JP7749350B2 - Wafer processing method and expansion device - Google Patents
Wafer processing method and expansion deviceInfo
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Description
本発明は、ウェーハの加工方法及び拡張装置に関する。 The present invention relates to a wafer processing method and expansion device.
裏面にダイアタッチ層が積層されたデバイスチップを製造するために、ウェーハの裏面にダイアタッチフィルムを介して貼着されたテープを拡張する拡張装置を用いた方法が広く採用されている(例えば、特許文献1参照)。 To manufacture device chips with a die attach layer laminated on the backside, a method using an expansion device to expand tape attached to the backside of the wafer via a die attach film is widely used (see, for example, Patent Document 1).
一方、エキスパンド性を有したシート(エキスパンドシート)上にダイアタッチ層が積層された2in1(ツーインワン)と呼ばれるテープが広く利用されている。 On the other hand, a tape called 2-in-1, in which a die attach layer is laminated onto an expandable sheet (expandable sheet), is widely used.
2in1テープでは、ウェーハをエキスパンドシートに貼着する際に僅かに位置ずれが生じてもウェーハの裏面にダイアタッチフィルムが貼着されるように、一般にダイアタッチフィルムの直径はウェーハの直径よりも大きく形成されている。 In 2-in-1 tape, the diameter of the die attach film is generally made larger than the diameter of the wafer so that the die attach film will adhere to the backside of the wafer even if there is a slight misalignment when attaching the wafer to the expandable sheet.
その為エキスパンドシートを拡張した際にウェーハからはみ出したダイアタッチフィルムが破断し、エキスパンドシートから剥離し飛散するという問題が生じている。飛散したダイアタッチフィルムがデバイスの表面に付着するとボンディング不良を引き起こしかねない。 As a result, when the expandable sheet is expanded, the die attach film that protrudes from the wafer breaks, peels off from the expandable sheet, and scatters. If the scattered die attach film adheres to the surface of the device, it could cause bonding failure.
そこで、ウェーハからはみ出したダイアタッチフィルムを除去した後にシートをエキスパンドする方法も提案されている(例えば、特許文献2参照)。 Therefore, a method has been proposed in which the die attach film protruding from the wafer is removed and then the sheet is expanded (see, for example, Patent Document 2).
しかし、特許文献2に示された方法は、エキスパンド前にはみ出したダイアタッチフィルムを除去するという工程が増える上、ダイアタッチフィルムが数ミクロン~数十ミクロンと薄く、エキスパンドシートに切り込まずにダイアタッチフィルムだけをウェーハの外周に沿って切断することが非常に難しい。エキスパンドシートに切り込みが形成されると、エキスパンド時に切り込みを起点にエキスパンドシートが破断するおそれがあるため、改善が切望されていた。 However, the method disclosed in Patent Document 2 requires an additional step of removing any excess die attach film before expanding. Furthermore, the die attach film is thin, ranging from a few microns to a few tens of microns, making it extremely difficult to cut just the die attach film along the periphery of the wafer without cutting into the expanding sheet. If cuts are made in the expanding sheet, there is a risk that the expanding sheet will break from the cuts during expansion, so improvements were eagerly sought.
本発明の目的は、製造工程を増やすことなくダイアタッチフィルムの破片の飛散に起因するボンディング不良の発生を抑制することができるウェーハの加工方法、及び拡張装置を提供することである。 The object of the present invention is to provide a wafer processing method and expansion device that can suppress the occurrence of bonding failures caused by flying fragments of the die attach film without increasing the number of manufacturing processes.
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、ウェーハの加工方法であって、分割予定ラインに沿って分割されたウェーハ又は分割予定ラインに沿って分割起点が形成されたウェーハと、ウェーハの裏面に貼着されウェーハの直径よりも大きい直径のダイアタッチフィルムと、該ダイアタッチフィルムを介してウェーハが貼着される被貼着面を含むエキスパンドシートと、該エキスパンドシートの外周が貼着されるフレームと、からなるウェーハユニットを準備するウェーハユニット準備ステップと、該ウェーハユニットの該フレームをフレーム固定ユニットで固定するフレーム固定ステップと、該フレーム固定ユニットで固定されたフレームを含む該ウェーハユニットの該エキスパンドシートの該フレームの内周とウェーハの外周との間の領域を該被貼着面の背面側から押圧ユニットで押圧して該エキスパンドシートを拡張し、該分割予定ラインに沿って該ダイアタッチフィルムを破断して裏面にダイアタッチフィルムが貼着されたチップを複数形成する拡張ステップと、を備え、該押圧ユニットは、該ウェーハを囲繞する環状に配置され、ウェーハの径方向への回転を許容する向きにそれぞれ配設されて該エキスパンドシートを押圧する複数の押圧ローラーを有し、該拡張ステップでは、ウェーハの外周からはみ出したダイアタッチフィルムにおける少なくとも各押圧ローラーの回転軸方向の両端縁に対応する位置に該ウェーハを囲繞して環状に配置された複数の上側ローラーを当接させ、該上側ローラーと該押圧ローラーとで該エキスパンドシートとともに該ダイアタッチフィルムを挟み込んだ状態で拡張することで、該押圧ローラーの該回転軸方向の該両端縁で該ダイアタッチフィルムが破断し該エキスパンドシートから剥離することを防止するとともに、該押圧ローラーは、該ウェーハの周方向に等間隔に複数配置され、該上側ローラーは、該ウェーハの周方向に等間隔に複数配置されかつ該押圧ローラー間に重なる位置に配置されているとともに該ウェーハの径方向への回転を許容する向きにそれぞれ配設されて該ダイアタッチフィルムに当接することを特徴とする。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the wafer processing method of the present invention is a wafer processing method, which includes a wafer unit preparation step of preparing a wafer unit comprising a wafer divided along a planned dividing line or a wafer having dividing starting points formed along the planned dividing line, a die attach film attached to the back surface of the wafer and having a diameter larger than that of the wafer, an expandable sheet including an attachment surface to which the wafer is attached via the die attach film, and a frame to which the outer periphery of the expandable sheet is attached; a frame fixing step of fixing the frame of the wafer unit with a frame fixing unit; and an expansion step of pressing with a pressing unit an area between the inner periphery of the frame of the expandable sheet of the wafer unit including a frame fixed with the frame fixing unit from the back side of the attachment surface to expand the expandable sheet, and breaking the die attachable film along the planned dividing line to form a plurality of chips each having the die attachable film attached to its back surface. the pressing unit has a plurality of pressing rollers arranged in a ring shape surrounding the wafer, each arranged in a direction that allows rotation of the wafer in the radial direction, and pressing the expanded sheet; and in the expanding step, a plurality of upper rollers arranged in a ring shape surrounding the wafer are brought into contact with positions on the die attach film that protrudes from the outer periphery of the wafer, corresponding to at least both end edges in the rotational axis direction of each pressing roller, and the die attach film is expanded while being sandwiched together with the expanded sheet between the upper rollers and the pressing rollers, thereby preventing the die attach film from breaking at both end edges in the rotational axis direction of the pressing rollers and peeling off from the expanded sheet; and the pressing rollers are arranged at equal intervals around the circumference of the wafer, and the upper rollers are arranged at equal intervals around the circumference of the wafer, and are arranged in positions that overlap the pressing rollers, and are each arranged in a direction that allows rotation of the wafer in the radial direction, and abut against the die attach film .
本発明の拡張装置は、分割予定ラインに沿って分割されたウェーハ又は分割予定ラインに沿って分割起点が形成されたウェーハと、ウェーハの裏面に貼着されウェーハの直径よりも大きい直径のダイアタッチフィルムと、該ダイアタッチフィルムを介してウェーハが貼着される被貼着面を含むエキスパンドシートと、該エキスパンドシートの外周が貼着されるフレームと、からなるウェーハユニットの該エキスパンドシートを拡張する拡張装置であって、該ウェーハユニットの該フレームを固定するフレーム固定ユニットと、該ウェーハを囲繞する環状に配置され、ウェーハの径方向への回転を許容する向きにそれぞれ配設されて該エキスパンドシートを押圧する複数の押圧ローラーを有し、該フレーム固定ユニットで固定されたフレームを含む該ウェーハユニットの該エキスパンドシートの該フレームの内周とウェーハの外周との間の領域を該被貼着面の背面側から押圧する押圧ユニットと、該押圧ユニットが該エキスパンドシートを押圧する際に、ウェーハの外周からはみ出したダイアタッチフィルムにおける少なくとも各押圧ローラーの回転軸方向の両端縁に対応する位置に当接するとともに該ウェーハを囲繞して環状に配置された複数の上側ローラーを有した押さえユニットと、を備え、該ウェーハの周方向に等間隔に複数配置された該押圧ローラーと、該ウェーハの周方向に等間隔に複数配置されかつ該押圧ローラー間に重なる位置に配置されているとともに該ウェーハの径方向への回転を許容する向きにそれぞれ配設された該上側ローラーとで該エキスパンドシートとともに該ダイアタッチフィルムを挟み込んだ状態で該エキスパンドシートを拡張することを特徴とする。 The expansion device of the present invention is an expansion device for expanding an expandable sheet of a wafer unit comprising a wafer divided along a planned dividing line or a wafer having dividing starting points formed along the planned dividing line, a die attach film attached to the back surface of the wafer and having a diameter larger than that of the wafer, an expandable sheet including an attachment surface to which the wafer is attached via the die attach film, and a frame to which the outer periphery of the expandable sheet is attached, the expansion device comprising a frame fixing unit for fixing the frame of the wafer unit, and a plurality of pressure rollers arranged in a ring shape surrounding the wafer, each of which is arranged in a direction allowing rotation of the wafer in the radial direction and presses the expandable sheet, and the frame fixed by the frame fixing unit The device is characterized by comprising a pressing unit that presses the area between the inner circumference of the frame and the outer circumference of the wafer from the back side of the surface to be attached, and a pressing unit that has a plurality of upper rollers that are arranged in a ring shape surrounding the wafer and that abut at positions corresponding to at least both end edges in the rotational axis direction of each pressing roller on the die attachment film that protrudes from the outer circumference of the wafer when the pressing unit presses the expanded sheet, wherein the expanded sheet is expanded with the die attachment film sandwiched between the pressing rollers that are arranged at equal intervals around the circumference of the wafer and the upper rollers that are arranged at equal intervals around the circumference of the wafer, positioned so as to overlap between the pressing rollers, and each oriented to allow rotation of the wafer in the radial direction .
本発明は、製造工程を増やすことなくダイアタッチフィルムの破片の飛散に起因するボンディング不良の発生を抑制することができるという効果を奏する。 The present invention has the advantage of being able to suppress bonding failures caused by flying fragments of the die attach film without increasing the number of manufacturing processes.
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。 Modes for carrying out the present invention (embodiments) will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the following embodiments. Furthermore, the components described below include those that would be easily imagined by a person skilled in the art and those that are substantially identical. Furthermore, the configurations described below can be combined as appropriate. Furthermore, various omissions, substitutions, or modifications to the configuration can be made without departing from the spirit of the present invention.
〔実施形態1〕
本発明の実施形態1に係る拡張装置を図面に基づいて説明する。図1は、実施形態1に係る拡張装置の構成例を示す斜視図である。図2は、実施形態1に係る拡張装置の加工対象のウェーハユニットの一例を示す斜視図である。図3は、図1に示された拡張装置の分割ユニットの構成例を模式的に示す断面図である。図4は、図3に示された分割ユニットの押圧ローラーと上側ローラーとを示す平面図である。図5は、図1に示された拡張装置のヒートシュリンクユニットの構成例を模式的に示す断面図である。
[Embodiment 1]
An expansion device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view showing a configuration example of the expansion device according to the first embodiment. FIG. 2 is a perspective view showing an example of a wafer unit to be processed by the expansion device according to the first embodiment. FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a split unit of the expansion device shown in FIG. 1. FIG. 4 is a plan view showing a pressure roller and an upper roller of the split unit shown in FIG. 3. FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a configuration example of a heat shrink unit of the expansion device shown in FIG. 1.
