JP7617730B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
これに応じて有機発光表示装置(Organic Light Emitting Display、OLED)、液晶表示装置(Liquid Crystal Display、LCD)等のような様々な種類の表示装置が使用されている。
そのうち、発光表示パネルでは、発光素子を含み得るが、例えば発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)の場合、有機物を蛍光物質として用いる有機発光ダイオード(OLED)、無機物を蛍光物質として用いる無機発光ダイオード等がある。
前記画素は、前記支持部材が配置される第1タイプ画素と、前記支持部材が配置されず前記発光素子を含む第2タイプ画素と、を含むことが好ましい。
前記画素は、前記発光素子が配置される発光領域と、前記発光素子が配置されず前記支持部材が配置される非発光領域と、を含むことが好ましい。
前記第1融着パターンは、前記封止基板から前記ベース基板まで延長されて、少なくとも一部分が前記ベース基板と重畳するように配置されることが好ましい。
前記第1融着パターンは、前記支持部材、前記封止基板、及び前記ベース基板をなす材料の混合によって形成されることが好ましい。
前記第1融着パターンは、前記ベース基板、前記支持部材、及び前記封止基板が部分的に融着した融着領域と、前記融着領域を囲むように配置される溶融領域と、を含むことが好ましい。
前記第1融着パターンは、前記ベース基板から前記封止基板に行くほど幅が大きくなる部分を含むことが好ましい。
前記第1融着パターンは、前記表示パネルと重畳する第1部分と、前記シーリング部材と接触する第2部分と、前記封止基板と重畳する第3部分と、を含み、前記第2部分と前記シーリング部材との間の第3境界面と、前記第1部分と前記表示パネルとの間の第4境界面と、前記第3部分と前記封止基板との間の第5境界面と、をさらに含むことが好ましい。
前記第1融着パターンは、前記支持部材と異なる屈折率を有することが好ましい。
少なくとも一部分が前記シーリング部材と前記封止基板に重畳するように配置される第2融着パターンをさらに有することが好ましい。
前記シーリング部材及び前記第2融着パターンは、前記非表示領域に配置され、前記表示領域を囲むように配置されることが好ましい。
前記支持部材は、前記ベース基板と接触する第1境界面と、前記封止基板と接触する第2境界面と、を含み、前記第1境界面及び前記第2境界面の延長線の内、前記第1融着パターンが形成される部分には物理的境界が存在しないことが好ましい。
前記第2タイプ画素は、第1色の光を放出する第1サブ画素と、前記第1色と異なる第2色の光を放出する第2サブ画素と、を含むことが好ましい。
前記表示パネルは、前記複数の画素が配置される表示領域と、前記表示領域を囲む非表示領域と、を含み、前記非表示領域で前記表示領域を囲むように配置されて前記封止基板と前記表示パネルを相互接合させるシーリング部材をさらに含むことが好ましい。
前記支持部材、前記ベース基板、及び前記封止基板にわたって配置される第2融着パターンをさらに有し、前記第2融着パターンは、閉曲線形状を有するように前記表示領域を取り囲むことが好ましい。
前記支持部材は、前記ベース基板の上面及び前記封止基板の下面と直接接触し、前記融着パターンは、前記支持部材、前記封止基板、及び前記ベース基板が融着して形成されることが好ましい。
前記融着パターンは、前記支持部材、前記封止基板、及び前記ベース基板をなす材料の混合によって形成されることが好ましい。
前記融着パターンは、前記支持部材と異なる屈折率を有することが好ましい。
そして、支持部材にわたって配置された融着パターンをさらに含むことで、外部衝撃に対する耐久性がさらに向上し得る。
しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で具現できるものであり、単に本実施形態は本発明の開示を完全にし、本発明が属す技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は請求項の範疇によって定義されるのみである。
第1、第2等が多様な構成要素を叙述するために使われるものの、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されないことはもちろんである。これら用語は単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使うものである。したがって、以下で言及される第1構成要素は、本発明の技術的思想内で第2構成要素でもあり得ることはもちろんである。
図1は、本発明の一実施形態による表示装置の概略的な斜視図であり、図2は、本発明の一実施形態による表示装置の平面図であり、図3は、本発明の一実施形態による表示装置の概略的な構成を示す断面図である。
図3は、図1の表示装置10を第1方向DR1に沿って切断した断面であって、表示パネル100、封止基板500、及びシーリング部材700のみを示す。
第2方向DR2は、平面上の表示装置10の長辺と並行する方向であり、例えば、表示装置10の縦方向である。
第3方向DR3は、表示装置10の厚さ方向である。
また、第1方向DR1は、表示装置10を第3方向DR3から眺めるときの右側で、第1方向DR1の反対方向は左側であり得、第2方向DR2は表示装置10を第3方向DR3から眺めるときの上側で、第2方向DR2の反対方向は下側であり得、第3方向DR3は上部で、第3方向DR3の反対方向は下部であり得る。
ただし、これらは例示的な実施形態として提示したものであって、本発明の概念から逸脱しない範囲内で他の電子機器にも採用され得ることは自明である。
以下では、表示装置10が有機発光表示装置であることを中心に説明するが、本発明はこれに制限されない。
表示装置10は、表示パネル100(または第1基板)、表示駆動部200、表示回路ボード300、封止基板500(または第2基板)、シーリング部材700、及び支持部材900を含む。
第1方向DR1の短辺と第2方向DR2の長辺が接するコーナー(corner)は、丸く形成されるか直角で形成されることができる。
表示パネル100の平面形態は、四角形に限定されず、他の多角形、円形または楕円形で形成することもできる。
表示パネル100は、平坦に形成されるが、これに限定されない。
例えば、表示パネル100は、左右側の端に形成され、一定の曲率を有するか、変化する曲率を有する曲面部を含み得る。
これ以外に、表示パネル100は、湾曲、屈曲、折り畳み、または丸めることができるように可撓性を有するように形成することができる。
表示領域DPAは、画面が表示される領域で、非表示領域NDAは、画面が表示されない領域である。
表示領域DPAは活性領域、非表示領域NDAは非活性領域とも呼べる。
表示領域DPAは、概して表示パネル100の中央を占め得る。
複数の画素PXは、行列方向に配列される。
各画素PXの形状は、平面上で長方形または正方形であり得るが、これに制限されるものではなく、各辺が一方向に対して傾いた菱形状でもあり得る。
各画素PXは、ストライプタイプまたはペンタイルタイプで交互配列することができる。
また、画素PXそれぞれは、特定波長帯の光を放射する発光素子(図5の「EL」)を一つ以上含んで特定色を表示する。
非表示領域NDAは、表示領域DPAを全部または部分的に取り囲む。
表示領域DPAは長方形状であり、非表示領域NDAは表示領域DPAの4辺に隣接するように配置される。
非表示領域NDAは、表示パネル100のベゼルを構成し得る。
各非表示領域NDAには、表示パネル100に含まれる配線または回路駆動部が配置されるか、外部装置が実装され得る。
例えば、表示駆動部200は、データ配線にデータ電圧を供給する。
また、表示駆動部200は、駆動電圧配線に駆動電圧を供給し、スキャン駆動部にスキャン制御信号を供給する。
表示駆動部200は、集積回路(integrated circuit:IC)で形成されて表示回路ボード300上に取付けられる。
または、表示駆動部200は、COG(chip on glass)方式、COP(chip on plastic)方式、または超音波接合方式で、表示パネル100に接着することができる。
