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JP7405644B2 - Metal-clad laminates and circuit boards - Google Patents

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JP7405644B2 JP2020032936A JP2020032936A JP7405644B2 JP 7405644 B2 JP7405644 B2 JP 7405644B2 JP 2020032936 A JP2020032936 A JP 2020032936A JP 2020032936 A JP2020032936 A JP 2020032936A JP 7405644 B2 JP7405644 B2 JP 7405644B2
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Description

本発明は、金属張積層板及び回路基板に関する。 The present invention relates to a metal-clad laminate and a circuit board.

近年、電子機器の小型化、軽量化、省スペース化の進展に伴い、薄く軽量で、可撓性を有し、屈曲を繰り返しても優れた耐久性を持つフレキシブルプリント配線板(FPC;Flexible Printed Circuits)の需要が増大している。FPCは、限られたスペースでも立体的かつ高密度の実装が可能であるため、例えば、HDD、DVD、携帯電話、スマートフォン等の電子機器の可動部分の配線や、ケーブル、コネクター等の部品にその用途が拡大しつつある。 In recent years, as electronic devices have become smaller, lighter, and space-saving, flexible printed circuit boards (FPCs) have become thinner, lighter, more flexible, and have excellent durability even after repeated bending. Demand for circuits is increasing. FPC can be mounted three-dimensionally and with high density even in a limited space, so it can be used, for example, in the wiring of movable parts of electronic devices such as HDDs, DVDs, mobile phones, and smartphones, as well as parts such as cables and connectors. Its uses are expanding.

FPCは、金属層と絶縁樹脂層とを有する金属張積層板の金属層をエッチングして配線加工することによって製造される。金属張積層板に対するフォトリソグラフィ工程や、FPC実装の過程では、接合、切断、露光、エッチング等のさまざまな加工が行われる。これらの工程での加工精度は、FPCを搭載した電子機器の信頼性を維持する上で重要となる。しかし、金属張積層板は、熱膨張係数(以下、「CTE」と記すことがある)が異なる金属層と絶縁樹脂層とを積層した構造を有するため、金属層と絶縁樹脂層とのCTEの差によって、層間に応力が発生する。この応力が、金属層をエッチングして配線加工した場合に解放されることによって伸縮を生じさせ、配線パターンの寸法を変化させる要因となる。そのため、最終的にFPCの段階で寸法変化が生じてしまい、配線間もしくは配線と端子との接続不良を引き起こす原因となり、回路基板の信頼性や歩留まりを低下させる。従って、回路基板材料としての金属張積層板において、寸法安定性は非常に重要な特性である。 FPC is manufactured by etching the metal layer of a metal-clad laminate having a metal layer and an insulating resin layer to form wiring. In the photolithography process for metal-clad laminates and the FPC mounting process, various processes such as bonding, cutting, exposure, and etching are performed. Machining accuracy in these steps is important in maintaining the reliability of electronic devices equipped with FPCs. However, metal-clad laminates have a structure in which a metal layer and an insulating resin layer are laminated with different coefficients of thermal expansion (hereinafter sometimes referred to as "CTE"), so the CTE of the metal layer and the insulating resin layer is different. The difference causes stress between the layers. This stress is released when the metal layer is etched to process wiring, causing expansion and contraction, which causes a change in the dimensions of the wiring pattern. As a result, dimensional changes ultimately occur at the FPC stage, causing poor connections between wirings or between wirings and terminals, reducing the reliability and yield of the circuit board. Therefore, dimensional stability is a very important property in metal-clad laminates used as circuit board materials.

今後、電子機器は、さらに高機能化、小型化していくことが予想される。そのため、例えば、FPCを多層化した状態で使用するニーズが高まると考えられる。また、携帯電話、スマートフォン等の電子機器の筐体の薄型化に対応して、回路基板自体もより薄いものが求められる傾向が高まる。回路基板において絶縁樹脂層の厚みが薄くなった際には、インピーダンスを整合させるために、より微細な配線加工が必要となるため、これまで以上に寸法安定性を高め、カールも抑制する必要がある。また、微細配線に加工した際に、配線が基板から剥離しないように密着性も求められる。
従って、FPC等の回路基板の絶縁樹脂層には、
・厚みの薄化、
・低熱膨張性(高寸法安定性)、
・面内での異方性低減(等方性)、
・低カール性(金属張積層板の状態、エッチング後のフィルムの状態の両方)、
・金属層への接着性、
などの特性がこれまで以上に厳しく求められることになる。絶縁樹脂層の厚みが15μm以下、特に12μm以下の極薄層になると、厚み以外の要求特性を満たす上で、従来の設計思想が適用できず、これまでとは異なるアプローチが必要になる。
It is expected that electronic devices will become more sophisticated and smaller in the future. Therefore, for example, it is thought that the need to use FPC in a multilayered state will increase. Additionally, as the housings of electronic devices such as mobile phones and smartphones become thinner, there is a growing trend for circuit boards themselves to be thinner. When the thickness of the insulating resin layer on circuit boards becomes thinner, finer wiring processing is required to match impedance, so it is necessary to improve dimensional stability and suppress curling more than ever before. be. Adhesion is also required to prevent the wiring from peeling off from the substrate when processed into fine wiring.
Therefore, in the insulating resin layer of circuit boards such as FPC,
・Thinner thickness,
・Low thermal expansion (high dimensional stability),
・Reduction of in-plane anisotropy (isotropy),
・Low curling (both in the state of the metal-clad laminate and in the state of the film after etching),
・Adhesion to metal layer,
These characteristics will be required more strictly than ever before. When the thickness of the insulating resin layer becomes an extremely thin layer of 15 μm or less, especially 12 μm or less, conventional design concepts cannot be applied to meet the required characteristics other than thickness, and a different approach than before is required.

金属張積層板として、銅箔とポリイミド層とを積層した銅張積層板(CCL)が汎用されている。このCCLの絶縁樹脂層に適用可能な厚さ10μm以下の単層のポリイミドフィルムが提案されている(特許文献1~3)。
しかし、特許文献1~3で提案されているポリイミドフィルムは面内での異方性低減(等方性)についての記載が乏しく、また、単層のポリイミドフィルムであるため、金属層との積層時に接着剤等を使用した場合では絶縁樹脂層の総厚みが厚くなるため、厚みの薄化という観点では改善の余地がある。
As a metal-clad laminate, a copper-clad laminate (CCL) in which copper foil and a polyimide layer are laminated is widely used. A single-layer polyimide film with a thickness of 10 μm or less that can be applied to the insulating resin layer of CCL has been proposed (Patent Documents 1 to 3).
However, the polyimide films proposed in Patent Documents 1 to 3 have little description of in-plane anisotropy reduction (isotropy), and since they are single-layer polyimide films, they cannot be laminated with metal layers. Sometimes, when an adhesive or the like is used, the total thickness of the insulating resin layer increases, so there is room for improvement in terms of reducing the thickness.

また、接着層を介さない金属張積層板としては、3層のポリイミド層からなる絶縁樹脂層を有する金属張積層板も提案されている(特許文献4)。しかし、特許文献4は、吸湿後の耐はんだ性の改善に関するものであり、3層のポリイミド層の合計厚みが12μm以下である絶縁樹脂層については、開示も示唆もされておらず、さらなる厚みの薄化という観点では改善の余地がある。さらに、金属張積層板やエッチング後のフィルムにおける反り(カール)についても記載が乏しい。
金属張積層板やエッチング後のフィルムにおけるカール改善の手法として、低熱膨張性ポリイミド層の両側に高熱膨張性ポリイミド層を設け、高熱膨張性ポリイミド層の厚み比を制御することで、フィルムのカールを制御した金属張積層板も提案されている(特許文献5)。しかし、絶縁樹脂層はいずれも25μm前後であり、厚みが薄くなった際の制御技術についても記載は乏しい。
Furthermore, as a metal-clad laminate without an adhesive layer, a metal-clad laminate having an insulating resin layer made of three polyimide layers has also been proposed (Patent Document 4). However, Patent Document 4 is concerned with improving solder resistance after moisture absorption, and does not disclose or suggest an insulating resin layer in which the total thickness of three polyimide layers is 12 μm or less, and does not disclose or suggest an insulating resin layer in which the total thickness of three polyimide layers is 12 μm or less. There is room for improvement in terms of thinning. Furthermore, there is little description of warpage (curl) in metal-clad laminates or films after etching.
As a method for improving curl in metal-clad laminates and films after etching, we have created a high thermal expansion polyimide layer on both sides of a low thermal expansion polyimide layer and controlled the thickness ratio of the high thermal expansion polyimide layer to prevent film curl. A controlled metal-clad laminate has also been proposed (Patent Document 5). However, the thickness of each insulating resin layer is around 25 μm, and there is little description of control techniques when the thickness is reduced.

また、CTE及び0°リタデーション等を制御することで高温加工時での寸法変化を低減させることができる厚みが25μm程度のポリイミドフィルムも提案されている(特許文献6)。しかし、0°リタデーションは厚みが薄くなるほど、差異を見出すことが困難となり、物性評価の指標としては改善の余地がある。 Furthermore, a polyimide film with a thickness of about 25 μm that can reduce dimensional changes during high-temperature processing by controlling CTE, 0° retardation, etc. has also been proposed (Patent Document 6). However, the thinner the thickness, the more difficult it is to find a difference in 0° retardation, and there is room for improvement as an index for evaluating physical properties.

特開2016-186031号公報Japanese Patent Application Publication No. 2016-186031 特開2014-196467号公報Japanese Patent Application Publication No. 2014-196467 特開2017-145325号公報Japanese Patent Application Publication No. 2017-145325 特開2016―141152号公報Unexamined Japanese Patent Publication No. 2016-141152 特開2006-306086号公報JP2006-306086A 特開2017-200759号公報JP 2017-200759 Publication

本発明の目的は、絶縁樹脂層の厚みが薄い場合においても、高い寸法安定性と面内等方性を有し、金属層との接着性に優れた絶縁樹脂層を備え、金属張積層板の状態及び金属層をエッチング後のフィルムの状態におけるカールも抑制された金属張積層板を提供することである。 An object of the present invention is to provide a metal-clad laminate that has an insulating resin layer that has high dimensional stability and in-plane isotropy even when the thickness of the insulating resin layer is thin, and has excellent adhesiveness with metal layers. An object of the present invention is to provide a metal-clad laminate in which curling is suppressed both in the state of the film and in the state of the film after etching the metal layer.

本発明者らは、鋭意検討した結果、絶縁樹脂層における面内方向と厚み方向の複屈折Δn(xy-z)を制御することによって上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of intensive studies, the present inventors have found that the above problem can be solved by controlling the birefringence Δn(xy-z) in the in-plane direction and the thickness direction in the insulating resin layer, and have completed the present invention. reached.

すなわち、本発明の金属張積層板は、絶縁樹脂層と、この絶縁樹脂層の片面に積層された金属層とを備えた金属張積層板である。
本発明の金属張積層板は、前記絶縁樹脂層が、非熱可塑性ポリイミドによって構成される非熱可塑性ポリイミド層と、前記非熱可塑性ポリイミド層の少なくとも一方の面に接して設けられた熱可塑性ポリイミドによって構成される熱可塑性ポリイミド層と、を有している。
そして、本発明の金属張積層板において、前記熱可塑性ポリイミド層は、前記金属層と前記非熱可塑性ポリイミド層との間に介在しており、前記絶縁樹脂層は、厚みが2μm以上15μm以下の範囲内であるとともに、厚み方向の複屈折Δn(xy-z)が0.080~0.140の範囲内であることを特徴とする。
That is, the metal-clad laminate of the present invention is a metal-clad laminate including an insulating resin layer and a metal layer laminated on one side of the insulating resin layer.
In the metal-clad laminate of the present invention, the insulating resin layer includes a non-thermoplastic polyimide layer made of non-thermoplastic polyimide, and a thermoplastic polyimide layer provided in contact with at least one surface of the non-thermoplastic polyimide layer. It has a thermoplastic polyimide layer composed of.
In the metal-clad laminate of the present invention, the thermoplastic polyimide layer is interposed between the metal layer and the non-thermoplastic polyimide layer, and the insulating resin layer has a thickness of 2 μm or more and 15 μm or less. The birefringence Δn(xy-z) in the thickness direction is within the range of 0.080 to 0.140.

本発明の金属張積層板において、前記非熱可塑性ポリイミドはテトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含み、全ジアミン残基の100モル部に対して、下記式(1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を、50モル部以上含有するものであってもよい。 In the metal-clad laminate of the present invention, the non-thermoplastic polyimide contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue, and a diamine compound represented by the following formula (1) is added to 100 mole parts of the total diamine residue. It may contain 50 mole parts or more of a diamine residue derived from.

Figure 0007405644000001
Figure 0007405644000001

式(1)において、Rは独立に、ハロゲン原子、又は炭素数1~6のハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数1~6の1価の炭化水素基若しくはアルコキシ基で置換されてもよいフェニル基若しくはフェノキシ基を示し、nは独立に0~4の整数、nは0~1の整数を示す。 In formula (1), R is independently a halogen atom, an alkyl group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or alkoxy It represents a phenyl group or a phenoxy group which may be substituted with a group, n 1 independently represents an integer of 0 to 4, and n 2 represents an integer of 0 to 1.

本発明の金属張積層板は、前記絶縁樹脂層が、前記非熱可塑性ポリイミドによって構成される非熱可塑性ポリイミド層と、前記非熱可塑性ポリイミド層の両側に接して設けられた熱可塑性ポリイミドによって構成される熱可塑性ポリイミド層と、を有していてもよい。
そして、本発明の金属張積層板は、前記金属層に接している側に設けられている前記熱可塑性ポリイミド層の厚みをT1、前記非熱可塑性ポリイミド層の厚みをT2、前記金属層とは反対側に設けられている前記熱可塑性ポリイミド層の厚みをT3、としたとき、T1、T2、T3の厚みが以下の関係式(1)及び(2)を満たすものであってもよい。
(1) 0.8≦T3/T1<1.4
(2) 0.20<(T1+T3)/(T1+T2+T3)≦0.50
In the metal-clad laminate of the present invention, the insulating resin layer is composed of a non-thermoplastic polyimide layer made of the non-thermoplastic polyimide and a thermoplastic polyimide provided in contact with both sides of the non-thermoplastic polyimide layer. It may also have a thermoplastic polyimide layer.
In the metal-clad laminate of the present invention, the thermoplastic polyimide layer provided on the side in contact with the metal layer has a thickness of T1, the non-thermoplastic polyimide layer has a thickness of T2, and the metal layer is When the thickness of the thermoplastic polyimide layer provided on the opposite side is T3, the thicknesses of T1, T2, and T3 may satisfy the following relational expressions (1) and (2).
(1) 0.8≦T3/T1<1.4
(2) 0.20<(T1+T3)/(T1+T2+T3)≦0.50

本発明の金属張積層板は、前記絶縁樹脂層のCTEが15ppm/K以上30ppm/K以下の範囲内であってよく、前記絶縁樹脂層におけるMD方向のCTE(CTEMD)とTD方向のCTE(CTETD)が、下式(i)の関係を満たすものであってもよい。
|(CTEMD-CTETD)/(CTEMD+CTETD)|≦0.05 … (i)
In the metal-clad laminate of the present invention, the CTE of the insulating resin layer may be within a range of 15 ppm/K or more and 30 ppm/K or less, and the CTE in the MD direction (CTE MD ) and the CTE in the TD direction in the insulating resin layer (CTE TD ) may satisfy the relationship of the following formula (i).
|(CTE MD - CTE TD )/(CTE MD +CTE TD )|≦0.05... (i)

本発明の金属張積層板は、前記金属張積層板の幅が470mm以上であってもよく、かつ、前記絶縁樹脂層の厚みのばらつきが±0.5μmの範囲内であってもよい。 In the metal-clad laminate of the present invention, the width of the metal-clad laminate may be 470 mm or more, and the variation in thickness of the insulating resin layer may be within a range of ±0.5 μm.

本発明の金属張積層板は、前記金属層をエッチング除去して得られる絶縁樹脂フィルムにおいて、23℃、湿度50%RHの条件下で、24時間調湿後の50mm角の前記絶縁樹脂フィルムを、その中央部の凸面が平らな面上に接するように静置したとき、4角の浮き上がり量の平均値を算出して得られるカール量が、10mm以下であってもよい。 In the metal-clad laminate of the present invention, in the insulating resin film obtained by etching and removing the metal layer, the insulating resin film of 50 mm square is dried under conditions of 23° C. and 50% RH for 24 hours. , the amount of curl obtained by calculating the average value of the amount of rise of the four corners when the sheet is left standing so that the convex surface of the central portion is in contact with a flat surface may be 10 mm or less.

本発明の金属張積層板は、前記非熱可塑性ポリイミドに含まれる全ジアミン残基の100モル部に対して、前記一般式(1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が50~99モル部の範囲内であってもよく、下記の一般式(2)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が1~50モル部の範囲内であってもよい。 In the metal-clad laminate of the present invention, the diamine residue derived from the diamine compound represented by the general formula (1) is 50 moles per 100 mole parts of the total diamine residues contained in the non-thermoplastic polyimide. The amount of the diamine residue derived from the diamine compound represented by the following general formula (2) may be within the range of 1 to 50 parts by mole.

Figure 0007405644000002
Figure 0007405644000002

式(2)において、Rは独立に、ハロゲン原子、又は炭素数1~6のハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数1~6の1価の炭化水素基若しくはアルコキシ基で置換されてもよいフェニル基若しくはフェノキシ基を示し、
は独立に単結合、-O-、-S-、-CH-、-CH(CH)-、-C(CH)-、-CO-、-SO-、又は-NH-から選ばれる2価の基を示し、
は独立に0~4の整数、nは0~2の整数を示す。
ただし、Zの少なくとも1つは-O-、-S-、-CH-、-CH(CH)-、-C(CH)-、-CO-、-SO-、又は-NH-から選ばれる2価の基を示す。
In formula (2), R is independently a halogen atom, an alkyl group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or alkoxy Indicates a phenyl group or phenoxy group which may be substituted with a group,
Z 1 is independently a single bond, -O-, -S-, -CH 2 -, -CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, -CO-, -SO 2 -, or -NH - indicates a divalent group selected from
n 3 independently represents an integer of 0 to 4, and n 4 represents an integer of 0 to 2.
However, at least one of Z 1 is -O-, -S-, -CH 2 -, -CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, -CO-, -SO 2 -, or - Indicates a divalent group selected from NH-.

