrate having a wet surface. The transport section takes out the substrate with the wet surface from the liquid processing section and transports it to the drying processing section. The gas supply unit applies gas to the back surface of the substrate with the wet surface during at least a part of the period from when the substrate with the wet surface is taken out from the liquid processing unit until the drying process is started in the drying processing unit. supply.

本開示によれば、超臨界状態の処理流体を用いて基板を乾燥させる技術において、基板の表面へのパーティクルの付着を抑制することができる。 According to the present disclosure, it is possible to suppress adhesion of particles to the surface of the substrate in the technique of drying the substrate using a processing fluid in a supercritical state.

図１は、実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a substrate processing system according to an embodiment. 図２は、実施形態に係る搬送装置の構成を示す側面図である。FIG. 2 is a side view showing the configuration of the conveying device according to the embodiment. 図３は、実施形態に係る第１保持部の構成を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing the configuration of the first holding portion according to the embodiment; 図４は、実施形態に係る第２保持部の構成を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the configuration of a second holding portion according to the embodiment. 図５は、実施形態に係る第２保持部の構成を示す側断面図である。FIG. 5 is a side cross-sectional view showing the configuration of the second holding portion according to the embodiment. 図６は、実施形態に係る液処理ユニットの構成を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the configuration of the liquid processing unit according to the embodiment. 図７は、実施形態に係る乾燥処理ユニットの外観斜視図である。FIG. 7 is an external perspective view of a drying processing unit according to the embodiment. 図８は、実施形態に係る第３保持部の平面図である。FIG. 8 is a plan view of a third holding portion according to the embodiment; 図９は、実施形態に係る第３保持部の側断面図である。FIG. 9 is a side sectional view of the third holding portion according to the embodiment; 図１０は、実施形態に係る基板処理システムが実行する処理の手順を示すフローチャートである。FIG. 10 is a flow chart showing the procedure of processing executed by the substrate processing system according to the embodiment. 図１１は、実施形態に係る搬送装置の動作例を示す図である。FIG. 11 is a diagram illustrating an operation example of the conveying device according to the embodiment; 図１２は、実施形態に係る搬送装置の動作例を示す図である。FIG. 12 is a diagram illustrating an operation example of the conveying device according to the embodiment; 図１３は、実施形態に係る搬送装置の動作例を示す図である。FIG. 13 is a diagram illustrating an operation example of the conveying device according to the embodiment; 図１４は、実施形態に係る搬送装置の動作例を示す図である。FIG. 14 is a diagram illustrating an operation example of the conveying device according to the embodiment; 図１５は、実施形態に係る搬送装置の動作例を示す図である。FIG. 15 is a diagram illustrating an operation example of the conveying device according to the embodiment; 図１６は、実施形態に係る搬送装置の動作例を示す図である。FIG. 16 is a diagram illustrating an operation example of the conveying device according to the embodiment; 図１７は、実施形態に係る搬送装置の動作例を示す図である。FIG. 17 is a diagram illustrating an operation example of the conveying device according to the embodiment; 図１８は、実施形態に係る搬送装置の動作例を示す図である。FIG. 18 is a diagram illustrating an operation example of the conveying device according to the embodiment; 図１９は、実施形態に係る搬送装置の動作例を示す図である。FIG. 19 is a diagram illustrating an operation example of the conveying device according to the embodiment; 図２０は、実施形態に係る搬送装置の動作例を示す図である。FIG. 20 is a diagram illustrating an operation example of the conveying device according to the embodiment;

従来、基板の表面に液膜を形成した後、超臨界状態の処理流体を用いて基板を乾燥させる技術が知られている。 2. Description of the Related Art Conventionally, a technique is known in which a liquid film is formed on the surface of a substrate and then the substrate is dried using a processing fluid in a supercritical state.

ここで、表面に液膜が形成された基板を搬送する際、基板の液膜の液が基板の裏面に回り込むおそれがある。基板の裏面に回り込んだ液が、その後の乾燥処理において処理流体の流れによって基板の表面に戻されると、戻された液が付着した基板の表面部分においてパーティクルが発生するおそれがある。 Here, when a substrate having a liquid film formed on its surface is transported, there is a risk that the liquid of the liquid film on the substrate may flow into the back surface of the substrate. If the liquid that has flowed into the back surface of the substrate is returned to the surface of the substrate by the flow of the processing fluid in the subsequent drying process, particles may be generated on the surface portion of the substrate to which the returned liquid adheres.

このため、超臨界状態の処理流体を用いて基板を乾燥させる技術において、基板の表面へのパーティクルの付着を抑制することが望ましい。 Therefore, in the technique of drying a substrate using a supercritical processing fluid, it is desirable to suppress adhesion of particles to the surface of the substrate.

以下に、本開示による基板処理装置および基板処理方法を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による基板処理装置および基板処理方法が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。 Embodiments for implementing the substrate processing apparatus and substrate processing method according to the present disclosure (hereinafter referred to as "embodiments") will be described in detail below with reference to the drawings. The substrate processing apparatus and substrate processing method according to the present disclosure are not limited to this embodiment. Further, each embodiment can be appropriately combined within a range that does not contradict the processing contents. Also, in each of the following embodiments, the same parts are denoted by the same reference numerals, and overlapping descriptions are omitted.

また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。 In addition, in each drawing referred to below, in order to make the explanation easier to understand, an orthogonal coordinate system is shown in which the X-axis direction, the Y-axis direction and the Z-axis direction that are orthogonal to each other are defined, and the Z-axis positive direction is the vertically upward direction. Sometimes. Also, the direction of rotation about the vertical axis is sometimes called the θ direction.

また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。 Further, in the embodiments described below, expressions such as "constant", "perpendicular", "perpendicular" or "parallel" may be used, but these expressions are strictly "constant", "perpendicular", " It does not have to be "perpendicular" or "parallel". That is, each of the expressions described above allows deviations in manufacturing accuracy, installation accuracy, and the like.

〔１．基板処理システムの構成〕
まず、実施形態に係る基板処理システムの構成について図１を参照して説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図である。[1. Configuration of substrate processing system]
First, the configuration of the substrate processing system according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a diagram showing the configuration of a substrate processing system according to an embodiment.

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a loading/unloading station 2 and a processing station 3 . The loading/unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacently.

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の半導体ウェハ（以下、「ウェハＷ」と記載する）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。 The loading/unloading station 2 includes a carrier placement section 11 and a transport section 12 . A plurality of carriers C accommodating a plurality of semiconductor wafers (hereinafter referred to as “wafers W”) in a horizontal state are mounted on the carrier mounting portion 11 .

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられる。搬送部１２の内部には、搬送装置１３と受渡部１４とが配置される。 The transport section 12 is provided adjacent to the carrier placement section 11 . A transport device 13 and a delivery unit 14 are arranged inside the transport unit 12 .

搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。 The transfer device 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. As shown in FIG. In addition, the transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can rotate around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the transfer section 14 using the wafer holding mechanism. .

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送ブロック４と、複数の処理ブロック５とを備える。 The processing station 3 is provided adjacent to the transport section 12 . The processing station 3 comprises a transport block 4 and a plurality of processing blocks 5 .

搬送ブロック４は、搬送エリア１５と、搬送装置１６とを備える。搬送エリア１５は、たとえば、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する直方体状の領域である。搬送エリア１５には、搬送装置１６が配置される。 The transport block 4 includes a transport area 15 and a transport device 16 . The transport area 15 is, for example, a rectangular parallelepiped area extending along the direction in which the loading/unloading station 2 and the processing stations 3 are arranged (the X-axis direction). A transport device 16 is arranged in the transport area 15 .

搬送装置１６は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。搬送装置１６は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と複数の処理ブロック５との間でウェハＷの搬送を行う。 The transfer device 16 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. As shown in FIG. The transfer device 16 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can rotate about the vertical axis, and transfers the wafer W between the transfer section 14 and the plurality of processing blocks 5 using a wafer holding mechanism. conduct.

複数の処理ブロック５は、搬送エリア１５の両側において搬送エリア１５に隣接して配置される。具体的には、複数の処理ブロック５は、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に直交する方向（Ｙ軸方向）における搬送エリア１５の一方側（Ｙ軸正方向側）および他方側（Ｙ軸負方向側）に配置される。 A plurality of processing blocks 5 are arranged adjacent to the transport area 15 on both sides of the transport area 15 . Specifically, the plurality of processing blocks 5 are arranged on one side (Y-axis positive direction side) of the transport area 15 in the direction (Y-axis direction) orthogonal to the direction (X-axis direction) in which the loading/unloading stations 2 and the processing stations 3 are arranged. ) and the other side (Y-axis negative direction side).

各処理ブロック５は、液処理ユニット１７と、乾燥処理ユニット１８と、供給ユニット１９とを備える。 Each processing block 5 comprises a liquid processing unit 17 , a drying processing unit 18 and a supply unit 19 .

液処理ユニット１７は、ウェハＷのパターン形成面である上面を洗浄する洗浄処理を行う。また、液処理ユニット１７は、洗浄処理後のウェハＷの表面（上面）に液膜を形成する液膜形成処理を行う。液処理ユニット１７の構成については後述する。 The liquid processing unit 17 performs a cleaning process for cleaning the upper surface of the wafer W, which is the pattern forming surface. The liquid processing unit 17 also performs a liquid film forming process for forming a liquid film on the surface (upper surface) of the wafer W after the cleaning process. The configuration of the liquid processing unit 17 will be described later.

乾燥処理ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷに対して超臨界乾燥処理を行う。具体的には、乾燥処理ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷを超臨界状態の処理流体と接触させることによって同ウェハＷを乾燥させる。 The drying processing unit 18 performs supercritical drying processing on the wafer W after the liquid film forming processing. Specifically, the drying processing unit 18 dries the wafer W after the liquid film formation processing by bringing the wafer W into contact with the processing fluid in a supercritical state.

乾燥処理ユニット１８は、超臨界乾燥処理が行われる処理エリア１８１と、搬送ブロック４と処理エリア１８１との間でのウェハＷの受け渡しが行われる受渡エリア１８２とを備える。これら処理エリア１８１および受渡エリア１８２は、搬送エリア１５に沿って並べられる。乾燥処理ユニット１８の具体的な構成については後述する。 The drying processing unit 18 includes a processing area 181 in which supercritical drying processing is performed, and a transfer area 182 in which wafers W are transferred between the transfer block 4 and the processing area 181 . These processing area 181 and delivery area 182 are arranged along the transport area 15 . A specific configuration of the drying processing unit 18 will be described later.

供給ユニット１９は、乾燥処理ユニット１８に対して処理流体を供給する。具体的には、供給ユニット１９は、流量計、流量調整器、背圧弁、ヒータなどを含む供給機器群と、供給機器群を収容する筐体とを備える。実施形態において、供給ユニット１９は、処理流体としてＣＯ２を乾燥処理ユニット１８に供給する。 The supply unit 19 supplies processing fluid to the drying processing unit 18 . Specifically, the supply unit 19 includes a supply equipment group including a flow meter, a flow regulator, a back pressure valve, a heater, and the like, and a housing that accommodates the supply equipment group. In an embodiment, supply unit 19 supplies CO2 to dry treatment unit 18 as the treatment fluid.