例えば、表示パネル100の下側端の非表示領域NDAには、表示回路ボード300が配置される。
表示回路ボード300は、表示パネル100の下部に折り曲げることができ、表示パネル100の下面に配置される表示回路ボード300は、一側端が表示パネル100の下面に取り付けることができる。
図面に示していないが、表示回路ボード300は、接着部材によって表示パネル100の下面に取り付けて固定させることができる。
接着部材は、感圧接着剤であり得る。
または、表示回路ボード300は省略され、表示パネル100の一側端部を下方に曲げてもよい。
これによって、表示回路ボード300は、表示パネル100の表示パッドに電気的に接続される。
表示回路ボード300は、フレキシブル印刷回路ボード(flexible prinited circuit board)、印刷回路ボード(printed circuit board)またはチップオンフィルム(chip on film)のようなフレキシブルフィルム(flexible film)であり得る。
例えば、封止基板500は、表示パネル100と第3方向DR3に離隔対向するように配置され、平面上の面積が表示パネル100より小さいが、少なくとも表示パネル100の表示領域DPAを覆うように配置される。
ただし、これに制限されず、封止基板500は平面上の面積が表示パネル100と実質的に同一に形成され、表示パネル100の表示領域DPA及び非表示領域NDAを覆うように配置することもできる。
封止基板500は、後述するシーリング部材700と共に、表示パネル100に配置された発光素子EL及び回路素子を密封する。
また、いくつかの実施形態において、封止基板500上にはタッチ部材、偏光部材等がさらに配置され得る。
例えば、封止基板500は、ガラス材料、石英材料等を含み得る。
いくつかの実施形態において、封止基板500と発光素子ELは離隔し、その間に窒素気体等の不活性気体が充填され得る。
ただし本発明がこれに制限されるのではなく、封止基板500と発光素子ELとの間の離隔空間には充填剤等を充填することもできる。
例えば、シーリング部材700は、表示パネル100の非表示領域NDAに配置されて表示領域DPAを囲むように配置され、封止基板500と共に表示パネル100の発光素子及び回路素子を密封する。
表示パネル100の表示領域DPAには、後述する発光素子(図5の「EL」)を含んで複数の回路素子及び複数の絶縁層等を含むセルCLが配置される。
シーリング部材700は、表示パネル100のセルCLが配置される封止基板500と表示パネル100との間の空間を密封し、前記空間は、表示装置10の製造工程中に水分や空気が除去されて真空状態で存在することができる。
シーリング部材700は、封止基板500と共に、空気または水分等による発光素子(図5の「EL」)の損傷を防止する。
シーリング部材700は、表示パネル100の非表示領域NDAに配置されて表示パネル100の上面及び封止基板500の下面と当たって接触して結合される。
いくつかの実施形態において、シーリング部材700は、硬化したフリット(Frit)であり得る。
この明細書において「フリット(Frit)」は、選択的に添加剤が添加されたパウダー形態のガラスが溶融硬化して形成されたガラス特性を有する構造体を意味し得る。
パウダー形態のガラスは、表示パネル100と封止基板500との間に配置された後、焼成及び溶融工程を経て表示パネル100と封止基板500を相互結合させるフリットを形成する。
以下ではシーリング部材700が硬化したフリットである場合を例として説明することにする。
一実施形態によれば、表示装置10は、非表示領域NDAに配置されたシーリング部材700に加えて表示領域DPAに配置された複数の支持部材900を含む。
支持部材900は、表示パネル100及び封止基板500と直接接触するように配置され、少なくとも封止基板500との境界で物理的境界が存在せず融着した領域をさらに含み得る。
表示装置10は、支持部材900を含んで封止基板500と表示パネル100との間の接合力を向上させる。
支持部材900は、少なくとも封止基板500と融着して結合され得、表示パネル100と封止基板500との境界で物理的境界が存在する部分に加えて部分的に物理的境界が存在しないように融着し得る。
表示装置10は、融着した部分を含んで支持部材900が、表示パネル100と封止基板500とさらに強い接合力で結合させることができ、表示装置10の外部衝撃に対する耐久性が向上する。
これについてのより詳しい説明は後述する。
図4では、説明の便宜のために表示パネル100の画素PX、スキャン配線SL、データ配線DL、第1スキャン制御配線SCL1、第2スキャン制御配線SCL2、第1スキャン駆動部110、第2スキャン駆動部120、表示駆動部200、表示パッドDP、ファンアウト配線FLのみを示した。
非表示領域NDAは、表示領域DPAの外側から表示パネル100の端までの領域である。
スキャン配線SL、データ配線DL及び画素PXは、表示領域DPAに配置される。
スキャン配線SLは、第1方向(X軸方向)と並行して形成され、データ配線DLは、第1方向(X軸方向)と交差する第2方向(Y軸方向)と並行して形成される。
画素PXそれぞれは、駆動トランジスタと少なくとも一つのスイッチングトランジスタを含む薄膜トランジスタ、有機発光ダイオード及びキャパシタを含む。
画素PXそれぞれは、スキャン配線SLからスキャン信号が印加される場合、データ配線DLのデータ電圧の印加を受け、駆動トランジスタのゲート電極に印加されたデータ電圧に応じて有機発光ダイオードに駆動電流が供給されることにより、発光する。
画素PXに配置された素子の構造についての詳しい説明は、図5を参照して後述する。
第1スキャン駆動部110は、第1スキャン制御配線SCL1を介して表示駆動部200に接続される。
そのため、第1スキャン駆動部110は、表示駆動部200の第1スキャン制御信号の入力を受ける。
第1スキャン駆動部110は、第1スキャン制御信号にしたがってスキャン信号を生成してスキャン配線SLに供給する。
第2スキャン駆動部120は、第2スキャン制御配線SCL2を介して表示駆動部200に接続される。
そのため、第2スキャン駆動部120は、表示駆動部200の第2スキャン制御信号の入力を受ける。
第2スキャン駆動部120は、第2スキャン制御信号にしたがってスキャン信号を生成してスキャン配線SLに供給する。
第1スキャン駆動部110は、表示領域DPAの画素PXと接続されたスキャン配線SLに接続される。
第2スキャン駆動部120は、画素PXと接続されたスキャン配線SLに接続される。
すなわち、ファンアウト配線FLは、表示パッドDPとデータ配線DLとの間、表示パッドDPと第1スキャン駆動部110との間、及び表示パッドDPと第2スキャン駆動部120との間に配置される。
パッド領域PDAは、表示パッドDPを含む。
表示パッド領域PDAは、表示パネル100のベース基板(図5の「101」)の一側端に配置される。
例えば、パッド領域PDAは、ベース基板(図5の「101」)の下側端に配置される。
図5は、表示領域DPAに配置されたいずれか一つの画素PXの一部領域を横断した断面を示している。
図5を参照すると、表示パネル100は、ベース基板101、ベース基板101上に配置された薄膜トランジスタT1、及び発光素子ELを含む。
図面では、一つの画素PXに一つの薄膜トランジスタT1が配置されたものを示しているが、これに制限されない。
ベース基板101はリジット(rigid)基板であり得る。
ベース基板101は、ガラス、石英、高分子樹脂等の絶縁物質からなり得る。
ベース基板101は、金属材質の物質も含み得る。
バッファー層102は、透湿に脆弱なベース基板101を介して浸透する水分から薄膜トランジスタT1や発光素子を保護するためにベース基板101上に形成される。
バッファー層102は、交互に積層された複数の無機膜からなり得る。
例えば、バッファー層102は、シリコン酸化物(SiOx)、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸窒化物(SiON)の内の一つ以上の無機物が交互に積層された多重膜で形成され得る。
バッファー層102は、省略することができる。
薄膜トランジスタT1それぞれは、アクティブ層ACT1、ゲート電極G1、ソース電極S1、及びドレイン電極D1を含む。
