JP7679292B2

JP7679292B2 - 表示パネル、情報処理装置

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Publication number: JP7679292B2
Application number: JP2021501132A
Authority: JP
Inventors: 舜平山崎; 晴恵尾坂
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2019-02-26
Filing date: 2020-02-12
Publication date: 2025-05-19
Anticipated expiration: 2040-02-12
Also published as: US20250031546A1; US12058913B2; JPWO2020174301A1; US20220123054A1; JP2025109749A; KR20210127175A; WO2020174301A1; CN113474832A

Description

本発明の一態様は、表示パネル、情報処理装置または半導体装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

有機化合物を用いたエレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用する発光デバイス（有機ＥＬ素子）の実用化が進んでいる。これら発光デバイスの基本的な構成は、一対の電極間に発光物質を含む有機化合物層（ＥＬ層）を挟んだものである。この素子に電圧を印加して、キャリアを注入し、当該キャリアの再結合エネルギーを利用することにより、発光物質からの発光を得ることができる。

このような発光デバイスは自発光型であるためディスプレイの画素として用いると、液晶に比べて視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好適である。また、このような発光デバイスを用いたディスプレイは、薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。

また、これらの発光デバイスは発光層を二次元に連続して形成することが可能であるため、面状に発光を得ることができる。これは、白熱電球やＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。

このように発光デバイスを用いたディスプレイや照明装置はさまざまな電子機器に適用好適であるが、より良好な効率、寿命を有する発光デバイスを求めて研究開発が進められている。

特許文献１では正孔注入層に接する第１の正孔輸送層と、発光層との間に、第１の正孔注入層のＨＯＭＯ（ＨｉｇｈｅｓｔＯｃｃｕｐｉｅｄＭｏｌｅｃｕｌａｒＯｒｂｉｔａｌ）準位とホスト材料のＨＯＭＯ準位の間のＨＯＭＯ準位を有する正孔輸送性材料を設ける構成が開示されている。

発光デバイスの特性は、目覚ましく向上してきたが効率や耐久性をはじめ、あらゆる特性に対する高度な要求に対応するには未だ不十分と言わざるを得ない。

国際公開第２０１１／０６５１３６号パンフレット

本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課題の一とする。または、新規な表示パネル、新規な情報処理装置または新規な半導体装置を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

（１）本発明の一態様は、表示領域と、絶縁膜と、封止膜と、を有する表示パネルである。

表示領域は第１の画素を備え、第１の画素は第１の表示素子および第１の色変換層を備える。

第１の色変換層は第１の表示素子と重なる領域を備え、第１の色変換層は、第１の光を第２の光に変換し、第２の光は、第１の光と比較して、波長が長い光を高い割合で含むスペクトルを備える。

絶縁膜５７３は第１の表示素子を覆い、封止膜は絶縁膜との間に第１の色変換層を挟む領域を備え、封止膜は表示領域の外側に絶縁膜と接する領域を備える。

第１の表示素子は第１の光を射出し、第１の表示素子は、第１の層、第２の層、第３の層および第４の層を備える。

第３の層は第２の層および第４の層の間に挟まれ、第２の層は第１の層および第３の層の間に挟まれる。

第１の層は第１の材料および第２の材料を含み、第２の層は第３の材料を含み、第３の層は発光性の材料および第４の材料を含む。また、第４の層は第５の材料および第６の材料を含む。

第１の材料は－５．７ｅＶ以上－５．４ｅＶ以下のＨＯＭＯ準位を備え、第２の材料はアクセプタ性を備える。

第３の材料は第１の材料より小さいＨＯＭＯ準位を備え、第４の材料は第３の材料より小さいＨＯＭＯ準位を備える。

第５の材料は－６．０ｅＶ以上のＨＯＭＯ準位を備え、第６の材料はアルカリ金属の有機錯体またはアルカリ土類金属の有機錯体である。

（２）また、本発明の一態様は、第５の材料が電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が１×１０^－７ｃｍ^２／Ｖｓ以上５×１０^－５ｃｍ^２／Ｖｓ以下である上記の表示パネルである。

これにより、使用開始後に生じる表示品質の低下を抑制することができる。または、使用開始後に生じる色再現性の低下を抑制することができる。または、使用開始後に生じる輝度の低下を抑制することができる。または、特性を低下させる不純物の外部からの侵入を抑制できる。または、鮮やかな色を表示できる。または、生産性に優れる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（３）また、本発明の一態様は、第１の色変換層が、量子ドットおよび透光性の樹脂を含む、上記の表示パネルである。

これにより、第２の光ｈ２のスペクトルの幅を狭くすることができる。または、スペクトルの半値幅が狭い光を用いることができる。または、彩度の高い色を表示することができる。または、量子ドットの凝集を防止することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（４）また、本発明の一態様は、第１の光が、青色の光である、上記の表示パネルである。

これにより、青色の光を緑色の光に変換することができる。または、青色の光を赤色の光に変換することができる。または、青色の光より長波長の光に変換することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（５）また、本発明の一態様は、第１の表示素子が、第１の発光ユニット、第２の発光ユニットおよび中間層を備える上記の表示パネルである。

中間層は第１の発光ユニットおよび第２の発光ユニットに挟まれる領域を備え、第１の発光ユニットまたは第２の発光ユニットの一方に正孔を供給し、他方に電子を供給する機能を備える。

第１の発光ユニットは青色の光を射出し、第２の発光ユニットも青色の光を射出する。

これにより、発光効率を高めることができる。または、消費電力を低減することができる。または、その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（６）また、本発明の一態様は、機能層５２０を有する上記の表示パネルである。

機能層は表示素子と重なる領域を備え、機能層は第１の画素回路を含み、機能層は開口部を備える。

第１の画素は第１の画素回路を備え、第１の画素回路は開口部において、第１の表示素子と電気的に接続される。

これにより、表示素子の動作を制御することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（７）また、本発明の一態様は、上記の表示領域２３１が第２の画素および第３の画素を備える表示パネルである。

第１の画素は赤色を表示する。

第２の画素は緑色を表示し、第２の画素は第２の色変換層を備える。

第３の画素は、青色を表示する。

第１の色変換層は青色の光を赤色に変換し、第２の色変換層は青色の光を緑色の光に変換する。

これにより、フルカラー画像を表示することができる。または、使用開始後に生じる表示素子の輝度の低下を、異なる色を表示する複数の画素において、同程度にすることができる。または、使用に伴う表示素子の劣化を、同程度にすることができる。または、使用開始後に生じる色再現性の低下を抑制することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

（８）また、本発明の一態様は、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、上記の表示パネルと、を含む、情報処理装置である。

本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態に相当する。従って、接続している状態とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している状態も、その範疇に含む。

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。

本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。または、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。または、新規な表示パネル、新規な情報処理装置、新規な半導体装置を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

図１Ａ乃至図１Ｃは、実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図である。
図２Ａおよび図２Ｂは、実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図である。
図３Ａおよび図３Ｂは、実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図である。
図４Ａおよび図４Ｂは、実施の形態に係る表示パネルの構成を説明する図である。
図５Ａおよび図５Ｂは、実施の形態に係る表示パネルの表示素子の構成を説明する図である。
図６は、実施の形態に係る表示パネルの構成を説明するブロック図である。
図７Ａ乃至図７Ｄは、実施の形態に係る表示装置の構成を説明する図である。
図８は、実施の形態に係る入出力装置の構成を説明するブロック図である。
図９Ａ乃至図９Ｃは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図である。
図１０Ａおよび図１０Ｂは、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明するフローチャートである。
図１１Ａ乃至図１１Ｃは、実施の形態に係る情報処理装置の駆動方法を説明する図である。
図１２Ａ乃至図１２Ｅは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。
図１３Ａ乃至図１３Ｅは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。
図１４Ａおよび図１４Ｂは、実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する図である。
図１５は、電子機器を説明する図である。

本発明の一態様の表示パネルは、表示領域と、絶縁膜と、封止膜と、を有する。表示領域は画素を備え、画素は、表示素子および色変換層を備え、色変換層は表示素子と重なる領域を備え、色変換層は第１の光を第２の光に変換する。第２の光は第１の光ｈ１と比較して、波長が長い光を高い割合で含むスペクトルを備える。絶縁膜は表示素子を覆い、封止膜は絶縁膜との間に色変換層を挟む領域を備え、封止膜は表示領域の外側に、絶縁膜と接する領域を備える。表示素子は第１の光を射出し、表示素子は、第１の層、第２の層、第３の層および第４の層を備え、第３の層は第１の層および第４の層の間に挟まれ、第２の層は第１の層および第３の層の間に挟まれる。第１の層は第１の材料および第２の材料を含み、第２の層は、第３の材料を含み、第３の層は発光性の材料および第４の材料を含み、第４の層は第５の材料および第６の材料を含み、第１の材料は－５．７ｅＶ以上－５．４ｅＶ以下のＨＯＭＯ準位を備え、第２の材料はアクセプタ性を備え、第３の材料は第１の材料より小さいＨＯＭＯ準位を備え、第４の材料ＨＯＳＴは第３の材料より小さいＨＯＭＯ準位を備え、第６の材料はアルカリ金属の有機錯体またはアルカリ土類金属の有機錯体である。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図１乃至図５を参照しながら説明する。

図１は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図１Ａは本発明の一態様の表示パネルの上面図であり、図１Ｂおよび図１Ｃは図１Ａの一部を説明する図である。

図２は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図２Ａは図１Ａの切断線Ｘ１－Ｘ２、切断線Ｘ３－Ｘ４、切断線Ｘ９－Ｘ１０および画素における断面図であり、図２Ｂは画素回路５３０（ｉ，ｊ）の構成を説明する回路図である。

図３は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図３Ａは図１Ａの画素７０２（ｉ，ｊ）の断面図であり、図３Ｂは図３Ａの一部を説明する断面図である。

図４は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図４Ａは図１Ａの切断線Ｘ１－Ｘ２およびＸ３－Ｘ４における断面図であり、図４Ｂは図４Ａの一部を説明する断面図である。

図５は本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。図５Ａおよび図５Ｂは表示素子５５０（ｉ，ｊ）の構成を説明する断面図である。

なお、本明細書において、１以上の整数を値にとる変数を符号に用いる場合がある。例えば、１以上の整数の値をとる変数ｐを含む（ｐ）を、最大ｐ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。また、例えば、１以上の整数の値をとる変数ｍおよび変数ｎを含む（ｍ，ｎ）を、最大ｍ×ｎ個の構成要素のいずれかを特定する符号の一部に用いる場合がある。

＜表示パネル７００の構成例１＞
本実施の形態で説明する表示パネルは、表示領域２３１と、絶縁膜５７３と、封止膜５７４と、を有する（図１Ａおよび図２Ａ参照）。

《表示領域２３１の構成例１》
表示領域２３１は、画素７０２（ｉ，ｊ）を備える。

《画素７０２（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）および色変換層ＣＣ（ｊ）を備える（図２Ａおよび図３Ａ参照）。

《色変換層ＣＣ（ｊ）の構成例１》
色変換層ＣＣ（ｊ）は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える（図２Ａおよび図３Ａ参照）。

色変換層ＣＣ（ｊ）は、第１の光ｈ１を第２の光ｈ２に変換する機能を備える。なお、第２の光ｈ２は、第１の光ｈ１と比較して、波長が長い光を高い割合で含むスペクトルを備える。

《絶縁膜５７３の構成例１》
絶縁膜５７３は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を覆う。

《封止膜５７４の構成例１》
封止膜５７４は、絶縁膜５７３との間に、色変換層ＣＣ（ｊ）を挟む領域を備える（図３Ａ参照）。

封止膜５７４は、表示領域２３１の外側に、絶縁膜５７３と接する領域を備える（図４Ａ参照）。例えば、透湿性の低い膜を封止膜５７４および絶縁膜５７３に用いることができる。具体的には、封止膜５７４および絶縁膜５７３に窒化シリコンを用いることができる。また、表示領域２３１の外側に、封止膜５７４および絶縁膜５７３が互いに接する領域を形成することができる。