基板処理システム１は、制御装置６を備える。制御装置６は、たとえばコンピュータであり、制御部６１と記憶部６２とを備える。 The substrate processing system 1 includes a control device 6 . Control device 6 is, for example, a computer, and includes control section 61 and storage section 62 .

制御部６１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、搬送装置１６、液処理ユニット１７および乾燥処理ユニット１８等の動作を制御する。 The control unit 61 includes a microcomputer having a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), an input/output port, and various circuits. The CPU of such a microcomputer reads out and executes programs stored in the ROM to control operations of the conveying device 16, the liquid processing unit 17, the drying processing unit 18, and the like.

かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置６の記憶部６２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 The program may be recorded in a computer-readable recording medium and installed in the storage unit 62 of the control device 6 from the recording medium. Examples of computer-readable recording media include hard disks (HD), flexible disks (FD), compact disks (CD), magnet optical disks (MO), and memory cards.

記憶部６２は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。 The storage unit 62 is realized by, for example, a semiconductor memory device such as a RAM or a flash memory, or a storage device such as a hard disk or an optical disk.

〔２．搬送装置の構成〕
次に、搬送エリア１５に配置される搬送装置１６の構成について図２を参照して説明する。図２は、実施形態に係る搬送装置１６の構成を示す側面図である。[2. Configuration of Conveying Device]
Next, the configuration of the transport device 16 arranged in the transport area 15 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a side view showing the configuration of the conveying device 16 according to the embodiment.

図２に示すように、実施形態に係る搬送装置１６は、第１保持部１１０と、第２保持部１２０と、第１進退機構１３０と、第２進退機構１４０と、昇降機構１５０と、水平移動機構１６０とを備える。 As shown in FIG. 2, the conveying device 16 according to the embodiment includes a first holding portion 110, a second holding portion 120, a first advance/retreat mechanism 130, a second advance/retreat mechanism 140, an elevating mechanism 150, a horizontal and a moving mechanism 160 .

第１保持部１１０は、ウェハＷを保持する。第２保持部１２０は、第１保持部１１０の下方に配置され、ウェハＷを保持する。第１保持部１１０および第２保持部１２０の構成については後述する。 The first holding part 110 holds the wafer W. As shown in FIG. The second holding part 120 is arranged below the first holding part 110 and holds the wafer W thereon. The configurations of first holding portion 110 and second holding portion 120 will be described later.

第１進退機構１３０は、第１保持部１１０を水平方向、具体的には、搬送エリア１５の延在方向と直交するＹ軸方向に沿って第１保持部１１０を進退させる。第２進退機構１４０は、第２保持部１２０をＹ軸方向に沿って進退させる。 The first advance/retreat mechanism 130 advances/retreats the first holding unit 110 in the horizontal direction, specifically along the Y-axis direction perpendicular to the extending direction of the transport area 15 . The second advance/retreat mechanism 140 advances/retreats the second holding portion 120 along the Y-axis direction.

昇降機構１５０は、第１進退機構１３０および第２進退機構１４０を鉛直方向に沿って移動させることにより、第１保持部１１０および第２保持部１２０を昇降させる。水平移動機構１６０は、昇降機構１５０をＸ軸方向に沿って移動させることにより、第１保持部１１０および第２保持部１２０を搬送エリア１５の延在方向に水平移動させる。 The elevating mechanism 150 moves the first holding part 110 and the second holding part 120 up and down by moving the first advancing/retreating mechanism 130 and the second advancing/retreating mechanism 140 along the vertical direction. The horizontal movement mechanism 160 horizontally moves the first holding unit 110 and the second holding unit 120 in the extending direction of the transport area 15 by moving the lifting mechanism 150 along the X-axis direction.

次に、第１保持部１１０の構成について図３を参照して説明する。図３は、実施形態に係る第１保持部１１０の構成を示す平面図である。 Next, the configuration of the first holding portion 110 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a plan view showing the configuration of the first holding portion 110 according to the embodiment.

図３に示すように、第１保持部１１０は、たとえばウェハＷの径よりも横幅が小さい二股形状を有する平板状のベース部１１１と、ベース部１１１の表面に設けられた複数の支持部材１１２とを備える。第１保持部１１０は、複数の支持部材１１２を用いてウェハＷを下方から支持することによってウェハＷを水平に保持する。 As shown in FIG. 3, the first holding portion 110 includes a flat plate-like base portion 111 having a bifurcated shape with a width smaller than the diameter of the wafer W, and a plurality of support members 112 provided on the surface of the base portion 111. and The first holding unit 110 horizontally holds the wafer W by supporting the wafer W from below using a plurality of supporting members 112 .

次に、第２保持部１２０の構成について図４および図５を参照して説明する。図４は、実施形態に係る第２保持部１２０の構成を示す平面図である。図５は、実施形態に係る第２保持部１２０の構成を示す側断面図である。 Next, the configuration of the second holding portion 120 will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. FIG. 4 is a plan view showing the configuration of the second holding portion 120 according to the embodiment. FIG. 5 is a side sectional view showing the configuration of the second holding portion 120 according to the embodiment.

図４および図５に示すように、第２保持部１２０は、ベース部１２１と、複数の支持部材１２２と、複数の把持部１２３と、第１気体供給部１２４と、排液部１２５とを備える。 As shown in FIGS. 4 and 5, the second holding portion 120 includes a base portion 121, a plurality of support members 122, a plurality of grip portions 123, a first gas supply portion 124, and a liquid drain portion 125. Prepare.

ベース部１２１は、ウェハＷの下方に配置された板状の部材である。ベース部１２１には、ウェハＷよりも大径の円形状の凹部１２１ａが形成されており、ウェハＷは、かかる凹部１２１ａ内に後述する複数の支持部材１２２を介して載置される。 The base portion 121 is a plate-like member arranged below the wafer W. As shown in FIG. A circular concave portion 121a having a diameter larger than that of the wafer W is formed in the base portion 121, and the wafer W is placed in the concave portion 121a via a plurality of support members 122, which will be described later.

複数の支持部材１２２は、凹部１２１ａの底面から上方に突出する部材であり、ウェハＷの外周部を下方から支持する。ウェハＷは、複数の支持部材１２２に支持されることにより、ベース部１２１から浮いた状態となる。 The plurality of support members 122 are members that protrude upward from the bottom surface of the recess 121a and support the outer peripheral portion of the wafer W from below. The wafer W is suspended from the base portion 121 by being supported by the plurality of supporting members 122 .

各支持部材１２２は、昇降機構１２２ａに接続されており、昇降機構１２２ａによって鉛直方向に沿って移動可能である。すなわち、複数の支持部材１２２は、ベース部１２１に対して昇降可能である。これにより、複数の支持部材１２２は、ベース部１２１の表面よりも高い位置においてウェハＷを支持することができるとともに、ベース部１２１の上面よりも低い位置においてウェハＷを支持することもできる。 Each support member 122 is connected to an elevating mechanism 122a and is movable in the vertical direction by the elevating mechanism 122a. That is, the plurality of support members 122 can move up and down with respect to the base portion 121 . Thereby, the plurality of support members 122 can support the wafer W at a position higher than the surface of the base portion 121 and also support the wafer W at a position lower than the upper surface of the base portion 121 .

昇降機構１２２ａは、たとえばモータ等の電動機の駆動力によって支持部材１２２を昇降させてもよい。また、昇降機構１２２ａは、ピエゾ素子による逆圧電効果を利用して支持部材１２２を昇降させてもよい。また、昇降機構１２２ａは、空気圧を利用して支持部材１２２を昇降させてもよい。 The elevating mechanism 122a may elevate the support member 122 by driving force of an electric motor such as a motor. Also, the lifting mechanism 122a may lift and lower the support member 122 by utilizing the inverse piezoelectric effect of a piezoelectric element. Also, the lifting mechanism 122a may lift and lower the support member 122 using air pressure.

なお、第２保持部１２０は、必ずしも複数の昇降機構１２２ａを備えることを要しない。すなわち、第２保持部１２０は、複数の支持部材１２２を一体的に昇降させる１つの昇降機構１２２ａを備える構成であってもよい。 It should be noted that the second holding section 120 does not necessarily need to include a plurality of lifting mechanisms 122a. That is, the second holding section 120 may be configured to include one elevating mechanism 122a that integrally elevates the plurality of support members 122. As shown in FIG.

複数の把持部１２３は、たとえば、凹部１２１ａの周壁に設けられる。各把持部１２３は、移動機構１２３ａに接続されており、移動機構１２３ａによって水平方向、具体的には、ウェハＷの径方向に沿って移動可能である。このように、複数の把持部１２３は、ウェハＷに対して接近または後退することができる。これにより、複数の把持部１２３は、ウェハＷに向かって移動することによってウェハＷを側方から把持することができる。また、複数の把持部１２３は、ウェハＷから離れることによってウェハＷを把持した状態を解除することができる。 The plurality of grips 123 are provided, for example, on the peripheral wall of the recess 121a. Each gripper 123 is connected to a moving mechanism 123a, and can move horizontally, specifically, along the radial direction of the wafer W by the moving mechanism 123a. Thus, the plurality of grippers 123 can approach or retreat from the wafer W. FIG. Thereby, the plurality of gripping units 123 can grip the wafer W from the side by moving toward the wafer W. As shown in FIG. Moreover, the plurality of gripping portions 123 can release the state of gripping the wafer W by moving away from the wafer W. FIG.

図５に示すように、複数の把持部１２３は、少なくともウェハＷの表面、好ましくは、ウェハＷ上に形成された液膜Ｌの表面がベース部１２１の上面よりも低くなる高さ位置においてウェハＷを把持する。これにより、後述する第１気体供給部１２４によってウェハＷの裏面（下面）の外周部に気体が供給された際に、液膜Ｌの液が第２保持部１２０の外部に飛散することを抑制することができる。なお、ウェハＷから落下した液膜Ｌの液は、ベース部１２１の凹部１２１ａに捕集された後、後述する排液部１２５によって凹部１２１ａから排出される。 As shown in FIG. 5 , the plurality of gripping portions 123 grip the wafer at a height position where at least the surface of the wafer W, preferably the surface of the liquid film L formed on the wafer W, is lower than the upper surface of the base portion 121 . Grasp W. This prevents the liquid of the liquid film L from scattering outside the second holding unit 120 when the gas is supplied to the outer peripheral portion of the back surface (lower surface) of the wafer W by the first gas supplying unit 124, which will be described later. can do. The liquid of the liquid film L dropped from the wafer W is collected in the concave portion 121a of the base portion 121 and then discharged from the concave portion 121a by the liquid draining portion 125, which will be described later.

第１気体供給部１２４は、複数の把持部１２３によって把持されたウェハＷの裏面の外周部に対して気体を供給する。これにより、第１気体供給部１２４は、ウェハＷの表面に形成された液膜Ｌの液がウェハＷの表面の周縁部からウェハＷの裏面に回り込むことを抑制することができる。 The first gas supply unit 124 supplies gas to the outer periphery of the back surface of the wafer W gripped by the plurality of gripping units 123 . Accordingly, the first gas supply unit 124 can suppress the liquid of the liquid film L formed on the front surface of the wafer W from flowing to the rear surface of the wafer W from the peripheral edge portion of the front surface of the wafer W.

