JP7557656B2 - プローブユニット、検査装置、検査システム、検査方法、及び半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、プローブユニット、検査装置、検査システム、検査方法、及び半導体レーザ装置の製造方法に関する。

従来、複数のプローブを用いて、検査対象に電流を供給することで、検査対象の特性を検査する検査装置がある（例えば、特許文献１など参照）。特許文献１に記載された検査装置では、支持体によって支持されたプローブが弾性復元力を有するため、支持体を検査対象に向かって移動させた場合に、検査対象に接触したプローブが変形することで、プローブから検査対象に過大な力が加わることを抑制できる。したがって、検査時に検査対象が破損することを抑制できる。

特開２０１５－４５１８号公報

しかしながら、特許文献１に記載されたような検査装置においても、検査対象が損傷する場合があり得る。

本開示は、このような課題を解決するものであり、検査対象の検査時における損傷を低減できるプローブユニットなどを提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本開示に係るプローブユニットの一態様は、検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むプローブユニットであって、前記電流回路に含まれ、弾性復元力を有する、第一プローブ及び第二プローブと、前記第一プローブ及び前記第二プローブが固定されるプローブ固定部材と、前記プローブ固定部材の下方に、前記プローブ固定部材から離間して配置され、前記第一プローブ及び前記第二プローブがそれぞれ貫通する第一貫通孔及び第二貫通孔が形成されているプローブ貫通部材とを備え、前記プローブ貫通部材は、前記第一プローブ及び前記第二プローブが貫通し、前記検査対象と対向する対向面を有し、前記第一プローブ及び前記第二プローブのうち、前記対向面から下方に突出する部分は、上下方向に移動自在であり、前記第一プローブ及び前記第二プローブが前記検査対象に接触していない状態において、前記第一プローブの下端は、前記第二プローブの下端より下方に位置する。

上記課題を解決するために、本開示に係る検査装置の一態様は、前記プローブユニットと、前記検査対象が載置される載置面を有するステージと、前記プローブユニットと前記ステージとの間に配置される高さ調整部材とを備え、前記高さ調整部材は、前記プローブユニットの前記対向面に配置される。

上記課題を解決するために、本開示に係る検査システムの一態様は、前記検査装置と、前記検査装置を搬送する搬送装置とを備え、前記第一プローブ及び前記第二プローブを前記検査対象に接触させた状態で、前記検査装置を搬送する。

上記課題を解決するために、本開示に係る検査方法の一態様は、検査対象に電流を供給することで、前記検査対象の特性を検査する検査方法であって、前記検査対象は、上面を有するサブマウントと、素子上面を有し、前記サブマウントの前記上面に配置され、前記電流が供給される素子とを有し、前記サブマウントは、前記上面に配置される第一電極を有し、前記素子は、前記素子上面に配置される第二電極を有し、前記検査方法は、第一プローブを前記第一電極に接触させる第一接触工程と、前記第一接触工程の後に、前記第一プローブを前記第一電極に接触させた状態で、第二プローブを前記第二電極に接触させる第二接触工程とを含み、前記第一プローブ及び前記第二プローブは、前記検査対象に前記電流を供給する電流回路に含まれ、弾性復元力を有する。

上記課題を解決するために、本開示に係る検査方法の他の一態様は、検査対象に電流を供給することで、前記検査対象の特性を検査する検査方法であって、前記検査対象は、上面を有するサブマウントと、素子上面を有し、前記サブマウントの前記上面に配置され、前記電流が供給される素子とを有し、前記サブマウントは、前記上面に配置される第一電極を有し、前記素子は、前記素子上面に配置される第二電極を有し、前記検査方法は、第一プローブを前記第一電極に接触させ、かつ、第二プローブを前記第二電極に接触させた状態で、前記検査対象に前記電流を供給する供給工程と、前記供給工程の後に、前記第二プローブを前記第二電極から離す第二脱離工程と、前記第二脱離工程の後に、前記第一プローブを前記第一電極から離す第一脱離工程とを含み、前記第一プローブ及び前記第二プローブは、前記検査対象に前記電流を供給する電流回路に含まれ、弾性復元力を有する。

上記課題を解決するために、本開示に係る半導体レーザ装置の製造方法の一態様は、半導体レーザ装置の製造方法であって、前記半導体レーザ装置を組み立てる組立工程と、前記検査方法を用いて、前記検査対象として前記半導体レーザ装置を検査する検査工程とを含み、前記素子は、半導体レーザ素子である。

本開示によれば、検査対象の損傷を低減できるプローブユニットなどを提供できる。

実施の形態１に係る検査装置の全体構成を示す模式的な側面図である。 実施の形態１に係るプローブユニットの構成を示す模式的な上面図である。 実施の形態１に係るプローブユニットの構成を示す模式的な第一の断面図である。 実施の形態１に係るプローブユニットの構成を示す模式的な第二の断面図である。 実施の形態１に係る第一プローブの下端が上向きに力を受けていない状態における第一プローブの形状を示す模式的な断面図である。 実施の形態１に係る第一プローブの下端が上向きに力を受けている状態における第一プローブの形状を示す模式的な断面図である。 実施の形態１に係る検査方法の各工程を説明する模式的な側面図である。 実施の形態１に係る検査方法の各工程を説明する模式的な側面図である。 実施の形態１に係る検査方法における検査対象の第一の位置調整方法の各工程を示す模式的な上面図である。 実施の形態１に係る検査方法における検査対象の第一の位置調整方法の各工程を示す模式的な上面図である。 実施の形態１に係る検査方法における検査対象の第一の位置調整方法の各工程を示す模式的な上面図である。 実施の形態１に係る検査方法における検査対象の第一の位置調整方法の各工程を示す模式的な上面図である。 実施の形態１に係る検査方法における検査対象の第二の位置調整方法の各工程を示す模式的な上面図である。 実施の形態１に係る検査方法における検査対象の第二の位置調整方法の各工程を示す模式的な上面図である。 実施の形態１に係る検査方法における検査対象の第二の位置調整方法の各工程を示す模式的な上面図である。 実施の形態１に係る検査方法における検査対象の第二の位置調整方法の各工程を示す模式的な上面図である。 実施の形態１に係る検査方法の各工程を説明する模式的な側面図である。 実施の形態１に係る検査方法の各工程を説明する模式的な側面図である。 実施の形態１に係る検査方法の各工程を説明する模式的な側面図である。 実施の形態１に係る検査方法の各工程を説明する模式的な側面図である。 実施の形態１に係る検査方法の各工程を説明する模式的な側面図である。 実施の形態１に係るプローブユニットの動作を説明するための模式的な断面図である。 実施の形態１に係るプローブユニットの動作を説明するための模式的な断面図である。 実施の形態１に係るプローブユニットの動作を説明するための模式的な断面図である。 実施の形態１に係るプローブユニットの動作を説明するための模式的な断面図である。 実施の形態１に係るプローブユニットの動作を説明するための模式的な断面図である。 実施の形態１に係るプローブユニットの動作を説明するための模式的な断面図である。 実施の形態１に係るプローブユニットの動作を説明するための模式的な断面図である。 実施の形態１に係る第一プローブが座屈現象を示していない場合の第一プローブと第一貫通孔との位置関係を示す模式図である。 実施の形態１に係る第一プローブが座屈現象を示している場合の第一プローブと第一貫通孔との位置関係を示す模式図である。 実施の形態１に係る検査システムの全体構成を示す模式的な上面図である。 実施の形態１の変形例に係る検査システムの全体構成を示す模式的な上面図である。 実施の形態１に係る半導体レーザ装置の製造方法の流れを示すフローチャートである。 変形例１に係るプローブユニットの一部を示す模式的な断面図である。 変形例２に係るプローブユニットの一部を示す模式的な断面図である。 変形例３に係るプローブユニットの一部を示す模式的な断面図である。 変形例４に係るプローブユニットの一部を示す模式的な断面図である。 変形例５に係るプローブユニットのプローブ貫通部材の一部を示す模式的な上面図である。 変形例６に係るプローブユニットのプローブ貫通部材の一部を示す模式的な上面図である。 変形例７に係るプローブユニットの一部を示す模式的な断面図である。 変形例８に係るプローブユニットの各プローブの構成を示す模式的な側面図である。 変形例８に係るプローブユニットの各プローブの構成を示す模式的な側面図である。 変形例８に係るプローブユニットの各プローブの構成を示す模式的な側面図である。 変形例９に係るプローブユニットの一部を示す模式的な断面図である。 変形例１０に係るプローブユニットの一部を示す模式的な断面図である。 実施の形態１に係る貫通部材傾斜面、及びステージ傾斜面の第一の実施例を示す模式的な斜視図である。 実施の形態１に係る貫通部材傾斜面、及びステージ傾斜面の第一の実施例を示す模式的な断面図である。 実施の形態１に係る貫通部材傾斜面、及びステージ傾斜面の第二の実施例を示す模式的な断面図である。 実施の形態１に係る貫通部材傾斜面、及びステージ傾斜面の第三の実施例を示す模式的な斜視図である。 実施の形態１に係る貫通部材傾斜面の第四の実施例を示す模式的な断面図である。 実施の形態２に係るプローブユニットの構成を示す模式的な上面図である。 実施の形態２に係るプローブユニットの構成を示す模式的な断面図である。 実施の形態２に係るプローブユニットに配置された高さ調整部材をステージに接触させた状態を示す模式的な断面図である。 実施の形態３に係るプローブユニットの構成を示す模式的な断面図である。 実施の形態３に係るステージに配置された高さ調整部材のユニット接触面をプローブユニットに接触させた状態を示す模式的な断面図である。 実施の形態４に係るプローブユニットの構成を示す模式的な断面図である。 実施の形態４に係るプローブユニットに配置された高さ調整部材をステージに接触させた状態を示す模式的な断面図である。 実施の形態５に係るプローブユニットの構成を示す模式的な上面図である。 実施の形態５に係るプローブユニットの構成を示す模式的な第一の断面図である。 実施の形態５に係るプローブユニットの構成を示す模式的な第二の断面図である。 実施の形態６に係るプローブユニットの構成を示す模式的な上面図である。 実施の形態６に係るプローブユニットの構成を示す模式的な第一の断面図である。 実施の形態６に係るプローブユニットの構成を示す模式的な第二の断面図である。 実施の形態７に係るプローブユニットの構成を示す模式的な上面図である。 実施の形態７に係るプローブユニットの構成を示す模式的な断面図である。 実施の形態７に係るプローブユニットに配置された高さ調整部材をステージに接触させた状態を示す模式的な断面図である。

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、及び、構成要素の配置位置や接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。

また、各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺等は必ずしも一致していない。なお、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。

また、本明細書において、等しいなどの要素間の関係性を示す用語、及び、平坦、平行、垂直、逆向きなどの要素の形状などを示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表す表現ではなく実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する表現である。

また、本明細書において、「上」及び「下」という用語は、必ずしも絶対的な空間認識における鉛直上方及び鉛直下方を指すものではなく、構成要素の相対的な位置関係を規定するための用語として用いられる。また、「上方」及び「下方」という用語は、２つの構成要素が互いに間隔をあけて配置されて２つの構成要素の間に別の構成要素が存在する場合のみならず、２つの構成要素が互いに接する状態で配置される場合にも適用される。

（実施の形態１）
実施の形態１に係るプローブユニット、検査装置、検査システム、検査方法、及び半導体レーザ装置の製造方法について説明する。

［１－１．検査装置の全体構成］
まず、本実施の形態に係る検査装置の全体構成について図１を用いて説明する。図１は、本実施の形態に係る検査装置１０の全体構成を示す模式的な側面図である。なお、各図には、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸、及びＺ軸が示されている。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は、右手系の直交座標系である。なお、図１には、検査装置１０の検査対象の一例である半導体レーザ装置８０も併せて示されている。また、各図において、Ｚ軸方向の相対位置を説明するために、Ｚ軸方向のある位置より、Ｚ軸方向正側のことを示す用語として「上」を用い、Ｚ軸方向負側のことを示す用語として「下」を用いる。

検査装置１０は、検査対象に電流を供給することで、検査対象の特性を検査する装置である。図１に示されるように、本実施の形態に係る検査装置１０は、プローブユニット２０と、ステージ７０と、高さ調整部材５０と、基台１１と、支柱１２と、スライドレール１３、１５、１７と、上下移動部材１４と、ユニット移動部材１６と、接続ばね１８と、ユニット支持部材１９とを備える。

基台１１は、検査装置１０の他の構成要素が配置される台である。基台１１には、ステージ７０及び支柱１２が配置される。

ステージ７０は、検査対象が載置される載置面７０ａを有する部材である。本実施の形態では、載置面７０ａは、上下方向（図１のＺ軸方向）に対して垂直な平坦面を含み、当該平坦面に検査対象が配置される。載置面７０ａの検査対象が配置される位置には、吸着孔７２が形成されている。吸着孔７２を用いて、載置面７０ａに配置される検査対象を吸着することで、検査対象を破損することなく、一時的に載置面７０ａに固定できる。

プローブユニット２０は、検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むユニットであり、第一プローブ３０などを備える。プローブユニット２０の詳細構成については後述する。プローブユニット２０は、ユニット支持部材１９に固定される。

高さ調整部材５０は、プローブユニット２０とステージ７０との間に配置される部材である。高さ調整部材５０は、実質的に剛体として扱うことができる部材であり、プローブユニット２０とステージ７０との最小間隔を規定するスペーサとして機能する。本実施の形態では、高さ調整部材５０は、プローブユニット２０とステージ７０との間の最小間隔に対応する厚さを有する板状部材であり、プローブユニット２０に固定されている。高さ調整部材５０は、プローブユニット２０と接するユニット接触面５０ｂと、ステージ７０と接するステージ接触面５０ａとを有する。ステージ接触面５０ａは、粗面である。本実施の形態では、ステージ接触面５０ａが粗面である。これにより、ステージ接触面５０ａとステージ７０との間の摩擦力を高めることができるため、高さ調整部材５０をステージ７０（の載置面７０ａ）に押しつけることで、高さ調整部材５０及びプローブユニット２０の、ステージ７０に対する位置ずれを抑制できる。粗面とは、例えば、算術平均粗さＲａが０．２μｍ以上の面で定義されてもよい。ステージ接触面５０ａ及びユニット接触面５０ｂの算術平均粗さＲａは、例えば、０．８μｍ以上、１．６μｍ以下であってもよい。本実施の形態では、高さ調整部材５０は、ＳＵＳ４４０Ｃで形成され、ステージ接触面５０ａの算術平均粗さＲａは、１．２μｍである。なお、高さ調整部材５０を形成する材料は、実質的に剛体として扱うことができる材料であれば特に限定されない。なお、ステージ７０の載置面７０ａの算術平均粗さＲａは、例えば、０．１μｍ以上、２．０μｍ以下であってもよい。本実施の形態では、ステージ７０を形成する材料は、ＷＣ－Ｃｏ合金（炭化タングステンとコバルトとの焼結体）であり、載置面７０ａの算術平均粗さＲａは、０．１５μｍである。このような構成により、ステージ接触面５０ａと載置面７０ａとの間において、高さ調整部材５０のステージ７０に対する位置ずれを抑制するために十分な摩擦力を得ることができる。

支柱１２は、基台１１に立設される柱状部材である。支柱１２は、上下方向に延在する。

スライドレール１３は、支柱１２に固定されるレール状部材である。スライドレール１３は、固定部とスライド部とを有し、固定部に対してスライド部が上下方向にスライド自在に支持されている。スライドレール１３の固定部は、支柱１２に固定され、スライドレール１３のスライド部は、上下移動部材１４に固定されている。

上下移動部材１４は、支柱１２に対して上下方向に移動する部材である。本実施の形態では、上下移動部材１４は、スライドレール１３に固定され、上下方向に移動する。より詳しくは、上下移動部材１４は、スライドレール１３のスライド部に固定され、スライド部とともに、スライドレール１３の固定部に対して上下方向に移動する。上下移動部材１４は、上下方向に延在する部分と、水平方向に延在する部分とを有する。上下移動部材１４の上下方向に延在する部分がスライドレール１３のスライド部に固定される。上下移動部材１４の水平方向に延在する部分は、図１に示される例では、Ｙ軸方向に延在する。上下移動部材１４の水平方向に延在する部分には、スライドレール１５が固定される。

スライドレール１５は、上下移動部材１４に固定されるレール状部材である。スライドレール１５は、固定部とスライド部とを有し、固定部に対してスライド部が水平方向にスライド自在に支持されている。本実施の形態では、スライドレール１５の固定部に対してスライド部がＹ軸方向にスライド自在に支持されている。スライドレール１５の固定部は、上下移動部材１４の水平方向に延在する部分に固定され、スライドレール１５のスライド部は、ユニット移動部材１６に固定されている。

ユニット移動部材１６は、ユニット支持部材１９を移動する部材である。本実施の形態では、ユニット移動部材１６は、上下移動部材１４に対して水平方向に移動する。ユニット移動部材１６は、スライドレール１５に固定され、Ｙ軸方向に移動する。より詳しくは、ユニット移動部材１６は、スライドレール１５のスライド部に固定され、スライド部とともに、スライドレール１５の固定部に対してＹ軸方向に移動する。ユニット移動部材１６は、水平方向に延在する部分と、上下方向に延在する部分とを有する。ユニット移動部材１６の水平方向に延在する部分がスライドレール１５のスライド部に固定される。ユニット移動部材１６の上下方向に延在する部分には、スライドレール１７及び接続ばね１８の一端が固定される。