《表示素子５５０（ｉ，ｊ）の構成例１》
表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第１の光ｈ１を射出する（図５Ａ参照）。例えば、電極５５１（ｉ，ｊ）電極５５２および発光性の材料を含む層５５３（ｊ）を、表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

また、第１の表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、層１１１、層１１２、層１１３および層１１４を備える。なお、層１１１、層１１２、層１１３および層１１４は、公知の様々な成膜方法を用いて形成することができる。例えば、真空蒸着法または印刷法を用いて形成することができる。具体的には、抵抗加熱型真空蒸着法またはインクジェット法等を用いて形成することができる。

層１１３は、層１１２および層１１４の間に挟まれる。層１１２は、層１１１および層１１３の間に挟まれる。

層１１１は材料ＨＴ１および材料ＡＭを含む。

層１１２は材料ＨＴ２を含む。

層１１３は発光性の材料ＥＭおよび材料ＨＯＳＴを含む。

層１１４は、材料ＥＴおよび材料ＯＭＣを含む。

［材料ＨＴ１］
材料ＨＴ１は、－５．７ｅＶ以上－５．４ｅＶ以下のＨＯＭＯ準位を備える。例えば、正孔輸送性を有する正孔輸送性材料であることが好ましく、カルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格のいずれかを有している材料を、材料ＨＴに用いることができる。また、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９－フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンを、材料ＨＴにもちいることができる。これにより、層１１２への正孔の注入が容易になる。

材料ＨＴ１に用いることができる化合物として、具体的には、Ｎ－（４－ビフェニル）－６，Ｎ－ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢｎｆＡＢＰ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）－６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ）、４，４’－ビス（６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＢｎｆＢＢ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－６－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（６））、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（８））、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニル）ベンゾ［ｂ］ナフト［２，３－ｄ］フラン－４－アミン（略称：ＢＢＡＢｎｆ（ＩＩ）（４））、Ｎ，Ｎ－ビス［４－（ジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－４－アミノ－ｐ－ターフェニル（略称：ＤＢｆＢＢ１ＴＰ）、Ｎ－［４－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］－Ｎ－フェニル－４－ビフェニルアミン（略称：ＴｈＢＡ１ＢＰ）、４－（２－ナフチル）－４’，４’’－ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢ）、４－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’，４’’－ジフェニルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮＢｉ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（６；１’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７；１’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡαＮβＮＢ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７－フェニル）ナフチル－２－イルトリフェニルアミン（略称：ＢＢＡＰβＮＢ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（６；２’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（７；２’－ビナフチル－２－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡ（βＮ２）Ｂ－０３）、４，４’－ジフェニル－４’’－（４；２’－ビナフチル－１－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（５；２’－ビナフチル－１－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＢＡβＮαＮＢ－０２）、４－（４－ビフェニリル）－４’－（２－ナフチル）－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢ）、４－（３－ビフェニリル）－４’－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ｍＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４－（４－ビフェニリル）－４’－［４－（２－ナフチル）フェニル］－４’’－フェニルトリフェニルアミン（略称：ＴＰＢｉＡβＮＢｉ）、４－フェニル－４’－（１－ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ビス（１－ナフチル）トリフェニルアミン（略称：αＮＢＢ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－［４’－（カルバゾール－９－イル）ビフェニル－４－イル］トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ）、４’－［４－（３－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］トリス（１，１’－ビフェニル－４－イル）アミン（略称：ＹＧＴＢｉ１ＢＰ－０２）、４－ジフェニル－４’－（２－ナフチル）－４’’－｛９－（４－ビフェニリル）カルバゾール）｝トリフェニルアミン（略称：ＹＧＴＢｉβＮＢ）、Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－Ｎ－［４－（１－ナフチル）フェニル］－９，９’－スピロビ（９Ｈ－フルオレン）－２－アミン（略称：ＰＣＢＮＢＳＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（４－ビフェニリル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－２－アミン（略称：ＢＢＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ－ビス（１，１’－ビフェニル－４－イル）－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］－４－アミン（略称：ＢＢＡＳＦ（４））、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－２－イル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９，９’－スピロビ（９Ｈ－フルオレン）－４－アミン（略称：ｏＦＢｉＳＦ）、Ｎ－（４－ビフェニル）－Ｎ－（ジベンゾフラン－４－イル）－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＦｒＢｉＦ）、Ｎ－［４－（１－ナフチル）フェニル］－Ｎ－［３－（６－フェニルジベンゾフラン－４－イル）フェニル］－１－ナフチルアミン（略称：ｍＰＤＢｆＢＮＢＮ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－４’－［４－（９－フェニルフルオレン－９－イル）フェニル］トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＢｉ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－９，９－ジメチル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）等を挙げることができる。

［材料ＡＭ］
材料ＡＭは、アクセプタ性を備える。例えば、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基やシアノ基）を有する有機化合物等を材料ＡＭに用いて、材料ＨＴ１に対して電子受容性を示す物質を適宜選択すれば良い。このような有機化合物としては、例えば、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ－ＣＮ）、１，３，４，５，７，８－ヘキサフルオロテトラシアノ－ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６－ＴＣＮＮＱ）、２－（７－ジシアノメチレン－１，３，４，５，６，８，９，１０－オクタフルオロ－７Ｈ－ピレン－２－イリデン）マロノニトリル等を挙げることができる。特に、ＨＡＴ－ＣＮのように複素原子を複数有する縮合芳香環に電子吸引基が結合している化合物が、熱的に安定であり好ましい。また、電子吸引基（特にフルオロ基のようなハロゲン基やシアノ基）を有する［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましく、具体的にはα，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［４－シアノ－２，３，５，６－テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，６－ジクロロ－３，５－ジフルオロ－４－（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’－１，２，３－シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６－ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などが挙げられる。

［材料ＨＴ２］
ＨＴ２は材料ＨＴ１より小さいＨＯＭＯ準位を備える。例えば、材料ＨＴ１に用いることができる化合物として例示した上記の化合物から適宜選択した材料を、ＨＴ２に用いることができる。

［材料ＨＯＳＴ］
また、材料ＨＯＳＴは材料ＨＴ２より小さいＨＯＭＯ準位を備える。

例えば、電子輸送性材料、正孔輸送性材料または上記ＴＡＤＦ材料など様々なキャリア輸送材料を、材料ＨＯＳＴに用いることができる。なお、正孔輸送性材料や電子輸送性材料等の具体例としては、本明細書中に記載された材料や公知の材料を適宜、単数もしくは複数種用いることができる。

［発光性の材料ＥＭ］
例えば、蛍光を発する物質（蛍光発光物質）、燐光を発する物質（燐光発光物質）、熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙａｃｔｉｖａｔｅｄｄｅｌａｙｅｄｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料、その他の発光物質等を、発光性の材料ＥＭに用いることができる。

［材料ＥＴ】
材料ＥＴは－６．０ｅＶ以上のＨＯＭＯ準位を備える。また、材料ＥＴは電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が１×１０^－７ｃｍ^２／Ｖｓ以上５×１０^－５ｃｍ^２／Ｖｓ以下である。

例えば、アントラセン骨格を有する化合物を、材料ＥＴに用いることができ、アントラセン骨格と複素環骨格を含むことがさらに好ましい。また、当該複素環骨格としては、含窒素５員環骨格が好ましい。含窒素５員環骨格としては、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環のように２つの複素原子を環に含む含窒素５員環骨格を有することが特に好ましい。

［材料ＯＭＣ］
材料ＯＭＣは、アルカリ金属の有機錯体またはアルカリ土類金属の有機錯体である。例えば、リチウムの有機錯体が好ましく、特に、８－ヒドロキシキノリナト－リチウム（略称：Ｌｉｑ）が好ましい。

なお、層１１３よりも層１１４側にある層において陰イオンが発生する場合がある。または、使用開始後に、表示素子５５０（ｉ，ｊ）が、陰イオンにより劣化する場合がある。または、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の輝度が低下する。

これにより、使用開始後に生じる表示品質の低下を抑制することができる。または、使用開始後に生じる色再現性の低下を抑制することができる。または、使用開始後に生じる輝度の低下を抑制することができる。または、特性を低下する不純物の外部からの侵入を抑制できる。または、鮮やかな色を表示できる。または、生産性に優れる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《色変換層ＣＣ（ｊ）の構成例２》
色変換層ＣＣ（ｊ）は、量子ドットおよび透光性の樹脂を含む（図３Ａ参照）。例えば、透光性を備え、気体を発生しない樹脂を用いて量子ドットを被覆することができる。または、量子ドットと重合した樹脂を用いることができる。または、量子ドットを被覆する感光性高分子を用いることができる。感光性高分子を用いると、精細な色変換層ＣＣ（ｊ）を形成することができる。

《表示素子５５０（ｉ，ｊ）の構成例２》
表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、第１の光ｈ１として、青色の光を射出する。

《表示素子５５０（ｉ，ｊ）の構成例３》
表示素子５５０（ｉ，ｊ）は、発光ユニット１０３ａ、発光ユニット１０３ｂおよび中間層１０４を備える（図５Ｂ参照）。

中間層１０４は、発光ユニット１０３ａおよび発光ユニット１０３ｂに挟まれる領域を備える。中間層１０４は、発光ユニット１０３ａまたは発光ユニット１０３ｂの一方に正孔を供給し、他方に電子を供給する。

発光ユニット１０３ａは青色の光を射出し、発光ユニット１０３ｂも青色の光を射出する。

これにより、発光効率を高めることができる。または、消費電力を低減することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

＜表示パネル７００の構成例２＞
本実施の形態で説明する表示パネルは、機能層５２０を有する。

《機能層５２０の構成例１》
機能層５２０は、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

機能層５２０は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）を含む。また、機能層５２０は、開口部５９１Ａを備える。

《画素７０２（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）を備える。

《画素回路５３０（ｉ，ｊ）の構成例１》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、開口部５９１Ａにおいて、第１の表示素子５５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される。

《表示領域２３１の構成例２》
表示領域２３１は、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を備える。

画素７０２（ｉ，ｊ）は赤色を表示する。

画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は緑色を表示する。また、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は、第２の色変換層ＣＣ（ｊ＋１）を備える。

画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は、青色を表示する。

色変換層ＣＣ（ｊ）は青色の光を赤色に変換する。

色変換層ＣＣ（ｊ＋１）は青色の光を緑色の光に変換する。

《画素回路５３０（ｉ，ｊ）の構成例２》
画素回路５３０（ｉ，ｊ）は、トランジスタＭ、ノードＮ１（ｉ，ｊ）、スイッチＳＷ２１、容量Ｃ２１、容量Ｃ２２およびスイッチＳＷ２２を備える（図２Ｂ参照）。

トランジスタＭは、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、導電膜ＡＮＯと電気的に接続される第２の電極を備える。

ノードＮ１（ｉ，ｊ）は、トランジスタＭのゲート電極と電気的に接続される。なお、表示素子５５０（ｉ，ｊ）は電位ＶＮに基づいて表示をする。

スイッチＳＷ２１は、ノードＮ１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第１の端子と、導電膜と電気的に接続される第２の端子と、を備える。例えば、信号線Ｓ１（ｊ）を導電膜に用いることができる。なお、スイッチＳＷ２１は、例えば、選択信号に基づいて導通状態または非導通状態を切り替える機能を備える。

容量Ｃ２１は、ノードＮ１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、導電膜と電気的に接続される第２の電極を備える。例えば、導電膜ＡＮＯを導電膜に用いることができる。