本発明の金属張積層板は、前記絶縁樹脂層を基準にして前記金属層とは反対側に、前記絶縁樹脂層に積層された他の金属層をさらに備えていてもよい。 The metal-clad laminate of the present invention may further include another metal layer laminated on the insulating resin layer on the side opposite to the metal layer with respect to the insulating resin layer.

本発明の回路基板は、上記いずれかの金属張積層板の前記金属層を配線に加工してなるものである。 The circuit board of the present invention is formed by processing the metal layer of any of the metal clad laminates described above into wiring.

本発明の金属張積層板は、絶縁樹脂層の厚みが薄く、かつ、高い寸法安定性と面内等方性を有し、金属層への接着性に優れた絶縁樹脂層を備えており、カールも抑制されている。そのため、FPC等への回路加工時において絶縁樹脂層の寸法安定性に優れ、カールも発生しにくい。また、絶縁樹脂層の厚みが薄いことから、多層基板に適用した際に、総厚みが低減され、高密度実装が可能となる。また、絶縁樹脂層の厚みが薄く、金属層への接着性にも優れていることから、回路上に実装されたパワーデバイスやLED素子からの放熱性も優れており、高熱環境においても接着性が担保されている。このため、本発明の金属張積層板は、放熱性が求められる用途においても有用である。 The metal-clad laminate of the present invention has an insulating resin layer that is thin, has high dimensional stability and in-plane isotropy, and has excellent adhesiveness to the metal layer, Curls are also suppressed. Therefore, the insulating resin layer has excellent dimensional stability and is less likely to curl when processing circuits on FPCs and the like. Furthermore, since the thickness of the insulating resin layer is thin, when applied to a multilayer board, the total thickness is reduced and high-density packaging becomes possible. In addition, because the insulating resin layer is thin and has excellent adhesion to metal layers, it has excellent heat dissipation from power devices and LED elements mounted on the circuit, and has excellent adhesion even in high-temperature environments. is guaranteed. Therefore, the metal-clad laminate of the present invention is also useful in applications where heat dissipation is required.

実施例及び比較例で使用したリタデーションの評価システムの説明に供する図面である。FIG. 2 is a drawing for explaining a retardation evaluation system used in Examples and Comparative Examples. 実施例及び比較例で使用したリタデーションの測定方法の説明に供する原理図である。FIG. 2 is a diagram illustrating the principle of a method for measuring retardation used in Examples and Comparative Examples.

次に、本発明の実施の形態について説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described.

<金属張積層板>
本実施の形態の金属張積層板は、絶縁樹脂層と、この絶縁樹脂層の少なくとも片面に積層された金属層とを備えている。なお、本実施の形態の金属張積層板は、絶縁樹脂層の片側に金属層を有する片面金属張積層板であってもよいし、絶縁樹脂層の両側に金属層を有する両面金属張積層板であってもよい。
<Metal-clad laminate>
The metal-clad laminate of this embodiment includes an insulating resin layer and a metal layer laminated on at least one side of the insulating resin layer. Note that the metal-clad laminate of this embodiment may be a single-sided metal-clad laminate having a metal layer on one side of the insulating resin layer, or a double-sided metal-clad laminate having metal layers on both sides of the insulating resin layer. It may be.

<絶縁樹脂層>
本実施の形態の金属張積層板において、絶縁樹脂層は、非熱可塑性ポリイミド層の少なくとも一方に熱可塑性ポリイミド層を有する。すなわち、熱可塑性ポリイミド層は、非熱可塑性ポリイミド層の片面又は両面に設けられていてもよい。また、熱可塑性ポリイミド層は、金属層と非熱可塑性ポリイミド層との間に介在している。つまり、金属層は熱可塑性ポリイミド層の面に接して積層される。ここで、非熱可塑性ポリイミドとは、一般に加熱しても軟化、接着性を示さないポリイミドのことであるが、本発明では、動的粘弾性測定装置(DMA)を用いて測定した、30℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であり、360℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であるポリイミドをいう。また、熱可塑性ポリイミドとは、一般にガラス転移温度(Tg)が明確に確認できるポリイミドのことであるが、本発明では、DMAを用いて測定した、30℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であり、360℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa未満であるポリイミドをいう。
<Insulating resin layer>
In the metal-clad laminate of this embodiment, the insulating resin layer has a thermoplastic polyimide layer on at least one of the non-thermoplastic polyimide layers. That is, the thermoplastic polyimide layer may be provided on one or both sides of the non-thermoplastic polyimide layer. Moreover, the thermoplastic polyimide layer is interposed between the metal layer and the non-thermoplastic polyimide layer. That is, the metal layer is laminated in contact with the surface of the thermoplastic polyimide layer. Here, non-thermoplastic polyimide generally refers to polyimide that does not soften or exhibit adhesive properties even when heated. A polyimide having a storage modulus of 1.0×10 9 Pa or more at 360° C. and a storage modulus of 1.0×10 8 Pa or more at 360° C. In addition, thermoplastic polyimide generally refers to polyimide whose glass transition temperature (Tg) can be clearly confirmed, but in the present invention, the storage modulus at 30°C measured using DMA is 1.0 × 10 9 Pa or more, and a storage modulus at 360° C. of less than 1.0×10 8 Pa.

絶縁樹脂層は、熱可塑性ポリイミド層と非熱可塑性ポリイミド層との2層構造でもよいが、金属層に接している側から、熱可塑性ポリイミド層と非熱可塑性ポリイミド層と熱可塑性ポリイミド層がこの順序で積層された3層構造であることが好ましい。例えば、絶縁樹脂層をキャスト法によって形成する場合では、キャスト面側から熱可塑性ポリイミド層と非熱可塑性ポリイミド層がこの順序で積層された2層構造でもよいし、キャスト面側から熱可塑性ポリイミド層と非熱可塑性ポリイミド層と熱可塑性ポリイミド層がこの順序で積層された3層構造でもよいが、3層構造が好ましい。ここで言う「キャスト面」とはポリイミド層を形成する際における、支持体側の面のことを示す。支持体は、金属張積層板の金属層であっても良いし、ゲルフィルム等を形成する際の支持体であっても良い。なお、絶縁樹脂層においてキャスト面と反対側の面は「ラミネート面」と記述するが、特に記述が無い場合、ラミネート面に金属層が積層されていてもよいし、されていなくても良い。 The insulating resin layer may have a two-layer structure of a thermoplastic polyimide layer and a non-thermoplastic polyimide layer, but from the side in contact with the metal layer, the thermoplastic polyimide layer, the non-thermoplastic polyimide layer and the thermoplastic polyimide layer are It is preferable to have a three-layer structure laminated in sequence. For example, when forming an insulating resin layer by a casting method, it may have a two-layer structure in which a thermoplastic polyimide layer and a non-thermoplastic polyimide layer are laminated in this order from the cast side, or a thermoplastic polyimide layer and a non-thermoplastic polyimide layer are laminated from the cast side. A three-layer structure may be used in which a non-thermoplastic polyimide layer and a thermoplastic polyimide layer are laminated in this order, but a three-layer structure is preferable. The "cast surface" herein refers to the surface on the support side when forming the polyimide layer. The support may be a metal layer of a metal-clad laminate, or a support used when forming a gel film or the like. Note that the surface of the insulating resin layer opposite to the cast surface is described as a "laminate surface," but unless otherwise specified, a metal layer may or may not be laminated on the laminate surface.

<絶縁樹脂層の厚みと厚み方向の複屈折Δn(xy-z)>
寸法安定性を担保するため、金属張積層板には低CTEの非熱可塑性のポリイミド層を含む場合が多いが、非熱可塑性ポリイミド層のCTEは、厚みが薄くなるほどCTEが低下する傾向にある。この挙動はキャスト法では特に顕著にみられ、理由としては加熱処理の過程で、厚みが薄いほど樹脂層中に存在する溶剤の揮発が促進され、分子の配向が進む事が挙げられる。上記の挙動に伴い、厚みが薄いほど厚み方向の配向差も小さくなると考えられる。
このため、従来技術における厚さ25μm程度のポリイミド層における熱可塑性層・非熱可塑性層の厚み比を薄い絶縁樹脂層にそのまま適用しても、低CTE化するため、金属層と樹脂層のCTEミスマッチが発生し、寸法安定性が悪化する。さらに、熱可塑性層・非熱可塑性層で構成されたポリイミドフィルムの場合は、非熱可塑性層の厚み方向における配向分布が変化するため、従来と同様の熱可塑性層・非熱可塑性層の厚み比ではフィルムにてカールが発生する。
すなわち、極薄の絶縁樹脂層では、回路加工後の寸法安定性とカールの抑制を高める観点から、従来技術とは異なる設計思想が求められる。
<Thickness of insulating resin layer and birefringence Δn(xy-z) in the thickness direction>
To ensure dimensional stability, metal-clad laminates often include a non-thermoplastic polyimide layer with a low CTE, but the CTE of the non-thermoplastic polyimide layer tends to decrease as the thickness becomes thinner. . This behavior is particularly noticeable in the casting method, and the reason is that during the heat treatment process, the thinner the resin layer is, the more the solvent present in the resin layer evaporates and the more oriented the molecules become. Due to the above behavior, it is considered that the thinner the thickness, the smaller the orientation difference in the thickness direction.
For this reason, even if the thickness ratio of the thermoplastic layer/non-thermoplastic layer in the polyimide layer with a thickness of about 25 μm in the conventional technology is applied as is to the thin insulating resin layer, the CTE of the metal layer and the resin layer will be lowered. Mismatch occurs and dimensional stability deteriorates. Furthermore, in the case of a polyimide film composed of a thermoplastic layer and a non-thermoplastic layer, the orientation distribution in the thickness direction of the non-thermoplastic layer changes, so the thickness ratio of the thermoplastic layer and non-thermoplastic layer is the same as before. Curling occurs in the film.
In other words, an ultra-thin insulating resin layer requires a different design concept from the conventional technology from the viewpoint of improving dimensional stability after circuit processing and suppressing curling.

回路加工後の寸法安定性を高め、カールを抑制するためには、薄化による低CTE化及び厚み方向における配向分布の変化を考慮した上で熱可塑性層・非熱可塑性層の厚み比を制御し、各層のCTEを含めてバランスを取ることが必要であるが、特に薄い領域においては、各層の単離が困難となるため各層のCTEを把握するのは容易ではない。
さらに、絶縁樹脂層をキャスト法で作製する場合、溶剤の抜け方向が一方向であるため、同一材質、同一厚みでも、積層順位によってCTEが異なった値となる。従って、キャスト法で形成された絶縁樹脂層の各層のCTEは、各層と同じ材質、同じ厚みで別途作製されたポリイミドフィルムを測定して得られるCTEの値とは異なってしまう。
In order to increase the dimensional stability after circuit processing and suppress curling, the thickness ratio of the thermoplastic layer and non-thermoplastic layer must be controlled by considering lower CTE due to thinning and changes in orientation distribution in the thickness direction. However, it is necessary to balance the CTE of each layer, but it is not easy to understand the CTE of each layer because it is difficult to isolate each layer, especially in a thin region.
Furthermore, when an insulating resin layer is manufactured by a casting method, the solvent escapes in one direction, so even if the layers are made of the same material and have the same thickness, the CTE will have different values depending on the order of lamination. Therefore, the CTE of each layer of the insulating resin layer formed by the casting method differs from the CTE value obtained by measuring a polyimide film separately produced from the same material and the same thickness as each layer.

そこで、各層のバランスについて鋭意検討を行った結果、分子の配向性と熱可塑性層・非熱可塑性層の厚み比を厚み方向の複屈折Δn(xy-z)で評価し、所定範囲に収めることで、寸法安定性とフィルムカールを抑制できることを見出した。ここで、「厚み方向の複屈折Δn(xy-z)」とは、ポリイミドフィルムにおいて面内方向(xy平面)の屈折率Nxyと面内方向に直交する断面方向(z方向)の屈折率Nzの差である。
分子配向が進むほど、面内方向に分子が配列する傾向が強くなるため、Δn(xy-z)は大きくなり、配向が進行していない場合はΔn(xy-z)は小さくなる。また、非熱可塑性層の割合が大きくなるほどΔn(xy-z)も大きくなる。
従って、分子の配向度合いと熱可塑性層・非熱可塑性層の厚み比をΔn(xy-z)で評価し、所定の範囲内に収めることで、寸法安定性を高め、フィルムカールを抑制できる。
Therefore, as a result of careful consideration of the balance of each layer, we evaluated the molecular orientation and the thickness ratio of thermoplastic layer/non-thermoplastic layer using birefringence Δn (xy-z) in the thickness direction, and found that it was within a predetermined range. It was discovered that dimensional stability and film curl can be suppressed. Here, "birefringence Δn(xy-z) in the thickness direction" refers to the refractive index Nxy in the in-plane direction (xy plane) and the refractive index Nz in the cross-sectional direction (z direction) orthogonal to the in-plane direction in a polyimide film. This is the difference.
As the molecular orientation progresses, the tendency of the molecules to align in the in-plane direction becomes stronger, so Δn(xy-z) becomes larger, and when the orientation does not progress, Δn(xy-z) becomes smaller. Further, as the proportion of the non-thermoplastic layer increases, Δn(xy-z) also increases.
Therefore, by evaluating the degree of molecular orientation and the thickness ratio of the thermoplastic layer/non-thermoplastic layer using Δn (xy-z) and keeping it within a predetermined range, dimensional stability can be improved and film curl can be suppressed.

このような観点から、本実施の形態の金属張積層板は、絶縁樹脂層の厚みが2μm以上15μm以下の範囲内であり、厚み方向の複屈折Δn(xy-z)を0.080以上0.140以下の範囲内に制御する。
絶縁樹脂層の厚みは、使用する目的に応じて、所定の範囲内の厚みに設定することができるが、絶縁樹脂層の厚みが上記下限値に満たないと、電気絶縁性が担保出来ないことや、ハンドリング性の低下により製造工程にて取扱いが困難になるなどの問題が生じることがある。一方、絶縁樹脂層の厚みが上記上限値を超えると、FPC等の回路基板の薄型化や高密度の実装が困難になる。厚みが薄くなるほど既存設計の適用が困難となるため、本発明の効果は、厚みが薄い領域に適用する場合により大きく発揮される。
また、厚み方向の複屈折Δn(xy-z)は0.080未満であると配向が十分に進んでいないため、寸法安定性悪化の原因となり、厚み方向の配向差も発生しやすくなるため、フィルムとしてもカールが発生しやすくなる。一方で、厚み方向の複屈折Δn(xy-z)が0.140を上回るとCTEが過度に低下し、金属箔のCTEとの不整合によって回路加工後の寸法安定性が悪化する。
From this point of view, in the metal-clad laminate of the present embodiment, the thickness of the insulating resin layer is within the range of 2 μm to 15 μm, and the birefringence Δn(xy-z) in the thickness direction is 0.080 to 0. Control within the range of .140 or less.
The thickness of the insulating resin layer can be set within a predetermined range depending on the purpose of use, but if the thickness of the insulating resin layer is less than the lower limit above, electrical insulation cannot be guaranteed. Problems may arise, such as difficulty in handling during the manufacturing process due to decreased handling properties. On the other hand, if the thickness of the insulating resin layer exceeds the above upper limit, it becomes difficult to reduce the thickness of circuit boards such as FPCs and to implement high-density mounting. The thinner the thickness, the more difficult it becomes to apply the existing design, so the effects of the present invention are more pronounced when applied to thinner areas.
In addition, if the birefringence Δn(xy-z) in the thickness direction is less than 0.080, the orientation will not progress sufficiently, which will cause deterioration of dimensional stability, and orientation differences in the thickness direction will likely occur. The film also tends to curl. On the other hand, when the birefringence Δn(xy-z) in the thickness direction exceeds 0.140, the CTE decreases excessively, and the dimensional stability after circuit processing deteriorates due to mismatch with the CTE of the metal foil.

厚み方向の複屈折Δn(xy-z)は、0.090以上0.140以下が好ましく、0.090以上0.130以下がより好ましく、0.090以上0.120以下が最も好ましい。複屈折Δn(xy-z)を上記所定の範囲に収めることで、フィルムとしてのカールの抑制と、金属層と樹脂層のミスマッチよる寸法安定性の低下を抑制し、絶縁樹脂層の厚みが15μm以下、例えば12μm以下の薄膜であっても、回路加工時の良好なハンドリング性と微細配線の寸法精度を担保することができる。 The birefringence Δn(xy-z) in the thickness direction is preferably 0.090 or more and 0.140 or less, more preferably 0.090 or more and 0.130 or less, and most preferably 0.090 or more and 0.120 or less. By keeping the birefringence Δn(xy-z) within the above-determined range, curling of the film and reduction in dimensional stability due to mismatch between the metal layer and the resin layer can be suppressed, and the thickness of the insulating resin layer can be reduced to 15 μm. Hereinafter, even with a thin film of, for example, 12 μm or less, good handling properties during circuit processing and dimensional accuracy of fine wiring can be ensured.

絶縁樹脂層の厚みは、15μm以下であり、12μm以下が好ましく、9μm以下がより好ましく、5μm以下がさらに好ましい。絶縁樹脂層の厚みが、15μm以下、好ましくは12μm以下、より好ましくは9μm以下、さらに好ましくは5μm以下であることにより、極薄の回路基板の作製が可能になる。従って、薄い筐体内などにおける折畳み配線や多層配線などへの適用の自由度が高くなり、高密度実装が可能となる。 The thickness of the insulating resin layer is 15 μm or less, preferably 12 μm or less, more preferably 9 μm or less, and even more preferably 5 μm or less. When the thickness of the insulating resin layer is 15 μm or less, preferably 12 μm or less, more preferably 9 μm or less, and still more preferably 5 μm or less, it becomes possible to produce an extremely thin circuit board. Therefore, the degree of freedom in application to folded wiring, multilayer wiring, etc. inside a thin housing increases, and high-density packaging becomes possible.

また、本実施の形態において、絶縁樹脂層は、平均厚みをTμmとしたとき、厚みのばらつきがT±0.5μmの範囲内であることが好ましく、T±0.3μmの範囲内であることがより好ましい。厚みのばらつきがT±0.5μmを超えると、厚み方向の複屈折Δn(xy-z)の制御が困難となることがある。 Further, in this embodiment, when the average thickness of the insulating resin layer is Tμm, the thickness variation is preferably within the range of T±0.5μm, and preferably within the range of T±0.3μm. is more preferable. If the thickness variation exceeds T±0.5 μm, it may become difficult to control the birefringence Δn(xy-z) in the thickness direction.

