JP7645092B2 - Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing a reflective mask - Google Patents
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Description
本発明は、反射型マスクブランク、反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法に関し、特に極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ；以下「ＥＵＶ」と表記する。）を光源とするＥＵＶリソグラフィを用いた半導体製造装置などに利用されるフォトマスクブランク及びフォトマスク及びフォトマスクの製造方法に関する。 The present invention relates to a reflective mask blank, a reflective mask, and a method for manufacturing a reflective mask, and in particular to a photomask blank, a photomask, and a method for manufacturing a photomask that are used in semiconductor manufacturing equipment that uses EUV lithography using extreme ultraviolet (EUV) as a light source.
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを光源に用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。ＥＵＶリソグラフィは光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行われる必要がある。また、ＥＵＶの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は１よりもわずかに小さい値であるため、ＥＵＶリソグラフィにおいては、従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、原版となるフォトマスク（以下、マスクとも呼ぶ。）も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。 In recent years, with the miniaturization of semiconductor devices, EUV lithography has been proposed, using EUV light with a wavelength of around 13.5 nm as the light source. EUV lithography requires that it be performed in a vacuum, since the light source has a short wavelength and is highly absorptive. In addition, in the EUV wavelength region, the refractive index of most materials is slightly smaller than 1, so EUV lithography requires that the conventionally used transmissive refractive optical system cannot be used, and a reflective optical system is used. Therefore, the photomask (hereinafter also referred to as the mask) that serves as the original must be a reflective mask, since conventional transmissive masks cannot be used.
波長が極端に短いＥＵＶリソグラフィでは、低熱膨張基板に多層反射層を形成する際のパーティクルの発生を極力抑えることが求められる。それは、露光光の波長が短いため、多層反射層の微小な凹凸欠陥がウェハ上に転写するパターンの品質に大きな影響を及ぼしてしまうためである。この微小な凹凸欠陥は位相欠陥と呼ばれており、高さが数ｎｍであっても、微細なＬＳＩパターンの寸法誤差に許容できない影響が出る。 In EUV lithography, which uses extremely short wavelengths, it is necessary to minimize the generation of particles when forming a multi-layer reflective layer on a low-thermal expansion substrate. This is because, due to the short wavelength of the exposure light, minute irregularity defects in the multi-layer reflective layer can have a significant effect on the quality of the pattern transferred onto the wafer. These minute irregularity defects are called phase defects, and even if they are only a few nm in height, they can have an unacceptable effect on the dimensional error of fine LSI patterns.
このような微小な凹凸欠陥が形成される原因は、低熱膨張基板表面の凹凸や異物、あるいは、多層反射層の堆積中に落下した異物である。これらの異物の上に堆積した多層反射層は、その周辺の多層反射層と比べて局所的に位相差を生じるため、位相欠陥とも呼ばれ、転写パターンへ悪影響を及ぼす。 These tiny irregular defects are formed due to irregularities or foreign matter on the surface of the low-thermal expansion substrate, or due to foreign matter that has fallen during deposition of the multilayer reflective layer. The multilayer reflective layer deposited on such a foreign matter creates a local phase difference compared to the surrounding multilayer reflective layer, which is also called a phase defect and has a negative effect on the transfer pattern.
このような微小凹凸欠陥（位相欠陥）に対しては、いくつかの修正方法が提案されているが、修正可能な欠陥のタイプは限定されており、全ての微小凹凸欠陥を修正するのは困難である（例えば、特許文献１参照）。したがって、ＥＵＶマスクでは、このような位相欠陥の発生防止が最も重要であるが、一般的な透過型マスクと比べて複雑な層構成であるために、現状では無欠陥には程遠いブランク品質となっている。 Several repair methods have been proposed for such minute uneven defects (phase defects), but the types of defects that can be repaired are limited, and it is difficult to repair all minute uneven defects (see, for example, Patent Document 1). Therefore, with EUV masks, it is most important to prevent the occurrence of such phase defects, but because EUV masks have a more complex layer structure than general transmission masks, the blank quality is currently far from being defect-free.
このような問題を解決するために、ＥＵＶマスク上にパターンを形成する前に、位相欠陥の位置を検査により把握し、その位相欠陥を避けるようにパターン形成（描画）することが、提案されている。具体的にはその位相欠陥を吸収層でカバーしてしまうことで、位相欠陥が転写されることなく、吸収層の無い多層反射層からは欠陥の無い所望のパターンの反射光を得ることができる。したがって、困難な修正をすることなく、高品質の反射型マスクの作製を可能にする製造方法が検討されている。 To solve this problem, it has been proposed to determine the position of the phase defect by inspection before forming a pattern on the EUV mask, and to form (draw) the pattern in a way that avoids the phase defect. Specifically, by covering the phase defect with an absorbing layer, the phase defect is not transferred, and reflected light of the desired pattern without defects can be obtained from a multi-layer reflective layer without an absorbing layer. Therefore, a manufacturing method that makes it possible to create a high-quality reflective mask without difficult corrections is being investigated.
位相欠陥の正確な位置の把握と、それらの位相欠陥を正確に避けてパターン形成するためには、ＥＵＶマスクブランク上にフィデューシャルマークと呼ばれる目印（基準マーク）を形成する必要がある。このフィデューシャルマークがブランク欠陥検査機（ＤＵＶ（Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光やＥＵＶ光を使用する。）およびマスク描画機（ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）を使用する。）の基準パターンとなる。 In order to grasp the exact position of the phase defects and to form a pattern while accurately avoiding these phase defects, it is necessary to form a reference mark called a fiducial mark on the EUV mask blank. This fiducial mark becomes the reference pattern for the blank defect inspection machine (which uses DUV (Deep Ultra Violet) light or EUV light) and the mask writing machine (which uses EB (Electron Beam)).
図６を参照して、ＥＵＶマスクにおける従来のフィデューシャルマーク形成方法を説明する。
図６（ａ）は、多層反射層１５上に第２レジスト膜１８を塗布した反射型マスクブランクの模式断面図である。次に、フォトリソグラフィもしくは電子線リソグラフィによってフィデューシャルマークを形成するためのレジストパターンを形成し（図６（ｂ））、次いで、エッチングによって多層反射層１５を掘り込み、多層反射層除去部４を形成し（図６（ｃ））、次いで、第２レジスト膜１８を剥膜洗浄したのち（（図７（ｄ））、さらに、保護層１４、吸収層１３、低反射層１２及びレジスト膜１１を順次積層することで、多層反射層除去部４にフィデューシャルマーク２０が形成され、フィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク１００´が完成する（図７（ｅ））。
A conventional method for forming fiducial marks on an EUV mask will be described with reference to FIG.
