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JP7620378B2 - Wafer Processing Method - Google Patents

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Description

本発明は、ウェーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing method.

デバイスチップの製造工程では、格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）によって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域を表面側に備えるウェーハが用いられる。このウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスをそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。デバイスチップは、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の様々な電子機器に組み込まれる。 In the device chip manufacturing process, a wafer is used that has device regions on its surface, with devices formed in each of the multiple regions partitioned by multiple planned division lines (streets) arranged in a grid pattern. By dividing this wafer along the planned division lines, multiple device chips, each equipped with a device, are obtained. The device chips are incorporated into various electronic devices such as mobile phones and personal computers.

近年では、電子機器の小型化に伴い、デバイスチップに薄型化が求められている。そこで、ウェーハの分割前にウェーハを薄化する処理が施されることがある。ウェーハの薄化には、被加工物を保持するチャックテーブルと、複数の研削砥石を有する研削ホイールが装着される研削ユニットとを備える研削装置が用いられる。チャックテーブルによってウェーハを保持し、チャックテーブルと研削ホイールとをそれぞれ回転させつつ研削砥石をウェーハの裏面側に接触させることにより、ウェーハが研削され、薄化される。 In recent years, with the miniaturization of electronic devices, there is a demand for thinner device chips. Therefore, a process to thin the wafer is sometimes performed before the wafer is divided. To thin the wafer, a grinding device is used that includes a chuck table for holding the workpiece and a grinding unit to which a grinding wheel having multiple grinding stones is attached. The wafer is held by the chuck table, and the grinding stones are brought into contact with the back side of the wafer while the chuck table and grinding wheel are both rotated, thereby grinding and thinning the wafer.

ウェーハを研削して薄化すると、ウェーハの剛性が低下し、研削後のウェーハの取り扱い（搬送等）の際にウェーハが破損しやすくなる。そこで、ウェーハの裏面側のうちデバイス領域と重なる領域のみを研削して薄化する手法が提案されている（特許文献１参照）。この手法を用いると、ウェーハの中央部が薄化されて凹部が形成される一方で、ウェーハの外周部は薄化されずに厚い状態に維持され、環状の補強部として残存する。これにより、研削後のウェーハの剛性の低下が抑制される。 When a wafer is ground to thin it, its rigidity decreases, making it more susceptible to damage when it is handled (transported, etc.) after grinding. Therefore, a method has been proposed in which only the area of the back side of the wafer that overlaps with the device area is ground to thin it (see Patent Document 1). With this method, the center of the wafer is thinned to form a recess, while the outer periphery of the wafer is not thinned and remains thick, remaining as an annular reinforcing part. This prevents the rigidity of the wafer from decreasing after grinding.

薄化されたウェーハは、環状の切削ブレードで被加工物を切削する切削装置等を用いて、最終的に複数のデバイスチップに分割される。このときウェーハは、外周部に残存する環状の補強部が除去された後、分割予定ラインに沿って切断される。例えば特許文献２には、ウェーハの外周部を切削ブレードで環状に切削してデバイス領域と補強部（環状凸部）とを分離した後、複数の爪を備える爪アセンブリによって補強部を持ち上げて除去する手法が開示されている。 The thinned wafer is finally divided into multiple device chips using a cutting device that cuts the workpiece with an annular cutting blade. At this time, the wafer is cut along the planned division line after the annular reinforcing portion remaining on the outer periphery is removed. For example, Patent Document 2 discloses a method in which the outer periphery of the wafer is cut into an annular shape with a cutting blade to separate the device region and the reinforcing portion (annular protrusion), and then the reinforcing portion is lifted and removed by a claw assembly equipped with multiple claws.

特開２００７－１９３７９号公報JP 2007-19379 A 特開２０１１－６１１３７号公報JP 2011-61137 A

上記のように、ウェーハの外周部に残存する環状の補強部は、ウェーハの加工プロセスにおいてウェーハから分離され、除去される。しかしながら、補強部がウェーハから分離された直後において、補強部は、薄化されて剛性が低下した状態のウェーハの中央部（デバイス領域）を囲むように、デバイス領域に近接して配置されている。そのため、補強部を除去する際に、誤って環状の補強部がデバイス領域に接触し、デバイス領域が損傷するおそれがある。 As described above, the annular reinforcing portion remaining on the outer periphery of the wafer is separated and removed from the wafer during the wafer processing. However, immediately after the reinforcing portion is separated from the wafer, the reinforcing portion is positioned close to the device region so as to surround the central portion (device region) of the wafer, which has been thinned and has reduced rigidity. Therefore, when removing the reinforcing portion, there is a risk that the annular reinforcing portion may accidentally come into contact with the device region, causing damage to the device region.

従って、補強部を適切に除去するためには、補強部がデバイス領域に干渉しないように、補強部を慎重に保持し、且つ、補強部の揺れや位置ずれが生じないように補強部を持ち上げる作業が必要となる。その結果、補強部の除去に用いられる機構（爪アセンブリ等）の構造が複雑化してコストが増大する。また、補強部の除去に要する作業時間が長くなり、作業効率が低下する。 Therefore, in order to properly remove the reinforcement portion, it is necessary to hold the reinforcement portion carefully so that it does not interfere with the device area, and to lift the reinforcement portion without causing the reinforcement portion to shake or shift out of position. As a result, the structure of the mechanism (claw assembly, etc.) used to remove the reinforcement portion becomes complicated, increasing costs. In addition, the work time required to remove the reinforcement portion becomes longer, reducing work efficiency.

本発明は、かかる問題に鑑みてなされたものであり、ウェーハの外周部に残存する補強部を簡易に除去可能なウェーハの加工方法を提供することを目的とする。 The present invention was made in consideration of such problems, and aims to provide a wafer processing method that can easily remove the reinforcing portion remaining on the outer periphery of the wafer.

本発明の一態様によれば、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域を表面側に備え、該デバイス領域に対応する領域に形成された凹部を裏面側に備え、該デバイス領域及び該凹部を囲む環状の補強部を外周部に備えるウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの裏面側に粘着テープを該凹部及び該補強部に沿って貼着するテープ貼着工程と、第１チャックテーブルによって該凹部の底面を、該粘着テープを介して保持する保持工程と、切削ブレードによって該ウェーハを該分割予定ラインに沿って切削することにより、該デバイス領域を複数のデバイスチップに分割するとともに、該補強部に切削溝を形成する切削工程と、該補強部に外力を付与することにより、該切削溝を起点として該補強部を分割する分割工程と、該ウェーハの外側に位置する所定の噴射位置から該補強部に向かって流体を噴射することにより、分割された該補強部を該噴射位置とは反対側に向かって飛散させて除去する除去工程と、を備え、該除去工程では、該流体を該ウェーハの外周縁の接線方向に沿って噴射するウェーハの加工方法が提供される。また、本発明の他の一態様によれば、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域を表面側に備え、該デバイス領域に対応する領域に形成された凹部を裏面側に備え、該デバイス領域及び該凹部を囲む環状の補強部を外周部に備えるウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、該ウェーハの裏面側に粘着テープを該凹部及び該補強部に沿って貼着するテープ貼着工程と、第１チャックテーブルによって該凹部の底面を、該粘着テープを介して保持する保持工程と、切削ブレードによって該ウェーハを該分割予定ラインに沿って切削することにより、該デバイス領域を複数のデバイスチップに分割するとともに、該補強部に切削溝を形成する切削工程と、該補強部に外力を付与することにより、該切削溝を起点として該補強部を分割する分割工程と、該ウェーハの外側に位置する所定の噴射位置から該補強部に向かって流体を噴射することにより、分割された該補強部を該噴射位置とは反対側に向かって飛散させて除去する除去工程と、を備え、該除去工程では、該ウェーハの該補強部を挟むようにノズルと回収機構とが配置された状態で、該ノズルから該補強部に向かって該流体を噴射することにより、分割された該補強部を該回収機構に向かって飛散させて該回収機構によって回収するウェーハの加工方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, there is provided a wafer processing method for processing a wafer having a surface side including device regions in which devices are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of planned division lines arranged in a lattice pattern so as to intersect with each other, a back side including recesses formed in regions corresponding to the device regions, and an annular reinforcing portion surrounding the device regions and the recesses on an outer periphery, the method comprising the steps of: a tape application step of applying an adhesive tape to the back side of the wafer along the recesses and the reinforcing portion; a holding step of holding the bottom surface of the recesses via the adhesive tape using a first chuck table; and a cutting blade. a cutting step of cutting the wafer along the planned division lines to divide the device region into a plurality of device chips and form cut grooves in the reinforcing portion; a dividing step of dividing the reinforcing portion from the cut groove as a starting point by applying an external force to the reinforcing portion; and a removing step of spraying a fluid toward the reinforcing portion from a predetermined spraying position located outside the wafer, thereby scattering and removing the divided reinforcing portion in the direction opposite to the spraying position , wherein in the removing step, the fluid is sprayed along a tangential direction of the outer circumferential edge of the wafer . According to another aspect of the present invention, there is provided a wafer processing method for processing a wafer having a surface side with device regions in which devices are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of planned dividing lines arranged in a lattice pattern so as to intersect with each other, a back side with recesses formed in regions corresponding to the device regions, and an annular reinforcing portion surrounding the device regions and the recesses on an outer periphery, the method including a tape applying step of applying an adhesive tape to the back side of the wafer along the recesses and the reinforcing portion, a holding step of holding a bottom surface of the recesses via the adhesive tape by a first chuck table, and cutting the wafer along the planned dividing lines by a cutting blade to form the devices. The present invention provides a wafer processing method comprising: a cutting step for dividing a region into a plurality of device chips and forming a cutting groove in the reinforcing portion; a dividing step for dividing the reinforcing portion starting from the cutting groove by applying an external force to the reinforcing portion; and a removing step for spraying a fluid toward the reinforcing portion from a predetermined spraying position located outside the wafer, thereby scattering the divided reinforcing portion in the direction opposite to the spraying position, wherein a nozzle and a recovery mechanism are arranged to sandwich the reinforcing portion of the wafer, and the fluid is sprayed from the nozzle toward the reinforcing portion, causing the divided reinforcing portion to be scattered toward the recovery mechanism and recovered by the recovery mechanism in the removing step.