実施形態1に係る図1に示す拡張装置1は、図2に示すウェーハユニット200のエキスパンドシート203を拡張する装置である。ウェーハユニット200は、図2に示すように、ウェーハ201と、ダイアタッチフィルム(以下、DAFと記す)202と、エキスパンドシート203と、フレーム204とからなる。 The expansion device 1 shown in FIG. 1 according to the first embodiment is a device that expands the expanding sheet 203 of the wafer unit 200 shown in FIG. 2. As shown in FIG. 2, the wafer unit 200 comprises a wafer 201, a die attach film (hereinafter referred to as DAF) 202, an expanding sheet 203, and a frame 204.
実施形態1では、ウェーハ201は、シリコン、サファイア、ガリウムヒ素又はSiC(炭化ケイ素)などを基板とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等である。ウェーハ201は、図2に示すように、表面205の互いに交差する複数の分割予定ライン206で区画された各領域にそれぞれデバイス207が形成されている。 In embodiment 1, the wafer 201 is a disk-shaped semiconductor wafer, optical device wafer, or the like, whose substrate is silicon, sapphire, gallium arsenide, SiC (silicon carbide), or the like. As shown in FIG. 2, the wafer 201 has devices 207 formed in each of the regions defined by a plurality of intersecting planned division lines 206 on the surface 205.
ウェーハ201は、表面205の裏側の裏面208側から基板に対して透過性を有する波長のレーザ光線が分割予定ライン206に沿って照射されて、基板の内部に分割予定ライン206に沿って分割起点である改質層209(図2中に点線で示す)が形成されている。ウェーハ201は、改質層209を起点に個々のチップ210に分割される。なお、チップ210は、分割予定ライン206に沿って分割された基板の一部と、基板の表面に形成されたデバイス207とを備え、基板の裏面208に分割されたDAF202の一部が貼着されている。 The wafer 201 is irradiated along the planned dividing lines 206 with a laser beam of a wavelength that is transparent to the substrate from the back surface 208 behind the front surface 205, forming modified layers 209 (shown by dotted lines in Figure 2) that serve as dividing starting points along the planned dividing lines 206 inside the substrate. The wafer 201 is divided into individual chips 210 starting from the modified layers 209. Each chip 210 comprises a portion of the substrate divided along the planned dividing lines 206 and a device 207 formed on the front surface of the substrate, with a portion of the divided DAF 202 attached to the back surface 208 of the substrate.
なお、改質層209とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。 The modified layer 209 refers to a region in which the density, refractive index, mechanical strength, or other physical properties are different from those of the surrounding area, and examples include a melt-processed region, a cracked region, an insulation breakdown region, a refractive index change region, and a region in which these regions are mixed.
DAF202は、個々に分割されたチップ210を他のチップ又は基板等に固定するためのダイボンディング用の接着フィルムである。DAF202は、ウェーハ201の直径よりも大きい直径の円板状に形成されている。DAF202は、ウェーハ201の裏面208に貼着されている。 The DAF 202 is an adhesive film for die bonding used to fix the individually separated chips 210 to other chips or substrates. The DAF 202 is formed in a circular disk shape with a diameter larger than that of the wafer 201. The DAF 202 is attached to the back surface 208 of the wafer 201.
エキスパンドシート203は、伸縮性を有する樹脂から構成され、加熱されると収縮する熱収縮性を有する。エキスパンドシート203は、ウェーハ201及びDAF202の直径よりもおおきい直径の円板状に形成され、かつ、伸縮性及び熱収縮性を有する合成樹脂から構成された基材層と、基材層上に積層されかつウェーハ201に貼着するとともに伸縮性及び熱収縮性を有する合成樹脂から構成された粘着層とを備える。 The expandable sheet 203 is made of a stretchable resin and has heat-shrinkability, meaning it shrinks when heated. The expandable sheet 203 is formed into a disk shape with a diameter larger than that of the wafer 201 and DAF 202, and includes a base layer made of a stretchable and heat-shrinkable synthetic resin, and an adhesive layer made of a stretchable and heat-shrinkable synthetic resin that is laminated on the base layer and adheres to the wafer 201.
粘着層の表面は、DAF202が貼着され、DAF202を介してウェーハ201の裏面208が貼着される被貼着面211である。即ち、エキスパンドシート203は、被貼着面211を含む。実施形態1では、粘着層は、紫外線が照射されることで、硬化し、粘着力が低下する合成樹脂により構成されている。 The surface of the adhesive layer is the adhered surface 211 to which the DAF 202 is attached and to which the back surface 208 of the wafer 201 is attached via the DAF 202. In other words, the expand sheet 203 includes the adhered surface 211. In embodiment 1, the adhesive layer is made of a synthetic resin that hardens and loses its adhesive strength when irradiated with ultraviolet light.
実施形態1では、エキスパンドシート203は、予め被貼着面211にDAF202が貼着されており、DAF202にウェーハ201の裏面208に貼着されることで、ウェーハ201の裏面208にDAF202を介して貼着される、所謂2in1と呼ばれるテープである。 In embodiment 1, the expand sheet 203 has a DAF 202 attached to its attachment surface 211 in advance, and the DAF 202 is then attached to the back surface 208 of the wafer 201, thereby adhering the expand sheet 203 to the back surface 208 of the wafer 201 via the DAF 202, forming a so-called 2-in-1 tape.
フレーム204は、ウェーハ201及びDAF202の直径よりの内径が大きな円環状に形成されかつエキスパンドシート203の外周が貼着されている。 The frame 204 is formed in a circular ring shape with an inner diameter larger than the diameter of the wafer 201 and DAF 202, and the outer periphery of the expandable sheet 203 is attached to it.
前述した構成のウェーハユニット200は、エキスパンドシート203の被貼着面211に貼着されたDAF202にウェーハ201の裏面208が貼着され、エキスパンドシート203の外周にフレーム204が貼着されるなどして構成される。 The wafer unit 200 having the above-described configuration is constructed by adhering the back surface 208 of the wafer 201 to the DAF 202, which is adhered to the attachment surface 211 of the expandable sheet 203, and adhering the frame 204 to the outer periphery of the expandable sheet 203.
図1に示す実施形態1に係る拡張装置1は、ウェーハユニット200のエキスパンドシート203を拡張して、分割起点として改質層209が形成されたウェーハ201を分割予定ライン206に沿って個々のチップ210に分割するとともに、DAF202をチップ210毎に分割する装置である。拡張装置1は、図1に示すように、装置本体2に設けられたカセットエレベータ3と、分割ユニット10と、ヒートシュリンクユニット30と、洗浄ユニット40と、紫外線照射ユニット60と、搬送ユニット50と、制御手段である制御ユニット100とを備える。 The expansion device 1 according to embodiment 1 shown in Figure 1 is an apparatus that expands the expand sheet 203 of the wafer unit 200, divides the wafer 201, on which a modified layer 209 has been formed as the division starting point, into individual chips 210 along the planned division line 206, and divides the DAF 202 into each chip 210. As shown in Figure 1, the expansion device 1 includes a cassette elevator 3 provided in the main body 2, a division unit 10, a heat shrink unit 30, a cleaning unit 40, an ultraviolet irradiation unit 60, a transport unit 50, and a control unit 100, which is a control means.
カセットエレベータ3は、装置本体2の水平方向と平行なY軸方向の一端に配置され、ウェーハユニット200を複数収容するカセット4が着脱自在に載置される。カセット4は、複数のウェーハユニット200を鉛直方向と平行なZ軸方向に間隔をあけて収容する。カセット4は、ウェーハユニット200を出し入れ自在な開口5を装置本体2のY軸方向の中央部に向けてカセットエレベータ3上に載置される。カセットエレベータ3は、カセット4をZ軸方向に昇降させる。 The cassette elevator 3 is located at one end of the main body 2 in the Y-axis direction, which is parallel to the horizontal direction, and a cassette 4 containing multiple wafer units 200 is removably placed on it. The cassette 4 contains multiple wafer units 200 spaced apart in the Z-axis direction, which is parallel to the vertical direction. The cassette 4 is placed on the cassette elevator 3 with its opening 5, through which the wafer units 200 can be freely inserted and removed, facing the center of the main body 2 in the Y-axis direction. The cassette elevator 3 raises and lowers the cassette 4 in the Z-axis direction.
また、拡張装置1は、カセット4に出し入れされるウェーハユニット200が仮置きされる一対の第1ガイドレール6と、一対の第2ガイドレール7とを備える。一対の第1ガイドレール6は、Y軸方向と平行であるとともに、水平方向と平行でかつY軸方向と直交するX軸方向に互いに間隔をあけて配置される。一対の第1ガイドレール6は、カセットエレベータ3に載置されるカセット4の開口5のX軸方向の両端とY軸方向に並ぶように、装置本体2のY軸方向の中央に配置されている。一対の第1ガイドレール6は、図示しない駆動機構によりX軸方向に移動自在に設けられ、駆動機構により互いに近づいたり離れる。一対の第1ガイドレール6は、カセット4に出し入れされるウェーハユニット200が載置され、駆動機構により互いに近付くとウェーハユニット200をX軸方向に位置決めする。 The expansion device 1 also includes a pair of first guide rails 6 and a pair of second guide rails 7 on which wafer units 200 to be inserted into or removed from the cassette 4 are temporarily placed. The pair of first guide rails 6 are parallel to the Y-axis direction and are spaced apart in the X-axis direction, which is parallel to the horizontal direction and perpendicular to the Y-axis direction. The pair of first guide rails 6 are located in the center of the device main body 2 in the Y-axis direction so as to align with both ends of the X-axis direction of the opening 5 of the cassette 4 placed on the cassette elevator 3. The pair of first guide rails 6 are movable in the X-axis direction by a drive mechanism (not shown), and are moved toward or away from each other by the drive mechanism. The pair of first guide rails 6 are placed with wafer units 200 to be inserted into or removed from the cassette 4, and when they are moved toward each other by the drive mechanism, they position the wafer units 200 in the X-axis direction.
一対の第2ガイドレール7は、第1ガイドレール6から搬送ユニット50により搬送されてきたウェーハユニット200等が仮置きされるものである。一対の第2ガイドレール7は、Y軸方向と平行であるとともに、水平方向と平行でかつX軸方向に互いに間隔をあけて配置される。一対の第2ガイドレール7は、装置本体2のY軸方向の中央に配置され、第1ガイドレール6のX軸方向の隣りに配置されている。一対の第2ガイドレール7は、図示しない駆動機構によりX軸方向に移動自在に設けられ、駆動機構により互いに近づいたり離れる。一対の第2ガイドレール7は、第1ガイドレール6から搬送されてきたウェーハユニット200等が載置され、駆動機構により互いに近付くとウェーハユニット200をX軸方向に位置決めする。 The pair of second guide rails 7 are used to temporarily place wafer units 200 and other items transported from the first guide rails 6 by the transport unit 50. The pair of second guide rails 7 are parallel to the Y-axis direction, parallel to the horizontal direction, and spaced apart from each other in the X-axis direction. The pair of second guide rails 7 are located in the center of the device main body 2 in the Y-axis direction, and adjacent to the first guide rails 6 in the X-axis direction. The pair of second guide rails 7 are movable in the X-axis direction by a drive mechanism (not shown), and are moved toward and away from each other by the drive mechanism. The pair of second guide rails 7 are used to place wafer units 200 and other items transported from the first guide rails 6, and when they approach each other by the drive mechanism, the wafer units 200 are positioned in the X-axis direction.