容量Ｃ２２は、ノードＮ１（ｉ，ｊ）と電気的に接続される第１の電極と、スイッチＳＷ２２の第１の端子と電気的に接続される第２の電極と、を備える。

スイッチＳＷ２２は、導電膜と電気的に接続される第１の端子を備える。例えば、信号線Ｓ２（ｊ）を導電膜に用いることができる。なお、スイッチＳＷ２２は、例えば、第２の選択信号に基づいて導通状態または非導通状態を切り替える機能を備える。

なお、スイッチＳＷ２１が非導通状態であるときに、スイッチＳＷ２２を非導通状態から導通状態に変化することができる。また、スイッチＳＷ２１が非導通状態であるときに、スイッチＳＷ２２を導通状態から非導通状態に変化することができる。

これにより、ノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位をスイッチＳＷ２１およびスイッチＳＷ２２を用いて制御することができる。または、スイッチＳＷ２１を用いてノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位を制御し、スイッチＳＷ２２を用いてノードＮ１（ｉ，ｊ）の電位を変化することができる。または、変化する電位を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に供給することができる。または、変化する電位に基づいて表示をすることができる。または、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の表示を変化することができる。または、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の動作を強調することができる。または、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の応答を速めることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《画素回路５３０（ｉ，ｊ）の構成例３》
例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを、画素回路５３０（ｉ，ｊ）に用いることができる。具体的には、トランジスタをスイッチに用いることができる。

《トランジスタの構成例》
トランジスタは、半導体膜５０８、導電膜５０４、導電膜５１２Ａおよび導電膜５１２Ｂを備える（図３Ｂ参照）。

半導体膜５０８は、導電膜５１２Ａと電気的に接続される領域５０８Ａ、導電膜５１２Ｂと電気的に接続される領域５０８Ｂを備える。半導体膜５０８は、領域５０８Ａおよび領域５０８Ｂの間に領域５０８Ｃを備える。

導電膜５０４は領域５０８Ｃと重なる領域を備え、導電膜５０４はゲート電極の機能を備える。

絶縁膜５０６は、半導体膜５０８および導電膜５０４の間に挟まれる領域を備える。絶縁膜５０６はゲート絶縁膜の機能を備える。

導電膜５１２Ａはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の一方を備え、導電膜５１２Ｂはソース電極の機能またはドレイン電極の機能の他方を備える。

また、導電膜５２４をトランジスタに用いることができる。導電膜５２４は、導電膜５０４との間に半導体膜５０８を挟む領域を備える。導電膜５２４は、第２のゲート電極の機能を備える。

なお、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜を形成する工程において、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を形成することができる。

《半導体膜５０８の構成例１》
例えば、１４族の元素を含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体を半導体膜５０８に用いることができる。

［水素化アモルファスシリコン］
例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。または、微結晶シリコンなどを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、表示ムラが少ない表示パネルを提供することができる。または、表示パネルの大型化が容易である。

［ポリシリコン］
例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの電界効果移動度を高くすることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、駆動能力を高めることができる。または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、画素の開口率を向上することができる。

または、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いるトランジスタより、トランジスタの信頼性を高めることができる。

または、トランジスタの作製に要する温度を、例えば、単結晶シリコンを用いるトランジスタより、低くすることができる。

または、駆動回路のトランジスタに用いる半導体膜を、画素回路のトランジスタに用いる半導体膜と同一の工程で形成することができる。または、画素回路を形成する基板と同一の基板上に駆動回路を形成することができる。または、電子機器を構成する部品数を低減することができる。

［単結晶シリコン］
例えば、単結晶シリコンを半導体膜５０８に用いることができる。これにより、例えば、水素化アモルファスシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、精細度を高めることができる。または、例えば、ポリシリコンを半導体膜５０８に用いる表示パネルより、表示ムラが少ない表示パネルを提供することができる。または、例えば、スマートグラスまたはヘッドマウントディスプレイを提供することができる。

《半導体膜５０８の構成例２》
例えば、金属酸化物を半導体膜５０８に用いることができる。これにより、アモルファスシリコンを半導体膜に用いたトランジスタを利用する画素回路と比較して、画素回路が画像信号を保持することができる時間を長くすることができる。具体的には、フリッカーの発生を抑制しながら、選択信号を３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で供給することができる。その結果、情報処理装置の使用者に蓄積する疲労を低減することができる。また、駆動に伴う消費電力を低減することができる。

例えば、酸化物半導体を用いるトランジスタを利用することができる。具体的には、インジウムを含む酸化物半導体またはインジウムとガリウムと亜鉛を含む酸化物半導体を半導体膜に用いることができる。

一例を挙げれば、オフ状態におけるリーク電流が、半導体膜にアモルファスシリコンを用いたトランジスタより小さいトランジスタを用いることができる。具体的には、酸化物半導体を半導体膜に用いたトランジスタをスイッチ等に利用することができる。これにより、アモルファスシリコンを用いたトランジスタをスイッチに利用する回路より長い時間、フローティングノードの電位を保持することができる。

例えば、インジウム、ガリウムおよび亜鉛を含む厚さ２５ｎｍの膜を、半導体膜５０８に用いることができる。

例えば、タンタルおよび窒素を含む厚さ１０ｎｍの膜と、銅を含む厚さ３００ｎｍの膜と、を積層した導電膜を導電膜５０４に用いることができる。なお、銅を含む膜は、絶縁膜５０６との間に、タンタルおよび窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、シリコンおよび窒素を含む厚さ４００ｎｍの膜と、シリコン、酸素および窒素を含む厚さ２００ｎｍの膜と、を積層した積層膜を、絶縁膜５０６に用いることができる。なお、シリコンおよび窒素を含む膜は、半導体膜５０８との間に、シリコン、酸素および窒素を含む膜を挟む領域を備える。

例えば、タングステンを含む厚さ５０ｎｍの膜と、アルミニウムを含む厚さ４００ｎｍの膜と、チタンを含む厚さ１００ｎｍの膜と、をこの順で積層した導電膜を、導電膜５１２Ａまたは導電膜５１２Ｂに用いることができる。なお、タングステンを含む膜は、半導体膜５０８と接する領域を備える。

これにより、チラツキを抑制することができる。または、消費電力を低減することができる。または、動きの速い動画を滑らかに表示することができる。または、豊かな階調で写真等を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

ところで、例えば、アモルファスシリコンを半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるボトムゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。また、例えばポリシリコンを半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインは、酸化物半導体を半導体に用いるトップゲート型のトランジスタの製造ラインに容易に改造できる。いずれの改造も、既存の製造ラインを有効に活用することができる

《半導体膜５０８の構成例３》
例えば、化合物半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ガリウムヒ素を含む半導体を用いることができる。

例えば、有機半導体をトランジスタの半導体に用いることができる。具体的には、ポリアセン類またはグラフェンを含む有機半導体を半導体膜に用いることができる。

《容量の構成例》
容量は、一の導電膜、他の導電膜および絶縁膜を備える。当該絶縁膜は一の導電膜および他の導電膜の間に挟まれる領域を備える。

例えば、導電膜５０４と、導電膜５１２Ａと、絶縁膜５０６を容量に用いることができる。

《機能層５２０の構成例２》
また、機能層５２０は、絶縁膜５２１、絶縁膜５１８、絶縁膜５１６、絶縁膜５０６および絶縁膜５０１Ｃ等を備える（図３Ａ参照）。

絶縁膜５２１は、画素回路５３０（ｉ，ｊ）および表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜５１８は、絶縁膜５２１および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜５１６は絶縁膜５１８および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。

絶縁膜５０６は絶縁膜５１６および絶縁膜５０１Ｃの間に挟まれる領域を備える。

［絶縁膜５２１］
例えば、絶縁性の無機材料、絶縁性の有機材料または無機材料と有機材料を含む絶縁性の複合材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸化窒化物膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を、絶縁膜５２１に用いることができる。

例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等またはこれらから選ばれた複数を積層した積層材料を含む膜を、絶縁膜５２１に用いることができる。なお、窒化シリコン膜は緻密な膜であり、不純物の拡散を抑制する機能に優れる。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリシロキサン若しくはアクリル樹脂等、またはこれらから選択された複数の樹脂の積層材料もしくは複合材料などを絶縁膜５２１に用いることができる。また、感光性を有する材料を用いて形成してもよい。これにより、絶縁膜５２１は、例えば、絶縁膜５２１と重なるさまざまな構造に由来する段差を平坦化することができる。

なお、ポリイミドは熱的安定性、絶縁性、靱性、低誘電率、低熱膨張率、耐薬品性などの特性において他の有機材料に比べて優れた特性を備える。これにより、特にポリイミドを絶縁膜５２１等に好適に用いることができる。

例えば、感光性を有する材料を用いて形成された膜を絶縁膜５２１に用いることができる。具体的には、感光性のポリイミドまたは感光性のアクリル樹脂等を用いて形成された膜を絶縁膜５２１に用いることができる。

［絶縁膜５１８］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１８に用いることができる。

例えば、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等の拡散を抑制する機能を備える材料を絶縁膜５１８に用いることができる。具体的には、窒化物絶縁膜を絶縁膜５１８に用いることができる。例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等を絶縁膜５１８に用いることができる。これにより、トランジスタの半導体膜への不純物の拡散を抑制することができる。

［絶縁膜５１６の構成例１］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５１６に用いることができる。

具体的には、絶縁膜５１８とは作製方法が異なる膜を絶縁膜５１６に用いることができる。

［絶縁膜５０６］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０６に用いることができる。

具体的には、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜または酸化ネオジム膜を含む膜を絶縁膜５０６に用いることができる。

［絶縁膜５０１Ｄ］
絶縁膜５０１Ｄは、絶縁膜５０１Ｃおよび絶縁膜５１６の間に挟まれる領域を備える。

例えば、絶縁膜５０６に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｄに用いることができる。

［絶縁膜５０１Ｃ］
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。具体的には、シリコンおよび酸素を含む材料を絶縁膜５０１Ｃに用いることができる。これにより、画素回路または表示素子等への不純物の拡散を抑制することができる。

《機能層５２０の構成例３》
機能層５２０は、導電膜、配線および端子を備える。導電性を備える材料を配線、電極、端子、導電膜等に用いることができる。

《配線等》
例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線等に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、鉄、コバルト、パラジウムまたはマンガンから選ばれた金属元素などを、配線等に用いることができる。または、上述した金属元素を含む合金などを、配線等に用いることができる。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造等を配線等に用いることができる。

具体的には、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を、配線等に用いることができる。

具体的には、グラフェンまたはグラファイトを含む膜を配線等に用いることができる。

例えば、酸化グラフェンを含む膜を形成し、酸化グラフェンを含む膜を還元することにより、グラフェンを含む膜を形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

例えば、金属ナノワイヤーを含む膜を配線等に用いることができる。具体的には、銀を含むナノワイヤーを用いることができる。

具体的には、導電性高分子を配線等に用いることができる。

なお、例えば、導電材料ＡＣＦ１を用いて、端子５１９Ｂをフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１と電気的に接続することができる（図２Ａ参照）。具体的には、導電材料ＣＰを用いて、端子５１９Ｂをフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１と電気的に接続することができる。

＜表示パネル７００の構成例３＞
また、表示パネル７００は、基材５１０、基材７７０および封止材７０５を備える（図３Ａ参照）。

《基材５１０、基材７７０》
透光性を備える材料を、基材５１０または基材７７０に用いることができる。

例えば、可撓性を有する材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。これにより、可撓性を備える表示パネルを提供することができる。

例えば、厚さ０．７ｍｍ以下厚さ０．１ｍｍ以上の材料を用いることができる。具体的には、厚さ０．１ｍｍ程度まで研磨した材料を用いることができる。これにより、重量を低減することができる。

ところで、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス基板を基材５１０または基材７７０に用いることができる。これにより、大型の表示装置を作製することができる。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を基材５１０または基材７７０に用いることができる。

例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を用いることができる。具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス、クリスタルガラス、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラス、石英またはサファイア等を、基材５１０または基材７７０に用いることができる。または、アルミノ珪酸ガラス、強化ガラス、化学強化ガラスまたはサファイア等を、表示パネルの使用者に近い側に配置される基材５１０または基材７７０に好適に用いることができる。これにより、使用に伴う表示パネルの破損や傷付きを防止することができる。