第１気体供給部１２４は、複数の吐出口１２４ａと、供給管１２４ｂと、流量調整部１２４ｃと、気体供給源１２４ｄとを備える。 The first gas supply section 124 includes a plurality of outlets 124a, a supply pipe 124b, a flow rate adjustment section 124c, and a gas supply source 124d.

複数の吐出口１２４ａは、ベース部１２１における凹部１２１ａの底面に設けられ、ウェハＷの裏面の外周部に向かって気体を吐出する。複数の吐出口１２４ａは、凹部１２１ａの底面に対し、ウェハＷと同心円の円周に沿って円周上に並べて配置される。これにより、第１気体供給部１２４は、ウェハＷの裏面への液膜Ｌの液の回り込みをウェハＷの全周において好適に抑制することができる。 A plurality of discharge ports 124 a are provided on the bottom surface of recess 121 a in base portion 121 and discharge gas toward the outer peripheral portion of the back surface of wafer W. As shown in FIG. The plurality of discharge ports 124a are arranged side by side along the circumference of a circle concentric with the wafer W on the bottom surface of the recess 121a. Thereby, the first gas supply unit 124 can suitably suppress the liquid of the liquid film L from flowing around the back surface of the wafer W over the entire circumference of the wafer W. FIG.

供給管１２４ｂは、複数の吐出口１２４ａと気体供給源１２４ｄとを接続し、気体供給源１２４ｄから供給される気体を流通させる。流量調整部１２４ｃは、供給管１２４ｂの中途部に設けられ、供給管１２４ｂを開閉することにより、吐出口１２４ａからの気体の吐出を開始または停止させたり、吐出口１２４ａから吐出される気体の流量を調整したりする。気体供給源１２４ｄは、気体として、たとえば、窒素ガスを供給する。なお、気体供給源１２４ｄから供給される気体は、たとえばアルゴンガス等の窒素ガス以外の不活性ガスであってもよい。第１気体供給部１２４は、ウェハＷの裏面に供給する気体として不活性ガスを用いることで、たとえばウェハＷの酸化等を抑制することができる。なお、気体供給源１２４ｄは、不活性ガス以外の気体、たとえばドライエア等を供給してもよい。 The supply pipe 124b connects the plurality of discharge ports 124a and the gas supply source 124d, and allows the gas supplied from the gas supply source 124d to flow. The flow rate adjusting unit 124c is provided in the middle of the supply pipe 124b, and by opening and closing the supply pipe 124b, the gas discharge from the discharge port 124a is started or stopped, and the flow rate of the gas discharged from the discharge port 124a is adjusted. to adjust. 124 d of gas supply sources supply nitrogen gas as gas, for example. The gas supplied from the gas supply source 124d may be an inert gas other than nitrogen gas, such as argon gas. The first gas supply unit 124 uses an inert gas as the gas to be supplied to the back surface of the wafer W, so that oxidation of the wafer W can be suppressed, for example. Gas supply source 124d may supply gas other than inert gas, such as dry air.

排液部１２５は、たとえば、凹部１２１ａの底面の中央部に設けられた開口である。排液部１２５は、排出管１２５ａに接続されており、凹部１２１ａに溜まった液膜Ｌの液等を排出管１２５ａを介して第２保持部１２０の外部に排出することができる。 Drainage section 125 is, for example, an opening provided in the center of the bottom surface of recess 121a. The drain part 125 is connected to the drain pipe 125a, and can drain the liquid of the liquid film L accumulated in the recess 121a to the outside of the second holding part 120 through the drain pipe 125a.

なお、複数の支持部材１２２、複数の把持部１２３および複数の吐出口１２４ａの数は、図示の例に限定されない。 Note that the numbers of the plurality of support members 122, the plurality of grips 123, and the plurality of ejection ports 124a are not limited to the illustrated example.

〔３．液処理ユニットの構成〕
次に、液処理ユニット１７の構成について図６を参照して説明する。図６は、実施形態に係る液処理ユニット１７の構成を示す図である。液処理ユニット１７は、たとえば、スピン洗浄によりウェハＷを１枚ずつ洗浄する枚葉式の洗浄装置として構成される。[3. Configuration of liquid processing unit]
Next, the configuration of the liquid processing unit 17 will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a diagram showing the configuration of the liquid processing unit 17 according to the embodiment. The liquid processing unit 17 is configured, for example, as a single-wafer cleaning apparatus that cleans the wafers W one by one by spin cleaning.

図６に示すように、液処理ユニット１７は、処理空間を形成するアウターチャンバー２３内に配置されたウェハ保持機構２５にてウェハＷをほぼ水平に保持し、このウェハ保持機構２５を鉛直軸周りに回転させることによりウェハＷを回転させる。そして、液処理ユニット１７は、回転するウェハＷの上方にノズルアーム２６を進入させ、かかるノズルアーム２６の先端部に設けられる薬液ノズル２６ａから薬液やリンス液を予め定められた順に供給することにより、ウェハＷの表面の洗浄処理を行う。 As shown in FIG. 6, the liquid processing unit 17 holds a wafer W substantially horizontally by a wafer holding mechanism 25 arranged in an outer chamber 23 forming a processing space. , the wafer W is rotated. The liquid processing unit 17 advances the nozzle arm 26 above the rotating wafer W, and supplies the chemical liquid and the rinse liquid from the chemical liquid nozzle 26a provided at the tip of the nozzle arm 26 in a predetermined order. , the surface of the wafer W is cleaned.

液処理ユニット１７には、ウェハ保持機構２５の内部に気体供給路２５ａが形成されている。液処理ユニット１７は、かかる気体供給路２５ａから供給される気体、たとえば窒素ガス等の不活性ガスをウェハＷの裏面中央部に供給する。 A gas supply path 25 a is formed inside the wafer holding mechanism 25 in the liquid processing unit 17 . The liquid processing unit 17 supplies the gas supplied from the gas supply path 25a, such as an inert gas such as nitrogen gas, to the central portion of the back surface of the wafer W. As shown in FIG.

洗浄処理は、たとえば、最初にアルカリ性の薬液であるＳＣ１液（アンモニアと過酸化水素水の混合液）によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去が行われ、次に、リンス液である脱イオン水（DeIonized Water：以下、「ＤＩＷ」と記載する）によるリンス洗浄が行われる。次に、酸性薬液である希フッ酸水溶液（Diluted HydroFluoric acid：以下、「ＤＨＦ」と記載する）による自然酸化膜の除去が行われ、次に、ＤＩＷによるリンス洗浄が行われる。 In the cleaning process, for example, particles and organic contaminants are first removed with SC1 solution (mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide solution), which is an alkaline chemical solution, and then deionized water, which is a rinsing solution, is performed. (DeIonized Water: hereinafter referred to as “DIW”) is used for rinsing. Next, the natural oxide film is removed by dilute hydrofluoric acid (hereinafter referred to as "DHF"), which is an acidic chemical solution, and then rinse cleaning is performed by DIW.

上述の各種薬液は、アウターチャンバー２３や、アウターチャンバー２３内に配置されるインナーカップ２４に受け止められて、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排液口２３ａや、インナーカップ２４の底部に設けられる排液口２４ａから排出される。さらに、アウターチャンバー２３内の雰囲気は、アウターチャンバー２３の底部に設けられる排気口２３ｂから排気される。 The above-described various chemical solutions are received by the outer chamber 23 and the inner cup 24 arranged in the outer chamber 23, and are received by a drain port 23a provided at the bottom of the outer chamber 23 and a drain provided at the bottom of the inner cup 24. It is discharged from the liquid port 24a. Further, the atmosphere in the outer chamber 23 is exhausted from an exhaust port 23b provided at the bottom of the outer chamber 23. As shown in FIG.

液膜形成処理は、洗浄処理におけるリンス処理の後に行われる。具体的には、液処理ユニット１７は、ウェハ保持機構２５を回転させながら、ウェハＷの表面および裏面にＩＰＡ液体を供給する。これにより、ウェハＷの両面に残存するＤＩＷがＩＰＡに置換される。 The liquid film forming process is performed after the rinse process in the cleaning process. Specifically, the liquid processing unit 17 supplies the IPA liquid to the front and back surfaces of the wafer W while rotating the wafer holding mechanism 25 . As a result, DIW remaining on both surfaces of the wafer W is replaced with IPA.

このとき、液処理ユニット１７は、気体供給路２５ａからウェハＷの裏面中央部に気体を供給する。ウェハＷの裏面中央部に供給された気体は、ウェハＷの裏面に沿ってウェハＷの裏面の外周部に向かって流れる。これにより、液処理ユニット１７における液膜形成処理中に、ウェハＷの表面に供給されたＩＰＡがウェハＷの裏面に回り込むことを抑制することができる。その後、液処理ユニット１７は、ウェハ保持機構２５の回転を緩やかに停止する。 At this time, the liquid processing unit 17 supplies the gas to the central portion of the back surface of the wafer W from the gas supply path 25a. The gas supplied to the central portion of the back surface of the wafer W flows along the back surface of the wafer W toward the outer peripheral portion of the back surface of the wafer W. As shown in FIG. This can prevent the IPA supplied to the front surface of the wafer W from flowing to the back surface of the wafer W during the liquid film forming process in the liquid processing unit 17 . After that, the liquid processing unit 17 gently stops the rotation of the wafer holding mechanism 25 .

液膜形成処理を終えたウェハＷは、その表面にＩＰＡ液体の液膜が形成された状態のまま、ウェハ保持機構２５に設けられた受け渡し機構（後述するリフターピン２５ｂ）により搬送装置１６に受け渡され、液処理ユニット１７から搬出される。ウェハＷ上に形成された液膜は、液処理ユニット１７から乾燥処理ユニット１８へのウェハＷの搬送中や、乾燥処理ユニット１８への搬入動作中に、ウェハＷ上面の液体が蒸発（気化）することによってパターン倒れが発生することを防止する。 After the liquid film formation process, the wafer W is received by the transfer device 16 by a transfer mechanism (lifter pins 25b, which will be described later) provided in the wafer holding mechanism 25 while the liquid film of the IPA liquid is formed on the surface of the wafer W. It is handed over and carried out from the liquid processing unit 17 . The liquid film formed on the wafer W is formed when the liquid on the upper surface of the wafer W evaporates (vaporizes) while the wafer W is being transported from the liquid processing unit 17 to the drying processing unit 18 or during the loading operation into the drying processing unit 18. By doing so, the occurrence of pattern collapse is prevented.