図5では、薄膜トランジスタT1が、ゲート電極G1がアクティブ層ACT1の上部に位置する上部ゲート(トップゲート、top gate)方式で形成されたものを例示したが、これに限定されないことに注意しなければならない。
すなわち、薄膜トランジスタT1は、ゲート電極G1がアクティブ層ACT1の下部に位置する下部ゲート(ボトムゲート、bottom gate)方式またはゲート電極G1がアクティブ層ACT1の上部と下部に両方位置するダブルゲート(double gate)方式で形成することもできる。
アクティブ層ACT1は、シリコン系半導体物質または酸化物系半導体物質で形成される。
図に面に示していないが、バッファー層102とアクティブ層ACT1との間には、アクティブ層ACT1に入射する外部光を遮断するための遮光層が形成され得る。
アクティブ層ACT1上にはゲート絶縁層103が配置される。
ゲート絶縁層103は、無機膜、例えばシリコン酸化物(SiOx)、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸窒化物(SiON)の内の一つ以上の無機物が交互に積層された多重膜で形成され得る。
ゲート電極G1とゲートラインは、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、金(Au)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、ネオジム(Nd)、及び銅(Cu)の内のいずれか一つ、またはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成され得る。
ゲート電極G1とゲートライン上には層間絶縁層105が形成される。
層間絶縁層105は、無機膜、例えば、シリコン酸化物(SiOx)、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸窒化物(SiON)の内の一つ以上の無機物が交互に積層された多重膜で形成され得る。
ソース電極S1とドレイン電極D1それぞれは、ゲート絶縁層103と層間絶縁層105を貫通するコンタクトホールを介してアクティブ層ACT1に接続される。
ソース電極S1、ドレイン電極D1、及びデータラインは、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、金(Au)、チタン(Ti)、ニッケル(Ni)、ネオジム(Nd)、及び銅(Cu)の内のいずれか一つ、またはこれらの合金からなる単一層または多重層で形成され得る。
ソース電極S1、ドレイン電極D1、及びデータライン上には薄膜トランジスタT1を絶縁するための保護層107が形成される。
保護層107は、無機膜、例えば、シリコン酸化物(SiOx)、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸窒化物(SiON)の内の一つ以上の無機物が交互に積層された多重膜で形成され得る。
平坦化層108は、薄膜トランジスタT1による段差を平坦にする。
平坦化層108は、アクリル樹脂(acryl resin)、エポキシ樹脂(epoxy resin)、フェノール樹脂(phenolic resin)、ポリアミド樹脂(polyamide resin)、ポリイミド樹脂(polyimide resin)等の有機膜で形成することができる。
発光素子ELは、有機発光素子(organic light emitting device)であり得る。
この場合、発光素子ELはアノード電極AND、発光層OL、及びカソード電極CTDを含む。
アノード電極ANDは、平坦化層108上に形成される。
アノード電極ANDは、保護層107と平坦化層108を貫通するコンタクトホールを介して薄膜トランジスタT1のソース電極S1に接続される。
すなわち、画素定義膜109は、画素を定義する画素定義膜としての役割をする。
画素それぞれは、アノード電極AND、発光層OL、及びカソード電極CTDが順に積層されてアノード電極ANDからの正孔とカソード電極CTDからの電子が発光層OLで互いに結合して発光する領域を示す。
アノード電極ANDと画素定義膜109上には発光層OLが形成される。
発光層OLは、有機発光層であり得る。
発光層OLは、赤色(red)光、緑色(green)光、及び青色(blue)光の内の一つを発光する。
この場合、表示パネル100は、赤色、緑色、及び青色を表示するための別途のカラーフィルター(color filter)をさらに含み得る。
発光層OLは、正孔輸送層(hole transporting layer)、発光層(light emitting layer)、及び電子輸送層(electron transporting layer)を含み得る。
また、発光層OLは、2スタック(stack)以上のタンデム構造で形成することができ、この場合、スタック間には電荷生成層が形成される。
カソード電極CTDは、発光層OL上に形成される。
カソード電極CTDは、発光層OLを覆うように形成される。
カソード電極CTDは、画素に共通に形成される共通層であり得る。
APC合金は、銀(Ag)、パラジウム(Pd)及び銅(Cu)の合金である。
また、カソード電極CTDは、光を透過させることができるITO、IZOのような透光性金属物質(Transparent Conductive Material:TCO)、またはマグネシウム(Mg)、銀(Ag)、またはマグネシウム(Mg)と銀(Ag)の合金のような半透過金属物質(Semi-transmissive Conductive Material)で形成され得る。
カソード電極CTDが半透過金属物質で形成される場合、微小共振(micro cavity)により出光効率が高くなり得る。
カソード電極CTDは、アルミニウムとチタンの積層構造(Ti/Al/Ti)、アルミニウムとITOの積層構造(ITO/Al/ITO)、APC合金、及びAPC合金とITOの積層構造(ITO/APC/ITO)のような反射率が高い金属物質で形成され得る。
アノード電極ANDが半透過金属物質で形成される場合、微小共振により出光効率が高くなり得る。
図6は、表示パネル100の非表示領域NDAに配置されたシーリング部材700と、表示領域DPAに配置された支持部材900の概略的な配置を示しており、図7は、表示領域DPAに配置された複数の画素PXを示している。
複数の画素PXは、一方向及び他方向に配列される。
例えば、複数の画素PXは、第1方向DR1及び第2方向DR2と交差しこれらから傾いた一方向と、前記一方向に直交する他方向に配列されて表示領域DPA全面にわたって配置される。
図面では、複数の画素PXが一定間隔離隔して配置されたものが示している。
複数の画素PXが離隔された上記空間には別の部材、例えばスペーサー、または別途の構造物等が配置され得るが、これに制限されない。
また、複数の画素PXは互いに離隔して配置されず、実質的に隣接して配置されるが、発光素子(図7の「EL」)または回路素子が反復的に配置される空間によって区画される領域であり得る。
シーリング部材700は、表示パネル100の非表示領域NDAに配置されて平面上、閉曲線形状を形成し、表示領域DPAを囲むように配置される。
上述したとおり、シーリング部材700は、表示領域DPAに配置された発光素子ELを囲み、封止基板500と表示パネル100との間の空間を密封する。
上記空間は、表示装置10の製造工程中に、水分や空気が除去されて真空状態で存在することができ、シーリング部材700は、封止基板500と共に空気または水分等による発光素子ELの損傷を防止する。
支持部材900は、表示領域DPA全面にわたって島型または線型のパターンを形成し得る。
シーリング部材700と支持部材900は、表示パネル100の上面及び封止基板500の下面とそれぞれ接触する。
シーリング部材700は、表示領域DPAを囲むように配置され、表示領域DPAの発光素子ELを保護するために、封止基板500と表示パネル100との間の空間を密封する。
これに加えてシーリング部材700は、表示パネル100と封止基板500を相互接合させる。
一実施形態によれば、表示装置10は、支持部材900をさらに含み、表示領域DPAで表示パネル100と封止基板500との間の接合力を向上させる。
支持部材900は、シーリング部材700と類似に表示パネル100及び封止基板500と直接接触することができ、これらを相互接合させる。