なお、好ましくは、該分割工程では、該ウェーハの該補強部に対応する位置に凹凸を有する第２チャックテーブルによって該ウェーハを支持した状態で、該粘着テープを該第２チャックテーブルによって吸引することにより、該粘着テープを該凹凸に沿って配置して該補強部を分割する。 Preferably , in the dividing step, the wafer is supported by a second chuck table having an uneven surface at a position corresponding to the reinforcing portion of the wafer, and the adhesive tape is sucked by the second chuck table, thereby positioning the adhesive tape along the uneven surface to divide the reinforcing portion .

本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、切削工程においてデバイス領域が複数のデバイスチップに分割されるとともに、補強部に切削溝が形成される。そして、分割工程において、補強部に外力が付与され、補強部が切削溝を起点として分割される。これにより、分割された補強部に流体を噴射するという簡易な方法により、ウェーハから補強部を容易に除去することが可能となる。 In a wafer processing method according to one aspect of the present invention, the device region is divided into a plurality of device chips in a cutting step, and a cutting groove is formed in the reinforcing portion. Then, in a dividing step, an external force is applied to the reinforcing portion, and the reinforcing portion is divided starting from the cutting groove. This makes it possible to easily remove the reinforcing portion from the wafer by the simple method of spraying a fluid onto the divided reinforcing portion.

また、本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、ウェーハの外側に位置する所定の噴射位置から補強部に向かって流体を噴射することにより、分割された補強部（複数のチップ）を噴射位置とは反対側に向かって飛散させる。これにより、チップがウェーハからランダムな方向に飛散することを防止でき、チップの回収が容易になる。 In addition, in a wafer processing method according to one aspect of the present invention, a fluid is sprayed from a predetermined spray position located on the outside of the wafer toward the reinforcing portion, causing the divided reinforcing portion (multiple chips) to scatter in the direction opposite to the spray position. This makes it possible to prevent the chips from scattering in random directions from the wafer, making it easier to collect the chips.

図１（Ａ）はウェーハの表面側を示す斜視図であり、図１（Ｂ）はウェーハの裏面側を示す斜視図である。FIG. 1A is a perspective view showing the front side of a wafer, and FIG. 1B is a perspective view showing the back side of the wafer. 図２（Ａ）は粘着テープが貼着されたウェーハを示す斜視図であり、図２（Ｂ）は粘着テープが貼着されたウェーハを示す断面図である。FIG. 2A is a perspective view showing a wafer to which an adhesive tape has been adhered, and FIG. 2B is a cross-sectional view showing the wafer to which the adhesive tape has been adhered. 切削装置を示す斜視図である。FIG. チャックテーブルによって保持されたウェーハを示す断面図である。2 is a cross-sectional view showing a wafer held by a chuck table. 図５（Ａ）は第１の方向に沿って切削されるウェーハを示す断面図であり、図５（Ｂ）は第２の方向に沿って切削されるウェーハを示す断面図である。FIG. 5A is a cross-sectional view showing a wafer cut along a first direction, and FIG. 5B is a cross-sectional view showing a wafer cut along a second direction. 外力付与ユニットを示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing an external force imparting unit. 図７（Ａ）はチャックテーブル上に配置されたウェーハを示す断面図であり、図７（Ｂ）はチャックテーブルによって吸引されたウェーハを示す断面図である。FIG. 7A is a cross-sectional view showing a wafer placed on a chuck table, and FIG. 7B is a cross-sectional view showing the wafer sucked by the chuck table. 補強部が複数のチップに分割されたウェーハを示す斜視図である。FIG. 13 is a perspective view showing a wafer in which a reinforcing portion is divided into a plurality of chips. 除去工程におけるウェーハを示す斜視図である。FIG. 11 is a perspective view showing a wafer in a removing step.

以下、添付図面を参照して本発明の一態様に係る実施形態を説明する。まず、本実施形態に係るウェーハの加工方法によって加工されるウェーハの構成例について説明する。図１（Ａ）はウェーハ１１の表面側を示す斜視図であり、図１（Ｂ）はウェーハ１１の裏面側を示す斜視図である。 An embodiment of the present invention will now be described with reference to the accompanying drawings. First, an example of the structure of a wafer to be processed by the wafer processing method according to this embodiment will be described. FIG. 1(A) is a perspective view showing the front side of a wafer 11, and FIG. 1(B) is a perspective view showing the back side of the wafer 11.

ウェーハ１１は、例えばシリコン等の半導体でなる円盤状の基板であり、互いに概ね平行な表面１１ａ及び裏面１１ｂを備える。ウェーハ１１は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって、複数の矩形状の領域に区画されている。また、ウェーハ１１の表面１１ａ側のうち分割予定ライン１３によって区画された領域にはそれぞれ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等のデバイス１５が形成されている。 The wafer 11 is a disk-shaped substrate made of a semiconductor such as silicon, and has a front surface 11a and a back surface 11b that are generally parallel to each other. The wafer 11 is partitioned into a number of rectangular regions by a number of planned division lines (streets) 13 that are arranged in a grid pattern so as to intersect with each other. In addition, devices 15 such as ICs (Integrated Circuits), LSIs (Large Scale Integration), LEDs (Light Emitting Diodes), and MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) are formed in each of the regions partitioned by the planned division lines 13 on the front surface 11a side of the wafer 11.

ウェーハ１１は、複数のデバイス１５が形成された略円形のデバイス領域１７ａと、デバイス領域１７ａを囲む環状の外周余剰領域１７ｂとを、表面１１ａ側に備える。外周余剰領域１７ｂは、表面１１ａの外周縁を含む所定の幅（例えば２ｍｍ程度）の環状の領域に相当する。図１（Ａ）には、デバイス領域１７ａと外周余剰領域１７ｂとの境界を二点鎖線で示している。 The wafer 11 has a substantially circular device region 17a on the surface 11a side, in which multiple devices 15 are formed, and an annular peripheral surplus region 17b surrounding the device region 17a. The peripheral surplus region 17b corresponds to an annular region of a predetermined width (e.g., about 2 mm) that includes the outer periphery of the surface 11a. In FIG. 1(A), the boundary between the device region 17a and the peripheral surplus region 17b is indicated by a two-dot chain line.

なお、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えばウェーハ１１は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等でなる基板であってもよい。また、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。 There are no limitations on the material, shape, structure, size, etc. of the wafer 11. For example, the wafer 11 may be a substrate made of a semiconductor other than silicon (GaAs, InP, GaN, SiC, etc.), glass, ceramics, resin, metal, etc. Furthermore, there are no limitations on the type, number, shape, structure, size, arrangement, etc. of the devices 15.

ウェーハ１１を分割予定ライン１３に沿って格子状に分割することにより、デバイス１５をそれぞれ備える複数のデバイスチップが製造される。また、分割前のウェーハ１１に薄化処理を施すことにより、薄型化されたデバイスチップを得ることが可能となる。 By dividing the wafer 11 into a grid pattern along the planned division lines 13, multiple device chips, each of which includes a device 15, are manufactured. In addition, by performing a thinning process on the wafer 11 before division, it is possible to obtain thinned device chips.

ウェーハ１１の薄化には、例えば研削装置が用いられる。研削装置は、ウェーハ１１を保持するチャックテーブル（保持テーブル）と、ウェーハ１１を研削する研削ユニットとを備える。研削ユニットには、複数の研削砥石を含む環状の研削ホイールが装着される。チャックテーブルによってウェーハ１１を保持し、チャックテーブルと研削ホイールとをそれぞれ回転させつつ研削砥石をウェーハ１１の裏面１１ｂ側に接触させることにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側が研削され、ウェーハ１１が薄化される。 For example, a grinding device is used to thin the wafer 11. The grinding device includes a chuck table (holding table) that holds the wafer 11, and a grinding unit that grinds the wafer 11. The grinding unit is fitted with an annular grinding wheel that includes multiple grinding stones. The wafer 11 is held by the chuck table, and the grinding stones are brought into contact with the back surface 11b of the wafer 11 while the chuck table and grinding wheel are both rotated, thereby grinding the back surface 11b of the wafer 11 and thinning the wafer 11.

なお、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側の全体が研削されると、ウェーハ１１の全体が薄化されてウェーハ１１の剛性が低下し、研削後のウェーハ１１の取り扱い（搬送等）の際にウェーハ１１が破損しやすくなる。そのため、薄化処理（研削加工）はウェーハ１１の裏面１１ｂ側の中央部のみに施されることがある。 If the entire back surface 11b side of the wafer 11 is ground, the entire wafer 11 will be thinned, the rigidity of the wafer 11 will decrease, and the wafer 11 will be more susceptible to damage when handling (transporting, etc.) the wafer 11 after grinding. For this reason, the thinning process (grinding) may be performed only on the center of the back surface 11b side of the wafer 11.