〔４．乾燥ユニットの構成〕
次に、乾燥処理ユニット１８の構成について図７～図９を参照して説明する。図７は、実施形態に係る乾燥処理ユニット１８の外観斜視図である。図８は、実施形態に係る第３保持部の平面図である。図９は、実施形態に係る第３保持部の側断面図である。[4. Configuration of drying unit]
Next, the configuration of the drying processing unit 18 will be described with reference to FIGS. 7 to 9. FIG. FIG. 7 is an external perspective view of the drying processing unit 18 according to the embodiment. FIG. 8 is a plan view of a third holding portion according to the embodiment; FIG. 9 is a side sectional view of the third holding portion according to the embodiment;

図７に示すように、乾燥処理ユニット１８は、処理容器３１と、第３保持部３２と、蓋体３３と、リフター３９とを備える。 As shown in FIG. 7 , the drying processing unit 18 includes a processing container 31 , a third holding section 32 , a lid 33 and a lifter 39 .

処理容器３１は、たとえば１６～２０ＭＰａ程度の高圧環境を形成することのできる圧力容器である。処理容器３１は、処理エリア１８１（図１参照）に配置され、超臨界乾燥処理は、処理容器３１の内部空間である処理空間にて行われる。 The processing vessel 31 is a pressure vessel capable of forming a high-pressure environment of, for example, approximately 16-20 MPa. The processing container 31 is arranged in the processing area 181 (see FIG. 1), and the supercritical drying process is performed in the processing space, which is the internal space of the processing container 31 .

第３保持部３２は、ウェハＷを水平方向に保持する。蓋体３３は、第３保持部３２を支持する。蓋体３３は、移動機構３３ａに接続されており、移動機構３３ａによって処理エリア１８１および受渡エリア１８２間を水平移動する。蓋体３３が処理エリア１８１へ移動することにより、第３保持部３２は処理容器３１の内部に配置され、蓋体３３は処理容器３１の開口部３４を塞ぐ。 The third holding part 32 holds the wafer W horizontally. The lid 33 supports the third holding portion 32 . The lid 33 is connected to a moving mechanism 33a, and horizontally moved between the processing area 181 and the delivery area 182 by the moving mechanism 33a. By moving the lid 33 to the processing area 181 , the third holding part 32 is arranged inside the processing container 31 and the lid 33 closes the opening 34 of the processing container 31 .

処理容器３１の壁部には、供給ポート３５Ａ，３５Ｂと排出ポート３６とが設けられる。供給ポート３５Ａは、処理空間内に処理流体を供給する供給ライン３５Ｃに接続される。供給ポート３５Ｂは、処理空間内に処理流体を供給する供給ライン３５Ｄに接続される。排出ポート３６は、処理空間から処理流体を排出する排出ライン３６Ａに接続される。 Supply ports 35A and 35B and a discharge port 36 are provided on the wall of the processing container 31 . The supply port 35A is connected to a supply line 35C that supplies processing fluid into the processing space. The supply port 35B is connected to a supply line 35D that supplies processing fluid into the processing space. The exhaust port 36 is connected to an exhaust line 36A for exhausting process fluid from the process space.

供給ポート３５Ａは、処理容器３１における開口部３４とは反対側の側面に接続され、供給ポート３５Ｂは、処理容器３１の底面に接続される。また、排出ポート３６は、開口部３４の下方側に接続されている。なお、供給ポート３５Ａ，３５Ｂや排出ポート３６の数は特に限定されない。 The supply port 35A is connected to the side surface of the processing container 31 opposite to the opening 34 , and the supply port 35B is connected to the bottom surface of the processing container 31 . Also, the discharge port 36 is connected to the lower side of the opening 34 . The numbers of the supply ports 35A, 35B and the number of the discharge ports 36 are not particularly limited.

処理容器３１の内部には、流体供給ヘッダー３７Ａ、３７Ｂと流体排出ヘッダー３８とが設けられる。流体供給ヘッダー３７Ａ，３７Ｂと流体排出ヘッダー３８とは、いずれも多数の開孔が形成されている。 Inside the processing vessel 31, fluid supply headers 37A and 37B and a fluid discharge header 38 are provided. Both the fluid supply headers 37A and 37B and the fluid discharge header 38 are formed with a large number of openings.

流体供給ヘッダー３７Ａは、供給ポート３５Ａに接続され、処理容器３１の内部において、開口部３４とは反対側の側面に隣接して設けられる。また、流体供給ヘッダー３７Ａに形成される多数の開孔は、開口部３４側を向いている。 The fluid supply header 37A is connected to the supply port 35A and provided adjacent to the side surface opposite to the opening 34 inside the processing container 31 . A large number of openings formed in the fluid supply header 37A face the opening 34 side.

流体供給ヘッダー３７Ｂは、供給ポート３５Ｂに接続され、処理容器３１の内部における底面の中央部に設けられる。流体供給ヘッダー３７Ｂに形成される多数の開孔は、上方を向いている。 The fluid supply header 37B is connected to the supply port 35B and provided at the center of the bottom surface inside the processing container 31 . A large number of apertures formed in the fluid supply header 37B face upward.

流体排出ヘッダー３８は、排出ポート３６に接続され、処理容器３１の内部において、開口部３４側の側面に隣接するとともに、開口部３４よりも下方に設けられる。流体排出ヘッダー３８に形成される多数の開孔は、流体供給ヘッダー３７Ａ側を向いている。 The fluid discharge header 38 is connected to the discharge port 36 and is provided inside the processing container 31 adjacent to the side surface of the opening 34 side and below the opening 34 . A large number of openings formed in the fluid discharge header 38 face the fluid supply header 37A.

乾燥処理ユニット１８は、流体供給ヘッダー３７Ａ，３７Ｂから処理容器３１の内部に加熱された処理流体を供給しつつ、流体排出ヘッダー３８を介して処理容器３１内の処理流体を排出する。なお、処理流体の排出路には、処理容器３１からの処理流体の排出量を調整するダンパが設けられており、処理容器３１内の圧力が所望の圧力に調整されるようにダンパによって処理流体の排出量が調整される。これにより、処理容器３１内において処理流体の超臨界状態が維持される。以下では、超臨界状態の処理流体を「超臨界流体」と記載する。 The drying processing unit 18 discharges the processing fluid in the processing container 31 through the fluid discharge header 38 while supplying the heated processing fluid to the inside of the processing container 31 from the fluid supply headers 37A and 37B. A damper for adjusting the discharge amount of the processing fluid from the processing container 31 is provided in the discharge path of the processing fluid. emissions are adjusted. Thereby, the supercritical state of the processing fluid is maintained within the processing container 31 . Hereinafter, the processing fluid in the supercritical state is referred to as "supercritical fluid".

ウェハＷの表面に形成された液膜Ｌの液がウェハＷの裏面に回り込んでいる状態で超臨界乾燥処理が行われると、流体供給ヘッダー３７Ｂ等からウェハＷの裏面に供給される超臨界流体の流れにより、裏面に回り込んだ液がウェハＷの表面に戻されるおそれがある。この場合、戻された液が付着したウェハＷの表面部分においてパーティクルが発生するおそれがある。 When the supercritical drying process is performed in a state where the liquid of the liquid film L formed on the front surface of the wafer W is wrapped around the back surface of the wafer W, the supercritical fluid supplied to the back surface of the wafer W from the fluid supply header 37B or the like is dried. There is a risk that the liquid that has flowed around the rear surface may be returned to the front surface of the wafer W due to the flow of fluid. In this case, particles may be generated on the surface portion of the wafer W to which the returned liquid adheres.

ウェハＷのパターン形成面（上面）に存在するＩＰＡ液体は、高圧状態（たとえば、１６ＭＰａ）である超臨界流体と接触することで、徐々に超臨界流体に溶解していき、最終的には、超臨界流体に置き換わる。これにより、パターンの間の隙間は、超臨界流体によって満たされた状態となる。 The IPA liquid existing on the pattern formation surface (upper surface) of the wafer W is gradually dissolved in the supercritical fluid by contacting with the supercritical fluid which is in a high pressure state (for example, 16 MPa), and finally, Replaced by supercritical fluid. This fills the gaps between the patterns with the supercritical fluid.

その後、乾燥処理ユニット１８は、処理容器３１内の圧力を高圧状態から大気圧まで減圧する。これにより、パターン間の隙間を満たしていた超臨界流体が通常のすなわち気体状態の処理流体に変化する。 After that, the drying processing unit 18 reduces the pressure inside the processing container 31 from the high pressure state to the atmospheric pressure. This converts the supercritical fluid that filled the interstices between the patterns into a normal or gaseous process fluid.

このように、乾燥処理ユニット１８は、パターン形成面に存在するＩＰＡ液体を超臨界流体に置換した後、超臨界流体を気体状態の処理流体に戻すことにより、パターン形成面からＩＰＡ液体を除去してパターン形成面を乾燥させる。 In this way, the drying processing unit 18 removes the IPA liquid from the pattern formation surface by replacing the IPA liquid present on the pattern formation surface with the supercritical fluid and then returning the supercritical fluid to the gaseous processing fluid. to dry the patterned surface.

超臨界流体は、液体（たとえばＩＰＡ液体）と比べて粘度が小さく、また液体を溶解する能力も高いことに加え、超臨界流体と平衡状態にある液体や気体との間で界面が存在しない。したがって、超臨界乾燥処理を行うことで、表面張力の影響を受けることなく液体を乾燥させることができる。すなわち、乾燥処理の際にパターンが倒れることを抑制することができる。 A supercritical fluid has a lower viscosity than a liquid (eg, an IPA liquid), a higher ability to dissolve a liquid, and no interface between the supercritical fluid and the liquid or gas in equilibrium. Therefore, by performing the supercritical drying process, the liquid can be dried without being affected by the surface tension. That is, it is possible to prevent the pattern from collapsing during the drying process.

なお、実施形態では、乾燥防止用の液体としてＩＰＡ液体を用い、処理流体としてＣＯ２を用いることとしたが、ＩＰＡ以外の液体を乾燥防止用の液体として用いてもよいし、ＣＯ２以外の流体を処理流体として用いてもよい。 In the embodiment, the IPA liquid is used as the anti-drying liquid, and the CO2 is used as the processing fluid. It may also be used as a processing fluid.

リフター３９は、複数のリフターピン３９ａと、複数のリフターピン３９ａの下端に接続されて複数のリフターピン３９ａを支持する支持体３９ｂとを備える。 The lifter 39 includes a plurality of lifter pins 39a and a support 39b connected to the lower ends of the plurality of lifter pins 39a and supporting the plurality of lifter pins 39a.

リフター３９は、昇降駆動部（不図示）によって昇降する。具体的には、リフター３９は、搬送装置１６との間でウェハＷの受け渡しを行う受け渡し位置と、待機位置との間を昇降する。待機位置は、蓋体３３および第３保持部３２と干渉しない蓋体３３および第３保持部３２よりも下方の位置である。 The lifter 39 is moved up and down by an up-and-down drive unit (not shown). Specifically, the lifter 39 moves up and down between a transfer position for transferring the wafer W to and from the transfer device 16 and a standby position. The standby position is a position below the lid 33 and the third holding portion 32 that does not interfere with the lid 33 and the third holding portion 32 .

図８および図９に示すように、第３保持部３２は、ベース部３２ａと、複数の支持部材３２ｂと、複数の貫通孔３２ｄを備える。 As shown in FIGS. 8 and 9, the third holding portion 32 includes a base portion 32a, a plurality of support members 32b, and a plurality of through holes 32d.