Fig. 6(a) is a schematic cross-sectional view of a reflective mask blank in which a second resist film 18 is applied onto a multilayer reflective layer 15. Next, a resist pattern for forming a fiducial mark is formed by photolithography or electron beam lithography (Fig. 6(b)), then the multilayer reflective layer 15 is engraved by etching to form a multilayer reflective layer removed portion 4 (Fig. 6(c)), and then the second resist film 18 is stripped and washed (Fig. 7(d)), and then a protective layer 14, an absorbing layer 13, a low reflective layer 12, and a resist film 11 are sequentially laminated to form a fiducial mark 20 in the multilayer reflective layer removed portion 4, thereby completing a reflective mask blank 100' with a fiducial mark (Fig. 7(e)).
図６、図７に示したように、従来のフィデューシャルマークの作製方法は、フォトリソグラフィもしくは電子線リソグラフィを使用し、多層反射膜をエッチングする必要があり、さらに、保護層１４、吸収層１３、低反射層１２などを成膜することになるため、欠陥の発生を極力回避することが必要であるにも関わらず、さらに欠陥を増やしてしまうという問題がある。 As shown in Figures 6 and 7, conventional methods for producing fiducial marks require etching of a multilayer reflective film using photolithography or electron beam lithography, and further require deposition of a protective layer 14, an absorbing layer 13, a low-reflective layer 12, etc., which creates the problem of increasing the number of defects, despite the need to avoid the occurrence of defects as much as possible.
そこで、本発明は上記のような従来の形成方法の問題点を解決しようとするものであり、フィデューシャルマークの形成に伴う欠陥を発生させることなく、多層反射層に形成された位相欠陥を回避してパターン形成可能な反射型マスクブランク、反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法を提供することを課題とする。 The present invention aims to solve the problems associated with the conventional formation methods described above, and aims to provide a reflective mask blank, a reflective mask, and a method for manufacturing a reflective mask that are capable of forming a pattern while avoiding phase defects formed in the multilayer reflective layer and without generating defects associated with the formation of fiducial marks.
上記の課題を解決する手段として、本発明の第１の態様は、基板上に、少なくとも、多層反射層と、吸収層と、を有するフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクであって、
前記フィデューシャルマークが、前記多層反射層に形成された、平面視の大きさが６００ｎｍ以下であり、多層反射層とは光の反射率が異なる部位からなることを特徴とするフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクである。
As a means for solving the above problems, a first aspect of the present invention is a reflective mask blank for EUV with a fiducial mark, comprising at least a multilayer reflective layer and an absorbing layer on a substrate, the mask blank comprising:
The fiducial mark is a reflective mask blank for EUV with a fiducial mark, characterized in that the fiducial mark is formed in the multilayer reflective layer, has a size of 600 nm or less in a planar view, and consists of a portion having a different light reflectance from that of the multilayer reflective layer.
また、第２の態様は、前記部位の光の反射率は、多層反射層の光の反射率よりも低いことを特徴とする第１の態様に記載のフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクである。 The second aspect is a reflective mask blank for EUV with a fiducial mark according to the first aspect, characterized in that the light reflectance of the portion is lower than the light reflectance of the multilayer reflective layer.
また、第３の態様は、基板上に、少なくとも、多層反射層と、吸収層と、をこの順に備えたＥＵＶ用反射型マスクであって、
前記多層反射層に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下であり、フィデューシャルマークとして使用可能な、前記多層反射層とは光の反射率が異なる部位と、
前記吸収層に、前記吸収層を除去することにより前記多層反射層が露出した回路パターンと、を備えていることを特徴とするＥＵＶ用反射型マスクである。
A third aspect is a reflective mask for EUV comprising at least a multilayer reflective layer and an absorbing layer in this order on a substrate,
a portion in the multilayer reflective layer that has a size in a plan view of 600 nm or less and is usable as a fiducial mark and has a light reflectance different from that of the multilayer reflective layer;
The EUV reflective mask is characterized in that the absorbing layer is provided with a circuit pattern in which the multilayer reflective layer is exposed by removing the absorbing layer.
また、第４の態様は、前記反射率が前記多層反射層の反射率より低いことを特徴とする第３の態様に記載のＥＵＶ用反射型マスクである。 The fourth aspect is the EUV reflective mask according to the third aspect, characterized in that the reflectance is lower than the reflectance of the multilayer reflective layer.
また、第５の態様は、第３または第４の態様に記載のＥＵＶ用反射型マスクの構成に加えて、さらに前記吸収層にアライメントマークが備えられていることを特徴とするＥＵＶ
用反射型マスクである。
A fifth aspect is an EUV reflective mask according to the third or fourth aspect, further comprising an alignment mark on the absorption layer.
It is a reflective mask for use.
また、第６の態様は、基板上に少なくとも多層反射層を有する反射型マスクブランクの前記多層反射層中に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下で、光の反射率が前記多層反射層とは異なるフィデューシャルマークを形成する工程と、
前記多層反射層中に形成されている欠陥の前記フィデューシャルマークからの相対位置を把握する工程と、
前記多層反射層上に少なくとも吸収層を成膜する工程と、
前記フィデューシャルマークを使用して、回路パターンが前記欠陥を避けるようにパターン形成位置を調整して回路パターンを描画する工程と、
をこの順に備えていることを特徴とする反射型マスクの製造方法である。
In a sixth aspect, a reflective mask blank has at least a multilayer reflective layer on a substrate, and the multilayer reflective layer includes a step of forming a fiducial mark having a size of 600 nm or less in a plan view and a light reflectance different from that of the multilayer reflective layer in the multilayer reflective layer;
determining a relative position of a defect formed in the multilayer reflective layer from the fiducial mark;
depositing at least an absorbing layer on the multilayer reflective layer;
a step of plotting a circuit pattern by adjusting a pattern formation position using the fiducial mark so that the circuit pattern avoids the defect;
The method for manufacturing a reflective mask is characterized in that:
また、第７の態様は、基板上に少なくとも多層反射層を有する反射型マスクブランクの前記多層反射層中に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下で、光の反射率が前記多層反射層とは異なるフィデューシャルマークを形成する工程と、
前記多層反射層中に形成されている欠陥の前記フィデューシャルマークからの相対位置を把握する工程と、
前記多層反射層上に少なくとも吸収層を成膜する工程と、
前記吸収膜にアライメントマークを形成する工程と、
前記フィデューシャルマークと前記アライメントマークの相対位置を把握する工程と、
前記アライメントマークと前記欠陥の相対位置を求める工程と、
前記アライメントマークを用い、回路パターンが前記欠陥を避けるようにパターン位置を調整して回路パターンを描画する工程と、
をこの順に備えていることを特徴とする反射型マスクの製造方法である。
A seventh aspect of the present invention relates to a reflective mask blank having at least a multilayer reflective layer on a substrate, the multilayer reflective layer being provided with a fiducial mark having a size of 600 nm or less in a plan view and a light reflectance different from that of the multilayer reflective layer;
determining a relative position of a defect formed in the multilayer reflective layer from the fiducial mark;
depositing at least an absorbing layer on the multilayer reflective layer;
forming an alignment mark in the absorbing film;
determining a relative position of the fiducial mark and the alignment mark;
determining a relative position of the alignment mark and the defect;
a step of drawing a circuit pattern by adjusting a pattern position using the alignment mark so that the circuit pattern avoids the defect;
The method for manufacturing a reflective mask is characterized in that:
本発明のフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクによれば、従来のフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクにおけるドライエッチング工程や薄膜形成工程などの発塵を伴う工程を必要とせずにフィデューシャルマークを形成することが可能であることから、より低欠陥のフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクを提供することが可能である。 According to the EUV reflective mask blank with fiducial marks of the present invention, it is possible to form fiducial marks without requiring processes involving dust generation, such as the dry etching process and thin film formation process, which are required in conventional EUV reflective mask blanks with fiducial marks, making it possible to provide an EUV reflective mask blank with fiducial marks with fewer defects.