例えば図１（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１の中央部のみが研削、薄化される。その結果、ウェーハ１１の裏面１１ｂには、円形の凹部（溝）１９が形成される。なお、凹部１９は、デバイス領域１７ａに対応する位置に設けられる。例えば、凹部１９の大きさ（直径）はデバイス領域１７ａの大きさ（直径）と概ね同一に設定され、凹部１９は複数のデバイス１５と重なるように形成される。 For example, as shown in FIG. 1(B), only the central portion of the wafer 11 is ground and thinned. As a result, a circular recess (groove) 19 is formed on the back surface 11b of the wafer 11. The recess 19 is provided at a position corresponding to the device region 17a. For example, the size (diameter) of the recess 19 is set to be roughly the same as the size (diameter) of the device region 17a, and the recess 19 is formed so as to overlap multiple devices 15.

凹部１９は、ウェーハ１１の表面１１ａ及び裏面１１ｂと概ね平行な底面１９ａと、底面１９ａと概ね垂直で底面１９ａ及び裏面１１ｂに接続された環状の側面（内壁）１９ｂとを含む。また、ウェーハ１１の外周部には、薄化処理（研削加工）が施されていない領域に相当する環状の補強部（凸部）２１が残存している。補強部２１は、外周余剰領域１７ｂを含み、デバイス領域１７ａと凹部１９とを囲んでいる。 The recess 19 includes a bottom surface 19a that is generally parallel to the front surface 11a and back surface 11b of the wafer 11, and an annular side surface (inner wall) 19b that is generally perpendicular to the bottom surface 19a and connected to the bottom surface 19a and back surface 11b. In addition, an annular reinforcing portion (protrusion) 21 remains on the outer periphery of the wafer 11, which corresponds to the area that has not been subjected to the thinning process (grinding process). The reinforcing portion 21 includes the outer periphery excess region 17b, and surrounds the device region 17a and the recess 19.

ウェーハ１１の中央部のみを薄化すると、ウェーハ１１の外周部（補強部２１）が厚い状態に維持される。これにより、ウェーハ１１の剛性の低下が抑えられ、ウェーハ１１の破損等が生じにくくなる。すなわち、補強部２１がウェーハ１１を補強する補強領域として機能する。 When only the central portion of the wafer 11 is thinned, the outer periphery of the wafer 11 (reinforcement portion 21) remains thick. This prevents the rigidity of the wafer 11 from decreasing, making the wafer 11 less susceptible to damage. In other words, the reinforcement portion 21 functions as a reinforcing region that reinforces the wafer 11.

次に、上記のウェーハ１１を複数のデバイスチップに分割するためのウェーハの加工方法の具体例について説明する。本実施形態では、まず、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に粘着テープを貼着する（テープ貼着工程）。図２（Ａ）は粘着テープ２３が貼着されたウェーハ１１を示す斜視図であり、図２（Ｂ）は粘着テープ２３が貼着されたウェーハ１１を示す断面図である。 Next, a specific example of a wafer processing method for dividing the above-mentioned wafer 11 into a plurality of device chips will be described. In this embodiment, first, an adhesive tape is applied to the back surface 11b side of the wafer 11 (tape application process). FIG. 2(A) is a perspective view showing the wafer 11 to which the adhesive tape 23 is applied, and FIG. 2(B) is a cross-sectional view showing the wafer 11 to which the adhesive tape 23 is applied.

ウェーハ１１の裏面１１ｂ側には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側の全体を覆うことが可能な大きさの粘着テープ２３が貼着される。例えば、ウェーハ１１よりも径の大きい円形の粘着テープ２３が、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を覆うように貼着される。 An adhesive tape 23 large enough to cover the entire back surface 11b of the wafer 11 is attached to the back surface 11b of the wafer 11. For example, a circular adhesive tape 23 with a diameter larger than the wafer 11 is attached so as to cover the back surface 11b of the wafer 11.

粘着テープ２３としては、円形の基材と、基材上に設けられた粘着層（糊層）とを含む柔軟なフィルムを用いることができる。例えば、基材はポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなり、粘着層はエポキシ系、アクリル系、又はゴム系の接着剤等でなる。また、粘着層として、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型の樹脂を用いることもできる。 The adhesive tape 23 may be a flexible film including a circular substrate and an adhesive layer (glue layer) provided on the substrate. For example, the substrate may be made of a resin such as polyolefin, polyvinyl chloride, or polyethylene terephthalate, and the adhesive layer may be made of an epoxy-, acrylic-, or rubber-based adhesive. Alternatively, the adhesive layer may be made of an ultraviolet-curing resin that hardens when exposed to ultraviolet light.

粘着テープ２３は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側の輪郭に沿って貼着される。すなわち、粘着テープ２３は図２（Ｂ）に示すように、凹部１９の底面１９ａ及び側面１９ｂと、補強部２１の裏面（下面）とに沿って（倣って）貼着される。なお、図２（Ｂ）では粘着テープ２３が底面１９ａ及び側面１９ｂに密着するように貼着されている例を示しているが、粘着テープ２３と底面１９ａの外周部との間や粘着テープ２３と側面１９ｂとの間には、僅かな隙間が存在していてもよい。 The adhesive tape 23 is applied along the contour of the back surface 11b of the wafer 11. That is, as shown in FIG. 2(B), the adhesive tape 23 is applied along (following) the bottom surface 19a and side surface 19b of the recess 19 and the back surface (lower surface) of the reinforcing portion 21. Note that FIG. 2(B) shows an example in which the adhesive tape 23 is applied so as to be in close contact with the bottom surface 19a and side surface 19b, but there may be slight gaps between the adhesive tape 23 and the outer periphery of the bottom surface 19a and between the adhesive tape 23 and the side surface 19b.

粘着テープ２３の外周部には、ＳＵＳ（ステンレス鋼）等の金属でなる環状のフレーム２５が貼着される。フレーム２５の中央部には、ウェーハ１１を収容可能な円形の開口２５ａが設けられている。ウェーハ１１は、開口２５ａの内側に配置された状態で、粘着テープ２３を介してフレーム２５によって支持される。これにより、ウェーハ１１、粘着テープ２３、及びフレーム２５が一体化したフレームユニット（ワークセット）が構成される。 A ring-shaped frame 25 made of metal such as SUS (stainless steel) is attached to the outer periphery of the adhesive tape 23. A circular opening 25a capable of accommodating the wafer 11 is provided in the center of the frame 25. The wafer 11 is supported by the frame 25 via the adhesive tape 23 while positioned inside the opening 25a. This forms a frame unit (work set) in which the wafer 11, adhesive tape 23, and frame 25 are integrated.

粘着テープ２３が貼着されたウェーハ１１は、切削装置によって切削される。図３は、切削装置２を示す斜視図である。図３において、Ｘ軸方向（加工送り方向、第１水平方向）とＹ軸方向（割り出し送り方向、第２水平方向）とは、互いに垂直な方向である。また、Ｚ軸方向（鉛直方向、上下方向、高さ方向）は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向と垂直な方向である。切削装置２は、ウェーハ１１を保持するチャックテーブル（保持テーブル）４と、チャックテーブル４によって保持されたウェーハ１１を切削する切削ユニット１２とを備える。 The wafer 11 with the adhesive tape 23 attached thereto is cut by a cutting device. FIG. 3 is a perspective view showing the cutting device 2. In FIG. 3, the X-axis direction (processing feed direction, first horizontal direction) and the Y-axis direction (indexing feed direction, second horizontal direction) are perpendicular to each other. The Z-axis direction (vertical direction, up-down direction, height direction) is perpendicular to the X-axis direction and the Y-axis direction. The cutting device 2 includes a chuck table (holding table) 4 that holds the wafer 11, and a cutting unit 12 that cuts the wafer 11 held by the chuck table 4.

チャックテーブル４の上面は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向と概ね平行に形成された平坦面であり、ウェーハ１１を保持する円形の保持面４ａ（図４参照）を構成している。また、チャックテーブル４には、チャックテーブル４をＸ軸方向に沿って移動させるボールねじ式の移動機構（不図示）と、チャックテーブル４をＺ軸方向と概ね平行な回転軸の周りで回転させるモータ等の回転駆動源（不図示）とが連結されている。 The upper surface of the chuck table 4 is a flat surface formed generally parallel to the X-axis direction and the Y-axis direction, and constitutes a circular holding surface 4a (see FIG. 4) that holds the wafer 11. The chuck table 4 is also connected to a ball screw type moving mechanism (not shown) that moves the chuck table 4 along the X-axis direction, and a rotational drive source (not shown) such as a motor that rotates the chuck table 4 around a rotation axis generally parallel to the Z-axis direction.

チャックテーブル４の上方には、ウェーハ１１を切削する切削ユニット１２が配置されている。切削ユニット１２は中空の円筒状のハウジング１４を備え、ハウジング１４にはＹ軸方向に沿って配置された円筒状のスピンドル（不図示）が収容されている。スピンドルの先端部（一端部）はハウジング１４の外部に露出しており、スピンドルの基端部（他端部）にはモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。 A cutting unit 12 that cuts the wafer 11 is disposed above the chuck table 4. The cutting unit 12 has a hollow cylindrical housing 14, which accommodates a cylindrical spindle (not shown) arranged along the Y-axis direction. The tip (one end) of the spindle is exposed to the outside of the housing 14, and a rotational drive source (not shown) such as a motor is connected to the base end (the other end) of the spindle.