スライドレール１７は、ユニット移動部材１６に固定されるレール状部材である。スライドレール１７は、固定部とスライド部とを有し、固定部に対してスライド部が上下方向にスライド自在に支持されている。スライドレール１７の固定部は、ユニット移動部材１６の上下方向に延在する部分に固定され、スライドレール１７のスライド部は、ユニット支持部材１９に固定されている。つまり、スライドレール１７は、ユニット支持部材１９を、ユニット移動部材１６に対して上下方向にスライド自在に接続する。

接続ばね１８は、ユニット移動部材１６とユニット支持部材１９とを接続する弾性部材である。本実施の形態では、接続ばね１８の一端がユニット移動部材１６に接続され、他端がユニット支持部材１９に固定される。

ユニット支持部材１９は、プローブユニット２０を支持する部材である。ユニット支持部材１９は、スライドレール１７に固定されている。本実施の形態では、ユニット支持部材１９は、スライドレール１７のスライド部に固定されている。また、ユニット支持部材１９には、接続ばね１８の他端が固定される。このように、ユニット支持部材１９とユニット移動部材１６とが接続ばね１８及びスライドレール１７を用いて接続されることで、ユニット支持部材１９とユニット移動部材１６との上下方向における相対位置が規制される。

本実施の形態では、ユニット支持部材１９は、高さ調整部材５０が固定されたプローブユニット２０を支持する。つまり、ユニット支持部材１９は、プローブユニット２０及び高さ調整部材５０と一体化されている。

ここで、高さ調整部材５０をステージ７０に接触させた状態で、ユニット移動部材１６をさらに下方に移動させる向きに、ユニット移動部材１６に力が加わる場合について説明する。この場合、ユニット支持部材１９と一体化された高さ調整部材５０がステージ７０に接触しているため、ユニット支持部材１９は、下方への移動ができない。ユニット移動部材１６を下方に移動させる力が、接続ばね１８の弾性力より大きくなると接続ばね１８が延伸し、ユニット支持部材１９に対して、ユニット移動部材１６が下方に移動する。このように、ユニット支持部材１９が、接続ばね１８及びスライドレール１７を介してユニット移動部材１６に接続されていることで、ユニット支持部材１９が支持するプローブユニット２０及び高さ調整部材５０に過大な力が加わることを抑制しながら、高さ調整部材５０を接続ばね１８のばね定数に対応する力で、ステージ７０に押し当てることができる。言い換えると、上記構成により、プローブユニット２０とステージ７０との位置関係を維持しながら、ステージ７０へのプローブユニット２０を固定するための力を容易に維持することができる。

本実施の形態では、基台１１に接続されることで、基台１１に対して実質的に振動しない支柱１２の下端から、高さ調整部材５０までの間の距離が長い。また、支柱１２から高さ調整部材５０までの間に複数の部材が介在する。このため、高さ調整部材５０において振動が発生しやすい。特に、図１に示される例のように、支柱１２から高さ調整部材５０までに介在する複数の部材によって形成される形状が、直線状でなく、Ｃ字状であるため、さらに振動が発生しやすい。しかしながら、本実施の形態では、接続ばね１８のばね定数を適切に設定し、高さ調整部材５０をステージ７０に押し付けることで振動を抑制できるため、高さ調整部材５０のステージ７０に対する相対位置がずれることを抑制できる。例えば、高さ調整部材５０をステージ７０に押し当てた状態で検査装置１０全体を移動させる場合でも、高さ調整部材５０のステージ７０に対する相対位置がずれることを抑制できる。すなわちプローブユニット２０が有する第一プローブ３０などの、半導体レーザ装置８０に対する相対位置がずれることを抑制でき、半導体レーザ装置８０の検査時における損傷を低減できる。

［１－２．プローブユニット及びステージの構成］
本実施の形態に係るプローブユニット２０及びステージ７０の構成について、図２～図４を用いて説明する。図２、図３、及び図４は、それぞれ、本実施の形態に係るプローブユニット２０の構成を示す模式的な上面図、第一の断面図、及び第二の断面図である。図３には、図２に示されるＩＩＩ－ＩＩＩ線における断面が示されている。図３には、図２に示されるＩＶ－ＩＶ線における断面が示されている。なお、図３及び図４には、高さ調整部材５０、ステージ７０、及び検査対象である半導体レーザ装置８０も併せて示されている。また、図２及び図４には、半導体レーザ装置８０の発光点８２ｅからの光を測定する測定装置９０も併せて示されている。測定装置９０は、光を受光する受光部９２を有し、例えば、受光した光のパワーなどを測定する。

プローブユニット２０は、図２及び図３に示されるように、第一プローブ３０と、第二プローブ４０と、ユニット本体２１とを備える。

ユニット本体２１は、プローブユニット２０の本体部であり、第一プローブ３０及び第二プローブ４０が固定される。ユニット本体２１は、断面視で内部に空洞２１ｖを有する。ユニット本体２１は、プローブ固定部材２４と、プローブ貫通部材２３とを有する。

プローブ固定部材２４は、第一プローブ３０及び第二プローブ４０が固定される部材である。本実施の形態では、プローブ固定部材２４は、第一固定用孔２７ａ及び第二固定用孔２７ｂが形成された板状部材である。第一プローブ３０は、第一固定用孔２７ａに挿入された状態で、接着剤２８によってプローブ固定部材２４に固定される。第二プローブ４０は、第二固定用孔２７ｂに挿入された状態で、接着剤２８によってプローブ固定部材２４に固定される。

プローブ貫通部材２３は、プローブ固定部材２４の下方に、プローブ固定部材２４から離間して配置され、第一プローブ３０及び第二プローブ４０がそれぞれ貫通する第一貫通孔２６ａ及び第二貫通孔２６ｂが形成されている部材である。本実施の形態では、プローブ貫通部材２３は、第一貫通孔２６ａ及び第二貫通孔２６ｂが形成されている板状部材である。プローブ固定部材２４とプローブ貫通部材２３との間に空洞２１ｖがある。第一プローブ３０及び第二プローブ４０は、それぞれ、第一貫通孔２６ａ及び第二貫通孔２６ｂに挿入され、プローブ貫通部材２３には固定されない。プローブ貫通部材２３は、第一プローブ３０及び第二プローブ４０が貫通し、検査対象と対向する対向面２１ｕを有する。本実施の形態では、対向面２１ｕは、上下方向に対して垂直な平坦な平坦部を含む。第一プローブ３０及び第二プローブ４０は、対向面２１ｕより下方に突出する部分を有する。第一プローブ３０及び第二プローブ４０のうち、対向面２１ｕから下方に突出する部分は、上下方向に移動自在であり、かつ、半導体レーザ装置８０において第二プローブ４０が接触する面に対して垂直になるように配置されている。

プローブ貫通部材２３は、対向面２１ｕは、上下方向に対して傾いている貫通部材傾斜面２１ｓを有する。貫通部材傾斜面２１ｓは、第一貫通孔２６ａ及び第二貫通孔２６ｂから遠ざかるにしたがって上昇する。貫通部材傾斜面２１ｓは、対向面２１ｕの検査対象の上方の位置と対向面２１ｕの外縁との間に位置する。このような対向面２１ｕが貫通部材傾斜面２１ｓを有することで、測定装置９０をプローブユニット２０に接近させる場合に、測定装置９０とプローブユニット２０とが物理的に干渉することを低減できる。また、検査対象として、半導体レーザ素子などの発光素子を用いる場合に、対向面２１ｕの光の伝搬経路と対向する部分に貫通部材傾斜面２１ｓを配置することで、検査対象から発せられた光が対向面２１ｕによって遮られることを低減できる。

本実施の形態では、貫通部材傾斜面２１ｓは、光反射抑制面である。光反射抑制面とは、検査対象から出射される光の波長において、正面反射率が３％以下のものを指す。これにより、貫通部材傾斜面２１ｓにおいて、検査対象からの光が乱反射し、光測定におけるノイズとなることを抑制できる。光反射抑制面として、例えば、艶消し黒色塗装面、粗面処理面などを用いることができる。

第一プローブ３０及び第二プローブ４０は、検査対象に電流を供給するための電流回路に含まれ、弾性復元力を有する導電部材である。本実施の形態では、第一プローブ３０及び第二プローブ４０の各々は、弾性復元力を有する金属ワイヤを含む。第一プローブ３０は、上下方向に延在し、下端３１と上端３２とを有する。第二プローブ４０は、上下方向に延在し、下端４１と上端４２とを有する。本実施の形態では、第一プローブの上端３２及び第二プローブ４０の上端４２は、プローブ固定部材２４より上方に位置する。また、第一プローブの下端３１及び第二プローブ４０の下端４１は、プローブ貫通部材２３より下方に位置する。第一プローブ３０及び第二プローブ４０が検査対象に接触していない状態において、第一プローブ３０の下端３１は、第二プローブ４０の下端４１より下方に位置する。言い換えると、図３に示されるように、対向面２１ｕから第一プローブ３０の下端３１までの長さＬ１（つまり、第一プローブ３０のうち対向面２１ｕから突出する部分の長さ）は、対向面２１ｕから第二プローブ４０の下端４１までの長さＬ２（つまり、第二プローブ４０のうち対向面２１ｕから突出する部分の長さ）より長い。

第一プローブ３０の下端３１及び第二プローブ４０の下端４１は、検査対象に押し当てられる。本実施の形態に係る検査対象の半導体レーザ装置８０は、図３に示されるように、上面（図示せず）を有するサブマウント８４と、サブマウント８４の上面に配置される素子８２とを有する。素子８２は、電流が供給される端面発光型の半導体レーザ素子である。図３には示されないが、サブマウント８４は、サブマウント８４の上面に配置される第一電極を有し、素子８２は、素子上面を有し、素子上面に配置される第二電極を有する。半導体レーザ装置８０を検査するために電流を供給する際には、第一プローブ３０の下端３１を、サブマウント８４の第一電極に接触させ、第二プローブ４０の下端４１を素子８２の第二電極に接触させる。サブマウント８４の下面から第一電極までの高さｄ１（つまり、ステージ７０の載置面７０ａから第一電極までの上下方向の寸法）、及び、サブマウント８４の下面から素子８２の第二電極までの高さｄ２（つまり、ステージ７０の載置面７０ａから第二電極までの上下方向の寸法）と、上述した長さＬ１、及び長さＬ２とについて、以下の不等式が成り立つ。

Ｌ１－Ｌ２＞ｄ２－ｄ１ （１）

また、高さｄ１、高さｄ２、長さＬ１、及び長さＬ２と、高さ調整部材５０の高さＨ（上下方向の寸法）とについて、以下の不等式が成り立つ。

Ｌ１＋ｄ１＞Ｈ （２）
Ｌ２＋ｄ２＞Ｈ （３）

以上の関係の効果については後述する。

第一プローブ３０及び第二プローブ４０の弾性復元力について、図５及び図６を用いて説明する。図５は、本実施の形態に係る第一プローブ３０の下端３１が上向きに力を受けていない状態における第一プローブ３０の形状を示す模式的な断面図である。図６は、本実施の形態に係る第一プローブ３０の下端３１が上向きに力を受けている状態における第一プローブ３０の形状を示す模式的な断面図である。

図５に示されるように、本実施の形態に係る第一プローブ３０は、下端３１が上向きの力を受けていない状態では、上下方向に直線状に延在する。

一方、下端３１が上向きの力を受ける場合、第一プローブ３０の下端３１を含む部分が上向きに移動し、第一プローブ３０の空洞２１ｖに位置する部分が曲がる。このように、第一プローブ３０は、座屈現象を示す。つまり、第一プローブ３０の下端３１及び第二プローブ４０の下端４１が上向きの力を受ける場合、第一プローブ３０が、上下方向と交差する方向に変形する。

また、下端３１に加わる上向きの力が解除されると、図５に示されるように、第一プローブ３０は元の形状に戻る。このように、第一プローブ３０は、弾性復元力を有する。ここで、第一プローブ３０の弾性復元力をＦ１で表し、第一プローブ３０のばね定数をｋ１で表し、第一プローブ３０の下端３１の変位量をＬｘ１で表すと、以下の式が成り立つ。

Ｆ１＝ｋ１・Ｌｘ１ （４）

本実施の形態では、第二プローブ４０も、第一プローブ３０と同様に座屈現象を示す。また、第二プローブ４０の弾性復元力をＦ２で表し、第二プローブ４０のばね定数をｋ２で表し、第二プローブ４０の下端４１の変位量をＬｘ２で表すと、以下の式が成り立つ。

Ｆ２＝ｋ２・Ｌｘ２ （５）

以上のように、第一プローブ３０及び第二プローブ４０が弾性復元力を有する。また、上記不等式（２）、（３）が成り立つことから、高さ調整部材５０のステージ接触面５０ａがステージ７０の載置面７０ａに接するまで、高さ調整部材５０及びプローブユニット２０を降下させる場合、第一プローブ３０の下端３１の変位量Ｌｘ１、及び第二プローブ４０の下端４１の変位量Ｌｘ２は、以下の式で表される。

Ｌｘ１＝Ｌ１＋ｄ１－Ｈ＞０ （６）
Ｌｘ２＝Ｌ２＋ｄ２－Ｈ＞０ （７）

このように、第一プローブ３０の下端３１、及び第二プローブ４０の下端４１が変位するため、上記式（４）、（５）で表される弾性復元力を半導体レーザ装置８０に加えることができる。つまり、上記式（４）、（５）で表される弾性復元力で各プローブを半導体レーザ装置８０における各プローブの接触面に対して垂直方向に押しつけることができる。これにより、接触面に対して水平な方向の力が加わらないので、各プローブの半導体レーザ装置表面における水平方向の位置ずれが発生することを抑制できる。

ステージ７０は、上述したとおり、検査対象が載置される載置面７０ａを有する部材である。本実施の形態では、載置面７０ａは、図４に示されるように、上下方向に対して傾いているステージ傾斜面７０ｓを有する。ステージ傾斜面７０ｓは、載置面７０ａの端に近づくにしたがって降下する。このように載置面７０ａがステージ傾斜面７０ｓを有することで、測定装置９０をプローブユニット２０に接近させる場合に、測定装置９０とステージ７０とが物理的に干渉することを低減できる。また、検査対象として、半導体レーザ素子などの発光素子を用いる場合に、載置面７０ａの光の伝搬経路と対向する部分にステージ傾斜面７０ｓを配置することで、光が載置面７０ａによって遮られることを低減できる。本実施の形態では、ステージ傾斜面７０ｓは、光反射抑制面であってもよい。光反射抑制面として、例えば、貫通部材傾斜面２１ｓと同様に、黒色面、粗面などを用いることができる。

［１－３．検査方法］
本実施の形態に係る検査方法について、図７～図２１を用いて説明する。図７、図８、図１７～図２１は、本実施の形態に係る検査方法の各工程を説明する模式的な側面図である。図９～図１２は、本実施の形態に係る検査方法における検査対象の第一の位置調整方法の各工程を示す模式的な上面図である。図１３～図１６は、本実施の形態に係る検査方法における検査対象の第二の位置調整方法の各工程を示す模式的な上面図である。

本実施の形態に係る検査方法は、検査対象に電流を供給することで、検査対象の特性を検査する方法である。本実施の形態では、検査装置１０を用いて検査を行う。検査対象の一例として、半導体レーザ装置８０の検査を行う例について、以下で説明する。

まず、図７に示されるように、検査装置１０に検査対象を投入する。具体的には、図８に示されるように、検査装置１０が備えるステージ７０の載置面７０ａに検査対象である半導体レーザ装置８０を載置する。半導体レーザ装置８０の移動には、例えば、コレットなどを用いることができる。半導体レーザ装置８０は、載置面７０ａの吸着孔７２上に配置される。なお、検査装置１０に半導体レーザ装置８０を投入する際には、投入の妨げにならないように、プローブユニット２０などは、ステージ７０の上方以外の退避位置に退避されている。

続いて、図８に示されるように載置面７０ａに配置された半導体レーザ装置８０の位置調整を行うことで、半導体レーザ装置８０を所定の位置に配置する。位置調整方法は、特に限定されないが、以下では、位置調整方法の例として、第一の位置調整方法と、第二の位置調整方法とを説明する。

第一の位置調整方法について、図９～図１２を用いて説明する。第一の位置調整方法では、まず、半導体レーザ装置８０を吸着孔７２を用いて吸着させた状態で、図９に示されるように、枠体Ｆｍをステージ７０の載置面７０ａに配置する。枠体Ｆｍは、半導体レーザ装置８０の所定の位置（つまり、位置調整の目標位置）に対応する位置に配置される。本実施の形態では、矩形環状の枠体Ｆｍの内部に、半導体レーザ装置８０が位置するように、枠体Ｆｍをステージ７０の載置面７０ａに配置する。

枠体Ｆｍには、貫通孔が形成されており、当該貫通孔を貫通する押し棒Ｐｍを用いて、半導体レーザ装置８０をＸ軸方向負向きに押す。この際、枠体Ｆｍが載置面７０ａに対して移動しないように枠体Ｆｍの位置を固定しておく。これにより、図１０に示されるように、半導体レーザ装置８０が、枠体ＦｍのＸ軸方向負側の内壁に押し当てられるため、半導体レーザ装置８０のＸ軸方向における位置が、枠体Ｆｍの内壁によって規定された位置に調整される。なお、図１０には、移動前の半導体レーザ装置８０の位置が点線で示されている。

続いて、図１１に示されるように、枠体Ｆｍに形成された他の貫通孔を貫通する押し棒Ｐｍを用いて、半導体レーザ装置８０をＹ軸方向正向きに押す。この際、枠体Ｆｍが載置面７０ａに対して移動しないように枠体Ｆｍの位置を固定しておく。これにより、図１２に示されるように、半導体レーザ装置８０が、枠体ＦｍのＹ軸方向正側の内壁に押し当てられるため、半導体レーザ装置８０のＹ軸方向における位置が、枠体Ｆｍの内壁によって規定された位置に調整される。なお、図１２には、移動前の半導体レーザ装置８０の位置が点線で示されている。