本発明のＥＵＶ用反射型マスクによれば、多層反射層中に形成されている位相欠陥を確実に回避して回路パターンを形成したＥＵＶ用反射型マスクを提供することができる。 The EUV reflective mask of the present invention can provide an EUV reflective mask in which a circuit pattern is formed while reliably avoiding phase defects formed in the multilayer reflective layer.
本発明のＥＵＶ用反射型マスクの製造方法によれば、本発明のＥＵＶ用反射型マスクを提供可能とすることができる。 The method for manufacturing an EUV reflective mask of the present invention makes it possible to provide an EUV reflective mask of the present invention.
反射型マスクブランクについて図１を参照して説明する。図１は、フィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク１００の一例の模式断面図である。このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張基板１６上に、多層反射層１５、保護層１４、吸収層１３、低反射層１２、レジスト膜１１が順次積層された反射型マスクブランクである。また、低熱膨張基板１６の裏面には、露光機のマスクステージに静電チャックするために必要な裏面導電膜１７が成膜されている。反射型マスクブランクから反射型マスクへ加工する際には、ＥＢリソグラフィとエッチング技術とにより吸収層を部分的に除去することにより、吸収部と反射部とからなる回路パターンを形成する。このように作製された反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。 The reflective mask blank will be described with reference to FIG. 1. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an example of a reflective mask blank 100 with a fiducial mark. The reflective mask blank that is the basis of such a reflective mask is a reflective mask blank in which a multilayer reflective layer 15, a protective layer 14, an absorbing layer 13, a low reflective layer 12, and a resist film 11 are sequentially laminated on a low thermal expansion substrate 16. In addition, a back conductive film 17 necessary for electrostatic chucking to a mask stage of an exposure machine is formed on the back surface of the low thermal expansion substrate 16. When processing a reflective mask blank into a reflective mask, a circuit pattern consisting of an absorbing portion and a reflective portion is formed by partially removing the absorbing layer by EB lithography and etching technology. The light image reflected by the reflective mask thus prepared is transferred onto a semiconductor substrate via a reflection optical system.
また、ＥＵＶマスクに用いられる多層反射層は、Ｓｉ（シリコン）とＭｏ（モリブデン）をそれぞれ所定の膜厚で交互に成膜されており、トータルで４０～５０ぺア（Ｓｉ層とＭｏ層で１ペアであるため、８０層から１００層程度に相当する。）から成る。ＳｉやＭｏは、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つＳｉとＭｏのＥＵＶ光における屈折率差が大きい。従って、ＳｉとＭｏは互いの界面での反射率を高く出来るという利点から多用される。この多層構造により、ＥＵＶ光は例えば４０ペアからなる多層反射そうであれば４０回反射が可能である。各界面で反射したＥＵＶ光は、それぞれ位相が揃っており、その合算が多層反射層からのＥＵＶ反射率となり、ＥＵＶブランクメーカー各社から販売されているＥＵＶマスクブランクでは、概ね６２～６５％程度、あるいはそれ以上であり、理論値の約７０％に迫るレベルに達している。 The multilayer reflective layer used in EUV masks is made of alternating layers of Si (silicon) and Mo (molybdenum) with a specified thickness, consisting of 40 to 50 pairs in total (since one pair is a Si layer and a Mo layer, this is equivalent to about 80 to 100 layers). Si and Mo have low absorption (extinction coefficient) for EUV light, and the difference in refractive index between Si and Mo for EUV light is large. Therefore, Si and Mo are often used because of the advantage that they can increase the reflectance at the interface between them. With this multilayer structure, EUV light can be reflected 40 times if there are 40 pairs of multilayer reflectors. The EUV light reflected at each interface is in phase with each other, and the sum of these reflectances is the EUV reflectance from the multilayer reflective layer, which is generally 62 to 65% or more for EUV mask blanks sold by various EUV blank manufacturers, approaching the theoretical value of about 70%.
ＥＵＶマスクの反射率は、半導体チップ製造のスループット（生産能力）に直接効いてくるため、出来るだけ高いことが望まれるが、現在知られている材料とその組み合わせは、上述したＳｉとＭｏの多層反射層が最良とされている。反射率を生み出す本質的な能力は、ＳｉとＭｏの界面であり、界面がきっちりと形成されていることが重要である。そのため、ＳｉとＭｏを同一真空チャンバー内で、真空を破らずに交互に成膜する方法が使用されている。成膜法としては主としてスパッタリング法が使用されている。 The reflectivity of an EUV mask is desirably as high as possible, as it directly affects the throughput (production capacity) of semiconductor chip manufacturing, and of the currently known materials and combinations thereof, the multi-layer reflective layer of Si and Mo mentioned above is considered to be the best. The essential ability to generate reflectivity is the interface between Si and Mo, and it is important that this interface is well formed. For this reason, a method is used in which Si and Mo are alternately deposited in the same vacuum chamber without breaking the vacuum. The sputtering method is mainly used for deposition.
＜フィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク＞
次に、本発明の実施形態のフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランクについて図１を用いて説明する。
<Reflective mask blank with fiducial mark>
Next, a reflective mask blank with a fiducial mark according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
本発明の実施形態のフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク１００は、基板１６上に、少なくとも、多層反射層１５と、吸収層１３と、を有するフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクである。 The reflective mask blank 100 with a fiducial mark according to an embodiment of the present invention is a reflective mask blank for EUV with a fiducial mark that has at least a multilayer reflective layer 15 and an absorbing layer 13 on a substrate 16.
フィデューシャルマークとは、位相欠陥の正確な位置の把握と、それらの位相欠陥を正確に避けてパターン形成するために、ＥＵＶマスクなどの反射型マスクブランク上に形成される目印（基準マーク）である。このフィデューシャルマークがブランク欠陥検査機およびマスク描画機の基準パターンとなる。 A fiducial mark is a mark (reference mark) formed on a reflective mask blank such as an EUV mask in order to grasp the exact position of phase defects and to form a pattern while accurately avoiding those phase defects. This fiducial mark becomes the reference pattern for the blank defect inspection machine and the mask writing machine.