搬送ユニット50は、カセット4と第1ガイドレール6上との間、及び第1ガイドレール6上と紫外線照射ユニット60との間でウェーハユニット200を搬送する第1搬送ユニット51と、第1ガイドレール6と第2ガイドレール7との間及び第2ガイドレール7とヒートシュリンクユニット30と、ヒートシュリンクユニット30と洗浄ユニット40との間、洗浄ユニット40と第1ガイドレール6上との間でウェーハユニット200を搬送する第2搬送ユニット52と、第2ガイドレール7と分割ユニット10との間でウェーハユニット200を搬送する第3搬送ユニット53とを備える。 The transport unit 50 includes a first transport unit 51 that transports the wafer unit 200 between the cassette 4 and the first guide rail 6, and between the first guide rail 6 and the ultraviolet irradiation unit 60; a second transport unit 52 that transports the wafer unit 200 between the first guide rail 6 and the second guide rail 7, between the second guide rail 7 and the heat shrink unit 30, between the heat shrink unit 30 and the cleaning unit 40, and between the cleaning unit 40 and the first guide rail 6; and a third transport unit 53 that transports the wafer unit 200 between the second guide rail 7 and the splitting unit 10.
分割ユニット10は、一対の第2ガイドレール7のY軸方向の一方側の隣に配置されている。分割ユニット10は、図3に示すように、フレーム固定ユニット11と、押圧ユニット12と、押さえユニット13とを備える。フレーム固定ユニット11と、押圧ユニット12と、押さえユニット13とは、装置本体2の一対の第2ガイドレール7のY軸方向の一方側の隣に配置された内側が冷却される冷却チャンバー14(図1に示す)内に収容されている。 The split unit 10 is disposed adjacent to one side of the pair of second guide rails 7 in the Y-axis direction. As shown in FIG. 3, the split unit 10 comprises a frame fixing unit 11, a pressing unit 12, and a holding unit 13. The frame fixing unit 11, the pressing unit 12, and the holding unit 13 are housed in a cooling chamber 14 (shown in FIG. 1), the inside of which is cooled, disposed adjacent to one side of the pair of second guide rails 7 of the device main body 2 in the Y-axis direction.
フレーム固定ユニット11は、ウェーハユニット200のフレーム204を固定するものであって、フレーム載置プレート15と、フレーム押さえプレート16とを備える。フレーム載置プレート15は、平面形状が円形の開口部151が設けられ、かつ上面152が水平方向と平行に平坦に形成された板状に形成されている。フレーム載置プレート15の開口部151の内径は、フレーム204の内径よりも若干小さくDAF202の直径よりも大きく形成されている。フレーム載置プレート15は、開口部151上にウェーハ201が位置する状態でウェーハユニット200のフレーム204が上面152に載置される。 The frame fixing unit 11 fixes the frame 204 of the wafer unit 200 and includes a frame mounting plate 15 and a frame pressing plate 16. The frame mounting plate 15 is formed as a plate with a circular opening 151 in plan view and a flat top surface 152 parallel to the horizontal direction. The inner diameter of the opening 151 of the frame mounting plate 15 is slightly smaller than the inner diameter of the frame 204 and larger than the diameter of the DAF 202. The frame 204 of the wafer unit 200 is placed on the top surface 152 of the frame mounting plate 15 with the wafer 201 positioned above the opening 151.
実施形態1では、フレーム載置プレート15は、上面152が第2ガイドレール7でX軸方向に位置決めされたウェーハユニット200のフレーム204の下面と同一平面上となる位置からシリンダ17によりZ軸方向に上昇する。即ち、フレーム載置プレート15は、シリンダ17の伸縮自在なロッド171の先端に取り付けられてシリンダ17のロッド171が伸縮することでZ軸方向に昇降自在に設けられている。 In embodiment 1, the frame mounting plate 15 is raised in the Z-axis direction by the cylinder 17 from a position where the upper surface 152 is flush with the lower surface of the frame 204 of the wafer unit 200, which is positioned in the X-axis direction by the second guide rail 7. That is, the frame mounting plate 15 is attached to the tip of the extendable rod 171 of the cylinder 17, and is capable of moving up and down in the Z-axis direction as the rod 171 of the cylinder 17 extends and retracts.
フレーム押さえプレート16は、フレーム載置プレート15の上方に固定されている。フレーム押さえプレート16は、フレーム載置プレート15とほぼ同寸法の板状に形成され、中央に開口部151と同寸法の円形の開口部161が設けられている。フレーム押さえプレート16の開口部161は、フレーム載置プレート15の開口部151と同軸に配置されている。 The frame holding plate 16 is fixed above the frame mounting plate 15. The frame holding plate 16 is formed in a plate shape with approximately the same dimensions as the frame mounting plate 15, and has a circular opening 161 in the center with the same dimensions as the opening 151. The opening 161 in the frame holding plate 16 is positioned coaxially with the opening 151 in the frame mounting plate 15.
フレーム固定ユニット11は、ロッド171が縮小して下方に位置するフレーム載置プレート15の上面152に第3搬送ユニット53によりウェーハユニット200が搬送されてくる。フレーム固定ユニット11は、フレーム載置プレート15の上面152にウェーハユニット200のフレーム204が載置された後、シリンダ17のロッド171が伸張してフレーム載置プレート15が上昇する。フレーム固定ユニット11は、フレーム押さえプレート16と上昇したフレーム載置プレート15との間にウェーハユニット200のフレーム204を挟んで固定する。 The frame fixing unit 11 receives the wafer unit 200 and transports it by the third transport unit 53 to the upper surface 152 of the frame mounting plate 15, which is positioned below the rod 171 retracted. After the frame 204 of the wafer unit 200 is placed on the upper surface 152 of the frame mounting plate 15, the rod 171 of the cylinder 17 extends, causing the frame mounting plate 15 to rise. The frame fixing unit 11 clamps and fixes the frame 204 of the wafer unit 200 between the frame presser plate 16 and the raised frame mounting plate 15.
押圧ユニット12は、フレーム固定ユニット11で固定されたフレーム204を含むウェーハユニット200のエキスパンドシート203のフレーム204の内周とウェーハ201の外周との間の領域212(図2に示す)を被貼着面211の背面側である基材層側から押圧するものである。押圧ユニット12は、拡張ドラム121と、複数の押圧ローラー122とを備える。 The pressing unit 12 presses the area 212 (shown in Figure 2) between the inner periphery of the frame 204 of the expanded sheet 203 of the wafer unit 200, which includes the frame 204 fixed by the frame fixing unit 11, and the outer periphery of the wafer 201, from the substrate layer side, which is the back side of the adherend surface 211. The pressing unit 12 includes an expansion drum 121 and multiple pressing rollers 122.
実施形態1において、拡張ドラム121は、下方が閉塞された円筒状に形成され、直径がフレーム載置プレート15の上面152に載置されるフレーム204の内径よりも小さく、内径がエキスパンドシート203に貼着されるウェーハ201の直径よりも大きく形成されている。拡張ドラム121は、フレーム固定ユニット11の開口部151,161と同軸に配置されている。 In embodiment 1, the expansion drum 121 is cylindrical and closed at the bottom, with a diameter smaller than the inner diameter of the frame 204 placed on the upper surface 152 of the frame mounting plate 15 and larger than the diameter of the wafer 201 attached to the expanding sheet 203. The expansion drum 121 is arranged coaxially with the openings 151, 161 of the frame fixing unit 11.
押圧ローラー122は、円柱状に形成され、拡張ドラム121の上端に軸心(以下回転軸と記す)回りに回転自在に支持されている。押圧ローラー122は、図4に示すように、周方向に等間隔に配置されている。押圧ローラー122は、直径がフレーム載置プレート15の上面152に載置されるフレーム204の内径よりも小さく内径がエキスパンドシート203に貼着されるウェーハ201の直径よりも大きな拡張ドラム121の上端に等間隔に配置されることで、平面視において、ウェーハ201を囲繞する環状に配置されている。 The pressure rollers 122 are cylindrical and supported at the upper end of the expansion drum 121 so as to be rotatable around an axis (hereinafter referred to as the rotation axis). As shown in Figure 4, the pressure rollers 122 are arranged at equal intervals around the circumferential direction. The pressure rollers 122 are arranged at equal intervals at the upper end of the expansion drum 121, which has an inner diameter smaller than the inner diameter of the frame 204 placed on the upper surface 152 of the frame mounting plate 15 and larger than the diameter of the wafer 201 attached to the expanding sheet 203. As a result, the pressure rollers 122 are arranged in a ring shape surrounding the wafer 201 in a plan view.
押圧ローラー122は、回転軸が平面視における拡張ドラム121の接線と平行に配置されている。押圧ローラー122は、拡張ドラム121の上端に平面視における拡張ドラム121の接線と平行な回転軸回りに回転自在に支持されることにより、ウェーハ201の径方向への回転を許容する向きにそれぞれ配設されている。 The pressure rollers 122 are arranged so that their rotation axes are parallel to the tangent line of the expansion drum 121 in a plan view. The pressure rollers 122 are supported at the upper end of the expansion drum 121 so as to be rotatable around a rotation axis parallel to the tangent line of the expansion drum 121 in a plan view, and are each oriented to allow rotation of the wafer 201 in the radial direction.
拡張ドラム121は、シリンダ18に取り付けられ、シリンダ18によりZ軸方向に昇降する。即ち、拡張ドラム121は、シリンダ18の伸縮自在なロッド181の先端に取り付けられてシリンダ18のロッド181が伸縮することでZ軸方向に昇降自在に設けられている。 The expansion drum 121 is attached to the cylinder 18 and is raised and lowered in the Z-axis direction by the cylinder 18. That is, the expansion drum 121 is attached to the tip of the extendable rod 181 of the cylinder 18, and is capable of being raised and lowered in the Z-axis direction by the extension and contraction of the rod 181 of the cylinder 18.
実施形態1では、拡張ドラム121は、シリンダ18により押圧ローラー122の上端がフレーム204を固定したフレーム固定ユニット11のフレーム載置プレート15の上面152よりも下側に位置する位置と、押圧ローラー122の上端がフレーム204を固定したフレーム固定ユニット11のフレーム載置プレート15の上面152よりも上側に位置する位置とに亘ってZ軸方向に昇降する。 In embodiment 1, the expansion drum 121 is raised and lowered in the Z-axis direction by the cylinder 18 between a position where the upper end of the pressure roller 122 is located below the upper surface 152 of the frame mounting plate 15 of the frame fixing unit 11 to which the frame 204 is fixed, and a position where the upper end of the pressure roller 122 is located above the upper surface 152 of the frame mounting plate 15 of the frame fixing unit 11 to which the frame 204 is fixed.
シリンダ18により上昇すると押圧ローラー122の上端がフレーム204を固定したフレーム固定ユニット11のフレーム載置プレート15の上面152よりも上側に位置するので、押圧ローラー122は、フレーム固定ユニット11により固定されたウェーハユニット200のエキスパンドシート203のフレーム204の内周とウェーハ201の外周との間の領域212を押圧する。実施形態1では、押圧ローラー122は、エキスパンドシート203の領域212に貼着されかつウェーハ201の外周からはみ出したDAF202を押圧する。 When raised by the cylinder 18, the upper end of the pressure roller 122 is positioned above the upper surface 152 of the frame mounting plate 15 of the frame fixing unit 11 that fixes the frame 204, so the pressure roller 122 presses against the region 212 between the inner periphery of the frame 204 of the expand sheet 203 of the wafer unit 200 fixed by the frame fixing unit 11 and the outer periphery of the wafer 201. In embodiment 1, the pressure roller 122 presses against the DAF 202 that is attached to the region 212 of the expand sheet 203 and that protrudes beyond the outer periphery of the wafer 201.
押さえユニット13は、フレーム固定ユニット11により固定されるウェーハユニット200よりも上方に配置されている。押さえユニット13は、図に示すように、押さえドラム131と、複数の当接部材である上側ローラー132とを備える。押さえドラム131は、内外径が各拡張ドラム121の内外径と同径でかつ上方が閉塞された円筒状に形成されている。押さえドラム131は、フレーム固定ユニット11の開口部151,161、即ち拡張ドラム121と同軸に配置されている。 The pressure unit 13 is positioned above the wafer unit 200 fixed by the frame fixing unit 11. As shown in the figure, the pressure unit 13 comprises a pressure drum 131 and a plurality of upper rollers 132, which are abutment members. The pressure drum 131 is cylindrical, with its inner and outer diameters the same as those of each expansion drum 121 and its top closed. The pressure drum 131 is positioned coaxially with the openings 151, 161 of the frame fixing unit 11, i.e., the expansion drums 121.