具体的には、無機酸化物膜、無機窒化物膜または無機酸窒化物膜等を用いることができる。例えば、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いることができる。ステンレス・スチールまたはアルミニウム等を基材５１０または基材７７０に用いることができる。

例えば、シリコンや炭化シリコンからなる単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等を基材５１０または基材７７０に用いることができる。これにより、半導体素子を基材５１０または基材７７０に形成することができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリウレタンまたはアクリル樹脂、エポキシ樹脂含またはシリコーンなどのシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、これらの材料を含む樹脂フィルム、樹脂板または積層材料等を用いることができる。これにより、重量を低減することができる。または、例えば、落下に伴う破損等の発生頻度を低減することができる。

具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）またはシクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）等を基材５１０または基材７７０に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜と樹脂フィルム等を貼り合わせた複合材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂に分散した複合材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された材料を、基材５１０または基材７７０に用いることができる。例えば、絶縁膜等が積層された材料を用いることができる。具体的には、酸化シリコン層、窒化シリコン層または酸化窒化シリコン層等から選ばれた一または複数の膜が積層された材料を用いることができる。これにより、例えば、基材に含まれる不純物の拡散を防ぐことができる。または、ガラスまたは樹脂に含まれる不純物の拡散を防ぐことができる。または、樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐことができる。

また、紙または木材などを基材５１０または基材７７０に用いることができる。

例えば、作製工程中の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する材料を基材５１０または基材７７０に用いることができる。具体的には、トランジスタまたは容量等を直接形成する作成工程中に加わる熱に対する耐熱性を有する材料を、基材５１０または基材７７０に用いることができる。

例えば、作製工程中に加わる熱に対する耐熱性を有する工程用基板に絶縁膜、トランジスタまたは容量等を形成し、形成された絶縁膜、トランジスタまたは容量等を、例えば、基材５１０または基材７７０に転置する方法を用いることができる。これにより、例えば、可撓性を有する基板に絶縁膜、トランジスタまたは容量等を形成できる。

《封止材７０５》
封止材７０５は、機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、機能層５２０および基材７７０を貼り合わせる機能を備える（図３Ａ参照）。

無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を封止材７０５に用いることができる。

例えば、熱溶融性の樹脂または硬化性の樹脂等の有機材料を、封止材７０５に用いることができる。

例えば、反応硬化型接着剤、光硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を封止材７０５に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を封止材７０５に用いることができる。

＜表示パネル７００の構成例４＞
表示パネル７００は、色変換層ＣＣ（ｊ）、遮光膜ＢＭ、構造体ＫＢ１または機能膜７７０Ｐなどを備える。

《色変換層ＣＣ（ｊ）》
色変換層ＣＣ（ｊ）は、基材７７０および表示素子５５０（ｉ，ｊ）の間に挟まれる領域を備える。例えば、フォトリソグラフィー法を用いて、色変換層ＣＣ（ｊ）を形成することができる。または、色変換層ＣＣ（ｊ）とは異なる色変換層ＣＣ（ｊ＋１）を色変換層ＣＣ（ｊ）の隣に形成することができる。これにより、精細な色変換層ＣＣ（ｊ）を形成することができる。

例えば、入射する光の波長より長い波長を有する光を射出する材料を色変換層ＣＣ（ｊ）に用いることができる。例えば、青色の光または紫外線を吸収して緑色の光に変換して放出する材料、青色の光または紫外線を吸収して赤色の光に変換して放出する材料、または紫外線を吸収して青色の光に変換して放出する材料を色変換層に用いることができる。具体的には、直径数ｎｍの量子ドットを色変換層ＣＣ（ｊ）に用いることができる。または、ペロブスカイトを色変換層ＣＣ（ｊ）に用いることができる。これにより、半値幅が狭いスペクトルを有する光を放出できる。または、彩度の高い光を放出することができる。

例えば、単数の膜または複数の膜を積層した積層膜を色変換層ＣＣ（ｊ）に用いることができる。具体的には、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を損傷し難い方法で形成することができる膜と、欠陥の少ない緻密な膜と、を積層した積層膜を、色変換層ＣＣ（ｊ）に用いることができる。これにより、表示素子５５０（ｉ，ｊ）への不純物の拡散を抑制することができる。または、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の信頼性を高めることができる。

《遮光膜ＢＭ》
遮光膜ＢＭは、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える。例えば、暗色の材料を遮光膜ＢＭに用いることができる。これにより、表示のコントラストを向上することができる。

《構造体ＫＢ１》
構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備える。また、構造体ＫＢ１は、機能層５２０および基材７７０の間に所定の間隙を設ける機能を備える。

《機能膜７７０Ｐ等》
機能膜７７０Ｐは、表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

例えば、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム、光拡散フィルムまたは集光フィルム等を機能膜７７０Ｐに用いることができる。

例えば、厚さ１μｍ以下の反射防止膜を、機能膜７７０Ｐに用いることができる。具体的には、誘電体を３層以上、好ましくは５層以上、より好ましくは１５層以上積層した積層膜を機能膜７７０Ｐに用いることができる。これにより、反射率を０．５％以下好ましくは０．０８％以下に抑制することができる。

例えば、円偏光フィルムを機能膜７７０Ｐに用いることができる。

また、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、汚れを付着しにくくする撥油性の膜、反射防止膜（アンチ・リフレクション膜）、非光沢処理膜（アンチ・グレア膜）、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、発生した傷が修復する自己修復性のフィルムなどを、機能膜７７０Ｐに用いることができる。

＜表示パネル７００の構成例５＞
また、表示パネル７００は、絶縁膜５２８、絶縁膜５７３および封止膜５７４を有する（図３Ａ参照）。

《絶縁膜５２８》
絶縁膜５２８は機能層５２０および基材７７０の間に挟まれる領域を備え、絶縁膜５２８は表示素子５５０（ｉ，ｊ）と重なる領域に開口部を備える（図３Ａ参照）。

例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を、絶縁膜５２８に用いることができる。具体的には、酸化珪素膜、アクリル樹脂を含む膜またはポリイミドを含む膜等を絶縁膜５２８に用いることができる。

《絶縁膜５７３》
絶縁膜５７３は、機能層５２０との間に表示素子５５０（ｉ，ｊ）を挟む領域を備える（図３Ａ参照）。

例えば、単数の膜または複数の膜を積層した積層膜を絶縁膜５７３に用いることができる。具体的には、表示素子５５０（ｉ，ｊ）を損傷し難い方法で形成することができる絶縁膜５７３Ａと、欠陥の少ない緻密な絶縁膜５７３Ｂと、を積層した積層膜を、絶縁膜５７３に用いることができる。これにより、表示素子５５０（ｉ，ｊ）への不純物の拡散を抑制することができる。または、表示素子５５０（ｉ，ｊ）の信頼性を高めることができる。

《封止膜５７４》
例えば、絶縁膜５２１に用いることができる材料を封止膜５７４に用いることができる。または、透光性を備える樹脂５７４Ａと、透湿性の低い膜５７４Ｂとを積層した積層膜を、封止膜５７４に用いることができる（図４Ａ参照）。または、気体を発生しない樹脂を、透光性を備える樹脂５７４Ａに用いることができる。具体的には、窒化シリコンを透湿性の低い膜５７４Ｂに用いることができる。

例えば、スパッタリング法を用いて絶縁膜５２１を製膜することができる。具体的には、室温以上１００℃以下の温度で製膜することができる。

《表示素子５５０（ｉ，ｊ）の構成例》
光の射出を制御する素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。例えば、発光素子を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオードまたはＱＤＬＥＤ（ＱｕａｎｔｕｍＤｏｔＬＥＤ）等を、表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる（図３Ａ参照）。

例えば、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に用いることができる。

《発光性の材料を含む層５５３（ｊ）の構成例３》
例えば、青色の光または紫外線を射出するように積層された積層材料を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。また、例えば、青色の光または紫外線を他の色相の光に変換する層を、当該発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に重ねて用いることができる。これにより、例えば、青色の光を、所定の色相の光に変換することができる。または、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）を作り分けることなく、異なる色相を表示する画素を整列することができる。

《発光性の材料を含む層５５３（ｊ）の構成例４》
例えば、発光ユニットを発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。発光ユニットは、一方から注入された電子が他方から注入された正孔と再結合する領域を１つ備える。また、発光ユニットは発光性の材料を含み、発光性の材料は電子と正孔の再結合により生じるエネルギーを光として放出する。

例えば、複数の発光ユニットおよび中間層を発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。中間層は、二つの発光ユニットの間に挟まれる領域を備える。中間層は電荷発生領域を備え、中間層は陰極側に配置された発光ユニットに正孔を供給し、陽極側に配置された発光ユニットに電子を供給する機能を備える。なお、複数の発光ユニットおよび中間層を備える構成をタンデム型の発光素子という場合がある。

これにより、発光に係る電流効率を高めることができる。または、同じ輝度において、発光素子を流れる電流密度を下げることができる。または、発光素子の信頼性を高めることができる。

例えば、一の色相の光を発する材料を含む発光ユニットを、他の色相の光を発する材料を含む発光ユニットと重ねて、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。または、一の色相の光を発する材料を含む発光ユニットを、同一の色相の光を発する材料を含む発光ユニットと重ねて、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。具体的には、青色の光を発する材料を含む二つの発光ユニットを重ねて用いることができる。

ところで、例えば、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、中分子化合物（低分子と高分子の中間領域の化合物：分子量４００以上４０００以下）等を、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）に用いることができる。

《電極５５１（ｉ，ｊ）、電極５５２》
例えば、配線等に用いることができる材料を電極５５１（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。具体的には、可視光に対し透光性を有する材料を電極５５１（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。

例えば、導電性酸化物またはインジウムを含む導電性酸化物、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いることができる。または、光が透過する程度に薄い金属膜を用いることができる。または、可視光に対し透光性を有する材料を用いることができる。

例えば、光の一部を透過し、光の他の一部を反射する金属膜を電極５５１（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。例えば、発光性の材料を含む層５５３（ｊ）などを用いて、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の間の距離を調整する。

これにより、微小共振器構造を表示素子５５０（ｉ，ｊ）に設けることができる。または、所定の波長の光を他の光より効率よく取り出すことができる。または、スペクトルの半値幅が狭い光を取り出すことができる。または、鮮やかな色の光を取り出すことができる。

例えば、効率よく光を反射する膜を、電極５５１（ｉ，ｊ）または電極５５２に用いることができる。具体的には、銀およびパラジウム等を含む材料または銀および銅等を含む材料を金属膜に用いることができる。

また、電極５５１（ｉ，ｊ）は、開口部５９１Ａにおいて、画素回路５３０（ｉ，ｊ）と電気的に接続される（図３Ａ参照）。電極５５１（ｉ，ｊ）は、例えば、絶縁膜５２８に形成される開口部と重なり、電極５５１（ｉ，ｊ）は周縁に絶縁膜５２８を備える。

これにより、電極５５１（ｉ，ｊ）および電極５５２の短絡を防止することができる。

《表示領域２３１の構成例２》
表示領域２３１は、複数の画素を備える。例えば、色相が互いに異なる色を表示する複数の画素を、表示領域２３１に用いることができる。

これにより、当該複数の画素が表示する色を加法混色または減法混色することができる。または、個々の画素では表示することができない色相の色を、表示することができる。

なお、色相が互いに異なる色を表示する複数の画素を混色に用いる場合において、それぞれの画素を副画素と言い換えることができる。また、複数の副画素を一組にして、画素と言い換えることができる。

例えば、画素７０２（ｉ，ｊ）を副画素と言い換えることができ、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）と言い換えることができる（図１Ｃ参照）。