このフィデューシャルマークは、図１における周囲と異なる反射率の箇所１９であり、フィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク１００を平面視で観察した場合に観察することができる基準マークである。本発明のフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射
型マスクブランクにおいては、このフィデューシャルマーク１９は、多層反射層１５の内部に形成されており、反射型マスクブランク１００を平面視した場合の大きさが６００ｎｍ以下であり、多層反射層１５とは光の反射率が異なることにより、観察可能な部位となっている。
1, and is a reference mark that can be observed when the reflective mask blank 100 with a fiducial mark is observed in a planar view. In the EUV reflective mask blank with a fiducial mark of the present invention, the fiducial mark 19 is formed inside the multilayer reflective layer 15, has a size of 600 nm or less when the reflective mask blank 100 is viewed in a planar view, and is an observable portion due to its different light reflectance from that of the multilayer reflective layer 15.
フィデューシャルマーク１９の平面視した場合の大きさが６００ｎｍを超えると、マークとしては大型化しすぎて描画パターンを圧迫しかねないため好ましくない。 If the size of the fiducial mark 19 in plan view exceeds 600 nm, it is not preferable because the mark will be too large and may overwhelm the drawing pattern.
周囲と異なる反射率の箇所１９における光の反射率は、多層反射層１５の反射率より低い値であっても良い。 The reflectance of light at the area 19 having a reflectance different from that of the surroundings may be lower than the reflectance of the multilayer reflective layer 15.
本発明のフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク１００においては、基板１６の一方の面に、多層反射層１５と、保護層１４と、吸収層１３と、低反射層１２と、をこの順に備えた層構成としても良い。さらに低反射層１２の上にレジスト膜１１が備えらえた構成であっても良い。 In the reflective mask blank 100 with fiducial marks of the present invention, a layer structure may be formed on one surface of a substrate 16, in this order, of a multilayer reflective layer 15, a protective layer 14, an absorbing layer 13, and a low-reflective layer 12. Furthermore, a resist film 11 may be formed on the low-reflective layer 12.
また、基板１６のもう一方の面に、裏面導電膜１７が形成された構成としても良い。裏面導電膜１７は、露光機のマスクステージに静電チャックするために必要な構成要素である。 Also, a back conductive film 17 may be formed on the other surface of the substrate 16. The back conductive film 17 is a necessary component for electrostatic chucking to the mask stage of the exposure machine.
（基板）
基板１６の材料には、＜±５ｐｐｂ／Ｋレベルの低い熱膨張係数が求められるほか、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を、反射型マスクに対して６°の入射角で入射するように露光装置の光学系が設計されている。そのため、マスク表面の凹凸に関しては、マスク全面における最高低差（Ｐ－Ｖ：Ｐｅａｋ ｔｏ Ｖａｌｌｅｙ）で＜３６ｎｍの平坦度が要求されている。このような厳しい仕様を満たすことができる材料として、酸化チタンをドープした石英ガラスを使用した基板が入手可能となっている。
(substrate)
The material of the substrate 16 is required to have a low coefficient of thermal expansion of <±5 ppb/K, and the optical system of the exposure tool is designed so that EUV light with a wavelength of 13.5 nm is incident on the reflective mask at an incident angle of 6°. Therefore, the mask surface is required to have a flatness of <36 nm in peak-to-valley (PV) across the entire mask surface. Substrates made of titanium oxide-doped quartz glass are available as a material that can meet such strict specifications.
（多層反射層）
多層反射層１５は、ＥＵＶ光を反射する層である。Ｓｉ（シリコン）とＭｏ（モリブデン）をそれぞれ約４．２ｎｍと約２．８ｎｍの膜厚で交互に成膜された多層膜となっており、トータルで４０～５０ペア（Ｓｉ層とＭｏ層で１ペアであるため、８０層から１００層程度に相当する。）から成る多層反射層が使用されている。ＥＵＶ反射率（ＥＵＶ光の波長における光反射率）は、概ね６２～６５％程度のものが入手可能となっている。
(Multi-layer reflective layer)
The multilayer reflective layer 15 is a layer that reflects EUV light. It is a multilayer film in which Si (silicon) and Mo (molybdenum) are alternately deposited with a thickness of about 4.2 nm and about 2.8 nm, respectively, and a total of 40 to 50 pairs (one pair is a Si layer and a Mo layer, so this corresponds to about 80 to 100 layers) of multilayer reflective layers are used. The EUV reflectivity (optical reflectivity at the wavelength of EUV light) of about 62 to 65% is generally available.
（保護層）
保護層１４は、ＥＵＶ光の照射による多層反射層１５の劣化を抑制するために設けられる層である。保護層１４の材料としては、特に限定する必要は無いが、例えば、Ｒｕ（ルテニウム）やＲｕの化合物が使用可能である。膜厚を２～４ｎｍ程度とすることが好ましい。
(Protective Layer)
The protective layer 14 is a layer provided to suppress deterioration of the multilayer reflective layer 15 due to irradiation with EUV light. There is no particular need to limit the material of the protective layer 14, but for example, Ru (ruthenium) or a Ru compound can be used. The thickness of the protective layer 14 is preferably about 2 to 4 nm.
（吸収層）
吸収層１３は、ＥＵＶ光を吸収することで、反射させない層である。多層反射層１５の高い反射率の領域と、吸収層１３の低い反射率の領域と、のコントラストにより、ＥＵＶ光をパターン反射させることにより、パターン形成を可能とするものである。
吸収層１３の材料としては、ＥＵＶ光の吸収率が高く、ＥＵＶ反射率が低い材料であり、またＥＵＶ光によって劣化し難い材料であれば特に限定する必要は無い。例えば、Ｔａ（タンタル）およびＴａの化合物が使用される。例えば、ＴａＮ、ＴａＢＮ、ＴａＳｉ、ＴａＧｅＮなどをあげることができる。また、吸収層１３のＥＵＶ反射率としては、＜０．５％程度であることが求められている。
(Absorption layer)
The absorbing layer 13 is a layer that absorbs EUV light and does not reflect it. The contrast between the high reflectance region of the multilayer reflective layer 15 and the low reflectance region of the absorbing layer 13 allows the EUV light to be reflected in a pattern, thereby enabling pattern formation.
The material of the absorbing layer 13 does not need to be particularly limited as long as it has a high absorptivity for EUV light, a low EUV reflectivity, and is not easily deteriorated by EUV light. For example, Ta (tantalum) and Ta compounds are used. Examples include TaN, TaBN, TaSi, and TaGeN. In addition, the EUV reflectivity of the absorbing layer 13 is required to be about <0.5%.