上側ローラー132は、円柱状に形成され、押さえドラム131の下端に軸心(以下回転軸と記す)回りに回転自在に支持されている。上側ローラー132は、図4に示すように、周方向に等間隔に配置され、平面視において、押圧ローラー122間に重なる位置、即ち、押圧ローラー122の回転軸方向の両端縁に重なる位置に配置されている。 The upper rollers 132 are cylindrical and supported at the lower end of the pressure drum 131 so as to be rotatable around an axis (hereinafter referred to as the rotation axis). As shown in Figure 4, the upper rollers 132 are arranged at equal intervals around the circumferential direction and are positioned so as to overlap between the pressure rollers 122 in plan view, i.e., so as to overlap both edge edges of the pressure rollers 122 in the direction of the rotation axis.
実施形態1では、上側ローラー132は、押圧ローラー122と同形状に形成されている。上側ローラー132は、内外径が拡張ドラム121と同径の押さえドラム131の下端に等間隔に配置されることで、平面視において、ウェーハ201を囲繞する環状に配置されている。 In embodiment 1, the upper rollers 132 are formed in the same shape as the pressure rollers 122. The upper rollers 132 are arranged at equal intervals at the lower end of the pressure drum 131, which has the same inner and outer diameters as the expansion drum 121, and are arranged in a ring shape surrounding the wafer 201 in a plan view.
上側ローラー132は、回転軸が平面視における押さえドラム131の接線と平行に配置されている。押圧ローラー122は、押さえドラム131の下端に平面視における押さえドラム131の接線と平行な回転軸回りに回転自在に支持されることにより、ウェーハ201の径方向への回転を許容する向きにそれぞれ配設されている。 The upper roller 132 is arranged so that its rotation axis is parallel to the tangent line of the pressure drum 131 in a plan view. The pressure rollers 122 are supported at the lower end of the pressure drum 131 so as to be rotatable around a rotation axis parallel to the tangent line of the pressure drum 131 in a plan view, and are each oriented to allow rotation in the radial direction of the wafer 201.
押さえドラム131は、シリンダ19に取り付けられ、シリンダ19によりZ軸方向に昇降する。即ち、押さえドラム131は、シリンダ19の伸縮自在なロッド191の先端に取り付けられてシリンダ19のロッド191が伸縮することでZ軸方向に昇降自在に設けられている。 The pressure drum 131 is attached to the cylinder 19 and is raised and lowered in the Z-axis direction by the cylinder 19. That is, the pressure drum 131 is attached to the tip of the retractable rod 191 of the cylinder 19, and is capable of being raised and lowered in the Z-axis direction by the extension and contraction of the rod 191 of the cylinder 19.
実施形態1では、押さえドラム131は、シリンダ19のロッド191の伸縮により上側ローラー132の下端がフレーム204を固定したフレーム固定ユニット11のフレーム載置プレート15の上面152と同一平面上に位置する位置と、上側ローラー132の下端がフレーム204を固定したフレーム固定ユニット11のフレーム載置プレート15の上面152よりも上側に位置する位置とに亘ってZ軸方向に昇降する。 In embodiment 1, the pressure drum 131 moves up and down in the Z-axis direction by extension and retraction of the rod 191 of the cylinder 19 between a position where the lower end of the upper roller 132 is flush with the upper surface 152 of the frame mounting plate 15 of the frame fixing unit 11 to which the frame 204 is fixed, and a position where the lower end of the upper roller 132 is higher than the upper surface 152 of the frame mounting plate 15 of the frame fixing unit 11 to which the frame 204 is fixed.
シリンダ19のロッド191が伸長することにより下降すると上側ローラー132の下端がフレーム204を固定したフレーム固定ユニット11のフレーム載置プレート15の上面152と同一平面上に位置するので、上側ローラー132は、押圧ユニット12がエキスパンドシート203を押圧する際に、ウェーハ201の外周からはみ出したDAF202における少なくとも各押圧ローラー122の回転軸方向の両端縁に対応する位置に当接する。 When the rod 191 of the cylinder 19 extends and descends, the lower end of the upper roller 132 is positioned flush with the upper surface 152 of the frame mounting plate 15 of the frame fixing unit 11 that fixes the frame 204. As a result, when the pressing unit 12 presses the expanded sheet 203, the upper roller 132 abuts at positions corresponding to both end edges of each pressing roller 122 in the rotational axis direction of the DAF 202 that protrudes from the outer periphery of the wafer 201.
また、押さえユニット13は、シリンダ19のロッド191と押さえドラム131との間に、これらに固定された付勢手段であるばね20を備えている。ばね20は、伸縮することでシリンダ19のロッド191に対して押さえドラム131及び上側ローラー132をZ軸方向に昇降自在とする。ばね20は、伸縮することで、上側ローラー132の下端がフレーム204を固定したフレーム固定ユニット11のフレーム載置プレート15の上面152と同一平面上に位置する位置からロッド191が伸縮することなく上側ローラー132がZ軸方向に昇降することを許容する。 The presser unit 13 also includes a spring 20, a biasing means, fixed between the rod 191 of the cylinder 19 and the presser drum 131. The spring 20 expands and contracts to allow the presser drum 131 and upper roller 132 to move up and down in the Z-axis direction relative to the rod 191 of the cylinder 19. The expansion and contraction of the spring 20 allows the upper roller 132 to move up and down in the Z-axis direction from a position where the lower end of the upper roller 132 is flush with the upper surface 152 of the frame mounting plate 15 of the frame fixing unit 11 to which the frame 204 is fixed, without the rod 191 expanding or contracting.
実施形態1において、分割ユニット10は、平面視において、押圧ローラー122と上側ローラー132とを回転軸が同一の円上に位置するように、押圧ローラー122と上側ローラー132とを回転軸がZ軸方向に重なる位置に配置している。 In embodiment 1, the split unit 10 is arranged such that, in a plan view, the pressure roller 122 and the upper roller 132 have their rotation axes positioned on the same circle, and the rotation axes of the pressure roller 122 and the upper roller 132 overlap in the Z-axis direction.
分割ユニット10は、フレーム固定ユニット11でウェーハユニット200のフレーム204を固定し、押さえドラム131を上側ローラー132の下端がフレーム204を固定したフレーム固定ユニット11のフレーム載置プレート15の上面152と同一平面上に位置する位置に位置付け、拡張ドラム121を押圧ローラー122の上端がフレーム204を固定したフレーム固定ユニット11のフレーム載置プレート15の上面152よりも下側に位置する位置から上昇させて、ウェーハユニット200のエキスパンドシート203のフレーム204の内周とウェーハ201の外周との間の領域212を押圧して、エキスパンドシート203を面方向に拡張する。また、分割ユニット10は、エキスパンドシート203を一旦拡張した後、拡張ドラム121を下降することで、ウェーハユニット200のエキスパンドシート203のフレーム204の内周とウェーハ201の外周との間の領域212に弛みを形成する。 The split unit 10 fixes the frame 204 of the wafer unit 200 with the frame fixing unit 11, positions the pressure drum 131 at a position where the lower end of the upper roller 132 is flush with the upper surface 152 of the frame mounting plate 15 of the frame fixing unit 11 to which the frame 204 is fixed, and raises the expansion drum 121 from a position where the upper end of the pressure roller 122 is lower than the upper surface 152 of the frame mounting plate 15 of the frame fixing unit 11 to which the frame 204 is fixed, thereby pressing the area 212 between the inner periphery of the frame 204 of the expand sheet 203 of the wafer unit 200 and the outer periphery of the wafer 201, thereby expanding the expand sheet 203 in the planar direction. In addition, the split unit 10 first expands the expand sheet 203, and then lowers the expansion drum 121, creating slack in the region 212 between the inner periphery of the frame 204 of the expand sheet 203 of the wafer unit 200 and the outer periphery of the wafer 201.
ヒートシュリンクユニット30は、一対の第2ガイドレール7のY軸方向の他方側の隣に配置されている。ヒートシュリンクユニット30は、図5に示すように、保持テーブル32と、フレーム固定ユニット31と、シート拡張ユニット36と、加熱ユニット37とを備える。 The heat shrink unit 30 is disposed adjacent to the other side of the pair of second guide rails 7 in the Y-axis direction. As shown in FIG. 5, the heat shrink unit 30 includes a holding table 32, a frame fixing unit 31, a sheet expansion unit 36, and a heating unit 37.
保持テーブル32は、エキスパンドシート203を介してウェーハユニット200のウェーハ201を吸引保持する保持面321を有するものである。保持テーブル32は、フレーム204の内径よりも直径が小径な円板形状であり、ステンレス鋼等の金属からなる円板状の枠体322と、ポーラスセラミック等の多孔質材で構成されかつ枠体322により囲繞された円板状の吸着部323とを備える。 The holding table 32 has a holding surface 321 that suction-holds the wafers 201 of the wafer unit 200 via the expandable sheet 203. The holding table 32 is disk-shaped with a diameter smaller than the inner diameter of the frame 204, and includes a disk-shaped frame 322 made of a metal such as stainless steel, and a disk-shaped suction portion 323 made of a porous material such as porous ceramic and surrounded by the frame 322.
枠体322と吸着部323の上面は、同一平面上に配置されて、ウェーハ201を吸引保持する保持面321を構成している。吸着部323は、ウェーハ201と略同径である。吸着部323は、枠体322等に形成された吸引路324を介してエジェクタ等の吸引源325に接続されている。吸引路324は、開閉弁326が設けられている。 The upper surfaces of the frame 322 and the suction part 323 are arranged on the same plane, forming a holding surface 321 that holds the wafer 201 by suction. The suction part 323 has approximately the same diameter as the wafer 201. The suction part 323 is connected to a suction source 325, such as an ejector, via a suction path 324 formed in the frame 322 or the like. The suction path 324 is provided with an on-off valve 326.
保持テーブル32は、保持面321に第2搬送ユニット52により搬送されてきたウェーハユニット200のエキスパンドシート203を介してウェーハ201の裏面208側が載置される。保持テーブル32は、開閉弁326が開くことなどにより、吸引源325により保持面321の吸着部323が吸引されることで、ウェーハ201の裏面208側を保持面321に吸引保持する。 The back surface 208 of the wafer 201 of the wafer unit 200 transported by the second transport unit 52 is placed on the holding surface 321 of the holding table 32 via the expand sheet 203. When the on-off valve 326 is opened, the suction source 325 sucks the suction portion 323 of the holding surface 321, thereby suction-holding the back surface 208 of the wafer 201 to the holding surface 321.
フレーム固定ユニット31は、ウェーハユニット200のフレーム204を固定するものである。フレーム固定ユニット31は、フレーム載置プレート33と、フレーム押さえプレート34とを備える。フレーム載置プレート33は、平面形状が円形の開口部331が設けられ、かつ上面332が水平方向と平行に平坦に形成された板状に形成されている。フレーム載置プレート33の開口部331の内径は、フレーム204の内径よりも若干小さくDAF202の直径よりも大きく形成されている。フレーム載置プレート33は、開口部331内に保持テーブル32を配置し、開口部331が保持テーブル32と同軸に配置されている。フレーム載置プレート33は、図1に示すように、上面332の四隅に水平方向に移動自在に設けられ、かつ水平方向に移動することによりフレーム204の位置を調整して、ウェーハ201を保持テーブル32の保持面321の吸着部323と同軸となる位置に位置決めするセンタリングガイド333が設けられている。 The frame fixing unit 31 fixes the frame 204 of the wafer unit 200. The frame fixing unit 31 includes a frame mounting plate 33 and a frame holding plate 34. The frame mounting plate 33 has a circular opening 331 in plan view and a flat, plate-like top surface 332 parallel to the horizontal direction. The inner diameter of the opening 331 of the frame mounting plate 33 is slightly smaller than the inner diameter of the frame 204 and larger than the diameter of the DAF 202. The frame mounting plate 33 accommodates the holding table 32 within the opening 331, and the opening 331 is arranged coaxially with the holding table 32. As shown in FIG. 1 , the frame mounting plate 33 is provided with centering guides 333 that are horizontally movable at the four corners of the top surface 332 and that move horizontally to adjust the position of the frame 204 and position the wafer 201 coaxially with the suction portion 323 of the holding surface 321 of the holding table 32.