以上のように、枠体Ｆｍの内壁の位置を半導体レーザ装置８０の所定の位置に合わせた状態で、半導体レーザ装置８０を枠体Ｆｍの内壁に押し当てることで、半導体レーザ装置８０の位置調整を行うことができる。これらの位置調整をスムーズに行うためには、載置面７０ａは滑らかな面である方が良い。

次に、第二の位置調整方法について、図１３～図１６を用いて説明する。第二の位置調整方法では、まず、半導体レーザ装置８０を吸着孔７２を用いて吸着させた状態で、図１３に示されるように、枠体Ｆｍをステージ７０の載置面７０ａに配置する。矩形環状の枠体Ｆｍの内部に、半導体レーザ装置８０が位置するように、枠体Ｆｍをステージ７０の載置面７０ａに配置する。なお、図１３には、半導体レーザ装置８０の所定の位置（つまり、位置調整の目標位置）が点線で示されている。続いて、図１３に矢印で示されるように、枠体ＦｍをＸ軸方向正向きに移動する。この際、枠体Ｆｍの内壁で半導体レーザ装置８０をＸ軸方向正向きに押すことで、図１４に示されるように、半導体レーザ装置８０をＸ軸方向正向きに移動する。なお、図１４には、移動前の枠体Ｆｍ及び半導体レーザ装置８０の位置が点線で示されている。

続いて、図１５に矢印で示されるように、枠体ＦｍをＹ軸方向正向きに移動する。この際、枠体Ｆｍの内壁で半導体レーザ装置８０をＹ軸方向正向きに押すことで、図１６に示されるように、半導体レーザ装置８０をＹ軸方向正向きに移動する。なお、図１６には、移動前の枠体Ｆｍ及び半導体レーザ装置８０の位置が点線で示されている。

以上のように、枠体Ｆｍの内壁で半導体レーザ装置８０を押すことで、半導体レーザ装置８０の位置調整を行うことができる。また、第二の位置調整方法によれば、半導体レーザ装置８０の位置調整を行う際に、枠体Ｆｍという一つの治具だけで、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に、連続的に位置調整を行うことができる。したがって、位置調整に要する時間を低減できる。

このような第一の位置調整方法を用いる場合、検査装置１０のステージ７０は、検査対象を吸着する吸着孔７２を有する。検査装置１０は、ステージ７０に吸着された検査対象を囲む枠体Ｆｍを備える。検査装置１０は、枠体Ｆｍを移動させることで検査対象の位置を調整する。

半導体レーザ装置８０の位置調整が完了した後、図１７に示されるように、プローブユニット２０を退避位置から、ステージ７０の上方へ移動する。本実施の形態では、ユニット移動部材１６をＹ軸方向負向きに移動させることで、プローブユニット２０をステージ７０の上方へ移動する。

続いて、図１８に示されるように、プローブユニット２０を降下させることで、プローブユニット２０の第一プローブ３０及び第二プローブ４０（図１８では不図示）を半導体レーザ装置８０に接触させる。本実施の形態では、上下移動部材１４を降下させることで、高さ調整部材５０のステージ接触面５０ａをステージ７０の載置面７０ａに押し当てる。これに伴い、プローブユニット２０の第一プローブ３０及び第二プローブ４０がそれぞれ半導体レーザ装置８０の第一電極及び第二電極に押し当てられる。検査装置１０のユニット支持部材１９が、スライドレール１７及び接続ばね１８によって、ユニット移動部材１６に接続されていることで、上述したように、プローブユニット２０とステージ７０との位置関係を維持しながら、ステージ７０へのプローブユニット２０を固定するための力を容易に維持することができる。この工程におけるプローブユニット２０の動作の詳細については、後述する。

図１８に示された状態で、半導体レーザ装置８０に第一プローブ３０及び第二プローブ４０を介して電流を供給することで、半導体レーザ装置８０の特性を検査する。検査においては、例えば、半導体レーザ装置８０から出射される光のパワーを測定する測定装置などが用いられる。

続いて、図１９に示されるように、プローブユニット２０を上昇させることで、第一プローブ３０及び第二プローブ４０（図１９では不図示）を半導体レーザ装置８０から離す。本実施の形態では、上下移動部材１４を上昇させることで、プローブユニット２０及び高さ調整部材５０を上昇させる。これに伴い、プローブユニット２０の第一プローブ３０及び第二プローブ４０がそれぞれ半導体レーザ装置８０の第一電極及び第二電極から離れる。

続いて、図２０に示されるように、プローブユニット２０をステージ７０の上方から退避位置へ移動する。本実施の形態では、ユニット移動部材１６をＹ軸方向正向きに移動させることで、プローブユニット２０を退避させる。

続いて、図２１に示されるように、半導体レーザ装置８０を検査装置１０から排出する。つまり、検査装置１０のステージ７０の載置面７０ａから、検査装置１０の外部へ、半導体レーザ装置８０を移動する。半導体レーザ装置８０の排出には、例えば、吸着孔による吸着を停止した状態で、真空コレットなどを用いることができる。

以上のように、検査対象である半導体レーザ装置８０の検査を行うことができる。

［１－４．プローブユニットの動作］
本実施の形態に係る検査方法におけるプローブユニット２０の動作について、図２２～図２８を用いて説明する。図２２～図２８は、本実施の形態に係るプローブユニット２０の動作を説明するための模式的な断面図である。上述した検査方法の図１７、図１８、及び図１９で示される工程におけるプローブユニット２０の状態が、それぞれ、図２２、図２５、及び図２８に示されている。図１７で示される工程から図１８に示される工程に至るまでのプローブユニット２０の状態が、図２２～図２５に示されている。図１８で示される工程から図１９に示される工程に至るまでのプローブユニット２０の状態が、図２５～図２８に示されている。

図１７で示される工程においては、図２２に示されるように、プローブユニット２０は、ステージ７０の上方に位置し、第一プローブ３０及び第二プローブ４０は、半導体レーザ装置８０と接触していない。また、高さ調整部材５０は、ステージ７０と接触していない。

続いて、プローブユニット２０を徐々に降下させることで、図２３に示されるように、第一プローブ３０を半導体レーザ装置８０のサブマウント８４の上面に配置される第一電極（図２３には不図示）に接触させる（第一接触工程）。この状態では、第二プローブ４０は、半導体レーザ装置８０の素子８２の上面に配置される第二電極とは接触していない。また、高さ調整部材５０は、ステージ７０の載置面７０ａに接触していない。

第一接触工程の後に、第一プローブ３０を第一電極に接触させた状態で、さらにプローブユニット２０を徐々に降下させることで、図２４に示されるように、第二プローブ４０を半導体レーザ装置８０の素子８２の上面に配置される第二電極（図２４には不図示）に接触させる（第二接触工程）。このとき、第一プローブ３０の下端３１は、プローブ貫通部材２３に対して上向きに変位する。これに伴い、図２４に示されるように、第一プローブ３０は、空洞２１ｖにおいて曲がる。つまり、第一プローブ３０は、座屈現象を示す。第一プローブ３０の下端３１は、式（４）で表される弾性復元力で第一電極をステージ７０に向かって押しつける。第一プローブ３０は座屈現象を起こすが、第一プローブ３０の、対向面２１ｕから下方に突出する部分は、半導体レーザの接触面に対して垂直な状態を保ち続ける。

続いて、第一プローブ３０及び第二プローブ４０をそれぞれ第一電極及び第二電極に接触させた状態で、さらにプローブユニット２０を徐々に降下させて、高さ調整部材５０のステージ接触面５０ａをステージ７０の載置面７０ａに押し当てる。このとき、第一プローブ３０の下端３１は、プローブ貫通部材２３に対してさらに上向きに変位するため、下端３１の変位に対応する弾性復元力はさらに大きくなる。つまり、第一プローブ３０の下端３１が第一電極をステージ７０に向かって押しつける力はさらに強くなる。また、第二プローブ４０の下端４１は、プローブ貫通部材２３に対して上向きに変位する。これに伴い、図２５に示されるように、第二プローブ４０は、空洞２１ｖにおいて曲がる。つまり、第二プローブ４０は、座屈現象を示す。第二プローブ４０の下端４１は、式（５）で表される弾性復元力で第二電極をステージ７０に向かって押しつける。第二プローブ４０は座屈現象を起こすが、第二プローブ４０の、対向面２１ｕから下方に突出する部分は、半導体レーザの接触面に対して垂直な状態を保ち続ける。

図２５に示されるように、第一プローブ３０を第一電極に接触させ、かつ、第二プローブ４０を第二電極に接触させた状態で、検査対象である半導体レーザ装置８０に電流を供給する（供給工程）。半導体レーザ装置８０に第一プローブ３０及び第二プローブ４０を介して電流を供給することで、半導体レーザ装置８０の特性を検査する。

供給工程の後に、プローブユニット２０を徐々に上昇させることで、図２６に示されるように、高さ調整部材５０のステージ接触面５０ａをステージ７０の載置面７０ａから離す。

続いて、さらに、プローブユニット２０を徐々に上昇させることで、図２７に示されるように、第二プローブ４０を第二電極から離す（第二脱離工程）。ここで、第二プローブ４０は、弾性復元力により、座屈現象を示す前の状態に戻っている。

続いて、さらに、プローブユニット２０を徐々に上昇させることで、図２８に示されるように、第一プローブ３０を第一電極から離す（第一脱離工程）。ここで、第一プローブ３０は、弾性復元力により、座屈現象を示す前の状態に戻っている。

以上のように、プローブユニット２０を用いて、検査対象を検査できる。

［１－５．効果など］
本実施の形態に係るプローブユニット２０、検査装置１０、及び検査方法の効果について説明する。

本実施の形態に係るプローブユニット２０は、検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むユニットである。プローブユニット２０は、当該電流回路に含まれ、弾性復元力を有する、第一プローブ３０及び第二プローブ４０と、第一プローブ３０及び第二プローブ４０が固定されるプローブ固定部材２４と、プローブ固定部材２４の下方に、プローブ固定部材２４から離間して配置され、第一プローブ３０及び第二プローブ４０がそれぞれ貫通する第一貫通孔２６ａ及び第二貫通孔２６ｂが形成されているプローブ貫通部材２３とを備える。プローブ貫通部材２３は、第一プローブ３０及び第二プローブ４０が貫通し、検査対象と対向する対向面２１ｕを有する。第一プローブ３０及び第二プローブ４０のうち、対向面から下方に突出する部分は、上下方向に移動自在である。第一プローブ３０及び第二プローブ４０が検査対象に接触していない状態において、第一プローブ３０の下端３１は、第二プローブ４０の下端４１より下方に位置する。

これにより、検査対象として、例えば半導体レーザ装置８０を用いて、プローブユニット２０を半導体レーザ装置８０に接近させる場合に、第二電極より高さが低い第一電極に、第一プローブ３０の下端３１を先に接触させて、載置面７０ａに押しつけることが可能となる。

本実施の形態では、式（１）が成り立つ。つまり、半導体レーザ装置８０は、第一プローブ３０の下端３１が接する第一電極と、第二プローブ４０の下端４１が接する第二電極とを有する。第一電極は、第二電極より下方に位置し、第一プローブ３０の下端３１と第二プローブ４０の下端４１との上下方向の位置の差は、第一電極と第二電極との上下方向の位置の差より大きい。このため、プローブユニット２０を半導体レーザ装置８０に接近させる場合に、第二プローブ４０が第二電極に接触する前に、第一プローブ３０を第一電極に確実に接触させることができる。ここで、半導体レーザ装置８０における高さが低い部分（第一電極）を、高さが高い部分（第二電極）よりも先に載置面７０ａに押しつける場合の方が、高さが高い部分を先に載置面７０ａに押しつける場合より、半導体レーザ装置８０が倒れる（つまり、転がる）可能性を低減できる。したがって、半導体レーザ装置８０が検査時に倒れることで損傷を受けることを低減できる。

また、式（１）が成り立つ場合には、供給工程において、第二プローブ４０の下端４１のプローブ貫通部材２３に対する変位を、第一プローブ３０の下端３１のプローブ貫通部材２３に対する変位より小さくすることができる。このため、第二電極を第二プローブ４０の下端４１によって押しつける力を、第一電極を第一プローブ３０の下端３１によって押しつける力より低減しやすくなる。したがって、第二電極にプローブ痕（つまり、凹み）が形成されることを抑制できる。特に、半導体レーザ装置８０の素子８２が有する第二電極として比較的軟らかいＡｕが用いられることがある。この場合、第二電極には、プローブ痕ができやすいため、本実施の形態に係るプローブユニット２０が特に有効である。

また、式（１）が成り立つ場合には、上述したように、供給工程の後に、第二プローブ４０を第二電極から離した後で、第一プローブ３０を第一電極から離すことができる。これにより、第二プローブ４０を第二電極から離す際に、第一プローブ３０が第一電極を押しつけているため、第二プローブ４０とともに、半導体レーザ装置８０が持ち上がることを低減できる。したがって、半導体レーザ装置８０が、持ち上がった後に落下することで、損傷を受けることを低減できる。特に、上述したとおり、第二電極として比較的軟らかいＡｕが用いられることがあり、この場合には、第二プローブ４０の下端４１が第二電極にめり込んで、第二プローブ４０と第二電極とがくっつきやすい。このため、第二プローブ４０を第二電極から離す際に、半導体レーザ装置８０が持ち上がりやすい。したがって、本実施の形態に係るプローブユニット２０が特に有効である。

本実施の形態に係るプローブユニット２０の第一プローブ３０及び第二プローブ４０は、座屈現象を示してもよい。

このような第一プローブ３０及び第二プローブ４０の効果について、図２９及び図３０を用いて説明する。図２９は、本実施の形態に係る第一プローブ３０が座屈現象を示していない場合の第一プローブ３０と第一貫通孔２６ａとの位置関係を示す模式図である。図３０は、本実施の形態に係る第一プローブ３０が座屈現象を示している場合の第一プローブ３０と第一貫通孔２６ａとの位置関係を示す模式図である。図２９及び図３０には、第一貫通孔２６ａ及び第一プローブ３０の断面図（ａ）と、第一貫通孔２６ａの上面図（ｂ）及び底面図（ｃ）とが示されている。

図２９に示されるように、第一プローブ３０が座屈現象を示していない場合には、第一プローブ３０は、第一貫通孔２６ａを囲む内壁に押し付けられないため、第一貫通孔２６ａ内で自由に移動できる。すなわち、プローブユニット２０の振動に伴って、貫通孔付近の第一プローブ３０も振動する。一方、図３０に示されるように、第一プローブ３０が座屈現象を示している場合、上下方向に対して垂直な方向に偏位するため、プローブ貫通部材２３の上面と下面の位置において、第一プローブ３０が第一貫通孔２６ａを囲む内壁に押しつけられる。この場合、第一プローブ３０の移動が、第一プローブ３０と、第一貫通孔２６ａを囲む内壁との間の摩擦力によって規制される。したがって、第一プローブ３０の振動を抑制できる。例えば、第一プローブ３０及び第二プローブ４０を、検査対象に押し付けたまま、プローブユニット２０及び検査対象が載置されたステージ７０を移動させる場合について説明する。この場合、第一プローブ３０及び第二プローブ４０が座屈現象を示していれば、プローブユニット２０及び検査対象が載置されたステージ７０を移動させることで、第一プローブ３０及び第二プローブ４０に振動の力が加わっても、上記摩擦力によって第一プローブ３０及び第二プローブ４０の貫通孔付近での振動を抑制できる。したがって、各プローブが振動することによって、検査対象が損傷することを抑制できる。

本実施の形態に係るプローブユニット２０の対向面２１ｕは、上下方向に対して傾いている貫通部材傾斜面２１ｓを有してもよい。貫通部材傾斜面２１ｓは、第一貫通孔２６ａ及び第二貫通孔２６ｂから遠ざかるにしたがって上昇する。

このように対向面２１ｕが貫通部材傾斜面２１ｓを有することで、測定装置９０をプローブユニット２０に接近させる場合に、測定装置９０とプローブユニット２０とが物理的に干渉することを低減できる。また、検査対象として、半導体レーザ素子などの発光素子を用いる場合に、対向面２１ｕの光の伝搬経路と対向する部分に貫通部材傾斜面２１ｓを配置することで、光が対向面２１ｕによって遮られることを低減できる。

本実施の形態に係る貫通部材傾斜面２１ｓは、光反射抑制面であってもよい。

これにより、貫通部材傾斜面２１ｓにおいて、検査対象からの光が乱反射し、光測定におけるノイズとなることを抑制できる。

本実施の形態に係る検査装置１０は、プローブユニット２０と、検査対象が載置される載置面７０ａを有するステージ７０と、プローブユニット２０とステージ７０との間に配置される高さ調整部材５０とを備える。

このような検査装置１０において、高さ調整部材５０は、プローブユニット２０とステージ７０との最小間隔を規定するスペーサとして機能することができる。したがって、検査装置１０のプローブユニット２０を駆動する機構の位置制御精度が低い場合にも、プローブユニット２０とステージ７０との間隔を、高さ調整部材５０によって精密に制御できる。したがって、プローブユニット２０とステージ７０とを近づけ過ぎて、検査対象に過大な応力がかかり、検査対象が損傷することを抑制できる。

また、高さ調整部材５０をステージ７０の載置面７０ａに押し付けることで、プローブユニット２０の振動を抑制できる。したがって、各プローブが振動することに伴って、検査対象が各プローブによって損傷することを抑制できる。