スピンドルの先端部には、環状の切削ブレード１６が装着される。切削ブレード１６は、回転駆動源からスピンドルを介して伝達される動力によって、Ｙ軸方向に概ね平行な回転軸の周りを回転する。 An annular cutting blade 16 is attached to the tip of the spindle. The cutting blade 16 rotates around a rotation axis that is roughly parallel to the Y-axis direction by power transmitted from a rotary drive source through the spindle.

切削ブレード１６としては、例えばハブタイプの切削ブレード（ハブブレード）が用いられる。ハブブレードは、金属等でなる環状の基台と、基台の外周縁に沿って形成された環状の切刃とが一体となって構成される。ハブブレードの切刃は、ダイヤモンド等でなる砥粒がニッケルめっき層等の結合材によって固定された電鋳砥石によって構成される。また、切削ブレード１６として、ワッシャータイプの切削ブレード（ワッシャーブレード）を用いてもよい。ワッシャーブレードは、ダイヤモンド等でなる砥粒が金属、セラミックス、樹脂等でなる結合材によって固定された環状の切刃によって構成される。 For example, a hub-type cutting blade (hub blade) is used as the cutting blade 16. The hub blade is composed of an annular base made of metal or the like and an annular cutting edge formed along the outer periphery of the base. The cutting edge of the hub blade is composed of an electroformed grinding stone in which abrasive grains made of diamond or the like are fixed with a binder such as a nickel plating layer. A washer-type cutting blade (washer blade) may also be used as the cutting blade 16. A washer blade is composed of an annular cutting edge in which abrasive grains made of diamond or the like are fixed with a binder such as metal, ceramics, resin, etc.

スピンドルの先端部に装着された切削ブレード１６は、ハウジング１４に固定されたブレードカバー１８によって覆われる。ブレードカバー１８は、純水等の液体（切削液）が供給されるチューブ（不図示）に接続される接続部２０と、接続部２０に接続され切削ブレード１６の両面側（表裏面側）にそれぞれ配置される一対のノズル２２とを備える。一対のノズル２２にはそれぞれ、切削ブレード１６に向かって開口する噴射口（不図示）が形成されている。 The cutting blade 16 attached to the tip of the spindle is covered by a blade cover 18 fixed to the housing 14. The blade cover 18 has a connection part 20 connected to a tube (not shown) through which a liquid (cutting fluid) such as pure water is supplied, and a pair of nozzles 22 connected to the connection part 20 and disposed on both sides (front and back sides) of the cutting blade 16. Each of the pair of nozzles 22 has an injection port (not shown) that opens toward the cutting blade 16.

切削ブレード１６でウェーハ１１を切削する際には、接続部２０に切削液が供給され、一対のノズル２２の噴射口から切削ブレード１６の両面（表裏面）に向かって切削液が噴射される。これにより、ウェーハ１１及び切削ブレード１６が冷却されるとともに、切削加工によって生じた屑（切削屑）が洗い流される。 When cutting the wafer 11 with the cutting blade 16, cutting fluid is supplied to the connection part 20 and sprayed from the nozzles of the pair of nozzles 22 toward both sides (front and back) of the cutting blade 16. This cools the wafer 11 and the cutting blade 16 and washes away any debris (cutting debris) generated by the cutting process.

切削ユニット１２には、切削ユニット１２を移動させるボールねじ式の移動機構（不図示）が連結されている。この移動機構は、切削ユニット１２をＹ軸方向に沿って移動させるとともに、Ｚ軸方向に沿って昇降させる。 A ball screw type movement mechanism (not shown) that moves the cutting unit 12 is connected to the cutting unit 12. This movement mechanism moves the cutting unit 12 along the Y-axis direction and raises and lowers it along the Z-axis direction.

ウェーハ１１を切削する際は、まず、チャックテーブル４（第１チャックテーブル）によってウェーハ１１を保持する（保持工程）。図４は、チャックテーブル４によって保持されたウェーハ１１を示す断面図である。 When cutting the wafer 11, the wafer 11 is first held by the chuck table 4 (first chuck table) (holding process). Figure 4 is a cross-sectional view showing the wafer 11 held by the chuck table 4.

チャックテーブル４は、金属、ガラス、セラミックス、樹脂等でなる円柱状の枠体（本体部）６を備える。枠体６の上面６ａ側には、平面視で円形の凹部（溝）６ｂが形成されており、凹部６ｂには円盤状の保持部材８が嵌め込まれている。保持部材８は、ポーラスセラミックス等の多孔質材料でなる部材であり、その内部に保持部材８の上面から下面に連通する空孔（吸引路）を含んでいる。 The chuck table 4 has a cylindrical frame (main body) 6 made of metal, glass, ceramics, resin, or the like. A recess (groove) 6b that is circular in plan view is formed on the upper surface 6a of the frame 6, and a disk-shaped holding member 8 is fitted into the recess 6b. The holding member 8 is a member made of a porous material such as porous ceramics, and includes holes (suction paths) that connect the upper surface of the holding member 8 to the lower surface.

枠体６の上面６ａと保持部材８の上面８ａとは、概ね同一平面上に配置され、チャックテーブル４の保持面４ａを構成している。また、保持部材８の上面８ａは、ウェーハ１１を吸引する円形の吸引面を構成している。そして、保持面４ａは、保持部材８、枠体６の内部に形成された流路（不図示）、バルブ（不図示）等を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されている。 The upper surface 6a of the frame 6 and the upper surface 8a of the holding member 8 are arranged on approximately the same plane, forming the holding surface 4a of the chuck table 4. The upper surface 8a of the holding member 8 forms a circular suction surface that sucks the wafer 11. The holding surface 4a is connected to a suction source (not shown) such as an ejector via a flow path (not shown) and a valve (not shown) formed inside the holding member 8 and frame 6.

ウェーハ１１は、表面１１ａ側が上方に露出するようにチャックテーブル４上に配置される。なお、チャックテーブル４は、保持面４ａでウェーハ１１の凹部１９の底面１９ａを保持可能に構成されている。具体的には、保持面４ａの径は凹部１９の径よりも小さく、チャックテーブル４の保持面４ａ側が凹部１９に嵌め込まれる。これにより、凹部１９の底面１９ａが粘着テープ２３を介して保持面４ａによって支持される。 The wafer 11 is placed on the chuck table 4 so that the surface 11a side is exposed upward. The chuck table 4 is configured so that the holding surface 4a can hold the bottom surface 19a of the recess 19 of the wafer 11. Specifically, the diameter of the holding surface 4a is smaller than the diameter of the recess 19, and the holding surface 4a side of the chuck table 4 is fitted into the recess 19. As a result, the bottom surface 19a of the recess 19 is supported by the holding surface 4a via the adhesive tape 23.

また、チャックテーブル４の周囲には、フレーム２５を把持して固定する複数のクランプ１０が設けられている。ウェーハ１１がチャックテーブル４上に配置された後、複数のクランプ１０によってフレーム２５が固定される。 In addition, a number of clamps 10 that grip and secure the frame 25 are provided around the periphery of the chuck table 4. After the wafer 11 is placed on the chuck table 4, the frame 25 is secured by the clamps 10.

ウェーハ１１がチャックテーブル４上に配置された状態で、保持面４ａに吸引源の吸引力（負圧）を作用させると、粘着テープ２３のうち凹部１９の底面１９ａに貼着された領域が保持面４ａに吸引される。これにより、凹部１９の底面１９ａが粘着テープ２３を介してチャックテーブル４によって吸引保持される。 When the wafer 11 is placed on the chuck table 4, the suction force (negative pressure) of the suction source is applied to the holding surface 4a, and the area of the adhesive tape 23 that is attached to the bottom surface 19a of the recess 19 is sucked to the holding surface 4a. As a result, the bottom surface 19a of the recess 19 is sucked and held by the chuck table 4 via the adhesive tape 23.

次に、切削ブレード１６によってウェーハ１１を分割予定ライン１３（図３等参照）に沿って切削する（切削工程）。切削工程では、第１の方向と平行な分割予定ライン１３と、第１の方向と交差する第２の方向と平行な分割予定ライン１３とに沿って、ウェーハ１１を切削する。 Next, the wafer 11 is cut along the planned dividing lines 13 (see FIG. 3, etc.) by the cutting blade 16 (cutting process). In the cutting process, the wafer 11 is cut along the planned dividing lines 13 parallel to the first direction and along the planned dividing lines 13 parallel to the second direction that intersects with the first direction.

図５（Ａ）は、第１の方向に沿って切削されるウェーハ１１を示す断面図である。まず、チャックテーブル４を回転させ、第１の方向と平行な一の分割予定ライン１３の長さ方向をＸ軸方向に合わせる。また、切削ブレード１６が一の分割予定ライン１３の延長線上に配置されるように、切削ユニット１２のＹ軸方向における位置を調整する。 Figure 5 (A) is a cross-sectional view showing a wafer 11 being cut along a first direction. First, the chuck table 4 is rotated to align the length direction of one planned division line 13, which is parallel to the first direction, with the X-axis direction. In addition, the position of the cutting unit 12 in the Y-axis direction is adjusted so that the cutting blade 16 is positioned on an extension line of one planned division line 13.