また、フレーム載置プレート33は、シリンダ35によりZ軸方向に昇降自在に設けられている。即ち、フレーム載置プレート33は、シリンダ35の伸縮自在なロッド351の先端に取り付けられてシリンダ35のロッド351が伸縮することでZ軸方向に昇降自在に設けられている。 The frame mounting plate 33 is also provided so that it can be raised and lowered in the Z-axis direction by a cylinder 35. That is, the frame mounting plate 33 is attached to the tip of the extendable rod 351 of the cylinder 35, and is provided so that it can be raised and lowered in the Z-axis direction by the extension and contraction of the rod 351 of the cylinder 35.
フレーム押さえプレート34は、フレーム載置プレート33とほぼ同寸法の板状に形成され、中央に開口部331と同寸法の円形の開口部341が設けられている。フレーム押さえプレート34は、図示しないシリンダのピストンロッドの先端に取り付けられ、ピストンロッドがY軸方向に沿って伸縮することにより、フレーム載置プレート33の上方の位置と、フレーム載置プレート33の上方から退避した位置とに亘って移動自在である。フレーム押さえプレート34は、図1に示すように、四隅にセンタリングガイド333が侵入可能な長孔342が設けられている。 The frame pressing plate 34 is formed in a plate shape with approximately the same dimensions as the frame mounting plate 33, and has a circular opening 341 in its center with the same dimensions as the opening 331. The frame pressing plate 34 is attached to the tip of the piston rod of a cylinder (not shown), and is movable between a position above the frame mounting plate 33 and a position retracted from above the frame mounting plate 33 as the piston rod extends and retracts along the Y-axis direction. As shown in Figure 1, the frame pressing plate 34 has elongated holes 342 at its four corners, into which the centering guides 333 can enter.
フレーム固定ユニット31は、フレーム押さえプレート34がフレーム載置プレート33の上方から退避した位置に位置付けられ、センタリングガイド333同士が互いに離れた状態で、フレーム載置プレート33の上面332に第2搬送ユニット52により搬送されてきたウェーハユニット200のフレーム204が載置される。フレーム固定ユニット31は、センタリングガイド333同士を近づけて、ウェーハユニット200のウェーハ201を位置決めする。フレーム固定ユニット31は、フレーム押さえプレート34をフレーム載置プレート33の上方に位置付け、フレーム載置プレート33がシリンダ35により上昇されて、ウェーハユニット200のフレーム204をフレーム載置プレート33とフレーム押さえプレート34との間に挟んで固定する。 The frame fixing unit 31 is positioned so that the frame pressing plate 34 is retracted from above the frame mounting plate 33, and the frame 204 of the wafer unit 200 transported by the second transport unit 52 is placed on the upper surface 332 of the frame mounting plate 33 with the centering guides 333 spaced apart. The frame fixing unit 31 brings the centering guides 333 closer together to position the wafer 201 of the wafer unit 200. The frame fixing unit 31 positions the frame pressing plate 34 above the frame mounting plate 33, and the frame mounting plate 33 is raised by the cylinder 35, sandwiching and fixing the frame 204 of the wafer unit 200 between the frame mounting plate 33 and the frame pressing plate 34.
シート拡張ユニット36は、保持テーブル32とフレーム固定ユニット31とを鉛直方向に沿う軸心に沿って互いに離れる位置に相対的に移動させ、エキスパンドシート203を拡張するものである。シート拡張ユニット36は、図5に示すように、突き上げ部材361と、突き上げ部材昇降ユニット362と、保持テーブル昇降ユニット363とを備える。 The sheet expansion unit 36 expands the expanding sheet 203 by moving the holding table 32 and the frame fixing unit 31 relatively along a vertical axis to positions away from each other. As shown in Figure 5, the sheet expansion unit 36 includes a push-up member 361, a push-up member lifting unit 362, and a holding table lifting unit 363.
突き上げ部材361は、円筒状に形成され、直径がフレーム載置プレート33の上面332に載置されるフレーム204の内径よりも小さく、内径がエキスパンドシート203に貼着されるウェーハ201及び保持テーブル32の直径よりも大きく形成されている。突き上げ部材361は、内側に保持テーブル32を配置し、保持テーブル32と同軸に配置されている。突き上げ部材361の上端には、押圧ローラー364が回転自在に取り付けられている。 The push-up member 361 is cylindrical and has a diameter smaller than the inner diameter of the frame 204 placed on the upper surface 332 of the frame mounting plate 33, but larger than the diameter of the wafer 201 attached to the expandable sheet 203 and the holding table 32. The push-up member 361 has the holding table 32 located inside, and is arranged coaxially with the holding table 32. A pressure roller 364 is rotatably attached to the upper end of the push-up member 361.
突き上げ部材昇降ユニット362は、押圧ローラー364が下降したフレーム載置プレート33の上面332よりも下方に位置する位置と、上昇したフレーム載置プレート33の上面332よりも上方に位置する位置とに亘って、突き上げ部材361をZ軸方向に昇降させるものである。 The push-up member lifting unit 362 raises and lowers the push-up member 361 in the Z-axis direction between a position where the pressure roller 364 is positioned below the upper surface 332 of the lowered frame mounting plate 33 and a position where it is positioned above the upper surface 332 of the raised frame mounting plate 33.
保持テーブル昇降ユニット363は、保持面321が下降したフレーム載置プレート33の上面332よりも下方に位置する位置と、上昇したフレーム載置プレート33の上面332よりも上方に位置する位置とに亘って、保持テーブル32をZ軸方向に昇降させるものである。 The holding table lifting unit 363 raises and lowers the holding table 32 in the Z-axis direction between a position where the holding surface 321 is located below the upper surface 332 of the lowered frame mounting plate 33 and a position where it is located above the upper surface 332 of the raised frame mounting plate 33.
加熱ユニット37は、分割ユニット10によりエキスパンドシート203が拡張されて形成されたエキスパンドシート203のフレーム204とウェーハ201との間の領域212の弛みを加熱して収縮させるものである。加熱ユニット37は、Z軸方向に移動自在でかつZ軸方向と平行な軸心回りに回転する複数の加熱部371とを備える。 The heating unit 37 heats and contracts the slack in the region 212 between the frame 204 and the wafer 201 of the expanding sheet 203 formed by expanding the expanding sheet 203 using the dividing unit 10. The heating unit 37 has multiple heating sections 371 that are movable in the Z-axis direction and rotate around an axis parallel to the Z-axis direction.
加熱部371は、フレーム固定ユニット31で固定されたフレーム204を含むウェーハユニット200のエキスパンドシート203の領域212の上方に周方向に等間隔に配置されて、エキスパンドシート203の領域212に対応した円上に配置されている。加熱部371は、保持テーブル32及びフレーム固定ユニット31に保持されたウェーハユニット200のエキスパンドシート203の領域212とZ軸方向に対面する位置に配置されている。実施形態1において、加熱部371は、周方向に等間隔に四つ設けられているが、本発明では、四つに限定されない。 The heating units 371 are arranged at equal intervals in the circumferential direction above the area 212 of the expanding sheet 203 of the wafer unit 200, which includes the frame 204 fixed by the frame fixing unit 31, and are arranged on a circle corresponding to the area 212 of the expanding sheet 203. The heating units 371 are arranged at positions facing the area 212 of the expanding sheet 203 of the wafer unit 200 held by the holding table 32 and the frame fixing unit 31 in the Z-axis direction. In embodiment 1, four heating units 371 are provided at equal intervals in the circumferential direction, but the present invention is not limited to four.
加熱部371は、赤外線を下方に照射して、エキスパンドシート203の領域212を加熱する形式のもの、例えば、電圧が印加されると加熱されて、赤外線を放射する赤外線セラミックヒータである。加熱部371は、保持テーブル32の軸心と同軸な軸心回りに回転して、エキスパンドシート203の前述した領域212上を旋回する。 The heating unit 371 is a type that irradiates infrared rays downward to heat the region 212 of the expanding sheet 203; for example, it is an infrared ceramic heater that heats up when voltage is applied and emits infrared rays. The heating unit 371 rotates around an axis coaxial with the axis of the holding table 32, and orbits over the aforementioned region 212 of the expanding sheet 203.
加熱ユニット37は、加熱部371が下降して、保持テーブル32及びフレーム固定ユニット31に保持されたウェーハユニット200のエキスパンドシート203の領域212と鉛直方向に対面し、軸心回りに回転して、エキスパンドシート203の前述した領域212上を旋回することで、エキスパンドシート203の領域212の弛みを加熱、収縮させる。 The heating unit 37 has its heating section 371 lowered to vertically face the region 212 of the expanding sheet 203 of the wafer unit 200 held by the holding table 32 and frame fixing unit 31, and rotates around its axis to orbit over the aforementioned region 212 of the expanding sheet 203, thereby heating and contracting any slack in the region 212 of the expanding sheet 203.
洗浄ユニット40は、分割ユニット10によりエキスパンドシート203が拡張され、ヒートシュリンクユニット30により弛みが加熱、収縮されたウェーハユニット200の主にウェーハ201を洗浄するものである。洗浄ユニット40は、一対の第1ガイドレール6の下方に配置されかつウェーハユニット200のエキスパンドシート203を介してウェーハ201を吸引保持するスピンナーテーブル41と、スピンナーテーブル41に吸引保持されたウェーハ201の表面205に洗浄水を供給する図示しない洗浄水供給ノズルとを備える。 The cleaning unit 40 primarily cleans the wafers 201 of the wafer unit 200, whose expanding sheet 203 has been expanded by the split unit 10 and whose slack has been heated and shrunk by the heat shrink unit 30. The cleaning unit 40 includes a spinner table 41 that is positioned below the pair of first guide rails 6 and that suction-holds the wafers 201 via the expanding sheet 203 of the wafer unit 200, and a cleaning water supply nozzle (not shown) that supplies cleaning water to the surface 205 of the wafer 201 held by suction on the spinner table 41.
洗浄ユニット40は、一対の第1ガイドレール6同士が離れると、第2搬送ユニット52によりヒートシュリンクユニット30により弛みが加熱され、収縮されたウェーハユニット200がスピンナーテーブル41上に載置される。洗浄ユニット40は、スピンナーテーブル41をZ軸方向と平行な軸心回りに回転しながら洗浄水供給ノズルから洗浄水をウェーハ201の表面205に供給して、ウェーハ201を洗浄する。 When the pair of first guide rails 6 separate, the cleaning unit 40 heats the slack in the heat shrink unit 30 via the second transport unit 52, and the shrunk wafer unit 200 is placed on the spinner table 41. The cleaning unit 40 rotates the spinner table 41 around an axis parallel to the Z-axis direction while supplying cleaning water from a cleaning water supply nozzle onto the surface 205 of the wafer 201 to clean the wafer 201.
紫外線照射ユニット60は、洗浄ユニット40により洗浄されたウェーハユニット200のエキスパンドシート203に紫外線を照射して、粘着層を硬化させて、粘着層の粘着力を低下させるものである。紫外線照射ユニット60は、装置本体2のY軸方向の他端に配置され、第1ガイドレール6のY軸方向の一方側の隣に配置されている。 The ultraviolet irradiation unit 60 irradiates the expandable sheet 203 of the wafer unit 200 cleaned by the cleaning unit 40 with ultraviolet light to harden the adhesive layer and reduce the adhesive strength of the adhesive layer. The ultraviolet irradiation unit 60 is located at the other end of the device main body 2 in the Y-axis direction, and is located next to one side of the first guide rail 6 in the Y-axis direction.