具体的には、青色を表示する副画素、緑色を表示する副画素および赤色を表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。また、シアンを表示する副画素、マゼンタを表示する副画素およびイエローを表示する副画素を一組にして、画素７０３（ｉ，ｋ）に用いることができる。

また、例えば、白色等を表示する副画素を上記の一組に加えて、画素に用いることができる。

《表示領域２３１の構成例３》
表示領域２３１は、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を備える（図１Ｃ参照）。

画素７０２（ｉ，ｊ）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．１２０以上０．１７０以下、色度ｙが０．０２０以上０．０６０未満の青色を表示する。

画素７０２（ｉ，ｊ＋１）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．１３０以上０．２５０以下、色度ｙが０．７１０より大きく０．８１０以下の緑色を表示する。

画素７０２（ｉ，ｊ＋２）は、ＣＩＥ１９３１色度座標における色度ｘが０．６８０より大きく０．７２０以下、色度ｙが０．２６０以上０．３２０以下の赤色を表示する。

また、画素７０２（ｉ，ｊ）、画素７０２（ｉ，ｊ＋１）および画素７０２（ｉ，ｊ＋２）を、ＣＩＥ色度図におけるＢＴ．２０２０－２の規格の色域に対する面積比が８０％以上、または、該色域に対するカバー率が７５％以上になるように備える。好ましくは、面積比が９０％以上、または、カバー率が８５％以上になるように備える。

これにより、国際規格であるＲｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎＩＴＵ－ＲＢＴ．２０２０－２の規格を満たす、極めて広い色域の表示をすることができる。または、極めて高解像度な表示をすることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図６を参照しながら説明する。

図６は、本発明の一態様の表示パネルの構成を説明する図である。

＜表示パネル７００の構成例１＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、表示領域２３１を有する（図６参照）。

《表示領域２３１の構成例１》
表示領域２３１は、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と、走査線Ｇ１（ｉ）と、信号線Ｓ１（ｊ）と、を有する（図６参照）。なお、ｉは１以上ｍ以下の整数であり、ｊは１以上ｎ以下の整数であり、ｍおよびｎは１以上の整数である。

また、図示しないが、表示領域２３１は、導電膜ＶＣＯＭ２および導電膜ＡＮＯを有する。

一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は行方向（図中に矢印Ｒ１で示す方向）に配設され、一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含む。

他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ１で示す方向）に配設され、他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）は画素７０２（ｉ，ｊ）を含む。

走査線Ｇ１（ｉ）は、行方向に配設される一群の画素７０２（ｉ，１）乃至画素７０２（ｉ，ｎ）と電気的に接続される。

信号線Ｓ１（ｊ）は、列方向に配設される他の一群の画素７０２（１，ｊ）乃至画素７０２（ｍ，ｊ）と電気的に接続される。

これにより、複数の画素に画像情報を供給することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

《表示領域２３１の構成例２》
表示領域２３１は、１インチあたり６００個以上の複数の画素を備える。なお、複数の画素は画素７０２（ｉ，ｊ）を含む。

《表示領域２３１の構成例３》
表示領域２３１は、複数の画素を行列状に備える。例えば、表示領域２３１は、７６００個以上の画素を行方向に備え、表示領域２３１は４３００個以上の画素を列方向に備える。具体的には、７６８０個の画素を行方向に備え、４３２０個の画素を列方向に備える。

これにより、精細な画像を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示パネルを提供することができる。

＜表示パネル７００の構成例２＞
本実施の形態で説明する表示パネル７００は、単数または複数の駆動回路を備える。例えば、駆動回路ＧＤおよび駆動回路ＳＤを備えることができる（図６参照）。

《駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢ》
駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢを駆動回路ＧＤに用いることができる。例えば、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＢは、制御信号ＳＰに基づいて選択信号を供給する機能を有する。

具体的には、制御信号ＳＰに基づいて、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で、選択信号を一の走査線に供給する機能を備える。これにより、動画像をなめらかに表示することができる。

または、制御信号ＳＰに基づいて、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは一分に一回未満の頻度で選択信号を一の走査線に供給する機能を備える。これにより、フリッカーが抑制された静止画像を表示することができる。

複数の駆動回路を備える場合、例えば、駆動回路ＧＤＡが選択信号を供給する頻度と、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する頻度とを、異ならせることができる。具体的には、静止画像を表示する一の領域に選択信号を供給する頻度より高い頻度で、動画像を表示する他の領域に選択信号を供給することができる。これにより、一の領域にフリッカーが抑制された静止画像を表示し、他の領域に滑らかに動画像を表示することができる。

ところで、フレーム周波数を可変にすることができる。または、例えば、１Ｈｚ以上１２０Ｈｚ以下のフレーム周波数で表示をすることができる。または、プログレッシブ方式を用いて、１２０Ｈｚのフレーム周波数で表示をすることができる。

例えば、ボトムゲート型のトランジスタまたはトップゲート型のトランジスタなどを、駆動回路ＧＤに用いることができる。具体的には、トランジスタＭＤを駆動回路ＧＤに用いることができる（図４参照）。

なお、画素回路５３０（ｉ，ｊ）のトランジスタに用いる半導体膜を形成する工程において、例えば、駆動回路ＧＤのトランジスタに用いる半導体膜を形成することができる。

《駆動回路ＳＤ》
駆動回路ＳＤは、情報Ｖ１１に基づいて画像信号を生成する機能と、当該画像信号を一の表示素子と電気的に接続される画素回路に供給する機能を備える（図６参照）。

例えば、シフトレジスタ等のさまざまな順序回路等を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、シリコン基板上に形成された集積回路を駆動回路ＳＤに用いることができる。

例えば、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐｏｎｇｌａｓｓ）法またはＣＯＦ（ＣｈｉｐｏｎＦｉｌｍ）法を用いて、集積回路を端子に接続することができる。具体的には、異方性導電膜を用いて、集積回路を端子に接続することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成について、図７を参照しながら説明する。

図７は本発明の一態様の表示装置の構成を説明する図である。図７Ａは本発明の一態様の表示装置のブロック図であり、図７Ｂ乃至図７Ｄは本発明の一態様の表示装置の外観を説明する投影図である。

＜表示装置の構成例＞
本実施の形態で説明する表示装置は、表示パネル７００と制御部２３８を有する（図７Ａ参照）。

《制御部２３８の構成例１》
制御部２３８は、画像情報ＶＩおよび制御情報ＣＩを供給される。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。

制御部２３８は画像情報ＶＩに基づいて情報Ｖ１１を生成し、制御情報ＣＩに基づいて制御信号ＳＰを生成する。また、制御部２３８は情報Ｖ１１および制御信号ＳＰを供給する。

例えば、情報Ｖ１１は、８ｂｉｔ以上好ましくは１２ｂｉｔ以上の階調を含む。また、例えば、駆動回路に用いるシフトレジスタのクロック信号またはスタートパルスなどを、制御信号ＳＰに用いることができる。

＜制御部２３８の構成例２＞
例えば、伸張回路２３４および画像処理回路２３５を制御部２３８に用いることができる。

《伸張回路２３４》
伸張回路２３４は、圧縮された状態で供給される画像情報ＶＩを伸張する機能を備える。伸張回路２３４は、記憶部を備える。記憶部は、例えば伸張された画像情報を記憶する機能を備える。

《画像処理回路２３５》
画像処理回路２３５は、例えば、記憶領域を備える。記憶領域は、例えば、画像情報ＶＩに含まれる情報を記憶する機能を備える。

画像処理回路２３５は、例えば、所定の特性曲線に基づいて画像情報ＶＩを補正して情報Ｖ１１を生成する機能と、情報Ｖ１１を供給する機能を備える。

《表示パネルの構成例１》
表示パネル７００は情報Ｖ１１および制御信号ＳＰを供給される。例えば、表示パネル７００は、駆動回路を備える。具体的には、実施の形態１または実施の形態２において説明する表示パネル７００を用いることができる。

《駆動回路》
駆動回路は制御信号ＳＰに基づいて動作する。制御信号ＳＰを用いることにより、複数の駆動回路の動作を同期することができる。

例えば、駆動回路ＧＤＡ（１）、駆動回路ＧＤＡ（２）駆動回路ＧＤＢ（１）および駆動回路ＧＤＢ（２）を表示パネルに用いることができる。また、駆動回路ＧＤＡ（１）、駆動回路ＧＤＡ（２）、駆動回路ＧＤＢ（１）および駆動回路ＧＤＢ（２）は、制御信号ＳＰを供給され、選択信号を供給する機能を備える。

例えば、駆動回路ＳＤＡ（１）、駆動回路ＳＤＡ（２）、駆動回路ＳＤＢ（１）、駆動回路ＳＤＢ（２）、駆動回路ＳＤＣ（１）および駆動回路ＳＤＣ（１）を表示パネルに用いることができる。また、駆動回路ＳＤＡ（１）、駆動回路ＳＤＡ（２）、駆動回路ＳＤＢ（１）、駆動回路ＳＤＢ（２）、駆動回路ＳＤＣ（１）および駆動回路ＳＤＣ（１）は、制御信号ＳＰおよび情報Ｖ１１を供給され、画像信号を供給することができる。

《画素７０２（ｉ，ｊ）の構成例》
画素７０２（ｉ，ｊ）は、情報Ｖ１１に基づいて表示する。

これにより、表示素子を用いて画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な表示装置を提供することができる。または、例えば、テレビジョン受像システム（図７Ｂ参照）、映像モニター（図７Ｃ参照）またはノートブックコンピュータ（図７Ｄ参照）などを提供することができる。

《表示パネルの構成例２》
例えば、制御回路２３３を表示パネル７００に用いることができる。具体的には、リジッド基板上に形成された制御回路２３３を表示パネル７００に用いることができる。また、リジッド基板上に形成された制御回路２３３を、フレキシブルプリント基板を用いて、制御部２３８と電気的に接続することができる。

《制御回路２３３》
制御回路２３３は制御信号ＳＰを生成し、供給する機能を備える。例えば、クロック信号またはタイミング信号などを制御信号ＳＰに用いることができる。具体的には、タイミングコントローラを制御回路２３３に用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図８を参照しながら説明する。

図８は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明するブロック図である。

＜入出力装置の構成例１＞
本実施の形態で説明する入出力装置は、入力部２４０と、表示部２３０と、を有する（図８参照）。

《表示部２３０》
表示部２３０は表示パネルを備える。例えば、実施の形態１または実施の形態２に記載の表示パネル７００を表示部２３０に用いることができる。なお、入力部２４０および表示部２３０を有する構成を入出力パネル７００ＴＰということができる。

《入力部２４０の構成例１》
入力部２４０は検知領域２４１を備える。入力部２４０は検知領域２４１に近接するものを検知する機能を備える。

検知領域２４１は、画素７０２（ｉ，ｊ）と重なる領域を備える。

これにより、表示部を用いて画像情報を表示しながら、表示部と重なる領域に近接するものを検知することができる。または、表示部に近接させる指などをポインタに用いて、位置情報を入力することができる。または、位置情報を表示部に表示する画像情報に関連付けることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

《検知領域２４１の構成例１》
検知領域２４１は、例えば、単数または複数の検知器を備える。

検知領域２４１は、一群の検知器８０２（ｇ，１）乃至検知器８０２（ｇ，ｑ）と、他の一群の検知器８０２（１，ｈ）乃至検知器８０２（ｐ，ｈ）と、を有する。なお、ｇは１以上ｐ以下の整数であり、ｈは１以上ｑ以下の整数であり、ｐおよびｑは１以上の整数である。

一群の検知器８０２（ｇ，１）乃至検知器８０２（ｇ，ｑ）は、検知器８０２（ｇ，ｈ）を含み、行方向（図中に矢印Ｒ２で示す方向）に配設される。なお、矢印Ｒ２で示す方向は、矢印Ｒ１で示す方向と同じであっても良いし、異なっていてもよい。