さらに、切削ブレード１６の下端が凹部１９の底面１９ａよりも下方に配置されるように、切削ユニット１２の高さを調整する。例えば、切削ブレード１６の下端が、凹部１９の底面１９ａに貼着された粘着テープ２３の上面よりも下方で、且つ、保持面４ａ（粘着テープ２３の下面）よりも上方に位置付けられる。このときのウェーハ１１の表面１１ａと切削ブレード１６の下端との高さの差が、切削ブレード１６のウェーハ１１への切り込み深さに相当する。 The height of the cutting unit 12 is then adjusted so that the lower end of the cutting blade 16 is positioned below the bottom surface 19a of the recess 19. For example, the lower end of the cutting blade 16 is positioned below the upper surface of the adhesive tape 23 attached to the bottom surface 19a of the recess 19 and above the holding surface 4a (the lower surface of the adhesive tape 23). The difference in height between the surface 11a of the wafer 11 and the lower end of the cutting blade 16 at this time corresponds to the cutting depth of the cutting blade 16 into the wafer 11.

そして、切削ブレード１６を回転させつつ、チャックテーブル４をＸ軸方向に沿って移動させる。これにより、チャックテーブル４と切削ブレード１６とがＸ軸方向に沿って相対的に移動し（加工送り）、切削ブレード１６が一の分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１の表面１１ａ側に切り込む。 Then, while rotating the cutting blade 16, the chuck table 4 is moved along the X-axis direction. As a result, the chuck table 4 and the cutting blade 16 move relatively along the X-axis direction (processing feed), and the cutting blade 16 cuts into the front surface 11a side of the wafer 11 along one of the planned division lines 13.

このときの切削ブレード１６の切り込み深さは、ウェーハ１１の中央部（デバイス領域１７ａ）の厚さよりも大きく、且つ、ウェーハ１１の外周部（補強部２１）の厚さよりも小さい。そのため、ウェーハ１１のデバイス領域１７ａには、表面１１ａから底面１９ａに至る切り口（カーフ）が一の分割予定ライン１３に沿って形成される。一方、ウェーハ１１の補強部２１には、切削ブレード１６の切り込み深さに対応する深さの切削溝１１ｃが一の分割予定ライン１３に沿って形成される。 At this time, the cutting depth of the cutting blade 16 is greater than the thickness of the central part (device region 17a) of the wafer 11, and less than the thickness of the peripheral part (reinforcement part 21) of the wafer 11. Therefore, in the device region 17a of the wafer 11, a cut (kerf) is formed along one planned division line 13, extending from the top surface 11a to the bottom surface 19a. Meanwhile, in the reinforcement part 21 of the wafer 11, a cutting groove 11c of a depth corresponding to the cutting depth of the cutting blade 16 is formed along one planned division line 13.

その後、切削ブレード１６をＹ軸方向に分割予定ライン１３の間隔分移動させ（割り出し送り）、ウェーハ１１を他の分割予定ライン１３に沿って切削する。この手順を繰り返すことにより、第１の方向と平行な全ての分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１を切削する。 Then, the cutting blade 16 is moved in the Y-axis direction by the distance of the planned dividing lines 13 (indexing feed), and the wafer 11 is cut along the other planned dividing lines 13. By repeating this procedure, the wafer 11 is cut along all the planned dividing lines 13 that are parallel to the first direction.

次に、チャックテーブル４を９０°回転させ、第２の方向と平行な分割予定ライン１３の長さ方向をＸ軸方向に合わせる。そして、同様の手順により、第２の方向と平行な全ての分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１を切削する。図５（Ｂ）は、第２の方向に沿って切削されるウェーハ１１を示す断面図である。 Next, the chuck table 4 is rotated 90° to align the length direction of the planned dividing lines 13 parallel to the second direction with the X-axis direction. Then, by following the same procedure, the wafer 11 is cut along all the planned dividing lines 13 parallel to the second direction. Figure 5 (B) is a cross-sectional view showing the wafer 11 cut along the second direction.

全ての分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１が切削されると、ウェーハ１１のデバイス領域１７ａが分割予定ライン１３に沿って分割され、デバイス１５をそれぞれ備える複数のデバイスチップ２７（図６参照）が得られる。また、補強部２１の上面（表面）側には、分割予定ライン１３に沿って切削溝１１ｃが形成される。 When the wafer 11 is cut along all of the planned division lines 13, the device region 17a of the wafer 11 is divided along the planned division lines 13 to obtain a plurality of device chips 27 (see FIG. 6), each of which includes a device 15. In addition, cutting grooves 11c are formed along the planned division lines 13 on the upper surface (front surface) side of the reinforcing portion 21.

次に、補強部２１に外力を付与することにより、切削溝１１ｃを起点として補強部２１を分割する（分割工程）。本実施形態では、粘着テープ２３を第２チャックテーブルによって吸引することにより、補強部２１に外力を付与する。 Next, an external force is applied to the reinforcing portion 21, so that the reinforcing portion 21 is divided starting from the cut groove 11c (division process). In this embodiment, an external force is applied to the reinforcing portion 21 by sucking the adhesive tape 23 with the second chuck table.

図６は、外力付与ユニット３０を示す斜視図である。外力付与ユニット３０は、ウェーハ１１に外力を付与する機構であり、切削装置２（図３参照）の内部又は外部に設けられている。外力付与ユニット３０は、ウェーハ１１を保持するチャックテーブル（保持テーブル）３２を備える。 Figure 6 is a perspective view showing the external force imparting unit 30. The external force imparting unit 30 is a mechanism that imparts an external force to the wafer 11, and is provided inside or outside the cutting device 2 (see Figure 3). The external force imparting unit 30 includes a chuck table (holding table) 32 that holds the wafer 11.

チャックテーブル３２の上面は、ウェーハ１１を保持する円形の保持面を構成している。また、チャックテーブル３２には、チャックテーブル３２を鉛直方向と概ね平行な回転軸の周りで回転させるモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。 The upper surface of the chuck table 32 forms a circular holding surface that holds the wafer 11. The chuck table 32 is also connected to a rotational drive source (not shown) such as a motor that rotates the chuck table 32 around a rotation axis that is roughly parallel to the vertical direction.

チャックテーブル３２は、金属、ガラス、セラミックス、樹脂等でなる円柱状の枠体（本体部）３４を備える。枠体３４の上面３４ａ側の中央部には、平面視で円形の凹部（溝）３４ｂが形成されており、凹部３４ｂには円盤状の保持部材３６が嵌め込まれている。保持部材３６は、ポーラスセラミックス等の多孔質材料でなる部材であり、その内部に保持部材３６の上面から下面に連通する空孔（吸引路）を含んでいる。 The chuck table 32 has a cylindrical frame (main body) 34 made of metal, glass, ceramics, resin, or the like. A circular recess (groove) 34b is formed in the center of the upper surface 34a of the frame 34, and a disk-shaped holding member 36 is fitted into the recess 34b. The holding member 36 is made of a porous material such as porous ceramics, and includes holes (suction paths) that connect the upper surface to the lower surface of the holding member 36.

保持部材３６の上面は、ウェーハ１１を吸引保持する円形の吸引面３６ａを構成している。吸引面３６ａは、枠体３４の上面３４ａと概ね同一平面上に配置されている。 The upper surface of the holding member 36 forms a circular suction surface 36a that holds the wafer 11 by suction. The suction surface 36a is disposed on approximately the same plane as the upper surface 34a of the frame 34.

チャックテーブル３２のうちウェーハ１１の補強部２１に対応する位置には、凹凸が設けられている。例えば、枠体３４は、ウェーハ１１がチャックテーブル３２上に配置された際に上面３４ａが補強部２１と重なるように形成される。また、枠体３４の上面３４ａ側には、上面３４ａから上方に突出する複数の凸部（突起）３８が設けられている。なお、図６では直方体状に形成された凸部３８を示しているが、凸部３８の形状に制限はない。 The chuck table 32 has projections and recesses at positions corresponding to the reinforcing portions 21 of the wafer 11. For example, the frame 34 is formed so that the upper surface 34a overlaps with the reinforcing portions 21 when the wafer 11 is placed on the chuck table 32. The upper surface 34a of the frame 34 has a plurality of projections (protrusions) 38 that protrude upward from the upper surface 34a. Note that while FIG. 6 shows the projections 38 formed in a rectangular parallelepiped shape, there is no restriction on the shape of the projections 38.

複数の凸部３８は、枠体３４の周方向に沿って概ね等間隔に配列されている。そして、枠体３４の上面３４ａと凸部３８とによって、周期的な凹凸を有する環状の領域が構成される。 The multiple protrusions 38 are arranged at approximately equal intervals along the circumferential direction of the frame body 34. The upper surface 34a of the frame body 34 and the protrusions 38 form an annular region with periodic projections and recesses.

さらに、枠体３４の上面３４ａ側には、上面３４ａで開口する環状の溝４０ａ，４０ｂが設けられている。例えば溝４０ａ，４０ｂは、複数の凸部３８の両側（枠体６の半径方向における外側と内側）に同心円状に形成される。また、溝４０ａと溝４０ｂとは、枠体６の半径方向に沿って形成された複数の溝４０ｃを介して互いに連結されている。 Furthermore, annular grooves 40a, 40b that open on the upper surface 34a are provided on the upper surface 34a side of the frame body 34. For example, the grooves 40a, 40b are formed concentrically on both sides of the multiple protrusions 38 (the outer and inner sides in the radial direction of the frame body 6). The grooves 40a and 40b are also connected to each other via multiple grooves 40c formed along the radial direction of the frame body 6.