紫外線照射ユニット60は、第1搬送ユニット51により第1ガイドレール6上の洗浄後のウェーハユニット200が搬入され、搬入されてきたウェーハユニット200のエキスパンドシート203に所定時間紫外線を照射する。紫外線照射ユニット60は、第1搬送ユニット51により紫外線を照射したウェーハユニット200が第1ガイドレール6上に搬出される。 The ultraviolet irradiation unit 60 receives the cleaned wafer unit 200 on the first guide rail 6 by the first transport unit 51, and irradiates the expanded sheet 203 of the wafer unit 200 with ultraviolet light for a predetermined period of time. The ultraviolet irradiation unit 60 then receives the wafer unit 200 irradiated with ultraviolet light by the first transport unit 51 and transports it onto the first guide rail 6.
制御ユニット100は、拡張装置1の上述した構成要素、即ち、少なくとも加熱手段38等を制御して、ウェーハ201に対する加工動作を拡張装置1に実施させるものである。なお、制御ユニット100は、CPU(central processing unit)のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ROM(read only memory)又はRAM(random access memory)のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御ユニット100の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、拡張装置1を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介して拡張装置1の上述した構成要素に出力する。 The control unit 100 controls the above-mentioned components of the expansion device 1, i.e., at least the heating means 38, etc., and causes the expansion device 1 to perform processing operations on the wafer 201. The control unit 100 is a computer that includes an arithmetic processing device with a microprocessor such as a CPU (central processing unit), a storage device with memory such as ROM (read only memory) or RAM (random access memory), and an input/output interface device. The arithmetic processing device of the control unit 100 performs arithmetic processing in accordance with a computer program stored in the storage device, and outputs control signals for controlling the expansion device 1 to the above-mentioned components of the expansion device 1 via the input/output interface device.
制御ユニット100は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示ユニットと、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる図示しない入力ユニットとに接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。 The control unit 100 is connected to a display unit (not shown) consisting of an LCD display or the like that displays the status of the machining operation and images, and an input unit (not shown) that the operator uses to register machining content information, etc. The input unit consists of at least one of a touch panel provided on the display unit and an external input device such as a keyboard.
次に、実施形態1に係るウェーハの加工方法を説明する。図6は、実施形態1に係るウェーハの加工方法の流れを示すフローチャートである。実施形態1に係るウェーハの加工方法は、ウェーハユニット200のエキスパンドシート203を拡張して、ウェーハ201を改質層209を起点に破断して、ウェーハ201を個々のチップ210に分割するとともに、DAF202を分割予定ライン206に沿って個々のチップ210毎に分割する方法である。ウェーハの加工方法は、図6に示すように、ウェーハユニット準備ステップ301と、フレーム固定ステップ302と、拡張ステップ303と、ヒートシュリンクステップ304と、洗浄ステップ305と、紫外線照射ステップ306とを備える。 Next, a wafer processing method according to embodiment 1 will be described. Figure 6 is a flowchart showing the flow of the wafer processing method according to embodiment 1. The wafer processing method according to embodiment 1 involves expanding the expand sheet 203 of the wafer unit 200, breaking the wafer 201 starting from the modified layer 209, dividing the wafer 201 into individual chips 210, and dividing the DAF 202 into each individual chip 210 along the planned division lines 206. As shown in Figure 6, the wafer processing method includes a wafer unit preparation step 301, a frame fixing step 302, an expansion step 303, a heat shrink step 304, a cleaning step 305, and an ultraviolet light irradiation step 306.
(ウェーハユニット準備ステップ)
ウェーハユニット準備ステップ301は、前述した構成のウェーハユニット200を準備するステップである。ウェーハユニット準備ステップ301では、エキスパンドシート203に貼着されたDAF202にウェーハ201の裏面208を貼着し、エキスパンドシート203の外周にフレーム204を焼灼して、ウェーハユニット200を構成する。実施形態1において、ウェーハユニット準備ステップ301では、オペレータ等がウェーハユニット200をカセット4に収容し、拡張装置1は、複数のウェーハユニット200が収容されたカセット4がカセットエレベータ3上に載置される。
(Wafer unit preparation step)
The wafer unit preparation step 301 is a step for preparing the wafer unit 200 having the above-described configuration. In the wafer unit preparation step 301, the back surface 208 of the wafer 201 is attached to the DAF 202 attached to the expanding sheet 203, and the frame 204 is cauterized around the outer periphery of the expanding sheet 203 to form the wafer unit 200. In the wafer unit preparation step 301 in the first embodiment, an operator or the like places the wafer unit 200 in the cassette 4, and the expansion device 1 places the cassette 4 containing the plurality of wafer units 200 on the cassette elevator 3.
また、実施形態1において、ウェーハユニット準備ステップ301では、入力ユニットを介して加工内容情報を制御ユニット100が受け付けて記憶装置に記憶する、実施形態1において、フレーム固定ステップ302では、制御ユニット100がオペレータからの加工開始指示を受け付けると、フレーム固定ステップ302に進む。 Furthermore, in embodiment 1, in wafer unit preparation step 301, the control unit 100 receives processing content information via the input unit and stores it in a storage device. In embodiment 1, in frame fixing step 302, when the control unit 100 receives a processing start instruction from the operator, the process proceeds to frame fixing step 302.
(フレーム固定ステップ)
図7は、図6に示されたウェーハの加工方法のフレーム固定ステップにおいて分割ユニットのフレーム固定ユニットがウェーハユニットのフレームを固定した状態の断面図である。図8は、図7に示されたウェーハユニットのエキスパンドシートの領域に上側ローラーを当接させた状態の断面図である。
(frame fixing step)
Fig. 7 is a cross-sectional view showing a state in which a frame fixing unit of a division unit fixes a frame of a wafer unit in the frame fixing step of the wafer processing method shown in Fig. 6. Fig. 8 is a cross-sectional view showing a state in which an upper roller is abutted against an expanded sheet region of the wafer unit shown in Fig. 7.
フレーム固定ステップ302は、ウェーハユニット200のフレーム204を分割ユニット10のフレーム固定ユニット11で固定するステップである。フレーム固定ステップ302では、拡張装置1は、分割ユニット10の拡張ドラム121を下降した状態で、カセット4から第1搬送ユニット51でウェーハユニット200を1枚取り出し、ウェーハユニット200を一対の第1ガイドレール6上に仮置きした後、一対の第1ガイドレール6同士を近づけてウェーハユニット200をX軸方向に位置決めする。 The frame fixing step 302 is a step in which the frame 204 of the wafer unit 200 is fixed by the frame fixing unit 11 of the split unit 10. In the frame fixing step 302, the expansion device 1, with the expansion drum 121 of the split unit 10 lowered, removes one wafer unit 200 from the cassette 4 using the first transport unit 51, temporarily places the wafer unit 200 on the pair of first guide rails 6, and then moves the pair of first guide rails 6 closer to each other to position the wafer unit 200 in the X-axis direction.
フレーム固定ステップ302では、拡張装置1は、第2搬送ユニット52で第1ガイドレール6上のウェーハユニット200を第2ガイドレール7上に搬送し、一対の第2ガイドレール7を互いに近づけてウェーハユニット200をX軸方向に位置決めする。フレーム固定ステップ302では、拡張装置1は、図7に示すように、第3搬送ユニット53で一対の第2ガイドレール7上のウェーハユニット200を分割ユニット10の下降したフレーム載置プレート15の上面152上に搬送する。 In the frame fixing step 302, the expansion device 1 uses the second transport unit 52 to transport the wafer unit 200 on the first guide rails 6 onto the second guide rails 7, and then moves the pair of second guide rails 7 toward each other to position the wafer unit 200 in the X-axis direction. In the frame fixing step 302, the expansion device 1 uses the third transport unit 53 to transport the wafer unit 200 on the pair of second guide rails 7 onto the upper surface 152 of the lowered frame mounting plate 15 of the split unit 10, as shown in FIG. 7.
フレーム固定ステップ302では、拡張装置1は、図8に示すように、分割ユニット10のフレーム載置プレート15を上昇して、フレーム204をフレーム押さえプレート16とフレーム載置プレート15との間で挟んでウェーハユニット200を固定する。フレーム固定ステップ302では、拡張装置1は、図8に示すように、分割ユニット10の押さえドラム131を下降して、上側ローラー132の下端をフレーム固定ユニット11が固定したフレーム204を含むウェーハユニット200のエキスパンドシート203の領域212に当接させる。 In the frame fixing step 302, the expansion device 1 raises the frame mounting plate 15 of the split unit 10 as shown in FIG. 8, and clamps the frame 204 between the frame pressing plate 16 and the frame mounting plate 15 to fix the wafer unit 200. In the frame fixing step 302, the expansion device 1 lowers the pressing drum 131 of the split unit 10 as shown in FIG. 8, and abuts the lower end of the upper roller 132 against the region 212 of the expanded sheet 203 of the wafer unit 200, including the frame 204 fixed by the frame fixing unit 11.
(拡張ステップ)
図9は、図6に示されたウェーハの加工方法の拡張ステップにおいて分割ユニットの拡張ドラムが上昇しエキスパンドシートが拡張した状態の断面図である。拡張ステップ303は、フレーム固定ユニット11で固定されたフレーム204を含むウェーハユニット200のエキスパンドシート203の領域212を基材層側から押圧ユニット12で押圧してエキスパンドシート203を拡張し、分割予定ライン206に沿ってDAF202を破断して、裏面208にDAF202が貼着されたチップ210を複数形成するステップである。
(extension step)
Figure 9 is a cross-sectional view showing a state in which the expansion drum of the dividing unit is raised and the expand sheet is expanded in the expansion step of the wafer processing method shown in Figure 6. The expansion step 303 is a step in which a region 212 of the expand sheet 203 of the wafer unit 200 including the frame 204 fixed by the frame fixing unit 11 is pressed from the base layer side by the pressing unit 12 to expand the expand sheet 203, and the DAF 202 is broken along the planned division line 206 to form a plurality of chips 210 having the DAF 202 attached to the back surface 208.
拡張ステップ303では、拡張装置1は、拡張ドラム121を上昇させる。すると、エキスパンドシート203の領域212に拡張ドラム121の上端に設けられた押圧ローラー122が当接し、押圧ローラー122が領域212を下方から上方に向けて押圧し、エキスパンドシート203が面方向に拡張される。拡張ステップ303では、エキスパンドシート203の拡張の結果、エキスパンドシート203に放射状に引張力が作用する。 In the expansion step 303, the expansion device 1 raises the expansion drum 121. This causes the pressure roller 122 provided at the upper end of the expansion drum 121 to come into contact with the area 212 of the expanding sheet 203, and the pressure roller 122 presses the area 212 from below upward, causing the expanding sheet 203 to expand in the planar direction. In the expansion step 303, as a result of the expansion of the expanding sheet 203, a radial tensile force acts on the expanding sheet 203.
このようにウェーハ201の裏面208に貼着されたエキスパンドシート203に放射状に引張力が作用すると、ウェーハ201は、分割予定ライン206に沿って改質層209が形成されているので、改質層209を基点として、分割予定ライン206に沿って個々のチップ210に分割される。また、ウェーハ201は、チップ210間が広がり、チップ210間に間隔が形成される。また、エキスパンドシート203に放射状に引張力が作用すると、DAF202が改質層209即ち分割予定ライン206に沿って個々のチップ210毎に破断する。 When a radial tensile force acts on the expandable sheet 203 attached to the back surface 208 of the wafer 201, the wafer 201 is divided into individual chips 210 along the planned division lines 206, starting from the modified layer 209, because the modified layer 209 has been formed along the planned division lines 206. Furthermore, the wafer 201 widens between the chips 210, forming gaps between them. Furthermore, when a radial tensile force acts on the expandable sheet 203, the DAF 202 breaks into individual chips 210 along the modified layer 209, i.e., the planned division lines 206.