<熱可塑性層と非熱可塑性層の厚み比率>
従来設計においては、前述した厚み方向の配向差によりラミネート面側の配向が促進されるため、特許文献5(特開2006-306086号公報)のように25μm程度の厚みの場合、ラミネート面側の熱可塑性ポリイミド層の厚みをやや厚くすることで、フィルムとしてのカールを抑制している。しかし、ポリイミド層の厚みが15μm以下、特に12μm以下に薄くなると配向の分布が均一に近くなるため、従来設計に比べるとキャスト面側の熱可塑性ポリイミド層の厚み比率を大きくする必要がある。
このような観点からカールの抑制と回路加工後の寸法安定性を高めるために、片面金属張積層板において、金属層に接する側(キャスト面側)に存在する熱可塑性ポリイミド層の厚みをT1、非熱可塑性ポリイミド層の厚みをT2、金属層とは反対側(ラミネート面側)に存在する熱可塑性ポリイミド層の厚みをT3とした際に、T3/T1が0.8以上1.4未満の範囲内であることが好ましい。特に、絶縁樹脂層の厚みが9μmを超え12μm以下であるとき、T3/T1が0.8以上1.3以下の範囲内であることがより好ましく、絶縁樹脂層の厚みが2μm以上9μm以下であるとき、T3/T1が0.9以上1.3以下の範囲内であることが最も好ましい。
比率T3/T1が0.8未満ではキャスト面側の熱可塑性ポリイミド層の影響が大きくなり過ぎるため、キャスト面側へのフィルムのカールが発生する。一方で、比率T3/T1が1.4以上ではラミネート面側の熱可塑性ポリイミド層の影響が大きくなり過ぎるため、ラミネート面側へのフィルムのカールが発生する。
なお、金属張積層板が、絶縁樹脂層の両側に金属層が積層されている両面金属張積層板である場合には、片側の金属層をエッチングによって除去して2種類の片面金属張積層板を形成したとき、いずれか一方の片面金属張積層板が、上記比率T3/T1の関係を満たしていればよい。
<Thickness ratio of thermoplastic layer and non-thermoplastic layer>
In the conventional design, the orientation difference in the thickness direction promotes the orientation on the laminate side. By making the thermoplastic polyimide layer slightly thicker, curling of the film is suppressed. However, when the thickness of the polyimide layer is reduced to 15 μm or less, especially 12 μm or less, the orientation distribution becomes nearly uniform, so it is necessary to increase the thickness ratio of the thermoplastic polyimide layer on the cast surface side compared to the conventional design.
From this point of view, in order to suppress curling and improve dimensional stability after circuit processing, in a single-sided metal-clad laminate, the thickness of the thermoplastic polyimide layer existing on the side in contact with the metal layer (cast side) is T1, When the thickness of the non-thermoplastic polyimide layer is T2 and the thickness of the thermoplastic polyimide layer on the side opposite to the metal layer (laminate side) is T3, T3/T1 is 0.8 or more and less than 1.4. It is preferably within the range. In particular, when the thickness of the insulating resin layer is more than 9 μm and less than 12 μm, T3/T1 is more preferably in the range of 0.8 to 1.3, and when the thickness of the insulating resin layer is more than 2 μm and less than 9 μm, In some cases, it is most preferable that T3/T1 is within the range of 0.9 or more and 1.3 or less.
When the ratio T3/T1 is less than 0.8, the influence of the thermoplastic polyimide layer on the cast side becomes too large, and the film curls toward the cast side. On the other hand, if the ratio T3/T1 is 1.4 or more, the influence of the thermoplastic polyimide layer on the laminate surface side becomes too large, causing curling of the film toward the laminate surface side.
In addition, when the metal-clad laminate is a double-sided metal-clad laminate in which metal layers are laminated on both sides of an insulating resin layer, the metal layer on one side is removed by etching to form two types of single-sided metal-clad laminates. When forming a single-sided metal clad laminate, it is sufficient that one of the single-sided metal clad laminates satisfies the above ratio T3/T1.

さらに、非熱可塑性ポリイミド層と熱可塑性のポリイミド層のバランスとしても、前述した薄化による配向促進により、従来設計よりも熱可塑性のポリイミド層を厚くする必要がある。よって、ポリイミド層に対する熱可塑性ポリイミド層の割合を示す(T1+T3)/(T1+T2+T3)が0.20を上回り0.50以下の範囲内とする。特に、絶縁樹脂層の厚みが9μmを超え12μm以下であるとき、(T1+T3)/(T1+T2+T3)が0.25以上0.50以下の範囲内であることがより好ましく、絶縁樹脂層の厚みが2μm以上9μm以下であるとき、(T1+T3)/(T1+T2+T3)が0.30以上0.50以下の範囲内であることが最も好ましい。
(T1+T3)/(T1+T2+T3)が0.50を越える場合は、非熱可塑性ポリイミド層の厚みが小さすぎるため、絶縁樹脂層のCTEが大きくなって30ppm/Kを超える傾向がある。一方、(T1+T3)/(T1+T2+T3)が0.20以下では、非熱可塑性ポリイミド層の厚みが大きすぎるため、絶縁樹脂層のCTEが小さくなって15ppm/Kを下回る傾向がある。
Furthermore, as for the balance between the non-thermoplastic polyimide layer and the thermoplastic polyimide layer, it is necessary to make the thermoplastic polyimide layer thicker than in the conventional design due to the orientation promotion due to the thinning mentioned above. Therefore, (T1+T3)/(T1+T2+T3), which indicates the ratio of the thermoplastic polyimide layer to the polyimide layer, is set within a range of more than 0.20 and 0.50 or less. In particular, when the thickness of the insulating resin layer is more than 9 μm and less than 12 μm, it is more preferable that (T1+T3)/(T1+T2+T3) is in the range of 0.25 or more and 0.50 or less, and the thickness of the insulating resin layer is 2 μm or more and 9 μm or less, it is most preferable that (T1+T3)/(T1+T2+T3) is within the range of 0.30 or more and 0.50 or less.
When (T1+T3)/(T1+T2+T3) exceeds 0.50, the thickness of the non-thermoplastic polyimide layer is too small, and the CTE of the insulating resin layer tends to increase and exceed 30 ppm/K. On the other hand, when (T1+T3)/(T1+T2+T3) is 0.20 or less, the thickness of the non-thermoplastic polyimide layer is too large, so that the CTE of the insulating resin layer tends to become small and fall below 15 ppm/K.

<CTE>
本実施の形態の金属張積層板は、カールの抑制と回路加工後の寸法安定性を高めるために、絶縁樹脂層のCTEが15ppm/K以上30ppm/K以下の範囲内であることが重要であり、好ましくは15ppm/K以上25ppm/K以下の範囲内がよい。CTEが15ppm/K未満であるか、又は30ppm/Kを超えると、金属張積層板としてのカールの発生や、回路加工後の寸法安定性が低下する等不具合が発生する。
<CTE>
In the metal-clad laminate of this embodiment, in order to suppress curling and improve dimensional stability after circuit processing, it is important that the CTE of the insulating resin layer is within the range of 15 ppm/K or more and 30 ppm/K or less. Yes, preferably within the range of 15 ppm/K or more and 25 ppm/K or less. If the CTE is less than 15 ppm/K or more than 30 ppm/K, problems such as curling of the metal-clad laminate and decreased dimensional stability after circuit processing occur.

また、絶縁樹脂層におけるMD方向(長手方向・搬送方向)のCTE(CTEMD)とTD方向(幅方向)のCTE(CTETD)が、下式(i)の関係を満たすことが好ましい。下式(i)を満たす場合、MD方向とTD方向のCTEの平均値(CTEAVE)に対するMD方向とTD方向のCTEずれが5%以下であり、異方性が少ないことを意味する。絶縁樹脂層のMD方向とTD方向の異方性が大きくなると、寸法安定性に悪影響が出るため、式(i)における左辺の値は小さいほどよい。換言すれば、式(i)を満たす場合は、下式(iii)及び(iv)のいずれも満たす。
|(CTEMD-CTETD)/(CTEMD+CTETD)| ≦ 0.05 … (i)
CTEAVE=(CTEMD +CTETD)/ 2 …(ii)
|(CTEMD-CTEAVE)/(CTEAVE)| ≦ 0.05 … (iii)
|(CTETD-CTEAVE)/(CTEAVE)| ≦ 0.05 … (iv)
Further, it is preferable that the CTE (CTE MD ) in the MD direction (longitudinal direction/conveyance direction) and the CTE (CTE TD ) in the TD direction (width direction) in the insulating resin layer satisfy the relationship of the following formula (i). When the following formula (i) is satisfied, the deviation of the CTE in the MD direction and the TD direction with respect to the average value of the CTE in the MD direction and the TD direction (CTE AVE ) is 5% or less, which means that the anisotropy is small. If the anisotropy of the insulating resin layer in the MD direction and the TD direction increases, the dimensional stability will be adversely affected, so the smaller the value on the left side of equation (i), the better. In other words, when formula (i) is satisfied, both of the following formulas (iii) and (iv) are satisfied.
|(CTE MD - CTE TD )/(CTE MD +CTE TD )| ≦ 0.05... (i)
CTE AVE = (CTE MD + CTE TD )/2...(ii)
|(CTE MD -CTE AVE )/(CTE AVE )| ≦ 0.05... (iii)
|(CTE TD - CTE AVE )/(CTE AVE )| ≦ 0.05... (iv)

絶縁樹脂層において、非熱可塑性ポリイミド層は低熱膨張性のポリイミド層を構成し、熱可塑性ポリイミド層は高熱膨張性のポリイミド層を構成する。ここで、低熱膨張性のポリイミド層は、CTEが好ましくは0ppm/K以上20ppm/K以下の範囲内、より好ましくは0ppm/K以上15ppm/K以下の範囲内のポリイミド層をいう。また、高熱膨張性のポリイミド層は、CTEが好ましくは35ppm/K以上、より好ましくは35ppm/K以上80ppm/K以下の範囲内、更に好ましくは35ppm/K以上70ppm/K以下の範囲内のポリイミド層をいう。ポリイミド層は、使用する原料の組合せ、厚み、乾燥・硬化条件を適宜変更することで所望のCTEを有するポリイミド層とすることができる。 In the insulating resin layer, the non-thermoplastic polyimide layer constitutes a low thermal expansion polyimide layer, and the thermoplastic polyimide layer constitutes a high thermal expansion polyimide layer. Here, the low thermal expansion polyimide layer refers to a polyimide layer having a CTE preferably in the range of 0 ppm/K to 20 ppm/K, more preferably in the range of 0 ppm/K to 15 ppm/K. The high thermal expansion polyimide layer is made of polyimide having a CTE of preferably 35 ppm/K or more, more preferably 35 ppm/K or more and 80 ppm/K or less, and even more preferably 35 ppm/K or more and 70 ppm/K or less. refers to a layer. The polyimide layer can be made into a polyimide layer having a desired CTE by appropriately changing the combination of raw materials used, the thickness, and drying/curing conditions.

本実施の形態の金属張積層板において、絶縁樹脂層は、熱可塑性もしくは非熱可塑性ポリイミドの溶液又は前駆体の溶液を順次塗布するキャスト法によって形成されたものであることが好ましい。キャスト法の場合、複数のポリイミド層を含む厚さ15μm以下、特に12μm以下の極薄の絶縁樹脂層の作製が容易である。それに対し、例えばテンター法の場合は、厚さ15μm以下、特に12μm以下の絶縁樹脂層を作製するには、薄膜を延伸する必要があることから、破断や亀裂が発生しやすく、技術的ハードルが高い。さらに面内における厚みやCTEにばらつきが生じやすく、MD方向とTD方向のCTEに異方性も生じやすくなる。 In the metal-clad laminate of this embodiment, the insulating resin layer is preferably formed by a casting method in which a thermoplastic or non-thermoplastic polyimide solution or a precursor solution is sequentially applied. In the case of the casting method, it is easy to produce an extremely thin insulating resin layer containing a plurality of polyimide layers and having a thickness of 15 μm or less, particularly 12 μm or less. On the other hand, in the case of the tenter method, for example, in order to produce an insulating resin layer with a thickness of 15 μm or less, especially 12 μm or less, it is necessary to stretch the thin film, which tends to cause breaks and cracks, creating technical hurdles. expensive. Furthermore, in-plane thickness and CTE variations tend to occur, and anisotropy also tends to occur in CTE in the MD direction and TD direction.

(非熱可塑性ポリイミド)
本実施の形態において、非熱可塑性ポリイミド層を構成する非熱可塑性ポリイミドは、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含み、これらはいずれも芳香族基を含むことが好ましい。非熱可塑性ポリイミドに含まれるテトラカルボン酸残基及びジアミン残基が、いずれも芳香族基を含むことで、非熱可塑性ポリイミドの秩序構造を形成しやすくなり、寸法安定性向上に寄与すると考えられる。
(Non-thermoplastic polyimide)
In this embodiment, the non-thermoplastic polyimide constituting the non-thermoplastic polyimide layer contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue, both of which preferably contain an aromatic group. The tetracarboxylic acid residue and diamine residue contained in the non-thermoplastic polyimide both contain aromatic groups, which makes it easier to form an ordered structure in the non-thermoplastic polyimide, which is thought to contribute to improved dimensional stability. .

なお、本発明において、テトラカルボン酸残基とは、テトラカルボン酸二無水物から誘導された4価の基のことを表し、ジアミン残基とは、ジアミン化合物から誘導された2価の基のことを表す。また、「ジアミン化合物」は、末端の二つのアミノ基における水素原子が置換されていてもよく、例えば-NR(ここで、R,Rは、独立にアルキル基などの任意の置換基を意味する)であってもよい。 In the present invention, a tetracarboxylic acid residue refers to a tetravalent group derived from a tetracarboxylic dianhydride, and a diamine residue refers to a divalent group derived from a diamine compound. represents something. Further, in the "diamine compound", the hydrogen atoms in the two terminal amino groups may be substituted, for example, -NR 3 R 4 (here, R 3 and R 4 are independently any arbitrary group such as an alkyl group). ) may also mean a substituent.

本実施の形態の金属張積層板に含まれる非熱可塑性ポリイミドは、全ジアミン残基の100モル部に対して、下記一般式(1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が50モル部以上含まれることが好ましい。 The non-thermoplastic polyimide contained in the metal-clad laminate of this embodiment contains diamine residues derived from a diamine compound represented by the following general formula (1) based on 100 mole parts of the total diamine residues. It is preferable that it is contained in an amount of 50 mole parts or more.

Figure 0007405644000003
[式(1)において、Rは独立に、ハロゲン原子、又は炭素数1~6のハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数1~6の1価の炭化水素基若しくはアルコキシ基で置換されてもよいフェニル基若しくはフェノキシ基を示し、nは独立に0~4の整数、nは0~1の整数を示す。]
Figure 0007405644000003
[In formula (1), R is independently a halogen atom, an alkyl group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms; It represents a phenyl group or a phenoxy group which may be substituted with an alkoxy group, n 1 independently represents an integer of 0 to 4, and n 2 represents an integer of 0 to 1. ]

一般式(1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基は、秩序構造を形成しやすく、低CTE化することから寸法安定性を高めることができる。また、ベンゼン環を2つ以上含むことから、イミド基濃度を下げ、低吸湿化にも寄与する事も寸法安定性を高める上で有利な点である。このような観点から、一般式(1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基は、非熱可塑性ポリイミドに含まれる全ジアミン残基の100モル部に対して、50モル部以上含有することが好ましく、60~100モル部の範囲内で含有することがより好ましい。50モル部未満ではCTEが増大し、寸法安定性が悪化する。 Diamine residues derived from the diamine compound represented by the general formula (1) tend to form an ordered structure and can improve dimensional stability by lowering CTE. Furthermore, since it contains two or more benzene rings, it lowers the imide group concentration and contributes to lower moisture absorption, which is also advantageous in terms of increasing dimensional stability. From this point of view, the diamine residue derived from the diamine compound represented by general formula (1) should be contained in an amount of 50 mole parts or more based on 100 mole parts of the total diamine residues contained in the non-thermoplastic polyimide. The content is preferably within the range of 60 to 100 mole parts. If it is less than 50 mole parts, CTE increases and dimensional stability deteriorates.

一般式(1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基の好ましい具体例としては、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル(m-TB)、2,2’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル(m-EB)、2,2’-ジエトキシ-4,4’-ジアミノビフェニル(m-EOB)、2,2’-ジプロポキシ-4,4’-ジアミノビフェニル(m-POB)、2,2’-n-プロピル-4,4’-ジアミノビフェニル(m-NPB)、2,2’-ジビニル-4,4’-ジアミノビフェニル(VAB)、4,4’-ジアミノビフェニル、4,4’-ジアミノ-2,2’-ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル(TFMB)、4、4''―ジアミノ-p-テルフェニル(DATP)等のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が挙げられる。これらの中でも、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル(m-TB)、2,2’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル(m-EB)、4,4’‐ジアミノ‐2,2’‐ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル(TFMB)、4、4''-ジアミノ-p-テルフェニル(DATP)が好適なものとして挙げられ、特に、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル(m-TB)は、秩序構造を形成しやすく、かつイミド基地濃度を下げ、吸湿率を下げることから最も好ましい。 Preferred specific examples of diamine residues derived from the diamine compound represented by general formula (1) include 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB), 2,2'- Diethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-EB), 2,2'-diethoxy-4,4'-diaminobiphenyl (m-EOB), 2,2'-dipropoxy-4,4'-diaminobiphenyl ( m-POB), 2,2'-n-propyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-NPB), 2,2'-divinyl-4,4'-diaminobiphenyl (VAB), 4,4'- Diamines derived from diamine compounds such as diaminobiphenyl, 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB), and 4,4''-diamino-p-terphenyl (DATP) Examples include residues. Among these, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-TB), 2,2'-diethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-EB), 4,4'-diaminobiphenyl Preferred examples include -2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB) and 4,4''-diamino-p-terphenyl (DATP), particularly 2,2'-dimethyl-4 , 4'-diaminobiphenyl (m-TB) is most preferred because it easily forms an ordered structure, lowers the imide base concentration, and lowers the moisture absorption rate.