保持部材３６は、枠体３４の内部に設けられた流路（不図示）及びバルブ４２ａを介して、吸引源４４に接続されている。また、溝４０ａ，４０ｂ，４０ｃは、枠体３４の内部に設けられた流路（不図示）及びバルブ４２ｂを介して、吸引源４４に接続されている。吸引源４４としては、例えばエジェクタが用いられる。 The holding member 36 is connected to a suction source 44 via a flow path (not shown) and a valve 42a provided inside the frame 34. The grooves 40a, 40b, and 40c are connected to the suction source 44 via a flow path (not shown) and a valve 42b provided inside the frame 34. An ejector, for example, is used as the suction source 44.

ウェーハ１１は、補強部２１が枠体３４の上面３４ａと重なるように、チャックテーブル３２上に配置される。これにより、ウェーハ１１の補強部２１が粘着テープ２３を介して複数の凸部３８によって支持される。 The wafer 11 is placed on the chuck table 32 so that the reinforcing portion 21 overlaps the upper surface 34a of the frame 34. This causes the reinforcing portion 21 of the wafer 11 to be supported by the multiple protrusions 38 via the adhesive tape 23.

図７（Ａ）は、チャックテーブル３２上に配置されたウェーハ１１を示す断面図である。なお、図７（Ａ）では説明の便宜上、ウェーハ１１、粘着テープ２３、フレーム２５、チャックテーブル３２の断面の形状のみを図示している。ウェーハ１１がチャックテーブル３２上に配置された状態でバルブ４２ａ，４２ｂを開くと、吸引面３６ａ及び溝４０ａ，４０ｂ，４０ｃに吸引源４４の吸引力（負圧）が作用し、ウェーハ１１が粘着テープ２３を介してチャックテーブル３２によって吸引保持される。 Figure 7 (A) is a cross-sectional view showing the wafer 11 placed on the chuck table 32. For ease of explanation, Figure 7 (A) only shows the cross-sectional shapes of the wafer 11, adhesive tape 23, frame 25, and chuck table 32. When the valves 42a and 42b are opened with the wafer 11 placed on the chuck table 32, the suction force (negative pressure) of the suction source 44 acts on the suction surface 36a and grooves 40a, 40b, and 40c, and the wafer 11 is held by suction on the chuck table 32 via the adhesive tape 23.

図７（Ｂ）は、チャックテーブル３２によって吸引されたウェーハ１１を示す断面図である。粘着テープ２３のうち複数のデバイスチップ２７に貼着されている領域は、吸引面３６ａに吸引されて接触する。また、粘着テープ２３のうちウェーハ１１の外周部（補強部２１）の裏面１１ｂ側に貼着されている領域及びその近傍の領域は、溝４０ａ，４０ｂに吸引され、枠体３４の上面３４ａに接触する。 Figure 7 (B) is a cross-sectional view showing the wafer 11 sucked by the chuck table 32. The areas of the adhesive tape 23 that are attached to the multiple device chips 27 are sucked into contact with the suction surface 36a. In addition, the areas of the adhesive tape 23 that are attached to the back surface 11b of the outer periphery (reinforcement portion 21) of the wafer 11 and the areas nearby are sucked into the grooves 40a, 40b and come into contact with the upper surface 34a of the frame 34.

ここで、図６に示すように、枠体３４の上面３４ａ側には、複数の凸部３８によって周期的な凹凸が環状に形成されている。そのため、溝４０ａ，４０ｂに負圧を作用させると、粘着テープ２３のうちウェーハ１１の外周部に貼着されている領域は、枠体３４の上面３４ａ及び凸部３８に沿って変形し、波打った状態となる。そして、補強部２１のうち凸部３８に支持されていない領域が、粘着テープ２３によって枠体３４の上面３４ａ側に引っ張られ、隣接する凸部３８の間に入り込むように移動する。その結果、補強部２１にせん断応力が作用する。すなわち、粘着テープ２３をチャックテーブル３２によって吸引することにより、補強部２１に外力が付与される。 As shown in FIG. 6, the upper surface 34a of the frame 34 has a plurality of protrusions 38 that form periodic irregularities in a ring shape. Therefore, when negative pressure is applied to the grooves 40a and 40b, the area of the adhesive tape 23 that is attached to the outer periphery of the wafer 11 is deformed along the upper surface 34a of the frame 34 and the protrusions 38, and becomes wavy. The area of the reinforcing part 21 that is not supported by the protrusions 38 is pulled toward the upper surface 34a of the frame 34 by the adhesive tape 23, and moves so as to enter between the adjacent protrusions 38. As a result, a shear stress acts on the reinforcing part 21. That is, an external force is applied to the reinforcing part 21 by sucking the adhesive tape 23 with the chuck table 32.

補強部２１に外力が付与されると、補強部２１に形成されている切削溝１１ｃから亀裂が発生し、補強部２１の厚さ方向に進展する。これにより、補強部２１が分割予定ライン１３に沿って破断する。すなわち、切削溝１１ｃが補強部２１の分割の起点として機能し、環状の補強部２１が分割予定ライン１３に沿って複数のチップに分割される。 When an external force is applied to the reinforcing portion 21, a crack is generated from the cutting groove 11c formed in the reinforcing portion 21 and propagates in the thickness direction of the reinforcing portion 21. This causes the reinforcing portion 21 to break along the planned division line 13. In other words, the cutting groove 11c functions as the starting point for dividing the reinforcing portion 21, and the annular reinforcing portion 21 is divided into multiple chips along the planned division line 13.

図８は、補強部２１が複数のチップ２９に分割されたウェーハ１１を示す斜視図である。図８に示すように、補強部２１の分割によって形成された複数のチップ２９のうち、チャックテーブル３２の凸部３８（図６等参照）によって支持されているチップ２９は、他のチップ２９及びデバイスチップ２７よりも上方に突出するように配置される。 Figure 8 is a perspective view showing a wafer 11 in which the reinforcing portion 21 is divided into a plurality of chips 29. As shown in Figure 8, among the plurality of chips 29 formed by dividing the reinforcing portion 21, the chip 29 supported by the protrusion 38 of the chuck table 32 (see Figure 6, etc.) is positioned so as to protrude upward from the other chips 29 and the device chip 27.

なお、分割工程では、必ずしも全ての切削溝１１ｃに沿って補強部２１が分割される必要はない。具体的には、後述の除去工程において補強部２１が適切に除去されるように、補強部２１が所定のサイズ以下の複数のチップに分割されればよい。 In addition, in the dividing process, it is not necessary to divide the reinforcing portion 21 along all of the cutting grooves 11c. Specifically, it is sufficient that the reinforcing portion 21 is divided into multiple chips of a predetermined size or less so that the reinforcing portion 21 can be appropriately removed in the removal process described below.

また、図６では、チャックテーブル３２の凹凸が枠体３４の上面３４ａと凸部３８によって構成される例について説明したが、凹凸の形成方法に制限はない。例えば、枠体３４の上面３４ａ側に複数の凹部（溝）を設けることによって凹凸を形成してもよい。 In addition, in FIG. 6, an example is described in which the unevenness of the chuck table 32 is formed by the upper surface 34a of the frame body 34 and the protrusions 38, but there is no limitation on the method for forming the unevenness. For example, the unevenness may be formed by providing a plurality of recesses (grooves) on the upper surface 34a side of the frame body 34.

さらに、補強部２１に外力を付与する方法は、チャックテーブル３２による粘着テープ２３の吸引に限られない。例えば、ウェーハ１１を所定のチャックテーブルによって保持した状態で、補強部２１に押圧部材を押し付けることによって補強部２１に外力を付与してもよい。また、粘着テープ２３として、外力の付与によって拡張可能なテープ（エキスパンドテープ）を用い、エキスパンドテープを引っ張って拡張することにより補強部２１に外力を付与してもよい。 Furthermore, the method of applying an external force to the reinforcing portion 21 is not limited to suction of the adhesive tape 23 by the chuck table 32. For example, an external force may be applied to the reinforcing portion 21 by pressing a pressing member against the reinforcing portion 21 while the wafer 11 is held by a predetermined chuck table. In addition, an external force may be applied to the reinforcing portion 21 by using a tape that can be expanded by the application of an external force (expandable tape) as the adhesive tape 23, and expanding the expandable tape by pulling it.

次に、複数のチップ２９に分割された補強部２１を除去する（除去工程）。除去工程では、補強部２１の分割によって形成された複数のチップ２９を粘着テープ２３から剥離して除去する。 Next, the reinforcing portion 21 divided into the multiple chips 29 is removed (removal process). In the removal process, the multiple chips 29 formed by dividing the reinforcing portion 21 are peeled off from the adhesive tape 23 and removed.

図９は、除去工程におけるウェーハ１１を示す斜視図である。例えば、チャックテーブル３２（図６等参照）によって保持されたウェーハ１１の周囲には、流体４８を噴射するノズル４６と、補強部２１（チップ２９）を回収する回収機構５０とが設置される。 Figure 9 is a perspective view showing the wafer 11 in the removal process. For example, around the wafer 11 held by the chuck table 32 (see Figure 6, etc.), nozzles 46 that spray fluid 48 and a recovery mechanism 50 that recovers the reinforcing portion 21 (chip 29) are installed.