シーリング部材700と支持部材900の断面形状を含んだ具体的な説明は、他の図面を参照して後述する。
一方、表示パネル100の表示領域DPAは、発光素子ELを含む複数の画素PXが配置された領域で、発光素子ELから放射された光が出射される領域である。
ただし、表示装置10は、表示領域DPAの少なくとも一部領域に配置される支持部材900を含み、支持部材900は、発光素子ELが配置されていない領域にのみ配置される。
第1領域AA1は、支持部材900が配置され、発光素子ELまたは発光層OLが配置されない領域であり、第2領域AA2は、支持部材900が配置されない領域で発光素子ELが配置された領域を含む。
第1領域AA1と第2領域AA2は、支持部材900が配置される領域を基準に区分される領域であって、表示領域DPAに配置される複数の画素PXとは無関係に定義される。
これにより、支持部材900は、発光素子ELまたは回路素子と非重畳であるように配置される。
ただし、いくつかの実施形態において、表示装置10は、支持部材900が配置された画素とそうでない画素を含むか、各画素PXの一部領域に支持部材900が配置され得る。
第1タイプ画素PXA及び第2タイプ画素PXBは、表示領域DPAで配列された複数の画素PXのうち、支持部材900が配置されて発光素子ELを含まない画素(例えば、第1タイプ画素PXA)と、支持部材900が配置されず発光素子ELを含む画素(例えば、第2タイプ画素PXB)に区分されて定義される。
第1タイプ画素PXAは、複数の画素PXが含まれた単位画素領域あたり少なくとも一つずつ配置される。
例えば、図7に示すように、単位画素領域(図6のA部分)には9つの画素PXが配置され、単位画素領域(A部分)には一つの第1タイプ画素PXAと8つの第2タイプ画素PXBが配置される。
複数の第1タイプ画素PXAは、複数の単位画素領域(A部分)にそれぞれ配置されて表示領域DPA全面で島型のパターンをなす。
第1タイプ画素PXAが離隔された間隔は一定であり、これらの間には少なくとも一つの第2タイプ画素PXBが位置する。
図7に示した単位画素領域は、本実施形態を説明するために例示した図であり、単位画素領域は、説明の便宜のために定義された領域である。
また、必ずしも9つの画素が配置された領域が単位画素領域として定義されるものではない。
表示パネル100の表示領域DPAは、複数の画素PXが配列され、これらの内のいくつかの画素が支持部材900が配置された第1タイプ画素PXAであり得る。
すなわち、表示パネル100は、支持部材900が配置されて第1タイプ画素PXAと定義された画素を複数含むことができ、その他別の画素は、発光素子ELが配置された第2タイプ画素PXBであり得る。
例えば、第2タイプ画素PXBは、第1色の光を放射する発光素子ELを含む第1サブ画素PX1、第2色の光を放射する発光素子ELを含む第2サブ画素PX2、及び第3色の光を放射する発光素子ELを含む第3サブ画素PX3を含み得る。
例示的な実施形態において、第1色は青色であり、第2色は緑色であり、第3色は赤色であり得るが、これに制限されない。
表示パネル100の表示領域DPAには第1サブ画素PX1、第2サブ画素PX2、及び第3サブ画素PX3が、一方向、及び他方向に配列され、これらは互いに交互に配置される。
例えば、複数の第1サブ画素PX1の間には他のサブ画素(第2サブ画素PX2または第3サブ画素PX3)が少なくとも一つ配置される。
各サブ画素(PX1、PX2、PX3)は、これらが配列された一方向または他方向に沿って連続的には配置されず、同一のサブ画素(PX1、PX2、PX3)は、互いに離隔して配置される。
単位画素領域内に含まれた第1~第3サブ画素(PX1、PX2、PX3)は、いずれかのサブ画素が他のサブ画素より多数に含まれ得、より多数で含まれたサブ画素の内のいずれか一つが第1タイプ画素PXAに代替され得る。
例えば、表示パネル100は、単位画素領域内で第2色を放射する第2サブ画素PX2が、第1サブ画素PX1及び第3サブ画素PX3より多数で含まれ得る。
上述したように、各サブ画素(PX1、PX2、PX3)は、同一のサブ画素と隣り合って配置されず、同一のサブ画素の間には少なくとも一つの他のサブ画素が配置される。
第2サブ画素PX2は、隣り合う第1サブ画素PX1または第3サブ画素PX3と隣り合って配置されるため、第1タイプ画素PXAは、第1サブ画素PX1または第3サブ画素PX3と隣り合って配置される。
ただし、これに制限されず、第1タイプ画素PXAは、第1サブ画素PX1または第3サブ画素PX3が代替されて配置されたものでもあり得る。
すなわち、図5に示した画素PXは、第2タイプ画素PXBの断面の一部を示すものと理解することができる。
一方、第1タイプ画素PXAは、支持部材900を含み、発光素子EL及びこれを駆動するための回路素子を含まないこともあり得る。
支持部材900は、第1タイプ画素PXAと定義された領域内で表示パネル100のベース基板101上に直接配置され、上面の少なくとも一部分は、封止基板500の下面と直接接触する。
支持部材900は、ベース基板101と封止基板500に直接接触することにより、これらを相互接合させる。
支持部材900についてのより詳細な説明は、他の図により、さらに参照される。
図8は、本発明の一実施形態による表示パネル100に含まれた複数の画素PXのうち、第1タイプ画素PXAと第2タイプ画素PXBの一部分を横切る断面を示す。
図9は、図8に示した支持部材900の一部分を拡大して示す。
第2タイプ画素PXBに配置された複数の絶縁層は、第1タイプ画素PXAとの境界で支持部材900と接触するように配置される。
ただし、これに制限されず、第2タイプ画素PXBの絶縁層は、支持部材900と離隔されるように配置することもできる。
支持部材900は、表示パネル100のベース基板101上に直接配置される。
支持部材900は、下面の少なくとも一部分がベース基板101の上面と直接接触し、上面の少なくとも一部分が封止基板500の下面と直接接触する。
いくつかの実施形態において、支持部材900は、シリコン酸化物(Silicon Oxide:SiOx)、シリコン窒化物(Silicon Nitride:SiNx)、シリコン酸窒化物(Silicon Oxy-Nitride:SiOxNy)等のような無機絶縁物質を含むか、ポリイミド(Polyimide,PI)、フォトレジスト(Photoresist:PR)等のような有機絶縁物質の内の少なくともいずれか一つを含み得る。
図では、支持部材900が一つの層からなるものが示しているが、これに制限されない。
支持部材900は、上述した材料を含む複数の層が順次に積層された構造を有することもできる。
一実施形態において、融着パターンFSPは、少なくとも支持部材900と封止基板500が形成する境界に形成される。
例えば、融着パターンFSPは、封止基板500、支持部材900及び表示パネル100にわたって配置される。
融着パターンFSPは、その高さHFが支持部材900の厚さHBより大きく形成され、少なくとも一部分が封止基板500及び表示パネル100のベース基板101内に配置される。
図では、融着パターンFSPが、表示パネル100のベース基板101から支持部材900を経て封止基板500まで延長されて形成されたものを示しているが、これに制限されない。
融着パターンFSPは、シーリング部材700と封止基板500との間の界面接合力を補うために、少なくとも支持部材900と封止基板500の境界にわたって配置される。
例えば、支持部材900が、封止基板500及び表示パネル100のベース基板101と直接接触するように配置される場合、融着パターンFSPは、封止基板500及びベース基板101と支持部材900をなす材料とが混合して形成されたものである。
融着パターンFSPは、支持部材900をなす材料の内の一部が封止基板500及びベース基板101の内部に流入し、封止基板500とベース基板101をなす材料の内の一部が支持部材900内に流入し混合して形成される。
これにより、融着パターンFSPが形成された部分では、支持部材900の上面と封止基板500の下面が接する部分で物理的境界が存在しない。
また、融着パターンFSPが形成された部分では、支持部材900の下面と表示パネル100またはベース基板101の上面が接する部分で物理的境界が存在しない。