また、絶縁樹脂層の弾性率を下げ、伸度及び折り曲げ耐性等を向上させるため、非熱可塑性ポリイミドが、下記の一般式(2)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を含むことが好ましい。 In addition, in order to lower the elastic modulus of the insulating resin layer and improve elongation and bending resistance, the non-thermoplastic polyimide contains a diamine residue derived from a diamine compound represented by the following general formula (2). It is preferable.

Figure 0007405644000004
Figure 0007405644000004

ただし、式(2)において、Rは独立に、ハロゲン原子、又は炭素数1~6のハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数1~6の1価の炭化水素基若しくはアルコキシ基で置換されてもよいフェニル基若しくはフェノキシ基を示し、
は独立に単結合、-O-、-S-、-CH-、-CH(CH)-、-C(CH)-、-CO-、-SO-、又は-NH-から選ばれる2価の基を示し、
は独立に0~4の整数、nは0~2の整数を示す。
ただし、Zの少なくとも1つは-O-、-S-、-CH-、-CH(CH)-、-C(CH)-、-CO-、-SO-、又は-NH-から選ばれる2価の基を示す。
However, in formula (2), R is independently a halogen atom, an alkyl group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms. or a phenyl group or phenoxy group which may be substituted with an alkoxy group,
Z 1 is independently a single bond, -O-, -S-, -CH 2 -, -CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, -CO-, -SO 2 -, or -NH - indicates a divalent group selected from
n 3 independently represents an integer of 0 to 4, and n 4 represents an integer of 0 to 2.
However, at least one of Z 1 is -O-, -S-, -CH 2 -, -CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, -CO-, -SO 2 -, or - Indicates a divalent group selected from NH-.

一般式(2)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基は、屈曲性の部位を有するので、絶縁樹脂層に柔軟性を付与することができる。このような観点から、一般式(2)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基は、非熱可塑性ポリイミドに含まれる全ジアミン残基の100モル部に対して、1~50モル部の範囲内で含有することがより好ましく、1~40モル部の範囲内で含有することが最も好ましい。50モル部を越えて含有するとCTEが増大し、寸法安定性が悪化する。また、含有量が1モル部未満の場合は柔軟性が悪化することから、屈曲特性が悪化する。また、非熱可塑性ポリイミドが、上記一般式(1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基と、一般式(2)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基の両方を含有する場合は、非熱可塑性ポリイミドに含まれる全ジアミン残基の100モル部に対して、一般式(1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基の含有量を50~99モル部の範囲内とすることがより好ましく、60~99モル部の範囲内とすることが最も好ましい。 Since the diamine residue derived from the diamine compound represented by the general formula (2) has a flexible site, it can impart flexibility to the insulating resin layer. From this point of view, the diamine residue derived from the diamine compound represented by general formula (2) should be present in an amount of 1 to 50 mole parts based on 100 mole parts of all the diamine residues contained in the non-thermoplastic polyimide. The content is more preferably within the range of 1 to 40 mole parts, and most preferably the content is within the range of 1 to 40 mole parts. If the content exceeds 50 mole parts, the CTE will increase and the dimensional stability will deteriorate. Furthermore, if the content is less than 1 part by mole, the flexibility will deteriorate, and therefore the bending properties will deteriorate. In addition, the non-thermoplastic polyimide contains both diamine residues derived from the diamine compound represented by the above general formula (1) and diamine residues derived from the diamine compound represented by the general formula (2). If contained, the content of diamine residues derived from the diamine compound represented by general formula (1) should be 50 to 99 moles per 100 moles of all diamine residues contained in the non-thermoplastic polyimide. The amount is more preferably within the range of 60 to 99 mole parts, and most preferably within the range of 60 to 99 mole parts.

一般式(2)で表されるジアミン化合物の好ましい具体例としては、例えば、3,3’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルプロパン、3,3’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、3,3-ジアミノジフェニルエーテル、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,4’-ジアミノジフェニルプロパン、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、3,4’-ジアミノベンゾフェノン、(3,3’-ビスアミノ)ジフェニルアミン、1,4-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE-R)、1,4-ビス(4‐アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE-Q)、3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]ベンゼンアミン、3-[3-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]ベンゼンアミン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン(APB)、4,4'-[2-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[4-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、4,4'-[5-メチル-(1,3-フェニレン)ビスオキシ]ビスアニリン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ベンゾフェノン、ビス[4,4'-(3-アミノフェノキシ)]ベンズアニリド、4-[3-[4-(4-アミノフェノキシ)フェノキシ]フェノキシ]アニリン、4,4’-[オキシビス(3,1-フェニレンオキシ)]ビスアニリン、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル(BAPE)、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ケトン(BAPK)、ビス[4-(3-アミノフェノキシ)]ビフェニル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)]ビフェニル、2,2-ビス(4-アミノフェノキシフェニル)プロパン(BAPP)等が挙げられる。これらの中でも,一般式(2)中のnが0であるものが好ましく、例えば4,4’-ジアミノジフェニルエーテル(4,4’-DAPE)、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE-R)、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン(APB)、1,4-ビス(4‐アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE-Q)、2,2-ビス(4-アミノフェノキシフェニル)プロパン(BAPP)が好ましい。 Preferred specific examples of the diamine compound represented by general formula (2) include 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylpropane, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3' -Diaminodiphenyl sulfone, 3,3-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylpropane, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4' -Diaminobenzophenone, (3,3'-bisamino)diphenylamine, 1,4-bis(3-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene (TPE-R), 1,4-bis (4-aminophenoxy)benzene (TPE-Q), 3-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]benzenamine, 3-[3-(4-aminophenoxy)phenoxy]benzenamine, 1,3-bis (3-aminophenoxy)benzene (APB), 4,4'-[2-methyl-(1,3-phenylene)bisoxy]bisaniline, 4,4'-[4-methyl-(1,3-phenylene)bisoxy ]bisaniline, 4,4'-[5-methyl-(1,3-phenylene)bisoxy]bisaniline, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]methane, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl] Propane, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]ether, bis[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfone, bis[4-(3-aminophenoxy)]benzophenone, bis[4,4'- (3-aminophenoxy)]benzanilide, 4-[3-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]phenoxy]aniline, 4,4'-[oxybis(3,1-phenyleneoxy)]bisaniline, bis[4 -(4-aminophenoxy)phenyl]ether (BAPE), bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ketone (BAPK), bis[4-(3-aminophenoxy)]biphenyl, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ketone (BAPK), -aminophenoxy)]biphenyl, 2,2-bis(4-aminophenoxyphenyl)propane (BAPP), and the like. Among these, those in which n 3 in general formula (2) is 0 are preferred, such as 4,4'-diaminodiphenyl ether (4,4'-DAPE), 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene (TPE-R), 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene (APB), 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene (TPE-Q), 2,2-bis(4-aminophenoxy) Phenyl)propane (BAPP) is preferred.

ただし、本発明の目的を阻害しない限り、ポリイミドの原料として通常用いられる他のジアミンを併用することも可能である。他のジアミンとしては、例えば、p‐フェニレンジアミン(p-PDA)、m‐フェニレンジアミン(m-PDA)等が挙げられる。 However, it is also possible to use other diamines commonly used as raw materials for polyimide, as long as they do not impede the purpose of the present invention. Examples of other diamines include p-phenylenediamine (p-PDA) and m-phenylenediamine (m-PDA).

非熱可塑性ポリイミドに含まれるテトラカルボン酸残基としては、特に制限はないが、例えば、ピロメリット酸二無水物(PMDA)から誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、PMDA残基ともいう。)、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)から誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、BPDA残基ともいう。)が好ましく挙げられる。これらのテトラカルボン酸残基は、秩序構造を形成しやすくすることができる。また、PMDA残基は、CTEの制御とガラス転移温度の制御の役割を担う残基である。更に、BPDA残基は、テトラカルボン酸残基の中でも極性基がなく比較的分子量が大きいため、非熱可塑性ポリイミドのイミド基濃度を下げ、絶縁樹脂層の吸湿を抑制する効果も期待できる。このような観点から、PMDA残基及び/又はBPDA残基の合計量が、非熱可塑性ポリイミドに含まれる全テトラカルボン酸残基の100モル部に対して、好ましくは50モル部以上、より好ましくは60~100モル部の範囲内、最も好ましくは80~100モル部の範囲内であることがよい。含有量が50モル部未満となるとCTEが増大し、寸法安定性が悪化する。 The tetracarboxylic acid residue contained in the non-thermoplastic polyimide is not particularly limited, but for example, a tetracarboxylic acid residue derived from pyromellitic dianhydride (PMDA) (hereinafter also referred to as PMDA residue). ), 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA)-derived tetracarboxylic acid residues (hereinafter also referred to as BPDA residues) are preferred. These tetracarboxylic acid residues can facilitate formation of an ordered structure. Furthermore, PMDA residues are residues that play a role in controlling CTE and glass transition temperature. Furthermore, since the BPDA residue has no polar group and has a relatively large molecular weight among tetracarboxylic acid residues, it can be expected to have the effect of lowering the imide group concentration of the non-thermoplastic polyimide and suppressing moisture absorption in the insulating resin layer. From this point of view, the total amount of PMDA residues and/or BPDA residues is preferably 50 parts by mole or more, more preferably is preferably in the range of 60 to 100 parts by mole, most preferably in the range of 80 to 100 parts by mole. When the content is less than 50 parts by mole, CTE increases and dimensional stability deteriorates.

非熱可塑性ポリイミドに含まれる他のテトラカルボン酸残基としては、例えば、2,3',3,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、4,4’-オキシジフタル酸無水物、2,3',3,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-、2,3,3',4'-又は3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3',3,4'-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、3,3'',4,4''-、2,3,3'',4''-又は2,2'',3,3''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(2,3-又は3.4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビス(2,3-又は3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,2,7,8-、1,2,6,7-又は1,2,9,10-フェナンスレン-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-アントラセンテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)テトラフルオロプロパン二無水物、2,3,5,6-シクロヘキサン二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、2,6-又は2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-(又は1,4,5,8-)テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-(又は2,3,6,7-)テトラカルボン酸二無水物、2,3,8,9-、3,4,9,10-、4,5,10,11-又は5,6,11,12-ペリレン-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4’-ビス(2,3-ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルメタン二無水物等の芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基が挙げられる。 Examples of other tetracarboxylic acid residues contained in the non-thermoplastic polyimide include 2,3',3,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride and 2,2',3,3'-biphenyltetracarboxylic acid residue. Acid dianhydride, 3,3',4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic anhydride, 2,3',3,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride 2,2',3,3'-, 2,3,3',4'- or 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,3',3,4 '-Diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, bis(2,3-dicarboxyphenyl)ether dianhydride, 3,3'',4,4''-, 2,3,3'',4''- or 2,2'',3,3''-p-terphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis(2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl)-propane dianhydride, bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl)methane dianhydride, bis(2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl)sulfone dianhydride, 1,1-bis(2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl)ethane dianhydride, 1,2,7,8-, 1,2,6,7- or 1,2,9,10-phenanthrene-tetracarboxylic dianhydride, 2, 3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)tetrafluoropropane dianhydride, 2,3,5,6-cyclohexane dianhydride, 1, 2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 4,8- Dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 2,6- or 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5 ,8-tetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-(or 1,4,5,8-)tetrachloronaphthalene-1,4,5,8-(or 2,3,6,7 -) Tetracarboxylic dianhydride, 2,3,8,9-, 3,4,9,10-, 4,5,10,11- or 5,6,11,12-perylene-tetracarboxylic dianhydride Anhydride, cyclopentane-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride Aromatic tetracarboxylic dianhydrides such as acid dianhydrides, thiophene-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydrides, and 4,4'-bis(2,3-dicarboxyphenoxy)diphenylmethane dianhydrides. Examples include tetracarboxylic acid residues derived from compounds.

上記酸無水物及びジアミンの種類や、2種以上の酸無水物又はジアミンを使用する場合、それぞれのモル比を選定することにより、非熱可塑性ポリイミドのCTE、靭性、熱膨張性、接着性、ガラス転移温度(Tg)等を制御することができる。また、非熱可塑性ポリイミドにおいて、ポリイミドの構造単位を複数有する場合は、ブロックとして存在しても、ランダムに存在していてもよいが、ランダムに存在することが好ましい。 By selecting the types of acid anhydrides and diamines mentioned above, and when using two or more types of acid anhydrides or diamines, the molar ratio of each, the CTE, toughness, thermal expansion property, adhesiveness, etc. of the non-thermoplastic polyimide, Glass transition temperature (Tg) etc. can be controlled. Furthermore, in the case where the non-thermoplastic polyimide has a plurality of polyimide structural units, they may exist as blocks or randomly, but it is preferable that they exist randomly.

非熱可塑性ポリイミドのイミド基濃度は、35重量%以下であることが好ましい。ここで、「イミド基濃度」は、ポリイミド中のイミド基部(-(CO)-N-)の分子量を、ポリイミドの構造全体の分子量で除した値を意味する。イミド基濃度が35重量%を超えると、樹脂自体の分子量が小さくなるとともに、極性基の増加によって低吸湿性も悪化する。上記酸無水物とジアミン化合物の組み合わせを選択することによって、非熱可塑性ポリイミド中の分子の配向性を制御することで、イミド基濃度低下に伴うCTEの増加を抑制し、低吸湿性を担保している。 The imide group concentration of the non-thermoplastic polyimide is preferably 35% by weight or less. Here, "imide group concentration" means the value obtained by dividing the molecular weight of the imide group (-(CO) 2 -N-) in polyimide by the molecular weight of the entire polyimide structure. When the imide group concentration exceeds 35% by weight, the molecular weight of the resin itself decreases, and the low hygroscopicity also deteriorates due to the increase in polar groups. By selecting the combination of the above acid anhydride and diamine compound, the orientation of the molecules in the non-thermoplastic polyimide can be controlled, thereby suppressing the increase in CTE due to a decrease in the imide group concentration and ensuring low hygroscopicity. ing.

非熱可塑性ポリイミドの重量平均分子量は、例えば10,000~400,000の範囲内が好ましく、50,000~350,000の範囲内がより好ましい。重量平均分子量が10,000未満であると、絶縁樹脂層の強度が低下して脆化しやすい傾向となる。一方、重量平均分子量が400,000を超えると、過度に粘度が増加して塗工作業の際に厚みムラ、スジ等の不良が発生しやすい傾向になる。 The weight average molecular weight of the non-thermoplastic polyimide is, for example, preferably within the range of 10,000 to 400,000, more preferably within the range of 50,000 to 350,000. When the weight average molecular weight is less than 10,000, the strength of the insulating resin layer decreases and tends to become brittle. On the other hand, if the weight average molecular weight exceeds 400,000, the viscosity increases excessively and defects such as uneven thickness and streaks tend to occur during coating operations.

(熱可塑性ポリイミド)
本実施の形態において、熱可塑性ポリイミド層を構成する熱可塑性ポリイミドは、テトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含み、これらがいずれも芳香族基を含むことが好ましい。熱可塑性ポリイミドに含まれるテトラカルボン酸残基及びジアミン残基が、いずれも芳香族基を含むことによって、耐熱性を担保することができる。
(Thermoplastic polyimide)
In this embodiment, the thermoplastic polyimide constituting the thermoplastic polyimide layer contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue, and it is preferable that both of these contain an aromatic group. Heat resistance can be ensured by both the tetracarboxylic acid residue and the diamine residue contained in the thermoplastic polyimide containing an aromatic group.

本実施の形態において、熱可塑性ポリイミドに含まれるジアミン残基としては、上記一般式(2)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を含有することが好ましい。一般式(2)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基は、全ジアミン残基の100モル部に対して、50モル部以上であることが好ましく、70~100モル部の範囲内であることがより好ましく、80~100モル部の範囲内が最も好ましい。一般式(2)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を、全ジアミン残基の100モル部に対して50モル部以上含むことによって、熱可塑性ポリイミド層に柔軟性と接着性を付与し、金属層に対する接着層として機能させることができる。また、一般式(2)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基の中でも、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル(4,4’-DAPE)、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン(TPE-R)、2,2-ビス(4-アミノフェノキシフェニル)プロパン(BAPP)が特に好ましい。これらのジアミン化合物から誘導されるジアミン残基は屈曲性の部位を有するので、絶縁樹脂層の弾性率を低下させ、柔軟性を付与することができる。 In this embodiment, the thermoplastic polyimide preferably contains a diamine residue derived from a diamine compound represented by the above general formula (2). The diamine residue derived from the diamine compound represented by general formula (2) is preferably 50 parts by mole or more, and within the range of 70 to 100 parts by mole, based on 100 parts by mole of the total diamine residues. More preferably, the amount is within the range of 80 to 100 mole parts. By containing at least 50 mole parts of diamine residues derived from the diamine compound represented by general formula (2) based on 100 mole parts of the total diamine residues, flexibility and adhesion are imparted to the thermoplastic polyimide layer. It can be applied as an adhesive layer to the metal layer. Furthermore, among the diamine residues derived from the diamine compound represented by general formula (2), 4,4'-diaminodiphenyl ether (4,4'-DAPE), 1,3-bis(4-aminophenoxy) Particularly preferred are benzene (TPE-R) and 2,2-bis(4-aminophenoxyphenyl)propane (BAPP). Since the diamine residues derived from these diamine compounds have flexible sites, they can reduce the elastic modulus of the insulating resin layer and impart flexibility.

本実施の形態において、熱可塑性ポリイミドに含まれる、上記一般式(2)以外のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基としては、例えば、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル(m-TB)、2,2’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル(m-EB)、2,2’-ジエトキシ-4,4’-ジアミノビフェニル(m-EOB)、2,2’-ジプロポキシ-4,4’-ジアミノビフェニル(m-POB)、2,2’-n-プロピル-4,4’-ジアミノビフェニル(m-NPB)、2,2’-ジビニル-4,4’-ジアミノビフェニル(VAB)、4,4’-ジアミノビフェニル、4,4’-ジアミノ-2,2’-ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル(TFMB)、p‐フェニレンジアミン(p-PDA)、m‐フェニレンジアミン(m-PDA)等のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を挙げることができる。 In this embodiment, the diamine residue derived from a diamine compound other than the above general formula (2) contained in the thermoplastic polyimide is, for example, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl ( m-TB), 2,2'-diethyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-EB), 2,2'-diethoxy-4,4'-diaminobiphenyl (m-EOB), 2,2'- Dipropoxy-4,4'-diaminobiphenyl (m-POB), 2,2'-n-propyl-4,4'-diaminobiphenyl (m-NPB), 2,2'-divinyl-4,4'-diamino Biphenyl (VAB), 4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diamino-2,2'-bis(trifluoromethyl)biphenyl (TFMB), p-phenylenediamine (p-PDA), m-phenylenediamine Examples include diamine residues derived from diamine compounds such as (m-PDA).