ノズル４６は、ウェーハ１１の外周縁よりもウェーハ１１の半径方向外側に位置する所定の噴射位置に固定されている。ノズル４６には、ノズル４６に流体４８を供給する流体供給源（不図示）が接続されている。また、ノズル４６は、流体供給源から供給された流体４８を噴射する噴射口４６ａを備える。なお、ノズル４６から噴射される流体４８に制限はなく、例えばエアー等の気体が用いられる。また、流体４８として、加圧された純水等の液体（高圧液体）や、液体（純水等）と気体（エアー等）とを含む混合流体を用いることもできる。 The nozzle 46 is fixed at a predetermined injection position located radially outward of the outer periphery of the wafer 11. A fluid supply source (not shown) that supplies fluid 48 to the nozzle 46 is connected to the nozzle 46. The nozzle 46 also has an injection port 46a that injects the fluid 48 supplied from the fluid supply source. There is no limitation on the fluid 48 injected from the nozzle 46, and a gas such as air is used. The fluid 48 may also be a liquid such as pressurized pure water (high pressure liquid), or a mixed fluid containing a liquid (pure water, etc.) and a gas (air, etc.).

例えばノズル４６は、噴射口４６ａがウェーハ１１の外周部（補強部２１）に対面するように、ウェーハ１１と概ね同じ高さ位置に設置される。また、ノズル４６の向きは、噴射口４６ａがウェーハ１１の外周縁の接線と交わるように調節される。これにより、流体４８がウェーハ１１の外周縁の接線方向に沿って噴射される。 For example, the nozzle 46 is installed at approximately the same height as the wafer 11 so that the nozzle 46a faces the outer periphery (reinforcement portion 21) of the wafer 11. The orientation of the nozzle 46 is adjusted so that the nozzle 46a intersects with the tangent to the outer periphery of the wafer 11. This causes the fluid 48 to be sprayed along the tangent to the outer periphery of the wafer 11.

回収機構５０としては、例えばノズル４６の噴射口４６ａ側に向かって開口する開口部５０ａを備える容器が用いられる。そして、ノズル４６と回収機構５０とは、ウェーハ１１の補強部２１を挟むように配置される。例えば、ノズル４６及び回収機構５０は、ウェーハ１１の外周縁の接線上に位置付けられる。これにより、補強部２１がノズル４６の噴射口４６ａと回収機構５０の開口部５０ａとの間に配置される。 As the recovery mechanism 50, for example, a container having an opening 50a that opens toward the injection port 46a side of the nozzle 46 is used. The nozzle 46 and the recovery mechanism 50 are arranged so as to sandwich the reinforcing portion 21 of the wafer 11. For example, the nozzle 46 and the recovery mechanism 50 are positioned on a tangent to the outer periphery of the wafer 11. As a result, the reinforcing portion 21 is positioned between the injection port 46a of the nozzle 46 and the opening 50a of the recovery mechanism 50.

除去工程では、ウェーハ１１を保持しているチャックテーブル３２（図６等参照）を低速（例えば５～１０ｒｐｍ）で回転させつつ、ノズル４６から流体４８を噴射させる。これにより、ウェーハ１１の外側に位置する噴射位置（ノズル４６の位置）から補強部２１に向かって流体４８が噴射される。その結果、流体４８によって補強部２１に圧力が付与され、分割された補強部２１（チップ２９）が粘着テープ２３から剥離される。そして、分割された補強部２１（チップ２９）は、流体４８の噴射位置とは反対側に飛散する。 In the removal process, the chuck table 32 (see FIG. 6, etc.) holding the wafer 11 is rotated at a low speed (e.g., 5 to 10 rpm) while the nozzle 46 sprays the fluid 48. This causes the fluid 48 to be sprayed toward the reinforcing portion 21 from a spray position (the position of the nozzle 46) located outside the wafer 11. As a result, pressure is applied to the reinforcing portion 21 by the fluid 48, and the divided reinforcing portion 21 (chips 29) is peeled off from the adhesive tape 23. The divided reinforcing portion 21 (chips 29) then scatters to the side opposite the spray position of the fluid 48.

ノズル４６から流体４８が噴射された状態でウェーハ１１が１回転すると、補強部２１の全域に流体４８が噴射され、全てのチップ２９が粘着テープ２３から剥離される。これにより、補強部２１が除去され、粘着テープ２３上には複数のデバイスチップ２７のみが残存する。 When the wafer 11 rotates once while the fluid 48 is being sprayed from the nozzle 46, the fluid 48 is sprayed over the entire area of the reinforcing portion 21, and all the chips 29 are peeled off from the adhesive tape 23. As a result, the reinforcing portion 21 is removed, and only the device chips 27 remain on the adhesive tape 23.

このように、本実施形態では、分割工程において環状の補強部２１が複数のチップ２９に分割されているため、除去工程において各チップ２９に適度な外力を付与するのみで補強部２１を簡単に除去できる。これにより、環状の状態の補強部２１を搬送するための精密な搬送機構の準備や操作が不要となり、補強部２１の除去作業が簡易化される。 In this manner, in this embodiment, since the annular reinforcing portion 21 is divided into a plurality of chips 29 in the dividing process, the reinforcing portion 21 can be easily removed by simply applying an appropriate external force to each chip 29 in the removing process. This eliminates the need to prepare and operate a precision transport mechanism for transporting the reinforcing portion 21 in an annular state, simplifying the work of removing the reinforcing portion 21.

また、図９に示すように、流体４８の噴射位置（ノズル４６の位置）をウェーハ１１の外側に設定すると、チップ２９がウェーハ１１から一方向に向かって飛散する。これにより、チップ２９がウェーハ１１からランダムな方向に飛散することを防止でき、チップ２９の回収が容易になる。 Also, as shown in FIG. 9, if the injection position of the fluid 48 (position of the nozzle 46) is set outside the wafer 11, the chips 29 will scatter in one direction from the wafer 11. This prevents the chips 29 from scattering in random directions from the wafer 11, making it easier to collect the chips 29.

さらに、ノズル４６と対向するように回収機構５０を配置することにより、流体４８の噴射によって飛散したチップ２９が回収機構５０の開口部５０ａに導かれ、回収機構５０に入り込む。すなわち、チップ２９の除去とともにチップ２９の回収が行われる。これにより、除去ステップ後に散らばったチップ２９を回収する作業が不要となり、作業効率が向上する。 Furthermore, by arranging the recovery mechanism 50 so as to face the nozzle 46, the chips 29 scattered by the injection of the fluid 48 are guided to the opening 50a of the recovery mechanism 50 and enter the recovery mechanism 50. That is, the chips 29 are removed and recovered at the same time. This eliminates the need to recover the scattered chips 29 after the removal step, improving work efficiency.

なお、回収機構５０の種類に制限はない。例えば回収機構５０は、エジェクタ等の吸引源に接続されたダクトであってもよい。この場合には、ノズル４６から流体４８を噴射するとともに、ダクトに吸引源の吸引力（負圧）を作用させることにより、飛散したチップ２９を確実にダクトに導くことができる。 There is no limit to the type of recovery mechanism 50. For example, the recovery mechanism 50 may be a duct connected to a suction source such as an ejector. In this case, by spraying fluid 48 from nozzle 46 and applying the suction force (negative pressure) of the suction source to the duct, the scattered chips 29 can be reliably guided to the duct.

以上の通り、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、切削工程においてデバイス領域１７ａが複数のデバイスチップ２７に分割されるとともに、補強部２１に切削溝１１ｃが形成される。そして、分割工程において、補強部２１に外力が付与され、補強部２１が切削溝１１ｃを起点として分割される。これにより、分割された補強部２１に流体４８を噴射するという簡易な方法により、ウェーハ１１から補強部２１を容易に除去することが可能となる。 As described above, in the wafer processing method according to this embodiment, the device region 17a is divided into a plurality of device chips 27 in the cutting process, and cutting grooves 11c are formed in the reinforcing portion 21. Then, in the dividing process, an external force is applied to the reinforcing portion 21, and the reinforcing portion 21 is divided starting from the cutting grooves 11c. This makes it possible to easily remove the reinforcing portion 21 from the wafer 11 by the simple method of spraying a fluid 48 onto the divided reinforcing portion 21.

また、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、ウェーハ１１の外側に位置する所定の噴射位置から補強部２１に向かって流体４８を噴射することにより、分割された補強部２１（複数のチップ２９）を噴射位置とは反対側に向かって飛散させる。これにより、チップ２９がウェーハ１１からランダムな方向に飛散することを防止でき、チップ２９の回収が容易になる。 In addition, in the wafer processing method according to this embodiment, fluid 48 is sprayed toward the reinforcing portion 21 from a predetermined spray position located on the outside of the wafer 11, causing the divided reinforcing portion 21 (multiple chips 29) to scatter in the direction opposite to the spray position. This makes it possible to prevent the chips 29 from scattering in random directions from the wafer 11, making it easier to collect the chips 29.