また、他の一群の検知器８０２（１，ｈ）乃至検知器８０２（ｐ，ｈ）は、検知器８０２（ｇ，ｈ）を含み、行方向と交差する列方向（図中に矢印Ｃ２で示す方向）に配設される。

《検知器》
検知器は近接するポインタを検知する機能を備える。例えば、指やスタイラスペン等をポインタに用いることができる。例えば、金属片またはコイル等を、スタイラスペンに用いることができる。

具体的には、静電容量方式の近接センサ、電磁誘導方式の近接センサ、光学方式の近接センサ、抵抗膜方式の近接センサなどを、検知器に用いることができる。

また、複数の方式の検知器を併用することもできる。例えば、指を検知する検知器と、スタイラスペンを検知する検知器とを、併用することができる。

これにより、ポインタの種類を判別することができる。または、判別したポインタの種類に基づいて、異なる命令を検知情報に関連付けることができる。具体的には、ポインタに指を用いたと判別した場合は、検知情報をジェスチャーと関連付けることができる。または、ポインタにスタイラスペンを用いたと判別した場合は、検知情報を描画処理と関連付けることができる。

具体的には、静電容量方式、感圧方式または光学方式の近接センサを用いて、指を検知することができる。または、電磁誘導方式または光学方式の近接センサを用いて、スタイラスペンを検知することができる。

《入力部２４０の構成例２》
入力部２４０は発振回路ＯＳＣおよび検知回路ＤＣを備える（図８参照）。

発振回路ＯＳＣは探索信号を検知器８０２（ｇ，ｈ）に供給する。例えば、矩形波、のこぎり波、三角波、サイン波等を、探索信号に用いることができる。

検知器８０２（ｇ，ｈ）は、検知器８０２（ｇ，ｈ）に近接するポインタまでの距離および探索信号に基づいて変化する検知信号を生成し供給する。

検知回路ＤＣは検知信号に基づいて入力情報を供給する。

これにより、近接するポインタから検知領域２４１までの距離を検知することができる。または、検知領域２４１内においてポインタが最も近接する位置を検知することができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図９乃至図１１を参照しながら説明する。

図９Ａは本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明するブロック図である。図９Ｂおよび図９Ｃは、情報処理装置の外観の一例を説明する投影図である。

図１０は、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１０Ａは、本発明の一態様のプログラムの主の処理を説明するフローチャートであり、図１０Ｂは、割り込み処理を説明するフローチャートである。

図１１は、本発明の一態様のプログラムを説明する図である。図１１Ａは、本発明の一態様のプログラムの割り込み処理を説明するフローチャートである。また、図１１Ｂは、情報処理装置の操作を説明する模式図であり、図１１Ｃは、本発明の一態様の情報処理装置の動作を説明するタイミングチャートである。

＜情報処理装置の構成例１＞
本実施の形態で説明する情報処理装置は、演算装置２１０と、入出力装置２２０と、を有する（図９Ａ参照）。なお、入出力装置２２０は、演算装置２１０と電気的に接続される。また、情報処理装置２００は筐体を備えることができる（図９Ｂおよび図９Ｃ参照）。

《演算装置２１０の構成例１》
演算装置２１０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給される。演算装置２１０は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩおよび画像情報ＶＩを生成し、制御情報ＣＩおよび画像情報ＶＩを供給する。

演算装置２１０は、演算部２１１および記憶部２１２を備える。また、演算装置２１０は、伝送路２１４および入出力インターフェース２１５を備える。

伝送路２１４は、演算部２１１、記憶部２１２、および入出力インターフェース２１５と電気的に接続される。

《演算部２１１》
演算部２１１は、例えばプログラムを実行する機能を備える。

《記憶部２１２》
記憶部２１２は、例えば演算部２１１が実行するプログラム、初期情報、設定情報または画像等を記憶する機能を有する。

具体的には、ハードディスク、フラッシュメモリまたは酸化物半導体を含むトランジスタを用いたメモリ等を用いることができる。

《入出力インターフェース２１５、伝送路２１４》
入出力インターフェース２１５は端子または配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、伝送路２１４と電気的に接続することができる。また、入出力装置２２０と電気的に接続することができる。

伝送路２１４は配線を備え、情報を供給し、情報を供給される機能を備える。例えば、入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。また、演算部２１１、記憶部２１２または入出力インターフェース２１５と電気的に接続することができる。

《入出力装置２２０の構成例》
入出力装置２２０は、入力情報ＩＩおよび検知情報ＤＳを供給する。入出力装置２２０は、制御情報ＣＩおよび画像情報ＶＩを供給される（図９Ａ参照）。

例えば、キーボードのスキャンコード、位置情報、ボタンの操作情報、音声情報または画像情報等を入力情報ＩＩに用いることができる。または、例えば、情報処理装置２００が使用される環境等の照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を検知情報ＤＳに用いることができる。

例えば、画像情報ＶＩを表示する輝度を制御する信号、彩度を制御する信号、色相を制御する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。または、画像情報ＶＩの一部の表示を変化する信号を、制御情報ＣＩに用いることができる。

入出力装置２２０は、表示部２３０、入力部２４０および検知部２５０を備える。例えば、実施の形態４において説明する入出力装置を入出力装置２２０に用いることができる。また、入出力装置２２０は通信部２９０を備えることができる。

《表示部２３０の構成例》
表示部２３０は制御情報ＣＩに基づいて、画像情報ＶＩを表示する。

表示部２３０は、制御部２３８と、駆動回路ＧＤと、駆動回路ＳＤと、表示パネル７００と、を有する（図７参照）。例えば、実施の形態３において説明する表示装置を表示部２３０に用いることができる。

《入力部２４０の構成例》
入力部２４０は入力情報ＩＩを生成する。例えば、入力部２４０は、位置情報Ｐ１を供給する機能を備える。

例えば、ヒューマンインターフェイス等を入力部２４０に用いることができる（図９Ａ参照）。具体的には、キーボード、マウス、タッチセンサ、マイクまたはカメラ等を入力部２４０に用いることができる。

また、表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを用いることができる。なお、表示部２３０と表示部２３０に重なる領域を備えるタッチセンサを備える入出力装置を、タッチパネルまたはタッチスクリーンということができる。

例えば、使用者は、タッチパネルに触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。

例えば、演算装置２１０は、タッチパネルに接触する指の位置または軌跡等の情報を解析し、解析結果が所定の条件を満たすとき、所定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、使用者は、所定のジェスチャーにあらかじめ関連付けられた所定の操作命令を、当該ジェスチャーを用いて供給できる。

一例を挙げれば、使用者は、画像情報の表示位置を変更する「スクロール命令」を、タッチパネルに沿ってタッチパネルに接触する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる。

また、使用者は、表示領域２３１の端部にナビゲーションパネルＮＰを引き出して表示する「ドラッグ命令」を、表示領域２３１の端部に接する指を移動するジェスチャーを用いて供給できる（図９Ｃ参照）。また、使用者は、ナビゲーションパネルＮＰにインデックス画像ＩＮＤ、他のページの一部または他のページのサムネイル画像ＴＮを、所定の順番でパラパラ表示する「リーフスルー命令」を、指を強く押し付ける位置を移動するジェスチャーを用いて供給できる。または、指を押し付ける圧力を用いて供給できる。これにより、紙の書籍のページをパラパラめくるように、電子書籍端末のページをめくることができる。または、サムネイル画像ＴＮまたはインデックス画像ＩＮＤを頼りに、所定のページを探すことができる。

《検知部２５０の構成例》
検知部２５０は検知情報ＤＳを生成する。例えば、検知部２５０は、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する機能を備え、照度情報を供給する機能を備える。

検知部２５０は、周囲の状態を検知して検知情報を供給する機能を備える。具体的には、照度情報、姿勢情報、加速度情報、方位情報、圧力情報、温度情報または湿度情報等を供給できる。

例えば、光検出器、姿勢検出器、加速度センサ、方位センサ、ＧＰＳ（ＧｌｏｂａｌｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇＳｙｓｔｅｍ）信号受信回路、感圧スイッチ、圧力センサ、温度センサ、湿度センサまたはカメラ等を、検知部２５０に用いることができる。

《通信部２９０》
通信部２９０は、ネットワークに情報を供給し、ネットワークから情報を取得する機能を備える。

《筐体》
なお、筐体は入出力装置２２０または演算装置２１０を収納する機能を備える。または、筐体は表示部２３０または演算装置２１０を支持する機能を備える。

これにより、入力情報または検知情報に基づいて、制御情報を生成することができる。または、入力情報または検知情報に基づいて、画像情報を表示することができる。または、情報処理装置は、情報処理装置が使用される環境において、情報処理装置の筐体が受ける光の強さを把握して動作することができる。または、情報処理装置の使用者は、表示方法を選択することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。例えばタッチセンサが表示パネルに重ねられたタッチパネルは、表示部であるとともに入力部でもある。

《演算装置２１０の構成例２》
演算装置２１０は人工知能部２１３を備える（図９Ａ参照）。

人工知能部２１３は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳを供給され、人工知能部２１３は入力情報ＩＩまたは検知情報ＤＳに基づいて、制御情報ＣＩを推論する。また、人工知能部２１３は制御情報ＣＩを供給する。

これにより、好適であると感じられるように表示する制御情報ＣＩを生成することができる。または、好適であると感じられるように表示することができる。または、快適であると感じられるように表示する制御情報ＣＩを生成することができる。または、快適であると感じられるように表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

［入力情報ＩＩに対する自然言語処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩ全体から１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩに込められた感情等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色彩、模様または書体等を推論することができる。また、人工知能部２１３は、文字の色、模様または書体を指定する情報、背景の色または模様を指定する情報を生成し、制御情報ＣＩに用いることができる。

具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを自然言語処理して、入力情報ＩＩに含まれる一部の言葉を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は文法的な誤り、事実誤認または感情を含む表現等を抽出することができる。また、人工知能部２１３は、抽出した一部を他の一部とは異なる色彩、模様または書体等で表示する制御情報ＣＩを生成する。

［入力情報ＩＩに対する画像処理］
具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩから１つの特徴を抽出することができる。例えば、人工知能部２１３は、入力情報ＩＩが撮影された年代、屋内または屋外、昼または夜等を推論し特徴にすることができる。また、当該特徴に好適であると経験的に感じられる色調を推論し、当該色調を表示に用いるための制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、濃淡の表現に用いる色（例えば、フルカラー、白黒または茶褐色等）を指定する情報を制御情報ＣＩに用いることができる。

具体的には、人工知能部２１３は入力情報ＩＩを画像処理して、入力情報ＩＩに含まれる一部の画像を抽出することができる。例えば、抽出した画像の一部と他の一部の間に境界を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。具体的には、抽出した画像の一部を囲む矩形を表示する制御情報ＣＩを生成することができる。

［検知情報ＤＳを用いる推論］
具体的には、人工知能部２１３は検知情報ＤＳを用いて、推論ＲＩを生成することができる。または、推論ＲＩに基づいて、情報処理装置２００の使用者が快適であると感じられるように制御情報ＣＩを生成することができる。

具体的には、環境の照度等に基づいて、人工知能部２１３は、表示の明るさが快適であると感じられるように、表示の明るさを調整する制御情報ＣＩを生成することができる。または、人工知能部２１３は環境の騒音等に基づいて大きさが快適であると感じられるように、音量を調整する制御情報ＣＩを生成することができる。

なお、表示部２３０が備える制御部２３８に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。または、入力部２４０が備える制御部２４８に供給するクロック信号またはタイミング信号などを制御情報ＣＩに用いることができる。

＜情報処理装置の構成例２＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図１０Ａおよび図１０Ｂを参照しながら説明する。

《プログラム》
本発明の一態様のプログラムは、下記のステップを有する（図１０Ａ参照）。

［第１のステップ］
第１のステップにおいて、設定を初期化する（図１０Ａ（Ｓ１）参照）。

例えば、起動時に表示する所定の画像情報と、当該画像情報を表示する所定のモードと、当該画像情報を表示する所定の表示方法を特定する情報と、を記憶部２１２から取得する。具体的には、一の静止画像情報または他の動画像情報を所定の画像情報に用いることができる。また、第１のモードまたは第２のモードを所定のモードに用いることができる。