本実施の形態に係る高さ調整部材５０は、プローブユニット２０の対向面２１ｕに配置されてもよい。これにより、プローブユニット２０とともに高さ調整部材５０を退避させることができる。したがって、検査対象をステージ７０の載置面７０ａに載置する際に、高さ調整部材５０が検査対象を移動させるためのコレットなどと物理的に干渉することを低減できる。

本実施の形態に係るステージ７０の載置面７０ａは、上下方向に対して傾いているステージ傾斜面７０ｓを有してもよい。ステージ傾斜面７０ｓは、載置面７０ａの端に近づくにしたがって降下する。

このように載置面７０ａがステージ傾斜面７０ｓを有することで、測定装置９０をプローブユニット２０に接近させる場合に、測定装置９０とステージ７０とが物理的に干渉することを低減できる。また、検査対象として、半導体レーザ素子などの発光素子を用いる場合に、載置面７０ａの光の伝搬経路と対向する部分にステージ傾斜面７０ｓを配置することで、光が載置面７０ａによって遮られることを低減できる。

本実施の形態に係るステージ傾斜面７０ｓは、光反射抑制面であってもよい。

これにより、ステージ傾斜面７０ｓにおいて、検査対象からの光が乱反射し、光測定におけるノイズとなることを抑制できる。

本実施の形態に係る検査装置１０において、ステージ７０は、検査対象を吸着する吸着孔７２を有してもよい。また、検査装置１０は、ステージ７０に吸着された検査対象を囲む枠体Ｆｍを備えてもよい。検査装置１０は、枠体Ｆｍを移動させることで検査対象の位置を調整する。

これにより、検査対象の位置調整を行う際に、枠体Ｆｍという一つの治具だけで、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に、連続的に位置調整を行うことができる。したがって、位置調整に要する時間を低減できる。

本実施の形態に係る検査方法は、検査対象に電流を供給することで、検査対象の特性を検査する検査方法である。検査対象の一例である半導体レーザ装置８０は、上面を有するサブマウント８４と、素子上面を有し、サブマウント８４の上面に配置され、電流が供給される素子８２とを有する。サブマウント８４は、上面に配置される第一電極を有し、素子８２は、素子上面に配置される第二電極を有する。検査方法は、第一プローブ３０を第一電極に接触させる第一接触工程と、第一接触工程の後に、第一プローブ３０を第一電極に接触させた状態で、第二プローブ４０を第二電極に接触させる第二接触工程とを含む。第一プローブ３０及び第二プローブ４０は、検査対象に電流を供給する電流回路に含まれ、弾性復元力を有する。

このような検査方法により、第二プローブ４０が第二電極に接触する前に、第一プローブ３０を第一電極に確実に接触させることができる。ここで、検査対象における高さが低い部分（第一電極）を、高さが高い部分（第二電極）よりも先に載置面７０ａに押しつける場合の方が、高さが高い部分を先に載置面７０ａに押しつける場合より、検査対象が倒れる可能性を低減できる。したがって、検査対象が検査時に倒れることで損傷を受けることを低減できる。本実施の形態に係る検査方法は、例えば、上述した検査装置１０を用いて実現できる。

本実施の形態に係る他の検査方法は、検査対象に電流を供給することで、検査対象の特性を検査する検査方法である。検査対象の一例である半導体レーザ装置８０は、上面を有するサブマウント８４と、素子上面を有し、サブマウント８４の上面に配置され、電流が供給される素子８２とを有する。サブマウント８４は、上面に配置される第一電極を有し、素子８２は、素子上面に配置される第二電極を有する。検査方法は、第一プローブ３０を第一電極に接触させ、かつ、第二プローブ４０を第二電極に接触させた状態で、検査対象に電流を供給する供給工程と、供給工程の後に、第二プローブ４０を第二電極から離す第二脱離工程と、第二脱離工程の後に、第一プローブ３０を第一電極から離す第一脱離工程とを含む。第一プローブ３０及び第二プローブ４０は、検査対象に電流を供給する電流回路に含まれ、弾性復元力を有する。

このような検査方法により、第二プローブ４０を第二電極から離す際に、第一プローブ３０が第一電極を押しつけているため、第二プローブ４０とともに、検査対象が持ち上がることを低減できる。したがって、検査対象が、持ち上がった後に落下することで、損傷を受けることを低減できる。特に、上述したとおり、第二電極として比較的軟らかいＡｕが用いられることがあり、この場合には、第二プローブ４０が第二電極にめり込んで、第二プローブ４０と第二電極とがくっつきやすい。このため、第二プローブ４０を第二電極から離す際に、検査対象が持ち上がりやすい。したがって、本実施の形態に係る検査方法が特に有効である。本実施の形態に係る検査方法は、例えば、上述した検査装置１０を用いて実現できる。

［１－６．検査システム］
本実施の形態に係る検査装置１０を備える検査システムについて図３１及び図３２を用いて説明する。図３１は、本実施の形態に係る検査システム１の全体構成を示す模式的な上面図である。図３２は、本実施の形態の変形例に係る検査システム１ａの全体構成を示す模式的な上面図である。図３１及び図３２には、検査において用いる測定装置９０及び検査対象の一例である半導体レーザ装置８０も併せて示されている。

図３１に示されるように、本実施の形態に係る検査システム１は、検査装置１０と、検査装置１０を搬送する搬送装置５とを備える。

図３１に示される例では、搬送装置５は、円形状の形状を有し、中心を回転軸として回転するターンテーブルであり、搬送装置５に配置された検査装置１０を周方向に搬送する。

検査システム１は、複数の検査装置１０を備える。図３１に示される例では、検査システム１では、１２個の検査装置１０が搬送装置５の円形状の端縁に沿って円状に配置されている。本実施の形態では、検査装置１０は、半径３００ｍｍ程度の円周上に、中心角３０度ごとに配置される。検査装置１０の平均移動速度は、例えば、２００ｍｍ／秒程度であり、中心角３０度分の移動に要する時間は、例えば、０．８秒程度である。

検査装置１０は、搬送装置５によって搬送された搬送先の位置に応じて、上述した検査方法の各工程を実行する。つまり、検査装置１０は、まず、図３１に示される搬送装置５の５時の位置まで搬送された後に停止され、検査対象が投入される。続いて、検査装置１０は、搬送装置５の４時の位置まで反時計回りに搬送された後に停止され、検査対象の位置調整を行う。続いて、検査装置１０は、搬送装置５の３時の位置まで反時計回りに搬送された後に停止され、プローブユニット２０を移動する。ここで、第一プローブ３０及び第二プローブ４０を検査対象に接触させる。続いて、検査装置１０は、第一プローブ３０及び第二プローブ４０を検査対象に接触させた状態で、搬送装置５の２時の位置まで反時計回りに搬送された後に停止され、検査対象に所定の電流を供給し、特性を測定し（つまり検査を行い）、電流の供給を停止する。続いて、検査装置１０は、第一プローブ３０及び第二プローブ４０を検査対象に接触させた状態で、搬送装置５の１時の位置から８時の位置まで反時計回りに搬送及び停止が繰り返され、停止するたびに検査対象の検査を行う。図３１に示される例では、七回の検査を行う。各検査は、それぞれ異なる検査であってもよいし、同一の検査が複数回行われてもよい。例えば、各検査において、検査対象に供給する電流及び電圧の大きさを変えたり、電流の波形を変えたりしてもよい。図３１には、図示を省略しているが、複数の検査位置の各々には、測定装置が配置されて、検査対象の測定を行う。

続いて、検査装置１０は、第一プローブ３０及び第二プローブ４０を検査対象に接触させた状態で、搬送装置５の７時の位置まで反時計回りに搬送された後に停止され、プローブユニット２０を退避させる。続いて、検査装置１０は、搬送装置５の６時の位置まで反時計回りに搬送された後に停止され、検査対象を排出する。

このような検査を１２個の検査装置１０の各々において行うことで、同時に７個の検査対象の検査を行うことができるため、多数の検査対象の検査に要する時間を短縮できる。

また、本実施の形態に係る検査装置１０は、第一プローブ３０及び第二プローブ４０を検査対象に接触させた状態で、検査装置１０を搬送する。このため、複数の検査を別の位置で行う際に、移動の度にプローブユニット２０の移動及び退避を行う必要がなくなる。検査の各工程のうち、プローブユニット２０の移動及び退避は、特に時間を要する工程である。例えば、プローブユニット２０が水平方向に移動する距離１００ｍｍ程度であり、移動には０．８秒程度を要する。つまり、平均移動速度は、１２５ｍｍ／秒程度である。また、プローブユニット２０の水平方向の移動後、プローブユニット２０の振動が止まるまで待機してもよい。振動が止まった後に上下方向に移動することで、第一プローブ３０及び第二プローブ４０により検査対象に形成されるプローブ痕を低減できる。さらに、プローブユニット２０の上下方向の移動に０．８秒程度要する。このように比較的長い時間を要するプローブユニット２０の移動及び退避工程の回数を削減することで、大幅な検査時間短縮を実現できる。

また、本実施の形態では、第一プローブ３０及び第二プローブ４０を検査対象に対して接触及び脱離させる回数を削減できるため、検査対象に形成されるプローブ痕を低減できる。

本実施の形態に係る検査装置１０は、プローブユニット２０とステージ７０との間に配置される高さ調整部材５０を備える。これにより、第一プローブ３０及び第二プローブ４０を検査対象に接触させる際に、高さ調整部材５０をステージ７０の載置面７０ａに押しつけることができる。したがって、検査装置１０を搬送する際に、高さ調整部材５０と載置面７０ａとの間の摩擦力によって、プローブユニット２０、第一プローブ３０及び第二プローブ４０が振動することを抑制できる。これにより、第一プローブ３０及び第二プローブ４０の振動によって検査対象が損傷することを抑制できる。

また、本実施の形態では、上述したとおり高さ調整部材５０のステージ接触面５０ａが粗面であるため、ステージ接触面５０ａとステージ７０の載置面７０ａとの間の摩擦力を増大させることができる。したがって、検査装置１０を搬送する際にプローブユニット２０がステージ７０に対して振動することをより一層抑制でき、第一プローブ３０及び第二プローブ４０が検査対象に対して振動することをより一層抑制できる。

また、本実施の形態に係る複数の検査装置１０は、図３１に示されるように、搬送装置５の半径方向にプローブユニット２０を移動させることができる。言い換えると、検査装置１０は、検査装置１０の搬送方向に垂直な方向に、プローブユニット２０を移動する移動機構を備える。なお、移動機構は、上述した、ユニット移動部材１６などによって実現される。このような移動機構により、検査対象を搬送装置５の外部から検査装置１０に投入する際に、検査対象の移動に用いるコレットなどとプローブユニット２０などとの物理的干渉が発生することを低減できる。

次に、本実施の形態の変形例に係る検査システム１ａについて、図３２を用いて説明する。図３２に示されるように、本変形例に係る検査システム１ａは、検査装置１０と、検査装置１０を搬送する搬送装置５ａとを備える。本変形例に係る検査システム１ａも、上述した検査システム１と同様に複数の検査装置１０を備える。

本変形例に係る搬送装置５ａは、主に、搬送経路の形状において、上述した搬送装置５と相違する。本変形例に係る搬送装置５ａは、長円形状を有し、搬送装置５ａの周縁にそって長円形状に複数の検査装置１０が配置される。複数の検査装置１０は、長円形状の搬送経路に沿って搬送される。このため、搬送装置５ａは、検査装置１０を直線状に搬送する搬送経路と、円弧状に搬送する搬送経路とを併せ持つ。検査装置１０の平均移動速度は、例えば、１９０ｍｍ／秒程度であり、一回の搬送当たりの搬送距離は、例えば、１５０ｍｍである。一回の搬送に要する時間は、例えば、０．８秒程度である。

本変形例に係る検査システム１ａにおいても、検査装置１０の第一プローブ３０及び第二プローブ４０を検査対象に接触させた状態で、検査装置１０を搬送する。これにより、本変形例に係る検査システム１ａにおいても、上述した検査システム１と同様の効果が奏される。

［１－７．半導体レーザ装置の製造方法］
本実施の形態に係る半導体レーザ装置８０の製造方法について、図３３を用いて説明する。図３３は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置８０の製造方法の流れを示すフローチャートである。

図３３に示されるように、まず、半導体レーザ装置８０を組み立てる（Ｓ１０）。本実施の形態では、半導体レーザ装置８０は、サブマウント８４と、素子８２とを備える。素子８２は、半導体レーザ素子である。半導体レーザ装置８０は、例えば、サブマウント８４を準備し、サブマウント８４の上面に素子８２を配置することで組み立てられる。

続いて、半導体レーザ装置８０を検査する（Ｓ２０）。本実施の形態に係る半導体レーザ装置８０の製造方法では、本実施の形態に係る検査方法を用いて、検査対象として半導体レーザ装置８０を検査する。

以上のように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置８０を製造できる。本実施の形態に係る半導体レーザ装置８０の製造方法によれば、本実施の形態に係る検査方法を用いることで、上述した検査方法と同様の効果が奏され、検査における半導体レーザ装置８０の損傷を低減できる。

［１－８．プローブユニットの変形例］
本実施の形態の変形例に係るプローブユニットについて説明する。

［１－８－１．変形例１］
本実施の形態の変形例１に係るプローブユニットについて、図３４を用いて説明する。図３４は、本変形例に係るプローブユニットの一部を示す模式的な断面図である。図３４には、プローブ貫通部材２３の第一貫通孔２６ａ及びその周辺の構成が示されている。

図３４に示されるように、本変形例のプローブユニットは、第一プローブ１３０の構成において、上述したプローブユニット２０と相違する。本変形例に係る第一プローブ１３０は、導電体３６と、絶縁膜３８とを有する。

導電体３６は、弾性復元力を有する導電部材である。導電体３６は、例えば、金属ワイヤである。導電体３６は、上述した第一プローブ３０と同様に、プローブ固定部材２４で固定され、プローブ貫通部材２３を貫通する。

絶縁膜３８は、導電体３６の一部を覆う電気絶縁性の膜である。本変形例では、第一プローブ１３０の下端１３１が検査対象に接触していない状態において、絶縁膜３８は、導電体３６のうち、プローブ貫通部材２３より上方に位置する部分を覆う。第一プローブ１３０の下端１３１が検査対象に接触していない状態において、導電体３６のうち、空洞２１ｖに位置する部分を覆ってもよい。図３４に示されるように、絶縁膜３８が導電体３６を覆う部分における第一プローブ１３０の太さは、第一貫通孔２６ａの径より大きくてもよい。これにより、絶縁膜３８が、第一プローブ１３０が第一貫通孔２６ａから下方に落下することを抑制できる。

なお、第二プローブも、第一プローブ１３０と同様に、導電体と絶縁膜とを有していてもよい。

［１－８－２．変形例２］
本実施の形態の変形例２に係るプローブユニットについて、図３５を用いて説明する。図３５は、本変形例に係るプローブユニットの一部を示す模式的な断面図である。

本変形例に係るプローブユニットは、プローブ貫通部材１２３の構成において、変形例１に係るプローブユニットと相違する。

本変形例に係るプローブ貫通部材１２３には、第一貫通孔１２６ａが形成されている。プローブ貫通部材１２３は、互いに上下方向に離間して配置される複数のガイド部材１２３ａ、１２３ｃ、１２３ｅを有する。複数のガイド部材１２３ａ、１２３ｃ、１２３ｅの各々には、第一プローブ１３０が貫通する第一ガイド孔が形成されている。図３５に示されるように、ガイド部材１２３ａには、第一ガイド孔１２６ａａが形成されている。また、ガイド部材１２３ａの下方に配置されるガイド部材１２３ｃには、第一ガイド孔１２６ｃａが形成されている。また、ガイド部材１２３ｃの下方に配置されるガイド部材１２３ｅには、第一ガイド孔１２６ｅａが形成されている。本変形例では、各ガイド部材は、電気絶縁性の材料で形成される。各ガイド部材は、例えば、芳香族ポリエステル、ナイロン、テフロン（登録商標）、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素樹脂、又は、セラミックスなどを用いることができる。第一プローブ１３０のうち各ガイド部材と接触する部分に絶縁膜が形成されている場合には、各ガイド部材として金属などの導電部材を用いることができる。

本変形例では、隣り合う二つのガイド部材の間にスペーサが配置されている。ガイド部材１２３ａとガイド部材１２３ｃとの間には、スペーサ１２３ｂが配置されている。ガイド部材１２３ｃとガイド部材１２３ｅとの間には、スペーサ１２３ｄが配置されている。

スペーサ１２３ｂには、第一スペーサ孔１２６ｂａが形成されており、スペーサ１２３ｄには、第一スペーサ孔１２６ｄａが形成されている。

プローブ貫通部材１２３の第一貫通孔１２６ａは、第一ガイド孔１２６ａａ、１２６ｃａ、１２６ｅａと、第一スペーサ孔１２６ｂａ、１２６ｄａとを含む。つまり、第一プローブ１３０は、第一ガイド孔１２６ａａ、１２６ｃａ、１２６ｅａと、第一スペーサ孔１２６ｂａ、１２６ｄａとを貫通する。第一ガイド孔１２６ａａ、１２６ｃａ、１２６ｅａの各中心は水平方向で同じ位置（つまり、ＸＹ平面において同じ位置）にあり、貫通する第一プローブ１３０は、プローブ貫通部材１２３の底面に対して垂直となっている。

第一スペーサ孔１２６ｂａ、１２６ｄａの径は、第一ガイド孔１２６ａａ、１２６ｃａ、１２６ｅａの径より大きい。これにより、第一プローブ１３０は、第一ガイド孔１２６ａａ、１２６ｃａ、１２６ｅａにガイドされる。ここで、各ガイド部材の厚さを各スペーサの厚さより小さくすることで、第一プローブ１３０が第一貫通孔１２６ａ内でプローブ貫通部材１２３と接触する面積を低減できるため、プローブ貫通部材１２３との摩擦を低減できる。さらに摩擦を低減するためには、各ガイド部材の各第一貫通孔の周縁における角部（エッジ部）を無くしてもよい。