熱可塑性ポリイミドに含まれるテトラカルボン酸残基としては、特に制限はないが、例えば、ピロメリット酸二無水物(PMDA)から誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、PMDA残基ともいう。)、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物(BPDA)から誘導されるテトラカルボン酸残基(以下、BPDA残基ともいう。)、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(以下、BTDA残基ともいう。)が好ましく挙げられる。これらのテトラカルボン酸残基は、秩序構造を形成しやすく、高温環境下での寸法変化率を小さくすることができる。また、PMDA残基は、CTEの制御とガラス転移温度の制御の役割を担う残基である。更に、BPDA残基は、テトラカルボン酸残基の中でも極性基がなく比較的分子量が大きいため、熱可塑性ポリイミドのイミド基濃度を下げ、絶縁樹脂層の吸湿を抑制する効果も期待できる。更に、BTDA残基は適度な屈曲性をもつことから、CTEを大きく増加させることなく柔軟性を付与することができる。このような観点から、PMDA残基、BPDA残基及び/又はBTDA残基の合計量が、熱可塑性ポリイミドに含まれる全テトラカルボン酸残基の100モル部に対して、好ましくは50モル部以上、より好ましくは60~100モル部の範囲内、最も好ましくは80~100モル部の範囲内であることがよい。 The tetracarboxylic acid residue contained in the thermoplastic polyimide is not particularly limited, but for example, a tetracarboxylic acid residue derived from pyromellitic dianhydride (PMDA) (hereinafter also referred to as PMDA residue). , 3,3',4,4', tetracarboxylic acid residue derived from 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) (hereinafter also referred to as BPDA residue), 3,3',4,4' -benzophenonetetracarboxylic dianhydride (hereinafter also referred to as BTDA residue) is preferably mentioned. These tetracarboxylic acid residues easily form an ordered structure and can reduce the rate of dimensional change in a high temperature environment. Furthermore, PMDA residues are residues that play a role in controlling CTE and glass transition temperature. Furthermore, since the BPDA residue has no polar group and has a relatively large molecular weight among tetracarboxylic acid residues, it can be expected to have the effect of lowering the imide group concentration of the thermoplastic polyimide and suppressing moisture absorption in the insulating resin layer. Furthermore, since BTDA residues have appropriate flexibility, flexibility can be imparted without significantly increasing CTE. From this point of view, the total amount of PMDA residues, BPDA residues and/or BTDA residues is preferably 50 parts by mole or more based on 100 parts by mole of all the tetracarboxylic acid residues contained in the thermoplastic polyimide. , more preferably within the range of 60 to 100 parts by mole, most preferably within the range of 80 to 100 parts by mole.

熱可塑性ポリイミドに含まれる他のテトラカルボン酸残基としては、上記非熱可塑性ポリイミドで例示したものと同様の芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導されるテトラカルボン酸残基が挙げられる。 Other tetracarboxylic acid residues contained in the thermoplastic polyimide include tetracarboxylic acid residues derived from aromatic tetracarboxylic dianhydrides similar to those exemplified in the non-thermoplastic polyimide.

熱可塑性ポリイミドにおいて、上記テトラカルボン酸残基及びジアミン残基の種類や、2種以上のテトラカルボン酸残基又はジアミン残基を含有する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、CTE、引張弾性率、ガラス転移温度等を制御することができる。また、熱可塑性ポリイミドにおいて、ポリイミドの構造単位を複数有する場合は、ブロックとして存在しても、ランダムに存在していてもよいが、ランダムに存在することが好ましい。 In the thermoplastic polyimide, CTE, tensile Elastic modulus, glass transition temperature, etc. can be controlled. Furthermore, when the thermoplastic polyimide has a plurality of polyimide structural units, they may exist as blocks or randomly, but it is preferable that they exist randomly.

熱可塑性ポリイミドのイミド基濃度は、35重量%以下であることが好ましい。ここで、「イミド基濃度」は、ポリイミド中のイミド基部(-(CO)-N-)の分子量を、ポリイミドの構造全体の分子量で除した値を意味する。イミド基濃度が35重量%を超えると、樹脂自体の分子量が小さくなるとともに、極性基の増加によって低吸湿性も悪化する。上記酸無水物とジアミン化合物の組み合わせを選択することによって、熱可塑性ポリイミド中の分子の配向性を制御することで、イミド基濃度低下に伴うCTEの増加を抑制し、低吸湿性を担保している。 The imide group concentration of the thermoplastic polyimide is preferably 35% by weight or less. Here, "imide group concentration" means the value obtained by dividing the molecular weight of the imide group (-(CO) 2 -N-) in polyimide by the molecular weight of the entire polyimide structure. When the imide group concentration exceeds 35% by weight, the molecular weight of the resin itself decreases, and the low hygroscopicity also deteriorates due to the increase in polar groups. By selecting a combination of the above acid anhydride and diamine compound, the orientation of molecules in the thermoplastic polyimide can be controlled, suppressing the increase in CTE due to a decrease in imide group concentration and ensuring low hygroscopicity. There is.

熱可塑性ポリイミドの重量平均分子量は、例えば10,000~600,000の範囲内が好ましく、50,000~500,000の範囲内がより好ましい。重量平均分子量が10,000未満であると、絶縁樹脂層の強度が低下して脆化しやすい傾向となる。一方、重量平均分子量が600,000を超えると、過度に粘度が増加して塗工作業の際に厚みムラ、スジ等の不良が発生しやすい傾向になる。 The weight average molecular weight of the thermoplastic polyimide is, for example, preferably within the range of 10,000 to 600,000, more preferably within the range of 50,000 to 500,000. When the weight average molecular weight is less than 10,000, the strength of the insulating resin layer decreases and tends to become brittle. On the other hand, if the weight average molecular weight exceeds 600,000, the viscosity increases excessively and defects such as uneven thickness and streaks tend to occur during coating operations.

(非熱可塑性ポリイミド及び熱可塑性ポリイミドの合成)
一般にポリイミドは、テトラカルボン酸二無水物と、ジアミン化合物を溶媒中で反応させ、ポリアミド酸を生成したのち加熱閉環させることにより製造できる。例えば、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物をほぼ等モルで有機溶媒中に溶解させて、0~100℃の範囲内の温度で30分~24時間撹拌し重合反応させることでポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が得られる。反応にあたっては、生成する前駆体が有機溶媒中に5~30重量%の範囲内、好ましくは6~20重量%の範囲内となるように反応成分を溶解する。重合反応に用いる有機溶媒としては、例えば、N,N-ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N-ジメチルアセトアミド(DMAc)、N,N-ジエチルアセトアミド、N-メチル-2-ピロリドン(NMP)、2-ブタノン、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ヘキサメチルホスホルアミド、N-メチルカプロラクタム、硫酸ジメチル、シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、トリグライム、クレゾール等が挙げられる。これらの溶媒を2種以上併用して使用することもでき、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の併用も可能である。また、このような有機溶媒の使用量としては特に制限されるものではないが、重合反応によって得られるポリアミド酸溶液の濃度が5~30重量%程度になるような使用量に調整して用いることが好ましい。
(Synthesis of non-thermoplastic polyimide and thermoplastic polyimide)
Generally, polyimide can be produced by reacting a tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound in a solvent to produce a polyamic acid, which is then ring-closed by heating. For example, a polyimide precursor can be obtained by dissolving approximately equimolar amounts of tetracarboxylic dianhydride and a diamine compound in an organic solvent, stirring at a temperature within the range of 0 to 100°C for 30 minutes to 24 hours, and causing a polymerization reaction. A polyamic acid is obtained. In the reaction, the reaction components are dissolved in the organic solvent so that the amount of the precursor to be produced is within the range of 5 to 30% by weight, preferably within the range of 6 to 20% by weight. Examples of organic solvents used in the polymerization reaction include N,N-dimethylformamide (DMF), N,N-dimethylacetamide (DMAc), N,N-diethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone (NMP), 2 -butanone, dimethyl sulfoxide (DMSO), hexamethylphosphoramide, N-methylcaprolactam, dimethyl sulfate, cyclohexanone, dioxane, tetrahydrofuran, diglyme, triglyme, cresol and the like. Two or more of these solvents can be used in combination, and aromatic hydrocarbons such as xylene and toluene can also be used in combination. Further, the amount of such an organic solvent to be used is not particularly limited, but it should be adjusted to an amount such that the concentration of the polyamic acid solution obtained by the polymerization reaction is about 5 to 30% by weight. is preferred.

合成されたポリアミド酸は、通常、反応溶媒溶液として使用することが有利であるが、必要により濃縮、希釈又は他の有機溶媒に置換することができる。また、ポリアミド酸は一般に溶媒可溶性に優れるので、有利に使用される。ポリアミド酸の溶液の粘度は、500cps~100,000cpsの範囲内であることが好ましい。この範囲を外れると、コーター等による塗工作業の際にフィルムに厚みムラ、スジ等の不良が発生し易くなる。ポリアミド酸をイミド化させる方法は、特に制限されず、例えば前記溶媒中で、80~400℃の範囲内の温度条件で1~24時間かけて加熱するといった熱処理が好適に採用される。 It is usually advantageous to use the synthesized polyamic acid as a reaction solvent solution, but it can be concentrated, diluted, or replaced with another organic solvent if necessary. In addition, polyamic acids generally have excellent solvent solubility, so they are advantageously used. Preferably, the viscosity of the polyamic acid solution is within the range of 500 cps to 100,000 cps. Outside this range, defects such as uneven thickness and streaks are likely to occur in the film during coating operations using a coater or the like. The method of imidizing polyamic acid is not particularly limited, and for example, heat treatment such as heating in the above-mentioned solvent at a temperature within the range of 80 to 400° C. for 1 to 24 hours is preferably employed.

<金属層>
金属層を構成する金属としては、例えば、銅、アルミニウム、ステンレス、鉄、銀、パラジウム、ニッケル、クロム、モリブデン、タングステン、ジルコニウム、金、コバルト、チタン、タンタル、亜鉛、鉛、錫、シリコン、ビスマス、インジウム又はこれらの合金などから選択される金属を挙げることができる。金属層は、例えば、スパッタ、蒸着、めっき等の方法で形成することもできるが、接着性の観点から金属箔を用いることが好ましい。導電性の点で特に好ましいものは銅箔である。銅箔は、電解銅箔、圧延銅箔のいずれでもよい。なお、本実施の形態の金属張積層板を連続的に生産する場合には、金属箔として、所定の厚さのものがロール状に巻き取られた長尺状の金属箔が用いられる。
<Metal layer>
Examples of metals constituting the metal layer include copper, aluminum, stainless steel, iron, silver, palladium, nickel, chromium, molybdenum, tungsten, zirconium, gold, cobalt, titanium, tantalum, zinc, lead, tin, silicon, and bismuth. , indium, or an alloy thereof. Although the metal layer can be formed by, for example, sputtering, vapor deposition, plating, or other methods, it is preferable to use metal foil from the viewpoint of adhesiveness. Copper foil is particularly preferred in terms of conductivity. The copper foil may be either an electrolytic copper foil or a rolled copper foil. In addition, when the metal-clad laminate of this embodiment is continuously produced, a long metal foil having a predetermined thickness is wound into a roll as the metal foil.

金属層は、少なくとも熱可塑性ポリイミド層と接する側の表面に、ニッケル、亜鉛及びコバルトを含む防錆層を有する銅箔であることが好ましい。この場合、銅箔少なくとも熱可塑性ポリイミド層と接する側の表面粗さRzが1.0μm以下であることが好ましく、0.6μm以下であることがより好ましい。銅箔の表面粗さRzが1.0μmを超えると、全体厚さが15μm以下、特に12μm以下である極薄の絶縁樹脂層において、銅箔に接する熱可塑性ポリイミド層が損傷し、絶縁性、ピール強度等に不具合が生じる。 The metal layer is preferably a copper foil having a rust-proofing layer containing nickel, zinc, and cobalt on at least the surface in contact with the thermoplastic polyimide layer. In this case, the surface roughness Rz of the copper foil at least on the side in contact with the thermoplastic polyimide layer is preferably 1.0 μm or less, more preferably 0.6 μm or less. If the surface roughness Rz of the copper foil exceeds 1.0 μm, the thermoplastic polyimide layer in contact with the copper foil will be damaged in an ultra-thin insulating resin layer with an overall thickness of 15 μm or less, especially 12 μm or less, and the insulation will deteriorate. Problems occur in peel strength, etc.

本実施の形態の金属張積層板は、金属層をエッチング除去して得られる絶縁樹脂フィルムにおいて、23℃、湿度50%RHの条件下で、24時間調湿後の50mm角の前記絶縁樹脂フィルムを、その中央部の凸面が平らな面上に接するように静置したとき、4角の浮き上がり量の平均値を算出して得られるカール量が、10mm以下であることが好ましく、8mm以下がより好ましく、5mm以下が最も好ましい。カール量が10mmを超えると、ハンドリング性が低下するとともに、回路加工時の寸法精度維持が困難になる。 The metal-clad laminate of this embodiment is an insulating resin film obtained by etching away a metal layer, and the insulating resin film is 50 mm square after being conditioned for 24 hours at 23° C. and 50% RH. When it is left standing so that the convex surface in the center is in contact with a flat surface, the amount of curl obtained by calculating the average value of the raised amount of the four corners is preferably 10 mm or less, and 8 mm or less. More preferably, it is 5 mm or less. When the amount of curl exceeds 10 mm, handling properties deteriorate and it becomes difficult to maintain dimensional accuracy during circuit processing.

本実施の形態の金属張積層板の幅(つまり、TD方向の長さ)は、470mm以上であることが好ましく、470~1200mmの範囲内であることがより好ましい。一般に、金属張積層板の幅(つまり、TD方向の長さ)が大きくなるほど、寸法安定性と面内等方性の制御が困難になってばらつきが大きくなる傾向がある。このことから、本発明は、幅が470mm以上である金属張積層板への適用において特に有用であり、発明の効果が大きく発揮されることになる。また、幅が1200mmを越えると面内の寸法安定性や厚みのばらつきが大きくなり、例えばFPC等への加工時に不具合が発生しやすくなり歩留りが悪化する傾向になる。 The width (that is, the length in the TD direction) of the metal-clad laminate of this embodiment is preferably 470 mm or more, and more preferably within the range of 470 to 1200 mm. Generally, as the width (that is, the length in the TD direction) of a metal-clad laminate increases, it becomes difficult to control dimensional stability and in-plane isotropy, and variations tend to increase. From this, the present invention is particularly useful when applied to metal-clad laminates having a width of 470 mm or more, and the effects of the invention are greatly exhibited. Furthermore, if the width exceeds 1200 mm, the in-plane dimensional stability and thickness variations will increase, and problems will tend to occur during processing into, for example, FPC, and the yield will tend to deteriorate.

以下、金属張積層板の好ましい実施の形態として、銅層を有する銅張積層板を挙げて、説明する。 Hereinafter, a copper-clad laminate having a copper layer will be cited and described as a preferred embodiment of the metal-clad laminate.

<銅張積層板>
本実施の形態の銅張積層板は、絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層の少なくとも一方の面に銅箔等の銅層を備えていればよい。また、絶縁樹脂層と銅層の接着性を高めるために、絶縁樹脂層における銅層に接する層が、熱可塑性ポリイミド層である。絶縁樹脂層は、上記金属張積層板について説明したものと同様の構成を有している。
銅層は、絶縁樹脂層の片面又は両面に設けられている。つまり、本実施の形態の銅張積層板は、片面銅張積層板(片面CCL)でもよいし、両面銅張積層板(両面CCL)でもよい。片面CCLの場合、絶縁樹脂層の片面に積層された銅層を、本発明における「第1の銅層」とする。両面CCLの場合、絶縁樹脂層の片面に積層された銅層を、本発明における「第1の銅層」とし、絶縁樹脂層において、第1の銅層が積層された面とは反対側の面に積層された銅層を、本発明における「第2の銅層」とする。なお、「第2の銅層」は、絶縁樹脂層を基準にして第1の銅層とは反対側に積層された「他の金属層」に相当する。本実施の形態の銅張積層板は、銅層をエッチングするなどして配線回路加工して銅配線を形成し、FPCとして使用される。
<Copper-clad laminate>
The copper-clad laminate of this embodiment may include an insulating resin layer and a copper layer such as copper foil on at least one surface of the insulating resin layer. Furthermore, in order to improve the adhesiveness between the insulating resin layer and the copper layer, the layer in the insulating resin layer that is in contact with the copper layer is a thermoplastic polyimide layer. The insulating resin layer has the same structure as that described for the metal clad laminate.
The copper layer is provided on one or both sides of the insulating resin layer. That is, the copper-clad laminate of this embodiment may be a single-sided copper-clad laminate (single-sided CCL) or a double-sided copper-clad laminate (double-sided CCL). In the case of a single-sided CCL, the copper layer laminated on one side of the insulating resin layer is referred to as the "first copper layer" in the present invention. In the case of double-sided CCL, the copper layer laminated on one side of the insulating resin layer is referred to as the "first copper layer" in the present invention, and the copper layer on the opposite side of the insulating resin layer to the side on which the first copper layer is laminated is referred to as the "first copper layer" in the present invention. The copper layer laminated on the surface is referred to as the "second copper layer" in the present invention. Note that the "second copper layer" corresponds to "another metal layer" laminated on the opposite side of the first copper layer with respect to the insulating resin layer. The copper-clad laminate of this embodiment is used as an FPC by processing a wiring circuit by etching the copper layer to form copper wiring.

銅張積層板は、例えばポリイミドの樹脂フィルムを用意し、これに金属をスパッタリングしてシード層を形成した後、例えば銅メッキによって銅層を形成することによって調製してもよい。 A copper-clad laminate may be prepared, for example, by preparing a polyimide resin film, sputtering metal onto it to form a seed layer, and then forming a copper layer by, for example, copper plating.

また、銅張積層板は、ポリイミドの樹脂フィルムを用意し、これに銅箔を熱圧着などの方法でラミネートすることによって調製してもよい。 Further, the copper-clad laminate may be prepared by preparing a polyimide resin film and laminating copper foil thereon by a method such as thermocompression bonding.