［第２のステップ］
第２のステップにおいて、割り込み処理を許可する（図１０Ａ（Ｓ２）参照）。なお、割り込み処理が許可された演算装置は、主の処理と並行して割り込み処理を行うことができる。割り込み処理から主の処理に復帰した演算装置は、割り込み処理をして得た結果を主の処理に反映することができる。

なお、カウンタの値が初期値であるとき、演算装置に割り込み処理をさせ、割り込み処理から復帰する際に、カウンタを初期値以外の値としてもよい。これにより、プログラムを起動した後に常に割り込み処理をさせることができる。

［第３のステップ］
第３のステップにおいて、第１のステップまたは割り込み処理において選択された、所定のモードまたは所定の表示方法を用いて画像情報を表示する（図１０Ａ（Ｓ３）参照）。なお、所定のモードは情報を表示するモードを特定し、所定の表示方法は画像情報を表示する方法を特定する。また、例えば、画像情報ＶＩを表示する情報に用いることができる。

例えば、画像情報ＶＩを表示する一の方法を、第１のモードに関連付けることができる。または、画像情報ＶＩを表示する他の方法を第２のモードに関連付けることができる。これにより、選択されたモードに基づいて表示方法を選択することができる。

《第１のモード》
具体的には、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第１のモードに関連付けることができる。

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で選択信号を供給すると、動画像の動きを滑らかに表示することができる。

例えば、３０Ｈｚ以上、好ましくは６０Ｈｚ以上の頻度で画像を更新すると、使用者の操作に滑らかに追従するように変化する画像を、使用者が操作中の情報処理装置２００に表示することができる。

《第２のモード》
具体的には、３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは１分に１回未満の頻度で一の走査線に選択信号を供給し、選択信号に基づいて表示をする方法を、第２のモードに関連付けることができる。

３０Ｈｚ未満、好ましくは１Ｈｚ未満、より好ましくは１分に１回未満の頻度で選択信号を供給すると、フリッカーまたはちらつきが抑制された表示をすることができる。また、消費電力を低減することができる。

例えば、情報処理装置２００を時計に用いる場合、１秒に１回の頻度または１分に１回の頻度等で表示を更新することができる。

ところで、例えば、発光素子を表示素子に用いる場合、発光素子をパルス状に発光させて、画像情報を表示することができる。具体的には、パルス状に有機ＥＬ素子を発光させて、その残光を表示に用いることができる。有機ＥＬ素子は優れた周波数特性を備えるため、発光素子を駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる場合がある。または、発熱が抑制されるため、発光素子の劣化を軽減することができる場合がある。

［第４のステップ］
第４のステップにおいて、終了命令が供給された場合は第５のステップに進み、終了命令が供給されなかった場合は第３のステップに進むように選択する（図１０Ａ（Ｓ４）参照）。

例えば、割り込み処理において供給された終了命令を判断に用いてもよい。

［第５のステップ］
第５のステップにおいて、終了する（図１０Ａ（Ｓ５）参照）。

《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１０Ｂ参照）。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、例えば、検知部２５０を用いて、情報処理装置２００が使用される環境の照度を検出する（図１０Ｂ（Ｓ６）参照）。なお、環境の照度に代えて環境光の色温度や色度を検出してもよい。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、検出した照度情報に基づいて表示方法を決定する（図１０Ｂ（Ｓ７）参照）。例えば、表示の明るさを暗すぎないように、または明るすぎないように決定する。

なお、第６のステップにおいて環境光の色温度や環境光の色度を検出した場合は、表示の色味を調節してもよい。

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１０Ｂ（Ｓ８）参照）。

＜情報処理装置の構成例３＞
本発明の一態様の情報処理装置の別の構成について、図１１を参照しながら説明する。

図１１Ａは、本発明の一態様のプログラムを説明するフローチャートである。図１１Ａは、図１０Ｂに示す割り込み処理とは異なる割り込み処理を説明するフローチャートである。

なお、情報処理装置の構成例３は、供給された所定のイベントに基づいて、モードを変更するステップを割り込み処理に有する点が、図１０Ｂを参照しながら説明する割り込み処理とは異なる。ここでは、異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分について上記の説明を援用する。

《割り込み処理》
割り込み処理は以下の第６のステップ乃至第８のステップを備える（図１１Ａ参照）。

［第６のステップ］
第６のステップにおいて、所定のイベントが供給された場合は、第７のステップに進み、所定のイベントが供給されなかった場合は、第８のステップに進む（図１１Ａ（Ｕ６）参照）。例えば、所定の期間に所定のイベントが供給されたか否かを条件に用いることができる。具体的には、５秒以下、１秒以下または０．５秒以下好ましくは０．１秒以下であって０秒より長い期間を所定の期間とすることができる。

［第７のステップ］
第７のステップにおいて、モードを変更する（図１１Ａ（Ｕ７）参照）。具体的には、第１のモードを選択していた場合は、第２のモードを選択し、第２のモードを選択していた場合は、第１のモードを選択する。

例えば、表示部２３０の一部の領域について、表示モードを変更することができる。具体的には、駆動回路ＧＤＡ、駆動回路ＧＤＢおよび駆動回路ＧＤＣを備える表示部２３０の一の駆動回路が選択信号を供給する領域について、表示モードを変更することができる（図１１Ｂ参照）。

例えば、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域と重なる領域にある入力部２４０に、所定のイベントが供給された場合に、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示モードを変更することができる（図１１Ｂおよび図１１Ｃ参照）。具体的には、指等を用いてタッチパネルに供給する「タップ」イベントに応じて、駆動回路ＧＤＢが供給する選択信号の頻度を変更することができる。

なお、信号ＧＣＬＫは駆動回路ＧＤＢの動作を制御するクロック信号であり、信号ＰＷＣ１および信号ＰＷＣ２は駆動回路ＧＤＢの動作を制御するパルス幅制御信号である。駆動回路ＧＤＢは、信号ＧＣＬＫ、信号ＰＷＣ１および信号ＰＷＣ２等に基づいて、選択信号を走査線Ｇ１（ｍ＋１）乃至走査線Ｇ１（２ｍ）に供給する。

これにより、例えば、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給することなく、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給することができる。または、駆動回路ＧＤＡおよび駆動回路ＧＤＣが選択信号を供給する領域の表示を変えることなく、駆動回路ＧＤＢが選択信号を供給する領域の表示を更新することができる。または、駆動回路が消費する電力を抑制することができる。

［第８のステップ］
第８のステップにおいて、割り込み処理を終了する（図１１Ａ（Ｕ８）参照）。なお、主の処理を実行している期間に割り込み処理を繰り返し実行してもよい。

《所定のイベント》
例えば、マウス等のポインティング装置を用いて供給する、「クリック」や「ドラッグ」等のイベント、指等をポインタに用いてタッチパネルに供給する、「タップ」、「ドラッグ」または「スワイプ」等のイベントを用いることができる。

また、例えば、ポインタが指し示すスライドバーの位置、スワイプの速度、ドラッグの速度等を用いて、所定のイベントに関連付けられた命令の引数を与えることができる。

例えば、検知部２５０が検知した情報をあらかじめ設定された閾値と比較して、比較結果をイベントに用いることができる。

具体的には、筐体に押し込むことができるように配設されたボタン等に接する感圧検知器等を検知部２５０に用いることができる。

《所定のイベントに関連付ける命令》
例えば、終了命令を、所定のイベントに関連付けることができる。

例えば、表示されている一の画像情報から他の画像情報に表示を切り替える「ページめくり命令」を、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「ページめくり命令」を実行する際に用いるページをめくる速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。

例えば、一の画像情報の表示されている一部分の表示位置を移動して、一部分に連続する他の部分を表示する「スクロール命令」などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、「スクロール命令」を実行する際に用いる表示を移動する速度などを決定する引数を、所定のイベントを用いて与えることができる。

例えば、表示方法を設定する命令または画像情報を生成する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。なお、生成する画像の明るさを決定する引数を所定のイベントに関連付けることができる。また、生成する画像の明るさを決定する引数を、検知部２５０が検知する環境の明るさに基づいて決定してもよい。

例えば、プッシュ型のサービスを用いて配信される情報を、通信部２９０を用いて取得する命令などを、所定のイベントに関連付けることができる。

なお、情報を取得する資格の有無を、検知部２５０が検知する位置情報を用いて判断してもよい。具体的には、所定の教室、学校、会議室、企業、建物等の内部または領域にいる場合に、情報を取得する資格を有すると判断してもよい。これにより、例えば、学校または大学等の教室で配信される教材を受信して、情報処理装置２００を教科書等に用いることができる（図９Ｃ参照）。または、企業等の会議室で配信される資料を受信して、会議資料に用いることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１２乃至図１４を参照しながら説明する。

図１２乃至図１４は、本発明の一態様の情報処理装置の構成を説明する図である。図１２Ａは情報処理装置のブロック図であり、図１２Ｂ乃至図１２Ｅは情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図１３Ａ乃至図１３Ｅは情報処理装置の構成を説明する斜視図である。また、図１４Ａおよび図１４Ｂは情報処理装置の構成を説明する斜視図である。

＜情報処理装置＞
本実施の形態で説明する情報処理装置５２００Ｂは、演算装置５２１０と、入出力装置５２２０と、を有する（図１２Ａ参照）。

演算装置５２１０は、操作情報を供給される機能を備え、操作情報に基づいて画像情報を供給する機能を備える。

入出力装置５２２０は、表示部５２３０、入力部５２４０、検知部５２５０、通信部５２９０、操作情報を供給する機能および画像情報を供給される機能を備える。また、入出力装置５２２０は、検知情報を供給する機能、通信情報を供給する機能および通信情報を供給される機能を備える。

入力部５２４０は操作情報を供給する機能を備える。例えば、入力部５２４０は、情報処理装置５２００Ｂの使用者の操作に基づいて操作情報を供給する。

具体的には、キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置などを、入力部５２４０に用いることができる。

表示部５２３０は表示パネルおよび画像情報を表示する機能を備える。例えば、実施の形態１または実施の形態２において説明する表示パネルを表示部５２３０に用いることができる。

検知部５２５０は検知情報を供給する機能を備える。例えば、情報処理装置が使用されている周辺の環境を検知して、検知情報として供給する機能を備える。

具体的には、照度センサ、撮像装置、姿勢検出装置、圧力センサ、人感センサなどを検知部５２５０に用いることができる。

通信部５２９０は通信情報を供給される機能および供給する機能を備える。例えば、無線通信または有線通信により、他の電子機器または通信網と接続する機能を備える。具体的には、無線構内通信、電話通信、近距離無線通信などの機能を備える。

《情報処理装置の構成例１》
例えば、円筒状の柱などに沿った外形を表示部５２３０に適用することができる（図１２Ｂ参照）。また、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。また、人の存在を検知して、表示内容を変更する機能を備える。これにより、例えば、建物の柱に設置することができる。または、広告または案内等を表示することができる。または、デジタル・サイネージ等に用いることができる。

《情報処理装置の構成例２》
例えば、使用者が使用するポインタの軌跡に基づいて画像情報を生成する機能を備える（図１２Ｃ参照）。具体的には、対角線の長さが２０インチ以上、好ましくは４０インチ以上、より好ましくは５５インチ以上の表示パネルを用いることができる。または、複数の表示パネルを並べて１つの表示領域に用いることができる。または、複数の表示パネルを並べてマルチスクリーンに用いることができる。これにより、例えば、電子黒板、電子掲示板、電子看板等に用いることができる。

《情報処理装置の構成例３》
他の装置から情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる（図１２Ｄ参照）。または、いくつかの選択肢を表示できる。または、使用者は選択肢からいくつかを選択し、当該情報の送信元に返信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、例えば、スマートウォッチの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートウォッチに表示することができる。