また、拡張ステップ303では、拡張装置1は、ウェーハ201の外周からはみ出したDAF202における少なくとも各押圧ローラー122の回転軸方向の両端縁に対応する位置に上側ローラー132を当接させ、ばね20の付勢力に抗して、上側ローラー132と押圧ローラー122とを上昇させる。このために、拡張ステップ303では、拡張装置1は、ばね20が上側ローラー132を押圧ローラー122に向かって押圧する弾性復元力を生じながら押圧ローラー122が領域212を下方から上方に向けて押圧して、上側ローラー132と押圧ローラー122とでエキスパンドシート203とともにDAF202を挟み込んだ状態で拡張する。 Furthermore, in the expansion step 303, the expansion device 1 abuts the upper roller 132 at a position on the DAF 202 that protrudes from the outer periphery of the wafer 201 corresponding to at least both end edges of each pressure roller 122 in the rotational axis direction, and raises the upper roller 132 and pressure roller 122 against the biasing force of the spring 20. Therefore, in the expansion step 303, the expansion device 1 expands the DAF 202 with the expanding sheet 203 sandwiched between the upper roller 132 and pressure roller 122 while the spring 20 generates an elastic restoring force that presses the upper roller 132 toward the pressure roller 122, causing the pressure roller 122 to press the region 212 from below to above.
このように、拡張ステップ303では、拡張装置1が、上側ローラー132と押圧ローラー122とでエキスパンドシート203とともにDAF202を挟み込んだ状態で拡張するので、押圧ローラー122の回転軸方向の両端縁でDAF202が破断してエキスパンドシート203から剥離することを防止することができる。拡張ステップ303では、拡張装置1は、分割ユニット10の拡張ドラム121が下降させる。すると、ウェーハユニット200は、エキスパンドシート203が一旦拡張しているために、エキスパンドシート203の領域212に弛みが形成される。 In this way, in the expansion step 303, the expansion device 1 expands the DAF 202 while sandwiching it between the upper roller 132 and the pressure roller 122 together with the expanding sheet 203, thereby preventing the DAF 202 from breaking at both ends in the rotational axis direction of the pressure roller 122 and peeling off from the expanding sheet 203. In the expansion step 303, the expansion device 1 lowers the expansion drum 121 of the split unit 10. Then, because the expanding sheet 203 has been temporarily expanded, slack is formed in the region 212 of the expanding sheet 203 in the wafer unit 200.
(ヒートシュリンクステップ)
図10は、図6に示されたウェーハの加工方法のヒートシュリンクステップにおいてヒートシュリンクユニットのフレーム固定ユニットがウェーハユニットのフレームを固定した状態の断面図である。図11は、図6に示されたウェーハの加工方法のヒートシュリンクステップにおいてエキスパンドシートを拡張した状態の断面図である。図12は、図6に示されたウェーハの加工方法のヒートシュリンクステップのヒートシュリンクユニットの保持テーブルにウェーハユニットを吸引保持し、突き上げ部材及び保持テーブルを下降した状態の断面図である。図13は、図6に示されたウェーハの加工方法のヒートシュリンクステップにおいてエキスパンドシートの領域の弛みを加熱している状態の断面図である。
(Heat shrink step)
Fig. 10 is a cross-sectional view showing a state in which a frame fixing unit of a heat shrink unit fixes a frame of a wafer unit in the heat shrink step of the wafer processing method shown in Fig. 6. Fig. 11 is a cross-sectional view showing a state in which an expandable sheet is expanded in the heat shrink step of the wafer processing method shown in Fig. 6. Fig. 12 is a cross-sectional view showing a state in which a wafer unit is suction-held on a holding table of a heat shrink unit in the heat shrink step of the wafer processing method shown in Fig. 6, and a state in which a push-up member and a holding table are lowered. Fig. 13 is a cross-sectional view showing a state in which a slack region of an expandable sheet is heated in the heat shrink step of the wafer processing method shown in Fig. 6.
ヒートシュリンクステップ304は、ウェーハユニットのエキスパンドシート203の領域212の弛みを加熱、収縮させるステップである。ヒートシュリンクステップ304では、拡張装置1は、分割ユニット10のフレーム固定ユニット11のフレーム載置プレート15を下降し、第3搬送ユニット53でフレーム載置プレート33上のウェーハユニット200を一対の第2ガイドレール7上に搬送する。 The heat shrink step 304 is a step in which the slack in the area 212 of the expand sheet 203 of the wafer unit is heated and shrunk. In the heat shrink step 304, the expansion device 1 lowers the frame mounting plate 15 of the frame fixing unit 11 of the split unit 10, and the third transport unit 53 transports the wafer unit 200 on the frame mounting plate 33 onto the pair of second guide rails 7.
ヒートシュリンクステップ304では、拡張装置1は、ヒートシュリンクユニット30の突き上げ部材361及び保持テーブル32が下降し、フレーム固定ユニット31のフレーム押さえプレート34を退避位置に位置付けた状態で、第2搬送ユニット52で第2ガイドレール7上のウェーハユニット200を、フレーム載置プレート33の上面332上に搬送する。 In the heat shrink step 304, the expansion device 1 lowers the push-up member 361 and holding table 32 of the heat shrink unit 30 and positions the frame pressing plate 34 of the frame fixing unit 31 in the retracted position, and then uses the second transport unit 52 to transport the wafer unit 200 on the second guide rail 7 onto the upper surface 332 of the frame mounting plate 33.
ヒートシュリンクステップ304では、拡張装置1は、フレーム固定ユニット31のセンタリングガイド333同士を近づけて、ウェーハユニット200のウェーハ201を位置決めする。ヒートシュリンクステップ304では、拡張装置1は、フレーム載置プレート33を上昇させて、図10に示すように、フレーム204をフレーム載置プレート33とフレーム押さえプレート34との間に挟んでウェーハユニット200を固定する。 In the heat shrink step 304, the expansion device 1 brings the centering guides 333 of the frame fixing units 31 closer to each other to position the wafer 201 of the wafer unit 200. In the heat shrink step 304, the expansion device 1 raises the frame mounting plate 33 and, as shown in Figure 10, sandwiches the frame 204 between the frame mounting plate 33 and the frame holding plate 34 to fix the wafer unit 200.
ヒートシュリンクステップ304では、拡張装置1は、ヒートシュリンクユニット30の突き上げ部材361及び保持テーブル32を上昇させて、図11に示すように、拡張されたエキスパンドシート203の領域212を張り、チップ210間に間隔を形成する。ヒートシュリンクステップ304では、拡張装置1は、開閉弁326を開き、吸引源325により吸着部323を吸引して、ウェーハ201の裏面208側をエキスパンドシート203を介して保持面321に吸引保持して、チップ210間の間隔を維持する。 In the heat shrink step 304, the expansion device 1 raises the push-up member 361 and holding table 32 of the heat shrink unit 30, stretching the area 212 of the expanded expand sheet 203 as shown in FIG. 11, and creating spaces between the chips 210. In the heat shrink step 304, the expansion device 1 opens the on-off valve 326 and applies suction to the suction section 323 using the suction source 325, thereby suction-holding the back surface 208 of the wafer 201 to the holding surface 321 via the expand sheet 203, thereby maintaining the spaces between the chips 210.
ヒートシュリンクステップ304では、拡張装置1は、図12に示すように、突き上げ部材361をフレーム載置プレート33の上面332よりも下方まで下降させ、保持テーブル32を保持面321がフレーム載置プレート33の上面332と同一平面上に位置するまで下降させる。すると、エキスパンドシート203の領域212に弛みが生じる。 In the heat shrink step 304, as shown in FIG. 12, the expansion device 1 lowers the push-up member 361 below the upper surface 332 of the frame mounting plate 33, and lowers the holding table 32 until the holding surface 321 is positioned on the same plane as the upper surface 332 of the frame mounting plate 33. This causes slack in the region 212 of the expanding sheet 203.
ヒートシュリンクステップ304では、拡張装置1は、ヒートシュリンクユニット30の加熱ユニット37を下降させ、加熱部371をエキスパンドシート203の領域212に対面させる。実施形態1において、ヒートシュリンクステップ304では、拡張装置1は、ヒートシュリンクユニット30が加熱ユニット37の全ての加熱部371を駆動し、全ての加熱部371から赤外線を放射させながら加熱部371を領域212の上方で所定回数旋回させる。こうして、ヒートシュリンクステップ304では、拡張装置1は、領域212の弛みを全周に亘って加熱し、収縮させる。 In the heat shrink step 304, the expansion device 1 lowers the heating unit 37 of the heat shrink unit 30 so that the heating section 371 faces the region 212 of the expanding sheet 203. In embodiment 1, in the heat shrink step 304, the expansion device 1 drives all of the heating sections 371 of the heating unit 37 of the heat shrink unit 30, causing all of the heating sections 371 to radiate infrared rays while rotating the heating sections 371 a predetermined number of times above the region 212. In this way, in the heat shrink step 304, the expansion device 1 heats the slack in the region 212 all around, causing it to shrink.
(洗浄ステップ)
洗浄ステップ305は、ヒートシュリンクステップ304を実施した後、ウェーハ201を洗浄ユニット40で洗浄するステップである。洗浄ステップ305では、拡張装置1は、ヒートシュリンクユニット30の加熱ユニット37の加熱部371の回転及び加熱を停止し、ヒートシュリンクユニット30のフレーム固定ユニット31のフレーム載置プレート33を下降し、保持テーブル32の吸引保持等を停止する。洗浄ステップ305では、拡張装置1は、第2搬送ユニット52でウェーハユニット200を洗浄ユニット40まで搬送する。洗浄ステップ305では、拡張装置1は、ウェーハユニット200を洗浄ユニット40で洗浄する。
(Washing step)
The cleaning step 305 is a step in which the wafer 201 is cleaned in the cleaning unit 40 after the heat shrink step 304 is performed. In the cleaning step 305, the expansion apparatus 1 stops the rotation and heating of the heating section 371 of the heating unit 37 of the heat shrink unit 30, lowers the frame mounting plate 33 of the frame fixing unit 31 of the heat shrink unit 30, and stops suction holding of the holding table 32, etc. In the cleaning step 305, the expansion apparatus 1 transports the wafer unit 200 to the cleaning unit 40 using the second transport unit 52. In the cleaning step 305, the expansion apparatus 1 cleans the wafer unit 200 in the cleaning unit 40.
(紫外線照射ステップ)
紫外線照射ステップ306は、洗浄後のウェーハユニット200のエキスパンドシート203に紫外線を照射するステップである。紫外線照射ステップでは、拡張装置1は、第2搬送ユニット52及び第1搬送ユニット51でウェーハユニット200を洗浄ユニット40から紫外線照射ユニット60に搬送する。
(Ultraviolet irradiation step)
The ultraviolet irradiation step 306 is a step of irradiating ultraviolet rays onto the expanding sheet 203 of the cleaned wafer unit 200. In the ultraviolet irradiation step, the expansion device 1 transports the wafer unit 200 from the cleaning unit 40 to the ultraviolet irradiation unit 60 using the second transport unit 52 and the first transport unit 51.
紫外線照射ステップ306では、拡張装置1は、ウェーハユニット200を紫外線照射ユニット60で所定時間紫外線を照射した後、第1搬送ユニット51でカセット4内に収容する。拡張装置1は、カセット4内のウェーハユニット200のエキスパンドシート203を順に拡張してウェーハ201を個々のチップ210に分割し、カセット4内の全てのウェーハユニット200のエキスパンドシート203を拡張してウェーハ201を個々のチップ210に分割すると、加工動作を終了する。 In the ultraviolet irradiation step 306, the expansion device 1 irradiates the wafer unit 200 with ultraviolet light for a predetermined period of time using the ultraviolet irradiation unit 60, and then stores the wafer unit 200 in the cassette 4 using the first transport unit 51. The expansion device 1 sequentially expands the expand sheets 203 of the wafer units 200 in the cassette 4 to divide the wafers 201 into individual chips 210, and when the expansion sheets 203 of all wafer units 200 in the cassette 4 have been expanded to divide the wafers 201 into individual chips 210, the processing operation is completed.