ベース部３２ａは、ウェハＷの下方に配置された板状の部材である。ベース部３２ａには、ウェハＷよりも大径の円形状の凹部３２ａ１が形成されており、ウェハＷは、かかる凹部内に後述する複数の支持部材３２ｂを介して載置される。 The base portion 32a is a plate-shaped member arranged below the wafer W. As shown in FIG. A circular concave portion 32a1 having a diameter larger than that of the wafer W is formed in the base portion 32a, and the wafer W is placed in the concave portion via a plurality of supporting members 32b, which will be described later.

複数の支持部材３２ｂは、ベース部３２ａに形成された凹部３２ａ１の底面から上方に突出する部材であり、ウェハＷの外周部を下方から支持する。ウェハＷは、複数の支持部材３２ｂに支持されることにより、ベース部３２ａから浮いた状態となる（図９参照）。複数の支持部材３２ｂの数や配置は、図示の例に限定されない。 The plurality of support members 32b are members that protrude upward from the bottom surface of the recess 32a1 formed in the base portion 32a, and support the outer peripheral portion of the wafer W from below. The wafer W is suspended from the base portion 32a by being supported by the plurality of support members 32b (see FIG. 9). The number and arrangement of the plurality of support members 32b are not limited to the illustrated example.

複数の貫通孔３２ｄは、ベース部３２ａに形成される凹部３２ａ１の底面に形成され、ベース部３２ａを鉛直方向に貫通する。複数の貫通孔３２ｄは、たとえば、複数の支持部材３２ｂよりもベース部３２ａに形成された円形状の凹部の径方向内側に形成される。複数の貫通孔３２ｄは、処理空間３１ａの底面３１ｃから供給される処理流体の流路として機能する。また、複数の貫通孔３２ｄのうち、上記円形状の凹部の中央部に形成された３つの貫通孔３２ｄは、リフターピン３９ａの挿通孔としても機能する。複数の貫通孔３２ｄの数や配置は、図示の例に限定されない。 32 d of several through-holes are formed in the bottom face of the recessed part 32a1 formed in the base part 32a, and penetrate the base part 32a in a perpendicular direction. 32 d of several through-holes are formed in the diameter direction inside of the circular recessed part formed in the base part 32a rather than the several support member 32b, for example. 32 d of several through-holes function as a flow path of the process fluid supplied from the bottom face 31c of the process space 31a. Among the plurality of through holes 32d, three through holes 32d formed in the central portion of the circular concave portion also function as insertion holes for the lifter pins 39a. The number and arrangement of the plurality of through holes 32d are not limited to the illustrated example.

また、図９に示すように、乾燥処理ユニット１８は、第２気体供給部３５をさらに備える。第２気体供給部３５は、受渡エリア１８２（図１参照）に配置される。 Moreover, as shown in FIG. 9 , the drying processing unit 18 further includes a second gas supply section 35 . The second gas supply unit 35 is arranged in the delivery area 182 (see FIG. 1).

第２気体供給部３５は、吐出部３５ａと、供給管３５ｂと、流量調整部３５ｃと、気体供給源３５ｄとを備える。吐出部３５ａは、受渡エリア１８２に配置された第３保持部３２の下方に、吐出口を上方に向けた状態で配置される。供給管３５ｂは、吐出部３５ａと気体供給源３５ｄとを接続し、気体供給源３５ｄから供給される気体を流通させる。流量調整部３５ｃは、供給管３５ｂの中途部に設けられ、供給管３５ｂを開閉することにより、吐出部３５ａからの気体の吐出を開始または停止させたり、吐出部３５ａから吐出される気体の流量を調整したりする。気体供給源３５ｄは、気体として、たとえば、窒素ガス等の不活性ガスを供給する。なお、気体供給源３５ｄは、不活性ガス以外の気体、たとえばドライエア等を供給してもよい。 The second gas supply section 35 includes a discharge section 35a, a supply pipe 35b, a flow rate adjustment section 35c, and a gas supply source 35d. The ejection part 35 a is arranged below the third holding part 32 arranged in the transfer area 182 with the ejection port facing upward. The supply pipe 35b connects the discharge part 35a and the gas supply source 35d, and circulates the gas supplied from the gas supply source 35d. The flow rate adjusting portion 35c is provided in the middle of the supply pipe 35b, and by opening and closing the supply pipe 35b, the gas discharge from the discharge portion 35a is started or stopped, and the flow rate of the gas discharged from the discharge portion 35a is adjusted. to adjust. 35 d of gas supply sources supply inert gas, such as nitrogen gas, as gas, for example. Gas supply source 35d may supply gas other than inert gas, such as dry air.

第２気体供給部３５は、第３保持部３２が備えるベース部３２ａの下面に向けて、吐出部３５ａから気体を吐出する。ベース部３２ａの下面に吐出された気体は、ベース部３２ａに形成された複数の貫通孔３２ｄを通ってウェハＷの裏面に到達した後、ウェハＷの裏面に沿ってウェハＷの裏面の外周部に向かって流れる。これにより、搬送装置１６から第３保持部３２にウェハＷが受け渡された後、第３保持部３２が処理容器３１内に移動して乾燥処理が開始されるまでの間に、ウェハＷの表面に供給されたＩＰＡがウェハＷの裏面に回り込むことを抑制することができる。 The second gas supply part 35 discharges gas from the discharge part 35 a toward the lower surface of the base part 32 a of the third holding part 32 . The gas discharged to the lower surface of the base portion 32a reaches the back surface of the wafer W through the plurality of through holes 32d formed in the base portion 32a, and then travels along the back surface of the wafer W to the outer peripheral portion of the back surface of the wafer W. flowing towards As a result, after the wafer W has been transferred from the transfer device 16 to the third holding unit 32, the wafer W is transferred to the third holding unit 32 before the drying process is started after the third holding unit 32 moves into the processing container 31. It is possible to prevent the IPA supplied to the front surface from flowing to the rear surface of the wafer W.

なお、第２気体供給部３５は、吐出部３５ａを水平移動させる移動機構をさらに備えていてもよい。これにより、ウェハＷの裏面の外周部に対してより満遍なく気体を供給することができ、液膜Ｌの液のウェハＷの裏面への回り込みをより確実に抑制することができる。 In addition, the second gas supply unit 35 may further include a moving mechanism for horizontally moving the discharge unit 35a. As a result, the gas can be more evenly supplied to the outer peripheral portion of the back surface of the wafer W, and the liquid of the liquid film L can be more reliably suppressed from reaching the back surface of the wafer W.

〔５．基板処理システムの具体的動作について〕
次に、基板処理システム１の具体的な動作について図１０～図２０を参照して説明する。図１０は、実施形態に係る基板処理システム１が実行する処理の手順を示すフローチャートである。なお、図１０には、ウェハＷが液処理ユニット１７に搬入されてから乾燥処理ユニットから搬出されるまでの処理手順の一例を示している。また、図１１～図２０は、実施形態に係る搬送装置１６の動作例を示す図である。図１０に示す各処理手順は、制御部６１による制御に従って実行される。[5. Specific operation of the substrate processing system]
Next, specific operations of the substrate processing system 1 will be described with reference to FIGS. 10 to 20. FIG. FIG. 10 is a flow chart showing the procedure of processing executed by the substrate processing system 1 according to the embodiment. Note that FIG. 10 shows an example of the processing procedure from when the wafer W is loaded into the liquid processing unit 17 until it is unloaded from the drying processing unit. 11 to 20 are diagrams showing operation examples of the conveying device 16 according to the embodiment. Each processing procedure shown in FIG. 10 is executed under the control of the control unit 61 .

基板処理システム１では、まず、キャリアＣに収容されたウェハＷを搬送装置１３が取り出して受渡部１４に載置する。つづいて、搬送装置１６は、受渡部１４からウェハＷを取り出した後、図１０に示すように、取り出したウェハＷを液処理ユニット１７へ搬入する（ステップＳ１０１）。 In the substrate processing system 1 , first, the wafer W accommodated in the carrier C is taken out by the transfer device 13 and placed on the transfer section 14 . Subsequently, after taking out the wafer W from the delivery section 14, the transfer device 16 carries the taken out wafer W into the liquid processing unit 17 as shown in FIG. 10 (step S101).

具体的には、搬送装置１６は、第１保持部１１０（図３参照）を用いて受渡部１４からウェハＷを取り出す。そして、搬送装置１６は、第１保持部１１０を用いて保持したウェハＷを受渡部１４から液処理ユニット１７へ搬送する。 Specifically, the transfer device 16 takes out the wafer W from the transfer section 14 using the first holding section 110 (see FIG. 3). Then, the transfer device 16 transfers the wafer W held by the first holding portion 110 from the delivery portion 14 to the liquid processing unit 17 .

つづいて、基板処理システム１では、液処理ユニット１７がウェハＷに対して液処理を行う（ステップＳ１０２）。具体的には、液処理ユニット１７は、薬液やリンス液を用いてウェハＷの表面の洗浄処理を行った後、ウェハＷの表面にＩＰＡ液体を供給して液膜Ｌを形成する液膜形成処理を行う。 Subsequently, in the substrate processing system 1, the liquid processing unit 17 performs liquid processing on the wafer W (step S102). Specifically, the liquid processing unit 17 cleans the surface of the wafer W using a chemical liquid or a rinse liquid, and then supplies the IPA liquid to the surface of the wafer W to form the liquid film L. process.

つづいて、基板処理システム１では、液処理後のウェハＷすなわち液膜Ｌが形成されたウェハＷを液処理ユニット１７から搬送装置１６に受け渡す（ステップＳ１０３）。 Subsequently, in the substrate processing system 1, the wafer W after the liquid processing, that is, the wafer W on which the liquid film L is formed is transferred from the liquid processing unit 17 to the transfer device 16 (step S103).

具体的には、図１１に示すように、まず、液処理ユニット１７は、ウェハ保持機構２５に設けられた複数のリフターピン２５ｂを上昇させることによって、液処理後のウェハＷを複数のリフターピン２５ｂを用いて上昇させる。つづいて、搬送装置１６は、第１進退機構１３０（図２参照）を用いて第１保持部１１０を水平移動させることにより、第１保持部１１０をウェハＷの下方に配置させる。そして、図１２に示すように、搬送装置１６は、昇降機構１５０（図２参照）を用いて第１保持部１１０を上昇させる。これにより、ウェハＷは、液処理ユニット１７から搬送装置１６に受け渡される。 Specifically, as shown in FIG. 11, first, the liquid processing unit 17 lifts a plurality of lifter pins 25b provided in the wafer holding mechanism 25, thereby lifting the wafer W after the liquid processing to the plurality of lifter pins. 25b to raise. Subsequently, the transfer device 16 arranges the first holding part 110 below the wafer W by horizontally moving the first holding part 110 using the first advancing/retreating mechanism 130 (see FIG. 2). Then, as shown in FIG. 12, the conveying device 16 lifts the first holding portion 110 using the lifting mechanism 150 (see FIG. 2). Thereby, the wafer W is transferred from the liquid processing unit 17 to the transfer device 16 .