（低反射層）
低反射層１２は、吸収層１３の上に設けられ、パターン検査に使用するＤＵＶ（深紫外）光に対する低反射層である。低反射層１２の材料としては、ＥＵＶ反射率が吸収層１３より低く、ＥＵＶ光の照射により劣化し難い材料であれば特に限定する必要は無い。例えば、厚さ５ｎｍ～１２ｎｍ程度の吸収層１３のＴａ系材料の酸化窒化層が形成される。
(Low reflection layer)
The low-reflection layer 12 is provided on the absorbing layer 13 and is a low-reflection layer against DUV (deep ultraviolet) light used for pattern inspection. There is no need to limit the material of the low-reflection layer 12 in particular as long as it has a lower EUV reflectance than the absorbing layer 13 and is not easily deteriorated by irradiation with EUV light. For example, an oxidized nitride layer of a Ta-based material of the absorbing layer 13 having a thickness of about 5 nm to 12 nm is formed.
（レジスト膜）
レジスト膜１１は、フォトマスクのエッチングマスクとして使用する感光性レジストや電子ビームレジストであれば使用可能であり、特に限定する必要は無い。
(resist film)
The resist film 11 is not particularly limited and may be any photosensitive resist or electron beam resist used as an etching mask for a photomask.
＜反射型マスクの製造方法＞
次に、本発明の実施形態の反射型マスクの製造方法について図２～図５を用いて説明する。
<Method of manufacturing a reflective mask>
Next, a method for manufacturing a reflective mask according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
＜反射型マスクの製造方法にかかる第１の実施形態＞
本発明の実施形態の反射型マスクの製造方法にかかる第１の実施形態について、図２～図３を用いて説明する。
<First embodiment of the manufacturing method of a reflective mask>
A first embodiment of the method for manufacturing a reflective mask according to the present invention will be described with reference to FIGS.
本発明の実施形態の反射型マスクの製造方法は、基板１６上に少なくとも多層反射層１５を有する反射型マスクブランク１０－１の前記多層反射層１５中に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下で、光の反射率が前記多層反射層１５とは異なるフィデューシャルマーク１９を形成する工程と、前記多層反射層１５中に形成されている欠陥１の前記フィデューシャルマーク１９からの相対位置を把握する工程と、前記多層反射層１５上に少なくとも吸収層１３を成膜する工程と、前記フィデューシャルマーク１９を使用して、回路パターン３が前記欠陥１を避けるようにパターン形成位置を調整して回路パターン３を描画する工程と、をこの順に備えている。なお、図２～図３では基板１６の多層反射層１５が形成されている面とは反対側の面に、裏面導電膜１７が形成されている例を示している。裏面導電膜１７は静電チャックを行う場合に必要となるため、通常は形成されている。 The manufacturing method of the reflective mask according to the embodiment of the present invention includes the steps of forming a fiducial mark 19 having a size of 600 nm or less in a plan view and a light reflectance different from that of the multilayer reflective layer 15 in the multilayer reflective layer 15 of a reflective mask blank 10-1 having at least a multilayer reflective layer 15 on a substrate 16, grasping the relative position of a defect 1 formed in the multilayer reflective layer 15 from the fiducial mark 19, forming at least an absorbing layer 13 on the multilayer reflective layer 15, and drawing a circuit pattern 3 by adjusting the pattern formation position so that the circuit pattern 3 avoids the defect 1 using the fiducial mark 19, in this order. Note that Figs. 2 and 3 show an example in which a back conductive film 17 is formed on the surface of the substrate 16 opposite to the surface on which the multilayer reflective layer 15 is formed. The back conductive film 17 is usually formed because it is necessary when performing electrostatic chucking.
（ステップ１：反射型マスクブランク１０－１（図２（ａ）参照）の多層反射層１５中に光の反射率が周囲の多層反射層１５の反射率とは異なる部位（フィデューシャルマーク）１９（図２（ｂ）参照）を形成する工程）
反射型マスクブランク１０－１の裏面からフェムト秒レーザーを、所定の位置に照射することによって、照射された部分のみの多層反射層１５でミキシング（原子が混ざり合う状況）を起こし、多層反射層１５の多層構造が乱されることで、周囲とは異なる反射率の箇所１９（図２（ｂ）参照）であるフィデューシャルマーク１９を形成する。フェムト秒レーザーを照射する装置としては、例えば、Ｃａｒｌ Ｚｅｉｓｓ社製のＲｅｇＣ（Ｒｅｇｉｓｔｒａｔｉｏｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ）（Ｃａｒｌ Ｚｅｉｓｓ社の登録商標）を使用することができる。
(Step 1: A process of forming a portion (fiducial mark) 19 (see FIG. 2(b)) whose light reflectance is different from the reflectance of the surrounding multilayer reflective layer 15 in the multilayer reflective layer 15 of a reflective mask blank 10-1 (see FIG. 2(a)).)
By irradiating a predetermined position with a femtosecond laser from the back surface of the reflective mask blank 10-1, mixing (a state in which atoms are mixed together) occurs only in the irradiated portion of the multilayer reflective layer 15, and the multilayer structure of the multilayer reflective layer 15 is disturbed to form a fiducial mark 19, which is a portion 19 (see FIG. 2(b)) with a reflectance different from that of the surroundings. As an apparatus for irradiating the femtosecond laser, for example, Carl Zeiss's RegC (Registration Control) (a registered trademark of Carl Zeiss) can be used.
（ステップ２：多層反射層１５中の欠陥１のフィデューシャルマーク１９からの相対的な位置（座標）を計測し、把握する工程）
次に、ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製のフォトマスク検査装置などの、微小な測定対象物の座標を計測可能な装置を使用し、前記のフィデューシャルマーク(光の反射率が周囲の多層反射層とは異なる部位)１９をアライメントマークとして欠陥検査を実施し、多層反射層１５中の欠陥１を検出し、その座標を計測し、記録することにより、反射型マスクブランク１０－１における欠陥１の座標をすべて把握する（図２（ｃ）参照）。
(Step 2: A step of measuring and grasping the relative position (coordinates) of the defect 1 in the multilayer reflective layer 15 from the fiducial mark 19)
Next, a defect inspection is performed using a device capable of measuring the coordinates of a minute measurement object, such as a photomask inspection device manufactured by KLA Tencor, using the fiducial mark (a region having a light reflectance different from that of the surrounding multilayer reflective layer) 19 as an alignment mark to detect defect 1 in multilayer reflective layer 15, and measure and record its coordinates, thereby determining the coordinates of all defects 1 in reflective mask blank 10-1 (see FIG. 2(c)).
（ステップ３：多層反射層１５上に吸収層１３を成膜する工程）
次に、スパッタリング法により、最初に多層反射層１５上に、多層反射層１５を保護する保護層（キャッピング層とも言う。）を形成する。保護層の材料としては、例えばＲｕ（ルテニウム）を使用することができる。次に、スパッタリング法により、ＥＵＶ光の吸収層１３を形成する。吸収層１３の材料としては、例えばＴａ（タンタル）を使用することができる。図３（ｄ）においては、保護層を省略して示している。また、吸収層１３の上に、低反射層が形成されるが、図３（ｄ）においては低反射層も省略して示している。
(Step 3: Forming the absorbing layer 13 on the multilayer reflective layer 15)
Next, a protective layer (also called a capping layer) for protecting the multilayer reflective layer 15 is first formed on the multilayer reflective layer 15 by a sputtering method. Ru (ruthenium) can be used as a material for the protective layer. Next, an absorbing layer 13 for EUV light is formed by a sputtering method. Ta (tantalum) can be used as a material for the absorbing layer 13. The protective layer is omitted in FIG. 3(d). A low reflective layer is formed on the absorbing layer 13, but the low reflective layer is also omitted in FIG. 3(d).