図では、支持部材900の幅方向に一つの融着パターンFSPのみを示しているが、これに制限されない。
融着パターンFSPは、支持部材900の幅方向に沿って複数形成することもでき、これらは互いに離隔するよう形成される。
上述したように、支持部材900は、表示パネル100または封止基板500との境界で物理的に接触する部分を含む。
支持部材900は、表示パネル100及び封止基板500と直接接触し、これらが相互接触する領域では物理的な境界が存在する。
例えば、封止基板500の下面と支持部材900の上面、及び表示パネル100のベース基板101の上面と支持部材900の下面との間には物理的な境界が存在する。
融着パターンFSPは、支持部材900、表示パネル100、及び封止基板500間で物理的境界が存在せず融着した領域である。
一実施形態によれば、融着パターンFSPは、支持部材900をなす材料と表示パネル100のベース基板101及び封止基板500をなす材料とが融着した領域である融着領域FAと、融着領域FAを囲んで支持部材900、表示パネル100、及び封止基板500をなす材料が溶融し混合した領域である溶融領域MAを含む。
融着領域FAは、表示装置10の製造工程中、融着パターンFSPを形成するために照射されたパルスレーザ(Pulsed Laser)が生成するプラズマ(Plasma)により支持部材900と封止基板500及び表示パネル100の材料が融着した部分である。
溶融領域MAは、プラズマによって融着領域FAの周辺領域が高温の熱によって溶融してから凝固して形成された領域である。
溶融領域MAにも、支持部材900と封止基板500及び表示パネル100をなす材料とが混合して含まれる。
一実施形態によれば、融着パターンFSPは、融着領域FAと溶融領域MAを含んで、表示パネル100と封止基板500をさらに強い強さで接合させる。
一実施形態によれば、表示パネル100と封止基板500との間で支持部材900にわたって形成された融着パターンFSPは、支持部材900との間に形成された第3境界面CS3、表示パネル100のベース基板101との間に形成された第4境界面CS4、及び封止基板500との間に形成された第5境界面CS5を含む。
第1境界面CS1と第2境界面CS2は、支持部材900と表示パネル100または封止基板500が接触する面であって、物理的に区分される境界である。
第1境界面CS1と第2境界面CS2では、支持部材900をなす材料が表示パネル100または封止基板500に移動しないか、これらをなす材料と混合しない。
支持部材900は、第1境界面CS1と第2境界面CS2でそれぞれ表示パネル100及び封止基板500と接合した状態を維持することができる。
第1境界面CS1の延長された部分のうち、融着パターンFSPが形成された部分には物理的境界が存在しない部分(図9の「NPA」)が形成される。
また、第2境界面CS2の延長された部分、及び表示パネル100またはベース基板101の上面の内の融着パターンFSPが形成された部分にも物理的境界が存在しない領域NPAが形成される。
すなわち、支持部材900と表示パネル100または封止基板500との間の境界面の内の少なくとも一部分には物理的境界が存在せず融着した領域が形成される。
一実施形態によれば、第1境界面CS1及び第2境界面CS2とは異なり、融着パターンFSPの第3境界面CS3~第5境界面CS5は、物理的境界ではなく位置による成分差が存在する領域間の境界である。
融着パターンFSPは、表示パネル100のベース基板101、封止基板500、及びシーリング部材700の材料が互いに混合して形成される。
融着パターンFSPには、ベース基板101、シーリング部材700、及び封止基板500の材料が全て含まれて混合することにより、融着パターンFSPでは前記材料が全て検出される。
例えば、支持部材900を構成する第1成分である絶縁物質の成分と、ベース基板101と封止基板500の第2成分であるガラス成分は、それぞれ融着パターンFSPから混合した状態で検出される。
一方、支持部材900は、絶縁物質成分のみが検出され、ベース基板101と封止基板500にはガラス成分のみが検出されるため、融着パターンFSPの第3境界面CS3~第5境界面CS5では、物理的境界ではないが成分差による境界が存在する。
これと類似して、融着パターンFSPは、第4境界面CS4を基準として支持部材900の第1成分がベース基板101よりさらに多くの含量で含まれ、第5境界面CS5を基準として支持部材900の第1成分が封止基板500よりさらに多くの含量で含まれる。
ただし、第3境界面CS3~第5境界面CS5を基準として、ベース基板101、支持部材900、封止基板500と融着パターンFSPには、共通した成分を含むことにより物理的境界は存在しない。
後述するように、パルスレーザは、レーザの焦点が表示パネル100の内部に位置するように設定され、表示パネル100及び封止基板500と支持部材900の境界で材料の混合が発生する。
ただし、これに制限されない。
表示装置10の表示領域DPAに配置される融着パターンFSPは、パルスレーザが照射される位置によってその形状及び配置が多様に変形し得る。
表示装置10は、少なくとも封止基板500と支持部材900の境界にわたって配置される融着パターンFSPを含んで、封止基板500と表示パネル100間の接合力を向上させることができる。
例えば、融着パターンFSPは、支持部材900と重畳する部分が、融着パターンFSPが延長された方向の両端部より大きい幅を有する。
また、融着パターンFSPの融着領域FAは、表示パネル100と重畳する第1部分、シーリング部材700と重畳する第2部分、及び封止基板500と重畳する第3部分を含み、第3部分の最大幅は、第1部分及び第2部分の最大幅より大きくなる。
また、第2部分の最大幅は、第1部分の最大幅より大きくなる。
融着領域FAの第1部分は、第2部分よりレーザの焦点とさらに隣接して位置するため、第1部分は側面が傾斜するように形成されて第2部分と接続される。
第2部分は、表示パネル100の上面が延長された部分で物理的境界が存在しない領域NPAが最大幅を有する。
第3部分の最大幅は、融着領域FAの最大幅であり、第3部分は、第2部分よりレーザの焦点より離隔して位置するため、第3部分の最大幅が第2部分の最大幅より大きくなる。
支持部材900の厚さHSは、表示パネル100と封止基板500との間の間隔によって調節され、支持部材900の幅WSは、各画素PXの大きさ及び単位面積によって変わる。
例示的な実施形態において、支持部材900の厚さHSは、5μm~10μm、または5μm前後の範囲を有し得、支持部材900の幅WS、または各画素PXの幅は、20μm~30μm、または25μm前後の範囲を有し得る。
融着パターンFSPは、表示パネル100のベース基板101から封止基板500まで延長され得る程度の高さHFと、支持部材900内に形成され得る程度の最大幅WFを有し得る。
例示的な実施形態において、融着パターンFSPの高さHFは、10μm~20μm、または12μm~18μmの範囲を有し得る。
融着パターンFSPの最大幅WFは、8μm~12μm、または9μm~11μm、好ましくは10μm前後の範囲を有し得る。
ただし、これは表示パネル100と封止基板500との間の間隔、または支持部材900の材料や厚さ等によって変わる。
上述した融着パターンFSPの大きさは、例示的な数値範囲であり、本実施形態はこれに制限されない。
図10は、表示パネル100の非表示領域NDAの内、表示領域DPAの第1方向DR1に位置した部分の断面であり、シーリング部材700が配置された部分を横切る断面を示す。
図10を参照すると、シーリング部材700は、表示パネル100の非表示領域NDAでベース基板101と封止基板500との間に配置される。
一実施形態によれば、シーリング部材700の少なくとも一部は、ベース基板101の上面及び封止基板500の下面が直接接触し、表示装置10の表示パネル100と封止基板500は、シーリング部材700によって相互結合される。
ただし、これに制限されない。
いくつかの実施形態において、表示装置10は、シーリング部材700が封止基板500または表示パネル100と形成する境界に配置された融着パターンFSPをさらに含み、表示パネル100と封止基板500との間の接合力がさらに向上する。
これについての説明は、他の実施形態によって参照する。