つづいて、基板処理システム１では、搬送装置１６が、ウェハＷを第１保持部１１０から第２保持部１２０へ持ち替える（ステップＳ１０４）。 Subsequently, in the substrate processing system 1, the transfer device 16 transfers the wafer W from the first holder 110 to the second holder 120 (step S104).

具体的には、図１３に示すように、搬送装置１６は、第２進退機構１４０（図１参照）を用いて第２保持部１２０を水平移動させることにより、第２保持部１２０を第１保持部１１０の下方に配置させる。その後、図１４に示すように、搬送装置１６は、複数の昇降機構１２２ａを用いて複数の支持部材１２２を上昇させることにより、第１保持部１１０に保持されたウェハＷを複数の支持部材１２２に支持させる。 Specifically, as shown in FIG. 13, the conveying device 16 horizontally moves the second holding section 120 using the second advance/retreat mechanism 140 (see FIG. 1) to move the second holding section 120 to the first position. It is arranged below the holding part 110 . Thereafter, as shown in FIG. 14, the transfer device 16 lifts the plurality of support members 122 using the plurality of elevating mechanisms 122a, thereby moving the wafer W held by the first holding unit 110 to the plurality of support members 122. be supported by

つづいて、図１５に示すように、搬送装置１６は、第１進退機構１３０を用いて第１保持部１１０を後退させる。その後、搬送装置１６は、複数の昇降機構１２２ａを用いて複数の支持部材１２２を下降させた後、複数の移動機構１２３ａを用いて複数の把持部１２３を水平移動させることによって、複数の把持部１２３を用いてウェハＷを把持する。これにより、後述する第１パージ処理において、第１気体供給部１２４から供給される気体によるウェハＷの位置ずれを抑制することができる。 Subsequently, as shown in FIG. 15 , the conveying device 16 uses the first advancing/retreating mechanism 130 to retract the first holding portion 110 . Thereafter, the conveying device 16 lowers the plurality of supporting members 122 using the plurality of lifting mechanisms 122a, and then horizontally moves the plurality of gripping portions 123 using the plurality of moving mechanisms 123a, thereby moving the plurality of gripping portions. The wafer W is gripped using 123 . As a result, in the first purge process, which will be described later, the positional displacement of the wafer W caused by the gas supplied from the first gas supply unit 124 can be suppressed.

このようにして、搬送装置１６は、液処理後のウェハＷを第１保持部１１０から第２保持部１２０に持ち替える。 In this manner, the transfer device 16 transfers the wafer W after the liquid treatment from the first holding portion 110 to the second holding portion 120 .

つづいて、基板処理システム１では、第１パージ処理が開始される（ステップＳ１０５）。具体的には、搬送装置１６は、流量調整部１２４ｃ（図５参照）を用いて供給管１２４ｂを開くことにより、第１気体供給部１２４が備える複数の吐出口１２４ａからウェハＷの裏面の外周部に向けて気体を吐出する。これにより、ウェハＷの表面に形成された液膜Ｌの液がウェハＷの裏面に回り込むことが抑制される。 Subsequently, in the substrate processing system 1, the first purge process is started (step S105). Specifically, the transfer device 16 opens the supply pipe 124b by using the flow rate adjustment unit 124c (see FIG. 5), so that the outer periphery of the back surface of the wafer W is discharged from the plurality of discharge ports 124a provided in the first gas supply unit 124. The gas is discharged toward the part. As a result, the liquid of the liquid film L formed on the front surface of the wafer W is prevented from flowing to the rear surface of the wafer W. FIG.

つづいて、基板処理システム１では、上記第１パージ処理を行っている状態で、ウェハＷを乾燥処理ユニット１８へ搬入する（ステップＳ１０６）。 Subsequently, in the substrate processing system 1, the wafer W is loaded into the drying processing unit 18 while the first purge processing is being performed (step S106).

具体的には、図１７に示すように、搬送装置１６は、第２保持部１２０を用いてウェハＷを保持した状態で、ウェハＷを液処理ユニット１７から搬出する。そして、搬送装置１６は、乾燥処理ユニット１８の受渡エリア１８２に配置された第３保持部３２の上方に、ウェハＷを保持した第２保持部１２０を配置させる。 Specifically, as shown in FIG. 17 , the transfer device 16 unloads the wafer W from the liquid processing unit 17 while holding the wafer W using the second holding portion 120 . Then, the transfer device 16 arranges the second holding section 120 holding the wafer W above the third holding section 32 arranged in the delivery area 182 of the drying processing unit 18 .

その後、搬送装置１６は、流量調整部１２４ｃを用いて供給管１２４ｂを閉じることにより、第１パージ処理を終了する（ステップＳ１０７）。 After that, the transport device 16 ends the first purge process by closing the supply pipe 124b using the flow rate adjusting section 124c (step S107).

つづいて、基板処理システム１では、搬送装置１６が、第２保持部１２０から第１保持部１１０へのウェハＷの持ち替えを行う（ステップＳ１０８）。 Subsequently, in the substrate processing system 1, the transfer device 16 transfers the wafer W from the second holding unit 120 to the first holding unit 110 (step S108).

具体的には、搬送装置１６は、複数の支持部材１２２を上昇させた後、図１８に示すように、第１保持部１１０を水平移動させることにより、第１保持部１１０をウェハＷの下方に配置させる。そして、搬送装置１６は、複数の支持部材１２２を下降させることにより、ウェハＷを第１保持部１１０に受け渡す。その後、図１９に示すように、搬送装置１６は、第２保持部１２０を後退させる。 Specifically, after raising the plurality of support members 122, the transfer device 16 horizontally moves the first holding part 110 to move the first holding part 110 below the wafer W as shown in FIG. be placed in Then, the transfer device 16 transfers the wafer W to the first holder 110 by lowering the plurality of support members 122 . Thereafter, as shown in FIG. 19, the conveying device 16 causes the second holding section 120 to retreat.

つづいて、基板処理システム１では、搬送装置１６から乾燥処理ユニット１８へのウェハＷの受け渡しが行われる（ステップＳ１０９）。 Subsequently, in the substrate processing system 1, the transfer of the wafer W from the transfer device 16 to the drying processing unit 18 is performed (step S109).

具体的には、乾燥処理ユニット１８は、複数のリフターピン３９ａを上昇させることにより、第１保持部１１０に保持されたウェハＷを上昇させて、複数のリフターピン３９ａにウェハＷを支持させる。あるいは、搬送装置１６は、第１保持部１１０を下降させることにより、予め上昇させておいた複数のリフターピン３９ａにウェハＷを支持させてもよい。その後、搬送装置１６は、第１保持部１１０を後退させる。そして、乾燥処理ユニット１８は、複数のリフターピン３９ａを下降させることにより、第３保持部３２にウェハＷを保持させる。 Specifically, the drying processing unit 18 raises the wafer W held by the first holding unit 110 by lifting the lifter pins 39a to support the wafer W on the lifter pins 39a. Alternatively, the transfer device 16 may support the wafer W on a plurality of lifter pins 39a previously raised by lowering the first holding portion 110 . After that, the conveying device 16 retracts the first holding part 110 . Then, the drying processing unit 18 causes the third holding section 32 to hold the wafer W by lowering the plurality of lifter pins 39a.

つづいて、基板処理システム１では、第２パージ処理が開始される（ステップＳ１１０）。具体的には、乾燥処理ユニット１８は、流量調整部３５ｃ（図９参照）を用いて供給管３５ｂを開くことにより、第２気体供給部３５が備える吐出部３５ａから第３保持部３２が備えるベース部３２ａの下面に向けて気体を吐出する。 Subsequently, in the substrate processing system 1, the second purge process is started (step S110). Specifically, the drying processing unit 18 opens the supply pipe 35b using the flow rate adjusting unit 35c (see FIG. 9), so that the discharge unit 35a provided in the second gas supply unit 35 and the third holding unit 32 are provided. Gas is discharged toward the lower surface of the base portion 32a.

ベース部３２ａの下面に吐出された気体は、ベース部３２ａに形成された複数の貫通孔３２ｄを通ってウェハＷの裏面に到達した後、ウェハＷの裏面に沿ってウェハＷの裏面の外周部に向かって流れる。これにより、ウェハＷの表面に形成された液膜Ｌの液がウェハＷの裏面に回り込むことが抑制される。 The gas discharged to the lower surface of the base portion 32a reaches the back surface of the wafer W through the plurality of through holes 32d formed in the base portion 32a, and then travels along the back surface of the wafer W to the outer peripheral portion of the back surface of the wafer W. flowing towards As a result, the liquid of the liquid film L formed on the front surface of the wafer W is prevented from flowing to the rear surface of the wafer W. FIG.

つづいて、乾燥処理ユニット１８は、移動機構３３ａ（図８参照）を用いて第３保持部３２を水平移動させることにより、ウェハＷを処理容器３１へ搬入する（ステップＳ１１１）。乾燥処理ユニット１８は、第３保持部３２の移動が開始された後、ウェハＷが処理容器３１内に搬入される前に、第２気体供給部３５による気体の吐出を停止する。なお、乾燥処理ユニット１８は、第３保持部３２の移動が開始される前に、第２気体供給部３５による気体の吐出を停止させてもよい。 Subsequently, the drying processing unit 18 carries the wafer W into the processing container 31 by horizontally moving the third holding unit 32 using the moving mechanism 33a (see FIG. 8) (step S111). After the movement of the third holder 32 is started, the drying processing unit 18 stops discharging the gas from the second gas supply section 35 before the wafer W is carried into the processing container 31 . Note that the drying processing unit 18 may stop the discharge of gas by the second gas supply section 35 before the movement of the third holding section 32 is started.

つづいて、基板処理システム１では、超臨界乾燥処理が行われる（ステップＳ１１２）。具体的には、乾燥処理ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷを超臨界状態の処理流体と接触させることによって同ウェハＷを乾燥させる。 Subsequently, supercritical drying is performed in the substrate processing system 1 (step S112). Specifically, the drying processing unit 18 dries the wafer W after the liquid film formation processing by bringing the wafer W into contact with the processing fluid in a supercritical state.

つづいて、基板処理システム１では、搬送装置１６が、ウェハＷを乾燥処理ユニット１８から搬出する（ステップＳ１１３）。具体的には、搬送装置１６は、超臨界乾燥処理後のウェハＷを第１保持部１１０を用いて保持し、保持したウェハＷを搬送装置１６から搬出する。その後、搬送装置１６は、ウェハＷを受渡部１４へ載置し、搬送装置１３は、受渡部１４からウェハＷから取り出してキャリアＣへ戻す。これにより、１枚のウェハＷについての一連の基板処理が終了する。 Subsequently, in the substrate processing system 1, the transfer device 16 unloads the wafer W from the drying processing unit 18 (step S113). Specifically, the carrier device 16 holds the wafer W after the supercritical drying process using the first holding unit 110 , and unloads the held wafer W from the carrier device 16 . After that, the carrier device 16 places the wafer W on the delivery section 14 , and the carrier device 13 takes the wafer W out of the delivery section 14 and returns it to the carrier C. FIG. Thus, a series of substrate processing for one wafer W is completed.