さらに、銅張積層板は、銅箔の上にポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を含有する塗布液をキャストし、乾燥して塗布膜とした後、熱処理してイミド化し、ポリイミド層を形成することによって調製してもよい。キャスト法によって複数のポリイミド層からなる絶縁樹脂層を形成する場合は、ポリアミド酸の塗布液を順次塗布することができる。例えば、ポリイミド層が3層構造である場合は、銅箔上に熱可塑性ポリイミドの前駆体層、非熱可塑性ポリイミドの前駆体層、熱可塑性ポリイミドの前駆体層がこの順に積層されるように順次ポリアミド酸の塗布液を塗布した後、熱処理してイミド化する方法が好ましい。 Furthermore, copper-clad laminates are produced by casting a coating solution containing polyamic acid, which is a precursor of polyimide, onto copper foil, drying it to form a coating film, and then heat-treating it to imidize it to form a polyimide layer. It may be prepared by When forming an insulating resin layer consisting of a plurality of polyimide layers by a casting method, a coating solution of polyamic acid can be sequentially applied. For example, if the polyimide layer has a three-layer structure, a thermoplastic polyimide precursor layer, a non-thermoplastic polyimide precursor layer, and a thermoplastic polyimide precursor layer are laminated in this order on the copper foil. A preferred method is to apply a polyamic acid coating solution and then heat-treat it to imidize it.

(第1の銅層)
本実施の形態の銅張積層板において、第1の銅層に使用される銅箔(以下、「第1の銅箔」と記すことがある)は、特に限定されるものではなく、例えば、圧延銅箔でも電解銅箔でもよい。
(first copper layer)
In the copper-clad laminate of this embodiment, the copper foil used for the first copper layer (hereinafter sometimes referred to as "first copper foil") is not particularly limited, and for example, It may be rolled copper foil or electrolytic copper foil.

第1の銅箔の厚みは、例えば高密度実装や屈曲性が求められる場合においては、好ましくは35μm以下であり、より好ましくは6~18μmの範囲内がよい。第1の銅箔の厚みが35μmを超えると、銅張積層板(又はFPC)を折り曲げた際の銅層(又は銅配線)に加わる曲げ応力が大きくなることにより耐折り曲げ性が低下することとなる。また、生産安定性及びハンドリング性の観点から、第1の銅箔の厚みの下限値は6μmとすることが好ましい。また、例えばパワーモジュールやLEDの基板等、放熱性が求められる用途においては、第1の銅箔の厚みは、好ましくは18μm以上、より好ましくは18μm~50μmの範囲内、さらに好ましくは35μm~50μmの範囲内がよい。放熱性が求められる用途においては、実装されるデバイスの要求電力から、大電流が求められる場合が多く、金属層の厚みを厚くすることが好ましく、金属層の厚みが18μm未満ではデバイスへの供給電流に制限が発生し、50μmを越えると加工性が悪化する傾向になる。 The thickness of the first copper foil is preferably 35 μm or less, more preferably within the range of 6 to 18 μm, for example when high-density packaging or flexibility is required. If the thickness of the first copper foil exceeds 35 μm, bending resistance will decrease due to increased bending stress applied to the copper layer (or copper wiring) when the copper-clad laminate (or FPC) is bent. Become. Moreover, from the viewpoint of production stability and handling property, it is preferable that the lower limit of the thickness of the first copper foil is 6 μm. Furthermore, in applications where heat dissipation is required, such as power modules and LED boards, the thickness of the first copper foil is preferably 18 μm or more, more preferably within the range of 18 μm to 50 μm, and even more preferably 35 μm to 50 μm. It is better to be within the range of . In applications where heat dissipation is required, a large current is often required due to the power requirements of the mounted device, so it is preferable to increase the thickness of the metal layer, and if the thickness of the metal layer is less than 18 μm, the power supply to the device will be reduced. There is a limit to the current, and if it exceeds 50 μm, workability tends to deteriorate.

また、第1の銅箔の引張弾性率は、例えば、50~300GPaの範囲内であることが好ましく、70~250GPaの範囲内がより好ましい。本実施の形態で第1の銅箔として圧延銅箔を使用する場合は、熱処理によってアニールされると、柔軟性が高くなりやすい。従って、銅箔の引張弾性率が上記下限値に満たないと、長尺な第1の銅箔上に絶縁樹脂層を形成する工程において、加熱によって第1の銅箔自体の剛性が低下してしまう。一方、引張弾性率が上記上限値を超えるとFPCを折り曲げた際に銅配線により大きな曲げ応力が加わることとなり、その耐折り曲げ性が低下する。なお、圧延銅箔は、銅箔上に絶縁樹脂層を形成する際の熱処理条件や、絶縁樹脂層を形成した後の銅箔のアニール処理などにより、その引張弾性率が変化する傾向がある。従って、本実施の形態では、最終的に得られた銅張積層板において、第1の銅箔の引張弾性率が上記範囲内にあればよい。 Further, the tensile modulus of the first copper foil is, for example, preferably within the range of 50 to 300 GPa, more preferably within the range of 70 to 250 GPa. When a rolled copper foil is used as the first copper foil in this embodiment, flexibility tends to increase when it is annealed by heat treatment. Therefore, if the tensile modulus of the copper foil is less than the above lower limit, the rigidity of the first copper foil itself will decrease due to heating during the process of forming an insulating resin layer on the long first copper foil. Put it away. On the other hand, if the tensile modulus exceeds the above upper limit, a greater bending stress will be applied to the copper wiring when the FPC is bent, resulting in a decrease in its bending resistance. Note that the tensile modulus of rolled copper foil tends to change depending on heat treatment conditions when forming an insulating resin layer on the copper foil, annealing treatment of the copper foil after forming the insulating resin layer, and the like. Therefore, in this embodiment, it is sufficient that the tensile modulus of the first copper foil is within the above range in the copper-clad laminate finally obtained.

第1の銅箔は、特に限定されるものではなく、市販されている圧延銅箔を用いることができる。 The first copper foil is not particularly limited, and commercially available rolled copper foil can be used.

(第2の銅層)
第2の銅層は、絶縁樹脂層における第1の銅層とは反対側の面に積層されている。第2の銅層に使用される銅箔(第2の銅箔)としては、特に限定されるものではなく、例えば、圧延銅箔でも電解銅箔でもよい。また、第2の銅箔として、市販されている銅箔を用いることもできる。なお、第2の銅箔として、第1の銅箔と同じものを使用してもよい。
(Second copper layer)
The second copper layer is laminated on the opposite surface of the insulating resin layer from the first copper layer. The copper foil (second copper foil) used for the second copper layer is not particularly limited, and may be, for example, rolled copper foil or electrolytic copper foil. Moreover, a commercially available copper foil can also be used as the second copper foil. Note that the second copper foil may be the same as the first copper foil.

以上のように、本実施の形態の金属張積層板は、絶縁樹脂層の厚さが15μm以下、好ましくは12μm以下の極薄層でありながら、高い寸法安定性と面内等方性を有し、金属層の接着性に優れた絶縁樹脂層を有しており、カールも抑制されたものである。そのため、回路加工工程、基板積層工程及び部品実装工程の際の環境変化(例えば高温・高圧環境、湿度変化など)による寸法変化やカールが効果的に抑制される。また、絶縁樹脂層の厚さが15μm以下、好ましくは12μm以下であるため、金属張積層板から得られるFPC等の回路基板の高密度実装が可能である。従って、本実施の形態の金属張積層板を回路基板材料として利用することによって、電子機器の微細化への対応が可能であるとともに、回路基板の信頼性と歩留まりの向上を図ることができる。また、絶縁樹脂層が薄く、金属層との接着性も優れていることからパワーモジュールやLEDの基板等、放熱性が求められる用途においても有用である。 As described above, the metal-clad laminate of this embodiment has high dimensional stability and in-plane isotropy even though the insulating resin layer is an extremely thin layer with a thickness of 15 μm or less, preferably 12 μm or less. However, it has an insulating resin layer with excellent adhesion to the metal layer, and curling is also suppressed. Therefore, dimensional changes and curls due to environmental changes (for example, high temperature/high pressure environment, humidity changes, etc.) during circuit processing, board lamination, and component mounting processes are effectively suppressed. Furthermore, since the thickness of the insulating resin layer is 15 μm or less, preferably 12 μm or less, high-density mounting of circuit boards such as FPCs obtained from metal-clad laminates is possible. Therefore, by using the metal-clad laminate of this embodiment as a circuit board material, it is possible to respond to miniaturization of electronic devices, and it is also possible to improve the reliability and yield of the circuit board. Furthermore, since the insulating resin layer is thin and has excellent adhesion to metal layers, it is also useful in applications where heat dissipation is required, such as power modules and LED substrates.

<回路基板>
本実施の形態の金属張積層板は、主にFPC等の回路基板の材料として有用である。例えば、上記に例示の銅張積層板の銅層を常法によってパターン状に加工して配線層を形成することによって、本発明の一実施の形態であるFPC等の回路基板を製造できる。また、本発明の一実施の形態であるFPC等の回路基板を複数層に積層した多層回路基板やリジッドフレキシブル基板(リジッドFPC)を製造できる。
<Circuit board>
The metal-clad laminate of this embodiment is mainly useful as a material for circuit boards such as FPCs. For example, a circuit board such as an FPC, which is an embodiment of the present invention, can be manufactured by processing the copper layer of the above-exemplified copper-clad laminate into a pattern by a conventional method to form a wiring layer. Further, it is possible to manufacture a multilayer circuit board or a rigid-flexible board (rigid FPC), which is an embodiment of the present invention, in which circuit boards such as FPC are laminated in multiple layers.

また、本発明の一実施の形態であるFPC等の回路基板は絶縁樹脂層が薄いため、例えばパワーモジュールやLEDの基板等、放熱性が求められる用途においても有用な材料となる。このような用途においては、デバイスへの供給電流を増やすために、金属層の厚みを厚くしてもよい。さらに、放熱性を高めるために絶縁樹脂層の厚みを薄くしてもよい。絶縁樹脂層を薄くする場合、絶縁樹脂層の厚みは好ましくは2μm~9μmの範囲内、より好ましくは2μm~5μmの範囲内がよい。絶縁樹脂層の厚みが9μmを越えると放熱性が損なわれ、2μm未満では回路加工時の破れや、FPCとして加工後に絶縁性が担保できなくなるなど不具合が懸念される。 Furthermore, since the circuit board such as FPC, which is an embodiment of the present invention, has a thin insulating resin layer, it is also a useful material in applications where heat dissipation is required, such as power modules and LED boards. In such applications, the thickness of the metal layer may be increased to increase the current supplied to the device. Furthermore, the thickness of the insulating resin layer may be reduced in order to improve heat dissipation. When making the insulating resin layer thinner, the thickness of the insulating resin layer is preferably within the range of 2 μm to 9 μm, more preferably within the range of 2 μm to 5 μm. If the thickness of the insulating resin layer exceeds 9 μm, heat dissipation will be impaired, and if it is less than 2 μm, there are concerns that problems such as breakage during circuit processing and failure to maintain insulation properties after processing as an FPC may occur.

以下に実施例を示し、本発明の特徴をより具体的に説明する。ただし、本発明の範囲は、実施例に限定されない。なお、以下の実施例において、特にことわりのない限り各種測定、評価は下記によるものである。 Examples are shown below to explain the features of the present invention more specifically. However, the scope of the present invention is not limited to the examples. In addition, in the following examples, various measurements and evaluations are as follows unless otherwise specified.

[粘度の測定]
E型粘度計(ブルックフィールド社製、商品名;DV-II+Pro)を用いて、25℃における粘度を測定した。トルクが10%~90%になるよう回転数を設定し、測定を開始してから2分経過後、粘度が安定した時の値を読み取った。
[Measurement of viscosity]
The viscosity at 25° C. was measured using an E-type viscometer (manufactured by Brookfield, trade name: DV-II+Pro). The rotational speed was set so that the torque was 10% to 90%, and the value was read when the viscosity stabilized 2 minutes after starting the measurement.

[重量平均分子量の測定]
重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー(東ソー株式会社製、商品名;HLC-8220GPC)により測定した。標準物質としてポリスチレンを用い、展開溶媒にはN,N-ジメチルアセトアミドを用いた。
[Measurement of weight average molecular weight]
The weight average molecular weight was measured by gel permeation chromatography (manufactured by Tosoh Corporation, trade name: HLC-8220GPC). Polystyrene was used as a standard substance, and N,N-dimethylacetamide was used as a developing solvent.

[貯蔵弾性率の測定]
5mm×20mmのサイズのポリイミドフィルムを、動的粘弾性測定装置(DMA:ユー・ビー・エム社製、商品名;E4000F)を用いて、30℃から400℃まで昇温速度4℃/分、周波数11Hzで測定を行い、30℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であり、360℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa未満を示すものを「熱可塑性」とし、30℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上であり、360℃における貯蔵弾性率が1.0×10Pa以上を示すものを「非熱可塑性」とした。
[Measurement of storage modulus]
A polyimide film with a size of 5 mm x 20 mm was heated from 30°C to 400°C at a heating rate of 4°C/min using a dynamic viscoelasticity measurement device (DMA: manufactured by UBM, trade name: E4000F). When measured at a frequency of 11 Hz, the storage modulus at 30 ° C. is 1.0 × 10 9 Pa or more, and the storage modulus at 360 ° C. is less than 1.0 × 10 8 Pa. A material exhibiting a storage modulus of 1.0×10 9 Pa or more at 30° C. and a storage modulus of 1.0×10 8 Pa or more at 360° C. was defined as “non-thermoplastic.”

[熱膨張係数(CTE)の測定]
3mm×20mmのサイズのポリイミドフィルムを、サーモメカニカルアナライザー(Bruker社製、商品名;4000SA)を用い、5.0gの荷重を加えながら一定の昇温速度で30℃から265℃まで20℃/分の速度で昇温させ、更にその温度で10分保持した後、5℃/分の速度で冷却し、250℃から100℃までの平均熱膨張係数(熱膨張係数)を求めた。
[Measurement of coefficient of thermal expansion (CTE)]
Using a thermomechanical analyzer (manufactured by Bruker, trade name: 4000SA), a polyimide film with a size of 3 mm x 20 mm was heated at a constant heating rate from 30 to 265 °C at 20 °C/min while applying a load of 5.0 g. The temperature was raised at a rate of 250°C to 100°C, and the temperature was further maintained for 10 minutes, and then cooled at a rate of 5°C/minute to determine the average coefficient of thermal expansion from 250°C to 100°C.

[銅箔の表面粗度の測定]
銅箔の表面粗度は、AFM(ブルカー・エイエックスエス社製、商品名:Dimension Icon型SPM)、プローブ(ブルカー・エイエックスエス社製、商品名:TESPA(NCHV)、先端曲率半径10nm、ばね定数42N/m)を用いて、タッピングモードで、銅箔表面の80μm×80μmの範囲について測定し、十点平均粗さ(Rz)を求めた。
[Measurement of surface roughness of copper foil]
The surface roughness of the copper foil was measured using AFM (manufactured by Bruker AXS, trade name: Dimension Icon type SPM), probe (manufactured by Bruker AXS, trade name: TESPA (NCHV), tip radius of curvature 10 nm, Using a spring constant of 42 N/m), measurement was performed in a tapping mode over an 80 μm x 80 μm area on the surface of the copper foil, and the ten-point average roughness (Rz) was determined.

[リタデーションReと厚み方向の複屈折Δn(xy-z)について]
厚み方向の複屈折Δn(xy-z)は、複屈折率計(フォトニックラティス社製、商品名;ワイドレンジ複屈折評価システムWPA-100、測定エリア;MD:20mm×TD:15mm)を用いて測定した。厚み方向の複屈折Δn(xy-z)は、公知の偏光状態制御装置(例えば、特開2016-126804号公報を参考)により、後述するリタデーションReを測定し、その測定結果から算出した。
[About retardation Re and birefringence Δn(xy-z) in the thickness direction]
Birefringence Δn(xy-z) in the thickness direction was measured using a birefringence meter (manufactured by Photonic Lattice, product name: Wide Range Birefringence Evaluation System WPA-100, measurement area: MD: 20 mm x TD: 15 mm). It was measured using The birefringence Δn(xy-z) in the thickness direction was calculated from the measurement results by measuring retardation Re, which will be described later, using a known polarization state control device (for example, see JP-A-2016-126804).

まず、リタデーションReの評価方法について説明する。図1は、リタデーションReの評価システムの一部を示す説明図である。
リタデーションReの評価システムは、複屈折・位相差評価装置(株式会社フォトニックラティス社製、WPA-100)と、試料に入射する光の入射角θを変更するために試料を回転させる図示しない回転装置によって構成されている。図1において、符号20は、試料を示し、符号21は、複屈折・位相差評価装置の光源を示し、符号22は、複屈折・位相差評価装置の受光部を示している。光源21が出射する光の波長は、543nmである。試料20は、固定用の枠に支持された状態で、図示しない回転装置に固定されている。
First, a method for evaluating retardation Re will be explained. FIG. 1 is an explanatory diagram showing a part of the retardation Re evaluation system.
The retardation Re evaluation system uses a birefringence/phase difference evaluation device (manufactured by Photonic Lattice Co., Ltd., WPA-100) and a method (not shown) that rotates the sample to change the incident angle θ 1 of light incident on the sample. It consists of a rotating device. In FIG. 1, reference numeral 20 indicates a sample, reference numeral 21 indicates a light source of the birefringence/phase difference evaluation apparatus, and reference numeral 22 indicates a light receiving section of the birefringence/phase difference evaluation apparatus. The wavelength of the light emitted by the light source 21 is 543 nm. The sample 20 is fixed to a rotating device (not shown) while being supported by a fixing frame.

リタデーションReは、図示しない回転装置によって、前述の枠に支持された試料20の傾斜角度を変えることによって、試料20に入射する光の入射角θを変化させながら測定した(図2参照)。入射角θは、0°、±30°、±45°、±60°に変化させてそれぞれの角度でリタデーションReを測定した。 The retardation Re was measured while changing the incident angle θ 1 of the light incident on the sample 20 by changing the inclination angle of the sample 20 supported by the above-mentioned frame using a rotating device (not shown) (see FIG. 2). The incident angle θ 1 was changed to 0°, ±30°, ±45°, and ±60°, and the retardation Re was measured at each angle.