また、上下方向に配置された各ガイド部材に形成された各第一ガイド孔における第一プローブ１３０との隙間を十分に小さくすることで、第一プローブ１３０の傾きを低減できる。

また、各スペーサの厚さを第一プローブ１３０のばね定数に基づいて決定された所定の厚さ以下にすることで、第一プローブ１３０が各第一スペーサ孔で座屈することを抑制できる。

なお、図示しないが、プローブ貫通部材１２３の第二貫通孔も第一貫通孔１２６ａと同様の構成とすることができる。

［１－８－３．変形例３］
本実施の形態の変形例３に係るプローブユニットについて、図３６を用いて説明する。図３６は、本変形例に係るプローブユニットの一部を示す模式的な断面図である。

本変形例に係るプローブユニットは、プローブ貫通部材２２３の構成において、変形例２に係るプローブユニットと相違する。

プローブ貫通部材２２３は、互いに上下方向に離間して配置される複数のガイド部材２２３ａ、２２３ｃを有する。複数のガイド部材２２３ａ、２２３ｃの各々には、第一プローブ１３０が貫通する第一ガイド孔が形成されている。図３６に示されるように、ガイド部材２２３ａには、第一ガイド孔２２６ａａが形成されている。また、ガイド部材２２３ａの下方に配置されるガイド部材２２３ｃには、第一ガイド孔２２６ｃａが形成されている。

本変形例では、隣り合う二つのガイド部材２２３ａとガイド部材２２３ｃとの間にスペーサ２２３ｂが配置されている。スペーサ２２３ｂには、第一スペーサ孔２２６ｂａが形成されている。

プローブ貫通部材２２３の第一貫通孔２２６ａは、第一ガイド孔２２６ａａ、２２６ｃａと、第一スペーサ孔２２６ｂａとを含む。つまり、第一プローブ１３０は、第一ガイド孔２２６ａａ、２２６ｃａと、第一スペーサ孔２２６ｂａとを貫通する。

第一スペーサ孔２２６ｂａの径は、第一ガイド孔２２６ａａ、２２６ｃａの径より大きい。これにより、第一プローブ１３０は、第一ガイド孔２２６ａａ、２２６ｃａにガイドされる。また、変形例２に係るプローブ貫通部材１２３と同様に、各ガイド部材の厚さをスペーサ２２３ｂの厚さより小さくすることで、第一プローブ１３０が第一貫通孔２２６ａ内でプローブ貫通部材２２３と接触する面積を低減できるため、プローブ貫通部材２２３との摩擦を低減できる。

本変形例では、複数のガイド部材のうちプローブ固定部材に最も近い（つまり、最も上に配置される）ガイド部材２２３ａの第一ガイド孔２２６ａａと第一プローブ１３０との隙間は、複数のガイド部材のうちプローブ固定部材から最も遠い（つまり、最も下に配置される）ガイド部材２２３ｃの第一ガイド孔２２６ｃａと第一プローブ１３０との隙間より大きい。これにより、ガイド部材２２３ｃの第一ガイド孔２２６ｃａによって、第一プローブ１３０の位置を精密に規制しつつ、ガイド部材２２３ａと第一プローブ１３０との摩擦を低減できる。

また、本変形例では、複数のガイド部材のうちプローブ固定部材に最も近いガイド部材２２３ａの厚さは、複数のガイド部材のうちプローブ固定部材から最も遠いガイド部材２２３ｃの厚さより大きい。ここで、上述したように、各プローブは、検査対象に押し付けられた場合に、空洞２１ｖにおいて座屈する。このため、第一貫通孔２２６ａに位置する第一プローブ１３０のうち、空洞２１ｖに近い、つまり最も上に位置する部分において、第一プローブ１３０の座屈に伴う応力が大きくなる。本変形例のように、複数のガイド部材のうち最も上に配置されるガイド部材２２３ａの厚さを大きくすることで、第一プローブ１３０の第一貫通孔２２６ａ内における上下方向に対する傾きを低減できる。

なお、図示しないが、プローブ貫通部材２２３の第二貫通孔も第一貫通孔２２６ａと同様の構成とすることができる。

［１－８－４．変形例４］
本実施の形態の変形例４に係るプローブユニットについて、図３７を用いて説明する。図３７は、本変形例に係るプローブユニットの一部を示す模式的な断面図である。

本変形例に係るプローブユニットは、第一プローブ１３０ａの構成において、変形例３に係るプローブユニットと相違する。

第一プローブ１３０ａは、導電体３６と絶縁膜３３８とを有する。本変形例に係る絶縁膜３３８は、第一プローブ１３０ａのうち各プローブ貫通部材２２３と接触する部分に絶縁膜３３８が形成されている。これにより、プローブ貫通部材２２３を介して、第一プローブ１３０ａと他の導電部材との間で短絡が発生することを抑制できる。また、プローブ貫通部材２２３において導電部材を用いることができるため、プローブ貫通部材２２３において用いる材料の自由度を高めることができる。

なお、第二プローブも第一プローブ１３０ａと同様の構成とすることができる。

［１－８－５．変形例５］
本実施の形態の変形例５に係るプローブユニットについて、図３８を用いて説明する。図３８は、本変形例に係るプローブユニットのプローブ貫通部材４２３の一部を示す模式的な上面図である。

本変形例に係るプローブユニットは、プローブ貫通部材４２３の第一貫通孔４２６ａの構成において、上述したプローブユニット２０と相違する。

本変形例に係るプローブ貫通部材４２３は、第一貫通孔４２６ａを囲む第一内壁４２６ｗを有する。プローブ貫通部材４２３の上面視において、第一内壁４２６ｗは、第一貫通孔に向かって滑らかに突出する１以上の第一凸部４２６Ｐを有する。これにより、第一内壁４２６ｗと、第一プローブ３０との接触面積を低減できる。したがって、プローブ貫通部材４２３と第一プローブ３０との間の摩擦を低減できる。また、第一凸部４２６Ｐが滑らかに突出し、角部を有さないため、第一プローブ３０と第一内壁４２６ｗとの間の摩耗を低減できる。また、第一プローブ３０が第一凸部４２６Ｐによって削られることでダストが発生して、検査対象に付着し、検査後の特性変化を引き起こすことを低減できる。

［１－８－６．変形例６］
本実施の形態の変形例６に係るプローブユニットについて、図３９を用いて説明する。図３９は、本変形例に係るプローブユニットのプローブ貫通部材２３の一部を示す模式的な上面図である。

本変形例に係るプローブユニットは、第一プローブ４３０の構成において、上述したプローブユニット２０と相違する。

本変形例に係る第一プローブ４３０は、矩形状の断面形状を有する。これにより、第一貫通孔２６ａにおけるプローブ貫通部材２３と第一プローブ４３０との接触面積を低減できる。したがって、プローブ貫通部材２３と第一プローブ４３０との間の摩擦を低減できる。第一プローブ４３０の断面の角部は、滑らかな曲線状となるように形成されていてもよい。これにより、第一プローブ４３０及びプローブ貫通部材２３の摩耗を低減できる。この第一プローブ４３０は、矩形状の断面形状を有しているため、平板からのエッチング加工あるいは切断加工により容易に作成しうる。これは、特に後述の実施の形態４のようなプローブユニットにおいても用いることができる。

［１－８－７．変形例７］
本実施の形態の変形例７に係るプローブユニットについて、図４０を用いて説明する。図４０は、本変形例に係るプローブユニットの一部を示す模式的な断面図である。図４０には、検査対象の一例として半導体レーザ装置８０も併せて示されている。

本変形例に係るプローブユニットは、ユニット本体５２１及び第二プローブ１４０の構成において、変形例１に係るプローブユニットと相違する。

本変形例に係る第二プローブ１４０は、導電体４６と、絶縁膜４８とを有する。導電体４６は、第一プローブ１３０の導電体３６と同一の構成を有し、絶縁膜４８は、第一プローブ１３０の絶縁膜３８と同一の構成を有する。つまり、第一プローブ１３０と第二プローブ１４０とは、同一の構成を有する。

ユニット本体５２１は、プローブ貫通部材５２３と、プローブ固定部材５２４とを有する。

プローブ貫通部材５２３は、検査対象と対向する対向面５２１ｕと、対向面５２１ｕの裏側の第一上面５２３ａ及び第二上面５２３ｂとを有する。プローブ貫通部材５２３には、第一貫通孔５２６ａと、第二貫通孔５２６ｂとが形成されている。第一貫通孔５２６ａは、第一上面５２３ａから対向面５２１ｕまでを上下方向に貫通する。第二貫通孔５２６ｂは、第二上面５２３ｂから対向面５２１ｕまでを上下方向に貫通する。第一貫通孔５２６ａの径は、第一プローブ１３０の導電体３６の径より大きく、第一プローブ１３０のうち絶縁膜３８が形成された部分の径よりも小さい。第二貫通孔５２６ｂの径は、第二プローブ１４０の導電体４６の径より大きく、第二プローブ１４０のうち絶縁膜４８が形成された部分の径よりも小さい。第一プローブ１３０のうち絶縁膜３８が形成された部分の下端は、第一貫通孔５２６ａの上面（第一上面５２３ａ）に接している。また、第二プローブ１４０のうち絶縁膜４８が形成された部分の下端は、第二貫通孔５２６ｂの上面（第二上面５２３ｂ）に接している。図４０に示されるように、第一上面５２３ａと第二上面５２３ｂとは上下方向位置が異なり、第二上面５２３ｂの方が、第一上面５２３ａより上方に位置する。

プローブ固定部材５２４は、プローブ貫通部材５２３と対向する第一下面５２４ａ及び第二下面５２４ｂと、それらの裏側の上面５２１ｔとを有する。プローブ固定部材５２４には、第一固定用孔５２７ａと、第二固定用孔５２７ｂとが形成されている。第一固定用孔５２７ａは、上面５２１ｔから第一下面５２４ａまでを上下方向に貫通する。第二固定用孔５２７ｂは、上面５２１ｔから第二下面５２４ｂまでを上下方向に貫通する。第一固定用孔５２７ａの径は、第一プローブ１３０の導電体３６の径より大きく、第一プローブ１３０のうち絶縁膜３８が形成された部分の径よりも小さい。第二固定用孔５２７ｂの径は、第二プローブ１４０の導電体４６の径より大きく、第二プローブ１４０のうち絶縁膜４８が形成された部分の径よりも小さい。第一プローブ１３０のうち絶縁膜３８が形成された部分の上端は、第一固定用孔５２７ａの下面（第一下面５２４ａ）に接している。第二プローブ１４０のうち絶縁膜４８が形成された部分の上端は、第二固定用孔５２７ｂの下面（第二下面５２４ｂ）に接している。図４０に示されるように、第一下面５２４ａと第二下面５２４ｂとは上下方向位置が異なり、第二下面５２４ｂの方が、第一下面５２４ａより上方に位置する。

本変形例では、第一プローブ１３０と第二プローブ１４０とが同一の構成を有するため、第一プローブ１３０の下端１３１側の絶縁膜３８が形成されていない部分の長さと、第二プローブ１４０の下端１４１側の絶縁膜４８が形成されていない部分の長さも等しい。したがって、プローブ貫通部材５２３の第一上面５２３ａと第二上面５２３ｂとの高さの差によって、第一プローブ１３０の下端１３１の上下方向位置及び第二プローブ１４０の下端１４１の上下方向位置の差が決定される。これにより、第一上面５２３ａと第二上面５２３ｂとの高さの差を調整することによって、第一プローブ１３０の下端１３１の上下方向位置及び第二プローブ１４０の下端１４１の上下方向位置の差を調整できる。

プローブ貫通部材５２３の第一上面５２３ａと第二上面５２３ｂとの高さの差は、プローブ固定部材５２４の第一下面５２４ａと第二下面５２４ｂとの高さの差と等しくてもよい。また、プローブ貫通部材５２３の第一上面５２３ａからプローブ固定部材５２４の第一下面５２４ａまでの長さ、及び、プローブ貫通部材５２３の第二上面５２３ｂからプローブ固定部材５２４の第二下面５２４ｂまでの長さは、第一プローブ１３０の絶縁膜３８で覆われている部分の長さ（つまり、第二プローブ１４０の絶縁膜４８で覆われている部分の長さ）と等しくてもよい。これにより、プローブ固定部材５２４に対する各プローブの相対位置を各絶縁膜によって調整（つまり位置決め）できる。

［１－８－８．変形例８］
本実施の形態の変形例８に係るプローブユニットについて、図４１～図４３を用いて説明する。図４１～図４３は、本変形例に係るプローブユニットの各プローブの構成を示す模式的な側面図である。図４１～図４３には、高さ調整部材５０と、検査対象の一例である半導体レーザ装置８０とが併せて示されている。

第一プローブ３０の対向面２１ｕから突出する部分の長さＬ１、及び、第二プローブ４０の対向面２１ｕから突出する部分の長さＬ２と、高さ調整部材５０の高さＨと、半導体レーザ装置８０のサブマウント８４の下面から第一電極までの高さｄ１、及び、サブマウント８４の下面から素子８２の第二電極までの高さｄ２との関係として、種々の例が想定される。

例えば、図４１に示されるように、以下の式（８）が成立する場合があり得る。

Ｌ１＞Ｌ２＞Ｈ （８）

また、図４２に示されるように、以下の式（９）が成立する場合があり得る。

Ｌ１＞Ｈ＞Ｌ２ （９）

また、図４３に示されるように、以下の式（１０）が成立する場合があり得る。

Ｈ＞Ｌ１＞Ｌ２ （１０）

上記いずれの場合にも以下の式（１１）が成り立てば、半導体レーザ装置８０と対向面２１ｕとが物理的に干渉することなく、高さ調整部材５０をステージ７０に接触させることができる。

Ｈ＞ｄ２＞ｄ１ （１１）

なお、図４１～図４３には、高さ調整部材５０をステージ７０に接触させた状態における半導体レーザ装置８０の高さ調整部材５０に対する相対位置が破線で示されている。図４１～図４３に示されるように、半導体レーザ装置８０と対向面２１ｕとが物理的に干渉することなく、高さ調整部材５０をステージ７０に接触させることができる。

［１－８－９．変形例９］
本実施の形態の変形例９に係るプローブユニットについて、図４４を用いて説明する。図４４は、本変形例に係るプローブユニットの一部を示す模式的な断面図である。図４４には、検査対象の一例として半導体レーザ装置８０の詳細構成も併せて示されている。

本変形例に係るプローブユニットは、第一プローブ２３０、第二プローブ２４０、及びユニット本体６２１の構成において、上記プローブユニット２０と相違する。

半導体レーザ装置８０は、図４４に示されるように、サブマウント８４と、素子８２とを有する。サブマウント８４は、下面８４ｂと、下面８４ｂの裏側の上面８４ａとを有する。サブマウント８４の上面８４ａには、第一電極８５が配置されている。

素子８２は、素子下面８２ｂと、素子下面８２ｂの裏側の素子上面８２ａとを有する。素子８２は、サブマウント８４の上面８４ａに配置される。素子８２は、素子上面８２ａに第二電極８３が配置されている。

なお、上述の各半導体レーザ装置８０も図４４に示されるような詳細構成を有する。

本変形例では、第一プローブ２３０及び第二プローブ２４０の弾性係数が同一である。例えば、第一プローブ２３０及び第二プローブ２４０は、同一の材料で形成されていてもよい。また、第二プローブ２４０は第一プローブ２３０より細くてもよい。これにより、第二プローブ２４０のばね定数は、第一プローブ２３０のばね定数より小さくなるため、第二プローブ２４０が接触する第二電極８３の損傷を低減できる。

ユニット本体６２１は、プローブ貫通部材６２３と、プローブ固定部材６２４とを有する。

プローブ貫通部材６２３は、検査対象と対向する対向面６２１ｕと、対向面６２１ｕの裏側の第一上面６２３ａ及び第二上面６２３ｂとを有する。プローブ貫通部材６２３には、第一貫通孔６２６ａと、第二貫通孔６２６ｂとが形成されている。第一貫通孔６２６ａは、第一上面６２３ａから対向面６２１ｕまでを上下方向に貫通する。第二貫通孔６２６ｂは、第二上面６２３ｂから対向面６２１ｕまでを上下方向に貫通する。本変形例では、図４４に示されるように、第一上面６２３ａと第二上面６２３ｂとは上下方向位置が同一である。

プローブ固定部材６２４は、プローブ貫通部材６２３と対向する第一下面６２４ａ及び第二下面６２４ｂと、それらの裏側の上面６２１ｔとを有する。プローブ固定部材６２４には、第一固定用孔６２７ａと、第二固定用孔６２７ｂとが形成されている。第一固定用孔６２７ａは、上面６２１ｔから第一下面６２４ａまでを上下方向に貫通する。第二固定用孔６２７ｂは、上面６２１ｔから第二下面６２４ｂまでを上下方向に貫通する。図４４に示されるように、第一下面６２４ａと第二下面６２４ｂとは上下方向位置が異なり、第二下面６２４ｂの方が、第一下面６２４ａより上方に位置する。

ユニット本体６２１が以上のような構成を有することにより、第二プローブ２４０のプローブ固定部材６２４からプローブ貫通部材６２３までの長さは、第一プローブ２３０のプローブ固定部材６２４からプローブ貫通部材６２３までの長さより長くてもよい。これにより、第一プローブ２３０より、第二プローブ２４０の方が座屈しやすくなる。言い換えると、第二プローブ２４０のばね定数は、第一プローブ２３０のばね定数より小さくなる。これにより、第二プローブ２４０の座屈を伴う弾性復元力を低減できるため、第二プローブ２４０が接触する第二電極８３の損傷を低減できる。