いくつかの実施形態において、シーリング部材700は、幅が10μm~100μmの範囲を有し得る。
支持部材900は、融着パターンFSPが形成される空間を確保するために、融着パターンFSPの幅WFより大きい範囲内で最小限の幅を有する。
ただし、これに制限されない。
例えば、融着パターンFSPが支持部材900と重畳する部分では、支持部材900に比べて封止基板500をなす材料をさらに含むことにより支持部材900と異なる屈折率を有する。
一実施形態によれば、支持部材900は、封止基板500、表示パネル100、及び支持部材900が融着して形成されることにより、支持部材900と屈折率が変わり、発光素子ELから放射された光の出光効率を向上させることができる。
図11は、表示装置10の表示領域DPAと非表示領域NDAを横切る断面を概略的に示す。
図11を参照すると、表示装置10は、表示領域DPAに複数の発光素子ELを含むセルCLと、表示パネル100及び封止基板500を相互接合する支持部材900を含む。
第2タイプ画素PXBの発光素子ELから放射された光は、通常、表示パネル100の上面、または封止基板500に向かって進む(図11の「L1」)。
ただし、これらの内の少なくとも一部は、表示パネル100の上部方向に向かわず、側面方向に向かい得る。
単位画素領域には、複数の第2タイプ画素PXBと、少なくとも一つの第1タイプ画素PXAが配置される。
すなわち、単位画素領域には少なくとも一つの支持部材900が含まれる。
一実施形態によれば、支持部材900は、少なくとも封止基板500と支持部材900が融着してこれらをなす材料が混合して形成された融着パターンFSPを含み、融着パターンFSPは、支持部材900と異なる屈折率を有する。
支持部材900に向かって入射した光は、無機または有機絶縁物質からなる支持部材900を介して融着パターンFSPの第3境界面CS3に入射される。
一実施形態において、融着パターンFSPは、支持部材900より低い屈折率を有し、支持部材900を介して融着パターンFSPに入射した光は、第3境界面CS3で全反射される。
全反射された光は、支持部材900内で反射して封止基板500を介して出射される。
表示装置10は、支持部材900と重畳するように形成される融着パターンFSPを含み、発光素子ELから放射される光の出光効率を向上させることができる。
特に、表示領域DPAには、少なくとも封止基板500と支持部材900が融着して形成される融着パターンFSPが配置され、支持部材900と封止基板500間の界面で外部衝撃に対する耐久性が向上する。
一実施形態によれば、表示装置10は、シーリング部材700に加えて、少なくとも封止基板500との境界で融着パターンFSPが配置された支持部材900を含んで、表示パネル100と封止基板500間の接合力が向上する。
表示装置10は、外部衝撃に対する耐久性が向上し、支持部材900を介した発光素子ELの出光効率が改善される。
図12~図14は、本発明の一実施形態による表示装置の製造工程を説明するための断面図である。
まず、図12を参照すると、複数の画素PX及び支持部材900を含む表示パネル100を準備する。
支持部材900を形成する工程は、無機絶縁物質または有機絶縁物質を形成する通常の工程によって行われる。
いくつかの実施形態において、支持部材900は、無機絶縁物質を含む場合、スパッタリング(Sputtering)、化学気相蒸着法(Chemical vapor deposition:CVD)、等の工程によって形成することができ、有機絶縁物質を含む場合、フォトレジスト(Photoresist:PR)またはインクジェット(Inkjet)工程等によって形成され得る。
ただし、これに制限されない。
または、場合によっては、支持部材900を先に形成した後、他の領域に第2タイプ画素PXBを形成する工程を行うこともできる。
これについての詳しい説明は省略する。
その他、各画素PXに含まれる複数の絶縁層、半導体層、及び複数の導電層は、本技術分野で通常的に採用され得る工程によって形成される。
以下では、表示装置10に含まれる部材の形成順序や配置について重点的に説明し、これらを形成する工程についての説明は省略する。
シーリング部材700は、表示パネル100の非表示領域NDAに配置され、支持部材900は表示領域DPAに配置される。
シーリング部材700と支持部材900は、それぞれ表示パネル100またはベース基板101、及び封止基板500と直接接触する。
シーリング部材700は、表示パネル100の一面上に直接配置された後、封止基板500と表示パネル100を合着するが、これに制限されない。
いくつかの実施形態において、シーリング部材700は、封止基板500の一面上に形成された後、表示パネル100と封止基板500の合着工程が行われ得る。
いくつかの実施形態において、シーリング部材700は、フリット結晶を表示パネル100または封止基板500の一面上に準備した後、これを乾燥及び焼成して形成する。
フリット結晶は、選択的に添加剤が添加されたパウダー形態のガラスである。
上述したように、シーリング部材700は、フリットを含むことができ、フリット結晶は溶融硬化してガラス特性を有する構造体を形成してシーリング部材700を形成する。
本段階で、表示パネル100と封止基板500との間の空間に存在した水分及び空気が除去され、封止基板500とシーリング部材700は上記空間を密封する。
パルスレーザは、少なくとも支持部材900に照射され、表示パネル100と封止基板500との間で支持部材900にわたって配置される融着パターンFSPを形成する。
例えば、パルスレーザは、表示パネル100のベース基板101、支持部材900及び封止基板500に照射される。
一実施形態によれば、支持部材900は、光が透過し得る透明な材質からなる。
支持部材900は、パルスレーザが封止基板500及び表示パネル100にわたって照射されるように光が透過し得る材料を含み得る。
パルスレーザは、封止基板500の上面、または表示パネル100の下面から照射されてシーリング部材700を透過して封止基板500または表示パネル100に到達し、シーリング部材700と表示パネル100及び封止基板500を融着する。
例えば、パルスレーザは、レーザの焦点FPLが、表示パネル100の上面と離隔した間隔が、0.1μm~200μmの範囲を有するように設定される。
上述したように、パルスレーザによって形成される融着パターンFSPは、レーザの焦点FPLから遠ざかるほど幅が増加する形状を有する融着領域FAを含む。
いくつかの実施形態において、パルスレーザは、10fs(femto-sec.)~50ps(pico-sec)の間、1kHz~10MHzの周波数で照射し、0.1μJ以上のエネルギを有する。
表示領域DPAで、第2タイプ画素PXBに含まれた発光素子ELが損傷しないように、パルスレーザは、第1タイプ画素PXA、または支持部材900が位置する領域に選択的に照射される。
一実施形態による表示装置10は、表示パネル100と封止基板500との間に配置されたシーリング部材700及び支持部材900と、少なくとも一部分が支持部材900及び封止基板500にわたって配置される融着パターンFSPを含んで、表示パネル100と封止基板500の接合力を向上させ、表示装置10の外部衝撃に対する耐久性を改善させる。
図15は、本発明の他の実施形態による表示装置の一部分を示す断面図であり、図16は、本発明の他の実施形態による表示装置に第2融着パターンが配置されることを示す平面図である。
図15及び図16を参照すると、本発明の一実施形態による表示装置(10_1)は、表示領域DPAで支持部材900にわたって配置された融着パターンFSPに加え、非表示領域NDAでシーリング部材700にわたって配置された第2融着パターンFSP2をさらに含む。
図15及び図16に示す実施形態は、表示装置(10_1)が第2融着パターンFSP2をさらに含む点で図10の実施形態とは相違する。
以下、重複する説明は省略して相違点を中心に説明する。
これに制限されず、表示装置(10_1)の製造工程中、シーリング部材700にもパルスレーザを照射することができ、表示装置(10_1)は、シーリング部材700と封止基板500及び表示パネル100のベース基板101が融着して形成される第2融着パターンFSP2をさらに含む。