（ステップ４：フィデューシャルマーク１９を使用して、回路パターン３が欠陥１を避けるようにパターン形成位置を調整して回路パターン３を描画する工程）
次に、まず吸収層１３の上に第２レジスト膜１８を形成する。第２レジスト膜１８の形成は、フォトマスクの製造工程で使用されているスピンコータなどの膜厚の均一性が良好な塗布装置を用いて感光性レジスト塗液を塗布し、乾燥することによって得ることができる。電子ビーム描画装置を使用して回路パターンを描画する場合には電子ビームレジスト塗液を使用すればよい。
(Step 4: A process of using the fiducial mark 19 to adjust the pattern formation position so that the circuit pattern 3 avoids the defect 1 and draws the circuit pattern 3)
Next, a second resist film 18 is first formed on the absorbing layer 13. The second resist film 18 can be formed by applying a photosensitive resist coating liquid using a coating device with good film thickness uniformity, such as a spin coater used in the manufacturing process of a photomask, and then drying the applied liquid. When a circuit pattern is drawn using an electron beam drawing device, an electron beam resist coating liquid may be used.
このようにして形成した第２レジスト膜１８に対して、例えば、ニューフレアテクノロジー社製の電子ビームマスク描画装置のような描画装置を用いて回路パターン３を描画し、現像することにより、第２レジスト膜１８をパターン化する。この際、フィデューシャルマーク１９に対する多層反射層１５中の欠陥１の座標がすべてわかっているため、多層反射層１５中の欠陥１が、平面視で吸収層１３に隠れるように、パターン形成位置をずらして回路パターン３を描画することができる。 The second resist film 18 thus formed is patterned by drawing a circuit pattern 3 using a drawing device such as an electron beam mask drawing device manufactured by NuFlare Technology, Inc., and developing the circuit pattern 3. At this time, since the coordinates of all of the defects 1 in the multilayer reflective layer 15 relative to the fiducial marks 19 are known, the pattern formation position can be shifted to draw the circuit pattern 3 so that the defects 1 in the multilayer reflective layer 15 are hidden by the absorbing layer 13 in a planar view.
次に、パターン化された第２レジスト膜１８をエッチングマスクとして吸収層１３の不
要部をエッチング除去する（図３（ｅ）参照）。
エッチング除去には、例えば、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社製ＣＥＮＴＵＲＡ
（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社登録商標） ＴＥＴＲＡ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社商標）などのフォトマスク用のドライエッチング装置を使用することができる。またはＦＥＩ社製 ＮＢ(収束イオンビーム)装置などを使用しても良い。
Next, the unnecessary portion of the absorbing layer 13 is etched away using the patterned second resist film 18 as an etching mask (see FIG. 3(e)).
For example, the etching removal is performed using a CENTURA manufactured by Applied Materials.
A dry etching device for photomasks such as TETRA (trademark of Applied Material) (registered trademark of Applied Material) or a focused ion beam (NB) device manufactured by FEI may be used.
次に、パターン化された第２レジスト膜１８を、レジスト膜の剥離液や酸素系プラズマを用いたアッシング処理を行うことにより除去することにより、回路パターン３が形成される（図３（ｆ）参照）。 Next, the patterned second resist film 18 is removed by ashing using a resist film stripper or oxygen-based plasma, forming the circuit pattern 3 (see FIG. 3(f)).
以上により、本発明のＥＵＶ用反射型マスク２００－１を作製することができる。 By the above steps, the EUV reflective mask 200-1 of the present invention can be produced.
＜反射型マスクの製造方法にかかる第２の実施形態＞
本発明の実施形態の反射型マスクの製造方法にかかる第２の実施形態について、図４～図５を用いて説明する。
本発明の実施形態の反射型マスクの製造方法にかかる第２の実施形態は、ステップ１：基板１６上に少なくとも多層反射層１５を有する反射型マスクブランク１０－１の多層反射層１５中に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下で、光の反射率が多層反射層１５とは異なるフィデューシャルマーク１９を形成する工程から、ステップ３：多層反射層１５上に少なくとも吸収層１３を成膜する工程までは第１の実施形態における工程、までは第１の実施形態と同様であるが、ステップ４以降の工程が、次のような工程となっている。すなわち、吸収層１３にアライメントマーク２を形成する工程と、フィデューシャルマーク１９とアライメントマーク２の相対位置を把握する工程と、アライメントマーク２と欠陥１の相対位置を求める工程と、アライメントマーク２を用い、回路パターン３が欠陥１を避けるようにパターン位置を調整して回路パターン３を描画する工程と、をこの順に備えている。なお、図４～図５では基板１６の多層反射層１５が形成されている面とは反対側の面に、裏面導電膜１７が形成されている例を示している。裏面導電膜１７は静電チャックを行う場合に必要となるため、通常は形成されている。
<Second embodiment of the manufacturing method of a reflective mask>
A second embodiment of the method for manufacturing a reflective mask according to the present invention will be described with reference to FIGS.
The second embodiment of the method for manufacturing a reflective mask according to the present invention includes the steps of step 1: forming a fiducial mark 19 having a size of 600 nm or less in plan view and a light reflectance different from that of the multilayer reflective layer 15 in the multilayer reflective layer 15 of a reflective mask blank 10-1 having at least a multilayer reflective layer 15 on a substrate 16, to step 3: forming at least an absorbing layer 13 on the multilayer reflective layer 15, which are the same as those in the first embodiment, but the steps from step 4 onwards are as follows. That is, the method includes the steps of forming an alignment mark 2 on the absorbing layer 13, grasping the relative position of the fiducial mark 19 and the alignment mark 2, determining the relative position of the alignment mark 2 and the defect 1, and using the alignment mark 2 to adjust the pattern position so that the circuit pattern 3 avoids the defect 1 and draw the circuit pattern 3, in this order. Note that Figs. 4 and 5 show an example in which a back conductive film 17 is formed on the surface of the substrate 16 opposite to the surface on which the multilayer reflective layer 15 is formed. The back surface conductive film 17 is required when performing electrostatic chucking, and is therefore usually formed.
以下に、ステップ４以降について説明する。
（ステップ４：吸収層にアライメントマークを形成する工程）
フォトリソグラフィ法を用いて、吸収層１３（または、低反射層と吸収層１３）の一部をエッチング除去することによりアライメントマーク２を形成する（図４（ａ）参照）。具体的には、まず感光性レジスト層を吸収層１３の上に塗布・乾燥した後、アライメントマークを露光し、現像することにより感光性レジスト層のパターンを形成する。
Steps 4 and onward will be described below.