なお、図４４に示される例では、第一上面６２３ａと第二上面６２３ｂとは上下方向位置が同一であったが、第二上面６２３ｂを第一上面６２３ａより下方に配置してもよい。これにより、第二プローブ２４０のプローブ固定部材６２４からプローブ貫通部材６２３までの長さをより一層長くできる。したがって、第二プローブ２４０の座屈を伴う弾性復元力をより一層低減できる。

［１－８－１０．変形例１０］
本実施の形態の変形例１０に係るプローブユニットについて、図４５を用いて説明する。図４５は、本変形例に係るプローブユニットの一部を示す模式的な断面図である。図４５には、検査対象の一例として半導体レーザ装置８０の詳細構成も併せて示されている。

本変形例に係るプローブユニットは、第一プローブ３３０、及び第二プローブ３４０の構成において、変形例９に係るプローブユニットと相違する。

本変形例に係る第二プローブ３４０の下端３４１の曲率半径は、第一プローブ３３０の下端３３１の曲率半径より大きい。

これにより、第二プローブ３４０の下端３４１が半導体レーザ装置８０の第二電極８３を押す圧力を低減できる。したがって、第二電極８３の損傷を低減できる。

さらに、第二プローブ３４０は第一プローブ３３０より細くてもよい。これにより、第二プローブ３４０のばね定数は、第一プローブ３３０のばね定数より小さくなるため、第二プローブ３４０が接触する第二電極８３の損傷をより一層低減できる。

［１－８－１１．実施例］
本実施の形態のプローブユニット２０の貫通部材傾斜面２１ｓ、及びステージ７０のステージ傾斜面７０ｓの実施例について、図４６～図５０を用いて説明する。図４６及び図４７は、それぞれ本実施の形態に係る貫通部材傾斜面２１ｓ、及びステージ傾斜面７０ｓの第一の実施例を示す模式的な斜視図及び断面図である。図４７は、図４６に一点鎖線で示された断面を表す。図４８は、本実施の形態に係る貫通部材傾斜面２１ｓ、及びステージ傾斜面７０ｓの第二の実施例を示す模式的な断面図である。図４９は、本実施の形態に係る貫通部材傾斜面２１ｓ、及びステージ傾斜面７０ｓの第三の実施例を示す模式的な斜視図である。図５０は、本実施の形態に係る貫通部材傾斜面２１ｓの第四の実施例を示す模式的な断面図である。

図４６及び図４７に示されるように、第一の実施例においては、対向面２１ｕのうち半導体レーザ装置８０からのレーザ光ＬＢと対向する部分に平面状（つまり平坦な）の貫通部材傾斜面２１ｓが形成されている。また、載置面７０ａのうち半導体レーザ装置８０からのレーザ光ＬＢと対向する部分に平面状のステージ傾斜面７０ｓが形成されている。

また、図４７に示されるように、レーザ光ＬＢの上下方向における発散角αに応じて、貫通部材傾斜面２１ｓの及びステージ傾斜面７０ｓの（上下方向に対して垂直な水平面に対する）傾斜角度β２を決定してもよい。例えば、半導体レーザ装置８０の素子８２としてＧａＮ系、又はＡｌＧａＩｎＡｓＰ系で、発散角αが４６度程度の半導体レーザ素子を用いる場合、傾斜角度β２を２３度程度に設定してもよい。

なお、図４８に示される第二の実施例のように、傾斜角度β２を大きくしてもよい。これにより、測定装置９０などが、ステージ７０及びプローブユニット２０と物理的に干渉することを低減できる。例えば、傾斜角度β２は、４５度以上であってもよい。

一方で、傾斜角度β２は、４５度以下であってもよい。これにより、半導体レーザ装置８０からステージ７０に拡散する熱の経路を最大限に確保できる。したがって、ステージ７０の放熱特性を高めることができる。

また、図４９に示される第三の実施例のように、貫通部材傾斜面２１ｓ及びステージ傾斜面７０ｓは、レーザ光ＬＢの上下方向の発散角α１及び水平方向の発散角α２に合わせて曲面状の形状を有してもよい。図４９に示される例では、貫通部材傾斜面２１ｓ及びステージ傾斜面７０ｓは、半導体レーザ装置８０の発光点を頂点とする楕円錐の側面状の形状を有する。

また、図５０に示される第四の実施例のように、対向面２１ｕが貫通部材傾斜面２１ｓを有する場合、第一プローブ３０が貫通する第一貫通孔２６ａが貫通部材傾斜面２１ｓを貫通してもよい。同様に、第二プローブ４０が貫通する第二貫通孔２６ｂが貫通部材傾斜面２１ｓを貫通してもよい。

（実施の形態２）
実施の形態２に係るプローブユニットについて説明する。本実施の形態に係るプローブユニットは、各プローブの形状において、実施の形態１に係るプローブユニット２０と相違する。以下、本実施の形態に係るプローブユニットについて、実施の形態１に係るプローブユニット２０との相違点を中心に図５１～図５３を用いて説明する。

図５１及び図５２は、それぞれ、本実施の形態に係るプローブユニット７２０の構成を示す模式的な上面図、及び断面図である。図５２には、図５１に示されるＸＸＸＸＸＩＩ－ＸＸＸＸＸＩＩ線における断面が示されている。図５３は、本実施の形態に係るプローブユニット７２０に配置された高さ調整部材５０をステージ７０に接触させた状態を示す模式的な断面図である。

図５１及び図５２に示されるように、本実施の形態に係るプローブユニット７２０は、第一プローブ３０及び第二プローブ４０の形状において、実施の形態１に係るプローブユニット２０と相違する。

本実施の形態に係る第一プローブ３０は、上面視において、第一プローブ３０の下端３１から第一偏位向きに偏位している第一偏位部３４を有する。本実施の形態では、第一偏位向きは、Ｙ軸方向正向きである。第一偏位部３４は、第一プローブ３０の上端３２を含み、上下方向に対してＹ軸方向正向きに傾いている。

本実施の形態に係る第二プローブ４０は、上面視において、第二プローブ４０の下端４１から第二偏位向きに偏位している第二偏位部４４を有する。本実施の形態では、第二偏位向きは、Ｙ軸方向負向きである。第二偏位部４４は、第二プローブ４０の上端４２を含み、上下方向に対してＹ軸方向負向きに傾いている。

このような構成を実現するために、プローブユニット７２０のプローブ固定部材２４に形成された第一固定用孔２７ａは、第一貫通孔２６ａの直上からずれた位置に配置されてもよいし、上下方向に対して傾いた方向に延在してもよい。同様に、第二固定用孔２７ｂは、第二貫通孔２６ｂの直上からずれた位置に配置されてもよいし、上下方向に対して傾いた方向に延在してもよい。

以上のように、第一プローブ３０及び第二プローブ４０が、検査対象と接触することなしに、予め曲げられている。これにより、各プローブを座屈しやすくすることができるため、各プローブの下端の変位量に対する弾性復元力の線形性を高めることができる。つまり、各プローブのばね定数の変位量依存性を低減できる。したがって、弾性復元力の大きさを制御しやすくなる。また、各プローブが予め曲げられているため、各プローブの座屈の方向を制御できる。

また、本実施の形態では、第一偏位向き及び第二偏位向きは、第一プローブ３０及び第二プローブ４０の配列方向とは、非平行である。図５３に示されるように、第一プローブ３０の座屈の方向は、第一偏位向きに平行となり、第二プローブ４０の座屈の方向は、第二偏位向きに平行となるため、座屈によって、第一プローブ３０及び第二プローブ４０がそれらの配列方向に偏位することを抑制できる。したがって、第一プローブ３０と第二プローブ４０とが接触することを抑制できる。また、本実施の形態では、第一偏位向きは、第二偏位向きに対して逆向きである。これにより、図５３に示されるように、座屈によって第一プローブ３０が変位する向き（Ｙ軸方向負向き）と、座屈によって第二プローブ４０が変位する向き（Ｙ軸方向正向き）が逆向きになるため、第一プローブ３０と第二プローブ４０とが座屈したときに、接触することを抑制できる。

また、第一プローブ３０は、第一偏位向きに平行な方向における振動を抑制することができ、第二プローブ４０は、第二偏位向きに平行な方向における振動を抑制することができるため、プローブユニット７２０を搬送する場合には、第一偏位向き及び第二偏位向きは、搬送方向に平行であってもよい。これにより、プローブユニット７２０の搬送に伴う各プローブの振動を抑制できる。

第一偏位向き及び第二偏位向きは、プローブユニット７２０を備える検査装置の搬送時における最大加速度方向に平行であってもよい。例えば、上術した検査システム１のように円周に沿って検査装置が搬送される場合には、各偏位向きは、円周の接線方向に平行であってもよい。これにより、プローブユニット７２０の搬送に伴う各プローブの振動を抑制できる。

以上のような構成を有するプローブユニット７２０によっても、実施の形態１に係るプローブユニット２０と同様に検査対象の損傷を抑制できる。

（実施の形態３）
実施の形態３に係るプローブユニットについて説明する。本実施の形態に係るプローブユニットは、主に各プローブの偏位向きにおいて、実施の形態２に係るプローブユニット７２０と相違する。以下、本実施の形態に係るプローブユニットについて、実施の形態２に係るプローブユニット７２０との相違点を中心に図５４及び図５５を用いて説明する。

図５４は、本実施の形態に係るプローブユニット７２０ａの構成を示す模式的な断面図である。図５５は、本実施の形態に係るステージ７０に配置された高さ調整部材１５０のユニット接触面１５０ｂをプローブユニット７２０ａに接触させた状態を示す模式的な断面図である。

本実施の形態に係るプローブユニット７２０ａにおいては、第一プローブ３０の第一偏位向き（Ｘ軸方向負向き）及び第二プローブ４０の第二偏位向き（Ｘ軸方向負向き）は、同じ向きであり、第一プローブ３０及び第二プローブ４０の配列方向（Ｘ軸方向）に平行である。この場合、図５５に示されるように、第一プローブ３０及び第二プローブ４０の座屈の向きも同じ向きである。このためこのような構成においても第一プローブ３０と第二プローブ４０との接触を抑制できる。また、この構成においては、第一プローブ３０と第二プローブ４０との上下方向における間隔Δｚを大きくしてもよい。この構成は、第二プローブ４０の予め曲げている角度を、第一プローブ３０の予め曲げている角度より大きくすることなどによって実現できる。これにより、第一プローブ３０と第二プローブ４０との接触をより一層抑制できる。

また、本実施の形態では、高さ調整部材１５０は、ステージ７０の載置面７０ａに配置される。ユニット本体２１は高さ調整部材１５０対向する対向面２１ｕを有する。ユニット接触面１５０ｂ及び対向面２１ｕの少なくとも一方は、粗面である。本実施の形態では、ユニット接触面１５０ｂが粗面である。このような構成によっても、高さ調整部材１５０にプローブユニット７２０ａを押しつけることで、プローブユニット７２０ａの対向面２１ｕとステージ７０の載置面７０ａとの間隔を精密に制御でき、かつ、プローブユニット７２０ａの振動を抑制できる。

また、本実施の形態に係る高さ調整部材１５０は、位置決め部１５６を有する。位置決め部１５６は、検査対象の位置決めのために用いられる部材であり、例えば、位置決め部１５６に検査対象を押し当てることで、検査対象を所定の位置に配置できる。

以上のような構成を有するプローブユニット７２０ａによっても、実施の形態１に係るプローブユニット２０と同様に検査対象の損傷を抑制できる。

（実施の形態４）
実施の形態４に係るプローブユニットについて説明する。本実施の形態に係るプローブユニットは、主に各プローブの形状において、実施の形態２に係るプローブユニット７２０と相違する。以下、本実施の形態に係るプローブユニットについて、実施の形態２に係るプローブユニット７２０との相違点を中心に図５６及び図５７を用いて説明する。

図５６は、本実施の形態に係るプローブユニット８２０の構成を示す模式的な断面図である。図５７は、本実施の形態に係るプローブユニット８２０に配置された高さ調整部材５０をステージ７０に接触させた状態を示す模式的な断面図である。

本実施の形態に係るプローブユニット８２０は、第一プローブ８３０及び第二プローブ８４０の形状において、実施の形態２に係るプローブユニット７２０と相違する。

第一プローブ８３０は、上面視において、第一プローブ８３０の下端８３１から第一偏位向きに偏位している第一偏位部８３４を有する。上面視における第一プローブ８３０の上端８３２の位置と下端８３１との位置と間の距離は０である。つまり、上面視における第一プローブ８３０の上端８３２の位置と下端８３１との位置とは一致する。さらに言い換えると、上下方向に平行な軸８３０Ａが第一プローブ８３０の下端８３１と上端８３２とを通る。本実施の形態では、第一プローブ８３０の第一偏位部８３４は、Ｕ字状の形状を有する。第一偏位向きは、Ｘ軸方向正向きである。

第二プローブ８４０は、上面視において、第二プローブ８４０の下端８４１から第二偏位向きに偏位している第二偏位部８４４を有する。上面視における第二プローブ８４０の上端８４２の位置と下端８４１との位置と間の距離は０である。つまり、上面視における第二プローブ８４０の上端８４２の位置と下端８４１との位置とは一致する。さらに言い換えると、上下方向に平行な軸８４０Ａが第二プローブ８４０の下端８４１と上端８４２とを通る。本実施の形態では、第二プローブ８４０の第二偏位部８４４は、Ｕ字状の形状を有する。第二偏位向きは、Ｘ軸方向負向きである。

このような構成を有する各プローブでは、各プローブの下端が検査対象に接触して上向きに力を受けた場合、変形は各偏位部付近に集中する。このため、各プローブの各貫通孔に対応する部分における、上下方向に対して垂直な方向の変位を低減できる。したがって、各プローブとプローブ貫通部材２３との摩擦を低減できる。

また、本実施の形態では、第一偏位向きと第二偏位向きとが、第一プローブ８３０及び第二プローブ８４０の配列方向に平行である。しかしながら、第一偏位向きが第二プローブ８４０から遠ざかる向きであり、第二偏位向きが第一プローブ８３０から遠ざかる向きであるため、第一プローブ８３０と第二プローブ８４０との接触を抑制できる。

（実施の形態５）
実施の形態５に係るプローブユニットについて説明する。本実施の形態に係るプローブユニットは、主に各プローブの偏位向きにおいて、実施の形態４に係るプローブユニット８２０と相違する。以下、本実施の形態に係るプローブユニットについて、実施の形態４に係るプローブユニット８２０との相違点を中心に図５８～図６０を用いて説明する。

図５８、図５９、及び図６０は、それぞれ、本実施の形態に係るプローブユニット８２０ａの構成を示す模式的な上面図、第一の断面図、及び第二の断面図である。図５９には、図５８のＸＸＸＸＸＩＸ－ＸＸＸＸＸＩＸ線における断面が示されている。図６０には、図５８のＸＸＸＸＸＸ－ＸＸＸＸＸＸ線における断面が示されている。

本実施の形態に係るプローブユニット８２０ａは、第一プローブ８３０及び第二プローブ８４０の偏位向きにおいて、実施の形態４に係るプローブユニット８２０と相違する。

第一プローブ８３０は、上面視において、第一プローブ８３０の下端８３１から第一偏位向きに偏位している第一偏位部８３４を有する。本実施の形態では、第一偏位向きは、Ｙ軸方向正向きである。

第二プローブ８４０は、上面視において、第二プローブ８４０の下端８４１から第二偏位向きに偏位している第二偏位部８４４を有する。本実施の形態では、第二偏位向きは、Ｙ軸方向正向きである。

本実施の形態では、第一偏位向きと第二偏位向きとが、同じ向きである。しかしながら、本実施の形態では、第一偏位向きと第二偏位向きとが、第一プローブ８３０及び第二プローブ８４０の配列方向に垂直である。このため、第一プローブ８３０と第二プローブ８４０との接触を抑制できる。

（実施の形態６）
実施の形態６に係るプローブユニットについて説明する。本実施の形態に係るプローブユニットは、主に各プローブの本数において、実施の形態２に係るプローブユニット７２０と相違する。以下、本実施の形態に係るプローブユニットについて、実施の形態２に係るプローブユニット７２０との相違点を中心に図６１～図６３を用いて説明する。

図６１、図６２、及び図６３は、それぞれ、本実施の形態に係るプローブユニット９２０の構成を示す模式的な上面図、第一の断面図、及び第二の断面図である。図６２には、図６１のＸＸＸＸＸＸＩＩ－ＸＸＸＸＸＸＩＩ線における断面が示されている。図６３には、図６１のＸＸＸＸＸＸＩＩＩ－ＸＸＸＸＸＸＩＩＩ線における断面が示されている。

本実施の形態に係るプローブユニット９２０は、第一プローブ３０及び第二プローブ４０の本数において、実施の形態２に係るプローブユニット７２０と相違する。

プローブユニット９２０は、互いに電気的に並列接続された複数の第一プローブ３０と、互いに電気的に並列接続された複数の第二プローブ４０とを備える。図６１～図６３に示される例では、プローブユニット９２０は、６本の第一プローブ３０と３本の第二プローブ４０とを備える。また、本実施の形態では、検査対象である半導体レーザ装置８０は、サブマウント８４の上面の素子８２に対して一方側と他方側の両側に第一電極が配置されており、一方の第一電極に３本の第一プローブ３０が接触され、他方の第一電極にも３本の第一プローブ３０が接触される。また素子８２の第二電極には、３本の第二プローブ４０が接触される。