次に、厚み方向の複屈折Δn(xy-z)の算出方法について説明する。厚み方向の複屈折Δn(xy-z)は、リタデーションReの測定結果を用いて算出した。前述したリタデーション評価システムを用いて、ポリイミドフィルムを評価すると、入射角θ1、屈折角θは図2のように示される。図2において、符号2はポリイミドフィルムを示し、符号2aはポリイミドフィルム2のラミネート面であり、符号2bはポリイミドフィルム2のキャスト面であり、dはポリイミドフィルムの厚みを示す。ここで、ラミネート面2aに入射する前の光を記号Lで表し、ポリイミドフィルム2中の光を記号Lで表し、キャスト面2bから出射した光を記号Lで表す。X軸、Y軸、Z軸はそれぞれ直交し、XY方向はポリイミドフィルムのラミネート面2aと平行な軸であり、Z方向はポリイミドフィルム2のラミネート面2aと直交する軸であり、厚み方向の軸である。 Next, a method for calculating birefringence Δn(xy-z) in the thickness direction will be explained. The birefringence Δn(xy-z) in the thickness direction was calculated using the measurement results of the retardation Re. When a polyimide film is evaluated using the retardation evaluation system described above, the incident angle θ 1 and the refraction angle θ 2 are shown as shown in FIG. In FIG. 2, numeral 2 indicates a polyimide film, numeral 2a indicates the laminated surface of the polyimide film 2, numeral 2b indicates the cast surface of the polyimide film 2, and d indicates the thickness of the polyimide film. Here, the light before entering the laminate surface 2a is represented by the symbol L1 , the light in the polyimide film 2 is represented by the symbol L2 , and the light emitted from the cast surface 2b is represented by the symbol L3 . The X-axis, Y-axis, and Z-axis are orthogonal to each other, the XY direction is an axis parallel to the laminate surface 2a of the polyimide film 2, the Z direction is an axis perpendicular to the laminate surface 2a of the polyimide film 2, and the axis in the thickness direction It is.

以下の式(A)に示されるように、リタデーションReは、厚みdと厚み方向の複屈折Δn(xy-z)と屈折角θに依存する。屈折角θは入射角θに依存する。従って、複数の入射角θについて得られた複数のリタデーションReの実測値から、複屈折Δn(xy-z)を算出することができる。
Re=d・Δn(xy-z)・sinθ/cosθ ・・・ (A)
ただし、屈折角θ2は、フィルム内部でのビームとフィルム法線とのなす角であり、入射角θ1とは、スネルの法則より、θ=sin-1(sinθ/N)の関係となる。ここで、dは膜厚、Nは測定サンプルの屈折率である。
なお、Δn(xy-z)は面内方向の屈折率と厚み方向の屈折率の差であり、
Δn(xy-z)=nxy-nを満たす。
xy: 面内方向の屈折率
: 厚み方向の屈折率
As shown in the following equation (A), the retardation Re depends on the thickness d, the birefringence Δn(xy-z) in the thickness direction, and the refraction angle θ 2 . The angle of refraction θ 2 depends on the angle of incidence θ 1 . Therefore, birefringence Δn(xy-z) can be calculated from a plurality of measured values of retardation Re obtained for a plurality of incident angles θ1 .
Re=d・Δn(xy-z)・sin 2 θ 2 /cosθ 2 ... (A)
However, the refraction angle θ 2 is the angle between the beam inside the film and the normal line of the film, and the incident angle θ 1 is the relationship of θ 2 = sin −1 (sin θ 1 /N) from Snell's law. becomes. Here, d is the film thickness, and N is the refractive index of the measurement sample.
Note that Δn(xy-z) is the difference between the refractive index in the in-plane direction and the refractive index in the thickness direction,
Δn(xy-z)=n xy -n z is satisfied.
n xy : refractive index in the in-plane direction n z : refractive index in the thickness direction

[カール量の測定]
金属張積層板のサンプルから銅箔をエッチング除去し、ポリイミドフィルムを得た後、50mm×50mmのサイズのポリイミドフィルムを、23℃、50%RH下で24時間調湿後、カールしている方向を上面とし、平滑な台上に設置した。その際のカール量についてノギスを用いて測定を行った。この際、フィルムが基材エッチング面側にカールした場合をプラス表記、反対面にカールした場合をマイナス表記とし、フィルムの4角の測定値の平均をカール量とした。
[Measurement of curl amount]
After etching away the copper foil from the metal-clad laminate sample to obtain a polyimide film, the polyimide film with a size of 50 mm x 50 mm was conditioned for 24 hours at 23°C and 50% RH, and the direction in which it curled was It was placed on a smooth table with the upper surface facing up. The amount of curl at that time was measured using calipers. At this time, the case where the film curled toward the etched surface of the base material was indicated as a plus, the case where the film curled on the opposite side was indicated as a minus, and the average of the measured values of the four corners of the film was defined as the amount of curl.

[厚み測定]
幅方向において約90mm離れた5点のポイントについて、金属張積層板のサンプルから銅箔をエッチング除去し、ポリイミドフィルムを得た後に厚みを測定した。5点の厚みの平均値を厚みとし、平均値と各点の差異を厚みばらつきとして評価した。
[Thickness measurement]
The copper foil was etched away from the sample of the metal-clad laminate at five points separated by about 90 mm in the width direction, and the thickness was measured after obtaining a polyimide film. The average value of the thickness at 5 points was taken as the thickness, and the difference between the average value and each point was evaluated as thickness variation.

[ピール強度の測定]
金属張積層板のサンプルからの銅箔を幅1.0mm、間隔5.0mmのライン&スペースに回路加工した後、幅;8cm×長さ;4cmに切断し、測定サンプル1を調製した。測定サンプル1のキャスト面側のピール強度を以下の方法で測定した。
テンシロンテスター(東洋精機製作所製、商品名;ストログラフVE-1D)を用いて、測定サンプル1の樹脂層側を両面テープによりアルミ板に固定し、銅箔を180°方向に50mm/分の速度で剥離していき、銅箔が樹脂層から10mm剥離したときの中央強度を求めた。
[Measurement of peel strength]
A copper foil from a sample of a metal-clad laminate was circuit-processed into lines and spaces with a width of 1.0 mm and an interval of 5.0 mm, and then cut into 8 cm width x 4 cm length to prepare measurement sample 1. The peel strength of the cast surface side of Measurement Sample 1 was measured by the following method.
Using a Tensilon tester (manufactured by Toyo Seiki Seisakusho, product name: Strograph VE-1D), the resin layer side of measurement sample 1 was fixed to an aluminum plate with double-sided tape, and the copper foil was heated in a 180° direction at a speed of 50 mm/min. The central strength was determined when the copper foil was peeled off by 10 mm from the resin layer.

実施例及び比較例に用いた略号は、以下の化合物を示す。
BPDA:3,3',4,4'‐ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
PMDA:ピロメリット酸二無水物
BTDA:3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
m‐TB:2,2'‐ジメチル‐4,4'‐ジアミノビフェニル
TPE-R:1,3-ビス(4‐アミノフェノキシ)ベンゼン
TPE-Q:1,4-ビス(4‐アミノフェノキシ)ベンゼン
DAPE:4,4'-ジアミノジフェニルエーテル
BAPP:2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
DMAc:N,N‐ジメチルアセトアミド
Abbreviations used in Examples and Comparative Examples indicate the following compounds.
BPDA: 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride PMDA: Pyromellitic dianhydride BTDA: 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride m-TB: 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl TPE-R: 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene TPE-Q: 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene DAPE: 4, 4'-diaminodiphenyl ether BAPP: 2,2-bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propane DMAc: N,N-dimethylacetamide

(合成例1)
窒素気流下で、反応槽に、94.1重量部のm-TB(0.40モル部)及び14.3重量部のTPE-R(0.05モル部)並びに重合後の固形分濃度が7.5重量%となる量のDMAcを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、29.4重量部のBPDA(0.10モル部)及び87.1重量部のPMDA(0.4モル部)を添加した後、室温で3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリイミド前駆体樹脂液aを得た。ポリイミド前駆体樹脂液aの溶液粘度は12,000cps、重量平均分子量は250,000であった。
(Synthesis example 1)
Under a nitrogen stream, 94.1 parts by weight of m-TB (0.40 mol parts) and 14.3 parts by weight of TPE-R (0.05 mol parts) and the solid content concentration after polymerization were added to the reaction tank. DMAc in an amount of 7.5% by weight was added and dissolved by stirring at room temperature. Next, after adding 29.4 parts by weight of BPDA (0.10 parts by mole) and 87.1 parts by weight of PMDA (0.4 parts by mole), stirring was continued for 3 hours at room temperature to carry out a polymerization reaction. Polyimide precursor resin liquid a was obtained. The solution viscosity of the polyimide precursor resin liquid a was 12,000 cps, and the weight average molecular weight was 250,000.

(合成例2)
窒素気流下で、反応槽に、77.8重量部のBAPP(0.19モル部)及び重合後の固形分濃度が6.0重量%となる量のDMAcを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、2.8重量部のBPDA(0.01モル部)及び39.4重量部のPMDA(0.18モル部)を添加した後、室温で3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリイミド前駆体樹脂液bを得た。ポリイミド前駆体樹脂液bの溶液粘度は700cps、重量平均分子量は261,000であった。
(Synthesis example 2)
Under a nitrogen stream, 77.8 parts by weight of BAPP (0.19 mol parts) and DMAc in an amount such that the solid content concentration after polymerization is 6.0% by weight were charged into a reaction tank, and the mixture was stirred at room temperature. Dissolved. Next, after adding 2.8 parts by weight of BPDA (0.01 mol part) and 39.4 parts by weight of PMDA (0.18 mol part), stirring was continued for 3 hours at room temperature to carry out a polymerization reaction. Polyimide precursor resin liquid b was obtained. Polyimide precursor resin liquid b had a solution viscosity of 700 cps and a weight average molecular weight of 261,000.

(合成例3)
窒素気流下で、反応槽に、53.5重量部のDAPE(0.27モル部)及び重合後の固形分濃度が7.0重量%となる量のDMAcを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、86.7重量部のBTDA(0.27モル部)を添加した後、室温で3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリイミド前駆体樹脂液cを得た。ポリイミド前駆体樹脂液cの溶液粘度は1,200cps、重量平均分子量は140,000であった。
(Synthesis example 3)
Under a nitrogen stream, 53.5 parts by weight of DAPE (0.27 mol parts) and DMAc in an amount such that the solid content concentration after polymerization was 7.0% by weight were placed in a reaction tank, and the mixture was stirred at room temperature. Dissolved. Next, after adding 86.7 parts by weight of BTDA (0.27 parts by mole), stirring was continued for 3 hours at room temperature to carry out a polymerization reaction to obtain polyimide precursor resin liquid c. The solution viscosity of the polyimide precursor resin liquid C was 1,200 cps, and the weight average molecular weight was 140,000.

(合成例4)
窒素気流下で、反応槽に、35.96重量部のm-TB(0.1691モル部)、2.75重量部のTPE-Q(0.0094モル部)及び3.86重量部のBAPP(0.0094モル部)並びに重合後の固形分濃度が15.0重量%となる量のDMAcを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、20.18重量部のPMDA(0.0925モル部)及び27.26重量部のBPDA(0.0925モル部)を添加した後、室温で3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリイミド前駆体樹脂液dを得た。ポリイミド前駆体樹脂液dの溶液粘度は25,000cps、重量平均分子量は220,000であった。
(Synthesis example 4)
Under a nitrogen stream, 35.96 parts by weight of m-TB (0.1691 mol parts), 2.75 parts by weight of TPE-Q (0.0094 mol parts) and 3.86 parts by weight of BAPP were added to the reaction tank. (0.0094 mol part) and DMAc in an amount such that the solid content concentration after polymerization was 15.0% by weight were added and dissolved by stirring at room temperature. Next, after adding 20.18 parts by weight of PMDA (0.0925 mol parts) and 27.26 parts by weight of BPDA (0.0925 mol parts), stirring was continued for 3 hours at room temperature to carry out a polymerization reaction. Polyimide precursor resin liquid d was obtained. The solution viscosity of the polyimide precursor resin liquid d was 25,000 cps, and the weight average molecular weight was 220,000.

(合成例5)
窒素気流下で、反応槽に、5.63重量部のm-TB(0.0265モル部)及び30.96重量部のTPE-R(0.1059モル部)並びに重合後の固形分濃度が15.0重量%となる量のDMAcを投入し、室温で撹拌して溶解させた。次に、8.53重量部のPMDA(0.0391モル部)及び26.88重量部のBPDA(0.0913モル部)を添加した後、室温で3時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリイミド前駆体樹脂液eを得た。ポリイミド前駆体樹脂液eの溶液粘度は3,000cps、重量平均分子量は120,000であった。
(Synthesis example 5)
Under a nitrogen stream, 5.63 parts by weight of m-TB (0.0265 mol parts) and 30.96 parts by weight of TPE-R (0.1059 mol parts) and the solid content concentration after polymerization were added to the reaction tank. DMAc in an amount of 15.0% by weight was added and dissolved by stirring at room temperature. Next, after adding 8.53 parts by weight of PMDA (0.0391 mol parts) and 26.88 parts by weight of BPDA (0.0913 mol parts), stirring was continued for 3 hours at room temperature to carry out a polymerization reaction. A polyimide precursor resin liquid e was obtained. The solution viscosity of the polyimide precursor resin liquid e was 3,000 cps, and the weight average molecular weight was 120,000.

(実施例1)
銅箔1(電解銅箔、福田金属箔粉工業社製、商品名;T49-DS―HD2、厚さ;12μm)の粗化処理面(Rz=0.6μm)に、ポリイミド前駆体樹脂液bをダイコーターによって塗工幅500mmで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。次に、その上に積層するようにポリイミド前駆体樹脂液aをダイコーターによって塗工幅500mmで均一に塗布し、90~125℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。更に、ポリイミド前駆体樹脂液a層上にポリイミド前駆体樹脂液c をダイコーターによって塗工幅500mmで均一に塗布し、130℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。この後、室温から320℃ まで段階的な昇温プロセスで約30分かけて熱処理しイミド化させ、3層のポリイミド系樹脂層からなる合計厚み約4.5μm(厚みばらつき±0.3μm以内)の絶縁樹脂層が銅箔1上に形成された金属張積層板1を得た。銅箔1上に塗布したポリイミド前駆体樹脂液の硬化後厚みは、b/a/cの順に、約0.8μm/約2.9μm/約0.8μmである。この金属張積層板1の評価結果は以下のとおりである。
厚み方向複屈折Δn(xy-z);0.113
CTEMD;20ppm/K
CTETD;20ppm/K
フィルムカール量;1.8mm
キャスト面側とラミネート面側の熱可塑性ポリイミド層の厚み比;T3/T1=1.0
熱可塑性層の割合;(T1+T3)/(T1+T2+T3)=0.36
ピール強度;0.6kN/m
(Example 1)
Polyimide precursor resin liquid b was applied to the roughened surface (Rz=0.6 μm) of copper foil 1 (electrolytic copper foil, manufactured by Fukuda Metal Foil and Powder Industries Co., Ltd., product name: T49-DS-HD2, thickness: 12 μm). After uniform coating with a coating width of 500 mm using a die coater, the solvent was removed by heating and drying at 130°C. Next, polyimide precursor resin liquid a was uniformly coated with a coating width of 500 mm using a die coater so as to be laminated thereon, and the solvent was removed by heating and drying at 90 to 125°C. Further, polyimide precursor resin liquid C was uniformly applied onto the polyimide precursor resin liquid A layer using a die coater with a coating width of 500 mm, and was heated and dried at 130°C to remove the solvent. After this, the temperature is gradually raised from room temperature to 320°C for about 30 minutes to heat-treat and imidize, resulting in a total thickness of about 4.5 μm (thickness variation within ±0.3 μm) consisting of 3 polyimide resin layers. A metal-clad laminate 1 was obtained in which an insulating resin layer was formed on a copper foil 1. The thickness of the polyimide precursor resin liquid coated on the copper foil 1 after curing is approximately 0.8 μm/approximately 2.9 μm/approximately 0.8 μm in the order of b/a/c. The evaluation results of this metal-clad laminate 1 are as follows.
Thickness direction birefringence Δn(xy-z); 0.113
CTE MD ; 20ppm/K
CTE TD ; 20ppm/K
Film curl amount: 1.8mm
Thickness ratio of thermoplastic polyimide layer on cast side and laminate side: T3/T1=1.0
Ratio of thermoplastic layer; (T1+T3)/(T1+T2+T3)=0.36
Peel strength: 0.6kN/m

(実施例2)
銅箔1の粗化処理面に、ポリイミド前駆体樹脂液bをダイコーターによって塗工幅500mmで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。次に、その上に積層するようにポリイミド前駆体樹脂液aをダイコーターによって塗工幅500mmで均一に塗布し、90~125℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。更に、ポリイミド前駆体樹脂液a層上にポリイミド前駆体樹脂液b をダイコーターによって塗工幅500mmで均一に塗布し、130℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。この後、室温から320℃ まで段階的な昇温プロセスで約30分かけて熱処理しイミド化させ、3層のポリイミド系樹脂層からなる合計厚み約11.8μm(厚みばらつき±0.3μm以内)の絶縁樹脂層が銅箔1上に形成された金属張積層板2を得た。銅箔1上に塗布したポリイミド前駆体樹脂液の硬化後厚みは、b/a/bの順に、約1.8μm/約8.0μm/約2.0μmである。この金属張積層板2の評価結果は以下のとおりである。
厚み方向複屈折Δn(xy-z);0.131
CTEMD;23ppm/K
CTETD;23ppm/K
フィルムカール量;-1.0mm
キャスト面側とラミネート面側の熱可塑性ポリイミド層の厚み比;T3/T1=1.1
熱可塑性層の割合;(T1+T3)/(T1+T2+T3)=0.32
ピール強度;0.9kN/m
(Example 2)
Polyimide precursor resin liquid b was uniformly applied to the roughened surface of copper foil 1 with a coating width of 500 mm using a die coater, and then heated and dried at 130° C. to remove the solvent. Next, polyimide precursor resin liquid a was uniformly coated with a coating width of 500 mm using a die coater so as to be laminated thereon, and the solvent was removed by heating and drying at 90 to 125°C. Further, polyimide precursor resin liquid B was uniformly applied onto the polyimide precursor resin liquid A layer using a die coater with a coating width of 500 mm, and the solvent was removed by heating and drying at 130°C. After this, the temperature is gradually raised from room temperature to 320°C for about 30 minutes to be heat-treated and imidized, resulting in a total thickness of about 11.8 μm (thickness variation within ±0.3 μm) consisting of 3 polyimide resin layers. A metal-clad laminate 2 was obtained in which an insulating resin layer was formed on a copper foil 1. The thickness of the polyimide precursor resin liquid coated on the copper foil 1 after curing is approximately 1.8 μm/approximately 8.0 μm/approximately 2.0 μm in the order of b/a/b. The evaluation results of this metal-clad laminate 2 are as follows.
Thickness direction birefringence Δn(xy-z); 0.131
CTE MD ; 23ppm/K
CTE TD ; 23ppm/K
Film curl amount: -1.0mm
Thickness ratio of thermoplastic polyimide layer on cast side and laminate side: T3/T1=1.1
Ratio of thermoplastic layer; (T1+T3)/(T1+T2+T3)=0.32
Peel strength: 0.9kN/m