(Step 4: Forming alignment marks in the absorbing layer)
Using photolithography, a part of the absorbing layer 13 (or the low-reflection layer and the absorbing layer 13) is etched away to form the alignment mark 2 (see FIG. 4(a)). Specifically, a photosensitive resist layer is first applied onto the absorbing layer 13 and dried, and then the alignment mark is exposed to light and developed to form a pattern in the photosensitive resist layer.
次に、その感光性レジスト層のパターンをエッチングマスクとして吸収層１３（または、低反射層と吸収層１３）をドライエッチングした後、感光性レジスト層のパターンを除去することにより、アライメントマーク２を形成する。ドライエッチング工程には、例えば、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社製ＣＥＮＴＵＲＡ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社登録商標） ＴＥＴＲＡ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社登録商標になる予定）などのフォトマスク用のドライエッチング装置を使用することができる。またはＦＥＩ社製 ＮＢ(収束イオンビーム)装置などを使用して、アライメントマーク２を形成することができる。 Next, the absorption layer 13 (or the low-reflection layer and the absorption layer 13) is dry-etched using the pattern of the photosensitive resist layer as an etching mask, and then the pattern of the photosensitive resist layer is removed to form the alignment mark 2. For the dry etching process, a dry etching device for photomasks such as CENTURA (a registered trademark of Applied Material) or TETRA (to be a registered trademark of Applied Material) manufactured by Applied Material can be used. Alternatively, the alignment mark 2 can be formed using an NB (focused ion beam) device manufactured by FEI.
（ステップ５：フィデューシャルマーク１９とアライメントマーク２の相対位置を把握する検査工程）
次に、ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製のフォトマスク検査装置を使用し、ＳＴＥＰ１で作製した多層反射層１５中の周囲と異なる反射率の箇所（フィデューシャルマーク）１９と、ステップ４で作製した吸収層１３のアライメントマーク２を両方検出し、２つの相対座標を把握する（図４（ｂ）参照）。
(Step 5: Inspection process for determining the relative positions of the fiducial mark 19 and the alignment mark 2)
Next, using a photomask inspection device manufactured by KLA Tencor, both the area (fiducial mark) 19 having a reflectivity different from the surrounding area in the multilayer reflective layer 15 produced in STEP 1 and the alignment mark 2 in the absorption layer 13 produced in STEP 4 are detected, and the relative coordinates of the two are determined (see Figure 4 (b)).
（ステップ６：アライメントマーク２と欠陥１の相対位置を把握する工程）
次に、ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製のフォトマスク検査装置を使用し、ステップ４で作製した吸収層１３のアライメントマーク２と多層反射層１５中の欠陥１の両方を検出し、２つの相対座標を把握する（図４（ｃ）参照）。その上で、ステップ５とステップ６より、ステップ１で作製した多層反射層１５中の周囲と異なる反射率の箇所（フィデューシャルマーク）１９と多層反射層１５中の欠陥１の相対座標を把握する。
(Step 6: Step of determining the relative positions of alignment mark 2 and defect 1)
Next, using a photomask inspection device manufactured by KLA Tencor, both the alignment mark 2 of the absorbing layer 13 produced in step 4 and the defect 1 in the multilayer reflective layer 15 are detected, and the relative coordinates of the two are obtained (see FIG. 4(c)). Then, in steps 5 and 6, the relative coordinates of the portion (fiducial mark) 19 having a reflectance different from the surroundings in the multilayer reflective layer 15 produced in step 1 and the defect 1 in the multilayer reflective layer 15 are obtained.
（ステップ７：回路パターン３が欠陥１を避けるようにパターン位置を調整して回路パターン３を形成する工程）
次に、まずアライメントマーク２が形成された吸収層１３の上に第２レジスト膜１８を形成する。第２レジスト膜１８の形成は、フォトマスクの製造工程で使用されているスピンコータなどの膜厚の均一性が良好な塗布装置を用いて感光性レジスト塗液を塗布し、乾燥することによって得ることができる。電子ビーム描画装置を使用して回路パターンを描画する場合には電子ビームレジスト塗液を使用すればよい。
(Step 7: A process of forming the circuit pattern 3 by adjusting the pattern position so that the circuit pattern 3 avoids the defect 1)
Next, a second resist film 18 is formed on the absorption layer 13 on which the alignment mark 2 is formed. The second resist film 18 can be formed by applying a photosensitive resist coating liquid using a coating device with good film thickness uniformity, such as a spin coater used in the manufacturing process of a photomask, and then drying the applied liquid. When a circuit pattern is drawn using an electron beam drawing device, an electron beam resist coating liquid may be used.
このようにして形成した第２レジスト膜１８に対して、例えば、ニューフレアテクノロジー社製の電子ビームマスク描画装置のような描画装置を用いて回路パターン３を描画し、現像することにより、第２レジスト膜１８をパターン化する。 The second resist film 18 thus formed is patterned by drawing the circuit pattern 3 using a drawing device such as an electron beam mask drawing device manufactured by NuFlare Technology, Inc., and developing the circuit pattern 3.
次に、パターン化された第２レジスト膜１８をエッチングマスクとして吸収層１３の不要部をエッチング除去する（図５（ｄ）参照）。 Next, the unnecessary portions of the absorption layer 13 are etched away using the patterned second resist film 18 as an etching mask (see FIG. 5(d)).
次に、パターン化された第２レジスト膜１８を、レジスト膜の剥離液や酸素系プラズマを用いたアッシング処理を行うことにより除去することにより、回路パターン３が形成される（図５（ｅ）参照）。 Next, the patterned second resist film 18 is removed by ashing using a resist film stripper or oxygen-based plasma, forming the circuit pattern 3 (see FIG. 5(e)).
多層反射層１５中の欠陥１の座標が正確にわかっているため、多層反射層１５中の欠陥１が、平面視で吸収層１３に隠れるように、パターン形成位置をずらして回路パターン３を描画する。 Since the coordinates of defect 1 in multilayer reflective layer 15 are accurately known, circuit pattern 3 is drawn by shifting the pattern formation position so that defect 1 in multilayer reflective layer 15 is hidden by absorption layer 13 in plan view.
以上により、本発明の実施形態のＥＵＶ用反射型マスク２００－２を作製することができる。 By the above steps, the EUV reflective mask 200-2 according to an embodiment of the present invention can be produced.