これにより、半導体レーザ装置８０を押さえつけるために必要な力を、複数の第一プローブ３０及び複数の第二プローブ４０で分担することができるため、各プローブが半導体レーザ装置８０に加える力を低減できる。したがって、半導体レーザ装置８０の損傷を低減できる。

また、複数の第一プローブ３０及び複数の第二プローブ４０を用いて半導体レーザ装置８０に電流を供給するため、より多くの電流を供給しやすくなる。

また、本実施の形態では、実施の形態２に係るプローブユニット７２０と同様に、複数の第一プローブ３０の各々は、第一偏位向き（Ｙ軸方向正向き）に傾いており、複数の第二プローブ４０の各々は、第二偏位向き（Ｙ軸方向負向き）に傾いている。これにより、複数の第一プローブ３０が互いに接触することを抑制でき、かつ、複数の第二プローブ４０が互いに接触することを抑制できる。

（実施の形態７）
実施の形態７に係るプローブユニットについて説明する。本実施の形態に係るプローブユニットは、プローブ以外に弾性部材を備える点において、実施の形態１に係るプローブユニット２０と相違する。以下、本実施の形態に係るプローブユニットについて、実施の形態１に係るプローブユニット２０との相違点を中心に図６４～図６６を用いて説明する。

図６４及び図６５は、それぞれ、本実施の形態に係るプローブユニット１０２０の構成を示す模式的な上面図、及び断面図である。図６５には、図６４のＸＸＸＸＸＸＶ－ＸＸＸＸＸＸＶ線における断面が示されている。図６６は、本実施の形態に係るプローブユニット１０２０に配置された高さ調整部材５０をステージ７０に接触させた状態を示す模式的な断面図である。

本実施の形態に係るプローブユニット１０２０は、プローブ固定部材２４に固定される第一弾性機構１０３５及び第二弾性機構１０４５を備える。

第一弾性機構１０３５は、プローブ固定部材２４に固定される第一弾性部材１０３７と、第一弾性部材１０３７を収容し、プローブ固定部材２４に固定される第一筺体１０３６とを有する。本実施の形態では、第一弾性部材１０３７は、第一筺体１０３６を介してプローブ固定部材２４に固定される。第一弾性部材１０３７は、上下方向の成分を含む方向において伸縮自在である。第一弾性部材１０３７は、例えば、つるまきばねであってもよい。

本実施の形態では、第一プローブ３０は、第一弾性部材１０３７を介してプローブ固定部材２４に固定される。

第二弾性機構１０４５は、プローブ固定部材２４に固定される第二弾性部材１０４７と、第二弾性部材１０４７を収容し、プローブ固定部材２４に固定される第二筺体１０４６とを有する。本実施の形態では、第二弾性部材１０４７は、第二筺体１０４６を介してプローブ固定部材２４に固定される。第二弾性部材１０４７は、上下方向の成分を含む方向において伸縮自在である。第二弾性部材１０４７は、例えば、つるまきばねであってもよい。

本実施の形態では、第二プローブ４０は、第二弾性部材１０４７を介してプローブ固定部材２４に固定される。

このような構成において、第一弾性部材１０３７のばね定数を第一プローブ３０のばね定数より小さくすることで、図６６に示されるように、主として第一弾性部材１０３７の弾性復元力によって、検査対象である半導体レーザ装置８０を押さえつけることができる。また、第二弾性部材１０４７のばね定数を第二プローブ４０のばね定数より小さくすることで、図６６に示されるように、主として第二弾性部材１０４７の弾性復元力によって、検査対象である半導体レーザ装置８０を押さえつけることができる。

したがって、必ずしも各プローブを座屈させる必要がないため、各プローブの下端の変位量に対する弾性復元力の線形性を高めることができる。つまり、弾性復元力の大きさを制御しやすくなる。

本実施の形態では、第一弾性部材１０３７及び第二弾性部材１０４７は、上下方向の成分を含む方向において伸縮自在であり、上面視における、第一プローブ３０の上端３２の位置と下端３１との位置と間の距離、及び、第二プローブ４０の上端４２の位置と下端４１との位置との間の距離（図６５に示される距離Ｄｐ）は、０より大きい。これにより、例えば、検査対象が微小であり、第一プローブ３０の下端３１と、第二プローブ４０の下端４１とを接近させる必要がある場合においても、第一プローブ３０の上端３２と、第二プローブ４０の上端４２との間の距離を、第一プローブ３０の下端３１と第二プローブ４０の下端４１との間の距離より大きくすることが可能となる。したがって、各プローブの先端の間隔より大きい弾性機構を各プローブの上端に取り付けることが可能となる。

本実施の形態では、図６５に示されるように、各プローブの上端付近が上下方向に対して角度θｓだけ傾いている。これにより、第一プローブ３０の上端３２と、第二プローブ４０の上端４２との間の距離を増大させている。また、これに合わせて、第一弾性部材１０３７及び第二弾性部材１０４７は、上下方向に対して傾いた方向に伸縮してもよい。これにより、第一弾性部材１０３７と第二弾性部材１０４７との間の距離を増大することが可能となるため、各プローブの先端の間隔より大きい弾性機構を各プローブの上端に取り付けることが可能となる。

（変形例など）
以上、本開示に係るプローブユニットなどについて、各実施の形態に基づいて説明したが、本開示は、上記各実施の形態に限定されるものではない。

例えば、上記実施の形態１などにおいては、第一プローブ及び第二プローブが座屈現象を示したが、第一プローブ及び第二プローブの一方だけが座屈現象を示してもよい。

また、上記各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で上記各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。

本開示のプローブユニットなどは、特に、わずかな損傷が問題となる半導体レーザ装置などの検査において特に有効である。

１、１ａ 検査システム
５、５ａ 搬送装置
１０ 検査装置
１１ 基台
１２ 支柱
１３、１５、１７ スライドレール
１４ 上下移動部材
１６ ユニット移動部材
１８ 接続ばね
１９ ユニット支持部材
２０、７２０、７２０ａ、８２０、８２０ａ、９２０、１０２０ プローブユニット
２１、５２１、６２１ ユニット本体
２１ｓ 貫通部材傾斜面
２１ｕ、５２１ｕ、６２１ｕ 対向面
２１ｖ 空洞
２３、１２３、２２３、４２３、５２３、６２３ プローブ貫通部材
２４、５２４、６２４ プローブ固定部材
２６ａ、１２６ａ、２２６ａ、４２６ａ、５２６ａ、６２６ａ 第一貫通孔
２６ｂ、５２６ｂ、６２６ｂ 第二貫通孔
２７ａ、５２７ａ、６２７ａ 第一固定用孔
２７ｂ、５２７ｂ、６２７ｂ 第二固定用孔
２８ 接着剤
３０、１３０、１３０ａ、２３０、３３０、４３０、８３０ 第一プローブ
３１、４１、１３１、１４１、３３１、３４１、８３１、８４１ 下端
３２、４２、８３２、８４２ 上端
３４、８３４ 第一偏位部
３６、４６ 導電体
３８、４８、３３８ 絶縁膜
４０、１４０、２４０、３４０、８４０ 第二プローブ
５０、１５０ 高さ調整部材
５０ａ ステージ接触面
５０ｂ、１５０ｂ ユニット接触面
７０ ステージ
７０ａ 載置面
７０ｓ ステージ傾斜面
７２ 吸着孔
８０ 半導体レーザ装置
８２ 素子
８２ａ 素子上面
８２ｂ 素子下面
８２ｅ 発光点
８３ 第二電極
８４ サブマウント
８４ａ 上面
８４ｂ 下面
８５ 第一電極
９０ 測定装置
９２ 受光部
１２３ａ、１２３ｃ、１２３ｅ、２２３ａ、２２３ｃ ガイド部材
１２３ｂ、１２３ｄ、２２３ｂ スペーサ
１２６ａａ、１２６ｃａ、１２６ｅａ、２２６ａａ、２２６ｃａ 第一ガイド孔
１２６ｂａ、１２６ｄａ、２２６ｂａ 第一スペーサ孔
１５６ 位置決め部
４２６Ｐ 第一凸部
４２６ｗ 第一内壁
５２１ｔ、６２１ｔ 上面
５２３ａ、６２３ａ 第一上面
５２３ｂ、６２３ｂ 第二上面
５２４ａ、６２４ａ 第一下面
５２４ｂ、６２４ｂ 第二下面
８３０Ａ、８４０Ａ 軸
１０３５ 第一弾性機構
１０３６ 第一筺体
１０３７ 第一弾性部材
１０４５ 第二弾性機構
１０４６ 第二筺体
１０４７ 第二弾性部材
Ｆｍ 枠体
ＬＢ レーザ光
Ｐｍ 押し棒

Claims (39)