〔６．変形例〕
搬送装置１６は、第１パージ処理において、第１気体供給部１２４から供給される気体の流量を搬送装置１６の動きに応じて変更してもよい。[6. Modification]
The transport device 16 may change the flow rate of the gas supplied from the first gas supply unit 124 according to the movement of the transport device 16 in the first purge process.

たとえば、搬送装置１６は、ステップＳ１０６において、第２進退機構１４０による第２保持部１２０の水平移動の開始時点を含む予め決められた期間、および、終了時点を含む予め決められた時間において、気体の流量を増加させてもよい。また、搬送装置１６は、ステップＳ１０６において、水平移動機構１６０による第２保持部１２０の水平移動の開始時点を含む予め決められた期間、および、終了時点を含む予め決められた時間において、気体の流量を増加させてもよい。これにより、第２保持部１２０の動き始めや動き終わり、あるいは、方向転換時に、ウェハＷから液膜Ｌの液がこぼれ落ちることをより確実に抑制することができる。 For example, in step S106, the transport device 16 moves the second holding unit 120 horizontally by the second advance/retreat mechanism 140 during a predetermined time period including the start time and the end time of the horizontal movement of the second holding unit 120. may be increased. Further, in step S106, the transport device 16 releases the gas during a predetermined period including the start point of the horizontal movement of the second holding unit 120 by the horizontal movement mechanism 160 and a predetermined time including the end point of the horizontal movement. You may increase the flow rate. As a result, it is possible to more reliably prevent the liquid of the liquid film L from falling off the wafer W when the movement of the second holding part 120 starts or ends, or when the direction is changed.

また、搬送装置１６は、液膜形成処理においてウェハＷの表面に形成される液膜Ｌの液量に応じて、第１パージ処理において第１気体供給部１２４から供給される気体の流量を変更してもよい。すなわち、搬送装置１６は、液膜Ｌの液量が多いほど、第１気体供給部１２４から供給される気体の流量を増加させてもよい。これにより、液膜Ｌの液のウェハＷの裏面への回り込みをより適切に抑制することができる。 Further, the transport device 16 changes the flow rate of the gas supplied from the first gas supply unit 124 in the first purge process according to the liquid amount of the liquid film L formed on the surface of the wafer W in the liquid film formation process. You may That is, the transport device 16 may increase the flow rate of the gas supplied from the first gas supply unit 124 as the amount of the liquid film L increases. As a result, it is possible to more appropriately suppress the liquid of the liquid film L from flowing to the rear surface of the wafer W. FIG.

上述してきたように、実施形態に係る基板処理装置（一例として、基板処理システム１）は、液処理部（一例として、液処理ユニット１７）と、乾燥処理部（一例として、乾燥処理ユニット１８）と、搬送部（一例として、搬送装置１６）と、気体供給部（一例として、第１気体供給部１２４および第２気体供給部３５）とを備える。液処理部は、基板（一例として、ウェハＷ）に対して液処理を行うことによって基板の表面を濡らす。乾燥処理部は、液処理部と異なる場所に配置され、表面が濡れた基板を乾燥させる乾燥処理を行う。搬送部は、表面が濡れた基板を液処理部から取り出して乾燥処理部へ搬送する。気体供給部は、表面が濡れた基板が液処理部から取り出されてから乾燥処理部において乾燥処理が開始されるまでの期間のうち少なくとも一部の期間において、表面が濡れた基板の裏面に気体を供給する。 As described above, the substrate processing apparatus (substrate processing system 1 as an example) according to the embodiment includes a liquid processing section (liquid processing unit 17 as an example) and a drying processing section (drying processing unit 18 as an example). , a transport unit (eg, transport device 16), and a gas supply unit (eg, first gas supply unit 124 and second gas supply unit 35). The liquid processing section wets the surface of the substrate (wafer W as an example) by performing liquid processing on the substrate. The drying processing section is arranged at a location different from the liquid processing section, and performs a drying process for drying the substrate having a wet surface. The transport section takes out the substrate with the wet surface from the liquid processing section and transports it to the drying processing section. The gas supply unit applies gas to the back surface of the substrate with the wet surface during at least a part of the period from when the substrate with the wet surface is taken out from the liquid processing unit until the drying process is started in the drying processing unit. supply.

これにより、表面が濡れた基板が液処理部から取り出されてから乾燥処理部において乾燥処理が開始されるまでの期間のうち少なくとも一部の期間において、基板の表面から裏面への液の回り込みが抑制される。したがって、超臨界状態の処理流体を用いて基板を乾燥させる技術において、基板の表面へのパーティクルの付着を抑制することができる。 As a result, during at least a part of the period from when the substrate with the wet surface is taken out from the liquid processing section to when the drying processing is started in the drying processing section, the liquid does not flow from the front surface to the back surface of the substrate. Suppressed. Therefore, in the technique of drying the substrate using the supercritical processing fluid, adhesion of particles to the surface of the substrate can be suppressed.

気体供給部は、第１気体供給部（一例として、第１気体供給部１２４）を含んでいてもよい。第１気体供給部は、搬送部に設けられる。搬送部に第１気体供給部を設けることで、たとえば、液処理部から乾燥処理部への搬送中における基板の裏面への液の回り込みを抑制することができる。 The gas supply may include a first gas supply (eg, first gas supply 124). The first gas supply unit is provided in the transport unit. By providing the first gas supply section in the transfer section, for example, it is possible to suppress the liquid from flowing into the rear surface of the substrate during transfer from the liquid processing section to the drying processing section.

搬送部は、第１保持部（一例として、第１保持部１１０）と、第２保持部（一例として、第２保持部１２０）と、水平移動機構（一例として、水平移動機構１６０）とを備えていてもよい。第１保持部は、表面が濡れた基板を液処理部から受け取る。第２保持部は、表面が濡れた基板を第１保持部から受け取って乾燥処理部へ搬送する。水平移動機構は、液処理部および乾燥処理部間において第１保持部および第２保持部を移動させる。この場合、第１気体供給部は、第２保持部に設けられてもよい。 The conveying unit includes a first holding unit (first holding unit 110 as an example), a second holding unit (second holding unit 120 as an example), and a horizontal movement mechanism (horizontal movement mechanism 160 as an example). may be provided. The first holding section receives the substrate with a wet surface from the liquid processing section. The second holding section receives the substrate with a wet surface from the first holding section and transports it to the drying processing section. The horizontal movement mechanism moves the first holding section and the second holding section between the liquid processing section and the drying processing section. In this case, the first gas supply section may be provided in the second holding section.

基板を液処理部から受け取る第１保持部とは別に第２保持部を設け、かかる第２保持部に第１気体供給部を設けることで、基板を液処理部から受け取る動作に支障を与えることなく、基板の裏面への液の回り込みを抑制することができる。 By providing a second holding section separately from the first holding section for receiving the substrate from the liquid processing section and providing the first gas supply section in the second holding section, the operation of receiving the substrate from the liquid processing section is hindered. Therefore, it is possible to suppress the liquid from flowing to the back surface of the substrate.

第２保持部は、ベース部（一例として、ベース部１２１）と、複数の支持部材（一例として、複数の支持部材１２２）とを備えていてもよい。ベース部は、第１保持部の下方に配置される。複数の支持部材は、ベース部に対して昇降可能であり、表面が濡れた基板を下方から支持する。この場合、第１気体供給部は、ベース部に設けられてもよい。第１気体供給部をベース部に設けることで、第２保持部とともに移動する基板に対し、気体の供給を容易に行うことができる。 The second holding portion may include a base portion (base portion 121 as an example) and a plurality of support members (a plurality of support members 122 as an example). The base portion is arranged below the first holding portion. The plurality of support members can move up and down with respect to the base portion, and support the substrate with a wet surface from below. In this case, the first gas supply section may be provided in the base section. By providing the first gas supply part in the base part, the gas can be easily supplied to the substrate moving together with the second holding part.

第２保持部は、複数の把持部（一例として、複数の把持部１２３）をさらに備えていてもよい。複数の把持部は、表面が濡れた基板を側方から把持する。複数の把持部を用いて表面が濡れた基板を側方から把持することで、第１気体供給部から供給される気体による基板の位置ずれを抑制することができる。 The second holding part may further include a plurality of grips (for example, a plurality of grips 123). A plurality of gripping portions grip the substrate whose surface is wet from the sides. By gripping the substrate with a wet surface from the side using a plurality of gripping portions, positional displacement of the substrate due to the gas supplied from the first gas supply portion can be suppressed.

第１気体供給部は、複数の吐出口（一例として、複数の吐出口１２４ａ）を備えていてもよい。複数の吐出口は、基板の裏面の外周部に向けて気体を吐出する。これにより、基板の裏面への液の回り込みをより確実に抑制することができる。 The first gas supply section may include a plurality of outlets (for example, a plurality of outlets 124a). The plurality of ejection ports eject gas toward the outer peripheral portion of the back surface of the substrate. As a result, it is possible to more reliably suppress the liquid from flowing into the back surface of the substrate.

気体供給部は、第２気体供給部（一例として、第２気体供給部３５）を含んでいてもよい。第２気体供給部は、乾燥処理部に設けられる。乾燥処理部に第２気体供給部３５を設けることで、たとえば、表面が濡れた状態の基板が乾燥処理部に搬入された後、乾燥処理が開始されるまでの間における基板の裏面への液の回り込みを抑制することができる。 The gas supply section may include a second gas supply section (as an example, the second gas supply section 35). The second gas supply section is provided in the drying processing section. By providing the second gas supply unit 35 in the drying processing unit, for example, after the substrate with its surface wet is carried into the drying processing unit, the liquid on the back surface of the substrate is prevented from flowing until the drying processing is started. can be suppressed.

乾燥処理部は、処理容器（一例として、処理容器３１）と、第３保持部（一例として、第３保持部３２）と、移動機構（一例として、移動機構３３ａ）とをさらに備える。処理容器は、乾燥処理が行われる。第３保持部は、表面が濡れた基板を保持する。移動機構は、処理容器に隣接する受渡エリア（一例として、受渡エリア１８２）と処理容器の内部との間で第３保持部を移動させる。この場合、第２気体供給部は、受渡エリアに設けられてもよい。受渡エリアに第２気体供給部を設けることにより、たとえば、乾燥処理が開始されるまでの間、表面が濡れた基板を受渡エリアにおいて待機させる場合に、待機中における基板の裏面への液の回り込みを抑制することができる。 The drying processing unit further includes a processing container (processing container 31 as an example), a third holding unit (third holding unit 32 as an example), and a moving mechanism (moving mechanism 33a as an example). A drying process is performed on the processing container. The third holder holds a substrate with a wet surface. The moving mechanism moves the third holder between a transfer area (for example, the transfer area 182) adjacent to the processing container and the inside of the processing container. In this case, the second gas supply section may be provided in the delivery area. By providing the second gas supply unit in the transfer area, for example, when a substrate with a wet surface is made to wait in the transfer area until the drying process is started, liquid does not flow into the back surface of the substrate during standby. can be suppressed.