表示装置(10_1)は、第1融着パターンに加えて第2融着パターンFSP2をさらに含み、表示装置(10_1)の外部衝撃に対する耐久性をさらに改善する。
ただし、第2融着パターンFSP2は、シーリング部材700と封止基板500またはベース基板101が融着して形成されるものであって、これらをなす材料が混合した点で相違する。
すなわち、一実施形態によれば、第2融着パターンFSP2は、封止基板500またはベース基板101をなす材料に加えてシーリング部材700をなすフリット成分を含む。
表示装置(10_1)の製造工程中、支持部材900に加えてシーリング部材700にもパルスレーザが照射され、シーリング部材700と、ベース基板101及び封止基板500は融着して第2融着パターンFSP2が形成される。
シーリング部材700は、表示領域DPAを囲むように閉曲線形状に形成し、表示パネル100の第1方向DR1に延長された短辺、及び第2方向DR2に延長された長辺に対応して第1延長部、及び第2延長部を含む。
シーリング部材700は、第1延長部と第2延長部とが接するコーナー部が曲率を持つよう形成された第1コーナー部を含んで、表示領域DPAを囲むように閉曲線形状を形成することができる。
支持部材900に対応して表示領域DPAで互いに離隔して島型のパターンを形成する第1融着パターンとは異なり、第2融着パターンFSP2は、シーリング部材700に沿って配置される。
すなわち、一実施形態によれば、第2融着パターンFSP2は、平面上、表示領域DPAを囲んで閉曲線形状を形成するように配置される。
第2融着パターンFSP2は、その幅WFSがシーリング部材700の幅より小さく形成され、平面上、シーリング部材700の内部でこれに沿って配置される。
表示装置(10_1)は、第2融着パターンFSP2がシーリング部材700の配置に沿って閉曲線形状を描いて配置されることにより、表示パネル100と封止基板500との間の接合力を向上させる。
また、第2融着パターンFSP2を含んで、シーリング部材700の接合力をさらに向上させるため、シーリング部材700が狭い幅を有することができ、非表示領域NDAの面積を最小化することができる。
また、いくつかの実施形態において、第2融着パターンFSP2は、少なくともシーリング部材700の第1コーナー部に沿って形成され得る。
表示パネル100と封止基板500を相互結合するシーリング部材700は、第1延長部及び第2延長部が接する第1コーナー部に第2融着パターンFSP2が形成されることによって、比較的接合力が弱い第1コーナー部で耐久性をさらに向上させることができる。
支持部材900は、発光素子ELまたは発光層OLと非重畳であるように配置することができ、必ずしも互いに異なるタイプの画素(PXA、PXB)に区分されて特定タイプの画素(例えば第1タイプ画素PXA)にのみ配置されるものでもない。
一実施形態によれば、表示パネル100の各画素PXは、発光素子ELが配置された発光領域EMAと、発光素子ELが配置されていない非発光領域NEAを含むことができ、支持部材900は、各画素PXの非発光領域NEAに配置され得る。
図20は、隣り合う2つの画素PXを横切る断面を示す。
図17~図20を参照すると、本発明の他の実施形態による表示装置(10_2)の表示パネル100は、各画素PXが発光領域EMAと非発光領域NEAを含み、支持部材(900_2)は、各画素PXの非発光領域NEAに配置される。
この場合、各画素PXの非発光領域NEAは、支持部材(900_2)が配置された第1領域AA1であり、発光領域EMAは第2領域AA2である。
表示装置(10_2)は、同一タイプの画素PXとして、互いに異なった色の光を放射するサブ画素を含む。
表示装置(10_2)は、非発光領域NEA(または第1領域AA1)、及び発光領域EMA(または第2領域AA2)を含む第1サブ画素PX1、第2サブ画素PX2、及び第3サブ画素PX3を含む。
これらは、それぞれ発光素子EL及び支持部材(900_2)を含み、発光素子ELの発光層OLの種類が相違する。
図20は、第1サブ画素PX1及び第2サブ画素PX2を横切る断面を示している。
また、各画素PXごとに支持部材(900_2)を含み、単位画素領域内に複数の支持部材(900_2)が均一な間隔で離隔配置される。
支持部材(900_2)は、各画素PXの非発光領域NEA内に配置され、複数の支持部材(900_2)の間には少なくとも一つの発光領域EMAが配置される。
上述したように、融着パターンFSPは、幅が10μm前後の範囲を有し、各画素PXの幅は、25μm前後の範囲を有する。
いくつかの実施形態において、支持部材900は、各画素PX内に含まれるように小さな幅を有するが、融着パターンFSPが形成され得る程度の範囲を有する。
この場合、各画素PXは、発光素子ELが配置される領域と支持部材900が配置される領域を含む。
非発光領域NEAの少なくとも一部分には発光素子ELを駆動するための回路素子が配置される。
発光領域EMAと非発光領域NEAは、発光素子ELまたは発光層OLの配置または位置によって定義される領域であって、場合によって画素定義膜109の開口領域によって区分することもできる。
すなわち、発光領域EMAは、画素定義膜109の開口部が配置された開口領域であり、非発光領域NEAは、画素定義膜109が配置された非開口領域でもあり得る。
また、支持部材(900_2)は、各画素PXに含まれた回路素子、例えば複数の配線及びトランジスタと非重畳である。
支持部材(900_2)は、上述したようにベース基板101及び封止基板500と直接接触する。
融着パターンFSPは、少なくとも支持部材(900_2)と封止基板500との間に配置され、場合によって、封止基板500からベース基板101まで延長されて配置される。
融着パターンFSPの形状及び配置に関する説明は、上述したものと同一であるため、詳しい説明は省略する。
表示装置(10_2)は、各画素PXごとに支持部材(900_2)が配置され、表示領域DPAに、全面にわたってさらに多くの支持部材(900_2)及び融着パターンFSPが配置される。
したがって、表示装置(10_2)は、表示パネル100と封止基板500との間の接合力をさらに向上させ、表示装置(10_2)の外部衝撃に対する耐久性がさらに改善される。
図21を参照すると、表示装置(10_3)は、支持部材(900_3)が、複数の層が順次に積層された構造を有する。
支持部材(900_3)は、無機絶縁物質または有機絶縁物質からなることができるが、いくつかの実施形態において、支持部材(900_3)は、無機絶縁物質または有機絶縁物質からなる複数の絶縁層ILが積層された構造を有する。
例示的な実施形態において、支持部材(900_3)は、シリコン酸化物(SiOx)、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸窒化物(SiON)の内の一つ以上の無機物、またはフォトレジスト(PR)やポリイミド(PI)のような有機物を含む層が交互に積層された多重膜に形成される。
ただし、これに制限されない。
図21に示す実施形態は、支持部材(900_3)が複数の絶縁層ILが積層された構造を有する点で図8の実施形態と相違する。
以下、重複する説明は省略する。
表示装置(10_3)は、支持部材(900_3)またはシーリング部材700と封止基板500との間の界面接合力が多少脆弱であり得、これを補うために選択的に融着パターンFSPを形成されることもできる。いくつかの実施形態によれば、表示装置(10_3)は、支持部材(900_3)と封止基板500または表示パネル100との間の界面にのみ融着パターンFSPが配置される。
図22を参照すると、本発明のさらに他の実施形態による表示装置(10_4)は、融着パターン(FSP_4)が、支持部材(900_4)と封止基板500の界面にわたって配置される。
支持部材(900_4)の下面と表示パネル100の上面が接する界面では、物理的境界が存在する一方、支持部材(900_4)の上面と封止基板500の下面が接する界面では融着パターン(FSP_4)が配置されて部分的に物理的界面が存在しない部分を含む。
この場合、融着パターン(FSP_4)は、支持部材(900_4)と封止基板500が融着して形成されることにより、これらをなす材料が混合して形成される。
図22に示す実施形態では、融着パターン(FSP_4)が支持部材(900_4)と封止基板500の界面でのみ配置される点で図8に示す実施形態と相違する。