以上説明したように、実施形態1に係るウェーハの加工方法及び拡張装置1は、拡張ステップ303において、押圧ローラー122と上側ローラー132とでエキスパンドシート203及びDAF202を挟み込んだ状態で、エキスパンドシート203を拡張する。このために、実施形態1に係るウェーハの加工方法及び拡張装置1は、拡張ステップ303において、押圧ローラー122の回転軸方向の両端縁でDAF202が破断しても、判断したDAF202を上側ローラー132でエキスパンドシート203に押圧することとなる。 As described above, the wafer processing method and expansion device 1 according to embodiment 1 expands the expanding sheet 203 in the expansion step 303 while sandwiching the expanding sheet 203 and the DAF 202 between the pressure roller 122 and the upper roller 132. Therefore, even if the DAF 202 breaks at both ends in the rotational axis direction of the pressure roller 122 in the expansion step 303, the wafer processing method and expansion device 1 according to embodiment 1 presses the determined DAF 202 against the expanding sheet 203 with the upper roller 132.
したがって、実施形態1に係るウェーハの加工方法及び拡張装置1は、エキスパンドシート203を拡張する前に、予め、DAF202のウェーハ201の外周にはみ出した部分を除去する工程を行うことなく、DAF202がエキスパンドシート203から剥離して、飛散することを抑制できる。その結果、実施形態1に係るウェーハの加工方法及び拡張装置1は、製造工程を増やすことなくDAF202の破片の飛散に起因するチップ210のボンディング不良の発生を抑制することができるという効果を奏する。 Therefore, the wafer processing method and expansion device 1 according to embodiment 1 can prevent the DAF 202 from peeling off and scattering from the expanding sheet 203 without having to perform a step of removing the portion of the DAF 202 that protrudes beyond the outer periphery of the wafer 201 before expanding the expanding sheet 203. As a result, the wafer processing method and expansion device 1 according to embodiment 1 have the effect of preventing bonding defects in the chip 210 caused by scattering of fragments of the DAF 202 without increasing the number of manufacturing steps.
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。実施形態1では、分割起点として改質層209を形成したが、本発明では、これに限定されることなく、分割起点としてレーザ加工溝又は切削溝を形成しても良い。 The present invention is not limited to the above embodiment. In other words, various modifications can be made without departing from the gist of the present invention. In embodiment 1, modified layer 209 was formed as the starting point for division, but the present invention is not limited to this, and laser-processed grooves or machined grooves may also be formed as starting points for division.
また、実施形態1では、拡張装置1は、ウェーハユニット200のウェーハ201が図14に示すように分割予定ライン206に形成された分割溝214により、分割予定ライン206に沿って個々のチップ210に分割されていても良い。 Furthermore, in embodiment 1, the expansion device 1 may be configured such that the wafer 201 of the wafer unit 200 is divided into individual chips 210 along the planned division line 206 by division grooves 214 formed on the planned division line 206, as shown in FIG. 14.
なお、図14は、図2に示されたウェーハユニットの変形例を示す斜視図である。図14は、実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。分割溝214は、ウェーハ201を貫通して、ウェーハ201を個々のチップ210に分割するものであり、ウェーハ201に切削加工又はレーザーアブレーション加工が施されて形成される。 Note that Figure 14 is a perspective view showing a modified example of the wafer unit shown in Figure 2. In Figure 14, the same parts as in embodiment 1 are designated by the same reference numerals, and their description will be omitted. The dividing grooves 214 penetrate the wafer 201 and divide the wafer 201 into individual chips 210, and are formed by cutting or laser ablation of the wafer 201.
即ち、本発明では、ウェーハの加工方法及び拡張装置1は、ウェーハユニット準備ステップ301において分割予定ライン206に沿って分割されたウェーハ201を含むウェーハユニット200を準備し、拡張ステップ303において、DAF202を個々のチップ210毎に分割するとともに、チップ210間の間隔を拡張ステップ303前よりも広げても良い。 In other words, in the present invention, the wafer processing method and expansion device 1 prepare a wafer unit 200 including a wafer 201 divided along a planned division line 206 in a wafer unit preparation step 301, and in an expansion step 303, divide the DAF 202 into individual chips 210, and may widen the spacing between the chips 210 compared to before the expansion step 303.
また、本発明では、押圧ローラー122と上側ローラー123とでエキスパンドシート203とDAF202とを挟み込むことができれば、押圧ローラー122と上側ローラー123とのウェーハ201の径方向の位置を異ならせても良い。 Furthermore, in the present invention, as long as the expanding sheet 203 and the DAF 202 can be sandwiched between the pressure roller 122 and the upper roller 123, the radial positions of the wafer 201 between the pressure roller 122 and the upper roller 123 may be different.
1 拡張装置
11 フレーム固定ユニット
12 押圧ユニット
13 押さえユニット
122 押圧ローラー
132 上側ローラー(当接部材)
200 ウェーハユニット
201 ウェーハ
202 DAF(ダイアタッチフィルム)
203 エキスパンドシート
204 フレーム
206 分割予定ライン
208 裏面
209 改質層(分割起点)
210 チップ
211 被貼着面
212 領域
301 ウェーハユニット準備ステップ
302 フレーム固定ステップ
303 拡張ステップ
1 Expansion device 11 Frame fixing unit 12 Pressing unit 13 Pressing unit 122 Pressing roller 132 Upper roller (contact member)
200 wafer unit 201 wafer 202 DAF (die attach film)
203 Expanded sheet 204 Frame 206 Planned division line 208 Back surface 209 Modified layer (division starting point)
210 Chip 211 Adhesion surface 212 Area 301 Wafer unit preparation step 302 Frame fixing step 303 Expansion step
Claims (2)
分割予定ラインに沿って分割されたウェーハ又は分割予定ラインに沿って分割起点が形成されたウェーハと、ウェーハの裏面に貼着されウェーハの直径よりも大きい直径のダイアタッチフィルムと、該ダイアタッチフィルムを介してウェーハが貼着される被貼着面を含むエキスパンドシートと、該エキスパンドシートの外周が貼着されるフレームと、からなるウェーハユニットを準備するウェーハユニット準備ステップと、
該ウェーハユニットの該フレームをフレーム固定ユニットで固定するフレーム固定ステップと、
該フレーム固定ユニットで固定されたフレームを含む該ウェーハユニットの該エキスパンドシートの該フレームの内周とウェーハの外周との間の領域を該被貼着面の背面側から押圧ユニットで押圧して該エキスパンドシートを拡張し、該分割予定ラインに沿って該ダイアタッチフィルムを破断して裏面にダイアタッチフィルムが貼着されたチップを複数形成する拡張ステップと、を備え、
該押圧ユニットは、該ウェーハを囲繞する環状に配置され、ウェーハの径方向への回転を許容する向きにそれぞれ配設されて該エキスパンドシートを押圧する複数の押圧ローラーを有し、
該拡張ステップでは、ウェーハの外周からはみ出したダイアタッチフィルムにおける少なくとも各押圧ローラーの回転軸方向の両端縁に対応する位置に該ウェーハを囲繞して環状に配置された複数の上側ローラーを当接させ、該上側ローラーと該押圧ローラーとで該エキスパンドシートとともに該ダイアタッチフィルムを挟み込んだ状態で拡張することで、該押圧ローラーの該回転軸方向の該両端縁で該ダイアタッチフィルムが破断し該エキスパンドシートから剥離することを防止するとともに、
該押圧ローラーは、該ウェーハの周方向に等間隔に複数配置され、該上側ローラーは、該ウェーハの周方向に等間隔に複数配置されかつ該押圧ローラー間に重なる位置に配置されているとともに該ウェーハの径方向への回転を許容する向きにそれぞれ配設されて該ダイアタッチフィルムに当接する、ウェーハの加工方法。 A wafer processing method comprising:
a wafer unit preparation step of preparing a wafer unit comprising a wafer divided along a planned dividing line or a wafer on which dividing starting points are formed along the planned dividing line, a die attach film attached to the back surface of the wafer and having a diameter larger than that of the wafer, an expandable sheet including an attachment surface to which the wafer is attached via the die attachable film, and a frame to which the outer periphery of the expandable sheet is attached;
a frame fixing step of fixing the frame of the wafer unit with a frame fixing unit;
an expansion step of pressing an area between the inner periphery of the frame of the expand sheet of the wafer unit including a frame fixed by the frame fixing unit and the outer periphery of the wafer from the back side of the attachment surface with a pressing unit to expand the expand sheet, and breaking the die attach film along the planned division lines to form a plurality of chips with the die attach film attached to their back surfaces,
The pressing unit has a plurality of pressing rollers arranged in a ring shape surrounding the wafer, each of which is oriented in a direction that allows rotation of the wafer in the radial direction and presses the expand sheet,
In the expansion step, a plurality of upper rollers arranged in a ring shape surrounding the wafer are brought into contact with the die attachment film that protrudes from the outer periphery of the wafer at positions corresponding to at least both end edges in the direction of the rotation axis of each pressing roller, and the die attachment film is expanded while sandwiched between the upper rollers and the pressing rollers together with the expanded sheet, thereby preventing the die attachment film from breaking and peeling off from the expanded sheet at both end edges in the direction of the rotation axis of the pressing rollers, and
a plurality of pressure rollers are arranged at equal intervals around the circumference of the wafer, and a plurality of upper rollers are arranged at equal intervals around the circumference of the wafer, and are positioned so as to overlap between the pressure rollers, and are each oriented in a direction that allows rotation of the wafer in the radial direction, so as to abut against the die attach film , in a wafer processing method.
該ウェーハユニットの該フレームを固定するフレーム固定ユニットと、
該ウェーハを囲繞する環状に配置され、ウェーハの径方向への回転を許容する向きにそれぞれ配設されて該エキスパンドシートを押圧する複数の押圧ローラーを有し、該フレーム固定ユニットで固定されたフレームを含む該ウェーハユニットの該エキスパンドシートの該フレームの内周とウェーハの外周との間の領域を該被貼着面の背面側から押圧する押圧ユニットと、
該押圧ユニットが該エキスパンドシートを押圧する際に、ウェーハの外周からはみ出したダイアタッチフィルムにおける少なくとも各押圧ローラーの回転軸方向の両端縁に対応する位置に当接するとともに該ウェーハを囲繞して環状に配置された複数の上側ローラーを有した押さえユニットと、を備え、
該ウェーハの周方向に等間隔に複数配置された該押圧ローラーと、該ウェーハの周方向に等間隔に複数配置されかつ該押圧ローラー間に重なる位置に配置されているとともに該ウェーハの径方向への回転を許容する向きにそれぞれ配設された該上側ローラーとで該エキスパンドシートとともに該ダイアタッチフィルムを挟み込んだ状態で該エキスパンドシートを拡張する、拡張装置。 An expansion device for expanding an expandable sheet of a wafer unit, the expandable sheet comprising: a wafer divided along a planned dividing line or a wafer having dividing starting points formed along the planned dividing line; a die attach film attached to the back surface of the wafer and having a diameter larger than that of the wafer; an expandable sheet including an attachment surface to which the wafer is attached via the die attachable film; and a frame to which the outer periphery of the expandable sheet is attached,
a frame fixing unit that fixes the frame of the wafer unit;
a pressing unit having a plurality of pressing rollers arranged in a ring shape surrounding the wafer, each of which is oriented in a direction that allows the wafer to rotate in the radial direction and presses the expanded sheet, and which presses the area between the inner periphery of the frame of the expanded sheet of the wafer unit including a frame fixed by the frame fixing unit and the outer periphery of the wafer from the back side of the surface to be attached;
a pressing unit having a plurality of upper rollers arranged in a ring shape surrounding the wafer, the upper rollers contacting the die attach film protruding from the outer periphery of the wafer at positions corresponding to both end edges in the rotation axis direction of each pressing roller when the pressing unit presses the expand sheet,
An expansion device that expands the expanding sheet while sandwiching the die attach film together with the expanding sheet between a plurality of pressure rollers arranged at equal intervals around the circumference of the wafer and a plurality of upper rollers arranged at equal intervals around the circumference of the wafer, positioned so as to overlap between the pressure rollers, and oriented so as to allow rotation of the wafer in the radial direction .
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