(実施例3)
銅箔1の粗化処理面に、ポリイミド前駆体樹脂液bをダイコーターによって塗工幅500mmで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。次に、その上に積層するようにポリイミド前駆体樹脂液aをダイコーターによって塗工幅500mmで均一に塗布し、90~125℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。更に、ポリイミド前駆体樹脂液a層上にポリイミド前駆体樹脂液bをダイコーターによって塗工幅500mmで均一に塗布し、130℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。この後、室温から320℃ まで段階的な昇温プロセスで約25分かけて熱処理しイミド化させ、3層のポリイミド系樹脂層からなる合計厚み約11.1μm(厚みばらつき±0.3μm以内)の絶縁樹脂層が銅箔1上に形成された金属張積層板3を得た。銅箔1上に塗布したポリイミド前駆体樹脂液の硬化後厚みは、b/a/bの順に、約2.1μm/約6.8μm/約2.2μmである。この金属張積層板3の評価結果は以下のとおりである。
厚み方向複屈折Δn(xy-z);0.138
CTEMD;27ppm/K
CTETD;27ppm/K
フィルムカール量;9.3mm
キャスト面側とラミネート面側の熱可塑性ポリイミド層の厚み比;T3/T1=1.0
熱可塑性層の割合;(T1+T3)/(T1+T2+T3)=0.39
ピール強度;0.9kN/m
(Example 3)
Polyimide precursor resin liquid b was uniformly applied to the roughened surface of copper foil 1 with a coating width of 500 mm using a die coater, and then heated and dried at 130° C. to remove the solvent. Next, polyimide precursor resin liquid a was uniformly coated with a coating width of 500 mm using a die coater so as to be laminated thereon, and the solvent was removed by heating and drying at 90 to 125°C. Furthermore, polyimide precursor resin liquid B was uniformly applied onto the polyimide precursor resin liquid A layer using a die coater in a coating width of 500 mm, and was dried by heating at 130° C. to remove the solvent. After that, heat treatment is performed in a stepwise temperature raising process from room temperature to 320°C for about 25 minutes to imidize, resulting in a total thickness of about 11.1 μm (thickness variation within ±0.3 μm) consisting of 3 polyimide resin layers. A metal-clad laminate 3 was obtained in which an insulating resin layer was formed on a copper foil 1. The thickness of the polyimide precursor resin liquid coated on the copper foil 1 after curing is approximately 2.1 μm/approximately 6.8 μm/approximately 2.2 μm in the order of b/a/b. The evaluation results of this metal-clad laminate 3 are as follows.
Thickness direction birefringence Δn(xy-z); 0.138
CTE MD ; 27ppm/K
CTE TD ; 27ppm/K
Film curl amount: 9.3mm
Thickness ratio of thermoplastic polyimide layer on cast side and laminate side: T3/T1=1.0
Ratio of thermoplastic layer; (T1+T3)/(T1+T2+T3)=0.39
Peel strength: 0.9kN/m

(参考例1)
銅箔1の粗化処理面に、ポリイミド前駆体樹脂液eをダイコーターによって塗工幅500mmで均一に塗布したのち、130℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。次に、その上に積層するようにポリイミド前駆体樹脂液dをダイコーターによって塗工幅500mmで均一に塗布し、90~125℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。更に、ポリイミド前駆体樹脂液d層上にポリイミド前駆体樹脂液eをダイコーターによって塗工幅500mmで均一に塗布し、135℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。この後、室温から320℃ まで段階的な昇温プロセスで約30分かけて熱処理しイミド化させ、3層のポリイミド系樹脂層からなる合計厚み約24.1μm(厚みばらつき±0.3μm以内)の絶縁樹脂層が銅箔1上に形成された金属張積層板4を得た。銅箔1上に塗布したポリイミド前駆体樹脂液の硬化後厚みは、e/d/eの順に、約2.0μm/約19.3μm/約2.8μmである。この金属張積層板4の評価結果は以下のとおりである。
厚み方向複屈折Δn(xy-z);0.142
CTEMD;23ppm/K
CTETD;23ppm/K
フィルムカール量;0.5mm
キャスト面側とラミネート面側の熱可塑性ポリイミド層の厚み比;T3/T1=1.4
熱可塑性層の割合;(T1+T3)/(T1+T2+T3)=0.20
ピール強度;>1.0kN/m
(Reference example 1)
Polyimide precursor resin liquid e was uniformly applied to the roughened surface of copper foil 1 with a coating width of 500 mm using a die coater, and then heated and dried at 130° C. to remove the solvent. Next, the polyimide precursor resin liquid d was uniformly coated with a coating width of 500 mm using a die coater so as to be laminated thereon, and the solvent was removed by heating and drying at 90 to 125°C. Furthermore, the polyimide precursor resin liquid e was uniformly applied onto the polyimide precursor resin liquid layer d using a die coater with a coating width of 500 mm, and the mixture was heated and dried at 135° C. to remove the solvent. After this, the temperature is gradually raised from room temperature to 320°C for about 30 minutes to heat-treat and imidize it, resulting in a total thickness of about 24.1 μm (thickness variation within ±0.3 μm) consisting of 3 polyimide resin layers. A metal-clad laminate 4 having an insulating resin layer formed on a copper foil 1 was obtained. The thickness of the polyimide precursor resin liquid coated on the copper foil 1 after curing is approximately 2.0 μm/approximately 19.3 μm/approximately 2.8 μm in the order of e/d/e. The evaluation results of this metal-clad laminate 4 are as follows.
Thickness direction birefringence Δn(xy-z); 0.142
CTE MD ; 23ppm/K
CTE TD ; 23ppm/K
Film curl amount: 0.5mm
Thickness ratio of thermoplastic polyimide layer on cast side and laminate side: T3/T1=1.4
Ratio of thermoplastic layer; (T1+T3)/(T1+T2+T3)=0.20
Peel strength: >1.0kN/m

(比較例1)
銅箔1にポリイミド前駆体樹脂液aをダイコーターによって塗工幅500mmで均一に塗布し、90~125℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。この後、室温から280℃まで約5分かけて段階的に昇温しイミド化させ、厚み約5.2μm(厚みばらつき±0.3μm)の絶縁樹脂層が銅箔1上に形成された金属張積層板5を得た。この金属張積層板5の評価結果は以下のとおりである。
厚み方向複屈折Δn(xy-z);0.123
CTEMD;22ppm/K
CTETD;21ppm/K
フィルムカール量;20mm以上(フィルムが丸まり測定不可)
ピール強度;0.2kN/m
(Comparative example 1)
Polyimide precursor resin liquid a was uniformly applied to copper foil 1 with a coating width of 500 mm using a die coater, and the solvent was removed by heating and drying at 90 to 125°C. After that, the temperature was raised stepwise from room temperature to 280°C over about 5 minutes to imidize the metal, and an insulating resin layer with a thickness of about 5.2 μm (thickness variation ±0.3 μm) was formed on the copper foil 1. A stretched laminate 5 was obtained. The evaluation results of this metal-clad laminate 5 are as follows.
Thickness direction birefringence Δn(xy-z); 0.123
CTE MD ; 22ppm/K
CTE TD ; 21ppm/K
Film curl amount: 20mm or more (film curls and cannot be measured)
Peel strength: 0.2kN/m

(比較例2)
銅箔1にポリイミド前駆体樹脂液aをダイコーターによって塗工幅500mmで均一に塗布し、90~125℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。この後、室温から320℃まで約30分かけて熱処理しイミド化させ、厚み約4.1μm(厚みばらつき±0.3μm)の絶縁樹脂層が銅箔1上に形成された金属張積層板6を得た。この金属張積層板6の評価結果は以下のとおりである。
厚み方向複屈折Δn(xy-z);0.140
CTEMD;1ppm/K
CTETD;1ppm/K
フィルムカール量;2mm
ピール強度;0.3kN/m
(Comparative example 2)
Polyimide precursor resin liquid a was uniformly applied to copper foil 1 with a coating width of 500 mm using a die coater, and the solvent was removed by heating and drying at 90 to 125°C. Thereafter, the metal-clad laminate 6 is heat-treated from room temperature to 320°C for about 30 minutes to imidize, and an insulating resin layer with a thickness of about 4.1 μm (thickness variation ±0.3 μm) is formed on the copper foil 1. I got it. The evaluation results of this metal-clad laminate 6 are as follows.
Thickness direction birefringence Δn(xy-z); 0.140
CTE MD ; 1ppm/K
CTETD ; 1ppm/K
Film curl amount: 2mm
Peel strength: 0.3kN/m

以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。 Although the embodiments of the present invention have been described above in detail for the purpose of illustration, the present invention is not limited to the above embodiments and can be modified in various ways.

2…ポリイミドフィルム、2a…ラミネート面、2b…キャスト面、20…試料、21…光源、22…受光部、θ…入射角、θ…屈折角、L,L,L…光 2...Polyimide film, 2a...Laminate surface, 2b...Cast surface, 20...Sample, 21...Light source, 22...Light receiving part, θ1...Incidence angle, θ2 ... Refraction angle, L1 , L2 , L3 ...Light

Claims (9)

絶縁樹脂層と、この絶縁樹脂層の片面に積層された金属層とを備えた金属張積層板であって、
前記絶縁樹脂層が、
非熱可塑性ポリイミドによって構成される非熱可塑性ポリイミド層と、
前記非熱可塑性ポリイミド層の少なくとも一方の面に接して設けられた熱可塑性ポリイミドによって構成される熱可塑性ポリイミド層と、
を有し、
前記熱可塑性ポリイミド層は、前記金属層と前記非熱可塑性ポリイミド層との間に介在しており、
前記絶縁樹脂層は、厚みが2μm以上15μm以下の範囲内であるとともに、
厚み方向の複屈折Δn(xy-z)が0.080~0.140の範囲内であること
を特徴とする金属張積層板。
A metal-clad laminate comprising an insulating resin layer and a metal layer laminated on one side of the insulating resin layer,
The insulating resin layer is
a non-thermoplastic polyimide layer composed of non-thermoplastic polyimide;
a thermoplastic polyimide layer formed of thermoplastic polyimide provided in contact with at least one surface of the non-thermoplastic polyimide layer;
has
The thermoplastic polyimide layer is interposed between the metal layer and the non-thermoplastic polyimide layer,
The insulating resin layer has a thickness within a range of 2 μm or more and 15 μm or less,
A metal-clad laminate characterized in that birefringence Δn(xy-z) in the thickness direction is within the range of 0.080 to 0.140.
前記非熱可塑性ポリイミドはテトラカルボン酸残基及びジアミン残基を含み、全ジアミン残基の100モル部に対して、下記式(1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を、50モル部以上含有する請求項1に記載の金属張積層板。
Figure 0007405644000005
[式(1)において、Rは独立に、ハロゲン原子、又は炭素数1~6のハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数1~6の1価の炭化水素基若しくはアルコキシ基で置換されてもよいフェニル基若しくはフェノキシ基を示し、nは独立に0~4の整数、nは0~1の整数を示す。]
The non-thermoplastic polyimide contains a tetracarboxylic acid residue and a diamine residue, and based on 100 mole parts of the total diamine residue, a diamine residue derived from a diamine compound represented by the following formula (1), The metal-clad laminate according to claim 1, containing 50 mole parts or more.
Figure 0007405644000005
[In formula (1), R is independently a halogen atom, an alkyl group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms; It represents a phenyl group or a phenoxy group which may be substituted with an alkoxy group, n 1 independently represents an integer of 0 to 4, and n 2 represents an integer of 0 to 1. ]
前記絶縁樹脂層が、
前記非熱可塑性ポリイミドによって構成される非熱可塑性ポリイミド層と、
前記非熱可塑性ポリイミド層の両側に接して設けられた熱可塑性ポリイミドによって構成される熱可塑性ポリイミド層と、
を有し、
前記金属層に接している側に設けられている前記熱可塑性ポリイミド層の厚みをT1、
前記非熱可塑性ポリイミド層の厚みをT2、
前記金属層とは反対側に設けられている前記熱可塑性ポリイミド層の厚みをT3、
としたとき、T1、T2、T3の厚みが以下の関係式(1)及び(2)を満たす請求項1に記載の金属張積層板。
(1) 0.8≦T3/T1<1.4
(2) 0.20<(T1+T3)/(T1+T2+T3)≦0.50
The insulating resin layer is
a non-thermoplastic polyimide layer composed of the non-thermoplastic polyimide;
a thermoplastic polyimide layer formed of thermoplastic polyimide provided in contact with both sides of the non-thermoplastic polyimide layer;
has
The thickness of the thermoplastic polyimide layer provided on the side in contact with the metal layer is T1,
The thickness of the non-thermoplastic polyimide layer is T2,
The thickness of the thermoplastic polyimide layer provided on the opposite side to the metal layer is T3,
The metal-clad laminate according to claim 1, wherein the thicknesses of T1, T2, and T3 satisfy the following relational expressions (1) and (2).
(1) 0.8≦T3/T1<1.4
(2) 0.20<(T1+T3)/(T1+T2+T3)≦0.50
前記絶縁樹脂層のCTEが15ppm/K以上30ppm/K以下の範囲内であり、
前記絶縁樹脂層におけるMD方向のCTE(CTEMD)とTD方向のCTE(CTETD)が、下式(i)の関係を満たす請求項1~3のいずれかに記載の金属張積層板。
|(CTEMD-CTETD)/(CTEMD+CTETD)|≦0.05 … (i)
The CTE of the insulating resin layer is within the range of 15 ppm/K or more and 30 ppm/K or less,
The metal-clad laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein the CTE in the MD direction (CTE MD ) and the CTE in the TD direction (CTE TD ) of the insulating resin layer satisfy the relationship of the following formula (i).
|(CTE MD - CTE TD )/(CTE MD +CTE TD )|≦0.05... (i)
前記金属張積層板の幅が470mm以上であり、かつ、前記絶縁樹脂層の厚みのばらつきが±0.5μmの範囲内である請求項1~3のいずれかに記載の金属張積層板。 The metal-clad laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein the width of the metal-clad laminate is 470 mm or more, and the variation in thickness of the insulating resin layer is within a range of ±0.5 μm. 前記金属層をエッチング除去して得られる絶縁樹脂フィルムにおいて、23℃、湿度50%RHの条件下で、24時間調湿後の50mm角の前記絶縁樹脂フィルムを、その中央部の凸面が平らな面上に接するように静置したとき、4角の浮き上がり量の平均値を算出して得られるカール量が、10mm以下である請求項1~3のいずれかに記載の金属張積層板。 In the insulating resin film obtained by etching and removing the metal layer, the 50 mm square insulating resin film after 24 hours of humidity conditioning at 23° C. and 50% RH is heated so that the convex surface in the center thereof is flat. The metal-clad laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein when the metal-clad laminate is left standing in contact with a surface, the amount of curl obtained by calculating the average value of the amount of rise of the four corners is 10 mm or less. 前記非熱可塑性ポリイミドに含まれる全ジアミン残基の100モル部に対して、前記一般式(1)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が50~99モル部の範囲内であり、下記の一般式(2)で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が1~50モル部の範囲内であることを特徴とする請求項1~3のいずれかに記載の金属張積層板。
Figure 0007405644000006
[式(2)において、Rは独立に、ハロゲン原子、又は炭素数1~6のハロゲン原子で置換されてもよいアルキル基若しくはアルコキシ基、又は炭素数1~6の1価の炭化水素基若しくはアルコキシ基で置換されてもよいフェニル基若しくはフェノキシ基を示し、
は独立に単結合、-O-、-S-、-CH-、-CH(CH)-、-C(CH)-、-CO-、-SO-、又は-NH-から選ばれる2価の基を示し、
は独立に0~4の整数、nは0~2の整数を示す。
ただし、Zの少なくとも1つは-O-、-S-、-CH-、-CH(CH)-、-C(CH)-、-CO-、-SO-、又は-NH-から選ばれる2価の基を示す。]
The amount of diamine residues derived from the diamine compound represented by the general formula (1) is within the range of 50 to 99 parts by mole relative to 100 parts by mole of all diamine residues contained in the non-thermoplastic polyimide. The metal cladding according to any one of claims 1 to 3, wherein the diamine residue derived from the diamine compound represented by the following general formula (2) is within the range of 1 to 50 mole parts. Laminated board.
Figure 0007405644000006
[In formula (2), R is independently a halogen atom, an alkyl group or alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms; Indicates a phenyl group or phenoxy group which may be substituted with an alkoxy group,
Z 1 is independently a single bond, -O-, -S-, -CH 2 -, -CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, -CO-, -SO 2 -, or -NH - indicates a divalent group selected from
n 3 independently represents an integer of 0 to 4, and n 4 represents an integer of 0 to 2.
However, at least one of Z 1 is -O-, -S-, -CH 2 -, -CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, -CO-, -SO 2 -, or - Indicates a divalent group selected from NH-. ]
前記絶縁樹脂層を基準にして前記金属層とは反対側に、前記絶縁樹脂層に積層された他の金属層をさらに備えている請求項1~7のいずれか1項に記載の金属張積層板。 The metal clad laminate according to any one of claims 1 to 7, further comprising another metal layer laminated on the insulating resin layer on the opposite side of the metal layer with respect to the insulating resin layer. Board. 請求項1~8のいずれか1項に記載の金属張積層板の前記金属層を配線に加工してなる回路基板。 A circuit board formed by processing the metal layer of the metal-clad laminate according to any one of claims 1 to 8 into wiring.
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