《情報処理装置の構成例４》
表示部５２３０は、例えば、筐体の側面に沿って緩やかに曲がる曲面を備える（図１２Ｅ参照）。または、表示部５２３０は表示パネルを備え、表示パネルは、例えば、前面、側面、上面および背面に表示する機能を備える。これにより、例えば、携帯電話の前面だけでなく、側面、上面および背面に情報を表示することができる。

《情報処理装置の構成例５》
例えば、インターネットから情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる（図１３Ａ参照）。または、作成したメッセージを表示部５２３０で確認することができる。または、作成したメッセージを他の装置に送信できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、スマートフォンの消費電力を低減することができる。または、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をスマートフォンに表示することができる。

《情報処理装置の構成例６》
リモートコントローラーを入力部５２４０に用いることができる（図１３Ｂ参照）。または、例えば、放送局またはインターネットから情報を受信して、表示部５２３０に表示することができる。または、検知部５２５０を用いて使用者を撮影できる。または、使用者の映像を送信できる。または、使用者の視聴履歴を取得して、クラウド・サービスに提供できる。または、クラウド・サービスから、レコメンド情報を取得して、表示部５２３０に表示できる。または、レコメンド情報に基づいて、番組または動画を表示できる。または、例えば、使用環境の照度に応じて、表示方法を変更する機能を備える。これにより、晴天の日に屋内に差し込む強い外光が当たっても好適に使用できるように、映像をテレビジョンシステムに表示することができる。

《情報処理装置の構成例７》
例えば、インターネットから教材を受信して、表示部５２３０に表示することができる（図１３Ｃ参照）。または、入力部５２４０を用いて、レポートを入力し、インターネットに送信することができる。または、クラウド・サービスから、レポートの添削結果または評価を取得して、表示部５２３０に表示できる。または、評価に基づいて、好適な教材を選択し、表示できる。

例えば、他の情報処理装置から画像信号を受信して、表示部５２３０に表示することができる。または、スタンドなどに立てかけて、表示部５２３０をサブディスプレイに用いることができる。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に使用できるように、画像をタブレットコンピュータに表示することができる。

《情報処理装置の構成例８》
情報処理装置は、例えば、複数の表示部５２３０を備える（図１３Ｄ参照）。例えば、検知部５２５０で撮影しながら表示部５２３０に表示することができる。または、撮影した映像を検知部に表示することができる。または、入力部５２４０を用いて、撮影した映像に装飾を施せる。または、撮影した映像にメッセージを添付できる。または、インターネットに送信できる。または、使用環境の照度に応じて、撮影条件を変更する機能を備える。これにより、例えば、晴天の屋外等の外光の強い環境においても好適に閲覧できるように、被写体をデジタルカメラに表示することができる。

《情報処理装置の構成例９》
例えば、他の情報処理装置をスレイブに用い、本実施の形態の情報処理装置をマスターに用いて、他の情報処理装置を制御することができる（図１３Ｅ参照）。または、例えば、画像情報の一部を表示部５２３０に表示し、画像情報の他の一部を他の情報処理装置の表示部に表示することができる。画像信号を供給することができる。または、通信部５２９０を用いて、他の情報処理装置の入力部から書き込む情報を取得できる。これにより、例えば、携帯可能なパーソナルコンピュータを用いて、広い表示領域を利用することができる。

《情報処理装置の構成例１０》
情報処理装置は、例えば、加速度または方位を検知する検知部５２５０を備える（図１４Ａ参照）。または、検知部５２５０は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、右目用の画像情報および左目用の画像情報を生成することができる。または、表示部５２３０は、右目用の表示領域および左目用の表示領域を備える。これにより、例えば、没入感を得られる仮想現実空間の映像を、ゴーグル型の情報処理装置に表示することができる。

《情報処理装置の構成例１１》
情報処理装置は、例えば、撮像装置、加速度または方位を検知する検知部５２５０を備える（図１４Ｂ参照）。または、検知部５２５０は、使用者の位置または使用者が向いている方向に係る情報を供給することができる。または、情報処理装置は、使用者の位置または使用者が向いている方向に基づいて、画像情報を生成することができる。これにより、例えば、現実の風景に情報を添付して表示することができる。または、拡張現実空間の映像を、めがね型の情報処理装置に表示することができる。

《表示パネルを適用可能な電子機器の構成例》

表示パネル７００を適用可能な電子機器の例について図１５を用いて説明を行う。

表示パネル７００は、ＴＶ装置７０００（テレビジョン受像装置）、スマートウォッチ７０１０、スマートフォン７０２０、デジタルカメラ７０３０、メガネ型情報端末７０４０、ノート型ＰＣ（パーソナルコンピュータ）７０５０、ＰＣ７０６０、ゲーム機７０７０、等の表示部に組み込むことができる。

ＴＶ装置７０００、スマートウォッチ７０１０、スマートフォン７０２０、デジタルカメラ７０３０、メガネ型情報端末７０４０、ノート型ＰＣ７０５０、ＰＣ７０６０、ゲーム機７０７０などの表示部に表示パネル７００を適用することで、高精細な画像を表示させることができる。したがって、ユーザは、臨場感のある映像を視認することができる。

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に開示されているものとする。

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

ＡＮＯ：導電膜、ＢＭ：遮光膜、ＣＣ：色変換層、ＣＩ：制御情報、ＤＳ：検知情報、Ｇ１：走査線、ＧＣＬＫ：信号、ＩＩ：入力情報、ＩＮＤ：インデックス画像、ＮＰ：ナビゲーションパネル、Ｐ１：位置情報、ＰＷＣ１：信号、ＰＷＣ２：信号、Ｓ１：信号線、ＳＰ：制御信号、ＴＮ：サムネイル画像、ＶＩ：画像情報、Ｖ１１：情報、ＶＣＯＭ２：導電膜、１０３ａ：発光ユニット、１０３ｂ：発光ユニット、１０４：中間層、１１１：層、１１２：層、１１３：層、１１４：層、２００：情報処理装置、２１０：演算装置、２１１：演算部、２１２：記憶部、２１３：人工知能部、２１４：伝送路、２１５：入出力インターフェース、２２０：入出力装置、２３０：表示部、２３１：表示領域、２３３：制御回路、２３４：伸張回路、２３５：画像処理回路、２３８：制御部、２４０：入力部、２４１：検知領域、２４８：制御部、２５０：検知部、２９０：通信部、４００：分子量、５０１Ｃ：絶縁膜、５０１Ｄ：絶縁膜、５０４：導電膜、５０６：絶縁膜、５０８：半導体膜、５０８Ａ：領域、５０８Ｂ：領域、５０８Ｃ：領域、５１０：基材、５１２Ａ：導電膜、５１２Ｂ：導電膜、５１６：絶縁膜、５１８：絶縁膜、５１９Ｂ：端子、５２０：機能層、５２１：絶縁膜、５２４：導電膜、５２８：絶縁膜、５３０：画素回路、５５０：表示素子、５５１：電極、５５２：電極、５５３：層、５７３：絶縁膜、５７３Ａ：絶縁膜、５７３Ｂ：絶縁膜、５７４：封止膜、５７４Ａ：樹脂、５７４Ｂ：膜、５９１Ａ：開口部、７００：表示パネル、７００ＴＰ：入出力パネル、７０２：画素、７０３：画素、７０５：封止材、７７０：基材、７７０Ｐ：機能膜、８０２：検知器、５２００Ｂ：情報処理装置、５２１０：演算装置、５２２０：入出力装置、５２３０：表示部、５２４０：入力部、５２５０：検知部、５２９０：通信部、７０００：ＴＶ装置、７０１０：スマートウォッチ、７０２０：スマートフォン、７０３０：デジタルカメラ、７０４０：メガネ型情報端末、７０５０：ＰＣ、７０６０：ＰＣ、７０７０：ゲーム機

Claims

表示領域と、
絶縁膜と、
封止膜と、を有し、
前記表示領域は、第１の画素を備え、
前記第１の画素は、第１の表示素子および第１の色変換層を備え、
前記第１の色変換層は、前記第１の表示素子と重なる領域を備え、
前記第１の色変換層は、第１の光を第２の光に変換し、
前記第２の光は、前記第１の光と比較して、波長が長い光を高い割合で含むスペクトルを備え、
前記絶縁膜は、前記第１の表示素子を覆い、
前記封止膜は、前記絶縁膜との間に、前記第１の色変換層を挟む領域を備え、
前記封止膜は、前記表示領域の外側に、前記絶縁膜と接する領域を備え、
前記第１の表示素子は、前記第１の光を射出し、
前記第１の表示素子は、第１の層、第２の層、第３の層および第４の層を備え、
第３の層は、第２の層および第４の層の間に挟まれ、
第２の層は、第１の層および第３の層の間に挟まれ、
第１の層は、第１の材料および第２の材料を含み、
第２の層は、第３の材料を含み、
第３の層は、発光性の材料および第４の材料を含み、
第４の層は、第５の材料および第６の材料を含み、
前記第１の材料は、－５．７ｅＶ以上－５．４ｅＶ以下のＨＯＭＯ準位を備え、
前記第１の材料は、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格のいずれかを有している材料、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９－フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンのいずれかであり、
前記第２の材料は、アクセプタ性を備え、
前記第３の材料は、前記第１の材料より小さいＨＯＭＯ準位を備え、
前記第３の材料は、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格およびアントラセン骨格のいずれかを有している材料、ジベンゾフラン環またはジベンゾチオフェン環を含む置換基を有する芳香族アミン、ナフタレン環を有する芳香族モノアミン、または９－フルオレニル基がアリーレン基を介してアミンの窒素に結合する芳香族モノアミンのいずれかであり、
前記第４の材料は、前記第３の材料より小さいＨＯＭＯ準位を備え、
前記第５の材料は、－６．０ｅＶ以上のＨＯＭＯ準位を備え、
前記第６の材料は、アルカリ金属の有機錯体またはアルカリ土類金属の有機錯体である、表示パネル。
前記第５の材料は、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が１×１０^－７ｃｍ^２／Ｖｓ以上５×１０^－５ｃｍ^２／Ｖｓ以下である、請求項１に記載の表示パネル。
前記第１の色変換層は、量子ドットおよび透光性の樹脂を含む、請求項１または請求項２に記載の表示パネル。
前記第１の光は、青色の光である、請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の表示パネル。
前記第１の表示素子は、第１の発光ユニット、第２の発光ユニットおよび中間層を備え、
前記中間層は、前記第１の発光ユニットおよび前記第２の発光ユニットに挟まれる領域を備え、
前記中間層は、前記第１の発光ユニットまたは前記第２の発光ユニットの一方に正孔を供給し、
他方に電子を供給し、
前記第１の発光ユニットは、青色の光を射出し、
前記第２の発光ユニットは、青色の光を射出する、請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の表示パネル。
機能層を有し、
前記機能層は、前記第１の表示素子と重なる領域を備え、
前記機能層は、第１の画素回路を含み、
前記機能層は、開口部を備え、
前記第１の画素は、前記第１の画素回路を備え、
前記第１の画素回路は、前記開口部において、前記第１の表示素子と電気的に接続される、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の表示パネル。
前記表示領域は、第２の画素および第３の画素を備え、
前記第１の画素は、赤色を表示し、
前記第２の画素は、緑色を表示し、
前記第２の画素は、第２の色変換層を備え、
前記第３の画素は、青色を表示し、
前記第１の色変換層は、青色の光を赤色に変換し、
前記第２の色変換層は、青色の光を緑色の光に変換する、請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の表示パネル。
キーボード、ハードウェアボタン、ポインティングデバイス、タッチセンサ、照度センサ、撮像装置、音声入力装置、視線入力装置、姿勢検出装置、のうち一以上と、請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の表示パネルと、を含む、情報処理装置。