1. 検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むプローブユニットであって、
   前記電流回路に含まれ、弾性復元力を有する、第一プローブ及び第二プローブと、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブが固定されるプローブ固定部材と、
   前記プローブ固定部材の下方に、前記プローブ固定部材から離間して配置され、前記第一プローブ及び前記第二プローブがそれぞれ貫通する第一貫通孔及び第二貫通孔が形成されているプローブ貫通部材と、
   前記プローブ固定部材に固定される第一弾性部材及び第二弾性部材とを備え、
   前記プローブ貫通部材は、前記第一プローブ及び前記第二プローブが貫通し、前記検査対象と対向する対向面を有し、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブのうち、前記対向面から下方に突出する部分は、前記プローブ固定部材に対して上下方向に移動自在であり、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブが前記検査対象に接触していない状態において、前記第一プローブの下端は、前記第二プローブの下端より下方に位置し、
   前記第一プローブは、前記第一弾性部材を介して前記プローブ固定部材に固定され、
   前記第二プローブは、前記第二弾性部材を介して前記プローブ固定部材に固定され、
   前記第一弾性部材及び前記第二弾性部材は、上下方向の成分を含む方向において伸縮自在であり、
   上面視における、前記第一プローブの上端の位置と下端との位置と間の距離、及び、前記第二プローブの上端の位置と下端との位置との間の距離の少なくとも一方は、０より大きく、
   上面視における、前記第一プローブの上端と、前記第二プローブの上端との間の距離は、前記第一プローブの下端と前記第二プローブの下端との間の距離より大きい
   プローブユニット。
2. 前記第一弾性部材及び前記第二弾性部材の少なくとも一方は、上下方向に対して傾いた方向に伸縮する
   請求項１に記載のプローブユニット。
3. 検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むプローブユニットであって、
   前記電流回路に含まれ、弾性復元力を有する、第一プローブ及び第二プローブと、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブが固定されるプローブ固定部材と、
   前記プローブ固定部材の下方に、前記プローブ固定部材から離間して配置され、前記第一プローブ及び前記第二プローブがそれぞれ貫通する第一貫通孔及び第二貫通孔が形成されているプローブ貫通部材とを備え、
   前記プローブ貫通部材は、前記第一プローブ及び前記第二プローブが貫通し、前記検査対象と対向する対向面を有し、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブのうち、前記対向面から下方に突出する部分は、前記プローブ固定部材に対して上下方向に移動自在であり、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブが前記検査対象に接触していない状態において、前記第一プローブの下端は、前記第二プローブの下端より下方に位置し、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブの少なくとも一方は、座屈現象を示し、
   前記第一プローブは、上面視において、前記第一プローブの下端から第一偏位向きに偏位している第一偏位部を有し、
   前記第二プローブは、上面視において、前記第二プローブの下端から第二偏位向きに偏位している第二偏位部を有し、
   前記第一偏位部は、前記第一プローブの上端を含み、上下方向に対して傾いており、
   前記第二偏位部は、前記第二プローブの上端を含み、上下方向に対して傾いており、
   前記プローブユニットは、互いに電気的に並列接続され前記第一偏位向きに傾いている複数の前記第一プローブ、及び、互いに電気的に並列接続され前記第二偏位向きに傾いている複数の前記第二プローブの少なくとも一方を備える
   プローブユニット。
4. 前記第一偏位向き及び前記第二偏位向きは、前記第一プローブ及び前記第二プローブの配列方向とは、非平行であり、
   前記第一偏位向きは、前記第二偏位向きに対して逆向きである
   請求項３に記載のプローブユニット。
5. 検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むプローブユニットであって、
   前記電流回路に含まれ、弾性復元力を有する、第一プローブ及び第二プローブと、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブが固定されるプローブ固定部材と、
   前記プローブ固定部材の下方に、前記プローブ固定部材から離間して配置され、前記第一プローブ及び前記第二プローブがそれぞれ貫通する第一貫通孔及び第二貫通孔が形成されているプローブ貫通部材とを備え、
   前記プローブ貫通部材は、前記第一プローブ及び前記第二プローブが貫通し、前記検査対象と対向する対向面を有し、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブのうち、前記対向面から下方に突出する部分は、前記プローブ固定部材に対して上下方向に移動自在であり、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブが前記検査対象に接触していない状態において、前記第一プローブの下端は、前記第二プローブの下端より下方に位置し、
   前記第二プローブのばね定数は、前記第一プローブのばね定数より小さい
   プローブユニット。
6. 前記第一プローブ及び前記第二プローブの弾性係数が同一であり、
   前記第二プローブは前記第一プローブより細い、又は、前記第二プローブの前記プローブ固定部材から前記プローブ貫通部材までの長さは、前記第一プローブの前記プローブ固定部材から前記プローブ貫通部材までの長さより長い
   請求項５に記載のプローブユニット。
7. 検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むプローブユニットであって、
   前記電流回路に含まれ、弾性復元力を有する、第一プローブ及び第二プローブと、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブが固定されるプローブ固定部材と、
   前記プローブ固定部材の下方に、前記プローブ固定部材から離間して配置され、前記第一プローブ及び前記第二プローブがそれぞれ貫通する第一貫通孔及び第二貫通孔が形成されているプローブ貫通部材とを備え、
   前記プローブ貫通部材は、前記第一プローブ及び前記第二プローブが貫通し、前記検査対象と対向する対向面を有し、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブのうち、前記対向面から下方に突出する部分は、前記プローブ固定部材に対して上下方向に移動自在であり、
   前記第一プローブ及び前記第二プローブが前記検査対象に接触していない状態において、前記第一プローブの下端は、前記第二プローブの下端より下方に位置し、
   前記第二プローブの下端の曲率半径は、前記第一プローブの下端の曲率半径より大きい
   プローブユニット。
8. 複数の前記第一プローブ、及び複数の前記第二プローブの少なくとも一方を備える
   請求項１又は４に記載のプローブユニット。
9. 前記プローブ貫通部材は、互いに上下方向に離間して配置される複数のガイド部材を有し、
   前記複数のガイド部材の各々には、前記第一プローブが貫通する第一ガイド孔が形成されている
   請求項１又は４に記載のプローブユニット。
10. 検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むプローブユニットであって、
    前記電流回路に含まれ、弾性復元力を有する、第一プローブ及び第二プローブと、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが固定されるプローブ固定部材と、
    前記プローブ固定部材の下方に、前記プローブ固定部材から離間して配置され、前記第一プローブ及び前記第二プローブがそれぞれ貫通する第一貫通孔及び第二貫通孔が形成されているプローブ貫通部材とを備え、
    前記プローブ貫通部材は、前記第一プローブ及び前記第二プローブが貫通し、前記検査対象と対向する対向面を有し、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブのうち、前記対向面から下方に突出する部分は、前記プローブ固定部材に対して上下方向に移動自在であり、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが前記検査対象に接触していない状態において、前記第一プローブの下端は、前記第二プローブの下端より下方に位置し、
    前記プローブ貫通部材は、互いに上下方向に離間して配置される複数のガイド部材を有し、
    前記複数のガイド部材の各々には、前記第一プローブが貫通する第一ガイド孔が形成されており、
    前記複数のガイド部材のうち前記プローブ固定部材に最も近いガイド部材の前記第一ガイド孔と前記第一プローブとの隙間は、前記複数のガイド部材のうち前記プローブ固定部材から最も遠いガイド部材の前記第一ガイド孔と前記第一プローブとの隙間より大きい
    プローブユニット。
11. 検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むプローブユニットであって、
    前記電流回路に含まれ、弾性復元力を有する、第一プローブ及び第二プローブと、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが固定されるプローブ固定部材と、
    前記プローブ固定部材の下方に、前記プローブ固定部材から離間して配置され、前記第一プローブ及び前記第二プローブがそれぞれ貫通する第一貫通孔及び第二貫通孔が形成されているプローブ貫通部材とを備え、
    前記プローブ貫通部材は、前記第一プローブ及び前記第二プローブが貫通し、前記検査対象と対向する対向面を有し、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブのうち、前記対向面から下方に突出する部分は、前記プローブ固定部材に対して上下方向に移動自在であり、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが前記検査対象に接触していない状態において、前記第一プローブの下端は、前記第二プローブの下端より下方に位置し、
    前記プローブ貫通部材は、互いに上下方向に離間して配置される複数のガイド部材を有し、
    前記複数のガイド部材の各々には、前記第一プローブが貫通する第一ガイド孔が形成されており、
    前記複数のガイド部材のうち前記プローブ固定部材に最も近いガイド部材の厚さは、前記複数のガイド部材のうち前記プローブ固定部材から最も遠いガイド部材の厚さより大きい
    プローブユニット。
12. 検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むプローブユニットであって、
    前記電流回路に含まれ、弾性復元力を有する、第一プローブ及び第二プローブと、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが固定されるプローブ固定部材と、
    前記プローブ固定部材の下方に、前記プローブ固定部材から離間して配置され、前記第一プローブ及び前記第二プローブがそれぞれ貫通する第一貫通孔及び第二貫通孔が形成されているプローブ貫通部材とを備え、
    前記プローブ貫通部材は、前記第一プローブ及び前記第二プローブが貫通し、前記検査対象と対向する対向面を有し、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブのうち、前記対向面から下方に突出する部分は、前記プローブ固定部材に対して上下方向に移動自在であり、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが前記検査対象に接触していない状態において、前記第一プローブの下端は、前記第二プローブの下端より下方に位置し、
    前記プローブ貫通部材は、前記第一貫通孔を囲む第一内壁を有し、前記プローブ貫通部材の上面視において、前記第一内壁は、前記第一貫通孔に向かって滑らかに突出する１以上の第一凸部を有する
    プローブユニット。
13. 検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むプローブユニットであって、
    前記電流回路に含まれ、弾性復元力を有する、第一プローブ及び第二プローブと、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが固定されるプローブ固定部材と、
    前記プローブ固定部材の下方に、前記プローブ固定部材から離間して配置され、前記第一プローブ及び前記第二プローブがそれぞれ貫通する第一貫通孔及び第二貫通孔が形成されているプローブ貫通部材とを備え、
    前記プローブ貫通部材は、前記第一プローブ及び前記第二プローブが貫通し、前記検査対象と対向する対向面を有し、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブのうち、前記対向面から下方に突出する部分は、前記プローブ固定部材に対して上下方向に移動自在であり、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが前記検査対象に接触していない状態において、前記第一プローブの下端は、前記第二プローブの下端より下方に位置し、
    前記プローブ貫通部材の前記対向面は、上下方向に対して傾いている貫通部材傾斜面を有し、
    前記貫通部材傾斜面は、前記第一貫通孔及び前記第二貫通孔から遠ざかるにしたがって上昇する
    プローブユニット。
14. 前記貫通部材傾斜面は、光反射抑制面である
    請求項１３に記載のプローブユニット。
15. 前記プローブ固定部材に固定される第一弾性部材及び第二弾性部材を備え、
    前記第一プローブは、前記第一弾性部材を介して前記プローブ固定部材に固定され、
    前記第二プローブは、前記第二弾性部材を介して前記プローブ固定部材に固定される
    請求項５～１４のいずれか１項に記載のプローブユニット。
16. 前記第一プローブ及び前記第二プローブの少なくとも一方は、座屈現象を示す
    請求項５～１４のいずれか１項に記載のプローブユニット。
17. 前記第一プローブは、上面視において、前記第一プローブの下端から第一偏位向きに偏位している第一偏位部を有し、
    前記第二プローブは、上面視において、前記第二プローブの下端から第二偏位向きに偏位している第二偏位部を有し、
    前記第一偏位部は、前記第一プローブの上端を含み、上下方向に対して傾いており、
    前記第二偏位部は、前記第二プローブの上端を含み、上下方向に対して傾いている
    請求項１６に記載のプローブユニット。
18. 前記第一プローブは、上面視において、前記第一プローブの下端から第一偏位向きに偏位している第一偏位部を有し、
    前記第二プローブは、上面視において、前記第二プローブの下端から第二偏位向きに偏位している第二偏位部を有し、
    上面視における、前記第一プローブの上端の位置と下端との位置と間の距離、及び、前記第二プローブの上端の位置と下端との位置との間の距離の少なくとも一方は、０である
    請求項５～１４のいずれか１項に記載のプローブユニット。
19. 検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むプローブユニットと、
    前記検査対象が載置される載置面を有するステージと、
    前記プローブユニットと前記ステージとの間に配置される高さ調整部材とを備え、
    前記プローブユニットは、
    前記電流回路に含まれ、弾性復元力を有する、第一プローブ及び第二プローブと、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが固定されるプローブ固定部材と、
    前記プローブ固定部材の下方に、前記プローブ固定部材から離間して配置され、前記第一プローブ及び前記第二プローブがそれぞれ貫通する第一貫通孔及び第二貫通孔が形成されているプローブ貫通部材とを備え、
    前記プローブ貫通部材は、前記第一プローブ及び前記第二プローブが貫通し、前記検査対象と対向する対向面を有し、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブのうち、前記対向面から下方に突出する部分は、前記プローブ固定部材に対して上下方向に移動自在であり、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが前記検査対象に接触していない状態において、前記第一プローブの下端は、前記第二プローブの下端より下方に位置し、
    前記高さ調整部材は、前記プローブユニットの前記対向面に配置され、
    前記高さ調整部材の、前記ステージと接するステージ接触面は、粗面である
    検査装置。
20. 検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むプローブユニットと、
    前記検査対象が配置されるステージと、
    前記プローブユニットと前記ステージとの間に配置される高さ調整部材とを備え、
    前記プローブユニットは、
    前記電流回路に含まれ、弾性復元力を有する、第一プローブ及び第二プローブと、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが固定されるプローブ固定部材と、
    前記プローブ固定部材の下方に、前記プローブ固定部材から離間して配置され、前記第一プローブ及び前記第二プローブがそれぞれ貫通する第一貫通孔及び第二貫通孔が形成されているプローブ貫通部材とを備え、
    前記プローブ貫通部材は、前記第一プローブ及び前記第二プローブが貫通し、前記検査対象と対向する対向面を有し、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブのうち、前記対向面から下方に突出する部分は、前記プローブ固定部材に対して上下方向に移動自在であり、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが前記検査対象に接触していない状態において、前記第一プローブの下端は、前記第二プローブの下端より下方に位置し、
    前記高さ調整部材は、前記ステージの載置面に配置され、
    前記高さ調整部材の、前記プローブユニットと接するユニット接触面、及び前記プローブユニットの、前記調整部材と対向する前記対向面の少なくとも一方は、粗面である
    検査装置。
21. 検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むプローブユニットと、
    前記検査対象が載置される載置面を有するステージと、
    前記プローブユニットと前記ステージとの間に配置される高さ調整部材と
    前記プローブユニットを支持するユニット支持部材と、
    前記ユニット支持部材を移動するユニット移動部材と、
    前記ユニット支持部材を、前記ユニット移動部材に対して上下方向にスライド自在に接
    続するスライドレールと、
    前記プローブユニットと前記ユニット移動部材とを接続する接続ばねとを備え、
    前記プローブユニットは、
    前記電流回路に含まれ、弾性復元力を有する、第一プローブ及び第二プローブと、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが固定されるプローブ固定部材と、
    前記プローブ固定部材の下方に、前記プローブ固定部材から離間して配置され、前記第一プローブ及び前記第二プローブがそれぞれ貫通する第一貫通孔及び第二貫通孔が形成されているプローブ貫通部材とを備え、
    前記プローブ貫通部材は、前記第一プローブ及び前記第二プローブが貫通し、前記検査対象と対向する対向面を有し、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブのうち、前記対向面から下方に突出する部分は、前記プローブ固定部材に対して上下方向に移動自在であり、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが前記検査対象に接触していない状態において、前記第一プローブの下端は、前記第二プローブの下端より下方に位置し、
    前記高さ調整部材は、前記プローブユニットの前記対向面に配置される
    検査装置。
22. 検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むプローブユニットと、
    前記検査対象が載置される載置面を有するステージと、
    前記プローブユニットと前記ステージとの間に配置される高さ調整部材とを備え、
    前記プローブユニットは、
    前記電流回路に含まれ、弾性復元力を有する、第一プローブ及び第二プローブと、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが固定されるプローブ固定部材と、
    前記プローブ固定部材の下方に、前記プローブ固定部材から離間して配置され、前記第一プローブ及び前記第二プローブがそれぞれ貫通する第一貫通孔及び第二貫通孔が形成されているプローブ貫通部材とを備え、
    前記プローブ貫通部材は、前記第一プローブ及び前記第二プローブが貫通し、前記検査対象と対向する対向面を有し、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブのうち、前記対向面から下方に突出する部分は、前記プローブ固定部材に対して上下方向に移動自在であり、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが前記検査対象に接触していない状態において、前記第一プローブの下端は、前記第二プローブの下端より下方に位置し、
    前記高さ調整部材は、前記プローブユニットの前記対向面に配置され、
    前記載置面は、上下方向に対して傾いているステージ傾斜面を有し、
    前記ステージ傾斜面は、前記載置面の端に近づくにしたがって降下する
    検査装置。
23. 前記ステージ傾斜面は、光反射抑制面である
    請求項２２に記載の検査装置。
24. 検査装置と、
    前記検査装置を搬送する搬送装置とを備え、
    前記検査装置は、
    検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むプローブユニットと、
    前記検査対象が載置される載置面を有するステージと、
    前記プローブユニットと前記ステージとの間に配置される高さ調整部材とを備え、
    前記プローブユニットは、
    前記電流回路に含まれ、弾性復元力を有する、第一プローブ及び第二プローブと、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが固定されるプローブ固定部材と、
    前記プローブ固定部材の下方に、前記プローブ固定部材から離間して配置され、前記第一プローブ及び前記第二プローブがそれぞれ貫通する第一貫通孔及び第二貫通孔が形成されているプローブ貫通部材とを備え、
    前記プローブ貫通部材は、前記第一プローブ及び前記第二プローブが貫通し、前記検査対象と対向する対向面を有し、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブのうち、前記対向面から下方に突出する部分は、前記プローブ固定部材に対して上下方向に移動自在であり、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが前記検査対象に接触していない状態において、前記第一プローブの下端は、前記第二プローブの下端より下方に位置し、
    前記高さ調整部材は、前記プローブユニットの前記対向面に配置され、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブを前記検査対象に接触させた状態で、前記検査装置を搬送する
    検査システム。
25. 前記第一プローブは、上面視において、前記第一プローブの下端から第一偏位向きに偏位している第一偏位部を有し、
    前記第二プローブは、上面視において、前記第二プローブの下端から第二偏位向きに偏位している第二偏位部を有し、
    前記第一偏位向き及び前記第二偏位向きは、前記検査装置の搬送方向に平行である
    請求項２４に記載の検査システム。
26. 前記第一プローブは、上面視において、前記第一プローブの下端から第一偏位向きに偏位している第一偏位部を有し、
    前記第二プローブは、上面視において、前記第二プローブの下端から第二偏位向きに偏位している第二偏位部を有し、
    前記第一偏位向き及び前記第二偏位向きは、前記検査装置の搬送時における最大加速度方向に平行である
    請求項２４に記載の検査システム。
27. 前記検査装置は、前記検査装置の搬送方向に垂直な方向に、前記プローブユニットを移動する移動機構を備える
    請求項２４に記載の検査システム。
28. 前記第一プローブは、上面視において、前記第一プローブの下端から第一偏位向きに偏位している第一偏位部を有し、
    前記第二プローブは、上面視において、前記第二プローブの下端から第二偏位向きに偏位している第二偏位部を有し、
    前記第一偏位向き及び前記第二偏位向きは、前記プローブユニットの移動方向に平行である
    請求項２４に記載の検査システム。
29. 前記ステージは、前記検査対象を吸着する吸着孔を有し、
    前記検査装置は、前記ステージに吸着された前記検査対象を囲む枠体を備え、
    前記検査装置は、前記枠体を移動させることで前記検査対象の位置を調整する
    請求項２４に記載の検査システム。
30. 前記検査対象は、前記第一プローブの下端が接する第一電極と、前記第二プローブの下
    端が接する第二電極とを有し、
    前記第一電極は、前記第二電極より下方に位置し、
    前記第一プローブの下端と前記第二プローブの下端との上下方向の位置の差は、前記第一電極と前記第二電極との上下方向の位置の差より大きい
    請求項２４に記載の検査システム。
31. 前記検査対象は、端面発光型の半導体レーザ素子を含み、
    前記プローブ貫通部材の前記対向面は、上下方向に対して傾いている貫通部材傾斜面を有し、
    前記貫通部材傾斜面は、前記第一貫通孔及び前記第二貫通孔から遠ざかるにしたがって上昇する
    請求項２４に記載の検査システム。
32. 前記貫通部材傾斜面は、光反射抑制面である
    請求項３１に記載の検査システム。
33. 前記検査対象は、端面発光型の半導体レーザ素子を含み、
    前記載置面は、上下方向に対して傾いているステージ傾斜面を有し、
    前記ステージ傾斜面は、前記載置面の端に近づくにしたがって降下する
    請求項２４に記載の検査システム。
34. 前記ステージ傾斜面は、光反射抑制面である
    請求項３３に記載の検査システム。
35. 検査対象に電流を供給することで、前記検査対象の特性を検査する検査方法であって、
    前記検査対象は、
    上面を有するサブマウントと、
    素子上面を有し、前記サブマウントの前記上面に配置され、前記電流が供給される素子とを有し、
    前記サブマウントは、前記上面に配置される第一電極を有し、
    前記素子は、前記素子上面に配置される第二電極を有し、
    前記検査方法は、
    第一プローブを前記第一電極に接触させる第一接触工程と、
    前記第一接触工程の後に、前記第一プローブを前記第一電極に接触させた状態で、第二プローブを前記第二電極に接触させる第二接触工程とを含み、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブは、前記検査対象に前記電流を供給する電流回路に含まれ、弾性復元力を有する
    検査方法。
36. 検査対象に電流を供給することで、前記検査対象の特性を検査する検査方法であって、
    前記検査対象は、
    上面を有するサブマウントと、
    素子上面を有し、前記サブマウントの前記上面に配置され、前記電流が供給される素子とを有し、
    前記サブマウントは、前記上面に配置される第一電極を有し、
    前記素子は、前記素子上面に配置される第二電極を有し、
    前記検査方法は、
    第一プローブを前記第一電極に接触させ、かつ、第二プローブを前記第二電極に接触させた状態で、前記検査対象に前記電流を供給する供給工程と、
    前記供給工程の後に、前記第二プローブを前記第二電極から離す第二脱離工程と、
    前記第二脱離工程の後に、前記第一プローブを前記第一電極から離す第一脱離工程とを含み、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブは、前記検査対象に前記電流を供給する電流回路に含まれ、弾性復元力を有する
    検査方法。
37. 検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むプローブユニットと、前記検査対象が配置されるステージと、前記プローブユニットと前記ステージとの間に配置される高さ調整部材とを備える検査装置を用いて、前記検査対象に前記電流を供給することで、前記検査対象の特性を検査する検査方法であって、
    前記プローブユニットは、
    前記電流回路に含まれ、弾性復元力を有する、第一プローブ及び第二プローブと、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが固定されるプローブ固定部材と、
    前記プローブ固定部材の下方に、前記プローブ固定部材から離間して配置され、前記第一プローブ及び前記第二プローブがそれぞれ貫通する第一貫通孔及び第二貫通孔が形成されているプローブ貫通部材とを備え、
    前記プローブ貫通部材は、前記第一プローブ及び前記第二プローブが貫通し、前記検査対象と対向する対向面を有し、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブのうち、前記対向面から下方に突出する部分は、前記プローブ固定部材に対して上下方向に移動自在であり、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが前記検査対象に接触していない状態において、前記第一プローブの下端は、前記第二プローブの下端より下方に位置し、
    前記高さ調整部材は、前記ステージの載置面に配置され、
    前記検査対象は、
    上面を有するサブマウントと、
    素子上面を有し、前記サブマウントの前記上面に配置され、前記電流が供給される素子とを有し、
    前記サブマウントは、前記上面に配置される第一電極を有し、
    前記素子は、前記素子上面に配置される第二電極を有し、
    前記検査方法は、
    前記第一プローブを前記第一電極に接触させる第一接触工程と、
    前記第一接触工程の後に、前記第一プローブを前記第一電極に接触させた状態で、前記第二プローブを前記第二電極に接触させる第二接触工程とを含む
    検査方法。
38. 検査対象に電流を供給するための電流回路の一部を含むプローブユニットと、前記検査対象が配置されるステージと、前記プローブユニットと前記ステージとの間に配置される高さ調整部材とを備える検査装置を用いて、前記検査対象に前記電流を供給することで、前記検査対象の特性を検査する検査方法であって、
    前記プローブユニットは、
    前記電流回路に含まれ、弾性復元力を有する、第一プローブ及び第二プローブと、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが固定されるプローブ固定部材と、
    前記プローブ固定部材の下方に、前記プローブ固定部材から離間して配置され、前記第一プローブ及び前記第二プローブがそれぞれ貫通する第一貫通孔及び第二貫通孔が形成されているプローブ貫通部材とを備え、
    前記プローブ貫通部材は、前記第一プローブ及び前記第二プローブが貫通し、前記検査対象と対向する対向面を有し、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブのうち、前記対向面から下方に突出する部分は、前記プローブ固定部材に対して上下方向に移動自在であり、
    前記第一プローブ及び前記第二プローブが前記検査対象に接触していない状態において、前記第一プローブの下端は、前記第二プローブの下端より下方に位置し、
    前記高さ調整部材は、前記ステージの載置面に配置され、
    前記検査対象は、
    上面を有するサブマウントと、
    素子上面を有し、前記サブマウントの前記上面に配置され、前記電流が供給される素子とを有し、
    前記サブマウントは、前記上面に配置される第一電極を有し、
    前記素子は、前記素子上面に配置される第二電極を有し、
    前記検査方法は、
    前記第一プローブを前記第一電極に接触させ、かつ、前記第二プローブを前記第二電極に接触させた状態で、前記検査対象に前記電流を供給する供給工程と、
    前記供給工程の後に、前記第二プローブを前記第二電極から離す第二脱離工程と、
    前記第二脱離工程の後に、前記第一プローブを前記第一電極から離す第一脱離工程とを含む
    検査方法。
39. 半導体レーザ装置の製造方法であって、
    前記半導体レーザ装置を組み立てる組立工程と、
    請求項３５又は３６に記載の検査方法を用いて、前記検査対象として前記半導体レーザ装置を検査する検査工程とを含み、
    前記素子は、半導体レーザ素子である
    半導体レーザ装置の製造方法。

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