＜反射型マスク＞
次に、本発明の実施形態のＥＵＶ用反射型マスクについて、図３（ｆ）および図５（ｅ）を用いて説明する。
<Reflective mask>
Next, an EUV reflective mask according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
＜本発明のＥＵＶ用反射型マスクにかかる第１の実施形態＞
図３（ｆ）に例示したように、本発明のＥＵＶ用反射型マスクにかかる第１の実施形態におけるＥＵＶ用反射型マスク２００－１は、基板１６上に、少なくとも、多層反射層１５と、吸収層１３と、をこの順に備えたＥＵＶ用反射型マスクである。基板１６上の一方の面に、多層反射層１５と、保護層１４と、吸収層１３と、低反射層１２と、をこの順に備えた層構成であっても良い。さらに、基板１６上のもう一方の面に、静電チャックを可能とする裏面導電膜１７が備えられていても良い。
<First embodiment of the EUV reflective mask of the present invention>
3(f), an EUV reflective mask 200-1 in the first embodiment of the EUV reflective mask of the present invention is an EUV reflective mask including at least a multilayer reflective layer 15 and an absorbing layer 13, in this order, on a substrate 16. A layer configuration including a multilayer reflective layer 15, a protective layer 14, an absorbing layer 13, and a low-reflective layer 12, in this order, on one surface of the substrate 16 may also be used. Furthermore, a rear surface conductive film 17 that enables electrostatic chucking may be provided on the other surface of the substrate 16.
多層反射層１５には、平面視の大きさが６００ｎｍ以下であり、フィデューシャルマークとして使用可能な、多層反射層１５とは光の反射率が異なる部位１９を備えていることが特徴である。 The multilayer reflective layer 15 is characterized by having a region 19 that has a planar size of 600 nm or less and that can be used as a fiducial mark and has a different light reflectance from the multilayer reflective layer 15.
＜本発明のＥＵＶ用反射型マスクにかかる第２の実施形態＞
図５（ｅ）に例示したように、本発明のＥＵＶ用反射型マスクにかかる第２の実施形態におけるＥＵＶ用反射型マスク２００－２は、第１の実施形態におけるＥＵＶ用反射型マスク２００－１の吸収層１３に、回路パターン３に加えて、アライメントマーク２を備えている。
<Second embodiment of the EUV reflective mask of the present invention>
As illustrated in FIG. 5( e ), an EUV reflective mask 200-2 in the second embodiment of the EUV reflective mask of the present invention has an alignment mark 2 in addition to a circuit pattern 3 in the absorption layer 13 of the EUV reflective mask 200-1 in the first embodiment.
１・・・（多層反射層の）欠陥
２・・・アライメントマーク
３・・・回路パターン
４・・・多層反射層除去部
１０、１０－１・・・ＥＵＶ用反射型マスクブランク
１１・・・レジスト膜
１２・・・低反射層
１３・・・吸収層
１４・・・保護層（またはキャッピング層）
１５・・・多層反射層
１６・・・低熱膨張基板
１７・・・裏面導電膜
１８・・・第２レジスト膜
１９・・・多層反射層と異なる反射率の箇所（またはフィデューシャルマーク）
２０・・・フィデューシャルマーク
１００、１００´・・・フィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型フォトマスクブラン
ク
２００－１、２００－２・・・ＥＵＶ用反射型フォトマスク
1: Defect (in multilayer reflective layer) 2: Alignment mark 3: Circuit pattern 4: Multilayer reflective layer removed portion 10, 10-1: EUV reflective mask blank 11: Resist film 12: Low reflective layer 13: Absorption layer 14: Protective layer (or capping layer)
15: Multilayer reflective layer 16: Low thermal expansion substrate 17: Back conductive film 18: Second resist film 19: Area with reflectance different from that of the multilayer reflective layer (or fiducial mark)
20... Fiducial mark 100, 100'... EUV reflective photomask blank with fiducial mark 200-1, 200-2... EUV reflective photomask
Claims (14)
前記フィデューシャルマークが、前記多層反射層の内部に形成された、平面視の大きさが６００ｎｍ以下であり、多層反射層とは光の反射率が異なる部位からなることを特徴とするフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク。 A reflective mask blank with a fiducial mark, comprising at least a multilayer reflective layer and an absorbing layer on a substrate,
A reflective mask blank with a fiducial mark, characterized in that the fiducial mark is formed inside the multilayer reflective layer, has a planar size of 600 nm or less, and consists of a portion having a different light reflectance from that of the multilayer reflective layer.
前記多層反射層の内部に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下であり、フィデューシャルマークとして使用可能な、前記多層反射層とは光の反射率が異なる部位と、
前記吸収層に、前記吸収層を除去することにより前記多層反射層が露出した回路パターンと、を備えていることを特徴とする反射型マスク。 A reflective mask for EUV comprising at least a multilayer reflective layer and an absorbing layer in this order on a substrate,
a portion within the multilayer reflective layer that has a size in a plan view of 600 nm or less and is usable as a fiducial mark and has a light reflectance different from that of the multilayer reflective layer;
a circuit pattern formed on the absorbing layer, the circuit pattern being formed by removing the absorbing layer to expose the multi-layered reflective layer;
前記多層反射層中に形成されている欠陥の前記フィデューシャルマークからの相対位置を把握する工程と、
前記多層反射層上に少なくとも吸収層を成膜する工程と、
前記フィデューシャルマークを使用して、回路パターンが前記欠陥を避けるようにパターン形成位置を調整して回路パターンを描画する工程と、
をこの順に備えていることを特徴とする反射型マスクの製造方法。 forming a fiducial mark having a size of 600 nm or less in a plan view and a light reflectance different from that of the multilayer reflective layer in a reflective mask blank having at least a multilayer reflective layer on a substrate;
determining a relative position of a defect formed in the multilayer reflective layer from the fiducial mark;
depositing at least an absorbing layer on the multilayer reflective layer;
a step of plotting a circuit pattern by adjusting a pattern formation position using the fiducial mark so that the circuit pattern avoids the defect;
4. A method for manufacturing a reflective mask, comprising the steps of:
前記多層反射層中に形成されている欠陥の前記フィデューシャルマークからの相対位置を把握する工程と、
前記多層反射層上に少なくとも吸収層を成膜する工程と、
前記吸収層にアライメントマークを形成する工程と、
前記フィデューシャルマークと前記アライメントマークの相対位置を把握する工程と、
前記アライメントマークと前記欠陥の相対位置を求める工程と、
前記アライメントマークを用い、回路パターンが前記欠陥を避けるようにパターン位置を調整して回路パターンを描画する工程と、
をこの順に備えていることを特徴とする反射型マスクの製造方法。 forming a fiducial mark having a size of 600 nm or less in a plan view and a light reflectance different from that of the multilayer reflective layer in a reflective mask blank having at least a multilayer reflective layer on a substrate;
determining a relative position of a defect formed in the multilayer reflective layer from the fiducial mark;
depositing at least an absorbing layer on the multilayer reflective layer;
forming an alignment mark in the absorber layer ;
determining a relative position of the fiducial mark and the alignment mark;
determining a relative position of the alignment mark and the defect;
a step of drawing a circuit pattern by adjusting a pattern position using the alignment mark so that the circuit pattern avoids the defect;
4. A method for manufacturing a reflective mask, comprising the steps of:
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