なお、除去工程では、流体４８と噴射とチャックテーブル３２の回転とを交互に実施することにより、補強部２１を除去してもよい。具体的には、まず、チャックテーブル３２を停止させた状態で、補強部２１の一部に流体４８を噴射する。その後、チャックテーブル３２を所定の角度分回転させ、再度補強部２１の一部に流体４８を噴射する。この作業をウェーハ１１が１回転するまで繰り返すことにより、全てのチップ２９が粘着テープ２３から剥離される。 In the removal process, the reinforcing portion 21 may be removed by alternately spraying the fluid 48 and rotating the chuck table 32. Specifically, first, the fluid 48 is sprayed onto a portion of the reinforcing portion 21 while the chuck table 32 is stopped. Then, the chuck table 32 is rotated by a predetermined angle, and the fluid 48 is sprayed onto the portion of the reinforcing portion 21 again. By repeating this operation until the wafer 11 has rotated once, all the chips 29 are peeled off from the adhesive tape 23.

また、除去工程では、複数のデバイスチップ２７を保護膜で被覆してもよい。例えば、チャックテーブル３２の上方からウェーハ１１に向かって純水を供給し、複数のデバイスチップ２７を水膜で覆ってもよい。これにより、万が一チップ２９がデバイスチップ２７側に飛散した場合にも、デバイスチップ２７が損傷しにくくなる。 In addition, in the removal process, the multiple device chips 27 may be covered with a protective film. For example, pure water may be supplied from above the chuck table 32 toward the wafer 11, and the multiple device chips 27 may be covered with a water film. This makes it difficult for the device chip 27 to be damaged, even if the chip 29 is scattered toward the device chip 27.

また、本実施形態では、分割工程と除去工程とが同一のチャックテーブル３２（図６等）参照を用いて実施される例について説明したが、ウェーハ１１は分割工程と除去工程とで別個のチャックテーブルによって保持されてもよい。 In addition, in this embodiment, an example has been described in which the dividing process and the removing process are performed using the same chuck table 32 (see FIG. 6, etc.), but the wafer 11 may be held by separate chuck tables for the dividing process and the removing process.

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。 In addition, the structures, methods, etc. according to the above embodiments can be modified as appropriate without departing from the scope of the present invention.

１１ ウェーハ
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１１ｃ 切削溝
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
１７ａ デバイス領域
１７ｂ 外周余剰領域
１９ 凹部（溝）
１９ａ 底面
１９ｂ 側面（内壁）
２１ 補強部（凸部）
２３ 粘着テープ
２５ フレーム
２５ａ 開口
２７ デバイスチップ
２９ チップ
２ 切削装置
４ チャックテーブル（保持テーブル）
４ａ 保持面
６ 枠体（本体部）
６ａ 上面
６ｂ 凹部（溝）
８ 保持部材
８ａ 上面
１０ クランプ
１２ 切削ユニット
１４ ハウジング
１６ 切削ブレード
１８ ブレードカバー
２０ 接続部
２２ ノズル
３０ 外力付与ユニット
３２ チャックテーブル（保持テーブル）
３４ 枠体（本体部）
３４ａ 上面
３４ｂ 凹部（溝）
３６ 保持部材
３６ａ 吸引面
３８ 凸部（突起）
４０ａ，４０ｂ，４０ｃ 溝
４２ａ，４２ｂ バルブ
４４ 吸引源
４６ ノズル
４６ａ 噴射口
４８ 流体
５０ 回収機構
５０ａ 開口部 11 Wafer 11a Front surface 11b Back surface 11c Cut groove 13 Planned division line (street)
15 Device 17a Device region 17b Outer peripheral excess region 19 Recess (groove)
19a Bottom 19b Side (inner wall)
21 Reinforcement portion (convex portion)
23 Adhesive tape 25 Frame 25a Opening 27 Device chip 29 Chip 2 Cutting device 4 Chuck table (holding table)
4a Holding surface 6 Frame (main body)
6a Upper surface 6b Recess (groove)
Reference Signs List 8: Holding member 8a: Upper surface 10: Clamp 12: Cutting unit 14: Housing 16: Cutting blade 18: Blade cover 20: Connection portion 22: Nozzle 30: External force imparting unit 32: Chuck table (holding table)
34 Frame (main body)
34a Upper surface 34b Recess (groove)
36 Holding member 36a Suction surface 38 Convex portion (protrusion)
40a, 40b, 40c Groove 42a, 42b Valve 44 Suction source 46 Nozzle 46a Jet port 48 Fluid 50 Recovery mechanism 50a Opening

Claims (3)

互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域を表面側に備え、該デバイス領域に対応する領域に形成された凹部を裏面側に備え、該デバイス領域及び該凹部を囲む環状の補強部を外周部に備えるウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、
該ウェーハの裏面側に粘着テープを該凹部及び該補強部に沿って貼着するテープ貼着工程と、
第１チャックテーブルによって該凹部の底面を、該粘着テープを介して保持する保持工程と、
切削ブレードによって該ウェーハを該分割予定ラインに沿って切削することにより、該デバイス領域を複数のデバイスチップに分割するとともに、該補強部に切削溝を形成する切削工程と、
該補強部に外力を付与することにより、該切削溝を起点として該補強部を分割する分割工程と、
該ウェーハの外側に位置する所定の噴射位置から該補強部に向かって流体を噴射することにより、分割された該補強部を該噴射位置とは反対側に向かって飛散させて除去する除去工程と、を備え、
該除去工程では、該流体を該ウェーハの外周縁の接線方向に沿って噴射することを特徴とするウェーハの加工方法。 A wafer processing method for processing a wafer, the wafer having a surface side including device regions in which devices are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of planned division lines arranged in a lattice pattern so as to intersect with each other, a back side including recesses formed in regions corresponding to the device regions, and an annular reinforcing portion on an outer periphery surrounding the device regions and the recesses, comprising:
a tape application step of applying an adhesive tape to the back surface side of the wafer along the recess and the reinforcing portion;
a holding step of holding a bottom surface of the recessed portion via the adhesive tape by a first chuck table;
a cutting step of cutting the wafer along the division lines with a cutting blade to divide the device region into a plurality of device chips and form cutting grooves in the reinforcing portion;
a dividing step of dividing the reinforcement portion from the cut groove by applying an external force to the reinforcement portion;
a removing step of spraying a fluid from a predetermined spray position located outside the wafer toward the reinforcing portion to scatter the divided reinforcing portion toward an opposite side to the spray position,
The method for processing a wafer is characterized in that in the removing step, the fluid is sprayed along a tangential direction of the outer periphery of the wafer. 互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたデバイス領域を表面側に備え、該デバイス領域に対応する領域に形成された凹部を裏面側に備え、該デバイス領域及び該凹部を囲む環状の補強部を外周部に備えるウェーハを加工するウェーハの加工方法であって、
該ウェーハの裏面側に粘着テープを該凹部及び該補強部に沿って貼着するテープ貼着工程と、
第１チャックテーブルによって該凹部の底面を、該粘着テープを介して保持する保持工程と、
切削ブレードによって該ウェーハを該分割予定ラインに沿って切削することにより、該デバイス領域を複数のデバイスチップに分割するとともに、該補強部に切削溝を形成する切削工程と、
該補強部に外力を付与することにより、該切削溝を起点として該補強部を分割する分割工程と、
該ウェーハの外側に位置する所定の噴射位置から該補強部に向かって流体を噴射することにより、分割された該補強部を該噴射位置とは反対側に向かって飛散させて除去する除去工程と、を備え、
該除去工程では、該ウェーハの該補強部を挟むようにノズルと回収機構とが配置された状態で、該ノズルから該補強部に向かって該流体を噴射することにより、分割された該補強部を該回収機構に向かって飛散させて該回収機構によって回収することを特徴とするウェーハの加工方法。 A wafer processing method for processing a wafer, the wafer having a surface side including device regions in which devices are formed in a plurality of regions partitioned by a plurality of planned division lines arranged in a lattice pattern so as to intersect with each other, a back side including recesses formed in regions corresponding to the device regions, and an annular reinforcing portion on an outer periphery surrounding the device regions and the recesses, comprising:
a tape application step of applying an adhesive tape to the back surface side of the wafer along the recess and the reinforcing portion;
a holding step of holding a bottom surface of the recessed portion via the adhesive tape by a first chuck table;
a cutting step of cutting the wafer along the division lines with a cutting blade to divide the device region into a plurality of device chips and form cutting grooves in the reinforcing portion;
a dividing step of dividing the reinforcement portion from the cut groove by applying an external force to the reinforcement portion;
a removing step of spraying a fluid from a predetermined spray position located outside the wafer toward the reinforcing portion to scatter the divided reinforcing portion toward an opposite side to the spray position,
The removal process is a wafer processing method characterized in that a nozzle and a recovery mechanism are arranged to sandwich the reinforcing portion of the wafer, and the fluid is sprayed from the nozzle toward the reinforcing portion, causing the divided reinforcing portion to scatter toward the recovery mechanism and be recovered by the recovery mechanism. 該分割工程では、該ウェーハの該補強部に対応する位置に凹凸を有する第２チャックテーブルによって該ウェーハを支持した状態で、該粘着テープを該第２チャックテーブルによって吸引することにより、該粘着テープを該凹凸に沿って配置して該補強部を分割することを特徴とする、請求項１又は２に記載のウェーハの加工方法。 The wafer processing method according to claim 1 or 2, characterized in that in the dividing step, the wafer is supported by a second chuck table having an uneven surface at a position corresponding to the reinforcing portion of the wafer, and the adhesive tape is sucked by the second chuck table, so that the adhesive tape is arranged along the uneven surface to divide the reinforcing portion.
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