気体供給部は、基板の裏面に対して不活性ガスを供給してもよい。不活性ガスを用いることで、たとえば、基板の酸化等を抑制することができる。 The gas supply unit may supply the inert gas to the back surface of the substrate. By using an inert gas, for example, oxidation of the substrate can be suppressed.

なお、上述した実施形態では、液処理部において基板の表面に液膜を形成する場合の例について説明したが、基板処理装置は、液処理部において基板の表面を濡らせば良く、必ずしも基板の表面に液膜を形成することを要しない。 In the above-described embodiment, an example in which a liquid film is formed on the surface of the substrate in the liquid processing section has been described. It is not necessary to form a liquid film on the surface.

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are illustrative in all respects and not restrictive. Indeed, the above-described embodiments may be embodied in many different forms. Also, the above-described embodiments may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims.

Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム
２ 搬入出ステーション
３ 処理ステーション
５ 処理ブロック
１６ 搬送装置
１７ 液処理ユニット
１８ 乾燥処理ユニット
１９ 供給ユニット
３１ 処理容器
３２ 第３保持部
３５ 第２気体供給部
１１０ 第１保持部
１２０ 第２保持部
１２１ ベース部
１２２ 支持部材
１２３ 把持部
１２４ 第１気体供給部
１２５ 排液部
１３０ 第１進退機構
１４０ 第２進退機構
１５０ 昇降機構
１６０ 水平移動機構W wafer 1 substrate processing system 2 loading/unloading station 3 processing station 5 processing block 16 transfer device 17 liquid processing unit 18 drying processing unit 19 supply unit 31 processing container 32 third holding unit 35 second gas supply unit 110 first holding unit 120 Second holding portion 121 Base portion 122 Supporting member 123 Gripping portion 124 First gas supply portion 125 Draining portion 130 First forward/backward mechanism 140 Second forward/backward mechanism 150 Lifting mechanism 160 Horizontal movement mechanism

Claims (8)

基板に対して液処理を行うことによって前記基板の表面を濡らす液処理部と、
前記液処理部と異なる場所に配置され、前記表面が濡れた前記基板を乾燥させる乾燥処理を行う乾燥処理部と、
前記表面が濡れた前記基板を前記液処理部から取り出して前記乾燥処理部へ搬送する搬送部と、
前記表面が濡れた前記基板が前記液処理部から取り出されてから前記乾燥処理部において前記乾燥処理が開始されるまでの期間のうち少なくとも一部の期間において、前記表面が濡れた前記基板の裏面に気体を供給する気体供給部と
を備え、
前記搬送部は、
前記表面が濡れた前記基板を前記液処理部から受け取る第１保持部と、
前記表面が濡れた前記基板を前記第１保持部から受け取って前記乾燥処理部へ搬送する第２保持部と、
前記液処理部および前記乾燥処理部間において前記第１保持部および前記第２保持部を移動させる水平移動機構と
を備え、
前記気体供給部は、前記第２保持部に設けられた第１気体供給部を含む、基板処理装置。 a liquid processing unit that wets the surface of the substrate by performing liquid processing on the substrate;
a drying processing unit arranged at a location different from the liquid processing unit and performing a drying process for drying the substrate with the wet surface;
a transfer unit that takes out the substrate with the wet surface from the liquid processing unit and transfers the substrate to the drying processing unit;
The back surface of the substrate with the wet surface during at least a part of the period from when the substrate with the wet surface is taken out from the liquid processing unit until the drying processing is started in the drying processing unit. and a gas supply unit for supplying gas to
The transport unit is
a first holding unit that receives the substrate with the wet surface from the liquid processing unit;
a second holding unit that receives the substrate with the wet surface from the first holding unit and transports the substrate to the drying processing unit;
a horizontal movement mechanism for moving the first holding section and the second holding section between the liquid processing section and the drying processing section;
with
The substrate processing apparatus , wherein the gas supply section includes a first gas supply section provided in the second holding section . 前記第２保持部は、
前記第１保持部の下方に配置されるベース部と、
前記ベース部に対して昇降可能であり、前記表面が濡れた前記基板を下方から支持する複数の支持部材と
を備え、
前記第１気体供給部は、
前記ベース部に設けられる、請求項１に記載の基板処理装置。 The second holding part is
a base portion arranged below the first holding portion;
a plurality of support members that can move up and down with respect to the base portion and support the substrate with the wet surface from below;
The first gas supply unit is
2. The substrate processing apparatus according to claim 1 , provided on said base portion. 前記第２保持部は、
前記表面が濡れた前記基板を側方から把持する複数の把持部
をさらに備える、請求項２に記載の基板処理装置。 The second holding part is
3. The substrate processing apparatus according to claim 2 , further comprising a plurality of gripping units that grip the substrate with the wet surface from the sides. 前記第１気体供給部は、
前記基板の裏面の外周部に向けて前記気体を吐出する複数の吐出口を備える、請求項１～３のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The first gas supply unit is
4. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3 , comprising a plurality of ejection ports for ejecting said gas toward the outer peripheral portion of the back surface of said substrate. 基板に対して液処理を行うことによって前記基板の表面を濡らす液処理部と、
前記液処理部と異なる場所に配置され、前記表面が濡れた前記基板を乾燥させる乾燥処理を行う乾燥処理部と、
前記表面が濡れた前記基板を前記液処理部から取り出して前記乾燥処理部へ搬送する搬送部と、
前記表面が濡れた前記基板が前記液処理部から取り出されてから前記乾燥処理部において前記乾燥処理が開始されるまでの期間のうち少なくとも一部の期間において、前記表面が濡れた前記基板の裏面に気体を供給する気体供給部と
を備え、
前記乾燥処理部は、
前記乾燥処理が行われる処理容器と、
前記表面が濡れた前記基板を保持する第３保持部と、
前記処理容器に隣接する受渡エリアと前記処理容器の内部との間で前記第３保持部を移動させる移動機構と
をさらに備え、
前記気体供給部は、前記受渡エリアに設けられた第２気体供給部を含む、基板処理装置。 a liquid processing unit that wets the surface of the substrate by performing liquid processing on the substrate;
a drying processing unit arranged at a location different from the liquid processing unit and performing a drying process for drying the substrate with the wet surface;
a transfer unit that takes out the substrate with the wet surface from the liquid processing unit and transfers the substrate to the drying processing unit;
The back surface of the substrate with the wet surface during at least a part of the period from when the substrate with the wet surface is taken out from the liquid processing unit until the drying processing is started in the drying processing unit. and a gas supply unit for supplying gas to
The drying processing unit is
a processing container in which the drying processing is performed;
a third holder that holds the substrate with the wet surface;
a moving mechanism for moving the third holding part between a delivery area adjacent to the processing container and the inside of the processing container;
further comprising
The substrate processing apparatus , wherein the gas supply section includes a second gas supply section provided in the delivery area . 前記気体供給部は、
前記基板の裏面に対して不活性ガスを供給する、請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The gas supply unit is
6. The substrate processing apparatus according to claim 1 , wherein an inert gas is supplied to the rear surface of said substrate. 基板に対して液処理を行う液処理部を用いて前記基板の表面を濡らす工程と、
前記液処理部と異なる場所に配置され、前記表面が濡れた前記基板を乾燥させる乾燥処理部を用いて前記表面が濡れた前記基板を乾燥させる工程と、
前記表面が濡れた前記基板を前記液処理部から受け取る第１保持部と、前記表面が濡れた前記基板を前記第１保持部から受け取って前記乾燥処理部へ搬送する第２保持部と、前記液処理部および前記乾燥処理部間において前記第１保持部および前記第２保持部を移動させる水平移動機構とを備える搬送部を用いて、前記表面が濡れた前記基板を前記液処理部から取り出して前記乾燥処理部へ搬送する工程と、
前記表面が濡れた前記基板が前記液処理部から取り出されてから前記乾燥処理部において前記乾燥させる工程が開始されるまでの期間のうち少なくとも一部の期間において、前記表面が濡れた前記基板の裏面に気体を供給する工程と
を含み、
前記気体を供給する工程は、前記第２保持部に設けられた第１気体供給部を用いて前記表面が濡れた前記基板の裏面に気体を供給する、基板処理方法。 a step of wetting the surface of the substrate using a liquid processing unit that performs liquid processing on the substrate;
a step of drying the substrate with the wet surface using a drying processing unit that is arranged at a location different from the liquid processing unit and that dries the substrate with the wet surface;
a first holding unit that receives the substrate with the wet surface from the liquid processing unit; a second holding unit that receives the substrate with the wet surface from the first holding unit and transports the substrate to the drying processing unit; The substrate with the wet surface is removed from the liquid processing section by using a transfer section including a horizontal movement mechanism for moving the first holding section and the second holding section between the liquid processing section and the drying processing section. a step of conveying to the drying processing unit by
During at least a part of the period from when the substrate with the wet surface is taken out from the liquid processing unit until the step of drying in the drying processing unit is started, the substrate with the wet surface is dried. and supplying a gas to the back surface ,
In the substrate processing method, the step of supplying the gas supplies the gas to the rear surface of the substrate, the surface of which is wet, using a first gas supply unit provided in the second holding unit. 基板に対して液処理を行う液処理部を用いて前記基板の表面を濡らす工程と、
前記液処理部と異なる場所に配置され、前記表面が濡れた前記基板を乾燥させる乾燥処理部を用いて前記表面が濡れた前記基板を乾燥させる工程と、
前記表面が濡れた前記基板を前記液処理部から取り出して前記乾燥処理部へ搬送する工程と、
前記表面が濡れた前記基板が前記液処理部から取り出されてから前記乾燥処理部において前記乾燥させる工程が開始されるまでの期間のうち少なくとも一部の期間において、前記表面が濡れた前記基板の裏面に気体を供給する工程と
を含み、
前記乾燥処理部は、
乾燥処理が行われる処理容器と、
前記表面が濡れた前記基板を保持する第３保持部と、
前記処理容器に隣接する受渡エリアと前記処理容器の内部との間で前記第３保持部を移動させる移動機構と
をさらに備え、
前記気体を供給する工程は、
前記受渡エリアに設けられた第２気体供給部を用いて前記表面が濡れた前記基板の裏面に気体を供給する、基板処理方法。 a step of wetting the surface of the substrate using a liquid processing unit that performs liquid processing on the substrate;
a step of drying the substrate with the wet surface using a drying processing unit that is arranged at a location different from the liquid processing unit and that dries the substrate with the wet surface;
a step of taking out the substrate with the wet surface from the liquid processing unit and transporting the substrate to the drying processing unit;
During at least a part of the period from when the substrate with the wet surface is taken out from the liquid processing unit until the step of drying in the drying processing unit is started, the substrate with the wet surface is dried. and supplying a gas to the back surface ,
The drying processing unit is
a processing vessel in which the drying process is performed;
a third holder that holds the substrate with the wet surface;
a moving mechanism for moving the third holding part between a delivery area adjacent to the processing container and the inside of the processing container;
further comprising
The step of supplying the gas includes
A substrate processing method , wherein a gas is supplied to the rear surface of the substrate having the wet surface using a second gas supply unit provided in the transfer area.
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