以下、重複する説明は省略して相違点を中心に説明する。
例えば、レーザの焦点FPLが支持部材(900_4)内に設定され、封止基板500の上面からパルスレーザが照射される場合、融着パターン(FSP_4)は、支持部材(900_4)と封止基板500との間にのみ形成される。
上述したように、封止基板500と支持部材(900_4)、またはシーリング部材700との間の界面接合力が脆弱であり得、表示装置(10_4)は、外部衝撃に対して封止基板500とシーリング部材700との間の欠陥が発生する可能性が大きくなる。
融着パターン(FSP_4)は、パルスレーザを照射する工程によって形成されるため、レーザの焦点FPLが支持部材(900_4)内に位置するように設定され、封止基板500の上面からレーザが照射される場合、表示パネル100に含まれた回路素子及び発光素子ELの損傷を防止する。
この場合、第2融着パターンFSP2は、シーリング部材700と封止基板500が融着して形成されることにより、これらをなす材料が混合して形成される。
シーリング部材700の下面は、表示パネル100、またはベース基板101の上面と物理的境界を形成することができ、シーリング部材700の上面の内の一部は、第2融着パターンFSP2が形成され、封止基板500との境界で物理的境界が存在しない。
これについての説明は上述したものと同一である。
これらそれぞれは、表示装置(10_5)の厚さ方向に離隔して配置される。
図23に示す実施形態は、支持部材(900_5)と表示パネル100との間の境界に形成された融着パターン(FSP_5)をさらに含む点で図22に示す実施形態とは相違する。
その他、重複する説明は省略する。
100 表示パネル
101 ベース基板
102 バッファー層
103 ゲート絶縁層
105 層間絶縁層
107 保護層
108 平坦化層
109 画素定義膜
110 第1スキャン駆動部
120 第2スキャン駆動部
200 表示駆動部
300 表示回路ボード
500 封止基板
700 シーリング部材
900、900_2~900_5 支持部材
DPA 表示領域
FA 融着領域
FSP、FSP_4、FSP_5 融着パターン
FSP2 第2融着パターン
MA 溶融領域
NDA 非表示領域
OL 発光層
PX 画素
PXA 第1タイプ画素
PXB 第2タイプ画素
Claims (19)
- 複数の発光素子が配置される表示領域と、前記表示領域を囲む非表示領域と、を含む表示パネルと、
前記表示パネル上に離隔して配置される封止基板と、
前記非表示領域で、前記表示パネルと前記封止基板との間に配置されて前記表示パネルと前記封止基板とを結合させるシーリング部材と、
前記表示領域で、前記表示パネルと前記封止基板との間に配置される複数の支持部材と、
少なくとも一部分が前記支持部材と前記封止基板に重畳するように配置される第1融着パターンと、を有し、
前記表示領域は、前記支持部材及び前記第1融着パターンが配置される第1領域と、前記支持部材が配置されていない第2領域と、を含み、
前記発光素子は、前記第2領域中の少なくとも一部領域に配置され、
前記表示パネルは、ベース基板をさらに含み、
前記支持部材は、前記ベース基板の上面及び前記封止基板の下面と直接接触することを特徴とする表示装置。 - 前記表示パネルは、前記表示領域に配置される複数の画素を含み、
前記画素の内の少なくとも一部は、前記発光素子を含み、
前記支持部材は、前記発光素子と非重畳であるように配置されることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記画素は、前記支持部材が配置される第1タイプ画素と、前記支持部材が配置されず前記発光素子を含む第2タイプ画素と、を含むことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
- 前記画素は、前記発光素子が配置される発光領域と、前記発光素子が配置されず前記支持部材が配置される非発光領域と、を含むことを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
- 前記第1融着パターンは、前記封止基板から前記ベース基板まで延長されて、少なくとも一部分が前記ベース基板と重畳するように配置されることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記第1融着パターンは、前記支持部材、前記封止基板、及び前記ベース基板をなす材料の混合によって形成されることを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
- 前記第1融着パターンは、前記ベース基板、前記支持部材、及び前記封止基板が部分的に融着した融着領域と、前記融着領域を囲むように配置される溶融領域と、を含むことを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
- 前記第1融着パターンの内形的な部分である融着領域は、前記ベース基板から前記封止基板に行くほど幅が大きくなることを特徴とする請求項7に記載の表示装置。
- 前記支持部材は、前記ベース基板と接触する第1境界面と、前記封止基板と接触する第2境界面と、を含み、
前記第1境界面及び前記第2境界面の延長線の内、前記第1融着パターンが形成される部分には、物理的境界が存在しないことを特徴とする請求項5に記載の表示装置。 - 前記第1融着パターンは、前記表示パネルと重畳する第1部分と、前記支持部材と接触する第2部分と、前記封止基板と重畳する第3部分と、を含み、
前記第2部分と前記支持部材との間の第3境界面と、前記第1部分と前記表示パネルとの間の第4境界面と、前記第3部分と前記封止基板との間の第5境界面と、をさらに含むことを特徴とする請求項9に記載の表示装置。 - 前記第1融着パターンは、前記支持部材と異なる屈折率を有することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 少なくとも一部分が前記シーリング部材と前記封止基板に重畳するように配置される第2融着パターンをさらに有することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記シーリング部材及び前記第2融着パターンは、前記非表示領域に配置され、前記表示領域を囲むように配置されることを特徴とする請求項12に記載の表示装置。
- ベース基板と、前記ベース基板上に配置される複数の画素と、を含む表示パネルと、
前記表示パネルと離隔対向するように配置される封止基板と、
前記ベース基板と前記封止基板との間に配置される複数の支持部材と、
前記支持部材、前記ベース基板、及び前記封止基板にわたって配置される第1融着パターンと、を有し、
前記画素は、前記支持部材が配置される第1タイプ画素と、前記支持部材が配置されず発光素子を含む第2タイプ画素と、を含むことを特徴とする表示装置。 - 前記第1タイプ画素は、前記発光素子を含まず、
前記支持部材は、前記ベース基板の上面及び前記封止基板の下面と直接接触することを特徴とする請求項14に記載の表示装置。 - 前記支持部材は、前記ベース基板と接触する第1境界面と、前記封止基板と接触する第2境界面と、を含み、
前記第1境界面及び前記第2境界面の延長線の内、前記第1融着パターンが形成される部分には物理的境界が存在しないことを特徴とする請求項15に記載の表示装置。 - 前記第2タイプ画素は、第1色の光を放出する第1サブ画素と、前記第1色と異なる第2色の光を放出する第2サブ画素と、を含むことを特徴とする請求項15に記載の表示装置。
- 前記表示パネルは、前記複数の画素が配置される表示領域と、前記表示領域を囲む非表示領域と、を含み、
前記非表示領域で前記表示領域を囲むように配置されて前記封止基板と前記表示パネルを相互接合させるシーリング部材をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載の表示装置。 - 前記支持部材、前記ベース基板、及び前記封止基板にわたって配置される第2融着パターンをさらに有し、
前記第2融着パターンは、閉曲線形状を有するように前記表示領域を取り囲むことを特徴とする請求項18に記載の表示装置。
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